KR102412043B1 - 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 패널은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 화소 정의막의 상기 상면 상에 배치되어 상기 화소 정의막과 접촉하고, 상기 상면을 전부 커버하는 미러 패턴을 포함한다. 상기 화소 정의막과 상기 미러 패턴은 동일한 마스크를 이용하여 형성될 수 있으므로, 공정이 단순화 되고, 제조 비용이 절감될 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 패널 및 상기 유기 발광 표시 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 거울 기능 및 영상 표시 기능을 갖는 유기 발광 표시 패널 및 상기 유기 발광 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 화소가 출력하는 광에 기초하여 영상을 표시할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 갖는 화소를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 유기 발광 다이오드가 포함하는 유기 물질에 상응하는 파장을 갖는 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 다이오드는 적색광, 녹색광, 및 청색광에 상응하는 유기 물질을 포함할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 물질에 의해 출력되는 광을 조합하여 영상을 표시할 수 있다.
최근 표시 장치의 사용 범위가 넓어짐에 따라, 거울 기능 및 영상 표시 기능을 갖는 표시 장치에 대한 수요가 증가하고 있다. 그러나, 상기 표시 장치는 일반적인 표시 장치보다 구조가 복잡하고 제조 비용이 높으며, 거울 기능을 위한 구조에 의해 표시 영상의 품질 또는 거울상의 품질이 떨어지는 문제가 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 거울 기능 및 영상 표시 기능을 갖고 구조가 단순하고, 표시 영상 및 거울상의 품질이 향상된 유기 발광 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 유기 발광 표시 패널을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 화소 정의막의 상기 상면 상에 배치되어 상기 화소 정의막과 접촉하고, 상기 상면을 전부 커버하는 미러 패턴을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유기 발광 표시 패널은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 상기 제1 전극과 마주보고, 상기 화소 정의막, 상기 미러 패턴 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 미러 패턴은 상기 제2 전극과 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막과 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어, 격자(mesh 구조)를 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 측면 일부를 더 커버할 수 있따.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 상면 만을 커버할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 감광성 물질을 포함하지 않는 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 화소 정의막의 상기 측면과 접촉하고, 상기 미러 패턴과 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 철(Fe), 플라티늄(Pt), 수은(Hg), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 바나듐(V) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 베이스 기판 상에 원시 화소 정의막을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 상기 원시 화소 정의막을 패터닝하여, 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막 상에 미러층을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막을 형성하는 단계에서 사용된 상기 마스크를 이용하여 상기 미러층을 패터닝하여, 상기 상면 상에 상기 화소 정의막과 접촉하고, 상기 상면을 전부 커버하는 미러 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막을 형성하는 단계는, 상기 원시 화소 정의막 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 상기 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 및 상기 포토레지스트층을 현상하여 상기 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴을 형성하는 단계는, 상기 미러층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 상기 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 미러층을 건식 또는 습식 식각하여 상기 미러 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 포토레지스트층을 상기 마스크를 이용하여 노광하는 단계에서, 상기 포토레지스트층의 노광 조건을 조절하여, 상기 포토레지스트 패턴의 크기를 미세 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유기 발광 표시 패널의 제조 방법은 상기 박막 트랜지스터 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 및 상기 미러층, 상기 발광 구조물 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 미러층은 상기 제2 전극과 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막과 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 측면 일부를 더 커버할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 상면 만을 커버할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 미러 패턴과 접촉하지 않을 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 베이스 기판 상에 원시 화소 정의막을 형성하는 단계,상기 원시 화소 정의막 상에 미러층을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 상기 미러층 및 상기 원시 화소 정의막을 패터닝하여, 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막 및 상기 화소 정의막의 상기 상면 상에 배치되는 미러 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 원시 화소 정의막은 감광성 물질을 포함하지 않는 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막, 상기 화소 정의막의 상면 상에 위치하는 미러 패턴 및 상기 미러 패턴 상에 위치하는 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막과 상기 미러 패턴은 동일한 마스크를 이용하여 형성될 수 있으므로, 공정이 단순화 되고, 제조 비용이 절감될 수 있다.
또한, 상기 미러 패턴은 상기 제2 전극과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라 상기 제2 전극의 IR DROP을 최소화 하기 위한 보조 전극의 역할을 할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4l은 도 2의 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5f는 도 2의 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4l은 도 2의 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5f는 도 2의 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 유기 발광 표시 패널은 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(120), 박막 트랜지스터(TFT), 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(PDL), 미러 패턴(MR), 발광 구조물(150), 제2 전극(EL2) 및 밀봉 기판(200)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110)이 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 후술할 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(ACT)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 상기 베이스 기판(100)상에 형성될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 불순물들이 각기 도핑된 소스 영역과 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 상기 소스 및 드레인 영역들 사이에 제공되는 채널 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(120)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(120)을 구성하는 금속 산화물은 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 프로파일(profile)을 따라 상기 버퍼층(110) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(120)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 절연층(120)에는 상기 액티브 패턴(ACT)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴(ACT)을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 게이트 라인과 같은 신호 라인, 제1 스토지리 전극 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(130)이 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)으로부터 상기 게이트 전극(GE)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴의 프로파일을 따라 상기 제1 절연층(120) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 절연층(130)에는 상기 게이트 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 패턴은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 데이터 라인과 같은 신호 라인, 제2 스토지리 전극 등을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 절연층(130) 및 상기 제2 절연층(130)을 통해 형성된 콘택홀들을 통해 각각 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 절연층(130) 및 상기 제2 절연층(130)을 통해 형성된 상기 콘택홀들을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 제1 절연층(120) 상기 게이트 전극(GE), 상기 제2 절연층(130), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 적층된 부분은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성할 수 있다.
상기 평탄화층(140)이 상기박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 평탄화층(140)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 평탄화층(140)은 유기물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 평탄화층(140)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 평탄화층(140)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 상기 평탄화층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 평탄화층(140)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 노출되는 상기 드레인 전극(DE)에 접촉될 수 있다.
다른 예시적실 실시예들에 따르면, 상기 드레인 전극(DE) 상에 상기 콘택홀을 채우는 콘택, 플러그 또는 패드를 형성한 다음, 상기 제1 전극(EL1)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(EL1)은 상기 콘택, 상기 플러그 또는 상기 패드를 통해 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 표시 장치는 전면 발광 방식이 채택되어, 상기 제1 전극(EL1)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL1)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(EL1)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 베이스 기판(100)의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함할 수 있다. 상기 측면은 상기 상면에 대해 경사지게 형성될 수 있다.
상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 상기 미러 패턴(MR)은 외부광을 반사하기 위해 금속과 같은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 미러 패턴(MR)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 철(Fe), 플라티늄(Pt), 수은(Hg), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 바나듐(V) 또는 몰리브덴(Mo) 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 미러 패턴(MR)은 투명 전도성 금속 산화물층 및 금속층을 포함하는 복수의 층으로 구성될 수 있다. 예를들면, 상기 미러 패턴(MR)은 ITO/Ag/ITO의 삼중막으로 형성될 수 있다.
상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)과 평면에서 볼 때, 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 상면을 전부 커버할 수 있다. 또한, 상기 미러 패턴(MR)의 가장자리는 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 측면의 일부를 커버할 수 있다. 이상적으로는 상기 미러 패턴(MR)이 상기 화소 정의막(PDL)의 상면에만 형성되는 것이 바람직하겠으나, 상기 미러 패턴(MR)은 제조 공정 상의 이유 등으로 필요에 따라, 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 측면의 일부를 커버할 수 있다.
상기 발광 구조물(150)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(150)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 상기 미러 패턴(MR)과 접촉하지 않도록, 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물(150)은 유기 발광층(EML: Emission Layer), 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 발광 구조물(150)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 구조물(150)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 또 다른 실시예들에 따르면, 상기 발광 구조물(150)의 유기 발광층은 각각의 화소에 대응하여 각각 배치되고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층, 상기 전자 주입층 등의 구조들은 복수의 화소에 대응하여 공통적으로 배치될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광 구조물(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치는 전면 발광 방식이 채택되어, 상기 제2 전극(EL2)은 투광성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(EL2)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)은 발광 영역에 대응하고, 상기 미러 패턴(MR)이 배치되는 영역은 외부 광을 반사시키는 미러 영역(MA)에 대응할 수 있다. 평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)과 실질적으로 동일한 형상을 가지므로, 상기 미러 영역(MA)은 상기 제1 방향으로 인접하는 서브 화소들 사이와 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 인접하는 서브 화소들 사이 모두에 형성될 수 있다.
상기 미러 패턴(MR)은 상기 제2 전극(EL2)과 접촉할 수 있다. 평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)과 실질적으로 동일한 형상을 가지므로, 상기 제2 전극(EL2)의 IR DROP을 최소화 하기 위한 보조 전극의 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 격자 형태(mesh 구조)로 형성되므로, 상기 제2 전극(EL2)의 전위를 효과적으로 유지시킬 수 있다.
상기 밀봉 기판(200)은 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다. 상기 밀봉기판(200)은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉 기판(200)은 밀봉 부재(미도시)에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판(200)의 사이 공간이 밀봉된다.
밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다. 상기 밀봉 기판(200) 박막의 봉지막을 상기 제2 전극(EL2) 상에 형성함으로써, 상기 제2 전극(EL2) 및 상기 발광 구조물(150)을 외기 및 수분으로부터 보호할 수 있다. 상기 봉지막은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 적어도 하나 이상씩 적층된 구조를 취할수 있는 데, 상기 막들은 교대로 배치될 수도 있고, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 박막 상의 밀봉구조이면 어떠한 것이든 적용 가능하다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 유기 발광 표시 패널은 미러 패턴(MR)을 제외하고, 도 2의 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 유기 발광 표시 패널은 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(120), 박막 트랜지스터(TFT), 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(PDL), 미러 패턴(MR), 발광 구조물(150), 제2 전극(EL2) 및 밀봉 기판(200)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(110)이 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)이 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성할 수 있다. 상기 평탄화층(140)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(EL1)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 감 광성 물질을 포함하지 않는 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(160)은 폴리이미드계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 베이스 기판(100)의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함할 수 있다. 상기 측면은 상기 상면에 대해 경사지게 형성될 수 있다.
상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 상기 미러 패턴(MR)은 외부광을 반사하기 위해 금속과 같은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 미러 패턴(MR)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 철(Fe), 플라티늄(Pt), 수은(Hg), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 바나듐(V) 또는 몰리브덴(Mo) 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 미러 패턴(MR)은 투명 전도성 금속 산화물층 및 금속층을 포함하는 복수의 층으로 구성될 수 있다. 예를들면, 상기 미러 패턴(MR)은 ITO/Ag/ITO의 삼중막으로 형성될 수 있다.
상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)과 평면에서 볼 때, 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 미러 패턴(MR1)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 상면을 전부 커버할 수 있다. 즉, 상기 미러 패턴(MR)이 상기 화소 정의막(PDL)의 상면에만 형성될 수 있다.
상기 발광 구조물(150)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광 구조물(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 밀봉 기판(200)은 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다.
도 4a 내지 도 4l은 도 2의 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 버퍼층(110)이 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅(printing) 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
액티브 패턴 (ACT)이 상기 버퍼층(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(110) 상에 액티브층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 액티브층을 패터닝하여 예비 액티브 패턴(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 후속하여, 상기 예비 액티브 패턴 대해 결정화 공정을 수행함으로써, 상기 버퍼층(110) 상에 상기 액티브 패턴(ACT)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 액티브층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 액티브층이 아몰퍼스 실리콘을 포함할 경우, 상기 액티브 패턴 (ACT)은 폴리실리콘으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 예비 액티브 패턴으로부터 상기 액티브 패턴들(ACT)을 수득하기 위한 결정화 공정은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브 패턴들(ACT) 및/또는 상기 예비 액티브 패턴을 형성한 다음, 상기 액티브 패턴들(ACT) 및/또는 상기 예비 액티브 패턴에 대하여 탈수소 공정을 수행할 수 있다. 이러한 탈수소 공정에 따라 상기 액티브 패턴(ACT) 및/또는 상기 예비 액티브 패턴 내의 수소 원자들의 농도를 감소시킬 수 있으므로, 결과적으로 상기 액티브 패턴들(ACT)의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
도 4b를 참조하면, 제1 절연층(120)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 형성된 상기 버퍼층(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(120) 상에 제1 도전막(도시되지 않음)을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 상기 게이트 패턴을 수득할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 제2 절연층(130)이 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 절연층(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
상기 제2 절연층(130) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 절연층(130) 및 상기 제1 절연층(120)을 부분적으로 식각하여 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 소스 및 드레인 영역을 각각 노출시키는 콘택홀들을 형성한 다음, 상기 콘택홀들을 채우면서 상기 제2 절연층(130) 상에 제2 도전막(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 이후에, 상기 제2 도전막을 패터닝하여 상기 데이터 패턴을 수득할 수 있다.
도 4d를 참조하면, 평탄화층(140)이 상기 데이터 패턴이 형성된 상기 제2 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 상기 평탄화층(140)의 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 상기 평탄화층(140)을 수득할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 평탄화층(140)의 표면 평탄도를 향상시키기 위하여 상기 평탄화층(140)에 대해 평탄화(planarization) 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 평탄화층(140)에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정, 에치 백(etch-back) 공정 등을 수행함으로써 상기 평탄화층(140)이실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 형성될 수 있다. 사진 식각 공정이나 추가적인 마스크를 사용하는 식각 공정을 통해 상기 평탄화층(140)을 부분적으로 식각함으로써, 상기 평탄화층(140)을 관통하여 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)을 부분적으로 노출시키는 콘택홀을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 콘택홀은 소정의 각도로 경사진 측벽을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 콘택홀은 하부 폭 보다 실질적으로 넓은 상부 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 콘택홀을 채우면서 상기 평탄화층(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 화소 전극(150)은 상기 콘택홀을 통해 노출되는 상기 드레인 전극(DE)에 접촉될 수 있다. 예를 들면, 상기 평탄화층(140) 상에 화소 전극층을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 화소 전극층을 패터닝 함으로써, 상기 제1 전극(EL1)을 형성할 수 있다. 상기 화소 전극층은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 4e 및 도 4f를 참조하면, 상기 제1 전극(160)이 형성된 상기 평탄화층(140) 상에 원시 화소 정의막(PDLa)을 형성할 수 있다. 상기 원시 화소 정의막(PDLa)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 원시 화소 정의막(PDLa)은 감광성 물질을 포함할 수 있다.
상기 원시 화소 정의막(PDLa)을 패터닝하여 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 원시 화소 정의막(PDLa)을 정의하는 마스크(MASK)를 이용하여 노광 후 현상액을 이용하여 현상하여, 상기 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 상기 마스크(MASK)는 개구(OP)를 정의하고, 상기 원시 화소 정의막(PDLa)이 네거티브 타입의 포토레지스트를 포함하는 경우, 상기 마스크(OP)의 상기 개구(OP)를 통해 노광된 상기 원시 화소 정의막(PDLa)의 부분이 잔류하여, 상기 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다.
도 4g를 참조하면, 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 제1 전극(EL1) 상에 미러층(MRa)을 형성할 수 있다. 상기 미러층(MRa)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 철(Fe), 플라티늄(Pt), 수은(Hg), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 바나듐(V) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 포함할 수 있다.
도 4h 및 4i를 참조하면, 상기 미러층(MRa) 상에 포토레지스트층(PRa)을 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트층(PRa)을 상기 마스크(MASK)를 이용하여 노광 후 현상액을 이용하여 현상하여, 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 미러층(MRa) 상에 포토레지스트 패턴(PR)을 형성할 수 있다. 상기 마스크(MASK)는 상기 화소 정의막(PDL)을 형성할 때 사용된 마스크와 동일한 마스크이므로(도 4e 참조), 상기 화소 정의막(PDL)과 상기 포토레지스트 패턴(PR)은 실질적으로 동일한 패턴 형상을 가질 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴(PR)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상면에 배치되는 상기 미러층(MRa)을 전부 커버하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 가장자리 부분은 상기 화소 정의막(PDL)의 측면 상에 배치되는 상기 미러층(MRa)의 일부를 커버할 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴(PR)과 상기 화소 정의막(PDL)이 동일한 마스크(MASK)를 이용하여 형성될 수 있으므로, 공정이 단순화 되고, 제조 비용이 절감될 수 있다. 동일한 마스크를 사용하더라도, 노광 조건을 조절하여(언더 노광 또는 오버 노광) 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 크기를 미세하게 조절할 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 가장자리가 상기 화소 정의막(PDL)의 상면 및/또는 상기 측면의 일부를 커버하도록 형성되는 공정 조건을 필요에 따라 채택할 수 있다.
도 4j를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(PR)을 마스크로 이용하여 상기 미러층(MRa)을 패터닝 하여 미러 패턴(MR)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 포토 레지스트 패턴(PR)을 식각 장벽으로 하여 상기 미러층(MRa)을 건식 식각 또는 습식 식각할 수 있다. 이에 따라, 상기 미러 패턴(MR)이 형성될 수 있다.
평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 상면을 전부 커버할 수 있다. 또한, 상기 미러 패턴(MR)의 가장자리는 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 측면의 일부를 커버할 수 있다. 이상적으로는 상기 미러 패턴(MR)이 상기 화소 정의막(PDL)의 상면에만 형성되는 것이 바람직하겠으나, 상기 미러 패턴(MR)은 제조 공정 상의 이유 등으로 필요에 따라, 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 측면의 일부를 커버할 수 있다.
도 4k를 참조하면, 발광 구조물(150)이 상기 제1 전극(EL1) 상에 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구의 측벽 상으로 연장되도록 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 상기 미러 패턴(MR)과 접촉하지 않도록, 이격되어 형성될 수 있다.
도 4l를 참조하면, 제2 전극(EL2)이 상기 발광 구조물(150), 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 미러 패턴(MR) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 밀봉기판(200)을 이용하여 상기 제2 전극(EL2)을 외부로부터 밀봉할 수 있다. 상기 밀봉기판(200)은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단할 수 있다. 상기 밀봉 기판(200)은 밀봉 부재(미도시)에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판(200)의 사이 공간이 밀봉될 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 도 2의 유기 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 버퍼층(110)이 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 액티브 패턴 (ACT)이 상기 버퍼층(110) 상에 형성될 수 있다. 제1 절연층(120)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 형성된 상기 버퍼층(110) 상에 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 형성될 수 있다. 제2 절연층(130)이 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 절연층(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(130) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴을 형성할 수 있다. 평탄화층(140)이 상기 데이터 패턴이 형성된 상기 제2 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 형성될 수 있다.
상기 과정은 도 4a 내지 도 4d 에 설명된 과정과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 상기 제1 전극(160)이 형성된 상기 평탄화층(140) 상에 원시 화소 정의막(PDLa)을 형성할 수 있다. 상기 원시 화소 정의막(PDLa)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 원시 화소 정의막(PDLa)은 감광성 물질을 포함하지 않는다.
상기 원시 화소 정의막(PDLa) 상에 미러층(MRa)이 형성될 수 있다. 상기 미러층(MRa)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 철(Fe), 플라티늄(Pt), 수은(Hg), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 바나듐(V) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 포함할 수 있다.
상기 미러층(MRa) 상에 포토레지스트층(PRa)이 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트층(PRa)을 마스크(MASK)를 이용하여 노광 후 현상액을 이용하여 현상하여, 상기 원시 화소 정의막(PDLa) 및 상기 미러층(MRa) 상에 포토레지스트 패턴(PR)을 형성할 수 있다. 상기 마스크(MASK)는 개구(OP)를 정의하고, 상기 포토레지스트층(PRa)이 네거티브 타입의 포토레지스트를 포함하는 경우, 상기 마스크(OP)의 상기 개구(OP)를 통해 노광된 상기 포토레지스트층(PRa)의 부분이 잔류하여, 상기 포토레지스트 패턴(PR)을 형성할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(PR)을 마스크로 이용하여 상기 미러층(MRa) 및 상기 원시 화소 정의막(PDLa)을 패터닝 하여 미러 패턴(MR) 및 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 포토 레지스트 패턴(PR)을 식각 장벽으로 하여 상기 미러층(MRa) 및 상기 원시 화소 정의막(PDLa)을 건식 식각 또는 습식 식각할 수 있다. 이에 따라, 상기 미러 패턴(MR) 및 상기 화소 정의막(PDL)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 미러 패턴(MR)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상면 상에만 형성될 수 있다.
도 5e를 참조하면, 발광 구조물(150)이 상기 제1 전극(EL1) 상에 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구의 측벽 상으로 연장되도록 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)은 상기 미러 패턴(MR)과 접촉하지 않도록, 이격되어 형성될 수 있다.
도 5f를 참조하면, 제2 전극(EL2)이 상기 발광 구조물(150), 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 미러 패턴(MR) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 밀봉기판(200)을 이용하여 상기 제2 전극(EL2)을 외부로부터 밀봉할 수 있다. 상기 밀봉기판(200)은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단할 수 있다. 상기 밀봉 기판(200)은 밀봉 부재(미도시)에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판(200)의 사이 공간이 밀봉될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막, 상기 화소 정의막의 상면 상에 위치하는 미러 패턴 및 상기 미러 패턴 상에 위치하는 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막과 상기 미러 패턴은 동일한 마스크를 이용하여 형성될 수 있으므로, 공정이 단순화 되고, 제조 비용이 절감될 수 있다.
또한, 상기 미러 패턴은 상기 제2 전극과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라 상기 제2 전극의 IR DROP을 최소화 하기 위한 보조 전극의 역할을 할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 제1 절연층
120: 제2 절연층 130: 제3 절연층
140: 평탄화층 150: 발광 구조물
200: 밀봉 기판 ACT: 액티브 패턴
TFT: 박막 트랜지스터 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 GE: 게이트 전극
EL1: 제1 전극 PDL: 화소 정의막
EL2: 제2 전극
120: 제2 절연층 130: 제3 절연층
140: 평탄화층 150: 발광 구조물
200: 밀봉 기판 ACT: 액티브 패턴
TFT: 박막 트랜지스터 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 GE: 게이트 전극
EL1: 제1 전극 PDL: 화소 정의막
EL2: 제2 전극
Claims (20)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 베이스 기판 상에 배치되고 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막;
상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 배치되는 발광 구조물;
상기 화소 정의막의 상기 상면 상에 배치되고, 상기 상면을 전부 커버하고, 외부광을 반사하며 전도성을 갖는 미러 패턴; 및
상기 화소 정의막, 상기 미러 패턴 및 상기 발광 구조물 상에 배치되고, 상기 미러 패턴과 접촉하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 패널. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막과 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 제3 항에 있어서,
상기 미러 패턴은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어, 격자(mesh 구조)를 이루는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 측면 일부를 더 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 상면 만을 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 제6 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 감광성 물질을 포함하지 않는 물질을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 화소 정의막의 상기 측면과 접촉하고, 상기 미러 패턴과 이격된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 미러 패턴은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 철(Fe), 플라티늄(Pt), 수은(Hg), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 바나듐(V) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널. - 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 베이스 기판 상에 원시 화소 정의막을 형성하는 단계;
마스크를 이용하여 상기 원시 화소 정의막을 패터닝하여, 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막 상에 미러층을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막을 형성하는 단계에서 사용된 상기 마스크를 이용하여 상기 미러층을 패터닝하여, 상기 상면 상에 상기 상면을 전부 커버하는 미러 패턴을 형성하는 단계;및
상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제10 항에 있어서, 상기 화소 정의막을 형성하는 단계는,
상기 원시 화소 정의막 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 상기 마스크를 이용하여 노광하는 단계;및
상기 포토레지스트층을 현상하여 상기 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제11 항에 있어서, 상기 미러 패턴을 형성하는 단계는,
상기 미러층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 상기 마스크를 이용하여 노광하는 단계;
상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 미러층을 건식 또는 습식 식각하여 상기 미러 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제12 항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 상기 마스크를 이용하여 노광하는 단계에서, 상기 포토레지스트층의 노광 조건을 조절하여, 상기 포토레지스트 패턴의 크기를 미세 조절하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및
상기 미러층, 상기 발광 구조물 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 미러층은 상기 제2 전극과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
평면에서 볼 때, 상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막과 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 측면 일부를 더 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 미러 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 상면 만을 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 미러 패턴과 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 베이스 기판 상에 원시 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 원시 화소 정의막 상에 미러층을 형성하는 단계;
상기 미러층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계;
상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 미러층 및 상기 원시 화소 정의막을 건식 또는 습식 식각하여, 개구를 정의하고, 상기 베이스 기판의 표면과 평행한 상면 및 상기 상면과 연결되는 측면을 포함하는 화소 정의막 및 상기 화소 정의막의 상기 상면 상에 배치되는 미러 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 원시 화소 정의막은 감광성 물질을 포함하지 않는 물질을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널의 제조 방법.
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