KR102337348B1 - 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102337348B1 KR102337348B1 KR1020150044741A KR20150044741A KR102337348B1 KR 102337348 B1 KR102337348 B1 KR 102337348B1 KR 1020150044741 A KR1020150044741 A KR 1020150044741A KR 20150044741 A KR20150044741 A KR 20150044741A KR 102337348 B1 KR102337348 B1 KR 102337348B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- opening
- blocking pattern
- disposed
- light emitting
- base substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 248
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 163
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 82
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 47
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 21
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 401
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 35
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 19
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 4
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 4
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019923 CrOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000822028 Homo sapiens Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 1
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H01L27/3232—
-
- H01L27/322—
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3248—
-
- H01L27/3258—
-
- H01L27/3262—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H01L2227/32—
-
- H01L2251/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Abstract
투명 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 차광 패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 제2 차광 패턴을 포함한다. 상기 제1 차광 패턴은 제1 개구를 정의한다. 상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 정의한다. 상기 화소정의막은 상기 제1 개구 및 제3 개구와 중첩하는 제3 개구를 정의한다. 상기 제1 내지 제3 개구들을 통해 외부광이 투과된다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 화소가 출력하는 광에 기초하여 영상을 표시할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 갖는 화소를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 유기 발광 다이오드가 포함하는 유기 물질에 상응하는 파장을 갖는 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 다이오드는 적색광, 녹색광, 및 청색광에 상응하는 유기 물질을 포함할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 물질에 의해 출력되는 광을 조합하여 영상을 표시할 수 있다.
최근, 영상이 표시되고 동시에 외부 광을 투과시키는 투명 표시 장치가 개발되고 있다. 상기 투명 표시 장치는 외부 광을 투과 시켜 표시 장치 뒷면의 사물을 사용자가 시인할 수 있도록 한다.
이때, 상기 외부광이 투과되도록 하는 투과창 영역 부근에 형성되는 구성에 의해 상기 외부광이 반사되어 투과상의 선명도가 떨어지는 문제가 있었다.
본 발명의 일 목적은 외부광에 의한 투과상의 선명도를 향상시킬 수 있는 투명 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 투명 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상기 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 투명 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 차광 패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 제2 차광 패턴을 포함한다. 상기 제1 차광 패턴은 제1 개구를 정의한다. 상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 정의한다. 상기 화소정의막은 상기 제1 개구 및 제3 개구와 중첩하는 제3 개구를 정의한다. 상기 제1 내지 제3 개구들을 통해 외부광이 투과된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 개구의 폭은 상기 제3 개구 보다 작고, 상기 제2 개구의 폭은 상기 제3 개구 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 개구의 폭은 상기 제2 개구의 폭과 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 평면에서 볼 때, 상기 제1 개구의 가장자리와 상기 제3 개구의 가장자리의 간격은 1 um(마이크로미터) 이상 5 um 이하일 수 있다. 평면에서 볼 때, 상기 제2 개구의 가장자리와 상기 제3 개구의 가장자리의 간격은 1 um(마이크로미터) 이상 5 um 이하일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 개구의 가장자리와 상기 제3 개구의 가장자리의 간격은 일정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 차광 패턴은 상기 베이스 기판을 기준으로 상기 박막 트랜지스터가 배치된 면의 반대 면 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소 정의막 및 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 발광 구조물과 이격되는 제3 차광 패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 차광 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 제3 개구의 가장자리를 커버하고 상기 제1 및 제2 개구와 중첩하는 제4 개구를 정의할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 개구의 폭은 상기 제4 개구의 폭보다 작고, 상기 제2 개구의 폭은 상기 제4 개구의 폭 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 전극 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 차광 패턴은 상기 컬러 필터와 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 컬러 필터 및 상기 제2 차광 패턴 상에 배치되는 밀봉기판을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 베이스 기판을 커버하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 베이스 기판과 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴은 상기 버퍼층과 상기 베이스 기판 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 버퍼층 상에 배치되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 상기 제1 내지 제3 개구와 중첩하는 부분에 개구를 정의할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 전극 상에 배치되고, 유기물로 이루어진 막과 무기물로 이루어진 막이 교대로 적층된 박막 봉지층, 및 상기 박막 봉지층 상에 상기 발광 구조물과 중첩하게 배치되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 차광 패턴은 상기 박막 봉지층 상에 배치되어 상기 컬러 필터를 노출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 차광 패턴은 상기 베이스 기판과 접촉할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 제1 차광 패턴을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 베이스 기판 상에 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막이 형성된 상기 베이스 기판 상에 발광 구조물을 형성하는 단계, 및 상기 화소 정의막과 중첩되는 제2 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제1 차광 패턴은 제1 개구를 정의한다. 상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 정의한다. 상기 화소 정의막은 상기 제1 개구 및 제3 개구와 중첩하는 제3 개구를 정의한다. 상기 제1 내지 제3 개구들을 통해 외부광이 투과된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제조 방법은 상기 발광 구조물을 형성하기 전에, 상기 화소 정의막 상에 상기 발광 구조물과 이격되는 제3 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제조 방법은 상기 제2 차광 패턴을 형성하기 전에, 상기 발광 구조물과 중첩하는 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 박막 트랜지스터를 형성하기 전에, 상기 제1 차광 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 차광 패턴은 상기 베이스 기판 상에 차광 필름을 부착하여 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 투명 유기 발광 표시 장치는 외부광을 투과하는 투과창 영역과 영상을 표시하는 화소 영역을 포함한다. 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 투과창 영역에 대응하여 제1 개구를 형성하는 제1 차광 패턴, 상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 제2 차광패턴, 상기 제1 차광 패턴과 상기 제2 차광 패턴 사이에 배치되는 불투명한 구성을 포함한다. 상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 형성한다. 상기 불투명한 구성은 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구와 중첩하는 제3 개구를 형성한다. 상기 제3 개구는 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구보다 크다.
본 발명의 실시예들에 따른 투명 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막, 제1 차광 패턴 및 제2 차광 패턴을 포함한다. 상기 화소 정의막의 가장자리는 상기 제1 차광 패턴 및 상기 제2 차광 패턴에 의해 커버되므로, 투과창 영역을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
또한, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 화소 정의막의 상기 투과창 영역에 대응하게 형성된 개구의 가장자리 측면 상에 배치되는 제3 차광 패턴을 포함한다. 투과창 영역을 통과하는 외부광이 상기 제1 내지 제3 차광 패턴에 의해 반사되지 않으므로, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6j는 도 2의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7a 내지 7e는 도 3의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8a 내지 8d는 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 9a 및 9b는 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치의 다른 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a 및 10e는 도 5의 투명 유기 발광 표시 장치의 다른 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6j는 도 2의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7a 내지 7e는 도 3의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8a 내지 8d는 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 9a 및 9b는 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치의 다른 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a 및 10e는 도 5의 투명 유기 발광 표시 장치의 다른 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 투명 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소를 포함한다. 상기 화소는 투과창 영역(W) 및 복수의 서브 화소 영역들을포함할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치의 상기 화소는 상기 투과창 영역(W), 제1 서브 화소 영역(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역을 포함한다.
상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(SP1, SP2, SP3)에 각각 대응하여 제1 내지 제3 발광부들(도 2의 170 참조)이 배치된다.
상기 제1 발광부, 상기 제2 발광부 및 상기 제3 발광부는 상기 유기 발광 표시 장치의 상기 화소들을 구동에 따라 각각 서로 다른 컬러의 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 발광부는 레드(red) 광을 방출하고, 상기 제2 발광부는 그린(green) 광을 방출하고, 상기 제3 발광부는 블루(blue) 광을 방출할 수 있다.
상기 투과창 영역(W)은 상기 외부 광을 투과 시키므로, 사용자가 상기 유기 발광 표시 장치의 반대편의 사물을 상기 투과창(W)을 통해 시인할 수 있다.
상기 투과창 영역(W)과 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(SP1, SP2, SP3)은 제2 차광 패턴(210)에 의해 정의된다. 즉, 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 투과창 영역(W)을 정의하고, 상기 개구는 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
상기 투과창 영역(W)에 대응하여 화소 정의막(160)에 형성된 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
상기 제2 길이(L2)는 상기 제3 길이(L3) 보다 작다. 따라서, 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 화소 정의막(160)에 형성된 개구보다 작다.
따라서, 상기 화소 정의막(160)의 가장자리는 상기 제2 차광 패턴(210)에 의해 커버되므로, 상기 투과창 영역(W)을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
또한, 제1 차광 패턴(도 2의 110 참조)에 형성된 개구는 상기 투과창 영역(W)을 정의하고, 상기 개구는 상기 일 방향으로 제1 길이(도 2의 L1 참조)의 폭을 갖는다.
상기 제1 길이는 상기 제3 길이(L3) 보다 작다. 따라서, 상기 제1 차광 패턴에 형성된 개구는 상기 화소 정의막(160)에 형성된 개구보다 작다. 상기 제1 차광 패턴에 형성된 개구는 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 제1 베이스 기판(100)과 상기 제2 베이스 기판(200)의 정렬 오차를 고려하여, 상기 제2 차광패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구보다 작을 수 있으며, 반대로 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구가 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구보다 작을 수도 있다
따라서, 상기 화소 정의막(160)의 가장자리는 상기 제1 차광 패턴에 의해 커버되므로, 상기 투과창 영역(W)을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 화소가 상기 투과창 영역(W) 및 복수의 상기 서브 화소 영역들을 포함하는 것으로 정의하였으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서 화소는 복수의 투과창 및 복수의 서브 화소를 포함할 수 있으며, 다른 실시예에서는 화소의 투과창은 이웃하는 화소의 투과창과 연결될 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 절단한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 차광 패턴(110), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 절연층(130), 게이트 패턴(GP), 제2 절연층(140), 데이터 패턴(DP), 제3 절연층(150), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(160), 발광 구조물(170), 제2 전극(EL2), 밀봉기판(200), 제2 차광 패턴(210), 컬러 필터(CF)를 포함한다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단한다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 투과창 영역(W)에 대응하여 개구를 형성한다. 상기 개구는 일 방향으로 제1 길이(L1)의 폭을 갖는다. 또한, 상기 제1 차광 패턴(110)은 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하여 개구를 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(120)이 상기 제1 차광 패턴(110)이 배치된 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 상기 액티브 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 상기 액티브 패턴을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층(120)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 실리콘으로 구성될 수 있다. 다른 실시예에 따라, 상기액티브 패턴(ACT)은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(130)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(130)을 구성하는 금속 산화물은 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층(130)은 상기 액티브 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 버퍼층(120) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(130)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 절연층(130)에는 상기 액티브 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(130)은 상기 액티브 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 게이트 패턴(GP)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 패턴은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 게이트 패턴은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 게이트 패턴(GP)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 제2 절연층(140)은 상기 게이트 패턴(GP)의 프로파일을 따라 상기 제1 절연층(130) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 절연층(140)에는 상기 게이트 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제2 절연층(140)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다.
상기 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 데이터 패턴(DP)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 패턴(DP)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 데이터 패턴(DP)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 데이터 패턴(DP)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 절연층(130) 및 상기 제2 절연층(140)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 절연층(130) 및 상기 제2 절연층(140)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 제3 절연층(150)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 제3 절연층(150)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(150)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제3 절연층(50)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제3 절연층(150)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 제3 절연층(150)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(EL1)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL1)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(EL1)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W) 및 광을 방출하는 화소 영역, 예를 들면 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하는 부분에 각각 개구를 정의할 수 있다. 상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 차광 패턴(110)과 중첩할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
상기 발광 구조물(170)은 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(170)은 상기 화소 정의막(160)의 개구의 측면 상으로 연장될 수 있다. 상기 발광 구조물(170)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물(160)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 발광 구조물(170)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 구조물(170)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다.
상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(EL2)도 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(EL2)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 밀봉기판(200)은 상기 베이스 기판(100)과 대향하게 배치된다. 상기 밀봉 기판(200)은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉 기판(200)은 밀봉 부재(180)에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판(200)의 사이 공간이 밀봉된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 밀봉 기판 (200)상에 배치된다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 차광 패턴(210)은 크롬으로 이루어진 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
상기 제2 길이(L2) 및 상기 제1 길이(L1)는 상기 제3 길이(L3) 보다 작다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구 및 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 화소 정의막(160)에 형성된 개구보다 작다. 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구는 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 제1 베이스 기판(100)과 상기 제2 베이스 기판(200)의 정렬 오차를 고려하여, 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구보다 작을수 있으며, 반대로 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구가 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구보다 작을 수도 있다.
따라서, 상기 화소 정의막(160)의 가장자리는 상기 제2 차광 패턴(210) 및 상기 제1 차광 패턴(110)에 의해 커버되므로, 상기 투과창 영역(W)을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 차광 패턴(110)이 배치된 상기 밀봉 기판(200) 상에 배치된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 컬러 필터층(CF)은 제1 내지 제3 컬러 필터층을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 내지 컬러 필터층은 적색 컬러 필터층일 수 있으며, 제2 및 제3 컬러 필터층은 각각 녹색 컬러 필터층 및 청색 컬러 필터층일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터층은 각각 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 각각의 상기 컬러 필터들은 대응하는 발광 구조물(170)의 발광 색상과 동일한 색상을 가질 수 있다. 이에 따라 향상된 콘트라스트(contrast)를 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 제1 차광 패턴 및 제3 차광 패턴을 제외하고 도 2의 투명 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 투명 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 차광 패턴(110), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 절연층(130), 게이트 패턴(GP), 제2 절연층(140), 데이터 패턴(DP), 제3 절연층(150), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(160), 제3 차광 패턴(165) 발광 구조물(170), 제2 전극(EL2), 밀봉기판(200), 제2 차광 패턴(210), 컬러 필터(CF)를 포함한다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단한다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 투과창 영역(W)에 대응하여 개구를 형성한다. 상기 개구는 일 방향으로 제1 길이(L1)의 폭을 갖는다.
상기 버퍼층(120)이 상기 제1 차광 패턴(110)이 배치된 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다.
상기 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다.
상기 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기게이트 패턴(GP)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다.
상기 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 데이터 패턴(DP)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 제3 절연층(150)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W) 및 광을 방출하는 화소 영역, 얘를 들면 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하는 부분에 각각 개구를 정의할 수 있다. 상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 차광 패턴(110)과 중첩할 수 있다.
상기 화소 정의막(160)의 상기 투과창 영역(W)에 대응하게 형성된 개구의 가장자리 측면 상에는 상기 제3 차광 패턴(165)이 배치된다. 따라서, 상기 화소 정의막(160)의 상기 측면이 상기 제3 차광 패턴(165)에 의해 커버된다. 상기 제3 차광 패턴(165)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 차광 패턴(165)은 크롬을 포함하는 이루어진 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다.
상기 제3 차광 패턴(165)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 개구를 정의할 수 있다. 상기 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
상기 발광 구조물(170)은 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(170)은 상기 화소 정의막(160)의 개구의 측면 상으로 연장될 수 있다. 상기 발광 구조물(170)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물(160)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 발광 구조물(170)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 구조물(170)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다.
상기 발광 구조물(170)은 상기 제3 차광 패턴(165)와 이격되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 발광 구조물(170)이 상기 제3 차광 패턴(165)과 직접 접촉하지 않을 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 배치될 수 있다.
상기 밀봉기판(200)은 상기 베이스 기판(100)과 대향하게 배치된다.상기 밀봉 기판(200)은 밀봉 부재(180)에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판(200)의 사이 공간이 밀봉된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 밀봉 기판 (200)상에 배치된다.
상기 제2 차광 패턴(210)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
상기 제2 길이(L2) 및 상기 제1 길이(L1)는 상기 제3 길이(L3) 보다 작다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구 및 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제3 차광 패턴(165)에 형성된 개구보다 작다. 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구는 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 제1 베이스 기판(100)과 상기 제2 베이스 기판(200)의 정렬 오차를 고려하여, 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제1 차광패턴(110)에 형성된 개구보다 작을 수 있으며, 반대로 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구가 상기 제2 차광패턴(210)에 형성된 개구보다 작을 수도 있다
따라서, 상기 화소 정의막(160)의 가장자리는 상기 제2 차광 패턴(210) 및 상기 제1 차광 패턴(110)에 의해 커버되고, 상기 화소 정의막(160)의 상기 투과창 영역에 대응하게 형성된 개구의 가장자리 측면 상에 상기 제3 차광 패턴(165)이 배치되므로, 상기 투과창 영역(W)을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 차광 패턴(110)이 배치된 상기 밀봉 기판(200) 상에 배치된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 제1 차광 패턴 및 제1 절연층을 제외하고 도 2의 투명유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 투명 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 차광 패턴(110), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 절연층(130), 게이트 패턴(GP), 제2 절연층(140), 데이터 패턴(DP), 제3 절연층(150), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(160), 발광 구조물(170), 제2 전극(EL2), 밀봉기판(200), 제2 차광 패턴(210), 컬러 필터(CF)를 포함한다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100)의 하면 상에 배치된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단한다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 투과창 영역(W)에 대응하여 개구를 형성한다. 상기 개구는 일 방향으로 제1 길이(L1)의 폭을 갖는다.
상기 버퍼층(120)이 상기 베이스 기판(100)의 상면 상에 배치된다. 상기 베이스 기판(100)의 상기 상면은 상기 베이스 기판(100)의 상기 하면과 대향한다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 투명 유기 발광 표시 장치의 외부면 상에 배치된다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다.
상기 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(130)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 부분에 개구를 형성할 수 있다.
상기 제1 절연층(130)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(130)을 구성하는 금속 산화물은 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층(130)은 상기 액티브 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 버퍼층(120) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(130)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 절연층(130)에는 상기 액티브 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(130)은 상기 액티브 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 게이트 패턴(GP)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 제2 절연층(140)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 절연층(140)은 상기 제1 절연층(130)과 평면에서 볼 때, 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 데이터 패턴(DP)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 제3 절연층(150)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의할 수 있다. 상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 차광 패턴(110)과 중첩할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
상기 발광 구조물(170)은 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 배치될 수 있다.
상기 밀봉기판(200)은 상기 베이스 기판(100)과 대향하게 배치된다.상기 밀봉 기판(200)은 밀봉 부재(180)에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판(200)의 사이 공간이 밀봉된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 밀봉 기판 (200)상에 배치된다.
상기 제2 차광 패턴(210)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
상기 제2 길이(L2) 및 상기 제1 길이(L1)는 상기 제3 길이(L3) 보다 작다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구 및 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제3 차광 패턴(165)에 형성된 개구보다 작다. 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구는 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 제1 베이스 기판(100)과 상기 제2 베이스 기판(200)의 정렬 오차를 고려하여, 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제1 차광패턴(110)에 형성된 개구보다 작을 수 있으며, 반대로 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구가 상기 제2 차광패턴(210)에 형성된 개구보다 작을 수도 있다
따라서, 상기 화소 정의막(160)의 가장자리는 상기 제2 차광 패턴(210) 및 상기 제1 차광 패턴(110)에 의해 커버되므로, 상기 투과창 영역(W)을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 차광 패턴(110)이 배치된 상기 밀봉 기판(200) 상에 배치된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 박막 봉지층(TFE: thin film encapsulation) 제2 차광 패턴 및 컬러 필터를 제외하고 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 투명 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 차광 패턴(110), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 절연층(130), 게이트 패턴(GP), 제2 절연층(140), 데이터 패턴(DP), 제3 절연층(150), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(160), 발광 구조물(170), 제2 전극(EL2), 박막 봉지층(190), 컬러 필터(CF) 및 제2 차광 패턴(210)를 포함한다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100)의 하면 상에 배치된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 투과창 영역(W)에 대응하여 개구를 형성한다. 상기 개구는 일 방향으로 제1 길이(L1)의 폭을 갖는다.
상기 버퍼층(120)이 상기 베이스 기판(100)의 상면 상에 배치된다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다.
상기 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(130)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 부분에 개구를 형성할 수 있다.
상기 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기게이트 패턴(GP)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 제2 절연층(140)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 절연층(140)은 상기 제1 절연층(130)과 평면에서 볼 때, 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 데이터 패턴(DP)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 제3 절연층(150)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의할 수 있다. 상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 차광 패턴(110)과 중첩할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
상기 발광 구조물(170)은 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 배치될 수 있다.
상기 박막 봉지층(190)이 상기 버퍼층(120), 상기 화소 정의막(160) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치된다. 상기 박막 봉지층(190)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의할 수 있다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층(190)은 상기 베이스 기판(100)의 전체를 커버할 수 있다.
상기 박막 봉지층(190)은 상기 제2 전극(EL2) 및 상기 발광 구조물(170)을 외기 및 수분으로부터 보호할 수 있다. 상기 박막 봉지층(190)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 교대로 성막된 구조를 취할수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 박막 상의 밀봉구조이면 어떠한 것이든 적용 가능하다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 박막 봉지층(190) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 전극(EL2)과 중첩하게 배치된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 컬러 필터층(CF)은 제1 내지 제3 컬러 필터층을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 내지 컬러 필터층은 적색 컬러 필터층일 수 있으며, 제2 및 제3 컬러 필터층은 각각 녹색 컬러 필터층 및 청색 컬러 필터층일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터층은 각각 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 각각의 상기 컬러 필터들은 대응하는 발광 구조물(170)의 발광 색상과 동일한 색상을 가질 수 있다. 이에 따라 향상된 콘트라스트(contrast)를 가질 수 있다.
상기 제2 차광 패턴(210)이 상기 버퍼층(120), 상기 박막봉지층(190) 및 상기 컬러 필터(CF) 상에 배치된다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 차광 패턴(210)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
상기 제2 길이(L2) 및 상기 제1 길이(L1)는 상기 제3 길이(L3) 보다 작다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구 및 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구는 상기 화소 정의막(160)에 형성된 개구보다 작다. 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구는 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 제1 베이스 기판(100)과 상기 제2 베이스 기판(200)의 정렬 오차를 고려하여, 상기 제2 차광패턴(210)에 형성된 개구는 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구보다 작을 수 있으며, 반대로 상기 제1 차광 패턴(110)에 형성된 개구가 상기 제2 차광 패턴(210)에 형성된 개구보다 작을 수도 있다
따라서, 상기 화소 정의막(160)의 가장자리는 상기 제2 차광 패턴(210) 및 상기 제1 차광 패턴(110)에 의해 커버되므로, 상기 투과창 영역(W)을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
도 6a 내지 도 6j는 도 2의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제1 차광 패턴(110)을 형성한다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 물질을 포함한다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100) 상에 금속층을 형성한 후, 상기 금속층을 패터닝 하여상기 제1 차광 패턴(110)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다.
상기 제1 차광 패턴(110)은 투과창 영역(도 6j의 W 참조)에 대응하여 개구를 형성한다. 상기 개구는 일 방향으로 제1 길이(L1)의 폭을 갖는다. 또한, 상기 제1 차광 패턴(110)은 제1 서브 화소 영역(도 6j의 SP1 참조)에 대응하여 개구를 형성할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 버퍼층(120)이 상기 제1 차광 패턴(110)이 형성된 상기 베이스 기판(100) 상에 형성된다. 상기 버퍼층(120)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅(printing) 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
이후, 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다.
상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 버퍼층(120) 상에 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 버퍼층(120) 상에 예비 액티브 패턴(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 후속하여, 상기 예비 액티브 패턴에 대해 결정화 공정을 수행함으로써, 상기 버퍼층(120) 상에 액티브 패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 반도체층이 아몰퍼스 실리콘을 포함할 경우, 상기 액티브 패턴은 폴리실리콘으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 예비 액티브 패턴으로부터 상기 액티브 패턴을 수득하기 위한 결정화 공정은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 액티브 패턴을 형성한 다음, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 액티브 패턴에 대하여 탈수소 공정을 수행할 수 있다. 이러한 탈수소 공정에 따라 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 액티브 패턴 내의 수소 원자들의 농도를 감소시킬 수 있으므로, 결과적으로 액티브 패턴의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
도 6c를 참조하면, 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다.
상기 제1 절연층(130)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
이후, 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다. 상기 제1 절연층(130) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 게이트 패턴을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 패턴(GP)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다.
도 6d를 참조하면, 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다. 상기 제2 절연층(140)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
상기 제2 절연층(40) 및 상기 제1 절연층(30)을 부분적으로 식각하여 상기 액티브 패턴(ACT)을 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1) 및 제2 콘택홀(CNT2)을 형성한다. 상기 제1 콘택홀(CNT1)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 일부를 노출한다. 예를 들면, 상기 제1 콘택홀(CNT1)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 소스 영역을 노출할 수 있다. 상기 제2 콘택홀(CNT2)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 일부를 노출한다. 예를 들면, 상기 제2 콘택홀(CNT2)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 드레인 영역을 노출할 수 있다.
또한, 상기 제2 절연층(140)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다.
도 6e를 참조하면, 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 상기 제2 절연층(140) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 데이터 패턴(DP)을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 데이터 패턴(DP)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인 및 스토지리 전극을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
도 6f를 참조하면, 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 절연층(150)의 표면 평탄도를 향상시키기 위하여 상기 제3 절연층(150)에 대해 평탄화(planarization) 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(150)에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정, 에치 백(etch-back) 공정 등을 수행함으로써 상기 제3 절연층(150) 이 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 제3 절연층(150)의 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 제3 절연층(150)을 수득할 수 있다.
상기 제3 절연층(150)을 부분적으로 식각하여 상기 드레인 전극(DE)을 노출시키는 제3 콘택홀(CNT3)을 형성한다.
또한, 상기 제3 절연층(150)은 상기 투과창 영역(W)에 대응하여 형성되는 개구를 가질 수 있다.
이후, 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다. 상기 제3 절연층(150) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 제1 전극(EL1)을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 제3 절연층(150)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6g를 참조하면, 화소 정의막(160)이 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다.
상기 화소 정의막(160)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 상기 제1 전극(PE) 상에 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W) 및 광을 방출하는 화소 영역, 얘를 들면 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하는 부분에 각각 개구를 정의할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
상기 제1 길이(L1)는 상기 제3 길이(L3)보다 제1 및 제2 간격(G1, G2)만큼 작다. 즉, 상기 제3 길이(L3)은 상기 제1 길이(L1)보다 양쪽으로 제1 간격(G1) 및 제2 간격(G2)만큼 더 클 수 있다. 상기 제1 간격(G1)은 상기 제2 간격(G2)과 실질적으로 동일할 수 있고, 상기 제1 간격(G1) 및 상기 제2 간격(G2)는 각각 약 1 내지 5um(마이크로 미터)일 수 있다.
도 6h를 참조하면, 발광 구조물(170)이 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(PE1)상에 형성된다. 상기 발광 구조물(170)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 형성된다. 상기 제2 전극(EL2)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 6i를 참조하면, 밀봉기판(200)이 제공된다. 상기 밀봉 기판(200)은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉 기판(200)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
제2 차광 패턴(210)이 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 물질을 포함한다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 차광 패턴(210)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
컬러 필터(CF)가 상기 제2 차광 패턴(210)이 형성된 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 컬러 필터층(CF)은 제1 내지 제3 컬러 필터층을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 내지 컬러 필터층은 적색 컬러 필터층일 수 있으며, 제2 및 제3 컬러 필터층은 각각 녹색 컬러 필터층 및 청색 컬러 필터층일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터층은 각각 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 대응되어 형성될 수 있다. 각각의 상기 컬러 필터들은 대응하는 발광 구조물(170)의 발광 색상과 동일한 색상을 가질 수 있다.
도 6h를 참조하면, 상기 제2 전극(EL2)이 형성된 상기 베이스 기판(100)과 상기 컬러 필터(CF)가 형성된 상기 밀봉 기판(200)이 밀봉 부재(180)에 의해 서로 결합된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
도 7a 내지 7e는 도 3의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제1 차광 패턴(110)을 형성한다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 투과창 영역(도 6j의 W 참조)에 대응하여 개구를 형성한다. 상기 개구는 일 방향으로 제1 길이(L1)의 폭을 갖는다.
도 7b를 참조하면, 버퍼층(120)이 상기 제1 차광 패턴(110)이 형성된 상기 베이스 기판(100) 상에 형성된다. 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다. 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다. 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다.제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다. 상기 제2 절연층(40) 및 상기 제1 절연층(30)을 부분적으로 식각하여 상기 액티브 패턴(ACT)을 노출시키는 콘택홀들을 형성한다.
이후, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다. 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 상기 제3 절연층(150)을 부분적으로 식각하여 상기 드레인 전극(DE)을 노출시키는 콘택홀을 형성한다.
이후, 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 제3 절연층(150)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 정의막(160)이 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W) 및 광을 방출하는 화소 영역, 얘를 들면 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하는 부분에 각각 개구를 정의할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 상기 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
도 7c를 참조하면, 상기 화소 정의막(160)의 상기 투과창 영역(W)에 대응하게 형성된 개구의 가장자리 측면 상에는 상기 제3 차광 패턴(165)이 형성된다. 따라서, 상기 화소 정의막(160)의 상기 측면이 상기 제3 차광 패턴(165)에 의해 커버된다.
상기 제3 차광 패턴(165)은 광을 차단하는 물질을 포함한다. 상기 제3 차광 패턴(165)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(160) 상에 금속층을 형성한 후, 상기 금속층을 패터닝 하여 상기 제3 차광 패턴(165)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 차광 패턴(165)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다.
도 7d를 참조하면, 발광 구조물(170)이 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(PE1)상에 형성된다. 상기 발광 구조물(170)과 상기 제3 차광 패턴(165)은 서로 이격될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 형성되다.
도 7e를 참조하면, 밀봉기판(200)이 제공된다. 제2 차광 패턴(210)이 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다. 컬러 필터(CF)가 상기 제2 차광 패턴(210)이 형성된 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다. 상기 제2 전극(EL2)이 형성된 상기 베이스 기판(100)과 상기 컬러 필터(CF)가 형성된 상기 밀봉 기판(200)이 밀봉 부재(180)에 의해 서로 결합된다.
도 8a 내지 8d는 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8a를 참조하면, 버퍼층(120)이 베이스 기판(100) 상에 형성된다. 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다. 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 형성된 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다. 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다. 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 형성된 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다.
도 8b를 참조하면, 상기 제1 절연층(130), 상기 제2 절연층(140)이 부분적으로 제거되어, 상기 액티브 패턴(ACT)을 노출하는 콘택홀들을 형성하고, 투과창 영역(도 8c의 W 참조)에 대응하는 부분의 버퍼층(120)을 노출한다. 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)은 동시에 부분적으로 제거될 수 있다.
이후, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 및 제2 절연층들(130, 140)을 통해 형성된 콘택홀들을 통해 각각 상기 액티브 패턴(ACT)에 전기적으로 연결된다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
도 8c를 참조하면, 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다. 화소 정의막(160)이 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W) 및 광을 방출하는 화소 영역, 얘를 들면 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하는 부분에 각각 개구를 정의할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
발광 구조물(170)이 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(PE1)상에 형성된다. 제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 형성된다.
제2 차광 패턴(210)이 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
컬러 필터(CF)가 상기 제2 차광 패턴(210)이 형성된 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다.
상기 제2 전극(EL2)이 형성된 상기 베이스 기판(100)과 상기 컬러 필터(CF)가 형성된 상기 밀봉 기판(200)이 밀봉 부재(180)에 의해 서로 결합된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
도 8d를 참조하면, 제1 차광 패턴(110)이 상기 베이스 기판(100)의 외부면 상에 형성된다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)이 상기 베이스 기판(100)의 상기 버퍼층(120)이 형성된 면의 반대면 상에 형성된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 또는, 상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 부착되는 차광 필름일 수 있다.
도 9a 및 9b는 도 4의 투명 유기 발광 표시 장치의 다른 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
상기 제조방법은 제1 차광 패턴이 형성되는 순서를 제외하고 도 8a 내지 8d의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
도 9a를 참조하면, 제1 차광 패턴(110)이 상기 베이스 기판(100)의 외부면 상에 형성된다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 또는, 상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 부착되는 차광 필름일 수 있다.
도 9b를 참조하면, 버퍼층(120)이 상기 베이스 기판(100)의 상기 제1 차광 패턴(110)이 형성된 면의 반대면 상에 형성된다. 이후, 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(130), 게이트 패턴(GP), 제2 절연층(140), 데이터 패턴(DP), 제3 절연층(150), 화소 정의막(160), 발광 구조물(170) 및 제2 전극(EL2)이 차례로 형성된다. 제2 차광 패턴(210) 및 컬러 필터(CF)이 상기 밀봉기판(200) 상에 형성된다. 상기 제2 전극(EL2)이 형성된 상기 베이스 기판(100)과 상기 컬러 필터(CF)가 형성된 상기 밀봉 기판(200)이 밀봉 부재(180)에 의해 서로 결합된다.
도 10a 및 10e는 도 5의 투명 유기 발광 표시 장치의 다른 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a를 참조하면, 버퍼층(120)이 베이스 기판(100) 상에 형성된다. 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다. 제1 절연층(130)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 형성된 상기 버퍼층(120) 상에 형성된다. 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴(GP)이 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다. 제2 절연층(140)이 상기 게이트 패턴(GP)이 형성된 상기 제1 절연층(130) 상에 형성된다.
도 10b를 참조하면, 상기 제1 절연층(130), 상기 제2 절연층(140)이 부분적으로 제거되어, 상기 액티브 패턴(ACT)을 노출하는 콘택홀들을 형성하고, 투과창 영역(도 8c의 W 참조)에 대응하는 부분의 버퍼층(120)을 노출한다. 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)은 동시에 부분적으로 제거될 수 있다.
이후, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴(DP)이 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 및 제2 절연층들(130, 140)을 통해 형성된 콘택홀들을 통해 각각 상기 액티브 패턴(ACT)에 전기적으로 연결된다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
도 10c를 참조하면, 제3 절연층(150)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 제1 전극(EL1)이 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다. 화소 정의막(160)이 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 형성된다.
상기 화소 정의막(160)은 외부광이 투과되는 상기 투과창 영역(W) 및 광을 방출하는 화소 영역, 얘를 들면 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응하는 부분에 각각 개구를 정의할 수 있다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 상기 개구는 일 방향으로 제3 길이(L3)의 폭을 갖는다.
발광 구조물(170)이 상기 화소 정의막(160)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(PE1)상에 형성된다. 제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(160)과 상기 발광 구조물(170) 상에 형성된다.
박막 봉지층(190)이 상기 버퍼층(120), 상기 화소 정의막(160) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치된다. 상기 박막 봉지층(190)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 교대로 성막된 구조를 취할수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 박막 상의 밀봉구조이면 어떠한 것이든 적용 가능하다.
상기 박막 봉지층(190)은 투과창 영역(도 10d 의 W 참조)에 대응하는 개구를 정의할 수 있다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층(190)은 상기 베이스 기판(100)의 전체를 커버할 수 있다.
도 10d를 참조하면, 컬러 필터(CF)는 상기 박막 봉지층(190) 상에 형성된다. 제2 차광 패턴(210)이 상기 버퍼층(120), 상기 박막봉지층(190) 및 상기 컬러 필터(CF) 상에 형성된다. 상기 제2 차광 패턴(210)은 상기 제1 화소 영역(SP1)에 대응하는 개구 및 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구를 정의한다. 상기 투과창 영역(W)에 대응하는 개구는 상기 일 방향으로 제2 길이(L2)의 폭을 갖는다.
도 10e를 참조하면, 제1 차광 패턴(110)이 상기 베이스 기판(100)의 외부면 상에 형성된다. 즉, 상기 제1 차광 패턴(110)이 상기 베이스 기판(100)의 상기 버퍼층(120)이 형성된 면의 반대면 상에 형성된다. 상기 제1 차광 패턴(110)은 광을 차단하는 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(110)은 크롬을 포함하는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. 또는, 상기 제1 차광 패턴(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 부착되는 차광 필름일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 투명 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막, 제1 차광 패턴 및 제2 차광 패턴을 포함한다. 상기 화소 정의막의 가장자리는 상기 제1 차광 패턴 및 상기 제2 차광 패턴에 의해 커버되므로, 투과창 영역을 통과하는 외부광이 상기 투명 유기 발광 표시 장치 내의 구성에 의해 반사되지 않는다. 따라서, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
또한, 상기 투명 유기 발광 표시 장치는 상기 화소 정의막의 상기 투과창 영역에 대응하게 형성된 개구의 가장자리 측면 상에 배치되는 제3 차광 패턴을 포함한다. 투과창 영역을 통과하는 외부광이 상기 제1 내지 제3 차광 패턴에 의해 반사되지 않으므로, 사용자가 시인하는 외부광에 의한 투과상의 품질이 향상될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치용 기판에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 디지털 카메라, 비디오 캠코더, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 차량용 네비게이션, 비디오폰, 감시 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
100: 베이스 기판 110: 제1 차광 패턴
120: 버퍼층 130: 제1 절연층
140: 제2 절연층 GP: 게이트 패턴
DP: 데이터 패턴 TFT: 박막 트랜지스터
150: 제3 절연층 EL1: 제1 전극
160: 화소 정의막 170: 발광 구조물
EL2: 제2 전극 180: 밀봉 부재
200: 밀봉 기판 210: 제2 차광 패턴
CF: 컬러 필터
120: 버퍼층 130: 제1 절연층
140: 제2 절연층 GP: 게이트 패턴
DP: 데이터 패턴 TFT: 박막 트랜지스터
150: 제3 절연층 EL1: 제1 전극
160: 화소 정의막 170: 발광 구조물
EL2: 제2 전극 180: 밀봉 부재
200: 밀봉 기판 210: 제2 차광 패턴
CF: 컬러 필터
Claims (20)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 차광 패턴;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 화소 정의막;
상기 제1 전극 상에 배치되는 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광 구조물; 및
상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 제2 차광 패턴을 포함하고,
상기 제1 차광 패턴은 제1 개구를 정의하고, 상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 정의하고, 상기 화소 정의막은 상기 제1 개구 및 제2 개구와 중첩하는 제3 개구를 정의하고, 상기 제1 내지 제3 개구들을 통해 외부광이 투과되는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 개구의 폭은 상기 제3 개구 보다 작고, 상기 제2 개구의 폭은 상기 제3 개구 보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 개구의 폭은 상기 제2 개구의 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
평면에서 볼 때, 상기 제1 개구의 가장자리와 상기 제3 개구의 가장자리의 간격은 1 um(마이크로미터) 이상 5 um 이하이고,
평면에서 볼 때, 상기 제2 개구의 가장자리와 상기 제3 개구의 가장자리의 간격은 1 um(마이크로미터) 이상 5 um 이하인 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 개구의 가장자리와 상기 제3 개구의 가장자리의 간격은 일정한 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 차광 패턴은 상기 베이스 기판을 기준으로 상기 박막 트랜지스터가 배치된 면의 반대 면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 화소 정의막 및 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 발광 구조물과 이격되는 제3 차광 패턴을 더 포함하고,
상기 제3 차광 패턴은 상기 화소 정의막의 상기 제3 개구의 가장자리를 커버하고 상기 제1 및 제2 개구와 중첩하는 제4 개구를 정의하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 개구의 폭은 상기 제4 개구의 폭보다 작고, 상기 제2 개구의 폭은 상기 제4 개구의 폭 보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고,
상기 제2 차광 패턴은 상기 컬러 필터와 접촉하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 컬러 필터 및 상기 제2 차광 패턴 상에 배치되는 밀봉기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판을 커버하는 버퍼층을 더 포함하고,
상기 버퍼층은 상기 베이스 기판과 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치되고, 상기 제1 차광 패턴은 상기 버퍼층과 상기 베이스 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 버퍼층 상에 배치되는 제1 절연층
상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 상기 제1 내지 제3 개구와 중첩하는 부분에 개구를 정의하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전극 상에 배치되고, 유기물로 이루어진 막과 무기물로 이루어진 막이 교대로 적층된 박막 봉지층; 및
상기 박막 봉지층 상에 상기 발광 구조물과 중첩하게 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고,
상기 제2 차광 패턴은 상기 박막 봉지층 상에 배치되어 상기 컬러 필터를 노출시키는 투명 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 차광 패턴은 상기 베이스 기판과 접촉하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치. - 베이스 기판 상에 제1 차광 패턴을 형성하는 단계;
상기 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 베이스 기판 상에 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막이 형성된 상기 베이스 기판 상에 발광 구조물을 형성하는 단계; 및
상기 화소 정의막과 중첩되는 제2 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 차광 패턴은 제1 개구를 정의하고, 상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 정의하고, 상기 화소 정의막은 상기 제1 개구 및 제2 개구와 중첩하는 제3 개구를 정의하고, 상기 제1 내지 제3 개구들을 통해 외부광이 투과되는 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서, 상기 발광 구조물을 형성하기 전에,
상기 화소 정의막 상에 상기 발광 구조물과 이격되는 제3 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서, 상기 제2 차광 패턴을 형성하기 전에,
상기 발광 구조물과 중첩하는 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 유기발광 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터를 형성하기 전에,
상기 제1 차광 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 유기발광 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 차광 패턴은 상기 베이스 기판 상에 차광 필름을 부착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 유기발광 표시 장치의 제조 방법. - 외부광을 투과하는 투과창 영역과 영상을 표시하는 화소 영역을 포함하고,
상기 투과창 영역에 대응하여 제1 개구를 형성하는 제1 차광 패턴;
상기 제1 차광 패턴과 중첩하는 제2 차광패턴; 및
상기 제1 차광 패턴과 상기 제2 차광 패턴 사이에 배치되는 불투명한 구성을 포함하고,
상기 제2 차광 패턴은 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 형성하고, 상기 불투명한 구성은 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구와 중첩하는 제3 개구를 형성하고,
상기 제3 개구는 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구보다 큰 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150044741A KR102337348B1 (ko) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US14/941,299 US9761651B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-11-13 | Transparent organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150044741A KR102337348B1 (ko) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160117728A KR20160117728A (ko) | 2016-10-11 |
KR102337348B1 true KR102337348B1 (ko) | 2021-12-09 |
Family
ID=57016330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150044741A KR102337348B1 (ko) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9761651B2 (ko) |
KR (1) | KR102337348B1 (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180017280A (ko) * | 2016-08-08 | 2018-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102392326B1 (ko) * | 2017-09-27 | 2022-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102585238B1 (ko) | 2017-12-28 | 2023-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20200093737A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110350001B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112640121B (zh) * | 2019-07-29 | 2023-04-11 | 北京小米移动软件有限公司南京分公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
CN115775502A (zh) | 2019-08-29 | 2023-03-10 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN112447118B (zh) * | 2019-08-29 | 2022-12-16 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
JP7241932B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-03-17 | グーグル エルエルシー | コリメータ構造に基づくディスプレイを介した画像化のために構成された発光型ディスプレイ |
KR20210040230A (ko) * | 2019-10-02 | 2021-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210074447A (ko) * | 2019-12-11 | 2021-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210121372A (ko) * | 2020-03-27 | 2021-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20210142030A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20210149282A (ko) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 전자 기기 |
KR20210149964A (ko) | 2020-06-02 | 2021-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR20220003693A (ko) | 2020-07-01 | 2022-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20220007753A (ko) * | 2020-07-09 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101252026B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2013-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자 및 표시장치 |
EP2129084B1 (en) | 2008-05-29 | 2010-11-24 | Lg Electronics Inc. | Transparent display and operation method thereof |
JP2010056025A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Casio Comput Co Ltd | 発光パネル及び発光パネルの製造方法 |
US7876288B1 (en) | 2010-08-11 | 2011-01-25 | Chumby Industries, Inc. | Touchscreen with a light modulator |
KR20120019026A (ko) * | 2010-08-24 | 2012-03-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20120119430A (ko) * | 2011-04-21 | 2012-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
JP2014049313A (ja) | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Japan Display Inc | エレクトロルミネセンス表示装置 |
KR101995729B1 (ko) | 2012-11-29 | 2019-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광장치 |
KR102010789B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102066088B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2020-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 oled 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
JP2015128003A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
-
2015
- 2015-03-31 KR KR1020150044741A patent/KR102337348B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-13 US US14/941,299 patent/US9761651B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160117728A (ko) | 2016-10-11 |
US9761651B2 (en) | 2017-09-12 |
US20160293687A1 (en) | 2016-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102337348B1 (ko) | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US10044002B2 (en) | Display device | |
KR102453420B1 (ko) | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 | |
KR102412043B1 (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
KR102315502B1 (ko) | 표시 기판 | |
US10651265B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US10170525B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US10163990B2 (en) | Display device with camera module | |
US9368757B2 (en) | Organic light emitting display device including graded functional layers | |
KR102443703B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US11482695B2 (en) | Organic light emitting display device including a transparent region | |
US10680052B2 (en) | Display and method of manufacturing the same | |
KR102441558B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US11563066B2 (en) | Organic light emitting display device including a grooved planarazation layer | |
KR102449804B1 (ko) | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102560317B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102547213B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
US10163992B2 (en) | Large area mirror display and method of manufacturing the same | |
KR102651358B1 (ko) | 미러 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 | |
KR20170024642A (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
US20200303476A1 (en) | Display device having an emitting area and a reflecting area | |
KR102525989B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |