KR100712182B1 - 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 기판과; 상기 기판 상에 위치하는 화소전극과; 상기 화소전극 상에 위치하되, 상기 화소전극을 일부분 노출하는 개구부를 구비하는 화소정의막과; 상기 화소정의막 상에 위치하는 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 상에 위치하는 집광판과; 상기 노출된 화소전극 상에 위치하는 적어도 발광층을 포함하는 유기막층과; 상기 유기막층 상에 위치하는 상부전극을 구비함으로써, 외광의 반사를 효율적으로 방지할 수 있어 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
유기 전계 발광 표시 장치, 외광, 집광판, 볼록렌즈, 프레넬 렌즈

Description

유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법{organic electro luminescence device display and method for fabricating the same}
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 집광판의 구조를 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 115 : 반도체층
125 : 게이트 전극 135a, 135b : 소오스, 드레인 전극
145 : 화소전극 150 : 화소정의막
155 : 유기막층 160 : 블랙매트릭스
170 : 집광판 180 : 상부전극
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 외광의 반사에 의한 콘트라스트의 저하를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 표시 장치는 양극 및 음극과, 두 전극 사이에 위치하는 적어도 유기 발광층을 포함한 유기막에 전압를 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 발광층내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형의 표시장치이다. 이로써, 이와 같은 유기 전계 발광 표시 장치는 CRT나 LCD에 비하여 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 넓은 시야각, 빠른 응답 속도 및 적은 소비 전력등의 여러 장점으로 인하여 차세대 표시 장치로서 주목 받고 있다.
상기 유기 전계 발광 표시 장치는 휴대폰, 디지털 카메라, 캠코더, 네비게이션 및 노트북과 같은 휴대용 표시 장치에 널리 사용될 전망이다.
그러나 외부의 환경적 요인에 의해 표시 장치의 콘트라스트 및 시인성이 떨어지므로, 휴대용 표시 장치에 적용함에 어려움이 있다. 이를테면, 외부의 환경적 요인중 외광이 표시 장치의 화면부에 입사되어지고, 상기 입사된 외광이 반사되어 사용자가 화면부에 제공된 문자나 이미지를 제대로 볼 수 없다. 즉, 반사된 외광에 의해 블랙의 휘도가 증가하게 되어 결국에는 콘트라스트비가 떨어지기 때문이다.
이때, 표시 장치 자체의 반사율이 높다면 상기와 같은 문제는 더욱 심각해진 다. 특히, 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 경우에, 화소를 정의하기 위한 화소정의막 또는 상기 화소정의막 하부에 성막되어 위치하는 반사전극에 의해 표시 장치 자체의 반사율은 더욱 높아지게 되고, 이에따라 콘트라스트 비가 더욱 저하될 수 있다.
이를 해결하기 위해, 종래의 표시 장치의 발광면에 편광판을 부착한다. 그러나, 상기 편광판을 부착할 경우에 또다른 여러 문제점을 발생할 수 있다.
자세하게, 상기 편광판의 투과율에 의해 표시 장치 자체내에서 나오는 빛이 감소하게 된다. 이를테면, 상기 편광판의 투과율이 50%일 경우 150cd/m2의 휘도를 내기 위해서 표시 장치 자체에서 300cd/m2의 휘도를 내야하므로 효율이 저하될 수 있다. 또한, 상기 편광판에 사용되는 염료 등의 색에 의해 표시장치 자체의 화이트 밸런스가 틀어지는 문제점을 발생할 수 있다. 또, 상기 편광판이 고온 고습의 환경에서는 변형이나 뒤틀림 등의 문제가 발생할 수 있다.
이로써, 외광의 반사를 방지하기 위한 편광판은 상기와 같은 여러 문제점을 발생할 수 있을뿐만 아니라, 편광판의 부착으로 인하여 생산단가가 증가할 수 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명은 편광판을 부착하지 않고, 외광 반사를 효율적으로 줄일 수 있고, 효율 향상을 도모하며, 소비전력을 감소시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기 전계 발광 표시 장치를 제공한다. 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 기판과, 상기 기판 상에 위치하는 화소전극과, 상기 화소전극 상에 위치하되, 상기 화소전극을 일부분 노출하는 개구부를 구비하는 화소정의막과, 상기 화소정의막 상에 위치하는 블랙매트릭스와, 상기 블랙매트릭스 상에 위치하는 집광판과, 상기 노출된 화소전극 상에 위치하는 적어도 발광층을 포함하는 유기막층과, 상기 유기막층 상에 위치하는 상부전극을 포함한다.
상기 집광판은 마이크로 집광렌즈의 구조를 가지는 것이 바람직하다.
상기 마이크로 집광렌즈는 볼록렌즈 또는 프레넬렌즈일 수 있다.
상기 마이크로 집광렌즈는 유리 또는 투명성 수지로 이루어질 수 있다.
상기 투명성 수지는 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스터, 폴리스틸렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 노르보르넨계 수지, 폴리스타일렌계 수지, 폴리에틸렌 나프타 레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에텔술폰, 폴리에이테르이미드 및 이들의 변성수지로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 유기 전계 발 광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 화소전극상에 형성하되, 상기 화소전극의 일부분을 노출하는 개구부를 구비하는 화소정의막을 형성하는 단계와, 상기 화소정의막상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 블랙매트릭스 상에 집광판을 형성하는 단계와, 상기 노출된 화소전극 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와, 상기 유기막층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 집광판을 형성하는 단계는 투명성 수지를 코팅하여 투명성 박막을 형성하고, 상기 투명성 박막을 하프톤 노광을 하고, 현상하여 볼록렌즈 또는 프레넬 렌즈 형태로 형성할 수 있다.
상기 집광판을 형성하는 단계는 유리나 투명한 플라스틱을 볼록렌즈 또는 프레넬렌즈의 형태로 가공하여 형성하고, 상기 집광판은 투명성 접착제 또는 투명성 접착테이프를 이용하여 상기 블랙매트릭스상에 부착할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도를 도시한 단면도로서, 하나의 단위화소를 한정하여 도시한 단면도이다.
도 1d를 참조하여 설명하면, 먼저 기판(100)이 위치한다. 상기 기판(100)으로부터 소자로 유입되는 불순물을 방지하기 위하여, 상기 기판(100)상에 버퍼층(110)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 실리콘 산화질화막으로 이루어질 수 있다.
상기 버퍼층(110) 상부에 반도체층(115)이 위치한다. 상기 반도체층(115)은 비정질 또는 결정질 실리콘막으로 이루어지며, 소오스, 드레인 영역(115a, 115b)과 채널 영역(115c)으로 구성된다.
상기 반도체층(115)이 형성된 기판 상부로 게이트 절연막(120)과 게이트 전극(125)이 위치한다. 상기 게이트 전극(125)을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막(130)이 위치하고, 상기 반도체층(115)과 전기적으로 연결되는 소오스, 드레인 전극(135a, 135b)이 위치한다.
상기 소오스, 드레인 전극(135a, 135b) 상부로 보호막(140)이 위치한다. 상기 보호막(140)은 무기막, 유기막 또는 이들의 적층구조로 이루어질 수 있다.
상기 무기막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 실리콘 산화질화막으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 유기막은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다.
상기 보호막(140)은 상기 소오스(135a) 또는 드레인 전극(135b)을 노출하는 비아홀을 구비하고, 상기 비아홀을 통하여 노출되는 드레인 전극(135b)과 노출되는 화소전극(145)이 위치한다.
상기 화소 전극(145) 상부로는 상기 화소 전극(145)의 일부분을 노출하는 개구부를 구비하는 화소정의막(PDL ; pixel defining layer)(160)이 형성된다.
상기 화소정의막(160)상에 외광을 차단하는 블랙매트릭스(160)가 위치한다.
상기 블랙매트릭스(160)은 반사율이 상대적으로 낮은 Cr, Mo 등과 같은 금속물질을 사용하거나 또는 CrOx, MoOx 등과 같은 불투명 절연물질을 사용한다. 또한, 상기 블랙매트릭스(160)를 위한 물질로 MIHL(metal insulator hybrid layer)층을 사용할 수도 있다. 이때, 상기 MIHL층은 SiO2, SiNx, ITO 와 같은 투명막과 Al, Cr, Mo, W, Ti, Ag, Cu 등과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다.
상기 블랙매트릭스(160) 상부에 집광판(170)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 집광판(170)은 마이크로 집광렌즈의 구조로 이루어질 수 있다. 이를테면, 도면에서와 같이 볼록렌즈의 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 아니하고 집광할 수 있는 기능을 가지는 프레넬 렌즈의 형태일 수도 있다.
또한, 상기 집광판(170)은 유리 또는 투명성 수지로 이루어질 수 있다. 여기 서, 상기 투명성 수지는 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스터, 폴리스틸렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 노르보르넨계 수지, 폴리스타일렌계 수지, 폴리에틸렌 나프타 레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에텔술폰, 폴리에이테르이미드 및 이들의 변성수지로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
이로써, 상기 집광판(170)은 소자내로 들어오는 외광을 상기 블랙매트릭스(160)로 집광하여 외광 반사를 효율적으로 줄이는 역할을 한다.
상기 화소전극(145) 상부에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층이 위치하고, 상기 유기막층 상부에 상부전극(180)을 구비함으로써, 유기 전계 발광 표시 장치가 이루어질 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100)은 절연기판 또는 전도성 기판으로 이루어질 수 있다.
상기 기판(100)상에 버퍼층(110)을 형성한다. 상기 버퍼층(110)은 본 발명의 실시예에 따라 반드시 형성해야 할 것은 아니지만, 소자 제조 시 상기 기판(100)에서 발생하는 불순물들이 반도체층 내에 침투하는 것을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 역할을 하므로 상기 버퍼층(110)을 형성하여 주는 것이 더욱 바람직하다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 및 실리콘 산화질 화막(SiOxNy) 중 어느 하나로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(110) 상에 반도체층(115)을 형성한다. 상기 반도체층(115)은 비정질 또는 결정질 실리콘막으로 형성할 수 있다. 또한 상기 반도체층(115) 상에 게이트 절연막(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120)은 통상의 절연막, 예를 들면 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성한다.
상기 게이트 절연막(120)이 형성된 기판 상에 게이트 전극(125)을 형성한다. 상기 게이트 전극(125)을 마스크로 사용하여 상기 반도체층(115)에 이온주입을 실시한다. 상기 이온주입으로 반도체층에는 소오스 영역(115a) 및 드레인 영역( 115b)이 형성되고, 상기 소오스 영역(115a) 및 드레인 영역(115b)으로 인해 채널 영역(115c)이 정의된다.
상기 게이트 전극(120) 상부에 층간 절연막(130)을 형성한다. 상기 층간 절연막(130) 내에 상기 소오스 영역(115a) 및 드레인 영역(115b)들을 각각 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 층간 절연막(130) 상에 도전막을 적층하고 패터닝함으로써 상기 노출된 소오스 영역(115a) 및 드레인 영역(115b)들과 각각 전기적으로 연결되는 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)을 형성한다.
상기 소오스, 드레인 전극(135a, 135b)을 형성한 기판의 상부에 보호막(140)을 형성한다. 상기 보호막(140)은 유기막, 무기막 또는 이들의 적층구조로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 무기막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 실리콘 산화질화막 으로 형성할 수 있다. 상기 유기막은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 형성할 수 있다.
상기 보호막(140)에 상기 드레인 전극(135b)이 노출되도록 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀을 통하여 상기 드레인 전극(135b)와 전기적으로 연결되는 화소 전극(145)을 형성한다. 이어서, 상기 화소 전극(145) 상에 화소정의막(150)을 형성한다.
상기 화소정의막(150) 상에 외광 반사를 방지할 수 있는 블랙매트릭스(150)를 형성한다.
상기 블랙매트릭스(150)는 반사율이 상대적으로 낮은 Cr, Mo 등과 같은 금속물질을 사용하거나 또는 CrOx, MoOx 등과 같은 불투명 절연물질을 진공증착하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 블랙매트릭스(150)를 위한 물질로 MIHL(metal insulator hybrid layer)층을 사용할 수도 있다. 이때, 상기 MIHL층은 SiO2, SiNx, ITO 와 같은 투명막과 Al, Cr, Mo, W, Ti, Ag, Cu 등과 같은 금속물질을 공진공증착 또는 공스퍼터 링의 방법으로 증착할 수 있다.
이후에, 상기 화소정의막(150) 및 상기 블랙매트릭스(160)를 포토레지스트 공정을 통하여 상기 화소전극(145)의 일부분을 노출하도록 식각하여 개구부를 형성한다.
도 1b를 참조하면, 상기 블랙매트릭스(160)상에 투명성 수지를 코팅하여 투명막을 형성한다. 여기서, 상기 투명성 수지는 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스터, 폴리스틸렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 노르보르넨계 수지, 폴리스타일렌계 수지, 폴리에틸렌 나프타 레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에텔술폰, 폴리에이테르이미드 및 이들의 변성수지로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 투명막을 하프-톤 마스크를 통하여 노광하고 현상하여 마이크로 집광렌즈 형태를 가지는 집광판(170)을 형성한다. 이때, 상기 마이크로 집광렌즈는 볼록 렌즈 또는 프레넬 렌즈일 수 있다.
이로써, 상기 집광판(170)에 입사한 광을 집광하여, 상기 집광판 하부에 위치하는 블랙매트릭스(160)로 광을 인도하여 효율적으로 외광 반사를 감소시킬 수 있다. 이로써, 별도의 편광판을 구비하지 않아도 외광 반사에 의한 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 개구부에 발광층을 포함한 유기막층(155)을 형성한다. 상기 유기막(155)층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 1층 이상을 더 형성할 수 있다. 그리고, 상기 유기막층(155) 상부에 상부 전극(180)을 형성하여 유기 전계 발광 표시 장치를 완성한다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명한다. 여기서, 제 1 실시예의 제조 방법에서 집광판을 제조한 후, 접착수단에 의해 부착하는 것을 제외하고, 동일한 제조 방법에 의해 유기 전계 발광 표시 장치를 제조한다.
도 2를 참조하면, 상술한 바와 같이 기판(100)상에 박막트랜지스터(Tr), 상기 박마트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(135b)와 전기적으로 연결되는 화소전극(145)을 형성한다. 이후에, 상기 화소전극(145)상에 화소정의막(150)과, 블랙매트릭스(160)를 순차적으로 형성하고, 상기 화소전극(145)의 일부분을 노출하는 개구부를 형성한다.
한편, 집광판(170)을 제공한다. 상기 집광판은 유리 또는 투명성 수지로 이루어질 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 투명성 수지는 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스터, 폴리스틸렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 노르보르넨계 수지, 폴리스타일렌계 수지, 폴리에틸렌 나프타 레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에텔술폰, 폴리에이테르이미드 및 이들의 변성수지로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
상기 집광판은 상술한 재료를 가공, 예를들면 금형, 사출성형 또는 식각법에 의해 마이크로 집광 렌즈 형태로 제조할 수 있다. 구체적으로 마이크로 집광 렌즈는 볼록렌즈 또는 프레넬 렌즈형태일 수 있다.
상기 집광판(170)은 그 하부면 또는 상기 블랙매트릭스(160)의 상부면에 접 착제를 도포하거나 또는 투명 양면 테이프를 이용하여, 상기 블랙매트릭스(160) 상부에 부착한다. 여기서 투명성 접착제는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 또는 우레탄계수지로 이루어진 투명성 접착제인 것이 바람직하다.
이후에 상술한 바와 같이, 상기 화소전극 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 상부전극을 형성함으로써, 유기 전계 발광 표시 장치를 완성한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 집광판의 구조를 도시한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 상기 집광판(170)은 볼록렌즈의 형태를 가질 수 있다. 또는 도 3b에서와 같이, 상기 집광판(170)은 프레넬 렌즈의 형태일 수 있다.
이때, 상기 집광판은 유리 또는 상술한 투명성 수지로 이루어 질 수 있다.
또한, 상기 재료를 가공하여 접착제에 의해 유기 전계 발광 표시 장치에 부착하거나, 상기 유기 전계 발광 표시 장치에 상술한 재료를 코팅한 후 하프-톤 마스크를 통하여 노광과 현상 공정을 수행하여 상기 집광판을 형성할 수 있다.
이로써, 이와 같은 집광수단을 통하여, 외광을 상기 블랙매트릭스로 집광하여 효율적으로 외광의 반사를 방지하여 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 블랙매트릭스 상에 외광을 집광하는 집광판을 구비함으로써, 별도의 편광판을 구비하지 않아도 효율적으로 외광 반사를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다.
또한, 고가의 편광판을 구비하지 않음으로써, 생산 단가를 낮출수 있으며, 상기 편광판에 의한 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 별도의 편광판을 구비하지 않음으로써, 상기 편광판에 의한 발광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따른 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 위치하는 화소전극과;
    상기 화소전극 상에 위치하되, 상기 화소전극을 일부분 노출하는 개구부를 구비하는 화소정의막과;
    상기 화소정의막 상에 위치하는 블랙매트릭스와;
    상기 블랙매트릭스 상에 위치하는 집광판과;
    상기 노출된 화소전극 상에 위치하는 적어도 발광층을 포함하는 유기막층과;
    상기 유기막층 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 집광판은 마이크로 집광렌즈의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 마이크로 집광렌즈는 볼록렌즈 또는 프레넬렌즈인것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 마이크로 집광렌즈는 유리 또는 투명성 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 투명성 수지는 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스터, 폴리스틸렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 노르보르넨계 수지, 폴리스타일렌계 수지, 폴리에틸렌 나프타 레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에텔술폰, 폴리에이테르이미드 및 이들의 변성수지로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  6. 기판을 제공하는 단계와;
    상기 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소전극상에 화소정의막을 형성하는 단계와;
    상기 화소정의막상에 블랙매트릭스을 형성하는 단계와;
    상기 화소전극의 일부분을 노출하기 위해 상기 화소정의막과 상기 블랙매트릭스를 식각하여 개구부를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스 상에 집광판을 형성하는 단계와;
    상기 노출된 화소전극 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;
    상기 유기막층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 집광판을 형성하는 단계는 투명성 수지를 코팅하여 투명성 박막을 형성하는 단계와,
    상기 투명성 박막을 하프톤 노광을 하고, 현상하여 볼록렌즈 또는 프레넬 렌즈 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 집광판을 형성하는 단계는 유리나 투명한 플라스틱을 볼록렌즈 또는 프레넬렌즈의 형태로 가공하여 형성하고, 상기 집광판은 투명성 접착제 또는 투명성 접착테이프를 이용하여 상기 블랙매트릭스 상에 부착하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
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