TW201405909A

TW201405909A - 發光裝置、包含發光裝置之顯示單元以及電子設備

Info

Publication number: TW201405909A
Application number: TW102123710A
Authority: TW
Inventors: Kenichi Izumi; Kohji Hanawa; Jiro Yamada
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2012-07-30
Filing date: 2013-07-02
Publication date: 2014-02-01
Also published as: KR20150040249A; CN104335380A; JP2014027192A; WO2014020850A1

Abstract

本發明揭示一種發光裝置，其包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層、該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

Description

發光裝置、包含發光裝置之顯示單元以及電子設備

本發明技術係關於一種在兩個電極之間具有一電阻層連同一有機層之發光裝置，一種包含發光裝置之顯示單元及一種電子設備。

一有機EL(電致發光)裝置應用於一顯示單元作為能夠藉由低電壓直流電驅動進行高亮度發光之一裝置。此一有機EL裝置可以此次序具有(例如)一第一電極、包含一發光層之一有機層及一第二電極為了控制器其所發射之光，已提出引入一共振器結構(舉例而言，PLT 1)。

在其中組態有機層之每一層之每一厚度係藉由共振器結構而最佳化之情形中，發射色彩之色純度及發光效率得以改良。然而，當有機層之厚度降低時，可在第一電極與第二電極之間發生短路。為了防止此短路，在PLT 2至PLT6中，揭示了將具有一高電阻之一膜插置於一有機EL裝置中之方法。

[引用清單] [專利文獻]

[PLT 1]WO01/39554

[PLT 2]日本未審查專利申請公開案第2001-035667號

[PLT 3]日本未審查專利申請公開案第2006-338916號

[PLT 4]日本未審查專利申請公開案第2005-209647號

[PLT 5]日本未審查專利申請公開案第2011-103205號

[PLT 6]日本未審查專利申請公開案第2011-040244號

然而，甚至在使用前述方法之情況下，亦尚未充分地防止由於短路所致之一缺陷裝置之出現。因此，已期望更加安全地防止第一電極與第二電極之間的短路。

提供一種能夠更安全地防止一第一電極與一第二電極之間的短路之發光裝置、一種包含該發光裝置之一顯示單元及一種電子設備係合宜的。

根據本發明技術之一實施例，提供一種發光裝置，其包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層，該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

根據本發明技術之一實施例，提供一種具備複數個發光裝置之顯示單元，該等發光裝置中之每一者包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層、該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

根據本發明技術之一實施例，提供一種具備一顯示單元之電子設備，該顯示單元具備複數個發光裝置，該等發光裝置中之每一者包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層、該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

在根據本發明技術之實施例之發光裝置中，即使由於(舉例而言) 一外來物質及諸如此類之黏合而形成其中該有機層並不形成於該第一電極與該第二電極之間的一區，亦將含有氧化鋅之該電阻層插置於該等電極之間。由於氧化鋅之該晶體定向包含該複數個平面索引分量，因此膜應力得以減小，且允許電阻層中含有氧化鋅。與其他高電阻材料相比，氧化鋅具有接近於該有機層之光學特性之光學特性。

根據按照本發明技術之實施例之該發光裝置、該顯示單元及該電子設備，含有氧化鋅之該電阻層提供於該有機層與該第二電極之間。因此，允許更安全地防止該第一電極與該第二電極之間的短路。此外，亦允許改良光提取效率。

應理解，前述大體說明及以下詳細說明兩者皆係例示性的且意欲提供對所主張之本發明之進一步闡釋。

1‧‧‧顯示單元

1A‧‧‧顯示單元

1B‧‧‧顯示單元

10T‧‧‧薄膜電晶體

11‧‧‧支撐基板/基板

12‧‧‧閘極電極/圖案狀閘極電極

13‧‧‧閘極絕緣膜

14A‧‧‧源極-汲極區

14B‧‧‧源極-汲極區

15‧‧‧通道區

16A‧‧‧層間絕緣層

16B‧‧‧層間絕緣層

17‧‧‧佈線

20‧‧‧有機電致發光裝置

20R‧‧‧有機電致發光裝置

20G‧‧‧有機電致發光裝置

20B‧‧‧有機電致發光裝置

21‧‧‧第一電極

22‧‧‧第二電極

23‧‧‧有機層

23A‧‧‧發光層

23B‧‧‧電洞傳輸層

23C‧‧‧電子傳輸層

24‧‧‧絕緣層

25‧‧‧開口

31‧‧‧保護層

32‧‧‧黏合劑層/薄片狀黏合劑層

33‧‧‧對置基板

40‧‧‧半透射反射膜

40A‧‧‧阻斷區段

50‧‧‧電阻層

60‧‧‧導電樹脂層

70‧‧‧輔助電極

71‧‧‧導電肋條/肋條

80‧‧‧提取電極

80A‧‧‧疊加區段

110‧‧‧顯示區

120‧‧‧信號線驅動電路

120A‧‧‧信號線

130‧‧‧掃描線驅動電路

130A‧‧‧掃描線

140‧‧‧像素驅動電路

210‧‧‧區/所曝露區

220‧‧‧撓性印刷電路

300‧‧‧影像顯示螢幕區段

310‧‧‧前部面板

320‧‧‧濾光玻璃

410‧‧‧發光區段

420‧‧‧顯示區段

430‧‧‧選單切換器

440‧‧‧快門按鈕

510‧‧‧主體

520‧‧‧鍵盤

530‧‧‧顯示區段

610‧‧‧主體

620‧‧‧透鏡

630‧‧‧開始-停止開關

640‧‧‧顯示區段

710‧‧‧上部封裝

720‧‧‧下部封裝

730‧‧‧連結區段/鉸接區段

740‧‧‧顯示器

750‧‧‧子顯示器

760‧‧‧圖像燈

770‧‧‧相機

810‧‧‧顯示區段

820‧‧‧非顯示區段

Cs‧‧‧電容器/保持電容

F‧‧‧外來物質

GND‧‧‧第二電力線

Id‧‧‧驅動電流

L1‧‧‧像素驅動電路形成層

L2‧‧‧發光裝置形成層

M1‧‧‧最大發光位置

M2‧‧‧最大發光位置

OL₁‧‧‧光學距離

OL₂‧‧‧光學距離

P1‧‧‧界面

P2‧‧‧界面

Tr1‧‧‧驅動電晶體/電晶體

Tr2‧‧‧寫入電晶體/電晶體

Vcc‧‧‧第一電力線

[圖1]圖1係圖解說明根據本發明技術之一實施例之一顯示單元之一組態的一剖面圖。

[圖2]圖2係圖解說明圖1中所圖解說明之顯示單元之一整體組態之一圖式。

[圖3]圖3係圖解說明圖2中所圖解說明之一像素驅動電路之一實例之一圖式。

[圖4A]圖4A係用於闡釋圖1中所圖解說明之一有機層之一組態之一剖面圖。

[圖4B]圖4B係圖解說明圖4A中所圖解說明之有機層之另一實例之一剖面圖。

[圖5]圖5係圖解說明圖1中所圖解說明之一半透射反射膜之一組態之一平面圖。

[圖6A]圖6A係圖解說明製造圖1中所圖解說明之顯示單元之一方法之一剖面圖。

[圖6B]圖6B係圖解說明跟隨圖6A之一步驟之一步驟之一剖面圖。

[圖6C]圖6C係圖解說明跟隨圖6B之步驟之一步驟之一剖面圖。

[圖7A]圖7A係圖解說明跟隨圖6C之步驟之一步驟之一剖面圖。

[圖7B]圖7B係圖解說明跟隨圖7A之步驟之一步驟之一剖面圖。

[圖8A]圖8A係圖解說明跟隨圖7B之步驟之一步驟之一剖面圖。

[圖8B]圖8B係圖解說明跟隨圖8A之步驟之一步驟之一剖面圖。

[圖9]圖9係用於闡釋在圖1中所圖解說明之一第一電極上存在一外來物質之一情形之一剖面圖。

[圖10]圖10係圖解說明圖1中所圖解說明之一電阻層之一X射線分析之一結果之一圖式。

[圖11]圖11係圖解說明氧化鋅之一晶體定向中(101)分量之一比率與應力大小之間的一關係之一圖式。

[圖12]圖12係圖解說明根據修改1之一顯示單元之一組態之一剖面圖。

[圖13]圖13係圖解說明根據修改2之一顯示單元之一組態之一剖面圖。

[圖14]圖14係圖解說明根據修改3之一顯示單元之一組態之一剖面圖。

[圖15]圖15係圖解說明圖14中所圖解說明之一提取電極之一組態之一平面圖。

[圖16]圖16係圖解說明圖14中所圖解說明之提取電極之另一實例之一剖面圖。

[圖17]圖17係圖解說明包含圖1中圖解說明及諸如此類之顯示單元之一模組之一示意性組態的一平面圖。

[圖18]圖18係圖解說明應用實例1之一外觀之一透視圖。

[圖19A]圖19A係圖解說明自應用實例2之前側觀看之一外觀之一透視圖。

[圖19B]圖19B係圖解說明自應用實例2之後側觀看之一外觀之一透視圖。

[圖20]圖20係圖解說明應用實例3之一外觀之一透視圖。

[圖21]圖21係圖解說明應用實例4之一外觀之一透視圖。

[圖22A]圖22A係圖解說明呈一閉合狀態之應用實例5之一圖式。

[圖22B]圖22B係圖解說明呈一打開狀態之應用實例5之一圖式。

[圖23]圖23係圖解說明應用實例6之一外觀之一透視圖。

下文將參考該等圖式詳細闡述本發明技術之一較佳實施例。將按以下次序給出說明。

1.實施例(一顯示單元：其中一電阻層包含氧化鋅之一實例)

2.修改1(其中一導電樹脂層包含於一電阻層與一第二電極之間之一實例)

3.修改2(其中包含一輔助電極之一實例)

4.修改3(其中包含一提取電極之一實例)

[實施例] [顯示單元1之整體組態]

圖1圖解說明根據本發明技術之一實施例之一顯示單元(顯示單元1)之一主要區段之一剖面組態。顯示單元1係包含複數個有機EL裝置20之一自發光型顯示單元，且具有一像素驅動電路形成層L1、包含有機EL裝置20之一發光裝置形成層L2及一對置基板33，其係以此次序在一支撐基板11上。顯示單元1係在對置基板33側上具有一光提取方向之一所謂的頂部發射型顯示單元。像素驅動電路形成層L1可包含(舉例而言)一信號線驅動電路及一掃描線驅動電路(未圖解說明)以用於顯示一影像。對於各別組件之細節，稍後將給出說明。

圖2圖解說明顯示單元1之一整體組態。顯示單元1具有在支撐基板11上之一顯示區110，且可用作(舉例而言)一超薄型有機發光彩色顯示單元或諸如此類。圍繞支撐基板11上之顯示區110，舉例而言，可提供一信號線驅動電路120及一掃描線驅動電路130，其可係用於顯示一影像之驅動器。在顯示區110中，複數個有機EL裝置20(20R、20G及20B)以二維方式配置成一矩陣狀態，且形成用於驅動有機EL裝置20之一像素驅動電路140。有機EL裝置20R、20G及20B分別係指發射紅色光、綠色光及藍色光之有機EL裝置20。

圖3圖解說明像素驅動電路140之一實例。像素驅動電路140係形成於一之後提及之第一電極21(圖1)下方之一層中之一主動型驅動電路。亦即，像素驅動電路140具有一驅動電晶體Tr1、一寫入電晶體Tr2、介於電晶體Tr1與Tr2之間的一電容器(保持電容)Cs及串聯連接至驅動電晶體Tr1介於一第一電力線(Vcc)與一第二電力線(GND)之間的有機EL裝置20R、20G或20B。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2中之每一者係由一通用薄膜電晶體(TFT)來組態。

在像素驅動電路140中，複數個信號線120A沿一行方向配置，且複數個掃描線130A沿一列方向配置。在每一信號線120A與每一掃描線130A之每一個相交點中提供有機EL裝置20R、20G及20B中之一者。每一信號線120A連接至信號線驅動電路120，且每一掃描線130A連接至掃描線驅動電路130。將一影像信號自信號線驅動電路120順序地供應至電晶體Tr2之一源極電極，且將一掃描信號自掃描線驅動電路130順序地供應至電晶體Tr2之一閘極電極。

[顯示單元1之主要區段之組態]

接下來，將再次參考圖1給出對支撐基板11、像素驅動電路形成層L1、發光裝置形成層L2、對置基板33及諸如此類之詳細組態之一說明。

支撐基板11可係由(舉例而言)石英、玻璃、一矽(Si)晶圓、一金屬箔或一樹脂製成之一膜或薄片形成。至於前述玻璃，舉例而言，可使用高應變點玻璃、鈉玻璃(Na₂O、CaO及SiO₂)、硼矽玻璃(Na₂O、B₂O₃及SiO₂)、鎂橄欖石(2MgO及SiO₂)、鉛玻璃(Na₂O、PbO及SiO₂)或諸如此類。至於一樹脂材料，舉例而言，可使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)、聚醚碸(PES)、聚亞醯胺、一聚碳酸酯樹脂或諸如此類。在其中支撐基板11係藉助使用樹脂材料而形成之情形中，支撐基板11可較佳具有一層壓式結構且經受表面處理以便抑制透水性及透氣性。由於在頂部發射型顯示單元中自對置基板33提取光，因此支撐基板11可係由一透射材料或一非透射材料形成。支撐基板11可係由一撓性材料製成以達成一可彎曲顯示單元。楊氏模數及支撐基板11之曲率半徑之值並不受限。

像素驅動電路形成層L1具有其中埋入一TFT 10T(圖3之驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2)及一佈線17之層間絕緣層16A及16B。

TFT 10T包含一閘極電極12、一閘極絕緣膜13以及具有源極-汲極區14A及14B及一通道區15之一半導體層。在與閘極電極12對置之一位置中提供該半導體層之通道區15。閘極絕緣膜13插置於該半導體層與閘極電極12之間。在半導體層中，源極-汲極區14A及源極-汲極區14B提供為通道區15介於其間。TFT 10T透過佈線17電連接至有機EL裝置20。至於半導體層，舉例而言，可使用a-Si(非晶矽)、氧化物半導體、有機半導體或諸如此類。在圖1中，圖解說明其中閘極電極12提供於基板11上之一所謂的頂部閘極型電晶體。然而，TFT 10T可係一頂部閘極型電晶體。

層間絕緣層16A及16B平坦化其上形成像素驅動電路140(諸如TFT 10T)之支撐基板11之表面。層間絕緣層16A及16B可較佳係由具有有利圖案準確度之一材料製成，此乃因在其中提供一精細連接孔。佈線17電連接TFT 10T之源極-汲極區14A及14B與有機EL裝置20(一之後提及之第一電極21)。佈線17透過提供於一下部層(在支撐基板11側上)中之層間絕緣層16A中之一觸點而連接至TFT 10T之源極-汲極區14A及14B且透過提供於一上部層(在對置基板33側上)中之層間絕緣層16B之連接孔中之一觸點而連接至第一電極21。層間絕緣層16A及16B之構成材料之實例可包含諸如聚醯亞胺之一有機材料及諸如氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiON)之一無機材料。

在發光裝置形成層L2中提供有機EL裝置20、一絕緣層(一隔牆)24、一保護層31及一黏合劑層32。保護層31及一黏合劑層32覆蓋有機EL裝置20及絕緣層24。在有機EL裝置20中，作為一陽極電極之第一電極21、一有機層23、一半透射反射膜40、一電阻層50及作為一陰極電極之一第二電極22以此次序自支撐基板11側層壓。

第一電極21係用以將電洞注入至有機層23(圖4A中之一之後提及之電洞傳輸層23B)中之一電極，且係針對有機EL裝置20(20R、20G及20B)中之每一者而提供於層間絕緣層16B上。第一電極21亦具有作為一反射層之一功能，且可較佳具有儘可能高的反射率以便改良發光效率。第一電極21可係由(舉例而言)諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鋁(Al)、釹(Nd)及鉬(Mo)之一金屬元素或其一合金製成。舉例而言，至於此一合金，可使用將銀作為主要組份且含有0.3wt%至1wt%之鈀(Pd)及0.3wt%至1wt%之銅或Al-Nd合金的Ag-Pd-Cu合金。藉由提供一適當電洞注入層，使用諸如鋁元素及一鋁合金的具有由於存在一表面氧化膜所致之電洞注入障礙及不管其高反射率之一小功函數之一缺點的一材料作為第一電極21變得可能。可在第一電極21之表面上提供由銦及錫之氧化物(ITO)以及銦及鋅之氧化物(IZO)製成之一透明導電膜。第一電極21之厚度可係(舉例而言)自0.01μm至1μm(包含此兩者)。

絕緣層24保證了第一電極21與第二電極22之間的絕緣，並獲得一所期望形狀之發光區。一開口25對應地提供至發光區。在開口25中提供有機層23。絕緣層24可係(舉例而言)錐形。開口25隨著其位置自第一電極21側向第二電極22側逐漸變寬。絕緣層24可係由(舉例而言)諸如SiO₂之一無機絕緣材料或諸如一光敏樹脂材料之一有機絕緣材料製成。可層壓無機絕緣材料及有機絕緣材料。有機層23可提供於不同於開口25之一部分中(在絕緣層24上)。然而，發光僅發生於開口25中。

舉例而言，如圖4A中所圖解說明，可藉由自第一電極21側依序層壓電洞傳輸層23B、一發光層23A及一電子傳輸層23C來組態有機層23。一電洞注入層(未圖解說明)可提供於第一電極21與電洞傳輸層23B之間，且一電子注入層(未圖解說明)可提供於電子傳輸層23C與第二電極22之間。關於前述諸層，可視需要提供發光層23A以外之層。有機層23可係(舉例而言)針對有機EL裝置20R、20G及20B(圖1)中之每一者而提供。有機層23可通常提供至有機EL裝置20R、20G及20B，且(舉例而言)可發射白色光(未圖解說明)。可能的情況係將電洞傳輸層23B、發光層23A及電子傳輸層23C之一層壓式結構視為一個匯接單元，且在各別有機EL裝置20R、20G及20B中層壓兩個或兩個以上匯接單元。

電洞傳輸層23B將第一電極21中所產生之電洞有效地傳輸至發光層23A。其厚度可係(舉例而言)自10nm至200nm(包含此兩者)。至於電洞傳輸層23B，舉例而言，可使用4,4',4"-叁(3-甲基苯基苯基胺基) 三苯胺(m-MTDATA)或α-萘基苯基二胺(αNPD)。有機EL裝置20R、20G及20B之電洞傳輸層23B可係由(舉例而言)相同材料製成。

在發光層23A中，當施加一電場時，產生一電子-電洞重新組合，且藉此產生光。舉例而言，有機EL裝置20R之發光層23A發射紅色光，有機EL裝置20G之發光層23A發射綠色光，且有機EL裝置20B之發光層23A發射藍色光。發光層23A之厚度可係(舉例而言)自1nm至100nm(包含此兩者)。

有機EL裝置20R之發光層23A可具有(舉例而言)大約5nm之一厚度，且可係由藉由在4,4-雙(2,2-苯基乙烯基)聯二苯(DPVBi)中混合30wt%之2,6-bis[(4'-甲氧基二苯基胺基)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(BSN)所獲得之一化合物構成。

有機EL裝置20G之發光層23A可具有(舉例而言)大約10nm之一厚度，且可係由藉由在DPVBi中混合5wt%之香豆素6所獲得之一化合物構成。

有機EL裝置20B之發光層23A可具有(舉例而言)大約30nm之一厚度，且可係由藉由在DPVBi中混合2.5wt%之4,4'-雙[2-{4-(N,N-二苯胺)苯基}乙烯基]聯二苯(DPAVBi)所獲得之一化合物構成。

電子傳輸層23C改良至發光層23A之電子傳輸效率。電子傳輸層23C可係由(舉例而言)喹諾酮、二萘嵌苯、啡啉、菲、芘、聯苯乙烯、吡嗪、三唑、惡唑、富勒烯、惡二唑、芴酮、蒽、萘、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、其一衍生物或一金屬錯合物組態。電子傳輸層23C之厚度可係(舉例而言)自5nm至300nm(包含此兩者)。至於電子傳輸層23C，舉例而言，可使用具有大約20nm之一厚度之8-羥基喹啉鋁(縮略語：Alq₃)。有機EL裝置20R、20G及20B之每一電子傳輸層23C可係(舉例而言)由相同材料製成。

半透射反射膜40組態有機EL裝置20之一共振器結構，且可(舉例而言)共同提供至有機EL裝置20。更具體而言，來自發光層23A之光在介於第一電極21與有機層23(圖4A中之電洞傳輸層23B)之間的一界面P1(一第一界面)與介於半透射反射膜40與有機層23(圖4中之電子傳輸層23C)之間的一界面P2(一第二界面)之間共振，且其部分係透過半透射反射膜40自第二電極22提取。由於有機EL裝置20具有此一共振結構，因此發光層23A中所發射之光產生多個干涉，且自第二電極22側提取之光譜之半頻寬降低。亦即，允許沿一向前方向之光輻射密度增加，且允許改良發光之色純度。此外，自對置基板33側進入之外部光由於多個干涉而衰減，且因此，其反射率降低。應注意，顯示單元1可在不提供半透射反射膜40之情況下組態。

在自界面P1至發光層23A之最大發光位置之一光學距離係OL₁，且自界面P2至最大發光位置之一光學距離係OL₂之情形中，OL₁及OL₂可滿足(舉例而言)以下數學表達式1及以下數學表達式2。最大發光位置(最大發光位置M1)可係(舉例而言)介於電子傳輸層23C與發光層23A之間的一界面(圖4A)。最大發光位置(最大發光位置M2)可係(舉例而言)介於電洞傳輸層23B與發光層23A之間的一界面，如圖4B中所圖解說明。舉例而言，最大發光位置針對有機EL裝置20R係M1，且最大發光位置針對有機EL裝置20G及20B係M2。

(在數學表達式1及數學表達式2中，OL₁表示自界面P1至發光層23A之最大發光位置之光學距離；OL₂表示自界面P2至最大發光位置之光學距離；λ表示發光層23A中所產生之光的光譜之最大峰值波長；Φ₁表示界面P1中所產生之所反射光之一相移量(單位：弧度，且 -2π<Φ₁ 0)；Φ₂表示界面P2中所產生之所反射光之一相移量(單位：弧度，且-2π<Φ₂ 0)；且(m₁,m₁)之值可係(0,0)、(1,0)及(0,1)中之任一者)。

藉由定義由如上文所闡述之有機EL裝置20之有機層23、第一電極²¹及半透射反射膜40組態之光的干涉條件或共振條件，允許照度及色度對視角之相依性降低。

半透射反射膜40可含有(舉例而言)一鹼金屬或一鹼土金屬及銀。具體而言，半透射反射膜40含有鎂(Mg)及銀，且其體積比(Mg：Ag)可介於(舉例而言)自5：1至30：1(Mg：Ag=5：1至30：1)之範圍中。半透射反射膜40可含有(舉例而言)鎂及鈣(Ca)，且其體積比(Mg：Ca)可介於(舉例而言)自2：1至10：1(Mg：Ca=2：1至10：1)之範圍中。半透射反射膜40可係由鋁或銀製成。半透射反射膜40之厚度可係(舉例而言)自大約1nm至大約6nm(包含此兩者)。

半透射反射膜40具有一阻斷區段40A。如上文所闡述，具有一薄膜厚度(諸如自1nm至6nm(包含此兩者)之一厚度)之半透射反射膜40較不可能形成於絕緣層24之側壁上，且阻斷區段40A可係提供於(舉例而言)絕緣層24之側壁上。因此，如圖5中所圖解說明，阻斷區段40A存在於開口25周圍。

電阻層50提供於有機層23與第二電極22之間，具體而言，在支撐基板11上之顯示區110之整個表面上方介於半透射反射膜40與第二電極22之間，且具有高於第一電極21及第二電極22之電阻之一電阻。在此實施例中，電阻層50含有氧化鋅(ZnO)，且氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。藉此，雖然稍後將闡述細節，但允許更安全地防止第一電極21與第二電極22之間的短路，且允許改良光提取效率。電阻層50包含一電荷傳輸功能或一電荷注入功能。電阻層50可提供於任何位置中，只要該位置位於有機層23與第二電極22之間即可。舉例而言，在顯示單元1在不提供半透射反射膜40之情況下組態之情形中，電阻層50可提供於電子傳輸層23C與第二電極22之間。此外，在其中省略電子傳輸層23C之情形中，電阻層50可提供於發光層23A與第二電極22之間。

流經電阻層50之一電流可較佳係流經一整個有機EL裝置20之一電流的十分之一或大約十分之一。電阻層50之電阻率可係(舉例而言)自1×10²Ω．m至1×10⁶Ω．m(包含此兩者)(自1×10⁴Ω．cm至1×10⁸Ω．cm(包含此兩者))。電阻層50之厚度可係(舉例而言)自0.1μm至10μm(包含此兩者)。更具體而言，電阻層50之電阻率較佳可係自5×10²Ω．m至5×10⁴Ω．m(包含此兩者)(自5×10⁴Ω．cm至5×10⁶Ω．cm(包含此兩者))，且電阻層50之厚度較佳可係自0.15μm至1μm(包含此兩者)。如上文所闡述，電阻層50含有氧化鋅。氧化鋅之晶體定向可包含(舉例而言)(002)平面索引分量及(101)平面索引分量。除(002)分量及(101)分量之外，氧化鋅之晶體定向可包含(舉例而言)(001)分量或(212)分量。氧化鋅之晶體定向包含其兩個或兩個以上分量足矣。由於氧化鋅之晶體定向包含複數個平面索引分量，因此允許電阻層50之膜應力降低，且允許將一電壓安全地施加至有機層23。(101)分量相對於(002)分量之一比率((101)/(002))較佳可等於或大於5%，且較佳可等於或大於15%。藉由相對於(002)分量以5%或5%以上之一比率含有(101)分量，允許抑制電阻層50之膜應力，且允許有機EL裝置20安全地發射光。相較於諸如氧化鈮(Nb₂O₅)之其他高電阻材料，氧化鋅之光學特性更接近於有機層23之光學特性，發光層23A中所產生光之提取效率得以改良，且允許抑制電力消耗。電阻層50可較佳以30%或30%以上之一比率含有氧化鋅。

電阻層50較佳可含有一添加劑連同氧化鋅以便改良光學特性及調整電阻率。此一添加劑之組份之實例可包含一過渡金屬元素、一類金屬元素及具有30或小於30之原子序之一輕元素。其特定實例可包含錫(Sn)、銦(In)、鎵(Ga)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、矽(Si)、鉈(Tl)、鉍(Bi)及鉛(Pb)。關於前述內容，較佳可含有鎂、鋁及矽。電阻層50中可含有複數個此等元素。電阻層50可(舉例而言)以大約10%至20%(包含此兩者)之一比率含有此一添加劑。電阻層50可係一非晶膜。在其中電阻層50係由具有低透水性之一緻密膜形成之情形中，顯示單元1可在不提供之後提及之保護層31之情況下組態。

可在半透射反射膜40與電阻層50之間進一步提供一有機層(未圖解說明)。有機層可包含一發光層。

第二電極22係以與第一電極21絕緣之一狀態提供於電阻層50上，且共同提供至所有有機EL裝置20。第二電極22係由一光透射透明材料製成。其實例可包含ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁摻雜之氧化鋅(AZO)、鎵摻雜之氧化鋅(GZO)、氧化銦鈦(ITiO)氧化銦鎢(IWO)。對於第二電極22，舉例而言，可較佳使用具有1Ω．m(100Ω．cm)或小於1Ω．m之諸如ITO之一材料。第二電極22之厚度可係(舉例而言)500nm。

保護層31可較佳由對發光層23A中所產生之光透明、緻密且具有低透水性之一材料製成。此一材料之一實例可包含非晶矽(α-Si)、非晶碳化矽(α-SiC)、非晶氮化矽(α-Si_1-xN_x)、非晶氧化矽(α-Si_1-yO_y)、非晶碳(α-C)、非晶氮氧化矽及氧化鋁(Al₂O₃)。

對於黏合劑層32而言，舉例而言，可使用一熱固性黏合劑，諸如一丙烯酸黏合劑、一環氧樹脂黏合劑、氰基丙烯酸甲酯系列黏合劑、一尿烷系列黏合劑、一聚矽氧系列黏合劑、一紫外光光可固化黏合劑或諸如此類。

對置基板33位於有機EL裝置20之第二電極22側上，並連同黏合劑層32一起密封有機EL裝置20。對於對置基板33而言，可使用類似於前述支撐基板11之材料之一材料，只要該材料對發光層23A中所產生之光透明即可。在對置基板33中，舉例而言，可提供一彩色濾光器及作為一黑色矩陣之一光屏蔽膜(兩者皆未進行圖解說明)。

[製造顯示單元1之方法]

可(舉例而言)如下(圖6A至圖8B)製造如上文所闡述之顯示單元1。

首先，在支撐基板11上形成TFT 10T。具體而言，在於支撐基板11上提供圖案狀閘極電極12之後，閘極絕緣膜13及半導體層以此次序形成以覆蓋閘極電極12。此後，在半導體層中提供通道區15及源極-汲極區14A及14B，且藉此，形成TFT 10T。接下來，可藉由(舉例而言)一CVD(化學汽相沈積)方法在TFT 10T上形成氧化矽。此後，藉助使用光微影及蝕刻在氧化矽膜中提供一連接孔，且然後形成層間絕緣層16A(圖6A)。

隨後，可藉由(舉例而言)一真空蒸鍍方法在層間絕緣層16A上形成鋁。此後，蝕刻所得物以形成佈線17。佈線17透過提供於層間絕緣層16A中之一觸點而電連接至半導體層之源極-汲極區14A及14B。在提供佈線17之後，如圖6B中所圖解說明，可形成由(舉例而言)氧化矽製成之層間絕緣層16B。可(舉例而言)藉助使用類似於層間絕緣層16A之方法之一方法形成層間絕緣層16B。先前在與佈線17之部分對置之一位置中層間絕緣層16B已具備一連接孔。

在提供層間絕緣層16B之後，可藉由(舉例而言)一真空蒸鍍方法形成Al-Nd合金，蝕刻所得物以形成圖案狀第一電極21(圖6C)。第一電極21已透過提供於層間絕緣層16B中之一觸點而電連接至佈線17。接下來，可藉由(舉例而言)一旋塗方法形成由1μm厚之聚醯亞胺製成之絕緣層24。此後，蝕刻絕緣層24以曝露第一電極21之部分或全部以提供開口25(圖7A)。

隨後，如圖7B中所圖解說明，電洞傳輸層23B、發光層23A及電子傳輸層23C可係藉助針對有機EL裝置20中之每一者使用(舉例而言)一真空蒸鍍方法而以此次序形成於開口25中以形成有機層23。接下來，可藉助使用(舉例而言)一真空蒸鍍方法在顯示區110(圖2)之整個表面上形成具有5nm之一平均膜厚度之Mg-Ag(體積比：Mg：Ag=10：1)製成之半透射反射膜40(圖8A)。由於阻斷區段40A係提供於半透射反射膜40中，因此半透射反射膜40可較佳以諸如1×10^-3Pa或小於1×10^-3Pa之相對低壓力形成。此時，藉由在與有機層23之真空蒸鍍設備相同之真空蒸鍍設備中連續地跟隨有機層23形成半透射反射膜40，允許防止由於大氣中之濕氣及氧氣所致之有機層23之降級。

在提供半透射反射膜40之後，在半透射反射膜40上形成含有氧化鋅之電阻層50。舉例而言，電阻層50可具有0.5μm之一厚度，且其電阻率可係1×10⁴Ω．m(1×10⁶Ω．cm)。為了改良覆蓋範圍，電阻層50可較佳以(舉例而言)自0.1Pa至10Pa(包含此兩者)之相對高壓力形成。

電阻層50可較佳形成為並不使氧化鋅過度結晶以使得電阻層50中所含之氧化鋅之晶體定向包含複數個平面索引分量，諸如(101)分量連同(002)分量。舉例而言，在其中電阻層50係藉由一濺鍍方法形成之情形中，若使用一限制板，則具有高能量之濺鍍粒子之數目減小，且藉此，允許防止過度結晶。另一選擇係，可進行設定以使得濺鍍粒子與載體氣體碰撞五次或五次以上直至濺鍍粒子達到基板為止。具體而言，首先，使用一基板旋轉濺鍍沈積裝備，且在顯著位於接近於一目標之位置中提供該限制板。接下來，引入相對於氬氣(Ar)為1.5%之氧氣(O₂)，可(舉例而言)在0.7Pa之室壓下形成電阻層50。調整室壓以使得濺鍍粒子與載體氣體碰撞五次或五次以上直至濺鍍粒子到達基板為止。藉此，舉例而言，具有其中(101)分量相對於(002)分量之一比率係10%之晶體定向之氧化鋅得以形成。如上文所闡述，電阻層50可係藉由與其混合添加劑來形成。

在提供電阻層50之後，可在電阻層50上形成由(舉例而言)ITO製成且具有0.5μm之一厚度之第二電極22(圖8B)。第二電極22之電阻率可係(舉例而言)1Ω．m(100Ω．cm)。第二電極22可係(舉例而言)藉助使用一真空蒸鍍方法、一濺鍍方法、一離子電鍍方法或諸如此類來形成。

隨後，可藉由(舉例而言)一CVD方法或一濺鍍方法而在支撐基板11之整個表面上形成保護層31。此後，對置基板33藉助與保護層31之間的黏合劑層32而黏附至保護層31。具體而言，在於支撐基板11之邊沿(保護層31)處提供一密封劑(未圖解說明)之後，在密封劑內部填充黏合劑層32以黏附對置基板33(ODF方法：滴下式液晶注入(One Drop Fill))。可(舉例而言)加熱黏合劑層32以將對置基板33固定於支撐基板11上。可在對置基板33側上提供黏合劑層32，或可使用一薄片狀黏合劑層32。因此，圖1至圖3中所圖解說明之顯示單元1得以完成。

[顯示單元1之功能及效應]

在顯示單元1中，透過寫入電晶體Tr2之閘極電極將一掃描信號自掃描線驅動電路130供應至各別有機EL裝置20(20R、20G及20B)。透過寫入電晶體Tr2將一影像信號自信號線驅動電路120供應至保持電容Cs，並將其保持於保持電容Cs中。亦即，根據保持電容Cs中所保持之信號，接通-關斷地控制驅動電晶體Tr1。藉此，將一驅動電流Id注入至有機EL裝置20中，產生電子-電洞重新組合，且藉此發射光。該光在第一電極21(界面P1)與半透射反射膜40(界面P2)之間多次反射，傳輸透過半透射反射膜40、電阻層50、第二電極22及對置基板33，並被提取。藉由包含此一共振器結構，已傳輸透過第二電極22並被發射之光具有在共振之中心波長附近之一波長，顯示光之色純度得以改良，且其光強度亦得以改良。

在此情形中，含有氧化鋅之電阻層50係提供於第一電極21與第二電極22之間，具體而言，介於半透射反射膜40與第二電極22之間。藉此，允許更加安全地防止第一電極21與第二電極22之間的短路，且允許改良光提取效率。對於其細節而言，下文將給出一說明。

當製造顯示單元1時，如圖9中所圖解說明，一外來物質F可黏合至第一電極21。由於外來物質F，有機層23之覆蓋範圍變得不完整，且其中在外來物質F之附近產生其中並不形成有機層23之一區。由於不同於外來物質F之一因素(諸如第一電極21之表面之部分升起)，產生其中並不形成有機層23之區。在此一區中，有機層23上方之半透射反射膜40亦由於其小的膜厚度而具有一間隙。因此，在其中並不提供一電阻層之一顯示單元中，於外來物質F附近之第一電極與第二電極之間發生短路，且顯示品質降低。相反地，在PLT 2(底部發射型)中，提出在一陽極電極與一有機層之間提供一氧化銦系列之化合物製成之一電阻層之一方法。此外，在PLT 3(頂部發射型)中，揭示增加一陽極電極之部分之一電阻之一方法。在PLT 4(底部發射型)中，揭示增加一陽極電極之部分之一電阻之一方法。然而，如上文所闡述，此等方法並不允許充分地防止由於短路所致之一缺點電路的出現。

在此實施例中，在半透射反射膜40與第二電極22之間提供含有氧化鋅之電阻層50。因此，電阻層50插置於第一電極21與第二電極22之間在外來物質F附近。因此，第一電極21與第二電極22彼此並不直接接觸，防止了外來物質F附近之一過度電流集中，且允許將一電壓施加至有機EL裝置20之有機層23之整個表面。因此，允許更加安全地防止第一電極21與第二電極22之間的短路。應注意，即使並不存在半透射反射膜40，電阻層50亦具有一充足電荷傳輸層，且因此將一電壓自第二電極22安全地供應至有機層23。

一個貌似合理之觀念係一第一電極與一第二電極之間的一電阻層可係由一高電阻材料(諸如氧化鈮)製成作為一主要組件(舉例而言，PLT 5及6)。下文將比較氧化鈮之光學特性與氧化鋅之光學特性。在將氧化鈮作為一主要組份之一電阻層中，633nm之波長下之折射率(n)係自2.3至2.4(包含此兩者)，且450nm之波長下之消光係數(k)等於或小於0.005。相比而言，在將氧化鋅作為主要組份之電阻層50中，633nm之波長下之折射率(n)係自1.8至1.9(包含此兩者)且450nm之波長下之消光係數(k)等於或小於0.001。亦即，藉由控制電阻層50中之氧化鋅，電阻層50之光學特性變得接近於有機層23之光學特性，且允許改良顯示單元1之光提取效率。因此，允許節省電力。此外，亦降低色度對視角之相依性。

然而，在其中氧化鋅之一晶體定向包含諸如僅(002)平面索引分量之一單個分量之情形中，一電阻層之膜應力得以降低。藉此，不允許均勻地形成電阻層，且可在一有機層與電阻層之間發生膜之剝離。當一顯示單元之大小更大時形成一均勻膜變得更加困難。此同樣適用於藉由一大型設備製造一小顯示器以便改良製造效率之一情形。一膜之剝離可阻斷有機層，且可防止一有機EL裝置之正常發光。

在顯示單元1中，由於電阻層50之氧化鋅之晶體定向包含複數個平面索引分量，因此電阻層50之膜應力降低。此外，在一平面中均勻地形成電阻層50以防止膜之剝離，且將一電壓安全地施加至有機層23。

圖10圖解說明藉助使用一X射線繞射方法之以下兩者之量測結果：其中晶體定向包含(002)平面索引分量及(101)平面索引分量之電阻層50(氧化鋅)；及其中晶體定向包含僅(002)平面索引分量之一電阻層150(氧化鋅)。儘管電阻層150之尖峰數目係一個(2θ：在34度附近)但在電阻層50中觀察到兩個尖峰(2θ：在34度及36度附近)。

圖11圖解說明(101)分量相對於(002)分量之一比率((101)/(002))與應力之一關係。應注意，(101)/(002)係自X射線分析之尖峰強度比獲得。自圖11中，發現，隨著(101)分量增加，應力降低。在其中(101)/(002)小於5%(0.005)(亦即，應力之絕對值大於-400MPa)之一膜中，缺陷有機EL裝置頻繁出現。相比而言，在其中(101)/(002)等於或大於5%之一膜中，幾乎所有有機EL裝置20皆正常地發射光。在具有一減小之應力的其中用例之應力之絕對值小於250MPa((101)/(002)等於或大於15%)之一膜(一所謂的無應力膜)中，允許所有有機EL裝置20更加安全地正常發射光。在其中氧化鋅之晶體定向包含僅(002)平面索引分量之情形中，缺陷有機EL裝置之比率等於或大於30%，在其中(101)/(002)係1.9%之情形中該比率係0.1929%，在其中(101)/(002)係17.1%之情形中係0.0096%，且在其中(101)/(002)係46.2%之情形中係0.0039%。

如上文中所闡述，在此實施例中，含有氧化鋅之電阻層50提供於第一電極21與第二電極22之間，且氧化鋅之磁性定向包含複數個平面索引分量。因此，允許更安全地防止第一電極21與第二電極22之間的短路，且允許改良光提取效率。

下文將給出對前述實施例之修改之一說明。在以下說明中，對於前述實施例中之組件相同之組件而言，附加相同元件符號，且將視情況省略對其之說明。

[修改1]

圖12圖解說明根據修改1之一顯示單元(顯示單元1A)之一剖面組態。顯示單元1A在電阻層50與第二電極22之間具有一導電樹脂層60。除前述要點外，顯示單元1A具有類似於顯示單元1之組態之一組態，且其操作及效應類似於顯示單元1之組態及效應。

導電樹脂層60支援第二電極22與電阻層50之間的導電。導電樹脂層60之電阻率可係(舉例而言)自1×10^-4Ω．m至1×10²Ω．m(包含此兩者)(自1×10^-2Ω．cm至1×10⁴Ω．cm(包含此兩者))。其厚度可係(舉例而言)自1μm至100μm(包含此兩者)。對於導電樹脂層60而言，舉例而言，可使用藉由在一樹脂材料中含置一導電聚合物所獲得之一材料。樹脂材料之實例可包含一熱固性樹脂，諸如一丙烯酸黏合劑、一環氧樹脂黏合劑、一尿烷系列黏合劑、一聚矽氧系列黏合劑、氰基丙烯酸甲酯系列黏合劑或一紫外光光可固化黏合劑。導電聚合物之實例可包含聚吡咯、聚醚、聚苯胺及聚噻吩。導電樹脂層60可係由一共聚物製成。該共聚物可係藉由(舉例而言)共聚合諸如吡咯及噻吩之一導電聚合物與一丙烯酸類聚合物、一環氧樹脂聚合物、一尿烷系列聚合物、一聚矽氧系列聚合物或一氫基丙烯酸酯聚合物。

在具有導電樹脂層60之顯示單元1A中，可省略保護層31及黏合劑層32(圖12)。允許藉由將具備第二電極22之對置基板33黏合至具備有機層23之支撐基板11來製造此一顯示單元1A。亦即，由於允許省略在有機層23上形成第二電極22之步驟，因此允許防止有機層23之降級。此外，允許形成高品質第二電極22。

[修改2]

圖13圖解說明根據修改2之一顯示單元(顯示單元1B)之一剖面組態。顯示單元1B具有一輔助電極70。輔助電極70將第二電極22電連接至一外部電路。除前述要點外，顯示單元1B具有類似顯示單元1之組態之一組態，且其操作及效應類似於顯示單元1之操作及效應。

舉例而言，輔助電極70可藉由提供於黏合劑層32中之一導電肋條71電連接至第二電極22。肋條71可係藉由在(舉例而言)一聚醯亞胺、一丙烯酸樹脂或諸如此類製成之一肋條之表面上提供一導電材料膜來獲得。導電材料膜之實例可包含鋁、銀、銅、鈦、鎢、鉭、鉬、ITO、IZO及氧化錫。肋條71之高度可係(舉例而言)5μm。輔助電極 70可係由1μm厚之鋁製成。

[修改3]

圖14圖解說明根據修改3之一顯示單元(顯示單元1C)之一剖面組態。顯示單元1C具有一提取電極80。提取電極80將第二電極22連接至一外部電路。除前述要點外，顯示單元1C具有類似於顯示單元1之組態之一組態，且其操作及效應類似於顯示單元1之操作及效應。

如圖15中所圖解說明，提取電極80可(舉例而言)以對置基板33之邊沿上之一框架之一狀態來提供。其部分疊加於第二電極22上(疊加區段80A)。提取電極80可係由(舉例而言)鈦製成。提取電極80可提供於支撐基板11側上(圖16)。

[模組及應用實例]

將給出對前述實施例中所闡述之顯示單元之應用實例之一說明。前述實施例之顯示單元1適用於任何領域中用於顯示自外部輸入之一視訊信號或在內部產生作為一影像之一視訊信號或一視訊之一電子裝置(諸如一電視、一數位相機、一筆記型個人電腦、一可攜式終端機裝置(諸如一行動電話)及一視訊攝錄影機)之一顯示單元。

[模組]

舉例而言，前述實施例及諸如此類之顯示單元1、1A、1B及1C(下文稱為顯示單元1)可併入於諸如之後提及之應用實例1至5等各種電子設備中作為一模組，如圖17中所圖解說明。在該模組中，自保護層31及對置基板33曝露之一區210係提供於支撐基板11之一側上，且一外部連接終端機(未圖解說明)藉由延伸信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之佈線而形成於所曝露區210中。外部連接終端機可具備一撓性印刷電路(FPC)220以輸入及輸出一信號。

[應用實例1]

圖18圖解說明前述實施例之顯示單元1應用於其之一電視之一外觀。該電視可具有(舉例而言)包含一前部面板310及一濾光玻璃320之一影像顯示螢幕區段300。影像顯示螢幕區段300係由根據前述實施例之顯示單元1組態。

[應用實例2]

圖19A及圖19B圖解說明前述實施例或諸如此類之顯示單元1應用於其之一數位相機之外觀。該數位相機可具有(舉例而言)用於一閃光燈之一發光區段410、一顯示區段420、一選單切換器430、及一快門按鈕440。顯示區段420係由根據前述實施例之顯示單元1組態。

[應用實例3]

圖20圖解說明前述實施例或諸如此類之顯示單元1應用於其之一筆記型個人電腦之一外觀。section該筆記本型個人電腦可具有(舉例而言)一主體510、用於操作輸入字元及諸如此類之一鍵盤520以及用於顯示一影像之一顯示區段530。顯示區段530係由根據前述實施例之顯示單元1組態。

[應用實例4]

圖21圖解說明前述實施例之顯示單元1應用於其之一視訊攝錄影機之一外觀。該視訊攝錄影機可具有(舉例而言)一主體610、用於拍攝提供於主體610之前側表面上之一物件之一透鏡620、用於拍攝之一開始-停止開關630及一顯示區段640。顯示區段640係由根據前述實施例之顯示單元1組態。

[應用實例5]

圖22A及圖22B圖解說明前述實施例之顯示單元1應用於其之一行動電話之外觀。在行動電話中，舉例而言，一上部封裝710及一下部封裝720可藉由一連結區段(鉸接區段)730而連結。行動電話可具有一顯示器740、一子顯示器750、一圖像燈760及一相機770。顯示器740及子顯示器750中之任一者或兩者係由根據前述實施例之顯示單元1組態。

[應用實例6]

圖23圖解說明前述實施例之顯示單元1應用於其之一智慧電話(多功能電話)之一外觀。該智慧電話可係由(舉例而言)一顯示區段810及非顯示區段820組態。允許該智慧電話由顯示區段810操作，亦即，顯示區段810具有一觸控面板。顯示區段810係由根據前述實施例之顯示單元1組態。

儘管已參考較佳實施例及修改闡述了本發明技術，當那辦發明技術並不限於前述實施例及諸如此類，且可做出各種修改。舉例而言，每一層之厚度、膜形成方法、膜形成條件及諸如此類並不限於前述實施例中所闡述之厚度、膜形成方法、膜形成條件及諸如此類，且可採用其他材料、其他厚度、其他膜形成方法及其他膜形成條件。

此外，在前述實施例及諸如此類中，已給出對其中有機層23之發光層23A發射紅色光、綠色光及藍色光之情形之說明。然而，所發射光可係諸如白色光及黃色光之其他色彩。此外，舉例而言，在前述實施例及諸如此類中，已給出對主動矩陣型顯示單元之說明。然而，本發明亦適用於一被動矩陣型顯示單元。

此外，在前述實施例及諸如此類中，已給出對其中第一電極21係一陽極且第二電極22係一陰極之情形之說明。然而，以一相反方式，第一電極21可係一陰極且第二電極22可係一陽極。除此以外，可自支撐基板11側提取光(底部發射型)。

此外，本發明技術適用於不具有一共振器結構之一顯示單元。

除此以外，在前述實施例及諸如此類中，已給出對其中第一電極21與第二電極22之間的電阻層50含有氧化鋅之情形之說明。然而，第二電極22可含有氧化鋅。氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。藉此，第二電極22之應力得以鬆弛。因此，即使在一大型顯示單元(顯示器)之情形中，亦允許更穩定地照亮其整個表面。

應注意，本發明技術可如下組態。

(1)一種發光裝置，其包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層、該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

(2)如(1)之發光裝置，其中該氧化鋅之該晶體定向包含一(002)分量及不同於該(002)分量之一或多個分量。

(3)如(1)或(2)之發光裝置，其中該氧化鋅之該晶體定向包含(002)分量及(101)分量。

(4)如(3)之發光裝置，其中該氧化鋅之該(101)分量相對於該(002)分量之一比率((101)/(002))等於或大於大約5%。

(5)如(1)至(4)中任一項之發光裝置，其中該電阻層之體積電阻率係自大約1×10²歐姆米至大約1×10⁶歐姆米(包含此兩者)，且其一厚度係自大約0.1微米至大約10微米(包含此兩者)。

(6)如(1)至(5)中任一項之發光裝置，其中該電阻層之體積電阻率係自大約5×10²歐姆米至大約5×10⁴歐姆米(包含此兩者)，且其一厚度係自大約0.15微米至大約1微米(包含此兩者)。

(7)如(1)至(6)中任一項之發光裝置，其中該氧化鋅在X射線繞射中包含複數個尖峰。

(8)如(1)至(7)中任一項之發光裝置，其中該電阻層包含一添加劑連同該氧化鋅。

(9)如(8)之發光裝置，其中該添加劑包含錫(Sn)、銦(In)、鎵(Ga)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、矽(Si)、鉈(Tl)、鉍(Bi)及鉛(Pb)中之一或多個元素。

(10)如(1)至(9)中任一項之發光裝置，其中一半透射反射膜包含於該電阻層與該有機層之間，且來自該發光層之光在介於該第一電極與該有機層之間的一第一界面與介於該半透射反射膜與該有機層之間的一第二界面之間共振。

(11)一種具備複數個發光裝置之顯示單元，該等發光裝置中之每一者包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層、該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

(12)一種具備一顯示單元之電子設備，該顯示單元具備複數個發光裝置，該等發光裝置中之每一者包含：一第一電極；一有機層，其包含一發光層；一電阻層，其包含氧化鋅；及一第二電極，該第一電極、該有機層、該電阻層及該第二電極係以此次序提供，其中該氧化鋅之一晶體定向包含複數個平面索引分量。

本發明含有與2012年7月30日在日本專利局提出申請之日本優先權專利申請案JP 2012-167986中所揭示之標的物相關之標的物，該申請案之全部內容特此以引用方式併入。

熟習此項技術者應理解，可相依於設計要求及其他因素而做出各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍及其等效範圍之範疇內即可。