TWI545819B - 發光裝置及使用該發光裝置的電子裝置 - Google Patents

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Description

發光裝置及使用該發光裝置的電子裝置
本發明的一個實施例係關於一種利用電致發光的發光裝置。另外，本發明的一個實施例還關於一種使用發光裝置的電子裝置。
近年來，對利用電致發光(Electroluminescence：EL)的發光元件展開了積極的研究開發。這種發光元件的基礎結構是包含發光物質的層夾在一對電極之間。藉由對該元件施加電壓，能夠得到來自發光物質的發光。
因為上述發光元件為自發光型的發光元件，所以使用該發光元件的發光裝置的優點在於：具有良好的可見度；不需要背光；耗電量低。再者，其優點還在於：能夠被製造得薄且輕；回應速度快。
另外，由於具有上述發光元件的發光裝置不但能夠實現薄型輕量化，還能夠實現撓性或耐衝擊性，因此上述發光裝置還被探討應用於撓性基板。除了發光裝置以外，利用半導體特性而工作的半導體裝置也適合應用於撓性基板。
作為使用撓性基板的半導體裝置的製造方法，開發了如下一種技術，其中在玻璃基板或石英基板等基底上形成薄膜電晶體等半導體元件，然後將該半導體元件從基底轉置到另外的基底(例如撓性基底)上。為了將半導體元件轉 置到另外的基底上，需要將半導體元件從在製造半導體元件時使用的基底上分離的製程。
例如，專利文獻1記載有如下使用雷射燒蝕的剝離技術。在基板上設置由非晶矽等形成的分離層以及該分離層上的由薄膜元件形成的被剝離層，用結合層將該被剝離層黏合到轉置體。然後藉由照射雷射對分離層進行燒蝕來使分離層產生剝離。
另外，專利文獻2記載有用人手等物理力量進行剝離的技術。在專利文獻2中，在基板和氧化物層之間形成金屬層，利用氧化物層和金屬層之間的介面的結合較弱的特點，使氧化物層和金屬層之間的介面產生剝離來使被剝離層和基板分離。
另外，在專利文獻2中，在包含陽極、有機發光層以及陰極的發光元件上形成層間絕緣膜，再者，用結合層將層間絕緣膜和支撐件黏合在一起。接著，在氧化物層和金屬層之間的介面處進行剝離，並用結合層將具有發光元件的被剝離層黏合到薄膜基板來製造使用撓性基板的發光裝置。
[專利文獻1]日本申請專利公開 平第10-125931號公報
[專利文獻2]日本申請專利公開 第2003-174153號公報
在此，形成在被剝離層上的發光元件具有在一對電極之間夾著發光層的結構。在將有機化合物用於發光層的情況下，發光層與以接觸於發光層的方式形成的陰極或陽極的電極的密接性低。如果發光層與電極的密接性低，當用 物理力量分離剝離層和被剝離層時，則有可能在發光層和電極之間的介面產生剝離。
此外，當採用使用撓性基板的發光裝置時，當上述發光元件受到來自於外部的彎折或彎曲等物理力量時，在發光層和電極的介面處會產生剝離而受到破壞。
鑒於上述問題，本說明書等所公開的發明的一個實施例的目的在於提供一種當受到來自於外部的物理力量時，能夠抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
本發明的一個實施例是一種可靠性高的發光裝置，包括：由形成在第一基板上的第一電極層、發光層以及第二電極層構成的發光元件；形成在第一基板上的結構體；相對於第一基板地設置的第二基板；以及設置在第一基板與第二基板之間的結合層，其中，發光層被結構體分離，並且，藉由提高結構體與結合層的密接性或者結構體與第二電極層的密接性，來實現抑制發光元件受到破壞。關於其詳細內容將在下面進一步說明。
本發明的一個實施例是一種發光裝置，包括：發光元件，該發光元件包括形成在第一基板上的第一電極層、接觸於第一電極層地形成的發光層、接觸於發光層地形成的第二電極層；形成在第一基板上的結構體；相對於第一基板地設置的第二基板；以及設置在第一基板和第二基板之間的結合層，其中，發光層被結構體分離，並且，結構體 至少部分接觸於結合層。
本發明的一個實施例是一種發光裝置，包括：發光元件，該發光元件包括形成在第一基板上的第一電極層、接觸於第一電極層地形成的發光層、接觸於發光層地形成的第二電極層；形成在第一基板上的結構體；相對於第一基板地設置的第二基板；以及設置在第一基板和第二基板之間的結合層，其中，發光層被結構體分離，並且，結構體至少部分接觸於第二電極層。
在上述各結構中，第一基板及第二基板可以具有撓性。另外，在上述各結構中，第一電極可以連接到電晶體。此外，在上述各結構中，第二基板可以具有透過特定的波長區的光的有色層。
另外，在上述各結構中，發光層可以具有電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層。此外，在上述各結構中，可以從發光元件得到白色發光，並且可以透過第二基板提取來自發光元件的發光。
另外，本發明的另一個實施例是使用具有上述各結構的發光裝置的電子裝置。
注意，本說明書等中，發光裝置包括影像顯示裝置、發光裝置或光源、照明等。另外，發光裝置還包括在形成有發光元件的面板上安裝有連接器(例如FPC：撓性印刷電路Flexible printed circuit)等的模組。
另外，在本說明書等中，發光元件是一對電極夾持發光層的結構。除了發光層以外，功能層等也可以夾在一對 電極之間。
另外，在本說明書等中，“電極”或“佈線”不限定構成要素的功能。例如，有時將“電極”用作“佈線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“佈線”還包括多個“電極”或“佈線”形成為一體的情況等。
另外，“源極”和“汲極”的功能在使用極性不同的電晶體的情況下或在電路工作中當電流方向變化時，有時互相調換。因此，在本說明書中，“源極”和“汲極”可以互相調換。
本發明在設置有包括夾持在一對電極之間的發光層的發光元件的發光裝置中，能夠提供當受到來自於外部的物理力量時，抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
以下，參照圖式詳細說明實施例。但是，本發明不侷限於以下所示的實施例的記載內容，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本說明書等中所開示的本發明的宗旨及其範圍下可以被變換為各種形式。此外，根據不同的實施例的結構可以適當地組合來實施。注意，在以下說明的發明的結構中，使用同一元件符號來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。
注意，為了容易理解內容，圖式等所示出的各結構的 位置、大小和範圍等有時不表示實際上的位置、大小和範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
另外，在本說明書等中使用的“第一”、“第二”、“第三”等序數詞是為了方便識別構成要素而附的，而不是為了在數目方面上進行限定的。
實施例1
在本實施例中，首先參照圖1A及圖1B對本發明的發光裝置的結構的一個實施例進行說明，接著參照圖2A至圖5B對發光裝置的製造方法進行說明。
〈發光裝置的結構〉
圖1A示出發光裝置的像素的一部分，示出從第二電極層122一側看第一基板100時的俯視圖。圖1B相當於沿著圖1A的虛線A1-A2切割的剖面圖。另外，在圖1A的俯視圖中，為了簡化起見省略本發明的構成要素的一部分(例如，隔壁124等)。
在圖1A所示的發光裝置中，以彼此平行(在圖式中向上下方向延伸)且彼此相隔的方式配置有多個源極佈線156，並且以彼此平行(在圖式中向左右方向延伸)且彼此相隔的方式配置有多個閘極佈線154。另外，由源極佈線156和閘極佈線154圈成大致矩形的區域，該區域成為發光裝置的一個像素，並且該區域被配置為矩陣狀。
另外，在各像素中形成有用來控制發光元件的驅動的電晶體150以及用來選擇所希望的像素的電晶體152。這是所謂的主動矩陣型的發光裝置。另外，在各像素之間配置有多個結構體126。
在圖1B所示的發光裝置中，用第一結合層170將第一基板100與第二基板160黏合在一起。其中，在第一基板100上形成有電晶體150、形成在電晶體150上的發光元件130、在各像素之間以相隔的方式形成的隔壁124及結構體126，而在第二基板160上形成有遮光膜164及濾色片166。
另外，第一基板100和第二基板160都是具有撓性的基板，在本說明書等中將具有撓性的基板稱為撓性基板。
另外，圖1B所示的發光裝置是所謂的頂部發射結構(頂面發射結構)的發光裝置，其中來自發光元件130的光穿過濾色片166從第二基板160一側發射。
第一基板100具有：設置在第一基板100上的第二結合層102；設置在第二結合層102上的第一緩衝層104；設置在第一緩衝層104上的用來控制發光元件的驅動的電晶體150；電連接於電晶體150的發光元件130；用來分離發光元件130的隔壁124；以及設置在隔壁124上的結構體126。
電晶體150具有：形成在第一緩衝層104上的閘極電極層106；形成在閘極電極層106上的閘極絕緣層108；形成在閘極絕緣層108上的半導體層110；以及形成在半 導體層110上的源極電極層112a及汲極電極層112b。另外，電晶體150被第一絕緣層114和第二絕緣層116覆蓋，在該第二絕緣層116上形成有第一電極層118、形成在第一電極層118上的發光層120、以及形成在發光層120上的第二電極層122。
另外，雖然未圖示於圖1B，但是圖1A所示的電晶體152的結構與電晶體150相同。注意，在各電晶體中可以適當地調節電晶體的尺寸(例如，通道長度、通道寬度)或電晶體的連接等。
另外，由第一電極層118、發光層120以及第二電極層122形成發光元件130。此外，發光元件130藉由設置在第一絕緣層114及第二絕緣層116中的開口部電連接於電晶體150。
另外，發光元件130被隔壁124及結構體126分離而形成像素。注意，隔壁124和結構體126的功能不同。
隔壁124為了防止設置在第一電極層118、第一絕緣層114以及第二絕緣層116中的開口部等的臺階導致發光元件130斷開而形成。因此，隔壁124具有正錐形較佳，以便防止在其上面形成的膜斷開。注意，正錐形是指一種結構，其中在成為基地的層上其他層接觸於該基地的層並以平緩的角度逐漸增加厚度。
另一方面，結構體126為了分離發光層120而形成。在本實施例中例示出不但分離發光層120還分離第二電極層122的結構，但是也可以不分離第二電極層122。注意 ，結構體126具有分離發光層120且至少與第二電極層122或第一結合層170部分接觸的形狀。
如此，在結構體126中設置有不夾著發光層120而接觸於第二電極層122或第一結合層170的區域。結構體126的該不夾著發光層120而接觸於第二電極層122或第一結合層170的區域可以提高密接性，藉由將該區域設置在各像素之間，來實現保護發光元件130的結構。從而，當受到來自於外部的物理力量時，能夠由設置在結構體126中的密接性高的區域抑制發光元件130受到破壞。
在此，參照圖2A至圖5B對圖1B所示的發光裝置的製造方法進行詳細說明。
<發光裝置的製造方法>
首先，在第三基板180上形成第一剝離層101，在該第一剝離層101上形成第一緩衝層104。較佳的是，第一緩衝層104不使第一剝離層101暴露於大氣而連續地形成。藉由連續地形成第一緩衝層104，可以防止灰塵或雜質混入到第一剝離層101和第一緩衝層104之間(參照圖2A)。
第三基板180可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板等。此外，還可以使用具有能夠承受本實施例的處理溫度的耐熱性的塑膠基板等。當使用塑膠基板時，也可以不設置第一剝離層101。
另外，當後面的加熱處理的溫度較高時，作為玻璃基 板使用應變點為730℃以上的基板較佳。另外，作為玻璃基板的材料，例如使用諸如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鋇硼矽酸鹽玻璃等的玻璃材料。注意，藉由使玻璃基板含有較多氧化鋇(BaO)，可以得到實用性更高的耐熱玻璃。除此之外，也可以使用晶化玻璃等。
另外，在本實施例中，以接觸於第三基板180的方式形成第一剝離層101，但是當將玻璃基板用於第三基板180時，藉由在第三基板180和第一剝離層101之間形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等絕緣層，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。
第一剝離層101使用由如下材料形成的單層或疊層的層：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；含有上述元素的合金材料；含有上述元素的化合物材料。含有矽的層的晶體結構可以採用非晶、微晶和多晶中的任何一種。
另外，第一剝離層101可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗布法、印刷法等形成。注意，塗布法包含旋塗法、液滴噴射法、分配器方法。
當第一剝離層101是單層結構時，較佳的是，形成鎢層、鉬層、或者含有鎢和鉬的混合物的層。或者，形成含有鎢的氧化物或氧氮化物的層、含有鉬的氧化物或氧氮化物的層、含有鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。注意，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外，在作為第一剝離層101形成由含有鎢的層和含 有鎢的氧化物的層構成的疊層結構的情況下，也可以藉由形成含有鎢的層並且在其上形成由氧化物形成的絕緣層，來利用會在鎢層和絕緣層之間的介面處形成含有鎢的氧化物的層的現象。此外，也可以藉由對含有鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、利用臭氧水等具有強氧化力的溶液的處理等來形成含有鎢的氧化物的層。另外，電漿處理或加熱處理可以在氧、氮、一氧化二氮、或者上述氣體與另一氣體的混合氣體的氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理而改變第一剝離層101的表面狀態，能夠控制第一剝離層101和在後面形成的第一緩衝層104之間的密接性。
接著，將第一在緩衝層104形成在第一剝離層101上。較佳的是，第一緩衝層104使用氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等的單層或疊層形成。
第一緩衝層104可以使用濺射法、電漿CVD法、塗布法、印刷法等形成，例如藉由使用電漿CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜溫度下進行成膜，可以形成緻密且具有極低的透水性的膜。另外，第一緩衝層104的厚度較佳為10nm以上且3000nm以下，更佳為200nm以上且1500nm以下。
接著，藉由在第一緩衝層104上形成導電膜，並對該導電膜進行光微影製程及蝕刻製程，來形成閘極電極層106(參照圖2A)。
閘極電極層106可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、 鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述金屬的合金材料的單層或疊層來形成。
接著，在閘極電極層106上形成閘極絕緣層108。閘極絕緣層108可以藉由使用電漿CVD法或濺射法等形成氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、或氧化鋁的單層或疊層。例如，可以藉由電漿CVD法使用SiH4、N2O作為成膜氣體來形成氧氮化矽膜。
接著，形成半導體層並對該半導體層進行光微影製程及蝕刻製程，來形成島狀的半導體層110(參照圖2A)。
半導體層110可以使用矽半導體或氧化物半導體等的材料形成。矽半導體例如為單晶矽或多晶矽等，作為氧化物半導體可以適當地使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物等。注意，當作為半導體層110使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物的氧化物半導體來形成截止電流低的半導體層時，可以抑制在後面形成的發光元件成為截止狀態時的洩漏電流，所以是較佳的。
接著，在閘極絕緣層108及半導體層110上形成導電膜，並對該導電膜進行光微影製程及蝕刻製程，來形成源極電極層112a及汲極電極層112b(參照圖2B)。
用於源極電極層112a及汲極電極層112b的導電膜例如可以使用含有選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素的金屬膜或者含有上述元素的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)等。此外，也可以採用在Al、Cu等金屬膜的下側或上側中的一者或兩者上層疊Ti、Mo 、W等難熔金屬膜或這些元素的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)的結構。另外，用於源極電極層112a及汲極電極層112b的導電膜可以使用具有導電性的金屬氧化物形成。具有導電性的金屬氧化物例如可以使用氧化銥(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、氧化銥氧化鋅合金(In2O3-ZnO等)、或者使這些金屬氧化物材料含有氧化矽的材料。
接著，在半導體層110、源極電極層112a及汲極電極層112b上形成第一絕緣層114(參照圖2B)。第一絕緣層114可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。
接著，在第一絕緣層114上形成第二絕緣層116(參照圖2C)。
較佳的是，第二絕緣層116選擇為了減小起因於電晶體的表面的凹凸而具有平坦化功能的絕緣膜。例如，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以藉由層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成第二絕緣層116。
接著，藉由進行光微影製程及蝕刻製程來在第一絕緣層114及第二絕緣層116中形成到達汲極電極層112b的開口部。作為形成開口的方法，可以適當地選擇乾蝕刻或濕蝕刻等。
接著，在第二絕緣層116及汲極電極層112b上形成 導電膜，對該導電膜進行光微影製程及蝕刻製程來形成第一電極層118(參照圖2C)。
第一電極層118使用可以有效地反射發光層120(在後面形成)所發射的光的材料較佳。這是因為能夠提高光提取效率的緣故。此外，第一電極層118可以採用疊層結構。例如，可以在接觸於發光層120的一側形成薄的金屬氧化物的導電膜或鈦膜等，而在另一側使用具有高反射率的金屬膜(鋁、含有鋁的合金、或銀等)。藉由採用上述結構，可以抑制在發光層120和具有高發射率的金屬膜(鋁、含有鋁的合金、或銀等)之間產生絕緣膜。
另外，本實施例例示出頂部發射結構的發光裝置，但是藉由將具有透光性的材料用於第一電極層118，可以製造底部發射結構(下面發射結構)及雙發射結構(雙面發射結構：dual emission structure)的發光裝置。
接著，在第一電極層118上形成隔壁124(參照圖2C)。
隔壁124使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。尤其是，較佳的是，使用感光樹脂材料，並將隔壁124的側壁形成為具有連續曲率的傾斜面。
接著，在隔壁124上形成結構體126(參照圖2C)。
因為結構體126需要分離在後面形成的發光層120，所以結構體126的形狀是很重要的。例如，本實施例所示的結構體126具有反錐形。注意，反錐形是指在平行於基板的方向上側部或上部比底部突出的形狀。
結構體126可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料、金屬材料形成。例如，作為有機絕緣材料可以使用負性光敏樹脂材料或正性光敏樹脂材料、非光敏樹脂材料等。此外，作為金屬材料可以使用鈦、鋁等。
接著，在第一電極層118、隔壁124以及結構體126上形成發光層120(參照圖2D)。
發光層120可以藉由蒸鍍法(包含真空蒸鍍法)等形成。發光層120既可以採用單層結構，又可以採用層疊有多個層的結構。但是，發光層120所發射的光較佳為白色，並且較佳為在紅色、綠色、藍色的波長區域都具有峰值的光。
另外，本實施例雖然例示出以穿過濾色片166的方式發射發光層120所發射的光的結構，但是不侷限於此。也可以採用將發光層120塗成為各個顏色(例如，RGB)而不使用濾色片166的結構。注意，如果將發光層120塗成為各個顏色，則有可能增加製程數或成本。所以採用本實施例所示的組合發射白色的光的發光層120和濾色片166的結構較佳。
此外，發光層120由結構體126分離而形成。由於結構體126的形狀為反錐結構，所以當形成發光層120時，在結構體126的底部中沒有形成膜而能夠分離發光層120。另外，在結構體126的頂部及側部的一部分上形成有發光層120。
接著，在發光層120上形成第二電極層122(參照圖 2D)。
在本實施例中，與發光層120同樣，第二電極層122具有被結構體126分離的結構。另外，在結構體126、發光層120的頂部及側部的一部分上形成有第二電極層122。
第二電極層122可以使用具有透光性的金屬氧化物形成。具有透光性的金屬氧化物例如可以使用氧化銥(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、氧化銥氧化錫合金(In2O3-SnO2，簡稱為ITO)、氧化銥氧化鋅合金(In2O3-ZnO等)、或者使上述金屬氧化物材料含有氧化矽的材料。
另外，第一電極層118和第二電極層122中的一方用作發光層120的陽極，而另一方用作發光層120的陰極。用作陽極的電極使用具有大功函數的物質較佳，而用作陰極的電極使用具有小功函數的物質較佳。
另外，由第一電極層118、發光層120以及第二電極層122形成發光元件130。
藉由上述步驟，形成設置有用來控制發光元件的驅動的電晶體150以及發光元件130的第三基板180。
接著，以下示出形成有遮光膜164、濾色片166以及保護層168的第四基板190的製造方法。
首先，在第四基板190上形成第二剝離層161，並在該第二剝離層161上形成第二緩衝層162(參照圖3A)。
第二剝離層161及第二緩衝層162可以使用與上述第一剝離層101及第一緩衝層104同樣的材料及方法形成。
接著，在第二緩衝層162上形成導電膜，對該導電膜進行光微影製程及蝕刻製程，來形成遮光膜164(參照圖3B)。
可以由遮光膜164防止各像素之間的混色。遮光膜164可以使用具有低反射率的金屬膜如鈦、鉻等或者浸滲有黑色顏料或黑色染料的有機樹脂膜等。注意，也可以不設置遮光膜164。
接著，在第二緩衝層162及遮光膜164上形成濾色片166(參照圖3C)。
濾色片166是透過特定的波長區的光的有色層。例如，可以使用透過紅色波長區的光的紅色(R)濾色片、透過綠色波長區的光的綠色(G)濾色片、透過藍色波長區的光的藍色(B)濾色片等。各濾色片藉由使用公知的材料利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等來形成在所希望的位置。
另外，在此雖然說明採用RGB三個顏色的方法，但是不侷限於此。也可以採用使用RGBY(黃色)等四個顏色的結構或五個顏色以上的結構。
接著，在遮光膜164及濾色片166上形成保護層168(參照圖3C)。
保護層168可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺等有機樹脂膜形成。可以由保護層168防止濾色片166所含有的雜質成分等擴散到發光層120一側。另外，保護層168可以採用有機樹脂膜和無機絕緣膜的疊層結構。無機絕緣膜可 以使用氮化矽、氧化矽等。另外，也可以不設置保護層168。
藉由上述步驟，形成設置有第二剝離層161、第二緩衝層162、遮光膜164、濾色片166以及保護層168的第四基板190。
接著，對準位置而用第一結合層170將第三基板180和第四基板190黏合在一起(參照圖4A)。
對第一結合層170的材料沒有特別的限制，可以使用能夠實現黏合的具有高折射率且具有透光性的黏合劑。此外，藉由將具有小於光的波長以下的分子尺寸的結構且用作乾燥劑的物質(沸石等)或具有高折射率的填料(氧化鈦、鋯等)混合到黏合劑中，可以提高發光元件130的可靠性或者提高發光元件130的光的提取效率。
另外，也可以在第一結合層170和第二電極層122之間形成具有低透濕性的密封膜。具有低透濕性的密封膜例如可以使用氧化矽、氮化矽、氧化鋁等。
接著，在形成在第三基板180上的第一剝離層101和第一緩衝層104之間進行剝離(分離)(參照圖4B)。剝離方法可以使用各種方法。
例如，當在形成電晶體150的製程中進行加熱時，會在第一剝離層101和第一緩衝層104之間的介面形成有金屬氧化膜。藉由形成到達第一剝離層101的槽(未圖示)，並以該槽使該金屬氧化膜變脆弱，從而在第一剝離層101和第一緩衝層104之間的介面產生剝離。
另外，形成在第三基板180上的第一剝離層101和形成在第四基板190上的第二剝離層161在平面方向上的尺寸可以不同。例如，藉由將第二剝離層161形成為小於第一剝離層101，可以在將第三基板180和第四基板190黏合之後容易在第二剝離層161中形成槽，所以是較佳的。
當進行剝離時，可以藉由施加機械力量(用人手或工具進行剝下的處理；使滾筒轉動而進行分離的處理等)來實現剝離。另外，也可以藉由將液體滴在槽中並使該液體滲透到第一剝離層101和第一緩衝層104之間的介面，來將第一緩衝層104從第一剝離層101上分離出來。此外，也可以藉由將NF3、BrF3、ClF3等氟化氣體引入到上述槽中而用氟化氣體進行蝕刻並去除第一剝離層101，來將第一緩衝層104從具有絕緣表面的第三基板180上剝離。
作為其他剝離方法，在使用鎢形成第一剝離層101的情況下，可以使用氨水和過氧化氫水的混合溶液在對第一剝離層101進行蝕刻的同時進行剝離。
另外，當將含有氮、氧或氫等的膜(例如，含有氫的非晶矽膜、含有氫的合金膜、含有氧的合金膜等)用於第一剝離層101並將具有透光基板用於第三基板180時，可以從第三基板180一側對第一剝離層101照射雷射，使剝離層所含有的氮、氧或氫汽化，而在第三基板180和第一剝離層101之間進行剝離。
接著，使用第二結合層102將第一緩衝層104和第一基板100黏合在一起(參照圖5A)。
另外，在本說明書等中，將在形成在基板上的剝離層和形成在剝離層上的緩衝層之間進行分離而黏合到另一個基板上的製程稱為剝離、轉置。
第一基板100可以使用具有撓性及對於可見光具有透光性的基板，例如，較佳的是，使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚碸樹脂(PES)、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。另外，也可以在第一基板100上預先形成具有低透水性的保護膜，諸如氮化矽或氧氮化矽等含有氮和矽的膜、氮化鋁等含有氮和鋁的膜等。另外，也可以將在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體(所謂的預浸料)用於第一基板100。
另外，本實施例所示的發光裝置為從第二基板160一側的面提取發光的頂部發射型的發光裝置，所以作為第一基板100可以使用非透光性的藉由薄膜化而具有撓性的金屬基板。該金屬基板設置在不提取光的一側。對構成金屬基板的材料沒有特別的限制，但是使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬合金等較佳。
當第一基板100的材料中含有纖維體時，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。明確而言，高強度纖維是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。作為其代表例子，可以舉出聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚 醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯並雙噁唑纖維、玻璃纖維、或碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。作為第一基板100也可以使用如下結構體，該結構體是將上述纖維體以織布或不織布的狀態使用，且在該纖維體中浸滲有機樹脂並使該有機樹脂固化而成的。藉由作為第一基板100使用由纖維體和有機樹脂構成的結構體，可以提高抵抗彎曲或局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以該結構是較佳的。
第二結合層102可以使用各種固化型黏合劑如紫外線固化型黏合劑等光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固化型黏合劑或厭氧型黏合劑等。作為這些黏合劑的材料可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂等。
另外，在將預浸料用於第一基板100的情況下，也可以將第一基板100和第一緩衝層104壓合而黏合，而不使用第二結合層102。
接著，在形成在第四基板190上的第二剝離層161和第二緩衝層162之間進行剝離(分離)，並使用第三結合層163將第二緩衝層162黏合到第二基板160(參照圖5B)。
剝離方法可以使用與上述的在形成在第三基板180上的第一剝離層101和第一緩衝層104之間進行剝離時同樣的方法。另外，第二基板160及第三結合層163可以分別使用與第一基板100及第二結合層102同樣的材料及方法 來形成。
藉由如上步驟可以製造形成在撓性基板上的發光裝置。
另外，本實施例雖然例示出在剝離第三基板180之後剝離第四基板190的方法，但是本說明書所公開的發明不侷限於此，也可以在剝離第四基板190之後剝離第三基板180。
另外，本實施例雖然例示出使用剝離轉置方法將電晶體150、發光元件130以及濾色片166等轉置到第一基板100及第二基板160的方法，但是本說明書所公開的發明不侷限於此，也可以在第一基板100和第二基板160上直接形成電晶體150、發光元件130以及濾色片166等。
另外，本實施例雖然作為發光裝置之一例示出主動矩陣型的發光裝置，但是也可以將本發明應用於被動矩陣型的發光裝置。
如上所述，在本實施例所示的發光裝置藉由設置上述結構體，能夠提供一種當受到來自於外部的物理力量時能夠抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
另外，藉由設置上述結構體，即使作為實現撓性化的方法之一使用本實施例所示的剝離、轉置的方法也能夠抑制發光元件受到破壞，並且能夠將發光元件剝離並轉置到撓性基板上。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
實施例2
關於用於本發明的發光裝置的結構體，參照圖6A至圖6D對與上述實施例1所示的結構體126不同的結構進行說明。
注意，使用同一元件符號來表示與實施例1所示的發光裝置相同的部分而省略其說明。
圖6A所示的發光裝置在隔壁124上具有由第一結構體202和第二結構體204構成的結構體206。
作為結構體206的形成方法，首先，形成由有機絕緣材料構成的膜，並在其上形成由無機絕緣材料構成的膜。然後，在對所希望的區域進行構圖而對由無機絕緣材料構成的膜進行加工之後，將該由無機絕緣材料構成的膜用作掩模(所謂的硬掩模)來對由有機絕緣材料構成的膜進行加工。該由有機絕緣材料構成的膜的加工可以使用濕蝕刻、乾蝕刻等來進行。另外，使用由有機絕緣材料構成的膜形成的部分成為第一結構體202，而使用由無機絕緣材料構成的膜形成的部分成為第二結構體204。
作為第一結構體202的材料例如可以使用負性光敏樹脂材料或正性光敏樹脂材料、非光敏樹脂材料等。另外，當將非透光性的材料用於第二結構體204時，可以將第二結構體204用作遮光膜並藉由曝光等形成第一結構體。
作為第二結構體204的材料例如可以使用：氧化矽、氮化矽等無機絕緣材料；或者鈦、鋁等具有導電性的金屬 材料等。
結構體206利用其形狀而分離發光層120及第二電極層122。從而，成為結構體206與第一結合層170接觸，以及結構體206與第二電極層122接觸的結構。換言之，結構體206設置有不夾著發光層120而接觸於第一結合層170及第二電極層122的區域。藉由採用這種結構，能夠提高密接性，藉由將結構體206設置在各像素之間，來實現保護發光元件130的結構。從而，當受到來自於外部的物理力量時，能夠由設置在結構體206中的密接性高的區域抑制發光元件130受到破壞。
另外，圖6B所示的發光裝置在隔壁124上具有結構體208。
結構體208的側面形狀與實施例1所示的結構體126不同。結構體208的側面具有大致垂直於基板的形狀。
至於結構體208的形成方法及可用的材料，可以形成由無機絕緣材料構成的膜，並對所希望的區域進行構圖而對由無機絕緣材料構成的膜進行加工來形成。由無機絕緣材料構成的膜例如可以使用：氧化矽、氮化矽等無機絕緣膜；或者鈦、鋁等具有導電性的金屬材料等。
結構體208利用其形狀而分離發光層120。另外，結構體208只分離發光層120，而不分離第二電極層122。換言之，在結構體208的側面第二電極層122與相鄰的像素連接。此外，在結構體208的側面結構體208與第二電極層122接觸。藉由採用這種結構，能夠設置不夾著發光 層120而接觸的區域，所以能夠提高密接性，藉由將結構體208設置在各像素之間，來實現保護發光元件130的結構。從而，當受到來自於外部的物理力量時，能夠由設置在結構體208中的密接性高的區域抑制發光元件130受到破壞。
另外，圖6C所示的發光裝置在隔壁124上具有結構體210。
結構體210具有球狀(剖面形狀為圓形狀)，兼有分離發光層120和第二電極層122的功能以及作為調節第一基板100和第二基板160之間的間隔(所謂的單元間隔)的間隔物的功能。另外，實施例1所示的結構體126、本實施例所示的結構體206、結構體208以及結構體214也可以與結構體210同樣具有間隔物的功能。
結構體210利用其形狀而分離發光層120及第二電極層122。從而，成為結構體210與第一結合層170接觸，以及結構體210與第二電極層122接觸的結構。換言之，結構體210設置有不夾著發光層120而接觸於第一結合層170或第二電極層122的區域。藉由採用這種結構，能夠提高密接性，藉由將結構體210設置在各像素之間，來實現保護發光元件130的結構。從而，當受到來自於外部的物理力量時，能夠由設置在結構體210中的密接性高的區域抑制發光元件130受到破壞。
另外，圖6D所示的發光裝置例示出與上述實施例1所示的發光裝置在隔壁及結構體的形狀上不同的結構。
圖6D所示的發光裝置在第二絕緣層116及第一電極層118上具有隔壁212，並且在該隔壁212上具有結構體214。
至於隔壁212及結構體214的形成方法及可用的材料，形成氧化矽，接著連續地形成氮化矽、鈦或鋁。然後，對所希望的區域進行構圖而對氮化矽、鈦或鋁等進行加工。藉由將所加工的氮化矽、鈦或鋁等用作硬掩模對氧化矽進行加工來形成隔壁212及結構體214。如此，藉由同時形成隔壁212和結構體214，能夠減少一個掩模而降低製造成本，所以是較佳的。
另外，結構體214只分離發光層120，而不分離第二電極層122。換言之，在結構體214的側面第二電極層122與相鄰的像素連接。此外，在結構體214的側面結構體214與第二電極層122接觸。藉由採用這種結構，能夠在結構體214中設置不夾著發光層120而接觸的區域，所以能夠提高密接性，藉由將結構體214設置在各像素之間，來實現保護發光元件130的結構。從而，當受到來自於外部的物理力量時，能夠由設置在結構體214中的密接性高的區域抑制發光元件130受到破壞。
另外，在實施例1所示的結構體126、本實施例所示的結構體206、結構體208、結構體210以及結構體214中，藉由將具有導電性的金屬材料用於上述結構體，可以將其用作輔助電極。
明確而言，可用於第二電極層122的具有透光性的材 料的電阻比較高。因此，當要增大發光元件130的面積，且在第二電極層122的電阻高時，起因於電阻的電壓下降變大而有可能在像素之間產生亮度梯度。因此，藉由將結構體用作輔助電極可以抑制在像素之間產生亮度梯度。注意，當將結構體用作輔助電極時，需要考慮結構體的配置。關於配置的詳細內容，將在後述的實施例3中說明。
另外，在實施例1所示的結構體126、本實施例所示的結構體206、結構體208、結構體210以及結構體214中，較佳的是，將乾燥劑含有在所使用的材料中。乾燥劑的材料例如可以使用氧化鋁、沸石等。藉由使用上述材料，來由結構體吸收侵入到發光元件130中的水分等，從而提高發光元件130的可靠性。
如上所述，在本實施例所示的發光裝置藉由設置上述結構體，能夠提供一種當受到來自於外部的物理力量時能夠抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
實施例3
在本實施例中，關於使用上述實施例1所示的結構體126或者上述實施例2所示的結構體206、結構體208、結構體210以及結構體214的發光裝置的各像素的配置，參照圖7A至圖7D進行說明。
圖7A至圖7D所示的發光裝置示出像素的一部分的 俯視圖。注意，因為在本實施例中說明的是結構體相對於各像素的位置，所以為了簡化起見省略本發明的構成要素的一部分(例如，電晶體150及發光元件130等)。
在圖7A至圖7D所示的發光裝置中，以彼此平行(在圖式中向上下方向延伸)且彼此相隔的方式配置有多個源極佈線156，並且以彼此平行(在圖式中向左右方向延伸)且彼此相隔的方式配置有多個閘極佈線154。另外，由源極佈線156和閘極佈線154圈成大致矩形的區域，該區域成為發光裝置的一個像素，並且該區域被配置為矩陣狀。
在圖7A所示的發光裝置中，以大致重疊於多個源極佈線156的方式形成有結構體240。換言之，結構體240相對於各像素配置為所謂的條狀。
在圖7B所示的發光裝置中，在多個源極佈線156和多個閘極佈線154所交叉的區域中形成有結構體242。換言之，在各像素的四角配置有結構體242。另外，結構體242在俯視圖中具有方形，但是不侷限於此。例如，結構體242還可以具有多角形、圓形、橢圓形、L字形、十字形等各種形狀。尤其較佳的是，將L字型或十字形設置在多個源極佈線156和多個閘極佈線154交叉的區域中，因為能夠增大結構體的面積而增大結構體與接觸於結構體的層(第二電極層或第一結合層)的接觸面積，從而能夠提高密接性。
在圖7C所示的發光裝置中，以大致重疊於多個源極佈線156和多個閘極佈線154的方式形成有結構體244。 換言之，以圍繞各像素的方式配置有結構體244。
另外，當使用非透光性的材料形成結構體244時，藉由採用圖7C所示的結構，可以利用結構體244使來自發光元件的發光在各像素獨立而能夠防止發光洩漏到相鄰的像素，所以採用該結構較佳。
另外，圖7D所示的發光裝置為圖7A所示的結構的變形例子，以大致重疊於多個源極佈線156的方式形成有結構體246。換言之，結構體246相對於各像素配置為所謂的條狀。
另外，結構體246由具有導電性的金屬材料形成，並且，第二電極層122藉由結構體246電連接到另行形成的陰極共用佈線層248。如此，藉由將結構體246用作輔助電極，也能夠抑制在各像素之間產生亮度梯度。
如上所述，在本實施例所示的發光裝置藉由在各像素之間設置上述結構體，能夠提供一種當受到來自於外部的物理力量時，能夠抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
實施例4
在本實施例中，參照圖8A和圖8B對實施例1所示的由第一電極層118、發光層120以及第二電極層122構成的發光元件130的詳細結構進行說明。
〈發光元件的結構〉
圖8A所示的發光元件130具有在一對電極(第一電極層118、第二電極層122)之間夾有包括發光區的發光層120的結構。此外，在以下本實施例的說明中，作為例子，將第一電極層118用作陽極，而將第二電極層122用作陰極。
此外，發光層120至少包括發光層而形成即可，也可以採用除了發光層以外還包括功能層的疊層結構。作為發光層以外的功能層，可以使用包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、雙極性(電子及電洞的傳輸性高的物質)的物質等的層。明確而言，可以將電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層適當地組合而使用。
在圖8A所示的發光元件130中，產生在第一電極層118和第二電極層122之間的電位差使電流流過，在發光層120中電洞和電子重新結合，而得到發光。換言之，在發光層120中形成有發光區。
在本發明中，來自發光元件130的發光從第一電極層118一側或第二電極層122一側被提取到外部。因此，第一電極層118和第二電極層122中的任一方由透光物質構成。
另外，如圖8B所示，可以在第一電極層118和第二電極層122之間疊層多個發光層120。當發光層120具有 n(n是2以上的自然數)層的疊層結構時，較佳的是，在第m(m是自然數，m是1以上且n-1以下)個發光層和第(m+1)個發光層之間分別設置電荷產生層120a。
電荷產生層120a可以使用如下材料形成：有機化合物和金屬氧化物的複合材料；金屬氧化物；有機化合物和鹼金屬、鹼土金屬或這些的化合物的複合材料。除此之外，還可以適當地組合上述材料來形成電荷產生層120a。作為有機化合物和金屬氧化物的複合材料，例如是包含有機化合物和氧化釩、氧化鉬或氧化鎢等金屬氧化物的複合材料。作為有機化合物，可以使用各種化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。此外，作為電洞傳輸性有機化合物，使用其電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物較佳。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。另外，由於用於電荷產生層120a的這些材料具有優異的載子注入性、載子傳輸性，所以可以實現發光元件130的低電流驅動及低電壓驅動。
另外，電荷產生層120a也可以組合有機化合物、金屬氧化物的複合材料以及其他材料來形成。例如，也可以組合包含有機化合物及金屬氧化物的複合材料的層與包含選自電子供給物質中的一種化合物及電子傳輸性高的化合物的層而形成電荷產生層120a。另外，也可以組合包含有機化合物及金屬氧化物的複合材料的層與透明導電膜而形 成電荷產生層120a。
具有上述結構的發光元件130不容易產生能量的移動或滅光等的問題，並且因為具有上述結構的發光元件的材料的選擇範圍變大，所以可以容易形成兼有高發光效率和長使用壽命的發光元件。另外，也容易從一方的發光層得到磷光發光而從另一方的發光層得到螢光發光。
另外，電荷產生層120a具有當對第一電極層118和第二電極層122施加電壓時對接觸於電荷產生層120a地形成的一方的發光層120注入電洞，而對另一方的發光層120注入電子的功能。
圖8B所示的發光元件130藉由改變用於發光層120的發光物質的種類來可以得到各種發光顏色。另外，藉由作為發光物質使用多個不同發光物質，也可以得到寬光譜的發光或白色發光。
當使用圖8B所示的發光元件130得到白色發光時，多個發光層的組合採用具有包括紅色、藍色及綠色的光而發射白色光的結構即可，例如可以舉出如下結構：即具有包括藍色的螢光材料作為發光物質的第一發光層和包括綠色和紅色的磷光材料作為發光物質的第二發光層的結構；以及具有呈現紅色發光的第一發光層、呈現綠色發光的第二發光層和呈現藍色發光的第三發光層的結構。或者，藉由採用具有發射處於補色關係的光的發光層的結構，也可以獲得白色發光。在層疊有兩個發光層的疊層型元件中，當使從第一發光層獲得的發光顏色和從第二發光層獲得的 發光顏色處於補色關係時，作為補色關係可以舉出藍色和黃色或者藍綠色和紅色等。
另外，在上述疊層型元件的結構中，藉由在層疊的發光層之間配置電荷產生層，可以在保持低電流密度的狀態下實現高亮度區中的長使用壽命的元件。另外，由於可以降低電極材料的電阻所導致的電壓下降，所以可以實現大面積的均勻發光。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
實施例5
在本實施例中，參照圖9A和圖9B對發光裝置的一個實施例的顯示裝置(也稱為顯示面板或發光面板)的外觀及剖面進行說明。圖9A是密封有形成在第一基板上的用來驅動發光元件的電晶體以及發光元件和形成在第二基板上的遮光膜、濾色片以及保護層的面板的俯視圖。圖9B相當於沿著圖9A中的虛線B1-B2切割的剖面圖。
在圖9A所示的發光裝置中，在第一基板4501上設置有：像素部4502；信號線驅動電路4503a；信號線驅動電路4503b；掃描線驅動電路4504a；以及掃描線驅動電路4504b。另外，在像素部4502、信號線驅動電路4503a、信號線驅動電路4503b、掃描線驅動電路4504a以及掃描線驅動電路4504b上設置有第二基板4506。
另外，第一基板4501及第二基板4506使用撓性基板 形成，在本實施例中，使用上述實施例1所示的剝離、轉置的方法形成。
另外，在圖9B所示的發光裝置中，在第一基板4501上設置有電晶體4509、電晶體4510以及電晶體4511，並且在電晶體4510及電晶體4511上設置有發光元件4550。
來自發光元件4550的發光從第二基板4506一側發射。換言之，該發光裝置是頂部發射結構的發光裝置。因此，需要使第二基板4506具有透光性，例如將玻璃板、塑膠板、聚酯膜或丙烯酸膜等材料用作第二基板4506。
另外，在第二基板4506上設置有遮光膜4521、濾色片4522以及保護層4523。關於遮光膜4521、濾色片4522以及保護層4523，可以使用上述實施例1所示的在第二基板160上形成遮光膜、濾色片以及保護層時同樣的方法形成。
另外，像素部4502、信號線驅動電路4503a、信號線驅動電路4503b、掃描線驅動電路4504a以及掃描線驅動電路4504b被第一基板4501、第一結合層4505以及第二基板4506密封。如此，為了不暴露於外氣，藉由使用脫氣少的保護膜(貼合薄膜、紫外線固性樹脂薄膜等)或覆蓋材料進行封裝(封入)，能夠提高氣密性，所以是較佳的。
另外，形成在第一基板4501上的像素部4502、信號線驅動電路4503a、信號線驅動電路4503b、掃描線驅動電路4504a以及掃描線驅動電路4504b具有多個電晶體。圖9B例示出像素部4502所包含的電晶體4510、電晶體 4511以及信號線驅動電路4503a所包含的電晶體4509。
電晶體4509至電晶體4511可以使用與實施例1所示的電晶體150同樣的方法形成。另外，像素部4502在電晶體4510及電晶體4511上具有發光元件4550。
發光元件4550由第一電極層4513、發光層4514以及第二電極層4515構成，並電連接到電晶體4510或電晶體4511。另外，發光元件4550可以採用上述實施例4所示的元件結構。
另外，發光元件4550被隔壁4552及結構體4554分離。
隔壁4552使用有機樹脂膜、無機絕緣膜或有機聚矽氧烷形成。尤其較佳的是，使用感光材料在第一電極層4513上形成隔壁4552，並且該隔壁4552的側壁形成為具有連續曲率的傾斜面較佳。
另外，結構體4554是為了在各個像素之間分離發光層4514而設置的。本實施例例示出在分離發光層4514的同時還分離第二電極層4515的結構，但是也可以不分離第二電極層4515。注意，結構體4554具有至少與第二電極層4515或第一結合層4505部分接觸的形狀。
如此，在結構體4554中設置有不夾著發光層4514而接觸於第二電極層4515或第一結合層4505的區域。該不夾著發光層4514而接觸的區域可以提高密接性，藉由將結構體4554設置在各像素之間，來實現保護發光元件4550的結構。從而，當受到來自於外部的物理力量時，能 夠由設置在結構體4554中的密接性高的區域抑制發光元件4550受到破壞。
另外，供應到信號線驅動電路4503a、信號線驅動電路4503b、掃描線驅動電路4504a、掃描線驅動電路4504b或者像素部4502的各種信號及電位從FPC4518供應。
本實施例例示出FPC4518安裝在第一基板4501一側的結構。第一基板4501及第二基板4506由撓性基板形成。另外，該發光裝置採用實施例1所示的剝離、轉置的方法而實現撓性化的結構，所以難以使FPC4518的連接端子在第二基板4506一側露出。因此，較佳的是，採用藉由在連接FPC4518的區域中形成貫通電極4556來在第一基板4501一側連接FPC4518的方法。另外，FPC4518的連接方法不侷限於此，也可以採用在第二基板4506一側連接的方法。
另外，貫通電極4556藉由各向異性導電膜4519電連接到FPC4518所具有的端子。
另外，如果需要，則可以在第二基板4506上適當地設置如偏光板、圓偏光板(包括橢圓偏光板)、相位差板(λ/4板、λ/2板)等光學膜。此外，也可以在偏光板、圓偏光板上設置抗反射膜。例如，可以進行利用表面的凹凸來擴散反射光而降低眩光的抗眩光處理。
另外，作為信號線驅動電路4503a、信號線驅動電路4503b、掃描線驅動電路4504a以及掃描線驅動電路4504b，可以安裝在另行形成的基板上使用單晶半導體膜或多晶 半導體膜形成的驅動電路。此外，也可以另行只形成信號線驅動電路或其一部分、或者只形成掃描線驅動電路或其一部分而安裝。據此，不侷限於圖9A和9B的結構。
如上所述，在本實施例所示的發光裝置藉由在各像素之間設置上述結構體，能夠提供一種當受到來自於外部的物理力量時，能夠抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
實施例6
在本實施例中，參照圖10A和圖10B對安裝有上述實施例5所說明的發光裝置的行動電話進行說明。
圖10A示出從行動電話的正面看到的俯視圖，圖10B示出行動電話的透視圖。
圖10A及圖10B示出的行動電話具有外殼400、安裝在外殼400的顯示部404以及操作按鈕402。
另外，顯示部404安裝有上述實施例5所示的發光裝置，在本實施例中，將發光裝置和另行形成的觸摸屏組合而形成顯示部404。從而，顯示部404在其上具有操作部406。
另外，在本實施例的行動電話中，如圖10B所示，顯示部404具有一定的曲率半徑而彎曲。另外，外殼400的頂部的區域也用作顯示部404，所以不僅從正面而且從上 方也能夠看到顯示部404。
例如，可以在頂部的顯示部顯示電子郵件的有無、來電的有無、日期和時間、電話號碼、人名等。由此可以在將行動電話放在胸袋中的狀態下也能夠確認顯示區域，而不用拿出行動電話。
如此，由於本發明的發光裝置可以形成在撓性基板上，所以可以應用於彎曲的目標物。另外，由於形成在撓性基板上的發光裝置薄且輕，所以適用於行動電話等。
如上所述，在本實施例所示的發光裝置藉由在各像素之間設置上述結構體，能夠提供一種當受到來自於外部的物理力量時，能夠抑制發光元件受到破壞的可靠性高的發光裝置。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
實施例7
在本實施例中，對包括實施例1至5所示的發光裝置的電子裝置進行說明。
具有實施例1至5所示的電子裝置的例子包括：攝像機和數位攝像機等影像拍攝裝置、護目鏡型顯示器、導航系統、音響再現裝置(汽車音響、音響元件等)、電腦、遊戲機、可攜式資訊終端(移動電腦、行動電話、可攜式遊戲機或電子書等)、具備記錄媒體的影像再現裝置(明確而言為再現數位影音光碟(DVD)等記錄媒體並具備能夠顯示 其影像的顯示裝置的裝置)等。上述電子裝置的例子示出於圖11A至圖11D。
圖11A示出電視裝置，包括外殼9101、支撐台9102、顯示部9103、揚聲器部9104、視頻輸入端子9105等。該電視裝置藉由將實施例1至實施例5所示的發光裝置用於顯示部9103來製造。藉由將本發明的發光裝置安裝在電視裝置的顯示部9103中，能夠提供使用可靠性高的顯示部的電視裝置。
圖11B示出電腦，包括主體9201、外殼9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接埠9205、指向裝置9206等。該電腦的顯示部9203藉由使用實施例1至實施例5所示的發光裝置來製造。藉由將本發明的發光裝置安裝在電腦的顯示部9203中，能夠提供使用可靠性高的顯示部的電腦。
圖11C示出行動電話，包括主體9401、外殼9402、顯示部9403、音頻輸入部分9404、音頻輸出部分9405、操作鍵9406、外部連接埠9407、以及天線9408等。該行動電話的顯示部9403藉由使用實施例1至實施例5所示的發光裝置來製造。藉由將本發明的發光裝置安裝在行動電話的顯示部9403中，能夠提供使用可靠性高的顯示部的行動電話。
圖11D示出數位攝像機，包括主體9501、顯示部9502、外殼9503、外部連接埠9504、遙控接收部分9505、影像接收部分9506、電池9507、音頻輸入部分9508、 操作鍵9509、目鏡部分9510等。該數位攝像機藉由將實施例1至實施例5所示的發光裝置用於顯示部9502來製造。藉由將本發明的發光裝置安裝在數位攝像機的顯示部9502中，能夠提供使用可靠性高的顯示部的數位攝像機。
如上所述，上述實施例1至5所示的發光裝置的應用範圍極廣，而可將該發光裝置用於各種領域中的電子裝置。
本實施例可以與其他實施例所記載的結構適當地組合而實施。
100‧‧‧基板
101‧‧‧剝離層
102‧‧‧結合層
104‧‧‧緩衝層
106‧‧‧閘極絕緣層
108‧‧‧閘極絕緣層
110‧‧‧半導體層
112a‧‧‧源極電極層
112b‧‧‧汲極電極層
114‧‧‧絕緣層
116‧‧‧絕緣層
118‧‧‧電極層
120‧‧‧發光層
120a‧‧‧電荷產生層
122‧‧‧電極層
124‧‧‧隔壁
126‧‧‧結構體
130‧‧‧發光元件
150‧‧‧電晶體
152‧‧‧電晶體
154‧‧‧閘極佈線
156‧‧‧源極佈線
160‧‧‧基板
161‧‧‧剝離層
162‧‧‧緩衝層
163‧‧‧結合層
164‧‧‧遮光層
166‧‧‧濾色片
168‧‧‧保護層
170‧‧‧結合層
180‧‧‧基板
190‧‧‧基板
202‧‧‧結構體
204‧‧‧結構體
206‧‧‧結構體
208‧‧‧結構體
210‧‧‧結構體
212‧‧‧隔壁
214‧‧‧結構體
240‧‧‧結構體
242‧‧‧結構體
244‧‧‧結構體
246‧‧‧結構體
248‧‧‧陰極佈線層
400‧‧‧外殼
402‧‧‧操作按鈕
404‧‧‧顯示部
406‧‧‧操作部
4501‧‧‧基板
4502‧‧‧像素部
4503a‧‧‧信號線驅動電路
4503b‧‧‧信號線驅動電路
4504a‧‧‧掃描線驅動電路
4504b‧‧‧掃描線驅動電路
4505‧‧‧結合層
4506‧‧‧基板
4509‧‧‧電晶體
4510‧‧‧電晶體
4511‧‧‧電晶體
4513‧‧‧電極層
4514‧‧‧發光層
4515‧‧‧電極層
4518‧‧‧FPC
4519‧‧‧各向異性導電膜
4521‧‧‧遮光膜
4522‧‧‧濾色片
4523‧‧‧保護層
4550‧‧‧發光元件
4552‧‧‧隔壁
4554‧‧‧結構體
4556‧‧‧貫通電極
9101‧‧‧外殼
9102‧‧‧支撐台
9103‧‧‧顯示部
9104‧‧‧揚聲器部
9105‧‧‧視頻輸入端子
9201‧‧‧主體
9202‧‧‧外殼
9203‧‧‧顯示部
9204‧‧‧鍵盤
9205‧‧‧外部連接埠
9206‧‧‧指向裝置
9401‧‧‧主體
9402‧‧‧外殼
9403‧‧‧顯示部
9404‧‧‧音頻輸入部分
9405‧‧‧音頻輸出部分
9406‧‧‧操作鍵
9407‧‧‧外部連接埠
9408‧‧‧天線
9501‧‧‧主體
9502‧‧‧顯示部
9503‧‧‧外殼
9504‧‧‧外部連接埠
9505‧‧‧遙控接收部分
9506‧‧‧影像接受部分
9507‧‧‧電池
9508‧‧‧聲頻輸入部
9509‧‧‧操作鍵
9510‧‧‧目鏡部分
在圖式中：圖1A和圖1B是說明發光裝置的俯視圖及剖面圖；圖2A至圖2D是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖3A至圖3C是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖4A和圖4B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖5A和圖5B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖6A至圖6D是說明設置在發光裝置中的結構體的剖面圖；圖7A至圖7D是說明設置在發光裝置中的結構體的俯視圖；圖8A和圖8B是說明發光元件的剖面圖；圖9A和圖9B是說明發光裝置的俯視圖及剖面圖； 圖10A和圖10B是說明使用發光裝置的行動電話的俯視圖及剖面圖；以及圖11A至圖11D是說明使用發光裝置的電子裝置的圖。
100‧‧‧基板
102‧‧‧結合層
104‧‧‧緩衝層
106‧‧‧閘極絕緣層
108‧‧‧閘極絕緣層
110‧‧‧半導體層
112a‧‧‧源極電極層
112b‧‧‧汲極電極層
114‧‧‧絕緣層
116‧‧‧絕緣層
118‧‧‧電極層
120‧‧‧發光層
122‧‧‧電極層
124‧‧‧隔壁
126‧‧‧結構體
130‧‧‧發光元件
150‧‧‧電晶體
160‧‧‧基板
162‧‧‧緩衝層
163‧‧‧結合層
164‧‧‧遮光層
166‧‧‧濾色片
168‧‧‧保護層
170‧‧‧結合層
A1-A2‧‧‧虛線

Claims (28)

  1. 一種發光裝置，包含：第一基板上的第一像素電極層；該第一像素電極層上的結構體；該第一像素電極層上的第一發光層；該結構體上的第二發光層；該第一發光層上的第二電極層；該第二發光層上的第三電極層；該第二電極層和該第三電極層上的結合層；以及該結合層上的第二基板，其中，該第一像素電極電連接至像素電晶體，其中，該結構體包含有機絕緣材料，其中，該結構體之側部在平行於該第一基板的方向上從該結構體的底部突出，其中，該第一發光層和該第二發光層被該結構體分離，其中，該第二電極層和該第三電極層被該結構體分離，其中，該結構體的至少一部分與該第二電極層及該第三電極層接觸，以及其中，該結構體的至少一部分與該結合層接觸。
  2. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一基板和該第二基板具有撓性。
  3. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第二 基板具有能夠透過特定的波長區的光的有色層。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一發光層和該第二發光層分別包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層。
  5. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一發光層能夠發射白色光。
  6. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第二電極層電連接到共用電極層。
  7. 一種電子裝置，其使用根據申請專利範圍第1項之發光裝置。
  8. 一種發光裝置，包含：第一基板上的第一像素電極層；該第一像素電極層上的結構體；該第一像素電極層上的第一發光層；該結構體上的第二發光層；該第一發光層上的第二電極層；該第二發光層上的第三電極層；該第二電極層和該第三電極層上的結合層；以及該結合層上的第二基板，其中，該第一像素電極電連接至像素電晶體，其中，該結構體包含有機絕緣材料，其中，該結構體之側部在平行於該第一基板的方向上從該結構體的底部突出，其中，該第一發光層和該第二發光層被該結構體分 離，其中，該第二電極層和該第三電極層被該結構體分離，其中，該結構體的至少一部分與該第二電極層及該第三電極層接觸。
  9. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第一基板和該第二基板具有撓性。
  10. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第二基板具有能夠透過特定的波長區的光的有色層。
  11. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第一發光層和該第二發光層分別包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層。
  12. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第一發光層能夠發射白色光。
  13. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第二電極層電連接到共用電極層。
  14. 一種電子裝置，其使用根據申請專利範圍第8項之發光裝置。
  15. 一種發光裝置，包含：第一基板上的第一像素電極層；該第一像素電極層上的隔壁；該隔壁上的結構體；該第一像素電極層和該隔壁上的第一發光層；該結構體上的第二發光層； 該第一發光層上的第二電極層；該第二發光層上的第三電極層；該第二電極層和該第三電極層上的結合層；以及該結合層上的第二基板，其中，該第一像素電極電連接至像素電晶體，其中，該結構體包含有機絕緣材料，其中，該結構體之側部在平行於該第一基板的方向上從該結構體的底部突出，其中，該第一發光層和該第二發光層被該結構體分離，其中，該第二電極層和該第三電極層被該結構體分離，其中，該結構體的至少一部分與該第二電極層及該第三電極層接觸，以及其中，該結構體的至少一部分與該結合層接觸。
  16. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該第一基板和該第二基板具有撓性。
  17. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該第二基板具有能夠透過特定的波長區的光的有色層。
  18. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該第一發光層和該第二發光層分別包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層。
  19. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該第一發光層能夠發射白色光。
  20. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該第二電極層電連接到共用電極層。
  21. 一種電子裝置，其使用根據申請專利範圍第15項之發光裝置。
  22. 一種發光裝置，包含：第一基板上的第一像素電極層；該第一像素電極層上的隔壁；該隔壁上的結構體；該第一像素電極層和該隔壁上的第一發光層；該結構體上的第二發光層；該第一發光層上的第二電極層；該第二發光層上的第三電極層；該第二電極層和該第三電極層上的結合層；以及該結合層上的第二基板，其中，該第一像素電極電連接至像素電晶體，其中，該結構體包含有機絕緣材料，其中，該結構體之側部在平行於該第一基板的方向上從該結構體的底部突出，其中，該第一發光層和該第二發光層被該結構體分離，其中，該第二電極層和該第三電極層被該結構體分離，以及其中，該結構體的至少一部分與該第二電極層及該第三電極層接觸。
  23. 根據申請專利範圍第22項之發光裝置，其中該第一基板和該第二基板具有撓性。
  24. 根據申請專利範圍第22項之發光裝置，其中該第二基板具有能夠透過特定的波長區的光的有色層。
  25. 根據申請專利範圍第22項之發光裝置，其中該第一發光層和該第二發光層分別包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層。
  26. 根據申請專利範圍第22項之發光裝置，其中該第一發光層能夠發射白色光。
  27. 根據申請專利範圍第22項之發光裝置，其中該第三電極層電連接到共用電極層。
  28. 一種電子裝置，其使用根據申請專利範圍第22項之發光裝置。
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