JP4944596B2 - 有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- -1 oxygen nitride Chemical class 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Description
本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
有機ＥＬディスプレイの製造方法として、基板上に例えば蒸着法等の成膜技術を用いて、第１電極層（下部電極層）、有機発光層、第２電極層（上部電極層）等を順次積層する方法が広く知られている。
かかる製造方法においては、第２電極層を分離するために、分離する箇所を取り囲むように凸部を配置し、該凸部上に第２電極層を被着させることで、第２電極層を分離する方法が用いられている。
なお、第１電極層上に、該第１電極層を一部露出するように凸部を形成し、露出した第１電極層上に発光可能な有機発光層、第２電極層を順次積層した有機ＥＬディスプレイが、下記特許文献１に開示されている。
特許第３３０２２６２号公報
ところが、上述した特許文献１に記載の有機ＥＬディスプレイであっては、基板上に第１電極層が形成されてから、第１電極層上に有機発光層が形成されるまで、第１電極層が大気に晒される時間が長い。かかる場合、第１電極層に不純物が被着したり、第１電極層の酸化が進んだりと、有機発光層の劣化の原因となりうる信頼性の問題点がある。
また、凸部が所望の形状に形成されていない場合、隣接する箇所において、凸部の表面を介して第２電極層が連続して形成されることがある。かかる場合、有機発光層が正常に発光しないという製造歩留りの原因となり、生産性の問題点がある。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、信頼性に優れるとともに生産性が向上する有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、該第１電極層を覆うモリブデン又はモリブデンを含有する合金からなる第１被覆層とが積層された基板を準備する工程と、前記第１被覆層上に、前記第１被覆層が部分的に露出する開口部を有する絶縁体を形成する工程と、前記第１被覆層及び前記絶縁体上に、前記第１被覆層及び前記絶縁体を覆うモリブデン又はモリブデンを含有する合金からなる第２被覆層を形成する工程と、前記第２被覆層上であって前記絶縁体の直上に、凸部を形成する工程と、前記開口部下の前記第１被覆層をエッチングして除去するとともに、前記凸部下の前記第２被覆層を前記凸部の下面が一部露出するまでエッチングして除去することにより、前記絶縁体の上面と前記凸部の下面との間に空隙を形成する工程と、前記絶縁体の前記開口部上で、前記凸部から前記開口部にかけて導電材料を堆積させ、前記空隙により端部が規定された第２電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記凸部及び前記第２電極層上に、前記凸部及び前記第２電極層を被覆するようにキャッピング材料を被着させる工程と、前記キャッピング材料を融解し、前記空隙に向けて流動させる工程と、前記流動したキャッピング材料を固化し、前記空隙を埋めるキャッピング層を形成する工程と、前記キャッピング層を被覆するように保護層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記空隙が、前記開口部を取り囲むように形成されていることを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記凸部が、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状であることを特徴とする。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記空隙が、５０ｎｍから５００ｎｍであることを特徴とする。
本発明によれば、信頼性に優れるとともに生産性が向上する有機ＥＬディスプレイを製造することができる。
以下に、本発明にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの平面図、図２は図１のＡ１−Ａ１断面図である。
＜有機ＥＬディスプレイ＞
図１に示すように、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイは、テレビ等の家電機器、携帯電話やコンピュータ装置等の電子機器に用いるものであり、平板状の素子基板（基板）１と、素子基板１上に形成された有機ＥＬ素子２とを含んで構成されている。
図１に示すように、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイは、テレビ等の家電機器、携帯電話やコンピュータ装置等の電子機器に用いるものであり、平板状の素子基板（基板）１と、素子基板１上に形成された有機ＥＬ素子２とを含んで構成されている。
素子基板１は、ガラスやプラスチック等から成り、素子基板１の中央に位置する表示領域には、マトリックス状に配置された複数の有機ＥＬ素子２が形成されている。また、素子基板１の端部に位置する非表示領域には、有機ＥＬ素子２の発光を制御するドライバーＩＣ３が実装されている。なお、マトリックス状に配列された有機ＥＬ素子２が、有機ＥＬディスプレイの画素Ｐを構成している。
また、素子基板１上に、素子基板１に対して対向するように配置された封止基板４が形成されている。封止基板４は、たとえばガラスやプラスチック等の透明の基板を用いることができる。さらに、素子基板１の表示領域の外周に沿ってシール材５が形成されており、素子基板１と封止基板４とシール材５によって複数の有機ＥＬ素子２を密封している。なお、シール材５は、表示領域を被覆するように素子基板１と封止基板４の間に形成されていてもよい。かかるシール材５としては、たとえば光硬化性又は熱硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等を用いることができる。
次に、図２を用いて素子基板１と封止基板４との間に形成される各種層について説明する。素子基板１の表示領域上には、薄膜トランジスタＴやコンデンサ等からなる回路層６が形成されている。さらに、回路層６上に、回路層６の一部を露出するように窒化珪素、窒化酸素又は窒化酸化珪素等からなる絶縁層７が形成されている。
絶縁層７上に、回路層６や絶縁層７上の凹凸を低減するための平坦化膜８が形成されている。平坦化膜８としては、たとえばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜８の厚みは、たとえば０．５μｍから１０μｍとなるように設定されている。
平坦化膜８は、平坦化膜８及び絶縁層７を貫通するコンタクトホールＨが形成されている。かかるコンタクトホールＨは、絶縁層７が被覆されていない回路層６の直上に形成されている。また、コンタクトホールＨの内面及び、コンタクトホールＨの内面から平坦化膜８の上面にかけて、たとえば銅やアルミニウム等の導電性材料からなるコンタクト層９が形成されている。コンタクト層９は回路層６と電気的に接続されている。
平坦化膜８上に、上述した有機ＥＬ素子２が形成されている。かかる有機ＥＬ素子２は、第１電極層１０と、有機発光層１１と、第２電極層１２とを含んで構成されている。
第１電極層１０は、平坦化膜８の上面に形成されるとともに、コンタクト層９と間隔を空けて配置されている。第１電極層１０は、たとえばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウム等の金属、又はこれらの合金等から成る。また、第１電極層１０とコンタクト層９との間には、層間絶縁膜（絶縁体）１３が介在されている。かかる層間絶縁膜１３は、その一部が第１電極層１０と第２電極層１２との間に介在され、両者の短絡を防止している。さらに、層間絶縁膜１３は、隣接する画素Ｐの第１電極層１０同士の短絡をも防止している。層間絶縁膜１３は開口部を有し、該開口部は、後述する第１被覆層１６を一部露出するように配置されている。なお、第１電極層１０の反射率は、例えば３０％から１００％となるように設定されている。かかる反射率は、可視光域での反射率とする。
有機発光層１１は、第１電極層１０上に形成されているとともに、各画素Ｐに分離されている。また、有機発光層１１の端部は、層間絶縁膜１３上まで延在されている。有機発光層１１は、第１電極層１０と第２電極層１２との間に印加された電圧によって、電流が流れ発光する。かかる有機発光層１１は、例えば、素子基板１側から封止基板４側に向かって順に、正孔の注入を行うための正孔注入層と、正孔の輸送を行うための正孔輸送層と、ＥＬ発光を行う発光層と、電子の輸送を行う電子輸送層と、電子の注入を行うための電子注入層とを備えている。なお、有機発光層１１としては、発光層さえ存在すれば、５層構造を採用せず、１乃至４層構造等、種々の層構造を採用しても良い。なお、有機発光層１１の厚みは、たとえば１０ｎｍから３００ｎｍとなるように設定されている。
第２電極層１２は、有機発光層１１上に形成されているとともに、各画素Ｐに分離されている。第２電極層１２の端部は、層間絶縁膜１３上まで延在されている。さらに、第２電極層１２の一端は、コンタクト層９と接続されている。かかる第２電極層１２は、たとえばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明電極や、リチウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム又はバリウム等のアルカリ土類金属や、これらの合金からなる。ここで、第２電極層１２として、アルカリ金属やアルカリ土類金属を用いる場合は、その厚みを光が透過するまで薄く設定する。なお、第２電極層１２の厚みは、例えば１ｎｍから２００ｎｍとなるように設定されている。
有機ＥＬ素子２上に、キャッピング層１４と保護層１５とが厚み方向に積層されて形成されている。
キャッピング層１４は、その厚みを適当に設定することにより、有機ＥＬ素子２から保護層１５に向かって進行する進行波の波長と、第１電極層１０で反射して保護層１５に向かって進行する反射波の波長を合わせて共振させ、有機発光層１１が発する光を有機ＥＬディスプレイの外部に効率良く取り出す機能を有している。キャッピング層１４は、たとえばα−ＮＰＤ，ＴＰＤ又はｍ−ＭＴＤＡＴＡ等の有機材料からなり、有機ＥＬ素子２を構成する材料よりもガラス転移点の低い材料が用いられている。
キャッピング層１４は、後述するように加熱処理されることで、キャッピング層１４が融解し、後述する凸部１７の側面に被着した材料が凸部１７の側面に沿って下方に移動し、凸部１７の下端と第２電極層１２との間の空隙Ｇを埋めている。なお、空隙Ｇを埋めたあとのキャッピング層１４の厚みは、例えば５０ｎｍから２００ｎｍとなるように設定されている。また、空隙Ｇは、有機発光層１１の厚みと第２電極層１２の厚みの合計よりも大きく、有機発光層１１の厚みと第２電極層１２の厚みとキャッピング層１４の厚みの合計よりも小さくなるように設定されている。
保護層１５は、キャッピング層１４を被覆するように形成されている。保護層１５は、表示領域の全面を連続して被覆しており、その端部は、シール材５で囲まれた領域の内周まで延在して形成されている。かかる保護層１５は、たとえば窒化珪素、窒化酸素、窒化酸化珪素等の絶縁材料からなる。
次に、第１電極層１０の端部と層間絶縁膜１３との間に形成された第１被覆層１６について説明する。
第１被覆層１６は、第１電極層１０と層間絶縁膜１３及び、層間絶縁膜１３とコンタクト層９との間に介在されており、有機ＥＬ素子２の外周を取り囲むように形成されている。第１被覆層１６は、たとえばモリブデン等の金属、又はモリブデンを含有する合金からなり、第１電極層１０の反射率よりも低い反射率の材料が選択されている。
また、第１被覆層１６の反射率は、例えば１０％から７０％となるように設定されている。第１被覆層１６は、第１電極層１０よりも遮光性に優れていて、ブラックマトリクスの機能を有している。第１被覆層１６は、有機ＥＬディスプレイの外部から入射する外光を吸収し、外光反射を抑制することができる。
第１被覆層１６は、図３に示すように、回路層６を構成する薄膜トランジスタＴの直上に形成されている。かかる薄膜トランジスタＴは、平面視して第１被覆層１６の外周の内部に納まる箇所に配置することがより望ましい。第１被覆層１６は、薄膜トランジスタＴに外光が照射するのを抑制し、薄膜トランジスタＴが外光の光や熱によって誤作動を生ずるのを防止することができる。
さらに、層間絶縁膜１３上には、凸部１７が第２被覆層１８を介在させて形成されている。凸部１７は、有機ＥＬ素子２の外周を取り囲むように形成されている。かかる凸部１７は、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状に形成されている。凸部１７は、たとえばアクリル樹脂や、ポリイミド樹脂等の絶縁性の樹脂材料から構成されている。なお、凸部１７上には、有機発光層１１と同一材料からなる有機材料層１９と、第２電極層１２と同一材料からなる金属層２０とが積層されている。
第２被覆層１８は、層間絶縁膜１３の直上であって、平面視して凸部１７の下面の外周よりも内側に収まるように配置されている。ここで、第２被覆層１８の上面の端部は、平面視して凸部１７の下面の端部から最短距離で１００ｎｍ以上離れるように設定されている。第２被覆層１８は、第１被覆層１６と同様にブラックマトリクスの機能を有しており、外光を吸収することができる。なお、金属層２０、有機材料層１９及び凸部１７は、光を透過しやすいため、第２被覆層１８によって、光を吸収することができる。
第２被覆層１８は、上部よりも下部が幅広なテーパー状に形成されている。また、凸部１７の下端と層間絶縁膜１３の上面との間に、有機発光層１１の端部と第２電極層１２の端部とが延在されている。さらに、第２被覆層１８は、層間絶縁膜１３の上面に延在された第２電極層１２の端部と間を空けて配置されている。そのため、第２被覆層１８に第２電極層１２から電流が直接流れ込まず、隣接する画素Ｐの第２電極層１２同士が短絡することがない。
第２被覆層１８の厚みは、たとえば５０ｎｍから５００ｎｍであって、有機発光層１１の厚みと第２電極層１２の厚みの合計よりも大きくなるように設定されている。有機発光層１１と第２電極層１２は、第２被覆層１８の厚みよりも薄く形成されるため、後述するように蒸着法を用いて成膜する場合、凸部１７と層間絶縁膜１３との間で第２電極層１２を分離することができ、隣接する画素Ｐ同士の間で第２電極層１２を効果的に分離することができる。
また、層間絶縁膜１３の上面に形成された第２電極層１２の上面と、凸部１７の下面との間には、キャッピング層１４が空隙Ｇなく介在されている。第２被覆層１８と凸部１７との間の空隙Ｇをキャッピング層１４によって埋めることで、凸部１７上から有機ＥＬ素子２上にかけて保護層１５を分離することなく連続して形成することができ、保護膜１５のステップカバレッジを良好にすることができる。
なお、第２被覆層１８は、第１被覆層１６を構成する材料と同一の材料であって、たとえばモリブデン等の金属材料からなる。なお、第２被覆層１８は、前記エッチャントによりエッチングすることができ、主成分がモリブデン等の金属材料であればよい。第２被覆層１８と第１被覆層１６とを同一材料とすることによって、後述するように一度にエッチングすることができ、新たなエッチング工程を増やすことなく、効率よく有機ＥＬディスプレイを製造することができる。
＜製造方法＞
次に、上記した有機ＥＬディスプレイの製造方法について図３から図１３を用いて詳細に説明する。まず、図４に示すように、素子基板１上に、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法又はスピンコート法等の薄膜形成技術や、エッチング技術やフォトリソグラフィー技術等の薄膜加工技術を採用することによって、回路層６を所定パターンに形成することができる。そして、回路層６上に、上述した薄膜形成技術及び薄膜加工技術を採用することによって、順に絶縁層７、平坦化膜８となりうる有機樹脂層８ａを形成する。
次に、上記した有機ＥＬディスプレイの製造方法について図３から図１３を用いて詳細に説明する。まず、図４に示すように、素子基板１上に、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法又はスピンコート法等の薄膜形成技術や、エッチング技術やフォトリソグラフィー技術等の薄膜加工技術を採用することによって、回路層６を所定パターンに形成することができる。そして、回路層６上に、上述した薄膜形成技術及び薄膜加工技術を採用することによって、順に絶縁層７、平坦化膜８となりうる有機樹脂層８ａを形成する。
そして、有機樹脂層８ａ上に開口を有する露光マスクを対向配置する。そして、有機樹脂層８ａに対するコンタクトホールＨを形成したい箇所に、露光マスクの開口を位置合わせし、露光マスクに光を照射する。その結果、露光マスクの開口を通過した光が、有機樹脂層８ａのコンタクトホールＨを形成したい箇所に照射される。さらに、現像処理を行うことによって、図５に示すように、光を照射した箇所にコンタクトホールＨを形成することができる。また同時に平坦化膜８を形成することができる。
次に、図６に示すように、従来周知の薄膜形成技術を用いて、第１電極層１０及びコンタクト層９となる導電性膜１０ａを形成し、さらに遮光膜１６ａを形成する。なお、導電性膜１０ａは、例えばアルミニウムからなり、遮光膜１６ａは、例えばモリブデンからなる。
導電性膜１０ａ及び第１被覆層１６ａ上にレジストを塗布する。そして、露光マスクを用いて、該レジストを露光し、さらに現像処理、ベーク処理を行う。この結果、少なくとも薄膜トランジスタＴの直上は、パターニングしたレジストを残す。そして、パターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて、導電性膜１０ａ及び第１被覆層１６ａのエッチングを行ない、図７に示すように所定の形状の第１電極層１０及び第１被覆層１６ｂを形成することができる。また同時に、コンタクトホールＨの内面にコンタクト層９を形成することができる。
次に、第１被覆層１６ｂ、平坦化膜８及びコンタクト層９上に、従来周知の薄膜形成技術を用いて、層間絶縁膜１３となりうる絶縁膜を形成する。そして、該絶縁膜に対して、従来周知の薄膜加工技術を用いて、図８に示すように、層間絶縁膜１３を形成することができる。
そして、層間絶縁膜１３及び第１被覆層１６ｂ上に、従来周知の薄膜形成技術を用いて、第２被覆層１８ａを形成する。なお、第２被覆層１８ａは、第１被覆層１６ｂと同じ材料からなる。さらに、第２被覆層１８ａ上に、凸部１７となるレジストを形成し、露光・現像処理を行うことで、図９に示すように、凸部１７を形成することができる。
次に、第２被覆層１８ａ及び第１被覆層１６ｂに対して、ウエットエッチング処理を行ない、所定の形状にパターニングする。そして、第２被覆層１８ａ及び第１被覆層１６ｂを同時にエッチングし、第２被覆層１８及び第１被覆層１６を形成することができる。すなわち、第１被覆層１６ｂ及び第２被覆層１８ａに対してエッチング液を浸漬させることによって、層間絶縁膜１３から露出する第１被覆層１６ｂを溶かすとともに、凸部１７と層間絶縁膜１３との間に介在されている第２被覆層１８ａを凸部１７の下面が一部露出するまで溶かす。そして、図１０に示すように、凸部１７と層間絶縁膜１３との間に空隙Ｇを形成することができる。なお、ここで使用するエッチング液は、例えば硝酸の含有比率が１５ｗｔ％から３５ｗｔ％、酢酸の含有比率が２５ｗｔ％から４５ｗｔ％、燐酸の含有比率が０．１ｗｔ％から５ｗｔ％である混酸を採用する。なお、第１被覆層１６ａの厚みを予め、第２被覆層１８ａの厚みよりも薄く形成することによって、エッチングされる領域を少なくできる。また、第１被覆層１６ａと第２被覆層１８ａを構成するモリブデンの成分を調整することによって、エッチング液に対して溶け出す量を調整することができる。その結果、凸部１７の下面の外縁が露出するまで、第２被覆層１８ａのエッチング処理を行なうことができる。
ここで、第１被覆層１６を形成するまでは、第１電極層１０が大気に晒されないように保護し、製造工程において第１電極層１０に不純物が付着したり、第１電極層１０そのものが酸化したりするのを抑制することができる。その結果、有機ＥＬディスプレイの信頼性を高めることができる。
また、第１被覆層１６と第２被覆層１８とを同時に形成することができるため、新たにエッチング工程を増やすことなく一度のエッチング工程で済むため、製造時間を長期化することがなく、生産性を高めることができる。
そして、蒸着マスクを用いた蒸着法によって、第１電極層１０上に、図１１に示すように、有機発光層１１を形成する。具体的には、蒸着材料を加熱・蒸発させることが可能な蒸着源を下部に備えた真空チャンバー内に、上述した各層が形成された素子基板１と、多数の開口を有する蒸着マスクとを準備する。次に、真空チャンバー内にて、素子基板１の各層が形成されている側を下方に向けて、素子基板１を上方に配置する。さらに、蒸着マスクを素子基板１と蒸着源の間に介在させるとともに、素子基板１に蒸着マスクを位置合わせし、素子基板１の有機発光層１１が形成される箇所に蒸着マスクの開口を合わせる。次に、真空チャンバー内を高真空状態とし、蒸着源から有機材料を加熱蒸発させて、蒸着マスクの開口を介して素子基板１に有機発光層１１を形成する。なお、有機発光層１１を形成すると同時に、凸部１７の上面に、有機材料層１９を形成することができる。
続いて、真空状態を継続したまま、第２電極層１２を、蒸着マスクを用いずに蒸着法により形成する。具体的には、凸部１７、層間絶縁膜１３、有機発光層１１に向けて、第２電極層１２となる導電材料を蒸着させる。そして、図１２に示すように、凸部１７と層間絶縁膜１３との間の空隙Ｇにて、第２電極層１２が不連続となるように分離することができる。また、第２電極層１２の端部は、空隙Ｇまで延在されており、該空隙Ｇにて位置決めされている。
その結果、隣接する画素Ｐ同士の第２電極層１２が不連続で形成されることで、画素Ｐ同士が短絡するのを効果的に防止することができる。なお、第２電極層１２を形成すると同時に、凸部１７上に、金属層２０を形成することができる。そして、有機ＥＬ素子２を形成することができる。
さらに、真空状態のまま、蒸着法にてキャッピング層１４を構成する有機材料を蒸発させて、第２電極層１２及び凸部１７を被覆するようにキャッピング材料を被着させる。このとき、凸部１７の側面にもキャッピング材料からなる層が形成される。
次に、有機ＥＬ素子２及びキャッピング材料からなる層に熱を印加することによって、該層を融解させる。なお、真空状態では熱が伝搬しにくいため、真空チャンバー内の下部に位置する蒸着源の温度と上部に位置する素子基板１の温度とは大きく異なる。そのため、素子基板１にヒーター等によって、直接熱を印加する。
また、有機ＥＬ素子２及びキャッピング材料からなる層に印加される温度は、キャッピング材料のガラス転移点より高温であって、有機ＥＬ素子２を構成する全ての材料のガラス転移点よりも低い温度である。なお、キャッピング材料の融点まで、熱を印加すると、気化するため、有機ＥＬ素子２及びキャッピング材料からなる層の融点及びガラス転移点よりも低い温度である。そのため、有機ＥＬ素子２を融解させずに、キャッピング材料からなる層のみを融解させることができる。その結果、凸部１７の側面に被着したキャッピング材料からなる層を、層間絶縁膜１３と凸部１７との間の空隙Ｇに向けて流動させることができ、空隙Ｇを流動したキャッピング材料で埋めることができる。
そして、融解したキャッピング材料を該キャッピング材料のガラス転移点よりも低い温度に設定して、融解したキャッピング材料を固化して、図１３に示すように、キャッピング層１４を形成することができる。その結果、凸部１７と層間絶縁膜１３との間の空隙Ｇをなくすことができ、凸部１７から有機ＥＬ素子２にかけてステップカバレッジを良好にすることができる。次に、キャッピング層１４上に、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層１５を連続して形成することができる。
最後に、素子基板１の有機ＥＬ素子２と封止基板４の一面が対向させ、素子基板１と封止基板６の周辺部にシール材５を設けて有機ＥＬ素子２を封止する。そして、素子基板１にドライバーＩＣ５等を接続し、有機ＥＬディスプレイが完成する。
なお、上述の実施形態は、シール材５が素子基板１の端部に沿って形成されている構造について説明したが、素子基板１上に形成される有機ＥＬ素子２を被覆するように素子基板１と封止基板４との間に形成されていても構わない。
また、上述の実施形態は、凸部１７の形状を逆テーパー状としたが、上部が下部よりも幅狭な順テーパー状形成されていても、又凸部の側面が垂直となるように形成されていても構わない。この場合、凸部１７上に形成される保護層１５のステップカバレッジを効果的に良好にすることができる。
なお、上述の実施形態は、有機ＥＬ素子２が発する光を封止基板４側から取り出すトップエミッション構造について説明したが、光を素子基板１側から取り出すボトムエミッション構造であっても構わない。
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
１ 素子基板
２ 有機ＥＬ素子
３ ドライバーＩＣ
４ 封止基板
５ シール材
６ 回路層
７ 絶縁層
８ 平坦化膜
９ コンタクト層
１０ 第１電極層
１１ 有機発光層
１２ 第２電極層
１３ 層間絶縁膜
１４ キャッピング層
１５ 保護層
１６ 第１被覆層
１７ 凸部
１８ 第２被覆層
１９ 有機材料層
２０ 金属層
Ｐ 画素
Ｔ 薄膜トランジスタ
Ｈ コンタクトホール
Ｇ 空隙
２ 有機ＥＬ素子
３ ドライバーＩＣ
４ 封止基板
５ シール材
６ 回路層
７ 絶縁層
８ 平坦化膜
９ コンタクト層
１０ 第１電極層
１１ 有機発光層
１２ 第２電極層
１３ 層間絶縁膜
１４ キャッピング層
１５ 保護層
１６ 第１被覆層
１７ 凸部
１８ 第２被覆層
１９ 有機材料層
２０ 金属層
Ｐ 画素
Ｔ 薄膜トランジスタ
Ｈ コンタクトホール
Ｇ 空隙
Claims (5)
- 第１電極層と、該第１電極層を覆うモリブデン又はモリブデンを含有する合金からなる第１被覆層とが積層された基板を準備する工程と、
前記第１被覆層上に、前記第１被覆層が部分的に露出する開口部を有する絶縁体を形成する工程と、
前記第１被覆層及び前記絶縁体上に、前記第１被覆層及び前記絶縁体を覆うモリブデン又はモリブデンを含有する合金からなる第２被覆層を形成する工程と、
前記第２被覆層上であって前記絶縁体の直上に、凸部を形成する工程と、
前記開口部下の前記第１被覆層をエッチングして除去するとともに、前記凸部下の前記第２被覆層を前記凸部の下面が一部露出するまでエッチングして除去することにより、前記絶縁体の上面と前記凸部の下面との間に空隙を形成する工程と、
前記絶縁体の前記開口部上で、前記凸部から前記開口部にかけて導電材料を堆積させ、前記空隙により端部が規定された第２電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記凸部及び前記第２電極層上に、前記凸部及び前記第２電極層を被覆するようにキャッピング材料を堆積させる工程と、
前記キャッピング材料を融解し、前記空隙に向けて流動させる工程と、
前記流動したキャッピング材料を固化し、前記空隙を埋めるキャッピング層を形成する工程と、
前記キャッピング層を被覆するように保護層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記空隙は、前記開口部を取り囲むように形成されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記凸部は、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記空隙は、５０ｎｍから５００ｎｍであることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006347753A JP4944596B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006347753A JP4944596B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008159438A JP2008159438A (ja) | 2008-07-10 |
| JP4944596B2 true JP4944596B2 (ja) | 2012-06-06 |
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ID=39660111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006347753A Active JP4944596B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4944596B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311059A (ja) | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP5449742B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-03-19 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機ｅｌ素子 |
| JP5195593B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2013-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器 |
| WO2012115016A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using light-emitting device |
| JP5790410B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2015-10-07 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ装置およびその製造方法 |
| KR102241441B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2021-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR102152846B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2020-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3302262B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2002-07-15 | ティーディーケイ株式会社 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP3188678B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2001-07-16 | ティーディーケイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP4004709B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| JP4620298B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2011-01-26 | パイオニア株式会社 | 銀若しくは銀合金配線及びその形成方法並びに表示パネル基板 |
| JP4165145B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2008-10-15 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
| KR20060021313A (ko) * | 2003-05-19 | 2006-03-07 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 발광 디바이스 |
| CN1961617B (zh) * | 2004-03-29 | 2010-04-28 | 富士胶片株式会社 | 有机电致发光元件及其制造方法和显示装置 |
| JP4367346B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
-
2006
- 2006-12-25 JP JP2006347753A patent/JP4944596B2/ja active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008159438A (ja) | 2008-07-10 |
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