JP2022516590A - フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 265
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 102
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/873—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本出願は、フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置を開示して、パッケージングを改善し、製品の歩留まりを改善する。本出願の実施形態に係るフレキシブル基板は、アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域を有するベース基板と、各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域とを含み、前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間のベース基板は中空領域であり、各前記サブピクセル領域には、ピクセル回路と、前記ピクセル回路を囲む分離構造と、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層とが備えられ、前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部近くに中空パターンがあり、前記接続領域には信号線があり、前記信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある。
Description
本発明は、通信技術分野に関し、特にフレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置に関する。
［関連出願の相互参照］
本出願は、２０１９年０１月１０日に中国特許局に提出し、出願番号が２０１９１００２３３６５．９であり、発明名称が「フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置」との中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の総てをここに取り込む。
本出願は、２０１９年０１月１０日に中国特許局に提出し、出願番号が２０１９１００２３３６５．９であり、発明名称が「フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置」との中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の総てをここに取り込む。
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）ディスプレイ技術の開発中、ＯＬＥＤは通常のフラットの剛性パネルリジッドディスプレイ、曲げることができるディスプレイ、および現在開発中のフレキシブルディスプレイを経験し、ディスプレイの多様化を大幅に促進している。しかし、通常のＯＬＥＤフレキシブルディスプレイは、２次元面の曲がりにしか対応できず、より複雑な条件のウェアラブルなどの極端な条件のフレキシブルディスプレイには対応できないため、３次元での表示パネルを実現するための解決策を見つける必要がある。つまり、フレキシブルディスプレイは、伸縮性のあるＯＬＥＤディスプレイの開発である。伸縮性ＯＬＥＤディスプレイの既存の解決策では、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）基板に穴を開け、ＰＩ基板上にアイランドとブリッジを形成し、アイランド領域にピクセル領域を作製する。ブリッジのエリアはトレースを作製する。 ＰＩ基板上にブリッジが存在すると、伸縮中に変形が発生する可能性がある。要約すると、従来の伸縮性ＯＬＥＤディスプレイ製品の伸縮特性を確保するために、ピクセルごとに穴を開ける必要がある。これにより、水蒸気の侵入経路が増加し、パッケージング効果に影響を与え、製品の歩留まりに影響を与える。
本出願の実施形態は、フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置を提供し、パッケージングを改善し、製品の歩留まりを改善する。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板は、アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域を有するベース基板と、各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域と
を含み、
前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間のベース基板は中空領域であり、
各前記サブピクセル領域には、ピクセル回路と、前記ピクセル回路を囲む分離構造と、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層とが備えられ、
前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部近くに中空パターンがあり、前記接続領域には信号線があり、前記信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、
前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある。
を含み、
前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間のベース基板は中空領域であり、
各前記サブピクセル領域には、ピクセル回路と、前記ピクセル回路を囲む分離構造と、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層とが備えられ、
前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部近くに中空パターンがあり、前記接続領域には信号線があり、前記信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、
前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある。
任意選択で、前記溝は、前記ピクセル回路に面する前記分離構造側面に配置される第１の溝、および／または、前記ピクセル回路とは背離する前記分離構造側面に配置される第２の溝を含む。
任意選択で、前記分離構造は、積み重ねられた複数のフィルム層を含み、ここで、中間フィルム層の少なくとも一部の幅は、上部フィルム層の幅よりも小さい。
任意選択で、前記分離構造は、順次に積み重ねられた多層金属層および透明導電層を含み、ここで、前記多層金属層の中間層の幅は最小である。
任意選択で、前記多層金属層は、前記ピクセル回路の薄膜トランジスタのソースおよびドレインと同じ層に設置され、前記透明導電層は、前記ピクセル回路のアノードと同じ層に設置される。
任意選択で、前記多層金属層は、チタン／アルミニウム／チタンスタックである。
任意選択で、前記透明導電層は、インジウムスズ酸化物／銀／インジウムスズ酸化物のスタックである。
任意選択で、前記発光機能層は、発光層および前記発光層上に配置されたカソードを含み、前記溝は、前記カソードを切断する。
任意選択で、前記カソードの材料はマグネシウム－銀合金である。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の作製方法は、
ベース基板を提供するステップと、
前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成し、前記接続領域に前記ピクセル回路を接続する信号線を形成するステップと、
前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成するステップとを備え、
前記ベース基板は、アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域および各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域に分割され、前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間ベース基板は中空領域として構成される。
ベース基板を提供するステップと、
前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成し、前記接続領域に前記ピクセル回路を接続する信号線を形成するステップと、
前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成するステップとを備え、
前記ベース基板は、アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域および各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域に分割され、前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間ベース基板は中空領域として構成される。
ここで、前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部に中空パターンを有し、前記接続領域にある信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある。
任意選択で、前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成するステップは、
前記ベース基板上に薄膜トランジスタの各フィルム層を順次に形成し、ここで、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン金属層を形成するとともに、パッケージング領域を覆う多層金属層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタと前記多層金属層上にアノード層を形成し、パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップと、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップと、
前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成するステップとを含み、
前記ベース基板上で、前記透明導電層のパターンの投影と前記多層金属層のパターンの投影が重なる。
前記ベース基板上に薄膜トランジスタの各フィルム層を順次に形成し、ここで、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン金属層を形成するとともに、パッケージング領域を覆う多層金属層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタと前記多層金属層上にアノード層を形成し、パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップと、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップと、
前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成するステップとを含み、
前記ベース基板上で、前記透明導電層のパターンの投影と前記多層金属層のパターンの投影が重なる。
任意選択で、パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップは、
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップを含み、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップは、
乾式エッチングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップを含む。
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップを含み、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップは、
乾式エッチングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップを含む。
任意選択で、前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成するステップは、
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記多層金属層の中間層をエッチングし、前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記多層金属層背とは背離する記ピクセル回路の側面に溝が形成されるステップを含む。
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記多層金属層の中間層をエッチングし、前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記多層金属層背とは背離する記ピクセル回路の側面に溝が形成されるステップを含む。
任意選択で、前記発光機能層は、発光層と、前記発光層上に配置されたカソードとを含み、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成するステップは、
前記ピクセル回路上に発光層を形成するステップと、
前記発光層および前記分離構造を覆うカソードを形成するステップとを含み、
前記溝は、前記カソードを切断する。
前記ピクセル回路上に発光層を形成するステップと、
前記発光層および前記分離構造を覆うカソードを形成するステップとを含み、
前記溝は、前記カソードを切断する。
本出願の実施形態に係るディスプレイ装置は、本出願の実施形態によって提供される上記のフレキシブル基板を含む。
本発明に係る実施例や従来の技術方案をより明確に説明するために、以下に実施例を説明するために必要な図面をについて簡単に紹介する。無論、以下の説明における図面は本発明に係る実施例の一部であり、当業者は、創造性作業を行わないことを前提として、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができる。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の概略構造図である。
本出願の実施形態に係る図１のＡＡ’に沿った断面構造の概略図である。
本出願の実施形態に係る他のフレキシブル基板の概略構造図である。
本出願の実施形態に係る別のフレキシブル基板の概略構造図である。
本出願の実施形態に係る分離構造の概略構造図である。
本出願の実施形態に係る別のフレキシブル基板の概略構造図である。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の作製方法の概略図である。
本出願の実施形態に係る別のフレキシブル基板の作製方法の概略図である。
本出願の実施形態は、図１および２に示されるように、フレキシブル基板を提供し、当該フレキシブル基板は、アレイに配置された複数のサブピクセル領域２を有するベース基板１と、隣接するサブピクセル領域２を接続するための各サブピクセル領域２間の接続領域３とを含む。前記接続領域３を除くサブピクセル領域２間のベース基板１は中空領域４である。図１のＡＡ’の断面図を図２に示す。
サブピクセル領域２のそれぞれは、ピクセル回路５、前記ピクセル回路５を取り囲む分離構造６、およびピクセル回路５および前記分離構造６を覆う発光機能層７を有する。
前記分離構造６は、サブピクセル領域２と接続領域３の接合部の近くに中空パターン２９を有する。前記接続領域３は、信号線３１を有し、前記信号線３１は、中空パターン２９を通過し、前記ピクセル回路５は電気的に接続されている。
前記分離構造６は、発光機能層７を切断されるための溝８を有する。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板は、ピクセル回路を取り囲む分離構造を含む。当該分離構造は溝を有し、溝は発光機能層を切り離し、それにより水蒸気がサブピクセルの端からピクセル回路領域まで発光機能層を通過するのを防ぐ。水蒸気侵入の経路を遮断すると、パッケージングの信頼性が向上し、それによってデバイスの歩留まりが向上し、表示効果が向上する。
任意選択で、前記溝は、前記ピクセル回路に面する前記分離構造側面に配置される第１の溝、および／または、前記ピクセル回路とは背離する前記分離構造側面に配置される第２の溝を含む。
図２の溝８は、第１の溝９および第２の溝１０を含む。発光機能層７は、水蒸気がサブピクセルの端からピクセル回路領域まで発光機能層を通過するのを防ぐのを防ぐために、第１の溝９および第２の溝１０で切断される。エッジがピクセル回路領域に侵入する。もちろん、第１の溝または第２の溝のみを提供することで、水蒸気がサブピクセルの端から発光機能層を通ってピクセル回路領域に入るのを防ぐこともできる。例えば、図３に示すように、溝は、ピクセル回路５に面する前記分離構造６の側面に第１の溝９を含み、発光機能層７は、第１の溝９で切断される。または、図４に示すように、溝は、ピクセル回路５から離れた分離構造６の側面に配置された第２の溝１０を含み、発光機能層７は、第２の溝１０で切断される。図３と図４は、図１のＢＢ’に沿った断面図である。
任意選択で、前記分離構造は、積み重ねられた複数のフィルム層を含み、ここで、中間フィルム層の少なくとも一部の幅は、上部フィルム層の幅よりも小さい。「上部フィルム層」は、ベースから比較的離れた層である。
任意選択で、前記分離構造は、順次に積み重ねられた多層金属層および透明導電層を含み、ここで、前記多層金属層の中間層の幅は最小である。
したがって、多層金属層の中間層の幅は、上部フィルム層の幅よりも小さく、分離構造の側面に溝が形成される。ベース上の当該溝領域のオルソグラフィック投影は、ベース上の分離構造のオルソグラフィック投影によって覆われる。これにより、発光機能層を溝内で切断して、水蒸気がサブピクセルの端から発光機能層を通ってピクセル回路領域に入るのを防ぐことができる。
本出願の実施形態によって提供される図２から４に示されるフレキシブル基板において、前記分離構造６は、順次に積み重ねられた多層金属層１１と、透明導電層１２とを含む。前記多層金属層の中間層の幅は最小である。
図５に示すように、第１の溝と第２の溝を含む溝、および３つのフィルム層を含む多層金属層を例としてとると、多層金属層１１は、第１のフィルム層２１、第２のフィルム層２２および第３のフィルム層２３を含む。ここで、前記第２のフィルム層２２の幅が最小であり、第２のフィルム層２２の幅が第３のフィルム層２３の幅よりも小さい、それによって、多層金属層を含む分離構造の側面に溝を形成する。ベース上の当該溝領域のオルソグラフィック投影は、ベース上の分離構造のオルソグラフィック投影によって覆われるため、発光機能層を溝で切断して、水蒸気がサブピクセルの端からピクセル回路領域まで発光機能層を通過するのを防ぐことができる。
任意選択で、本出願の実施形態によって提供される図２から４に示されるフレキシブル基板において、前記多層金属層１１は、前記ピクセル回路５の薄膜トランジスタのソース１３およびドレイン１４と同じ層上に提供される。前記透明導電層１２と前記ピクセル回路５の透明導電層１２のアノード１５は、同じ層に配置されている。
すなわち、本出願の実施形態により提供されるフレキシブル基板において、分離構造は、ピクセル回路が形成されると同時に形成される。分離構造は、フレキシブル基板の作製の困難さおよび設計の複雑さを増すことなく形成され得、水蒸気がサブピクセルの端から発光機能層を通ってピクセル回路領域に入るのを防ぐことができる。水蒸気侵入の経路を遮断すると、パッケージングの信頼性が向上し、それによってデバイスの歩留まりが向上し、表示効果が向上する。
本出願の実施形態によって提供される図２から４に示されるフレキシブル基板において、ピクセル回路５はさらに、活性層１６、ゲート絶縁層１７、ゲート電極１８、層間絶縁層１９、および平坦化層２０を含む。具体的には、各サブピクセル領域２において、ゲート絶縁層１７、層間絶縁層１９および平坦化層２０などの絶縁層のパターンはすべて、分離構造６によって囲まれた領域に位置している。フレキシブル基板はまた、発光層上に配置されたカソードを含む。フレキシブル基板は、ベース基板上に緩衝層をさらに含み得、ピクセル回路は、緩衝層上に配置される。ゲート電極は、第１のゲート電極および第２のゲート電極を含み得、ピクセル回路は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に配置されたゲート絶縁層をさらに含み得る。図２～４は、トップゲート構造の薄膜トランジスタを含むピクセル回路を例として説明する。もちろん、薄膜トランジスタは、ボトムゲート構造を有することもできる。
任意選択で、多層金属層はチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタンスタックである。
図５に示す多層金属層を例にとると、第１のフィルム層２１および第３のフィルム層２３の材料はチタンであり、第２のフィルム層２２の材料はアルミニウムである。もちろん、多層金属層には他の材料を選択することもできる。
任意選択で、透明導電層は、インジウムスズオキシド（ＩＴＯ）／銀（Ａｇ）／インジウムスズ酸化物のスタックである。もちろん、透明導電層には他の材料を選択することもできる。
任意選択で、前記分離構造の最大幅は５μｍから１５μｍである。
任意選択で、前記分離構造と前記ピクセル回路の間の距離は５μｍから１０μｍである。
任意選択で、前記分離構造と前記サブピクセル領域のエッジの間の距離は５μｍ－１０μｍである。
任意選択で、図６に示されるように、前記発光機能層７は、発光層３０および前記発光層３０上に配置されたカソード３１を含み、溝８は、前記カソード３１を切断する。
カソードの材料は水蒸気によって容易に腐食される。本出願の実施形態によって提供されるフレキシブル基板において、分離構造の溝は、発光機能層のカソードを切断させ、それにより、水蒸気がサブピクセルの端からカソードを通ってピクセル回路領域に入るのを防ぐ。水蒸気侵入経路は、パッケージの信頼性を向上させることができ、それによってデバイスの歩留まりを向上させ、表示効果を向上させる。
任意選択で、前記カソードの材料はマグネシウム－銀合金である。
任意選択で、図６に示されるように、フレキシブル基板は、ピクセル定義層３２をさらに含む。前記ピクセル定義層３２は、サブピクセル領域の発光領域を定義し、発光層３０は、ピクセル定義層３２によって定義される発光領域に配置される。
本出願の図２では、各サブピクセル領域２に１つのサブピクセル回路のみが示されているが、これは、本出願の各サブピクセル領域２に１つのサブピクセルしか提供できないことを意味しないことに留意されたい。実際の設計では、各サブピクセル領域２に複数のサブピクセルを設けることができ、要件に応じて特定の数を決定することができる。
同じ発明の概念に基づいて、本出願の実施形態はまた、フレキシブル基板を作製するための方法を提供する。図７に示されるように、この方法は、以下を含む。
Ｓ１０１：ベース基板を提供し、前記ベース基板は、アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域および各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域に分割され、前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間ベース基板は中空領域として構成される。
Ｓ１０２：前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成し、前記接続領域に前記ピクセル回路を接続する信号線を形成する。
Ｓ１０３：前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成する。
ここで、前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部に中空パターンを有し、前記接続領域にある信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の作製方法は、ピクセル回路を取り囲む分離構造を形成し、当該分離構造は溝を有し、溝は発光機能層を切り離し、それにより水蒸気がサブピクセルの端からピクセル回路領域まで発光機能層を通過するのを防ぐ。水蒸気侵入の経路を遮断すると、パッケージングの信頼性が向上し、それによってデバイスの歩留まりが向上し、表示効果が向上する。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の作製方法を使用して、分離構造の溝を形成することは、前記ピクセル回路に面する前記分離構造側面に配置される第１の溝を形成すること、および／または、前記ピクセル回路とは背離する前記分離構造側面に配置される第２の溝を形成することを含み得る。任意選択で、前記分離構造は、積み重ねられた複数のフィルム層を含み、ここで、中間フィルム層の少なくとも一部の幅は、上部フィルム層の幅よりも小さい。
任意選択で、ステップＳ１０２において、前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成することは具体的には以下を含む。
前記ベース基板上に薄膜トランジスタの各フィルム層を順次に形成し、ここで、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン金属層を形成するとともに、パッケージング領域を覆う多層金属層を形成する。「パッケージ領域」、すなわち、分離構造が配置されている領域を含む、ピクセル回路以外の領域である。
前記薄膜トランジスタと前記多層金属層上にアノード層を形成し、パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成し、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成し、前記ベース基板上で、前記透明導電層のパターンの投影と前記多層金属層のパターンの投影が重なる
前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成する。
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成し、前記ベース基板上で、前記透明導電層のパターンの投影と前記多層金属層のパターンの投影が重なる
前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成する。
本出願の実施形態により提供されるフレキシブル基板を作製する方法は、多層金属層および透明導電層を採用して、分離構造を形成し、ピクセル回路を形成しながら分離構造を形成するので、フレキシブル基板を作製する困難を増すことなく、分離構造を形成することができる。水蒸気がサブピクセルの端から発光機能層を通ってピクセル回路領域に入るのを防ぐことができる，水蒸気侵入の経路を遮断すると、パッケージングの信頼性が向上し、それによってデバイスの歩留まりが向上し、表示効果が向上する。
なお、分離構造が、ピクセル回路の薄膜トランジスタのソースおよびドレインと同じ層に設けられた多層金属層、およびピクセル回路のアノードと同じ層に設けられた透明導電層を含む場合、パッケージング領域に多層金属層のパターンおよび透明導電層のパターンを形成する必要がある。多層金属層および透明導電層のパターニングプロセスは、例えば、フォトレジストコーティング、露光、現像、エッチングなどを含み得る。多層金属層が形成される場合、多層金属層が最初にパターニングされ、次にアノード層が形成され、アノードがパターニングされる。つまり、フォトレジストコーティング、露光、現像、エッチングの２回のプロセスが必要である。現在の露光機が調整精度に限界があるため、２つのパターニングプロセスでミスアライメントが発生しやすく、多層金属層のパターンと透明導電層のパターンがずれてしまう恐れがある。多層金属層の側面は透明導電層で覆われており、当該側面にその後溝を形成できなくなる。
しかしながら、本出願の実施形態によって提供されるフレキシブル基板を作製する方法では、パッケージング領域に多層金属層を形成した後、パッケージング領域に多層金属層はパターニングされず、代わりに、アノード層が形成された後に最初にアノード層に対してパターニングプロセスを行い、多層金属層上に透明導電層のパターンを形成し、次に透明導電層のパターンを基準として使用して、多層金属層上でパターニングプロセスを実行する。すなわち、多層金属層のパターンと透明導電層のパターンとの間の整列のずれを回避するために自己整列法によって形成され、それによって溝を形成できないことを回避し、製品の歩留まりを確保し、パッケージング効果を改善する。
もちろん、パターニングプロセスの位置合わせ精度が要件を満たすことができる場合は、最初に多層金属層をパターニングしてから、アノード層を形成し、アノードをパターニングすることを選択することも可能である。
任意選択で、パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成することは、具体的に、ウェットエッチングプロセスを使用して、前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成する
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成することは、具体的に、乾式エッチングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成する。
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成することは、具体的に、乾式エッチングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成する。
任意選択で、前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成することは、具体的に、ウェットエッチングプロセスを使用して、前記多層金属層の中間層をエッチングし、前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記多層金属層背とは背離する記ピクセル回路の側面に溝が形成される。即ち、前記多層金属層の中間層の幅は最小である。
多層金属層とソースおよびドレイン金属層は同じ層に配置され、同じ材料を持っている。Ｔｉ／ Ａｌ ／ Ｔｉ積層構造の多層金属層を例にとると、多層金属層の中間層の金属Ａｌはエッチング液でウェットエッチングできる。エッチング後、Ｔｉが残るため、溝を形成することができる。
本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の作製方法，ウェットエッチングプロセスを使用して、前記多層金属層の中間層をエッチングし透明導電層を形成するためのエッチング溶液を使用することができる。即ち、本出願の実施形態に係るフレキシブル基板の作製方法は、追加のプロセスを追加することなく、溝のある分離構造を形成することができる。
任意選択で、前記発光機能層は、発光層および前記発光層上に配置されたカソードを含み、ステップＳ１０３は、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成し、これは、具体的には、以下を含む。
前記ピクセル回路上に発光層を形成し、
前記発光層および前記分離構造を覆うカソードを形成し、前記溝は、前記カソードを切断する。
前記発光層および前記分離構造を覆うカソードを形成し、前記溝は、前記カソードを切断する。
任意選択で、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成する前に、この方法はさらに以下を含む：ピクセル定義層を形成する。
次に、サブピクセル領域におけるピクセル回路の形成および分離構造の形成を例として取り上げ、本出願の実施形態で提供されるフレキシブル基板を作製する方法を例として説明する。図８に示すように、フレキシブル基板を作製する方法は、以下を含む。
Ｓ２０１：ベース基板１上に緩衝層２４および活性層１６のパターンを形成する。
それらの中で、緩衝層は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）および酸化ケイ素（ＳｉＯ2）のスタックであり得、緩衝層の厚さは、１０００から５０００オングストロームであり。活性層の材料は、例えば、ｐ－Ｓｉであり得る。活性層の厚さは、 ２００～１０００オングストロームである。
Ｓ２０２：活性層１６上にゲート絶縁層１７を形成し、ゲート絶縁層１７上にゲート電極１８のパターンを形成する。
ここで、ゲート絶縁層１７を第１のゲート絶縁層として使用し、第１のゲート電極のパターンをゲート絶縁層１７上に形成することもでき、第２のゲート絶縁層を第１のゲート電極上に形成し、第２のゲート電極のパターンを第２のゲート絶縁層上に形成することもできる。第１のゲート絶縁層および第２のゲート絶縁層は、例えば、ＳｉＮxおよびＳｉＯ2のスタックであり得、第１のゲート絶縁層および第２のゲート絶縁層の厚さは、１０００～５０００オングストロームである。第１のゲート電極と第２のゲート電極の材料は、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）など金属フィルム層であり得、第１ゲート電極と第２ゲート電極の厚さは、１０００オングストローム～５０００オングストロームである。
Ｓ２０３：ゲート電極１８上に層間絶縁層１９を形成する。
ここで、層間絶縁層の材料を形成した後、ピクセル回路領域は、ビアホール２７を形成するようにパターニングされ、パッケージング領域の材料は、完全に露出されて除去される。層間絶縁層は、例えば、ＳｉＮxおよびＳｉＯ2のスタックであり得る。ならびに層間絶縁層の厚さは３０００～８０００オングストロームである。
Ｓ２０４：ソース１３、ドレイン１４、およびパッケージング領域を覆う多層金属層１１を形成する。
ソース、ドレイン、および多層金属層は、Ｔｉ ／ Ａｌ ／ Ｔｉ積層構造を採用しており、ソース、ドレイン、および多層金属層の厚さは、５００～１００００オングストロームである。
Ｓ２０５：平坦化層２０を形成する。
平坦化層の材料は樹脂（Ｒｅｓｉｎ）接着剤である。樹脂接着剤の層が形成された後、ピクセル回路領域とパッケージング領域がそれぞれパターニングされる。ピクセル回路領域がパターニングされてビアホール２８を形成し、パッケージング領域の材料が完全に露出されて除去される。
Ｓ２０６：アノード材料を堆積させてアノード層を形成し、フォトレジスト２６をアノード層上にコーティングし、露光、現像、およびエッチングプロセスを実行して、アノード１５のパターンおよび透明導電層１２のパターンを形成する。
その中で、アノード層の構造はＩＴＯ ／ Ａｇ ／ ＩＴＯスタックであり、アノード層の総厚は１０００オングストロームから５０００オングストロームである。エッチングプロセスはウェットエッチングである。
Ｓ２０７：透明導電層１２のパターンを基準として使用して、多層金属層１１に対して乾式エッチングプロセスを実施し、多層金属層のパターンを形成する。
Ｓ２０８：アノード層をエッチングするためのエッチング溶液を使用して、多層金属層１１をエッチングし、ピクセル回路に面する多層金属層１１の側面に第１の溝９を形成し、およびピクセル回路から離れた多層金属層１１の側面に第１の溝１を形成する。 フォトレジストを取り除く。
具体的には、エッチング溶液は、Ｔｉ ／ Ａｌ ／ Ｔｉ積層構造内のＡｌをエッチングしてＴｉを残し、それによって溝を形成する。
ステップＳ２０８の後、ピクセル定義層、発光層、および前記発光層を覆うカソード、ピクセル定義層と分離構造のカソードが順次形成される。第１の溝および第２の溝は、水蒸気がカソードを通過することによりのサブピクセルの端からピクセル回路領域に入ることを防ぐためにカソードを切断する。水蒸気侵入の経路を遮断すると、パッケージングの信頼性が向上し、それによってデバイスの歩留まりが向上し、表示効果が向上する。
本出願の実施形態に係るディスプレイ装置は、本出願の実施形態に係る上記フレキシブル基板を含む。
本出願の実施形態に係るディスプレイ装置は、フレキシブルで伸縮性のあるディスプレイ装置であり得る。
要約すると、フレキシブル基板およびその作製方法、ならびに本出願の実施形態によって提供されるディスプレイ装置は、ピクセル回路を取り囲む分離構造を備えている。当該分離構造は溝を有し、溝は発光機能層を切り離し、それにより水蒸気がサブピクセルの端からピクセル回路領域まで発光機能層を通過するのを防ぐ。水蒸気侵入の経路を遮断すると、パッケージングの信頼性が向上し、それによってデバイスの歩留まりが向上し、表示効果が向上する。
明らかに、当業者は、本出願の精神および範囲から逸脱することなく、本出願に様々な変更および修正を加えることができる。このように、このアプリケーションのこれらの変更およびバリエーションが、この本出願およびそれらの同等の技術の特許請求の範囲内にある場合、この本出願はまた、これらの変更およびバリエーションを含むことを意図する。
Claims (15)
- アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域を有するベース基板と、各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域とを含み、前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間のベース基板は中空領域であり、
各前記サブピクセル領域には、ピクセル回路と、前記ピクセル回路を囲む分離構造と、前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層とが備えられ、
前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部近くに中空パターンがあり、前記接続領域には信号線があり、前記信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、
前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある、
ことを特徴とするフレキシブル基板。 - 前記溝は、前記ピクセル回路に面する前記分離構造側面に配置される第１の溝、および／または、前記ピクセル回路とは背離する前記分離構造側面に配置される第２の溝を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル基板。
- 前記分離構造は、積み重ねられた複数のフィルム層を含み、ここで、中間フィルム層の少なくとも一部の幅は、上部フィルム層の幅よりも小さい、ことを特徴とする請求項２に記載のフレキシブル基板。
- 前記分離構造は、順次に積み重ねられた多層金属層および透明導電層を含み、ここで、前記多層金属層の中間層の幅は最小である、ことを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル基板。
- 前記多層金属層は、前記ピクセル回路の薄膜トランジスタのソースおよびドレインと同じ層に設置され、前記透明導電層は、前記ピクセル回路のアノードと同じ層に設置される、ことを特徴とする請求項４に記載のフレキシブル基板。
- 前記多層金属層は、チタン／アルミニウム／チタンスタックである、ことを特徴とする請求項５に記載のフレキシブル基板。
- 前記透明導電層は、インジウムスズ酸化物／銀／インジウムスズ酸化物のスタックである、ことを特徴とする請求項５に記載のフレキシブル基板。
- 前記発光機能層は、発光層および前記発光層上に配置されたカソードを含み、前記溝は、前記カソードを切断する、ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のフレキシブル基板。
- 前記カソードの材料はマグネシウム－銀合金である、ことを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル基板。
- ベース基板を提供するステップであり、前記ベース基板は、アレイ状に配置された複数のサブピクセル領域および各前記サブピクセル領域の間の、隣接する前記サブピクセル領域を接続するために使用される接続領域に分割され、前記接続領域を除く各前記サブピクセル領域の間ベース基板は中空領域として構成される前記提供するステップと、
前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成し、前記接続領域に前記ピクセル回路を接続する信号線を形成するステップと、
前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成するステップと、
を含み、
前記分離構造は、前記サブピクセル領域と前記接続領域の接合部に中空パターンを有し、前記接続領域にある信号線は、前記中空パターンを介して前記ピクセル回路に電気的に接続され、前記分離構造には、前記発光機能層を切断するための溝がある、ことを特徴とするフレキシブル基板の作製方法。 - 前記サブピクセル領域に、ピクセル回路を形成し、前記ピクセル回路を囲む分離構造を形成するステップは、
前記ベース基板上に薄膜トランジスタの各フィルム層を順次に形成し、ここで、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン金属層を形成するとともに、パッケージング領域を覆う多層金属層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタと前記多層金属層上にアノード層を形成し、パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップと、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップであって、前記ベース基板上で、前記透明導電層のパターンの投影と前記多層金属層のパターンの投影が重なる前記形成するステップと、
前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成するステップと
を含む、ことを特徴とする請求項１０に記載のフレキシブル基板の作製方法。 - パターニングプロセスを使用して前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップは、
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記薄膜トランジスタ上のアノードのパターンを形成し、および、前記多層金属層上の透明導電層のパターンを形成するステップを含み、
パターニングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップは、乾式エッチングプロセスを使用して多層金属層のパターンを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル基板の作製方法。 - 前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記ピクセル回路とは背離する前記多層金属層の側面に溝を形成するステップは、
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記多層金属層の中間層をエッチングし、前記ピクセル回路に面する前記多層金属層の側面および／または前記多層金属層背とは背離する記ピクセル回路の側面に溝が形成されるステップを含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル基板の作製方法。 - 前記発光機能層は、発光層と、前記発光層上に配置されたカソードとを含み、
前記ピクセル回路および前記分離構造を覆う発光機能層を形成するステップは、
前記ピクセル回路上に発光層を形成するステップと、
前記発光層および前記分離構造を覆うカソードを形成し、前記溝は、前記カソードを切断するステップと
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のフレキシブル基板の作製方法。 - 請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のフレキシブル基板を含むディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910023365.9A CN109742121B (zh) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | 一种柔性基板及其制备方法、显示装置 |
| CN201910023365.9 | 2019-01-10 | ||
| PCT/CN2019/125376 WO2020143396A1 (zh) | 2019-01-10 | 2019-12-13 | 柔性基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022516590A true JP2022516590A (ja) | 2022-03-01 |
| JP7438971B2 JP7438971B2 (ja) | 2024-02-27 |
Family
ID=66364338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020557984A Active JP7438971B2 (ja) | 2019-01-10 | 2019-12-13 | フレキシブル基板、その作製方法、ディスプレイ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11171304B2 (ja) |
| EP (1) | EP3910679B1 (ja) |
| JP (1) | JP7438971B2 (ja) |
| CN (1) | CN109742121B (ja) |
| WO (1) | WO2020143396A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109742121B (zh) | 2019-01-10 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、显示装置 |
| JP7331016B2 (ja) | 2019-03-26 | 2023-08-22 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
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| WO2021007712A1 (zh) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110265583B (zh) | 2019-07-26 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
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Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5222455B2 (ja) | 2004-04-28 | 2013-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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| CN104465702B (zh) | 2014-11-03 | 2019-12-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板的制作方法 |
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| JP2016225319A (ja) | 2016-10-04 | 2016-12-28 | 双葉電子工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 |
| CN107742635B (zh) | 2017-09-27 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN110085133A (zh) | 2018-01-26 | 2019-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
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| CN208270884U (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板和显示装置 |
| CN209087845U (zh) * | 2019-01-10 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及显示装置 |
| CN109742121B (zh) * | 2019-01-10 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、显示装置 |
-
2019
- 2019-01-10 CN CN201910023365.9A patent/CN109742121B/zh active Active
- 2019-12-13 EP EP19908939.2A patent/EP3910679B1/en active Active
- 2019-12-13 JP JP2020557984A patent/JP7438971B2/ja active Active
- 2019-12-13 US US16/766,849 patent/US11171304B2/en active Active
- 2019-12-13 WO PCT/CN2019/125376 patent/WO2020143396A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3910679B1 (en) | 2023-12-06 |
| CN109742121A (zh) | 2019-05-10 |
| EP3910679A4 (en) | 2022-10-26 |
| US20210226154A1 (en) | 2021-07-22 |
| WO2020143396A1 (zh) | 2020-07-16 |
| US11171304B2 (en) | 2021-11-09 |
| CN109742121B (zh) | 2023-11-24 |
| EP3910679A1 (en) | 2021-11-17 |
| JP7438971B2 (ja) | 2024-02-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231004 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240214 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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