JP2016225319A - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は、汎用性を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
基板上に、陽極、有機発光層を含む有機層、及び、陰極を有する、少なくとも一つの有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記基板上に設けられ、前記有機エレクトロルミネッセンス素子より膜厚が厚い構造体と、
前記構造体の段差底部に設けられ、当該段差底部における断面形状を、その曲率半径が少なくとも0.3μmとなるように形成する被覆部と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記構造体、及び、前記被覆部を被覆するパッシベーション膜と、
を備える、ことを特徴とする。
前記有機エレクトロルミネッセンス素子と前記封止板または前記封止フィルムとの間に乾燥剤を充填して接着した充填封止構造、または、前記封止板または前記封止フィルムの全面を接着剤で接着した固体封止構造を有する、ことが好ましい。
前記被覆部は、例えば、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層または正孔注入層を構成する材料である。
前記構造体は、カソードセパレーターであり、オーバーハング部を有し、
前記被覆部は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層または正孔注入層を構成する材料である、ことが好ましい。
前記被覆部は、ポジ型フォトレジスト材料である、ことが好ましい。
基板上に、陽極と、有機発光層を含む有機層、及び、陰極を有する、少なくとも一つの有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法であって、
前記基板上の所定位置に陽極を形成する陽極形成工程と、
前記基板上の所定位置に前記有機エレクトロルミネッセンス素子より膜厚が厚い構造体を形成する構造体形成工程と、
前記構造体の段差底部に当該段差底部における断面形状を、その曲率半径が少なくとも0.3μmとなるように被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記陽極上に有機層、及び、陰極を成膜することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記構造体、及び、前記被覆部を被覆するパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程と、を備える、ことを特徴とする。
前記被覆部形成工程では、正孔注入材料と正孔輸送材料との少なくとも一方を成膜し加熱、流動させることにより、前記構造体の段差底部に前記被覆部を形成するとともに、正孔注入層と正孔輸送層との少なくとも一方を形成する、ことが好ましい。
本実施例では、有機ELデバイス1としてパッシブマトリクス型有機ELディスプレイ(PMOLED)を作製した場合を例に説明する。
実施例2では、基板2上に、陽極31、絶縁膜4、及び、構造体5を形成するまでは実施例1と同様の方法により製造した。
まず、ガラス等の支持基板上に基板2としてPETフィルムを仮固定し、表面にハードコート層としてアクリル樹脂を塗布し、さらに透湿防止膜として窒化酸化シリコンをプラズマCVD法で成膜した。その上に実施例1と同様に、陽極材料としてITO(酸化インジウムスズ)をスパッタ法で成膜し、その後、陽極パターンをフォトリソ法により形成した。続いて、配線金属としてMo(モリブデン)合金/Al(アルミニウム)合金/Mo合金の積層膜(MAM配線膜)をスパッタ法で真空を破らずに連続成膜し、さらに、同様にフォトリソ法で陽極とドライバーICを繋ぐための配線パターンを加工した。
2 基板
3 有機EL素子
31 陽極
32 有機層
33 陰極
4 絶縁膜
5 構造体
51 段差底部
6 被覆部
7 パッシベーション膜
Claims (9)
- 基板上に、陽極、有機発光層を含む有機層、及び、陰極を有する、少なくとも一つの有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記基板上に設けられ、前記有機エレクトロルミネッセンス素子より膜厚が厚い構造体と、
前記構造体の段差底部に設けられ、当該段差底部における断面形状を、その曲率半径が少なくとも0.3μmとなるように形成する被覆部と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記構造体、及び、前記被覆部を被覆するパッシベーション膜と、
を備える、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止板または封止フィルムをさらに備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子と前記封止板または前記封止フィルムとの間に乾燥剤を充填して接着した充填封止構造、または、前記封止板または前記封止フィルムの全面を接着剤で接着した固体封止構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記被覆部は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記被覆部は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層または正孔注入層を構成する材料である、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、パッシブマトリクス型ディスプレイであり、
前記構造体は、カソードセパレーターであり、オーバーハング部を有し、
前記被覆部は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層または正孔注入層を構成する材料である、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記構造体は、カソードセパレーターであり、オーバーハング部を有し、
前記被覆部は、ポジ型フォトレジスト材料である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 基板上に、陽極と、有機発光層を含む有機層、及び、陰極を有する、少なくとも一つの有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法であって、
前記基板上の所定位置に陽極を形成する陽極形成工程と、
前記基板上の所定位置に前記有機エレクトロルミネッセンス素子より膜厚が厚い構造体を形成する構造体形成工程と、
前記構造体の段差底部に当該段差底部における断面形状を、その曲率半径が少なくとも0.3μmとなるように被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記陽極上に有機層、及び、陰極を成膜することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記構造体、及び、前記被覆部を被覆するパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程と、を備える、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 前記有機層は、正孔注入層と正孔輸送層との少なくとも一方を含み、
前記被覆部形成工程では、正孔注入材料と正孔輸送材料との少なくとも一方を成膜し加熱、流動させることにより、前記構造体の段差底部に前記被覆部を形成するとともに、正孔注入層と正孔輸送層との少なくとも一方を形成する、ことを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 前記被覆部形成工程では、ポジレジストを塗布し、全面露光することにより、前記構造体の段差底部に被覆部を形成する、ことを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
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