JP7299763B2 - プログラム、記録媒体、制御装置、制御方法及び製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、プログラム、記録媒体、制御装置、制御方法及び製造装置に関する。

近年、発光装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が開発されている。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬによって光を発する有機層を有している。有機層は、第１電極及び第２電極の間に位置している。有機層は、第１電極及び第２電極の間の電圧によって光を発するとともに、第１電極及び第２電極の接触、すなわち、第１電極及び第２電極の短絡を防いでいる。

特許文献１に記載されているように、第１電極上に異物が存在する状態で第１電極上に有機層を蒸着によって形成すると、異物の周辺で有機層が途切れて、第１電極及び第２電極が短絡し得る。特許文献１には、第１電極及び第２電極の接触を防ぐため、有機層を形成した後に基板を加熱することが記載されている。基板の加熱によって有機層が流動性を示し、異物が有機層によって埋め込まれる。このようにして、異物の周辺で有機層が途切れることを防ぎ、第１電極及び第２電極の短絡を防いでいる。

特許文献２には、フラッシュランプアニーリング（ＦＬＡ）の一例について記載されている。このＦＬＡでは、充電電圧が印加されたキャパシタからフラッシュランプに電力を供給して、フラッシュランプからフラッシュ光を基板に向けて照射させる。特許文献２には、フラッシュ光が照射された基板が目標温度に到達するために必要な充電電圧を設定することが記載されている。

特開２０００－９１０６７号公報 特開２０１１－２１０７６８号公報

特許文献１に記載されているように、基板の加熱によって異物を有機層によって埋め込むことがある。本発明者は、電磁波の照射、例えば、フラッシュランプアニーリング（ＦＬＡ）による加熱を検討した。電磁波の照射においては、電磁波の条件の最適化が求められるが、例えば、基板及び薄膜（薄膜は、例えば、有機層又は電極を含む。）を有する積層体内の各層の温度測定が難しく、ＦＬＡの条件を最適化できなかった。

本発明が解決しようとする課題としては、積層体のＦＬＡの条件を最適化することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
コンピュータを、
積層体内の複数の層のそれぞれの屈折率、消衰係数及び厚さを用いて、前記複数の層のそれぞれの分光吸収率を算出する第１算出部と、
前記第１算出部によって算出された前記分光吸収率と、前記積層体に照射される電磁波の分光スペクトルと、の積である実効分光吸収率を前記複数の層のそれぞれについて算出する第２算出部と、
前記第２算出部によって算出された前記実効分光吸収率を用いて、前記積層体に照射される前記電磁波によって前記複数の層のそれぞれに発生する熱量を算出する第３算出部と、
前記第３算出部によって算出された前記熱量と、前記複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量と、を用いて、前記積層体のうちの少なくとも一の位置の温度を算出する第４算出部と、
前記第４算出部によって算出された前記温度に基づいて、電磁波照射部から照射される電磁波のパワーを制御する制御部と、
して機能させるプログラムである。

請求項６に記載の発明は、
上記プログラムを記録した、コンピュータが読み取り可能な記録媒体である。

請求項７に記載の発明は、
積層体内の複数の層のそれぞれの屈折率、消衰係数及び厚さを用いて、前記複数の層のそれぞれの分光吸収率を算出する第１算出部と、
前記第１算出部によって算出された前記分光吸収率と、前記積層体に照射される電磁波の分光スペクトルと、の積である実効分光吸収率を前記複数の層のそれぞれについて算出する第２算出部と、
前記第２算出部によって算出された前記実効分光吸収率を用いて、前記積層体に照射される前記電磁波によって前記複数の層のそれぞれに発生する熱量を算出する第３算出部と、
前記第３算出部によって算出された前記熱量と、前記複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量と、を用いて、前記積層体のうちの少なくとも一の位置の温度を算出する第４算出部と、
前記第４算出部によって算出された前記温度に基づいて、電磁波照射部から照射される電磁波のパワーを制御する制御部と、
を備える制御装置である。

請求項８に記載の発明は、
電磁波照射部を、上記制御装置によって制御する制御方法である。

請求項９に記載の発明は、
積層体が搬入される搬入部と、
前記搬入部に搬入された前記積層体に電磁波を照射する電磁波照射部と、
前記電磁波照射部を制御する、請求項７に記載の制御装置と、
を含む、製造装置である。

実施形態１に係る制御装置を説明するための図である。 図１に示した制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。 制御装置の動作のステップＳ１０の詳細を説明するための図である。 制御装置の動作のステップＳ２０の詳細を説明するための図である。 制御装置の動作のステップＳ３０の詳細を説明するための図である。 制御装置の動作のステップＳ４０の詳細を説明するための図である。 実施形態１に係る製造装置を説明するための図である。 実施形態１に係る発光装置の断面図である。 実施形態２に係る制御装置を説明するための図である。 実施例に係る制御装置のハードウエア構成の一例を示す図である。

本明細書における「発光装置」とは、ディスプレイや照明等の発光素子を有するデバイスを含む。また、発光素子と直接的、間接的又は電気的に接続された配線、ＩＣ（集積回路）又は筐体等も「発光装置」に含む場合もある。

本明細書において、特に断らない限り、「膜」という表現と「層」という表現とは、状況及び場合に応じて適宜置換することが可能である。例えば、「絶縁膜」という文言は、「絶縁層」という文言に置換することが可能である。

本明細書において、特に断りがない限り「第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）」等の表現は要素を区別するためのものであり、その表現により該当要素の本質、順番、順序又は個数等が限定されるものではない。

本明細書において、各部材及び各要素は単数であってもよいし、又は複数であってもよい。ただし、文脈上、「単数」又は「複数」が明確になっている場合はこれに限らない。

本明細書において、「ＡがＢを含む」という表現は、特に断らない限り、ＡがＢのみによって構成されていることに限定されず、ＡがＢ以外の要素によって構成され得ることを意味する。

本明細書において「断面」とは、特に断らない限り、発光装置を画素や発光材料等が積層した方向に切断したときに現れる面を意味する。

本明細書において「有さない」、「含まない」、「位置しない」等の表現は、ある要素が完全に排除されていることを意味してもよいし、又はある要素が技術的な効果を有さない程度に存在していることを意味してもよい。

本明細書において、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」等の時間的前後関係を説明する表現は、相対的な時間関係を表しているものであり、時間的前後関係が用いられた各要素が必ずしも連続しているとは限らない。各要素が連続していることを表現する場合、「直ちに」又は「直接」等の表現を用いることがある。

本明細書において「Ａを加熱する」という表現は、Ａに熱が加わることを意味しており、Ａのみを加熱することに限定されない。当該表現は、例えば、Ａを含む要素が加熱されることを意味してもよい。また、「加熱する」とは故意的又は人為的に熱を加えることを意味し、Ａの周囲の雰囲気の単なる温度変化は含まない。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る制御装置３０を説明するための図である。図２は、図１に示した制御装置３０の動作の一例を示すフローチャートである。

図１及び図２を用いて、制御装置３０の概要を説明する。制御装置３０は、第１算出部３１０、第２算出部３２０、第３算出部３３０、第４算出部３４０及び制御部３５０を含んでいる。第１算出部３１０は、積層体１２の複数の層（図１に示す例では、第１層１５２、第２層１５４及び基板１００）のそれぞれの屈折率（ｎ_１、ｎ_２及びｎ_３）、消衰係数（ｋ_１、ｋ_２及びｋ_３）及び厚さ（ｄ_１、ｄ_２及びｄ_３）を用いて、複数の層のそれぞれの分光吸収率を算出する（ステップＳ１０）。積層体１２は、基板１００及び有機層１２０ａ（第１層１５２）を含んでいる。第２算出部３２０は、第１算出部３１０によって算出された分光吸収率及び積層体１２に照射される電磁波の分光スペクトルの積である実効分光吸収率を複数の層のそれぞれについて算出する（ステップＳ２０）。第３算出部３３０は、第２算出部３２０によって算出された実効分光吸収率を用いて、積層体１２に照射される電磁波によって複数の層のそれぞれに発生する熱量を算出する（ステップＳ３０）。第４算出部３４０は、第３算出部３３０によって算出された熱量並びに複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量を用いて、積層体１２のうちの少なくとも一の位置の温度を算出する（ステップＳ４０）。制御部３５０は、第４算出部３４０によって算出された温度に基づいて、電磁波照射部２００から照射される電磁波のパワーを制御する（ステップＳ５０）。

本実施形態によれば、積層体１２のＦＬＡの条件、特に、電磁波のパワーを最適化することができる。具体的には、制御装置３０は、電磁波照射部２００から電磁波が照射された場合における積層体１２のうちの一の位置の温度をシミュレートすることができる（ステップＳ１０～Ｓ４０）。したがって、制御装置３０は、このシミュレーション結果を用いて、電磁波の最適なパワーを決定することができる（ステップＳ５０）。

本実施形態では、フラッシュランプアニーリング（ＦＬＡ）による積層体１２の加熱をシミュレートしている。ＦＬＡは、加熱によって有機層に流動性を与えて、異物を有機層によって埋め込むために実施される。例えば、図１に示す例では、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０（第２層１５４）を形成した後に基板１００を大気に曝すと、第１電極１１０（第２層１５４）の表面に大気中の異物が付着することがある。その後、例えば蒸着によって、第１電極１１０（第２層１５４）上に有機層１２０ａ（第１層１５２）を形成しても、異物が有機層１２０ａ（第１層１５２）によって埋め込まれないことがある。しかしながら、この場合であっても、ＦＬＡによって有機層１２０ａ（第１層１５２）に流動性を与えることで、有機層１２０ａ（第１層１５２）によって異物を埋め込むことができる。

以下、ステップＳ１０～Ｓ５０のそれぞれの詳細を説明する。

図１に示す例において、積層体１２は、基板１００、第１層１５２及び第２層１５４を含んでいる。第２層１５４及び第１層１５２は、基板１００の第１面１０２から順に並んでいる。第１層１５２は、有機層１２０ａであり、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）である。第２層１５４は、第１電極１１０であり、例えば、銀層である。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。本明細書の説明から明らかなように、本実施形態が適用可能な積層体１２の構造は、図１に示す構造に限定されない。本実施形態は、基板１００と、薄膜としての有機層１２０ａと、を含む積層体１２を例示している。本実施形態に係る制御装置３０によれば、基板１００と、有機層１２０ａとは異なる薄膜（例えば、電極）と、を含む積層体のＦＬＡの条件の最適化も可能である。薄膜とは、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する膜であり、例えば、有機ＥＬ素子の有機層又は電極である。

図３は、制御装置３０の動作のステップＳ１０の詳細を説明するための図である。

第１層１５２は、屈折率ｎ_１、消衰係数ｋ_１及び厚さｄ_１を有しており、第２層１５４は、屈折率ｎ_２、消衰係数ｋ_２及び厚さｄ_２を有しており、基板１００は、屈折率ｎ_３、消衰係数ｋ_３及び厚さｄ_３を有している。

電磁波（図３において矢印で図示）は、基板１００の第１面１０２側から照射され、第１層１５２の表面から積層体１２に入射している。電磁波は、積層体１２の各層（第１層１５２、第２層１５４及び基板１００）において吸収されており、異なる媒質間の界面（例えば、積層体１２の外部及び第１層１５２の表面の間の界面、隣り合う層間の界面及び基板１００の第２面１０４及び積層体１２の外部の間の界面）において反射されている。

第１算出部３１０は、積層体１２の光学解析を用いて積層体１２の各層の分光吸収率を算出する。光学解析の手法としては例えば転送行列法、フレネル係数法、特性マトリクス法、ＦＤＴＤ（Ｆｉｎｉｔｅ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ Ｔｉｍｅ－Ｄｏｍａｉｎ）法などがある。ここに例示した光学解析では、第１算出部３１０は、積層体１２の各層の屈折率（ｎ_１、ｎ_２及びｎ_３）、消衰係数（ｋ_１、ｋ_２及びｋ_３）及び厚さ（ｄ_１、ｄ_２及びｄ_３）を用いて、多重反射及び多重干渉を考慮して、第１層１５２、第２層１５４及び基板１００について、それぞれ、分光吸収率Ａ_１（λ）、Ａ_２（λ）及びＡ_３（λ）を算出することができる。例えば転送行列を用いた解析の手順を説明する。積層体１２の各層の屈折率（ｎ_１、ｎ_２及びｎ_３）、消衰係数（ｋ_１、ｋ_２及びｋ_３）及び厚さ（ｄ_１、ｄ_２及びｄ_３）を用いて積層体１２の分光反射率Ｒ（λ）及び分光透過率Ｔ（λ）を算出することができる。したがって、第１算出部３１０は、算出された分光反射率Ｒ（λ）及び分光透過率Ｔ（λ）を用いて、Ｒ（λ）＋Ｔ（λ）＋Ａ（λ）＝１に示される関係に基づいて、分光吸収率Ａ（λ）を算出することができる。次に積層体１２の分光吸収率Ａ（λ）を用いて、例えば以下のようにして、各層の分光吸収率（第１層１５２の分光吸収率Ａ_１（λ）、第２層１５４の分光吸収率Ａ_２（λ）及び基板１００の分光吸収率Ａ_３（λ））を算出することができる。例えば、基板１００の分光吸収率Ａ_３（λ）は、積層体１２の分光吸収率Ａ（λ）及び基板１００の消衰係数ｋ_３をゼロとして算出した積層体１２の分光吸収率の差から算出される。第２層１５４の分光吸収率Ａ_２（λ）は、基板１００の消衰係数ｋ_３をゼロとして算出した積層体１２の分光吸収率及び基板１００の消衰係数ｋ_３及び第２層１５４の消衰係数ｋ_２をゼロとして算出した積層体１２の分光吸収率の差から算出される。第１層１５２の分光吸収率Ａ_１（λ）は、第２層１５４の分光吸収率Ａ_２（λ）を算出する方法と同様の方法によって順に算出される。転送行列を用いた場合には積層体１２の分光吸収率Ａ（λ）を求めてから各層の分光吸収率を算出しているが、直接各層の分光吸収率を解析できる場合には積層体１２の分光吸収率を求める必要はない。また本実施形態では光学解析により各層の分光吸収率を解析しているが、マクスウェルの方程式に基づく電磁界解析により各層の分光吸収率を解析してもよい。この場合には屈折率と消衰係数ではなく、誘電率と透磁率及び導電率などを用いて解析をすることができる。

第１算出部３１０は、各種分析方法（例えば、分光エリプソメトリ）を用いた測定によって各層の屈折率、消衰係数及び厚さを取得してもよい。その他の例として、各層の材料が既知であるときは、第１算出部３１０は、外部データベースの参照によって各層の光学定数（屈折率及び消衰係数）を取得してもよい。

図４は、制御装置３０の動作のステップＳ２０の詳細を説明するための図である。

図４の上段のグラフにおいて、積層体１２は、４つの層を有している。図４の上段のグラフは、これら４つの層の分光吸収率Ａ_１（λ）、Ａ_２（λ）、Ａ_３（λ）及びＡ_４（λ）と、積層体１２の分光吸収率Ａ（λ）と、のそれぞれのスペクトルを示している。図４の下段のグラフは、積層体１２に照射される電磁波の分光スペクトルを示している。図４の下段の分光スペクトルは、図４の下段の波長範囲内における分光スペクトルの最大値に対する相対強度を示している。

第２算出部３２０は、図４の上段のグラフのそれぞれの分光吸収率の図４の下段のグラフの電磁波スペクトルで重みづけした加重平均を算出する。このようにして、第２算出部３２０は、積層体１２に照射される電磁波の分光スペクトルを考慮した実効分光吸収率を、積層体１２の複数の層のそれぞれについて算出することができる。

第２算出部３２０は、例えば、電磁波照射部２００から照射される電磁波の分光測定によって、図４の下段のグラフのスペクトルを取得することができる。

図５は、制御装置３０の動作のステップＳ３０の詳細を説明するための図である。

図５に示す例において、電磁波照射部２００は、フラッシュランプアニーリング（ＦＬＡ）のための電磁波を照射している。図５のグラフは各設定条件（設定電圧と照射時間）におけるフラッシュランプ（ＦＬ）の投入パワーの推移を示している。このように照射条件の設定電圧と照射時間を決めるとＦＬへの投入パワーの推移が決まる。この投入パワーに応じて電磁波照射部２００は電磁波を照射し、さらに照射部から積層体１２までの距離や石英などの透過物により減衰して積層体に到達する。

投入パワーに対して積層体１２の単位面積当たりに到達するパワーの割合を到達率とすると、単位面積当たりの到達パワー推移Ｑ_０（ｔ）は投入パワーの推移と到達率との積で算出することができる。この到達率は電磁波を事前に照射する条件において投入パワーの積分値である投入エネルギーに対して、積層体１２に到達する単位面積当たりのエネルギーの割合を測定することで算出しておく。第３算出部３３０は、電磁波の照射条件によって決まる電磁波照射部２００からの投入パワーの推移と、電磁波照射部２００からの電磁波の到達率と、の積によって、積層体１２に照射される電磁波の単位面積当たりの到達パワー推移Ｑ_０（ｔ）を算出することができる。

第３算出部３３０は、上述した到達パワー推移Ｑ_０（ｔ）と、積層体１２の複数の層のそれぞれの実効分光吸収率と、を用いて、積層体１２の複数の層のそれぞれの発熱量推移を算出することができる。

図６は、制御装置３０の動作のステップＳ４０の詳細を説明するための図である。

第１層１５２は、熱伝導率κ_１、密度ρ_１及び比熱容量Ｃ_ｐ１を有しており、第２層１５４は、熱伝導率κ_２、密度ρ_２及び比熱容量Ｃ_ｐ２を有しており、基板１００は、熱伝導率κ_３、密度ρ_３及び比熱容量Ｃ_ｐ３を有している。第１層１５２の表面から積層体１２の外部への熱伝達率及び放射率は、それぞれ、ｈ_ｆ及びε_ｆとなっており、基板１００の第２面１０４から積層体１２の外部への熱伝達率及び放射率は、それぞれ、ｈ_ｂ及びε_ｂとなっている。

第１層１５２の熱量、第２層１５４の熱量及び基板１００の熱量は、それぞれ、Ｑ_１（ｔ）＝Ｑ_０（ｔ）・Ａ_１（ｔ）、Ｑ_２（ｔ）＝Ｑ_０（ｔ）・Ａ_２（ｔ）及びＱ_３（ｔ）＝Ｑ_０（ｔ）・Ａ_３（ｔ）とする。

第４算出部３４０は、非定常伝熱解析によって、詳細には、積層体１２の複数の層のそれぞれに熱量Ｑ_１（ｔ）～Ｑ_３（ｔ）が与えられた場合の非定常一次元伝熱シミュレーションによって、積層体１２の表面（第１層１５２の表面）からの任意の深さｘにおける温度推移Ｔ（ｘ，ｔ）を算出する。各層の厚さが薄く、例えば、層の厚さが１μｍ以下の場合、層内における温度勾配は無視することができるほど小さく、したがって、層内の温度が一様であると仮定することができる。層の厚さが厚い場合は、この層を複数の層に分割し、分割された複数の層のそれぞれに熱量を与えるシミュレーションを実施することができる。第４算出部３４０は、積層体１２の複数の層のそれぞれの温度推移を、積層体１２の複数の層のそれぞれの発熱量推移と、積層体１２の複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量と、を用いて非定常熱伝導解析により算出する。

短時間（例えば、ミリ秒オーダ）での温度変化の解析においては、積層体１２の外部領域による冷却の影響は小さく、積層体１２の外部領域による冷却は考慮しなくてもよい。この場合、第４算出部３４０は、積層体１２の内部での熱伝導ｑ（ｘ，ｔ）のみを考慮してもよい。これに対して、長時間（例えば、秒オーダ）での温度変化の解析においては、積層体１２の外部領域による冷却を考慮する必要がある。この場合、第４算出部３４０は、積層体１２から積層体１２の外部への熱伝達率ｈ_ｆ、ｈ_ｂ及び放射率ε_ｆ、ε_ｂも用いて、温度推移Ｔ（ｘ，ｔ）を算出してもよい。温度解析において各層の初期温度は室温を想定しているが、事前にホットプレートなどによる予備加熱がある場合には、各層の初期温度を予備加熱による温度に設定することで、予備加熱を考慮した温度解析を行うこともできる。

第４算出部３４０は、各種分析方法を用いた測定によって各層の熱伝導率、密度及び比熱容量を取得してもよい。その他の例として、各層の材料が既知であるときは、第４算出部３４０は、外部データベースの参照によって各層の物性値（熱伝導率、密度及び比熱容量）を取得してもよい。

制御部３５０は、第４算出部３４０によって算出された温度推移Ｔ（ｘ，ｔ）に基づいて、電磁波照射部２００に設定する照射条件である設定電圧と照射時間を制御する。例えば、制御部３５０は、温度推移Ｔ（ｘ，ｔ）に基づいて、所望の温度で必要な時間だけ加熱するための照射条件を選択し、決定することができる。また、制御部３５０は、設定された照射条件における温度推移Ｔ（ｘ，ｔ）に基づいて、積層体１２の耐熱を超えている場合には、照射を行わない、又は照射を弱めるように電磁波照射部２００を制御することもできる。

図７は、実施形態１に係る製造装置２０を説明するための図である。

製造装置２０は、電磁波照射部２００、搬入部２１０、リフレクタ２２０、石英窓２３０及び制御装置３０を含んでいる。搬入部２１０には、積層体１２が搬入される。電磁波照射部２００は、搬入部２１０に搬入された積層体１２に電磁波を照射する。図７に示す例において、電磁波照射部２００は、フラッシュランプである。電磁波照射部２００から発せられた電磁波の一部は、リフレクタ２２０によって反射される。電磁波照射部２００から発せられた電磁波は、石英窓２３０を透過して積層体１２に照射される。制御装置３０は、上述したように、電磁波照射部２００を制御している。

図８は、実施形態１に係る発光装置１０の断面図である。

発光装置１０は、基板１００及び有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子１４０を含んでいる。有機ＥＬ素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。図８に示す例では、図１に示した第１層１５２（有機層１２０ａ）は、有機層１２０に含まれる複数層のうちの一層となっている。有機層１２０は、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。一例において、発光装置１０は、図１を用いて説明したＦＬＡの後、有機層１２０の残りの層及び第２電極１３０を形成して、製造することができる。

（実施形態２）
図９は、実施形態２に係る制御装置３０を説明するための図である。実施形態２に係る制御装置３０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る制御装置３０と同様である。

制御装置３０は、推定部３６０をさらに含んでいる。推定部３６０は、流動モデルが異物を埋設するために要する時間と、当該流動モデルの粘性率と、の比を用いて、第４算出部３４０によって算出された温度下における層が異物を埋設するために要する時間を推定する。制御部３５０は、第４算出部３４０によって推定された時間に基づいて、電磁波照射部２００から電磁波を照射する時間を制御する。推定部３６０による推定の詳細は、以下のとおりである。

推定部３６０は、異物を包埋する最適な流動量を実現できる最適温度及び最適時間から、この最適な流動量と同じ流動量となる必要温度と必要加熱時間との組み合わせを推定する。推定部３６０の動作について説明する。本発明者は、流動シミュレーションにより、流動モデルによる段差の被覆の態様（流動シミュレーションにおけるこの段差は、実際の積層体１２における異物とみなすことができる。）は、加熱時間ｔ（流動モデルが段差を被覆するために要する時間）及び粘性率ηの比ｔ／ηに依存する傾向があることを新規に見出した。これは、ニュートン流体における粘性の式σ＝η・（ｄγ／ｄｔ）（σ：せん断応力、η：粘性率、γ：歪み）から、歪みγがｔ／ηに比例するからと推測される。そこで推定部３６０は以下のような流れの推定をすることとした。まず粘度の温度依存データから、最適温度における粘度（最適粘度）を取得する。この粘度の温度依存データは外部データベース（例えば、記憶部３７０）に記憶されており、そこから参照する。次に、最適時間を最適粘度で割って算出される最適流動判定値を算出する。加熱時間ｔ及び粘性率ηの比ｔ／ηがこの最適流動判定値と実質的に等しく、例えば、この最適流動判定値の８０％以上１２０％以下、好ましくは、９５％以上１０５％以下のときに最適温度及び最適時間における流動量と同程度の流動が実現されると推測できる。よってこの最適流動判定値により、様々な粘度において流動モデルが段差を被覆するために要する時間を算出することができる。この一連の動作により、推定部３６０は、最適温度と最適加熱時間での流動量と同程度の流動を実現できる必要温度と必要加熱時間の組み合わせを推定している。

制御部３５０は、複数の照射条件における温度推移から推定部３６０により推定された必要温度と必要時間の組み合わせを満たす照射条件を選択決定する。本実施形態によれば、積層体１２に照射される電磁波の条件、特に、電磁波によって加熱された層が段差（すなわち、異物）を被覆するように、電磁波の照射条件を最適化することができる。

異物を包埋する最適な流動量を実現できる最適温度と最適加熱時間はホットプレート加熱によって求めることができる。ホットプレート加熱では温度を一定に管理することも可能であり、瞬間的な加熱でもないために最適温度と最適加熱時間を見積もることが容易である。本実実施形態ではこのホットプレート加熱によって見積もった最適温度と最適加熱時間によって同程度の流動となる電磁波の照射条件を選択決定することができる。すなわち、上述した流動モデルは、積層体１２を加熱体（例えば、ホットプレート）上に置くことで積層体１２を加熱することをシミュレートすることで得られるモデルである。

図１０は、実施例に係る制御装置３０のハードウエア構成の一例を示す図である。

制御装置３０の主な構成は、集積回路を用いて実現される。この集積回路は、バス３０１、プロセッサ３０２、メモリ３０３、ストレージデバイス３０４、入出力インタフェース３０５及びネットワークインタフェース３０６を有する。

バス３０１は、プロセッサ３０２、メモリ３０３、ストレージデバイス３０４、入出力インタフェース３０５、及びネットワークインタフェース３０６が、相互にデータを送受信するためのデータ伝送路である。ただし、プロセッサ３０２などを互いに接続する方法は、バス接続に限定されない。

プロセッサ３０２は、マイクロプロセッサなどを用いて実現される演算処理装置である。

メモリ３０３は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などを用いて実現されるメモリである。

ストレージデバイス３０４は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やフラッシュメモリなどを用いて実現されるストレージデバイスである。

入出力インタフェース３０５は、制御装置３０を周辺デバイスと接続するためのインタフェースである。

ネットワークインタフェース３０６は、制御装置３０を通信網に接続するためのインタフェースである。ネットワークインタフェース３０６が通信網に接続する方法は、無線接続であってもよいし、又は有線接続であってもよい。制御装置３０は、ネットワークインタフェース３０６を介して、電磁波照射部２００に接続される。

ストレージデバイス３０４は、制御装置３０の各機能要素を実現するためのプログラムを記憶している。プロセッサ３０２は、このプログラムをメモリ３０３に読み出して実行することで、制御装置３０の各機能を実現する。ストレージデバイス３０４は、記憶部３７０としても機能してもよい。

なお、上記した集積回路のハードウエア構成は図１０に示した構成に限定されない。例えば、プログラムはメモリ３０３に格納されてもよい。この場合、集積回路は、ストレージデバイス３０４を備えていなくてもよい。

本実施例に係るプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録されていてもよい。記録媒体は、特定の態様に限定されず、例えば、光ディスク又はハードディスクにしてもよい。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１２ 積層体
２０ 製造装置
３０ 制御装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１２０ａ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 有機ＥＬ素子
１５２ 第１層
１５４ 第２層
２００ 電磁波照射部
２１０ 搬入部
２２０ リフレクタ
２３０ 石英窓
３０１ バス
３０２ プロセッサ
３０３ メモリ
３０４ ストレージデバイス
３０５ 入出力インタフェース
３０６ ネットワークインタフェース
３１０ 第１算出部
３２０ 第２算出部
３３０ 第３算出部
３４０ 第４算出部
３５０ 制御部
３６０ 推定部
３７０ 記憶部

Claims (8)

1. コンピュータを、
   積層体内の複数の層のそれぞれの屈折率、消衰係数及び厚さを用いて、前記複数の層のそれぞれの分光吸収率を算出する第１算出部と、
   前記第１算出部によって算出された前記分光吸収率と、前記積層体に照射される電磁波の分光スペクトルと、の積である実効分光吸収率を前記複数の層のそれぞれについて算出する第２算出部と、
   前記第２算出部によって算出された前記実効分光吸収率を用いて、前記積層体に照射される前記電磁波によって前記複数の層のそれぞれに発生する熱量を算出する第３算出部と、
   前記第３算出部によって算出された前記熱量と、前記複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量と、を用いて、前記積層体のうちの少なくとも一の位置の温度を算出する第４算出部と、
   前記第４算出部によって算出された前記温度に基づいて、電磁波照射部から照射される電磁波のパワーを制御する制御部と、
   流動モデルが異物を埋設するために要する時間と、前記流動モデルの粘性率と、の比を用いて、前記第４算出部によって算出された前記温度下における層が異物を埋設するために要する時間を推定する推定部と、
   して機能させ、
   前記制御部は、前記推定部によって推定された前記時間に基づいて、前記電磁波照射部から前記電磁波を照射する時間を制御する、プログラム。
2. 請求項１に記載のプログラムにおいて、
   前記第３算出部は、電磁波の照射条件により決まる前記電磁波照射部からの投入パワーの推移と、前記電磁波照射部からの前記電磁波の到達率と、の積により算出される到達パワー推移と、前記積層体の前記複数の層のそれぞれの前記実効分光吸収率と、を用いて、前記積層体の前記複数の層のそれぞれの発熱量推移を算出する、プログラム。
3. 請求項１又は２に記載のプログラムにおいて、
   前記第４算出部は、前記積層体の前記複数の層のそれぞれの温度推移を、前記積層体の前記複数の層のそれぞれの発熱量推移と、前記積層体の前記複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量と、を用いて非定常熱伝導解析により算出する、プログラム。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
   前記流動モデルは、前記積層体を加熱体上に置くことで前記積層体を加熱することをシミュレートすることで得られるモデルである、プログラム。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載のプログラムを記録した、コンピュータが読み取り可能な記録媒体。
6. 積層体内の複数の層のそれぞれの屈折率、消衰係数及び厚さを用いて、前記複数の層のそれぞれの分光吸収率を算出する第１算出部と、
   前記第１算出部によって算出された前記分光吸収率と、前記積層体に照射される電磁波の分光スペクトルと、の積である実効分光吸収率を前記複数の層のそれぞれについて算出する第２算出部と、
   前記第２算出部によって算出された前記実効分光吸収率を用いて、前記積層体に照射される前記電磁波によって前記複数の層のそれぞれに発生する熱量を算出する第３算出部と、
   前記第３算出部によって算出された前記熱量と、前記複数の層のそれぞれの熱伝導率、密度及び比熱容量と、を用いて、前記積層体のうちの少なくとも一の位置の温度を算出する第４算出部と、
   前記第４算出部によって算出された前記温度に基づいて、電磁波照射部から照射される電磁波のパワーを制御する制御部と、
   流動モデルが異物を埋設するために要する時間と、前記流動モデルの粘性率と、の比を用いて、前記第４算出部によって算出された前記温度下における層が異物を埋設するために要する時間を推定する推定部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記推定部によって推定された前記時間に基づいて、前記電磁波照射部から前記電磁波を照射する時間を制御する、制御装置。
7. 電磁波照射部を、請求項６に記載の制御装置によって制御する制御方法。
8. 積層体が搬入される搬入部と、
   前記搬入部に搬入された前記積層体に電磁波を照射する電磁波照射部と、
   前記電磁波照射部を制御する、請求項６に記載の制御装置と、
   を含む、製造装置。

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