JP2015130477A5 - 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価装置 - Google Patents
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- 酸化物半導体薄膜が形成された試料に励起光及びマイクロ波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の最大値を測定した後、前記励起光の照射を停止し、前記励起光の照射停止後の前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の反射率の時間的な変化を測定する第１の工程と、
前記反射率の時間的な変化から、励起光の照射停止後に見られる遅い減衰に対応するパラメータを算出し、前記酸化物半導体薄膜の電気抵抗率を評価する第２の工程と、を含むことを特徴とする酸化物半導体薄膜の評価方法。 - 前記電気抵抗率はシート抵抗または比抵抗である請求項１に記載の評価方法。
- 前記第２の工程が、前記反射率の変化から、励起光の照射停止後０．１〜１０μｓに見られる遅い減衰に対応するパラメータを算出し、前記酸化物半導体薄膜の電気抵抗率を評価するものである請求項１または２に記載の評価方法。
- 前記酸化物半導体薄膜が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含むものである請求項１〜３のいずれかに記載の評価方法。
- 前記酸化物半導体薄膜が、ゲート絶縁膜の表面に成膜されているものである請求項１〜４のいずれかに記載の評価方法。
- 前記酸化物半導体薄膜が、その表面に保護膜を有しているものである請求項１〜５のいずれかに記載の評価方法。
- 前記酸化物半導体薄膜が、基板の上に形成されたものである請求項１〜６のいずれかに記載の評価方法。
- 前記酸化物半導体薄膜が、基板の表面に直接形成されたものである請求項１〜６のいずれかに記載の評価方法。
- 半導体製造工程のいずれかの工程に、請求項１〜８のいずれかに記載の評価方法を適用することを特徴とする酸化物半導体薄膜の品質管理方法。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の評価方法に用いる装置であって、
酸化物半導体薄膜が形成された試料の測定部位に対して、励起光を照射して前記酸化物半導体薄膜中に電子−正孔対を生成する励起光照射手段と、
前記試料の測定部位に対して、マイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、
前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記試料からの反射マイクロ波強度を検出する反射マイクロ波強度検出手段と、
前記反射マイクロ波強度検出手段の検出データに基づいて前記試料の電気抵抗率を評価する手段と、
を備えることを特徴とする酸化物半導体薄膜の評価装置。 - 前記酸化物半導体薄膜の評価装置は、電気抵抗率測定ヘッドと、
前記電気抵抗率測定ヘッドの昇降手段と
を有する電気抵抗測定手段を備えている請求項１０に記載の酸化物半導体薄膜の評価装置。
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