JP2014202650A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 表面に透明な微細凹凸構造を有する誘電体からなる透明誘電体基板と、
   該微細凹凸構造表面に金属膜を形成して構成された金属微細凹凸構造層とを備え、
   前記金属微細凹凸構造層が該金属微細凹凸構造層内において導通しているものであり、
   前記金属微細凹凸構造層に対して該電圧を印加するための電圧印加電極が設けられていることを特徴とする測定用デバイス。
2. 前記金属微細凹凸構造層の表面抵抗率が、１０^７Ω／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の測定用デバイス。
3. 前記微細凹凸構造が、ベーマイトからなるものであることを特徴とする請求項１または２記載の測定用デバイス。
4. 前記金属膜が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔおよびこれらを主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも１種の金属からなるものであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の測定用デバイス。
5. 測定位置を示すための位置マーカが設けられていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の測定用デバイス。
6. 前記位置マーカが、前記電圧印加電極に設けられていることを特徴とする請求項５記載の測定用デバイス。
7. 前記位置マーカが、前記電圧印加電極に設けられた空隙であることを特徴とする請求項６記載の測定用デバイス。
8. 請求項１から７いずれか１項記載の測定用デバイスと、
   該測定用デバイスの前記金属膜に対して前記透明誘電体基板側から第１の光を照射し、該照射により前記金属膜の表面に誘起された局在プラズモンの光電場増強効果によって、該表面に増強された光電場を発生させる第１の光照射部と、
   前記測定用デバイスへの前記第１の光の照射により発生し、前記透明誘電体基板側から射出された光を検出する光検出部と、
   前記金属微細凹凸構造層に前記電圧印加電極を介して電圧印加した状態において、前記金属微細凹凸構造層の表面に設置された試料および該試料上に供給されたマトリクス剤に対して、前記第１の光の照射側とは反対側から第２の光を照射し、該照射により前記試料中の質量分析の被分析物質を前記表面から脱離させる第２の光照射部と、
   前記脱離した被分析物質を検出して該被分析物質の質量を分析する分析部とを備えたことを特徴とする測定装置。
9. 前記第１の光および前記第２の光によって前記測定用デバイス上を２次元状に走査させる走査機構を備えたことを特徴とする請求項８記載の測定装置。
10. 請求項５から７いずれか１項記載の測定用デバイスを備え、
    前記測定用デバイスに設けられた位置マーカの検出結果に基づいて、前記光検出部の検出結果に基づいて生成された光スペクトル分布画像と、前記分析部の分析結果に基づいて生成された質量スペクトル分布画像との位置合わせを行う位置合わせ部を備えたことを特徴とする請求項８または９記載の測定装置。
11. 前記測定用デバイスの前記電圧印加電極に電圧を印加する電圧印加部を備えたことを特徴とする請求項８から１０いずれか１項記載の測定装置。
12. 請求項１から７いずれか１項記載の測定用デバイスの前記金属膜に対して前記透明誘電体基板側から第１の光を照射し、
    該照射により前記金属膜の表面に誘起された局在プラズモンの光電場増強効果によって、該表面に増強された光電場を発生させて前記透明誘電体基板側から射出された光を検出し、
    前記金属微細凹凸構造層に前記電圧印加電極を介して電圧印加した状態において、前記金属微細凹凸構造層の表面に設置された試料および該試料上に供給されたマトリクス剤に対して、前記第１の光の照射側とは反対側から第２の光を照射し、
    該照射により前記試料中の質量分析の被分析物質を前記表面から脱離させ、
    該脱離した被分析物質を検出して該被分析物質の質量を分析することを特徴とする測定方法。