JP6534215B2 - 測定方法 - Google Patents
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Description
試料に対して、ラマン分光法によるマッピング測定と、質量分析法によるマッピング測定と、を行う測定方法であって、
ラマン分光装置において、前記試料にレーザー光を照射して、マーカーを形成するマーカー形成工程と、
前記ラマン分光装置において、前記試料にレーザー光を照射して、ラマン分光法により前記試料の第1領域のマッピング測定を行う第1マッピング測定工程と、
質量分析装置において、質量分析法により前記第1領域の少なくとも一部と前記マーカーとを含む前記試料の第2領域のマッピング測定を行う第2マッピング測定工程と、
を含む。
前記試料の表面に金属粒子を形成する金属粒子形成工程を含んでいてもよい。
前記金属粒子の材質は、白金、金、または銀であってもよい。
前記金属粒子形成工程は、前記マーカー形成工程および前記第1マッピング測定工程の前に行われてもよい。
前記第1マッピング測定工程の後に、前記第2マッピング測定工程を行ってもよい。
前記マーカー形成工程の後に、前記第1マッピング測定工程を行ってもよい。
前記マーカー形成工程の前に、前記第1マッピング測定工程を行ってもよい。
前記マーカーと前記第1領域とを含む領域の光学画像を取得する光学画像取得工程を含んでいてもよい。
前記第2マッピング測定工程で得られたマスイメージのひずみを、前記マスイメージ中の前記マーカーを反映したパターンに基づいて補正するマスイメージ補正工程を含んでいてもよい。
前記マーカー形成工程では、前記マーカーは直線状に形成され、
前記第2マッピング測定工程では、前記試料の走査方向が直線状の前記マーカーに対して垂直となるように前記試料を走査して前記第2領域のマッピング測定を行ってもよい。
前記第2マッピング測定工程では、前記質量分析法は、レーザー脱離イオン化質量分析法、または2次イオン質量分析法であってもよい。
まず、第1実施形態に係る測定方法について説明する。第1実施形態に係る測定方法では、試料に対して、ラマン分光法によるマッピング測定と、質量分析法によるマッピング測定と、を行う。
て、2つのマーカー20が向かい合う2つの角部に位置するように設定されている。なお、第1領域12は、マーカー20によって特定可能であれば、マーカー20を含まないように設定されてもよい。
ン化質量分析法は、試料にレーザー光を照射して測定対象化合物をイオン化して質量分析を行う手法である。2次イオン質量分析法は、試料に1次イオンを照射し、1次イオンと試料との衝突によって発生する2次イオンを質量分析する手法である。
次に、第2実施形態に係る測定方法について説明する。図5は、第2実施形態に係る測定方法の一例を示すフローチャートである。
次に、第3実施形態に係る測定方法について説明する。図9は、第3実施形態に係る測定方法の一例を示すフローチャートである。
法と異なる。
Assisted Laser Desorption/Ionization,SALDI)を用いることができる。これにより、試料10のイオン化を促進させることができる。また、試料10の表面に金属粒子を形成することにより、2次イオン質量分析法によるマッピング測定においても、試料10のイオン化を促進させることができる。
次に、第4実施形態に係る測定方法について説明する。図10は、第4実施形態に係る測定方法の一例を示すフローチャートである。
第2領域14のマッピング測定を行う(ステップS406)。
Claims (11)
- 試料に対して、ラマン分光法によるマッピング測定と、質量分析法によるマッピング測定と、を行う測定方法であって、
ラマン分光装置において、前記試料にレーザー光を照射して、マーカーを形成するマーカー形成工程と、
前記ラマン分光装置において、前記試料にレーザー光を照射して、ラマン分光法により前記試料の第1領域のマッピング測定を行う第1マッピング測定工程と、
質量分析装置において、質量分析法により前記第1領域の少なくとも一部と前記マーカーとを含む前記試料の第2領域のマッピング測定を行う第2マッピング測定工程と、
を含む、測定方法。 - 請求項1において、
前記試料の表面に金属粒子を形成する金属粒子形成工程を含む、測定方法。 - 請求項2において、
前記金属粒子の材質は、白金、金、または銀である、測定方法。 - 請求項2または3において、
前記金属粒子形成工程は、前記マーカー形成工程および前記第1マッピング測定工程の前に行われる、測定方法。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記第1マッピング測定工程の後に、前記第2マッピング測定工程が行われる、測定方法。 - 請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記マーカー形成工程の後に、前記第1マッピング測定工程を行う、測定方法。 - 請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記マーカー形成工程の前に、前記第1マッピング測定工程を行う、測定方法。 - 請求項1ないし7のいずれか1項において、
前記マーカーと前記第1領域とを含む領域の光学画像を取得する光学画像取得工程を含む、測定方法。 - 請求項1ないし8のいずれか1項において、
前記第2マッピング測定工程で得られたマスイメージのひずみを、前記マスイメージ中の前記マーカーを反映したパターンに基づいて補正するマスイメージ補正工程を含む、測定方法。 - 請求項9において、
前記マーカー形成工程では、前記マーカーは直線状に形成され、
前記第2マッピング測定工程では、前記試料の走査方向が、直線状の前記マーカーに対して垂直となるように前記試料を走査して前記第2領域のマッピング測定を行う、測定方法。 - 請求項1ないし10のいずれか1項において、
前記第2マッピング測定工程では、前記質量分析法は、レーザー脱離イオン化質量分析法、または2次イオン質量分析法である、測定方法。
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