JP2018014408A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、前記基板上に形成した酸化物半導体と、を有し、
   マイクロ波及び励起光を前記酸化物半導体に照射するマイクロ波光導電減衰法を用いて、前記酸化物半導体によって反射されたマイクロ波の強度を測定し、
   前記反射されたマイクロ波の強度のピーク値から前記酸化物半導体のキャリア密度を評価する、酸化物半導体の評価方法。
2. 請求項１において、
   前記キャリア密度は、マイクロ波光導電減衰法の反射強度のピーク値及びホール効果測定で得られた酸化物半導体のキャリア密度の相関より評価される、酸化物半導体の評価方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記励起光のエネルギーが、前記酸化物半導体のバンドギャップより大きく、前記基板のバンドギャップより小さい酸化物半導体の評価方法。
4. 請求項１乃至請求項３において、
   前記酸化物半導体の上に形成された第１の絶縁体と、を有し、
   前記マイクロ波光導電減衰法の励起光のエネルギーが、前記第１の絶縁体のバンドギャップより小さい酸化物半導体の評価方法。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記基板と前記酸化物半導体の間に形成された第２の絶縁体と、を有し、
   前記マイクロ波光導電減衰法の励起光のエネルギーが、前記第２の絶縁体のバンドギャップより小さい酸化物半導体の評価方法。
6. 請求項４又は請求項５において、
   前記第１の絶縁体または前記第２の絶縁体が積層構造である酸化物半導体の評価方法。
7. 絶縁体と、酸化物半導体と、導電体と、を有し、
   前記酸化物半導体は、前記絶縁体を介して、前記酸化物半導体と前記導電体とが互いに重なる領域を有し、
   前記領域のバンドギャップが３．１７ｅＶ以上３．５８ｅＶ以下、かつ膜厚が２７．７ｎｍ以上３２．５ｎｍ以下において、
   前記酸化物半導体のマイクロ波光導電減衰法によるマイクロ波の反射強度のピーク値が１０４２ｍＶ以下となる領域を有する半導体装置。
8. 請求項７において、
   前記領域において、前記酸化物半導体の前記マイクロ波光導電減衰法によるライフタイムτ１が５０ｎｓｅｃ以上となる領域を有する半導体装置。
9. 第１の基板及び第２の基板上に酸化物半導体を形成し、
   前記第２の基板上の酸化物半導体をマイクロ波光導電減衰法で測定し、
   前記マイクロ波光導電減衰法の励起光のエネルギーは、前記酸化物半導体のバンドギャップより大きく、前記第２の基板のバンドギャップより小さく、
   前記マイクロ波光導電減衰法で測定したマイクロ波の反射強度のピーク値を算出し、
   前記ピーク値から前記酸化物半導体のキャリア密度を評価し、前記酸化物半導体の評価を行う、半導体装置の作製方法。