JP2017195367A5 - フレキシブルデバイスの作製方法 - Google Patents
フレキシブルデバイスの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017195367A5 JP2017195367A5 JP2017074288A JP2017074288A JP2017195367A5 JP 2017195367 A5 JP2017195367 A5 JP 2017195367A5 JP 2017074288 A JP2017074288 A JP 2017074288A JP 2017074288 A JP2017074288 A JP 2017074288A JP 2017195367 A5 JP2017195367 A5 JP 2017195367A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide layer
- layer
- flexible device
- manufacturing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- 基板上に、酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に、前記酸化物層と重なる開口を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
前記樹脂層の開口及び前記酸化物層と重なるように、導電層を形成し、
レーザを用いて、前記酸化物層に光を照射し、
前記トランジスタと前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法であって、
前記酸化物層は、酸化物半導体層または酸化物導電層である、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 基板上に、酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に、前記酸化物層と重なる開口を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
前記樹脂層の開口及び前記酸化物層と重なるように、導電層を形成し、
レーザを用いて、前記酸化物層に光を照射し、
前記トランジスタと前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法であって、
前記酸化物層は、インジウムと、亜鉛と、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズと、を有する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１または請求項２において、
前記酸化物層を形成した後に、希ガス、水素、ボロン、リン、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて、前記酸化物層に対してプラズマ処理を行う、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記レーザを前記基板側から前記酸化物層に照射する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記トランジスタと前記基板とを分離することで、前記導電層を露出させ、
前記樹脂層の開口を介して、前記導電層と回路基板とを電気的に接続する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記トランジスタと前記基板とを分離することで、前記酸化物層を露出させ、
前記酸化物層をエッチングして前記導電層を露出させ、
前記樹脂層の開口を介して、前記導電層と回路基板とを電気的に接続する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記トランジスタと前記基板とを分離することで、前記酸化物層を露出させ、
前記酸化物層と回路基板とを電気的に接続する、フレキシブルデバイスの作製方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016079826 | 2016-04-12 | ||
| JP2016079826 | 2016-04-12 | ||
| JP2016083657 | 2016-04-19 | ||
| JP2016083657 | 2016-04-19 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017195367A JP2017195367A (ja) | 2017-10-26 |
| JP2017195367A5 true JP2017195367A5 (ja) | 2020-04-16 |
| JP6965010B2 JP6965010B2 (ja) | 2021-11-10 |
Family
ID=59998896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017074288A Active JP6965010B2 (ja) | 2016-04-12 | 2017-04-04 | フレキシブルデバイスの作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10181424B2 (ja) |
| JP (1) | JP6965010B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7293190B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6484756B2 (ja) | 2016-04-12 | 2019-03-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、及びフレキシブルデバイスの作製方法 |
| WO2017182909A1 (en) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method and manufacturing method of flexible device |
| US10185190B2 (en) | 2016-05-11 | 2019-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, module, and electronic device |
| TWI727041B (zh) * | 2016-05-20 | 2021-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| WO2018020333A1 (en) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
| TWI753868B (zh) | 2016-08-05 | 2022-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置 |
| TWI730017B (zh) | 2016-08-09 | 2021-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置 |
| US11444255B2 (en) * | 2017-05-18 | 2022-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing display device, display device, display module, and electronic device |
| JP6898200B2 (ja) | 2017-10-05 | 2021-07-07 | 三菱パワー株式会社 | 熱交換器 |
| CN112204754A (zh) * | 2018-05-30 | 2021-01-08 | 加利福尼亚大学董事会 | 从半导体衬底移除半导体层的方法 |
| CN109904198B (zh) * | 2019-02-22 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置 |
| JP7262027B2 (ja) | 2019-05-17 | 2023-04-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法 |
| CN113646967B (zh) | 2020-03-10 | 2023-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 天线及其制作方法、天线系统 |
| JP7509341B2 (ja) | 2020-05-06 | 2024-07-02 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板およびその作製方法、表示装置、ならびに表示パネル |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3254007B2 (ja) | 1992-06-09 | 2002-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状半導体装置およびその作製方法 |
| US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| JP4229107B2 (ja) * | 1996-11-22 | 2009-02-25 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JP3809733B2 (ja) | 1998-02-25 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの剥離方法 |
| US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| KR101079757B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2011-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 반도체장치의 제작방법 |
| US7436050B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
| US7566001B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card |
| US7485511B2 (en) | 2005-06-01 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Integrated circuit device and method for manufacturing integrated circuit device |
| EP1760798B1 (en) | 2005-08-31 | 2012-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7785938B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor integrated circuit, manufacturing method thereof, and semiconductor device using semiconductor integrated circuit |
| KR100804526B1 (ko) | 2006-07-05 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 |
| JP5138927B2 (ja) | 2006-12-25 | 2013-02-06 | 共同印刷株式会社 | フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ |
| WO2010071089A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP5483151B2 (ja) | 2009-03-05 | 2014-05-07 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜素子およびその製造方法 |
| JP5581106B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR101149433B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8664658B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102309244B1 (ko) | 2013-02-20 | 2021-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6490901B2 (ja) | 2013-03-14 | 2019-03-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| KR102104608B1 (ko) | 2013-05-16 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102133433B1 (ko) | 2013-05-24 | 2020-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6320713B2 (ja) | 2013-10-03 | 2018-05-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| JP6433757B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2018-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、電子機器 |
| US9427949B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus |
| TWI831924B (zh) * | 2014-04-25 | 2024-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
| JP6354338B2 (ja) | 2014-05-30 | 2018-07-11 | 東レ株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、及びこれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法 |
| WO2017182909A1 (en) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method and manufacturing method of flexible device |
-
2017
- 2017-04-03 US US15/477,528 patent/US10181424B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-04-04 JP JP2017074288A patent/JP6965010B2/ja active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7293190B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017195367A5 (ja) | フレキシブルデバイスの作製方法 | |
| JP2012080096A5 (ja) | ||
| JP2014045200A5 (ja) | ||
| JP2013102154A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012160715A5 (ja) | ||
| JP2013042180A5 (ja) | ||
| JP2016006871A5 (ja) | ||
| JP2012160714A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2015216369A5 (ja) | ||
| JP2011192974A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012023356A5 (ja) | ||
| JP2012160742A5 (ja) | ||
| JP2013070070A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2014007388A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013042154A5 (ja) | ||
| JP2011029637A5 (ja) | ||
| JP2010080954A5 (ja) | ||
| JP2013175710A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014135478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013016785A5 (ja) | ||
| JP2012216796A5 (ja) | ||
| JP2015195106A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| HK1163349A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
| JP2013021305A5 (ja) | ||
| JP2014235958A5 (ja) |