JP2017195367A5 - フレキシブルデバイスの作製方法 - Google Patents

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  1. 基板上に、酸化物層を形成し、
    前記酸化物層上に、前記酸化物層と重なる開口を有する樹脂層を形成し、
    前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
    前記樹脂層の開口及び前記酸化物層と重なるように、導電層を形成し、
    レーザを用いて、前記酸化物層に光を照射し、
    前記トランジスタと前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法であって、
    前記酸化物層は、酸化物半導体層または酸化物導電層である、フレキシブルデバイスの作製方法。
  2. 基板上に、酸化物層を形成し、
    前記酸化物層上に、前記酸化物層と重なる開口を有する樹脂層を形成し、
    前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
    前記樹脂層の開口及び前記酸化物層と重なるように、導電層を形成し、
    レーザを用いて、前記酸化物層に光を照射し、
    前記トランジスタと前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法であって、
    前記酸化物層は、インジウムと、亜鉛と、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズと、を有する、フレキシブルデバイスの作製方法。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記酸化物層を形成した後に、希ガス、水素、ボロン、リン、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて、前記酸化物層に対してプラズマ処理を行う、フレキシブルデバイスの作製方法。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記レーザを前記基板側から前記酸化物層に照射する、フレキシブルデバイスの作製方法。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
    前記トランジスタと前記基板とを分離することで、前記導電層を露出させ、
    前記樹脂層の開口を介して、前記導電層と回路基板とを電気的に接続する、フレキシブルデバイスの作製方法。
  6. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
    前記トランジスタと前記基板とを分離することで、前記酸化物層を露出させ、
    前記酸化物層をエッチングして前記導電層を露出させ、
    前記樹脂層の開口を介して、前記導電層と回路基板とを電気的に接続する、フレキシブルデバイスの作製方法。
  7. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
    前記トランジスタと前記基板とを分離することで、前記酸化物層を露出させ、
    前記酸化物層と回路基板とを電気的に接続する、フレキシブルデバイスの作製方法。
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