JP2015216369A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の回路と、第２の回路を有し、
   前記第１の回路は、
   シリコン基板に設けられた第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタ上の第２のトランジスタと、を有し、
   前記第２の回路は、
   前記シリコン基板に設けられたフォトダイオードと、
   前記フォトダイオード上の第３のトランジスタと、を有し、
   前記シリコン基板は第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層は前記フォトダイオードの側面を囲むように設けられ、
   前記第１のトランジスタはｐ−ｃｈ型トランジスタであり、
   前記第２のトランジスタおよび前記第３のトランジスタは酸化物半導体を有し、
   前記フォトダイオードの下側に受光面が設けられていることを特徴とする撮像装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、ＣＭＯＳ回路を構成していることを特徴とする撮像装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第２の回路は、第４乃至第６のトランジスタを有し、
   前記第４乃至前記第６のトランジスタは、ｎ−ｃｈ型トランジスタであり、
   前記第４乃至前記第６のトランジスタは酸化物半導体を有し、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記フォトダイオードのアノードまたはカソードの一方に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有することを特徴とする撮像装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記シリコン基板の前記第１のトランジスタが形成された面における結晶の面方位は（１１０）面であることを特徴とする撮像装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置、操作キー、または、シャッターボタンと、を有することを特徴とする電子機器。