JP2015188083A5 - 撮像装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (6)

1. トランジスタと、フォトダイオードを有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を活性層に有し、
   前記フォトダイオードは、シリコン基板に設けられ、
   前記フォトダイオードは、第１の電極と第２の電極とを有し、
   前記第１の電極は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１の電極は、前記トランジスタのゲート重なる領域を有することを特徴とする撮像装置。
2. 第１の回路と、第２の回路と、を有する撮像装置であって、
   前記第１の回路は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有し、
   前記第２の回路は、第３のトランジスタおよびフォトダイオードを有し、
   前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を活性層とするｎ−ｃｈ型トランジスタであり、
   前記第２のトランジスタは、シリコン基板に活性領域を有するｐ−ｃｈ型トランジスタであり、
   前記フォトダイオードは前記シリコン基板に設けられ、
   前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは絶縁層を介して互いに重なる領域を有し、
   前記第３のトランジスタおよび前記フォトダイオードは前記絶縁層を介して互いに重なる領域を有し、
   前記第２のトランジスタは前記シリコン基板の第１面に設けられ、前記フォトダイオードは前記シリコン基板の第１面とは逆の面に受光面を有することを特徴とする撮像装置。
3. 第１の回路と、第２の回路と、を有する撮像装置であって、
   前記第１の回路は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有し、
   前記第２の回路は、第３のトランジスタ乃至第６のトランジスタおよびフォトダイオードを有し、
   前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタ乃至前記第６のトランジスタは、酸化物半導体層を活性層とするｎ−ｃｈ型トランジスタであり、
   前記第２のトランジスタは、シリコン基板に活性領域を有するｐ−ｃｈ型トランジスタであり、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記フォトダイオードのアノードまたはカソードの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記フォトダイオードは前記シリコン基板に設けられ、
   前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、絶縁層を介して互いに重なる領域を有し、
   前記第３のトランジスタ乃至前記第６のトランジスタと前記フォトダイオードとは、前記絶縁層を介して互いに重なる領域を有し、
   前記第２のトランジスタは前記シリコン基板の第１面に設けられ、前記フォトダイオードは前記シリコン基板の第１面とは逆の面に受光面を有することを特徴とする撮像装置。
4. 請求項２又は請求項３において、
   前記シリコン基板の第１面における結晶の面方位は（１１０）面であることを特徴とする撮像装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層は、ＩｎとＺｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）とを有することを特徴とする撮像装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置と、を備えることを特徴とする電子機器。