JP2015194577A5 - - Google Patents

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（第１層Ｆ１）
第１層Ｆ１は、回路部１１０Ｂとして複数の回路要素を含み、積層部Ｂ１には、各種素子（トランジスタおよび容量素子など）が形成される。但し、図４には、一例としてトランジスタ１３Ｂのみを図示している。トランジスタ１３Ｂは、駆動側基板１１上に、ゲート電極１３１と、半導体層１３２と、電極層１３３とを有している。ゲート電極１３１と半導体層１３２の間には、ゲート絶縁膜１１１が、半導体層１３２と電極層１３３との間には、層間絶縁膜１１２が、それぞれ形成されている。電極層１３３上には層間絶縁膜１１３が形成されている。なお、本実施の形態では、第１層Ｆ１内の積層部Ｂ１以外の領域（図３Ａ中の領域１１０Ｃ）には、電源線配線などの配線層１３４が配置されている。

Claims (1)

  1. 前記画素部に形成されたトランジスタと、前記駆動回路部に形成されたトランジスタとは、平面視的に重畳して形成されている
    請求項１に記載の表示装置。
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