WO2023067456A1 - 表示装置、及び電子機器 - Google Patents

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WO2023067456A1
WO2023067456A1 PCT/IB2022/059905 IB2022059905W WO2023067456A1 WO 2023067456 A1 WO2023067456 A1 WO 2023067456A1 IB 2022059905 W IB2022059905 W IB 2022059905W WO 2023067456 A1 WO2023067456 A1 WO 2023067456A1
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WO
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layer
light
circuit
display
emitting
Prior art date
Application number
PCT/IB2022/059905
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English (en)
French (fr)
Inventor
熱海知昭
楠紘慈
宍戸英明
川島進
Original Assignee
株式会社半導体エネルギー研究所
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • One embodiment of the present invention relates to display devices and electronic devices.
  • one aspect of the present invention is not limited to the above technical field.
  • the technical field of the invention disclosed in this specification and the like relates to an object, a driving method, or a manufacturing method.
  • one aspect of the invention relates to a process, machine, manufacture, or composition of matter. Therefore, the technical fields of one embodiment of the present invention disclosed in this specification more specifically include semiconductor devices, display devices, liquid crystal display devices, light-emitting devices, power storage devices, imaging devices, storage devices, signal processing devices, and processors. , electronic devices, systems, methods of driving them, methods of manufacturing them, or methods of testing them.
  • Patent Document 1 discloses a configuration in which a display portion of a display device is divided and one of a plurality of display portions and a driving circuit corresponding to the display portion are overlapped.
  • a driver circuit corresponding to one display area may be arranged so as to overlap the display area in plan view.
  • the display device can be manufactured, for example, by providing the driver circuit over a semiconductor substrate and providing display pixels above the driver circuit.
  • the diagonal size of such a display device is limited by the size of the semiconductor substrate.
  • a wafer made of silicon hereinafter referred to as a silicon wafer
  • a silicon wafer with a diameter of more than 20 inches is required to manufacture a display device with a diagonal size of more than 20 inches. necessary. Since the diameter of silicon wafers used in current semiconductor manufacturing lines is approximately up to 300 mm (approximately 12 inches), it can be said that it is difficult to prepare silicon wafers with a diameter exceeding 300 mm.
  • An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device with high definition and a large diagonal size.
  • an object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device including the display device.
  • an object of one embodiment of the present invention is to provide a novel display device or a novel electronic device.
  • the problem of one embodiment of the present invention is not limited to the problems listed above.
  • the issues listed above do not preclude the existence of other issues.
  • Still other issues are issues not mentioned in this section, which will be described in the following description.
  • Problems not mentioned in this section can be derived from the descriptions in the specification, drawings, or the like by those skilled in the art, and can be appropriately extracted from these descriptions.
  • one embodiment of the present invention is to solve at least one of the problems listed above and other problems. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily solve all of the problems listed above and other problems.
  • One embodiment of the present invention is a display device having a first layer and a second layer over the first layer.
  • the first layer has a substrate and a plurality of circuit regions
  • the second layer has a plurality of display regions.
  • each of the plurality of circuit regions has a driver circuit
  • the driver circuit has a transistor including low temperature polysilicon in the channel formation region.
  • Each of the plurality of display regions has a display pixel
  • the display pixel has a transistor including a metal oxide in a channel forming region and a light emitting device.
  • a driver circuit included in one of the plurality of circuit regions has a function of driving display pixels included in one of the plurality of display regions. Thereby, the display device can display images at different frame frequencies in at least two of the plurality of display areas.
  • one of the plurality of circuit regions and one of the plurality of display regions may overlap with each other in a top view.
  • a wiring may extend in a direction perpendicular to the substrate between the first layer and the second layer.
  • the wiring is preferably electrically connected to the display pixel and the driver circuit.
  • the substrate may be a glass substrate.
  • one embodiment of the present invention is an electronic device including the display device according to any one of (1) to (4) and a housing.
  • a display device with high definition and large diagonal size can be provided.
  • an electronic device including any of the above display devices can be provided.
  • a novel display device or a novel electronic device can be provided.
  • FIG. 1A and 1B are schematic cross-sectional views showing configuration examples of display devices.
  • FIG. 2A is a schematic plan view showing an example of a display portion of a display device
  • FIG. 2B is a schematic plan view showing an example of a drive circuit region of the display device.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of a display device.
  • 4A and 4B are schematic top views showing configuration examples of the display device.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of a display device.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a display device.
  • 7A and 7B are cross-sectional views showing examples of transistors.
  • 7C to 7E are cross-sectional views showing examples of display devices.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a display device.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a display device.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a display device.
  • 11A to 11F are diagrams showing configuration examples of light-emitting devices.
  • 12A to 12C are diagrams showing configuration examples of light-emitting devices.
  • 13A is a circuit diagram showing a configuration example of a pixel circuit included in the display device
  • FIG. 13B is a schematic perspective view showing a configuration example of the pixel circuit included in the display device.
  • 14A to 14D are circuit diagrams showing configuration examples of pixel circuits included in the display device.
  • 15A to 15D are circuit diagrams showing configuration examples of pixel circuits included in the display device.
  • 16A to 16G are plan views showing examples of pixels.
  • 17A to 17F are plan views showing examples of pixels.
  • 18A to 18H are plan views showing examples of pixels.
  • 19A to 19D are plan views showing examples of pixels.
  • 20A and 20B are diagrams showing configuration examples of the display module.
  • 21A to 21F are diagrams illustrating configuration examples of electronic devices.
  • 22A to 22D are diagrams illustrating configuration examples of electronic devices.
  • 23A to 23C are diagrams illustrating configuration examples of electronic devices.
  • 24A to 24H are diagrams illustrating configuration examples of electronic devices.
  • a semiconductor device is a device that utilizes semiconductor characteristics, and refers to circuits including semiconductor elements (eg, transistors, diodes, and photodiodes), devices having such circuits, and the like. It also refers to all devices that can function by utilizing semiconductor characteristics.
  • semiconductor elements eg, transistors, diodes, and photodiodes
  • an integrated circuit, a chip including the integrated circuit, and an electronic component containing the chip in a package are examples of semiconductor devices.
  • storage devices, display devices, light-emitting devices, lighting devices, and electronic devices themselves may be semiconductor devices or may include semiconductor devices.
  • connection relationships other than the connection relationships shown in the drawings or the text are not limited to the predetermined connection relationships, for example, the connection relationships shown in the drawings or the text. It is assumed that X and Y are objects (for example, devices, elements, circuits, wiring, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.).
  • X and Y are electrically connected is an element that enables electrical connection between X and Y (for example, switch, transistor, capacitive element, inductor, resistive element, diode, display devices, light emitting devices, and loads) can be connected between X and Y one or more times.
  • the switch has a function of being controlled to be turned on and off. In other words, the switch has the function of being in a conducting state (on state) or a non-conducting state (off state) and controlling whether or not to allow current to flow.
  • X and Y are functionally connected is a circuit that enables functional connection between X and Y (e.g., logic circuit (e.g., inverter, NAND circuit, and NOR circuit), Signal conversion circuits (e.g., digital-to-analog conversion circuits, analog-to-digital conversion circuits, and gamma correction circuits), potential level conversion circuits (e.g., power supply circuits such as booster circuits or step-down circuits, and level shifter circuits that change the potential level of signals), Voltage sources, current sources, switching circuits, amplifier circuits (for example, circuits that can increase signal amplitude or current amount, operational amplifiers, differential amplifier circuits, source follower circuits, and buffer circuits), signal generation circuits, memory circuits, and controls circuit) can be connected between X and Y one or more times. As an example, even if another circuit is interposed between X and Y, when a signal output from X is transmitted to Y, X and Y are
  • this specification deals with a circuit configuration in which a plurality of elements are electrically connected to wiring (wiring for supplying a constant potential or wiring for transmitting signals).
  • wiring for supplying a constant potential or wiring for transmitting signals.
  • X and Y, and the source (which may be referred to as one of the first terminal or the second terminal) and the drain (which may be referred to as the other of the first terminal or the second terminal) of the transistor are , are electrically connected to each other, and are electrically connected in the order of X, the source of the transistor, the drain of the transistor, and Y.”
  • the source of the transistor is electrically connected to X
  • the drain of the transistor is electrically connected to Y
  • X, the source of the transistor, the drain of the transistor, Y are electrically connected in that order.
  • X is electrically connected to Y through the source and drain of the transistor, and X, the source of the transistor, the drain of the transistor, and Y are provided in this connection order.”
  • X and Y are objects (for example, devices, elements, circuits, wiring, electrodes, terminals, conductive films, or layers).
  • circuit diagram shows independent components electrically connected to each other, if one component has the functions of multiple components.
  • one component has the functions of multiple components.
  • the term "electrically connected" in this specification includes cases where one conductive film functions as a plurality of constituent elements.
  • a “resistive element” can be, for example, a circuit element having a resistance value higher than 0 ⁇ , a wiring having a resistance value higher than 0 ⁇ , or the like. Therefore, in this specification and the like, a “resistive element” includes a wiring having a resistance value, a transistor, a diode, or a coil through which a current flows between a source and a drain. Therefore, the term “resistive element” may be interchanged with terms such as “resistance,””load,” or “region having a resistance value.” Conversely, terms such as “resistor”, “load”, or “region having a resistance value” may be interchanged with the term “resistive element”.
  • the resistance value can be, for example, preferably 1 m ⁇ or more and 10 ⁇ or less, more preferably 5 m ⁇ or more and 5 ⁇ or less, still more preferably 10 m ⁇ or more and 1 ⁇ or less. Also, for example, it may be 1 ⁇ or more and 1 ⁇ 10 9 ⁇ or less.
  • capacitor element refers to, for example, a circuit element having a capacitance value higher than 0 F, a wiring region having a capacitance value higher than 0 F, a parasitic capacitance, a transistor can be the gate capacitance of Also, terms such as “capacitance element”, “parasitic capacitance”, or “gate capacitance” may be replaced with the term “capacitance”.
  • capacitor may be interchanged with terms such as “capacitive element,” “parasitic capacitance,” or “gate capacitance.”
  • a “capacity” (including a “capacity” with three or more terminals) includes an insulator and a pair of conductors sandwiching the insulator. Therefore, the term “pair of conductors” in “capacitance” can be replaced with “pair of electrodes,” “pair of conductive regions,” “pair of regions,” or “pair of terminals.” Also, the terms “one of a pair of terminals” and “the other of a pair of terminals” may be referred to as a first terminal, a second terminal, or the like, respectively.
  • the value of the capacitance can be, for example, 0.05 fF or more and 10 pF or less. Also, for example, it may be 1 pF or more and 10 ⁇ F or less.
  • a transistor has three terminals called a gate, a source, and a drain.
  • a gate is a control terminal that controls the conduction state of a transistor.
  • the two terminals functioning as source or drain are the input and output terminals of the transistor.
  • One of the two input/output terminals functions as a source and the other as a drain depending on the conductivity type (n-channel type or p-channel type) of the transistor and the level of potentials applied to the three terminals of the transistor. Therefore, in this specification and the like, terms such as source and drain may be used interchangeably.
  • a transistor may have a back gate in addition to the three terminals described above, depending on the structure of the transistor.
  • one of the gate and back gate of the transistor may be referred to as a first gate
  • the other of the gate and back gate of the transistor may be referred to as a second gate.
  • the terms "gate” and “backgate” may be used interchangeably for the same transistor.
  • the respective gates may be referred to as a first gate, a second gate, a third gate, or the like in this specification and the like.
  • a multi-gate transistor having two or more gate electrodes can be used as an example of a transistor.
  • the multi-gate structure since the channel formation regions are connected in series, a structure in which a plurality of transistors are connected in series is obtained. Therefore, the multi-gate structure can reduce off-state current and improve the breakdown voltage (reliability) of the transistor.
  • the multi-gate structure even if the voltage between the drain and source changes when operating in the saturation region, the current between the drain and source does not change much and the slope is flat. properties can be obtained.
  • the flat-slope voltage-current characteristic an ideal current source circuit or an active load with a very high resistance value can be realized. As a result, a differential circuit or current mirror circuit with good characteristics can be realized.
  • circuit elements such as “light-emitting device” and “light-receiving device” may have polarities called “anode” and "cathode”.
  • anode In the case of a “light emitting device”, it may be possible to cause the “light emitting device” to emit light by applying a forward bias (applying a positive potential to the "anode” with respect to the "cathode”).
  • the "light-receiving device” by applying zero bias or reverse bias (applying a negative potential to the "cathode” to the "anode) and irradiating the "light-receiving device” with light, the “anode” - A current may occur across the "cathode”.
  • the “anode” and “cathode” are sometimes treated as input/output terminals in circuit elements such as “light-emitting device” and “light-receiving device”.
  • the “anode” and “cathode” of circuit elements such as “light-emitting device” and “light-receiving device” are sometimes referred to as terminals (first terminal, second terminal, etc.).
  • terminals first terminal, second terminal, etc.
  • the circuit element may have a plurality of circuit elements.
  • one resistor when one resistor is described on the circuit diagram, it includes the case where two or more resistors are electrically connected in series.
  • the case where one capacitor is described on the circuit diagram includes the case where two or more capacitors are electrically connected in parallel.
  • the switch when one transistor is illustrated in a circuit diagram, two or more transistors are electrically connected in series and the gates of the transistors are electrically connected to each other. shall include Similarly, for example, when one switch is described on the circuit diagram, the switch has two or more transistors, and the two or more transistors are electrically connected in series or parallel. , and the case where the gates of the respective transistors are electrically connected to each other.
  • a node can also be called a terminal, a wiring, an electrode, a conductive layer, a conductor, or an impurity region depending on the circuit configuration and device structure. Also, a terminal or wiring can be called a node.
  • Voltage is a potential difference from a reference potential.
  • the reference potential is ground potential
  • “voltage” can be replaced with “potential”. Note that the ground potential does not necessarily mean 0V.
  • the potential is relative, and when the reference potential changes, the potential applied to the wiring, the potential applied to the circuit, etc., and the potential output from the circuit etc. also change.
  • the terms “high level potential” and “low level potential” do not mean specific potentials.
  • the high-level potentials supplied by both wirings do not have to be equal to each other.
  • the low-level potentials applied by both wirings need not be equal to each other.
  • electrical current refers to the movement phenomenon of charge (electrical conduction).
  • electrical conduction occurs in a positive In other words, “electrical conduction is occurring”. Therefore, in this specification and the like, unless otherwise specified, the term “electric current” refers to a charge transfer phenomenon (electrical conduction) associated with the movement of carriers.
  • carriers here include electrons, holes, anions, cations, and complex ions, and the carriers differ depending on the current-flowing system (eg, semiconductor, metal, electrolyte, or in vacuum).
  • the "direction of current” in wiring or the like is the direction in which carriers that become positive charges move, and is described as a positive amount of current.
  • the direction in which the carriers that become negative charges move is the direction opposite to the direction of the current, and is represented by the amount of negative current. Therefore, in this specification and the like, when there is no indication about the positive or negative of the current (or the direction of the current), the description that "current flows from element A to element B" is the description that "current flows from element B to element A.” shall be able to be rephrased as Also, the description that "a current is input to the element A" can be rephrased as a description that "the current is output from the element A".
  • ordinal numbers such as “first”, “second”, and “third” are added to avoid confusion of constituent elements. Therefore, the number of components is not limited. Also, the order of the components is not limited. For example, the component referred to as “first” in one of the embodiments such as this specification may be the component referred to as “second” in another embodiment or the scope of claims. can also be Further, for example, the component referred to as “first” in one of the embodiments of this specification etc. may be omitted in other embodiments or the scope of claims.
  • the terms “above” and “below” do not limit the positional relationship of the components to being directly above or below and in direct contact with each other.
  • the expression “electrode B on insulating layer A” does not require that electrode B be formed on insulating layer A in direct contact with another configuration between insulating layer A and electrode B. Do not exclude those containing elements.
  • the expression “electrode B above the insulating layer A” it is not necessary that the electrode B is formed on the insulating layer A in direct contact with the insulating layer A and the electrode B.
  • Electrode B under the insulating layer A it is not necessary that the electrode B is formed under the insulating layer A in direct contact with the insulating layer A and the electrode B. do not exclude other components between
  • the terms “row” and “column” may be used to describe components arranged in a matrix and their positional relationships.
  • the positional relationship between the configurations changes appropriately according to the direction in which each configuration is drawn. Therefore, it is not limited to the words and phrases explained in the specification, etc., and can be appropriately rephrased according to the situation.
  • the expression “row-wise” may be rephrased as “column-wise” by rotating the orientation of the drawing shown by 90 degrees.
  • the terms “film” and “layer” can be interchanged depending on the situation. For example, it may be possible to change the term “conductive layer” to the term “conductive film.” Or, for example, it may be possible to change the term “insulating film” to the term “insulating layer”. Alternatively, as the case may or may be, the terms “film” and “layer” may be omitted and replaced with other terms. For example, it may be possible to change the term “conductive layer” or “conductive film” to the term “conductor.” Alternatively, for example, the terms “insulating layer” and “insulating film” may be changed to the term “insulator”.
  • electrode in this specification do not functionally limit these components.
  • an “electrode” may be used as part of a “wiring” and vice versa.
  • the term “electrode” or “wiring” includes the case where a plurality of “electrodes” or “wiring” are integrally formed.
  • a “terminal” may be used as part of a “wiring” or an “electrode”, and vice versa.
  • terminal also includes cases where a plurality of "electrodes", “wirings”, or “terminals” are integrally formed.
  • an “electrode” can be part of a “wiring” or a “terminal”
  • a “terminal” can be part of a “wiring” or an “electrode”, for example.
  • terms such as “electrode”, “wiring”, or “terminal” may be replaced with the term “region” in some cases.
  • the terms “wiring”, “signal line”, and “power line” can be interchanged depending on the case or situation. For example, it may be possible to change the term “wiring” to the term “signal line”. Also, for example, it may be possible to change the term “wiring” to the term “power supply line”. Also, vice versa, it may be possible to change the term “signal line” or “power line” to the term “wiring”. It may be possible to change the term “power line” to the term “signal line”. Also, vice versa, the term “signal line” may be changed to the term "power line”. Also, the term “potential” applied to the wiring can be changed to the term “signal” in some cases or depending on the situation. And vice versa, the term “signal” may be changed to the term “potential”.
  • a metal oxide is a metal oxide in a broad sense.
  • Metal oxides are classified into oxide insulators, oxide conductors (including transparent oxide conductors), oxide semiconductors (also referred to as oxide semiconductors or simply OSs), and the like.
  • oxide semiconductors also referred to as oxide semiconductors or simply OSs
  • a metal oxide semiconductor when a channel formation region of a transistor contains a metal oxide, the metal oxide is sometimes referred to as an oxide semiconductor.
  • a metal oxide can constitute a channel-forming region of a transistor having at least one of an amplifying action, a rectifying action, and a switching action, the metal oxide is called a metal oxide semiconductor. be able to.
  • an OS transistor it can also be referred to as a transistor including a metal oxide or an oxide semiconductor.
  • nitrogen-containing metal oxides may also be collectively referred to as metal oxides.
  • a metal oxide containing nitrogen may also be referred to as a metal oxynitride.
  • semiconductor impurities refer to, for example, substances other than the main component that constitutes the semiconductor layer.
  • impurities may cause one or more of, for example, an increase in defect level density, a decrease in carrier mobility, and a decrease in crystallinity of a semiconductor.
  • impurities that change the characteristics of the semiconductor include, for example, Group 1 elements, Group 2 elements, Group 13 elements, Group 14 elements, and Group 15 elements.
  • transition metals other than the main component and particularly, for example, hydrogen (also contained in water), lithium, sodium, silicon, boron, phosphorus, carbon, nitrogen, and the like.
  • impurities that change the characteristics of the semiconductor include, for example, group 1 elements, group 2 elements, group 13 elements, and group 15 elements (excluding oxygen and hydrogen). ).
  • a switch is one that has the function of being in a conducting state (on state) or a non-conducting state (off state) and controlling whether or not to allow current to flow.
  • a switch has a function of selecting and switching a path through which current flows. Therefore, the switch may have two or more terminals through which current flows, in addition to the control terminal.
  • an electrical switch, a mechanical switch, or the like can be used. In other words, the switch is not limited to a specific one as long as it can control current.
  • Examples of electrical switches include transistors (eg, bipolar transistors, MOS transistors, etc.), diodes (eg, PN diodes, PIN diodes, Schottky diodes, MIM (Metal Insulator Metal) diodes, MIS (Metal Insulator Semiconductor) diodes , and diode-connected transistors), or a logic circuit combining these.
  • transistors eg, bipolar transistors, MOS transistors, etc.
  • diodes eg, PN diodes, PIN diodes, Schottky diodes, MIM (Metal Insulator Metal) diodes, MIS (Metal Insulator Semiconductor) diodes , and diode-connected transistors
  • the "conducting state" of the transistor means, for example, a state in which the source electrode and the drain electrode of the transistor can be considered to be electrically short-circuited; A state in which water can flow.
  • a “non-conducting state” of a transistor means a state in which a source electrode and a drain electrode of the transistor can be considered to be electrically cut off. Note that the polarity (conductivity type) of the transistor is not particularly limited when the transistor is operated as a simple switch.
  • a mechanical switch is a switch using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology.
  • the switch has an electrode that can be moved mechanically, and operates by controlling conduction and non-conduction by moving the electrode.
  • a device manufactured with a metal mask or FMM fine metal mask, high-definition metal mask
  • a device with an MM (metal mask) structure a device manufactured without using a metal mask or FMM
  • a device manufactured without using a metal mask or FMM may be referred to as a device with an MML (metal maskless) structure.
  • a structure in which a light-emitting layer is separately formed or a light-emitting layer is separately painted in each color light-emitting device is referred to as SBS (Side By Side) structure.
  • SBS Side By Side
  • a light-emitting device capable of emitting white light is sometimes referred to as a white light-emitting device.
  • the white light-emitting device can be combined with a colored layer (for example, a color filter) to form a full-color display device.
  • light-emitting devices can be broadly classified into single structures and tandem structures.
  • a single-structure device preferably has one light-emitting unit between a pair of electrodes, and the light-emitting unit preferably includes one or more light-emitting layers.
  • light-emitting layers may be selected such that the respective colors of light emitted from the two light-emitting layers are in a complementary color relationship.
  • the luminescent color of the first luminescent layer and the luminescent color of the second luminescent layer have a complementary color relationship, it is possible to obtain a configuration in which the entire light emitting device emits white light.
  • the light-emitting device as a whole may emit white light by combining the light-emitting colors of the three or more light-emitting layers.
  • a device with a tandem structure preferably has two or more light-emitting units between a pair of electrodes, and each light-emitting unit includes one or more light-emitting layers.
  • each light-emitting unit includes one or more light-emitting layers.
  • a structure in which white light emission is obtained by combining light from the light emitting layers of a plurality of light emitting units may be employed. Note that the structure for obtaining white light emission is the same as the structure of the single structure.
  • the white light emitting device when comparing the white light emitting device (single structure or tandem structure) and the light emitting device having the SBS structure, the light emitting device having the SBS structure can consume less power than the white light emitting device. If it is desired to keep power consumption low, it is preferable to use a light-emitting device with an SBS structure. On the other hand, the white light emitting device is preferable because the manufacturing process is simpler than that of the SBS structure light emitting device, so that the manufacturing cost can be lowered or the manufacturing yield can be increased.
  • parallel refers to a state in which two straight lines are arranged at an angle of -10° or more and 10° or less. Therefore, the case of ⁇ 5° or more and 5° or less is also included.
  • substantially parallel or “substantially parallel” refers to a state in which two straight lines are arranged at an angle of -30° or more and 30° or less.
  • Perfect means that two straight lines are arranged at an angle of 80° or more and 100° or less. Therefore, the case of 85° or more and 95° or less is also included.
  • the content (or part of the content) described in one embodiment may be combined with another content (or part of the content) described in that embodiment, or one or a plurality of other implementations. can be applied, combined, or replaced with at least one of the contents described in the form of (may be part of the contents).
  • figure (may be part of) described in one embodiment refers to another part of that figure, another figure (may be part) described in that embodiment, and one or more other More drawings can be formed by combining at least one of the drawings (or part of them) described in the embodiments.
  • plan views may be used to describe the configuration according to each embodiment.
  • a plan view is, for example, a view showing a plane of a configuration viewed from a direction perpendicular to a horizontal plane, or a view showing a plane (cut end) obtained by cutting the configuration in the horizontal direction (which direction is viewed). is sometimes called planar view).
  • Hidden lines for example, dashed lines
  • the term "plan view” can be replaced with the term "projection view", "top view", or "bottom view”.
  • a plane (cut) obtained by cutting the configuration in a direction different from the horizontal direction may be called a plan view instead of a plane (cut) obtained by cutting the configuration in the horizontal direction.
  • cross-sectional views may be used to describe the configuration according to each embodiment.
  • a cross-sectional view is, for example, a view showing a plane of the configuration viewed from a direction perpendicular to the horizontal plane, or a view showing a plane (cut) cut from the configuration in a direction perpendicular to the horizontal plane (any The direction in which the surface is viewed is sometimes called a cross-sectional view).
  • the term "cross-sectional view” can be replaced with the term "front view” or "side view”.
  • a cross-sectional view may be a plane (cut) obtained by cutting the structure in a direction different from the vertical direction, rather than a plane (cut) obtained by cutting the configuration in the vertical direction.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of a display device of one embodiment of the present invention.
  • the display device DSP shown in FIG. 1A has, as an example, a pixel layer PXAL and a circuit layer SICL.
  • the pixel layer PXAL is provided on the circuit layer SICL. Note that the pixel layer PXAL overlaps a region including a driver circuit region DRV, which will be described later.
  • the circuit layer SICL has a substrate BS and a drive circuit region DRV.
  • Substrates BS include, for example, glass substrates, quartz substrates, plastic substrates, sapphire glass substrates, metal substrates, stainless steel substrates, substrates with stainless steel foil, tungsten substrates, substrates with tungsten foil, flexible Substrates, laminated films, paper containing fibrous materials, or base films can be used.
  • glass substrates include barium borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, or soda lime glass.
  • Examples of flexible substrates, laminated films, base films, etc. are represented by polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), or polytetrafluoroethylene (PTFE).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyethersulfone
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • plastics that are Alternatively, another example is synthetic resin such as acrylic resin.
  • examples include polypropylene, polyester, polyvinyl fluoride, or polyvinyl chloride.
  • examples include polyamide, polyimide, aramid, epoxy resin, inorganic deposition film, or paper. Note that when heat treatment is included in the manufacturing process of the display device DSP, it is preferable to select a material having high resistance to heat for the substrate BS.
  • the substrate BS is described as a substrate having a material with high resistance to heat, such as a glass substrate.
  • the drive circuit region DRV is provided on the substrate BS.
  • the drive circuit region DRV has, for example, a drive circuit for driving pixels included in the pixel layer PXAL, which will be described later.
  • a specific configuration example of the drive circuit region DRV will be described later.
  • the pixel layer PXAL has, as an example, a plurality of pixels. Also, the plurality of pixels may be arranged in a matrix in the pixel layer PXAL.
  • each of the plurality of pixels can express one or more colors.
  • the plurality of colors can be, for example, three colors of red (R), green (G), and blue (B). Or, for example, colors from red (R), green (G), and blue (B), plus cyan (C), magenta (M), yellow (Y), and white (W). It may be one or more colors selected.
  • Pixels expressing different colors are called sub-pixels, and when white is expressed by a plurality of sub-pixels of different colors, the plurality of sub-pixels may be collectively called a pixel.
  • sub-pixels are sometimes referred to as pixels for convenience of explanation.
  • FIG. 2A is an example of a top view of the display device DSP, showing only the display section DIS. Note that the display portion DIS can be a top view of the pixel layer PXAL.
  • the display unit DIS is, for example, divided into m rows and n columns (m is an integer of 1 or more and n is an integer of 1 or more). Therefore, the display section DIS is configured to have the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n]. In FIG.
  • the screen resolution of the display device DSP is 8K4K
  • the number of pixels is 7680 ⁇ 4320 pixels.
  • the sub-pixels of the display section DIS are of three colors of red (R), green (G), and blue (B)
  • the total number of sub-pixels is 7680 ⁇ 4320 ⁇ 3.
  • the pixel array of the display unit DIS whose screen resolution is 8K4K is divided into 32 regions, the number of pixels per region is 960 ⁇ 1080 pixels. are three colors of red (R), green (G), and blue (B), the number of sub-pixels per region is 960 ⁇ 1080 ⁇ 3.
  • FIG. 2B is an example of a plan view of the display device DSP, showing only the drive circuit region DRV included in the circuit layer SICL.
  • each of the divided display areas ARA[1,1] to ARA[m,n] has: A corresponding drive circuit is required.
  • the drive circuit region DRV may also be divided into regions of m rows and n columns, and a drive circuit may be provided in each divided region.
  • the display device DSP in FIG. 2B shows a configuration in which the drive circuit region DRV is divided into regions of m rows and n columns. Therefore, the drive circuit region DRV has circuit regions ARD[1,1] to ARD[m,n]. Note that in FIG.
  • Each of the circuit areas ARD[1,1] to ARD[m,n] has a driving circuit SD and a driving circuit GD.
  • a driving circuit SD and a driving circuit GD are included in the circuit region ARD[i,j] (not shown in FIG. 2B) located in the i-th row and the j-th column (where i is an integer of 1 or more and m or less and j is an integer of 1 or more and n or less).
  • the driving circuit SD and the driving circuit GD are included in the display area ARA[i, j] (not shown in FIG. 2A) located in the i-th row and the j-th column of the display section DIS. Pixels can be driven.
  • the drive circuit SD functions, for example, as a source driver circuit that transmits image signals to a plurality of pixels included in the corresponding circuit area ARD.
  • the drive circuit SD may have a digital-analog conversion circuit that converts the image signal of digital data into analog data.
  • the drive circuit GD functions, for example, as a gate driver circuit for selecting a plurality of pixels to which image signals are to be sent in the corresponding circuit area ARD.
  • the display area ARA[i, j] and the circuit area ARD[i, j] are located in areas that overlap each other in plan view.
  • the display area ARA[i, j] and the circuit area ARD[i, j] are electrically connected. Since the connecting wiring can be shortened, the parasitic resistance of the wiring can be reduced.
  • the parasitic capacitance of the wiring can be reduced, so that the time constant of the wiring can be reduced.
  • FIG. 3 is a perspective view of the display device DSP shown in FIGS. 2A and 2B. Also, in FIG. 3, the display area ARA[1,1], the display area ARA[m,1], the display area ARA[1,n], and the display area ARA[m,n] are extracted as the display area ARA. , and as the circuit area ARD, the circuit area ARD[1,1], the circuit area ARD[m,1], the circuit area ARD[1,n], and the circuit area ARD[m,n] are extracted and shown. ing.
  • each of the plurality of display areas ARA has, as an example, a plurality of pixels PX. Also, in the display area ARA, the plurality of pixels PX are arranged in a matrix.
  • a plurality of wirings GL extend in the row direction
  • a plurality of wirings SL extend in the column direction.
  • Each of the plurality of pixels PX arranged in a matrix in the display area ARA is electrically connected to the wiring GL of the corresponding row. Similarly, each of the plurality of pixels PX is electrically connected to the wiring SL of the corresponding column.
  • each of the plurality of circuit regions ARD has a drive circuit SD and a drive circuit GD, as in the display device DSP shown in FIG. 2B.
  • the driving circuit SD and the driving circuit GD included in the circuit area ARD[i,j] have a function of driving a plurality of pixels included in the display area ARA[i,j]. have Therefore, the drive circuit SD included in the circuit area ARD[i, j] is electrically connected to a plurality of wirings SL extending in the display area ARA[i, j]. Also, the drive circuit GD included in the circuit area ARD[i, j] is electrically connected to a plurality of wirings GL extending in the display area ARA[i, j].
  • a plurality of wirings SL are provided between the display area DIS and the driver circuit area DRV. , and a plurality of wirings GL are provided.
  • the display area ARA[i, j] and the circuit area ARD[i, j] can extend, for example, in a direction perpendicular to or substantially perpendicular to the substrate BS. Since the length of the wiring can be shortened by extending the wiring in a vertical direction or a substantially vertical direction, the parasitic resistance of the wiring can be reduced as described above. In addition, parasitic capacitance associated with the wiring can be reduced. Accordingly, the voltage for causing current to flow through the wiring can be kept low, and power consumption can be reduced.
  • the display device DSP shown in FIGS. 1A, 2A, 2B, and 3 has a configuration in which the display area ARA[i, j] and the circuit area ARD[i, j] of the display unit DIS overlap each other.
  • the display device of one embodiment of the present invention is not limited thereto.
  • the display area ARA[i, j] and the circuit area ARD[i, j] do not necessarily overlap with each other.
  • the display device DSP may have a configuration in which not only the driver circuit region DRV but also the region LIA are provided on the substrate BS.
  • wiring is provided in the area LIA.
  • the display device DSP may have a configuration in which the circuits included in the drive circuit area DRV and the circuits included in the pixel layer PXAL are electrically connected by wiring included in the area LIA.
  • FIG. 4A is an example of a plan view of the display device DSP shown in FIG. 1B, showing a drive circuit region DRV indicated by solid lines and a display portion DIS indicated by dotted lines. Further, the display device DSP of FIG. 4A shows, as an example, a configuration in which the drive circuit region DRV is surrounded by the region LIA (an example of a plan view of the display device DSP showing only the circuit layer SICL is shown in FIG. 4B. show). Therefore, as shown in FIG. 4A, the drive circuit region DRV is arranged so as to overlap the inside of the display portion DIS in plan view.
  • the display portion DIS is divided into the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n], and the drive circuit area DRV is also divided into circuit areas ARD[1,1] to ARD[m,n].
  • the correspondence relationship between the display area ARA and the circuit area ARD including the driving circuit for driving the pixels included in the display area ARA is illustrated by thick arrows.
  • the driver circuits included in the circuit area ARD[1,1] drive the pixels included in the display area ARA[1,1], and the pixels included in the circuit area ARD[2,1].
  • the driving circuit in the display area ARA[2,1] drives the pixels included in the display area ARA[2,1].
  • the driver circuit included in the circuit area ARD[m ⁇ 1,1] drives the pixels included in the display area ARA[m ⁇ 1,1], and the pixels included in the circuit area ARD[m,1].
  • the driving circuit provided drives the pixels included in the display area ARA[m,1].
  • the drive circuit included in the circuit area ARD[1,n] drives the pixels included in the display area ARA[1,n]
  • the drive circuit included in the circuit area ARD[2,n] drives the pixels included in the display area ARA[1,n]. drives the pixels included in the display area ARA[2,n].
  • the driver circuits included in the circuit area ARD[m-1, n] drive the pixels included in the display area ARA[m-1, n], and the pixels included in the circuit area ARD[m, n].
  • the driving circuit provided drives the pixels included in the display area ARA[m,n].
  • the drive circuit included in the circuit area ARD[i, j] located at the i row and j column drives the pixels included in the display area ARA[i, j].
  • the configuration of the display device DSP is obtained by electrically connecting the driving circuits included in the circuit area ARD in the circuit layer SICL and the pixels included in the display area ARA in the pixel layer PXAL by wiring.
  • the display area ARA[i, j] and the circuit area ARD[i, j] may not necessarily overlap each other. Therefore, the positional relationship between the drive circuit region DRV and the display section DIS is not limited to the plan view of the display device DSP shown in FIG. 4A, and the arrangement of the drive circuit region DRV can be freely determined.
  • the driving circuits SD and GD are arranged in a cross shape.
  • the arrangement of the driver circuit SD and the driver circuit GD is not limited to the structure of the display device of one embodiment of the present invention.
  • the drive circuit SD and the drive circuit GD may be arranged in an L shape within one circuit region ARD of the drive circuit region DRV, as shown in FIG.
  • one of the drive circuit SD and the drive circuit GD may be arranged vertically in a plan view, and the other of the drive circuit SD and the drive circuit GD may be arranged horizontally in a plan view.
  • the display unit DIS of the display device DSP is divided into display areas ARA[1,1] to ARA[m,n], and a circuit area ARD corresponding to each display area ARA
  • each of the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n] can be driven independently.
  • a display area ARA in which image data is frequently rewritten is driven by increasing the frame frequency of the driving circuit SD and the driving circuit GD provided in the corresponding circuit area ARD, and the display area ARA in which image data is not frequently rewritten. can be driven by lowering the frame frequency of the driving circuit SD and the driving circuit GD provided in the corresponding circuit area ARD.
  • the drive circuit SD and the drive circuit GD corresponding to the display area ARA in which much image data such as moving images are rewritten may operate at a high frame frequency of 60 Hz or higher, 120 Hz or higher, 165 Hz or higher, or 240 Hz or higher.
  • the drive circuit SD and the drive circuit GD corresponding to the display area ARA in which image data such as still images are not frequently rewritten have a low frame frequency of 5 Hz or less, 1 Hz or less, 0.5 Hz or less, or 0.1 Hz or less.
  • the display device DSP can display images on the display unit DIS in two areas selected from the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n] at different frame frequencies.
  • the diagonal size of the display device DSP can be easily increased compared to a semiconductor substrate made of silicon or the like.
  • the glass substrate for example, the second generation substrate size (approximately 370 mm ⁇ 470 mm), the third generation substrate size (approximately 550 mm ⁇ 650 mm), the fourth generation substrate size (approximately 680 mm ⁇ 880 mm), or the fourth generation
  • the second generation substrate size approximately 370 mm ⁇ 470 mm
  • the third generation substrate size approximately 550 mm ⁇ 650 mm
  • the fourth generation substrate size approximately 680 mm ⁇ 880 mm
  • the fourth generation By selecting a substrate size that exceeds generations, it is possible to fabricate a display device DSP with a diagonal size larger than the diameter (approximately 12 inches) of the main silicon wafers handled in current semiconductor processes.
  • FIG. 5 is a block diagram showing an example of the display device DSP and the control circuit PRPH.
  • the display device DSP shown in FIG. 5 has a display portion DIS and a drive circuit region DRV.
  • the drive circuit region DRV has a circuit GDS including a plurality of drive circuits GD and a circuit SDS including a plurality of drive circuits SD.
  • the control circuit PRPH includes a distribution circuit DMG, a distribution circuit DMS, a control unit CTR, a memory device MD, a voltage generation circuit PG, a timing controller TMC, a clock signal generation circuit CKS, an image processing unit GPS, and an interface. and INT.
  • the drive circuit region DRV including each of the plurality of drive circuits GD overlaps the pixel layer PXAL including the plurality of display regions ARA as shown in FIGS. 2A to 4B.
  • a plurality of drive circuits GD are shown arranged in a line.
  • the drive circuit region DRV including each of the plurality of drive circuits SD overlaps the pixel layer PXAL including the plurality of display regions ARA as shown in FIGS. 2A to 4B.
  • a plurality of drive circuits SD are shown arranged in a row.
  • the control circuit PRPH is electrically connected to the outside of the display device DSP shown in FIGS. 1A to 4B, for example.
  • a distribution circuit DMG a distribution circuit DMS, a control unit CTR, a memory device MD, a voltage generation circuit PG, a timing controller TMC, a clock signal generation circuit CKS, an image processing unit GPS, and an interface INT, respectively transmit and receive various signals to and from each other via the bus wiring BW.
  • the interface INT has a function as a circuit for taking in, for example, image information for displaying an image on the display device DSP, which is output from an external device, into a circuit within the control circuit PRPH.
  • the external device here includes, for example, a recording media player, a non-volatile storage device such as a HDD (Hard Disk Drive), and an SSD (Solid State Drive).
  • the interface INT may be a circuit that outputs a signal from a circuit within the control circuit PRPH to a device outside the display device DSP.
  • the interface INT is, for example, configured to have an antenna for receiving image information, a mixer, an amplifier circuit, and an analog-to-digital conversion circuit. be able to.
  • the control unit CTR has the function of processing various control signals sent from an external device via the interface INT and controlling various circuits included in the control circuit PRPH.
  • the memory device MD has a function of temporarily holding information and image signals.
  • the storage device MD functions, for example, as a frame memory (sometimes called a frame buffer). Further, the storage device MD may have a function of temporarily holding at least one of information sent from an external device via the interface INT and information processed by the control unit CTR.
  • the storage device MD for example, at least one of SRAM (Static Random Access Memory) and DRAM (Dynamic Random Access Memory) can be applied.
  • the voltage generation circuit PG has a function of generating a power supply voltage to be supplied to each of the pixel circuits included in the display section DIS and the circuits included in the control circuit PRPH.
  • the voltage generation circuit PG may have a function of selecting a circuit to supply voltage.
  • the voltage generation circuit PG supplies voltage to the circuit GDS, the circuit SDS, the image processing unit GPS, the timing controller TMC, and the clock signal generation circuit CKS while the display unit DIS is displaying a still image. By stopping, the power consumption of the entire display device DSP can be reduced.
  • the timing controller TMC has the function of generating timing signals used by the plurality of drive circuits GD included in the circuit GDS and the plurality of drive circuits SD included in the circuit SDS. Note that the clock signal generated by the clock signal generation circuit CKS can be used to generate the timing signal.
  • the image processing unit GPS has a function of performing processing for drawing an image on the display unit DIS.
  • the image processing unit GPS may have a GPU (Graphics Processing Unit).
  • the image processing unit GPS can process image data to be displayed on the display unit DIS at high speed by adopting a configuration that performs pipeline processing in parallel.
  • the image processing unit GPS can also function as a decoder for restoring encoded images.
  • the image processing unit GPS receives, for example, image data to be displayed in each of the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n], and converts the image data into an image signal. has a function to generate
  • the image processing unit GPS may have a function of correcting the color tone of the images displayed in the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n].
  • the image processing unit GPS is preferably provided with one or both of a light adjustment circuit and a color adjustment circuit.
  • the display pixel circuits included in the display unit DIS include organic EL elements, the image processing unit GPS may be provided with an EL correction circuit.
  • Artificial intelligence may also be used for the image correction described above.
  • the current flowing through the display device provided in the pixel is obtained by monitoring, the image displayed on the display unit DIS is obtained with an image sensor or the like, and the current (or voltage ) and the image may be treated as input data for computation of artificial intelligence (for example, an artificial neural network), and the presence or absence of correction of the image may be determined based on the output result.
  • artificial intelligence for example, an artificial neural network
  • artificial intelligence calculations can be applied not only to image correction, but also to up-conversion processing of image data. Accordingly, by performing up-conversion of image data with a small screen resolution to match the screen resolution of the display unit DIS, an image with a high display quality can be displayed on the display unit DIS. Artificial intelligence calculations can also be applied to image data down-conversion processing.
  • the above-described artificial intelligence calculation can be performed using, for example, a GPU included in the image processing unit GPS. That is, the GPU can be used to perform various correction calculations (for example, color unevenness correction or up-conversion).
  • the GPU that performs artificial intelligence calculations is referred to as an AI accelerator. That is, in this specification and the like, the GPU may be replaced with an AI accelerator for explanation.
  • the clock signal generation circuit CKS has, for example, a function of generating a clock signal for displaying a desired image in each of the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n].
  • the clock signal generation circuit CKS sets the display area ARA[1,1] to the display area ARA[m,n].
  • the clock signal generation circuit CKS preferably has a function of simultaneously generating clock signals with different frequencies.
  • the distribution circuit DMG drives the pixels included in any one of the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n] according to the content of the signal received from the bus wiring BW. It has a function of transmitting to the drive circuit GD.
  • the distribution circuit DMS drives the pixels included in any one of the display areas ARA[1,1] to ARA[m,n] according to the content of the signal received from the bus wiring BW. It has a function of transmitting to the drive circuit SD.
  • FIG. 5 shows that the distribution circuit DMG directly transmits a signal to the circuit GDS, the signal transmitted from the distribution circuit DMG may be input to the circuit GDS via the interface INT.
  • FIG. 5 shows that the distribution circuit DMS directly transmits a signal to the circuit SDS, the signal transmitted from the distribution circuit DMS is input to the circuit SDS via the interface INT.
  • control circuit PRPH may include a level shifter.
  • a level shifter for example, has a function of converting a signal input to each circuit to an appropriate level.
  • control circuit PRPH shown in FIG. 5 is an example, and the circuit configuration included in the control circuit PRPH may be changed according to the situation. For example, if the control circuit PRPH is configured to receive the drive voltage for each circuit from the outside, there is no need to generate the drive voltage in the control circuit PRPH. A configuration that does not include a PG may also be used.
  • each circuit included in the control circuit PRPH may be included in the circuit layer SICL of the display device DSP.
  • all or part of each circuit included in the control circuit PRPH may be included in the drive circuit region DRV.
  • all or part of each circuit included in the control circuit PRPH may be included in the drive circuit area DRV or the area LIA.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a display device of one embodiment of the present invention.
  • the display device 1000 illustrated in FIG. 6 has a structure in which a pixel circuit, a driver circuit, and the like are provided over a substrate 310 .
  • the configuration of the display device DSP of the embodiment described above can be the configuration of the display device 1000 in FIG.
  • the circuit layer SICL and the pixel layer PXAL shown in the display device DSP in FIG. 1 can be configured as in the display device 1000 in FIG.
  • a display device 1000 in FIG. 6 has a configuration in which a circuit element and a light-emitting device are formed between a substrate 310 and a substrate 110 .
  • the circuit layer SICL has a transistor 300 .
  • transistor 300 is formed over substrate 310 .
  • a pixel layer PXAL is provided above the transistor 300 .
  • a wiring that electrically connects the transistors 300 and 200 is provided between the transistors 300 and 200 (not shown).
  • the pixel layer PXAL has, for example, a transistor 200 and light emitting devices 130 (light emitting devices 130R, 130G, and 130B in FIG. 6).
  • a substrate 110 is provided above the light emitting device 130 .
  • the substrate 310 corresponds to the substrate BS described in the first embodiment, for example. Therefore, as described in Embodiment 1, the substrate 310 preferably uses a substrate that can be applied to the substrate BS.
  • the diagonal size of the display device DSP can be determined according to the size of the substrate applied to the substrate BS (substrate 310).
  • a display device DSP having a large diagonal size can be manufactured by using a glass substrate, a metal substrate, or a base film, which can be easily increased in area, as the substrate BS (substrate 310).
  • a substrate with an increased area refers to, for example, a substrate having a second-generation substrate size or larger.
  • the substrate 310 is described as a substrate having a material with high resistance to heat, such as a glass substrate.
  • the transistor 300 and the transistor 200 are preferably formed by a process that can be formed even if the substrate BS (substrate 310) has a large area.
  • Examples of transistors that can be formed over a large-area substrate include a transistor including low-temperature polysilicon in a channel formation region (hereinafter referred to as an LTPS transistor) and an OS transistor.
  • the transistor 300 is provided on the substrate 310 .
  • the transistor 300 includes an insulator 311, an insulator 312, an insulator 313, an insulator 314, a conductor 316, a conductor 317, a low-resistance region 318p, a semiconductor region 318i, and a conductor 319. have.
  • the same hatching pattern is applied to a plurality of layers obtained by processing the same conductive film.
  • the low-resistance region 318p and the semiconductor region 318i are collectively referred to as a semiconductor layer 318.
  • the transistor 300 can be an LTPS transistor by applying, for example, low temperature polysilicon to the semiconductor material included in the semiconductor layer 318 .
  • the LTPS transistor has high field effect mobility and good frequency characteristics.
  • circuits provided in the circuit layer SICL are formed on the same substrate as the display portion. be able to. This makes it possible to simplify the external circuit mounted on the display device and reduce the component cost and the mounting cost.
  • the conductor 317 functions as a first gate (sometimes referred to as either gate or back gate) in the transistor 300 .
  • the conductor 316 also functions as a second gate (sometimes referred to as the other of the gate and the back gate) in the transistor 300 .
  • One of the pair of low-resistance regions 318p of the semiconductor layer 318 functions as one of the source and the drain of the transistor 300, and the other of the pair of low-resistance regions 318p of the semiconductor layer 318 functions as the other of the source and the drain of the transistor 300.
  • function as The insulator 313 functions as a first gate insulating film in the transistor 300
  • the insulator 312 functions as a second gate insulating film in the transistor 300 .
  • an insulator 311 is formed on a substrate 310 .
  • a conductor 316 is formed on a part of the insulator 311 .
  • An insulator 312 is formed to cover the insulator 311 and the conductor 316 .
  • a semiconductor layer 318 is formed over the conductor 316 and the insulator 312 and partially over the insulator 312 .
  • An insulator 313 is formed to cover the insulator 312 and the semiconductor layer 318 .
  • a conductor 317 is formed over the conductor 316 , the insulator 312 , the semiconductor layer 318 , and the insulator 313 and partially over the insulator 313 .
  • An insulator 314 is sequentially covered so as to cover the insulator 313 and the conductor 317 .
  • openings are provided in regions of the insulators 313 and 314 that overlap with the low-resistance region 318p, and a conductor 319 is formed over the insulator 314 so as to fill the openings.
  • silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum oxynitride, aluminum nitride oxide, aluminum nitride, or the like is used. You can use it.
  • oxynitride refers to a material whose composition contains more oxygen than nitrogen
  • nitride oxide refers to a material whose composition contains more nitrogen than oxygen. point to the material.
  • silicon oxynitride refers to a material whose composition contains more oxygen than nitrogen
  • silicon nitride oxide refers to a material whose composition contains more nitrogen than oxygen. indicates
  • insulator 311 may contain impurities (e.g., metal ions, metal atoms, oxygen atoms, oxygen molecules, hydrogen atoms, hydrogen molecules, and water molecules) from regions below insulator 311 (e.g., substrate 310). It is preferable to use a barrier insulating film that prevents diffusion.
  • impurities e.g., metal ions, metal atoms, oxygen atoms, oxygen molecules, hydrogen atoms, hydrogen molecules, and water molecules
  • insulator 314 may also include impurities (e.g., certain metal It is preferable to use a barrier insulating film that does not diffuse ions, specific metal atoms, oxygen atoms, oxygen molecules, hydrogen atoms, hydrogen molecules, and water molecules.
  • impurities e.g., certain metal It is preferable to use a barrier insulating film that does not diffuse ions, specific metal atoms, oxygen atoms, oxygen molecules, hydrogen atoms, hydrogen molecules, and water molecules.
  • the insulator 311 and the insulator 314 have a function of suppressing diffusion of impurities such as specific metal ions, specific metal atoms, oxygen atoms, oxygen molecules, hydrogen atoms, hydrogen molecules, and water molecules (the above impurities are It is preferable to use an insulating material that is difficult to permeate. In some situations, the insulators 311 and 314 have a function of suppressing diffusion of impurities such as nitrogen atoms, nitrogen molecules, nitrogen oxide molecules (eg, N 2 O, NO, or NO 2 ), and copper atoms. It is preferable to use an insulating material having (the above oxygen is difficult to permeate).
  • Silicon nitride formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method can be used as an example of a film having a barrier property against hydrogen.
  • the desorption amount of hydrogen can be analyzed using, for example, thermal desorption spectroscopy (TDS).
  • TDS thermal desorption spectroscopy
  • the amount of hydrogen released from the insulator 311 or the insulator 314 is the same as that of the insulator 324 in terms of hydrogen atoms when the surface temperature of the film is in the range of 50°C to 500°C. It may be 10 ⁇ 10 15 atoms/cm 2 or less, preferably 5 ⁇ 10 15 atoms/cm 2 or less in terms of area.
  • the semiconductor layer 318 contains silicon as described above.
  • the silicon is preferably low-temperature polysilicon. That is, the transistor 300 is preferably an LTPS transistor.
  • CMOS circuit can be formed using the LTPS transistor.
  • the driver circuit is preferably composed of a CMOS circuit rather than a unipolar circuit from the viewpoint of driving speed and power consumption.
  • the low resistance region 318p is a region containing an impurity element.
  • an impurity element such as phosphorus or arsenic may be added to the low-resistance region 318p.
  • an impurity element such as boron or aluminum may be added to the low-resistance region 318p.
  • the impurity element described above may be added to the semiconductor region 318i.
  • the transistor 300 may be of either p-channel type or n-channel type.
  • a plurality of transistors 300 may be provided in the circuit layer SICL, and both p-channel transistors and n-channel transistors may be used.
  • metals such as aluminum, titanium, chromium, nickel, copper, yttrium, zirconium, molybdenum, silver, tantalum, or tungsten can be used.
  • an alloy containing one or more of the above metals as a main component can be used as a single-layer structure or a laminated structure.
  • the conductors 316 and 317 may include indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium oxide containing tungsten, indium zinc oxide containing tungsten, indium oxide containing titanium, ITO containing titanium, A light-transmitting conductive material such as indium zinc oxide, zinc oxide (ZnO), ZnO containing gallium, or indium tin oxide containing silicon may be used.
  • the conductors 316 and 317 may be formed using a semiconductor such as polycrystalline silicon or an oxide semiconductor, or a silicide such as nickel silicide, the resistance of which is reduced by adding an impurity element or the like.
  • a film containing graphene can be used for the conductors 316 and 317 .
  • a film containing graphene can be formed, for example, by reducing a film containing graphene oxide.
  • it may be formed using a conductive paste such as silver, carbon, or copper, or a conductive polymer such as polythiophene.
  • Conductive paste is inexpensive and preferred. Conductive polymers are preferred because they are easy to apply.
  • the conductor 319 functions as a wiring electrically connected to the low resistance region 318p of the transistor 300. In other words, the conductor 319 functions as the source or drain of the transistor 300.
  • transistor 300 illustrated in FIG. 6 is an example, and the structure thereof is not limited, and an appropriate transistor may be used depending on the circuit configuration, driving method, and the like.
  • An insulator 320 and an insulator 322 are formed in this order on the insulator 314 .
  • insulators 320 and 322 for example, a material that can be applied to any one of the insulators 311 to 314 can be used.
  • a plurality of transistors 200 are formed on the insulator 322 .
  • a plurality of transistors 200 can be manufactured using the same material and the same process, for example.
  • An insulator 211, an insulator 213, an insulator 215, and an insulator 214 are provided on the insulator 322 in this order.
  • Part of the insulator 211 functions as a gate insulating layer of each transistor.
  • Part of the insulator 213 functions as a gate insulating layer of each transistor.
  • An insulator 215 is provided over the transistor.
  • An insulator 214 is provided over the transistor and functions as a planarization layer. Note that the number of gate insulating layers and the number of insulating layers covering a transistor are not limited, and each layer may be a single layer or a stack of two or more layers.
  • a material in which impurities such as water and hydrogen are difficult to diffuse for at least one insulating layer covering the transistor.
  • Inorganic insulating films are preferably used for the insulators 211, 213, and 215, respectively.
  • the inorganic insulating film include a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, and an aluminum nitride film.
  • examples of the inorganic insulating film include a hafnium oxide film, an yttrium oxide film, a zirconium oxide film, a gallium oxide film, a tantalum oxide film, a magnesium oxide film, a lanthanum oxide film, a cerium oxide film, and a neodymium oxide film.
  • two or more of the insulating films described above may be laminated and used.
  • An organic insulating layer is suitable for the insulator 214 that functions as a planarization layer.
  • Materials that can be used for the organic insulating layer include acrylic resins, polyimide resins, epoxy resins, polyamide resins, polyimideamide resins, siloxane resins, benzocyclobutene-based resins, phenolic resins, and precursors of these resins.
  • the insulator 214 may have a laminated structure of an organic insulating layer and an inorganic insulating layer. The outermost layer of the insulator 214 preferably functions as an etching protection layer.
  • recesses in the insulator 214 can be suppressed when the conductor 112a, the conductor 126a, or the conductor 129a, which will be described later, is processed.
  • recesses may be provided in the insulator 214 when the conductor 112a, the conductor 126a, or the conductor 129a is processed.
  • the plurality of transistors 200 includes a conductor 221 functioning as a gate, an insulator 211 functioning as a gate insulating layer, conductors 222a and 222b functioning as a source and a drain, a semiconductor layer 231, and a gate insulating layer. It has an insulator 213 that functions and a conductor 223 that functions as a gate.
  • a plurality of layers obtained by processing the same conductive film are given the same hatching pattern.
  • the insulator 211 is located between the conductor 221 and the semiconductor layer 231 .
  • the insulator 213 is located between the conductor 223 and the semiconductor layer 231 .
  • the structure of the transistor included in the display device of this embodiment there is no particular limitation on the structure of the transistor included in the display device of this embodiment.
  • a planar transistor, a staggered transistor, an inverted staggered transistor, or the like can be used.
  • the transistor structure may be either a top-gate type or a bottom-gate type.
  • gates may be provided above and below a semiconductor layer in which a channel is formed.
  • a configuration in which a semiconductor layer in which a channel is formed is sandwiched between two gates is applied to each of the plurality of transistors 200 .
  • a transistor may be driven by connecting two gates and applying the same signal to them.
  • the threshold voltage of the transistor may be controlled by applying a potential for controlling the threshold voltage to one of the two gates and applying a potential for driving to the other.
  • Crystallinity of a semiconductor material used for a transistor is not particularly limited, either an amorphous semiconductor or a semiconductor having crystallinity (a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a semiconductor partially including a crystal region). may be used. It is preferable to use a crystalline semiconductor because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.
  • a semiconductor layer of a transistor preferably includes a metal oxide (also referred to as an oxide semiconductor).
  • the display device of this embodiment preferably uses a transistor including a metal oxide for a channel formation region (hereinafter referred to as an OS transistor).
  • crystalline oxide semiconductors examples include CAAC (c-axis-aligned crystalline)-OS, nc (nanocrystalline)-OS, and the like.
  • An OS transistor has extremely high field effect mobility compared to a transistor using amorphous silicon.
  • an OS transistor has extremely low source-drain leakage current (hereinafter also referred to as an off-state current) in an off state, and can retain charge accumulated in a capacitor connected in series with the transistor for a long time. is possible. Further, by using the OS transistor, power consumption of the display device can be reduced.
  • the off current value of the OS transistor per 1 ⁇ m of channel width at room temperature is 1 aA (1 ⁇ 10 ⁇ 18 A) or less, 1 zA (1 ⁇ 10 ⁇ 21 A) or less, or 1 yA (1 ⁇ 10 ⁇ 24 A) or less.
  • the off current value of the Si transistor per 1 ⁇ m channel width at room temperature is 1 fA (1 ⁇ 10 ⁇ 15 A) or more and 1 pA (1 ⁇ 10 ⁇ 12 A) or less. Therefore, it can be said that the off-state current of the OS transistor is about ten digits lower than the off-state current of the Si transistor.
  • the amount of current flowing through the light emitting device it is necessary to increase the amount of current flowing through the light emitting device.
  • the OS transistor when the transistor operates in the saturation region, the OS transistor can reduce the change in the current between the source and the drain with respect to the change in the voltage between the gate and the source compared to the Si transistor. Therefore, by applying an OS transistor as a drive transistor included in a pixel circuit, the current flowing between the source and the drain can be finely determined according to the change in the voltage between the gate and the source. can be controlled. Therefore, it is possible to increase the gradation in the pixel circuit.
  • the OS transistor flows a more stable current (saturation current) than the Si transistor even when the source-drain voltage gradually increases. be able to. Therefore, by using the OS transistor as the driving transistor, stable current can be supplied to the light-emitting device even when the current-voltage characteristics of the light-emitting device vary. That is, when the OS transistor operates in the saturation region, even if the source-drain voltage is increased, the source-drain current hardly changes, so that the light emission luminance of the light-emitting device can be stabilized.
  • a semiconductor layer provided in an OS transistor preferably contains at least indium or zinc, and more preferably contains indium and zinc.
  • the semiconductor layer may include indium and M (where M is gallium, aluminum, yttrium, tin, silicon, boron, copper, vanadium, beryllium, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, and cobalt) and zinc.
  • M is preferably one or more selected from gallium, aluminum, yttrium, and tin.
  • an oxide also referred to as IGZO
  • IGZO oxide containing indium (In), gallium (Ga), and zinc
  • an oxide containing indium, tin, and zinc is preferably used.
  • oxides containing indium, gallium, tin, and zinc are preferably used.
  • an oxide containing indium (In), aluminum (Al), and zinc (Zn) is preferably used.
  • an oxide containing indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga), and zinc (Zn) also referred to as IAGZO
  • IAGZO oxide containing indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga), and zinc (Zn)
  • the atomic ratio of In in the In-M-Zn oxide is preferably equal to or higher than the atomic ratio of M.
  • the structure of the OS transistor is not limited to the structure shown in FIG.
  • the structure shown in FIGS. 7A and 7B may be used.
  • the transistor 200A and the transistor 200B each include a conductor 221 functioning as a gate, an insulator 211 functioning as a gate insulating layer, a semiconductor layer 231 having a channel formation region 231i and a pair of low-resistance regions 231n, and one of the pair of low-resistance regions 231n.
  • a conductor 222b connected to the other of the pair of low-resistance regions 231n, an insulator 225 functioning as a gate insulating layer, a conductor 223 functioning as a gate, and an insulator 215 covering the conductor 223 have
  • the insulator 211 is located between the conductor 221 and the channel formation region 231i.
  • the insulator 225 is positioned at least between the conductor 223 and the channel formation region 231i. Additionally, an insulator 218 may be provided to cover the transistor.
  • the transistor 200A shown in FIG. 7A shows an example in which the insulator 225 covers the top and side surfaces of the semiconductor layer 231.
  • the conductors 222a and 222b are connected to the low-resistance region 231n through openings provided in the insulators 225 and 215, respectively.
  • One of the conductor 222a and the conductor 222b functions as a source and the other functions as a drain.
  • the insulator 225 overlaps the channel formation region 231i of the semiconductor layer 231 and does not overlap the low resistance region 231n.
  • the structure shown in FIG. 7B can be manufactured.
  • the insulator 215 is provided to cover the insulator 225 and the conductor 223, and the conductors 222a and 222b are connected to the low resistance region 231n through openings in the insulator 215, respectively.
  • a light-emitting device 130R, a light-emitting device 130G, a light-emitting device 130B, and a connecting portion 140 are formed on the insulator 214.
  • FIG. 1 A light-emitting device 130R, a light-emitting device 130G, a light-emitting device 130B, and a connecting portion 140 are formed on the insulator 214.
  • connection part 140 is sometimes called a cathode contact part, and is electrically connected to the cathode electrodes of the light emitting device 130R, the light emitting device 130G, and the light emitting device 130B.
  • the connection portion 140 includes one or more conductors selected from the conductors 112a to 112c, one or more conductors selected from the conductors 126a to 126c, and conductors 129a to 129c. It has one or more conductors selected from the body 129c, a common layer 114 to be described later, and a common electrode 115 to be described later.
  • the connecting portion 140 may be provided so as to surround the four sides of the display portion, or may be provided inside the display portion (for example, between adjacent light emitting devices 130).
  • the light emitting device 130R has a conductor 112a, a conductor 126a on the conductor 112a, and a conductor 129a on the conductor 126a. All of the conductors 112a, 126a, and 129a can be called pixel electrodes, and some of them can be called pixel electrodes.
  • the light emitting device 130G has a conductor 112b, a conductor 126b on the conductor 112b, and a conductor 129b on the conductor 126b.
  • all of the conductors 112b, 126b, and 129b can be called pixel electrodes, or some of them can be called pixel electrodes.
  • the light emitting device 130B has a conductor 112c, a conductor 126c on the conductor 112c, and a conductor 129c on the conductor 126c.
  • all of the conductors 112c, 126c, and 129c can be called pixel electrodes, or some of them can be called pixel electrodes.
  • a conductive layer functioning as a reflective electrode can be used for the conductors 112a to 112c and the conductors 126a to 126c, for example.
  • a conductor having a high reflectance with respect to visible light such as silver, aluminum, or an alloy film of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu) (Ag—Pd -Cu (APC) film) can be applied.
  • the conductors 112a to 112c and the conductors 126a to 126c are laminated films of aluminum sandwiched between a pair of titanium (a laminated film of Ti, Al, and Ti in this order), or a pair of indium tin oxide films.
  • a layered film of silver sandwiched between objects may be used.
  • a conductive layer functioning as a reflective electrode may be used for the conductors 112a to 112c, and a highly light-transmitting conductor may be used for the conductors 126a to 126c.
  • highly translucent conductors include indium tin oxide (sometimes referred to as ITO) and an alloy of silver and magnesium.
  • a conductive layer functioning as a transparent electrode can be used for the conductors 129a to 129c.
  • the conductive layer functioning as a transparent electrode for example, the above-described conductive material having high translucency can be used.
  • microcavity structure (microresonator structure) may be provided in the light emitting device 130, which will be described in detail later.
  • the microcavity structure refers to a structure in which the distance between the lower surface of the light-emitting layer and the upper surface of the lower electrode is set to a thickness corresponding to the wavelength of the light emitted by the light-emitting layer.
  • a conductive material having light-transmitting and light-reflecting properties is used for the conductors 129a to 129c which are the upper electrodes (common electrodes), and the conductors 112a to 112c which are the lower electrodes (pixel electrodes),
  • a light-reflective conductive material is preferably used for the conductors 126a to 126c.
  • a microcavity structure refers to a structure in which the optical distance between the lower electrode and the light-emitting layer is adjusted to (2n-1) ⁇ /4 (where n is a natural number of 1 or more, and ⁇ is the wavelength of emitted light to be amplified).
  • n is a natural number of 1 or more
  • ⁇ is the wavelength of emitted light to be amplified.
  • the conductor 112 a is connected to the conductor 222 b of the transistor 200 through an opening provided in the insulator 214 .
  • the end of the conductor 126a is located outside the end of the conductor 112a.
  • the end of the conductor 126a and the end of the conductor 129a are aligned or substantially aligned.
  • conductors 112b, 126b, and 129b in light-emitting device 130G and conductors 112c, 126c, and 129c in light-emitting device 130B conductors 112a, 126a, and 126a in light-emitting device 130R. and the conductor 129a, detailed description thereof is omitted.
  • Concave portions are formed in the conductors 112a, 112b, and 112c so as to cover the openings provided in the insulator 214.
  • a layer 128 is embedded in the recess.
  • the layer 128 has a function of planarizing recesses of the conductors 112a, 112b, and 112c.
  • a conductor 126a electrically connected to the conductor 112a is provided over the conductor 112a and the layer 128 in the light-emitting device 130R.
  • a conductor 126b electrically connected to the conductor 112b is provided over the conductor 112b and the layer 128 in the light-emitting device 130G.
  • a conductor 126c electrically connected to the conductor 112c is provided over the conductor 112c and the layer 128 in the light-emitting device 130B. Therefore, regions overlapping with recesses of the conductors 112a, 112b, and 112c can also be used as light-emitting regions, and the aperture ratio of the pixel can be increased.
  • the layer 128 may be an insulating layer or a conductive layer.
  • Various inorganic insulating materials, organic insulating materials, and conductive materials can be used as appropriate for layer 128 .
  • layer 128 is preferably formed using an insulating material.
  • An insulating layer containing an organic material can be suitably used as the layer 128 .
  • an organic material for example, acrylic resin, polyimide resin, epoxy resin, polyamide resin, polyimideamide resin, siloxane resin, benzocyclobutene resin, phenol resin, and precursors of these resins can be applied.
  • a photosensitive resin can be used as the layer 128 .
  • a positive material or a negative material can be used for the photosensitive resin.
  • the layer 128 can be formed only through exposure and development steps, and the effects of dry etching, wet etching, or the like on the surfaces of the conductors 112a, 112b, and 112c are eliminated. can be reduced. Further, by forming the layer 128 using a negative photosensitive resin, the layer 128 can be formed using the same photomask (exposure mask) used for forming the opening of the insulator 214 in some cases. be.
  • FIG. 6 shows an example in which the upper surface of the layer 128 has a flat portion
  • the shape of the layer 128 is not particularly limited.
  • a variation of layer 128 is shown in FIGS. 7C-7E.
  • the upper surface of the layer 128 can be configured to have a shape in which the center and its vicinity are depressed in a cross-sectional view, that is, a shape having a concave curved surface.
  • the upper surface of the layer 128 can be configured to have a shape in which the center and the vicinity thereof bulge in a cross-sectional view, that is, have a convex curved surface.
  • the top surface of the layer 128 may have one or both of a convex curved surface and a concave curved surface.
  • the number of convex curved surfaces and concave curved surfaces that the upper surface of the layer 128 has is not limited, and may be one or more.
  • the height of the top surface of the layer 128 and the height of the top surface of the conductor 112a may match or substantially match, or may differ from each other.
  • the height of the top surface of layer 128 may be lower or higher than the height of the top surface of conductor 112a.
  • FIG. 7C can also be said to be an example in which the layer 128 is accommodated inside the recess formed in the conductor 112a.
  • the layer 128 may exist outside the recess formed in the conductor 112a, that is, the upper surface of the layer 128 may be wider than the recess.
  • the light emitting device 130R has a first layer 113a, a common layer 114 on the first layer 113a, and a common electrode 115 on the common layer 114.
  • the light emitting device 130G also has a second layer 113b, a common layer 114 on the second layer 113b, and a common electrode 115 on the common layer 114.
  • the light emitting device 130B also has a third layer 113c, a common layer 114 on the third layer 113c, and a common electrode 115 on the common layer 114.
  • the first layer 113a is formed to cover the top and side surfaces of the conductor 126a and the top and side surfaces of the conductor 129a.
  • the second layer 113b is formed to cover the top and side surfaces of the conductor 126b and the top and side surfaces of the conductor 129b.
  • the third layer 113c is formed to cover the top and side surfaces of the conductor 126c and the top and side surfaces of the conductor 129c.
  • the aperture ratio of the pixel can be reduced. can be enhanced.
  • the first layer 113a and the common layer 114 can be collectively called an EL layer.
  • the second layer 113b and the common layer 114 can be collectively called an EL layer.
  • the third layer 113c and the common layer 114 can be collectively called an EL layer.
  • the configuration of the light-emitting device of this embodiment is not particularly limited, and may be a single structure or a tandem structure.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c are processed into an island shape by photolithography. Therefore, each of the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c forms an angle of approximately 90 degrees between the top surface and the side surface at the ends thereof.
  • an organic film formed using FMM (Fine Metal Mask) or the like tends to gradually decrease in thickness closer to the edge. Since it is formed, it becomes a shape in which it is difficult to distinguish between the upper surface and the side surface.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c are clearly distinguishable between the top surface and the side surface. Accordingly, in the adjacent first layer 113a and second layer 113b, one side surface of the first layer 113a and one side surface of the second layer 113b are arranged to face each other. This is the same for any combination of the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c have at least a light-emitting layer.
  • the first layer 113a has a light-emitting layer that emits red light
  • the second layer 113b has a light-emitting layer that emits green light
  • the third layer 113c has a light-emitting layer that emits blue light.
  • a structure having layers is preferable.
  • cyan, magenta, yellow, or white can be applied to each light-emitting layer as colors other than those described above.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c are respectively a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a charge generation layer, an electron blocking layer, and an electron transport layer. , and an electron injection layer.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c may have a hole-injection layer, a hole-transport layer, a light-emitting layer, and an electron-transport layer.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c may have an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer in this order. good. Further, a hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer. Also, a hole injection layer may be provided on the hole transport layer.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c preferably have a light-emitting layer and a carrier-transporting layer (electron-transporting layer or hole-transporting layer) on the light-emitting layer.
  • the surfaces of the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c may be exposed during the manufacturing process of the display device; can be suppressed from being exposed to the outermost surface, and damage to the light-emitting layer can be reduced. This can improve the reliability of the light emitting device.
  • the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c may have a structure including, for example, a first light-emitting unit, a charge generation layer, and a second light-emitting unit.
  • the first layer 113a has two or more light-emitting units that emit red light
  • the second layer 113b has two or more light-emitting units that emit green light
  • the layer 113c preferably has two or more light-emitting units that emit blue light.
  • the second light-emitting unit preferably has a light-emitting layer and a carrier-transporting layer (electron-transporting layer or hole-transporting layer) on the light-emitting layer. Since the surface of the second light-emitting unit is exposed during the manufacturing process of the display device, by providing the carrier transport layer on the light-emitting layer, the exposure of the light-emitting layer to the outermost surface is suppressed and damage to the light-emitting layer is prevented. can be reduced. This can improve the reliability of the light emitting device.
  • a carrier-transporting layer electron-transporting layer or hole-transporting layer
  • the common layer 114 has, for example, an electron injection layer or a hole injection layer.
  • the common layer 114 may have a laminate of an electron transport layer and an electron injection layer, or may have a laminate of a hole transport layer and a hole injection layer.
  • Common layer 114 is shared by light emitting device 130R, light emitting device 130G, and light emitting device 130B.
  • the common electrode 115 is shared by the light emitting device 130R, the light emitting device 130G, and the light emitting device 130B.
  • the common electrode 115 shared by the plurality of light emitting devices is electrically connected to the conductor included in the connecting portion 140 .
  • the side surfaces of the first layer 113a, the second layer 113b, and the third layer 113c are covered with insulators 125 and 127, respectively.
  • a mask layer 118a is positioned between the second layer 113 b and the insulator 125
  • a mask layer 118 a is positioned between the third layer 113 c and the insulator 125 .
  • a common layer 114 is provided over the first layer 113 a , the second layer 113 b , the third layer 113 c , the insulator 125 , and the insulator 127
  • the common electrode 115 is provided over the common layer 114 .
  • Each of the common layer 114 and the common electrode 115 is a continuous film provided in common for a plurality of light emitting devices.
  • a protective layer 131 is provided on each of the light emitting device 130R, the light emitting device 130G, and the light emitting device 130B.
  • the protective layer 131 is a film that functions as a passivation film that protects the light emitting device 130 .
  • aluminum oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride can be used for the protective layer 131 .
  • the protective layer 131 and the substrate 110 are adhered via the adhesive layer 107 .
  • a solid sealing structure, a hollow sealing structure, or the like can be applied to sealing the light-emitting device.
  • the space between substrate 310 and substrate 110 is filled with adhesive layer 107 to apply a solid sealing structure.
  • the space may be filled with an inert gas (eg, nitrogen or argon) and a hollow sealing structure may be applied.
  • the adhesive layer 107 may be provided so as not to overlap the light emitting device.
  • the space may be filled with a resin different from that of the frame-shaped adhesive layer 107 .
  • various curable adhesives such as photocurable adhesives such as ultraviolet curable adhesives, reaction curable adhesives, thermosetting adhesives, and anaerobic adhesives can be used.
  • These adhesives include epoxy resins, acrylic resins, silicone resins, phenol resins, polyimide resins, imide resins, PVC (polyvinyl chloride) resins, PVB (polyvinyl butyral) resins, EVA (ethylene vinyl acetate) resins, and the like.
  • a material with low moisture permeability such as epoxy resin is preferable.
  • a two-liquid mixed type resin may be used.
  • an adhesive sheet or the like may be used.
  • the display device 1000 is of the top emission type. Light emitted by the light emitting device is emitted to the substrate 110 side. Therefore, it is preferable to use a material having high visible light transmittance for the substrate 110 .
  • a substrate having high visible light transmittance may be selected among substrates that can be applied to the substrate BS.
  • the pixel electrode contains a material that reflects visible light
  • the counter electrode (common electrode 115) contains a material that transmits visible light.
  • the display device of one embodiment of the present invention is not limited to the structure of the display device 1000 illustrated in FIG.
  • a display device of one embodiment of the present invention may have the configuration of the modified display device 1000 in FIG.
  • a light shielding layer may be provided on the substrate 310 side surface of the substrate 110 .
  • the light shielding layer can be provided between adjacent light emitting devices and at the connecting portion 140 .
  • various optical members can be arranged on the outer surface of the substrate 110 . Examples of optical members include polarizing plates, retardation plates, light diffusion layers (such as diffusion films), antireflection layers, and light collecting films.
  • an antistatic film that suppresses the adhesion of dust
  • a water-repellent film that prevents the adhesion of dirt
  • a hard coat film that suppresses the occurrence of scratches due to use
  • a surface protection layer such as an impact absorption layer. Layers may be arranged.
  • a glass layer or a silica layer (SiO x layer) as a surface protective layer, because surface contamination and scratching can be suppressed.
  • the surface protective layer DLC (diamond-like carbon), aluminum oxide (AlO x ), polyester-based material, polycarbonate-based material, or the like may be used.
  • a material having a high visible light transmittance is preferably used for the surface protective layer.
  • the display device 1000 in FIG. 6 may be provided with a panel having a touch sensor function (sometimes called a touch panel).
  • a resin layer 147, an insulator 103, a conductor 104, an insulator 105, and a conductor 106 are sequentially formed over a protective layer 131.
  • the resin layer 147 preferably contains an organic insulating material.
  • organic insulating materials include acrylic resins, polyimide resins, epoxy resins, polyamide resins, polyimideamide resins, siloxane resins, benzocyclobutene resins, phenolic resins, and precursors of these resins.
  • the insulator 103 preferably contains an inorganic insulating material.
  • inorganic insulating materials include oxides or nitrides such as silicon oxide, silicon oxynitride, silicon oxynitride, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum oxynitride, or hafnium oxide.
  • the conductors 104 and 106 function as touch sensor electrodes.
  • a mutual capacitance method for example, a pulse potential is applied to one of the conductors 104 and 106, and an analog-digital (A-D) conversion circuit, sense amplifier, or the like is applied to the other.
  • a detection circuit or the like may be connected.
  • a capacitance is formed between the conductors 104 and 106 .
  • the capacitance changes (specifically, the capacitance decreases). This change in capacitance appears as a change in amplitude of a signal generated in one of the conductors 104 and 106 when a pulse potential is applied to the other. Thereby, contact and proximity of a finger or the like can be detected.
  • An inorganic insulating film or an organic insulating film can be used for the insulator 105 .
  • examples thereof include resins such as acrylic resins and epoxy resins, and inorganic insulating materials such as silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, and aluminum oxide.
  • the insulator 105 may have a single layer structure or a laminated structure.
  • the protective layer 131 of the display device 1000 in FIG. 6 may have a laminated structure of two or more layers instead of one layer.
  • the protective layer 131 is, for example, a three-layer laminate in which an inorganic material insulator is applied as the first layer, an organic material insulator is applied as the second layer, and an inorganic material insulator is applied as the third layer. It may be a structure.
  • the protective layer 131a is an inorganic insulator
  • the protective layer 131b is an organic insulator
  • the protective layer 131c is an inorganic insulator.
  • the display device 1000 in FIG. 6 may include colored layers (color filters).
  • the display device 1000C of FIG. 10 shows, as an example, a configuration in which a colored layer 166a, a colored layer 166b, and a colored layer 166c are included between the adhesive layer 107 and the substrate 110.
  • the colored layers 166a to 166c can be formed over the substrate 110, for example.
  • the light-emitting device 130R has a light-emitting layer that emits red (R) light
  • the light-emitting device 130G has a light-emitting layer that emits green (G) light
  • the light-emitting device 130B emits blue (B) light.
  • the colored layer 166a is red
  • the colored layer 166b is green
  • the colored layer 166c is blue.
  • the display device of one embodiment of the present invention is not limited to the structure of the display device 1000 illustrated in FIG.
  • the structure of the display device of one embodiment of the present invention may be changed as appropriate.
  • a display device may have a layered structure in which three or more layers of transistors are stacked instead of a layered structure in which two layers of transistors are stacked (not shown).
  • the light-emitting device has an EL layer 763 between a pair of electrodes (lower electrode 761 and upper electrode 762).
  • EL layer 763 can be composed of multiple layers, such as layer 780 , light-emitting layer 771 , and layer 790 .
  • the light-emitting layer 771 has at least a light-emitting substance (also referred to as a light-emitting material).
  • the layer 780 includes a layer containing a substance with high hole injection property (hole injection layer), a layer containing a substance with high hole transport property (positive hole-transporting layer) and a layer containing a highly electron-blocking substance (electron-blocking layer).
  • the layer 790 includes a layer containing a substance with high electron injection properties (electron injection layer), a layer containing a substance with high electron transport properties (electron transport layer), and a layer containing a substance with high hole blocking properties (positive layer). pore blocking layer).
  • a structure having a layer 780, a light-emitting layer 771, and a layer 790 provided between a pair of electrodes can function as a single light-emitting unit, and the structure of FIG. 11A is referred to herein as a single structure.
  • FIG. 11B is a modification of the EL layer 763 included in the light emitting device shown in FIG. 11A. Specifically, the light-emitting device shown in FIG. It has a top layer 792 and a top electrode 762 on layer 792 .
  • layer 781 is a hole injection layer
  • layer 782 is a hole transport layer
  • layer 791 is an electron transport layer
  • layer 792 is an electron injection layer.
  • the layer 781 is an electron injection layer
  • the layer 782 is an electron transport layer
  • the layer 791 is a hole transport layer
  • the layer 792 is a hole injection layer.
  • FIGS. 11C and 11D a configuration in which a plurality of light-emitting layers (light-emitting layers 771, 772, and 773) are provided between layers 780 and 790 is also a variation of the single structure.
  • FIGS. 11C and 11D show an example having three light-emitting layers, the number of light-emitting layers in a single-structure light-emitting device may be two or four or more. Also, the single structure light emitting device may have a buffer layer between the two light emitting layers.
  • a structure in which a plurality of light-emitting units (light-emitting unit 763a and light-emitting unit 763b) are connected in series via a charge generation layer 785 (also referred to as an intermediate layer) is used herein.
  • This is called a tandem structure.
  • the tandem structure may also be called a stack structure.
  • FIG. 11D and 11F are examples in which the display device has a layer 764 that overlaps the light emitting device.
  • FIG. 11D is an example of layer 764 overlapping the light emitting device shown in FIG. 11C
  • FIG. 11F is an example of layer 764 overlapping the light emitting device shown in FIG. 11E.
  • the layer 764 one or both of a color conversion layer and a color filter (colored layer) can be used.
  • the light-emitting layers 771, 772, and 773 may be made of light-emitting substances emitting light of the same color, or even the same light-emitting substance.
  • a light-emitting substance that emits blue light may be used for the light-emitting layers 771 , 772 , and 773 .
  • blue light emitted by the light-emitting device can be extracted.
  • a color conversion layer is provided as layer 764 shown in FIG. and can extract red or green light.
  • a single-structure light-emitting device preferably has a light-emitting layer containing a light-emitting substance that emits blue light and a light-emitting layer containing a light-emitting substance that emits visible light with a longer wavelength than blue.
  • a single-structure light-emitting device has three light-emitting layers, a light-emitting layer containing a light-emitting substance that emits red (R) light, a light-emitting layer containing a light-emitting substance that emits green (G) light, and a light-emitting layer that emits blue light. It is preferable to have a light-emitting layer having a light-emitting substance (B) that emits light.
  • the stacking order of the light-emitting layers can be, for example, R, G, and B from the anode side, or R, B, and G from the anode side. At this time, a buffer layer may be provided between R and G or B.
  • a light-emitting device with a single structure has two light-emitting layers
  • a light-emitting layer containing a light-emitting substance that emits blue (B) light and a light-emitting layer containing a light-emitting substance that emits yellow (Y) light. is preferred.
  • This structure is sometimes called a BY single structure.
  • a color filter may be provided as the layer 764 shown in FIG. 11D.
  • a desired color of light can be obtained by passing the white light through the color filter.
  • a light-emitting device that emits white light preferably contains two or more types of light-emitting substances.
  • two light-emitting substances may be selected such that the light emission of each of the two light-emitting substances has a complementary color relationship.
  • the emission color of the first light-emitting layer and the emission color of the second light-emitting layer have a complementary color relationship, it is possible to obtain a light-emitting device that emits white light as a whole.
  • the light-emitting device as a whole may emit white light by combining the respective light-emitting colors of the three or more light-emitting layers. .
  • the light-emitting layer 771 and the light-emitting layer 772 may be made of a light-emitting substance that emits light of the same color, or even the same light-emitting substance.
  • a light-emitting material that emits blue light may be used for each of the light-emitting layers 771 and 772 .
  • blue light emitted by the light-emitting device can be extracted.
  • a color conversion layer is provided as layer 764 shown in FIG. and can extract red or green light.
  • the light-emitting device having the configuration shown in FIG. 11E or 11F is used for the sub-pixels that emit light of each color
  • different light-emitting substances may be used depending on the sub-pixels.
  • a light-emitting substance that emits red light may be used for each of the light-emitting layers 771 and 772 .
  • a light-emitting substance that emits green light may be used for each of the light-emitting layers 771 and 772 .
  • a light-emitting substance that emits blue light may be used for each of the light-emitting layers 771 and 772 . It can be said that the display device having such a configuration employs a tandem structure light emitting device and has an SBS structure. Therefore, it is possible to have both the merit of the tandem structure and the merit of the SBS structure. Accordingly, a highly reliable display device capable of emitting light with high brightness can be realized.
  • light-emitting substances that emit light of different colors may be used for the light-emitting layers 771 and 772 .
  • the light emitted from the light-emitting layer 771 and the light emitted from the light-emitting layer 772 are complementary colors, white light emission is obtained.
  • a color filter may be provided as layer 764 shown in FIG. 11F. A desired color of light can be obtained by passing the white light through the color filter.
  • 11E and 11F show an example in which the light-emitting unit 763a has one light-emitting layer 771 and the light-emitting unit 763b has one light-emitting layer 772, but the present invention is not limited to this.
  • Each of the light-emitting unit 763a and the light-emitting unit 763b may have two or more light-emitting layers.
  • the light emitting device may have three or more light emitting units.
  • FIGS. 12A to 12C the configuration of the light-emitting device shown in FIGS. 12A to 12C can be mentioned.
  • FIG. 12A shows a configuration having three light emitting units.
  • a structure having two light-emitting units may be called a two-stage tandem structure, and a structure having three light-emitting units may be called a three-stage tandem structure.
  • a plurality of light-emitting units are separated from each other via charge-generating layers (charge-generating layers 785a-b and charge-generating layers 785b-c). , are connected in series.
  • the light-emitting device shown in FIG. 12A has a structure in which a light-emitting unit 763a, charge-generating layers 785a-b, light-emitting unit 763b, charge-generating layers 785b-c, and light-emitting unit 763c are stacked in this order.
  • Light-emitting unit 763a includes layer 780a, light-emitting layer 771, and layer 790a
  • light-emitting unit 763b includes layer 780b, light-emitting layer 772, and layer 790b
  • light-emitting unit 763c includes , a layer 780c, a light-emitting layer 773, and a layer 790c.
  • charge-generation layer 785a-b and 785b-c For the charge-generation layers 785a-b and 785b-c, the above description of the charge-generation layer 785 is referred to.
  • the light-emitting layer 771, the light-emitting layer 772, and the light-emitting layer 773 preferably contain light-emitting substances that emit light of the same color.
  • the light-emitting layer 771, the light-emitting layer 772, and the light-emitting layer 773 each include a red (R) light-emitting substance (so-called three-stage tandem structure of R ⁇ R ⁇ R), the light-emitting layer 771, and the light-emitting layer 772 and 773 each include a green (G) light-emitting substance (so-called G ⁇ G ⁇ G three-stage tandem structure), or the light-emitting layers 771, 772, and 773 each include a blue light-emitting layer.
  • R red
  • G green
  • a structure (B) including a light-emitting substance (a so-called three-stage tandem structure of B ⁇ B ⁇ B) can be employed.
  • each of the light-emitting layers 771, 772, and 773 may contain light-emitting substances that emit different colors.
  • the structure shown in FIG. 12A may be a structure in which the colors of light emitted from the light-emitting layers 771, 772, and 773 are combined to be white (W).
  • the structure shown in FIG. 12A may be provided with a layer 764 as a color filter as in FIG. 12D or 12F.
  • the luminescent substances that emit light of the same color are not limited to the above configurations.
  • a tandem light-emitting device in which light-emitting units each having a plurality of light-emitting substances are stacked may be used.
  • FIG. 12B shows a configuration in which a plurality of light-emitting units (light-emitting unit 763a and light-emitting unit 763b) are connected in series with the charge generation layer 785 interposed therebetween.
  • the light-emitting unit 763a includes a layer 780a, a light-emitting layer 771a, a light-emitting layer 771b, a light-emitting layer 771c, and a layer 790a. and a light-emitting layer 772c and a layer 790b.
  • the light-emitting layers 771a, 771b, and 771c are configured to emit white light (W) by combining the respective light-emitting colors.
  • the light-emitting layers 772a, 772b, and 772c are combined to emit white light (W). That is, the configuration shown in FIG. 12C has a two-stage tandem structure of W ⁇ W. Note that the stacking order of the light-emitting layer 771a, the light-emitting layer 771b, and the light-emitting layer 771c is not particularly limited.
  • the stacking order of the light-emitting layer 772a, the light-emitting layer 772b, and the light-emitting layer 772c there is no particular limitation on the stacking order of the light-emitting layer 772a, the light-emitting layer 772b, and the light-emitting layer 772c.
  • a practitioner can appropriately select the optimum stacking order.
  • a three-stage tandem structure of W ⁇ W ⁇ W or a tandem structure of four or more stages may be employed.
  • a tandem structure light-emitting device When a tandem structure light-emitting device is used, a two-stage tandem structure of B ⁇ Y having a light-emitting unit that emits yellow (Y) light and a light-emitting unit that emits blue (B) light, red (R) and RG ⁇ B two-stage tandem structure having a light-emitting unit that emits green (G) light and a light-emitting unit that emits blue (B) light, a light-emitting unit that emits blue (B) light, and a light-emitting unit that emits yellow (Y) light and a light-emitting unit that emits blue (B) light in this order, a three-stage tandem structure of B ⁇ Y ⁇ B, a light-emitting unit that emits blue (B) light, and a yellow-green ( YG) light-emitting unit and blue (B) light-emitting unit in this order, B ⁇ YG ⁇ B three-stage tandem structure, blue (B) light
  • a light-emitting unit having one light-emitting substance and a light-emitting unit having a plurality of light-emitting substances may be combined.
  • a plurality of light-emitting units are formed into charge-generating layers (charge-generating layers 785a-b and charge-generating layers 785b-c). ) are connected in series.
  • Light-emitting unit 763a includes layer 780a, light-emitting layer 771, and layer 790a
  • light-emitting unit 763b includes layer 780b, light-emitting layer 772a, light-emitting layer 772b, light-emitting layer 772c, and layer 790b.
  • the light-emitting unit 763c includes a layer 780c, a light-emitting layer 773, and a layer 790c.
  • the light-emitting unit 763a is a light-emitting unit that emits blue (B) light
  • the light-emitting unit 763b emits red (R), green (G), and yellow-green (YG) light.
  • a three-stage tandem structure of B ⁇ R, G, and YG ⁇ B, in which the light-emitting unit 763c is a light-emitting unit that emits blue (B) light, or the like can be applied.
  • the order of the number of stacked light-emitting units and the colors is as follows: from the anode side, a two-stage structure of B and Y; a two-stage structure of B and light-emitting unit X; a three-stage structure of B, Y, and B; and X and B, and the order of the number of layers and colors of the light-emitting layers in the light-emitting unit X is, from the anode side, a two-step structure of R and Y and a two-step structure of R and G. , a two-stage structure of G and R, a three-stage structure of G, R, and G, or a three-stage structure of R, G, and R, or the like. Also, another layer may be provided between the two light-emitting layers.
  • the layer 780 and the layer 790 may each independently have a laminated structure consisting of two or more layers.
  • the light-emitting unit 763a has layers 780a, 771 and 790a
  • the light-emitting unit 763b has layers 780b, 772 and 790b.
  • layers 780a and 780b each have one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer.
  • layers 790a and 790b each include one or more of an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. If the bottom electrode 761 is the cathode and the top electrode 762 is the anode, then layers 780a and 790a would have the opposite arrangement, and layers 780b and 790b would also have the opposite arrangement.
  • layer 780a has a hole-injection layer and a hole-transport layer over the hole-injection layer, and further includes a hole-transport layer. It may have an electron blocking layer on the layer.
  • Layer 790a also has an electron-transporting layer and may also have a hole-blocking layer between the light-emitting layer 771 and the electron-transporting layer.
  • Layer 780b also has a hole transport layer and may also have an electron blocking layer on the hole transport layer.
  • Layer 790b also has an electron-transporting layer, an electron-injecting layer on the electron-transporting layer, and may also have a hole-blocking layer between the light-emitting layer 772 and the electron-transporting layer. If the bottom electrode 761 is the cathode and the top electrode 762 is the anode, for example, layer 780a has an electron injection layer, an electron transport layer on the electron injection layer, and a positive electrode on the electron transport layer. It may have a pore blocking layer. Layer 790a also has a hole-transporting layer and may also have an electron-blocking layer between the light-emitting layer 771 and the hole-transporting layer.
  • Layer 780b also has an electron-transporting layer and may also have a hole-blocking layer on the electron-transporting layer.
  • Layer 790b also has a hole-transporting layer, a hole-injecting layer on the hole-transporting layer, and an electron-blocking layer between the light-emitting layer 772 and the hole-transporting layer. good too.
  • charge generation layer 785 has at least a charge generation region.
  • the charge-generating layer 785 has a function of injecting electrons into one of the two light-emitting units and holes into the other when a voltage is applied between the pair of electrodes.
  • a conductive film that transmits visible light is used for the electrode on the light extraction side of the lower electrode 761 and the upper electrode 762 .
  • a conductive film that reflects visible light is preferably used for the electrode on the side from which light is not extracted.
  • the display device has a light-emitting device that emits infrared light
  • a conductive film that transmits visible light and infrared light is used for the electrode on the side from which light is extracted
  • a conductive film is used for the electrode on the side that does not extract light.
  • a conductive film that reflects visible light and infrared light is preferably used.
  • a conductive film that transmits visible light may also be used for the electrode on the side from which light is not extracted.
  • the electrode is preferably placed between the reflective layer and the EL layer 763 . That is, the light emitted from the EL layer 763 may be reflected by the reflective layer and extracted from the display device.
  • metals, alloys, electrically conductive compounds, mixtures thereof, and the like can be used as appropriate.
  • specific examples of such materials include aluminum, titanium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, gallium, zinc, indium, tin, molybdenum, tantalum, tungsten, palladium, gold, platinum, silver, yttrium, or neodymium.
  • the material may be an alloy containing an appropriate combination of the above metals.
  • the material includes indium tin oxide (In—Sn oxide, also referred to as ITO), In—Si—Sn oxide (also referred to as ITSO), indium zinc oxide (In—Zn oxide), and In -W-Zn oxide and the like can be mentioned.
  • ITO indium tin oxide
  • ITSO In—Si—Sn oxide
  • In—Zn oxide indium zinc oxide
  • In -W-Zn oxide and the like can be mentioned.
  • the material include aluminum-containing alloys (aluminum alloys) such as alloys of aluminum, nickel, and lanthanum (Al-Ni-La), and alloys of silver, palladium and copper (Ag-Pd-Cu, APC Also referred to as).
  • elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table of elements not exemplified above e.g., lithium, cesium, calcium, or strontium
  • europium e.g., europium
  • rare earth metals such as ytterbium, and appropriate combinations thereof and graphene.
  • a micro optical resonator (microcavity) structure is preferably applied to the light emitting device. Therefore, one of the pair of electrodes of the light-emitting device preferably has an electrode (semi-transmissive/semi-reflective electrode) that is transparent and reflective to visible light, and the other is an electrode that is reflective to visible light ( reflective electrode). Since the light-emitting device has a microcavity structure, the light emitted from the light-emitting layer can be resonated between both electrodes, and the light emitted from the light-emitting device can be enhanced.
  • the semi-transmissive/semi-reflective electrode has a laminated structure of a conductive layer that can be used as a reflective electrode and a conductive layer that can be used as an electrode that transmits visible light (also referred to as a transparent electrode). can be done.
  • the light transmittance of the transparent electrode is set to 40% or more.
  • an electrode having a transmittance of 40% or more for visible light (light having a wavelength of 400 nm or more and less than 750 nm) as the transparent electrode of the light emitting device.
  • the visible light reflectance of the semi-transmissive/semi-reflective electrode is 10% or more and 95% or less, preferably 30% or more and 80% or less.
  • the visible light reflectance of the reflective electrode is 40% or more and 100% or less, preferably 70% or more and 100% or less.
  • the resistivity of these electrodes is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 ⁇ cm or less.
  • a light-emitting device has at least a light-emitting layer. Further, in the light-emitting device, layers other than the light-emitting layer include a substance with high hole-injection property, a substance with high hole-transport property, a hole-blocking material, a substance with high electron-transport property, an electron-blocking material, and a layer with high electron-injection property. A layer containing a substance, a bipolar substance (a substance with high electron-transport properties and high hole-transport properties), or the like may be further included.
  • the light-emitting device has, in addition to the light-emitting layer, one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a charge generation layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. can be configured.
  • Both low-molecular-weight compounds and high-molecular-weight compounds can be used in the light-emitting device, and inorganic compounds may be included.
  • Each of the layers constituting the light-emitting device can be formed by a vapor deposition method (including a vacuum vapor deposition method), a transfer method, a printing method, an inkjet method, a coating method, or the like.
  • the luminescent layer has one or more luminescent substances.
  • a substance emitting light of blue, purple, blue-violet, green, yellow-green, yellow, orange, red, or the like is used as appropriate.
  • a substance that emits near-infrared light can be used as the light-emitting substance.
  • Luminous materials include fluorescent materials, phosphorescent materials, TADF materials, and quantum dot materials.
  • fluorescent materials include pyrene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, fluorene derivatives, carbazole derivatives, dibenzothiophene derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzoquinoxaline derivatives, quinoxaline derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, phenanthrene derivatives, and naphthalene derivatives. be done.
  • Examples of phosphorescent materials include organometallic complexes (especially iridium complexes) having a 4H-triazole skeleton, 1H-triazole skeleton, imidazole skeleton, pyrimidine skeleton, pyrazine skeleton, or pyridine skeleton, and phenylpyridine derivatives having an electron-withdrawing group.
  • organometallic complexes especially iridium complexes
  • platinum complexes platinum complexes
  • rare earth metal complexes as ligands.
  • the light-emitting layer may contain one or more organic compounds (host material, assist material, etc.) in addition to the light-emitting substance (guest material).
  • One or both of a highly hole-transporting substance (hole-transporting material) and a highly electron-transporting substance (electron-transporting material) can be used as the one or more organic compounds.
  • a highly hole-transporting substance hole-transporting material
  • a highly electron-transporting substance electron-transporting material
  • the electron-transporting material a material having a high electron-transporting property that can be used for the electron-transporting layer, which will be described later, can be used.
  • Bipolar materials or TADF materials may also be used as one or more organic compounds.
  • the light-emitting layer preferably includes, for example, a phosphorescent material and a combination of a hole-transporting material and an electron-transporting material that easily form an exciplex.
  • ExTET Exciplex-Triplet Energy Transfer
  • a combination that forms an exciplex that emits light that overlaps with the wavelength of the absorption band on the lowest energy side of the light-emitting substance energy transfer becomes smooth and light emission can be efficiently obtained. With this configuration, high efficiency, low-voltage driving, and long life of the light-emitting device can be realized at the same time.
  • the hole-injecting layer is a layer that injects holes from the anode into the hole-transporting layer, and contains a material with high hole-injecting properties.
  • highly hole-injecting materials include aromatic amine compounds and composite materials containing a hole-transporting material and an acceptor material (electron-accepting material).
  • hole-transporting material a material having a high hole-transporting property that can be used for the hole-transporting layer, which will be described later, can be used.
  • oxides of metals belonging to groups 4 to 8 in the periodic table can be used.
  • Specific examples include molybdenum oxide, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide.
  • molybdenum oxide is particularly preferred because it is stable even in the atmosphere, has low hygroscopicity, and is easy to handle.
  • An organic acceptor material containing fluorine can also be used.
  • Organic acceptor materials such as quinodimethane derivatives, chloranil derivatives, and hexaazatriphenylene derivatives can also be used.
  • a material with a high hole-injection property a material containing a hole-transporting material and an oxide of a metal belonging to Groups 4 to 8 in the above-described periodic table (typically molybdenum oxide) is used. may be used.
  • the hole-transporting layer is a layer that transports holes injected from the anode to the light-emitting layer by means of the hole-injecting layer.
  • a hole-transporting layer is a layer containing a hole-transporting material.
  • the hole-transporting material a substance having a hole mobility of 1 ⁇ 10 ⁇ 6 cm 2 /Vs or more is preferable. Note that substances other than these can be used as long as they have a higher hole-transport property than electron-transport property.
  • hole-transporting materials include ⁇ -electron-rich heteroaromatic compounds (e.g., carbazole derivatives, thiophene derivatives, furan derivatives, etc.) and materials with high hole-transporting properties such as aromatic amines (compounds having an aromatic amine skeleton). is preferred.
  • ⁇ -electron-rich heteroaromatic compounds e.g., carbazole derivatives, thiophene derivatives, furan derivatives, etc.
  • materials with high hole-transporting properties such as aromatic amines (compounds having an aromatic amine skeleton). is preferred.
  • the electron blocking layer is provided in contact with the light emitting layer.
  • the electron blocking layer is a layer containing a material capable of transporting holes and blocking electrons.
  • a material having an electron blocking property can be used among the above hole-transporting materials.
  • the electron blocking layer has hole transport properties, it can also be called a hole transport layer. Moreover, the layer which has electron blocking property can also be called an electron blocking layer among hole transport layers.
  • the electron-transporting layer is a layer that transports electrons injected from the cathode to the light-emitting layer by the electron-injecting layer.
  • the electron-transporting layer is a layer containing an electron-transporting material.
  • an electron-transporting material a substance having an electron mobility of 1 ⁇ 10 ⁇ 6 cm 2 /Vs or more is preferable. Note that substances other than these substances can be used as long as they have a higher electron-transport property than hole-transport property.
  • electron-transporting materials include metal complexes having a quinoline skeleton, metal complexes having a benzoquinoline skeleton, metal complexes having an oxazole skeleton, metal complexes having a thiazole skeleton, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, ⁇ electron deficient including oxazole derivatives, thiazole derivatives, phenanthroline derivatives, quinoline derivatives with quinoline ligands, benzoquinoline derivatives, quinoxaline derivatives, dibenzoquinoxaline derivatives, pyridine derivatives, bipyridine derivatives, pyrimidine derivatives, and other nitrogen-containing heteroaromatic compounds
  • a material having a high electron transport property such as a type heteroaromatic compound can be used.
  • the hole blocking layer is provided in contact with the light emitting layer.
  • the hole-blocking layer is a layer containing a material that has electron-transport properties and can block holes.
  • a material having a hole-blocking property can be used among the above-described electron-transporting materials.
  • the hole-blocking layer can also be called an electron-transporting layer because it has electron-transporting properties. Moreover, among the electron transport layers, a layer having hole blocking properties can also be referred to as a hole blocking layer.
  • the electron injection layer is a layer that injects electrons from the cathode to the electron transport layer, and is a layer that contains a material with high electron injection properties.
  • Alkali metals, alkaline earth metals, or compounds thereof can be used as materials with high electron injection properties.
  • a composite material containing an electron-transporting material and a donor material (electron-donating material) can also be used as a material with high electron-injecting properties.
  • the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of materials with high electron injection properties has a small difference (specifically, 0.5 eV or less) from the value of the work function of the material used for the cathode. is preferred.
  • the electron injection layer includes, for example, lithium, cesium, ytterbium, lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF x , x is an arbitrary number), 8-(quinolinolato)lithium (abbreviation: Liq), 2-(2-pyridyl)phenoratritium (abbreviation: LiPP), 2-(2-pyridyl)-3-pyridinolatritium (abbreviation: LiPPy), 4-phenyl-2-(2-pyridyl)pheno Alkali metals such as latolithium (abbreviation: LiPPP), lithium oxide (LiO x ), cesium carbonate, alkaline earth metals, or compounds thereof can be used.
  • the electron injection layer may have a laminated structure of two or more layers. Examples of the laminated structure include a structure in which lithium fluoride is used for the first layer and ytterbium is provided for the second layer.
  • the electron injection layer may have an electron-transporting material.
  • a compound having a lone pair of electrons and an electron-deficient heteroaromatic ring can be used as the electron-transporting material.
  • compounds having one or more rings selected from a pyridine ring, a diazine ring (for example, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, or a pyridazine ring), or a triazine ring can be used.
  • the LUMO level of the organic compound having a lone pair of electrons is preferably -3.6 eV or more and -2.3 eV or less.
  • CV cyclic voltammetry
  • photoelectron spectroscopy optical absorption spectroscopy
  • inverse photoelectron spectroscopy is used to determine the highest occupied molecular orbital (HOMO: Highest Occupied Molecular Orbital) level and LUMO level of an organic compound. can be estimated.
  • BPhen 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • NBPhen 2,9-di(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • HATNA diquinoxalino [2,3-a:2′,3′-c]phenazine
  • TmPPPyTz 2,4,6-tris[3′-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl]-1, 3,5-triazine
  • TmPPPyTz 2,4,6-tris[3′-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl]-1, 3,5-triazine
  • TmPPPyTz 2,4,6-tris[3′-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl]-1, 3,5-triazine
  • the charge generation layer has at least a charge generation region as described above.
  • the charge generation region preferably contains an acceptor material, for example, preferably contains a hole transport material and an acceptor material applicable to the hole injection layer described above.
  • the charge generation layer preferably has a layer containing a material with high electron injection properties.
  • This layer can also be called an electron injection buffer layer.
  • the electron injection buffer layer is preferably provided between the charge generation region and the electron transport layer. Since the injection barrier between the charge generation region and the electron transport layer can be relaxed by providing the electron injection buffer layer, electrons generated in the charge generation region can be easily injected into the electron transport layer.
  • the electron injection buffer layer preferably contains an alkali metal or an alkaline earth metal, and can be configured to contain, for example, an alkali metal compound or an alkaline earth metal compound.
  • the electron injection buffer layer preferably has an inorganic compound containing an alkali metal and oxygen, or an inorganic compound containing an alkaline earth metal and oxygen, and an inorganic compound containing lithium and oxygen (for example, , lithium oxide (Li 2 O), etc.).
  • the above materials applicable to the electron injection layer can be preferably used.
  • the charge generation layer preferably has a layer containing a material with high electron transport properties. Such layers may also be referred to as electron relay layers.
  • the electron relay layer is preferably provided between the charge generation region and the electron injection buffer layer. If the charge generation layer does not have an electron injection buffer layer, the electron relay layer is preferably provided between the charge generation region and the electron transport layer.
  • the electron relay layer has a function of smoothly transferring electrons by preventing interaction between the charge generation region and the electron injection buffer layer (or electron transport layer).
  • a phthalocyanine-based material such as copper (II) phthalocyanine (abbreviation: CuPc), or a metal complex having a metal-oxygen bond and an aromatic ligand.
  • charge generation region electron injection buffer layer, and electron relay layer may not be clearly distinguished depending on their cross-sectional shape or characteristics.
  • the charge generation layer may have a donor material instead of the acceptor material.
  • the charge-generating layer may have a layer containing an electron-transporting material and a donor material, which are applicable to the electron-injecting layer described above.
  • FIG. 13A and 13B show a configuration example of a pixel circuit that can be provided in the pixel layer PXAL and a light emitting device 130 connected to the pixel circuit.
  • FIG. 13A is a diagram showing connection of each circuit element included in the pixel circuit 400 provided in the pixel layer PXAL, and FIG. and a layer EML including a light-emitting device 130.
  • FIG. 13B Note that the pixel layer PXAL of the display device 1000 illustrated in FIG. 13B has, for example, a layer OSL and a layer EML.
  • the transistors 200A, 200B, 200C, and the like included in the layer OSL illustrated in FIG. 13B correspond to the transistor 200 in FIG.
  • the light emitting device 130 included in the layer EML shown in FIG. 13B corresponds to the light emitting device 130R, the light emitting device 130G, or the light emitting device 130B in FIG.
  • a pixel circuit 400 shown as an example in FIGS. 13A and 13B includes a transistor 200A, a transistor 200B, a transistor 200C, and a capacitor 600.
  • FIG. The transistor 200A, the transistor 200B, and the transistor 200C can be transistors that can be applied to the transistor 200 described above, for example. That is, transistor 200A, transistor 200B, and transistor 200C can be LTPS transistors.
  • the transistor 200A, the transistor 200B, and the transistor 200C can be, for example, transistors that can be applied to the transistor 200 described above. That is, the transistor 200A, the transistor 200B, and the transistor 200C can be OS transistors.
  • each of the transistor 200A, the transistor 200B, and the transistor 200C preferably has a back gate electrode.
  • a structure in which the same signal as that applied to the electrode is applied, or a structure in which a signal different from that applied to the gate electrode is applied to the back gate electrode can be employed.
  • 13A and 13B, the transistors 200A, 200B, and 200C are illustrated with back gate electrodes, but the transistors 200A, 200B, and 200C may be configured without back gate electrodes. good.
  • the transistor 200B includes a gate electrode electrically connected to the transistor 200A, a first electrode electrically connected to the light emitting device 130, and a second electrode electrically connected to the wiring ANO.
  • the wiring ANO is wiring for applying a potential for supplying current to the light emitting device 130 .
  • the transistor 200A has a first terminal electrically connected to the gate electrode of the transistor 200B, a second terminal electrically connected to a wiring SL functioning as a source line, and a wiring GL1 functioning as a gate line. and a gate electrode having a function of controlling a conducting state or a non-conducting state based on the potential.
  • the transistor 200C is turned on based on the potentials of the first terminal electrically connected to the wiring V0, the second terminal electrically connected to the light emitting device 130, and the wiring GL2 functioning as a gate line. or a gate electrode having a function of controlling a non-conducting state.
  • the wiring V0 is a wiring for applying a reference potential and a wiring for outputting the current flowing through the pixel circuit 400 to the driving circuit 30 .
  • the capacitor 600 includes a conductive film electrically connected to the gate electrode of the transistor 200B and a conductive film electrically connected to the second electrode of the transistor 200C.
  • the light emitting device 130 includes a first electrode electrically connected to the first electrode of the transistor 200B and a second electrode electrically connected to the wiring VCOM.
  • the wiring VCOM is a wiring for applying a potential for supplying current to the light emitting device 130 .
  • the intensity of light emitted by the light emitting device 130 can be controlled according to the image signal applied to the gate electrode of the transistor 200B. Variation in the voltage between the gate and the source of the transistor 200B can be suppressed by the reference potential of the wiring V0 applied through the transistor 200C.
  • a current value that can be used to set pixel parameters can also be output from the wiring V0.
  • the wiring V0 can function as a monitor line for outputting the current flowing through the transistor 200B or the light-emitting device 130 to the outside.
  • the current output to the wiring V0 is converted into a voltage by a source follower circuit or the like and output to the outside. Alternatively, it can be converted into a digital signal by an AD converter or the like and output to the AI accelerator or the like included in the external control circuit PRPH described in the above embodiments.
  • the wiring that electrically connects the pixel circuit 400 and the driving circuit 30 can be shortened, so that the wiring resistance of the wiring can be reduced. Therefore, data can be written at high speed, so that the display device 1000 can be driven at high speed. Accordingly, even if the number of pixel circuits 400 included in the display device 1000 is increased, a sufficient frame period can be secured, so that the pixel density of the display device 1000 can be increased. Further, by increasing the pixel density of the display device 1000, the definition of an image displayed by the display device 1000 can be increased. For example, the pixel density of the display device 1000 can be 500 ppi or more, preferably 1000 ppi or more. Therefore, the display device 1000 can be a display device for AR or VR, for example, and can be suitably applied to an electronic device, such as an HMD, in which the distance between the display unit and the user is short.
  • an electronic device such as an HMD
  • FIGS. 13A and 13B show the pixel circuit 400 including a total of three transistors as an example, the pixel circuit in the electronic device of one embodiment of the present invention is not limited to this.
  • a configuration example of a pixel circuit that can be applied to the pixel circuit 400 will be described below.
  • a pixel circuit 400A shown in FIG. 14A illustrates a transistor 200A, a transistor 200B, and a capacitor 600.
  • FIG. FIG. 14A also illustrates a light emitting device 130 connected to the pixel circuit 400A.
  • a wiring SL, a wiring GL, a wiring ANO, and a wiring VCOM are electrically connected to the pixel circuit 400A.
  • the transistor 200A has a gate electrically connected to the wiring GL, one of the source and drain electrically connected to the wiring SL, and the other electrically connected to the gate of the transistor 200B and one electrode of the capacitor 600 .
  • One of the source and drain of the transistor 200B is electrically connected to the wiring ANO, and the other is electrically connected to the anode of the light emitting device 130 .
  • the capacitor 600 has the other electrode electrically connected to the anode of the light emitting device 130 .
  • the light emitting device 130 has a cathode electrically connected to the wiring VCOM.
  • a pixel circuit 400B shown in FIG. 14B has a configuration in which a transistor 200C is added to the pixel circuit 400A.
  • a wiring V0 is electrically connected to the pixel circuit 400B.
  • a pixel circuit 400C shown in FIG. 14C is an example in which transistors whose gates and back gates are electrically connected are applied to the transistors 200A and 200B of the pixel circuit 400A.
  • a pixel circuit 400D shown in FIG. 14D is an example in which the transistor is applied to the pixel circuit 400B. This can increase the current that the transistor can pass. Note that although a transistor having a pair of gates electrically connected to each other is used as all the transistors here, the present invention is not limited to this. Alternatively, a transistor having a pair of gates and electrically connected to different wirings may be used. For example, reliability can be improved by using a transistor in which one of the gates and the source are electrically connected.
  • a pixel circuit 400E shown in FIG. 15A has a configuration in which a transistor 200D is added to the pixel circuit 400B described above.
  • the pixel circuit 400E is electrically connected to three wirings functioning as gate lines (the wiring GL1, the wiring GL2, and the wiring GL3).
  • the transistor 200D has a gate electrically connected to the wiring GL3, one of the source and the drain electrically connected to the gate of the transistor 200B, and the other electrically connected to the wiring V0.
  • a gate of the transistor 200A is electrically connected to the wiring GL1
  • a gate of the transistor 200C is electrically connected to the wiring GL2.
  • Such a pixel circuit is suitable for a display method in which display periods and off periods are alternately provided.
  • a pixel circuit 400F shown in FIG. 15B is an example in which a capacitor 600A is added to the pixel circuit 400E.
  • Capacitor 600A functions as a holding capacitor.
  • a pixel circuit 400G shown in FIG. 15C and a pixel circuit 400H shown in FIG. 15D are examples in which a transistor whose gate and back gate are electrically connected is applied to the pixel circuit 400E or the pixel circuit 400F, respectively. be.
  • Transistors whose gates and back gates are electrically connected are used as the transistors 200A, 200C, and 200D, and transistors whose gate is electrically connected to the source are used as the transistor 200B. .
  • Sub-pixel layout will be explained. There is no particular limitation on the arrangement of sub-pixels, and various methods can be applied.
  • Sub-pixel arrangements include, for example, a stripe arrangement, an S-stripe arrangement, a matrix arrangement, a delta arrangement, a Bayer arrangement, and a pentile arrangement.
  • top surface shapes of sub-pixels include triangles, quadrilaterals (for example, rectangles or squares), polygons such as pentagons, shapes with rounded corners of these polygons, ellipses, and circles.
  • the top surface shape of the sub-pixel corresponds to the top surface shape of the light emitting region of the light emitting device.
  • a stripe arrangement is applied to the pixels 80 shown in FIG. 16A.
  • a pixel 80 shown in FIG. 16A is composed of three sub-pixels, a sub-pixel 80a, a sub-pixel 80b, and a sub-pixel 80c.
  • the sub-pixel 80a may be the red sub-pixel R
  • the sub-pixel 80b may be the green sub-pixel G
  • the sub-pixel 80c may be the blue sub-pixel B.
  • a pixel 80 shown in FIG. 16B is composed of three sub-pixels, a sub-pixel 80a, a sub-pixel 80b, and a sub-pixel 80c.
  • the sub-pixel 80a may be the blue sub-pixel B
  • the sub-pixel 80b may be the red sub-pixel R
  • the sub-pixel 80c may be the green sub-pixel G.
  • FIG. 16C is an example in which sub-pixels of each color are arranged in a zigzag pattern. Specifically, in plan view, the positions of the upper sides of two sub-pixels (for example, sub-pixel 80a and sub-pixel 80b, or sub-pixel 80b and sub-pixel 80c) aligned in the column direction are shifted.
  • the sub-pixel 80a may be the red sub-pixel R
  • the sub-pixel 80b may be the green sub-pixel G
  • the sub-pixel 80c may be the blue sub-pixel B.
  • the pixel 80 shown in FIG. 16D includes a subpixel 80a having a substantially trapezoidal top shape with rounded corners, a subpixel 80b having a substantially triangular top surface shape with rounded corners, and a substantially square or substantially hexagonal top surface shape with rounded corners. and a sub-pixel 80c having Also, the sub-pixel 80a has a larger light emitting area than the sub-pixel 80b.
  • the shape and size of each sub-pixel can be determined independently. For example, sub-pixels with more reliable light emitting devices can be smaller in size.
  • the sub-pixel 80a may be the green sub-pixel G
  • the sub-pixel 80b may be the red sub-pixel R
  • the sub-pixel 80c may be the blue sub-pixel B.
  • FIG. 16E shows an example in which pixels 70A having sub-pixels 80a and 80b and pixels 70B having sub-pixels 80b and 80c are alternately arranged.
  • the sub-pixel 80a may be the red sub-pixel R
  • the sub-pixel 80b may be the green sub-pixel G
  • the sub-pixel 80c may be the blue sub-pixel B.
  • Pixel 70A has two sub-pixels (sub-pixel 80a and sub-pixel 80b) in the upper row (first row) and one sub-pixel (sub-pixel 80c) in the lower row (second row).
  • the pixel 70B has one sub-pixel (sub-pixel 80c) in the upper row (first row) and two sub-pixels (sub-pixel 80a and sub-pixel 80b) in the lower row (second row).
  • the sub-pixel 80a may be the red sub-pixel R
  • the sub-pixel 80b may be the green sub-pixel G
  • the sub-pixel 80c may be the blue sub-pixel B.
  • FIG. 16F is an example in which each sub-pixel has a substantially square top surface shape with rounded corners
  • FIG. 16G is an example in which each sub-pixel has a circular top surface shape.
  • the top surface shape of a sub-pixel may be a polygon with rounded corners, an ellipse, or a circle.
  • the EL layer is processed into an island shape using a resist mask.
  • the resist film formed on the EL layer needs to be cured at a temperature lower than the heat resistance temperature of the EL layer. Therefore, depending on the heat resistance temperature of the EL layer material and the curing temperature of the resist material, curing of the resist film may be insufficient.
  • a resist film that is insufficiently hardened may take a shape away from the desired shape during processing.
  • the top surface shape of the EL layer may be a polygon with rounded corners, an ellipse, or a circle. For example, when a resist mask having a square top surface is formed, a resist mask having a circular top surface is formed, and the EL layer may have a circular top surface.
  • a technique for correcting the mask pattern in advance so that the design pattern and the transfer pattern match.
  • OPC Optical Proximity Correction
  • a pattern for correction is added to a corner portion of a figure on a mask pattern.
  • a stripe arrangement is applied to the pixels 80 shown in FIGS. 18A to 18C.
  • FIG. 18A is an example in which each sub-pixel has a rectangular top surface shape
  • FIG. 18B is an example in which each sub-pixel has a top surface shape connecting two semicircles and a rectangle
  • FIG. This is an example where the sub-pixel has an elliptical top surface shape.
  • a matrix arrangement is applied to the pixels 80 shown in FIGS. 18D to 18F.
  • FIG. 18D is an example in which each sub-pixel has a square top surface shape
  • FIG. 18E is an example in which each sub-pixel has a substantially square top surface shape with rounded corners
  • FIG. which have a circular top shape.
  • a pixel 80 shown in FIGS. 18A to 18F is composed of four sub-pixels, sub-pixel 80a, sub-pixel 80b, sub-pixel 80c, and sub-pixel 80d.
  • Sub-pixel 80a, sub-pixel 80b, sub-pixel 80c, and sub-pixel 80d emit light of different colors.
  • subpixel 80a, subpixel 80b, subpixel 80c, and subpixel 80d can be red, green, blue, and white subpixels, respectively.
  • subpixel 80a, subpixel 80b, subpixel 80c, and subpixel 80d can be red, green, blue, and white subpixels, respectively.
  • subpixel 80a, subpixel 80b, subpixel 80c, and subpixel 80d can be red, green, blue, and infrared emitting subpixels, respectively.
  • the sub-pixel 80d has a light-emitting device.
  • the light-emitting device has, for example, a pixel electrode, an EL layer, and a common electrode. Note that a material similar to that of the conductors 112a to 112c or the conductors 126a to 126c may be used for the pixel electrode.
  • the EL layer for example, a material similar to that of the first layer 113a, the second layer 113b, or the third layer 113c may be used.
  • FIG. 18G shows an example in which one pixel 80 is composed of 2 rows and 3 columns.
  • the pixel 80 has three sub-pixels (sub-pixel 80a, sub-pixel 80b, sub-pixel 80c) in the upper row (first row) and three sub-pixels 80d in the lower row (second row).
  • the pixel 80 has sub-pixels 80a and 80d in the left column (first column), sub-pixels 80b and 80d in the center column (second column), and sub-pixels 80b and 80d in the middle column (second column).
  • a column (third column) has a sub-pixel 80c and a sub-pixel 80d.
  • FIG. 18G by aligning the arrangement of the sub-pixels in the upper row and the lower row, it is possible to efficiently remove dust and the like that may occur in the manufacturing process. Therefore, a display device with high display quality can be provided.
  • FIG. 18H shows an example in which one pixel 80 is composed of 2 rows and 3 columns.
  • the pixel 80 has three sub-pixels (sub-pixel 80a, sub-pixel 80b, sub-pixel 80c) in the upper row (first row), and one sub-pixel (sub-pixel 80c) in the lower row (second row). sub-pixel 80d).
  • pixel 80 has sub-pixel 80a in the left column (first column), sub-pixel 80b in the middle column (second column), and sub-pixel 80b in the right column (third column). It has pixels 80c and sub-pixels 80d over these three columns.
  • the pixel 80 shown in FIGS. 18G and 18H for example, as shown in FIGS. can be the blue sub-pixel B, and the sub-pixel 80d can be the white sub-pixel W.
  • insulators, conductors, semiconductors, and the like disclosed in this specification can be formed by a PVD (Physical Vapor Deposition) method or a CVD method.
  • PVD methods include, for example, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, and a PLD (Pulsed Laser Deposition) method.
  • the CVD method a plasma CVD method, a thermal CVD method, and the like are used.
  • the thermal CVD method includes, for example, the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, the ALD (Atomic Layer Deposition) method, and the like.
  • the thermal CVD method does not use plasma, so it has the advantage of not generating defects due to plasma damage.
  • a raw material gas and an oxidizing agent are sent into a chamber at the same time, the inside of the chamber is made to be under atmospheric pressure or reduced pressure, and a film is formed by reacting near or on the substrate and depositing it on the substrate. .
  • the inside of the chamber may be under atmospheric pressure or reduced pressure
  • raw material gases for reaction are sequentially introduced into the chamber
  • film formation may be performed by repeating the order of gas introduction.
  • switching the switching valves also called high-speed valves
  • two or more source gases are sequentially supplied to the chamber, and the first source gas is supplied simultaneously with or after the first source gas so as not to mix the two or more source gases.
  • An active gas for example, argon or nitrogen
  • the inert gas serves as a carrier gas, and the inert gas may be introduced at the same time as the introduction of the second raw material gas.
  • the second source gas may be introduced after the first source gas is exhausted by evacuation.
  • the first source gas adsorbs on the surface of the substrate to form a first thin layer, which reacts with the second source gas introduced later to form a second thin layer on the first thin layer. is laminated to form a thin film.
  • a thin film with excellent step coverage can be formed by repeating this gas introduction sequence several times until a desired thickness is obtained. Since the thickness of the thin film can be adjusted by the number of times the gas introduction sequence is repeated, precise film thickness adjustment is possible, and this method is suitable for manufacturing fine FETs.
  • Thermal CVD methods such as MOCVD or ALD can form various films such as metal films, semiconductor films, or inorganic insulating films disclosed in the embodiments described above.
  • Trimethylindium (In( CH3 ) 3 ), trimethylgallium (Ga( CH3 ) 3 ), and dimethylzinc (Zn( CH3 ) 2 ) are used to form the —O film.
  • triethylgallium (Ga(C 2 H 5 ) 3 ) can be used instead of trimethylgallium
  • diethylzinc (Zn(C 2 H 5 ) 2 ) can be used instead of dimethylzinc. can also be used.
  • a liquid containing a solvent and a hafnium precursor compound for example, hafnium alkoxide or tetrakisdimethylamide hafnium (TDMAH, Hf[N( CH3) ) 2 ] 4
  • hafnium precursor compound for example, hafnium alkoxide or tetrakisdimethylamide hafnium (TDMAH, Hf[N( CH3) ) 2 ] 4
  • ozone O 3
  • Other materials include tetrakis(ethylmethylamido)hafnium.
  • a liquid containing a solvent and an aluminum precursor compound for example, trimethylaluminum (TMA, Al(CH 3 ) 3 )
  • TMA trimethylaluminum
  • H 2 O oxidizing agent
  • Other materials also include tris(dimethylamido)aluminum, triisobutylaluminum, or aluminum tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate).
  • hexachlorodisilane is adsorbed on the film formation surface to generate radicals of an oxidizing gas (for example, O 2 or dinitrogen monoxide). feed to react with the adsorbate.
  • an oxidizing gas for example, O 2 or dinitrogen monoxide
  • WF 6 gas and B 2 H 6 gas are sequentially and repeatedly introduced to form an initial tungsten film, and then WF 6 gas and H The two gases are sequentially and repeatedly introduced to form a tungsten film.
  • SiH4 gas may be used instead of B2H6 gas .
  • a precursor generally, for example, a precursor or a metal precursor
  • an oxidizing agent generally, for example, sometimes referred to as a reactant, a reactant, or a non-metallic precursor
  • a precursor In(CH 3 ) 3 gas and an oxidizing agent O 3 gas are introduced to form an In—O layer, and then a precursor Ga(CH 3 ) 3 gas and An oxidant O 3 gas is introduced to form a GaO layer, and then a precursor Zn(CH 3 ) 2 gas and an oxidant O 3 gas are introduced to form a ZnO layer.
  • a mixed oxide layer such as an In--Ga--O layer, an In--Zn--O layer, or a Ga--Zn--O layer may be formed using these gases.
  • H 2 O gas obtained by bubbling water with an inert gas such as Ar may be used instead of O 3 gas, it is preferable to use O 3 gas that does not contain H.
  • In(C 2 H 5 ) 3 gas may be used instead of In(CH 3 ) 3 gas.
  • Ga(C 2 H 5 ) 3 gas may be used instead of Ga(CH 3 ) 3 gas.
  • Zn(CH 3 ) 2 gas may be used.
  • the display unit can support various screen ratios such as 1:1 (square), 4:3, 16:9, or 16:10.
  • the display section can be of various shapes such as rectangular, polygonal (for example, octagonal), circular, and elliptical.
  • a metal oxide used for an OS transistor preferably contains at least indium or zinc, and more preferably contains indium and zinc.
  • metal oxides include indium and M (where M is gallium, aluminum, yttrium, tin, silicon, boron, copper, vanadium, beryllium, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium). , hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, and cobalt) and zinc.
  • M is preferably one or more selected from gallium, aluminum, yttrium and tin, more preferably gallium.
  • Metal oxides can be formed by sputtering, chemical vapor deposition (CVD) such as metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), or atomic layer deposition (ALD).
  • CVD chemical vapor deposition
  • MOCVD metalorganic chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • oxides containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) will be described as examples of metal oxides. Note that an oxide containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) is sometimes called an In--Ga--Zn oxide.
  • Crystal structures of oxide semiconductors include amorphous (including completely amorphous), CAAC (c-axis-aligned crystalline), nc (nanocrystalline), CAC (cloud-aligned composite), single crystal, and polycrystal. (poly crystal) and the like.
  • the crystal structure of the film or substrate can be evaluated using an X-ray diffraction (XRD) spectrum.
  • XRD X-ray diffraction
  • it can be evaluated using an XRD spectrum obtained by GIXD (Grazing-Incidence XRD) measurement.
  • GIXD Gram-Incidence XRD
  • the GIXD method is also called a thin film method or a Seemann-Bohlin method.
  • the XRD spectrum obtained by the GIXD measurement may be simply referred to as the XRD spectrum.
  • the shape of the peak of the XRD spectrum is almost bilaterally symmetrical.
  • the shape of the peak of the XRD spectrum is left-right asymmetric.
  • the asymmetric shape of the peaks in the XRD spectra demonstrates the presence of crystals in the film or substrate. In other words, the film or substrate cannot be said to be in an amorphous state unless the shape of the peaks in the XRD spectrum is symmetrical.
  • the crystal structure of the film or substrate can be evaluated by a diffraction pattern (also referred to as a nano beam electron diffraction pattern) observed by nano beam electron diffraction (NBED).
  • a diffraction pattern also referred to as a nano beam electron diffraction pattern
  • NBED nano beam electron diffraction
  • a halo is observed in the diffraction pattern of a quartz glass substrate, and it can be confirmed that the quartz glass is in an amorphous state.
  • a spot-like pattern is observed instead of a halo. For this reason, it is presumed that it cannot be concluded that the In-Ga-Zn oxide deposited at room temperature is in an intermediate state, neither single crystal nor polycrystal, nor amorphous state, and is in an amorphous state. be done.
  • oxide semiconductors may be classified differently from the above when their structures are focused. For example, oxide semiconductors are classified into single-crystal oxide semiconductors and non-single-crystal oxide semiconductors. Examples of non-single-crystal oxide semiconductors include the above CAAC-OS and nc-OS. Non-single-crystal oxide semiconductors include polycrystalline oxide semiconductors, amorphous-like oxide semiconductors (a-like OS), amorphous oxide semiconductors, and the like.
  • CAAC-OS is an oxide semiconductor that includes a plurality of crystal regions, and the c-axes of the plurality of crystal regions are oriented in a specific direction. Note that the specific direction is the thickness direction of the CAAC-OS film, the normal direction to the formation surface of the CAAC-OS film, or the normal direction to the surface of the CAAC-OS film.
  • a crystalline region is a region having periodicity in atomic arrangement. If the atomic arrangement is regarded as a lattice arrangement, the crystalline region is also a region with a uniform lattice arrangement.
  • CAAC-OS has a region where a plurality of crystal regions are connected in the a-b plane direction, and the region may have strain.
  • the strain refers to a portion where the orientation of the lattice arrangement changes between a region with a uniform lattice arrangement and another region with a uniform lattice arrangement in a region where a plurality of crystal regions are connected. That is, CAAC-OS is an oxide semiconductor that is c-axis oriented and has no obvious orientation in the ab plane direction.
  • each of the plurality of crystal regions is composed of one or more microcrystals (crystals having a maximum diameter of less than 10 nm).
  • the maximum diameter of the crystalline region is less than 10 nm.
  • the maximum diameter of the crystal region may be about several tens of nanometers.
  • the CAAC-OS includes a layer containing indium (In) and oxygen (hereinafter referred to as an In layer) and a layer containing gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (
  • an In layer a layer containing indium (In) and oxygen
  • Ga gallium
  • Zn zinc
  • oxygen it tends to have a layered crystal structure (also referred to as a layered structure) in which (Ga, Zn) layers are laminated.
  • the (Ga, Zn) layer may contain indium.
  • the In layer may contain gallium.
  • the In layer may contain zinc.
  • the layered structure is observed as a lattice image in, for example, a high-resolution TEM (Transmission Electron Microscope) image.
  • a plurality of bright points are observed in the electron beam diffraction pattern of the CAAC-OS film.
  • a certain spot and another spot are observed at point-symmetrical positions with respect to the spot of the incident electron beam that has passed through the sample (also referred to as a direct spot) as the center of symmetry.
  • the lattice arrangement in the crystal region is basically a hexagonal lattice, but the unit cell is not always a regular hexagon and may be a non-regular hexagon. Moreover, the distortion may have a lattice arrangement of pentagons, heptagons, or the like. Note that in CAAC-OS, no clear crystal grain boundary can be observed even near the strain. That is, it can be seen that the distortion of the lattice arrangement suppresses the formation of grain boundaries. This is because the CAAC-OS can tolerate strain due to the fact that the arrangement of oxygen atoms is not dense in the ab plane direction, the bond distance between atoms changes due to the substitution of metal atoms, and the like. It is considered to be for
  • a crystal structure in which clear grain boundaries are confirmed is called a polycrystal.
  • a grain boundary becomes a recombination center, and there is a high possibility that carriers are trapped and cause a decrease in the on-state current of a transistor, a decrease in field-effect mobility, and the like. Therefore, a CAAC-OS in which no clear grain boundaries are observed is one of crystalline oxides having a crystal structure suitable for a semiconductor layer of a transistor.
  • a structure containing Zn is preferable for forming a CAAC-OS.
  • In--Zn oxide and In--Ga--Zn oxide are preferable because they can suppress the generation of grain boundaries more than In oxide.
  • CAAC-OS is an oxide semiconductor with high crystallinity and no clear crystal grain boundaries. Therefore, it can be said that the decrease in electron mobility due to grain boundaries is less likely to occur in CAAC-OS.
  • a CAAC-OS can be said to be an oxide semiconductor with few impurities and defects (such as oxygen vacancies). Therefore, an oxide semiconductor including CAAC-OS has stable physical properties. Therefore, an oxide semiconductor including CAAC-OS is resistant to heat and has high reliability.
  • CAAC-OS is also stable against high temperatures (so-called thermal budget) in the manufacturing process. Therefore, the use of the CAAC-OS for the OS transistor can increase the degree of freedom in the manufacturing process.
  • nc-OS has periodic atomic arrangement in a minute region (eg, a region of 1 nm to 10 nm, particularly a region of 1 nm to 3 nm).
  • the nc-OS has minute crystals.
  • the size of the minute crystal is, for example, 1 nm or more and 10 nm or less, particularly 1 nm or more and 3 nm or less, the minute crystal is also called a nanocrystal.
  • nc-OS does not show regularity in crystal orientation between different nanocrystals. Therefore, no orientation is observed in the entire film.
  • an nc-OS may be indistinguishable from an a-like OS and an amorphous oxide semiconductor depending on the analysis method.
  • an nc-OS film is subjected to structural analysis using an XRD apparatus, out-of-plane XRD measurement using ⁇ /2 ⁇ scanning does not detect a peak indicating crystallinity.
  • an nc-OS film is subjected to electron beam diffraction (also referred to as selected area electron beam diffraction) using an electron beam with a probe diameter larger than that of nanocrystals (for example, 50 nm or more), a diffraction pattern such as a halo pattern is obtained. is observed.
  • an nc-OS film is subjected to electron diffraction (also referred to as nanobeam electron diffraction) using an electron beam with a probe diameter close to or smaller than the size of a nanocrystal (for example, 1 nm or more and 30 nm or less)
  • An electron beam diffraction pattern may be obtained in which a plurality of spots are observed within a ring-shaped area centered on the direct spot.
  • An a-like OS is an oxide semiconductor having a structure between an nc-OS and an amorphous oxide semiconductor.
  • An a-like OS has void or low density regions. That is, a-like OS has lower crystallinity than nc-OS and CAAC-OS. In addition, the a-like OS has a higher hydrogen concentration in the film than the nc-OS and the CAAC-OS.
  • CAC-OS relates to material composition.
  • CAC-OS is, for example, one structure of a material in which elements constituting a metal oxide are unevenly distributed with a size of 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 1 nm or more and 3 nm or less, or in the vicinity thereof.
  • the metal oxide one or more metal elements are unevenly distributed, and the region having the metal element has a size of 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 1 nm or more and 3 nm or less, or a size in the vicinity thereof.
  • the mixed state is also called mosaic or patch.
  • CAC-OS is a structure in which the material is separated into a first region and a second region to form a mosaic shape, and the first region is distributed in the film (hereinafter, also referred to as a cloud shape). ). That is, CAC-OS is a composite metal oxide in which the first region and the second region are mixed.
  • the atomic ratios of In, Ga, and Zn to the metal elements constituting the CAC-OS in the In--Ga--Zn oxide are denoted by [In], [Ga], and [Zn], respectively.
  • the first region is a region where [In] is larger than [In] in the composition of the CAC-OS film.
  • the second region is a region where [Ga] is greater than [Ga] in the composition of the CAC-OS film.
  • the first region is a region in which [In] is larger than [In] in the second region and [Ga] is smaller than [Ga] in the second region.
  • the second region is a region in which [Ga] is larger than [Ga] in the first region and [In] is smaller than [In] in the first region.
  • the first region is a region whose main component is indium oxide, indium zinc oxide, or the like.
  • the second region is a region containing gallium oxide, gallium zinc oxide, or the like as a main component. That is, the first region can be rephrased as a region containing In as a main component. Also, the second region can be rephrased as a region containing Ga as a main component.
  • a clear boundary between the first region and the second region may not be observed.
  • the CAC-OS in the In—Ga—Zn oxide means a region containing Ga as a main component and a region containing In as a main component in a material structure containing In, Ga, Zn, and O. Each region is a mosaic, and refers to a configuration in which these regions exist randomly. Therefore, CAC-OS is presumed to have a structure in which metal elements are unevenly distributed.
  • the CAC-OS can be formed, for example, by sputtering under the condition that the substrate is not heated.
  • an inert gas typically argon
  • an oxygen gas typically a nitrogen gas
  • a nitrogen gas may be used as a deposition gas.
  • the flow rate ratio of the oxygen gas to the total flow rate of the film forming gas during film formation is preferably as low as possible.
  • the flow ratio of the oxygen gas to the total flow rate of the film forming gas during film formation is 0% or more and less than 30%, preferably 0% or more and 10% or less.
  • an EDX mapping obtained using energy dispersive X-ray spectroscopy shows that a region containing In as a main component It can be confirmed that the (first region) and the region (second region) containing Ga as the main component are unevenly distributed and have a mixed structure.
  • the first region is a region with higher conductivity than the second region. That is, when carriers flow through the first region, conductivity as a metal oxide is developed. Therefore, by distributing the first region in the form of a cloud in the metal oxide, a high field effect mobility ( ⁇ ) can be realized.
  • the second region is a region with higher insulation than the first region.
  • the leakage current can be suppressed by distributing the second region in the metal oxide.
  • CAC-OS when used for a transistor, the conductivity caused by the first region and the insulation caused by the second region act complementarily to provide a switching function (on/off). functions) can be given to the CAC-OS.
  • a part of the material has a conductive function
  • a part of the material has an insulating function
  • the whole material has a semiconductor function.
  • CAC-OS is most suitable for various semiconductor devices including display devices.
  • Oxide semiconductors have a variety of structures, each with different characteristics.
  • An oxide semiconductor of one embodiment of the present invention includes two or more of an amorphous oxide semiconductor, a polycrystalline oxide semiconductor, an a-like OS, a CAC-OS, an nc-OS, and a CAAC-OS. may
  • an oxide also referred to as "IGZO" containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn)
  • IGZO oxide containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn)
  • IAZO oxide containing indium (In), aluminum (Al), and zinc (Zn)
  • IAGZO oxide containing indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga), and zinc (Zn)
  • an oxide semiconductor with low carrier concentration is preferably used for a transistor.
  • the carrier concentration of the oxide semiconductor is 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 or less, preferably 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 or less, more preferably 1 ⁇ 10 13 cm ⁇ 3 or less, more preferably 1 ⁇ 10 11 cm ⁇ 3 or less . 3 or less, more preferably less than 1 ⁇ 10 10 cm ⁇ 3 and 1 ⁇ 10 ⁇ 9 cm ⁇ 3 or more.
  • the impurity concentration in the oxide semiconductor film may be lowered to lower the defect level density.
  • a low impurity concentration and a low defect level density are referred to as high-purity intrinsic or substantially high-purity intrinsic.
  • an oxide semiconductor with a low carrier concentration is sometimes referred to as a highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic oxide semiconductor.
  • a high-purity intrinsic or substantially high-purity intrinsic oxide semiconductor film has a low defect level density, so the trap level density may also be low.
  • the charge trapped in the trap level of the oxide semiconductor takes a long time to disappear and may behave as if it were a fixed charge. Therefore, a transistor whose channel formation region is formed in an oxide semiconductor with a high trap level density might have unstable electrical characteristics.
  • Impurities include, for example, hydrogen, nitrogen, alkali metals, alkaline earth metals, iron, nickel, or silicon.
  • the impurities in the oxide semiconductor refer to, for example, substances other than the main components of the oxide semiconductor. For example, an element whose concentration is less than 0.1 atomic percent can be said to be an impurity.
  • the concentration of silicon or carbon in the oxide semiconductor is 2 ⁇ 10 atoms/cm or less, preferably 2 ⁇ 10 17 atoms/cm 3 or less.
  • the concentration of alkali metal or alkaline earth metal in the oxide semiconductor obtained by SIMS is set to 1 ⁇ 10 18 atoms/cm 3 or less, preferably 2 ⁇ 10 16 atoms/cm 3 or less.
  • the nitrogen concentration in the oxide semiconductor obtained by SIMS is less than 5 ⁇ 10 19 atoms/cm 3 , preferably 5 ⁇ 10 18 atoms/cm 3 or less, more preferably 1 ⁇ 10 18 atoms/cm 3 or less. , more preferably 5 ⁇ 10 17 atoms/cm 3 or less.
  • Hydrogen contained in an oxide semiconductor reacts with oxygen that bonds to a metal atom to form water, which may cause oxygen vacancies. When hydrogen enters the oxygen vacancies, electrons, which are carriers, may be generated. In addition, part of hydrogen may bond with oxygen that bonds with a metal atom to generate an electron, which is a carrier. Therefore, a transistor including an oxide semiconductor containing hydrogen is likely to have normally-on characteristics. Therefore, hydrogen in the oxide semiconductor is preferably reduced as much as possible. Specifically, the hydrogen concentration in the oxide semiconductor obtained by SIMS is less than 1 ⁇ 10 20 atoms/cm 3 , preferably less than 1 ⁇ 10 19 atoms/cm 3 , more preferably less than 5 ⁇ 10 18 atoms/cm. Less than 3 , more preferably less than 1 ⁇ 10 18 atoms/cm 3 .
  • ⁇ Display module configuration example> First, a display module including a display device that can be applied to an electronic device of one embodiment of the present invention is described.
  • a perspective view of the display module 1280 is shown in FIG. 20A.
  • a display module 1280 has a display device 1000 and an FPC 1290 .
  • the display module 1280 has substrates 1291 and 1292 .
  • the display module 1280 has a display section 1281 .
  • the display portion 1281 is an area in which an image is displayed in the display module 1280, and an area in which light from each pixel provided in the pixel portion 1284 described later can be visually recognized.
  • FIG. 20B shows a perspective view schematically showing the configuration on the substrate 1291 side.
  • a circuit portion 1282 , a pixel circuit portion 1283 on the circuit portion 1282 , and a pixel portion 1284 on the pixel circuit portion 1283 are stacked over the substrate 1291 .
  • a terminal portion 1285 for connecting to the FPC 1290 is provided on a portion of the substrate 1291 that does not overlap with the pixel portion 1284 .
  • the terminal portion 1285 and the circuit portion 1282 are electrically connected by a wiring portion 1286 composed of a plurality of wirings.
  • the pixel section 1284 and the pixel circuit section 1283 correspond to, for example, the pixel layer PXAL described above.
  • the circuit section 1282 corresponds to, for example, the circuit layer SICL described above.
  • the pixel unit 1284 has a plurality of periodically arranged pixels 1284a. An enlarged view of one pixel 1284a is shown on the right side of FIG. 20B.
  • Pixel 1284a has light-emitting device 1430a, light-emitting device 1430b, and light-emitting device 1430c that emit light of different colors.
  • the light emitting device 1430a, the light emitting device 1430b, and the light emitting device 1430c correspond to the light emitting device 130R, the light emitting device 130G, and the light emitting device 130B described above, for example.
  • the plurality of light emitting devices described above may be arranged in a stripe arrangement as shown in FIG. 20B. Also, various arrangement methods such as delta arrangement and pentile arrangement can be applied.
  • the pixel circuit section 1283 has a plurality of pixel circuits 1283a arranged periodically.
  • One pixel circuit 1283a is a circuit that controls light emission of three light emitting devices included in one pixel 1284a.
  • One pixel circuit 1283a may have a structure in which three circuits for controlling light emission of one light-emitting device are provided.
  • the pixel circuit 1283a can have at least one selection transistor, one current control transistor (driving transistor), and a capacitor for each light emitting device. At this time, a gate signal is input to the gate of the selection transistor, and a source signal is input to either the source or the drain of the selection transistor. This realizes an active matrix display device.
  • the circuit section 1282 has a circuit that drives each pixel circuit 1283 a of the pixel circuit section 1283 .
  • a circuit that drives each pixel circuit 1283 a of the pixel circuit section 1283 For example, it is preferable to have one or both of a gate line driver circuit and a source line driver circuit.
  • one or more selected from an arithmetic circuit, a memory circuit, a power supply circuit, and the like may be provided.
  • the FPC 1290 functions as wiring for supplying a video signal or power supply potential to the circuit section 1282 from the outside. Also, an IC may be mounted on the FPC 1290 .
  • the display module 1280 can have a structure in which one or both of the pixel circuit portion 1283 and the circuit portion 1282 are stacked under the pixel portion 1284, the aperture ratio (effective display area ratio) of the display portion 1281 can be significantly increased. can be raised.
  • 21A and 21B show the appearance of an electronic device 8300 that is a head-mounted display.
  • the electronic device 8300 has a housing 8301, a display section 8302, operation buttons 8303, and a band-shaped fixture 8304.
  • the operation button 8303 has functions such as a power button. Further, electronic device 8300 may have buttons in addition to operation buttons 8303 .
  • a lens 8305 may be provided between the display unit 8302 and the position of the user's eyes. Since the lens 8305 allows the user to magnify the display portion 8302, the sense of presence is enhanced. At this time, as shown in FIG. 21C, there may be provided a dial 8306 for changing the position of the lens for diopter adjustment.
  • the display unit 8302 for example, it is preferable to use a display device with extremely high definition. By using a high-definition display device for the display portion 8302, even if the image is enlarged using the lens 8305 as shown in FIG. be able to.
  • 21A to 21C show examples in which one display portion 8302 is provided. With such a configuration, the number of parts can be reduced.
  • the display unit 8302 can display two images, an image for the right eye and an image for the left eye, side by side in two areas on the left and right. Thereby, a stereoscopic image using binocular parallax can be displayed.
  • one image that can be viewed with both eyes may be displayed over the entire area of the display unit 8302 .
  • a panoramic image can be displayed across both ends of the field of view, increasing the sense of reality.
  • the electronic device 8300 preferably has a mechanism for changing the curvature of the display unit 8302 to an appropriate value according to the size of the user's head or the position of the eyes.
  • the user may adjust the curvature of the display section 8302 by operating a dial 8307 for adjusting the curvature of the display section 8302 .
  • a sensor for example, a camera, a contact sensor, or a non-contact sensor
  • the display unit It may have a mechanism for adjusting the curvature of 8302 .
  • the lens 8305 when used, it is preferable to provide a mechanism for adjusting the position and angle of the lens 8305 in synchronization with the curvature of the display section 8302 .
  • the dial 8306 may have the function of adjusting the angle of the lens.
  • FIGS. 21E and 21F show examples in which a driving section 8308 for controlling the curvature of the display section 8302 is provided.
  • the drive unit 8308 is fixed to at least part of the display unit 8302 .
  • the drive unit 8308 has a function of deforming the display unit 8302 by deforming or moving a portion fixed to the display unit 8302 .
  • FIG. 21E is a schematic diagram of a case where a user 8310 with a relatively large head is wearing the housing 8301.
  • FIG. 21E the shape of the display portion 8302 is adjusted by the driving portion 8308 so that the curvature is relatively small (the radius of curvature is large).
  • FIG. 21F shows a case where a user 8311 whose head size is smaller than that of the user 8310 wears the housing 8301.
  • the distance between the eyes of the user 8311 is narrower than that of the user 8310 .
  • the shape of the display portion 8302 is adjusted by the driving portion 8308 so that the curvature of the display portion 8302 becomes large (the curvature radius becomes small).
  • the position and shape of the display portion 8302 in FIG. 21E are indicated by dashed lines.
  • the electronic device 8300 has a mechanism for adjusting the curvature of the display unit 8302, thereby providing optimal display to various users of all ages.
  • the electronic device 8300 may have two display units 8302 as shown in FIG. 21D.
  • the user can see one display unit with one eye.
  • the display portion 8302 is curved in an arc with the eye of the user as the approximate center.
  • the distance from the user's eyes to the display surface of the display unit is constant, so that the user can see more natural images.
  • the brightness and chromaticity of the light from the display unit change depending on the viewing angle, since the user's eyes are positioned in the normal direction of the display surface of the display unit, Since the influence can be ignored, a more realistic image can be displayed.
  • FIGS. 22A to 22C are diagrams showing the appearance of an electronic device 8300 different from the electronic device 8300 shown in FIGS. 21A to 21D. Specifically, for example, FIGS. 22A to 22C differ from FIGS. 21A to 21D in that they have a fixture 8304a attached to the head and a pair of lenses 8305.
  • FIG. 22A to 22C differ from FIGS. 21A to 21D in that they have a fixture 8304a attached to the head and a pair of lenses 8305.
  • the user can visually recognize the display on the display unit 8302 through the lens 8305 .
  • the display portion 8302 it is preferable to arrange the display portion 8302 in a curved manner because the user can feel a high presence.
  • three-dimensional display or the like using parallax can be performed.
  • the configuration is not limited to the configuration in which one display portion 8302 is provided, and two display portions 8302 may be provided and one display portion may be arranged for one eye of the user.
  • the display unit 8302 for example, it is preferable to use a display device with extremely high definition. By using a high-definition display device for the display portion 8302, even if the image is enlarged using the lens 8305 as shown in FIG. be able to.
  • the head-mounted display which is an electronic device of one embodiment of the present invention, may have the structure of electronic device 8200, which is a glass-type head-mounted display illustrated in FIG. 22D.
  • the electronic device 8200 has a mounting section 8201, a lens 8202, a main body 8203, a display section 8204, and a cable 8205.
  • a battery 8206 is built in the mounting portion 8201 .
  • a cable 8205 supplies power from a battery 8206 to the main body 8203 .
  • a main body 8203 includes a wireless receiver or the like, and can display received video information on a display portion 8204 .
  • the main body 8203 is equipped with a camera, and information on the movement of the user's eyeballs or eyelids can be used as input means.
  • the mounting section 8201 may be provided with a plurality of electrodes capable of detecting a current flowing along with the movement of the user's eyeballs at a position where it touches the user, and may have a function of recognizing the line of sight. Moreover, it may have a function of monitoring the user's pulse based on the current flowing through the electrode.
  • the mounting unit 8201 may have various sensors such as a temperature sensor, a pressure sensor, or an acceleration sensor.
  • a function of changing an image displayed on the display portion 8204 may be provided.
  • 23A to 23C are diagrams showing the appearance of an electronic device 8750 different from the electronic device 8300 shown in FIGS. 21A to 21D and FIGS. 22A to 22C and the electronic device 8200 shown in FIG. 22D.
  • FIG. 23A is a perspective view showing the front, top, and left side of the electronic device 8750
  • FIGS. 23B and 23C are perspective views showing the rear, bottom, and right side of the electronic device 8750.
  • FIG. 23A is a perspective view showing the front, top, and left side of the electronic device 8750
  • FIGS. 23B and 23C are perspective views showing the rear, bottom, and right side of the electronic device 8750.
  • the electronic device 8750 has a pair of display devices 8751, a housing 8752, a pair of mounting portions 8754, a buffer member 8755, a pair of lenses 8756, and the like.
  • a pair of display devices 8751 are provided inside a housing 8752 at positions where they can be viewed through a lens 8756 .
  • one of the pair of display devices 8751 corresponds to the display device DSP and the like described in the first embodiment.
  • the electronic device 8750 shown in FIGS. 23A to 23C is an electronic component having the processing unit described in the previous embodiment (for example, a circuit included in the control circuit PRPH shown in FIG. 5).
  • the electronic device 8750 shown in FIGS. 23A to 23C has a camera. The camera can image the user's eyes and the vicinity thereof.
  • the electronic device 8750 shown in FIGS. 23A to 23C includes a motion detection unit, audio, control unit, communication unit, and battery inside the housing 8752 .
  • the electronic device 8750 is an electronic device for VR.
  • a user wearing the electronic device 8750 can see an image displayed on the display device 8751 through the lens 8756 .
  • An input terminal 8757 and an output terminal 8758 are provided on the rear side of the housing 8752 .
  • the input terminal 8757 can be connected to a video signal from a video output device or the like, or a cable for supplying electric power or the like for charging a battery provided in the housing 8752 .
  • the output terminal 8758 functions as an audio output terminal, for example, and can be connected to an earphone or a headphone.
  • the housing 8752 preferably has a mechanism capable of adjusting the left and right positions of the lens 8756 and the display device 8751 so that they are optimally positioned according to the position of the user's eyes. .
  • the electronic device 8750 can estimate the state of the user of the electronic device 8750 and display information about the estimated state of the user on the display device 8751. can. Alternatively, information about the state of the user of the electronic device connected to the electronic device 8750 through a network can be displayed on the display device 8751 .
  • the cushioning member 8755 is the part that contacts the user's face (eg, forehead or cheek). Since the buffer member 8755 is in close contact with the user's face, it is possible to prevent light leakage and enhance the sense of immersion.
  • a soft material is preferably used for the cushioning member 8755 so that the cushioning member 8755 is brought into close contact with the user's face when the electronic device 8750 is worn by the user.
  • materials such as rubber, silicone rubber, urethane, and sponge can be used. If a sponge or the like whose surface is covered with cloth or leather (for example, natural leather or synthetic leather) is used, it is difficult to create a gap between the user's face and the cushioning member 8755, thereby suitably preventing light leakage.
  • a member that touches the user's skin is preferably detachable for easy cleaning or replacement.
  • the electronic device of this embodiment may further have an earphone 8754A.
  • the earphone 8754A has a communication section (not shown) and has a wireless communication function.
  • the earphone 8754A can output audio data with a wireless communication function.
  • the earphone 8754A may have a vibration mechanism that functions as a bone conduction earphone.
  • the earphone 8754A can be configured to be directly connected or wired to the mounting portion 8754, like the earphone 8754B illustrated in FIG. 23C.
  • the earphone 8754B and the mounting portion 8754 may have magnets. Thereby, the earphone 8754B can be fixed to the mounting portion 8754 by magnetic force, which is preferable because it facilitates storage.
  • the earphone 8754A may have a sensor section.
  • the sensor unit can be used to estimate the state of the user of the electronic device.
  • an electronic device of one embodiment of the present invention includes, in addition to any one of the above configuration examples, one or more selected from an antenna, a battery, a camera, a speaker, a microphone, a touch sensor, and operation buttons.
  • the electronic device of one embodiment of the present invention may include a secondary battery, and it is preferable that the secondary battery can be charged using contactless power transmission.
  • Secondary batteries include, for example, lithium ion secondary batteries (e.g., lithium polymer batteries using a gel electrolyte (lithium ion polymer batteries)), nickel-metal hydride batteries, nickel-cadmium batteries, organic radical batteries, lead-acid batteries, and air secondary batteries. , nickel-zinc batteries, or silver-zinc batteries.
  • lithium ion secondary batteries e.g., lithium polymer batteries using a gel electrolyte (lithium ion polymer batteries)
  • nickel-metal hydride batteries nickel-cadmium batteries, organic radical batteries, lead-acid batteries, and air secondary batteries.
  • nickel-zinc batteries nickel-zinc batteries, or silver-zinc batteries.
  • the electronic device of one embodiment of the present invention may have an antenna.
  • An image, information, or the like can be displayed on the display portion by receiving a signal with the antenna.
  • the antenna may be used for contactless power transmission.
  • the display unit of the electronic device of one embodiment of the present invention can display video with a screen resolution of, for example, full high definition, 4K2K, 8K4K, 16K8K, or higher.
  • the electronic devices exemplified below include the display device of one embodiment of the present invention in a display portion. Therefore, it is an electronic device that achieves high screen resolution.
  • a 12-inch or larger display may be used. Therefore, the display device described in Embodiment 1 is preferably applied to the above electronic devices.
  • the electronic device described above can be an electronic device that achieves both high screen resolution and a large screen.
  • the electronic device described above can be an electronic device having a high screen resolution.
  • One embodiment of the present invention includes a display device and at least one selected from an antenna, a battery, a housing, a camera, a speaker, a microphone, a touch sensor, and operation buttons.
  • An electronic device of one embodiment of the present invention may include the secondary battery described in Embodiment 5. Moreover, it is preferable that the secondary battery can be charged using contactless power transmission.
  • the secondary battery for example, the secondary battery described in Embodiment 5 can be applied.
  • An electronic device of one embodiment of the present invention may include the antenna described in Embodiment 5.
  • the display unit of the electronic device of one embodiment of the present invention can display video with a screen resolution of, for example, full high definition, 4K2K, 8K4K, 16K8K, or higher.
  • Examples of electronic devices include electronic devices with relatively large screens, such as televisions, laptop personal computers, monitor devices, digital signage, pachinko machines, and game machines.
  • Electronic devices with relatively small screens include, for example, digital cameras, digital video cameras, digital photo frames, mobile phones, portable game machines, personal digital assistants, and sound reproduction devices.
  • An electronic device to which one aspect of the present invention is applied may be a surface (e.g., flat or curved surface) of an inner wall or an outer wall of a building (e.g., a residence, a commercial facility, and an industrial facility), or a mobile object (e.g., an automobile, a train, etc.). , ships, and air vehicles) along interior or exterior surfaces (eg, flat or curved).
  • a surface e.g., flat or curved surface
  • an inner wall or an outer wall of a building e.g., a residence, a commercial facility, and an industrial facility
  • a mobile object e.g., an automobile, a train, etc.
  • ships, and air vehicles along interior or exterior surfaces (eg, flat or curved).
  • An information terminal 5500 shown in FIG. 24A is a mobile phone (smartphone), which is a type of information terminal.
  • the information terminal 5500 includes a housing 5510 and a display portion 5511.
  • the display portion 5511 is provided with a touch panel, and the housing 5510 is provided with buttons.
  • FIG. 24B is a diagram showing the appearance of an information terminal 5900 that is an example of a wearable terminal.
  • An information terminal 5900 has a housing 5901 , a display portion 5902 , operation buttons 5903 , a crown 5904 and a band 5905 .
  • FIG. 24C a notebook information terminal 5300 is illustrated.
  • a notebook information terminal 5300 shown in FIG. 24C includes, as an example, a display unit 5331 in a housing 5330a and a keyboard unit 5350 in a housing 5330b.
  • a smart phone, a wearable terminal, or a notebook information terminal is used as an example of an electronic device and illustrated in FIGS. 24A to 24C. be able to.
  • Examples of information terminals other than smart phones, wearable terminals, and notebook information terminals include PDAs (Personal Digital Assistants), desktop information terminals, and workstations.
  • FIG. 24D is a diagram showing the appearance of camera 8000 with finder 8100 attached.
  • a camera 8000 has a housing 8001 , a display unit 8002 , operation buttons 8003 and a shutter button 8004 .
  • a detachable lens 8006 is attached to the camera 8000 .
  • the camera 8000 may be integrated with the lens 8006 and the housing.
  • the camera 8000 can capture an image by pressing the shutter button 8004 or by touching the display unit 8002 that functions as a touch panel.
  • the housing 8001 has a mount with electrodes, and can be connected to the viewfinder 8100 as well as a strobe device or the like.
  • the viewfinder 8100 has a housing 8101, a display section 8102, and buttons 8103.
  • the housing 8101 is attached to the camera 8000 by engaging with the camera 8000 mount.
  • the viewfinder 8100 can display an image received from the camera 8000 on the display portion 8102 .
  • the button 8103 has a function as a power button.
  • the display device of one embodiment of the present invention can be applied to the display portion 8002 of the camera 8000 and the display portion 8102 of the viewfinder 8100 .
  • the camera 8000 having a built-in finder may also be used.
  • FIG. 24E is a diagram showing the appearance of a portable game machine 5200, which is an example of a game machine.
  • a portable game machine 5200 includes a housing 5201 , a display portion 5202 , and buttons 5203 .
  • the image of the portable game machine 5200 can be output by a display device such as a television device, a personal computer display, a game display, and a head-mounted display.
  • a display device such as a television device, a personal computer display, a game display, and a head-mounted display.
  • the portable game machine 5200 with low power consumption can be realized.
  • the low power consumption can reduce the heat generated from the circuit, so that the influence of the heat on the circuit itself, the peripheral circuits, and the module can be reduced.
  • FIG. 24E illustrates a portable game machine as an example of the game machine
  • the electronic device of one embodiment of the present invention is not limited to this.
  • Examples of electronic devices of one embodiment of the present invention include stationary game machines, arcade game machines installed in amusement facilities (for example, game centers and amusement parks), and batting practice pitchers installed in sports facilities. machines are mentioned.
  • FIG. 24F is a perspective view showing a television device.
  • the television apparatus 9000 includes a housing 9002, a display unit 9001, a speaker 9003, operation keys 9005 (including a power switch or an operation switch), connection terminals 9006, and sensors 9007 (force, displacement, position, velocity, acceleration, angular velocity, etc.). , rpm, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemicals, sound, time, hardness, electric field, current, voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, odor or infrared. things).
  • a storage device of one embodiment of the present invention can be provided in a television device.
  • a television device may incorporate a display 9001 of, for example, 50 inches or more, or 100 inches or more.
  • the television device 9000 with low power consumption can be realized.
  • the low power consumption can reduce the heat generated from the circuit, so that the influence of the heat on the circuit itself, the peripheral circuits, and the module can be reduced.
  • the display device of one embodiment of the present invention can also be applied around the driver's seat of an automobile, which is a moving object.
  • FIG. 24G is a diagram showing the vicinity of the windshield in the interior of the automobile.
  • FIG. 24G illustrates display panel 5701, display panel 5702, and display panel 5703 attached to the dashboard, as well as display panel 5704 attached to the pillar.
  • the display panels 5701 to 5703 can provide various information by displaying, for example, navigation information, speedometer, tachometer, mileage, fuel gauge, gear status, and air conditioning settings.
  • the display items and layout displayed on the display panel can be appropriately changed according to the user's preference, and the design can be improved.
  • the display panels 5701 to 5703 can also be used as lighting devices.
  • the display panel 5704 can complement the field of view (blind spot) blocked by the pillars by displaying an image from the imaging means provided on the vehicle body. That is, by displaying an image from an imaging means provided outside the automobile, blind spots can be compensated for and safety can be enhanced. In addition, by projecting an image that supplements the invisible part, safety confirmation can be performed more naturally and without discomfort.
  • the display panel 5704 can also be used as a lighting device.
  • the display device of one embodiment of the present invention can be applied to the display panels 5701 to 5704, for example.
  • moving objects can also include trains, monorails, ships, and flying objects (e.g., helicopters, unmanned aerial vehicles (drones), airplanes, and rockets), and the display device of one embodiment of the present invention can be applied to these moving objects. can be applied.
  • flying objects e.g., helicopters, unmanned aerial vehicles (drones), airplanes, and rockets
  • the display device of one embodiment of the present invention can be applied to these moving objects. can be applied.
  • FIG. 24H shows an example of an electronic sign (digital signage) that can be attached to a wall.
  • FIG. 24H shows the electronic signboard 6200 attached to the wall 6201 .
  • the display device of one embodiment of the present invention can be applied to the display portion of the electronic signboard 6200, for example. Further, the electronic signboard 6200 may be provided with an interface such as a touch panel.
  • an example of an electronic device that can be attached to a wall is shown as an example of an electronic signboard, but the type of electronic signboard is not limited to this.
  • electronic signboards include a type that is attached to a pillar, a stand type that is placed on the ground, and a type that is installed on the roof or side wall of a building such as a building.
  • DSP display device
  • PXAL pixel layer
  • EML layer
  • OSL layer
  • SICL circuit layer
  • BS substrate
  • DRV drive circuit area
  • LIA area
  • DIS display part
  • ARA[2,2] display area
  • ARA[m-1, 2] display area
  • ARA[m, 2] display area
  • ARA[m, 2] display area
  • ARA[1, n-1] display area
  • ARA[2, n-1] display area

Abstract

精細度が高く、かつ対角サイズが大きい表示装置を提供する。 第１層と、前記第１層の上方に位置する第２層と、を有する表示装置である。第１層は、基板と、複数の回路領域を有し、第２層は、複数の表示領域を有する。また、基板は、ガラス基板である。複数の回路領域のそれぞれは、駆動回路を有し、駆動回路は、チャネル形成領域に低温ポリシリコンを含むトランジスタを有する。複数の表示領域のそれぞれは、表示画素を有し、表示画素は、発光デバイスと、チャネル形成領域に金属酸化物を含むトランジスタと、を有する。複数の回路領域の一に含まれる駆動回路は、複数の表示領域の一に含まれる表示画素を駆動させる機能を有する。

Description

表示装置、及び電子機器
　本発明の一態様は、表示装置、及び電子機器に関する。
　なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、駆動方法、又は、製造方法に関するものである。又は、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、信号処理装置、プロセッサ、電子機器、システム、それらの駆動方法、それらの製造方法、又はそれらの検査方法を一例として挙げることができる。
　近年、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）等のＸＲ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ、又はＣｒｏｓｓ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの電子機器、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット型情報端末、及びノート型ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｐｔｕｔｅｒ）等が有する表示装置において、様々な面で改良が進められている。例えば、画素密度が大きい表示装置、色再現性（ＮＴＳＣ比）が高い表示装置、駆動回路が小さい表示装置、及び消費電力が低減された表示装置の開発が進められている。
　表示装置の表示部の面積を大きくするには、例えば、表示部の周辺の額縁領域を小さくすることが挙げられる。表示装置の表示部の額縁領域には、駆動回路などが設けられている場合があるため、当該駆動回路を当該額縁領域でなく別の領域に設けることで、額縁領域を小さくする、又は無くすことができる。例えば、額縁領域を小さくする構成として、特許文献１には、表示装置の表示部を分割し、複数の表示部の一と、その表示部に対応する駆動回路と、を重ねる構成が開示されている。
国際公開第２０２１／１９１７２１号
　上記のとおり、表示部が分割された表示装置において、１つの表示領域に対応する駆動回路は、平面視において、当該表示領域に重なるように配置される場合がある。この場合、表示装置は、例えば、半導体基板上に当該駆動回路を設け、当該駆動回路の上方に表示画素を設けることによって、作製することができる。
　ところで、このような表示装置の対角サイズは、半導体基板のサイズによって制限される。半導体基板としてシリコンを材料とするウェハ（以後、シリコンウェハと呼称する）を用いる場合、一例として、対角サイズが２０インチを超える表示装置を作製するには、直径が２０インチを超えるシリコンウェハが必要となる。現在の半導体製造ラインで使われているシリコンウェハの直径は、概ね３００ｍｍ（概ね１２インチ）までのサイズであるため、直径が３００ｍｍを超えるシリコンウェハを準備することは困難であるといえる。
　本発明の一態様は、精細度が高く、かつ対角サイズが大きい表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、上記の表示装置を有する電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、新規な表示装置、又は新規な電子機器を提供することを課題の一とする。
　なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題の全てを解決する必要はない。
（１）
　本発明の一態様は、第１層と、第１層の上方に位置する第２層と、を有する表示装置である。第１層は、基板と、複数の回路領域を有し、第２層は、複数の表示領域を有する。また、複数の回路領域のそれぞれは、駆動回路を有し、駆動回路は、チャネル形成領域に低温ポリシリコンを含むトランジスタを有する。複数の表示領域のそれぞれは、表示画素を有し、表示画素は、チャネル形成領域に金属酸化物を含むトランジスタと、発光デバイスと、を有する。複数の回路領域の一に含まれる駆動回路は、複数の表示領域の一に含まれる表示画素を駆動させる機能を有する。これにより、表示装置は、複数の表示領域のうちの少なくとも二に、互いに異なるフレーム周波数で画像を表示させることができる。
（２）
　又は、本発明の一態様は、上記（１）において、複数の回路領域の一と、複数の表示領域の一と、は、上面視において、互いに重なる領域に位置する構成としてもよい。
（３）
　又は、本発明の一態様は、上記（１）又は上記（２）において、第１層と、第２層と、の間に基板に対して垂直な方向に配線が延設されていてもよい。特に、配線は、表示画素と、駆動回路と、に電気的に接続されていることが好ましい。
（４）
　又は、本発明の一態様は、上記（１）乃至（３）のいずれか一において、前記基板がガラス基板である構成としてもよい。
（５）
　又は、本発明の一態様は、上記（１）乃至（４）のいずれか一の表示装置と、筐体と、を有する、電子機器である。
　本発明の一態様によって、精細度が高く、かつ対角サイズが大きい表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、上記の表示装置を有する電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、新規な表示装置、又は新規な電子機器を提供することができる。
　なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。
図１Ａ、及び図１Ｂは、表示装置の構成例を示した断面模式図である。
図２Ａは、表示装置の表示部の一例を示した平面模式図であり、図２Ｂは、表示装置の駆動回路領域の一例を示した平面模式図である。
図３は、表示装置の構成例を示したブロック図である。
図４Ａ、及び図４Ｂは、表示装置の構成例を示した上面模式図である。
図５は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
図６は、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
図７Ａ、及び図７Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。図７Ｃ乃至図７Ｅは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８は、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
図９は、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
図１０は、表示装置の構成例を示す断面模式図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図１３Ａは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示す回路図であり、図１３Ｂは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示す斜視模式図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｄは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示す回路図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｄは、表示装置に含まれる画素回路の構成例を示す回路図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｇは、画素の一例を示す平面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｆは、画素の一例を示す平面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｈは、画素の一例を示す平面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｄは、画素の一例を示す平面図である。
図２０Ａ、及び図２０Ｂは、表示モジュールの構成例を示す図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｆは、電子機器の構成例を示す図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｄは、電子機器の構成例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｃは、電子機器の構成例を示す図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｈは、電子機器の構成例を示す図である。
　本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用した装置であり、半導体素子（例えば、トランジスタ、ダイオード、及びフォトダイオード）を含む回路、同回路を有する装置等をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップ、及びパッケージにチップを収納した電子部品のそれぞれは半導体装置の一例である。また、例えば、記憶装置、表示装置、発光装置、照明装置、及び電子機器は、それ自体が半導体装置である場合があり、半導体装置を有している場合がある。
　また、本明細書等において、ＸとＹとが接続されていると記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも、図又は文章に開示されているものとする。Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層など）であるとする。
　ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示デバイス、発光デバイス、及び負荷）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。
　ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（例えば、インバータ、ＮＡＮＤ回路、及びＮＯＲ回路）、信号変換回路（例えば、デジタルアナログ変換回路、アナログデジタル変換回路、及びガンマ補正回路）、電位レベル変換回路（例えば、昇圧回路、又は降圧回路といった電源回路、及び信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（例えば、信号振幅又は電流量などを大きくできる回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、及びバッファ回路）、信号生成回路、記憶回路、及び制御回路）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
　なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と、を含むものとする。
　また、本明細書では、配線（定電位を供給する配線、又は信号を送信する配線）に複数の素子が電気的に接続されている回路構成を扱っている。例えば、Ｘと配線とが直接接続され、かつＹと当該配線とが直接接続されている場合、本明細書では、ＸとＹとが直接電気的に接続されていると記載することがある。
　また、例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（第１端子、又は第２端子の一方に言い換える場合がある）とドレイン（第１端子、又は第２端子の他方に言い換える場合がある）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。又は、「トランジスタのソースは、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレインはＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。又は、「Ｘは、トランジスタのソースとドレインとを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソースと、ドレインとを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、又は層）であるとする。
　なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
　また、本明細書等において、「抵抗素子」とは、例えば、０Ωよりも高い抵抗値を有する回路素子、０Ωよりも高い抵抗値を有する配線などとすることができる。そのため、本明細書等において、「抵抗素子」は、抵抗値を有する配線、ソース−ドレイン間に電流が流れるトランジスタ、ダイオード、又はコイルを含むものとする。そのため、「抵抗素子」という用語は、「抵抗」、「負荷」、又は「抵抗値を有する領域」といった用語に言い換えることができる場合がある。逆に「抵抗」、「負荷」、又は「抵抗値を有する領域」といった用語は、「抵抗素子」という用語に言い換えることができる場合がある。抵抗値としては、例えば、好ましくは１ｍΩ以上１０Ω以下、より好ましくは５ｍΩ以上５Ω以下、更に好ましくは１０ｍΩ以上１Ω以下とすることができる。また、例えば、１Ω以上１×１０９Ω以下としてもよい。
　また、本明細書等において、「容量素子」とは、例えば、０Ｆよりも高い静電容量の値を有する回路素子、０Ｆよりも高い静電容量の値を有する配線の領域、寄生容量、トランジスタのゲート容量などとすることができる。また、「容量素子」、「寄生容量」、又は「ゲート容量」といった用語は、「容量」という用語に言い換えることができる場合がある。逆に、「容量」という用語は、「容量素子」、「寄生容量」、又は「ゲート容量」といった用語に言い換えることができる場合がある。また、「容量」（３端子以上の「容量」を含む）は、絶縁体と、当該絶縁体を挟んだ一対の導電体と、を含む構成となっている。そのため、「容量」の「一対の導電体」という用語は、「一対の電極」、「一対の導電領域」、「一対の領域」、又は「一対の端子」に言い換えることができる。また、「一対の端子の一方」、又は「一対の端子の他方」という用語は、それぞれ第１端子、又は第２端子などと呼称する場合がある。なお、静電容量の値としては、例えば、０．０５ｆＦ以上１０ｐＦ以下とすることができる。また、例えば、１ｐＦ以上１０μＦ以下としてもよい。
　また、本明細書等において、トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインと呼ばれる３つの端子を有する。ゲートは、トランジスタの導通状態を制御する制御端子である。ソース又はドレインとして機能する２つの端子は、トランジスタの入出力端子である。２つの入出力端子は、トランジスタの導電型（ｎチャネル型、又はｐチャネル型）及びトランジスタの３つの端子に与えられる電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書等においては、ソース、又はドレインといった用語は、互いに言い換えることができる場合がある。また、本明細書等では、トランジスタの接続関係を説明する際、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）、「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）という表記を用いる。なお、トランジスタの構造によっては、上述した３つの端子に加えて、バックゲートを有する場合がある。この場合、本明細書等において、トランジスタのゲート又はバックゲートの一方を第１ゲートと呼称し、トランジスタのゲート又はバックゲートの他方を第２ゲートと呼称することがある。更に、同じトランジスタにおいて、「ゲート」と「バックゲート」の用語は互いに入れ換えることができる場合がある。また、トランジスタが、３以上のゲートを有する場合は、本明細書等においては、それぞれのゲートを第１ゲート、第２ゲート、第３ゲートなどと呼称することがある。
　例えば、本明細書等において、トランジスタの一例としては、ゲート電極が２個以上のマルチゲート構造のトランジスタを用いることができる。マルチゲート構造にすると、チャネル形成領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構造となる。よって、マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上（信頼性の向上）を図ることができる。または、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時に、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレインとソースとの間の電流があまり変化せず、傾きがフラットである電圧・電流特性を得ることができる。傾きがフラットである電圧・電流特性を利用すると、理想的な電流源回路、又は非常に高い抵抗値をもつ能動負荷を実現することができる。その結果、特性のよい差動回路又はカレントミラー回路などを実現することができる。
　また、本明細書等において、「発光デバイス」及び「受光デバイス」といった回路素子は、「アノード」及び「カソード」と呼ばれる極性を有する場合がある。「発光デバイス」の場合、順バイアスをかける（「カソード」に対する正電位を「アノード」に印加する）ことにより、「発光デバイス」を発光させることができる場合がある。また、「受光デバイス」の場合、ゼロバイアス又は逆バイアスをかけて（「カソード」に対する負電位を「アノード」に印加して）、かつ光を「受光デバイス」に照射することにより、「アノード」−「カソード」間に電流が発生することがある。上述したとおり、「アノード」及び「カソード」は、「発光デバイス」、「受光デバイス」などの回路素子における入出力端子として扱われることがある。本明細書等では、「発光デバイス」、「受光デバイス」などの回路素子における、「アノード」及び「カソード」のそれぞれを端子（第１端子、第２端子など）と呼称する場合がある。例えば、「アノード」又は「カソード」の一方を第１端子と呼称し、「アノード」又は「カソード」の他方を第２端子と呼称する場合がある。
　また、回路図上では、単一の回路素子が図示されている場合でも、当該回路素子が複数の回路素子を有する場合がある。例えば、回路図上に１個の抵抗が記載されている場合は、２個以上の抵抗が直列に電気的に接続されている場合を含むものとする。また、例えば、回路図上に１個の容量が記載されている場合は、２個以上の容量が並列に電気的に接続されている場合を含むものとする。また、例えば、回路図上に１個のトランジスタが記載されている場合は、２個以上のトランジスタが直列に電気的に接続され、かつそれぞれのトランジスタのゲート同士が電気的に接続されている場合を含むものとする。また、同様に、例えば、回路図上に１個のスイッチが記載されている場合は、当該スイッチが２個以上のトランジスタを有し、２個以上のトランジスタが直列又は並列に電気的に接続され、それぞれのトランジスタのゲート同士が電気的に接続されている場合を含むものとする。
　また、本明細書等において、ノードは、回路構成及びデバイス構造に応じて、端子、配線、電極、導電層、導電体、又は不純物領域と言い換えることが可能である。また、端子又は配線をノードと言い換えることが可能である。
　また、本明細書等において、「電圧」と「電位」は、適宜言い換えることができる。「電圧」は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地電位）とすると、「電圧」を「電位」に言い換えることができる。なお、グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。また、電位は相対的なものであり、基準となる電位が変わることによって、配線に与えられる電位、回路などに印加される電位、回路などから出力される電位なども変化する。
　また、本明細書等において、「高レベル電位」及び「低レベル電位」という用語は、特定の電位を意味するものではない。例えば、２本の配線において、両方とも「高レベル電位を供給する配線として機能する」と記載されていた場合、両方の配線が与えるそれぞれの高レベル電位は、互いに等しくなくてもよい。また、同様に、２本の配線において、両方とも「低レベル電位を供給する配線として機能する」と記載されていた場合、両方の配線が与えるそれぞれの低レベル電位は、互いに等しくなくてもよい。
　また、「電流」とは、電荷の移動現象（電気伝導）のことであり、例えば、「正の荷電体の電気伝導が起きている」という記載は、「その逆向きに負の荷電体の電気伝導が起きている」と換言することができる。そのため、本明細書等において、「電流」とは、特に断らない限り、キャリアの移動に伴う電荷の移動現象（電気伝導）をいうものとする。ここでいうキャリアとしては、例えば、電子、正孔、アニオン、カチオン、又は錯イオンが挙げられ、電流の流れる系（例えば、半導体、金属、電解液、又は真空中）によってキャリアが異なる。また、配線等における「電流の向き」は、正電荷となるキャリアが移動する方向とし、正の電流量で記載する。換言すると、負電荷となるキャリアが移動する方向は、電流の向きと逆の方向となり、負の電流量で表現される。そのため、本明細書等において、電流の正負（又は電流の向き）について断りがない場合、「素子Ａから素子Ｂに電流が流れる」という記載は「素子Ｂから素子Ａに電流が流れる」という記載に言い換えることができるものとする。また、「素子Ａに電流が入力される」という記載は「素子Ａから電流が出力される」という記載に言い換えることができるものとする。
　また、本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
　また、本明細書等において、「上に」及び「下に」といった配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている場合がある。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書等で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。例えば、「導電体の上面に位置する絶縁体」の表現は、示している図面の向きを１８０度回転することによって、「導電体の下面に位置する絶縁体」と言い換えることができる。
　また、「上」及び「下」といった用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。また、同様に、例えば、「絶縁層Ａの上方の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。また、同様に、例えば、「絶縁層Ａの下方の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの下に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
　また、本明細書等において、マトリクス状に配置された構成要素、及びその位置関係を説明するために、「行」及び「列」といった語句を使用する場合がある。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書等で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。例えば、「行方向」という表現は、示している図面の向きを９０度回転することによって、「列方向」と言い換えることができる場合がある。
　また、本明細書等において、「膜」及び「層」といった語句は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、場合によっては、又は、状況に応じて、「膜」及び「層」といった語句を使わずに、別の用語に入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」又は「導電膜」という用語を、「導電体」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁層」、「絶縁膜」という用語を、「絶縁体」という用語に変更することが可能な場合がある。
　また、本明細書等において「電極」、「配線」、及び「端子」といった用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」、又は「配線」といった用語は、複数の「電極」、又は「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。また、例えば、「端子」は「配線」、又は「電極」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。更に、「端子」の用語は、複数の「電極」、「配線」、又は「端子」が一体となって形成されている場合なども含む。そのため、例えば、「電極」は「配線」又は「端子」の一部とすることができ、また、例えば、「端子」は「配線」又は「電極」の一部とすることができる。また、「電極」、「配線」、又は「端子」といった用語は、場合によって、「領域」という用語に置き換える場合がある。
　また、本明細書等において、「配線」、「信号線」、及び「電源線」といった用語は、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「配線」という用語を、「信号線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、例えば、「配線」という用語を、「電源線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号線」、又は「電源線」といった用語を、「配線」という用語に変更することが可能な場合がある。「電源線」という用語は、「信号線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で「信号線」という用語は、「電源線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、配線に印加されている「電位」という用語を、場合によっては、又は、状況に応じて、「信号」という用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号」という用語は、「電位」という用語に変更することが可能な場合がある。
　本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ又は単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタのチャネル形成領域に金属酸化物が含まれている場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有するトランジスタのチャネル形成領域を構成し得る場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼称することができる。また、ＯＳトランジスタと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
　また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
　また、本明細書等において、半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体の欠陥準位密度が高くなること、キャリア移動度が低下すること、結晶性が低下すること、のうちの一以上が起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素と、第２族元素と、第１３族元素と、第１４族元素と、第１５族元素と、主成分以外の遷移金属と、があり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素（但し、酸素、水素は含まない）がある。
　本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。そのため、スイッチは、制御端子とは別に、電流を流す端子を２つ、又は３つ以上有する場合がある。一例としては、電気的なスイッチ、機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
　電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、及びダイオード接続のトランジスタ）、又はこれらを組み合わせた論理回路などがある。なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、例えば、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態、ソース電極とドレイン電極との間に電流を流すことができる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
　機械的なスイッチの一例としては、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システムズ）技術を用いたスイッチがある。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことによって、導通と非導通とを制御して動作する。
　また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）で作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
　なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（例えば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置とすることができる。
　また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。２つの発光層を用いて白色発光を得る場合、２つの発光層の各々の発光色が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、３つ以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３つ以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光することができる構成とすればよい。
　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２つ以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１つ以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。
　また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。
　本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」又は「概略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」又は「概略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
　また、本明細書等において、各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
　なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）との少なくとも一つの内容に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことができる。
　なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
　なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）との少なくとも一つの図に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることができる。
　本明細書に記載の実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、斜視図などにおいて、図面の明確性を期すために、一部の構成要素の記載を省略している場合がある。
　また、本明細書の図面において、各実施の形態に係る構成を説明するため、平面図を用いる場合がある。平面図とは、一例として、構成を水平面に対して垂直な方向から視た面を示す図、又は構成を水平方向に切断した面（切り口）を示す図である（いずれの面を視た方向を平面視と呼ぶ場合がある）。また、平面図にかくれ線（例えば破線）が記載されていることで、構成に含まれている複数の要素の位置関係、又は当該複数の要素の重なりの関係を示すことができる。なお、本明細書等において、「平面図」という用語は、「投影図」、「上面図」、又は「下面図」という用語に置き換えることができるものとする。また、状況によっては、構成を水平方向に切断した面（切り口）でなく、水平方向とは異なる方向に切断した面（切り口）を平面図と呼ぶ場合がある。
　また、本明細書の図面において、各実施の形態に係る構成を説明するため、断面図を用いる場合がある。断面図とは、一例として、構成を水平面に対して垂直な方向から視た面を示す図、又は構成を水平面に対して垂直な方向に切断した面（切り口）を示す図である（いずれの面を視た方向を断面視と呼ぶ場合がある）。なお、本明細書等において、「断面図」という用語は、「正面図」、又は「側面図」という用語に置き換えることができるものとする。また、状況によっては、構成を垂直方向に切断した面（切り口）でなく、垂直方向とは異なる方向に切断した面（切り口）を断面図と呼ぶ場合がある。
　本明細書等において、複数の要素に同じ符号を用いる場合、特に、それらを区別する必要があるときには、符号に“＿１”、“［ｎ］”、“［ｍ，ｎ］”等の識別用の符号を付記して記載する場合がある。また、図面等において、符号に“＿１”、“［ｎ］”、“［ｍ，ｎ］”等の識別用の符号を付記している場合、本明細書等において区別する必要が無いときには、識別用の符号を記載しない場合がある。
　また、本明細書の図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、説明する。
＜表示装置の構成例＞
　図１Ａは、本発明の一態様の表示装置の断面模式図である。図１Ａに示す表示装置ＤＳＰは、一例として、画素層ＰＸＡＬと、回路層ＳＩＣＬと、を有する。
　画素層ＰＸＡＬは、回路層ＳＩＣＬ上に設けられている。なお、画素層ＰＸＡＬは、後述する駆動回路領域ＤＲＶを含む領域に重畳している。
　回路層ＳＩＣＬは、基板ＢＳと、駆動回路領域ＤＲＶと、を有する。
　基板ＢＳには、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、サファイアガラス基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムを用いることができる。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスが挙げられる。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックが挙げられる。または、別の一例としては、アクリル樹脂等の合成樹脂が挙げられる。または、別の一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルが挙げられる。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類が挙げられる。なお、表示装置ＤＳＰの作製工程において熱処理が含まれている場合、基板ＢＳには、熱に対して耐性の高い材料を選択することが好ましい。
　なお、本実施の形態では、基板ＢＳは、ガラス基板など、熱に対して耐性の高い材料を有する基板として説明する。
　駆動回路領域ＤＲＶは、基板ＢＳ上に設けられている。
　駆動回路領域ＤＲＶは、一例として、後述する画素層ＰＸＡＬに含まれる画素を駆動させるための駆動回路を有する。なお、駆動回路領域ＤＲＶの具体的な構成例については、後述する。
　画素層ＰＸＡＬは、一例として、複数の画素を有する。また、複数の画素は、画素層ＰＸＡＬにおいて、マトリクス状に配置されていてもよい。
　また、複数の画素のそれぞれは、一又は複数の色を表現することができる。特に、複数の色としては、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の三色とすることができる。又は、複数の色としては、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）に、更に、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄（Ｙ）、及び白（Ｗ）から選ばれた一以上の色としてもよい。なお、異なる色を表現する画素のそれぞれを副画素と呼び、複数の異なる色の副画素によって白色を表現する場合、その複数の副画素をまとめて画素と呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、便宜上、副画素を画素と呼称して、説明する場合がある。
　図２Ａは、表示装置ＤＳＰの上面図の一例であって、表示部ＤＩＳのみを示している。なお、表示部ＤＩＳは、画素層ＰＸＡＬの上面図とすることができる。
　また、図２Ａの表示装置ＤＳＰにおいて、表示部ＤＩＳは、一例として、ｍ行ｎ列（ｍは１以上の整数であって、ｎは１以上の整数である）の領域に分割されている。このため、表示部ＤＩＳは、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］を有する構成となる。なお、図２Ａでは、一例として、表示領域ＡＲＡ［１，１］、表示領域ＡＲＡ［２，１］、表示領域ＡＲＡ［ｍ−１，１］、表示領域ＡＲＡ［ｍ，１］、表示領域ＡＲＡ［１，２］、表示領域ＡＲＡ［２，２］、表示領域ＡＲＡ［ｍ−１，２］、表示領域ＡＲＡ［ｍ，２］、表示領域ＡＲＡ［１，ｎ−１］、表示領域ＡＲＡ［２，ｎ−１］、表示領域ＡＲＡ［ｍ−１，ｎ−１］、表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ−１］、表示領域ＡＲＡ［１，ｎ］、表示領域ＡＲＡ［２，ｎ］、表示領域ＡＲＡ［ｍ−１，ｎ］、及び表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれを抜粋して示している。
　例えば、表示部ＤＩＳを３２個の領域に分割したい場合、ｍ＝４、ｎ＝８として、図２Ａに適用すればよい。ところで、表示装置ＤＳＰの画面解像度が８Ｋ４Ｋである場合、画素数は７６８０×４３２０ピクセルとなる。また、表示部ＤＩＳの副画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色である場合、全ての副画素の数は、７６８０×４３２０×３個となる。ここで、画面解像度が８Ｋ４Ｋである表示部ＤＩＳの画素アレイを３２個の領域に分割した場合、１個の領域あたりの画素数は、９６０×１０８０ピクセルとなり、また、その表示装置ＤＳＰの副画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色である場合、１個の領域あたりの副画素の数は、９６０×１０８０×３個となる。
　ここで、図２Ａの表示装置ＤＳＰにおいて、表示部ＤＩＳがｍ行ｎ列の領域に分割されている場合における、回路層ＳＩＣＬに含まれている駆動回路領域ＤＲＶについて考える。
　図２Ｂは、表示装置ＤＳＰの平面図の一例であって、回路層ＳＩＣＬに含まれている駆動回路領域ＤＲＶのみを示している。
　図２Ａの表示装置ＤＳＰでは、表示部ＤＩＳがｍ行ｎ列の領域に分割されているため、分割された表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれには、対応した駆動回路が必要となる。具体的には、駆動回路領域ＤＲＶもｍ行ｎ列の領域に分割して、分割された各領域に駆動回路を設ければよい。
　図２Ｂの表示装置ＤＳＰでは、駆動回路領域ＤＲＶをｍ行ｎ列の領域に分割した構成を示している。そのため、駆動回路領域ＤＲＶは、回路領域ＡＲＤ［１，１］乃至回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］を有する。なお、図２Ｂでは、一例として、回路領域ＡＲＤ［１，１］、回路領域ＡＲＤ［２，１］、回路領域ＡＲＤ［ｍ−１，１］、回路領域ＡＲＤ［ｍ，１］、回路領域ＡＲＤ［１，２］、回路領域ＡＲＤ［２，２］、回路領域ＡＲＤ［ｍ−１，２］、回路領域ＡＲＤ［ｍ，２］、回路領域ＡＲＤ［１，ｎ−１］、回路領域ＡＲＤ［２，ｎ−１］、回路領域ＡＲＤ［ｍ−１，ｎ−１］、回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ−１］、回路領域ＡＲＤ［１，ｎ］、回路領域ＡＲＤ［２，ｎ］、回路領域ＡＲＤ［ｍ−１，ｎ］、及び回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］のそれぞれを抜粋して示している。
　回路領域ＡＲＤ［１，１］乃至回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］のそれぞれは、駆動回路ＳＤと、駆動回路ＧＤと、を有する。例えば、ｉ行目ｊ列目（ｉは１以上ｍ以下の整数とし、ｊは１以上ｎ以下の整数とする）に位置する回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］（図２Ｂに図示しない）に含まれている駆動回路ＳＤと、駆動回路ＧＤと、は、表示部ＤＩＳのｉ行目ｊ列目に位置する表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］（図２Ａに図示しない）に含まれている複数の画素を駆動させることができる。
　駆動回路ＳＤは、例えば、対応する回路領域ＡＲＤに含まれている複数の画素に画像信号を送信するソースドライバ回路として機能する。なお、駆動回路ＳＤは、デジタルデータの画像信号をアナログデータに変換するデジタルアナログ変換回路を有してもよい。
　駆動回路ＧＤは、例えば、対応する回路領域ＡＲＤにおいて、画像信号の送信先となる複数の画素を選択するためのゲートドライバ回路として機能する。
　また、図２Ａ、及び図２Ｂより、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］と、は、平面視において、互いに重なる領域に位置している。表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］と、が互いに重なることで、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］と、を電気的に接続する配線を短くすることができるため、当該配線の寄生抵抗を小さくすることができる。また、配線を短くすることで、当該配線に備わる寄生容量を小さくすることができるため、当該配線における時定数を小さくすることができる。当該配線における時定数を小さくすることにより、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］への画像を書き込む時間を短くすることができ、結果としてフレーム周波数を高くすることができる。
　図３は、図２Ａ、及び図２Ｂに示した表示装置ＤＳＰの斜視図である。また、図３には、表示領域ＡＲＡとして、表示領域ＡＲＡ［１，１］、表示領域ＡＲＡ［ｍ，１］、表示領域ＡＲＡ［１，ｎ］、及び表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］を抜粋して示し、回路領域ＡＲＤとして、回路領域ＡＲＤ［１，１］、回路領域ＡＲＤ［ｍ，１］、回路領域ＡＲＤ［１，ｎ］、及び回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］を抜粋して示している。
　図３の表示装置ＤＳＰにおいて、複数の表示領域ＡＲＡのそれぞれは、一例として、複数の画素ＰＸを有している。また、表示領域ＡＲＡにおいて、複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配置されている。
　複数の表示領域ＡＲＡのそれぞれには、複数の配線ＧＬが行方向に延設され、また、複数の配線ＳＬが列方向に延設されている。
　表示領域ＡＲＡにマトリクス状に配置されている複数の画素ＰＸのそれぞれは、対応する行の配線ＧＬに電気的に接続されている。同様に、複数の画素ＰＸのそれぞれは、対応する列の配線ＳＬに電気的に接続されている。
　また、図３の表示装置ＤＳＰにおいて、複数の回路領域ＡＲＤのそれぞれは、図２Ｂに示した表示装置ＤＳＰのとおり、駆動回路ＳＤと、駆動回路ＧＤと、を有する。
　図２Ａ、及び図２Ｂで説明したとおり、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］に含まれる駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤは、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］に含まれる複数の画素を駆動させる機能を有する。このため、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］に含まれる駆動回路ＳＤは、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］に延設されている複数の配線ＳＬに電気的に接続されている。また、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］に含まれる駆動回路ＧＤは、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］に延設されている複数の配線ＧＬに電気的に接続されている。
　また、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］と、を電気的に接続するため、表示部ＤＩＳと、駆動回路領域ＤＲＶと、の間には、複数の配線ＳＬ、及び複数の配線ＧＬが設けられている。
　また、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］と、を重なるように配置することによって、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と、回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］と、を電気的に接続する配線は、例えば、基板ＢＳに対して垂直な方向、又は概略垂直な方向に延設することができる。当該配線を、垂直な方向、又は概略垂直な方向に延設することにより、当該配線の長さを短くすることができるため、上述したとおり、当該配線に係る寄生抵抗を小さくすることができる。また、当該配線に係る寄生容量を小さくすることができる。これにより、当該配線に電流を流すための電圧を低く抑えることができ、消費電力を低減することができる。
　なお、図１Ａ、図２Ａ、図２Ｂ、及び図３に示す表示装置ＤＳＰは、表示部ＤＩＳの表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］とが互いに重畳する構成となっているが、本発明の一態様の表示装置は、これに限定されない。本発明の一態様の表示装置の構成は、必ずしも表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］とが互いに重畳していなくてもよい。
　例えば、図１Ｂに示すとおり、表示装置ＤＳＰは、基板ＢＳ上に駆動回路領域ＤＲＶだけでなく、領域ＬＩＡが設けられている構成としてもよい。
　領域ＬＩＡには、一例として、配線が設けられている。また、このとき、表示装置ＤＳＰは、領域ＬＩＡに含まれる配線によって、駆動回路領域ＤＲＶに含まれる回路と、画素層ＰＸＡＬに含まれる回路と、が電気的に接続されている構成としてもよい。
　図４Ａは、図１Ｂに示す表示装置ＤＳＰの平面図の一例であって、実線で示した駆動回路領域ＤＲＶと、点線で示した表示部ＤＩＳと、を示している。また、図４Ａの表示装置ＤＳＰでは、一例として、駆動回路領域ＤＲＶが領域ＬＩＡによって囲まれている構成を示している（回路層ＳＩＣＬのみを示した表示装置ＤＳＰの平面図の一例を図４Ｂに示す）。このため、図４Ａに示すとおり、駆動回路領域ＤＲＶは、平面視において、表示部ＤＩＳの内側に重畳するように配置されている。
　また、図４Ａに示す表示装置ＤＳＰは、図２Ａと同様に、表示部ＤＩＳが表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］に分割されているものとし、駆動回路領域ＤＲＶも回路領域ＡＲＤ［１，１］乃至回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］に分割されているものとする。
　図４Ａに示すとおり、一例として、表示領域ＡＲＡと、その表示領域ＡＲＡに含まれる画素を駆動させる駆動回路を含む回路領域ＡＲＤと、の対応関係を太い矢印で図示している。具体的には、回路領域ＡＲＤ［１，１］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［１，１］に含まれる画素を駆動させ、回路領域ＡＲＤ［２，１］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［２，１］に含まれる画素を駆動させる。また、回路領域ＡＲＤ［ｍ−１，１］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［ｍ−１，１］に含まれる画素を駆動させ、回路領域ＡＲＤ［ｍ，１］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［ｍ，１］に含まれる画素を駆動させる。また、回路領域ＡＲＤ［１，ｎ］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［１，ｎ］に含まれる画素を駆動させ、回路領域ＡＲＤ［２，ｎ］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［２，ｎ］に含まれる画素を駆動させる。また、回路領域ＡＲＤ［ｍ−１，ｎ］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［ｍ−１，ｎ］に含まれる画素を駆動させ、回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］に含まれる画素を駆動させる。つまり、図４Ａには図示しないが、ｉ行ｊ列に位置する回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］に含まれている駆動回路は、表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］に含まれる画素を駆動させる。
　図１Ｂにおいて、回路層ＳＩＣＬ内の回路領域ＡＲＤに含まれる駆動回路と、画素層ＰＸＡＬ内の表示領域ＡＲＡに含まれる画素と、を配線によって電気的に接続することによって、表示装置ＤＳＰの構成は、必ずしも表示領域ＡＲＡ［ｉ，ｊ］と回路領域ＡＲＤ［ｉ，ｊ］とが互いに重畳しない構成とすることができる。そのため、駆動回路領域ＤＲＶと、表示部ＤＩＳと、の位置関係は、図４Ａに示す表示装置ＤＳＰの平面図に限定されず、駆動回路領域ＤＲＶの配置を自由に決めることができる。
　なお、図２Ｂ及び図４Ａでは、回路領域ＡＲＤ［１，１］乃至回路領域ＡＲＤ［ｍ，ｎ］のそれぞれにおいて、駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤが十字となるように配置されているが、駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤの配置については、本発明の一態様の表示装置の構成に限定されない。例えば、駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤの配置は、図３に示した通り、駆動回路領域ＤＲＶの１つの回路領域ＡＲＤ内において、Ｌ字になっていてもよい。又は、駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤの一方を平面視において上下に配置し、かつ駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤの他方を平面視において左右に配置した構成としてもよい。
　図２Ａ乃至図４Ｂに示すとおり、表示装置ＤＳＰの表示部ＤＩＳを表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］に分割して、それぞれの表示領域ＡＲＡに対応する回路領域ＡＲＤに駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤを設けることによって、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれを独立に駆動することができる。例えば、画像データを多く書き換える表示領域ＡＲＡには、対応する回路領域ＡＲＤに備わる駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤのフレーム周波数を高くして駆動し、また、画像データを頻繁に書き換えない表示領域ＡＲＡには、対応する回路領域ＡＲＤに備わる駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤのフレーム周波数を低くして駆動することができる。例えば、動画など画像データを多く書き換える表示領域ＡＲＡに対応する駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤは、６０Ｈｚ以上、１２０Ｈｚ以上、１６５Ｈｚ以上、又は２４０Ｈｚ以上の高いフレーム周波数で動作すればよい。また、例えば、静止画など画像データを頻繁に書き換えない表示領域ＡＲＡに対応する駆動回路ＳＤ、及び駆動回路ＧＤは、５Ｈｚ以下、１Ｈｚ以下、０．５Ｈｚ以下、又は０．１Ｈｚ以下の低いフレーム周波数で動作すればよい。このように、表示装置ＤＳＰの表示部ＤＩＳを表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］に分割することによって、表示領域ＡＲＡに表示する画像に応じて書き換え頻度（フレーム周波数）を変化させることができる。つまり、表示装置ＤＳＰは、表示部ＤＩＳにおいて、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］から選ばれた二に、互いに異なるフレーム周波数で画像を表示させることができる。
　また、基板ＢＳに、ガラス基板、金属基板、及び基材フィルムのいずれかを用いることによって、シリコンなどを材料とする半導体基板よりも、容易に表示装置ＤＳＰの対角サイズを大きくすることができる。特に、ガラス基板として、例えば、第２世代の基板サイズ（概ね３７０ｍｍ×４７０ｍｍ）、第３世代の基板サイズ（概ね５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代の基板サイズ（概ね６８０ｍｍ×８８０ｍｍ）、又は第４世代を超える基板サイズを選択することで、現在の半導体工程で扱われる主なシリコンウェハの直径（概ね１２インチ）よりも大きい対角サイズの表示装置ＤＳＰを作製することができる。
＜制御回路の構成例＞
　次に、表示装置ＤＳＰと、表示装置ＤＳＰの外に設けられる制御回路と、の例について説明する。図５は、表示装置ＤＳＰと制御回路ＰＲＰＨの一例を示したブロック図である。
　図５に示す表示装置ＤＳＰは、表示部ＤＩＳと、駆動回路領域ＤＲＶと、を有する。また、駆動回路領域ＤＲＶは、複数の駆動回路ＧＤを含む回路ＧＤＳと、複数の駆動回路ＳＤを含む回路ＳＤＳと、を有する。制御回路ＰＲＰＨは、分配回路ＤＭＧと、分配回路ＤＭＳと、制御部ＣＴＲと、記憶装置ＭＤと、電圧生成回路ＰＧと、タイミングコントローラＴＭＣと、クロック信号生成回路ＣＫＳと、画像処理部ＧＰＳと、インターフェースＩＮＴと、を有する。
　なお、表示装置ＤＳＰにおいて、複数の駆動回路ＧＤのそれぞれを含む駆動回路領域ＤＲＶは、図２Ａ乃至図４Ｂに示すとおり、複数の表示領域ＡＲＡを含む画素層ＰＸＡＬに重畳しているが、図５では、便宜上、複数の駆動回路ＧＤが一列に並ぶように図示している。同様に、複数の駆動回路ＳＤのそれぞれを含む駆動回路領域ＤＲＶは、図２Ａ乃至図４Ｂに示すとおり、複数の表示領域ＡＲＡを含む画素層ＰＸＡＬに重畳しているが、図５では、便宜上、複数の駆動回路ＳＤが一行に並ぶように図示している。
　制御回路ＰＲＰＨは、例えば、図１Ａ乃至図４Ｂに示した表示装置ＤＳＰの外部に電気的に接続される。
　分配回路ＤＭＧと、分配回路ＤＭＳと、制御部ＣＴＲと、記憶装置ＭＤと、電圧生成回路ＰＧと、タイミングコントローラＴＭＣと、クロック信号生成回路ＣＫＳと、画像処理部ＧＰＳと、インターフェースＩＮＴと、のそれぞれは、バス配線ＢＷを介して相互に各種信号を送受信する。
　インターフェースＩＮＴは、例えば、外部装置から出力される、表示装置ＤＳＰに画像を表示するための画像情報を、制御回路ＰＲＰＨ内の回路に取り込むための回路としての機能を有する。また、ここでの外部装置としては、例えば、記録メディアの再生機、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、及びＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）といった不揮発性記憶装置が挙げられる。また、インターフェースＩＮＴは、制御回路ＰＲＰＨ内の回路から表示装置ＤＳＰの外側の装置に信号を出力する回路としてもよい。
　また、無線通信によって、外部装置からインターフェースＩＮＴに画像情報が入力される場合、インターフェースＩＮＴは、一例として、画像情報を受信するアンテナ、混合器、増幅回路、及びアナログデジタル変換回路を有する構成とすることができる。
　制御部ＣＴＲは、インターフェースＩＮＴを介して外部装置から送られる各種制御信号を処理し、制御回路ＰＲＰＨに含まれる各種回路を制御する機能を有する。
　記憶装置ＭＤは、一時的に情報、及び画像信号を保持する機能を有する。この場合、記憶装置ＭＤは、例えば、フレームメモリ（フレームバッファと呼ばれる場合がある）として機能する。また、記憶装置ＭＤは、インターフェースＩＮＴを介して外部装置から送られた情報、制御部ＣＴＲで処理した情報の少なくとも一を一時的に保持する機能を有してもよい。なお、記憶装置ＭＤとしては、例えば、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）の少なくとも一を適用することができる。
　電圧生成回路ＰＧは、表示部ＤＩＳに含まれる画素回路、及び制御回路ＰＲＰＨに含まれる回路のそれぞれに供給するための電源電圧を生成する機能を有する。なお、電圧生成回路ＰＧは、電圧を供給する回路を選択する機能を有してもよい。例えば、電圧生成回路ＰＧは、表示部ＤＩＳに静止画を表示させている期間では、回路ＧＤＳ、回路ＳＤＳ、画像処理部ＧＰＳ、タイミングコントローラＴＭＣ、及びクロック信号生成回路ＣＫＳに対しての電圧供給を停止することによって、表示装置ＤＳＰ全体の消費電力を低減することができる。
　タイミングコントローラＴＭＣは、回路ＧＤＳに含まれている複数の駆動回路ＧＤ、回路ＳＤＳに含まれている複数の駆動回路ＳＤで使用されるタイミング信号を生成する機能を有する。なお、タイミング信号の生成に、クロック信号生成回路ＣＫＳで生成されたクロック信号を用いることができる。
　画像処理部ＧＰＳは、表示部ＤＩＳに画像を描画するための処理を行う機能を有する。例えば、画像処理部ＧＰＳは、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）を有してもよい。特に、画像処理部ＧＰＳは、並列にパイプライン処理を行う構成とすることにより、表示部ＤＩＳに表示させるための画像データを高速に処理することができる。また、画像処理部ＧＰＳは、エンコードされた画像を復元するためのデコーダとしての機能も有することができる。
　また、図５では、画像処理部ＧＰＳは、例えば、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれに表示するための画像データを受け取って、当該画像データから画像信号を生成する機能を有する。
　また、画像処理部ＧＰＳは、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］に表示する画像の色調を補正する機能を有してもよい。この場合、画像処理部ＧＰＳが、調光回路及び調色回路の一方又は双方が設けられていることが好ましい。また、表示部ＤＩＳに含まれている表示画素回路に有機ＥＬ素子が含まれている場合、画像処理部ＧＰＳは、ＥＬ補正回路が設けられていてもよい。
　また、上記で説明した画像補正には、人工知能を用いてもよい。例えば、画素に備えられている表示デバイスに流れる電流（又は表示デバイスに印加される電圧）をモニタリングして取得し、表示部ＤＩＳに表示された画像をイメージセンサなどで取得し、電流（又は電圧）と画像を人工知能の演算（例えば、人工ニューラルネットワークなど）の入力データとして扱い、その出力結果で当該画像の補正の有無を判断させてもよい。
　また、人工知能の演算は、画像補正だけでなく、画像データのアップコンバート処理にも応用することができる。これにより、画面解像度の小さい画像データを表示部ＤＩＳの画面解像度に合わせて、アップコンバートを行うことで、表示品位の高い画像を表示部ＤＩＳに表示させることができる。また、人工知能の演算は、画像データのダウンコンバート処理にも応用することができる。
　なお、上述した人工知能の演算には、例えば、画像処理部ＧＰＳに含まれるＧＰＵを用いて行うことができる。つまり、ＧＰＵを用いて、各種補正の演算（例えば、色ムラ補正、又はアップコンバート）を行うことができる。
　なお、本明細書等において、人工知能の演算を行うＧＰＵをＡＩアクセラレータと呼称する。つまり、本明細書等では、ＧＰＵをＡＩアクセラレータと置き換えて説明する場合がある。
　クロック信号生成回路ＣＫＳは、例えば、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれに所望の画像を表示するためのクロック信号を生成する機能を有する。
　なお、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれにおける、画像の書き換え頻度（フレーム周波数）が異なる場合、クロック信号生成回路ＣＫＳは、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のそれぞれに対応するフレーム周波数のクロック信号を生成する機能を有することが好ましい。つまり、クロック信号生成回路ＣＫＳは、周波数の異なるクロック信号を同時に生成する機能を有することが好ましい。
　分配回路ＤＭＧは、バス配線ＢＷから受け取った信号を、当該信号の内容に応じて、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のいずれか一に含まれる画素を駆動させる駆動回路ＧＤに送信する機能を有する。
　分配回路ＤＭＳは、バス配線ＢＷから受け取った信号を、当該信号の内容に応じて、表示領域ＡＲＡ［１，１］乃至表示領域ＡＲＡ［ｍ，ｎ］のいずれか一に含まれる画素を駆動させる駆動回路ＳＤに送信する機能を有する。
　なお、図５では、分配回路ＤＭＧが回路ＧＤＳに直接信号を送信する様子を図示しているが分配回路ＤＭＧから送信される信号は、インターフェースＩＮＴを介して、回路ＧＤＳに入力されてもよい。また、同様に、図５では、分配回路ＤＭＳが回路ＳＤＳに直接信号を送信する様子を図示しているが、分配回路ＤＭＳから送信される信号は、インターフェースＩＮＴを介して、回路ＳＤＳに入力されてもよい。
　また、図５には図示していないが、制御回路ＰＲＰＨには、レベルシフタが含まれていてもよい。レベルシフタは、一例として、各回路に入力される信号を適切なレベルに変換する機能を有する。
　なお、図５に示した制御回路ＰＲＰＨの構成は一例であって、状況に応じて、制御回路ＰＲＰＨに含まれる回路構成を変更してもよい。例えば、制御回路ＰＲＰＨが、各回路の駆動電圧を外部から供給を受ける構成である場合、制御回路ＰＲＰＨ内で当該駆動電圧を生成する必要はなくなるため、この場合、制御回路ＰＲＰＨは、電圧生成回路ＰＧが含まれない構成としてもよい。
　また、例えば、制御回路ＰＲＰＨに含まれている各回路の全部、又は一部は、表示装置ＤＳＰの回路層ＳＩＣＬに含まれていてもよい。具体的には、図１Ａの表示装置ＤＳＰの場合、制御回路ＰＲＰＨに含まれている各回路の全部、又は一部は、駆動回路領域ＤＲＶに含まれていてもよい。また、図１Ｂの表示装置ＤＳＰの場合、制御回路ＰＲＰＨに含まれている各回路の全部、又は一部は、駆動回路領域ＤＲＶ又は領域ＬＩＡに含まれていてもよい。
　なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に備えることができる表示装置について説明する。なお、上記の実施の形態で説明した表示装置ＤＳＰは、本実施の形態で説明する表示装置を適用することができる。
＜表示装置の構成例＞
　図６は、本発明の一態様の表示装置の一例を示した断面図である。図６に示す表示装置１０００は、一例として、基板３１０上に画素回路、駆動回路などが設けられた構成となっている。なお、上記で説明した実施の形態の表示装置ＤＳＰの構成は、図６の表示装置１０００の構成とすることができる。
　具体的には、例えば、図１の表示装置ＤＳＰに示している回路層ＳＩＣＬと、画素層ＰＸＡＬと、は、図６の表示装置１０００のとおりに構成することができる。図６の表示装置１０００は、基板３１０と基板１１０との間に、回路素子と発光デバイスとが形成されている構成である。回路層ＳＩＣＬは、トランジスタ３００を有する。具体的には、トランジスタ３００は、基板３１０上に形成されている。また、トランジスタ３００の上方には、画素層ＰＸＡＬが設けられている。なお、トランジスタ３００と、トランジスタ２００と、の間には、それぞれを電気的に接続する配線が設けられているものとする（図示しない）。また、画素層ＰＸＡＬは、一例として、トランジスタ２００、及び発光デバイス１３０（図６では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ）を有する。また、発光デバイス１３０の上方に、基板１１０が設けられている。
　基板３１０は、例えば、実施の形態１で説明した基板ＢＳに相当する。そのため、基板３１０は、実施の形態１で説明したとおり、基板ＢＳに適用できる基板を用いることが好ましい。
　実施の形態１で説明したとおり、基板ＢＳ（基板３１０）に適用する基板のサイズによって、表示装置ＤＳＰの対角サイズを定めることができる。特に、基板ＢＳ（基板３１０）に適用する基板を、大面積化が容易なガラス基板、金属基板、又は基材フィルムにすることによって、大きな対角サイズの表示装置ＤＳＰを作製することができる。本明細書等では、大面積化した基板とは、例えば、第２世代の基板サイズ以上の基板を指すものとする。
　なお、本実施の形態では、基板３１０は、ガラス基板など、熱に対して耐性の高い材料を有する基板として説明する。
　また、基板ＢＳ（基板３１０）を大面積化した場合、トランジスタ３００、及びトランジスタ２００は、基板ＢＳ（基板３１０）が大面積であっても形成可能なプロセスで、形成されることが好ましい。大面積な基板上に形成可能なトランジスタとしては、例えば、チャネル形成領域に低温ポリシリコンが含まれるトランジスタ（以後、ＬＴＰＳトランジスタと呼称する）、及びＯＳトランジスタが挙げられる。
　トランジスタ３００は、基板３１０上に設けられている。トランジスタ３００は、絶縁体３１１、絶縁体３１２と、絶縁体３１３と、絶縁体３１４と、導電体３１６と、導電体３１７と、低抵抗領域３１８ｐと、半導体領域３１８ｉと、導電体３１９と、を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。また、本明細書等において、低抵抗領域３１８ｐと、半導体領域３１８ｉと、をまとめて、半導体層３１８と呼称する。特に、半導体層３１８に含まれる半導体材料に、例えば、低温ポリシリコンを適用することで、トランジスタ３００をＬＴＰＳトランジスタとすることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。
　トランジスタ３００にＬＴＰＳトランジスタを適用することで、回路層ＳＩＣＬに備えられる回路（例えば、図２Ｂ乃至図５に図示されている駆動回路ＧＤ、及び駆動回路ＳＤ）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。
　また、図６において、導電体３１７は、トランジスタ３００における第１のゲート（ゲート又はバックゲートの一方と呼称する場合がある）として機能する。また、導電体３１６は、トランジスタ３００における第２のゲート（ゲート又はバックゲートの他方と呼称する場合がある）として機能する。また、半導体層３１８の一対の低抵抗領域３１８ｐの一方は、トランジスタ３００におけるソース又はドレインの一方として機能し、半導体層３１８の一対の低抵抗領域３１８ｐの他方は、トランジスタ３００におけるソース又はドレインの他方として機能する。また、絶縁体３１３は、トランジスタ３００における第１のゲート絶縁膜として機能し、絶縁体３１２は、トランジスタ３００における第２のゲート絶縁膜として機能する。
　図６において、基板３１０上には絶縁体３１１が形成されている。また、絶縁体３１１上の一部の領域には導電体３１６が形成されている。また、絶縁体３１１と導電体３１６と、を覆うように絶縁体３１２が形成されている。また、導電体３１６及び絶縁体３１２に重畳し、かつ絶縁体３１２上の一部の領域に半導体層３１８が形成されている。また、絶縁体３１２と半導体層３１８と、を覆うように絶縁体３１３が形成されている。また、導電体３１６、絶縁体３１２、半導体層３１８、及び絶縁体３１３に重畳し、かつ絶縁体３１３上の一部の領域に導電体３１７が形成されている。また、絶縁体３１３と導電体３１７と、を覆うように、絶縁体３１４が順に覆われている。また、低抵抗領域３１８ｐに重畳している絶縁体３１３及び絶縁体３１４の領域に開口部が設けられ、当該開口部を埋めるように、絶縁体３１４上に導電体３１９が形成されている。
　絶縁体３１１、絶縁体３１２、絶縁体３１３、及び絶縁体３１４には、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。
　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
　特に、絶縁体３１１には、絶縁体３１１の下方の領域（例えば、基板３１０）からの不純物（例えば、金属イオン、金属原子、酸素原子、酸素分子、水素原子、水素分子、及び水分子）の拡散しないようなバリア絶縁膜を用いることが好ましい。
　同様に、絶縁体３１４にも、絶縁体３１４より上方の領域（例えば、トランジスタ２００、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂが設けられている領域）からの不純物（例えば、特定の金属イオン、特定の金属原子、酸素原子、酸素分子、水素原子、水素分子、及び水分子）が拡散しないようなバリア絶縁膜を用いることが好ましい。
　したがって、絶縁体３１１及び絶縁体３１４は、特定の金属イオン、特定の金属原子、酸素原子、酸素分子、水素原子、水素分子、及び水分子といった不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい）絶縁性材料を用いることが好ましい。また、状況によっては、絶縁体３１１及び絶縁体３１４は、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（例えば、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、又はＮＯ２）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）絶縁性材料を用いることが好ましい。
　水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成した窒化シリコンを用いることができる。
　水素の脱離量は、例えば、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ）などを用いて分析することができる。例えば、絶縁体３１１又は絶縁体３１４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、膜の表面温度が５０℃から５００℃までの範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積当たりに換算して、１０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、好ましくは５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であればよい。
　半導体層３１８には、上述したとおり、シリコンが含まれているものとする。特に、当該シリコンは、低温ポリシリコンとすることが好ましい。つまり、トランジスタ３００は、ＬＴＰＳトランジスタとすることが好ましい。
　ところで、金属酸化物を用いてｐ型半導体を作製することは、移動度及び信頼性の観点から難しいため、ＯＳトランジスタで構成される回路は、ｎチャネル型の単極性回路となることが多い。一方で、ＬＴＰＳトランジスタは、ｎチャネル型、又はｐチャネル型のどちらも作製することが容易であるため、ＬＴＰＳトランジスタを用いてＣＭＯＳ回路を構成することができる。実施の形態１で説明したとおり、回路層ＳＩＣＬは駆動回路を有するため、当該駆動回路は、駆動速度及び消費電力の観点から、単極性回路よりもＣＭＯＳ回路で構成されたほうが好ましい。
　低抵抗領域３１８ｐは、不純物元素を含む領域である。例えば、トランジスタ３００をｎチャネル型とする場合には、低抵抗領域３１８ｐにはリンまたはヒ素といった不純物元素を添加すればよい。一方、トランジスタ３００をｐチャネル型とする場合には、低抵抗領域３１８ｐにはホウ素またはアルミニウムといった不純物元素を添加すればよい。また、トランジスタ３００のしきい値電圧を制御するために、半導体領域３１８ｉに、上述した不純物元素が添加されていてもよい。
　なお、トランジスタ３００は、ｐチャネル型あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。または、回路層ＳＩＣＬにトランジスタ３００を複数設けて、ｐチャネル型、及びｎチャネル型の双方を用いてもよい。
　導電体３１６、及び導電体３１７には、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンといった金属を用いることができる。または、導電体３１６及び導電体３１７には、上述した金属の一以上を主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、導電体３１６及び導電体３１７には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを含むＺｎＯ、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物といった透光性を有する導電性材料を用いてもよい。または、導電体３１６及び導電体３１７には、不純物元素を含有させる等の手段によって低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。または、導電体３１６及び導電体３１７には、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
　導電体３１９は、トランジスタ３００の低抵抗領域３１８ｐに電気的に接続される配線として機能する。つまり、導電体３１９は、トランジスタ３００におけるソース又はドレインとして機能する。なお、導電体３１９には、導電体３１６及び導電体３１７に適用できる材料を用いることができる。
　なお、図６に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成、駆動方法などに応じて適切なトランジスタを用いてもよい。
　絶縁体３１４上には、絶縁体３２０と、絶縁体３２２と、が順に形成されている。
　絶縁体３２０及び絶縁体３２２には、例えば、絶縁体３１１乃至絶縁体３１４のいずれか一に適用できる材料を用いることができる。
　絶縁体３２２上には、複数のトランジスタ２００が形成されている。複数のトランジスタ２００は、例えば、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。
　絶縁体３２２上には、絶縁体２１１、絶縁体２１３、絶縁体２１５、及び絶縁体２１４がこの順で設けられている。絶縁体２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁体２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁体２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁体２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上の積層であってもよい。
　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素といった不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
　絶縁体２１１、絶縁体２１３及び絶縁体２１５には、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は窒化アルミニウム膜が挙げられる。又は、無機絶縁膜としては、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、又は酸化ネオジム膜が挙げられる。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
　平坦化層として機能する絶縁体２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体が挙げられる。また、絶縁体２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁体２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、後述する導電体１１２ａ、導電体１２６ａ、または導電体１２９ａなどの加工時に、絶縁体２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁体２１４には、導電体１１２ａ、導電体１２６ａ、又は導電体１２９ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。
　複数のトランジスタ２００は、ゲートとして機能する導電体２２１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁体２１１と、ソース及びドレインとして機能する導電体２２２ａ及び導電体２２２ｂと、半導体層２３１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁体２１３と、ゲートとして機能する導電体２２３と、を有する。ここでは、トランジスタ３００と同様に、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁体２１１は、導電体２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁体２１３は、導電体２２３と半導体層２３１との間に位置する。
　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
　複数のトランジスタ２００のそれぞれには、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。
　結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。
　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。
　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。
　また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。
　また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。
　また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、発光デバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。
　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、及び「発光デバイスのばらつきの抑制」を図ることができる。
　ＯＳトランジスタに備わる半導体層は、例えば、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、半導体層は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。
　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。
　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。
　また、ＯＳトランジスタの構造は、図６に示す構造に限られない。例えば、図７Ａ及び図７Ｂに示す構造にしてもよい。
　トランジスタ２００Ａ及びトランジスタ２００Ｂは、ゲートとして機能する導電体２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁体２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電体２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電体２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁体２２５、ゲートとして機能する導電体２２３、並びに、導電体２２３を覆う絶縁体２１５を有する。絶縁体２１１は、導電体２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁体２２５は、少なくとも導電体２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁体２１８を設けてもよい。
　図７Ａに示すトランジスタ２００Ａでは、絶縁体２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電体２２２ａ及び導電体２２２ｂは、それぞれ、絶縁体２２５及び絶縁体２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電体２２２ａ及び導電体２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
　一方、図７Ｂに示すトランジスタ２００Ｂでは、絶縁体２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電体２２３をマスクとして絶縁体２２５を加工することで、図７Ｂに示す構造を作製できる。図７Ｂでは、絶縁体２２５及び導電体２２３を覆って絶縁体２１５が設けられ、絶縁体２１５の開口を介して、導電体２２２ａ及び導電体２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
　絶縁体２１４上には、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、及び接続部１４０が形成されている。
　接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ばれる場合があり、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂのそれぞれのカソード電極に電気的に接続されている。図６では、接続部１４０は、導電体１１２ａ乃至導電体１１２ｃから選ばれた一以上の導電体と、導電体１２６ａ乃至導電体１２６ｃから選ばれた一以上の導電体と、導電体１２９ａ乃至導電体１２９ｃから選ばれた一以上の導電体と、後述する共通層１１４と、後述する共通電極１１５と、を有する。
　なお、接続部１４０は、表示部の四辺を囲むように設けられてもよく、又は、表示部内（例えば、隣り合う発光デバイス１３０同士の間）に設けられてもよい。
　発光デバイス１３０Ｒは、導電体１１２ａと、導電体１１２ａ上の導電体１２６ａと、導電体１２６ａ上の導電体１２９ａと、を有する。導電体１１２ａ、導電体１２６ａ、導電体１２９ａの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。
　発光デバイス１３０Ｇは、導電体１１２ｂと、導電体１１２ｂ上の導電体１２６ｂと、導電体１２６ｂ上の導電体１２９ｂと、を有する。発光デバイス１３０Ｒと同様に、導電体１１２ｂ、導電体１２６ｂ、及び導電体１２９ｂの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。
　発光デバイス１３０Ｂは、導電体１１２ｃと、導電体１１２ｃ上の導電体１２６ｃと、導電体１２６ｃ上の導電体１２９ｃと、を有する。発光デバイス１３０Ｒ、及び発光デバイス１３０Ｇと同様に、導電体１１２ｃ、導電体１２６ｃ、及び導電体１２９ｃの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。
　導電体１１２ａ乃至導電体１１２ｃ、及び導電体１２６ａ乃至導電体１２６ｃには、例えば、反射電極として機能する導電層を用いることができる。反射電極として機能する導電層としては、可視光に対して反射率の高い導電体として、例えば、銀、アルミニウム、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）の合金膜（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（ＡＰＣ）膜）を適用することができる。また、導電体１１２ａ乃至導電体１１２ｃ、及び導電体１２６ａ乃至導電体１２６ｃは、一対のチタンで挟まれたアルミニウムの積層膜（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの順の積層膜）、又は一対のインジウム錫酸化物で挟まれた銀の積層膜（ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯの順の積層膜）としてもよい。
　また、例えば、導電体１１２ａ乃至導電体１１２ｃに反射電極として機能する導電層を用いて、導電体１２６ａ乃至導電体１２６ｃに、透光性が高い導電体を用いてもよい。透光性が高い導電体としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯと呼ばれる場合がある）、又は銀とマグネシウムの合金が挙げられる。
　導電体１２９ａ乃至導電体１２９ｃには、例えば、透明電極として機能する導電層を用いることができる。透明電極として機能する導電層としては、例えば、上述した透光性が高い導電体とすることができる。
　また、後に詳述する発光デバイス１３０に、マイクロキャビティ構造（微小共振器構造）を設けてもよい。マイクロキャビティ構造とは、発光層の下面と下部電極の上面との距離を、当該発光層が発光する光の色の波長に応じた厚さにする構造を指す。この場合、上部電極（共通電極）である導電体１２９ａ乃至導電体１２９ｃに透光性及び光反射性を有する導電材料を用い、下部電極（画素電極）である導電体１１２ａ乃至導電体１１２ｃ、及び導電体１２６ａ乃至導電体１２６ｃとして光反射性を有する導電材料を用いること好ましい。
　マイクロキャビティ構造とは、下部電極と発光層の光学的距離を（２ｎ−１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅したい発光の波長）に調節した構造を指す。これにより、下部電極によって反射されて戻ってきた光（反射光）は、発光層から上部電極に直接入射する光（入射光）と大きな干渉を起こす。そのため、波長λのそれぞれの反射光と入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができる。一方で、反射光と入射光とが波長λ以外である場合、位相が合わなくなるため、共振せずに減衰する。
　導電体１１２ａは、絶縁体２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２００が有する導電体２２２ｂと接続されている。導電体１１２ａの端部よりも外側に導電体１２６ａの端部が位置している。導電体１２６ａの端部と導電体１２９ａの端部は、揃っている、または概略揃っている。
　発光デバイス１３０Ｇにおける導電体１１２ｂ、導電体１２６ｂ、及び導電体１２９ｂ、並びに、発光デバイス１３０Ｂにおける導電体１１２ｃ、導電体１２６ｃ、及び導電体１２９ｃについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電体１１２ａ、導電体１２６ａ、及び導電体１２９ａと同様であるため詳細な説明は省略する。
　導電体１１２ａ、導電体１１２ｂ、及び導電体１１２ｃには、絶縁体２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。
　層１２８は、導電体１１２ａ、導電体１１２ｂ、及び導電体１１２ｃの凹部を平坦化する機能を有する。発光デバイス１３０Ｒにおいて、導電体１１２ａ上、及び層１２８上には、導電体１１２ａに電気的に接続される導電体１２６ａが設けられている。同様に、発光デバイス１３０Ｇにおいて、導電体１１２ｂ上、及び層１２８上には、導電体１１２ｂに電気的に接続される導電体１２６ｂが設けられている。また、同様に、発光デバイス１３０Ｂにおいて、導電体１１２ｃ上、及び層１２８上には、導電体１１２ｃと電気的に接続される導電体１２６ｃが設けられている。したがって、導電体１１２ａ、導電体１１２ｂ、導電体１１２ｃの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。
　層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による導電体１１２ａ、導電体１１２ｂ、及び導電体１１２ｃの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁体２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。
　なお、図６では、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図７Ｃ乃至図７Ｅに、層１２８の変形例を示す。
　図７Ｃ及び図７Ｅに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
　また、図７Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
　また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。
　また、層１２８の上面の高さと、導電体１１２ａの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電体１１２ａの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。
　また、図７Ｃは、導電体１１２ａに形成された凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図７Ｅのように、導電体１１２ａに形成された凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。
　発光デバイス１３０Ｒは、第１の層１１３ａと、第１の層１１３ａ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。また、発光デバイス１３０Ｇは、第２の層１１３ｂと、第２の層１１３ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。また、発光デバイス１３０Ｂは、第３の層１１３ｃと、第３の層１１３ｃ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
　なお、第１の層１１３ａは、導電体１２６ａの上面及び側面と導電体１２９ａの上面及び側面を覆うように形成されている。同様に、第２の層１１３ｂは、導電体１２６ｂの上面及び側面と導電体１２９ｂの上面及び側面を覆うように形成されている。また、同様に、第３の層１１３ｃは、導電体１２６ｃの上面及び側面と導電体１２９ｃの上面及び側面を覆うように形成されている。したがって、導電体１２６ａ、導電体１２６ｂ、及び導電体１２６ｃが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。
　発光デバイス１３０Ｒにおいて、第１の層１１３ａ及び共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。また、同様に、発光デバイス１３０Ｇにおいて、第２の層１１３ｂ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶこともできる。また、同様に、発光デバイス１３０Ｂにおいて、第３の層１１３ｃ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
　本実施の形態の発光デバイスの構成に、特に限定はなく、シングル構造であってもタンデム構造であってもよい。
　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、フォトリソグラフィ法により島状に加工されている。そのため、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、それぞれその端部において、上面と側面との成す角が９０度に近い形状となる。一方、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）などを用いて形成された有機膜は、その厚さが端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があり、例えば１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にわたって、上面がスロープ状に形成されるため、上面と側面の区別が困難な形状となる。
　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、上面と側面の区別が明瞭となる。これにより、隣接する第１の層１１３ａと第２の層１１３ｂにおいて、第１の層１１３ａの側面の一と、第２の層１１３ｂの側面の一は、互いに対向して配置される。これは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのうちいずれの組み合わせにおいても同様である。
　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、少なくとも発光層を有する。例えば、第１の層１１３ａが、赤色の光を発する発光層を有し、第２の層１１３ｂが緑色の光を発する発光層を有し、第３の層１１３ｃが、青色の光を発する発光層を有する構成であると好ましい。また、それぞれの発光層は、上記以外の色としては、シアン、マゼンタ、黄または白を適用することができる。
　また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。
　例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。
　また、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。
　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの表面は、表示装置の作製工程中に露出する場合があるため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
　また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、例えば、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットを有する構成にしてもよい。例えば、第１の層１１３ａが、赤色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であり、第２の層１１３ｂが緑色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であり、第３の層１１３ｃが、青色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であると好ましい。
　第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
　共通層１１４は、例えば電子注入層又は正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂで共有されている。
　また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂで共有されている。また、図６に示すように、複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に含まれている導電体に電気的に接続される。
　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面は、それぞれ、絶縁体１２５、及び絶縁体１２７によって覆われている。第１の層１１３ａと絶縁体１２５との間にはマスク層１１８ａが位置する。また、第２の層１１３ｂと絶縁体１２５との間にはマスク層１１８ａが位置し、第３の層１１３ｃと絶縁体１２５との間にはマスク層１１８ａが位置する。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、絶縁体１２５、及び絶縁体１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられるひとつなぎの膜である。
　また、発光デバイス１３０Ｒ上、発光デバイス１３０Ｇ上、及び発光デバイス１３０Ｂ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保護層１３１は、発光デバイス１３０を保護するパッシベーション膜として機能する膜である。発光デバイスを覆う保護層１３１を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。
　保護層１３１には、例えば、酸化アルミニウム、窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを用いることができる。
　保護層１３１と、基板１１０と、は接着層１０７を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図６では、基板３１０と基板１１０との間の空間が、接着層１０７で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（例えば、窒素又はアルゴン）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１０７は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１０７とは異なる樹脂で充填してもよい。
　接着層１０７には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
　表示装置１０００は、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１１０側に射出される。そのため、基板１１０には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。例えば、基板１１０には、基板ＢＳに適用できる基板のうち、可視光に対する透過性が高い基板を選択すればよい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。
　なお、本発明の一態様の表示装置は、図６に示す表示装置１０００の構成に限定されない。本発明の一態様の表示装置は、変更がなされた図６の表示装置１０００の構成としてもよい。
　例えば、基板１１０の基板３１０側の面に、遮光層を設ける構成にしてもよい。当該遮光層は、隣り合う発光デバイスの間、及び接続部１４０に設けることができる。また、基板１１０の外側の面には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルムが挙げられる。また、基板１１０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。
　また、例えば、図８に示す表示装置１０００Ａのとおり、図６の表示装置１０００にタッチセンサ機能を有するパネル（タッチパネルと呼ばれる場合がある）を設けてもよい。図８の表示装置１０００Ａは、保護層１３１上に、樹脂層１４７、絶縁体１０３、導電体１０４、絶縁体１０５、及び導電体１０６が順に形成されている。
　樹脂層１４７は、有機絶縁材料を含むことが好ましい。有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、又はこれら樹脂の前駆体が挙げられる。
　絶縁体１０３は、無機絶縁材料を含むことが好ましい。無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、若しくは酸化ハフニウムといった酸化物又は窒化物が挙げられる。
　導電体１０４と導電体１０６は、タッチセンサの電極として機能する。タッチセンサの方式として、相互容量方式を用いる場合では、例えば、導電体１０４及び導電体１０６の一方に、パルス電位が与えられ、他方にアナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換回路、またはセンスアンプ等の検知回路等が接続される構成にしてもよい。この場合、導電体１０４と導電体１０６の間に容量が形成される。指などが近づくと、容量の大きさが変化する（具体的には、容量が小さくなる）。この容量の変化は、導電体１０４及び導電体１０６の一方にパルス電位を与えたときに、他方に生じる信号の振幅の大きさの変化として表れる。これにより、指などの接触及び近接を検知することができる。
　絶縁体１０５には、無機絶縁膜または有機絶縁膜を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。絶縁体１０５は、単層としてもよいし、積層構造としてもよい。
　また、例えば、図６の表示装置１０００の保護層１３１は、１層ではなく、２層以上の積層構造としてもよい。保護層１３１は、例えば、１層目として無機材料の絶縁体を適用し、２層目として有機材料の絶縁体を適用し、３層目として無機材料の絶縁体を適用した、３層の積層構造としてもよい。図９には、保護層１３１ａを無機材料の絶縁体とし、保護層１３１ｂを有機材料の絶縁体とし、保護層１３１ｃを無機材料の絶縁体として、保護層１３１ａ、保護層１３１ｂ、及び保護層１３１ｃを含む保護層１３１を多層構造とした、表示装置１０００Ｂの一部の断面図を図示している。なお、図９に示すとおり、保護層１３１ｂに有機材料の絶縁体を適用することで、保護層１３１ｂを平坦化膜として設けることができる。
　また、例えば、図６の表示装置１０００には、着色層（カラーフィルタ）などが含まれていてもよい。図１０の表示装置１０００Ｃには、一例として、接着層１０７と基板１１０との間に着色層１６６ａ、着色層１６６ｂ、及び着色層１６６ｃが含まれている構成を示している。なお、着色層１６６ａ乃至着色層１６６ｃは、例えば、基板１１０に形成することができる。また、発光デバイス１３０Ｒが赤色（Ｒ）の発光を呈する発光層を有し、発光デバイス１３０Ｇが緑色（Ｇ）の発光を呈する発光層を有し、発光デバイス１３０Ｂが青色（Ｂ）の発光を呈する発光層を有する場合、着色層１６６ａを赤色とし、着色層１６６ｂを緑色とし、着色層１６６ｃを青色としている。
　なお、本発明の一態様の表示装置は、図６に示す表示装置１０００の構成に限定されない。本発明の一態様の表示装置の構成は、適宜変更がなされていてもよい。
　例えば、トランジスタが２層積層された層構造ではなく、トランジスタが３層以上積層された層構造を有する表示装置としてもよい（図示しない）。
＜発光デバイスの構成例＞
　次に、上述した表示装置に適用できる、発光デバイスの構成例について説明する。
　図１１Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。
　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。
　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。
　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図１１Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。
　また、図１１Ｂは、図１１Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図１１Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。
　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。
　なお、図１１Ｃ及び図１１Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図１１Ｃ及び図１１Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。
　また、図１１Ｅ及び図１１Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。
　なお、図１１Ｄ及び図１１Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図１１Ｄは、層７６４が、図１１Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図１１Ｆは、層７６４が、図１１Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。
　層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。
　図１１Ｃ及び図１１Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図１１Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。
　また、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。
　例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、例えば、陽極側からＲ、Ｇ、Ｂ、又は陽極側からＲ、Ｂ、Ｇとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。
　また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。
　図１１Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
　白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２つの発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３つ以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで発光デバイス全体として白色発光することができる構成とすればよい。
　また、図１１Ｅ及び図１１Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。
　例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図１１Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。
　また、各色の光を呈する副画素に、図１１Ｅまたは図１１Ｆに示す構成の発光デバイスを用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示装置は、タンデム構造の発光デバイスが適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い表示装置を実現することができる。
　また、図１１Ｅ及び図１１Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図１１Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
　なお、図１１Ｅ及び図１１Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。
　また、図１１Ｅ及び図１１Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。
　具体的には、図１２Ａ乃至図１２Ｃに示す発光デバイスの構成が挙げられる。
　図１２Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。
　また、図１２Ａに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層（電荷発生層７８５ａ−ｂ、及び電荷発生層７８５ｂ−ｃ）を介して、それぞれ直列に接続された構成である。具体的には、図１２Ａに示す発光デバイスは、発光ユニット７６３ａ、電荷発生層７８５ａ−ｂ、発光ユニット７６３ｂ、電荷発生層７８５ｂ−ｃ、及び発光ユニット７６３ｃがこの順に積層されている構成となっている。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。
　なお、電荷発生層７８５ａ−ｂ、及び電荷発生層７８５ｂ−ｃについては、上述した電荷発生層７８５の説明を参照する。
　なお、図１２Ａに示す構成においては、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、それぞれ同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。なお、図１２Ａに示す構成において、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のそれぞれは、互いに異なる色を発する発光物質を有してもよい。また、図１２Ａに示す構成は、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のそれぞれが発した光の色が合わさって、白色（Ｗ）となる構成としてもよい。また、図１２Ａに示す構成には、図１２Ｄ又は図１２Ｆと同様にカラーフィルタとして層７６４を設けてもよい。
　なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図１２Ｂに示すように、複数の発光物質を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図１２Ｂは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。
　図１２Ｂに示す構成においては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃを、それぞれが発光する色が合わさることで白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃを、それぞれが発光する色が合わさることで白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図１２Ｃに示す構成においては、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃのそれぞれの積層順については、特に限定はない。同様に、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃのそれぞれの積層順についても、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。
　また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲＧ＼Ｂの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。
　また、図１２Ｃに示すように、１つの発光物質を有する発光ユニットと、複数の発光物質を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。
　具体的には、図１２Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層（電荷発生層７８５ａ−ｂ、及び電荷発生層７８５ｂ−ｃ）を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。
　例えば、図１２Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。
　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、ＢとＹとの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、ＢとＹとＢとの３段構造、ＢとＸとＢとの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、ＲとＹとの２段構造、ＲとＧとの２段構造、ＧとＲとの２段構造、ＧとＲとＧとの３段構造、または、ＲとＧとＲとの３段構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。
　なお、図１１Ｃ、図１１Ｄにおいても、図１１Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。
　また、図１１Ｅ及び図１１Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。
　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。
　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。
　また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。
　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。
　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
　また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。
　発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、又はネオジムが挙げられる。又は、当該材料としては、上述した金属を適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。又は、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、又はストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。
　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。
　なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。
　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０−２Ωｃｍ以下が好ましい。
　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。
　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。
　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、又は量子ドット材料が挙げられる。
　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、又はナフタレン誘導体が挙げられる。
　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、又は希土類金属錯体が挙げられる。
　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述する正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。
　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
　正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。
　アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。
　例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。
　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、又は芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）といった正孔輸送性の高い材料が好ましい。
　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。
　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。
　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物といった電子輸送性の高い材料を用いることができる。
　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。
　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。
　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
　また、電子注入性の高い材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。
　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。
　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（例えば、ピリミジン環、ピラジン環、又はピリダジン環）、又はトリアジン環から選ばれた一以上を有する化合物を用いることができる。
　なお、非共有電子対を備える有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、又は逆光電子分光法により、有機化合物の最高被占軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、又は２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。
　また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。
　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（例えば、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。
　電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。
　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性によって明確に区別できない場合がある。
　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。
　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
＜画素回路の構成例＞
　ここで、画素層ＰＸＡＬに備えることができる画素回路の構成例について、説明する。
　図１３Ａおよび図１３Ｂでは、画素層ＰＸＡＬに備えることができる画素回路の構成例、および画素回路に接続される発光デバイス１３０について示している。また、図１３Ａは、画素層ＰＸＡＬに備えられる画素回路４００に含まれる各回路素子の接続を示す図であり、図１３Ｂは、駆動回路３０などを備える回路層ＳＩＣＬ、画素回路が有する複数のトランジスタを備える層ＯＳＬ、発光デバイス１３０を備える層ＥＭＬの上下関係を模式的に示す図である。なお、図１３Ｂに示す表示装置１０００の画素層ＰＸＡＬは、一例として、層ＯＳＬ、及び層ＥＭＬを有している。また、図１３Ｂに示す層ＯＳＬに含まれているトランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、トランジスタ２００Ｃなどは、図６におけるトランジスタ２００に相当する。また、図１３Ｂに示す層ＥＭＬに含まれている発光デバイス１３０は、図６における発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、又は発光デバイス１３０Ｂに相当する。
　図１３Ａおよび図１３Ｂに一例として示す画素回路４００は、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、トランジスタ２００Ｃ、および容量６００を備える。トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃは、一例として上述したトランジスタ２００に適用できるトランジスタとすることができる。つまり、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃは、ＬＴＰＳトランジスタとすることができる。又は、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃは、一例として上述したトランジスタ２００に適用できるトランジスタとすることができる。つまり、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃは、ＯＳトランジスタとすることができる。特に、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００ＣをＯＳトランジスタとした場合、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃのそれぞれは、バックゲート電極を備えていることが好ましく、この場合、バックゲート電極にゲート電極と同じ信号を与える構成、バックゲート電極にゲート電極と異なる信号を与える構成とすることができる。なお、図１３Ａ、図１３Ｂでは、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃにバックゲート電極を図示しているが、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及びトランジスタ２００Ｃは、バックゲート電極を有さない構成としてもよい。
　トランジスタ２００Ｂは、トランジスタ２００Ａと電気的に接続されるゲート電極と、発光デバイス１３０と電気的に接続される第１の電極と、配線ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極と、を備える。配線ＡＮＯは、発光デバイス１３０に電流を供給するための電位を与えるための配線である。
　トランジスタ２００Ａは、トランジスタ２００Ｂのゲート電極と電気的に接続される第１の端子と、ソース線として機能する配線ＳＬと電気的に接続される第２の端子と、ゲート線として機能する配線ＧＬ１の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有するゲート電極と、を備える。
　トランジスタ２００Ｃは、配線Ｖ０と電気的に接続される第１の端子と、発光デバイス１３０と電気的に接続される第２の端子と、ゲート線として機能する配線ＧＬ２の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有するゲート電極と、を備える。配線Ｖ０は、基準電位を与えるための配線、および画素回路４００を流れる電流を駆動回路３０に出力するための配線である。
　容量６００は、トランジスタ２００Ｂのゲート電極と電気的に接続される導電膜と、トランジスタ２００Ｃの第２の電極と電気的に接続される導電膜を備える。
　発光デバイス１３０は、トランジスタ２００Ｂの第１の電極に電気的に接続される第１の電極と、配線ＶＣＯＭに電気的に接続される第２の電極と、を備える。配線ＶＣＯＭは、発光デバイス１３０に電流を供給するための電位を与えるための配線である。
　これにより、トランジスタ２００Ｂのゲート電極に与えられる画像信号に応じて発光デバイス１３０が射出する光の強度を制御することができる。またトランジスタ２００Ｃを介して与えられる配線Ｖ０の基準電位によって、トランジスタ２００Ｂのゲート−ソース間電圧のばらつきを抑制することができる。
　また配線Ｖ０から、画素パラメータの設定に用いることのできる電流値を出力することができる。より具体的には、配線Ｖ０は、トランジスタ２００Ｂに流れる電流、または発光デバイス１３０に流れる電流を、外部に出力するためのモニタ線として機能させることができる。配線Ｖ０に出力された電流は、ソースフォロア回路などにより電圧に変換され、外部に出力される。または、Ａ−Ｄコンバータなどによりデジタル信号に変換され、上記の実施の形態で説明した、外部の制御回路ＰＲＰＨに含まれるＡＩアクセラレータ等に出力することができる。
　なお、図１３Ｂに一例として示す構成では、画素回路４００と、駆動回路３０と、を電気的に接続する配線を短くすることができるため、当該配線の配線抵抗を小さくすることができる。よって、データの書き込みを高速に行うことができるため、表示装置１０００を高速に駆動させることができる。これにより、表示装置１０００が有する画素回路４００を多くしても十分なフレーム期間を確保することができるため、表示装置１０００の画素密度を高めることができる。また、表示装置１０００の画素密度を高めることにより、表示装置１０００により表示される画像の精細度を高めることができる。例えば、表示装置１０００の画素密度を、５００ｐｐｉ以上、好ましくは１０００ｐｐｉ以上とすることができる。よって、表示装置１０００は、例えばＡＲ、又はＶＲ用の表示装置とすることができ、ＨＭＤ等、表示部とユーザの距離が近い電子機器に好適に適用することができる。
　なお、図１３Ａ及び図１３Ｂでは、計３つのトランジスタを有する画素回路４００を一例として示したが、本発明の一態様の電子機器に係る画素回路はこれに限らない。以下では、画素回路４００に適用可能な画素回路の構成例について説明する。
　図１４Ａに示す画素回路４００Ａは、トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｂ、及び容量６００を図示している。また図１４Ａでは、画素回路４００Ａに接続される発光デバイス１３０を図示している。また、画素回路４００Ａには、配線ＳＬ、配線ＧＬ、配線ＡＮＯ、及び配線ＶＣＯＭが電気的に接続されている。
　トランジスタ２００Ａは、ゲートが配線ＧＬと、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと、他方がトランジスタ２００Ｂのゲート、及び容量６００の一方の電極と、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ２００Ｂは、ソース及びドレインの一方が配線ＡＮＯと、他方が発光デバイス１３０のアノードと、それぞれ電気的に接続されている。容量６００は、他方の電極が発光デバイス１３０のアノードと電気的に接続されている。発光デバイス１３０は、カソードが配線ＶＣＯＭと電気的に接続されている。
　図１４Ｂに示す画素回路４００Ｂは、画素回路４００Ａに、トランジスタ２００Ｃを追加した構成である。また画素回路４００Ｂには、配線Ｖ０が電気的に接続されている。
　図１４Ｃに示す画素回路４００Ｃは、上記画素回路４００Ａのトランジスタ２００Ａ及びトランジスタ２００Ｂに、ゲートとバックゲートとが電気的に接続されているトランジスタを適用した場合の例である。また、図１４Ｄに示す画素回路４００Ｄは、画素回路４００Ｂに当該トランジスタを適用した場合の例である。これにより、トランジスタが流すことのできる電流を増大させることができる。なお、ここでは全てのトランジスタに、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用したが、これに限られない。また、一対のゲートを有し、且つこれらが異なる配線と電気的に接続されるトランジスタを適用してもよい。例えば、ゲートの一方とソースとが電気的に接続されたトランジスタを用いることで、信頼性を高めることができる。
　図１５Ａに示す画素回路４００Ｅは、上記の画素回路４００Ｂに、トランジスタ２００Ｄを追加した構成である。また、画素回路４００Ｅには、３本のゲート線として機能する配線（配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、及び配線ＧＬ３）が電気的に接続されている。
　トランジスタ２００Ｄは、ゲートが配線ＧＬ３と、ソース及びドレインの一方がトランジスタ２００Ｂのゲートと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。また、トランジスタ２００Ａのゲートが配線ＧＬ１と、トランジスタ２００Ｃのゲートが配線ＧＬ２と、それぞれ電気的に接続されている。
　トランジスタ２００Ｃとトランジスタ２００Ｄを同時に導通状態とさせることで、トランジスタ２００Ｂのソースとゲートが同電位となり、トランジスタ２００Ｂを非導通状態とすることができる。これにより、発光デバイス１３０に流れる電流を強制的に遮断することができる。このような画素回路は、表示期間と消灯期間を交互に設ける表示方法を用いる場合に適している。
　図１５Ｂに示す画素回路４００Ｆは、上記画素回路４００Ｅに容量６００Ａを追加した場合の例である。容量６００Ａは保持容量として機能する。
　図１５Ｃに示す画素回路４００Ｇ、及び図１５Ｄに示す画素回路４００Ｈは、それぞれ上記画素回路４００Ｅまたは画素回路４００Ｆに、ゲートとバックゲートとが電気的に接続されているトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタ２００Ａ、トランジスタ２００Ｃ、トランジスタ２００Ｄには、ゲートとバックゲートとが電気的に接続されているトランジスタが適用され、トランジスタ２００Ｂには、ゲートがソースと電気的に接続されたトランジスタが適用されている。
＜画素のレイアウト＞
　ここでは、画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、又はペンタイル配列が挙げられる。
　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（例えば、長方形、又は正方形）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形が挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。
　図１６Ａに示す画素８０には、ストライプ配列が適用されている。図１６Ａに示す画素８０は、副画素８０ａ、副画素８０ｂ、及び副画素８０ｃの３つの副画素から構成される。例えば、図１７Ａに示すように、副画素８０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素８０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。
　図１６Ｂに示す画素８０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１６Ｂに示す画素８０は、副画素８０ａ、副画素８０ｂ、及び副画素８０ｃの３つの副画素から構成される。例えば、図１７Ｂに示すように、副画素８０ａを青色の副画素Ｂとし、副画素８０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｃを緑色の副画素Ｇとしてもよい。
　図１６Ｃは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、平面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素８０ａと副画素８０ｂ、または、副画素８０ｂと副画素８０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、図１７Ｃに示すように、副画素８０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素８０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。
　図１６Ｄに示す画素８０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素８０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素８０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素８０ｃと、を有する。また、副画素８０ａは、副画素８０ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、図１７Ｄに示すように、副画素８０ａを緑色の副画素Ｇとし、副画素８０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。
　図１６Ｅに示す画素７０Ａ、及び画素７０Ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１６Ｅでは、副画素８０ａ及び副画素８０ｂを有する画素７０Ａと、副画素８０ｂ及び副画素８０ｃを有する画素７０Ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、図１７Ｅに示すように、副画素８０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素８０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。
　図１６Ｆ及び図１６Ｇに示す画素７０Ａ、画素７０Ｂは、デルタ配列が適用されている。画素７０Ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素８０ａ、及び副画素８０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素８０ｃ）を有する。画素７０Ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素８０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素８０ａ、副画素８０ｂ）を有する。例えば、図１７Ｆに示すように、副画素８０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素８０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。
　図１６Ｆは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１６Ｇは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形になることがある。
　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。
　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。
　図１８Ａ乃至図１８Ｃに示す画素８０は、ストライプ配列が適用されている。
　図１８Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１８Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
　図１８Ｄ乃至図１８Ｆに示す画素８０は、マトリクス配列が適用されている。
　図１８Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
　図１８Ａ乃至図１８Ｆに示す画素８０は、副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ、及び副画素８０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ、及び副画素８０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する。例えば、副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ、及び副画素８０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。例えば、図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ、及び副画素８０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、及び白色の副画素とすることができる。または、副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ、及び副画素８０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、及び赤外発光の副画素とすることができる。
　副画素８０ｄは、発光デバイスを有する。当該発光デバイスは、一例として、画素電極と、ＥＬ層と、共通電極と、を有する。なお、上記画素電極は、導電体１１２ａ乃至導電体１１２ｃ、又は導電体１２６ａ乃至導電体１２６ｃと同様の材料を用いればよい。また、上記ＥＬ層は、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、又は第３の層１１３ｃと同様の材料を用いればよい。
　図１８Ｇでは、１つの画素８０が２行３列で構成されている例を示す。画素８０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素８０ｄを有する。言い換えると、画素８０は、左の列（１列目）に、副画素８０ａ及び副画素８０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素８０ｂ及び副画素８０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素８０ｃ及び副画素８０ｄを有する。図１８Ｇに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。
　図１８Ｈでは、１つの画素８０が、２行３列で構成されている例を示す。画素８０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素８０ａ、副画素８０ｂ、副画素８０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素８０ｄ）を有する。言い換えると、画素８０は、左の列（１列目）に、副画素８０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素８０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素８０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素８０ｄを有する。
　なお、図１８Ｇ及び図１８Ｈに示す画素８０において、例えば、図１９Ｃ及び図１９Ｄに示すように、副画素８０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素８０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素８０ｃを青色の副画素Ｂとし、副画素８０ｄを白色の副画素Ｗとすることができる。
　なお、本明細書等で開示された、絶縁体、導電体、半導体などは、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ法により形成することができる。ＰＶＤ法としては、例えば、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などが挙げられる。また、ＣＶＤ法として、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法を用いて形成などが挙げられる。特に、熱ＣＶＤ法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などが挙げられる。
　熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
　熱ＣＶＤ法は、原料ガスと酸化剤を同時にチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行ってもよい。
　また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原料ガスと同時またはその後に不活性ガス（例えば、アルゴン、或いは窒素）などを導入し、第２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよい。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の薄い層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の薄い層が第１の薄い層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なＦＥＴを作製する場合に適している。
　ＭＯＣＶＤ法又はＡＬＤ法といった熱ＣＶＤ法は、これまでに記載した実施形態に開示された金属膜、半導体膜、又は無機絶縁膜といった様々な膜を形成することができ、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ３）３）、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）、及びジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ３）２）を用いる。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム（Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）を用いることもできる。
　例えば、ＡＬＤ法を利用する成膜装置により酸化ハフニウム膜を形成する場合には、溶媒とハフニウム前駆体化合物を含む液体（例えば、ハフニウムアルコキシド、又はテトラキスジメチルアミドハフニウム（ＴＤＭＡＨ、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）といったハフニウムアミド）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。また、他の材料としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムが挙げられる。
　例えば、ＡＬＤ法を利用する成膜装置により酸化アルミニウム膜を形成する場合には、溶媒とアルミニウム前駆体化合物を含む液体（例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、Ａｌ（ＣＨ３）３））を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類のガスを用いる。また、他の材料としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、又はアルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）が挙げられる。
　例えば、ＡＬＤ法を利用する成膜装置により酸化シリコン膜を形成する場合には、ヘキサクロロジシランを被成膜面に吸着させ、酸化性ガス（例えば、Ｏ２、又は一酸化二窒素）のラジカルを供給して吸着物と反応させる。
　例えば、ＡＬＤ法を利用する成膜装置によりタングステン膜を成膜する場合には、ＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを順次繰り返し導入してタングステン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガスに代えてＳｉＨ４ガスを用いてもよい。
　例えば、ＡＬＤ法を利用する成膜装置により酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する場合には、プリカーサ（一般的には、例えば、前駆体、又は金属プリカーサと呼ばれる場合がある）と酸化剤（一般的には、例えば、反応剤、リアクタント、又は非金属プリカーサと呼ばれる場合がある）を順次繰り返し導入して形成する。具体的には、例えば、プリカーサであるＩｎ（ＣＨ３）３ガスと酸化剤であるＯ３ガスを導入してＩｎ−Ｏ層を形成し、その後、プリカーサであるＧａ（ＣＨ３）３ガスと酸化剤であるＯ３ガスを導入してＧａＯ層を形成し、更にその後プリカーサであるＺｎ（ＣＨ３）２ガスと酸化剤であるＯ３ガスを導入してＺｎＯ層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを用いてＩｎ−Ｇａ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ層、又はＧａ−Ｚｎ−Ｏ層といった混合酸化物層を形成しても良い。なお、Ｏ３ガスに替えてＡｒ等の不活性ガスで水をバブリングして得られたＨ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスを用いても良い。
　また、本発明の一態様の電子機器に備わる表示部の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示部としては、１：１（正方形）、４：３、１６：９、又は１６：１０といった様々な画面比率に対応することができる。
　また、本発明の一態様の電子機器に備わる表示部の形状は、特に限定はない。例えば、表示部としては、矩形型、多角形（例えば、八角形など）、円型、楕円型など様々な形状に対応することができる。
　なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう。）について説明する。
　ＯＳトランジスタに用いる金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましく、ガリウムがより好ましい。
　金属酸化物は、スパッタリング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などの化学気相成長（ＣＶＤ）法、または、原子層堆積（ＡＬＤ）法により形成することができる。
　以降では、金属酸化物の一例として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物について説明する。なお、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物を、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と呼ぶ場合がある。
＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。
　なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。また、以下では、ＧＩＸＤ測定で得られるＸＲＤスペクトルを、単に、ＸＲＤスペクトルと記す場合がある。
　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。
　また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、単結晶または多結晶でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。
＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体として、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、等が含まれる。
　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。
［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。
　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は、数十ｎｍ程度となる場合がある。
　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、および酸素を有する層（以下、（Ｇａ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムとガリウムは、互いに置換可能である。よって、（Ｇａ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層にはガリウムが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層には亜鉛が含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。
　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成等により変動する場合がある。
　また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう。）を対称中心として、点対称の位置に観測される。
　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形等の格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化すること、などによって、歪みを許容することができるためと考えられる。
　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下等を引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、およびＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、及び欠陥の生成の一方又は双方によって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損等）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。したがって、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。
［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳおよび非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。
［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。
＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。
［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。
　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、および［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。
　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。
　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。
　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましい。例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とする。
　また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。
　したがって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、および良好なスイッチング動作を実現することができる。
　また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
　特に、チャネルが形成される半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（「ＩＧＺＯ」とも記す）を用いることが好ましい。又は、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（「ＩＡＺＯ」とも記す）を用いてもよい。又は、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（「ＩＡＧＺＯ」とも記す）を用いてもよい。
　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１３ｃｍ−３以下、より好ましくは１×１０１１ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ−３未満であり、１×１０−９ｃｍ−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。
　高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
　酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
　従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、例えば、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、又はシリコンが挙げられる。なお、酸化物半導体中の不純物とは、例えば、酸化物半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。
＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体中のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
　酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
　酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
　酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満にする。
　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
　本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用できる表示モジュールについて説明する。
＜表示モジュールの構成例＞
　初めに、本発明の一態様の電子機器に適用できる表示装置を備えた表示モジュールについて説明する。
　図２０Ａに、表示モジュール１２８０の斜視図を示す。表示モジュール１２８０は、表示装置１０００と、ＦＰＣ１２９０と、を有する。
　表示モジュール１２８０は、基板１２９１及び基板１２９２を有する。表示モジュール１２８０は、表示部１２８１を有する。表示部１２８１は、表示モジュール１２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部１２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
　図２０Ｂに、基板１２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板１２９１上には、回路部１２８２と、回路部１２８２上の画素回路部１２８３と、画素回路部１２８３上の画素部１２８４と、が積層されている。また、基板１２９１上の画素部１２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ１２９０と接続するための端子部１２８５が設けられている。端子部１２８５と回路部１２８２とは、複数の配線により構成される配線部１２８６により電気的に接続されている。
　なお、画素部１２８４、及び画素回路部１２８３は、例えば、前述した画素層ＰＸＡＬに相当する。また、回路部１２８２は、例えば、前述した回路層ＳＩＣＬに相当する。
　画素部１２８４は、周期的に配列した複数の画素１２８４ａを有する。図２０Ｂの右側に、１つの画素１２８４ａの拡大図を示している。画素１２８４ａは、発光色が互いに異なる発光デバイス１４３０ａ、発光デバイス１４３０ｂ、及び発光デバイス１４３０ｃを有する。なお、発光デバイス１４３０ａ、発光デバイス１４３０ｂ、及び発光デバイス１４３０ｃは、例えば、前述した発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂに相当する。また、前述した複数の発光デバイスは、図２０Ｂに示すようにストライプ配列で配置してもよい。また、デルタ配列、ペンタイル配列など様々な配列方法を適用することができる。
　画素回路部１２８３は、周期的に配列した複数の画素回路１２８３ａを有する。
　１つの画素回路１２８３ａは、１つの画素１２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路１２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路１２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースまたはドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。
　回路部１２８２は、画素回路部１２８３の各画素回路１２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等から選ばれた一つ以上を有していてもよい。
　ＦＰＣ１２９０は、外部から回路部１２８２にビデオ信号または電源電位を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ１２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
　表示モジュール１２８０は、画素部１２８４の下側に画素回路部１２８３及び回路部１２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部１２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。
　なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の一例として、表示装置が適用された電子機器の例について説明する。
　図２１Ａ及び図２１Ｂには、ヘッドマウントディスプレイである電子機器８３００の外観を示している。
　電子機器８３００は、筐体８３０１、表示部８３０２、操作ボタン８３０３、及びバンド状の固定具８３０４を有する。
　操作ボタン８３０３は、電源ボタンなどの機能を有する。また、電子機器８３００は、操作ボタン８３０３の他にボタンを有していてもよい。
　また、図２１Ｃに示すように、表示部８３０２と使用者の目の位置との間に、レンズ８３０５を有していてもよい。レンズ８３０５により、使用者は表示部８３０２を拡大してみることができるため、より臨場感が高まる。このとき、図２１Ｃに示すように、視度調節のためにレンズの位置を変化させるダイヤル８３０６を有していてもよい。
　表示部８３０２としては、例えば、極めて精細度が高い表示装置を用いることが好ましい。表示部８３０２に精細度が高い表示装置を用いることによって、図２１Ｃのようにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い映像を表示することができる。
　図２１Ａ乃至図２１Ｃには、１枚の表示部８３０２を有する場合の例を示している。このような構成とすることで、部品点数を削減することができる。
　表示部８３０２は、左右２つの領域にそれぞれ右目用の画像と、左目用の画像の２つの画像を並べて表示することができる。これにより、両眼視差を用いた立体映像を表示することができる。
　また、表示部８３０２の全域に亘って、両方の目で視認可能な一つの画像を表示してもよい。これにより、視野の両端に亘ってパノラマ映像を表示することが可能となるため、現実感が高まる。
　ここで、電子機器８３００は、表示部８３０２は、ユーザの頭部の大きさ、または目の位置などに応じて、表示部８３０２の曲率を適切な値に変化させる機構を有することが好ましい。例えば、表示部８３０２の曲率を調整するためのダイヤル８３０７を操作することで、ユーザ自身が表示部８３０２の曲率を調整してもよい。または、筐体８３０１にユーザの頭部の大きさ、または目の位置などを検出するセンサ（例えば、カメラ、接触式センサ、又は非接触式センサ）を設け、センサの検出データに基づいて表示部８３０２の曲率を調整する機構を有していてもよい。
　また、レンズ８３０５を用いる場合には、表示部８３０２の曲率と同期して、レンズ８３０５の位置及び角度を調整する機構を備えることが好ましい。または、ダイヤル８３０６が、レンズの角度を調整する機能を有していてもよい。
　図２１Ｅ及び図２１Ｆには、表示部８３０２の曲率を制御する駆動部８３０８を備える例を示している。駆動部８３０８は、表示部８３０２の少なくとも一部と固定されている。駆動部８３０８は、表示部８３０２と固定される部分が変形または移動することにより、表示部８３０２を変形させる機能を有する。
　図２１Ｅには、頭部の大きさが比較的大きなユーザ８３１０が筐体８３０１を装着している場合の模式図である。このとき、表示部８３０２の形状が、曲率が比較的小さく（曲率半径が大きく）なるように、駆動部８３０８により調整されている。
　一方、図２１Ｆには、ユーザ８３１０と比較して頭部の大きさが小さいユーザ８３１１が、筐体８３０１を装着している場合を示している。また、ユーザ８３１１は、ユーザ８３１０と比較して、両目の間隔が狭い。このとき、表示部８３０２の形状は、表示部８３０２の曲率が大きく（曲率半径が小さく）なるように、駆動部８３０８により調整される。図２１Ｆには、図２１Ｅでの表示部８３０２の位置及び形状を破線で示している。
　このように、電子機器８３００は、表示部８３０２の曲率を調整する機構を有することで、老若男女様々なユーザに、最適な表示を提供することができる。
　また、表示部８３０２に表示するコンテンツに応じて、表示部８３０２の曲率を変化させることで、ユーザに高い臨場感を与えることもできる。例えば、表示部８３０２の曲率を振動させることで揺れを表現することができる。このように、コンテンツ内の場面に合わせた様々な演出をすることができ、ユーザに新たな体験を提供することができる。さらにこのとき、筐体８３０１に設けた振動モジュールと連動させることにより、より臨場感の高い表示が可能となる。
　なお、電子機器８３００は、図２１Ｄに示すように２つの表示部８３０２を有していてもよい。
　２つの表示部８３０２を有することで、使用者は片方の目につき１つの表示部を見ることができる。これにより、視差を用いた３次元表示等を行う際であっても、高い画面解像度の映像を表示することができる。また、表示部８３０２は使用者の目を概略中心とした円弧状に湾曲している。これにより、使用者の目から表示部の表示面までの距離が一定となるため、使用者はより自然な映像を見ることができる。また、表示部からの光の輝度及び色度が見る角度によって変化してしまうような場合であっても、表示部の表示面の法線方向に使用者の目が位置するため、実質的にその影響を無視することができるため、より現実感のある映像を表示することができる。
　図２２Ａ乃至図２２Ｃは、図２１Ａ乃至図２１Ｄのそれぞれに示す電子機器８３００とは異なる、電子機器８３００の外観を示す図である。具体的には、例えば、図２２Ａ乃至図２２Ｃは、頭部に装着する固定具８３０４ａを有する点、一対のレンズ８３０５を有する点などにおいて、図２１Ａ乃至図２１Ｄと異なっている。
　使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができるため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表示部８３０２を１つ設ける構成に限らず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の目につき１つの表示部を配置してもよい。
　なお、表示部８３０２には、例えば、極めて精細度が高い表示装置を用いることが好ましい。表示部８３０２に精細度が高い表示装置を用いることによって、図２２Ｃのようにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い映像を表示することができる。
　また、本発明の一態様の電子機器である、ヘッドマウントディスプレイは、図２２Ｄに示すグラス型のヘッドマウントディスプレイである電子機器８２００の構成であってもよい。
　電子機器８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、及びケーブル８２０５を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。
　ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球またはまぶたの動きの情報を入力手段として用いることができる。
　また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、又は加速度センサといった各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能、使用者の頭部の動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能などを有していてもよい。
　図２３Ａ乃至図２３Ｃは、図２１Ａ乃至図２１Ｄ、及び図２２Ａ乃至図２２Ｃのそれぞれに示す電子機器８３００、図２２Ｄに示す電子機器８２００とは異なる、電子機器８７５０の外観を示す図である。
　図２３Ａは、電子機器８７５０の正面、上面、及び左側面を示す斜視図であり、図２３Ｂ、及び図２３Ｃは、電子機器８７５０の背面、底面、及び右側面を示す斜視図である。
　電子機器８７５０は、一対の表示装置８７５１、筐体８７５２、一対の装着部８７５４、緩衝部材８７５５、一対のレンズ８７５６等を有する。一対の表示装置８７５１は、筐体８７５２の内部の、レンズ８７５６を通して視認できる位置にそれぞれ設けられている。
　ここで、一対の表示装置８７５１の一方は、実施の形態１で説明した表示装置ＤＳＰなどに対応している。また図示しないが、図２３Ａ乃至図２３Ｃに示す電子機器８７５０は、先の実施の形態で説明した処理部を有する電子部品（例えば、図５に示した制御回路ＰＲＰＨに含まれている回路など）を有する。また、図示しないが、図２３Ａ乃至図２３Ｃに示す電子機器８７５０は、カメラを有する。当該カメラは、使用者の眼およびその近傍を撮像することができる。また図示しないが、図２３Ａ乃至図２３Ｃに示す電子機器８７５０では、動き検出部、オーディオ、制御部、通信部、およびバッテリを筐体８７５２内に備える。
　電子機器８７５０は、ＶＲ向けの電子機器である。電子機器８７５０を装着した使用者は、レンズ８７５６を通して表示装置８７５１に表示される画像を視認することができる。また一対の表示装置８７５１に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
　また、筐体８７５２の背面側には、入力端子８７５７と、出力端子８７５８とが設けられている。入力端子８７５７には映像出力機器等からの映像信号、または筐体８７５２内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。出力端子８７５８としては、例えば音声出力端子として機能し、イヤホン、又はヘッドホンを接続することができる。
　また、筐体８７５２は、レンズ８７５６及び表示装置８７５１が、使用者の眼の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８７５６と表示装置８７５１との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
　上記カメラ、表示装置８７５１、および上記電子部品を用いることで、電子機器８７５０は、電子機器８７５０の使用者の状態を推定し、推定した使用者の状態に関する情報を表示装置８７５１に表示することができる。または、電子機器８７５０とネットワークを介して接続された電子機器の使用者の状態に関する情報を、表示装置８７５１に表示することができる。
　緩衝部材８７５５は、使用者の顔（例えば、額又は頬）に接触する部分である。緩衝部材８７５５が使用者の顔と密着することにより、光漏れを防ぐことができ、より没入感を高めることができる。緩衝部材８７５５は、使用者が電子機器８７５０を装着した際に使用者の顔に密着するよう、緩衝部材８７５５としては柔らかな素材を用いることが好ましい。例えばゴム、シリコーンゴム、ウレタン、スポンジなどの素材を用いることができる。また、スポンジ等の表面を布、革（例えば、天然皮革又は合成皮革）などで覆ったものを用いると、使用者の顔と緩衝部材８７５５との間に隙間が生じにくく光漏れを好適に防ぐことができる。また、このような素材を用いると、肌触りが良いことに加え、寒い季節などに装着した際に、使用者に冷たさを感じさせないため好ましい。緩衝部材８７５５または装着部８７５４などの、使用者の肌に触れる部材は、取り外し可能な構成とすると、クリーニングまたは交換が容易となるため好ましい。
　本実施の形態の電子機器は、さらに、イヤホン８７５４Ａを有していてもよい。イヤホン８７５４Ａは、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤホン８７５４Ａは、無線通信機能により、音声データを出力することができる。なおイヤホン８７５４Ａは、骨伝導イヤホンとして機能する振動機構を有していてもよい。
　またイヤホン８７５４Ａは、図２３Ｃに図示するイヤホン８７５４Ｂのように、装着部８７５４に直接接続、または有線接続されている構成とすることができる。また、イヤホン８７５４Ｂおよび装着部８７５４はマグネットを有していてもよい。これにより、イヤホン８７５４Ｂを装着部８７５４に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。
　イヤホン８７５４Ａはセンサ部を有してもよい。当該センサ部を用いて、当該電子機器の使用者の状態を推定することができる。
　また、本発明の一態様の電子機器は、上述した構成例のいずれか一に加えて、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、マイク、タッチセンサ、及び操作ボタンから選ばれた一つ以上を有してもよい。
　本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
　二次電池としては、例えば、リチウムイオン二次電池（例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池））、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、又は銀亜鉛電池が挙げられる。
　本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像、情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
　本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、又はそれ以上の画面解像度を有する映像を表示させることができる。
　なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を備える電子機器について説明する。
　以下で例示する電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を備えるものである。したがって、高い画面解像度が実現された電子機器である。
　例えば、後述する図２４Ｃのノート型情報端末５３００、図２４Ｆのテレビジョン装置９０００、図２４Ｇの自動車の車内の表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０４、及び図２４Ｈの電子看板６２００のそれぞれの表示部には、例えば、１２インチ以上の表示装置が用いられる場合がある。このため、上述した電子機器には、実施の形態１で説明した表示装置を適用することが好ましい。これにより、上述した電子機器は、高い画面解像度と、大きな画面が両立された電子機器とすることができる。
　また、後述する図２４Ａの情報端末５５００、図２４Ｂの情報端末５９００、図２４Ｄのカメラ８０００、及び図２４Ｅの携帯ゲーム機５２００のそれぞれの表示部には、複数の表示装置が作製された１枚の基板から切り出された表示装置を用いることができる。これにより、上述した電子機器は、高い画面解像度を有する電子機器とすることができる。
　本発明の一態様は、表示装置と、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、タッチセンサ、及び操作ボタンから選ばれた一つ以上を有する。
　本発明の一態様の電子機器は、実施の形態５で説明した二次電池を有していてもよい。また、当該二次電池は、非接触電力伝送を用いて、充電できることが好ましい。
　また、二次電池には、例えば、実施の形態５で説明した二次電池を適用することができる。
　本発明の一態様の電子機器は、実施の形態５で説明したアンテナを有していてもよい。
　本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、又はそれ以上の画面解像度を有する映像を表示させることができる。
　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、ノート型のパーソナルコンピュータ、モニタ装置、デジタルサイネージ、パチンコ機、及びゲーム機といった比較的大きな画面を備える電子機器が挙げられる。また比較的小さな画面を備える電子機器としては、例えば、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び音響再生装置が挙げられる。
　本発明の一態様が適用された電子機器は、建物（例えば、居宅、商業施設、及び工業施設）の内壁若しくは外壁の面（例えば、平面、又は曲面）、又は移動体（例えば、自動車、電車、船、及び飛行体）の内装若しくは外装の面（例えば、平面、又は曲面）に沿って組み込むことができる。
［携帯電話］
　図２４Ａに示す情報端末５５００は、情報端末の一種である携帯電話（スマートフォン）である。情報端末５５００は、筐体５５１０と、表示部５５１１と、を有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部５５１１に備えられ、ボタンが筐体５５１０に備えられている。
［ウェアラブル端末］
　図２４Ｂは、ウェアラブル端末の一例である情報端末５９００の外観を示す図である。情報端末５９００は、筐体５９０１、表示部５９０２、操作ボタン５９０３、竜頭５９０４、及びバンド５９０５を有する。
［情報端末］
　また、図２４Ｃには、ノート型情報端末５３００が図示されている。図２４Ｃに示すノート型情報端末５３００には、一例として、筐体５３３０ａに表示部５３３１、筐体５３３０ｂにキーボード部５３５０が備えられている。
　なお、上述では、電子機器としてスマートフォン、ウェアラブル端末、又はノート型情報端末を例として、それぞれ図２４Ａ乃至図２４Ｃに図示したが、スマートフォン、ウェアラブル端末、及びノート型情報端末以外の情報端末を適用することができる。スマートフォン、ウェアラブル端末、及びノート型情報端末以外の情報端末としては、例えば、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デスクトップ用情報端末、又はワークステーションが挙げられる。
［カメラ］
　図２４Ｄは、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。
　カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、及びシャッターボタン８００４を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。
　なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていてもよい。
　カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
　筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。
　ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、及びボタン８１０３を有する。
　筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合することにより、カメラ８０００に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像を表示部８１０２に表示させることができる。
　ボタン８１０３は、電源ボタンとしての機能を有する。
　カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ８０００であってもよい。
［ゲーム機］
　図２４Ｅは、ゲーム機の一例である携帯ゲーム機５２００の外観を示す図である。携帯ゲーム機５２００は、筐体５２０１、表示部５２０２、及びボタン５２０３を有する。
　また、携帯ゲーム機５２００の映像は、例えば、テレビジョン装置、パーソナルコンピュータ用ディスプレイ、ゲーム用ディスプレイ、及びヘッドマウントディスプレイといった表示装置によって、出力することができる。
　携帯ゲーム機５２００に上記実施の形態で説明した表示装置を適用することによって、低消費電力の携帯ゲーム機５２００を実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、及びモジュールへの影響を少なくすることができる。
　図２４Ｅでは、ゲーム機の一例として携帯ゲーム機を図示しているが、本発明の一態様の電子機器はこれに限定されない。本発明の一態様の電子機器としては、例えば、据え置き型ゲーム機、娯楽施設（例えば、ゲームセンター、又は遊園地）に設置されるアーケードゲーム機、及びスポーツ施設に設置されるバッティング練習用の投球マシンが挙げられる。
＜テレビジョン装置＞
　図２４Ｆは、テレビジョン装置を示す斜視図である。テレビジョン装置９０００は、筐体９００２、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、及びセンサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有する。本発明の一態様の記憶装置は、テレビジョン装置に備えることができる。テレビジョン装置は、例えば、５０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。
　テレビジョン装置９０００に上記実施の形態で説明した表示装置を適用することによって、低消費電力のテレビジョン装置９０００を実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、及びモジュールへの影響を少なくすることができる。
＜移動体＞
　本発明の一態様の表示装置は、移動体である自動車の運転席周辺に適用することもできる。
　図２４Ｇは、自動車の室内におけるフロントガラス周辺を表す図である。図２４Ｇでは、ダッシュボードに取り付けられた表示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けられた表示パネル５７０４を図示している。
　表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、例えば、ナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、燃料計、ギア状態、及び空調の設定などを表示することで、様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目及びレイアウトは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能である。
　表示パネル５７０４には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることもできる。
　本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０４に適用できる。
　なお、上述では、移動体の一例として自動車について説明しているが、移動体は自動車に限定されない。例えば、移動体としては、電車、モノレール、船、飛行体（例えば、ヘリコプター、無人航空機（ドローン）、飛行機、又はロケット）も挙げることができ、これらの移動体に本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
［電子看板］
　図２４Ｈは、壁に取り付けが可能な電子看板（デジタルサイネージ）の例を示している。図２４Ｈは、電子看板６２００が壁６２０１に取り付けられている様子を示している。本発明の一態様の表示装置は、例えば、電子看板６２００の表示部に適用することができる。また、電子看板６２００には、タッチパネルなどのインターフェースなどが設けられていてもよい。
　なお、上述では、電子看板の一例として、壁に取り付けが可能な電子機器の例を示しているが、電子看板の種類はこれに限定されない。例えば、電子看板としては、柱に取り付けるタイプ、地面に置くスタンドタイプ、ビルなどの建築物の屋上又は側壁に設置するタイプなどが挙げられる。
　なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
ＤＳＰ：表示装置、ＰＸＡＬ：画素層、ＥＭＬ：層、ＯＳＬ：層、ＳＩＣＬ：回路層、ＢＳ：基板、ＤＲＶ：駆動回路領域、ＬＩＡ：領域、ＤＩＳ：表示部、ＡＲＡ［１，１］：表示領域、ＡＲＡ［２，１］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ−１，１］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ，１］：表示領域、ＡＲＡ［１，２］：表示領域、ＡＲＡ［２，２］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ−１，２］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ，２］：表示領域、ＡＲＡ［１，ｎ−１］：表示領域、ＡＲＡ［２，ｎ−１］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ−１，ｎ−１］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ，ｎ−１］：表示領域、ＡＲＡ［１，ｎ］：表示領域、ＡＲＡ［２，ｎ］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ−１，ｎ］：表示領域、ＡＲＡ［ｍ，ｎ］：表示領域、ＡＲＤ［１，１］：回路領域、ＡＲＤ［２，１］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ−１，１］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ，１］：回路領域、ＡＲＤ［１，２］：回路領域、ＡＲＤ［２，２］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ−１，２］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ，２］：回路領域、ＡＲＤ［１，ｎ−１］：回路領域、ＡＲＤ［２，ｎ−１］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ−１，ｎ−１］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ，ｎ−１］：回路領域、ＡＲＤ［１，ｎ］：回路領域、ＡＲＤ［２，ｎ］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ−１，ｎ］：回路領域、ＡＲＤ［ｍ，ｎ］：回路領域、ＰＲＰＨ：制御回路、ＳＤ：駆動回路、ＳＤＳ：回路、ＧＤ：駆動回路、ＧＤＳ：回路、ＤＭＧ：分配回路、ＤＭＳ：分配回路、ＣＴＲ：制御部、ＭＤ：記憶装置、ＰＧ：電圧生成回路、ＴＭＣ：タイミングコントローラ、ＣＫＳ：クロック信号生成回路、ＧＰＳ：画像処理部、ＩＮＴ：インターフェース、ＢＷ：バス配線、ＰＸ：画素、ＧＬ：配線、ＧＬ１：配線、ＧＬ２：配線、ＧＬ３：配線、ＳＬ：配線、ＡＮＯ：配線、ＶＣＯＭ：配線、Ｖ０：配線、３０：駆動回路、７０Ａ：画素、７０Ｂ：画素、８０：画素、８０ａ：副画素、８０ｂ：副画素、８０ｃ：副画素、８０ｄ：副画素、１０３：絶縁体、１０４：導電体、１０５：絶縁体、１０６：導電体、１０７：接着層、１１０：基板、１１２ａ：導電体、１１２ｂ：導電体、１１２ｃ：導電体、１１３ａ：第１の層、１１３ｂ：第２の層、１１３ｃ：第３の層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１８ａ：マスク層、１２５：絶縁体、１２７：絶縁体、１２６ａ：導電体、１２６ｂ：導電体、１２６ｃ：導電体、１２８：層、１２９ａ：導電体、１２９ｂ：導電体、１２９ｃ：導電体、１３０Ｒ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｂ：発光デバイス、１３１：保護層、１３１ａ：保護層、１３１ｂ：保護層、１３１ｃ：保護層、１４７：樹脂層、１６６ａ：着色層、１６６ｂ：着色層、１６６ｃ：着色層、２００：トランジスタ、２００Ａ：トランジスタ、２００Ｂ：トランジスタ、２００Ｃ：トランジスタ、２００Ｄ：トランジスタ、２１１：絶縁体、２１３：絶縁体、２１４：絶縁体、２１５：絶縁体、２１８：絶縁体、２２１：導電体、２２２ａ：導電体、２２２ｂ：導電体、２２３：導電体、２２５：絶縁体、２３１：半導体層、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１ｉ：チャネル形成領域、３００：トランジスタ、３１０：基板、３１１：絶縁体、３１２：絶縁体、３１３：絶縁体、３１４：絶縁体、３１６：導電体、３１７：導電体、３１８：半導体層、３１８ｉ：半導体領域、３１８ｐ：低抵抗領域、３１９：導電体、３２０：絶縁体、３２２：絶縁体、３２４：絶縁体、４００：画素回路、４００Ａ：画素回路、４００Ｂ：画素回路、４００Ｃ：画素回路、４００Ｄ：画素回路、４００Ｅ：画素回路、４００Ｆ：画素回路、４００Ｇ：画素回路、４００Ｈ：画素回路、６００：容量、６００Ａ：容量、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１：発光層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７２：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７３：発光層、７８０：層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０：層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９１：層、７９２：層、１０００：表示装置、１０００Ａ：表示装置、１０００Ｂ：表示装置、１０００Ｃ：表示装置、１２８０：表示モジュール、１２８１：表示部、１２９０：ＦＰＣ、１２８２：回路部、１２８３：画素回路部、１２８３ａ：画素回路、１２８４：画素部、１２８４ａ：画素、１２８５：端子部、１２８６：配線部、１２９１：基板、１２９２：基板、１４３０ａ：発光デバイス、１４３０ｂ：発光デバイス、１４３０ｃ：発光デバイス、５２００：携帯ゲーム機、５２０１：筐体、５２０２：表示部、５２０３：ボタン、５３００：ノート型情報端末、５３３０ａ：筐体、５３３０ｂ：筐体、５３３１：表示部、５３５０：キーボード部、５５００：情報端末、５５１０：筐体、５５１１：表示部、５７０１：表示パネル、５７０２：表示パネル、５７０３：表示パネル、５７０４：表示パネル、５９００：情報端末、５９０１：筐体、５９０２：表示部、５９０３：操作ボタン、５９０４：竜頭、５９０５：バンド、６２００：電子看板、６２０１：壁、８０００：カメラ、８００１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１０３：ボタン、８２００：電子機器、８２０１：装着部、８２０２：レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ、８３００：電子機器、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０３：操作ボタン、８３０４：固定具、８３０４ａ：固定具、８３０５：レンズ、８３１０：ユーザ、８３１１：ユーザ、８７５０：電子機器、８７５１：表示装置、８７５２：筐体、８７５４：装着部、８７５４Ａ：イヤホン、８７５４Ｂ：イヤホン、８７５５：緩衝部材、８７５６：レンズ、８７５７：入力端子、８７５８：出力端子、９０００：テレビジョン装置、９００１：表示部、９００２：筐体、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ

Claims (5)

  1. 　第１層と、前記第１層の上方に位置する第２層と、を有し、
    　前記第１層は、基板と、複数の回路領域を有し、
    　前記第２層は、複数の表示領域を有し、
    　前記複数の回路領域のそれぞれは、駆動回路を有し、
    　前記駆動回路は、チャネル形成領域に低温ポリシリコンを含むトランジスタを有し、
    　前記複数の表示領域のそれぞれは、表示画素を有し、
    　前記表示画素は、チャネル形成領域に金属酸化物を含むトランジスタと、発光デバイスと、を有し、
    　前記複数の回路領域の一に含まれる前記駆動回路は、前記複数の表示領域の一に含まれる前記表示画素を駆動させる機能を有し、
    　前記複数の表示領域のうちの少なくとも二に、互いに異なるフレーム周波数で画像を表示させる機能を有する、
    　表示装置。
  2. 　請求項１において、
    　前記複数の回路領域の一と、前記複数の表示領域の一と、は、平面視において、互いに重なる領域に位置する、
    　表示装置。
  3. 　請求項１、又は請求項２において、
    　前記第１層と、前記第２層と、の間に、前記基板に対して垂直な方向に配線が延設されており、
    　前記配線は、前記表示画素と、前記駆動回路と、に電気的に接続されている、
    　表示装置。
  4. 　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    　前記基板は、ガラス基板である、
    　表示装置。
  5. 　請求項１乃至請求項４のいずれか一の表示装置と、筐体と、を有する、
    　電子機器。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001202053A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置及び情報携帯端末
JP2013225620A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、表示装置の作製方法および電子機器
JP2015194577A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2018022143A (ja) * 2016-07-22 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
JP2018025777A (ja) * 2016-08-03 2018-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US20200193900A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-18 Au Optronics Corporation Display panel
US20200203382A1 (en) * 2018-12-19 2020-06-25 Lg Display Co., Ltd. Display panel and display device
US20210193067A1 (en) * 2019-09-11 2021-06-24 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display apparatus and driving method thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001202053A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置及び情報携帯端末
JP2013225620A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、表示装置の作製方法および電子機器
JP2015194577A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2018022143A (ja) * 2016-07-22 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
JP2018025777A (ja) * 2016-08-03 2018-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US20200193900A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-18 Au Optronics Corporation Display panel
US20200203382A1 (en) * 2018-12-19 2020-06-25 Lg Display Co., Ltd. Display panel and display device
US20210193067A1 (en) * 2019-09-11 2021-06-24 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display apparatus and driving method thereof

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