WO2023057851A1

WO2023057851A1 - 表示装置、及び表示装置の作製方法

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Publication number: WO2023057851A1
Application number: PCT/IB2022/059070
Authority: WO
Inventors: 山崎舜平; 方堂涼太; 柳澤悠一
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-10-07
Filing date: 2022-09-26
Publication date: 2023-04-13
Also published as: CN118160411A; JPWO2023057851A1; KR20240093503A

Abstract

表示品位の高い表示装置を提供する。第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、絶縁層と、を有する表示装置とする。第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、を有する。第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２のＥＬ層と、共通電極と、を有する。絶縁層は、開口を有し、第１の画素電極の側面と接する第１の面と、第１の面と対向する第２の面と、第１のＥＬ層の下面と接する第３の面と、を有する。第３の面、及び第１の画素電極の上面の高さが、互いに一致または概略一致する領域を有する。断面視において、第２の面と第３の面がなす角は、８０度以上１１０度以下である。第１のＥＬ層は、第２のＥＬ層と同じ材料を有する。第１のＥＬ層は、第２のＥＬ層と分離されている。

Description

表示装置、及び表示装置の作製方法

　本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野として、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途として、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。

　近年、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）に適用可能な表示装置が求められている。ＶＲ、ＡＲ、ＳＲ、及びＭＲは総称してｘＲ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）とも呼ばれる。ｘＲ向けの表示装置は、現実感、及び没入感を高めるために、精細度の高いこと、及び色再現性の高いことが望まれている。

　表示装置として、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

　特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。

　本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、絶縁層と、を有する表示装置である。第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有する。第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有する。絶縁層は、開口を有する。絶縁層は、第１の画素電極の側面と接する第１の面と、第１の面と対向する第２の面と、第１のＥＬ層の下面と接する第３の面と、第２の画素電極の側面と接する第４の面と、第４の面と対向する第５の面と、第２のＥＬ層の下面と接する第６の面と、を有する。第３の面の高さ、第６の面の高さ、第１の画素電極の上面の高さ、及び第２の画素電極の上面の高さが、互いに一致または概略一致する領域を有する。断面視において、第２の面と第３の面がなす角は、８０°以上１１０°以下である。第１のＥＬ層は、第２のＥＬ層と同じ材料を有する。第１のＥＬ層は、第２のＥＬ層と分離されている。

　前述の表示装置において、第１のＥＬ層の膜厚に対する、開口の深さの比は、０．５以上１０．０以下であることが好ましい。

　前述の表示装置において、開口の幅は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の着色層と、第２の着色層と、を有することが好ましい。第１の着色層は、第１の発光デバイスと重畳する領域を有することが好ましい。第２の着色層は、第２の発光デバイスと重畳する領域を有することが好ましい。第２の着色層が透過する光は、第１の着色層が透過する光より短波長であることが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の導電層と、第２の導電層と、を有することが好ましい。第１の導電層及び第２の導電層はそれぞれ、可視光を透過することが好ましい。第１の導電層は、第１の画素電極と第１のＥＬ層に挟持されることが好ましい。第２の導電層は、第２の画素電極と第２のＥＬ層に挟持されることが好ましい。第２の導電層の膜厚は、第１の導電層の膜厚より薄いことが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の導電層の側面は、第２の面と揃っている、または概略揃っていることが好ましい。第２の導電層の側面は、第５の面と揃っている、または概略揃っていることが好ましい。

　本発明の一態様は、第１の画素電極、及び第２の画素電極を形成し、第１の画素電極、及び第２の画素電極の上面及び側面を覆う絶縁膜を形成し、絶縁膜の一部を除去し、第１の画素電極の上面の高さ、及び第２の画素電極の上面の高さと互いに高さが一致または概略一致する絶縁層を形成し、絶縁層に開口を形成し、第１の画素電極上に第１のＥＬ層を形成するとともに、第２の画素電極上に第１のＥＬ層と分離する第２のＥＬ層を形成し、第１のＥＬ層上、及び第２のＥＬ層上に共通電極を形成する表示装置の作製方法である。絶縁層は、第１の画素電極の側面と接する第１の面と、第１の面と対向する第２の面と、第１のＥＬ層の下面と接する第３の面と、を有する。絶縁層は、第３の面の高さが第１の画素電極の上面の高さと一致または概略一致する領域を有する。断面視において、第２の面と第３の面がなす角は、８０°以上１１０°以下である。第１のＥＬ層は、第２のＥＬ層と同じ材料を有する。

　本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。

　本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｇは、画素の一例を示す図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｋは、画素の一例を示す図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２４は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２５Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２５Ｂ及び図２５Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３０Ａ乃至図３０Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３１Ａ乃至図３１Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

　「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

　本明細書等において、発光デバイス（発光素子ともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）として、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及びキャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微小な曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図１４を用いて説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、複数の画素を有し、各画素は、複数の副画素を有する。本発明の一態様の表示装置では、各副画素が、発光デバイスと、着色層と、を有する。各発光デバイスは、同じ材料を含むＥＬ層を有する。着色層は、発光デバイスと重畳する領域に設けられる。副画素によって、異なる色の可視光を透過する着色層を設けることで、表示装置はフルカラー表示を行うことができる。

　同じ構成のＥＬ層を有する発光デバイスを用いる場合、発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば、発光層）を、複数の副画素で共通にすることができる。そのため、複数の副画素が一続きの膜を共有することができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層には、比較的導電性が高い層がある。複数の副画素が、導電性が高い層を一続きの膜として共有することで、副画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示装置が高精細化または高開口率化され、副画素間の距離が小さくなると、当該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下などを引き起こす恐れがある。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスごとに島状のＥＬ層を有する。ＥＬ層が発光デバイスごとに分離されていることで、隣り合う副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。これにより、表示装置の高い精細度と高い表示品位の両立を図ることができる。

　本明細書等において、島状とは、同じ材料を用いて同じ工程で形成された２以上の層が、物理的に分離されていることを示す。例えば、島状のＥＬ層とは、当該ＥＬ層と、隣り合うＥＬ層が、物理的に分離されていることを示す。

　例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状のＥＬ層を成膜することができる。しかし、この方法ではメタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状のＥＬ層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の精細度を高めること、及び開口率を高めることが困難である。また、蒸着の際に層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、メタルマスクを用いて形成した島状のＥＬ層は厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、島状のＥＬ層を形成する。具体的には、画素電極間に絶縁層を設け、当該絶縁層に開口を形成した後に、複数の画素電極にわたってＥＬ層を成膜する。ＥＬ層を成膜する際、当該開口による段差によってＥＬ層は島状に分離され、１つの画素電極に対して１つの島状のＥＬ層が形成される。つまり、副画素ごとに島状のＥＬ層を形成することができる。

　ＥＬ層を島状に形成することで、発光層以外の機能層（例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、または、キャリアブロック層、より具体的には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層など）も島状に形成される。機能層を島状に加工することで、隣り合う副画素の間に生じうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、またはラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を低減することが可能となる。例えば、隣り合う副画素間で正孔注入層を共通して用いる場合、当該正孔注入層に起因して、横リーク電流が発生しうる。一方で本発明の一態様の表示装置においては、正孔注入層を島状に加工することができるため、隣り合う副画素間での横リーク電流は、実質的に発生しない、または横リーク電流を極めて小さくすることが出来る。

　ここで、ＥＬ層を成膜した後に行われる各工程が、ＥＬ層の耐熱温度よりも高い温度で行われると、ＥＬ層の劣化が進み、発光デバイスの発光効率及び信頼性が低下する恐れがある。

　そのため、本発明の一態様において、発光デバイスに含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がより好ましい。

　耐熱温度の指標として、例えば、ガラス転移点（Ｔｇ）、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。例えば、ＥＬ層を構成する各層の耐熱温度の指標として、当該層が有する材料のガラス転移点を用いることができる。また、当該層が複数の材料からなる混合層の場合、例えば、最も多く含まれる材料のガラス転移点を用いることができる。また、当該複数の材料のガラス転移点のうち最も低い温度を用いてもよい。

　特に、発光層上に設けられる機能層の耐熱温度を高くすることが好ましい。また、発光層上に接して設けられる機能層の耐熱温度を高くすることがより好ましい。当該機能層の耐熱性が高いことで、発光層を効果的に保護することが可能となり、発光層が受けるダメージを低減することができる。

　特に、発光層の耐熱温度を高くすることが好ましい。これにより、加熱により発光層がダメージを受けて発光効率が低下すること、及び、寿命が短くなることを抑制できる。

　発光デバイスの耐熱温度を高めることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、表示装置の作製工程における温度範囲の幅を広くすることができ、製造歩留まりの向上及び信頼性の向上が可能となる。

　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、説明する。

＜構成例１＞
本発明の一態様である表示装置１００の上面図を、図１Ａに示す。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。画素１１０はそれぞれ、複数の副画素を有する。図１Ａは、２行２列の画素１１０を示している。また、それぞれの画素１１０が３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ）を有する構成として、２行６列分の副画素を示している。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

　副画素はそれぞれ、発光デバイスを有する。図１Ａに示す副画素の平面視における形状（以下、上面形状とも記す）は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。副画素の上面形状は、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形とすることができる。

　副画素はそれぞれ、発光デバイスを制御する機能を有する画素回路を有する。画素回路は、図１Ａに示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。例えば、副画素１１０ａの画素回路が有するトランジスタは、図１Ａに示す副画素１１０ｂの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１０ａの範囲外に位置してもよい。

　図１Ａでは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率を等しく（サイズを等しく、発光領域のサイズを等しくともいえる）、または概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率はそれぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しい、または概略等しくてもよい。

　図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの、３つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ異なる色の光を呈する。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃとして、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の副画素、黄（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の色の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４色の副画素として、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外（ＩＲ）の４色の副画素が挙げられる。

　本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図１Ａ参照）。図１Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

　図１Ａでは、上面視で、接続部１４０が表示部の片側に位置する例を示すが、接続部の位置は特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状は特に限定されず、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、及び一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を、図１Ｂに示す。図１Ｂに示す断面図の一部の拡大図を、図２に示す。ここでは、副画素１１０ａから赤色の光が射出され、副画素１１０ｂから緑色の光が射出され、副画素１１０ｃから青色の光が射出される構成を例に挙げて、説明する。

　副画素１１０ａは、発光デバイス１３０ａと、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒと、を有する。これにより、発光デバイス１３０ａの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置の外部に赤色の光として取り出される。

　同様に、副画素１１０ｂは、発光デバイス１３０ｂと、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇと、を有する。これにより、発光デバイス１３０ｂの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置の外部に緑色の光として取り出される。

　副画素１１０ｃは、発光デバイス１３０ｃと、青色の光を透過する着色層１３２Ｂと、を有する。これにより、発光デバイス１３０ｃの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置の外部に青色の光として取り出される。

　なお、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃに共通する事項を説明する場合には、これらを区別するアルファベットを省略し、発光デバイス１３０と記す場合がある。同様に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

　図１Ｂに示すように、表示装置１００は、層１０１上に絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃが設けられ、これらの発光デバイス１３０を覆うように保護層１３１が設けられる。保護層１３１上には、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂが設けられ、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス１３０の間に、絶縁層１８１が設けられている。

　白色の光が射出される副画素を設ける場合は、白色の光を透過する着色層を設ける構成、または着色層を設けない構成とすればよい。

　層１０１は、発光デバイス１３０を制御する機能を有する画素回路を含むことが好ましい。画素回路は、例えば、トランジスタ、容量素子、及び配線を有する構成とすることができる。なお、層１０１は画素回路に加えて、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、及びソース線駆動回路（ソースドライバ）の一方または双方を有してもよい。さらに、演算回路、及び記憶回路の一方または双方を有してもよい。

　層１０１は、半導体基板または絶縁性基板上に画素回路が設けられた構成とすることができる。半導体基板として、シリコンまたは炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、またはＳＯＩ基板などを用いることができる。絶縁性基板として、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、または有機樹脂基板を用いることができる。なお、半導体基板、及び絶縁性基板の形状は円形であってもよく、角形であってもよい。半導体基板、及び絶縁性基板は、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。

　層１０１は、例えば、複数のトランジスタが設けられた基板と、これらのトランジスタを覆う絶縁層との積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図１Ｂでは、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。これらの絶縁層は、隣り合う発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。図１Ｂ等では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。なお、絶縁層２５５ｃは、隣り合う発光デバイスの間に凹部を有していなくてもよい。なお、トランジスタ上の絶縁層（絶縁層２５５ａ乃至絶縁層２５５ｃ）も、トランジスタを含む層１０１の一部とみなすことができる。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃはそれぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃはそれぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃは酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂは窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　発光デバイス１３０は、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイス１３０が有する発光物質として、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、及び熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。ＥＬ素子が有する発光物質として、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。また、発光デバイス１３０として、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　発光デバイス１３０の発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイス１３０にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　発光デバイス１３０が有する一対の電極のうち、光を取り出す側の電極には可視光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には可視光を反射する導電膜を用いることができる。なお、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、可視光を反射する導電膜と、ＥＬ層との間に可視光を透過する導電膜を配置することが好ましい。

　発光デバイス１３０が有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。

　発光デバイス１３０ａは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｂは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｃは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。

　本発明の一態様である表示装置は、発光デバイス１３０ごとに島状に設けられたＥＬ層１１３を有する。具体的には、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃはそれぞれ、ＥＬ層１１３を有し、各ＥＬ層１１３は互いに接する領域を有さず、分離している。発光デバイス１３０ごとにＥＬ層１１３を島状に設けることで、隣り合う発光デバイス１３０間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

　各ＥＬ層１１３は、同じ材料を用いて同じ工程で形成することができる。発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃにおいて、ＥＬ層１１３が同じ構成であることで、表示装置の作製工程を削減することができ、製造コストの低減、及び製造歩留まりの向上が可能となる。

　図２に示すように、隣り合う発光デバイス１３０の間に設けられる絶縁層１８１は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面、並びに絶縁層２５５ｃの上面と接する領域を有する。画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面を絶縁層１８１で覆うことで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃと共通電極１１５が接することを抑制できるため、発光デバイス１３０のショートを抑制することができる。これにより、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。また、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面を絶縁層１８１で覆うことで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃを介して発光デバイス１３０に不純物（代表的には、水及び酸素）が拡散することを抑制できる。

　図１Ｂでは絶縁層１８１の断面が複数示されているが、上面視において、絶縁層１８１は１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば、絶縁層１８１を１つ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１８１を有してもよい。

　絶縁層１８１の上面は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの上面の高さと揃っている、または概略揃っている。ＥＬ層１１３は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの上面、並びに絶縁層１８１の上面を覆って設けられる。また、絶縁層１８１は、開口１８７を有する。なお、図１Ｂ及び図２等に示すように、断面視において、開口１８７は凹状であればよい。図４Ｂ等に示すように、開口１８７において、絶縁層１８１以外の層（例えば、絶縁層２５５ｂ）が露出してもよい。開口１８７において、ＥＬ層１１３は、絶縁層１８１の側面と接する領域を有してもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、ＥＬ層１１３の被形成面である画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの上面、並びに絶縁層１８１の上面及び側面に、ＥＬ層１１３が形成されない領域を有する。当該領域は段切れ領域と呼ぶことができる。図２は、絶縁層１８１の側面の一部、及び上面の一部にＥＬ層１１３が形成されない領域（段切れ領域）が設けられる構成を示している。ＥＬ層１１３の形成の際、ＥＬ層１１３の被形成面は、開口１８７により生じる段差を有する。当該段差によってＥＬ層１１３の被覆性が低くなり、ＥＬ層１１３の段切れ領域を設けることができる。

　絶縁層１８１の形状について、図２に示す画素電極１１１ｂと画素電極１１１ｃの間の領域を例に挙げて説明する。画素電極１１１ｂと画素電極１１１ｃの間において、絶縁層１８１は、画素電極１１１ｂの側面と接する第１の面と、第１の面と対向する第２の面と、画素電極１１１ｂ上のＥＬ層１１３の下面と接する第３の面と、を有する。また、絶縁層１８１は、画素電極１１１ｃの側面と接する第４の面と、第４の面と対向する第５の面と、画素電極１１１ｃ上のＥＬ層１１３の下面と接する第６の面と、を有する。本発明の一態様である表示装置は、第３の面の高さ、第６の面の高さ、画素電極１１１ｂの上面の高さ、及び画素電極１１１ｃの上面の高さが、互いに一致または概略一致する領域を有する。なお、ここでは、画素電極１１１ｂと画素電極１１１ｃの間に位置する絶縁層１８１について説明したが、他の画素電極１１１間に位置する絶縁層１８１も同様である。例えば、画素電極１１１ａと画素電極１１１ｂの間に位置する絶縁層１８１も前述の記載を参照できる。

　なお、第２の面、及び第５の面を、開口１８７の側面と記す場合がある。

　開口１８７の上部において、開口１８７の側面と絶縁層１８１の上面がなす角θ１は、垂直または概略垂直であることが好ましい。角θ１は、開口１８７の上部において、絶縁層１８１の側面と上面がなす角ともいえる。角θ１の値が大きいと、ＥＬ層１１３の形成時の被覆性が高まり、ＥＬ層１１３の段切れ領域が設けられない恐れがある。一方、角θ１が小さいと、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面と重畳する領域の絶縁層１８１の幅が狭くなり、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面が露出してしまう恐れがある。角θ１は、８０°以上１１０°以下が好ましく、さらには８０°以上１００°以下が好ましく、さらには８５°以上１００°以下が好ましく、さらには８５°以上９５°以下が好ましい。角θ１を前述の範囲とすることで、ＥＬ層１１３の段切れ領域を設けるとともに、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面が露出してしまうことを抑制することができる。角θ１は、第２の面と第３の面がなす角、または第５の面と第６の面がなす角とも言える。図２等では、第２の面と第３の面がなす角θ１を代表して示している。

　開口１８７の底部において、開口１８７の側面と絶縁層１８１の上面がなす角θ２は、垂直または概略垂直であることが好ましい。角θ２は、開口１８７の底部において、絶縁層１８１の側面と上面がなす角ともいえる。角θ２が大きいと、ＥＬ層１１３の形成時の被覆性が高まり、ＥＬ層１１３の段切れ領域が設けられない恐れがある。一方、角θ２が小さいと、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面と重畳する領域の絶縁層１８１の幅が狭くなり、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面が露出してしまう恐れがある。角θ２は、８０°以上１１０°以下が好ましく、さらには８０°以上１００°以下が好ましく、さらには８５°以上１００°以下が好ましく、さらには８５°以上９５°以下が好ましい。角θ２を前述の範囲とすることで、ＥＬ層１１３の段切れ領域を設けるとともに、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの側面が露出してしまうことを抑制することができる。

　角θ１は前述の範囲であることが好ましいが、図３Ａに示すように、絶縁層１８１の上端部の角が丸くなる場合がある。絶縁層１８１の上端部の角が丸くなる場合は、例えば、図３Ｂに示すように、絶縁層１８１の上面に接する接線と、画素電極１１１と接しない絶縁層１８１の側面に接する接線によって角θ１を規定することができる。角θ２も同様に、絶縁層１８１の上面に接する接線と、絶縁層２５５ｃと接しない絶縁層１８１の側面に接する接線によって規定することができる。

　開口１８７内に、有機層１１９が設けられてもよい。有機層１１９は、ＥＬ層１１３の形成時に、ＥＬ層１１３の材料が開口１８７内に到達することで形成される。つまり、有機層１１９は、ＥＬ層１１３と同じ材料を用いて同じ工程で形成される。図２は、開口１８７の底部において、有機層１１９が絶縁層１８１上に設けられる例を示している。開口１８７の底部は有機層１１９で覆われてもよく、または絶縁層１８１が露出してもよい。

　有機層１１９は、ＥＬ層１１３と接する領域を有さないことが好ましい。有機層１１９がＥＬ層１１３と接する領域を有すると、有機層１１９を介して隣り合う発光デバイス１３０が有するＥＬ層１１３が繋がり、リーク電流が発生してしまう恐れがある。また、有機層１１９は、絶縁層１８１の側面と接する領域を有さないことが好ましい。有機層１１９が絶縁層１８１の側面と接する領域を有すると、有機層１１９を介して隣り合う発光デバイス１３０が有するＥＬ層１１３が繋がってしまう恐れがある。開口１８７において、絶縁層１８１は、ＥＬ層１１３及び有機層１１９のいずれとも接しない領域を有することが好ましい。

　ここで、絶縁層１８１に用いることができる材料について、説明する。

　絶縁層１８１は、無機材料を用いることができる。絶縁層１８１は、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、または窒化酸化物の一または複数を用いることができる。絶縁層１８１は単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。酸化物として、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、及び酸化タンタルが挙げられる。窒化物として、窒化シリコン、及び窒化アルミニウムが挙げられる。酸化窒化物として、酸化窒化シリコン、及び酸化窒化アルミニウムが挙げられる。窒化酸化物として、窒化酸化シリコン、及び窒化酸化アルミニウムが挙げられる。特に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、または酸化シリコンを絶縁層１８１に適用することで、ピンホールが少なく、画素電極１１１を保護する機能に優れた絶縁層１８１を形成することができる。また、絶縁層１８１は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜との積層構造としてもよい。絶縁層１８１は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜との積層構造であってもよい。

　絶縁層１８１は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１８１は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１８１は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

　絶縁層１８１が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素）の侵入を抑制することが可能となる。不純物の侵入を抑制することで、例えば、画素電極１１１が酸化され、抵抗が高くなってしまうことを抑制できる。また、画素電極１１１を介してＥＬ層１１３に不純物が拡散することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光デバイス、さらには信頼性の高い表示装置とすることができる。

　絶縁層１８１は不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１８１から画素電極１１１を介してＥＬ層１１３に不純物が拡散し、ＥＬ層１１３が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１８１の不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対する絶縁層１８１のバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１８１は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

　なお、絶縁層１８１は、絶縁層２５５ｃに用いることができる材料を用いることができる。例えば、絶縁層１８１と絶縁層２５５ｃには同じ材料を用いることができる。この場合、絶縁層１８１と絶縁層２５５ｃの境界が不明瞭となり区別できず、１つの層として確認される場合がある。

　開口１８７において、ＥＬ層１１３及び有機層１１９のいずれも設けられない領域には、空隙１８３が設けられてもよい。空隙１８３は、例えば、空気、窒素、酸素、二酸化炭素、及び第１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等）の中から選ばれるいずれか一または複数を有する。空隙１８３は、例えば、共通電極１１５の成膜に用いる気体が含まれる場合がある。例えば、アルゴンを用いたスパッタリング法により共通電極１１５を成膜する場合、空隙１８３はアルゴンを含む場合がある。空隙１８３に気体が含まれる場合、例えば、ガスクロマトグラフィー法により気体の同定を行うことができる。なお、空隙１８３が設けられる領域の上端は、開口１８７よりも高い位置にあってもよい。

　開口１８７の深さＴ１が浅いと、ＥＬ層１１３の被形成面の段差が小さくなり、隣り合う発光デバイス１３０が有するＥＬ層１１３が繋がってしまう場合がある。一方、開口１８７の深さＴ２が深いと、開口１８７の形成に時間を要し、生産性が低くなってしまう場合がある。ＥＬ層１１３の膜厚Ｔ２に対する、開口１８７の深さＴ１の比（Ｔ１／Ｔ２）は０．５以上１０．０以下が好ましく、さらには０．５以上５．０以下が好ましく、さらには０．５以上３．０以下が好ましく、さらには０．８以上３．０以下が好ましく、さらには１．０以上３．０以下が好ましく、さらには１．５以上３．０以下が好ましく、さらには１．５以上２．０以下が好ましい。ＥＬ層１１３の膜厚Ｔ２に対する、開口１８７の深さＴ１の比（Ｔ１／Ｔ２）を前述の範囲とすることで、生産性高く、島状のＥＬ層１１３を有する表示装置を作製することができる。なお、開口１８７の深さＴ１は、断面視において、絶縁層１８１の最も高い上面の位置と、最も低い位置の上面との差を指す。ＥＬ層１１３の膜厚Ｔ２は、断面視において、画素電極１１１と重畳する領域におけるＥＬ層１１３の上面の位置と下面の位置との差を指す。

　開口１８７の幅Ｗ１が狭いと、有機層１１９とＥＬ層１１３が接し、有機層１１９を介して隣り合う発光デバイス１３０が有するＥＬ層１１３が繋がってしまう場合がある。一方、開口１８７の幅Ｗ１が広いと、発光デバイス１３０間の距離が大きくなり、表示装置の精細度、および開口率が低くなってしまう場合がある。また、開口１８７の幅Ｗ１が広いと、共通電極１１５の段切れによる接続不良、または共通電極１１５が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇してしまうことを抑制することができる。開口１８７の幅Ｗ１は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、さらには５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、さらには１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、さらには１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、さらには１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、さらには１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。なお、開口１８７の幅Ｗ１は、断面視において、開口１８７内で対向する絶縁層１８１の側面間の距離の中で最も短い距離を指す。

　図２等に示すように、ＥＬ層１１３の端部は開口１８７と重畳する領域に位置する場合がある。つまり、隣り合うＥＬ層１１３の端部間の距離Ｗ２は、開口１８７の幅Ｗ１より小さくなる場合がある。距離Ｗ２より、共通電極１１５の膜厚Ｔ３が大きいことが好ましい。なお、ＥＬ層１１３の端部間の距離Ｗ２は、ＥＬ層１１３の最も外側に位置する端部と、隣り合うＥＬ層１１３の最も外側に位置する端部との距離を指す。また、共通電極１１５の膜厚Ｔ３は、断面視において、画素電極１１１と重畳する領域における共通電極１１５の上面の位置と下面の位置との差を指す。なお、開口１８７の上部において、ＥＬ層１１３の端部が絶縁層１８１上に位置してもよい。また、ＥＬ層１１３の端部が画素電極１１１上に位置してもよい。つまり、隣り合うＥＬ層１１３の端部間の距離Ｗ２が、開口１８７の幅Ｗ１と等しい、または幅Ｗ１より大きくなってもよい。

　前述の角θ１、角θ２、深さＴ１、膜厚Ｔ２、膜厚Ｔ３、幅Ｗ１、及び距離Ｗ２はそれぞれ、例えば、発光デバイス１３０の断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）像、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像、または走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）像により測定できる。

　図１Ｂ等では、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３の端部がそれぞれ、垂直、または概略垂直である例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３の端部はそれぞれ、テーパ形状を有してもよい。具体的には、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３の端部はそれぞれ、テーパ形状を有してもよい。

　図１Ｂ等に示すように、本発明の一態様である表示装置は、画素電極１１１とＥＬ層１１３との間には、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイス１３０の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

　画素電極１１１とＥＬ層１１３との間に、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極１１１とＥＬ層１１３との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層１１３からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

　発光デバイス１３０は、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用してもよく、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用してもよい。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。

　ＥＬ層１１３は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層１１３は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

　例えば、ＥＬ層１１３は、青色の光を発する発光材料と、青色よりも長波長の可視光を発する発光材料と、を有することができる。例えば、ＥＬ層１１３は、青色の光を発する発光材料と、黄色の光を発する発光材料と、を有する構成、または、青色の光を発する発光材料と、緑色の光を発する発光材料と、赤色の光を発する発光材料と、を有する構成などを適用することができる。

　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃは、例えば、黄色（Ｙ）の光を発する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光層の２つの発光層を有するシングル構造の発光デバイス、または、赤色（Ｒ）の光を発する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光層、及び、青色の光を発する発光層の３つの発光層を有するシングル構造の発光デバイスを用いることができる。例えば、発光層の積層数と色の順番は、陽極側からＲ、Ｇ、Ｂの３層構造、またはＲ、Ｂ、Ｇの３層構造とすることができる。また、２つの発光層の間に他の層（バッファ層ともいう）が設けられていてもよい。

　タンデム構造の発光デバイス１３０を用いる場合、黄色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する２段タンデム構造、赤色と緑色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する２段タンデム構造、または、青色の光を発する発光ユニットと、黄色、黄緑色、または緑色の光と、赤色の光とを発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとをこの順で有する３段タンデム構造などを適用することができる。例えば、発光ユニットの積層数と色の順番として、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂ、Ｘの２段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番は、陽極側からＲ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、またはＲ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　タンデム構造の発光デバイス１３０を用いる場合、ＥＬ層１１３は、複数の発光ユニットを有する。各発光ユニットの間には、電荷発生層を設けることが好ましい。

　発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。例えば、複数の発光ユニットが発する光が補色の関係であると、発光デバイス１３０は、白色の光を発することができる。また、発光ユニットは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

　なお、マイクロキャビティ構造を適用することで、白色の光を発する構成の発光デバイス１３０は、赤色、緑色、青色、または赤外光などの特定の波長の光が強められて発光する場合もある。

　例えば、ＥＬ層１１３は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

　例えば、ＥＬ層１１３は、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。

　このように、ＥＬ層１１３は、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。また、ＥＬ層１１３は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。また、ＥＬ層１１３は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。ＥＬ層１１３の表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　ＥＬ層１１３に含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がより好ましい。例えば、これらの化合物のガラス転移点（Ｔｇ）は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がより好ましい。

　特に、発光層上に設けられる機能層の耐熱温度は高いことが好ましい。また、発光層上に接して設けられる機能層の耐熱温度は高いことがより好ましい。当該機能層の耐熱性が高いことで、発光層を効果的に保護することが可能となり、発光層が受けるダメージを低減することができる。

　発光層の耐熱温度は高いことが好ましい。これにより、加熱により発光層がダメージを受けて発光効率が低下すること、及び、寿命が短くなることを抑制できる。

　発光層は、発光物質（発光性の有機化合物、ゲスト材料などともいう）と、有機化合物（ホスト材料などともいう）と、を有する。発光層には、発光物質に比べて有機化合物が多く含まれるため、当該有機化合物のＴｇを発光層の耐熱温度の指標に用いることができる。

　ＥＬ層１１３は、例えば、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットを有する。

　第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方と、を有することが好ましい。

　図１Ｂは、画素電極１１１の端部よりもＥＬ層１１３の端部が外側に位置する例を示す。このような構成とすることで、画素電極１１１の上面全体を発光領域とすることも可能となり、島状のＥＬ層１１３の端部が画素電極１１１の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることが容易となる。

　共通電極１１５は、ＥＬ層１１３上に設けられる。共通電極１１５は、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃで共有されている。複数の発光デバイス１３０が共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図１Ｂ参照）。導電層１２３は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃと同じ材料を用いて同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。

　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃ上に、保護層１３１を設けることが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１は、絶縁膜、半導体膜、及び導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１は、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、及び窒化酸化物を有する無機膜を用いることができる。これらの具体例は、絶縁層１８１の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁物または窒化酸化物を有することが好ましく、窒化物を有することがより好ましい。

　保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１は、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜との積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層１１３側に不純物（水及び酸素等）が拡散することを抑制することができる。

　さらに、保護層１３１は有機膜を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料として、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１は、例えば、有機膜と無機膜の積層構造としてもよい。

　保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された積層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて形成した第１の層と、第１の層上にスパッタリング法を用いて形成した第２の層との積層構造とすることができる。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材として、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとして、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２は、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　図１Ｂでは、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上に、保護層１３１を介して、直接、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設ける例を示す。このような構成とすることで、発光デバイスと着色層との位置合わせの精度を高めることができる。また、発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。

　以下では、前述の表示装置と異なる構成例について、説明する。なお、前述の表示装置と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以下で示す図面において、前述の表示装置と同様の機能を有する部分についてはハッチングパターンを同じくし、符号を付さない場合もある。

＜構成例２＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図４Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図４Ａに示す断面図の一部の拡大図を、図４Ｂに示す。

　図４Ａ等に示す表示装置は、開口１８７が絶縁層１８１及び絶縁層２５５ｃに設けられる点で、＜構成例１＞に示す表示装置と主に異なる。

　図４Ａ等は、開口１８７が絶縁層２５５ｂに達する例を示している。開口１８７の底部において、有機層１１９が絶縁層２５５ｂ上に設けられる。開口１８７の底部は有機層１１９で覆われてもよく、または絶縁層２５５ｂが露出してもよい。

　なお、開口１８７は、絶縁層１８１、絶縁層２５５ｃ、及び絶縁層２５５ｂに設けられてもよい。または、開口１８７は、絶縁層１８１、絶縁層２５５ｃ、及び絶縁層２５５ｂに設けられてもよい。

＜構成例３＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図５Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図５Ａに示す断面図の一部の拡大図を、図５Ｂに示す。

　図５Ａ等に示す表示装置は、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃを有する点で、＜構成例１＞に示す表示装置と主に異なる。

　図５Ａ等に示す表示装置は、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されている。発光デバイス１３０が有する一対の電極の一方に、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を用い、他方に、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を用いる。発光デバイス１３０にマイクロキャビティ構造を適用することで、発光層から得られる光を両電極間で共振させ、発光デバイス１３０から射出される光を強めることができる。また、特定の波長の光の発光強度を高めることができるため、色純度を高めることができる。同じ構成のＥＬ層１１３を有していても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。さらに、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、マイクロキャビティ構造と着色層との組み合わせることで、さらに色純度を高めることができる。

　発光デバイス１３０ａは、画素電極１１１ａとＥＬ層１１３との間に、導電層１１６ａを有する。発光デバイス１３０ｂは、画素電極１１１ｂとＥＬ層１１３との間に、導電層１１６ｂを有する。発光デバイス１３０ｃは、画素電極１１１ｃとＥＬ層１１３との間に、導電層１１６ｃを有する。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃはそれぞれ、発光デバイス１３０において光学調整層として機能する。光学調整層の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層から得られる光の波長λに対して、画素電極１１１と共通電極１１５の間の距離が、ｍλ／２（ｍは１以上の整数）またはその近傍となるように調整することが好ましい。

　本発明の一態様である表示装置は、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃが有する各ＥＬ層１１３を同じ材料を用いて同じ工程で形成するため、各ＥＬ層１１３の膜厚は一致、または概略一致する。したがって、画素電極１１１と共通電極１１５の間の距離を異ならせるには、画素電極１１１と共通電極１１５に挟持される導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの膜厚を互いに異ならせればよい。

　ここで、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃで前述のｍを共通にする場合を例に挙げて、説明する。長波長の光を透過させる着色層１３２と重畳する領域を有する発光デバイス１３０は、導電層１１６の膜厚を厚くし、短波長の光を透過させる着色層１３２と重畳する領域を有する発光デバイス１３０は、導電層１１６の膜厚を薄くすればよい。例えば、着色層１３２Ｒが赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇが緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂが青色の光を透過する構成とする場合、図５Ａに示すように、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃの膜厚をこの順に薄くすればよい。

　画素電極１１１上に設けられる導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃはそれぞれ、画素電極としての機能を有するともいえる。

　接続部１４０に設けられる導電層１２３は、導電層１１６ｐを介して共通電極１１５と電気的に接続される。導電層１１６ｐは、例えば、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、または導電層１１６ｃと同じ工程で形成することができる。例えば、導電層１１６ｐを導電層１１６ｃと同じ工程で形成することができ、図５Ａに示すように、導電層１１６ｐの膜厚が導電層１１６ｃの膜厚と等しい、または概略等しい構成とすることができる。なお、接続部１４０において、導電層１１６ｐを設けず、導電層１２３と共通電極１１５が直接接して、電気的に接続されてもよい。

　導電層１１６ａの側面は、開口１８７の側面と揃っている、または概略揃っている。導電層１１６ｂの側面は、開口１８７の側面と揃っている、または概略揃っている。導電層１１６ｃの側面は、開口１８７の側面と揃っている、または概略揃っている。また、導電層１１６ｐの側面は、開口１８７の側面と揃っている、または概略揃っている。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの側面が開口１８７の側面と揃っていることにより、ＥＬ層１１３の被形成面の段差は、開口１８７の深さＴ１に導電層１１６の膜厚が加わる。したがって、ＥＬ層１１３の被形成面の段差が大きくなり、島状のＥＬ層１１３を形成しやすくすることができる。例えば、図５Ｂにおいて、導電層１１６ｂ上に設けられるＥＬ層１１３の被形成面の段差は、開口１８７の深さＴ１に導電層１１６ｂの膜厚が加わる。導電層１１６ｃ上に設けられるＥＬ層１１３の被形成面の段差は、開口１８７の深さＴ１に導電層１１６ｃの膜厚が加わる。

　導電層１１６ａの側面と開口１８７の側面が揃っている、または概略揃っている場合、及び上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、導電層１１６ａと開口１８７との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、導電層１１６ａの輪郭が開口１８７の輪郭の内側に位置すること、または、導電層１１６ａの輪郭が開口１８７の輪郭の外側に位置することもあり、この場合も側面が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

　導電層１１６ａの側面が開口１８７の側面と揃っている、または概略揃っているとは、絶縁層１８１の画素電極１１１ａと接しない側（開口１８７側）の側面が、導電層１１６ａの側面と一致、または概略一致するとも言える。導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃについても同様である。導電層１１６ｐの側面が開口１８７の側面と揃っている、または概略揃っているとは、絶縁層１８１の導電層１２３と接しない側（開口１８７側）の側面が導電層１１６ｐの側面と一致、または概略一致するとも言える。

　例えば、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、または導電層１１６ｐを形成するマスクを用いて、開口１８７を形成することができる。

　なお、導電層１１６ａの側面は導電層１１６ａの端部とも言える。同様に、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ及び導電層１１６ｐについても同様である。

　ＥＬ層１１３は、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの上面を覆って設けられる。ＥＬ層１１３は、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの側面と接する領域を有してもよい。さらに、ＥＬ層１１３が、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの側面、並びに絶縁層１８１の側面の一部と接する領域を有してもよい。ＥＬ層１１３が、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの側面の全体を覆うことで、共通電極１１５が導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃと接することが抑制され、共通電極１１５と画素電極のショートを抑制することができる。

　図５Ａは、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐをそれぞれ、単層構造で示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐの一部または全てを積層構造としてもよい。図６は、導電層１１６ａが導電層１１６ａＡ、導電層１１６ａＢ、及び導電層１１６ａＣの３層構造、導電層１１６ｂが導電層１１６ｂＡ、及び導電層１１６ｂＢの２層構造、導電層１１６ｃ及び導電層１１６ｐがそれぞれ単層構造の例を示している。

　導電層１１６の上面と側面がなす角は、垂直または概略垂直であることが好ましい。図５Ｂは、導電層１１６ｂの上面と側面がなす角θ３ｂ、及び導電層１１６ｃの上面と側面がなす角θ３ｃを示している。角θ３ｂ及び角θ３ｃはそれぞれ、８０°以上１１０°以下が好ましく、さらには８０°以上１００°以下が好ましく、さらには８５°以上１００°以下が好ましく、さらには８５°以上９５°以下が好ましい。導電層１１６ａの上面と側面がなす角θ３ａも同様である。導電層１１６の上面と側面がなす角を前述の範囲とすることで、ＥＬ層１１３の段切れ領域を設けることができる。なお、導電層１１６の上面と側面がなす角が丸くなり、角θ３ａ、角θ３ｂ及び角θ３ｃを明確に測定できなくてもよい。

＜構成例４＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図７Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図７Ａに示す断面図の一部の拡大図を、図７Ｂに示す。

　図７Ａ等に示す表示装置は、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐの側面がそれぞれ、開口１８７の側面と一致しない点で、＜構成例３＞に示す表示装置と主に異なる。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの側面がそれぞれ、絶縁層１８１の画素電極１１１と接しない側の側面と一致せず、導電層１１６ｐの側面が、絶縁層１８１の導電層１２３と接しない側の側面と一致しないともいえる。

　例えば、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、または導電層１１６ｐを形成するマスクと異なるマスクを用いて、開口１８７を形成することができる。

　図７Ａ等では、導電層１１６ａの側面が画素電極１１１ａ上に位置し、導電層１１６ｂの側面が画素電極１１１ｂ上に位置し、導電層１１６ｃの側面が画素電極１１１ｃ上に位置し、導電層１１６ｐの側面が導電層１２３上に位置する例を示している。ＥＬ層１１３は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃの上面の一部と接する領域を有する。また、ＥＬ層１１３は、絶縁層１８１の上面と接する領域を有する。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐの側面が絶縁層１８１上に位置してもよい。または、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐの側面が画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ及び画素電極１１１ｃ上に位置してもよい。

　導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの側面がそれぞれ、開口１８７の側面と一致しない場合、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの端部はそれぞれ、テーパ形状を有してもよい。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、及び導電層１１６ｃの上面と側面がなす角はそれぞれ、垂直、または垂直でなくてもよい。

＜構成例５＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図９Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図９Ａに示す断面図の一部の拡大図を、図９Ｂに示す。

　図９Ａ等に示す表示装置は、共通層１１４を有する点で、＜構成例３＞に示す表示装置と主に異なる。

　共通層１１４は、ＥＬ層１１３と共通電極１１５との間に設けられる。共通層１１４はＥＬ層１１３を覆って設けられ、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃで共有されている。共通層１１４は、例えば、電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。

　共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　図９Ａ等は、導電層１１６ｐ上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４及び導電層１１６ｐを介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示している。なお、接続部１４０において、導電層１１６ｐ上に共通層１１４を設けず、導電層１１６ｐと共通電極１１５が直接接して、電気的に接続されてもよい。例えば、共通層１１４を形成する領域を決めるためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、共通層１１４を所望の領域にのみ成膜することができる。共通層１１４を形成する際に用いるエリアマスクと、共通電極１１５を形成する際に用いるエリアマスクを異ならせることで、共通層１１４と共通電極１１５が形成される領域を異ならせることができる。

＜構成例６＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図１０Ａ乃至図１０Ｃ、及び図１１に示す。上面図は、図１Ａを参照できる。

　図１０Ａに示すように、着色層１３２を設けた基板１２０を、樹脂層１２２により保護層１３１に貼り合わせてもよい。基板１２０に、着色層１３２を設けることで、着色層１３２の形成工程に係る処理温度を高めることができる。

　図１０Ｂ及び図１０Ｃに示すように、表示装置にはレンズアレイ１３３を設けてもよい。レンズアレイ１３３は、発光デバイス１３０と重畳する領域に設けることができる。

　図１０Ｂでは、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃ上に、保護層１３１を介して、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上に絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４上にレンズアレイ１３３を設ける例を示す。発光デバイス１３０を形成した基板に、直接、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及びレンズアレイ１３３を形成することで、発光デバイスと、着色層１３２またはレンズアレイ１３３との位置合わせの精度を高めることができる。

　図１０Ｂでは、発光デバイス１３０の発光は、着色層１３２を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。発光デバイス１３０と着色層１３２の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。なお、発光デバイス上にレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３上に着色層１３２を設けてもよい。

　図１０Ｃは、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及びレンズアレイ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズアレイ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　図１０Ｃでは、基板１２０に接して着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂに接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接してレンズアレイ１３３を設ける例を示す。

　図１０Ｃでは、発光デバイスの発光は、レンズアレイ１３３を透過した後、着色層を透過して、表示装置の外部に取り出される。なお、基板１２０に接してレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３に接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接して着色層を設けてもよい。この場合、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。なお、図１０Ｂ及び図１０Ｃに示すように、レンズアレイ１３３と、隣り合うレンズアレイ１３３との間に、着色層１３２Ｒと着色層１３２Ｇとが重なる領域が設けられると好適である。異なる色の着色層が重なる領域を設けることで、発光デバイスの発光の混色を抑制することができる。

　図１１では、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上に、保護層１３１を介して、レンズアレイ１３３を設け、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び、着色層１３２Ｂが設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によってレンズアレイ１３３上及び保護層１３１上に貼り合わされている例である。

　図１１とは異なり、レンズアレイ１３３を基板１２０に設け、着色層を保護層１３１上に直接形成してもよい。このように、レンズアレイ及び着色層の一方を保護層１３１上に設け、他方を基板１２０に設けてもよい。

　図１０Ａ乃至図１０Ｃでは、保護層１３１として平坦化機能を有する層を用いる例を示すが、図１１に示すように、保護層１３１は平坦化機能を有していなくてもよい。例えば、保護層１３１に有機膜を用いることで、保護層１３１の上面を平坦にすることができる。また、図１１に示す保護層１３１は、例えば、無機膜を用いることで形成できる。

　レンズアレイ１３３は、凸面が基板１２０側を向いていてもよく、発光デバイス側を向いていてもよい。

　レンズアレイ１３３は、無機材料及び有機材料の少なくとも一方を用いて形成することができる。例えば、樹脂を含む材料をレンズに用いることができる。また、酸化物及び硫化物の少なくとも一方を含む材料をレンズに用いることができる。レンズアレイ１３３として、例えば、マイクロレンズアレイを用いることができる。レンズアレイ１３３は、基板上または発光デバイス上に直接形成してもよく、別途形成されたレンズアレイを貼り合わせてもよい。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイス１３０ごとにＥＬ層１１３が島状に設けられることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、ファインメタルマスクを用いずに島状のＥＬ層１１３を形成でき、高い精細度、高い開口率を有する表示装置とすることができる。また、表示装置の生産性を高めることができる。

　本発明の一態様の表示装置の作製方法について、図１２乃至図１４を用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に説明した部分と同様の部分については説明を省略することがある。

　ここでは、図６に示す表示装置を例に挙げて、作製方法を説明する。図１２乃至図１４には、図１Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法は、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法として、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

　表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法は、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外線、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

＜作製方法例＞
　まず、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順で形成する。続いて、絶縁層２５５ｃ上に、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ及び導電層１２３を形成する（図１２Ａ）。画素電極の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ及び導電層１２３を形成する際に、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ及び導電層１２３と重ならない領域の絶縁層２５５ｃの一部が除去されてもよい。この場合、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ及び導電層１２３のいずれとも重ならない領域の絶縁層２５５ｃの膜厚が、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃまたは導電層１２３と重なる領域の絶縁層２５５ｃの膜厚より薄くなる。

　続いて、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、導電層１２３、及び絶縁層２５５ｃを覆うように、絶縁層１８１となる絶縁膜１８１ｆを形成する（図１２Ｂ）。

　続いて、絶縁膜１８１ｆの一部を除去し、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３を露出させるとともに、絶縁層１８１Ａを形成する（図１２Ｃ）。絶縁膜１８１ｆの除去は、例えば、ドライエッチング法、または化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いることができる。ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスとして、例えば、塩素、塩化ホウ素、塩化シリコンまたは四塩化炭素などの塩素系ガス、四フッ化炭素、フッ化硫黄またはフッ化窒素などのフッ素系ガスを好適に用いることができる。

　絶縁層１８１Ａは、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３の間に設けられる。絶縁層１８１Ａの上面の高さは、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３の上面の高さと等しい、または概略等しいことが好ましい。絶縁層１８１Ａ、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び導電層１２３の上面の高さを揃えることで、この後形成される膜（ここでは、導電層１１６）の被覆性を高めることができる。

　続いて、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、導電層１２３、及び絶縁層１８１Ａ上に、導電膜１１６ｆＡを形成し、導電膜１１６ｆＡ上に、レジストマスク１９０Ａを形成する（図１２Ｄ）。導電膜１１６ｆＡは導電層１１６ａＡとなる膜であり、レジストマスク１９０Ａは画素電極１１１ａと重畳する領域に設けられる。

　レジストマスク１９０Ａは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。レジストマスク１９０Ａは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いてもよい。

　続いて、レジストマスク１９０Ａをマスクに導電膜１１６ｆＡの一部を除去し、導電層１１６ａＡを形成する。レジストマスク１９０Ａを除去する（図１２Ｅ）。

　続いて、導電層１１６ａＡ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、導電層１２３、及び絶縁層１８１Ａ上に、導電膜１１６ｆＢを形成し、導電膜１１６ｆＢ上に、レジストマスク１９０Ｂａ、及びレジストマスク１９０Ｂｂを形成する（図１３Ａ）。導電膜１１６ｆＢは導電層１１６ａＢ、及び導電層１１６ｂＡとなる膜である。レジストマスク１９０Ｂａは画素電極１１１ａと重畳する領域に設けられ、レジストマスク１９０Ｂｂは画素電極１１１ｂと重畳する領域に設けられる。

　続いて、レジストマスク１９０Ｂａ、及びレジストマスク１９０Ｂｂをマスクに導電膜１１６ｆＢの一部を除去し、導電層１１６ａＢ、及び導電層１１６ｂＡを形成する。レジストマスク１９０Ｂａ、及びレジストマスク１９０Ｂｂを除去する。

　続いて、導電層１１６ａＢ、導電層１１６ｂＡ、画素電極１１１ｃ、導電層１２３、及び絶縁層１８１Ａ上に、導電膜１１６ｆＣを形成し、導電膜１１６ｆＣ上に、レジストマスク１９０Ｃａ、レジストマスク１９０Ｃｂ、レジストマスク１９０Ｃｃ、及びレジストマスク１９０Ｃｐを形成する（図１３Ｂ）。導電膜１１６ｆＣは導電層１１６ａＣ、導電層１１６ｂＢ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐとなる膜である。レジストマスク１９０Ｃａは画素電極１１１ａと重畳する領域に設けられ、レジストマスク１９０Ｃｂは画素電極１１１ｂと重畳する領域に設けられ、レジストマスク１９０Ｃｃは画素電極１１１ｃと重畳する領域に設けられ、レジストマスク１９０Ｃｐは導電層１２３と重畳する領域に設けられる。

　続いて、レジストマスク１９０Ｃａ、レジストマスク１９０Ｃｂ、レジストマスク１９０Ｃｃ、及びレジストマスク１９０Ｃｐをマスクに導電膜１１６ｆＣの一部を除去し、導電層１１６ａＣ、導電層１１６ｂＢ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐを形成する（図１３Ｃ）。これにより、画素電極１１１ａと重畳する領域に、導電層１１６ａＡ、導電層１１６ａＢ、及び導電層１１６ａＣがこの順に積層された導電層１１６ａが形成される。画素電極１１１ｂと重畳する領域に、導電層１１６ｂＡ、及び導電層１１６ｂＢがこの順に積層された導電層１１６ｂが形成される。

　続いて、レジストマスク１９０Ｃａ、レジストマスク１９０Ｃｂ、レジストマスク１９０Ｃｃ、及びレジストマスク１９０Ｃｐをマスクに絶縁層１８１Ａの一部を除去し、開口１８７を有する絶縁層１８１を形成する（図１４Ａ）。レジストマスク１９０Ｃａ、レジストマスク１９０Ｃｂ、レジストマスク１９０Ｃｃ、及びレジストマスク１９０Ｃｐを除去する。

　開口１８７の形成は、ドライエッチング法またはウェットエッチング法の一方または双方を用いることができる。開口１８７の形成において、絶縁層１８１の側面と上面がなす角θ１が前述の範囲となることが好ましい。開口１８７の形成は、特に、異方性のドライエッチング法を好適に用いることができる。

　ここでは、レジストマスク１９０Ｃａ、レジストマスク１９０Ｃｂ、レジストマスク１９０Ｃｃ、及びレジストマスク１９０Ｃｐをマスクに用いて開口１８７を形成する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐを形成した後に、レジストマスク１９０Ｃａ、レジストマスク１９０Ｃｂ、レジストマスク１９０Ｃｃ、及びレジストマスク１９０Ｃｐを除去し、別途形成したレジストマスクを用いて開口１８７を形成してもよい。ここで、開口１８７の幅（Ｗ１）は、前述の範囲とすることが好ましい。

　続いて、導電層１１６の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象となる表面を親水性から疎水性にすること、または、処理対象となる表面の疎水性を高めることができる。導電層１１６の疎水化処理を行うことで、導電層１１６と後の工程で形成されるＥＬ層１１３の密着性を高め、ＥＬ層１１３の膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　疎水化処理は、例えば、導電層１１６へのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理または加熱処理、フッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、Ｃ_５Ｆ_８等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、ＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、または水素ガス等を適宜添加することができる。

　導電層１１６の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、導電層１１６の表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、導電層１１６の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、導電層１１６の表面を疎水化することができる。

　導電層１１６の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、導電層１１６の表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、導電層１１６の表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、導電層１１６の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、またはシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、導電層１１６の表面を疎水化することができる。

　シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、またはディップ法等を用いてシリル化剤、またはシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、導電層１１６上等にシリル化剤を有する膜、またはシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、またはシランカップリング剤を有する材料等を揮発させることにより、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、導電層１１６等が形成されている基板をおく。これにより、導電層１１６上に、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、導電層１１６の表面を疎水化することができる。

　なお、図１Ｂ等に示す導電層１１６を設けない構成とする場合、前述の疎水化処理は画素電極１１１に対して行えばよい。

　続いて、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、導電層１１６ｃ、及び導電層１１６ｐ上に、ＥＬ層１１３を形成する（図１４Ｂ）。このとき、開口１８７内に有機層１１９が形成されてもよい。

　図１４Ｂに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、ＥＬ層１１３を形成していない。例えば、ＥＬ層１１３を形成する領域を決めるためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、ＥＬ層１１３を所望の領域にのみ成膜することができる。

　ＥＬ層１１３は、被覆性の低い方法を用いて形成することが好ましい。ＥＬ層１１３は、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。また、ＥＬ層１１３は、転写法、印刷法、インクジェット法、または塗布法等の方法で形成してもよい。

　図１４Ｂに示すように、ファインメタルマスクを用いずに、複数の島状のＥＬ層１１３を形成することができる。隣り合う副画素においてＥＬ層１１３が互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位の低下を抑制できる。また、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立を図ることができる。

　上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した開口１８７を用いて島状のＥＬ層１１３を形成することにより、隣り合う２つのＥＬ層１１３間の距離を狭めることができる。このように、島状のＥＬ層１１３の間の距離を狭めることで、高い精細度と高い開口率を有する表示装置を実現することができる。

　続いて、ＥＬ層１１３、及び導電層１１６ｐ上に、共通電極１１５を形成する（図１４Ｃ）。共通電極１１５は、ＥＬ層１１３の形成より被覆性の高い方法を用いて形成することが好ましい。共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　続いて、共通電極１１５上に保護層１３１を形成し、保護層１３１上に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを形成する。さらに、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１及び着色層１３２上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図６）。

　保護層１３１の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることができる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層１１３は、ファインメタルマスクを用いずに形成される。そのため、ファインメタルマスクを用いて形成されるＥＬ層のサイズよりも小さくすることができる。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣り合う副画素において、島状のＥＬ層１１３同士が互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位の低下を抑制できる。また、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１５及び図１６を用いて説明する。

［画素のレイアウト］
　本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列として、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状として、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

　副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

　図１５Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１５Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの３つの副画素から構成される。

　図１５Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形または略三角形の上面形状を有する副画素１１０ａ、及び副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

　図１５Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１５Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図１５Ｄ乃至図１５Ｆに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。

　図１５Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１５Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１５Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図１５Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、行方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図１５Ａ乃至図１５Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。上面視において、開口１８７の端部の輪郭が、例えば、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　本発明の一態様の表示装置の作製方法では、開口１８７により生じる段差によって、島状のＥＬ層１１３を形成する。したがって、上面視において、ＥＬ層の上面形状が開口１８７の輪郭と一致しない場合がある。ＥＬ層の上面形状は、例えば、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　図１６Ａ乃至図１６Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図１６Ａ乃至図１６Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図１６Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１６Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図１６Ｄ乃至図１６Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図１６Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図１６Ｇ及び図１６Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１６Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１６Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１６Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図１６Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図１６Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１６Ａ乃至図１６Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。

　副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとして、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。

　図１６Ａ乃至図１６Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素とし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素とし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素とし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素、黄色の光を呈する副画素、または近赤外光を呈する副画素のいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１６Ｇ及び図１６Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１６Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　図１６Ｊ及び図１６Ｋに示すように、画素は副画素を５種類有する構成とすることができる。５色の副画素として、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ、Ｗの５色の副画素が挙げられる。

　図１６Ｊでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１６Ｊに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、２列目から３列目にわたって、副画素１１０ｅを有する。

　図１６Ｋでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図１６Ｋに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃ、１１０ｅを有する。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素に、様々なレイアウトを適用することができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１７乃至図２６を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１７Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図１７Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１７Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図１７Ｂでは、図１Ａに示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤなどのＶＲ向け機器またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
　図１８Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　図１７Ｂに示す副画素１１０Ｒは発光デバイス１３０Ｒ及び着色層１３２Ｒを有し、副画素１１０Ｇは発光デバイス１３０Ｇ及び着色層１３２Ｇを有し、副画素１１０Ｂは発光デバイス１３０Ｂ及び着色層１３２Ｂを有する。副画素１１０Ｒにおいて、発光デバイス１３０Ｒの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置１００Ａの外部に赤色の光として取り出される。同様に、副画素１１０Ｇにおいて、発光デバイス１３０Ｇの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置１００Ａの外部に緑色の光として取り出される。副画素１１０Ｂにおいて、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置１００Ａの外部に青色の光として取り出される。

　基板３０１は、図１７Ａ及び図１７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１として、例えば、単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　基板３０１に埋め込まれるように、隣り合う２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　なお、トランジスタを含む層１０１が有する導電層のレイヤの少なくとも一つにおいて、表示部２８１（または画素部２８４）の外側を囲う導電層を設けることが好ましい。当該導電層は、ガードリングと呼ぶこともできる。当該導電層を設けることで、ＥＳＤ（静電気放電）またはプラズマを用いた工程による帯電により、トランジスタ及び発光デバイスなどの素子に高電圧がかかり、これらの素子が破壊してしまうことを抑制できる。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図１８Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図１Ｂに示す積層構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１８１が設けられる。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。図１８Ａ等では、画素電極が反射電極と、反射電極上の透明電極と、の２層構造である例を示す。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１７Ａにおける基板２９２に相当する。

［表示装置１００Ｂ］
　図１９に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４５、３４６は、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４４は、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

　導電層３４１及び導電層３４２は、同じ導電材料を用いることが好ましい。導電層３４１及び導電層３４２は、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置１００Ｃ］
　図２０に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図２０に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置１００Ｄ］
　図２１に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１７Ａ及び図１７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１として、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２として、例えば、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８は、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９は、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｅ］
　図２２に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
　図２３に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

［表示装置１００Ｇ］
　図２４に表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図２５Ａに表示装置１００Ｇの断面図を示す。

　表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２４では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図２４では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２４に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図２４では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４として、例えば、走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図２４では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図２５Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図２５Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒ、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇ、及び、青色の光を透過する着色層１３２Ｂ等を有する。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、実施の形態１等に示す構成を適用できる。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、を有する。導電層１１２ａ、及び導電層１２６ａは、実施の形態１に示した画素電極１１１ａに相当する。

　発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２ｃと、導電層１１２ｃ上の導電層１２６ｃと、を有する。

　導電層１１２ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ａの端部よりも外側に導電層１２６ａの端部が位置している。導電層１２６ａ上に、導電層１１６ａが設けられる。導電層１１６ａは光学調整層として機能する。例えば、導電層１１２ａ及び導電層１２６ａに、可視光に対する反射性を有する導電層を用い、導電層１１６ａに、可視光に対する透過性を有する導電層を用いることができる。

　発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１２ｂ、導電層１２６ｂ、及び導電層１１６ｂ、並びに発光デバイス１３０Ｂにおける導電層１１２ｃ、導電層１２６ｃ、及び１１６ｃについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、及び１１６ａと同様であるため詳細な説明は省略する。

　導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

　層１２８は、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃ及び層１２８上には、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃと電気的に接続される導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｃが設けられている。したがって、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の保護層１３１に用いることができる有機絶縁材料を適用することができる。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は、接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂが設けられている。発光デバイス１３０の封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図２５Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃと同じ導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｃと同じ導電膜を加工して得られた導電膜との積層構造とすることができる。導電層１２３の端部は、絶縁層１８１によって覆われている。また、導電層１２３上に導電層１１６ｐが設けられ、導電層１１６ｐ上に共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は、導電層１１６ｐを介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、導電層１１６ｐが形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

　表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同じ材料を用いて同じ工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５はそれぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜として、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２ａ、または導電層１２６ａの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２ａ、または導電層１２６ａの加工時に凹部が設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同じ導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶半導体以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

　結晶性を有する酸化物半導体として、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとして、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　半導体層が有する金属酸化物は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、各元素の含有比率が、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、各元素の含有比率が、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、各元素の含有比率が、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することがより好ましい。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣り合う発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。

　図２５Ｂ及び図２５Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図２５Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図２５Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２５Ｃに示す構造を作製できる。図２５Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６、導電層１１６ｑ、及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、及び導電層１１２ｃと同じ導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｃと同じ導電膜を加工して得られた導電膜との積層構造とすることができる。導電層１１６ｑは、導電層１１６ａ、導電層１１６ｂ、または導電層１１６ｃのいずれかと同じ導電膜を加工して形成することができる。例えば、導電層１１６ｑを導電層１１６ｃと同じ工程で形成することができ、図２５Ａに示すように、導電層１１６ｑの膜厚が導電層１１６ｃの膜厚と等しい、または概略等しい構成とすることができる。

　接続部２０４において、導電層１１６ｐの表面が露出しないように、端部が絶縁層１６８で覆われていることが好ましい。導電層１１６ｐの端部を絶縁層１６８で覆ことにより、導電層１１６ｐが酸化されること、及びショートなどの不具合を抑制できる。なお、導電層１１６ｑを設けなくてもよい。導電層１１６ｑを設けない場合は、導電層１６６の端部が絶縁層１６８で覆われる構成とすればよい。また、導電層１６６が、接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されてもよい。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　基板１５１及び基板１５２は、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

　接着層１４２は、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

　接続層２４２は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示装置１００Ｈ］
　図２６に示す表示装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

　基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２６では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、及びトランジスタ２０５などが設けられている例を示す。

　導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１２６ａ、導電層１２６ｂはそれぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

　図２５Ａ及び図２６では、層１２８が、上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。または、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

　層１２８の上面の高さと、導電層１１２ａの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２ａの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて、説明する。

　図２７Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い材料を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い材料を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い材料を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い材料を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い材料を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い材料を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２７Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　図２７Ｂは、図２７Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図２７Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

　なお、図２７Ｃ及び図２７Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図２７Ｃ及び図２７Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。

　図２７Ｅ及び図２７Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。なお、電荷発生層は、中間層ともいう。

　図２７Ｄ及び図２７Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図２７Ｄは、層７６４が、図２７Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図２７Ｆは、層７６４が、図２７Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。

　層７６４として、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

　図２７Ｃ及び図２７Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素は、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素は、図２７Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。

　発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。

　図２７Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　図２７Ｅ及び図２７Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。

　例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図２７Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。

　発光層７７１と、発光層７７２とに、発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２７Ｆには、さらに層７６４を設ける例を示している。層７６４は、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　図２７Ｅ及び図２７Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

　図２７Ｅ及び図２７Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。具体的には、図２８Ａ乃至図２８Ｃに示す発光デバイスの構成が挙げられる。

　図２８Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

　図２８Ａに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　なお、図２８Ａに示す構成においては、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、それぞれ同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。

　なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図２８Ｂに示すように、複数の発光物質を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図２８Ｂは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

　図２８Ｂに示す構成においては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図２８Ｃに示す構成においては、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃの補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。

　タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼Ｂの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。

　図２８Ｃに示すように、１つの発光物質を有する発光ユニットと、複数の発光物質を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

　具体的には、図２８Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　例えば、図２８Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　なお、図２７Ｃ、及び図２７Ｄにおいても、図２７Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　図２７Ｅ及び図２７Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

　タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、可視光を反射する導電膜と、ＥＬ層７６３との間に可視光を透過する導電膜を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、可視光を反射する導電膜によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極を形成する材料として、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料として、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料として、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、当該材料として、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）であることが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）であることが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、可視光に対する反射性を有する導電層と透過性を有する導電層との積層構造とすることができる。透過性を有する導電層の可視光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射性を有する導電層の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い材料、正孔輸送性の高い材料、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い材料、電子ブロック材料、電子注入性の高い材料、またはバイポーラ性の材料（電子輸送性及び正孔輸送性が高い材料）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質として、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質として、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料として、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料として、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物として、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　ＥＬ層７６３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い材料、正孔輸送性の高い材料、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い材料、電子注入性の高い材料、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の材料（電子輸送性及び正孔輸送性が高い材料）等を含む層をさらに有していてもよい。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料として、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料として、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

　アクセプター性材料として、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い材料であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料は、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い材料であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料として、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料として、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入性の高い材料のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造として、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ　ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットの間に、電荷発生層（中間層ともいう）を設ける。電荷発生層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。電荷発生層は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

　電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２９乃至図３１を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器として、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器として、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図２９Ａ乃至図２９Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図２９Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図２９Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールは、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスとして、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

　図２９Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図２９Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図２９Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部は、例えば、イメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図２９Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２９Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

　電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２９Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図２９Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構として、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器は、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

　本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

　図３０Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３０Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図３０Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３０Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図３０Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図３０Ｅ及び図３０Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図３０Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図３０Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図３０Ｅ及び図３０Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　図３０Ｅ及び図３０Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図３１Ａ乃至図３１Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図３１Ａ乃至図３１Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図３１Ａ乃至図３１Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図３１Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３１Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例として、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図３１Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図３１Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図３１Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図３１Ｅ乃至図３１Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３１Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３１Ｇは折り畳んだ状態、図３１Ｆは図３１Ｅと図３１Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１１０ａ：副画素、１１０Ｂ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｅ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０：画素、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１：画素電極、１１２ａ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１３：ＥＬ層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１６ａ：導電層、１１６ａＡ：導電層、１１６ａＢ：導電層、１１６ａＣ：導電層、１１６ｂ：導電層、１１６ｂＡ：導電層、１１６ｂＢ：導電層、１１６ｃ：導電層、１１６ｆＡ：導電膜、１１６ｆＢ：導電膜、１１６ｆＣ：導電膜、１１６ｐ：導電層、１１６ｑ：導電層、１１６：導電層、１１７：遮光層、１１９：有機層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２６ａ：導電層、１２６ｂ：導電層、１２６ｃ：導電層、１２８：層、１３０ａ：発光デバイス、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０ｃ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３０：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３２：着色層、１３３：レンズアレイ、１３４：絶縁層、１４０：接続部、１４２：接着層、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１６８：絶縁層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１８１Ａ：絶縁層、１８１ｆ：絶縁膜、１８１：絶縁層、１８３：空隙、１８７：開口、１９０Ａ：レジストマスク、１９０Ｂａ：レジストマスク、１９０Ｂｂ：レジストマスク、１９０Ｃａ：レジストマスク、１９０Ｃｂ：レジストマスク、１９０Ｃｃ：レジストマスク、１９０Ｃｐ：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、絶縁層と、を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
　前記絶縁層は、開口を有し、
　前記絶縁層は、前記第１の画素電極の側面と接する第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１のＥＬ層の下面と接する第３の面と、前記第２の画素電極の側面と接する第４の面と、前記第４の面と対向する第５の面と、前記第２のＥＬ層の下面と接する第６の面と、を有し、
　前記第３の面の高さ、前記第６の面の高さ、前記第１の画素電極の上面の高さ、及び前記第２の画素電極の上面の高さが、互いに一致または概略一致する領域を有し、
　断面視において、前記第２の面と前記第３の面がなす角は、８０°以上１１０°以下であり、
　前記第１のＥＬ層は、前記第２のＥＬ層と同じ材料を有し、
　前記第１のＥＬ層は、前記第２のＥＬ層と分離されている表示装置。
　請求項１において、
　前記第１のＥＬ層の膜厚に対する、前記開口の深さの比は、０．５以上１０．０以下である表示装置。
　請求項１において、
　前記開口の幅は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である表示装置。
　請求項１において、
　前記第１のＥＬ層の膜厚に対する、前記開口の深さの比は、０．５以上１０．０以下であり、
　前記開口の幅は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である表示装置。
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　第１の着色層と、第２の着色層と、を有し、
　前記第１の着色層は、前記第１の発光デバイスと重畳する領域を有し、
　前記第２の着色層は、前記第２の発光デバイスと重畳する領域を有し、
　前記第２の着色層が透過する光は、前記第１の着色層が透過する光より短波長である表示装置。
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層及び前記第２の導電層はそれぞれ、可視光を透過し、
　前記第１の導電層は、前記第１の画素電極と前記第１のＥＬ層に挟持され、
　前記第２の導電層は、前記第２の画素電極と前記第２のＥＬ層に挟持され、
　前記第２の導電層の膜厚は、前記第１の導電層の膜厚より薄い表示装置。
　請求項５において、
　第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層及び前記第２の導電層はそれぞれ、可視光を透過し、
　前記第１の導電層は、前記第１の画素電極と前記第１のＥＬ層に挟持され、
　前記第２の導電層は、前記第２の画素電極と前記第２のＥＬ層に挟持され、
　前記第２の導電層の膜厚は、前記第１の導電層の膜厚より薄い表示装置。
　請求項６において、
　前記第１の導電層の側面は、前記第２の面と揃っている、または概略揃っており、
　前記第２の導電層の側面は、前記第５の面と揃っている、または概略揃っている表示装置。
　請求項７において、
　前記第１の導電層の側面は、前記第２の面と揃っている、または概略揃っており、
　前記第２の導電層の側面は、前記第５の面と揃っている、または概略揃っている表示装置。
　第１の画素電極、及び第２の画素電極を形成し、
　前記第１の画素電極、及び前記第２の画素電極の上面及び側面を覆う絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜の一部を除去し、前記第１の画素電極の上面の高さ、及び前記第２の画素電極の上面の高さと互いに高さが一致または概略一致する絶縁層を形成し、
　前記絶縁層に開口を形成し、
　前記第１の画素電極上に第１のＥＬ層を形成するとともに、前記第２の画素電極上に前記第１のＥＬ層と分離する第２のＥＬ層を形成し、
　前記第１のＥＬ層上、及び前記第２のＥＬ層上に共通電極を形成し、
　前記絶縁層は、前記第１の画素電極の側面と接する第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１のＥＬ層の下面と接する第３の面と、を有し、
　前記絶縁層は、前記第３の面の高さが前記第１の画素電極の上面の高さと一致または概略一致する領域を有し、
　断面視において、前記第２の面と前記第３の面がなす角は、８０°以上１１０°以下であり、
　前記第１のＥＬ層は、前記第２のＥＬ層と同じ材料を有する表示装置の作製方法。