WO2023037198A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

表示品位の高い表示装置を提供する。 トランジスタと、トランジスタ上の第１の絶縁層と、トランジスタと電気的に接続されるプラグと、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の発光デバイスと、を有し、第１の絶縁層の上面は、プラグと高さが概略揃う領域を有し、発光デバイスは、画素電極と、画素電極上のＥＬ層と、を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層と第２の画素電極に挟まれる第１の領域を有し、第１の領域は、発光デバイスの発光領域と重畳し、画素電極は、第１の領域の上面と接し、上面視において、第２の絶縁層は、プラグと重畳する第１の端部を有し、第１の端部の少なくとも一部は、画素電極に覆われ、画素電極の側面の少なくとも一部は、ＥＬ層に覆われ、画素電極は、プラグの上面と重畳し、プラグと電気的に接続される領域を有する表示装置である。

Description

表示装置

本発明の一態様は、表示装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノート型コンピュータなどがある。また、テレビジョン装置、モニタ装置などの据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴う高精細化が求められている。さらに、最も高精細度が要求される機器としては、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器がある。

また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子（有機ＥＬデバイスともいう）、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、及び電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特許文献２には、有機ＥＬデバイスを用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

特開２００２−３２４６７３号公報 国際公開第２０１８／０８７６２５号

本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一とする。

本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置、またはその表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

本発明の一態様は、トランジスタと、トランジスタ上の第１の絶縁層と、トランジスタと電気的に接続されるプラグと、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の発光デバイスと、を有し、第１の絶縁層の上面は、プラグの上面と高さが概略揃う領域を有し、発光デバイスは、画素電極と、画素電極上のＥＬ層と、を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層と画素電極に挟まれる第１の領域を有し、第１の領域は、発光デバイスの発光領域と重畳し、画素電極は、第１の領域の上面と接し、上面視において、第２の絶縁層は、プラグと重畳する第１の端部を有し、第１の端部の少なくとも一部は、画素電極に覆われ、画素電極の側面の少なくとも一部は、ＥＬ層に覆われ、画素電極は、プラグの上面と重畳し、プラグと電気的に接続される領域を有する表示装置である。

また上記構成において、画素電極は、プラグの上面と接する領域を有することが好ましい。

また上記構成において、プラグの側面は、第１の絶縁層に覆われない第２の領域を有し、画素電極は、第２の領域と接することが好ましい。

また上記構成において、第２の絶縁層の側面は、第３の領域を有し、第２の領域と、第３の領域は、ひと続きの面を成し、画素電極は、第２の領域と、第３の領域と、に接することが好ましい。

または、本発明の一態様は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、第１の絶縁層上の第１の発光デバイスと、第１の絶縁層上及び第２の絶縁層上の第２の発光デバイスと、を有し、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスは、互いに隣接し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、共通電極と、を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層と第２の画素電極に挟まれる第１の領域を有し、第１の領域は、第２の発光デバイスの発光領域と重畳し、第１の領域において、第２の画素電極は、第１の領域の上面と接し、第２の絶縁層は、第１の画素電極とは重畳せず、第１のＥＬ層の厚さは、第２のＥＬ層の厚さより厚く、第１の画素電極の側面の少なくとも一部は、第１のＥＬ層に覆われ、第２の画素電極の側面の少なくとも一部は、第２のＥＬ層に覆われる表示装置である。

また上記構成において、第３の絶縁層と、第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、を有し、第４の絶縁層は、有機樹脂膜であり、第３の絶縁層は、第１のＥＬ層の側面と、第２のＥＬ層の側面と、に接し、第４の絶縁層は、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとの間に設けられ、第４の絶縁層は、共通電極に覆われることが好ましい。

また上記構成において、第１の絶縁層上の第５の絶縁層と、第１の絶縁層上及び第５の絶縁層上の第３の発光デバイスと、を有し、第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、を有し、第５の絶縁層は、第１の絶縁層と第３の画素電極に挟まれる第２の領域を有し、第２の領域は、第３の発光デバイスの発光領域と重畳し、第２の領域において、第２の画素電極は、第２の領域の上面と接し、第５の絶縁層は、第１の画素電極とは重畳せず、第２のＥＬ層の厚さは、第３のＥＬ層の厚さより厚く、第５の絶縁層の厚さは、第２の絶縁層の厚さより厚く、第３の画素電極の側面の少なくとも一部は、第３のＥＬ層に覆われることが好ましい。

本発明の一態様によれば、表示品位の高い表示装置を提供できる。また、信頼性の高い表示装置を提供できる。また、高精細化が容易な表示装置を提供できる。また、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供できる。また、消費電力の低い表示装置を提供できる。

また、本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置、または表示装置の作製方法を提供できる。また、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供できる。本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１は、表示装置の一例を示す上面図である。
図２Ａ乃至図２Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｆは、画素の一例を示す上面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｈは、画素の一例を示す上面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｊは、画素の一例を示す上面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｄは、画素の一例を示す上面図である。図１２Ｅ乃至図１２Ｇは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２１Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２１Ｂ及び図２１Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２２Ａは、表示装置の一例を示すブロック図である。図２２Ｂ乃至図２２Ｄは、画素回路の一例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｄは、トランジスタの一例を示す図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

また、本明細書等において、表示装置を電子機器と読み替えてもよい。

本明細書等において、表示装置の一態様である表示装置は表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示装置は出力装置の一態様である。

また、本明細書等では、表示装置の基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクタが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、表示装置を表示パネルと呼ぶ場合がある。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」または「絶縁層」という用語は、「導電膜」または「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光デバイス（発光素子とも呼ぶ）の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。

本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

本明細書等において、正孔又は電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層又は電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層又は電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層又は電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

本発明の一態様は、フルカラー表示が可能な表示部を有する表示装置である。表示部は、互いに異なる色の光を呈する第１の副画素と第２の副画素とを有する。第１の副画素は、第１の色の光を発する第１の発光デバイスを有し、第２の副画素は、第１の発光デバイスとは異なる色の光を発する第２の発光デバイスを有する。第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとは互いに異なる材料を少なくとも一つ有し、例えば、互いに異なる発光材料を有する。つまり、本発明の一態様の表示装置では、発光色ごとに作り分けられた発光デバイスを用いる。

各色の発光デバイス（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

発光色がそれぞれ異なる複数の発光デバイスを有する表示装置を作製する場合、発光色が異なる発光層をそれぞれ島状に形成する必要がある。なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び、蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

本発明の一態様の表示装置の作製方法では、第１の色の光を発する発光層を含む第１の層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を一面に形成した後、第１の層上に第１のマスク層を形成する。そして、第１のマスク層上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第１の層と第１のマスク層を加工することで、島状の第１の層を形成する。続いて、第１の層と同様に、第２の色の光を発する発光層を含む第２の層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を、第２のマスク層及び第２のレジストマスクを用いて、島状に形成する。

なお、本明細書等において、マスク層とは、少なくとも発光層（より具体的には、ＥＬ層を構成する層のうち、島状に加工される層）の上方に位置し、製造工程中において、当該発光層を保護する機能を有する。

なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ（加工によるダメージなど）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層よりも上方に位置する層（例えば、キャリア輸送層、キャリアブロック層、またはキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、正孔ブロック層、または電子注入層など）の上にて、マスク層などを形成し、発光層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状のＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層は、精細なパターンを有するメタルマスクを用いて形成されるのではなく、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで、隣り合う発光デバイスの間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

また、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層自体のパターンについても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工するため、島状のＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層を均一の厚さで形成することができる。したがって、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。

また、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、発光層を含む層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を一面に形成した後、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層上にマスク層を形成することが好ましい。そして、マスク層上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部とマスク層を加工することで、島状のＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層を形成することが好ましい。

ＥＬ層、またはＥＬ層の一部の上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層、またはＥＬ層の一部が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

なお、それぞれ異なる色を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成する全ての層を作り分ける必要はなく、一部の層は同一工程で成膜することができる。ここで、ＥＬ層が有する層としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を色ごとに島状に形成した後、マスク層の少なくとも一部を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層（共通層と呼ぶ場合がある）と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を各色の発光デバイスに共通して（一つの膜として）形成する。例えば、キャリア注入層と、共通電極と、を各色の発光デバイスに共通して形成することができる。

一方で、キャリア注入層は、ＥＬ層の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状に形成されたＥＬ層の一部の層の側面、または、画素電極の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極を各色の発光デバイスに共通して形成する場合についても、共通電極と、ＥＬ層の側面、または、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。

そこで、本発明の一態様の表示装置は、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を有する。また、当該絶縁層は、島状の発光層の上面の一部を覆う構成にしてもよい。なお、ここでいう島状の発光層の側面とは、島状の発光層と他の層との界面のうち、基板（または発光層の被形成面）に平行でない面をいう。また、必ずしも数学的に厳密な平面及び曲面のいずれか一方でなくてもよい。

これにより、島状に形成されたＥＬ層の少なくとも一部の層、及び、画素電極が、キャリア注入層または共通電極と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

また、当該絶縁層は、薄く設けられることが好ましい。当該絶縁層には、本発明の一態様の表示装置の作製時に、熱処理等の処理が加えられ、当該処理により当該絶縁層の収縮が生じる場合がある。当該絶縁層の収縮に起因した応力が発光デバイスを構成する各層に与えられる場合がある。このような場合において、当該絶縁層が厚すぎると、応力が大きくなり、発光デバイスを構成する各層の界面において剥離が生じる場合がある。当該絶縁層を薄く設けることにより、剥離を抑制し、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。

例えば、ＥＬ層の上面の高さが低い発光デバイスにおいては、ＥＬ層の上面の高さが高い発光デバイスに比べて、隣接して設けられる当該絶縁層の厚さが、より厚くなる場合がある。このように、当該絶縁層の厚さにばらつきが生じる。また、厚さのみではなく、膜に凹凸が生じる場合においては例えば、厚さのばらつきに加えて上面形状のばらつきも生じる懸念がある。

本発明の一態様の表示装置において、隣り合う発光デバイスが有する島状のＥＬ層、あるいはＥＬ層の一部からなる島状の層の上面の高さを概略揃えることにより、当該絶縁層の被形成面の凹凸を均一にし、当該絶縁層の厚さを均一に薄くすることができる。

本発明の一態様の表示装置において、第１の絶縁層上に設けられる隣り合う２つの発光デバイスにおいて、第１の発光デバイスが有する島状のＥＬ層、あるいはＥＬ層の一部からなる島状の層の厚さが、第２の発光デバイスが有する島状のＥＬ層、あるいはＥＬ層の一部からなる島状の層の厚さよりも薄い場合には、第１の発光デバイスが有する画素電極と第１の絶縁層との間に第２の絶縁層を設け、第２の発光デバイスが有する画素電極の上面よりも第１の発光デバイスが有する画素電極の上面の位置を高くすることにより、隣り合う２つの発光デバイスが有するそれぞれの島状のＥＬ層の上面の高さの差を小さくすることができる。

また、前述の、島状の発光層の側面を覆う絶縁層は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、当該絶縁層は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、当該絶縁層は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有する絶縁層を用いることで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

本発明の一態様の表示装置は、陽極として機能する画素電極と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層と、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層のそれぞれの側面を覆うように設けられた絶縁層と、電子輸送層上に設けられた電子注入層と、電子注入層上に設けられ、陰極として機能する共通電極と、を有する。

または、本発明の一態様の表示装置は、陰極として機能する画素電極と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層と、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層のそれぞれの側面を覆うように設けられた絶縁層と、正孔輸送層上に設けられた正孔注入層と、正孔注入層上に設けられ、陽極として機能する共通電極と、を有する。

正孔注入層または電子注入層などは、ＥＬ層の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。本発明の一態様の表示装置では、これらの層の側面が絶縁層で覆われるため、共通電極などと接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

島状のＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の側面を覆う絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

例えば、無機材料を用いた単層構造の絶縁層を形成することで、当該絶縁層をＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の保護絶縁層として用いることができる。これにより、表示装置の信頼性を高めることができる。また、保護絶縁層は、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の上面の一部まで覆うことが好ましい。このような構成にする場合、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の上面と保護絶縁層の間に、上記マスク層が残存して形成される場合がある。また、当該マスク層は、上記保護絶縁層と同じ、無機材料を用いた絶縁層であることが好ましい。

また、積層構造の絶縁層を用いる場合、１層目の絶縁層は、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層に接して形成されるため、無機絶縁材料を用いて形成することが好ましい。特に、成膜ダメージが小さい原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが好ましい。そのほか、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速い、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法を用いて無機絶縁層を形成することが好ましい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。また、２層目の絶縁層は、１層目の絶縁層に形成された凹部を平坦化するように、有機材料を用いて形成することが好ましい。

例えば、絶縁層の１層目に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜を用い、絶縁層の２層目に、有機樹脂膜を用いることができる。当該有機樹脂としては、例えば感光性のアクリル樹脂を用いることが好ましい。

ＥＬ層の側面と、有機樹脂膜とが、直接接する場合、有機樹脂膜に含まれうる有機溶媒などがＥＬ層にダメージを与える可能性がある。絶縁層の１層目に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることで、有機樹脂膜と、ＥＬ層の側面とが直接接しない構成とすることができる。これにより、ＥＬ層が有機溶媒により溶解することなどを抑制することができる。

また、本発明の一態様の表示装置では、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設ける必要が無いため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、表示装置の高精細化、または、高解像度化を図ることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

［表示装置の構成例］
図１乃至図４に、本発明の一態様の表示装置を示す。

図１に、表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０が配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。表示部には、複数の副画素がマトリクス状に配置されている。図１では、２行６列分の副画素を示しており、これらによって２行２列の画素が構成される。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

図１に示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１に示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。

副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、などが挙げられる。

本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば直交する（図１参照）。

図１では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

図１では、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

図２Ａに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図２Ｂには、図２Ａに示す領域１３９の拡大図を示す。図２Ｃに、図１における一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。また、図２Ｄには、図２Ｃとは異なる構成の例を示す。

図２Ａ等に示すように、表示装置１００には、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃ、２５５ｄ、及び２５５ｅが設けられる。絶縁層上に発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。発光デバイス１３０ａは例えば、副画素１１０ａに対応する発光デバイスであり、発光デバイス１３０ｂは例えば、副画素１１０ｂに対応する発光デバイスであり、発光デバイス１３０ｃは例えば、副画素１１０ｃに対応する発光デバイスである。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

本発明の一態様の表示装置において、絶縁層２５５ｃ上には、島状の絶縁層２５５ｄと、島状の絶縁層２５５ｅと、が設けられる。発光デバイス１３０ａは、絶縁層２５５ｃ上に設けられる。発光デバイス１３０ｂは、絶縁層２５５ｄ上に設けられる。発光デバイス１３０ｃは、絶縁層２５５ｅ上に設けられる。

発光デバイス１３０ａは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の島状の層１１３ａと、島状の層１１３ａ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ａにおいて、層１１３ａ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。発光デバイス１３０ａの発光領域の少なくとも一部において画素電極１１１ａは例えば、絶縁層２５５ｃの上面と接する。

発光デバイス１３０ｂは、絶縁層２５５ｄ上の画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の島状の層１１３ｂと、島状の層１１３ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｂにおいて、層１１３ｂ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。発光デバイス１３０ｂの発光領域の少なくとも一部において画素電極１１１ｂは例えば、絶縁層２５５ｄの上面と接する。また、画素電極１１１ｂは、端部において、絶縁層２５５ｃの上面と接する領域を有する場合がある。

発光デバイス１３０ｃは、絶縁層２５５ｅ上の画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上の島状の層１１３ｃと、島状の層１１３ｃ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｃにおいて、層１１３ｃ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。また、絶縁層２５５ｅは図２Ａ等に示すように、絶縁層２５５ｅ１と、絶縁層２５５ｅ１上の絶縁層２５５ｅ２と、の積層構造としてもよく、絶縁層２５５ｅ１または絶縁層２５５ｅ２は例えば、絶縁層２５５ｄと同一の絶縁膜から形成される。よって例えば、絶縁層２５５ｅ１及び絶縁層２５５ｅ２のうち、絶縁層２５５ｄと同一の絶縁膜から形成された層と、絶縁層２５５ｄと、の厚さは概略揃う。発光デバイス１３０ｃの発光領域の少なくとも一部において画素電極１１１ｃは例えば、絶縁層２５５ｅの上面と接する。また、画素電極１１１ｃは、端部において、絶縁層２５５ｃの上面と接する領域を有する場合がある。

トランジスタを含む層１０１の一部と、絶縁層２５５ａと、絶縁層２５５ｂと、絶縁層２５５ｃと、を埋め込むように複数のプラグ２５６が設けられる。複数のプラグ２５６のそれぞれは、トランジスタを含む層１０１に設けられる半導体素子と、発光デバイスが有する画素電極とを電気的に接続する機能を有する。図２Ａ等において、画素電極１１１ａと電気的に接続されるプラグ２５６をプラグ２５６ａと表し、画素電極１１１ｂと電気的に接続されるプラグ２５６をプラグ２５６ｂと表し、画素電極１１１ｃと電気的に接続されるプラグ２５６をプラグ２５６ｃと表す。

プラグ２５６に用いることができる材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、金、銀、白金、マグネシウム、鉄、コバルト、パラジウム、タンタル、またはタングステンなどの金属、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物などが挙げられる。また、プラグ２５６として、これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

図２Ａ及び図２Ｂにおいて、プラグ２５６は絶縁層２５５ｃに埋め込まれるように形成される。プラグ２５６の上面と、絶縁層２５５ｃの上面と、は例えば、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、互いに概略揃う。また、絶縁層２５５ｃの上面は、プラグ２５６とひと続きの面をなす領域を有する場合がある。ひと続きの面をなす領域においては、絶縁層２５５ｃの上面の高さは、プラグ２５６の上面の高さと概略揃う。絶縁層２５５ｃの高さと、プラグ上面の高さと、が概略揃うとは例えば、互いの高さの差が１００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以下、あるいは３０ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以下であることを指す。

画素電極１１１ａは、絶縁層２５５ｃの上面に接する領域と、プラグ２５６ａの上面に接する領域と、のそれぞれを有することが好ましい。

画素電極１１１ｂは、絶縁層２５５ｄの上面に接する領域と、プラグ２５６ｂの上面に接する領域と、のそれぞれを有することが好ましい。また画素電極１１１ｂは図２Ａ等に示すように、絶縁層２５５ｃの上面に接する領域を有する場合がある。また、画素電極１１１ｂは例えば、絶縁層２５５ｄの上面及び側面を覆うように設けられる。

図２Ａ等において、絶縁層２５５ｄは、プラグ２５６ｂの上面の少なくとも一部を覆わないように設けられる。これにより、プラグ２５６ｂの上面の一部を露出させた後、露出させた該上面を覆うように画素電極１１１ｂを形成することができ、プラグ２５６ｂにおいて露出させた該領域の上面と、画素電極１１１ｂの上面と、が接する構成とすることができる。

図２Ａ等において、絶縁層２５５ｄは、プラグ２５６ｂと重畳する、第１の端部を有する。また、第１の端部は画素電極１１１ｂと重畳し、画素電極１１１ｂは、第１の端部よりも外側に延伸する第２の端部を有する。第１の端部は、プラグ２５６ｂの上面と接することが好ましい。また、第１の端部は、画素電極１１１ｂの下面と接することが好ましい。

また、絶縁層２５５ｄの第１の側面は、画素電極１１１ｂに覆われる。また、絶縁層２５５ｅの第２の側面は、画素電極１１１ｃに覆われる。

画素電極１１１ｃは、絶縁層２５５ｅの上面に接する領域と、プラグ２５６ｃの上面に接する領域と、のそれぞれを有することが好ましい。また画素電極１１１ｃは図２Ａ等に示すように、絶縁層２５５ｃの上面と接する領域を有する場合がある。また、画素電極１１１ｃは例えば、絶縁層２５５ｅの上面及び側面を覆うように設けられる。

図２Ａにおいて、絶縁層２５５ｅは、プラグ２５６ｃの上面の少なくとも一部を覆わないように設けられる。これにより、プラグ２５６ｃの上面の一部を露出させた後、露出させた該上面を覆うように画素電極１１１ｃを形成することができ、プラグ２５６ｃにおいて露出させた該領域の上面と、画素電極１１１ｃの上面と、を接する構成とすることができる。

図２Ａにおいて、絶縁層２５５ｅは、プラグ２５６ｃと重畳する、第３の端部を有する。また、第３の端部は画素電極１１１ｃと重畳し、画素電極１１１ｃは、第３の端部よりも外側に延伸する第４の端部を有する。第３の端部は、プラグ２５６ｃの上面と接することが好ましい。また、第３の端部は、画素電極１１１ｃの下面と接することが好ましい。

また、図３Ａには、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図として、図２Ａとは異なる構成の一例を示す。

図３Ａに示す断面図では、プラグ２５６ａ、プラグ２５６ｂ、及びプラグ２５６ｃはそれぞれ、絶縁層２５５ｃから突出する領域を有する。図３Ａに示す断面図においては、画素電極１１１ａがプラグ２５６ａの側面を覆う構成を有する点、画素電極１１１ｂがプラグ２５６ｂの側面を覆う構成を有する点、及び画素電極１１１ｃがプラグ２５６ｃの側面を覆う構成を有する点が、図２Ａと異なる。

図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４Ａ及び図４Ｂにおいて、プラグ２５６は絶縁層２５５ｃに埋め込まれるように形成される。絶縁層２５５ｃの上面は例えば、プラグ２５６とひと続きの面をなす領域を有する。ひと続きの面をなす領域においては、絶縁層２５５ｃの上面の高さは、プラグ２５６の上面の高さと概略揃う。一方、プラグ２５６において、側面が画素電極に覆われる領域の近傍では、プラグ２５６の上面の高さは、絶縁層２５５ｃの上面の高さよりも高い。

図３Ａにおいて、画素電極１１１ａはプラグ２５６ａの側面と接する領域を有することが好ましい。また、図３Ａにおいて、画素電極１１１ｂはプラグ２５６ｂの側面と接する領域を有することが好ましい。また、図３Ａにおいて、画素電極１１１ｃはプラグ２５６ｃの側面と接する領域を有することが好ましい。

また図３Ａにおいて、画素電極１１１ａはプラグ２５６ａの上面を覆う領域を有し、画素電極１１１ｂはプラグ２５６ｂの上面を覆う領域を有し、画素電極１１１ｃはプラグ２５６ｃの上面を覆う領域を有する。

図３Ｂは、図３Ａに示す領域１３９の拡大図である。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、プラグ２５６ｂの側面は、絶縁層２５５ａに覆われる領域と、絶縁層２５５ｂに覆われる領域と、絶縁層２５５ｃに覆われる領域と、絶縁層２５５ｃから突出し、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃのいずれにも覆われない領域と、を有する。また、プラグ２５６ｂの側面において、絶縁層２５５ｃから突出した領域は、画素電極１１１ｂにより覆われる。

図３Ｃは、図３Ａに示す領域１３９ｂの拡大図である。図３Ｃに示すように、プラグ２５６ｃの側面は、絶縁層２５５ａに覆われる領域と、絶縁層２５５ｂに覆われる領域と、絶縁層２５５ｃに覆われる領域と、絶縁層２５５ｃから突出し、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃのいずれにも覆われない領域と、を有する。また、プラグ２５６ｃの側面において、絶縁層２５５ｃから突出した領域は、画素電極１１１ｃにより覆われる。

なお、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、画素電極がプラグ２５６の上面を覆わない構成としてもよい。図４Ａは、プラグ２５６ｂ及びその近傍を拡大した断面図の一例である。また、図４Ｂは、プラグ２５６ｃ及びその近傍を拡大した断面図の一例である。

図４Ａに示す断面において、絶縁層２５５ｄの第１の側面と、プラグ２５６ｂの第１の側面と、は概略揃う。図４Ａにおいて、絶縁層２５５ｄの第１の側面と、プラグ２５６ｂの第１の側面とが、ひと続きの面を成し、画素電極１１１ｂは、該ひと続きの面を覆う。

図４Ｂに示す断面において、絶縁層２５５ｅの第１の側面と、プラグ２５６ｃの第１の側面と、が概略揃う。図４Ｂにおいて、絶縁層２５５ｅの第１の側面と、プラグ２５６ｃの第１の側面とが、ひと続きの面を成し、画素電極１１１ｃは、該ひと続きの面を覆う。

本発明の一態様の表示装置において、発光デバイス１３０ａが有するＥＬ層の上面の高さ、発光デバイス１３０ｂが有するＥＬ層の上面の高さ、及び発光デバイス１３０ｃが有するＥＬ層の上面の高さは、概略揃うことが好ましい。例えば、それぞれの発光デバイス１３０が有するＥＬ層の上面の高さの差は、１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

また、本発明の一態様の表示装置において、層１１３ａの上面の高さ、層１１３ｂの上面の高さ、及び層１１３ｃの上面の高さは、概略揃うことが好ましい。例えば、それぞれの発光デバイス１３０が有する層１１３の上面の高さの差は、１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本発明の一態様の表示装置において、画素電極１１１ａの厚さと層１１３ａの厚さの和は、画素電極１１１ｂの厚さ、層１１３ｂの厚さ、及び絶縁層２５５ｄの厚さの和と、概略揃うことが好ましい。また、画素電極１１１ｂの厚さ、層１１３ｂの厚さ、及び絶縁層２５５ｄの厚さの和は、画素電極１１１ｃの厚さ、層１１３ｃの厚さ、及び絶縁層２５５ｅの厚さの和と、概略揃うことが好ましい。

また、本発明の一態様の表示装置において、画素電極１１１ａの厚さと発光デバイス１３０ａが有するＥＬ層の厚さの和は、画素電極１１１ｂの厚さ、発光デバイス１３０ｂが有するＥＬ層の厚さ、及び絶縁層２５５ｄの厚さの和と、概略揃うことが好ましい。また、画素電極１１１ｂの厚さ、発光デバイス１３０ｂが有するＥＬ層の厚さ、及び絶縁層２５５ｄの厚さの和は、画素電極１１１ｃの厚さ、発光デバイス１３０ｃが有するＥＬ層の厚さ、及び絶縁層２５５ｅの厚さの和と、概略揃うことが好ましい。

図２Ａ等では、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図２Ａ等では、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。これらの絶縁層は、隣接する発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。図２Ａ等では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。

絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、絶縁層２５５ｃ、絶縁層２５５ｄ、及び絶縁層２５５ｅとしてはそれぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態３及び実施の形態４で後述する。

発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、それぞれ、異なる色の光を発する。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光を発する組み合わせであることが好ましい。

発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、及びＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等が挙げられる。発光デバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）等が挙げられる。ＥＬ素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料等）を用いることができる。なお、ＴＡＤＦ材料としては、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での発光効率低下を抑制することができる。

発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。

本実施の形態の発光デバイスの構成に、特に限定はなく、シングル構造であってもタンデム構造であってもよい。

なお以下では、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃに共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号を省略し、発光デバイス１３０と表記して説明する場合がある。また、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃも同様に、層１１３と表記して説明する場合がある。また、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃも同様に、画素電極１１１と表記して説明する場合がある。

本実施の形態では、発光デバイスが有するＥＬ層のうち、発光デバイスごとに島状に設けられた層を層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃと示し、複数の発光デバイスが共有して有する層を共通層１１４と示す。なお、本明細書等において、共通層１１４を含めず、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃを指して、ＥＬ層と呼ぶ場合もある。

層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃは、少なくとも発光層を有する。例えば、層１１３ａが、赤色の光を発する発光層を有し、層１１３ｂが緑色の光を発する発光層を有し、層１１３ｃが、青色の光を発する発光層を有する構成であると好ましい。

また、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

例えば、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

また、例えば、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃは、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。

層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

また、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃは、例えば、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットを有する。例えば、層１１３ａが、赤色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であり、層１１３ｂが緑色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であり、層１１３ｃが、青色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であると好ましい。

第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで共有されている。

本発明の一態様の表示装置において、層１１３ａ乃至層１１３ｃのそれぞれの膜厚が異なる構造であることが好ましい。層１１３ａ乃至層１１３ｃそれぞれの発する光を強める光路長に対応して膜厚を設定すればよい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、それぞれの発光デバイスにおける色純度を高めることができる。

発光デバイスの発光層から得られる光の波長λに対して、光路長がｍλ／２（ｍは１以上の整数）またはその近傍となるように、層１１３などの厚さを設定すればよい。

発光デバイス１３０ａが赤色を呈し、発光デバイス１３０ｂが緑色を呈し、発光デバイス１３０ｃが青色を呈する場合において、ｍλ／２におけるｍを共通とする場合には例えば、最も波長の長い光を発する層１１３ａが最も厚く、最も波長の短い光を発する層１１３ｃが最も薄い構成とすればよい。図２Ａには、層１１３ａ乃至層１１３ｃにおいて、層１１３ａが最も厚く、層１１３ｃが最も薄く、層１１３ｂは層１１３ａより薄く、かつ層１１３ｃより厚い例を示す。

一方、各発光デバイスにおけるｍの値が異なる場合には、これに限らない。例えば、青色を呈する発光デバイスが有する層１１３ｃが最も厚くなる場合がある。

なお、これに限られず、各発光デバイスが発する光の波長、発光デバイスを構成する層の光学特性、及び発光デバイスの電気特性などを考慮して、各層１１３の厚さを調整することができる。

なお、発光デバイスにおける光路長は、層１１３ａ乃至層１１３ｃをそれぞれ異なった厚さとすることのみでなく、画素電極１１１ａ乃至画素電極１１１ｃをそれぞれ異なった厚さとすることによっても調整することができる。具体的には例えば、画素電極１１１が反射性を有する導電性材料（反射導電膜）と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、異なる色を呈する発光デバイス間において透明導電膜をそれぞれ異なった厚さとすることにより、それぞれの色に合った光路長とすることができる。

発光デバイスにおける光路長は例えば、画素電極１１１が有する透明導電膜、層１１３、及び共通層１１４の厚さの和により決定される。

簡略化のため、本明細書の図などにおいてそれぞれの発光デバイスにおける層１１３及び画素電極１１１の厚さが明瞭に異なる記載を行わない場合があるが、各発光デバイスにおいて適宜、厚さを調整し、それぞれの発光デバイスに対応する波長の光を強めることが好ましい。

なお、表示装置１００において、層１１３ａ乃至層１１３ｃの上面の高さの差が小さいことが好ましい。例えば、層１１３ａ乃至層１１３ｃの上面の高さを概略揃えた構成とすればよい。

マトリックス状に配置された複数の発光デバイスを有する表示装置１００を上面から見た場合において、絶縁層１２７は、発光デバイスの間の凹部を埋め込むように設けられる。該凹部の深さは例えば、層１１３の上面の高さと、絶縁層２５５ｃの上面の高さの差に応じて決まる。

層１１３ａ乃至層１１３ｃの上面の高さの差を小さくすることにより、絶縁層１２７の被形成面の凹凸の面内分布を小さくすることができる。これにより、絶縁層１２７の形状を、面内に渡って好適な形状とすることができる。具体的には例えば、絶縁層１２７の厚さのばらつきを、面内に渡って小さくすることができる。また、絶縁層１２７の厚さのばらつきを面内に渡って小さくすることができるため、絶縁層１２７の厚さを薄くすることができる。

絶縁層１２７の厚さを薄くすることにより、絶縁層１２７の上面の高さと層１１３ａ乃至層１１３ｃの上面の高さの差を小さくすることができる。

絶縁層１２７の上面の高さと層１１３ａ乃至層１１３ｃの上面の高さの差を小さくすることにより、後述する膜の収縮による剥離等が生じにくくなる場合があり、好ましい。

絶縁層１２７の上面の高さと層１１３ａ乃至層１１３ｃの上面の高さの差は、２００ｎｍ未満であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。絶縁層１２７の上面の高さと層１１３ａの上面の高さの差は、２００ｎｍ未満であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。また、絶縁層１２７の上面の高さと層１１３ｂの上面の高さの差は、２００ｎｍ未満であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。また、絶縁層１２７の上面の高さと層１１３ｃの上面の高さの差は、２００ｎｍ未満であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。

ここで、画素電極１１１、層１１３、絶縁層１２７等の層において、上面の高さを計測する際に、その上面が平坦ではない場合には例えば、最も高さの高い部分を、絶縁層１２７の高さとすればよい。

絶縁層１２７として、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料を有する絶縁層を、凹凸を有する被形成面に成膜することにより例えば、凹凸を平坦化することができる。

絶縁層１２７に熱処理等の処理を加えることにより、絶縁層１２７の収縮が生じる場合がある。このような収縮は、発光デバイス１３０を構成する各層に応力を与える場合がある。このような応力は、発光デバイス１３０を構成する各層において、層の界面における剥離等を引き起こす場合がある。

具体的には例えば、層１１３の上面の高さが低い発光デバイスにおいては、層１１３の上面の高さが高い発光デバイスに比べて、隣接して設けられる絶縁層１２７の厚さが、より厚くなる場合がある。このように、絶縁層１２７の厚さにばらつきが生じる。また、厚さのみではなく、膜に凹凸が生じる場合においては例えば、厚さのばらつきに加えて上面形状のばらつきも生じる懸念がある。絶縁層１２７の厚さが厚い領域においては、熱処理による応力がより大きくなる懸念があり、絶縁層１２７と絶縁層１２５の間の界面で剥離が生じる可能性がある。なお、剥離は絶縁層１２７と絶縁層１２５との間で生じるとは限らず、絶縁層１２５と層１１３との間で生じる懸念もある。

また、このような剥離が生じた状態において、後述するマスク層のエッチングにおいてウェットエッチングを用いると、剥離により生じた隙間にウェットエッチング液が入り込み、剥離がさらに進行する懸念がある。

絶縁層１２７の膜厚のばらつきを小さくすることにより、各層に与える応力のばらつきを小さくすることができる。また、絶縁層１２７の膜厚を均一に薄くすることができる。

また、絶縁層１２７の被形成面の凹凸を面内において均一にすることにより、絶縁層１２７の厚さを均一に薄くすることができる。絶縁層１２７の厚さを薄くすることにより、発光デバイス１３０を構成する各層に与える応力を均一に小さくすることができる。

絶縁層１２７の上面は、平坦であることが好ましいが、表面が緩やかな曲面形状となる場合がある。例えば、絶縁層１２７の上面は、凸面、凹面、または平面であってもよい。

画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃのそれぞれの端部はテーパ形状を有することが好ましい。これらの画素電極の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極の側面に沿って設けられる層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃも、テーパ形状を有する。画素電極の側面をテーパ形状とすることで、画素電極の側面に沿って設けられるＥＬ層の少なくとも一部の被覆性を高めることができる。また、画素電極の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。

また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図２Ｃ及び図２Ｄ参照）。図２Ｃ及び図２Ｄに示す接続部１４０には発光層等が設けられない。よって、絶縁層１２７となる絶縁膜を成膜する工程において、接続部１４０では、導電層１２３の上面が被形成面となる。導電層１２３の上面と、層１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃの上面の高さの差は小さいことが好ましい。よって、絶縁層２５５ｃ上に絶縁層２５５ｅを設け、絶縁層２５５ｅを覆うように導電層１２３を設けることが好ましい。このような構成とすることにより、絶縁層１２７となる絶縁膜を成膜する際の被形成面の凹凸を小さくすることができる。導電層１２３には、少なくともその一部が、画素電極１１１ａ乃至画素電極１１１ｃの少なくとも一と同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。なお、導電層１２３と絶縁層２５５ｃの間に絶縁層を設けなくてもよい。また、絶縁層２５５ｅに替えて、絶縁層２５５ｄを設けてもよい。

図２Ｃでは、導電層１２３上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示す。また、共通層１１４の導電性が低い場合には、接続部１４０には共通層１１４を設けなくてもよい。図２Ｄでは、共通層１１４を設けず、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、共通層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。

発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層側に入り込む不純物（水及び酸素等）を抑制することができる。

さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料としては、例えば、後述する絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料などが挙げられる。

保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

図２Ａ等において、画素電極１１１ａと層１１３ａとの間には、画素電極１１１ａの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。また、画素電極１１１ｂと層１１３ｂとの間には、画素電極１１１ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。

また、図２Ａ等では、発光デバイス１３０ａが有する層１１３ａ上には、マスク層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０ｂが有する層１１３ｂ上には、マスク層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０ｃが有する層１１３ｃ上には、マスク層１１８ｃが位置する。マスク層１１８ａは、層１１３ａを加工する際に層１１３ａの上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。同様に、マスク層１１８ｂは、層１１３ｂの形成時、マスク層１１８ｃは、層１１３ｃの形成時に、それぞれ設けたマスク層の一部が残存しているものである。このように、本発明の一態様の表示装置は、その作製時にＥＬ層を保護するために用いるマスク層が一部残存していてもよい。マスク層１１８ａ乃至マスク層１１８ｃのいずれか２つ、または全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。なお、以下において、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、及びマスク層１１８ｃをまとめて、マスク層１１８と呼ぶ場合がある。

図２Ａにおいて、マスク層１１８ａの一方の端部は、層１１３ａの端部と揃っている、または概略揃っており、マスク層１１８ａの他方の端部は、層１１３ａ上に位置する。ここで、マスク層１１８ａの他方の端部は、層１１３ａ及び画素電極１１１ａと重なることが好ましい。この場合、マスク層１１８ａの他方の端部が層１１３ａの概略平坦な面に形成されやすくなる。なお、マスク層１１８ｂ及びマスク層１１８ｃについても同様である。また、マスク層１１８は、例えば、島状に加工された層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃと、絶縁層１２５との間に残存する。

マスク層１１８としては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び無機絶縁膜などを一種または複数種、用いることができる。マスク層としては、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。

図２Ａに示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、島状に加工された層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの上面の一部を覆うことが好ましい。絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、島状に加工された層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの側面だけでなく、上面も覆うことで、層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりをより高めることができる。図２Ａでは、画素電極１１１ａの端部上に、層１１３ａ、マスク層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する例を示す。同様に、画素電極１１１ｂの端部上に、層１１３ｂ、マスク層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置し、画素電極１１１ｃの端部上に、層１１３ｃ、マスク層１１８ｃ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する。

図２Ａ等では、画素電極１１１ａの端部よりも層１１３ａの端部が外側に位置する例を示す。なお、画素電極１１１ａと層１１３ａを例に挙げて説明するが、画素電極１１１ｂと層１１３ｂ、及び、画素電極１１１ｃと層１１３ｃにおいても同様のことが言える。

図２Ａ等において、層１１３ａは、画素電極１１１ａの端部を覆うように形成されている。このような構成とすることで、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃの端部がそれぞれ画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることができる。

また、画素電極の側面を層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃで覆うことで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光デバイスのショートを抑制することができる。また、ＥＬ層の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの端部との距離を大きくできるため、信頼性を高めることができる。

層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃのそれぞれの側面は、絶縁層１２７及び絶縁層１２５によって覆われている。また、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃのそれぞれの上面の一部は、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８によって覆われている。これにより、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

絶縁層１２５は、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの側面の少なくとも一方を覆うことが好ましく、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの側面の双方を覆うことがより好ましい。絶縁層１２５は、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。

図２Ａ等では、画素電極１１１ａの端部を層１１３ａが覆っており、絶縁層１２５が層１１３ａの側面と接する構成を示す。同様に、画素電極１１１ｂの端部は層１１３ｂで覆われており、画素電極１１１ｃの端部は層１１３ｃで覆われており、絶縁層１２５が層１１３ｂの側面及び層１１３ｃの側面と接している。

絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間の空間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極など）の被形成面の高低差の大きな凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層及び共通電極などの被覆性を高めることができ、共通電極の段切れを防止することができる。

共通層１１４及び共通電極１１５は、層１１３ａ、層１１３ｂ、層１１３ｃ、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及び層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃが設けられる領域と、画素電極及び層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃが設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

共通層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それぞれ、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃの少なくとも一つの端部における上面の高さと揃うまたは概略揃うことが好ましい。また、絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

また、絶縁層１２５は、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃと接するように設けることができる。これにより、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの膜剥がれを防止することができる。絶縁層１２５と層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃとが密着することで、隣り合う島状の層１１３同士が、絶縁層１２５によって固定される、または、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

ここで、絶縁層１２５は、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの側面と接する領域を有し、層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの保護絶縁層として機能する。絶縁層１２５を設けることで、島状の層１１３ａ、層１１３ｂ、または層１１３ｃの側面から内部へ不純物（酸素及び水分等）が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。

次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の材料と形成方法の例について説明する。

絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、層１１３の選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、層１１３を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、層１１３を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５から層１１３に不純物が混入し、層１１３が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

絶縁層１２５の形成方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

絶縁層１２５を成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層１２５を形成することができる。したがって、当該基板温度は、６０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましく、１００℃以上がより好ましく、１２０℃以上がより好ましい。一方で、絶縁層１２５は、島状の層１１３を形成した後に成膜されるため、層１１３の耐熱温度よりも低い温度で形成することが好ましい。したがって、当該基板温度は、２００℃以下が好ましく、１８０℃以下がより好ましく、１６０℃以下がより好ましく、１５０℃以下がより好ましく、１４０℃以下がより好ましい。

耐熱温度の指標としては、例えば、ガラス転移点、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。層１１３の耐熱温度としては、これらのいずれかの温度、好ましくはこれらのうち最も低い温度とすることができる。

絶縁層１２５としては、例えば、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の高低差の大きな凹凸を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させる効果を奏する。

絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、感光性のアクリル樹脂を用いればよい。また、絶縁層１２７の材料の粘度は、１ｃＰ以上１５００ｃＰ以下とすればよく、１ｃＰ以上１２ｃＰ以下とすることが好ましい。絶縁層１２７の材料の粘度を上記の範囲にすることで、後述する、テーパ形状を有する絶縁層１２７を、比較的容易に形成することができる。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

なお、絶縁層１２７は、側面に後述するようなテーパ形状を有していればよく、絶縁層１２７として用いることができる有機材料は上記に限られるものではない。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる場合がある。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を適用することができる場合がある。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いることができる場合がある。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる場合がある。

絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。

可視光を吸収する材料としては、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、または３色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色または黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

絶縁層１２７は、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を用いて形成することができる。特に、スピンコートにより、絶縁層１２７となる有機絶縁膜を形成することが好ましい。

絶縁層１２７は、層１１３の耐熱温度よりも低い温度で形成する。絶縁層１２７を形成する際の基板温度としては、代表的には、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、より好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１４０℃以下である。

本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、層１１３間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、本実施の形態の表示装置は、隣接する２つの島状の層１１３の間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。

基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイスを有していてもよい。例えば、画素が有する複数の副画素のうち、一以上を発光デバイスとし、一以上を受光デバイスとする構成としてもよい。

受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

本発明の一態様として、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いることができる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

受光デバイスは、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

受光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。または、画素電極が陰極として機能し、共通電極が陽極として機能してもよい。

発光デバイス１３０において、層１１３を光電変換デバイスの活性層（光電変換層ともいう）に替えることにより、受光デバイスとして機能させることができる。

受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。例えば、表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源として光を呈し、残りの副画素で画像を表示することもできる。

本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。例えば、電子機器に設けられる指紋認証装置、またはスクロールなどを行うための静電容量方式のタッチパネルなどを別途設ける必要がない。したがって、本発明の一態様の表示装置を用いることで、製造コストが低減された電子機器を提供することができる。

本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。

また、受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出することができる。

本発明の一態様の表示装置は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有することができる。このように、本発明の一態様の表示装置は、表示機能以外の機能との親和性が高い構成ということができる。

次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）であることが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）であることが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

発光層は、発光材料（発光物質ともいう）を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。

蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような波長の発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃは、それぞれ、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

例えば、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有していてもよい。

共通層１１４としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を適用することができる。例えば、共通層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を形成してもよい。なお、発光デバイスは、共通層１１４を有していなくてもよい。

層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。なお、電子注入性の高い材料は、共通電極に用いる材料の仕事関数の値と比較して、最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位の値の差が小さい材料、例えば値の差が０．５ｅＶ以下である材料が好ましい。

電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。

または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットの間に、電荷発生層（中間層ともいう）を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

電荷発生層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、電荷発生層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような電荷発生層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

画素電極１１１として例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。銅は可視光の反射率が高く、好ましい。また、アルミニウムは電極のエッチングが容易であるため加工しやすく、かつ、可視光および近赤外光の反射率が高く、好ましい。また、上記金属材料及び合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、またはマグネシウムと、銀とを含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。

また、画素電極１１１として例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

画素電極１１１として、上記に例示した材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また画素電極１１１において、可視光を反射する導電膜上に導電性金属酸化物膜を積層する構成としてもよい。このような構成とすることで可視光を反射する導電膜の酸化及び腐食を抑制できる。例えば、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜または金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜または金属酸化物膜の材料としては、チタンまたは酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。

ここで、発光デバイス１３０が有する層１１３において、互いの上面の高さが概略揃うとは例えば、一方の上面の高さと、他方の上面の高さの差が１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、発光デバイス１３０が有する積層構造において、ある領域の厚さの和が概略揃う場合、あるいはある領域の厚さと距離の和が概略揃う場合には例えば、一方の和の値と、他方の和の値との差が１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。一方の和の値が、他方の和の値の０．８倍以上１．２倍以下であることが好ましい。また、一方の和の値が、他方の和の値の０．９倍以上１．１倍以下であることがより好ましい。

層１１３の厚さは例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。ここで、上面視において、隣接する２つの発光デバイス１３０（以下、第１の発光デバイス、第２の発光デバイスと呼ぶ）の間に絶縁層１２５が設けられる場合を考える。絶縁層１２５は、２つの発光デバイス１３０においてそれぞれ、層１１３の側面と接することが好ましい。第１の発光デバイスにおいて絶縁層１２５と接する層１１３の側面（以下、第１の側面）と、第２の発光デバイスにおいて絶縁層１２５と接する層１１３の側面（以下、第２の側面）との間隔が小さくなる場合には、第１の側面と絶縁層１２７の上面、及び、第２の側面と絶縁層１２７の上面との距離がそれぞれ近くなるため、絶縁層１２７の収縮による応力変化の影響を、より受けやすくなる懸念がある。

よって、本発明の一態様の構成は、特に、第１の側面と第２の側面の間隔が小さい場合に対して、より顕著な効果が見られる場合がある。例えば、本発明の一態様の構成は、極めて高精細な表示装置において、より顕著な効果が得られる場合がある。

例えば本発明の一態様の構成は、層１１３の厚さに対して、第１の側面と第２の側面の間隔が小さい場合に対して、より顕著な効果が見られる場合がある。

具体的には例えば本発明の一態様の構成は、第１の側面と第２の側面の間隔が２０００ｎｍ以下、あるいは１０００ｎｍ以下である場合に、より顕著な効果がみられる場合がある。

なお、共通層１１４と層１１３の界面は、発光デバイス１３０の断面の観察の際に、判別が難しい場合がある。よって例えば、層１１３と共通層１１４を合わせた厚さを評価に用いてもよい。ここで、層１１３ａと共通層１１４を合わせて、発光デバイス１３０ａが有するＥＬ層と表現することができる。また、層１１３ｂと共通層１１４を合わせて、発光デバイス１３０ｂが有するＥＬ層と表現することができる。また、層１１３ｃと共通層１１４を合わせて、発光デバイス１３０ｃが有するＥＬ層と表現することができる。

また、共通層１１４と層１１３の界面は、発光デバイス１３０の断面の観察の際に、判別が難しい場合がある。よって、より明瞭に観察が可能な界面を用いて、厚さの算出を行えばよい。例えば、電極の上面または下面を用いて、距離の算出を行えばよい。

なお、画素電極１１１、層１１３、共通層１１４、及び共通電極１１５の厚さを評価する場合において、それぞれの層が島状に形成される場合には例えば、断面観察像において、島状の層の中央、及びその近傍において評価を行えばよい。

［表示装置の作製方法例１］
次に、図５Ａ乃至図７Ｃを用いて、図１などに示す表示装置１００の作製方法例を説明する。図５Ａ乃至図７Ｃには、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

まず、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順番で形成する。絶縁層２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃには、上述した絶縁層２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃに適用可能な構成を適用することができる。

次に、トランジスタを含む層１０１の一部と、絶縁層２５５ａと、絶縁層２５５ｂと、絶縁層２５５ｃと、に複数の開口部を設け、該開口部を埋め込むように、複数のプラグ２５６（図５においては、プラグ２５６ａ、２５６ｂ、及び２５６ｃ）を形成する。プラグ２５６の形成において例えば、プラグ２５６の上面の高さと絶縁層２５５ｃの上面の高さを揃えるために、化学研磨法などを用いた平坦化処理を行うことが好ましい。

次に、絶縁層２５５ｃ、プラグ２５６ａ、２５６ｂ、及び２５６ｃ上に、絶縁膜２５５Ｅを設ける。絶縁膜２５５Ｅは、絶縁層２５５ｅ１となる絶縁膜である。

次に、絶縁膜２５５Ｅ上にレジストマスク１９０Ｅ１を形成する（図５Ａ）。プラグ２５６ｃの少なくとも一部がレジストマスク１９０Ｅ１と重畳しないように、レジストマスク１９０Ｅ１を形成することにより、絶縁層２５５ｅ１の形成において、プラグ２５６ｃの少なくとも一部を露出させることができる。また、レジストマスク１９０Ｅ１とプラグ２５６ｃが重ならないように、レジストマスク１９０Ｅ１を形成してもよい。

次に、レジストマスク１９０Ｅ１を用いて絶縁膜２５５Ｅの一部を除去し、絶縁層２５５ｅ１を形成する。絶縁膜２５５Ｅを除去した部分においては、絶縁層２５５ｃが露出する。この時、絶縁膜２５５Ｅと絶縁層２５５ｃのエッチングにおける選択比が低いと、オーバーエッチングにより絶縁層２５５ｃがエッチングされる場合がある。

よって例えば、絶縁膜２５５Ｅとして、絶縁層２５５ｃとの選択比が高い膜を用いることが好ましい。あるいは、絶縁膜２５５Ｅのエッチングの際に、絶縁層２５５ｃも合わせてエッチングを行ってもよい。このような場合には例えば、絶縁膜２５５Ｅとして、絶縁層２５５ｂとの選択比が高い膜を用いればよい。

例えば、絶縁膜２５５Ｅを酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜とし、絶縁層２５５ｃ及び絶縁層２５５ｂの少なくとも一方を窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜とすることにより、絶縁膜２５５Ｅの絶縁層２５５ｃまたは絶縁層２５５ｂに対するエッチングの選択比を高めることができる。

あるいは例えば、絶縁膜２５５Ｅを窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜とし、絶縁層２５５ｃ及び絶縁層２５５ｂの少なくとも一方を酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜としてもよい。

次に、絶縁層２５５ｅ１、絶縁層２５５ｃ、プラグ２５６ａ、２５６ｂ、及び２５６ｃ上に絶縁膜２５５Ｄを成膜する（図５Ｂ）。絶縁膜２５５Ｄは、絶縁層２５５ｄ及び絶縁層２５５ｅ２となる膜である。

次に、絶縁膜２５５Ｄ上にレジストマスク１９０Ｄ及びレジストマスク１９０Ｅ２を形成する（図５Ｃ）。レジストマスク１９０Ｅ２は、絶縁層２５５ｅ１と少なくとも一部が重畳するように形成される。

また、プラグ２５６ｂの少なくとも一部がレジストマスク１９０Ｄと重畳しないように、レジストマスク１９０Ｄを形成することにより、絶縁層２５５ｄの形成において、プラグ２５６ｂの少なくとも一部を露出させることができる。また、レジストマスク１９０Ｄとプラグ２５６ｂが重ならないように、レジストマスク１９０Ｄを形成してもよい。

次に、レジストマスク１９０Ｄ及びレジストマスク１９０Ｅ２を用いて、絶縁膜２５５Ｄの一部を除去し、絶縁層２５５ｄ及び絶縁層２５５ｅ２を形成する（図５Ｄ）。図５Ｄにおいては絶縁層２５５ｅ１と絶縁層２５５ｅ２の端部が概略揃うようにそれぞれが設けられるが、一方の端部が他方の端部の外側、あるいは内側に位置する場合がある。図５Ｄにおいて、プラグ２５６ａ、プラグ２５６ｂ、及びプラグ２５６ｃはそれぞれ、上面が露出する。

次に、絶縁層２５５ｄ、絶縁層２５５ｅ、絶縁層２５５ｃ、プラグ２５６ａ、２５６ｂ、及び２５６ｃ上に、画素電極となる導電膜を形成する。続いて、レジストマスク等のマスクを用いて該導電膜の一部を除去し、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃを形成する（図５Ｅ）。

画素電極１１１ａは、露出したプラグ２５６ａの上面を覆うように設けられる。画素電極１１１ｂは、露出したプラグ２５６ｂの上面を覆うように設けられる。画素電極１１１ｃは、露出したプラグ２５６ｃの上面を覆うように設けられる。

画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部はテーパ形状であることが好ましい。これにより、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ上に形成する層の被覆性が向上し、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

次に、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃ上に、層１１３ａｆを形成する。続いて、層１１３ａｆ上に第１のマスク層１１８ａｆを形成し、第１のマスク層１１８ａｆ上に第２のマスク層１１９ａｆを形成する。

層１１３ａｆは、後に、層１１３ａとなる層である。そのため、上述した、層１１３ａに適用可能な構成を適用できる。層１１３ａｆは、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。層１１３ａｆは、蒸着法を用いて形成することが好ましい。蒸着法を用いた成膜では、プレミックス材料を用いてもよい。なお、本明細書等において、プレミックス材料とは、複数の材料をあらかじめ配合、または混合した複合材料である。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆには、層１１３ａｆ、及び、後の工程で形成する層１１３ｂｆなどの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、各種ＥＬ層とのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、または真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層上に接して形成される第１のマスク層１１８ａｆは、第２のマスク層１１９ａｆの形成方法よりも、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、第１のマスク層１１８ａｆを形成することが好ましい。また、第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆは、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆの加工時に、層１１３ａｆに加わるダメージを低減することができる。

また、第１のマスク層１１８ａｆには、第２のマスク層１１９ａｆとのエッチングの選択比の大きい膜を用いることが好ましい。

本実施の形態の表示装置の作製方法における各種マスク層の加工工程において、ＥＬ層を構成する各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層など）が加工されにくいこと、かつ、ＥＬ層を構成する各層の加工工程において、各種マスク層が加工されにくいことが望ましい。マスク層の材料、加工方法、及び、ＥＬ層の加工方法については、これらを考慮して選択することが望ましい。

なお、本実施の形態では、第１のマスク層と第２のマスク層の２層構造でマスク層を形成する例を示すが、マスク層は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆの一方または双方に紫外光を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、ＥＬ層に紫外光が照射されることを抑制でき、ＥＬ層の劣化を抑制できるため、好ましい。

また、第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などの金属酸化物を用いることができる。第１のマスク層１１８ａｆまたは第２のマスク層１１９ａｆとして、例えば、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成することができる。さらに、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。特に、Ｍは、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

また、第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆとしては、それぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ層との密着性が高く好ましい。例えば、第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。第１のマスク層１１８ａｆまたは第２のマスク層１１９ａｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層など）へのダメージを低減できるため好ましい。

例えば、第１のマスク層１１８ａｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、第２のマスク層１１９ａｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、またはタングステン膜）を用いることができる。

なお、第１のマスク層１１８ａｆと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、第１のマスク層１１８ａｆと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、第１のマスク層１１８ａｆと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよい。例えば、第１のマスク層１１８ａｆを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、第１のマスク層１１８ａｆを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。なお、これに限られず、第１のマスク層１１８ａｆと絶縁層１２５に、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆの一方または双方として、少なくとも層１１３ａｆの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層への熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆは、それぞれ、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

次に、第２のマスク層１１９ａｆ上にレジストマスク１９０ａを形成する（図６Ａ）。レジストマスクは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。

レジストマスクは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

レジストマスク１９０ａは、画素電極１１１ａと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ａとして、１つの副画素１１０ａに対して、あるいは一つの発光デバイス１３０ａに対して、１つの島状のパターンが設けられていることが好ましい。または、レジストマスク１９０ａとして、一列に並ぶ（図１ＡではＹ方向に並ぶ）複数の副画素１１０ａに対して１つの帯状のパターンを形成してもよい。

ここで、レジストマスク１９０ａの端部が、画素電極１１１ａの端部よりも外側に位置するように、レジストマスク１９０ａを形成すると、後に形成する層１１３ａの端部を、画素電極１１１ａの端部よりも外側に設けることができる。層１１３ａの端部が、画素電極１１１ａの端部よりも外側に位置する構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。

次に、レジストマスク１９０ａを用いて、第２のマスク層１１９ａｆの一部を除去し、マスク層１１９ａを形成する。マスク層１１９ａは、画素電極１１１ａ上に残存する。

第２のマスク層１１９ａｆのエッチングの際、第１のマスク層１１８ａｆが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。また、第２のマスク層１１９ａｆの加工においては、ＥＬ層が露出しないため、第１のマスク層１１８ａｆの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、第２のマスク層１１９ａｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、ＥＬ層の劣化をより抑制することができる。

その後、レジストマスク１９０ａを除去する。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングなどによりレジストマスク１９０ａを除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガス（希ガスともいう）と、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。このとき、第１のマスク層１１８ａｆが最表面に位置し、層１１３ａｆは露出していないため、レジストマスク１９０ａの除去工程において、層１１３ａｆにダメージが入ることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０ａの除去方法の選択の幅を広げることができる。

次に、マスク層１１９ａを、マスク（ハードマスクともいう）に用いて、第１のマスク層１１８ａｆの一部を除去し、マスク層１１８ａを形成する。

第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１のマスク層１１８ａｆ及び第２のマスク層１１９ａｆの加工時に、層１１３ａｆに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液などを用いることが好ましい。

また、ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、層１１３ａｆの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

例えば、第１のマスク層１１８ａｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅを用いて、ドライエッチング法により第１のマスク層１１８ａｆを加工することができる。また、第２のマスク層１１９ａｆとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により第２のマスク層１１９ａｆを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により第２のマスク層１１９ａｆを加工することができる。また、第２のマスク層１１９ａｆとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＣＦ_４とＯ_２、ＣＦ_６とＯ_２、ＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２、または、ＣＦ_６とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法により第２のマスク層１１９ａｆを加工することができる。

次に、マスク層１１９ａ及びマスク層１１８ａをハードマスクとして用いたエッチング処理により、層１１３ａｆの一部を除去し、層１１３ａを形成する。

これにより、画素電極１１１ａ上に、層１１３ａ、マスク層１１８ａ、及び、マスク層１１９ａの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上にマスク層１１８ａとマスク層１１９ａとの積層構造が残存する。なお、上記エッチング処理によって、絶縁層２５５ｃの層１１３ａと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

また、層１１３ａが画素電極１１１ａの上面及び側面を覆うことにより、画素電極１１１ａを露出させずに、以降の工程を行うことができる。画素電極１１１ａの端部が露出していると、エッチング工程などにおいて腐食が生じる場合がある。画素電極１１１ａの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には、雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、または、雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面、及び、層１１３ａの側面などに生成物が付着し、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼす、または、複数の発光デバイスの間にリークパスを形成する可能性がある。また、画素電極１１１ａの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、層１１３ａまたは画素電極１１１ａの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。

よって、層１１３ａが画素電極１１１ａの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光デバイスの歩留まりを向上させることができ、発光デバイスの表示品位を向上させることができる。

なお、レジストマスク１９０ａを用いて、層１１３ａｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。

層１１３ａｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。

ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、層１１３ａｆの劣化を抑制することができる。

また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、層１１３ａｆに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着などの不具合を抑制することができる。

ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ、Ａｒなどの貴ガス（希ガスともいう）のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

以上の工程により、層１１３ａｆ、第１のマスク層１１８ａｆ、及び、第２のマスク層１１９ａｆの、レジストマスク１９０ａと重なっていない領域を除去することができる。

次に、マスク層１１９ａ、画素電極１１１ｂ、及び、画素電極１１１ｃ上に、層１１３ｂｆを形成し、層１１３ｂｆ上に第１のマスク層１１８ｂｆを形成し、第１のマスク層１１８ｂｆ上に第２のマスク層１１９ｂｆを形成する（図６Ｂ）。

層１１３ｂｆは、後に、層１１３ｂとなる層である。層１１３ｂは、層１１３ａと異なる色の光を発する。層１１３ｂに適用できる構成及び材料等は、層１１３ａと同様である。層１１３ｂｆは、層１１３ａｆと同様の方法を用いて成膜することができる。

第１のマスク層１１８ｂｆは、第１のマスク層１１８ａｆに適用可能な材料を用いて形成することができる。第２のマスク層１１９ｂｆは、第２のマスク層１１９ａｆに適用可能な材料を用いて形成することができる。

次に、第２のマスク層１１９ｂｆ上にレジストマスクを形成する。該レジストマスクは、画素電極１１１ｂと重なる位置に設ける。

次に、層１１３ａ、マスク層１１８ａ、及びマスク層１１９ａの作製において説明した工程と同様の工程を行うことで、層１１３ｂｆ、第１のマスク層１１８ｂｆ、及び、第２のマスク層１１９ｂｆの、レジストマスクと重なっていない領域を除去する。これにより、画素電極１１１ｂ上に、層１１３ｂ、マスク層１１８ｂ、及び、マスク層１１９ｂの積層構造が残存する。

次に、マスク層１１９ａ、マスク層１１９ｂ、及び、画素電極１１１ｃ上に、層１１３ｃとなる層を形成し、層１１３ａ及び層１１３ｂの形成と同様の工程を用いて、画素電極１１１ｃ上に、層１１３ｃと、層１１３ｃ上のマスク層１１８ｃと、マスク層上のマスク層１１９ｃと、を形成する（図６Ｃ）。

層１１３ｃは、層１１３ａ及び層１１３ｂとは異なる色の光を発する。層１１３ｃに適用できる構成及び材料等は、層１１３ａと同様である。層１１３ｃとなる層は、層１１３ａｆと同様の方法を用いて成膜することができる。

図６Ｄには、図６Ｃにおいて一点鎖線で囲まれた領域の拡大図を示す。

なお、層１１３ａ、層１１３ｂ、層１１３ｃの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

上記のように、各ＥＬ層を、フォトリソグラフィ法を用いて加工することにより、各画素間の距離を、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、各画素間の距離とは、例えば、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃのうち、隣接する２つの層の対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、各画素間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供することができる。

次に、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去する。これにより、画素電極１１１ａ上ではマスク層１１８ａが露出し、画素電極１１１ｂ上ではマスク層１１８ｂが露出し、画素電極１１１ｃ上ではマスク層１１８ｃが露出し、及び、導電層１２３上では、マスク層１１８ａが露出する。

なお、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去せずに、絶縁膜１２５Ａの形成工程に進める構成にしてもよい。

マスク層の除去工程には、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃに加わるダメージを低減することができる。

また、マスク層を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。

マスク層を除去した後に、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

次に、層１１３ａ、層１１３ｂ、層１１３ｃ、及び、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを覆うように、絶縁膜１２５Ａを形成する。

絶縁膜１２５Ａは、後に絶縁層１２５となる層である。したがって、絶縁膜１２５Ａには、絶縁層１２５に用いることができる材料を適用することができる。また、絶縁膜１２５Ａの膜厚は、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下にすることが好ましい。

絶縁膜１２５Ａは、ＥＬ層の側面に接して形成されるため、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。また、絶縁膜１２５Ａは、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。絶縁膜１２５Ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、より好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１４０℃以下である。

絶縁膜１２５Ａとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。ここで、絶縁膜１２５Ａを、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料、及び同様の方法を用いて成膜することができる。この場合、絶縁膜１２５Ａと、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃとの境界が不明瞭になることがある。

次に、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁膜１２７Ａを塗布法により形成する（図７Ａ）。

絶縁膜１２７Ａは後の工程で絶縁層１２７となる膜であり、絶縁膜１２７Ａには、上述の有機材料を用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、感光性のアクリル樹脂を用いればよい。また、絶縁膜１２７Ａの粘度は、１ｃＰ以上１５００ｃＰ以下とすればよく、１ｃＰ以上１２ｃＰ以下とすることが好ましい。絶縁膜１２７Ａの粘度を上記の範囲にすることで、テーパ形状を有する絶縁層１２７を、比較的容易に形成することができる。

絶縁膜１２７Ａの形成方法に特に限定はなく、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を用いて形成することができる。特に、スピンコートにより、絶縁膜１２７Ａを形成することが好ましい。

また、絶縁膜１２７Ａの塗布法による形成後に加熱処理を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下とすればよい。これにより、絶縁膜１２７Ａ中に含まれる溶媒を除去することができる。

次に、露光を行って、絶縁膜１２７Ａの一部に、可視光線または紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７Ａに、ポジ型のアクリル樹脂を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射すればよい。露光に可視光線を用いる場合、当該可視光線は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。さらに、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、またはｈ線（波長４０５ｎｍ）などを含む可視光線を用いてもよい。

なお、絶縁膜１２７Ａにネガ型の感光性の有機樹脂を用いる構成にしてもよい。この場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線または紫外線を照射すればよい。

次に、現像を行って、絶縁膜１２７Ａの露光させた領域を除去することにより絶縁層１２７を形成することができる（図７Ｂ）。絶縁膜１２７Ａにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いればよい。

現像後、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を照射してもよい。また、現像後、または現像及び露光を行った後、加熱処理を行ってもよい。

次に、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁層１２５を形成する（図１０Ａ）。上記エッチング処理は、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって行うことができる。

次に、絶縁層１２５、絶縁層１２７、マスク層１１８、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃを覆うように、共通層１１４、共通電極１１５を順に形成する（図７Ｃ）。

共通層１１４として用いることができる材料は上述の通りである。共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。また、共通層１１４は、プレミックス材料を用いて形成されてもよい。

共通層１１４は、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃそれぞれの上面、並びに、絶縁層１２７の上面及び側面を覆うように設けられる。ここで、共通層１１４の導電性が高く、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が設けられていない場合、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃのいずれかの側面と、共通層１１４とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。しかし、本発明の一態様の表示装置では、絶縁層１２５、１２７が、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃの側面を覆い、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃが、対応する画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、の側面を覆っている。これにより、導電性の高い共通層１１４がこれらの層の側面と接することを抑制し、発光デバイスがショートすることを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

また、層１１３ａと層１１３ｂの間の空間、及び、層１１３ｂと層１１３ｃの間の空間が、絶縁層１２５、１２７によって埋められているため、共通層１１４の被形成面は、絶縁層１２５、１２７が設けられていない場合よりも段差が小さく、平坦となる。これにより、共通層１１４の被覆性を高めることができる。

共通電極１１５の成膜の際には、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いてもよい。または、共通電極１１５の成膜に当該マスクを使用せず、共通電極１１５となる膜を成膜した後に、レジストマスクなどを用いて共通電極１１５となる膜を加工してもよい。

共通電極１１５として用いることができる材料は上述の通りである。共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

次に、保護層１３１を形成する。

保護層１３１に用いることができる材料及び成膜方法は上述の通りである。保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。また、保護層１３１は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

その後、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、図２Ａに示す表示装置１００を作製することができる。

以上のようにして、上述の表示装置１００を作製することができる。

［表示装置の作製方法例２］
図８Ａ乃至図８Ｄを用いて、図４Ａ及び図４Ｂに示す構成の作製方法の一例を示す。

まず、図５Ａ乃至図５Ｄに示す工程を用いて、絶縁層２５５ｄ、絶縁層２５５ｅ１及び絶縁層２５５ｅ２を形成する。ここで、絶縁膜２５５Ｄのエッチングを行う際に、オーバーエッチングにより絶縁層２５５ｃの一部をエッチングする（図８Ａ）。図８Ａに示すように、オーバーエッチングにより、プラグ２５６ａ、２５６ｂ及び２５６ｃの側面の一部がそれぞれ、露出する。図８Ｂは図８Ａに示す領域１３９ｃの拡大図であり、図８Ｃは図８Ａに示す領域１３９ｄの拡大図である。オーバーエッチングを行うことにより、絶縁層２５５ｃにおいて、オーバーエッチングが行われなかった部分が凸部となる。すなわち、絶縁層２５５ｃは凸部を有する。

次に、絶縁層２５５ｄ、絶縁層２５５ｅ、絶縁層２５５ｃ、プラグ２５６ａ、２５６ｂ、及び２５６ｃ上に、画素電極となる導電膜を形成する。この時、該導電膜は、露出したプラグ２５６ａ、２５６ｂ及び２５６ｃの側面の一部を覆うように形成される。続いて、レジストマスク等のマスクを用いて該導電膜の一部を除去し、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃを形成する。

次に、画素電極１１１ａ上に層１１３ａ及びマスク層１１８ａを形成し、画素電極１１１ｂ上に層１１３ｂ及びマスク層１１８ｂを形成し、画素電極１１１ｃ上に層１１３ｃ及びマスク層１１８ｃを形成する。その後、絶縁層１２５、絶縁層１２７、共通層１１４、及び共通電極１１５を形成し、図４Ａ及び図４Ｂに示す構成を得る。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図９乃至図１２を用いて説明する。

［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図１とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。

また、副画素を構成する回路レイアウトは、図面に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。例えば、副画素１１０ａが有するトランジスタは、図面に示す副画素１１０ｂの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１０ａの範囲外に位置してもよい。

図９Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図９Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、図１１Ａに示すように、副画素１１０ａを青色の副画素Ｂとし、副画素１１０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｃを緑色の副画素Ｇとしてもよい。

図９Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、図１１Ｂに示すように、副画素１１０ａを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

図９Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図９Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、図１１Ｃに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

図９Ｄ及び図９Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。例えば、図１１Ｄに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

図９Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図９Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図９Ｆは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、図１１Ｅに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いて、島状のＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層を形成する。ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

なお、ＥＬ層、またはＥＬ層の一部からなる島状の層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

なお、図１に示すストライプ配列が適用された画素１１０においても、例えば、図１１Ｆに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとすることができる。

図１０Ａ乃至図１０Ｈに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

図１０Ａ乃至図１０Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

図１０Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１０Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１０Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

図１０Ｄ乃至図１０Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

図１０Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１０Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１０Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図１０Ｇ及び図１０Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

図１０Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

図１０Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１０Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

図１０Ａ乃至図１０Ｈに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。例えば、図１１Ｇ乃至図１１Ｊに示すように、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。

本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイス（受光素子とも呼ぶ）を有していてもよい。

図１１Ｇ乃至図１１Ｊに示す画素１１０が有する４つの副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃが、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素であり、副画素１１０ｄが、受光デバイスを有する副画素であってもよい。

図１２Ａ及び図１２Ｂに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、及び、副画素ＰＳを有する。なお、副画素の並び順は図示した構成に限定されず、適宜決定することができる。例えば、副画素Ｇと副画素Ｒの位置を交換してもよい。

図１２Ａに示す画素には、ストライプ配列が適用されている。図１２Ｂに示す画素には、マトリクス配列が適用されている。

副画素Ｒは、赤色の光を発する発光デバイスを有する。副画素Ｇは、緑色の光を発する発光デバイスを有する。副画素Ｂは、青色の光を発する発光デバイスを有する。

副画素ＰＳは、受光デバイスを有する。副画素ＰＳが検出する光の波長は特に限定されない。副画素ＰＳは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出する構成とすることができる。

図１２Ｃ及び図１２Ｄに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、副画素Ｘ１、及び副画素Ｘ２を有する。なお、副画素の並び順は図示した構成に限定されず、適宜決定することができる。例えば、副画素Ｇと副画素Ｒの位置を交換してもよい。

図１２Ｃでは、１つの画素が、２行３列にわたって設けられている例を示す。上の行（１行目）には、３つの副画素（副画素Ｇ、副画素Ｂ、及び副画素Ｒ）が設けられている。図１２Ｃでは、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２）が設けられている。

図１２Ｄでは、１つの画素が、３行２列で構成されている例を示す。図１２Ｄでは、１行目に副画素Ｇを有し、２行目に副画素Ｒを有し、この２行にわたって副画素Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２）を有する。言い換えると、図１２Ｄに示す画素は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素Ｇ、副画素Ｒ、及び副画素Ｘ２）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素Ｂ及び副画素Ｘ１）を有する。

図１２Ｃに示す副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトは、ストライプ配列となっている。また、図１２Ｄに示す副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトは、いわゆるＳストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。

副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２のうち少なくとも一方が、受光デバイスを有する（副画素ＰＳである、ともいえる）ことが好ましい。

なお、副画素ＰＳを有する画素のレイアウトは図１２Ａ乃至図１２Ｄの構成に限られない。

副画素Ｘ１または副画素Ｘ２としては、例えば、赤外光（ＩＲ）を発する発光デバイスを有する構成を適用することができる。このとき、副画素ＰＳは、赤外光を検出することが好ましい。例えば、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを用いて画像を表示しながら、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の一方を光源として用いて、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の他方にて当該光源が発する光の反射光を検出することができる。

また、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の双方に、受光デバイスを有する構成を適用することができる。このとき、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の検出する光の波長域は同じであってもよく、異なっていてもよく、一部共通であってもよい。例えば、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２のうち、一方が主に可視光を検出し、他方が主に赤外光を検出してもよい。

副画素Ｘ１の受光面積は、副画素Ｘ２の受光面積よりも小さい。受光面積が小さいほど、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、副画素Ｘ１を用いることで、副画素Ｘ２が有する受光デバイスを用いる場合に比べて、高精細または高解像度の撮像を行うことができる。例えば、副画素Ｘ１を用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

副画素ＰＳが有する受光デバイスは、可視光を検出することが好ましく、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの色の光のうち一つまたは複数を検出することが好ましい。また、副画素ＰＳが有する受光デバイスは、赤外光を検出してもよい。

また、副画素Ｘ２に受光デバイスを有する構成を適用する場合、当該副画素Ｘ２は、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。副画素Ｘ２は、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定することができる。例えば、副画素Ｘ２は、赤外光を検出することが好ましい。これにより、暗い場所でも、タッチ検出が可能となる。

ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

また、本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、且つタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

図１２Ｅ乃至図１２Ｇに示す表示装置１００は、基板３５１と基板３５９との間に、受光デバイスを有する層３５３、機能層３５５、及び、発光デバイスを有する層３５７を有する。

機能層３５５は、受光デバイスを駆動する回路、及び、発光デバイスを駆動する回路を有する。機能層３５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、抵抗、配線、端子などを設けることができる。なお、発光デバイス及び受光デバイスをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

例えば、図１２Ｅに示すように、発光デバイスを有する層３５７において発光デバイスが発した光を、表示装置１００に接触した指３５２が反射することで、受光デバイスを有する層３５３における受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指３５２が接触したことを検出することができる。

また、図１２Ｆ及び図１２Ｇに示すように、表示装置に近接している（接触していない）対象物を検出または撮像する機能を有していてもよい。図１２Ｆでは、人の指を検出する例を示し、図１２Ｇでは人の目の周辺、表面、または内部の情報（瞬きの回数、眼球の動き、瞼の動きなど）を検出する例を示す。

本実施の形態の表示装置では、受光デバイスを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、画素に発光デバイスと受光デバイスとの双方を有する構成を適用することができる。この場合においても、様々なレイアウトを適用することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１３乃至図２１を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

また、本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図１３Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図１３Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１３Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂを有する。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図１４Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び１３０Ｂには、先の実施の形態に示す発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、及び１３０ｃをそれぞれ適用することができる。

基板３０１は、図１３Ａ及び図１３Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造には、実施の形態１に示したトランジスタを含む層１０１と、その上層の絶縁層２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃと、を適用することができる。

トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。

絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図１４Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図２Ａに示す積層構造を有する例を示す。

表示装置１００Ａは、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃが分離されており、それぞれ離隔しているため、高精細な表示装置であっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示装置を実現することができる。

隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。図１４Ａなどでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

発光デバイス１３０Ｒが有する層１１３ａ上には、マスク層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する層１１３ｂ上には、マスク層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する層１１３ｃ上には、マスク層１１８ｃが位置する。

発光デバイスの画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び、画素電極１１１ｃは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、揃うまたは概略揃う。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１３Ａにおける基板２９２に相当する。

画素電極１１１ａと層１１３ａとの間には、画素電極１１１ａの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。また、画素電極１１１ｂと層１１３ｂとの間には、画素電極１１１ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。

表示装置１００Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂを有する例を示したが、本実施の形態の表示装置は、さらに、受光デバイスを有していてもよい。

図１４Ｂに示す表示装置は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０を有する例である。受光デバイス１５０は、画素電極１１１ｄと、第４の層１１３ｄと、共通層１１４と、共通電極１１５とを積層して有する。受光デバイス１５０の構成要素についての詳細は実施の形態１を参照することができる。

［表示装置１００Ｂ］
図１５に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置１００Ｃ］
図１６に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

図１６に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置１００Ｄ］
図１７に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図１３Ａ及び図１３Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが揃うまたは概略揃うように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｅ］
図１８に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。

なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
図１９に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

［表示装置１００Ｇ］
図２０に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図２１Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２０では、基板１５２を破線で明示している。

表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図２０では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２０に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図２０では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から配線１６５に入力される、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

図２０では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図２１Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図２１Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び１３０Ｂには、先の実施の形態に示す発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、及び１３０ｃをそれぞれ適用することができる。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点、及び画素電極と、トランジスタを含む層１０１との間の絶縁層の構成が異なる点以外は、それぞれ、図２Ａに示す積層構造と同様の構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、絶縁層２１４上に設けられる。絶縁層２１４上には、絶縁層２１６ｄ及び絶縁層２１６ｅが設けられる。絶縁層２１６ｄ及び絶縁層２１６ｅはそれぞれ、島状の絶縁層である。絶縁層２１６ｄは、絶縁層２１４と発光デバイス１３０Ｇに挟まれる領域を有する。絶縁層２１６ｅは、絶縁層２１４と発光デバイス１３０Ｂに挟まれる領域を有する。

表示装置１００Ｇは、層１１３ａ、層１１３ｂ、及び層１１３ｃが分離されており、それぞれ離隔しているため、高精細な表示装置であっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示装置を実現することができる。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２ｃと、導電層１１２ｃ上の導電層１２６ｃと、導電層１２６ｃ上の導電層１２９ｃと、を有する。

導電層１１２ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ａの端部よりも外側に導電層１２６ａの端部が位置している。導電層１２６ａの端部と導電層１２９ａの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２ａ及び導電層１２６ａに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９ａに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

導電層１１２ｂは、絶縁層２１４及び絶縁層２１６ｄに設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ｂの端部よりも外側に導電層１２６ｂの端部が位置している。導電層１２６ｂの端部と導電層１２９ｂの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２ｂ及び導電層１２６ｂに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９ｂに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

図２１Ａにおいては、絶縁層２１６ｄの端部と導電層１１２ｂの端部が揃っている、または概略揃っている例を示すが、導電層１１２ｂの端部が絶縁層２１６ｄの外側に位置してもよい。また、絶縁層２１６ｄの端部が導電層１１２ｂの端部の外側に位置してもよい。

導電層１１２ｃは、絶縁層２１４及び絶縁層２１６ｅに設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ｃの端部よりも外側に導電層１２６ｃの端部が位置している。導電層１２６ｃの端部と導電層１２９ｃの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２ｃ及び導電層１２６ｃに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９ｃに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

図２１Ａにおいては、絶縁層２１６ｅの端部と導電層１１２ｃの端部が揃っている、または概略揃っている例を示すが、導電層１１２ｃの端部が絶縁層２１６ｅの外側に位置してもよい。また、絶縁層２１６ｅの端部が導電層１１２ｃの端部の外側に位置してもよい。

図２１Ａに示す表示装置１００Ｇにおいては、層１１３ｃが層１１３ｂより厚く、層１１３ｂが層１１３ａより厚い例を示す。絶縁層２１６ｅにおいて発光デバイス１３０Ｂの発光領域と重畳する領域の厚さは、絶縁層２１６ｄにおいて発光デバイス１３０Ｇの発光領域と重畳する領域の厚さよりも厚い。絶縁層２１６ｄにおいて例えば、絶縁層２５５ｄの記載を参照できる場合がある。絶縁層２１６ｅにおいて例えば、絶縁層２５５ｅの記載を参照できる場合がある。

発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１２ｂ、１２６ｂ、１２９ｂ、及び、発光デバイス１３０Ｂにおける導電層１１２ｃ、１２６ｃ、１２９ｃについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａと同様であるため詳細な説明は省略する。

導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び層１２８上には、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと電気的に接続される導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている。したがって、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。

層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。

導電層１２６ａの上面及び側面と導電層１２９ａの上面及び側面は、層１１３ａによって覆われている。同様に、導電層１２６ｂの上面及び側面と導電層１２９ｂの上面及び側面は、層１１３ｂによって覆われている。また、導電層１２６ｃの上面及び側面と導電層１２９ｃの上面及び側面は、層１１３ｃによって覆われている。したがって、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

層１１３ａ、層１１３ｂ、及び、層１１３ｃの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。層１１３ａと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ａが位置する。また、層１１３ｂと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ｂが位置し、層１１３ｃと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ｃが位置する。層１１３ａ、層１１３ｂ、層１１３ｃ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。発光デバイスを覆う保護層１３１を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図２１Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、マスク層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または、単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れなどが限りなく少ない表示とすることができる。

図２１Ｂ及び図２１Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

図２１Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

一方、図２１Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２１Ｃに示す構造を作製できる。図２１Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用することのできるトランジスタの構成例について説明する。特に、チャネルが形成される半導体にシリコンを含むトランジスタを用いる場合について説明する。

本発明の一態様は、発光デバイスと、画素回路と、を有する表示装置である。表示装置は、例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光デバイスを有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

発光デバイスを駆動する画素回路に含まれるトランジスタの全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタを用いることが好ましい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることが好ましい。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタなどのシリコンを用いたトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、チャネルが形成される半導体に金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトランジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタなどにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタなどにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［表示装置の構成例］
図２２Ａに、表示装置４００のブロック図を示す。表示装置４００は、表示部４０４、駆動回路部４０２、駆動回路部４０３などを有する。

表示部４０４は、マトリクス状に配置された複数の画素４３０を有する。画素４３０は、副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂを有する。副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂは、それぞれ表示デバイスとして機能する発光デバイスを有する。

画素４３０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ駆動回路部４０２と電気的に接続されている。配線ＧＬは、駆動回路部４０３と電気的に接続されている。駆動回路部４０２は、ソース線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能し、駆動回路部４０３は、ゲート線駆動回路（ゲートドライバともいう）として機能する。配線ＧＬは、ゲート線として機能し、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれソース線として機能する。

副画素４０５Ｒは、赤色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素４０５Ｇは、緑色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素４０５Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスを有する。これにより、表示装置４００はフルカラーの表示を行うことができる。なお、画素４３０は、他の色の光を呈する発光デバイスを有する副画素を有していてもよい。例えば画素４３０は、上記３つの副画素に加えて、白色の光を呈する発光デバイスを有する副画素、または黄色の光を呈する発光デバイスを有する副画素などを有していてもよい。

配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線ＳＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、または副画素４０５Ｂ（図示しない）と電気的に接続されている。

〔画素回路の構成例〕
図２２Ｂに、上記副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂに適用することのできる画素４０５の回路図の一例を示す。画素４０５は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、容量Ｃ１、及び発光デバイスＥＬを有する。また、画素４０５には、配線ＧＬ及び配線ＳＬが電気的に接続される。配線ＳＬは、図２２Ａで示した配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢのうちのいずれかに対応する。

トランジスタＭ１は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと電気的に接続され、他方が容量Ｃ１の一方の電極、及びトランジスタＭ２のゲートと電気的に接続される。トランジスタＭ２は、ソース及びドレインの一方が配線ＡＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が発光デバイスＥＬの一方の電極、容量Ｃ１の他方の電極、及びトランジスタＭ３のソース及びドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＲＬと電気的に接続される。発光デバイスＥＬは、他方の電極が配線ＣＬと電気的に接続される。

配線ＳＬには、データ電位が与えられる。配線ＧＬには、選択信号が与えられる。当該選択信号には、トランジスタを導通状態とする電位と、非導通状態とする電位が含まれる。

配線ＲＬには、リセット電位が与えられる。配線ＡＬには、アノード電位が与えられる。配線ＣＬには、カソード電位が与えられる。画素４０５において、アノード電位はカソード電位よりも高い電位とする。また、配線ＲＬに与えられるリセット電位は、リセット電位とカソード電位との電位差が、発光デバイスＥＬのしきい値電圧よりも小さくなるような電位とすることができる。リセット電位は、カソード電位よりも高い電位、カソード電位と同じ電位、または、カソード電位よりも低い電位とすることができる。

トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、スイッチとして機能する。トランジスタＭ２は、発光デバイスＥＬに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能する。例えば、トランジスタＭ１は選択トランジスタとして機能し、トランジスタＭ２は、駆動トランジスタとして機能するともいえる。

ここで、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３の全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。または、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを適用し、トランジスタＭ２にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

または、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３のすべてに、ＯＳトランジスタを適用してもよい。このとき、駆動回路部４０２が有する複数のトランジスタ、及び駆動回路部４０３が有する複数のトランジスタのうち、一以上にＬＴＰＳトランジスタを適用し、他のトランジスタにＯＳトランジスタを適用する構成とすることができる。例えば、表示部４０４に設けられるトランジスタにはＯＳトランジスタを適用し、駆動回路部４０２及び駆動回路部４０３に設けられるトランジスタにはＬＴＰＳトランジスタを適用することもできる。

ＯＳトランジスタとしては、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの半導体層として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。

シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。そのため、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。そのため、特に容量Ｃ１に直列に接続されるトランジスタＭ１及びトランジスタＭ３には、それぞれ、酸化物半導体が適用されたトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３として酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、容量Ｃ１に保持される電荷が、トランジスタＭ１またはトランジスタＭ３を介してリークされることを防ぐことができる。また、容量Ｃ１に保持される電荷を長時間に亘って保持できるため、画素４０５のデータを書き換えることなく、静止画を長期間に亘って表示することが可能となる。

なお、図２２Ｂにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。

また、画素４０５が有する各トランジスタは、同一基板上に並べて形成されることが好ましい。

画素４０５が有するトランジスタとして、半導体層を介して重なる一対のゲートを有するトランジスタを適用することができる。

一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲートが互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、トランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与えることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気的に接続する構成としてもよいし、自身のソースまたはドレインと電気的に接続する構成としてもよい。

図２２Ｃに示す画素４０５は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、それぞれ一対のゲートが電気的に接続されている。このような構成とすることで、画素４０５へのデータの書き込み期間を短縮することができる。

図２２Ｄに示す画素４０５は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３に加えて、トランジスタＭ２にも、一対のゲートを有するトランジスタを適用した例である。トランジスタＭ２は、一対のゲートが電気的に接続されている。トランジスタＭ２に、このようなトランジスタを適用することで、飽和特性が向上するため、発光デバイスＥＬの発光輝度の制御が容易となり、表示品位を高めることができる。

［トランジスタの構成例］
以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構成例について説明する。

〔構成例１〕
図２３Ａは、トランジスタ４１０を含む断面図である。

トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ４１０は、画素４０５のトランジスタＭ２に対応する。すなわち、図２３Ａは、トランジスタ４１０のソース及びドレインの一方が、発光デバイスの導電層４３１と電気的に接続されている例である。

トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３の一部は、ゲート電極として機能する。

なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トランジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。

低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例えばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素などを添加すればよい。一方、ｐチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミニウムなどを添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加されていてもよい。

基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。

また、導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂが設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層４２３が設けられている。

絶縁層４２３上には、画素電極として機能する導電層４３１が設けられる。導電層４３１は、絶縁層４２３上に設けられ、絶縁層４２３に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。ここでは省略するが、導電層４３１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層することができる。

〔構成例２〕
図２３Ｂには、一対のゲート電極を有するトランジスタ４１０ａを示す。図２３Ｂに示すトランジスタ４１０ａは、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図２３Ａと主に相違している。

導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６を介して導電層４１５と重なるように設けられている。

図２３Ｂに示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層４１３の一部が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層として機能する。

ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソースまたはドレインとを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層４１４ａまたは導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すればよい。

画素４０５を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用する場合、図２３Ａで例示したトランジスタ４１０、または図２３Ｂで例示したトランジスタ４１０ａを適用することができる。このとき、画素４０５を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組み合わせて用いてもよい。

〔構成例３〕
以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について説明する。

図２３Ｃに、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ４５０を含む、断面概略図を示している。

トランジスタ４１０ａについては、上記構成例１を参照できる。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トランジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トランジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有する構成としてもよい。

トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したトランジスタである。図２３Ｃに示す構成は、例えばトランジスタ４５０が画素４０５のトランジスタＭ１に対応し、トランジスタ４１０ａがトランジスタＭ２に対応する例である。すなわち、図２３Ｃは、トランジスタ４１０ａのソース及びドレインの一方が、導電層４３１と電気的に接続されている例である。

また、図２３Ｃには、トランジスタ４５０が一対のゲートを有する例を示している。

トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３の一部は、トランジスタ４５０の第１のゲートとして機能し、導電層４５５の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲートとして機能する。このとき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。

また、絶縁層４２６が絶縁層４５２及び導電層４５３を覆って設けられている。絶縁層４２６上には、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂが設けられる。導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂは、絶縁層４２６及び絶縁層４５２に設けられた開口部において、半導体層４５１と電気的に接続されている。導電層４５４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４５４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４５４ａ、導電層４５４ｂ、及び絶縁層４２６を覆って、絶縁層４２３が設けられている。

ここで、トランジスタ４１０ａと電気的に接続する導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂと、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図２３Ｃでは、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、導電層４５４ａ、及び導電層４５４ｂが、同一面上に（すなわち絶縁層４２６の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。このとき、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２６、絶縁層４５２、絶縁層４２２、及び絶縁層４１２に設けられた開口を介して、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続する。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

また、トランジスタ４１０ａの第１のゲート電極として機能する導電層４１３と、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する導電層４５５とは、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図２３Ｃでは、導電層４１３と導電層４５５とが、同一面上に（すなわち絶縁層４１２の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

図２３Ｃでは、トランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層４５２が、半導体層４５１の端部を覆う構成としたが、図２３Ｄに示すトランジスタ４５０ａのように、絶縁層４５２が、導電層４５３と上面形状が一致または概略一致するように加工されていてもよい。

なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。

なお、ここではトランジスタ４１０ａが、トランジスタＭ２に対応し、画素電極と電気的に接続する例を示したが、これに限られない。例えば、トランジスタ４５０またはトランジスタ４５０ａが、トランジスタＭ２に対応する構成としてもよい。このとき、トランジスタ４１０ａは、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３、またはその他のトランジスタに対応する。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。

図２４Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０などの複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）及び電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）及び正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１及び層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２４Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図２４Ｂは、図２４Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図２４Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７７２上の層４４３１と、層４４３１上の層４４３２と、層４４３２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２１と、層４４２１上の層４４２２と、層４４２２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３１が正孔注入層として機能し、層４４３２が正孔輸送層として機能し、層４４２１が電子輸送層として機能し、層４４２２が電子注入層として機能する。または、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３１が電子注入層として機能し、層４４３２が電子輸送層として機能し、層４４２１が正孔輸送層として機能し、層４４２２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

なお、図２４Ｃ、図２４Ｄに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、４４１２、４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

また、図２４Ｅ、図２４Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が電荷発生層４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

図２４Ｃ、図２４Ｄにおいて、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。例えば、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、青色の光を発する発光材料を用いてもよい。図２４Ｄに示す層７８５として、色変換層を設けてもよい。

また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、それぞれ異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２４Ｄに示す層７８５として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

また、図２４Ｅ、図２４Ｆにおいて、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。または、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２４Ｆには、さらに層７８５を設ける例を示している。層７８５としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

なお、図２４Ｃ、図２４Ｄ、図２４Ｅ、図２４Ｆにおいても、図２４Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

発光デバイスごとに、発光色（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。

発光デバイスの発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。または、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２５乃至図２７を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易であり、また、高い表示品位を実現できる。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図２５Ａ乃至図２５Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、及びＶＲのコンテンツを表示する機能の一方または双方を有する。なお、これらウェアラブル機器は、ＡＲ、ＶＲの他に、ＳＲまたはＭＲのコンテンツを表示する機能を有していてもよい。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどのうち少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

図２５Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図２５Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示装置７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示装置７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示装置７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

図２５Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図２５Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図２５Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤホンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドホン、イヤホン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤホン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤホン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤホン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図２５Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤホン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２５Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤホン７５０に情報を送信する機能を有する。

また、電子機器がイヤホン部を有していてもよい。図２５Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤホン部７２７を有する。例えば、イヤホン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤホン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図２５Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤホン部８２７を有する。例えば、イヤホン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤホン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤホン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤホン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

なお、電子機器は、イヤホンまたはヘッドホンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤホンに情報を送信することができる。

図２６Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２６Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示装置６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示装置６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示装置６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示装置６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示装置６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示装置６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図２６Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２６Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間など）の情報通信を行うことも可能である。

図２６Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２６Ｅ及び図２６Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図２６Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図２６Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図２６Ｅ及び図２６Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図２６Ｅ及び図２６Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図２７Ａ乃至図２７Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図２７Ａ乃至図２７Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図２７Ａ乃至図２７Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図２７Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２７Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

図２７Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図２７Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図２７Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図２７Ｅ乃至図２７Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２７Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２７Ｇは折り畳んだ状態、図２７Ｆは図２７Ｅと図２７Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

ＡＬ：配線、ＣＬ：配線、ＧＬ：配線、ＰＳ：副画素、ＳＬ：配線、ＳＬＢ：配線、ＳＬＧ：配線、ＳＬＲ：配線、ＲＬ：配線、１００：表示装置、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１０１：トランジスタを含む層、１１０：画素、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１１：画素電極、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１ｄ：画素電極、１１２ａ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１３：層、１１３ａ：層、１１３ａｆ：層、１１３ｂ：層、１１３ｂｆ：層、１１３ｃ：層、１１３ｄ：層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１１８：マスク層、１１８ａ：マスク層、１１８ａｆ：マスク層、１１８ｂ：マスク層、１１８ｂｆ：マスク層、１１８ｃ：マスク層、１１９ａ：マスク層、１１９ａｆ：マスク層、１１９ｂ：マスク層、１１９ｂｆ：マスク層、１１９ｃ：マスク層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５：絶縁層、１２５Ａ：絶縁膜、１２６ａ：導電層、１２６ｂ：導電層、１２６ｃ：導電層、１２７：絶縁層、１２７Ａ：絶縁膜、１２８：層、１２９ａ：導電層、１２９ｂ：導電層、１２９ｃ：導電層、１３０：発光デバイス、１３０ａ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０ｃ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３１：保護層、１３９：領域、１３９ｂ：領域、１３９ｃ：領域、１３９ｄ：領域、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０ａ：レジストマスク、１９０Ｄ：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１６ｄ：絶縁層、２１６ｅ：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１：半導体層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５５Ｄ：絶縁膜、２５５ｄ：絶縁層、２５５Ｅ：絶縁膜、２５５ｅ：絶縁層、２５５ｅ１：絶縁層、２５５ｅ２：絶縁層、２５６：プラグ、２５６ａ：プラグ、２５６ｂ：プラグ、２５６ｃ：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３：画素回路部、２８３ａ：画素回路、２８４：画素部、２８４ａ：画素、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３１０：トランジスタ、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０：トランジスタ、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、４００：表示装置、４０１：基板、４０２：駆動回路部、４０３：駆動回路部、４０４：表示部、４０５：画素、４０５Ｂ：副画素、４０５Ｇ：副画素、４０５Ｒ：副画素、４１０：トランジスタ、４１０ａ：トランジスタ、４１１：半導体層、４１１ｉ：チャネル形成領域、４１１ｎ：低抵抗領域、４１２：絶縁層、４１３：導電層、４１４ａ：導電層、４１４ｂ：導電層、４１５：導電層、４１６：絶縁層、４２１：絶縁層、４２２：絶縁層、４２３：絶縁層、４２６：絶縁層、４３０：画素、４３１：導電層、４５０：トランジスタ、４５０ａ：トランジスタ、４５１：半導体層、４５２：絶縁層、４５３：導電層、４５４ａ：導電層、４５４ｂ：導電層、４５５：導電層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤホン部、７５０：イヤホン、７５１：表示装置、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７７２：下部電極、７８５：層、７８６：ＥＬ層、７８６ａ：ＥＬ層、７８６ｂ：ＥＬ層、７８８：上部電極、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤホン部、８３２：レンズ、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２１：層、４４２２：層、４４３０：層、４４３１：層、４４３２：層、４４４０：電荷発生層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示装置、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (7)

1. 　トランジスタと、前記トランジスタ上の第１の絶縁層と、前記トランジスタと電気的に接続されるプラグと、前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の発光デバイスと、を有し、
   　前記第１の絶縁層の上面は、前記プラグの上面と高さが概略揃う領域を有し、
   　前記発光デバイスは、画素電極と、前記画素電極上のＥＬ層と、を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記画素電極に挟まれる第１の領域を有し、
   　前記第１の領域は、前記発光デバイスの発光領域と重畳し、
   　前記画素電極は、前記第１の領域の上面と接し、
   　上面視において、前記第２の絶縁層は、前記プラグと重畳する第１の端部を有し、
   　前記第１の端部の少なくとも一部は、前記画素電極に覆われ、
   　前記画素電極の側面の少なくとも一部は、前記ＥＬ層に覆われ、
   　前記画素電極は、前記プラグの上面と重畳し、前記プラグと電気的に接続される領域を有する表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記画素電極は、前記プラグの上面と接する領域を有する表示装置。
3. 　請求項１または請求項２において、
   　前記プラグの側面は、前記第１の絶縁層に覆われない第２の領域を有し、
   　前記画素電極は、前記第２の領域と接する表示装置。
4. 　請求項３において、
   　前記第２の絶縁層の側面は、第３の領域を有し、
   　前記第２の領域と、前記第３の領域は、ひと続きの面を成し、
   　前記画素電極は、前記第２の領域と、前記第３の領域と、に接する表示装置。
5. 　第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第１の発光デバイスと、前記第１の絶縁層上及び前記第２の絶縁層上の第２の発光デバイスと、を有し、
   　前記第１の発光デバイスと前記第２の発光デバイスは、互いに隣接し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記共通電極と、を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第２の画素電極に挟まれる第１の領域を有し、
   　前記第１の領域は、前記第２の発光デバイスの発光領域と重畳し、
   　前記第１の領域において、前記第２の画素電極は、前記第１の領域の上面と接し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の画素電極とは重畳せず、
   　前記第１のＥＬ層の厚さは、前記第２のＥＬ層の厚さより厚く、
   　前記第１の画素電極の側面の少なくとも一部は、前記第１のＥＬ層に覆われ、
   　前記第２の画素電極の側面の少なくとも一部は、前記第２のＥＬ層に覆われる表示装置。
6. 　請求項５において、
   　第３の絶縁層と、前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、を有し、
   　前記第４の絶縁層は、有機樹脂膜であり、
   　前記第３の絶縁層は、前記第１のＥＬ層の側面と、前記第２のＥＬ層の側面と、に接し、
   　前記第４の絶縁層は、前記第１の発光デバイスと前記第２の発光デバイスとの間に設けられ、
   　前記第４の絶縁層は、前記共通電極に覆われる表示装置。
7. 　請求項５または請求項６において、
   　前記第１の絶縁層上の第５の絶縁層と、前記第１の絶縁層上及び前記第５の絶縁層上の第３の発光デバイスと、を有し、
   　前記第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、前記第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、を有し、
   　前記第５の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第３の画素電極に挟まれる第２の領域を有し、
   　前記第２の領域は、前記第３の発光デバイスの発光領域と重畳し、
   　前記第２の領域において、前記第２の画素電極は、前記第２の領域の上面と接し、
   　前記第５の絶縁層は、前記第１の画素電極とは重畳せず、
   　前記第２のＥＬ層の厚さは、前記第３のＥＬ層の厚さより厚く、
   　前記第５の絶縁層の厚さは、前記第２の絶縁層の厚さより厚く、
   　前記第３の画素電極の側面の少なくとも一部は、前記第３のＥＬ層に覆われる表示装置。

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