JP2017227858A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017227858A JP2017227858A JP2016161715A JP2016161715A JP2017227858A JP 2017227858 A JP2017227858 A JP 2017227858A JP 2016161715 A JP2016161715 A JP 2016161715A JP 2016161715 A JP2016161715 A JP 2016161715A JP 2017227858 A JP2017227858 A JP 2017227858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- transistor
- substrate
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 95
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 30
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 17
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1018
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 258
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 203
- 239000010408 film Substances 0.000 description 140
- 239000000463 material Substances 0.000 description 134
- 230000006870 function Effects 0.000 description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 description 96
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 82
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 62
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 30
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 21
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 15
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Chemical group 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- -1 For example Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 238000000731 high angular annular dark-field scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical group [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
図1(A)は、本発明の一態様の表示装置10の斜視概略図である。表示装置10は、基板21と基板31とが貼り合わされた構成を有する。図1(A)では、基板31を破線で明示している。
〔断面構成例1−1〕
図1(B)に、図1(A)中の切断線A1−A2に対応する断面の一例を示す。図1(B)には、隣接する2つの画素(副画素)を含む領域の断面を示している。またここでは、表示素子として、トップエミッション構造の発光素子40を適用した場合の例を示している。したがって、基板31側が表示面側となる。
図4(A)には、図1(B)と比較し、着色層51bの厚さが着色層51aよりも薄い場合の例を示している。
図4(B)には、図1(B)と比較し、EL層24を画素毎に作り分けた場合の例を示している。図4(B)に示す構成では、着色層51aと重なる部分にEL層24aが設けられ、着色層51bと重なる部分にEL層24bが設けられている。EL層24aとEL層24bは、互いに異なる色の発光を呈する発光性の物質を含む層を有している。また導電層25は、隣接画素間に亘って設けられ、その一部が構造体11を覆って設けられている。なお、EL層24a及びEL層24bは、隣接する同色の画素間では分断されずに形成されていてもよい。
図4(C)には、EL層24及び導電層25を画素毎に作り分けた場合の例を示している。
図5(A)には、構造体11上の導電層25と遮光層52が接している例を示している。表示部32内に、部分的に導電層25の一部と遮光層52が接していてもよいし、表示部32の全域において、これらが接していてもよい。表示部32の全域でこれらが接していると、基板31と基板21の距離にばらつきが生じにくくなるため表示ムラが低減できる。
図5(B)は、遮光層52が着色層51aの端部を覆って設けられている例を示している。このような構成とすることで、着色層51aを通って隣接画素に向かって進行する光を効果的に抑制できる。
図5(C)は、トランジスタ70に代えて、単結晶基板91の一部を半導体層に用いたトランジスタ90を適用した場合の例を示している。
図6(A)には、構造体11が基板31側に設けられた場合の例を示している。
図6(B)には、図6(A)と比較し、EL層24を画素毎に作り分けた場合の例を示している。EL層24aは着色層51aと重ねて設けられ、EL層24bは着色層51bと重ねて設けられている。また導電層25は、隣接する画素に亘って設けられている。
図6(C)には、EL層24及び導電層25を画素毎に作り分けた場合の例を示している。
図7(A)は、表示素子に液晶素子60を適用した場合の例を示している。液晶素子60は、導電層61と、液晶62と、導電層63を有する。図7(A)に示す液晶素子60は、VA(Vertical Alignment)モードが適用された透過型の液晶素子である。
図7(B)には、表示素子にFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された液晶素子60を用いた場合の例を示している。液晶素子60を構成する導電層61及び導電層63は、いずれも基板21側に設けられている。
図8(A)〜(F)に、表示部32の一部を表示面側から見たときの拡大図を示す。ここでは、最も表示面側に遮光層52を有し、その下部に着色層51a、着色層51b、及び着色層51cが設けられ、それよりも下部に導電層23及び構造体11が設けられている例を示している。構造体11及び導電層23等は破線で示している。
以下では、本発明の一態様の表示装置10のより詳細な断面構成の例について説明する。ここでは特に、表示素子にトップエミッション型の発光素子を適用した場合について説明する。
図9は、表示装置10の断面概略図である。図9では、図1(A)におけるFPC42を含む領域、回路34を含む領域、表示部32を含む領域などの断面の一例を示している。また図9には表示部32として、トランジスタ等を含む領域の断面と、隣接画素間の領域の断面を並べて示している。
図10は、一対の基板に可撓性を有する基板171、基板181を用いた表示装置10の断面構成例を示す。図10に示す表示装置10は、表示面の一部を曲げることができる。
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud Aligned Complementary)−OSの構成について説明する。
続いて、各種測定方法を用い、基板上に成膜した酸化物半導体について測定を行った結果について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る9個の試料について説明する。各試料は、それぞれ、酸化物半導体を成膜する際の基板温度、および酸素ガス流量比を異なる条件で作製する。なお、試料は、基板と、基板上の酸化物半導体と、を有する構造である。
本項目では、9個の試料に対し、X線回折(XRD:X−ray diffraction)測定を行った結果について説明する。なお、XRD装置として、Bruker社製D8 ADVANCEを用いた。また、条件は、Out−of−plane法によるθ/2θスキャンにて、走査範囲を15deg.乃至50deg.、ステップ幅を0.02deg.、走査速度を3.0deg./分とした。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、および酸素ガス流量比10%で作製した試料を、HAADF(High−Angle Annular Dark Field)−STEM(Scanning Transmission Electron Microscope)によって観察、および解析した結果について説明する(以下、HAADF−STEMによって取得した像は、TEM像ともいう。)。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、および酸素ガス流量比10%で作製した試料に、プローブ径が1nmの電子線(ナノビーム電子線ともいう。)を照射することで、電子線回折パターンを取得した結果について説明する。
本項目では、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray spectroscopy)を用い、EDXマッピングを取得し、評価することによって、成膜時の基板温度R.T.、および酸素ガス流量比10%で作製した試料の元素分析を行った結果について説明する。なお、EDX測定には、元素分析装置として日本電子株式会社製エネルギー分散型X線分析装置JED−2300Tを用いる。なお、試料から放出されたX線の検出にはSiドリフト検出器を用いる。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、入出力装置(タッチパネル)、入力装置(タッチセンサ)等の構成例について説明する。
以下では、入力装置(タッチセンサ)の構成例について、図面を参照して説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、タッチパネルの構成例について、図面を参照して説明する。
続いて、タッチパネル100の断面構成の例について説明する。図14は、タッチパネル100の断面概略図である。図14は、図9と比較して、接着層141よりも基板31側の構成が主に相違している。
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置(表示パネル)の例を説明する。このような表示パネルを、TR−hybrid display(Transmissive OLED and Reflective LC Hybrid display)とも呼ぶことができる。
図16(A)は、表示装置200の構成の一例を示すブロック図である。表示装置200は、表示部32にマトリクス状に配列した複数の画素210を有する。また表示装置200は、回路GDと、回路SDを有する。また方向Rに配列した複数の画素210、及び回路GDと電気的に接続する複数の配線G1、複数の配線G2、複数の配線ANO、及び複数の配線CSCOMを有する。また方向Cに配列した複数の画素210、及び回路SDと電気的に接続する複数の配線S1及び複数の配線S2を有する。
図17は、画素210の構成例を示す回路図である。図17では、隣接する2つの画素210を示している。
図18に、表示装置200の断面概略図を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な入力装置(タッチセンサ)の駆動方法の例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることのできるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
図20(A1)は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトランジスタ810の断面図である。図20(A1)において、トランジスタ810は基板771上に形成されている。また、トランジスタ810は、基板771上に絶縁層772を介して電極746を有する。また、電極746上に絶縁層726を介して半導体層742を有する。電極746はゲート電極として機能できる。絶縁層726はゲート絶縁層として機能できる。
図21(A1)に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ830の断面図を示す。トランジスタ830は、絶縁層772の上に半導体層742を有し、半導体層742および絶縁層772上に、半導体層742の一部に接する電極744a、および半導体層742の一部に接する電極744bを有し、半導体層742、電極744a、および電極744b上に絶縁層726を有し、絶縁層726上に電極746を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図面を用いて説明する。
まず、ガラス基板上にトランジスタ、及びトランジスタと接続する配線等を形成した。トランジスタ(トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ205等)としては、チャネルが形成される半導体に酸化物半導体を用いたボトムゲート構造のトランジスタを適用した。ここで、本実施例では、酸化物半導体として膜面に垂直方向にc軸が配向した結晶性の酸化物半導体(CAAC−OS:C−Axis Aligned Crystalline−Oxide Semiconductor)を用いた。
作製した表示装置をイオンミリング法により加工し、その断面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)により観察した。
11 構造体
11a 部分
12 構造体
21 基板
23 導電層
24 EL層
24a EL層
24b EL層
25 導電層
31 基板
32 表示部
34 回路
35 配線
39 接着層
40 発光素子
42 FPC
43 IC
51a 着色層
51b 着色層
51c 着色層
52 遮光層
60 液晶素子
61 導電層
62 液晶
63 導電層
64 絶縁層
65 絶縁層
70 トランジスタ
71 導電層
72 半導体層
73 絶縁層
74a 導電層
74b 導電層
81 絶縁層
81a 絶縁層
81b 絶縁層
81c 絶縁層
82 絶縁層
82a 部分
90 トランジスタ
91 単結晶基板
95a 接続層
95b 接続層
96 導電層
100 タッチパネル
111 導電層
112 EL層
113 導電層
130 偏光板
131 着色層
131a 着色層
131b 着色層
132 遮光層
133 遮光層
134 着色層
141 接着層
142 接着層
146 導電膜
147 導電膜
148 導電膜
149 ナノワイヤ
150 入力装置
151 電極
152 電極
153 ブリッジ電極
155 配線
156 配線
157 FPC
158 IC
160 基板
161 絶縁層
162 絶縁層
163 絶縁層
164 絶縁層
165 接着層
168 IC
169 接続部
170 基板
171 基板
172 接着層
173 絶縁層
181 基板
182 接着層
183 絶縁層
191 導電層
192 導電層
193 液晶
194 導電層
195 絶縁層
200 表示装置
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 容量素子
204 端子部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 端子部
210 画素
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
215 絶縁層
216 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
251 開口
252 接続部
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
621 電極
622 電極
705 絶縁層
706 電極
707 絶縁層
708 半導体層
710 絶縁層
711 絶縁層
714 電極
715 電極
722 絶縁層
723 電極
726 絶縁層
727 絶縁層
728 絶縁層
729 絶縁層
741 絶縁層
742 半導体層
744a 電極
744b 電極
746 電極
755 不純物
771 基板
772 絶縁層
810 トランジスタ
811 トランジスタ
820 トランジスタ
821 トランジスタ
825 トランジスタ
826 トランジスタ
830 トランジスタ
831 トランジスタ
840 トランジスタ
841 トランジスタ
842 トランジスタ
843 トランジスタ
844 トランジスタ
845 トランジスタ
846 トランジスタ
847 トランジスタ
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
7900 携帯情報端末
7901 表示部
7902 筐体
7903 筐体
7904 バンド
7905 操作ボタン
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (9)
- 第1の着色層と、第2の着色層と、構造体と、を有する表示装置であって、
前記第1の着色層と前記第2の着色層とは、離間して設けられ、
前記構造体は、前記第1の着色層と前記第2の着色層との間に位置し、且つ、前記第1の着色層の下面、または前記第2の着色層の下面の高さよりも表示面側に位置する部分を有する、
表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の着色層と重なる第1の電極を有し、
前記第1の電極と前記第1の着色層の間に、第2の電極を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に、発光性の物質を含む層を有し、
前記第2の電極と前記第1の着色層との間の距離が、0μm以上20μm以下の領域を有する、
表示装置。 - 請求項2において、
前記第1の電極の端部を覆う絶縁層を有し、
前記構造体は、前記絶縁層上に形成され、
前記第2の電極は、前記構造体の上面を覆う部分を有する、
表示装置。 - 請求項3において、
前記発光性の物質を含む層は、前記構造体と前記第2の電極の間に位置する部分を有し、
前記構造体は、その断面において、その側面と底面が成す角が25度以上155度以下である部分を有する、
表示装置。 - 請求項3または請求項4において、
前記発光性の物質を含む層は、前記構造体と前記第2の電極の間に位置し、且つ、前記第1の電極と重なる部分の厚さよりも薄い部分を有する、
表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の着色層と重なる第3の電極を有し、
前記第3の電極と前記第1の着色層の間に、液晶を有する、
表示装置。 - 請求項6において、
前記第3の電極と前記液晶の間に第4の電極を有し、
前記第4の電極は、スリットを有し、
前記第4の電極と前記第1の着色層との間の距離が、1μm以上20μm以下の領域を有する、
表示装置。 - 請求項6において、
前記第3の電極と前記第1の着色層の間に第5の電極を有し、
前記液晶は、前記第3の電極と前記第5の電極の間に位置し、
前記第3の電極と前記第1の着色層との間の距離が、1μm以上20μm以下の領域を有する、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記第1の着色層の厚さと、前記第2の着色層の厚さが異なる、
表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021080908A JP2021140173A (ja) | 2015-08-28 | 2021-05-12 | 携帯情報端末 |
JP2022166805A JP2023011673A (ja) | 2015-08-28 | 2022-10-18 | 携帯情報端末 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015169163 | 2015-08-28 | ||
JP2015169163 | 2015-08-28 | ||
JP2016119610 | 2016-06-16 | ||
JP2016119610 | 2016-06-16 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019140556A Division JP6845285B2 (ja) | 2015-08-28 | 2019-07-31 | 液晶表示装置 |
JP2021080908A Division JP2021140173A (ja) | 2015-08-28 | 2021-05-12 | 携帯情報端末 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017227858A true JP2017227858A (ja) | 2017-12-28 |
Family
ID=58096349
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016161715A Withdrawn JP2017227858A (ja) | 2015-08-28 | 2016-08-22 | 表示装置 |
JP2019140556A Active JP6845285B2 (ja) | 2015-08-28 | 2019-07-31 | 液晶表示装置 |
JP2021028739A Active JP7174790B2 (ja) | 2015-08-28 | 2021-02-25 | 液晶表示装置 |
JP2021080908A Withdrawn JP2021140173A (ja) | 2015-08-28 | 2021-05-12 | 携帯情報端末 |
JP2022166805A Withdrawn JP2023011673A (ja) | 2015-08-28 | 2022-10-18 | 携帯情報端末 |
JP2022184100A Active JP7361868B2 (ja) | 2015-08-28 | 2022-11-17 | 液晶表示装置 |
JP2023171872A Pending JP2023168479A (ja) | 2015-08-28 | 2023-10-03 | 液晶表示装置 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019140556A Active JP6845285B2 (ja) | 2015-08-28 | 2019-07-31 | 液晶表示装置 |
JP2021028739A Active JP7174790B2 (ja) | 2015-08-28 | 2021-02-25 | 液晶表示装置 |
JP2021080908A Withdrawn JP2021140173A (ja) | 2015-08-28 | 2021-05-12 | 携帯情報端末 |
JP2022166805A Withdrawn JP2023011673A (ja) | 2015-08-28 | 2022-10-18 | 携帯情報端末 |
JP2022184100A Active JP7361868B2 (ja) | 2015-08-28 | 2022-11-17 | 液晶表示装置 |
JP2023171872A Pending JP2023168479A (ja) | 2015-08-28 | 2023-10-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10374018B2 (ja) |
JP (7) | JP2017227858A (ja) |
WO (1) | WO2017037560A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020111453A1 (ko) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112447927A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 佳能株式会社 | 半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备 |
US11092842B2 (en) | 2019-04-11 | 2021-08-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing wavelength conversion substrate |
WO2022038452A1 (ja) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、電子機器、及びヘッドマウントディスプレイ |
WO2023037198A1 (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2023126742A1 (ja) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
WO2023126739A1 (ja) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104375734A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-02-25 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 触控基板及其制备方法、触控显示面板、触控显示装置 |
KR102326122B1 (ko) * | 2015-09-03 | 2021-11-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 터치 패널 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
WO2017081575A1 (en) | 2015-11-11 | 2017-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR20170143082A (ko) * | 2016-06-17 | 2017-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20180030365A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI713003B (zh) | 2016-09-20 | 2020-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
KR102601128B1 (ko) * | 2016-09-29 | 2023-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
JP6930092B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2021-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP6827332B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6823735B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2021-02-03 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 横方向の漏れを低減した有機発光ダイオードディスプレイ |
WO2018211355A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその作製方法 |
KR102393319B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2022-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107632448B (zh) * | 2017-09-29 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板 |
CN108181734A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US10937987B1 (en) * | 2018-07-20 | 2021-03-02 | Apple Inc. | Electronic devices having displays with tilted anodes |
CN110767677A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
KR102664156B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2024-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
US11852938B2 (en) | 2018-08-21 | 2023-12-26 | Apple Inc. | Displays with data lines that accommodate openings |
US10852607B2 (en) | 2018-08-21 | 2020-12-01 | Apple Inc. | Displays with data lines that accommodate openings |
KR102528943B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2023-05-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 자체 발광소자 |
US11730017B2 (en) * | 2018-11-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
EP3660907B1 (en) | 2018-11-28 | 2023-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR20200065185A (ko) | 2018-11-29 | 2020-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102075741B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2020-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
US10892257B2 (en) * | 2019-01-21 | 2021-01-12 | Innolux Corporation | Foldable display device |
KR20200100910A (ko) * | 2019-02-18 | 2020-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109950296B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
KR20210037352A (ko) * | 2019-09-27 | 2021-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
WO2021097722A1 (zh) | 2019-11-20 | 2021-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板和显示装置 |
KR20210094693A (ko) * | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR20210142028A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN215006180U (zh) * | 2021-06-23 | 2021-12-03 | 中强光电股份有限公司 | 显示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003344839A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Seiko Epson Corp | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
JP2005293946A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2007279544A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2008170483A (ja) * | 2007-01-06 | 2008-07-24 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
JP2010287421A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
JP2012238587A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2012253014A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、及び発光装置を用いた電子機器 |
JP2014170644A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2015025909A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000214277A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Citizen Watch Co Ltd | 情報端末機能付き腕時計 |
US6825488B2 (en) | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2002247164A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JP2002318381A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP4063733B2 (ja) | 2002-07-10 | 2008-03-19 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
US7064799B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-06-20 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same |
US8125601B2 (en) | 2003-01-08 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Upper substrate and liquid crystal display device having the same |
JP2005227697A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 携帯型電子機器及びその制御方法 |
JP2007051965A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corp | 携帯機器 |
US7738050B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal display device |
JP5143637B2 (ja) | 2008-06-12 | 2013-02-13 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶表示パネル |
KR100963074B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-06-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
JP2010139953A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
KR101569776B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2015-11-19 | 삼성전자주식회사 | 접히는 표시부를 가지는 휴대 단말기 및 이의 운용 방법 |
JP5664194B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用対向基板および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US8787016B2 (en) * | 2011-07-06 | 2014-07-22 | Apple Inc. | Flexible display devices |
WO2013021926A1 (ja) | 2011-08-10 | 2013-02-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
CN103733130B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-03-16 | 夏普株式会社 | 液晶显示器 |
KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
JP6302186B2 (ja) | 2012-08-01 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TW202333401A (zh) | 2013-03-07 | 2023-08-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電子裝置 |
KR102090709B1 (ko) | 2013-05-31 | 2020-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 표시 장치 |
EP2818534B1 (en) | 2013-06-28 | 2017-11-15 | LG Display Co., Ltd. | Liquid crystal polymer composition, liquid crystal display and method for manufacturing the same |
CN103941466A (zh) | 2014-03-06 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制作方法、显示装置 |
CN103971603A (zh) * | 2014-04-25 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器和柔性显示装置 |
US9293488B2 (en) | 2014-05-07 | 2016-03-22 | Visera Technologies Company Limited | Image sensing device |
CN104216183B (zh) | 2014-08-28 | 2017-08-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN104880847B (zh) * | 2015-06-18 | 2019-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | IPS型On Cell触控显示面板及其制作方法 |
-
2016
- 2016-08-19 WO PCT/IB2016/054961 patent/WO2017037560A1/en active Application Filing
- 2016-08-22 JP JP2016161715A patent/JP2017227858A/ja not_active Withdrawn
- 2016-08-25 US US15/247,205 patent/US10374018B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-07-11 US US16/509,087 patent/US11018201B2/en active Active
- 2019-07-31 JP JP2019140556A patent/JP6845285B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-25 JP JP2021028739A patent/JP7174790B2/ja active Active
- 2021-05-12 JP JP2021080908A patent/JP2021140173A/ja not_active Withdrawn
- 2021-05-19 US US17/324,456 patent/US11706966B2/en active Active
-
2022
- 2022-10-18 JP JP2022166805A patent/JP2023011673A/ja not_active Withdrawn
- 2022-11-17 JP JP2022184100A patent/JP7361868B2/ja active Active
-
2023
- 2023-06-20 US US18/211,690 patent/US20230363233A1/en active Pending
- 2023-10-03 JP JP2023171872A patent/JP2023168479A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003344839A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Seiko Epson Corp | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
JP2005293946A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2007279544A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2008170483A (ja) * | 2007-01-06 | 2008-07-24 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
JP2010287421A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
JP2012238587A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2012253014A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、及び発光装置を用いた電子機器 |
JP2014170644A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2015025909A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020111453A1 (ko) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11916178B2 (en) | 2018-11-27 | 2024-02-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US11092842B2 (en) | 2019-04-11 | 2021-08-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing wavelength conversion substrate |
CN112447927A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 佳能株式会社 | 半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备 |
JP2021039847A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置、及び移動体 |
JP7341798B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-09-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置、及び移動体 |
US11839131B2 (en) | 2019-08-30 | 2023-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, display apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus, illumination apparatus, moving object, and photoelectric conversion apparatus |
WO2022038452A1 (ja) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、電子機器、及びヘッドマウントディスプレイ |
WO2023037198A1 (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2023126742A1 (ja) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
WO2023126739A1 (ja) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6845285B2 (ja) | 2021-03-17 |
JP7361868B2 (ja) | 2023-10-16 |
US20210273025A1 (en) | 2021-09-02 |
JP2021103304A (ja) | 2021-07-15 |
US20170062528A1 (en) | 2017-03-02 |
JP2019185064A (ja) | 2019-10-24 |
JP7174790B2 (ja) | 2022-11-17 |
WO2017037560A1 (en) | 2017-03-09 |
US20230363233A1 (en) | 2023-11-09 |
JP2023009261A (ja) | 2023-01-19 |
JP2023168479A (ja) | 2023-11-24 |
US11706966B2 (en) | 2023-07-18 |
US11018201B2 (en) | 2021-05-25 |
JP2023011673A (ja) | 2023-01-24 |
US10374018B2 (en) | 2019-08-06 |
JP2021140173A (ja) | 2021-09-16 |
US20190333969A1 (en) | 2019-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7361868B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US11835809B2 (en) | Touch panel | |
US10304919B2 (en) | Display device | |
US11043543B2 (en) | Touch sensor and touch panel | |
JP2017076121A (ja) | 表示装置、及び表示装置の駆動方法 | |
JP2017227891A (ja) | 表示装置、及び表示装置の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200818 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210302 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20210517 |