WO2023275653A1 - 表示装置、及び表示装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

表示品位の高い表示装置を提供する。 第１の画素と、第２の画素と、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、第１の画素は、第１の画素電極と、第１の画素電極を覆う第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の第３の絶縁層と、第１のＥＬ層及び第３の絶縁層の上の共通電極と、を有し、第２の画素は、第２の画素電極と、第２の画素電極を覆う第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の第４の絶縁層と、第２のＥＬ層及び第４の絶縁層の上の共通電極と、を有し、第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、第１の画素電極上において、第１の突出部を有し、第１の突出部は、第２の絶縁層の端部よりも外側に位置し、第１の絶縁層及び第４の絶縁層は、第２の画素電極上において、第２の突出部を有し、第２の突出部は、第２の絶縁層の端部よりも外側に位置し、第１の突出部、及び第２の突出部は、表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有する。

Description

表示装置、及び表示装置の作製方法

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノート型コンピュータなどがある。また、テレビジョン装置、モニタ装置などの据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴う高精細化が求められている。さらに、最も高精細度が要求される機器としては、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器がある。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子（有機ＥＬデバイスともいう）、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子（発光デバイスともいう。）を備える発光装置、及び電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

　特許文献２には、有機ＥＬデバイスを用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

特開２００２−３２４６７３号公報 国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一とする。

　本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置、またはその表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の画素と、第１の画素と隣接して配置された第２の画素と、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、第１の画素は、第１の画素電極と、第１の画素電極を覆う第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層の上面の一部に接する第３の絶縁層と、第１のＥＬ層及び第３の絶縁層の上の共通電極と、を有し、第２の画素は、第２の画素電極と、第２の画素電極を覆う第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層の上面の一部に接する第４の絶縁層と、第２のＥＬ層及び第４の絶縁層の上の共通電極と、を有し、第１の絶縁層は、第３の絶縁層の上面及び側面、第４の絶縁層の上面及び側面、第１のＥＬ層の側面、ならびに第２のＥＬ層の側面に接し、第１の絶縁層、第３の絶縁層、及び第４の絶縁層は、それぞれ無機材料を有し、第２の絶縁層は、有機材料を有し、第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、それぞれ第１の画素電極上において、第１の突出部を有し、表示装置の断面視において、第１の突出部は、第２の絶縁層の端部よりも外側に位置し、第１の絶縁層及び第４の絶縁層は、それぞれ第２の画素電極上において、第２の突出部を有し、表示装置の断面視において、第２の突出部は、第２の絶縁層の端部よりも外側に位置し、第１の突出部、及び第２の突出部は、表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有し、第１の突出部及び第２の突出部の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満であり、第２の絶縁層、第１の突出部、及び第２の突出部の上に、共通電極が重なる、表示装置である。

　上記において、第３の絶縁層は、第１の突出部において、第２の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有し、第４の絶縁層は、第２の突出部において、第２の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有する、ことが好ましい。

　また、上記において、第２の絶縁層は、表示装置の断面視において、側面にテーパ形状を有し、第２の絶縁層の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満である、ことが好ましい。

　また、上記において、表示装置の断面視において、第２の絶縁層の上面は凸曲面形状を有する、ことが好ましい。

　また、上記において、第２の絶縁層の一部が、第１の画素電極と重なり、第２の絶縁層の他の一部が、第２の画素電極と重なる、ことが好ましい。

　また、上記において、第１の画素電極、及び第２の画素電極は、表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有し、第１の画素電極及び第２の画素電極の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満である、ことが好ましい。

　また、上記において、第１の絶縁層、第３の絶縁層、及び第４の絶縁層は、酸化アルミニウムを有する、ことが好ましい。また、上記において、第２の絶縁層は、感光性のアクリル樹脂を有する、ことが好ましい。

　また、上記において、第１のＥＬ層の上面と、第２のＥＬ層の上面と、第２の絶縁層の上面と、第１の突出部の上面と、第２の突出部の上面と、は共通電極と接する領域を有する、ことが好ましい。

　また、上記において、第１の画素は、第１のＥＬ層と共通電極の間に配置される共通層を有し、第２の画素は、第２のＥＬ層と共通電極の間に配置される共通層を有し、第１のＥＬ層の上面と、第２のＥＬ層の上面と、第２の絶縁層の上面と、第１の突出部の上面と、第２の突出部の上面と、は共通層と接する領域を有する、ことが好ましい。

　本発明の一態様は、第１の画素電極と、第１の画素電極を覆う第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層の上面に接する第１の絶縁層と、第２の画素電極と、第２の画素電極を覆う第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層の上面に接する第２の絶縁層と、を形成し、第１のＥＬ層、第１の絶縁層、第２のＥＬ層、及び第２の絶縁層を覆って、第３の絶縁層を成膜し、第３の絶縁層上に、第１の画素電極と第２の画素電極に挟まれた領域と重なるように、側面がテーパ形状の第４の絶縁層を形成し、第４の絶縁層をマスクとして、第１のエッチング処理を行って、第３の絶縁層の一部を除去し、第１の絶縁層及び第２の絶縁層の膜厚を薄くし、酸素雰囲気でプラズマ処理を行って、第４の絶縁層を縮小させ、第４の絶縁層をマスクとして、第２のエッチング処理を行って、第１の絶縁層の一部、第２の絶縁層の一部、及び第３の絶縁層の一部を除去し、第１のＥＬ層の上面、及び第２のＥＬ層の上面を露出させ、第１のＥＬ層、第２のＥＬ層、及び第４の絶縁層を覆って、共通電極を形成する、表示装置の作製方法である。

　上記表示装置の作製方法において、第１の絶縁層及び第２の絶縁層として、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜する、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第１のＥＬ層、及び第２のＥＬ層をフォトリソグラフィ法で形成し、第１のＥＬ層と、第２のＥＬ層との間の距離が８μｍ以下の領域を有するようにする、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第３の絶縁層として、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜する、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第４の絶縁層は、感光性のアクリル樹脂を用いて形成する、ことが好ましい。また、上記において、第４の絶縁層は、上面が凸曲面形状である、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第１のエッチング処理は、ドライエッチングによって行い、ドライエッチングにおいて、塩素系のガスを用いる、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第２のエッチング処理は、ウェットエッチングによって行い、ウェットエッチングにおいて、アルカリ性の溶液を用いる、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第２のエッチング処理によって、第１の絶縁層及び第３の絶縁層に、第１の画素電極上において、第１の突出部が形成され、表示装置の断面視において、第１の突出部は、第４の絶縁層の端部よりも外側に位置し、第２のエッチング処理によって、第２の絶縁層及び第３の絶縁層に、第２の画素電極上において、第２の突出部が形成され、表示装置の断面視において、第２の突出部は、第４の絶縁層の端部よりも外側に位置し、第１の突出部、及び第２の突出部は、表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有し、第１の突出部及び第２の突出部の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満である、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第３の絶縁層は、第１の突出部において、第４の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有し、第３の絶縁層は、第２の突出部において、第４の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有する、ことが好ましい。

　本発明の一態様によれば、表示品位の高い表示装置を提供できる。また、信頼性の高い表示装置を提供できる。また、高精細化が容易な表示装置を提供できる。また、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供できる。また、消費電力の低い表示装置を提供できる。

　また、本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置、または表示装置の作製方法を提供できる。また、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供できる。本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減することができる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１Ａは、表示パネルの一例を示す上面図である。図１Ｂは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｄは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図４Ａは、表示パネルの一例を示す上面図である。図４Ｂは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、表示パネルの作製方法の一例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｆは、画素の一例を示す上面図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｈは、画素の一例を示す上面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｊは、画素の一例を示す上面図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｄは、画素の一例を示す上面図である。図１５Ｅ乃至図１５Ｇは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示パネルの一例を示す斜視図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図１８は、表示パネルの一例を示す断面図である。
図１９は、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２０は、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２１は、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２２は、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２３は、表示パネルの一例を示す斜視図である。
図２４Ａは、表示パネルの一例を示す断面図である。図２４Ｂ及び図２４Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｄは、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２６は、表示パネルの一例を示す断面図である。
図２７Ａは、表示パネルの一例を示すブロック図である。図２７Ｂ乃至図２７Ｄは、画素回路の一例を示す図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｄは、トランジスタの一例を示す図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図３０Ａ乃至図３０Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３１Ａ乃至図３１Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
図３３は、実施例に係る断面ＳＴＥＭ像である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　また、本明細書等において、表示装置を電子機器と読み替えてもよい。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクタが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、表示パネルモジュール、表示モジュール、または、表示パネルを表示装置と呼ぶ場合がある。

　また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」または「絶縁層」という用語は、「導電膜」または「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

　なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　本明細書等において、正孔又は電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層又は電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層又は電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層又は電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルについて図１乃至図１１を用いて説明する。

　本発明の一態様は、フルカラー表示が可能な表示部を有する表示パネルである。表示部は、互いに異なる色の光を呈する第１の副画素と第２の副画素とを有する。第１の副画素は、青色の光を発する第１の発光デバイスを有し、第２の副画素は、第１の発光デバイスとは異なる色の光を発する第２の発光デバイスを有する。第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとは互いに異なる材料を少なくとも一つ有し、例えば、互いに異なる発光材料を有する。つまり、本発明の一態様の表示パネルでは、発光色ごとに作り分けられた発光デバイスを用いる。

　各色の発光デバイス（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　発光色がそれぞれ異なる複数の発光デバイスを有する表示パネルを作製する場合、発光色が異なる発光層をそれぞれ島状に形成する必要がある。なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

　例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び、蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示パネルを作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

　本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、第１の色の光を発する発光層を含む第１の層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を一面に形成した後、第１の層上に第１の犠牲層を形成する。そして、第１の犠牲層上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第１の層と第１の犠牲層を加工することで、島状の第１の層を形成する。続いて、第１の層と同様に、第２の色の光を発する発光層を含む第２の層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を、第２の犠牲層及び第２のレジストマスクを用いて、島状に形成する。なお、本明細書等において、犠牲層をマスク層と呼称してもよい。

　なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ（加工によるダメージなど）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで本発明の一態様の表示パネルを作製する際には、発光層よりも上方に位置する層（例えば、キャリア輸送層、またはキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、または電子注入層など）の上にて、犠牲層などを形成し、発光層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示パネルを提供することができる。

　このように、本発明の一態様の表示パネルの作製方法で作製される島状のＥＬ層は、精細なパターンを有するメタルマスクを用いて形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示パネルまたは高開口率の表示パネルを実現することができる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示パネルを実現できる。また、ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、表示パネルの作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで、隣り合う発光デバイスの間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　また、ＥＬ層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、ＥＬ層の中央と端で厚さのばらつきが生じるため、ＥＬ層の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工するため、島状のＥＬ層を均一の厚さで形成することができる。したがって、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示パネルを作製することができる。

　また、本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、発光層を含む層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を一面に形成した後、ＥＬ層上に犠牲層を形成することが好ましい。そして、犠牲層上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、ＥＬ層と犠牲層を加工することで、島状のＥＬ層を形成することが好ましい。

　ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、表示パネルの作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　上述の、第１の層及び第２の層は、それぞれ、少なくとも発光層を含み、好ましくは複数の層からなる。具体的には、発光層上に１層以上の層を有することが好ましい。発光層と犠牲層との間に他の層を有することで、表示パネルの作製工程中に発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。したがって、第１の層及び第２の層は、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。

　なお、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成する全ての層を作り分ける必要はなく、一部の層は同一工程で成膜することができる。ここで、ＥＬ層が有する層としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を色ごとに島状に形成した後、犠牲層の少なくとも一部を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層（共通層と呼ぶ場合がある）と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を各色の発光デバイスに共通して（一つの膜として）形成する。例えば、キャリア注入層と、共通電極と、を各色の発光デバイスに共通して形成することができる。

　一方で、キャリア注入層は、ＥＬ層の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状に形成されたＥＬ層の一部の層の側面、または、画素電極の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極を各色の発光デバイスに共通して形成する場合についても、共通電極と、ＥＬ層の側面、または、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。

　そこで、本発明の一態様の表示パネルは、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を有する。また、当該絶縁層は、島状の発光層の上面の一部を覆う構成にしてもよい。なお、ここでいう島状の発光層の側面とは、島状の発光層と他の層との界面のうち、基板（または発光層の被形成面）に平行でない面をいう。また、必ずしも数学的に厳密な平面及び曲面のいずれか一方でなくてもよい。

　これにより、島状に形成されたＥＬ層の少なくとも一部の層、及び、画素電極が、キャリア注入層または共通電極と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　また、当該絶縁層は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、当該絶縁層は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、当該絶縁層は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

　バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有する絶縁層を用いることで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示パネルを提供することができる。

　本発明の一態様の表示パネルは、陽極として機能する画素電極と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層と、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層のそれぞれの側面を覆うように設けられた絶縁層と、電子輸送層上に設けられた電子注入層と、電子注入層上に設けられ、陰極として機能する共通電極と、を有する。

　または、本発明の一態様の表示パネルは、陰極として機能する画素電極と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層と、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層のそれぞれの側面を覆うように設けられた絶縁層と、正孔輸送層上に設けられた正孔注入層と、正孔注入層上に設けられ、陽極として機能する共通電極と、を有する。

　正孔注入層または電子注入層などは、ＥＬ層の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。本発明の一態様の表示パネルでは、これらの層の側面が絶縁層で覆われるため、共通電極などと接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　島状のＥＬ層の側面を覆う絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

　例えば、無機材料を用いた単層構造の絶縁層を形成することで、当該絶縁層をＥＬ層の保護絶縁層として用いることができる。これにより、表示パネルの信頼性を高めることができる。また、保護絶縁層は、ＥＬ層の上面の一部まで覆うことが好ましい。このような構成にする場合、ＥＬ層の上面と保護絶縁層の間に、上記犠牲層が残存して形成される場合がある。また、当該犠牲層は、上記保護絶縁層と同じ、無機材料を用いた絶縁層であることが好ましい。

　また、積層構造の絶縁層を用いる場合、１層目の絶縁層は、ＥＬ層に接して形成されるため、無機絶縁材料を用いて形成することが好ましい。特に、成膜ダメージが小さい原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが好ましい。そのほか、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速い、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法を用いて無機絶縁層を形成することが好ましい。これにより、信頼性の高い表示パネルを生産性高く作製することができる。また、２層目の絶縁層は、１層目の絶縁層に形成された凹部を平坦化するように、有機材料を用いて形成することが好ましい。

　例えば、絶縁層の１層目に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜を用い、絶縁層の２層目に、有機樹脂膜を用いることができる。当該有機樹脂としては、例えば感光性のアクリル樹脂を用いることが好ましい。

　ＥＬ層の側面と、有機樹脂膜とが、直接接する場合、有機樹脂膜に含まれうる有機溶媒などがＥＬ層にダメージを与える可能性がある。絶縁層の１層目に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることで、有機樹脂膜と、ＥＬ層の側面とが直接接しない構成とすることができる。これにより、ＥＬ層が有機溶媒により溶解することなどを抑制することができる。

　さらに、絶縁層の２層目は、表示装置の断面視において、側面にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ１は、絶縁層の２層目の側面と基板面のなす角である。テーパ角θ１は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましい。

　なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面または被形成面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面、基板面、及び被形成面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、極めて小さな曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

　絶縁層の２層目の側面端部をこのような順テーパ形状にすることで、絶縁層の２層目の側面端部上に設けられる、共通層及び共通電極に、段切れ、または局所的な薄膜化などを生じさせることなく、被覆性良く成膜することができる。これにより、共通層及び共通電極の面内均一性を向上させることができるので、表示装置の表示品位を向上させることができる。

　また、表示装置の断面視において、絶縁層の２層目の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層の２層目の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。絶縁層の２層目をこのような形状にすることで、共通層及び共通電極を被覆性良く成膜することができる。

　また、絶縁層の２層目とＥＬ層の間に設けられた、犠牲層及び絶縁層の１層目は、画素電極上において、突出部を有する。当該突出部は、表示装置の断面視において、絶縁層の２層目よりも外側に位置する。

　突出部は、表示装置の断面視において、側面にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ２は、犠牲層の側面と基板面のなす角である。突出部のテーパ角θ２は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。突出部のテーパ角θ２は、絶縁層の２層目のテーパ角θ１より小さくなる場合がある。

　突出部をこのような順テーパ形状にすることで、突出部上に設けられる、共通層及び共通電極に、段切れなどを生じさせることなく、被覆性良く成膜することができる。

　また、絶縁層の２層目の側面端部の下に突出部を設けることで、絶縁層の２層目の側面端部と絶縁層の１層目の界面近傍がサイドエッチされて、絶縁層の２層目の側面端部と絶縁層の１層目の間に空洞が形成されるのを抑制することができる。このような空洞が形成されると、当該空洞による段差により、共通層及び共通電極に段切れが生じやすくなる。しかしながら、突出部を設けるように、絶縁層の１層目及び犠牲層を設けることで、サイドエッチが絶縁層の２層目の下まで深く進行するのを抑制し、空洞が巨大化することを防ぐことができる。

　また、絶縁層の２層目の一方の端部が第１の画素電極と重なり、絶縁層の２層目の他方の端部が第２の画素電極と重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層の２層目の端部、及び突出部をＥＬ層の概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層の２層目のテーパ形状、及び突出部のテーパ形状を、加工によって形成することが比較的容易になる。

　また、本発明の一態様の表示パネルでは、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設ける必要が無いため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、表示パネルの高精細化、または、高解像度化を図ることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示パネルの製造コストを削減することができる。

　また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示パネルは、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示パネルにおける画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示パネルにおいては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

［表示パネルの構成例］
　図１乃至図３に、本発明の一態様の表示パネルを示す。

　図１Ａに、表示パネル１００の上面図を示す。表示パネル１００は、複数の画素１１０が配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。表示部には、複数の副画素がマトリクス状に配置されている。図１Ａでは、２行６列分の副画素を示しており、これらによって２行２列の画素が構成される。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

　図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、などが挙げられる。

　本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図１Ａ参照）。

　図１Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

　図１Ａでは、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図１Ｂ及び図３Ｃに、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図３Ａ及び図３Ｂに、図１Ａにおける一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。

　図１Ｂに示すように、表示パネル１００には、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　図１Ｂ等では、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示パネル１００を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示パネル１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示パネル１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

　本発明の一態様の表示パネルは、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図１Ｂ等では、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。これらの絶縁層は、隣接する発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。図１Ｂ等では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態３及び実施の形態４で後述する。

　発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、それぞれ、異なる色の光を発する。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光を発する組み合わせであることが好ましい。

　発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光デバイスを用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料等）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）等が挙げられる。なお、ＴＡＤＦ材料としては、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での発光効率低下を抑制することができる。

　発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃのそれぞれの端部はテーパ形状を有することが好ましい。これらの画素電極の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極の側面に沿って設けられる第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃも、テーパ形状を有する。画素電極の側面をテーパ形状とすることで、画素電極の側面に沿って設けられるＥＬ層の被覆性を高めることができる。また、画素電極の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

　発光デバイス１３０ａは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の島状の第１の層１１３ａと、島状の第１の層１１３ａ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ａにおいて、第１の層１１３ａ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　発光デバイス１３０ｂは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の島状の第２の層１１３ｂと、島状の第２の層１１３ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｂにおいて、第２の層１１３ｂ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　発光デバイス１３０ｃは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上の島状の第３の層１１３ｃと、島状の第３の層１１３ｃ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｃにおいて、第３の層１１３ｃ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　本実施の形態の発光デバイスの構成に、特に限定はなく、シングル構造であってもタンデム構造であってもよい。

　本実施の形態では、発光デバイスが有するＥＬ層のうち、発光デバイスごとに島状に設けられた層を第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃと示し、複数の発光デバイスが共有して有する層を共通層１１４と示す。なお、本明細書等において、共通層１１４を含めず、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃを指して、ＥＬ層と呼ぶ場合もある。

　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、少なくとも発光層を有する。例えば、第１の層１１３ａが、赤色の光を発する発光層を有し、第２の層１１３ｂが緑色の光を発する発光層を有し、第３の層１１３ｃが、青色の光を発する発光層を有する構成であると好ましい。

　また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

　例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

　また、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。

　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの表面は、表示パネルの作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、例えば、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットを有する。例えば、第１の層１１３ａが、赤色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であり、第２の層１１３ｂが緑色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であり、第３の層１１３ｃが、青色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成であると好ましい。

　第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示パネルの作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで共有されている。

　また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図３Ａ及び図３Ｂ参照）。導電層１２３には、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。

　なお、図３Ａでは、導電層１２３上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示す。接続部１４０には共通層１１４を設けなくてもよい。図３Ｂでは、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、共通層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。

　発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示パネルの信頼性を高めることができる。

　保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層側に入り込む不純物（水及び酸素等）を抑制することができる。

　さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料としては、例えば、後述する絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料などが挙げられる。

　保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

　図１Ｂ等において、画素電極１１１ａと第１の層１１３ａとの間には、画素電極１１１ａの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。また、画素電極１１１ｂと第２の層１１３ｂとの間には、画素電極１１１ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示パネルとすることができる。

　また、図１Ｂ等では、発光デバイス１３０ａが有する第１の層１１３ａ上には、犠牲層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０ｂが有する第２の層１１３ｂ上には、犠牲層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０ｃが有する第３の層１１３ｃ上には、犠牲層１１８ｃが位置する。犠牲層１１８ａは、第１の層１１３ａを加工する際に第１の層１１３ａの上面に接して設けた犠牲層の一部が残存しているものである。同様に、犠牲層１１８ｂは、第２の層１１３ｂの形成時、犠牲層１１８ｃは、第３の層１１３ｃの形成時に、それぞれ設けた犠牲層の一部が残存しているものである。このように、本発明の一態様の表示パネルは、その作製時にＥＬ層を保護するために用いる犠牲層が一部残存していてもよい。犠牲層１１８ａ乃至犠牲層１１８ｃのいずれか２つ、または全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。なお、以下において、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、及び犠牲層１１８ｃをまとめて、犠牲層１１８と呼ぶ場合がある。

　図１Ｂにおいて、犠牲層１１８ａの一方の端部は、第１の層１１３ａの端部と揃っている、または概略揃っており、犠牲層１１８ａの他方の端部は、第１の層１１３ａ上に位置する。ここで、犠牲層１１８ａの他方の端部は、第１の層１１３ａ及び画素電極１１１ａと重なることが好ましい。この場合、犠牲層１１８ａの他方の端部が第１の層１１３ａの概略平坦な面に形成されやすくなる。なお、犠牲層１１８ｂ及び犠牲層１１８ｃについても同様である。また、犠牲層１１８は、例えば、島状に加工されたＥＬ層（第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃ）と、絶縁層１２５との間に残存する。

　犠牲層１１８としては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び無機絶縁膜などを一種または複数種、用いることができる。犠牲層としては、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。

　図１Ｂに示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、島状に加工されたＥＬ層（第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃ）の上面の一部を覆うことが好ましい。絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、島状に加工されたＥＬ層（第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃ）の側面だけでなく、上面も覆うことで、ＥＬ層の膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりをより高めることができる。図１Ｂでは、画素電極１１１ａの端部上に、第１の層１１３ａ、犠牲層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する例を示す。同様に、画素電極１１１ｂの端部上に、第２の層１１３ｂ、犠牲層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置し、画素電極１１１ｃの端部上に、第３の層１１３ｃ、犠牲層１１８ｃ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する。

　図１Ｂ等では、画素電極１１１ａの端部よりも第１の層１１３ａの端部が外側に位置する例を示す。なお、画素電極１１１ａと第１の層１１３ａを例に挙げて説明するが、画素電極１１１ｂと第２の層１１３ｂ、及び、画素電極１１１ｃと第３の層１１３ｃにおいても同様のことが言える。

　図１Ｂ等において、第１の層１１３ａは、画素電極１１１ａの端部を覆うように形成されている。このような構成とすることで、島状のＥＬ層の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることができる。

　また、画素電極の側面をＥＬ層で覆うことで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光デバイスのショートを抑制することができる。また、ＥＬ層の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、ＥＬ層の端部との距離を大きくできる。第１の層１１３ａの端部、第２の層１１３ｂの端部、及び第３の層１１３ｃの端部は、表示装置の作製工程中に、ダメージを受けている可能性がある部分を含む。当該部分を発光領域として用いないことで、発光デバイスの特性のばらつきを抑制することができ、信頼性を高めることができる。

　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面は、絶縁層１２７及び絶縁層１２５によって覆われている。また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面の一部は、絶縁層１２７、絶縁層１２５、犠牲層１１８によって覆われている。これにより、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　絶縁層１２５は、島状のＥＬ層の側面の少なくとも一方を覆うことが好ましく、島状のＥＬ層の側面の双方を覆うことがより好ましい。絶縁層１２５は、島状のＥＬ層のそれぞれの側面と接する構成とすることができる。

　図１Ｂ等では、画素電極１１１ａの端部を第１の層１１３ａが覆っており、絶縁層１２５が第１の層１１３ａの側面と接する構成を示す。同様に、画素電極１１１ｂの端部は第２の層１１３ｂで覆われており、画素電極１１１ｃの端部は第３の層１１３ｃで覆われており、絶縁層１２５が第２の層１１３ｂの側面及び第３の層１１３ｃの側面と接している。

　絶縁層１２７は、絶縁層１２５の凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成（側面を覆う構成ともいえる）とすることができる。

　絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間の空間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極など）の被形成面の高低差の大きな凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層及び共通電極などの被覆性を高めることができ、キャリア注入層及び共通電極などの段切れを防止することができる。

　共通層１１４及び共通電極１１５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、犠牲層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及びＥＬ層が設けられる領域と、画素電極及びＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示パネルは、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　共通層１１４及び共通電極１１５が形成される面の平坦性を向上させるために、絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有する事が好ましい。

　また、絶縁層１２５は、島状のＥＬ層と接するように設けることができる。これにより、島状のＥＬ層の膜剥がれを防止することができる。絶縁層１２５とＥＬ層とが密着することで、隣り合う島状のＥＬ層同士が、絶縁層１２５によって固定される、または、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

　ここで、絶縁層１２５は、島状のＥＬ層の側面と接する領域を有し、ＥＬ層の保護絶縁層として機能する。絶縁層１２５を設けることで、島状のＥＬ層の側面から内部へ不純物（酸素及び水分等）が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示パネルとすることができる。

　次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の材料と形成方法の例について説明する。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

　絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示パネルを提供することができる。

　また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層に不純物が混入し、ＥＬ層が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

　絶縁層１２５の形成方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　絶縁層１２５を成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層１２５を形成することができる。したがって、当該基板温度は、６０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましく、１００℃以上がより好ましく、１２０℃以上がより好ましい。一方で、絶縁層１２５は、島状のＥＬ層を形成した後に成膜されるため、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成することが好ましい。したがって、当該基板温度は、２００℃以下が好ましく、１８０℃以下がより好ましく、１６０℃以下がより好ましく、１５０℃以下がより好ましく、１４０℃以下がより好ましい。

　耐熱温度の指標としては、例えば、ガラス転移点、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。ＥＬ層の耐熱温度としては、これらのいずれかの温度、好ましくはこれらのうち最も低い温度とすることができる。

　絶縁層１２５としては、例えば、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の高低差の大きな凹凸を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５が形成される面の平坦性を向上させる効果を奏する。

　絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、感光性のアクリル樹脂を用いればよい。また、絶縁層１２７の材料の粘度は、１ｃＰ以上１５００ｃＰ以下とすればよく、１ｃＰ以上１２ｃＰ以下とすることが好ましい。絶縁層１２７の材料の粘度を上記の範囲にすることで、後述する、テーパ形状を有する絶縁層１２７を、比較的容易に形成することができる。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

　なお、絶縁層１２７は、側面に後述するようなテーパ形状を有していればよく、絶縁層１２７として用いることができる有機材料は上記に限られるものではない。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる場合がある。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を適用することができる場合がある。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いることができる場合がある。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる場合がある。

　絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示パネルの表示品位を高めることができる。また、表示パネルに偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示パネルの軽量化及び薄型化を図ることができる。

　可視光を吸収する材料としては、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、または３色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色または黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

　絶縁層１２７は、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の湿式の成膜方法を用いて形成することができる。特に、スピンコートにより、絶縁層１２７となる有機絶縁膜を形成することが好ましい。

　絶縁層１２７は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。絶縁層１２７を形成する際の基板温度としては、代表的には、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、より好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１４０℃以下である。

　ここで、図２Ａ及び図２Ｂを用いて、絶縁層１２７とその近傍の構造について説明する。図２Ａは、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの間の絶縁層１２７とその周辺を含む領域１３９の断面拡大図である。以下では、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの間の絶縁層１２７を例に挙げて説明するが、発光デバイス１３０ｂと発光デバイス１３０ｃの間の絶縁層１２７、及び発光デバイス１３０ｃと発光デバイス１３０ａの間の絶縁層１２７などについても同様のことが言える。また、図２Ｂは、図２Ａに示す、第２の層１１３ｂ上の絶縁層１２７の端部近傍の拡大図である。以下では、第２の層１１３ｂ上の絶縁層１２７の端部を例に挙げて説明する場合があるが、第１の層１１３ａ上の絶縁層１２７の端部、及び第３の層１１３ｃ上の絶縁層１２７の端部などについても同様のことが言える。

　図２Ａに示すように、領域１３９では、画素電極１１１ａを覆って第１の層１１３ａが設けられ、画素電極１１１ｂを覆って第２の層１１３ｂが設けられる。第１の層１１３ａの上面の一部に接して犠牲層１１８ａが設けられ、第２の層１１３ｂの上面の一部に接して犠牲層１１８ｂが設けられる。犠牲層１１８ａの上面及び側面、第１の層１１３ａの側面、絶縁層２５５ｃの上面、犠牲層１１８ｂの上面及び側面、ならびに第２の層１１３ｂの側面に接して、絶縁層１２５が設けられる。絶縁層１２５の上面に接して絶縁層１２７が設けられる。第１の層１１３ａ、犠牲層１１８ａ、第２の層１１３ｂ、犠牲層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って共通層１１４が設けられ、共通層１１４の上に共通電極１１５が設けられる。

　絶縁層１２７は、図２Ｂに示すように、表示装置の断面視において、側面にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ１は、絶縁層１２７の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、絶縁層１２５の平坦部の上面、第２の層１１３ｂの平坦部の上面、または画素電極１１１ｂの平坦部の上面などと、絶縁層１２７の側面がなす角としてもよい。なお、本明細書等において、絶縁層１２７の側面という場合、図２Ｂに示すように、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃの平坦部より上の、凸曲面形状部分の側面を指す場合がある。

　絶縁層１２７のテーパ角θ１は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましい。絶縁層１２７の側面端部をこのような順テーパ形状にすることで、絶縁層１２７の側面端部上に設けられる、共通層１１４及び共通電極１１５に、段切れ、または局所的な薄膜化などを生じさせることなく、被覆性良く成膜することができる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５の面内均一性を向上させることができるので、表示装置の表示品位を向上させることができる。

　また、図２Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、絶縁層１２７上面の中心部の凸曲面部が、側面端部のテーパ部に滑らかに接続される形状であることが好ましい。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上全体で、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　図２Ａ及び図２Ｂに示すように、犠牲層１１８ｂ及び絶縁層１２５は、画素電極１１１ｂ上において、突出部１１６を有する。突出部１１６は、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の端部よりも外側に位置する。また、犠牲層１１８ａ及び絶縁層１２５も、画素電極１１１ａ上において、同様の突出部１１６を有する。

　突出部１１６は、図２Ｂに示すように、表示装置の断面視において、側面にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ２は、犠牲層１１８ｂの側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、第２の層１１３ｂの平坦部の上面、または画素電極１１１ｂの平坦部の上面などと、犠牲層１１８ｂの側面がなす角としてもよい。また、犠牲層１１８ｂの側面に限らず、絶縁層１２５の側面と、基板面のなす角としてもよい。

　突出部１１６のテーパ角θ２は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。突出部１１６のテーパ角θ２は、絶縁層１２７のテーパ角θ１より小さくなる場合がある。突出部１１６をこのような順テーパ形状にすることで、突出部１１６上に設けられる、共通層１１４及び共通電極１１５に、段切れなどを生じさせることなく、被覆性良く成膜することができる。

　また、絶縁層１２７の側面端部の下に突出部１１６を設けることで、絶縁層１２７の側面端部と絶縁層１２５の界面近傍がサイドエッチされて、絶縁層１２７の側面端部と絶縁層１２５の間に空洞が形成されるのを抑制することができる。このような空洞が形成されると、当該空洞による段差により、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。しかしながら、突出部１１６を設けるように、絶縁層１２５及び犠牲層１１８ｂを設けることで、サイドエッチが絶縁層１２７の下まで深く進行するのを抑制し、空洞が巨大化することを防ぐことができる。よって、突出部１１６を設けることで、絶縁層１２７の上面から第２の層１１３ｂの上面にかけての領域で、共通層１１４及び共通電極１１５に、段切れなどが生じるのを防ぐことができる。

　また、絶縁層１２５は、突出部１１６において、他の部分（例えば、絶縁層１２７と重畳する部分）よりも膜厚が薄い領域（以下、ザグリ部１３３と呼ぶ。）を有することがある。なお、絶縁層１２５の膜厚などによっては、突出部１１６において絶縁層１２５が消失し、ザグリ部１３３が犠牲層１１８ｂまで形成される場合もある。また、絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ側でも、同様にザグリ部１３３を有することがある。

　また、図２Ａに示すように、絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１ａと重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１ｂと重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層１２７の端部、及び突出部１１６を第１の層１１３ａ（第２の層１１３ｂ）の概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層１２７のテーパ形状、及び突出部１１６のテーパ形状を、上記の通り加工によって形成することが比較的容易になる。

　領域１３９において、上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、犠牲層１１８ａ、及び犠牲層１１８ｂを設けることにより、第１の層１１３ａの概略平坦な領域から第２の層１１３ｂの概略平坦な領域まで、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れ箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されるのを防ぐことができる。よって、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、段切れ箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生するのを抑制することができる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　なお、図１Ｂなどでは、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃの膜厚をすべて同じで表示していたが、本発明はこれに限られるものではない。図３Ｃに示すように、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃのそれぞれの膜厚が異なる構造にしてもよい。第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃそれぞれの発する光を強める光路長に対応して膜厚を設定すればよい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、それぞれの発光デバイスにおける色純度を高めることができる。

　例えば、第３の層１１３ｃが最も波長の長い光を発し、第２の層１１３ｂが最も波長の短い光を発する場合、第３の層１１３ｃの膜厚を最も厚くし、第２の層１１３ｂの膜厚を最も薄くすることができる。なお、これに限られず、各発光素子が発する光の波長、発光素子を構成する層の光学特性、及び発光素子の電気特性などを考慮して、各ＥＬ層の厚さを調整することができる。

　また、図２Ａなどでは、ザグリ部１３３が絶縁層１２７と重ならない構成について説明したが、これに限られるものではない。例えば、図３Ｄに示すように、ザグリ部１３３の一部が、絶縁層１２７に重なる場合がある。この場合、ザグリ部１３３において、犠牲層１１８の上面は、絶縁層１２７の下面に接することが好ましい。

　本実施の形態の表示パネルは、発光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、ＥＬ層間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、本実施の形態の表示パネルは、隣接する２つの島状のＥＬ層の間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示パネルの可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示パネルに円偏光板を重ねる場合、表示パネルが有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　図４Ａに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図４Ａに表示パネル１００の上面図を示す。表示パネル１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。

　図４Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４種類の副画素から構成される。

　副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの４つの副画素などが挙げられる。

　また、本発明の一態様の表示パネルは、画素に、受光デバイスを有していてもよい。

　図４Ａに示す画素１１０が有する４つの副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

　受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

　特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示パネルに適用できる。

　本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示パネルに有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　受光デバイスは、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　受光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。または、画素電極が陰極として機能し、共通電極が陽極として機能してもよい。

　受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上に犠牲層を設けることで、表示パネルの作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

　図４Ｂに、図４Ａにおける一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を示す。なお、図４Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図は、図１Ｂを参照でき、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図は、図３Ａまたは図３Ｂを参照できる。

　図４Ｂに示すように、表示パネル１００は、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０ａ及び受光デバイス１５０が設けられ、発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられ、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスと受光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　図４Ｂでは、発光デバイス１３０ａが、基板１２０側に発光し、受光デバイス１５０には、基板１２０側から光が入射する例を示す（光Ｌｅｍ及び光Ｌｉｎ参照）。

　発光デバイス１３０ａの構成は、上述の通りである。

　受光デバイス１５０は、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｄと、画素電極１１１ｄ上の第４の層１１３ｄと、第４の層１１３ｄ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。第４の層１１３ｄは少なくとも活性層を含む。

　第４の層１１３ｄは、受光デバイス１５０に設けられ、発光デバイスには設けられない層である。一方、共通層１１４は、発光デバイスと受光デバイスが共有する一続きの層である。

　ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

　第１の層１１３ａと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ａが位置し、第４の層１１３ｄと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｄが位置する。犠牲層１１８ａは、第１の層１１３ａを加工する際に第１の層１１３ａ上に設けた犠牲層の一部が残存しているものである。また、犠牲層１１８ｄは、活性層を含む層である第４の層１１３ｄを加工する際に第４の層１１３ｄの上面に接して設けた犠牲層の一部が残存しているものである。犠牲層１１８ａと犠牲層１１８ｄは同じ材料を有していてもよく、異なる材料を有していてもよい。

　画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示パネルでは、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。例えば、表示パネルが有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源として光を呈し、他の一部の副画素は光検出を行い、残りの副画素で画像を表示することもできる。

　本発明の一態様の表示パネルは、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示パネルは、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示パネルと別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。例えば、電子機器に設けられる指紋認証装置、またはスクロールなどを行うための静電容量方式のタッチパネルなどを別途設ける必要がない。したがって、本発明の一態様の表示パネルを用いることで、製造コストが低減された電子機器を提供することができる。

　本発明の一態様の表示パネルでは、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示パネルは、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示パネルは、スキャナとして用いることができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示パネルに、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示パネルが生体認証用センサを内蔵することで、表示パネルとは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。

　また、受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示パネルは、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出することができる。

　本発明の一態様の表示パネルは、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有することができる。このように、本発明の一態様の表示パネルは、表示機能以外の機能との親和性が高い構成ということができる。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示パネルが赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層の発光は、当該反射層によって反射されて、表示パネルから取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光層は、発光材料（発光物質ともいう）を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような波長の発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃは、それぞれ、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有していてもよい。

　共通層１１４としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を適用することができる。例えば、共通層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を形成してもよい。なお、発光デバイスは、共通層１１４を有していなくてもよい。

　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示パネル１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を、発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。

　または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットの間に、電荷発生層（中間層ともいう）を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　電荷発生層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、電荷発生層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような電荷発生層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

［表示パネルの作製方法例］
　次に、図５乃至図１１を用いて、図１Ａなどに示す表示パネル１００の作製方法例を説明する。図５Ａ乃至図９Ｃ、及び図１１Ａ及び図１１Ｂには、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。

　表示パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、ＰＥＣＶＤ法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

　また、表示パネルを構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクを用いなくてもよい。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

　まず、図５Ａに示すように、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順番で形成する。絶縁層２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃには、上述した絶縁層２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃに適用可能な構成を適用することができる。

　次に、図５Ａに示すように、絶縁層２５５ｃ上に、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、及び、導電層１２３を形成し、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ上に、第１の層１１３Ａを形成し、第１の層１１３Ａ上に第１の犠牲層１１８Ａを形成し、第１の犠牲層１１８Ａ上に第２の犠牲層１１９Ａを形成する。

　図５Ａに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第１の層１１３Ａの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ａの端部よりも内側に位置する。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、第１の層１１３Ａと、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとで成膜される領域を変えることができる。本発明の一態様においては、レジストマスクを用いて発光デバイスを形成するが、上述のようにエリアマスクと組み合わせることで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製することができる。

　画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃには、上述した画素電極に適用可能な構成を適用することができる。画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

　画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部はテーパ形状であることが好ましい。これにより、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ上に形成する層の被覆性が向上し、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

　第１の層１１３Ａは、後に、第１の層１１３ａとなる層である。そのため、上述した、第１の層１１３ａに適用可能な構成を適用できる。第１の層１１３Ａは、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。第１の層１１３Ａは、蒸着法を用いて形成することが好ましい。蒸着法を用いた成膜では、プレミックス材料を用いてもよい。なお、本明細書等において、プレミックス材料とは、複数の材料をあらかじめ配合、または混合した複合材料である。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、第１の層１１３Ａ、及び、後の工程で形成する第２の層１１３Ｂ、第３の層１１３Ｃなどの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、各種ＥＬ層とのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法を含む）、ＣＶＤ法、または真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層上に接して形成される第１の犠牲層１１８Ａは、第２の犠牲層１１９Ａの形成方法よりも、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、第１の犠牲層１１８Ａを形成することが好ましい。また、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工時に、第１の層１１３Ａに加わるダメージを低減することができる。

　また、第１の犠牲層１１８Ａには、第２の犠牲層１１９Ａとのエッチングの選択比の大きい膜を用いることが好ましい。

　本実施の形態の表示パネルの作製方法における各種犠牲層の加工工程において、ＥＬ層を構成する各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層など）が加工されにくいこと、かつ、ＥＬ層を構成する各層の加工工程において、各種犠牲層が加工されにくいことが望ましい。犠牲層の材料、加工方法、及び、ＥＬ層の加工方法については、これらを考慮して選択することが望ましい。

　なお、本実施の形態では、第１の犠牲層と第２の犠牲層の２層構造で犠牲層を形成する例を示すが、犠牲層は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの一方または双方に紫外光を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、ＥＬ層に紫外光が照射されることを抑制でき、ＥＬ層の劣化を抑制できるため、好ましい。

　また、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などの金属酸化物を用いることができる。第１の犠牲層１１８Ａまたは第２の犠牲層１１９Ａとして、例えば、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成することができる。さらに、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。

　また、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとしては、それぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ層との密着性が高く好ましい。例えば、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。第１の犠牲層１１８Ａまたは第２の犠牲層１１９Ａとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層など）へのダメージを低減できるため好ましい。

　例えば、第１の犠牲層１１８Ａとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、第２の犠牲層１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、またはタングステン膜）を用いることができる。

　なお、第１の犠牲層１１８Ａと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、第１の犠牲層１１８Ａと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、第１の犠牲層１１８Ａと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよい。例えば、第１の犠牲層１１８Ａを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、第１の犠牲層１１８Ａを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。なお、これに限られず、第１の犠牲層１１８Ａと絶縁層１２５に、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの一方または双方として、少なくとも第１の層１１３Ａの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層への熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、それぞれ、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

　次に、図５Ａに示すように、第２の犠牲層１１９Ａ上にレジストマスク１９０ａを形成する。レジストマスクは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。

　レジストマスクは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

　レジストマスク１９０ａは、画素電極１１１ａと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ａとして、１つの副画素１１０ａに対して、１つの島状のパターンが設けられていることが好ましい。または、レジストマスク１９０ａとして、一列に並ぶ（図１ＡではＹ方向に並ぶ）複数の副画素１１０ａに対して１つの帯状のパターンを形成してもよい。

　ここで、レジストマスク１９０ａの端部が、画素電極１１１ａの端部よりも外側に位置するように、レジストマスク１９０ａを形成すると、後に形成する第１の層１１３ａの端部を、画素電極１１１ａの端部よりも外側に設けることができる。

　なお、レジストマスク１９０ａは、接続部１４０と重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１２３が、表示パネルの作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。

　次に、図５Ｂに示すように、レジストマスク１９０ａを用いて、第２の犠牲層１１９Ａの一部を除去し、犠牲層１１９ａを形成する。犠牲層１１９ａは、画素電極１１１ａ上と、導電層１２３上と、に残存する。

　第２の犠牲層１１９Ａのエッチングの際、第１の犠牲層１１８Ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。また、第２の犠牲層１１９Ａの加工においては、ＥＬ層が露出しないため、第１の犠牲層１１８Ａの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、第２の犠牲層１１９Ａの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、ＥＬ層の劣化をより抑制することができる。

　その後、レジストマスク１９０ａを除去する。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングなどによりレジストマスク１９０ａを除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガス（希ガスともいう）と、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。このとき、第１の犠牲層１１８Ａが最表面に位置し、第１の層１１３Ａは露出していないため、レジストマスク１９０ａの除去工程において、第１の層１１３Ａにダメージが入ることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０ａの除去方法の選択の幅を広げることができる。

　次に、図５Ｃに示すように、犠牲層１１９ａを、マスク（ハードマスクともいう）に用いて、第１の犠牲層１１８Ａの一部を除去し、犠牲層１１８ａを形成する。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

　ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工時に、第１の層１１３Ａに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液などを用いることが好ましい。

　また、ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、第１の層１１３Ａの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

　例えば、第１の犠牲層１１８Ａとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅを用いて、ドライエッチング法により第１の犠牲層１１８Ａを加工することができる。また、第２の犠牲層１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により第２の犠牲層１１９Ａを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により第２の犠牲層１１９Ａを加工することができる。また、第２の犠牲層１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＣＦ_４とＯ_２、ＣＦ_６とＯ_２、ＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２、または、ＣＦ_６とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法により第２の犠牲層１１９Ａを加工することができる。

　次に、図５Ｃに示すように、犠牲層１１９ａ及び犠牲層１１８ａをハードマスクとして用いたエッチング処理により、第１の層１１３Ａの一部を除去し、第１の層１１３ａを形成する。

　これにより、図５Ｃに示すように、画素電極１１１ａ上に、第１の層１１３ａ、犠牲層１１８ａ、及び、犠牲層１１９ａの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上に犠牲層１１８ａと犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。

　図５Ｃでは、第１の層１１３ａの端部が、画素電極１１１ａの端部よりも外側に位置する例を示す。このような構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。なお、図５Ｃでは図示していないが、上記エッチング処理によって、絶縁層２５５ｃの第１の層１１３ａと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

　また、第１の層１１３ａが画素電極１１１ａの上面及び側面を覆うことにより、画素電極１１１ａを露出させずに、以降の工程を行うことができる。画素電極１１１ａの端部が露出していると、エッチング工程などにおいて腐食が生じる場合がある。画素電極１１１ａの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には、雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、または、雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面、及び、第１の層１１３ａの側面などに生成物が付着し、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼす、または、複数の発光デバイスの間にリークパスを形成する可能性がある。また、画素電極１１１ａの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、第１の層１１３ａまたは画素電極１１１ａの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。

　よって、第１の層１１３ａが画素電極１１１ａの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光デバイスの歩留まりを向上させることができ、発光デバイスの表示品位を向上させることができる。

　なお、レジストマスク１９０ａを用いて、第１の層１１３Ａの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。

　第１の層１１３Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。

　ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、第１の層１１３Ａの劣化を抑制することができる。

　また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、第１の層１１３Ａに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着を抑制することができる。

　ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ、Ａｒなどの貴ガス（希ガスともいう）のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

　以上の工程により、第１の層１１３Ａ、第１の犠牲層１１８Ａ、及び、第２の犠牲層１１９Ａの、レジストマスク１９０ａと重なっていない領域を除去することができる。

　次に、図６Ａに示すように、犠牲層１１９ａ、画素電極１１１ｂ、及び、画素電極１１１ｃ上に、第２の層１１３Ｂを形成し、第２の層１１３Ｂ上に第１の犠牲層１１８Ｂを形成し、第１の犠牲層１１８Ｂ上に第２の犠牲層１１９Ｂを形成する。

　図６Ａに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第２の層１１３Ｂの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ｂの端部よりも内側に位置する。

　第２の層１１３Ｂは、後に、第２の層１１３ｂとなる層である。第２の層１１３ｂは、第１の層１１３ａと異なる色の光を発する。第２の層１１３ｂに適用できる構成及び材料等は、第１の層１１３ａと同様である。第２の層１１３Ｂは、第１の層１１３Ａと同様の方法を用いて成膜することができる。

　第１の犠牲層１１８Ｂは、第１の犠牲層１１８Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。第２の犠牲層１１９Ｂは、第２の犠牲層１１９Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。

　次に、図６Ａに示すように、第２の犠牲層１１９Ｂ上にレジストマスク１９０ｂを形成する。

　レジストマスク１９０ｂは、画素電極１１１ｂと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ｂは、後に接続部１４０となる領域と重なる位置にも設けてもよい。

　次に、図５Ｂ及び図５Ｃを用いて説明した工程と同様の工程を行うことで、第２の層１１３Ｂ、第１の犠牲層１１８Ｂ、及び、第２の犠牲層１１９Ｂの、レジストマスク１９０ｂと重なっていない領域を除去する。

　これにより、図６Ｂに示すように、画素電極１１１ｂ上に、第２の層１１３ｂ、犠牲層１１８ｂ、及び、犠牲層１１９ｂの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上に犠牲層１１８ａと犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。

　次に、図６Ｂに示すように、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び、画素電極１１１ｃ上に、第３の層１１３Ｃを形成し、第３の層１１３Ｃ上に第１の犠牲層１１８Ｃを形成し、第１の犠牲層１１８Ｃ上に第２の犠牲層１１９Ｃを形成する。

　図６Ｂに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第３の層１１３Ｃの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ｃの端部よりも内側に位置する。

　第３の層１１３Ｃは、後に、第３の層１１３ｃとなる層である。第３の層１１３ｃは、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂとは異なる色の光を発する。第３の層１１３ｃに適用できる構成及び材料等は、第１の層１１３ａと同様である。第３の層１１３Ｃは、第１の層１１３Ａと同様の方法を用いて成膜することができる。

　第１の犠牲層１１８Ｃは、第１の犠牲層１１８Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。第２の犠牲層１１９Ｃは、第２の犠牲層１１９Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。

　次に、図６Ｂに示すように、第２の犠牲層１１９Ｃ上にレジストマスク１９０ｃを形成する。

　レジストマスク１９０ｃは、画素電極１１１ｃと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ｃは、後に接続部１４０となる領域と重なる位置にも設けてもよい。

　次に、図５Ｂ及び図５Ｃを用いて説明した工程と同様の工程を行うことで、第３の層１１３Ｃ、第１の犠牲層１１８Ｃ、及び、第２の犠牲層１１９Ｃの、レジストマスク１９０ｃと重なっていない領域を除去する。

　これにより、図６Ｃに示すように、画素電極１１１ｃ上に、第３の層１１３ｃ、犠牲層１１８ｃ、及び、犠牲層１１９ｃの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上に犠牲層１１８ａと犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。

　なお、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

　上記のように、各ＥＬ層を、フォトリソグラフィ法を用いて加工することにより、各画素間の距離を、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、各画素間の距離とは、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのうち、隣接する２つの層の対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、各画素間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供することができる。

　次に、図７Ａに示すように、犠牲層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去する。これにより、画素電極１１１ａ上では犠牲層１１８ａが露出し、画素電極１１１ｂ上では犠牲層１１８ｂが露出し、画素電極１１１ｃ上では犠牲層１１８ｃが露出し、及び、導電層１２３上では、犠牲層１１８ａが露出する。

　なお、犠牲層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去せずに、絶縁膜１２５Ａの形成工程に進める構成にしてもよい。

　犠牲層の除去工程には、犠牲層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層を除去する際に、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに加わるダメージを低減することができる。

　また、犠牲層を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。

　犠牲層を除去した後に、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

　次に、図７Ａに示すように、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを覆うように、絶縁膜１２５Ａを形成する。

　絶縁膜１２５Ａは、後に絶縁層１２５となる層である。したがって、絶縁膜１２５Ａには、絶縁層１２５に用いることができる材料を適用することができる。また、絶縁膜１２５Ａの膜厚は、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下にすることが好ましい。

　絶縁膜１２５Ａは、ＥＬ層の側面に接して形成されるため、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。また、絶縁膜１２５Ａは、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。絶縁膜１２５Ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、より好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１４０℃以下である。

　絶縁膜１２５Ａとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。ここで、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料、及び同様の方法を用いて成膜することができる。この場合、絶縁膜１２５Ａと、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃとの境界が不明瞭になることがある。

　次に、図７Ｂに示すように、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁層１２７ａを塗布法により形成する。

　絶縁層１２７ａは後の工程で絶縁層１２７となる膜であり、絶縁層１２７ａには、上述の有機材料を用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、感光性のアクリル樹脂を用いればよい。また、絶縁層１２７ａの粘度は、１ｃＰ以上１５００ｃＰ以下とすればよく、１ｃＰ以上１２ｃＰ以下とすることが好ましい。絶縁層１２７ａの粘度を上記の範囲にすることで、図２Ａなどに示すような、テーパ形状を有する絶縁層１２７を、比較的容易に形成することができる。

　絶縁層１２７ａの形成方法に特に限定はなく、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の湿式の成膜方法を用いて形成することができる。特に、スピンコートにより、絶縁層１２７ａを形成することが好ましい。

　また、絶縁層１２７ａの塗布法による形成後に加熱処理を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下とすればよい。これにより、絶縁層１２７ａ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　次に、図７Ｃに示すように、露光を行って、絶縁層１２７ａの一部に、可視光線または紫外線を感光させる。ここで、絶縁層１２７ａに、ポジ型のアクリル樹脂を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射すればよい。絶縁層１２７は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのいずれか２つに挟まれる領域に形成されるので、画素電極１１１ａ上、画素電極１１１ｂ上、及び画素電極１１１ｃ上に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射すればよい。

　また、露光に可視光線または紫外光線を用いる場合、当該可視光線または紫外光線は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。さらに、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、またはｈ線（波長４０５ｎｍ）などを含む可視光線を用いてもよい。

　なお、図７Ｃにおいては、絶縁層１２７ａにポジ型の感光性の有機樹脂を用い、絶縁層１２７が形成されない領域に、可視光線または紫外線を照射する例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層１２７ａにネガ型の感光性の有機樹脂を用いる構成にしてもよい。この場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線または紫外線を照射すればよい。

　次に、図８Ａに示すように、現像を行って、絶縁層１２７ａの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ｂを形成する。絶縁層１２７ｂは、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのいずれか２つに挟まれる領域に形成される。ここで、絶縁層１２７ａにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いればよい。

　次に、図８Ｂに示すように、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を絶縁層１２７ｂに照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすればよく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ｂの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ｂの側面をテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

　次に、図８Ｃに示すように、加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７ｃに変形させることができる。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下とすればよい。本工程の加熱処理は、絶縁層１２７ｃの塗布後の加熱処理よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７ｃの絶縁膜１２５Ａとの密着性を向上させ、絶縁層１２７ｃの耐食性も向上させることができる。

　絶縁層１２７ｃは、図２Ａに示す絶縁層１２７と同様に、表示装置の断面視において、側面にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。また、表示装置の断面視において、絶縁層１２７ｃの上面は凸曲面形状を有することが好ましい。突出部１１６を形成する前に、絶縁層１２７ｃをこのような形状にすることで、突出部１１６のテーパ形状を比較的容易に形成することができる。

　ここで、絶縁層１２７ｃは、一方の端部が画素電極１１１ａと重なり、他方の端部が画素電極１１１ｂと重なるように縮小することが好ましい。または、絶縁層１２７ｃは、一方の端部が画素電極１１１ｂと重なり、他方の端部が画素電極１１１ｃと重なるように縮小することが好ましい。または、絶縁層１２７ｃは、一方の端部が画素電極１１１ｃと重なり、他方の端部が画素電極１１１ａと重なるように縮小することが好ましい。このような構造にすることで、後で形成する、絶縁層１２７の端部、及び突出部１１６を第１の層１１３ａ（第２の層１１３ｂ）の概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層１２７のテーパ形状、及び突出部１１６のテーパ形状を、上記の通り加工することが比較的容易になる。

　なお、図８Ｃに示す加熱処理のみで、絶縁層１２７ｃの側面をテーパ形状に加工できる場合、図８Ｂに示す露光を行わない構成にしてもよい。

　また、絶縁層１２７ｃの側面をテーパ形状に加工した後で、さらに加熱処理を行うことが好ましい。当該加熱処理により、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水などを除去することができる。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として８０℃以上２３０℃以下、好ましくは８０℃以上２００℃以下、より好ましくは８０℃以上１３０℃以下、さらに好ましくは８０℃以上１００℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で脱水が可能であるため好ましい。ただし、上記の加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、ＥＬ層の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも特に８０℃以上１００℃以下の温度が好適である。

　次に、図９Ａ及び図１０Ａに示すように、絶縁層１２７ｃをマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａの一部を除去し、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ｃの下に、絶縁層１２５が形成される。なお、図１０Ａは、図９Ａの第２の層１１３ｂと絶縁層１２７ｃ近傍の断面拡大図である。

　上記エッチング処理は、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって行うことができる。なお、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料、及び同様の方法を用いて成膜していた場合、絶縁膜１２５Ａの一部を除去することと、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚を薄くすることを、上記エッチング処理で一括で行うことができるため、好ましい。

　図１０Ａなどに示すように、側面がテーパ形状である絶縁層１２７ｃをマスクとしてドライエッチングを行うことで、絶縁層１２５の側面、及び犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。

　ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４などを、単独または２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガスなどを、単独または２以上のガスを混合して、適宜添加することができる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成することができる。

　ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。または、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

　また、ドライエッチングを行う場合、ドライエッチングで生じた副生成物などが、絶縁層１２７ｃの上面及び側面などに堆積する場合がある。このため、絶縁層１２７ｃにエッチングガスに含まれる成分、絶縁膜１２５Ａに含まれる成分、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃに含まれる成分などが含まれる場合がある。

　また、上記エッチング処理をウェットエッチングで行う場合は、例えば、後述する図９Ｃに係るウェットエッチングと同様の方法を用いて行うことができる。

　図１０Ａに示すように、本エッチング処理では、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃ上に、対応する犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを残存させておくことで、後の工程の処理で、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃが損傷するのを防ぐことができる。

　なお、図９Ａなどでは、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚が薄くなる構成にしたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚によっては、絶縁膜１２５Ａが絶縁層１２５に加工される前にエッチング処理をストップする場合もある。また、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料、及び同様の方法を用いて成膜した場合、絶縁膜１２５Ａと、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃとの境界が不明瞭になり、絶縁層１２５が形成されたか判別できない場合がある。

　次に、図９Ｂ及び図１０Ｂに示すように、プラズマ処理を行って、絶縁層１２７ｃを縮小して、絶縁層１２７を形成する。当該プラズマ処理は、上記ドライエッチング装置を用いて行うことができる。この場合、バイアス電圧を印加せず、酸素雰囲気で行えばよい。なお、図１０Ｂは、図９Ｂの第２の層１１３ｂと絶縁層１２７近傍の断面拡大図である。

　図１０Ｂに示すように、当該プラズマ処理により、絶縁層１２７の側面端部が後退し、絶縁層１２５の上面が露出する。このように、絶縁層１２５が絶縁層１２７から露出した部位を設けておくことにより、次の工程で行うウェットエッチングにおいて、サイドエッチが絶縁層１２７の下まで深く進行するのを抑制することができる。

　また、当該プラズマ処理により、絶縁層１２７ｃを縮小することで、絶縁層１２７の高さを調整することもできる。

　また、絶縁層１２７は絶縁層１２７ｃの概略相似形状で縮小するので、図２Ｂで示した通り、側面にテーパ角θ１のテーパ形状を有し、且つ表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有する。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上全体で、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　次に、図９Ｃ及び図１０Ｃに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、及び絶縁層１２５、それぞれの一部を除去する。これにより、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃそれぞれに開口が形成され、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び導電層１２３の上面が露出する。なお、図１０Ｃは、図９Ｃの第２の層１１３ｂと絶縁層１２７近傍の断面拡大図である。

　上記エッチング処理は、ウェットエッチング法を用いて行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。アルカリ溶液を用いる場合、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料、及び同様の方法を用いて成膜していた場合、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、及び絶縁層１２５、それぞれの一部の除去を上記エッチング処理で一括で行うことができるため、好ましい。

　上記エッチング処理により、図１０Ｂなどに示すように、犠牲層１１８ｂ及び絶縁層１２５に、第２の層１１３ｂ及び画素電極１１１ｂの上において、突出部１１６が形成される。突出部１１６は、断面視において、絶縁層１２７の端部より外側に位置する。なお、拡大断面図では図示していないが、第１の層１１３ａ及び画素電極１１１ａの上、第３の層１１３ｃ及び画素電極１１１ｃの上、並びに導電層１２３の上にも同様に突出部１１６が形成される。

　突出部１１６は、図２Ｂで示した通り、表示装置の断面視において、側面にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。突出部１１６をこのような順テーパ形状にすることで、突出部１１６上に設けられる、共通層１１４及び共通電極１１５に、段切れなどを生じさせることなく、被覆性良く成膜することができる。

　また、図２Ｂで示した通り、絶縁層１２５は、突出部１１６において、絶縁層１２７と重畳する部分より膜厚が薄い部分、すなわちザグリ部１３３を有する。

　上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃを設けることにより、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、段切れ箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生するのを抑制することができる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　次に、図１１Ａに示すように、絶縁層１２５、絶縁層１２７、犠牲層１１８、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃを覆うように、共通層１１４を形成する。

　図１１Ａに示すＹ１−Ｙ２間の断面図では、接続部１４０に共通層１１４が設けられていない例を示す。図１１Ａに示すように、共通層１１４の接続部１４０側の端部は、接続部１４０よりも内側に位置することが好ましい。例えば、共通層１１４の成膜の際に、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることが好ましい。

　また、共通層１１４の導電性の高さによっては、接続部１４０に共通層１１４が設けられていてもよい。このような構成にすることで、図３Ａに示す、導電層１２３が、共通層１１４を介して共通電極１１５と電気的に接続される構造の接続部１４０を形成することができる。

　共通層１１４として用いることができる材料は上述の通りである。共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。また、共通層１１４は、プレミックス材料を用いて形成されてもよい。

　共通層１１４は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃそれぞれの上面、並びに、絶縁層１２７の上面及び側面を覆うように設けられる。ここで、共通層１１４の導電性が高く、絶縁層１２５、１２７が設けられていない場合、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのいずれかの側面と、共通層１１４とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。しかし、本発明の一態様の表示パネルでは、絶縁層１２５、１２７が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの側面を覆い、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃが、対応する画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、の側面を覆っている。これにより、導電性の高い共通層１１４がこれらの層の側面と接することを抑制し、発光デバイスがショートすることを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　また、第１の層１１３ａと第２の層１１３ｂの間の空間、及び、第２の層１１３ｂと第３の層１１３ｃの間の空間が、絶縁層１２５、１２７によって埋められているため、共通層１１４の被形成面は、絶縁層１２５、１２７が設けられていない場合よりも段差が小さく、平坦となる。これにより、共通層１１４の被覆性を高めることができる。

　そして、図１１Ｂに示すように、共通層１１４上及び導電層１２３上に共通電極１１５を形成する。これにより、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接することで、電気的に接続される。このような構成にすることで、図３Ｂに示す、導電層１２３の上面と共通電極１１５が接する構造の接続部１４０を形成することができる。

　共通電極１１５の成膜の際には、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いてもよい。または、共通電極１１５の成膜に当該マスクを使用せず、共通電極１１５となる膜を成膜した後に、レジストマスクなどを用いて共通電極１１５となる膜を加工してもよい。

　共通電極１１５として用いることができる材料は上述の通りである。共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　その後、共通電極１１５上に保護層１３１を形成する。さらに、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、図１Ｂに示す表示パネル１００を作製することができる。

　保護層１３１に用いることができる材料及び成膜方法は上述の通りである。保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。また、保護層１３１は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

　以上のようにして、上述の表示パネル１００を作製することができる。

　本発明の一態様の表示パネルは、副画素ごとにＥＬ層が島状に設けられていることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。また、上記のように、各発光デバイス間に、無機絶縁層と有機樹脂膜の積層構造体を設けることで、当該積層構造体上の、共通層及び共通電極に段切れ箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されるのを防ぐことができる。よって、共通層及び共通電極において、段切れ箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生するのを抑制することができる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、高精細度と高い表示品位の両立が可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルについて図１２乃至図１５を用いて説明する。

［画素のレイアウト］
　本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。

　図１２Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１２Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、図１４Ａに示すように、副画素１１０ａを青色の副画素Ｂとし、副画素１１０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｃを緑色の副画素Ｇとしてもよい。

　図１２Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、図１４Ｂに示すように、副画素１１０ａを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図１２Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１２Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、図１４Ｃに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図１２Ｄ及び図１２Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。例えば、図１４Ｄに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図１２Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１２Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図１２Ｆは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、図１４Ｅに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　なお、図１Ａに示すストライプ配列が適用された画素１１０においても、例えば、図１４Ｆに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとすることができる。

　図１３Ａ乃至図１３Ｈに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図１３Ａ乃至図１３Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図１３Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１３Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１３Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図１３Ｄ乃至図１３Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図１３Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１３Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１３Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図１３Ｇ及び図１３Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１３Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１３Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１３Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示パネルを提供することができる。

　図１３Ａ乃至図１３Ｈに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。例えば、図１４Ｇ乃至図１４Ｊに示すように、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。

　本発明の一態様の表示パネルは、画素に、受光デバイスを有していてもよい。

　図１４Ｇ乃至図１４Ｊに示す画素１１０が有する４種類の副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

　例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃが、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素であり、副画素１１０ｄが、受光デバイスを有する副画素であってもよい。

　図１５Ａ及び図１５Ｂに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、及び、副画素ＰＳを有する。なお、副画素の並び順は図示した構成に限定されず、適宜決定することができる。例えば、副画素Ｇと副画素Ｒの位置を交換してもよい。

　図１５Ａに示す画素には、ストライプ配列が適用されている。図１５Ｂに示す画素には、マトリクス配列が適用されている。

　副画素Ｒは、赤色の光を発する発光デバイスを有する。副画素Ｇは、緑色の光を発する発光デバイスを有する。副画素Ｂは、青色の光を発する発光デバイスを有する。

　副画素ＰＳは、受光デバイスを有する。副画素ＰＳが検出する光の波長は特に限定されない。副画素ＰＳは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出する構成とすることができる。

　図１５Ｃ及び図１５Ｄに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、副画素Ｘ１、及び副画素Ｘ２を有する。なお、副画素の並び順は図示した構成に限定されず、適宜決定することができる。例えば、副画素Ｇと副画素Ｒの位置を交換してもよい。

　図１５Ｃでは、１つの画素が、２行３列にわたって設けられている例を示す。上の行（１行目）には、３つの副画素（副画素Ｇ、副画素Ｂ、及び副画素Ｒ）が設けられている。図１５Ｃでは、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２）が設けられている。

　図１５Ｄでは、１つの画素が、３行２列で構成されている例を示す。図１５Ｄでは、１行目に副画素Ｇを有し、２行目に副画素Ｒを有し、この２行にわたって副画素Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２）を有する。言い換えると、図１５Ｄに示す画素は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素Ｇ、副画素Ｒ、及び副画素Ｘ２）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素Ｂ及び副画素Ｘ１）を有する。

　図１５Ｃに示す副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトは、ストライプ配列となっている。また、図１５Ｄに示す副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトは、いわゆるＳストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。

　副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２のうち少なくとも一方が、受光デバイスを有する（副画素ＰＳである、ともいえる）ことが好ましい。

　なお、副画素ＰＳを有する画素のレイアウトは図１５Ａ乃至図１５Ｄの構成に限られない。

　副画素Ｘ１または副画素Ｘ２としては、例えば、赤外光（ＩＲ）を発する発光デバイスを有する構成を適用することができる。このとき、副画素ＰＳは、赤外光を検出することが好ましい。例えば、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを用いて画像を表示しながら、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の一方を光源として用いて、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の他方にて当該光源が発する光の反射光を検出することができる。

　また、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の双方に、受光デバイスを有する構成を適用することができる。このとき、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２の検出する光の波長域は同じであってもよく、異なっていてもよく、一部共通であってもよい。例えば、副画素Ｘ１及び副画素Ｘ２のうち、一方が主に可視光を検出し、他方が主に赤外光を検出してもよい。

　副画素Ｘ１の受光面積は、副画素Ｘ２の受光面積よりも小さい。受光面積が小さいほど、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、副画素Ｘ１を用いることで、副画素Ｘ２が有する受光デバイスを用いる場合に比べて、高精細または高解像度の撮像を行うことができる。例えば、副画素Ｘ１を用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

　副画素ＰＳが有する受光デバイスは、可視光を検出することが好ましく、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの光のうち一つまたは複数を検出することが好ましい。また、副画素ＰＳが有する受光デバイスは、赤外光を検出してもよい。

　また、副画素Ｘ２に受光デバイスを有する構成を適用する場合、当該副画素Ｘ２は、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。副画素Ｘ２は、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定することができる。例えば、副画素Ｘ２は、赤外光を検出することが好ましい。これにより、暗い場所でも、タッチ検出が可能となる。

　ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

　タッチセンサは、表示パネルと、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示パネルに接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示パネルと、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示パネルが当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示パネルに対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示パネルを操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示パネルに汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示パネルに付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示パネルを操作することが可能となる。

　また、本発明の一態様の表示パネルは、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示パネルに表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示パネルのリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、且つタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

　図１５Ｅ乃至図１５Ｇに示す表示パネル１００は、基板３５１と基板３５９との間に、受光デバイスを有する層３５３、機能層３５５、及び、発光デバイスを有する層３５７を有する。

　機能層３５５は、受光デバイスを駆動する回路、及び、発光デバイスを駆動する回路を有する。機能層３５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、抵抗、配線、端子などを設けることができる。なお、発光デバイス及び受光デバイスをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

　例えば、図１５Ｅに示すように、発光デバイスを有する層３５７において発光デバイスが発した光を、表示パネル１００に接触した指３５２が反射することで、受光デバイスを有する層３５３における受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示パネル１００に指３５２が接触したことを検出することができる。

　また、図１５Ｆ及び図１５Ｇに示すように、表示パネルに近接している（つまり、接触していない）対象物を検出または撮像する機能を有していてもよい。図１５Ｆでは、人の指を検出する例を示し、図１５Ｇでは人の目の周辺、表面、または内部の情報（瞬きの回数、眼球の動き、瞼の動きなど）を検出する例を示す。

　本実施の形態の表示パネルでは、受光デバイスを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示パネルは、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。また、本発明の一態様の表示パネルは、画素に発光デバイスと受光デバイスとの双方を有する構成を適用することができる。この場合においても、様々なレイアウトを適用することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルについて図１６乃至図２６を用いて説明する。

　本実施の形態の表示パネルは、高精細な表示パネルとすることができる。したがって、本実施の形態の表示パネルは、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　また、本実施の形態の表示パネルは、高解像度な表示パネルまたは大型な表示パネルとすることができる。したがって、本実施の形態の表示パネルは、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１６Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示パネル１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示パネル１００Ａに限られず、後述する表示パネル１００Ｂ乃至表示パネル１００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図１６Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１６Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂを有する。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示パネル１００Ａ］
　図１７Ａに示す表示パネル１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図１６Ａ及び図１６Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。本実施の形態では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示すが、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられていなくてもよい。

　絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図１７Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図１Ｂに示す積層構造を有する例を示す。

　表示パネル１００Ａは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃが分離されており、それぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。

　隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。図１７Ａなどでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　発光デバイス１３０Ｒが有する第１の層１１３ａ上には、犠牲層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する第２の層１１３ｂ上には、犠牲層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する第３の層１１３ｃ上には、犠牲層１１８ｃが位置する。

　発光デバイスの画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び、画素電極１１１ｃは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。図１７Ａ等では、画素電極が反射電極と、反射電極上の透明電極と、の２層構造である例を示す。

　また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１６Ａにおける基板２９２に相当する。

　画素電極１１１ａと第１の層１１３ａとの間には、画素電極１１１ａの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。また、画素電極１１１ｂと第２の層１１３ｂとの間には、画素電極１１１ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示パネルとすることができる。

　表示パネル１００Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂを有する例を示したが、本実施の形態の表示パネルは、さらに、受光デバイスを有していてもよい。

　図１７Ｂに示す表示パネルは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０を有する例である。受光デバイス１５０は、画素電極１１１ｄと、第４の層１１３ｄと、共通層１１４と、共通電極１１５とを積層して有する。受光デバイス１５０の構成要素についての詳細は実施の形態１を参照することができる。

［表示パネル１００Ｂ］
　図１８に示す表示パネル１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。

　表示パネル１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または後述する絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示パネル１００Ｃ］
　図１９に示す表示パネル１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図１９に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示パネル１００Ｄ］
　図２０に示す表示パネル１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示パネル１００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１６Ａ及び図１６Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示パネル１００Ｅ］
　図２１に示す表示パネル１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示パネル１００Ｄを参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示パネル１００Ｆ］
　図２２に示す表示パネル１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。

［表示パネル１００Ｇ］
　図２３に、表示パネル１００Ｇの斜視図を示し、図２４Ａに、表示パネル１００Ｇの断面図を示す。

　表示パネル１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２３では、基板１５２を破線で明示している。

　表示パネル１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図２３では表示パネル１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２３に示す構成は、表示パネル１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図２３では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図２３では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示パネル１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図２４Ａに、表示パネル１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図２４Ａに示す表示パネル１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。

　発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図１Ｂに示す積層構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。

　表示パネル１００Ｇは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃが分離されており、それぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

　発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２ｃと、導電層１１２ｃ上の導電層１２６ｃと、導電層１２６ｃ上の導電層１２９ｃと、を有する。

　導電層１１２ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ａの端部よりも外側に導電層１２６ａの端部が位置している。導電層１２６ａの端部と導電層１２９ａの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２ａ及び導電層１２６ａに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９ａに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

　発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１２ｂ、１２６ｂ、１２９ｂ、及び、発光デバイス１３０Ｂにおける導電層１１２ｃ、１２６ｃ、１２９ｃについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａと同様であるため詳細な説明は省略する。

　導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃは、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように形成される。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部には、層１２８が埋め込まれている。

　層１２８は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び層１２８上には、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと電気的に接続される導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている。したがって、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。

　層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。

　導電層１２６ａの側面と導電層１２９ａの上面及び側面は、第１の層１１３ａによって覆われている。同様に、導電層１２６ｂの側面と導電層１２９ｂの上面及び側面は、第２の層１１３ｂによって覆われている。また、導電層１２６ｃの側面と導電層１２９ｃの上面及び側面は、第３の層１１３ｃによって覆われている。したがって、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

　第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第１の層１１３ａと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ａが位置する。また、第２の層１１３ｂと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｂが位置し、第３の層１１３ｃと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｃが位置する。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられる一続きの膜である。

　また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。発光デバイスを覆う保護層１３１を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図２４Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、犠牲層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

　表示パネル１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示パネルの信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示パネルは、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

　結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示パネルに実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示パネルの消費電力を低減することができる。

　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

　また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示パネルを実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示パネルは、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　なお、本発明の一態様の表示パネルは、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示パネルに画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れなどが限りなく少ない表示とすることができる。

　図２４Ｂ及び図２４Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図２４Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図２４Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２４Ｃに示す構造を作製できる。図２４Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

　接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示パネル１００Ｈ］
　図２５Ａに示す表示パネル１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示パネルである点で、表示パネル１００Ｇと主に相違する。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

　基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２５Ａでは、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

　導電層１１２ａ、１１２ｂ、１２６ａ、１２６ｂ、１２９ａ、１２９ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

　また、図２４Ａ及び図２５Ａなどでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２５Ｂ乃至図２５Ｄに、層１２８の変形例を示す。

　図２５Ｂ及び図２５Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　また、図２５Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

　また、層１２８の上面の高さと、導電層１１２ａの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２ａの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

　また、図２５Ｂは、導電層１１２ａの凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２５Ｄのように、導電層１１２ａの凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。

［表示パネル１００Ｊ］
　図２６に示す表示パネル１００Ｊは、受光デバイス１５０を有する点で、表示パネル１００Ｇと主に相違する。

　受光デバイス１５０は、導電層１１２ｄと、導電層１１２ｄ上の導電層１２６ｄと、導電層１２６ｄ上の導電層１２９ｄと、を有する。

　導電層１１２ｄは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

　導電層１２６ｄの側面と導電層１２９ｄの上面及び側面は、第４の層１１３ｄによって覆われている。第４の層１１３ｄは、少なくとも活性層を有する。

　第４の層１１３ｄの側面は、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第４の層１１３ｄと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｄが位置する。第４の層１１３ｄ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４は、受光デバイスと発光デバイスに共通して設けられる一続きの膜である。

　表示パネル１００Ｊは、例えば、実施の形態１で説明した図４Ａに示す画素レイアウト、または、実施の形態２で説明した、図１５Ａ乃至図１５Ｄに示す画素レイアウトのいずれかを適用することができる。受光デバイス１５０は、副画素ＰＳ、副画素Ｘ１、及び、副画素Ｘ２などの少なくとも一つに設けることができる。また、受光デバイスを有する表示パネルの詳細については、実施の形態１を参照することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用することのできるトランジスタの構成例について説明する。特に、チャネルが形成される半導体にシリコンを含むトランジスタを用いる場合について説明する。

　本発明の一態様は、発光デバイスと、画素回路と、を有する表示パネルである。表示パネルは、例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光デバイスを有することで、フルカラーの表示パネルを実現できる。

　発光デバイスを駆動する画素回路に含まれるトランジスタの全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタを用いることが好ましい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることが好ましい。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタなどのシリコンを用いたトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示パネルに実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、チャネルが形成される半導体に金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示パネルの消費電力を低減することができる。

　画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトランジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示パネルを実現することができる。より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタなどにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタなどにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［表示パネルの構成例］
　図２７Ａに、表示パネル４００のブロック図を示す。表示パネル４００は、表示部４０４、駆動回路部４０２、駆動回路部４０３などを有する。

　表示部４０４は、マトリクス状に配置された複数の画素４３０を有する。画素４３０は、副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂを有する。副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂは、それぞれ表示デバイスとして機能する発光デバイスを有する。

　画素４３０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ駆動回路部４０２と電気的に接続されている。配線ＧＬは、駆動回路部４０３と電気的に接続されている。駆動回路部４０２は、ソース線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能し、駆動回路部４０３は、ゲート線駆動回路（ゲートドライバともいう）として機能する。配線ＧＬは、ゲート線として機能し、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれソース線として機能する。

　副画素４０５Ｒは、赤色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素４０５Ｇは、緑色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素４０５Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスを有する。これにより、表示パネル４００はフルカラーの表示を行うことができる。なお、画素４３０は、他の色の光を呈する発光デバイスを有する副画素を有していてもよい。例えば画素４３０は、上記３つの副画素に加えて、白色の光を呈する発光デバイスを有する副画素、または黄色の光を呈する発光デバイスを有する副画素などを有していてもよい。

　配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線ＳＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、または副画素４０５Ｂ（図示しない）と電気的に接続されている。

〔画素回路の構成例〕
　図２７Ｂに、上記副画素４０５Ｒ、副画素４０５Ｇ、及び副画素４０５Ｂに適用することのできる画素４０５の回路図の一例を示す。画素４０５は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、容量Ｃ１、及び発光デバイスＥＬを有する。また、画素４０５には、配線ＧＬ及び配線ＳＬが電気的に接続される。配線ＳＬは、図２７Ａで示した配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢのうちのいずれかに対応する。

　トランジスタＭ１は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと電気的に接続され、他方が容量Ｃ１の一方の電極、及びトランジスタＭ２のゲートと電気的に接続される。トランジスタＭ２は、ソース及びドレインの一方が配線ＡＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が発光デバイスＥＬの一方の電極、容量Ｃ１の他方の電極、及びトランジスタＭ３のソース及びドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＲＬと電気的に接続される。発光デバイスＥＬは、他方の電極が配線ＣＬと電気的に接続される。

　配線ＳＬには、データ電位が与えられる。配線ＧＬには、選択信号が与えられる。当該選択信号には、トランジスタを導通状態とする電位と、非導通状態とする電位が含まれる。

　配線ＲＬには、リセット電位が与えられる。配線ＡＬには、アノード電位が与えられる。配線ＣＬには、カソード電位が与えられる。画素４０５において、アノード電位はカソード電位よりも高い電位とする。また、配線ＲＬに与えられるリセット電位は、リセット電位とカソード電位との電位差が、発光デバイスＥＬのしきい値電圧よりも小さくなるような電位とすることができる。リセット電位は、カソード電位よりも高い電位、カソード電位と同じ電位、または、カソード電位よりも低い電位とすることができる。

　トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、スイッチとして機能する。トランジスタＭ２は、発光デバイスＥＬに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能する。例えば、トランジスタＭ１は選択トランジスタとして機能し、トランジスタＭ２は、駆動トランジスタとして機能するともいえる。

　ここで、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３の全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。または、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを適用し、トランジスタＭ２にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　または、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３のすべてに、ＯＳトランジスタを適用してもよい。このとき、駆動回路部４０２が有する複数のトランジスタ、及び駆動回路部４０３が有する複数のトランジスタのうち、一以上にＬＴＰＳトランジスタを適用し、他のトランジスタにＯＳトランジスタを適用する構成とすることができる。例えば、表示部４０４に設けられるトランジスタにはＯＳトランジスタを適用し、駆動回路部４０２及び駆動回路部４０３に設けられるトランジスタにはＬＴＰＳトランジスタを適用することもできる。

　ＯＳトランジスタとしては、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの半導体層として、ＩＧＺＯを用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。

　シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。そのため、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。そのため、特に容量Ｃ１に直列に接続されるトランジスタＭ１及びトランジスタＭ３には、それぞれ、酸化物半導体が適用されたトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３として酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、容量Ｃ１に保持される電荷が、トランジスタＭ１またはトランジスタＭ３を介してリークされることを防ぐことができる。また、容量Ｃ１に保持される電荷を長時間に亘って保持できるため、画素４０５のデータを書き換えることなく、静止画を長期間に亘って表示することが可能となる。

　なお、図２７Ｂにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。

　また、画素４０５が有する各トランジスタは、同一基板上に並べて形成されることが好ましい。

　画素４０５が有するトランジスタとして、半導体層を介して重なる一対のゲートを有するトランジスタを適用することができる。

　一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲートが互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、トランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与えることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気的に接続する構成としてもよいし、自身のソースまたはドレインと電気的に接続する構成としてもよい。

　図２７Ｃに示す画素４０５は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、それぞれ一対のゲートが電気的に接続されている。このような構成とすることで、画素４０５へのデータの書き込み期間を短縮することができる。

　図２７Ｄに示す画素４０５は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３に加えて、トランジスタＭ２にも、一対のゲートを有するトランジスタを適用した例である。トランジスタＭ２は、一対のゲートが電気的に接続されている。トランジスタＭ２に、このようなトランジスタを適用することで、飽和特性が向上するため、発光デバイスＥＬの発光輝度の制御が容易となり、表示品位を高めることができる。

［トランジスタの構成例］
　以下では、上記表示パネルに適用することのできるトランジスタの断面構成例について説明する。

〔構成例１〕
　図２８Ａは、トランジスタ４１０を含む断面図である。

　トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ４１０は、画素４０５のトランジスタＭ２に対応する。すなわち、図２８Ａは、トランジスタ４１０のソース及びドレインの一方が、発光デバイスの導電層４３１と電気的に接続されている例である。

　トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３の一部は、ゲート電極として機能する。

　なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トランジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。

　低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例えばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素などを添加すればよい。一方、ｐチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミニウムなどを添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加されていてもよい。

　基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。

　また、導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂが設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層４２３が設けられている。

　絶縁層４２３上には、画素電極として機能する導電層４３１が設けられる。導電層４３１は、絶縁層４２３上に設けられ、絶縁層４２３に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。ここでは省略するが、導電層４３１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層することができる。

〔構成例２〕
　図２８Ｂには、一対のゲート電極を有するトランジスタ４１０ａを示す。図２８Ｂに示すトランジスタ４１０ａは、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図２８Ａと主に相違している。

　導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６を介して導電層４１５と重なるように設けられている。

　図２８Ｂに示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層４１３の一部が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層として機能する。

　ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソースまたはドレインとを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層４１４ａまたは導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すればよい。

　画素４０５を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用する場合、図２８Ａで例示したトランジスタ４１０、または図２８Ｂで例示したトランジスタ４１０ａを適用することができる。このとき、画素４０５を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組み合わせて用いてもよい。

〔構成例３〕
　以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について説明する。

　図２８Ｃに、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ４５０を含む、断面概略図を示している。

　トランジスタ４１０ａについては、上記構成例１を援用できる。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トランジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トランジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有する構成としてもよい。

　トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したトランジスタである。図２８Ｃに示す構成は、例えばトランジスタ４５０が画素４０５のトランジスタＭ１に対応し、トランジスタ４１０ａがトランジスタＭ２に対応する例である。すなわち、図２８Ｃは、トランジスタ４１０ａのソース及びドレインの一方が、導電層４３１と電気的に接続されている例である。

　また、図２８Ｃには、トランジスタ４５０が一対のゲートを有する例を示している。

　トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３の一部は、トランジスタ４５０の第１のゲートとして機能し、導電層４５５の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲートとして機能する。このとき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。

　また、絶縁層４２６が絶縁層４５２及び導電層４５３を覆って設けられている。絶縁層４２６上には、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂが設けられる。導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂは、絶縁層４２６及び絶縁層４５２に設けられた開口部において、半導体層４５１と電気的に接続されている。導電層４５４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４５４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４５４ａ、導電層４５４ｂ、及び絶縁層４２６を覆って、絶縁層４２３が設けられている。

　ここで、トランジスタ４１０ａと電気的に接続する導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂと、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図２８Ｃでは、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、導電層４５４ａ、及び導電層４５４ｂが、同一面上に（すなわち絶縁層４２６の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。このとき、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２６、絶縁層４５２、絶縁層４２２、及び絶縁層４１２に設けられた開口を介して、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続する。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

　また、トランジスタ４１０ａの第１のゲート電極として機能する導電層４１３と、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する導電層４５５とは、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図２８Ｃでは、導電層４１３と導電層４５５とが、同一面上に（すなわち絶縁層４１２の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

　図２８Ｃでは、トランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層４５２が、半導体層４５１の端部を覆う構成としたが、図２８Ｄに示すトランジスタ４５０ａのように、絶縁層４５２が、導電層４５３と上面形状が一致または概略一致するように加工されていてもよい。

　なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。

　なお、ここではトランジスタ４１０ａが、トランジスタＭ２に対応し、画素電極と電気的に接続する例を示したが、これに限られない。例えば、トランジスタ４５０またはトランジスタ４５０ａが、トランジスタＭ２に対応する構成としてもよい。このとき、トランジスタ４１０ａは、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３、またはその他のトランジスタに対応する。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる発光デバイスについて説明する。

　図２９Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０などの複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）及び電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）及び正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

　一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１及び層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２９Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図２９Ｂは、図２９Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図２９Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７７２上の層４４３１と、層４４３１上の層４４３２と、層４４３２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２１と、層４４２１上の層４４２２と、層４４２２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３１が正孔注入層として機能し、層４４３２が正孔輸送層として機能し、層４４２１が電子輸送層として機能し、層４４２２が電子注入層として機能する。または、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３１が電子注入層として機能し、層４４３２が電子輸送層として機能し、層４４２１が正孔輸送層として機能し、層４４２２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

　なお、図２９Ｃ、図２９Ｄに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、４４１２、４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

　また、図２９Ｅ、図２９Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が電荷発生層４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

　図２９Ｃ、図２９Ｄにおいて、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。例えば、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、青色の光を発する発光材料を用いてもよい。図２９Ｄに示す層７８５として、色変換層を設けてもよい。

　また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、それぞれ異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２９Ｄに示す層７８５として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　また、図２９Ｅ、図２９Ｆにおいて、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。または、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２９Ｆには、さらに層７８５を設ける例を示している。層７８５としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

　なお、図２９Ｃ、図２９Ｄ、図２９Ｅ、図２９Ｆにおいても、図２９Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　発光デバイスごとに、発光色（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。

　発光デバイスの発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

　白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。または、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３０乃至図３２を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示パネルを有する。本発明の一態様の表示パネルは、高精細化及び高解像度化が容易であり、また、高い表示品位を実現できる。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示パネルは、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示パネルは、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示パネルにおける画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示パネルを用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示パネルの画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示パネルは、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３０Ａ乃至図３０Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、及びＶＲのコンテンツを表示する機能の一方または双方を有する。なお、これらウェアラブル機器は、ＡＲ、ＶＲの他に、ＳＲ（Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）またはＭＲのコンテンツを表示する機能を有していてもよい。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどのうち少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図３０Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図３０Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

　図３０Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図３０Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図３０Ｃなどにおいては、メガネのつる（ジョイント、テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤホンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドホン、イヤホン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤホン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤホン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤホン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図３０Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤホン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図３０Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤホン７５０に情報を送信する機能を有する。

　また、電子機器がイヤホン部を有していてもよい。図３０Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤホン部７２７を有する。例えば、イヤホン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤホン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図３０Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤホン部８２７を有する。例えば、イヤホン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤホン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤホン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤホン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤホンまたはヘッドホンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

　また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤホンに情報を送信することができる。

　図３１Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。

　図３１Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図３１Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。

　図３１Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間など）の情報通信を行うことも可能である。

　図３１Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。

　図３１Ｅ及び図３１Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図３１Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図３１Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図３１Ｅ及び図３１Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示パネルを適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図３１Ｅ及び図３１Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図３２Ａ乃至図３２Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図３２Ａ乃至図３２Ｇにおいて、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３２Ａ乃至図３２Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図３２Ａ乃至図３２Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図３２Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３２Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図３２Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図３２Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図３２Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図３２Ｅ乃至図３２Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３２Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３２Ｇは折り畳んだ状態、図３２Ｆは図３２Ｅと図３２Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

　以下では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な構成を作製し、断面観察を行った。

〔試料の作製〕
　まず、シリコンウェハ（ｃ−Ｓｉ）上に、ＡＬＤ法により厚さ約５０ｎｍの酸化アルミニウム膜（ＡＬＤ−ＡｌＯ_ｘ）を成膜した。

　続いて、当該酸化アルミニウム膜上に、テーパ形状を有する樹脂層（ｒｅｓｉｎ）を形成した。樹脂層は、まずスピンコート法により、ポジ型の感光性のアクリル樹脂の薄膜を形成した。続いて、第１の加熱処理として９０℃、９０秒の加熱処理を行った。続いて、フォトマスクを介して第１の露光を行った後、現像処理を行って、パターン化された樹脂層を形成した。続いて、フォトマスクを用いずに第２の露光を行い、第２の加熱処理として１００℃、１０分の加熱処理を行った後、乾燥処理として減圧雰囲気下で１００℃の温度で１時間試料を保持した。

　続いて、樹脂層に覆われない酸化アルミニウム膜に対してドライエッチング処理を行い、酸化アルミニウム膜を消失しない程度に薄膜化（ハーフエッチングともいう）させた。エッチングは、ＩＣＰ方式のエッチング装置を用い、エッチングガスとしてＢＣｌ_３ガスを用い、基板温度約４０℃の条件で行った。

　続いて、酸素ガスを含む雰囲気下でのプラズマ処理により、樹脂層の表面の一部をエッチングし、樹脂層を縮小させた。プラズマ処理は、ＩＣＰ方式のエッチング装置を用い、エッチングガスとして、Ｏ_２ガスを用い、基板温度約４０℃の条件で行った。

　続いて、ウェットエッチング法により、酸化アルミニウム膜の薄い部分を除去し、シリコンウェハの表面を露出させた。

　続いて、導電膜として、真空蒸着法により銀とマグネシウムの合金膜（ＡｇＭｇ）を成膜し、続いてスパッタリング法によりインジウムスズ酸化物膜（ＩＴＯ）を成膜した。

　以上により、観察のための試料を作製した。

［断面観察］
　作製した試料について、断面観察を行った。図３３に、作製した試料に対するＳＴＥＭ観察像を示す。

　図３３に示すように、シリコンウェハ上に酸化アルミニウム膜が設けられ、酸化アルミニウム膜上に樹脂層が設けられている。

　酸化アルミニウム膜は、樹脂層と重なる第１の部分と、樹脂層と重ならない第２の部分とを有する。第１の部分の厚さは、第２の部分よりも厚いことがわかる。また、第２の部分は、端部がテーパ形状となっている。図３３において、酸化アルミニウム膜のテーパ角は約２５°であった。

　また、樹脂層は、上面がなだらかな凸状の形状であることがわかる。また、樹脂層の端部は、テーパ形状となっており、テーパ角は約５５°であった。

　酸化アルミニウム膜と樹脂層とをこのような形状とすることで、図３３に示すように、導電膜は段切れすることなく、良好な段差被覆性を示すことが確認できた。

ＡＬ：配線、ＣＬ：配線、ＧＬ：配線、ＰＳ：副画素、ＲＬ：配線、ＳＬ：配線、ＳＬＢ：配線、ＳＬＧ：配線、ＳＬＲ：配線、１００Ａ：表示パネル、１００Ｂ：表示パネル、１００Ｃ：表示パネル、１００Ｄ：表示パネル、１００Ｅ：表示パネル、１００Ｆ：表示パネル、１００Ｇ：表示パネル、１００Ｈ：表示パネル、１００Ｊ：表示パネル、１００：表示パネル、１０１：層、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０：画素、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１ｄ：画素電極、１１２ａ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１２ｄ：導電層、１１３Ａ：第１の層、１１３ａ：第１の層、１１３Ｂ：第２の層、１１３ｂ：第２の層、１１３Ｃ：第３の層、１１３ｃ：第３の層、１１３ｄ：第４の層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１６：突出部、１１７：遮光層、１１８ａ：犠牲層、１１８Ａ：第１の犠牲層、１１８ｂ：犠牲層、１１８Ｂ：第１の犠牲層、１１８ｃ：犠牲層、１１８Ｃ：第１の犠牲層、１１８ｄ：犠牲層、１１８：犠牲層、１１９ａ：犠牲層、１１９Ａ：第２の犠牲層、１１９ｂ：犠牲層、１１９Ｂ：第２の犠牲層、１１９ｃ：犠牲層、１１９Ｃ：第２の犠牲層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５Ａ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６ａ：導電層、１２６ｂ：導電層、１２６ｃ：導電層、１２６ｄ：導電層、１２７ａ：絶縁層、１２７ｂ：絶縁層、１２７ｃ：絶縁層、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９ａ：導電層、１２９ｂ：導電層、１２９ｃ：導電層、１２９ｄ：導電層、１３０ａ：発光デバイス、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０ｃ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３１：保護層、１３３：ザグリ部、１３９：領域、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０ａ：レジストマスク、１９０ｂ：レジストマスク、１９０ｃ：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、４００：表示パネル、４０１：基板、４０２：駆動回路部、４０３：駆動回路部、４０４：表示部、４０５Ｂ：副画素、４０５Ｇ：副画素、４０５Ｒ：副画素、４０５：画素、４１０ａ：トランジスタ、４１０：トランジスタ、４１１ｉ：チャネル形成領域、４１１ｎ：低抵抗領域、４１１：半導体層、４１２：絶縁層、４１３：導電層、４１４ａ：導電層、４１４ｂ：導電層、４１５：導電層、４１６：絶縁層、４２１：絶縁層、４２２：絶縁層、４２３：絶縁層、４２６：絶縁層、４３０：画素、４３１：導電層、４５０ａ：トランジスタ、４５０：トランジスタ、４５１：半導体層、４５２：絶縁層、４５３：導電層、４５４ａ：導電層、４５４ｂ：導電層、４５５：導電層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤホン部、７５０：イヤホン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７７２：下部電極、７８５：層、７８６ａ：ＥＬ層、７８６ｂ：ＥＬ層、７８６：ＥＬ層、７８８：上部電極、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤホン部、８３２：レンズ、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２１：層、４４２２：層、４４３０：層、４４３１：層、４４３２：層、４４４０：電荷発生層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (20)

1. 　第１の画素と、前記第１の画素と隣接して配置された第２の画素と、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、
   　前記第１の画素は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極を覆う第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層の上面の一部に接する第３の絶縁層と、前記第１のＥＬ層及び前記第３の絶縁層の上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の画素は、第２の画素電極と、前記第２の画素電極を覆う第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層の上面の一部に接する第４の絶縁層と、前記第２のＥＬ層及び前記第４の絶縁層の上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１の絶縁層は、前記第３の絶縁層の上面及び側面、前記第４の絶縁層の上面及び側面、前記第１のＥＬ層の側面、ならびに前記第２のＥＬ層の側面に接し、
   　前記第１の絶縁層、前記第３の絶縁層、及び前記第４の絶縁層は、それぞれ無機材料を有し、
   　前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
   　前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、それぞれ前記第１の画素電極上において、第１の突出部を有し、
   　前記表示装置の断面視において、前記第１の突出部は、前記第２の絶縁層の端部よりも外側に位置し、
   　前記第１の絶縁層及び前記第４の絶縁層は、それぞれ前記第２の画素電極上において、第２の突出部を有し、
   　前記表示装置の断面視において、前記第２の突出部は、前記第２の絶縁層の端部よりも外側に位置し、
   　前記第１の突出部、及び前記第２の突出部は、前記表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有し、
   　前記第１の突出部及び前記第２の突出部の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満であり、
   　前記第２の絶縁層、前記第１の突出部、及び前記第２の突出部の上に、前記共通電極が重なる、
   　表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第３の絶縁層は、前記第１の突出部において、前記第２の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有し、
   　前記第４の絶縁層は、前記第２の突出部において、前記第２の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有する、
   　表示装置。
3. 　請求項１において、
   　前記第２の絶縁層は、前記表示装置の断面視において、側面にテーパ形状を有し、
   　前記第２の絶縁層の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満である、
   　表示装置。
4. 　請求項１において、
   　前記表示装置の断面視において、前記第２の絶縁層の上面は凸曲面形状を有する、表示装置。
5. 　請求項１において、
   　前記第２の絶縁層の一部が、前記第１の画素電極と重なり、
   　前記第２の絶縁層の他の一部が、前記第２の画素電極と重なる、
   　表示装置。
6. 　請求項１において、
   　前記第１の画素電極、及び前記第２の画素電極は、前記表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有し、
   　前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満である、
   　表示装置。
7. 　請求項１において、
   　前記第１の絶縁層、前記第３の絶縁層、及び前記第４の絶縁層は、酸化アルミニウムを有する、
   　表示装置。
8. 　請求項１において、
   　前記第２の絶縁層は、感光性のアクリル樹脂を有する、
   　表示装置。
9. 　請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   　前記第１のＥＬ層の上面と、前記第２のＥＬ層の上面と、前記第２の絶縁層の上面と、前記第１の突出部の上面と、前記第２の突出部の上面と、は前記共通電極と接する領域を有する、
   　表示装置。
10. 　請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
    　前記第１の画素は、前記第１のＥＬ層と前記共通電極の間に配置される共通層を有し、
    　前記第２の画素は、前記第２のＥＬ層と前記共通電極の間に配置される前記共通層を有し、
    　前記第１のＥＬ層の上面と、前記第２のＥＬ層の上面と、前記第２の絶縁層の上面と、前記第１の突出部の上面と、前記第２の突出部の上面と、は前記共通層と接する領域を有する、
    　表示装置。
11. 　第１の画素電極と、前記第１の画素電極を覆う第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層の上面に接する第１の絶縁層と、第２の画素電極と、前記第２の画素電極を覆う第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層の上面に接する第２の絶縁層と、を形成し、
    　前記第１のＥＬ層、前記第１の絶縁層、前記第２のＥＬ層、及び前記第２の絶縁層を覆って、第３の絶縁層を成膜し、
    　前記第３の絶縁層上に、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極に挟まれた領域と重なるように、側面がテーパ形状の第４の絶縁層を形成し、
    　前記第４の絶縁層をマスクとして、第１のエッチング処理を行って、前記第３の絶縁層の一部を除去し、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の膜厚を薄くし、
    　酸素雰囲気でプラズマ処理を行って、前記第４の絶縁層を縮小させ、
    　前記第４の絶縁層をマスクとして、第２のエッチング処理を行って、前記第１の絶縁層の一部、前記第２の絶縁層の一部、及び前記第３の絶縁層の一部を除去し、前記第１のＥＬ層の上面、及び前記第２のＥＬ層の上面を露出させ、
    　前記第１のＥＬ層、前記第２のＥＬ層、及び前記第４の絶縁層を覆って、共通電極を形成する、
    　表示装置の作製方法。
12. 　請求項１１において、
    　前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層として、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜する、表示装置の作製方法。
13. 　請求項１１において、
    　前記第１のＥＬ層、及び前記第２のＥＬ層をフォトリソグラフィ法で形成し、
    　前記第１のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層との間の距離が８μｍ以下の領域を有するようにする、
    　表示装置の作製方法。
14. 　請求項１１において、
    　前記第３の絶縁層として、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜する、表示装置の作製方法。
15. 　請求項１１において、
    　前記第４の絶縁層は、感光性のアクリル樹脂を用いて形成する、
    　表示装置の作製方法。
16. 　請求項１１において、
    　前記第４の絶縁層は、上面が凸曲面形状を有する、
    　表示装置の作製方法。
17. 　請求項１１において、
    　前記第１のエッチング処理は、ドライエッチングによって行い、
    　前記ドライエッチングにおいて、塩素系のガスを用いる、
    　表示装置の作製方法。
18. 　請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、
    　前記第２のエッチング処理は、ウェットエッチングによって行い、
    　前記ウェットエッチングにおいて、アルカリ性の溶液を用いる、
    　表示装置の作製方法。
19. 　請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、
    　前記第２のエッチング処理によって、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層に、前記第１の画素電極上において、第１の突出部が形成され、
    　前記表示装置の断面視において、前記第１の突出部は、前記第４の絶縁層の端部よりも外側に位置し、
    　前記第２のエッチング処理によって、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層に、前記第２の画素電極上において、第２の突出部が形成され、
    　前記表示装置の断面視において、前記第２の突出部は、前記第４の絶縁層の端部よりも外側に位置し、
    　前記第１の突出部、及び前記第２の突出部は、前記表示装置の断面視において、それぞれ側面にテーパ形状を有し、
    　前記第１の突出部及び前記第２の突出部の側面のテーパ形状におけるテーパ角は、９０°未満である、
    　表示装置の作製方法。
20. 　請求項１９において、
    　前記第３の絶縁層は、前記第１の突出部において、前記第４の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有し、
    　前記第３の絶縁層は、前記第２の突出部において、前記第４の絶縁層と重畳する部分より、膜厚が薄い領域を有する、
    　表示装置の作製方法。

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