WO2023084355A1 - 表示装置、表示モジュール、及び、電子機器 - Google Patents

Abstract

高精細な表示装置を提供する。 第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の側壁絶縁層と、第２の側壁絶縁層と、絶縁層と、第１の着色層と、第２の着色層と、を有する表示装置。第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２のＥＬ層と、共通電極と、を有する。第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層は、白色の光を呈する。第１の側壁絶縁層は、第１の画素電極の側面に接し、第２の側壁絶縁層は、第２の画素電極の側面に接する。絶縁層は、第１のＥＬ層の上面の一部と、側面と、第２のＥＬ層の上面の一部と、側面と、を覆う。第１の着色層は、第１の発光デバイスと重なり、第２の着色層は、第２の発光デバイスと重なる。第１の着色層と、第２の着色層とは、それぞれ異なる色の光を透過する機能を有する。

Description

表示装置、表示モジュール、及び、電子機器

　本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、これらの装置を有する表示モジュール、当該表示モジュールを有する電子機器、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビ又はテレビジョン受信機ともいう。）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン又はタブレット端末などの開発が進められている。

　また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。

　表示装置としては、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう。）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す。）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう。）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

　特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう。）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の１つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の１つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の１つとする。

　本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の１つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の側壁絶縁層と、第２の側壁絶縁層と、第１の絶縁層と、第１の着色層と、第２の着色層と、を有し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層は、それぞれ青色の光を発する第１の発光材料と、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料と、を有し、第１の側壁絶縁層は、第１の画素電極の側面に接し、第２の側壁絶縁層は、第２の画素電極の側面に接し、第１の絶縁層は、第１のＥＬ層の上面の一部及び側面と、第２のＥＬ層の上面の一部及び側面と、を覆い、第１の着色層は、第１の発光デバイスと重なり、第２の着色層は、第２の発光デバイスと重なり、第１の着色層と、第２の着色層とは、それぞれ異なる色の光を透過する機能を有している表示装置である。

　また上記において、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、の間に、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層と隔離された材料層を有し、材料層は、第１の発光材料と、第２の発光材料と、を有していることが好ましい。

　また上記において、第１の側壁絶縁層及び第２の側壁絶縁層は、それぞれ無機絶縁材料を有していることが好ましい。

　また上記において、第１の絶縁層は、端部にテーパ形状を有していることが好ましい。

　また上記において、第１の絶縁層は、有機絶縁材料を有していることが好ましい。

　また上記において、第１のＥＬ層の上面の一部及び側面と、第２のＥＬ層の上面の一部及び側面と、を覆う第２の絶縁層を有し、第２の絶縁層上に、第１の絶縁層を有していることが好ましい。

　また上記において、第２の絶縁層は、端部にテーパ形状を有していることが好ましい。

　また上記において、第２の絶縁層は、無機絶縁材料を有していることが好ましい。

　また、本発明の一態様は、上記の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有している表示モジュールである。

　また、本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも１つと、を有している電子機器である。

　本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

　本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することができる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１２Ａ及び図１２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｆは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｇは、画素の一例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｉは、画素の一例を示す図である。
図１９Ａ及び図１９Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２６は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２７Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２７Ｂ及び図２７Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図３０Ａ乃至図３０Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図３１Ａ乃至図３１Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

　以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

　本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　本明細書等において、正孔又は電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層又は電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層又は電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層又は電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、又は特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つ又は３つの機能を兼ねる場合がある。

　本明細書等において、発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう。）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

　なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、又は電極が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断される現象を示す。

　また、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面又は被形成面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面又は被形成面とのなす角（テーパ角ともいう。）が、９０°未満である領域を有する形状のことを指す。なお、構造の側面、被形成面、及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微細な曲率を有する略平面状、又は微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図１３を用いて説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、複数の副画素を有する。各副画素は、同一の発光材料を有する発光デバイスと、当該発光デバイスと重なる着色層と、を有する。副画素によって、異なる色の可視光を透過する着色層を設けることで、フルカラー表示を行うことができる。

　同一の発光材料を有する発光デバイスを用いる場合、発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば発光層）を、複数の副画素で共通にすることができる。そのため、複数の副画素が一続きの膜を共有することができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層には、導電性が比較的高い層もある。複数の副画素が、導電性が高い層を一続きの膜として共有することで、副画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示装置が高精細化又は高開口率化され、副画素間の距離が小さくなると、当該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下などを引き起こす恐れがある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置では、複数の発光デバイスが共有するＥＬ層が局所的に薄い部分を有する、又は、複数の発光デバイスがそれぞれ島状のＥＬ層を有する。ＥＬ層が膜厚の小さい部分（厚さが薄い部分ともいえる。）を有する構成、又は、ＥＬ層が発光デバイスごとに分離された構成とすることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。これにより、表示装置において高い色再現性及び高いコントラストを実現することができ、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立を図ることができる。なお、本発明の一態様の表示装置では、一部の副画素において、ＥＬ層が島状に形成されていてもよく、このとき、他の複数の副画素では、ＥＬ層が一続きの層となっていてもよい。このとき、当該一続きの層は、局所的に薄い部分を有することが好ましい。

　例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状のＥＬ層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状のＥＬ層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、メタルマスクを用いて形成した島状のＥＬ層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、又は高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、シャドーマスク（例えばメタルマスク）を用いることなく、島状のＥＬ層を形成する。

　例えば、隣り合う画素電極の間で露出する絶縁層の上面の高さと、画素電極の上面の高さと、の差（隣り合う画素電極間の段差ともいえる。）が大きいほど、ＥＬ層に局所的に薄い部分を形成すること、さらには、ＥＬ層を分断して、発光デバイスごとに島状のＥＬ層を形成することが容易となる。隣り合う画素電極間の段差を利用して、ＥＬ層を成膜する際に、自己整合的（セルフアラインともいう。）に、ＥＬ層を部分的に薄膜化すること、又は、ＥＬ層を分断することができる。つまり、工程を増やすことなく、クロストークの発生を抑制することができ、色再現性及びコントラストの高い表示装置を実現することができる。

　なお、ＥＬ層が膜厚の小さい部分を有する構成、又は、ＥＬ層が発光デバイスごとに分離された構成とすると、画素電極の露出した部分に共通電極が接するなどにより、発光デバイスがショートする恐れがある。

　そのため、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、画素電極の側面に接して、側壁絶縁層（サイドウォール、側壁保護層、絶縁層などともいう。）を設ける。これにより、画素電極と共通電極とが接することを抑制し、発光デバイスのショートを防止し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　また、隣り合う画素電極間の段差が大きい場合、当該段差によって、ＥＬ層上に設けられる共通電極が段切れする恐れがある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、少なくとも島状のＥＬ層の上面の一部及び側面を覆うように絶縁層を設ける。そして、当該絶縁層及びＥＬ層を覆うように共通電極を設ける。これにより、隣り合う画素電極間の段差によって共通電極が段切れするのを抑制することができる。

　なお、当該絶縁層の端部は、断面視において、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。これにより、絶縁層上に設けられる共通電極の段切れを防止することができ、共通電極の接続不良を抑制することができる。また、絶縁層端部の段差によって共通電極が局所的に薄膜化して、共通電極の電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状のＥＬ層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、画素電極間の段差を利用して形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現することができる。

　隣り合う発光領域の間隔（最短距離ともいえる。）について、例えばファインメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、本発明の一態様の表示装置の作製方法であれば、ガラス基板上のプロセスにおいて、例えば、隣り合う発光領域の間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、隣り合う側壁絶縁層の間隔、又は隣り合う画素電極の間隔を、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、又は、０．５μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、Ｓｉ　Ｗａｆｅｒ上のプロセスにおいて、隣り合う発光領域の間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、隣り合う側壁絶縁層の間隔、又は隣り合う画素電極の間隔を、例えば、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在し得る非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。具体的には、開口率の向上に伴い、発光デバイスに流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることができる。

　また、本発明の一態様の表示装置の精細度としては、例えば、１０００ｐｐｉ以上、好ましくは２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下とすることができる。

　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の断面構造について主に説明し、本発明の一態様の表示装置の作製方法については、実施の形態２で詳述する。

　図１Ａに、表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０が配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。表示部には、複数の副画素がマトリクス状に配置されている。図１Ａでは、２行６列分の副画素を示しており、これらによって２行２列の画素１１０が構成される。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

　図１Ａに示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、菱形、正方形を含む。）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形などが挙げられる。

　また、副画素を構成する回路レイアウトは、図１Ａに示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。つまり、図１Ａに示す副画素１１Ｒが有するトランジスタ（図示しない。）の一部又は全てが副画素１１Ｒの範囲外に位置してもよい。副画素１１Ｒが有するトランジスタは、図１Ａに示す副画素１１Ｒの範囲内に位置してもよく、副画素１１Ｇの範囲内に位置してもよく、副画素１１Ｂの範囲内に位置してもよく、これらの範囲の複数にまたがって配置されていてもよい。

　図１Ａでは、副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂの開口率（サイズ、発光領域のサイズともいえる。）を等しく又は概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しい又は概略等しくてもよい。

　図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１Ａに示す画素１１０は、副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂの、３つの副画素から構成される。副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂは、それぞれ異なる色の光を呈する。副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、などが挙げられる。

　本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図１Ａ参照）。図１Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

　図１Ａでは、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、又は枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図１Ｂに、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図２に、図１Ａにおける一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。図３Ａに、図１Ｂに示す領域１５０Ａの拡大図を示す。図３Ｂ乃至図３Ｄに、領域１５０Ａの変形例である、領域１５０Ｂ乃至領域１５０Ｄをそれぞれ示す。

　副画素１１Ｒは、発光デバイス１３０Ｒと、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｒの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置の外部に赤色の光として取り出される。

　副画素１１Ｇは、発光デバイス１３０Ｇと、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｇの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置の外部に緑色の光として取り出される。

　副画素１１Ｂは、発光デバイス１３０Ｂと、青色の光を透過する着色層１３２Ｂと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置の外部に青色の光として取り出される。

　ここで、青色の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満である光が挙げられる。また、緑色の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満である光が挙げられる。また、赤色の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である光が挙げられる。

　着色層は、特定の波長域の光を選択的に透過し、他の波長域の光を吸収する有色層である。着色層１３２Ｒには、例えば、赤色の波長域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色層１３２Ｇとしては、例えば、緑色の波長域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色層１３２Ｂとしては、例えば、青色の波長域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、又は、顔料若しくは染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

　図１Ｂに示すように、表示装置１００には、トランジスタ（図示しない。）を含む層１０１上に、絶縁層（絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃ）が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１及び絶縁層１３５が設けられている。絶縁層１３５上には、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂが設けられ、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。着色層１３２Ｒは、発光デバイス１３０Ｒと重なる位置に設けられている。着色層１３２Ｇは、発光デバイス１３０Ｇと重なる位置に設けられている。着色層１３２Ｂは、発光デバイス１３０Ｂと重なる位置に設けられている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　図１Ｂでは、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有していてもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有していてもよい。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。本実施の形態では、トップエミッション型の表示装置を例に挙げて説明する。

　層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタ（図示しない。）が設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図１Ｂでは、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。なお、トランジスタ上の絶縁層（絶縁層２５５ａ乃至絶縁層２５５ｃ）も、層１０１の一部とみなすことができる。

　後述するが、絶縁層２５５ｃは、隣接する２つの発光デバイスの間に凹部を有することが好ましい。これにより、ＥＬ層を成膜する際、隣接する画素電極間に大きな段差が設けられている状態となり、ＥＬ層を発光デバイスごとに分離して形成することが容易となる。図１Ｂでは、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。また、絶縁層２５５ｃは、隣接する２つの発光デバイスの間に開口を有していてもよく、このとき、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていてもよい。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜又は酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜又は窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。

　層１０１の構成例は、実施の形態４で後述する。

　発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、又は白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより、色純度を高めることができる。

　発光デバイスが有する一対の電極のうち、光を取り出す側の電極には可視光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。

　発光デバイス１３０Ｒは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｒと、画素電極１１１Ｒ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。

　発光デバイス１３０Ｇは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｇと、画素電極１１１Ｇ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。

　発光デバイス１３０Ｂは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｂと、画素電極１１１Ｂ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、それぞれ独立に、島状のＥＬ層１１３を有する。これらＥＬ層１１３は、同一工程で形成されており、同一の構成である。そのため、これらＥＬ層１１３は、同一の発光材料を有するということができる。

　ＥＬ層１１３は、白色の光を発する構成とすることができる。例えば、ＥＬ層１１３は、青色の光を発する第１の発光材料と、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料と、を有する。

　なお、マイクロキャビティ構造を適用することで、白色の光を発する構成のＥＬ層を有する発光デバイスでは、赤色、緑色、青色などの特定の波長の光が強められて発光する場合もある。

　例えば、ＥＬ層１１３に白色の光を発する構成を適用し、かつ、マイクロキャビティ構造を適用することで、発光デバイス１３０Ｒから赤色の発光を、発光デバイス１３０Ｇから緑色の発光を、発光デバイス１３０Ｂから青色の発光を、それぞれ得ることができる。

　本実施の形態の発光デバイスには、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用してもよく、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用してもよい。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。

　ＥＬ層１１３は、少なくとも発光層を有する。ＥＬ層１１３は、例えば、青色の光を発する発光層と、青色よりも長波長の光を発する発光層と、を有する構成を適用することができる。

　また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、ＥＬ層１１３は、例えば、青色の光を発する発光ユニットと、青色よりも長波長の光を発する発光ユニットと、を有する構成を適用することができる。各発光ユニットの間には、電荷発生層（中間層ともいう。）を設けることが好ましい。タンデム構造を適用することで、高輝度発光が可能な発光デバイスを実現することができる。

　また、ＥＬ層１１３は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

　例えば、ＥＬ層１１３は、陽極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層をこの順で有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。

　また、例えば、ＥＬ層１１３は、第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有していてもよい。

　発光デバイスの構成及び材料のより詳細な内容については、実施の形態５を参照することができる。

　図１Ｂにおいて、各発光デバイスが有するＥＬ層１１３は、互いに隔離されている。ＥＬ層を発光デバイスごとに島状に設けることで、隣接する発光デバイス間のリーク電流を抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現することができる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現することができる。

　また、ＥＬ層１１３と同一の工程で形成され、同一の構成を有する材料層１１３ｓが絶縁層２５５ｃ上に位置する。材料層１１３ｓは、ＥＬ層１１３を構成する層を成膜する際に、ＥＬ層１１３とは分断され、絶縁層２５５ｃ上に独立して設けられる層である。

　なお、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれかと、ＥＬ層１１３と、共通電極１１５と、が重なる領域は、発光領域ということができ、ＥＬ発光が得られる領域である。当該発光領域と、材料層１１３ｓが設けられた領域と、はそれぞれ、ＰＬ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光が得られる領域である。これらのことから、ＥＬ発光及びＰＬ発光を確認することで、発光領域と、材料層１１３ｓが設けられた領域とを、区別することができるといえる。

　画素電極１１１Ｒの側面、画素電極１１１Ｇの側面、及び、画素電極１１１Ｂの側面に接するように、それぞれ、側壁絶縁層１１４が設けられている。側壁絶縁層１１４が設けられていることで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれかと、共通電極１１５とが、接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　側壁絶縁層１１４には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜が挙げられる。窒化絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、例えば、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜が挙げられる。

　側壁絶縁層１１４は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

　側壁絶縁層１１４の成膜方法は特に限定されない。側壁絶縁層１１４は、例えば、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、又は原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することができる。特に、それぞれＡＬＤ法よりも成膜速度が速い、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＰＥＣＶＤ法を用いることで、絶縁性の確保に十分な厚さの側壁絶縁層１１４を生産性高く作製することができるため、好ましい。

　例えば、側壁絶縁層１１４として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は、窒化酸化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

　また、側壁絶縁層１１４として、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成してもよい。ＡＬＤ法を用いることで、高い被覆性で側壁絶縁層１１４を形成することができる。

　図１Ｂにおいて、画素電極１１１ＲとＥＬ層１１３との間には、画素電極１１１Ｒの上面端部を覆う絶縁層（隔壁、バンク、スペーサなどともいう。）が設けられていない。また、画素電極１１１ＧとＥＬ層１１３との間には、画素電極１１１Ｇの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。同様に、画素電極１１１ＢとＥＬ層１１３との間には、画素電極１１１Ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光領域の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、又は、高解像度の表示装置を実現することができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

　また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の上面の一部（上面の端部ともいえる。）を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

　図１Ｂにおいて、ＥＬ層１１３は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂそれぞれの上面全体を覆うように形成されている。このような構成とすることで、画素電極の上面全体を発光領域とすることも可能となる。また、画素電極の上面の一部を覆う絶縁層が設けられた構成に比べて、開口率を高めることが容易となる。

　また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図２参照）。導電層１２３には、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂと同じ材料及び同じ工程で形成される導電層を用いることが好ましい。

　なお、図２では、導電層１２３と、共通電極１１５とが、直接接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスクなどともいう。）を用いることで、ＥＬ層１１３と、共通電極１１５とで、成膜される領域を変えることができる。

　また、図１Ｂでは、隣り合う発光デバイスの間の領域、具体的には、隣り合うＥＬ層１１３の上面端部及び側面と、隣り合う側壁絶縁層１１４の側面の一部と、材料層１１３ｓの上面と、を覆うように絶縁層１２５が設けられている。すなわち、絶縁層１２５は、非発光領域に設けられている、又は、発光領域と重なる部分に開口を有している、と換言することができる。

　図１Ｂにおいて、絶縁層１２５の一方の端部は、隣り合うＥＬ層１１３のうち、一方のＥＬ層１１３の上面に位置し、絶縁層１２５の他方の端部は、隣り合うＥＬ層１１３のうち、他方のＥＬ層１１３の上面に位置している。ここで、絶縁層１２５の端部は、ＥＬ層１１３及び画素電極１１１Ｒ（又は画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ）と重なることが好ましい。この場合、絶縁層１２５の端部が、ＥＬ層１１３の概略平坦な面に形成されやすくなる。

　ＥＬ層１１３の側面は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３の側面と重なって設けられている。

　また、ＥＬ層１１３の上面の一部は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３の上面の一部と重なって設けられている。なお、ＥＬ層１１３の上面としては、画素電極の上面と重なる平坦部の上面のみに限られず、画素電極の上面の外側に位置する領域（図７Ａの領域１０３参照）の上面も含むことができる。

　ＥＬ層１１３の上面の一部及び側面が、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の少なくとも１つによって覆われていることで、共通電極１１５が、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び、ＥＬ層１１３の側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。

　絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３の上面端部及び側面と接することが好ましい。絶縁層１２５がＥＬ層１１３と接する構成とすることで、ＥＬ層１１３の膜剥がれを防止することができる。絶縁層１２５とＥＬ層１１３とが密着することで、隣り合うＥＬ層１１３などが、絶縁層１２５によって固定される、又は、接着される効果を奏する。

　また、図１Ｂに示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、ＥＬ層１１３の上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＥＬ層１１３の膜剥がれをより防ぐことができる。

　絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３の上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。

　絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、共通電極など）の被形成面の極端な凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層、共通電極などの被覆性を高めることができる。

　共通電極１１５は、ＥＬ層１１３、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられる領域（発光デバイスが位置する領域）と、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、共通電極１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して、共通電極１１５の電気抵抗が上昇するのを抑制することができる。

　絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、又は凹部を有していてもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

　次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の材料の例について説明する。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

　絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、又は固着する（ゲッタリングともいう。）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう。）とする。又は、対応する物質を、捕獲、又は固着する（ゲッタリングともいう。）機能とする。

　絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、又はゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散し得る不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

　また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層に不純物が混入し、ＥＬ層が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の極端な凹凸を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで、共通電極１１５を形成する面の平坦性を向上させる効果を奏する。

　絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いることが好ましい。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、又はメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

　また、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、これら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂としては、フォトレジストを用いてもよい。感光性の有機樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

　絶縁層１２７には、可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。

　可視光を吸収する材料としては、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、又は３色以上のカラーフィルタ材料を積層又は混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色又は黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

　以上の各効果により、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。また、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの製造歩留まりをより高めることができる。

　図１Ｂ及び図３Ａに示す領域１５０Ａでは、画素電極１１１Ｇ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、画素電極１１１Ｂ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、絶縁層２５５ｃ上に材料層１１３ｓが設けられている。画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１３と、画素電極１１１Ｂ上のＥＬ層１１３と、材料層１１３ｓと、はそれぞれ隔離されている。

　このように、ＥＬ層が発光デバイスごとに分離された構成とすることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。

　ここで、ＥＬ層１１３を成膜する際に、自己整合的に、ＥＬ層１１３を部分的に薄膜化する、又は、ＥＬ層１１３を分断するために好ましい側壁絶縁層１１４の構成について説明する。

　図３Ａに示す側壁絶縁層１１４の高さＴ１は、ＥＬ層１１３の厚さの０．５倍以上が好ましく、０．８倍以上がより好ましく、１倍以上がさらに好ましく、１．５倍以上とすることがさらに好ましい。

　側壁絶縁層１１４の高さＴ１としては、側壁絶縁層１１４における基板面に対する垂直方向の厚さを用いることが好ましい。なお、図３Ａにおいて、側壁絶縁層１１４の高さＴ１は、画素電極の厚さと、絶縁層２５５ｃに設けられた凹部の深さと、の和ということもできる。

　ＥＬ層１１３の厚さとしては、図３Ａに示すように、画素電極の上面と重なる領域におけるＥＬ層１１３の厚さＴ２を用いることが好ましい。

　また、側壁絶縁層１１４のＥＬ層１１３と接する面の少なくとも一部（例えば、側面）と、基板面と、のなす角は、垂直又は概略垂直であることが好ましい。当該角は、側壁絶縁層１１４における、ＥＬ層１１３と接する面の一部（例えば、側面）と、底面と、のなす角ということもできる。当該角は、６０°以上が好ましく、８０°以上がより好ましく、８５°以上がさらに好ましく、また、１４０°以下が好ましく、１１０°以下がより好ましく、１００°以下がより好ましく、９５°以下がさらに好ましい。

　また、当該角を上記数値範囲にするため、画素電極の側面と基板面とのなす角も、垂直又は概略垂直とすることが好ましい。画素電極の側面と基板面とのなす角は、６０°以上が好ましく、８０°以上がより好ましく、８５°以上がさらに好ましく、また、１４０°以下が好ましく、１１０°以下がより好ましく、１００°以下がより好ましく、９５°以下がさらに好ましい。

　図３Ｂに示す領域１５０Ｂ及び図３Ｃに示す領域１５０Ｃは、画素電極１１１Ｇ、側壁絶縁層１１４、絶縁層２５５ｃ、及び画素電極１１１Ｂを覆うように、ＥＬ層１１３が設けられている例である。

　図３Ｂに示す領域１１３ｔは、ＥＬ層１１３における、他の部分よりも厚さが薄い部分である。

　なお、領域１１３ｔにおけるＥＬ層１１３の厚さは、基板面などのある基準面に対する垂直方向の厚さではなく、被形成面に対する法線方向の厚さをいう。そのため、被形成面に凹凸がある場合には、厚さを規定する向きは場所によって異なる。例えば、領域１１３ｔにおけるＥＬ層１１３の厚さは、側壁絶縁層１１４の側面に対する法線方向の厚さということができる。

　このように、ＥＬ層１１３が部分的に薄膜化された構成である場合、当該薄膜化された部分の電気抵抗が他の部分に比べて高くなるため、隣り合う発光デバイス間のリーク電流を小さくすることができる。したがって、図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、隣り合う発光デバイス間でＥＬ層１１３が繋がっている構成であっても、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。

　図３Ｃに示す領域１５０Ｃは、絶縁層２５５ｃが、隣接する２つの発光デバイスの間に凹部を有していない点で、領域１５０Ｂの構成と異なる。

　また、図３Ｄに示す領域１５０Ｄは、絶縁層２５５ｃが、隣接する２つの発光デバイスの間に浅い凹部と深い凹部の２つを有する例である。

　絶縁層２５５ｃには、画素電極となる導電膜の加工の際に、凹部が形成されることがある。さらに、絶縁層２５５ｃには、側壁絶縁層１１４となる絶縁膜の加工の際にも、凹部が形成されることがある。これにより、浅い凹部と深い凹部が設けられる。図３Ｄにおいて、浅い凹部上には側壁絶縁層１１４が接しており、深い凹部上には材料層１１３ｓが接している。

　なお、図３Ｄに示す、絶縁層２５５ｃの深い凹部の表面と、側壁絶縁層１１４の底面との間の距離Ｔ０も、ＥＬ層１１３を部分的に薄膜化する、又は、ＥＬ層１１３を分断することに影響を与えるパラメータである。

　上記と同様の理由から、例えば、当該距離Ｔ０と側壁絶縁層１１４の高さＴ１との和は、ＥＬ層１１３の厚さの０．５倍以上が好ましく、０．８倍以上がより好ましく、１倍以上がさらに好ましく、１．５倍以上とすることがさらに好ましい。

　なお、図３Ｄにおいて、当該距離Ｔ０と側壁絶縁層１１４の高さＴ１との和は、画素電極の厚さと、絶縁層２５５ｃに設けられた凹部の深さと、の和ということもできる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置では、画素電極の側面に接して側壁絶縁層１１４を設けることで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制し、発光デバイスのショートを防止することができる。また、側壁絶縁層１１４の高さ及び形状を、ＥＬ層１１３を部分的に薄膜化する、又は、ＥＬ層１１３を分断するために好ましい構成とすることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。

　以上のことから、本発明の一態様の表示装置は、ＥＬ層１１３を意図的に段切れさせるように構成されている、ということもできる。

　次に、図４Ａ及び図４Ｂを用いて、絶縁層１２７とその近傍の構造について説明する。図４Ａは、赤色の光を呈する副画素が有する発光デバイス１３０Ｒと緑色の光を呈する副画素が有する発光デバイス１３０Ｇとの間の絶縁層１２７と、その周辺を含む領域の断面拡大図である。以下では、隣接する２つの発光デバイス１３０Ｒと発光デバイス１３０Ｇの間の絶縁層１２７を例に挙げて説明するが、発光デバイス１３０Ｇと発光デバイス１３０Ｂの間の絶縁層１２７についても同様のことがいえる。また、図４Ｂは、図４Ａに示す、ＥＬ層１１３上の絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。なお、図４Ｂでは、共通電極１１５及び保護層１３１の図示を省略している。

　図４Ａに示すように、画素電極１１１Ｒ及び側壁絶縁層１１４を覆ってＥＬ層１１３が設けられ、画素電極１１１Ｇ及び側壁絶縁層１１４を覆ってＥＬ層１１３が設けられる。ＥＬ層１１３の上面の一部及び側面に接して、絶縁層１２５が設けられる。絶縁層１２５の上面に接して絶縁層１２７が設けられる。また、絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３の上面の一部及び側面と重なり、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部に接する。ＥＬ層１１３、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って共通電極１１５が設けられ、共通電極１１５の上に保護層１３１が設けられる。

　また、絶縁層１２７は、２つの島状のＥＬ層の間の領域（例えば、図４Ａでは、２つのＥＬ層１１３の間の領域）に形成される。このとき、絶縁層１２７の少なくとも一部が、一方のＥＬ層の側面端部と、もう一方のＥＬ層の側面端部に挟まれる位置に配置されることになる。このような絶縁層１２７を設けることで、島状のＥＬ層及び絶縁層１２７上に形成される共通電極１１５に、分断箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。

　絶縁層１２７は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ１は、絶縁層１２７の側面（又は端部）と基板面とのなす角である。ただし、基板面に限らず、ＥＬ層１１３の平坦部の上面、又は画素電極１１１Ｇの平坦部の上面と、絶縁層１２７の側面（又は端部）と、がなす角としてもよい。

　絶縁層１２７のテーパ角θ１は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。絶縁層１２７の端部をこのようなテーパ形状にすることで、絶縁層１２７上に設けられる共通電極１１５を被覆性良く成膜でき、共通電極１１５に段切れ、又は局所的な薄膜化などが生じることを抑制することができる。これにより、共通電極１１５の膜厚の面内均一性を向上させることができ、表示装置の表示品位を向上させることができる。

　また、図４Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、絶縁層１２７の上面中央の凸曲面部が、端部のテーパ部に連続的に接続される形状であることが好ましい。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上全体で、共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　絶縁層１２５は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７と重なる端部（傾斜部）にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ２は、当該端部の側面と基板面とのなす角である。ただし、基板面に限らず、ＥＬ層１１３の平坦部の上面、又は画素電極１１１Ｇの平坦部の上面と、当該端部の側面と、がなす角としてもよい。

　絶縁層１２５のテーパ角θ２は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。

　また、絶縁層１２５は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７と重ならない端部（傾斜部）にテーパ角θ３のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ３は、当該端部の側面と基板面とのなす角である。ただし、基板面に限らず、ＥＬ層１１３の平坦部の上面、又は画素電極１１１Ｇの平坦部の上面と、当該端部の側面と、がなす角としてもよい。

　絶縁層１２５のテーパ角θ３は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。絶縁層１２５をこのようなテーパ形状にすることで、絶縁層１２５上に設けられる、共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　実施の形態２で詳述するが、絶縁層１２５となる絶縁膜のエッチング処理を一度に行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。そのため、エッチング処理を２回に分けて行い、２回のエッチング処理の間に加熱処理を行うことで、１回目のエッチング処理で空洞が形成されても、当該加熱処理によって絶縁層１２７が変形し、当該空洞を埋めることができる。また、２回目のエッチング処理では厚さが薄い膜をエッチングすることになるため、サイドエッチングされる量が少なくなり、空洞が形成されにくく、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。そのため、共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、共通電極１１５が段切れすることを抑制することができる。このようにエッチング処理を２回行うことから、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれ異なる角度となる場合がある。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３は同じ角度であってもよい。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれテーパ角θ１よりも小さい角度となる場合がある。

　なお、上記では、絶縁層１２５となる絶縁膜のエッチング処理を２回に分けて行う例を示したが、この限りではない。絶縁層１２５となる絶縁膜の膜厚、又は、エッチング処理の条件等によっては、絶縁層１２５となる絶縁膜のエッチング処理を一度に行ってもよい場合がある。

　また、図５Ａ及び図５Ｂには、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の側面全体を覆う例を示す。具体的には、図５Ｂにおいて、絶縁層１２７は、上記の２つの傾斜面の双方に接して覆っている。これにより、共通電極１１５を形成する面の凹凸をより低減することができ好ましい。図５Ｂでは、絶縁層１２７の端部が、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置する例を示す。絶縁層１２７の端部は、図４Ｂに示すように、絶縁層１２５の端部の内側に位置していてもよく、絶縁層１２５の端部と揃っている、又は概略揃っていてもよい。また、図５Ｂに示すように、絶縁層１２７は、ＥＬ層１１３と接していてもよい。

　図５Ｂにおいても、テーパ角θ１乃至テーパ角θ３は、それぞれ上記の範囲であることが好ましい。

　また、図６Ａ及び図６Ｂには、絶縁層１２７が側面に凹曲面形状（くびれた部分、凹部、へこみ、くぼみなどともいう。）を有する例を示す。絶縁層１２７の材料及び形成条件（加熱温度、加熱時間、加熱雰囲気など）によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。

　図６Ａに、絶縁層１２７が絶縁層１２５の側面の一部を覆い、絶縁層１２５の側面の残りの部分が露出している例を示す。図６Ｂは、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の側面全体に接して覆っている例である。

　また、図４乃至図６に示すように、絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１Ｒの上面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１Ｇの上面と重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層１２７の端部をＥＬ層１１３の概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層１２７及び絶縁層１２５のテーパ形状を形成することがそれぞれ比較的容易になる。また、ＥＬ層１１３と、画素電極１１１Ｒ又は画素電極１１１Ｇと、の間の膜剥がれを抑制することができる。一方で、画素電極の上面と絶縁層１２７とが重なる部分が小さいほど、発光デバイスの発光領域が広くなり、開口率を高めることができ、好ましい。

　なお、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重ならなくてもよい。図７Ａに示すように、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重ならず、平面視にて、絶縁層１２７の一方の端部の位置と、画素電極１１１Ｒの側面の位置とが、概略一致し、絶縁層１２７の他方の端部の位置と、画素電極１１１Ｇの側面の位置とが、概略一致していてもよい。また、図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、画素電極と重ならず、画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｇとに挟まれた領域に、設けられていてもよい。図７Ａ及び図７Ｂでは、ＥＬ層１１３の上面のうち、画素電極の上面の外側に位置する領域（領域１０３）の上面の一部又は全部が、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。このような構成であっても、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けない構成に比べて、共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通電極１１５の被覆性を高めることができる。なお、領域１０３は、ダミー領域ということができる。

　また、図８Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は平坦部を有していてもよい。

　また、図８Ｂに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凹曲面形状を有していてもよい。図８Ｂにおいて、絶縁層１２７の上面は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状、つまり凸曲面を有し、かつ、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する。また、図８Ｂにおいて、絶縁層１２７上面の凸曲面部は、端部のテーパ部に連続的に接続される形状である。絶縁層１２７がこのような形状であっても、絶縁層１２７上全体で、共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　図８Ｂに示すような絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とするための方法として、多階調マスク（代表的にはハーフトーンマスク、又はグレートーンマスク）を用いた露光が挙げられる。なお、多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分の３つの露光レベルで露光を行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。これにより、１枚のフォトマスク（一度の露光及び現像工程）だけで、複数（代表的には２種類）の厚さの領域を有する絶縁層１２７を形成することが可能である。

　なお、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を形成する方法としては、上記に限定されない。例えば、２枚のフォトマスクを用いて、露光部分と、中間露光部分と、を分けて作製してもよい。又は、絶縁層１２７に用いる樹脂材料の粘度を調整してもよく、具体的には、絶縁層１２７に用いる材料の粘度を１０ｃＰ以下、好ましくは１ｃＰ以上５ｃＰ以下としてもよい。

　上記のように、図４乃至図８に示す各構成では、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることにより、共通電極１１５を被覆性良く形成することができる。そして、共通電極１１５に分断された箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。よって、各発光デバイス間において、共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制することができる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上に保護層１３１を設けることが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水、酸素等）が入り込むことを抑制する、等により、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の具体例は、側壁絶縁層１１４の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜又は窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう。）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、又はインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう。）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、又は、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水、酸素等）がＥＬ層側に入り込むことを抑制することができる。

　保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

　保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。

　保護層１３１上には、絶縁層１３５を設けることが好ましい。絶縁層１３５には、平坦化機能を有する層を用いることが好ましい。絶縁層１３５に、有機膜を用いることで、絶縁層１３５の表面の平坦性を高めることができ、好ましい。

　保護層１３１又は絶縁層１３５に用いることができる有機材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、これら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、保護層１３１又は絶縁層１３５として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側（樹脂層１２２側とは反対の面）には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層又はシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、又はポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、当該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる。）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう。）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、アクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　なお、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの厚さはそれぞれ異なっていてもよい。又は、後述するように、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂ上に、それぞれ厚さの異なる光学調整層を設けてもよい。

　図９Ａに図１Ｂの変形例を示す。図９Ｂ及び図９Ｃは、図９Ａに示す領域１５０Ｅ及び領域１５０Ｆの拡大図である。

　図９Ａでは、画素電極１１１Ｒ上に光学調整層１１６Ｒが設けられ、画素電極１１１Ｇ上に光学調整層１１６Ｇが設けられ、画素電極１１１Ｂ上に光学調整層１１６Ｂが設けられている。

　図９Ａでは、光学調整層１１６Ｒの厚さが、光学調整層１１６Ｇの厚さよりも厚く、光学調整層１１６Ｇの厚さが、光学調整層１１６Ｂの厚さよりも厚い例を示す。各光学調整層の膜厚は、赤色の光を強めるように光学調整層１１６Ｒの膜厚を設定し、緑色の光を強めるように光学調整層１１６Ｇの膜厚を設定し、青色の光を強めるように光学調整層１１６Ｂの膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、各発光デバイスが発する光の色純度を高めることができる。

　光学調整層は、発光デバイスの電極として用いることができる導電材料のうち、可視光に対する透過性を有する導電材料を用いて形成することが好ましい。

　図９Ａ及び図９Ｂに示す領域１５０Ｅでは、画素電極１１１Ｒ上に光学調整層１１６Ｒを介して島状のＥＬ層１１３が設けられ、画素電極１１１Ｇ上に光学調整層１１６Ｇを介して島状のＥＬ層１１３が設けられ、絶縁層２５５ｃ上に材料層１１３ｓが設けられている。画素電極１１１Ｒ上のＥＬ層１１３と、画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１３と、材料層１１３ｓと、はそれぞれ隔離されている。

　図９Ａ及び図９Ｃに示す領域１５０Ｆでは、画素電極１１１Ｇ上に光学調整層１１６Ｇを介して島状のＥＬ層１１３が設けられ、絶縁層２５５ｃ、側壁絶縁層１１４（画素電極１１１Ｂ側）、画素電極１１１Ｂ、及び光学調整層１１６Ｂを覆うように、島状のＥＬ層１１３が設けられている。画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１３と、絶縁層２５５ｃ、側壁絶縁層１１４（画素電極１１１Ｂ側）、及び画素電極１１１Ｂを覆うＥＬ層１１３と、は互いに隔離されている。

　光学調整層の厚さが副画素によって異なることで、側壁絶縁層１１４の高さも副画素によって異なる場合がある。図９Ｂ及び図９Ｃでは、画素電極１１１Ｒの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ３は、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ４、画素電極１１１Ｂの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ５よりも大きく、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ４は、画素電極１１１Ｂの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ５よりも大きい。

　図９Ｃに示すように、高さＴ５の値によっては、ＥＬ層１１３が、画素電極１１１Ｂの側面を覆う側壁絶縁層１１４によって分断されず、１つの島状のＥＬ層１１３が、絶縁層２５５ｃ上に位置する部分と、側壁絶縁層１１４（画素電極１１１Ｂ側）を覆う部分と、画素電極１１１Ｂの上面を覆う部分と、を有することがある。しかし、図９Ｃでは、ＥＬ層１１３が、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４によって分断されている。つまり、隣接する発光デバイス間では、島状のＥＬ層がそれぞれ独立に設けられているため、隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。

　なお、高さＴ４の値によっては、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４によってもＥＬ層１１３が分断されないことがある。つまり、１つの島状のＥＬ層１１３が、絶縁層２５５ｃ、画素電極１１１Ｇと接する側壁絶縁層１１４、画素電極１１１Ｇの上面、画素電極１１１Ｂと接する側壁絶縁層１１４、及び、画素電極１１１Ｂの上面を覆うこともある。この場合、ＥＬ層１１３の側壁絶縁層１１４を覆う部分は、他の部分よりも薄膜化されているため、当該薄膜化された部分の電気抵抗が他の部分に比べて高くなり、隣り合う発光デバイス間のリーク電流を小さくすることができる。したがって、上記のように隣り合う発光デバイス間でＥＬ層１１３が繋がっている構成であっても、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。

　このように、一部の発光デバイスにおいて、ＥＬ層１１３が島状に形成され、かつ、他の複数の発光デバイスにおいて、ＥＬ層１１３が一続きの層となっている構成も、本発明の一態様である。例えば、本発明の一態様の表示装置は、図３Ａに示す領域１５０Ａと、図３Ｂに示す領域１５０Ｂと、の双方を有する構成であってもよい。

　図１Ｂ及び図９Ａでは、発光デバイス上に、保護層１３１及び絶縁層１３５を介して、直接、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける例を示す。このような構成とすることで、発光デバイスと、着色層との位置合わせの精度を高めることができる。また、発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。

　図１０、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、及び図１２Ｂに、図１Ｂの変形例を示す。

　図１０に示すように、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設けた基板１２０を、樹脂層１２２により、保護層１３１に貼り合わせてもよい。基板１２０に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設けることで、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、表示装置にはレンズ１３３を設けてもよい。レンズ１３３は、発光デバイスに重ねて設けることが好ましい。レンズ１３３を設けることで、レンズ１３３を設けない場合よりも、発光デバイスが発する光を効率的に表示装置の外部に取り出すことができる。

　図１１Ａでは、発光デバイス上に、保護層１３１及び絶縁層１３５を介して、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上に絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４上にレンズ１３３を設ける例を示す。発光デバイスを形成した基板に、直接、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズ１３３を形成することで、発光デバイスと、着色層又はレンズ１３３と、の位置合わせの精度を高めることができる。

　絶縁層１３４には、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方又は双方を用いることができる。絶縁層１３４は、単層構造であっても積層構造であってもよい。絶縁層１３４には、例えば、保護層１３１に用いることができる材料を適用することができる。絶縁層１３４は、平坦化機能を有することが好ましい。発光デバイスの発光は、絶縁層１３４を介して取り出されるため、絶縁層１３４は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。

　図１１Ａでは、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。なお、発光デバイス上にレンズ１３３を設け、レンズ１３３上に着色層を設けてもよい。

　図１１Ｂは、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　図１１Ｂでは、基板１２０に接して着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂに接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接してレンズ１３３を設ける例を示す。

　図１１Ｂでは、発光デバイスの発光は、レンズ１３３を透過した後、着色層を透過して、表示装置の外部に取り出される。なお、基板１２０に接してレンズ１３３を設け、レンズ１３３に接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接して着色層を設けてもよい。この場合、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。

　図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、レンズ及び着色層の一方を絶縁層１３５上に設け、他方を基板１２０に設けてもよい。

　図１２Ａは、発光デバイス上に、保護層１３１及び絶縁層１３５を介して、レンズ１３３が設けられており、かつ、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂが設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によってレンズ１３３上及び絶縁層１３５上に貼り合わされている例である。

　図１２Ｂは、発光デバイス上に、保護層１３１及び絶縁層１３５を介して、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂが設けられており、かつ、レンズ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上に貼り合わされている例である。

　レンズ１３３は、凸面と、凸面とは反対側の面に平面を有するレンズ（平凸レンズともいう。）であることが好ましい。レンズ１３３は、凸面が基板１２０側と発光デバイス側のどちらを向いていてもよいが、作製しやすさの観点から、図１１Ａ及び図１２Ａのように、発光デバイス側にレンズ１３３を設ける場合は、基板１２０側に凸面が向くように設けることが好ましい。一方、図１１Ｂ及び図１２Ｂのように、基板１２０側にレンズ１３３を設ける場合は、発光デバイス側に凸面が向くように設けることが好ましい。

　レンズ１３３は、無機材料及び有機材料の少なくとも一方を用いて形成することができる。例えば、樹脂を含む材料をレンズ１３３に用いることができる。また、酸化物及び硫化物の少なくとも一方を含む材料をレンズ１３３に用いることができる。レンズ１３３は、樹脂層１２２よりも屈折率の大きい材料を用いて形成されることが好ましい。レンズ１３３としては、例えば、マイクロレンズアレイを用いることができる。レンズ１３３は、基板上又は発光デバイス上に直接形成してもよく、別途形成されたレンズを貼り合わせてもよい。

　また、異なる色の着色層が互いに重なる部分を有することが好ましい。異なる色の着色層が互いに重なる領域は、遮光層として機能させることができる。これにより、さらに外光反射を低減することができる。

　図１３Ａに、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。表示装置は、副画素１５４Ｒ、副画素１５４Ｇ、及び副画素１５４Ｂを有する。

　副画素１５４Ｒ、副画素１５４Ｇ、及び副画素１５４Ｂは、それぞれ、発光デバイス１３７Ｒ、発光デバイス１３７Ｇ、及び発光デバイス１３７Ｂを有する。発光デバイス１３７Ｒ、発光デバイス１３７Ｇ、及び発光デバイス１３７Ｂは、ＥＬ層１１３ではなく、ＥＬ層１１３Ｂを有する点が、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂと異なる。また、画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｇとの間の領域において、絶縁層２５５ｃ上には、材料層１１３ｂが設けられる。同様に、画素電極１１１Ｇと画素電極１１１Ｂとの間の領域、及び、画素電極１１１Ｂと画素電極１１１Ｒとの間の領域においても、絶縁層２５５ｃ上には、材料層１１３ｂが設けられる。材料層１１３ｂは、ＥＬ層１１３Ｂと同一の工程で形成され、同一の構成を有し、図１Ｂ等で示す材料層１１３ｓに相当する。ＥＬ層１１３Ｂは、青色の光、又は紫色の光、若しくは紫外光を発する発光材料を有する。したがって、発光デバイス１３７Ｒ、発光デバイス１３７Ｇ、及び発光デバイス１３７Ｂは、いずれも、青色の光、又は紫色の光、若しくは紫外光を呈する。

　また、副画素１５４Ｒは、発光デバイス１３７Ｒが発する光の光路上に、色変換層１７５Ｒと、着色層１３２Ｒとを有する。色変換層１７５Ｒは、発光デバイス１３７Ｒが発する光を吸収し、赤色の光を発する機能を有する。

　副画素１５４Ｇは、発光デバイス１３７Ｇが発する光の光路上に、色変換層１７５Ｇと、着色層１３２Ｇとを有する。色変換層１７５Ｇは、発光デバイス１３７Ｇが発する光を吸収し、緑色の光を発する機能を有する。

　副画素１５４Ｂには、発光デバイス１３７Ｂが設けられる。なお、発光デバイス１３７Ｂとして、紫色、又は紫外光を呈する発光デバイスを用いた場合には、青色の光を透過する着色層、及び、発光デバイス１３７Ｂが発する光を吸収し青色の光を発する色変換層のうち、いずれか一方又は両方を、発光デバイス１３７Ｂの光路上に配置することが好ましい。

　色変換層１７５Ｒ、色変換層１７５Ｇとしては、それぞれ例えば蛍光材料、燐光材料、又は量子ドットが分散された樹脂材料などを用いることができる。

　着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇは、それぞれ色変換層を透過した青又は紫の光を吸収する機能を有する。これにより、各副画素が呈する光の色純度を高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現することができる。なお、副画素１５４Ｂに、青色の光を透過する着色層を設けてもよい。

　図１３Ｂに示す表示装置は、副画素１５５Ｒ、副画素１５５Ｇ、及び副画素１５５Ｂを有する。

　副画素１５５Ｒは、発光デバイス１３０Ｒと、色変換層１７５Ｒと、着色層１３２Ｒと、を有する。前述したように、発光デバイス１３０Ｒは、白色の光を呈する発光デバイスである。色変換層１７５Ｒは、発光デバイス１３０Ｒが発する白色光のうち、赤色の光よりも短波長の光を吸収し、赤色の光を発する機能を有する。着色層１３２Ｒは、赤色の光を透過し、それ以外の可視光を吸収する機能を有する。

　副画素１５５Ｇは、発光デバイス１３０Ｇと、色変換層１７５Ｇと、着色層１３２Ｇと、を有する。前述したように、発光デバイス１３０Ｇは、白色の光を呈する発光デバイスである。色変換層１７５Ｇは、発光デバイス１３０Ｇが発する白色光のうち、緑色の光よりも短波長の光を吸収し、緑色の光を発する機能を有する。着色層１３２Ｇは、緑色の光を透過し、それ以外の可視光を吸収する機能を有する。

　副画素１５５Ｂは、発光デバイス１３０Ｂと、着色層１３２Ｂと、を有する。前述したように、発光デバイス１３０Ｂは、白色の光を呈する発光デバイスである。着色層１３２Ｂは、発光デバイス１３０Ｂが発する白色光のうち、青色の光を透過し、それ以外の可視光を吸収する機能を有する。

　このように、赤色及び緑色の副画素に、色変換層を適用することにより、白色の発光デバイスから射出される光のうち、本来着色層で吸収されるはずの光を再利用することができるため、色変換層を用いない構成と比較して、発光効率を向上させることが可能となる。

　なお、図１３Ａ及び図１３Ｂでは、絶縁層１３５上の、絶縁層１２７と重なる部分に、遮光層１７１を設ける例を示している。遮光層１７１は、平面視において、互いに隣接する発光デバイス間に設けられていることが好ましい。このような構成とすることで、隣り合う色変換層の間等で混色した光を遮光層１７１によって遮断し、当該混色した光が外部に射出するのを防ぐことができる。遮光層１７１は、少なくとも可視光の一部を吸収する材料を含むことが好ましい。例えば、遮光層１７１自体が可視光を吸収する材料（例えば、有色の有機材料又は無機材料）により構成されていてもよいし、遮光層１７１が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。遮光層１７１としては、例えば、カーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂、又は赤色、青色、若しくは緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂などを用いることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、遮光層１７１を有さない構成であってもよい。この場合、図１Ｂ等に示すように、隣り合う着色層の端部が重なる領域を有するように設けられる構成であることが好ましい。

　本発明の一態様の表示装置は、ＥＬ層が部分的に薄膜化されている、又は、ＥＬ層が発光デバイスごとに島状に設けられていることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現することができる。

　また、本発明の一態様の表示装置では、画素電極の側面に側壁絶縁層を設ける。これにより、発光デバイスのショートを抑制し、信頼性の高い表示装置を実現することができる。

　さらに、本発明の一態様の表示装置では、少なくとも島状のＥＬ層の上面の一部及び側面を覆うように絶縁層を設ける。そして、当該絶縁層及びＥＬ層を覆うように共通電極を設ける。これにより、隣り合う画素電極間の段差によって共通電極が段切れするのを抑制することができ、発光デバイスの製造歩留まりをより高めることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について、図１４乃至図１６を用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に実施の形態１で説明した部分と同様の部分については、説明を省略することがある。また、発光デバイスの構成の詳細については、実施の形態５で説明する。

　図１４Ａ乃至図１４Ｅ、図１５Ａ乃至図１５Ｄ、図１６Ｅ、及び図１６Ｆには、図１Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法の１つに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、又は、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。又は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。その他、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

　まず、層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順で形成する。続いて、絶縁層２５５ｃ上に、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３を形成する。（図１４Ａ）。

　まず、絶縁層２５５ｃ上に画素電極となる導電膜を成膜し、当該導電膜上にフォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、当該導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３を形成することができる。画素電極となる導電膜の成膜には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、当該導電膜の加工は、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により行うことができる。当該導電膜の加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

　当該導電膜の加工の際に、絶縁層２５５ｃを加工し、絶縁層２５５ｃに凹部を形成することが好ましい。これにより、後に形成する側壁絶縁層１１４の高さを高くすることができる。したがって、後に形成するＥＬ層１１３を部分的に薄膜化すること、又は、ＥＬ層１１３を発光デバイスごとに分断することが容易となる。なお、本発明の一態様における他の構成としては、絶縁層２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられる構成、及び、絶縁層２５５ｂ、絶縁層２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ａに凹部が設けられる構成が挙げられる。また、画素電極が十分に厚い場合などにおいて、絶縁層２５５ｃに凹部及び開口が設けられていなくてもよいことがある。

　言い換えると、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３のいずれとも重ならない領域の絶縁層２５５ｃの膜厚は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、又は導電層１２３と重なる領域の絶縁層２５５ｃの膜厚より薄いことが好ましい。

　続いて、絶縁層２５５ｃ、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３上に、絶縁膜１１４Ａを形成する（図１４Ｂ）。

　絶縁膜１１４Ａは、後に加工されることで、側壁絶縁層１１４となる膜である。そのため、実施の形態１で述べた、側壁絶縁層１１４に適用可能な構成を、絶縁膜１１４Ａに適用することができる。

　続いて、絶縁膜１１４Ａを加工することにより、側壁絶縁層１１４を形成する（図１４Ｃ）。絶縁膜１１４Ａを加工することで、絶縁層２５５ｃ、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３のそれぞれの上面が露出する。側壁絶縁層１１４は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３のそれぞれの側面に接するように設けられる。

　例えば、絶縁膜１１４Ａの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、側壁絶縁層１１４を形成することができる。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバック処理ともいう。なお、側壁絶縁層１１４は、フォトリソグラフィ法を用いて形成することもできる。

　絶縁膜１１４Ａは、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により加工することができ、ドライエッチング法により加工することが好ましい。絶縁膜１１４Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

　なお、絶縁膜１１４Ａの加工の際に、絶縁層２５５ｃも加工し、絶縁層２５５ｃに凹部を形成してもよい。絶縁層２５５ｃに凹部を形成することで、後に形成するＥＬ層１１３を部分的に薄膜化すること、又は、ＥＬ層１１３を発光デバイスごとに分断することが容易となる。なお、本発明の一態様における他の構成としては、絶縁層２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられる構成、及び、絶縁層２５５ｂ、絶縁層２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ａに凹部が設けられる構成が挙げられる。また、画素電極が十分に厚い場合などにおいて、絶縁層２５５ｃに凹部及び開口が設けられていなくてもよいことがある。

　言い換えると、図１４Ｃに示す絶縁層２５５ｃにおいて、露出している領域（側壁絶縁層１１４、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び導電層１２３のいずれとも重ならない領域）の膜厚は、側壁絶縁層１１４と重なる領域の膜厚より薄くてもよい（図３Ｄ参照）。

　側壁絶縁層１１４の端部の形状は、ラウンド状とすることができる。例えば、側壁絶縁層１１４を形成する際に、ドライエッチング法を用い、異方性エッチングにて絶縁膜１１４Ａの上部をエッチングする場合、側壁絶縁層１１４の端部は、図１４Ｃ、図１Ｂ、図３Ａ乃至図３Ｄ等に示すようにラウンド状となる。側壁絶縁層１１４の端部の形状をラウンド状とすることで、後に形成する膜の被覆性が高まり、好ましい。

　続いて、ＥＬ層１１３を、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂ上に形成する（図１４Ｄ）。ＥＬ層１１３は、青色の光を発する発光材料と、青色よりも長波長の光を発する発光材料と、を含む。図１４Ｄでは、発光デバイスごとに、島状のＥＬ層１１３が設けられる例を示す。つまり、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂ上に、それぞれ、島状のＥＬ層１１３が設けられる。

　画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｇとの間の領域において、絶縁層２５５ｃ上には、材料層１１３ｓが設けられる。同様に、画素電極１１１Ｇと画素電極１１１Ｂとの間の領域、及び、画素電極１１１Ｂと画素電極１１１Ｒとの間の領域においても、絶縁層２５５ｃ上には、材料層１１３ｓが設けられる。材料層１１３ｓは、ＥＬ層１１３と同一の工程で形成され、同一の構成を有する。

　図１４Ｄに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、ＥＬ層１１３を形成していない。例えば、エリアマスクを用いることで、ＥＬ層１１３を所望の領域にのみ成膜することができる。

　ＥＬ層１１３は、例えば、蒸着法、具体的には、真空蒸着法により形成することができる。また、ＥＬ層１１３は、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。

　続いて、ＥＬ層１１３、側壁絶縁層１１４、及び材料層１１３ｓを覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５Ａを形成する（図１４Ｅ）。

　後述するように、絶縁膜１２５Ａの上面に接して、絶縁膜１２７ａが形成される。このため、絶縁膜１２５Ａの上面は、絶縁膜１２７ａに用いる樹脂組成物（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対する密着性が高いことが好ましい。当該密着性を向上させるため、表面処理を行って絶縁膜１２５Ａの上面を疎水化すること（又は疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などのシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように絶縁膜１２５Ａの上面を疎水化することにより、絶縁膜１２７ａを密着性良く形成することができる。

　続いて、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁膜１２７ａを形成する（図１５Ａ）。

　絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａは、ＥＬ層１１３へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５Ａは、ＥＬ層１１３の表面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ａよりも、ＥＬ層１１３へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

　また、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａは、それぞれ、ＥＬ層１１３の耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、絶縁膜１２５Ａは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

　絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。

　上述の通り、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスに耐熱性の高い材料を用いる。したがって、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａを形成する際の基板温度を、それぞれ、１００℃以上、１２０℃以上、又は１４０℃以上とすることもできる。例えば、無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜とすることができる。したがって、このような温度で絶縁膜１２５Ａを成膜することで、当該成膜時にＥＬ層１１３が受けるダメージをより低減することができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　絶縁膜１２５Ａとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

　絶縁膜１２５Ａは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。絶縁膜１２５Ａとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

　その他、絶縁膜１２５Ａは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又は、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

　絶縁膜１２７ａは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ａは、例えば、スピンコートにより、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

　また、絶縁膜１２７ａの形成後に加熱処理（プリベークともいう。）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層１１３の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ａ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　続いて、可視光線又は紫外線を絶縁膜１２７ａの一部に照射し、絶縁膜１２７ａの一部を感光させる（図１５Ｂ）。ここで、絶縁膜１２７ａにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に、マスク１３６を用いて可視光線又は紫外線を照射する。絶縁層１２７は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１２３を囲う領域に形成される。そのため、図１５Ｂに示すように、絶縁膜１２７ａの、画素電極１１１Ｒと重なる部分、画素電極１１１Ｇと重なる部分、画素電極１１１Ｂと重なる部分、及び、導電層１２３と重なる部分に、光１３９を照射する。

　なお、ここで感光させる領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御することができる。本実施の形態では、絶縁層１２７が画素電極の上面と重なる部分を有するように加工する（図４Ａ）。図７Ａ又は図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重なる部分を有していなくてもよい。

　露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　なお、図１５Ｂにおいては、絶縁膜１２７ａにポジ型の感光性の樹脂を用い、絶縁層１２７が形成されない領域に、可視光線又は紫外線を照射する例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁膜１２７ａにネガ型の感光性の樹脂を用いる構成にしてもよい。この場合、マスクを変えて、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。

　続いて、図１５Ｃに示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ａの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ｂを形成する。絶縁層１２７ｂは、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１２３を囲む領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ａにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）を用いることができる。

　なお、現像後には、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去する工程を行ってもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去することができる。以降に示す各現像工程の後にも、それぞれ、残渣を除去する工程を行ってもよい。

　なお、絶縁層１２７ｂの表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７ｂは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。

　なお、現像後、かつ、ポストベークの前に、露光を行い、可視光線又は紫外光線を絶縁層１２７ｂに照射してもよい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ｂの透明度を向上させることができる場合がある。また、絶縁層１２７ｂを低い温度でテーパ形状に変形させることができる場合がある。

　一方、絶縁層１２７ｂに対する露光を行わないことで、後の工程において、絶縁層１２７ｂの形状を変化させること、又は、絶縁層１２７をテーパ形状に変形させることが容易となる場合がある。したがって、現像後に絶縁層１２７ｂに対して露光を行わないことが好ましい場合がある。

　続いて、絶縁層１２７ｂ形成後に、加熱処理（ポストベークともいう。）を行う。図１５Ｄに示すように、加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。当該加熱処理は、ＥＬ層１１３の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ａの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。

　なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、又は、時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、断面視において、凹曲面形状が形成される場合がある。また、前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、ポストベーク時に、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

　続いて、図１５Ｄに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａの一部を除去する。これにより、絶縁膜１２５Ａに開口が形成され（すなわち、絶縁層１２５が形成され）、ＥＬ層１１３及び導電層１２３の上面が露出する。

　エッチング処理は、ドライエッチング法又はウェットエッチング法によって行うことができる。

　ドライエッチング法を用いる場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＣＣｌ_４などを、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスなどを、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加することができる。ドライエッチング法を用いることにより、絶縁層１２５の膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成することができる。

　また、ドライエッチング法を用いる場合、ドライエッチングで生じた副生成物などが、絶縁層１２７の上面及び側面などに堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、絶縁膜１２５Ａに含まれる成分などが、表示装置完成後の絶縁層１２７に含まれる場合がある。

　また、エッチング処理をウェットエッチング法で行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、ＥＬ層１１３に加わるダメージを低減することができる。例えば、ウェットエッチング法は、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）を用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。

　上記のように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることにより、各発光デバイス間において、共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制することができる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。また、発光デバイスの製造歩留まりをより高めることができる。

　また、ＥＬ層１１３の一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、ＥＬ層１１３に含まれる水、及び、ＥＬ層１１３の表面に吸着する水などを除去することができる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の端部、及び、ＥＬ層１１３の上面のうち、少なくとも１つを覆うように広がることがある。例えば、絶縁層１２７が、図５Ａ及び図５Ｂに示す形状となる場合がある。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温での脱水が可能となるため、好ましい。ただし、上記の加熱処理は、ＥＬ層１１３の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、ＥＬ層１１３の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも、特に７０℃以上１２０℃以下の温度が好適である。

　ここで、ポストベーク後に、一度に絶縁層１２５のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。そこで、絶縁層１２５のエッチング処理を、ポストベークの前と後に分けて行うことが好ましい。

　以下では、図１６Ａ乃至図１６Ｄを用いて、絶縁層１２５のエッチング処理を、ポストベークの前と後に分けて行う方法について説明する。

　まず、図１６Ａに、図１５Ｃに示すＥＬ層１１３と、絶縁層１２７ｂの端部とその近傍の拡大図を示す。つまり、図１６Ａには、現像によって形成された絶縁層１２７ｂを示している。

　次に、図１６Ｂに示すように、絶縁層１２７ｂをマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａの一部を除去し、絶縁膜１２５Ａの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ｂの下に、絶縁層１２５Ｂが形成される。なお、以下では、絶縁層１２７ｂをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。

　第１のエッチング処理は、ドライエッチング法又はウェットエッチング法によって行うことができる。

　図１６Ｂに示すように、側面がテーパ形状である絶縁層１２７ｂをマスクとしてエッチングを行うことで、上面の一部にテーパ形状を有する絶縁層１２５Ｂを、比較的容易に形成することができる。

　図１６Ｂに示すように、第１のエッチング処理では、絶縁層１２５Ｂの膜厚の薄い部分（絶縁層１２７ｂと重ならない部分）を完全に除去せず、この状態でエッチング処理を停止する。このように、ＥＬ層１１３上に、絶縁層１２５Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、ＥＬ層１１３が損傷することを防ぐことができる。

　なお、図１６Ｂでは、絶縁層１２７ｂの形状が、図１６Ａと変化していない例を示すが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層１２７ｂの端部が垂れて、絶縁層１２５Ｂの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、絶縁層１２７ｂの形状が変化しやすいことがある。

　続いて、ポストベークを行う。図１６Ｃに示すように、ポストベークを行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。なお、前述の通り、第１のエッチング処理が終了した時点で、既に絶縁層１２７ｂの形状が変化し、側面にテーパ形状を有することがある。

　第１のエッチング処理にて、絶縁層１２５Ｂの膜厚の薄い部分を完全に除去せず、この状態の絶縁層１２５Ｂを残存させておくことで、ポストベークにより、ＥＬ層１１３がダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　続いて、図１６Ｄに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁層１２５Ｂの一部（膜厚が薄い部分）を除去する。これにより、絶縁層１２５Ｂに開口が形成され（すなわち、絶縁層１２５が形成され）、ＥＬ層１１３及び導電層１２３の上面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用いたエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。

　図１６Ｄでは、絶縁層１２５の端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。つまり、図４Ａ及び図４Ｂに示す構造に相当する。

　以上のように、ポストベークの前後にエッチングを行う方法を用いると、第１のエッチング処理で絶縁膜１２５Ａがサイドエッチング（すなわち、絶縁層１２５Ｂが形成）されて、絶縁層１２７ｂの端部下に空洞が生じる場合がある。しかし、その後にポストベークを行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。これにより、絶縁層１２７が、前述した空洞を埋めることができる。その後、第２のエッチング処理では、絶縁層１２５Ｂの膜厚の薄い部分（すなわち、絶縁層１２７と重ならない部分）のみをエッチングするため、サイドエッチングされる量が少なく、空洞が形成されにくくなり、空洞が形成されるとしても極めて小さくすることができる。そのため、共通電極１１５を形成する面をより平坦にすることができる。

　なお、上記では、絶縁膜１２５Ａのエッチング処理を２回に分けて行うことで、絶縁層１２５を形成する例を示したが、この限りではない。絶縁膜１２５Ａの膜厚、又は、エッチング処理の条件等によっては、絶縁膜１２５Ａのエッチング処理を一度だけ行うことによって、絶縁層１２５を形成してもよい。

　なお、図５Ａ、図６Ｂ、及び図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、絶縁層１２５の端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、絶縁層１２５の端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、ＥＬ層１１３の上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

　第２のエッチング処理は、ウェットエッチング法で行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、ＥＬ層１１３に加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法は、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。

　続いて、ＥＬ層１１３上、導電層１２３上、及び絶縁層１２７上に、共通電極１１５を形成する（図１６Ｅ）。

　共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　その後、共通電極１１５上に、保護層１３１を形成する（図１６Ｆ）。図１Ｂ等に示すような、絶縁層１３５上に着色層を有する構成を適用する場合には、保護層１３１上に絶縁層１３５を形成し、絶縁層１３５上に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける。そして、樹脂層１２２を用いて、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図１Ｂ）。また、図１０等に示すような、基板１２０側に着色層を有する構成を適用する場合は、基板１２０に事前に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設け、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１と、基板１２０に形成された着色層と、を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる。

　保護層１３１及び絶縁層１３５の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等が挙げられる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層１１３は、ファインメタルマスクを用いることなく形成されるため、島状のＥＬ層１１３を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、ＥＬ層１１３同士が互いに接することを抑制することができる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現することができる。

　また、本実施の形態の表示装置の作製方法では、１種類のＥＬ層を形成するのみで、３色の副画素を作り分けることができる。したがって、作製工程数が少なく、歩留まりよく表示装置を作製することができる。

　また、隣り合う島状のＥＬ層１１３の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層１２７を設けることで、共通電極１１５の形成時に、共通電極１１５に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極１１５に、局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、共通電極１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制することができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の双方を実現することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１７及び図１８を用いて説明する。

［画素のレイアウト］
　本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、菱形、正方形を含む。）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形などが挙げられる。

　また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、回路の構成要素はその外側に配置されていてもよい。

　図１７Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１７Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの、３つの副画素から構成される。

　図１７Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

　図１７Ｃに示す画素１２４ａ、画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１７Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図１７Ｄ乃至図１７Ｆに示す画素１２４ａ、画素１２４ｂには、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ）を有する。

　図１７Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１７Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１７Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図１７Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０ａに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０ｂと３つの副画素１１０ｃが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。

　図１７Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、又は、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図１７Ａ乃至図１７Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、画素電極の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形などになることがある。本発明の一態様の表示装置では、ＥＬ層の上面形状、さらには、発光デバイスの上面形状が、画素電極の上面形状の影響を受けて、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形などになることがある。

　なお、画素電極の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図１８Ａ乃至図１８Ｃに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。

　図１８Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１８Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図１８Ｄ乃至図１８Ｆに示す画素１１０には、マトリクス配列が適用されている。

　図１８Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図１８Ｇ及び図１８Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１８Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１８Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１８Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じ得るゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図１８Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図１８Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの、４つの副画素から構成される。

　副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及びＹの４色の副画素、又は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び赤外光（ＩＲ）の４つの副画素などが挙げられる。

　図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、又は近赤外光を呈する副画素ＩＲのいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｇ及び図１８Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１９乃至図２８を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　また、本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置又は大型の表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１９Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図１９Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１９Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図１９Ｂでは、図１Ａに示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。この他、演算回路、メモリ回路、電源回路等の少なくとも１つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤなどのＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するために、レンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば、腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
　図２０に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　図１９Ｂに示す副画素１１Ｒは発光デバイス１３０Ｒ及び着色層１３２Ｒを有し、副画素１１Ｇは発光デバイス１３０Ｇ及び着色層１３２Ｇを有し、副画素１１Ｂは発光デバイス１３０Ｂ及び着色層１３２Ｂを有する。副画素１１Ｒにおいて、発光デバイス１３０Ｒの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置１００Ａの外部に赤色の光（Ｒ）として取り出される。同様に、副画素１１Ｇにおいて、発光デバイス１３０Ｇの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置１００Ａの外部に緑色の光（Ｇ）として取り出される。副画素１１Ｂにおいて、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置１００Ａの外部に青色の光（Ｂ）として取り出される。

　基板３０１は、図１９Ａ及び図１９Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１における層１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられ、絶縁層として機能する。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によって、トランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は、導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して、導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　なお、層１０１が有する導電層のレイヤの少なくとも１つにおいて、表示部２８１（又は画素部２８４）の外側を囲う導電層を設けることが好ましい。当該導電層は、ガードリングと呼ぶこともできる。当該導電層を設けることで、ＥＳＤ（静電気放電）又はプラズマを用いた工程による帯電により、トランジスタ及び発光デバイスなどの素子に高電圧がかかり、これらの素子が破壊してしまうことを抑制することができる。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図２０では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが、図１Ｂに示す積層構造と同じ構造を有する例を示す。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの画素電極と接する面の高さと、プラグ２５６の画素電極と接する面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

　また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、絶縁層１３５が設けられ、絶縁層１３５上には、発光デバイス１３０Ｒと重なる位置に着色層１３２Ｒが設けられ、発光デバイス１３０Ｇと重なる位置に着色層１３２Ｇが設けられ、発光デバイス１３０Ｂと重なる位置に着色層１３２Ｂが設けられている。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び、着色層１３２Ｂ上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１９Ａにおける基板２９２に相当する。

［表示装置１００Ｂ］
　図２１に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については、説明を省略することがある。

　表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、及び発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面（基板３０１Ａ側の面）に、絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に、絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、絶縁層３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、絶縁層３４６としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、プラグ３４３から基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面（基板３０１Ａ側の面）は、平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２は、プラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置１００Ｃ］
　図２２に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図２２に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、図２１で示した絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置１００Ｄ］
　図２３に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう。）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１９Ａ及び図１９Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１における層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板又は半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水又は水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素又は酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう。）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水又は水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致又は概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水又は水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｅ］
　図２４に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば、３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
　図２５に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、又は当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路又は記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

［表示装置１００Ｇ］
　図２６に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図２７Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

　表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２６では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図２６では、表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２６に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺又は複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図２６では、表示部１６２の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４としては、例えば、走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から配線１６５に入力される、又はＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図２６では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３には、例えば、走査線駆動回路又は信号線駆動回路などを有するＩＣを適用することができる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図２７Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図２７Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒ、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇ、青色の光を透過する着色層１３２Ｂ等を有する。

　発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図１Ｂに示す積層構造と同様の構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照することができる。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、導電層１２９Ｒの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

　発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２Ｇと、導電層１１２Ｇ上の導電層１２６Ｇと、導電層１２６Ｇ上の導電層１２９Ｇと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。

　導電層１１２Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２Ｒの端部、導電層１２６Ｒの端部、及び、導電層１２９Ｒの端部は、揃っている、又は概略揃っていることが好ましい。これにより、側壁絶縁層１１４の高さを、３層の導電層の厚さの和と同じかそれ以上にすることができるため、側壁絶縁層１１４によって、ＥＬ層の一部を薄膜化する、又は、ＥＬ層を分断することが容易となる。例えば、導電層１１２Ｒ及び導電層１２６Ｒに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９Ｒに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

　導電層１１２Ｇ、導電層１２６Ｇ、導電層１２９Ｇ、及び、導電層１１２Ｂ、導電層１２６Ｂ、導電層１２９Ｂについては、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、導電層１２９Ｒと同様であるため、詳細な説明は省略する。

　導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

　層１２８は、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂ、及び層１２８上には、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂとそれぞれ電気的に接続される導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２６Ｂが設けられている。したがって、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。

　層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。層１２８に用いることができる有機材料としては、例えば、保護層１３１又は絶縁層１３５に用いることができる有機材料が挙げられる。

　隣り合うＥＬ層１１３の上面の一部及び側面、側壁絶縁層１１４の側面の一部、材料層１１３ｓの上面、及び、導電層１２３の上面の一部及び側面は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。ＥＬ層１１３、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上には、これらを覆うように共通電極１１５が設けられている。これにより、隣り合う画素電極間の段差によって共通電極１１５が段切れするのを抑制することができ、発光デバイスの製造歩留まりをより高めることができる。共通電極１１５は、複数の発光デバイスに共通して設けられる一続きの膜である。

　また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は、接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂが設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造又は中空封止構造などを適用することができる。図２７Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　保護層１３１は、少なくとも表示部１６２に設けられており、表示部１６２全体を覆うように設けられていることが好ましい。保護層１３１は、表示部１６２だけでなく、接続部１４０及び回路１６４を覆うように設けられていることが好ましい。また、保護層１３１は、表示装置１００Ｇの端部にまで設けられていることが好ましい。一方で、接続部２０４には、ＦＰＣ１７２と導電層１６６とを電気的に接続させるため、保護層１３１が設けられていない部分が生じる。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２６Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを、接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　例えば、保護層１３１を表示装置１００Ｇの一面全体に成膜した後、マスクを用いて保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を除去することで、導電層１６６を露出させることができる。

　また、導電層１６６上に、少なくとも１層の有機層と導電層との積層構造を設け、当該積層構造上に、保護層１３１を設けてもよい。そして、当該積層構造に対して、レーザ、又は、鋭利な刃物（例えば針又はカッター）を用いて、剥離の起点（剥離のきっかけとなる部分）を形成し、当該積層構造及びその上の保護層１３１を選択的に除去し、導電層１６６を露出させてもよい。例えば、粘着性のローラーを基板１５１に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動させることで、保護層１３１を選択的に除去することができる。又は、粘着性のテープを基板１５１に貼り付け、剥してもよい。有機層と導電層の密着性、又は、有機層同士の密着性が低いため、有機層と導電層の界面、又は、有機層中で分離が生じる。これにより、保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を選択的に除去することができる。なお、導電層１６６上に有機層等が残存した場合は、有機溶剤等により除去することができる。

　有機層としては、例えば、ＥＬ層１１３に用いる少なくとも１層の有機層（発光層、キャリアブロック層、キャリア輸送層、又はキャリア注入層として機能する層）を用いることができる。有機層は、ＥＬ層１１３の成膜時に同時に形成してもよく、別途設けてもよい。導電層は、共通電極１１５と同一工程及び同一材料で形成することができる。例えば、共通電極１１５及び導電層として、ＩＴＯ膜を形成することが好ましい。なお、共通電極１１５に積層構造を用いる場合、導電層としては、共通電極１１５を構成する層のうち、少なくとも１層を設ける。

　また、導電層１６６上に保護層１３１が成膜されないように、導電層１６６の上面をマスクで覆ってもよい。マスクとしては、例えば、メタルマスク（エリアメタルマスク）を用いてもよく、粘着性又は吸着性を有するテープ又はフィルムを用いてもよい。当該マスクを配置した状態で保護層１３１を形成し、その後、マスクを取り除くことで、保護層１３１を形成した後でも、導電層１６６が露出した状態を保つことができる。

　このような方法を用いて、接続部２０４に保護層１３１が設けられていない領域を形成し、当該領域において、導電層１６６とＦＰＣ１７２とを、接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６Ｒ、導電層１２６Ｇ、及び導電層１２６Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９Ｒ、導電層１２９Ｇ、及び導電層１２９Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の側面は、側壁絶縁層１１４によって覆われている。側壁絶縁層１１４は、導電層１２３のサイドウォールとしての機能を有する。また、当該側壁絶縁層１１４の上面及び側面、及び、導電層１２３の上面の一部及び側面は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。導電層１２３、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上には、これらを覆うように共通電極１１５が設けられている。導電層１２３の上面の一部（絶縁層１２５及び絶縁層１２７に覆われていない部分）には、共通電極１１５が接して設けられている。つまり、接続部１４０では、導電層１２３と共通電極１１５とが、電気的に接続されている。

　表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１における層１０１に相当する。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４が、この順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水、水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散するのを効果的に抑制することができ、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、これら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、又は導電層１２９Ｒなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。又は、絶縁層２１４には、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、又は導電層１２９Ｒなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲート電極として機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲート電極として機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲート電極が設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲート電極で挟持する構成が適用されている。２つのゲート電極を接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲート電極のうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、又は単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体又は結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制することができるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう。）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

　結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ−Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　又は、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう。）を用いることが好ましい。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう。）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間にわたって保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間における耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す。）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す。）を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す。）を用いることが好ましい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタと、の双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくすることができる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、かつＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れ得るリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れ得るリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう。）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測することができる。なお、トランジスタに流れ得るリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じ得る光漏れ（いわゆる黒浮き）などを限りなく少ない表示とすることができる。

　図２７Ｂ及び図２７Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲート電極として機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲート電極として機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図２７Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソース電極として機能し、他方はドレイン電極として機能する。

　一方、図２７Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２７Ｃに示す構造を作製することができる。図２７Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂが、それぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、図１Ｂ等に示す基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

　接着層１４２としては、図１Ｂ等に示す樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示装置１００Ｈ］
　図２８Ａに示す表示装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

　基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２８Ａでは、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、トランジスタ２０５などが設けられている例を示す。また、絶縁層２１５上に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ（図示しない。）が設けられている。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２Ｇと、導電層１１２Ｇ上の導電層１２６Ｇと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、を有する（いずれも図示しない。）。

　導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、導電層１２６Ｒ、及び導電層１２６Ｇには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。共通電極１１５には、可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

　また、図２７Ａ、図２８Ａなどでは、層１２８の上面に平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２８Ｂ乃至図２８Ｄに、層１２８の変形例を示す。

　図２８Ｂ及び図２８Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　また、図２８Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方又は双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、１つ又は複数とすることができる。

　また、層１２８の上面の高さと、導電層１１２Ｒの上面の高さとは、一致又は概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂについても同様である。

　また、図２８Ｂは、導電層１１２Ｒに形成された凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２８Ｄのように、導電層１１２Ｒに形成された凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂについても同様である。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。

　図２９Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、層７９０などの複数の層で構成することができる。

　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう。）を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち１つ又は複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち１つ又は複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では、図２９Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図２９Ｂは、図２９Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図２９Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

　なお、図２９Ｃ及び図２９Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図２９Ｃ及び図２９Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。

　また、図２９Ｅ及び図２９Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう。）を介して直列に接続された構成を、本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減することができるため、信頼性を高めることができる。

　なお、図２９Ｄ及び図２９Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図２９Ｄは、層７６４が、図２９Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図２９Ｆは、層７６４が、図２９Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。図２９Ｄ及び図２９Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

　層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方又は双方を用いることができる。

　図２９Ｃ及び図２９Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いることができる。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、発光層全体として白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

　図２９Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けることが好ましい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、又は、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧ又はＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

　また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。

　白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として、白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　なお、図２９Ｃ、図２９Ｄにおいても、図２９Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　また、図２９Ｅ及び図２９Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いることができる。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、全体として白色発光が得られる。図２９Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けることが好ましい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　なお、図２９Ｅ及び図２９Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

　また、図２９Ｅ及び図２９Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

　また、図２９Ｅ及び図２９Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち１つ又は複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち１つ又は複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

　また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　また、タンデム構造の発光デバイスの一例として、図３０Ａ乃至図３０Ｃに示す構成が挙げられる。

　図３０Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。図３０Ａでは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が、それぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続されている。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。なお、層７８０ｃは、層７８０ａ及び層７８０ｂに適用可能な構成を用いることができ、層７９０ｃは、層７９０ａ及び層７９０ｂに適用可能な構成を用いることができる。

　図３０Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のうち、一部又は全てに異なる色の光を発する発光物質を用いることができる。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３の発光色の組み合わせは、例えば、いずれか２つが青色（Ｂ）、残りの１つが黄色（Ｙ）の構成、並びに、いずれか１つが赤色（Ｒ）、他の１つが緑色（Ｇ）、残りの１つが青色（Ｂ）の構成が挙げられる。

　図３０Ｂは、複数の発光層を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスである。図３０Ｂは、２つの発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が、電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

　図３０Ｂにおいては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃについて、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ａを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃについても、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ｂを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図３０Ｂに示す構成は、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造であるといえる。なお、補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、又は４段以上のタンデム構造としてもよい。なお、「ａ＼ｂ」は、ａの光を発する発光物質を有する発光ユニット上に、電荷発生層を介して、ｂの光を発する発光物質を有する発光ユニットが設けられていることを意味し、ａ、ｂは、色を意味する。

　また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙ又はＹ＼Ｂの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼Ｂ又はＢ＼Ｒ・Ｇの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。なお、「ａ・ｂ」は、１つの発光ユニットにａの光を発する発光物質と、ｂの光を発する発光物質と、を有することを意味する。

　また、図３０Ｃに示すように、１つの発光層を有する発光ユニットと、複数の発光層を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

　具体的には、図３０Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が、それぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　例えば、図３０Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、又は、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　また、光を取り出さない側の電極にも、可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、これらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう。）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう。）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、ランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す。）が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光デバイスは、少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち、１層以上を有する構成とすることができる。

　発光デバイスには、低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む。）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種又は複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、又は赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、又はピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種又は複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種又は複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方又は双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種又は複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、又はＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現することができる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

　アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　また、電子注入性の高い材料のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下である）ことが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物又はアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、又は、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（又は電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、又は、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、又は特性などによって明確に区別できない場合がある。

　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３１乃至図３３を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する表示装置を用いることで、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を検知、検出、又は測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３１Ａ乃至図３１Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも１つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、ＭＲなどの少なくとも１つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図３１Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図３１Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない。）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない。）と、撮像部（図示しない。）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって、極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう。）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう。）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。

　図３１Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図３１Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図３１Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルともいう。）のような形状として例示しているが、これに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部とも呼ぶ。）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　Ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には、映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない。）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図３１Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図３１Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

　また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図３１Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図３１Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

　また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

　図３２Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３２Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない。）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には、本発明の一態様の可撓性を有する表示装置を適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現することができる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、表示部６５０２の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現することができる。

　図３２Ｃに、テレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により、筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３２Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図３２Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３２Ｅ及び図３２Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図３２Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む。）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図３２Ｆは、円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図３２Ｅ及び図３２Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報若しくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図３２Ｅ及び図３２Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図３３Ａ乃至図３３Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む。）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を検知、検出、又は測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図３３Ａ乃至図３３Ｇにおいて、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３３Ａ乃至図３３Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図３３Ａ乃至図３３Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図３３Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３３Ａでは、３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を、表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メール又はＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。又は、情報９０５１が表示されている位置には、アイコン９０５０などを表示してもよい。

　図３３Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４が、それぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断することができる。

　図３３Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図３３Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図３３Ｅ乃至図３３Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３３Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３３Ｇは折り畳んだ状態、図３３Ｆは図３３Ｅと図３３Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１１Ｂ：副画素、１１Ｇ：副画素、１１Ｒ：副画素、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１０３：領域、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０：画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１２Ｂ：導電層、１１２Ｇ：導電層、１１２Ｒ：導電層、１１３ｂ：材料層、１１３ｓ：材料層、１１３ｔ：領域、１１３Ｂ：ＥＬ層、１１３：ＥＬ層、１１４Ａ：絶縁膜、１１４：側壁絶縁層、１１５：共通電極、１１６Ｂ：光学調整層、１１６Ｇ：光学調整層、１１６Ｒ：光学調整層、１１７：遮光層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５Ａ：絶縁膜、１２５Ｂ：絶縁層、１２５：絶縁層、１２６Ｂ：導電層、１２６Ｇ：導電層、１２６Ｒ：導電層、１２７ａ：絶縁膜、１２７ｂ：絶縁層、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９Ｂ：導電層、１２９Ｇ：導電層、１２９Ｒ：導電層、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３３：レンズ、１３４：絶縁層、１３５：絶縁層、１３６：マスク、１３７Ｂ：発光デバイス、１３７Ｇ：発光デバイス、１３７Ｒ：発光デバイス、１３９：光、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０Ａ：領域、１５０Ｂ：領域、１５０Ｃ：領域、１５０Ｄ：領域、１５０Ｅ：領域、１５０Ｆ：領域、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１５４Ｂ：副画素、１５４Ｇ：副画素、１５４Ｒ：副画素、１５５Ｂ：副画素、１５５Ｇ：副画素、１５５Ｒ：副画素、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７１：遮光層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１７５Ｇ：色変換層、１７５Ｒ：色変換層、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (10)

1. 　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の側壁絶縁層と、第２の側壁絶縁層と、第１の絶縁層と、第１の着色層と、第２の着色層と、を有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１のＥＬ層及び前記第２のＥＬ層は、それぞれ青色の光を発する第１の発光材料と、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料と、を有し、
   　前記第１の側壁絶縁層は、前記第１の画素電極の側面に接し、
   　前記第２の側壁絶縁層は、前記第２の画素電極の側面に接し、
   　前記第１の絶縁層は、前記第１のＥＬ層の上面の一部及び側面と、前記第２のＥＬ層の上面の一部及び側面と、を覆い、
   　前記第１の着色層は、前記第１の発光デバイスと重なり、
   　前記第２の着色層は、前記第２の発光デバイスと重なり、
   　前記第１の着色層と、前記第２の着色層とは、それぞれ異なる色の光を透過する機能を有する、
   　表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第１の発光デバイスと、前記第２の発光デバイスと、の間に、前記第１のＥＬ層及び前記第２のＥＬ層と隔離された材料層を有し、
   　前記材料層は、前記第１の発光材料と、前記第２の発光材料と、を有する、
   　表示装置。
3. 　請求項１又は請求項２において、
   　前記第１の側壁絶縁層及び前記第２の側壁絶縁層は、それぞれ無機絶縁材料を有する、
   　表示装置。
4. 　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   　前記第１の絶縁層は、端部にテーパ形状を有する、
   　表示装置。
5. 　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   　前記第１の絶縁層は、有機絶縁材料を有する、
   　表示装置。
6. 　請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   　前記第１のＥＬ層の上面の一部及び側面と、前記第２のＥＬ層の上面の一部及び側面と、を覆う第２の絶縁層を有し、
   　前記第２の絶縁層上に、前記第１の絶縁層を有する、
   　表示装置。
7. 　請求項６において、
   　前記第２の絶縁層は、端部にテーパ形状を有する、
   　表示装置。
8. 　請求項６又は請求項７において、
   　前記第２の絶縁層は、無機絶縁材料を有する、
   　表示装置。
9. 　請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の表示装置と、
   　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、
   　表示モジュール。
10. 　請求項９に記載の表示モジュールと、
    　筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも１つと、を有する、
    　電子機器。

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