WO2023012576A1 - 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

信頼性が高い表示装置を提供する。 第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、第１の発光素子と第２の発光素子の間に設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、を有する表示装置。第１の発光素子は、第１の導電層と、第１の導電層の上面及び側面を覆う第２の導電層と、第２の導電層の上面及び側面を覆う第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有する。第２の発光素子は、第３の導電層と、第３の導電層の上面及び側面を覆う第４の導電層と、第４の導電層の上面及び側面を覆う第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有する。第２の絶縁層上には、共通電極が設けられる。第１の導電層の可視光に対する反射率は、第２の導電層の可視光に対する反射率より高く、第３の導電層の可視光に対する反射率は、第４の導電層の可視光に対する反射率より高い。

Description

表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法

本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビ又はテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及びＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末等の開発が進められている。

また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。

表示装置としては、例えば、発光素子（発光デバイスともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子、又は有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、及び直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

特許文献１には、有機ＥＬ素子（有機ＥＬデバイスともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

また、非特許文献１には、標準的なＵＶフォトリソグラフィを使用した有機光電子デバイスの製造方法が開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号

Ｂ．Ｌａｍｐｒｅｃｈｔ　ｅｔ　ａｌ．，"Ｏｒｇａｎｉｃ　ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｕｓｉｎｇ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ＵＶ　ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ＲＲＬ）２，Ｎｏ．１，ｐｐ．１６−１８（２００８）

例えば有機ＥＬ素子は、有機化合物を含む層を一対の電極で挟む構成とすることができる。ここで、電極が、異なる材料を有する複数の層の積層構成である場合、例えば当該複数の層間の反応により、電極が変質する場合がある。これにより、表示装置の歩留まりが低下する場合がある。

そこで、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、発光効率が高い発光素子を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、低消費電力の表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、光取り出し効率が高い表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、低価格な表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。

又は、本発明の一態様は、歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、発光効率が高い発光素子を有する表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、低消費電力の表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、光取り出し効率が高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、高解像度の表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。又は、本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の発光素子と、第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、第１の発光素子と第２の発光素子の間に設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、を有し、第１の発光素子は、第１の導電層と、第１の導電層の上面及び側面を覆う第２の導電層と、第２の導電層上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第３の導電層と、第３の導電層の上面及び側面を覆う第４の導電層と、第４の導電層上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の絶縁層上には、共通電極が設けられ、第１の導電層の可視光に対する反射率は、第２の導電層の可視光に対する反射率より高く、第３の導電層の可視光に対する反射率は、第４の導電層の可視光に対する反射率より高い、表示装置である。

又は、上記態様において、第１のＥＬ層は、第２の導電層と接する領域を有する第１の機能層と、第１の機能層上の第１の発光層と、を有し、第２のＥＬ層は、第４の導電層と接する領域を有する第２の機能層と、第２の機能層上の第２の発光層と、を有してもよい。

又は、上記態様において、第１の機能層、及び第２の機能層は、正孔注入層、又は正孔輸送層の少なくとも一方を有し、第２の導電層の仕事関数は、第１の導電層の仕事関数より大きく、第４の導電層の仕事関数は、第３の導電層の仕事関数より大きくてもよい。

又は、上記態様において、第１の発光素子は、第１のＥＬ層と共通電極との間に共通層を有し、第２の発光素子は、第２のＥＬ層と共通電極との間に共通層を有し、共通層は、第２の絶縁層と共通電極との間に位置し、共通層は、電子注入層、又は電子輸送層の少なくとも一方を有してもよい。

又は、上記態様において、第１の機能層、及び第２の機能層は、電子注入層、又は電子輸送層の少なくとも一方を有し、第２の導電層の仕事関数は、第１の導電層の仕事関数より小さく、第４の導電層の仕事関数は、第３の導電層の仕事関数より小さくてもよい。

又は、上記態様において、第１の発光素子は、第１のＥＬ層と共通電極との間に共通層を有し、第２の発光素子は、第２のＥＬ層と共通電極との間に共通層を有し、共通層は、第２の絶縁層と共通電極との間に位置し、共通層は、正孔注入層、又は正孔輸送層の少なくとも一方を有してもよい。

又は、上記態様において、第２の導電層、及び第４の導電層は、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を含んでもよい。

又は、上記態様において、第１の絶縁層は、第１のＥＬ層の側面、及び第２のＥＬ層の側面と接する領域を有し、且つ第１のＥＬ層の上面の一部、及び第２のＥＬ層の上面の一部を覆い、断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆ってもよい。

又は、上記態様において、断面視において、第１の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有してもよい。

又は、上記態様において、第１の絶縁層は、無機絶縁層であり、第２の絶縁層は、有機絶縁層であってもよい。

又は、上記態様において、第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、第２の絶縁層は、アクリル樹脂を有してもよい。

本発明の一態様の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュールも、本発明の一態様である。

本発明の一態様の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器も、本発明の一態様である。

又は、本発明の一態様は、第１の導電層を形成し、第１の導電層の上面及び側面を覆い、第１の導電層より可視光に対する反射率が低い第２の導電層を形成し、第２の導電層上に、ＥＬ膜を形成し、ＥＬ膜上に、マスク膜を形成し、ＥＬ膜、及びマスク膜を加工して、第２の導電層上のＥＬ層と、ＥＬ層上のマスク層と、を形成する、表示装置の作製方法である。

又は、上記態様において、第２の導電層の形成後、且つＥＬ膜の形成前に、第２の導電層に対して疎水化処理を行ってもよい。

又は、上記態様において、第２の導電層に対してフッ素修飾を行うことにより疎水化処理を行ってもよい。

又は、本発明の一態様は、第１の導電層、及び第２の導電層を形成し、第１の導電層の上面及び側面を覆い、第１の導電層より可視光に対する反射率が低い第３の導電層と、第２の導電層の上面及び側面を覆い、第２の導電層より可視光に対する反射率が低い第４の導電層と、を形成し、第３の導電層上、及び第４の導電層上に、第１のＥＬ膜を形成し、第１のＥＬ膜上に、第１のマスク膜を形成し、第１のＥＬ膜、及び第１のマスク膜を加工して、第３の導電層上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の第１のマスク層と、を形成し、且つ第４の導電層を露出させ、第１のマスク層上、及び第４の導電層上に、第２のＥＬ膜を形成し、第２のＥＬ膜上に、第２のマスク膜を形成し、第２のＥＬ膜、及び第２のマスク膜を加工して、第４の導電層上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の第２のマスク層と、を形成し、且つ第１のマスク層を露出させ、第１のマスク層上、及び第２のマスク層上に、感光性材料を用いて絶縁膜を形成し、絶縁膜を加工して、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に絶縁層を形成し、絶縁層をマスクに用いてエッチング処理を行い、第１のＥＬ層の上面、及び第２のＥＬ層の上面を露出させ、第１のＥＬ層上、第２のＥＬ層上、及び絶縁層上に共通電極を形成する、表示装置の作製方法である。

又は、上記態様において、第３の導電層、及び第４の導電層の形成後、且つ第１のＥＬ膜の形成前に、第３の導電層、及び第４の導電層に対して疎水化処理を行ってもよい。

又は、上記態様において、第３の導電層、及び第４の導電層に対してフッ素修飾を行うことにより疎水化処理を行ってもよい。

又は、上記態様において、エッチング処理は、ウェットエッチングによって行ってもよい。

本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、発光効率が高い発光素子を有する表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、低消費電力の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、光取り出し効率が高い表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、低価格な表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。

又は、本発明の一態様により、歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、発光効率が高い発光素子を有する表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、低消費電力の表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、光取り出し効率が高い表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、新規な表示装置の作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、表示装置の構成例を示す平面図である。
図２Ａは、表示装置の構成例を示す断面図である。図２Ｂ１、及び図２Ｂ２は、画素電極の構成例を示す断面図である。
図３Ａ、及び図３Ｂは、画素電極の構成例を示す断面図である。
図４Ａ乃至図４Ｃは、画素電極の構成例を示す断面図である。
図５Ａ、及び図５Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６Ａ、及び図６Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７Ａ、及び図７Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図８Ａ、及び図８Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図９Ａ、及び図９Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１０は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１１Ａ、及び図１１Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１２Ａ、及び図１２Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１３Ａ、及び図１３Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１４は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１５Ａ、及び図１５Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１６Ａ、及び図１６Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１７Ａ、及び図１７Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｆは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１９Ａ、及び図１９Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２０Ａ、及び図２０Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２１Ａ、及び図２１Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２２Ａ、及び図２２Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２７Ａ、図２７Ｂ１、及び図２７Ｂ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２８Ａ、及び図２８Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２９Ａ、及び図２９Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３０Ａ、及び図３０Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３１Ａ、及び図３１Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３２Ａ、図３２Ｂ、図３２Ｃ、図３２Ｄ１、及び図３２Ｄ２は、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３６Ａ乃至図３６Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３７Ａ、及び図３７Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３８Ａ乃至図３８Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３９Ａ乃至図３９Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４０Ａ乃至図４０Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４１Ａ、及び図４１Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４２Ａ、及び図４２Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４３Ａ乃至図４３Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４４Ａ乃至図４４Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４５Ａ乃至図４５Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図４６Ａ、及び図４６Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図４７Ａ、及び図４７Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図４８Ａ乃至図４８Ｇは、画素の構成例を示す平面図である。
図４９Ａ乃至図４９Ｉは、画素の構成例を示す平面図である。
図５０Ａ、及び図５０Ｂは、表示モジュールの構成例を示す斜視図である。
図５１Ａ、及び図５１Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５２Ａ、及び図５２Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５４は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５５は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５６は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５７は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５８は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５９は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６０は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６１は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６２は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６４は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６５は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６６は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６７は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６８は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６９は、表示装置の構成例を示す斜視図である。
図７０Ａは、表示装置の構成例を示す断面図である。図７０Ｂ１、及び図７０Ｂ２は、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図７１は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７２は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７３Ａ乃至図７３Ｂ３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７４Ａ乃至図７４Ｂ３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７５Ａ乃至図７５Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７６Ａ乃至図７６Ｆは、発光素子の構成例を示す断面図である。
図７７Ａ乃至図７７Ｃは、発光素子の構成例を示す断面図である。
図７８Ａ乃至図７８Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図７９Ａ乃至図７９Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図８０Ａ乃至図８０Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び範囲等は、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び範囲等を表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び範囲等に限定されない。

なお、「膜」という用語と、「層」という用語は、場合によっては、又は状況に応じて、互いに入れ替えることができる。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することができる場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することができる場合がある。

本明細書等において、「上に」、「下に」、「上方に」、又は「下方に」等の配置を示す語句は、構成要素同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている場合がある。また、構成要素同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、本明細書等で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。例えば、「導電層の上に位置する絶縁層」の表現では、示している図面の向きを１８０度回転することによって、「導電層の下に位置する絶縁層」と言い換えることができる。

本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスという場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、又はＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスという場合がある。

本明細書等において、正孔又は電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層又は電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層又は電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層又は電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、又は特性等によって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つ又は３つの機能を兼ねる場合がある。

本明細書等において、発光素子は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層としては、発光層、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層等が挙げられる。

本明細書等において、キャリア注入層は、正孔注入層及び電子注入層の一方又は双方を示す。また、キャリア輸送層は、正孔輸送層及び電子輸送層の一方又は双方を示す。さらに、キャリアブロック層は、正孔ブロック層及び電子ブロック層の一方又は双方を示す。

本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とのなす角（テーパ角ともいう。）が、９０°未満である領域を有する形状のことを指す。なお、構造の側面及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微細な曲率を有する略平面状、又は微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及びその作製方法について説明する。

本発明の一態様の表示装置は、フルカラー表示が可能である。例えば、少なくとも発光層を有するＥＬ層を発光色ごとに作り分けることにより、フルカラー表示が可能な表示装置を作製できる。又は、例えば白色光を発するＥＬ層上に着色層（カラーフィルタともいう）を設けることにより、フルカラー表示が可能な表示装置を作製できる。

各色の発光素子（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、又は発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、白色光を発することのできる発光素子を白色発光素子と呼ぶ場合がある。

発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子を有する表示装置を作製する場合、発光色が異なる発光層をそれぞれ島状に形成する必要がある。また、白色発光素子を有する表示装置を作製する場合であっても、発光層を島状に形成すると、発光層を介して隣接する発光素子の間に生じうるリーク電流を低減できるため好ましい。

なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱等による成膜される膜の輪郭の広がり等、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じる。よって、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、又は高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層をメタルマスク等のシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法により、微細なパターンに加工する。具体的には、副画素ごとに画素電極を形成した後、複数の画素電極にわたって発光層を成膜する。その後、当該発光層を、フォトリソグラフィ法を用いて加工し、１つの画素電極に対して１つの島状の発光層を形成する。これにより、発光層が副画素ごとに分割され、副画素ごとに島状の発光層を形成することができる。

なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ、例えば加工によるダメージが入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、ＥＬ層として発光層の他、発光層よりも上方に位置する機能層、例えば、キャリアブロック層、キャリア輸送層、又はキャリア注入層、より具体的には正孔ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層等の上にて、マスク層等を形成し、発光層及び当該機能層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示装置を提供することができる。発光層とマスク層との間に機能層を有することで、表示装置の作製工程中に発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。

なお、本明細書等において、マスク膜及びマスク層とは、それぞれ、少なくとも発光層、より具体的には、ＥＬ層を構成する層のうち、島状に加工される層の上方に位置し、製造工程中において、当該発光層を保護する機能を有する膜及び層を示す。また、マスク膜は、犠牲膜、又は保護膜ということができ、マスク層は、犠牲層、又は保護層ということもできる。

ＥＬ層は、発光層の上方の他、発光層の下側にも機能層を有することができる。ここで、上記発光層を島状に加工する場合、発光層よりも下側に位置する機能層（例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、又はキャリアブロック層、より具体的には正孔注入層、正孔輸送層、又は電子ブロック層等）を、発光層と同じパターンで島状に加工することが好ましい。発光層よりも下側に位置する層を発光層と同じパターンで島状に加工することで、隣接する副画素の間に生じうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、又はラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を低減することが可能となる。例えば、隣接する副画素間で正孔注入層を共通して用いる場合、当該正孔注入層に起因して、横リーク電流が発生しうる。一方で本発明の一態様の表示装置においては、発光層と同じパターンで正孔注入層を島状に加工することができるため、隣接する副画素間での横リーク電流は、実質的に発生しない、又は横リーク電流を極めて小さくすることができる。

ここで、ＥＬ層は、画素電極の上面及び側面を覆うように設けることが好ましい。これにより、ＥＬ層の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることが容易となる。

また、画素電極は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であることが好ましい。例えば、表示装置をトップエミッション型とし、画素電極を第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、の２層積層構成とする場合、第１の導電層は、第２の導電層より可視光に対する反射率が高い層とすることができる。また、発光層よりも下側に位置する機能層が、例えば正孔注入層、又は正孔輸送層の少なくとも一方を有し、且つ第２の導電層が当該機能層と接する場合、第２の導電層は、第１の導電層より仕事関数が大きい層とすることができる。つまり、画素電極を陽極として機能させる場合、第２の導電層は、第１の導電層より仕事関数が大きい層とすることができる。以上により、光取り出し効率が高く、且つ駆動電圧が低い発光素子とすることができる。

本明細書等において、可視光とは、波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光を示す。また、可視光に対する反射率とは、４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の波長のうち、所定の範囲の波長の光に対する反射率を示す。例えば、４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の全波長の光に対する反射率の平均、又は最大値を可視光に対する反射率とする場合がある。また、４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の波長のうち、特定の波長の光に対する反射率を可視光に対する反射率とする場合がある。

一方、画素電極を異なる材料を用いた複数の層の積層構成とする場合、例えば当該複数の層間の反応により、画素電極が変質する場合がある。例えば、本発明の一態様の表示装置の作製方法において、画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合、薬液が画素電極と接触する場合がある。画素電極を複数の層の積層構成とする場合、当該複数の層が薬液と接触することにより、ガルバニック腐食が発生する場合がある。これにより、画素電極を構成する層の少なくとも一つが変質する場合がある。よって、表示装置の歩留まりが低下する場合がある。また、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

そこで、本発明の一態様では、第１の導電層の上面及び側面を覆うように、第２の導電層を形成する。これにより、例えば第１の導電層と、第２の導電層と、を有する画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が第１の導電層に接触することを抑制できる。よって、例えば画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。以上より、本発明の一態様の表示装置は、歩留まりが高い方法で作製できる。また、本発明の一態様の表示装置は、不良の発生を抑制し、信頼性が高い表示装置とすることができる。

なお、それぞれ異なる色の光を発する発光素子において、ＥＬ層を構成する全ての層を作り分ける必要はなく、一部の層は同一工程で形成することができる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を色ごとに島状に形成した後、マスク層の少なくとも一部を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層（共通層と呼ぶ場合がある）と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を各色に共通して、つまり一つの膜として形成する。例えば、キャリア注入層と、共通電極と、を各色に共通して形成することができる。

一方で、キャリア注入層は、ＥＬ層の中では比較的導電性が高い層であることが多い。このため、キャリア注入層が、島状に形成されたＥＬ層の一部の層の側面、又は画素電極の側面に接することで、発光素子がショートする恐れがある。なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極を各色に共通して形成する場合についても、共通電極と、ＥＬ層の側面又は画素電極の側面とが接することで、発光素子がショートする恐れがある。

そこで、本発明の一態様の表示装置は、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を有する。また、当該絶縁層は、島状の発光層の上面の一部を覆うことが好ましい。

これにより、島状に形成されたＥＬ層の少なくとも一部の層、及び画素電極が、キャリア注入層及び共通電極と接することを抑制できる。したがって、発光素子のショートを抑制し、発光素子の信頼性を高めることができる。

断面視において、当該絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。これにより、絶縁層上に設けられる共通層及び共通電極の段切れを抑制することができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制できる。また、段差によって共通電極が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制できる。

本明細書等において、段切れとは、層、膜、又は電極が、段差等の被形成面の形状に起因して分断される、又は局所的に膜厚が薄い箇所が形成される現象を示す。

このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状の発光層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、発光層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、発光層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、且つ表示品位の高い表示装置を実現できる。また、発光層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に発光層が受けるダメージを低減し、発光素子の信頼性を高めることができる。

また、隣り合う発光素子間の距離について、例えばファインメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、本発明の一態様のフォトリソグラフィ法を用いた方法によれば、ガラス基板上のプロセスにおいて、隣り合う発光素子間の距離、隣り合うＥＬ層間の距離、又は隣り合う画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、又は０．５μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、シリコン基板上のプロセスにおいて、隣り合う発光素子間の距離、隣り合うＥＬ層間の距離、又は隣り合う画素電極間の距離を、例えば、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。これにより、２つの発光素子間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。より具体的には、有機ＥＬ素子を用い、開口率が１０％の表示装置の寿命を基準にした場合、開口率が２０％、すなわち基準に対して開口率が２倍の表示装置の寿命は約３．２５倍となり、開口率が４０％、すなわち基準に対して開口率が４倍の表示装置の寿命は約１０．６倍となる。このように、開口率の向上に伴い、有機ＥＬ素子に流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることが可能となる。本発明の一態様の表示装置においては、開口率を向上させることが可能であるため表示装置の表示品位を向上させることが可能となる。さらに、表示装置の開口率の向上に伴い、表示装置の信頼性、特に寿命を格段に向上させるといった、優れた効果を奏する。

また、発光層自体のパターンについても、ファインメタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えば発光層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工するため、島状の発光層を均一の厚さで形成することができる。したがって、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。このため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。また、表示装置の小型化及び軽量化を実現することができる。

具体的には、本発明の一態様の表示装置の解像度は、例えば２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下とすることができる。

［構成例１］
図１は、表示装置１００の構成例を示す平面図である。表示装置１００は、複数の画素１０８がマトリクス状に配列された画素部１０７を有する。画素１０８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。図１では、２行６列の副画素１１０を示しており、これらによって２行２列の画素１０８が構成される。

本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。アルファベットで区別する他の構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１０７に画像を表示することができる。よって、画素部１０７は表示部ということができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素等を用いてもよい。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及びＹの４色の副画素、並びに、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。

また、図１に示す画素１０８には、ストライプ配列が適用されているということもできる。なお、画素１０８に適用することができる配列方法はこれに限られず、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、又はジグザグ配列等の配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、又はダイヤモンド配列等を適用することもできる。

本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。

図１では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素がＹ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素がＸ方向に並べて配置されていてもよい。

画素部１０７の外側には、領域１４１及び接続部１４０が設けられ、領域１４１は画素部１０７と接続部１４０の間に設けられる。領域１４１には、ＥＬ層１１３が設けられる。また、接続部１４０には、導電層１１１Ｃが設けられる。

図１では、平面視で、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１０７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。領域１４１、及び接続部１４０は、平面視で、画素部１０７の上側、右側、左側、及び下側のうち少なくとも一箇所に設けられていればよく、画素部１０７の四辺を囲むように設けられていてもよい。領域１４１、及び接続部１４０の上面形状は、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、又は枠状等とすることができる。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

図２Ａは、図１における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図であり、画素部１０７に設けられる画素１０８の構成例を示す断面図である。図２Ａに示すように、表示装置１００は、絶縁層１０１と、絶縁層１０１上の導電層１０２と、絶縁層１０１上、及び導電層１０２上の絶縁層１０３と、絶縁層１０３上の絶縁層１０４と、絶縁層１０４上の絶縁層１０５と、を有する。絶縁層１０１は、基板（図示せず）上に設けられる。絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３には、導電層１０２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１０６が設けられる。

画素部１０７において、絶縁層１０５上、及びプラグ１０６上には、発光素子１３０が設けられる。発光素子１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光素子１３０の間には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

図２Ａでは、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００の平面視において、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

図２Ａでは、発光素子１３０として、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂを示している。発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂは、互いに異なる色の光を発する。例えば、発光素子１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光素子１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光素子１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、又は発光素子１３０Ｂは、シアン、マゼンタ、黄色、白色、又は赤外等の光を発してもよい。

本発明の一態様の表示装置は、例えば発光素子が形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。

発光素子１３０としては、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光素子１３０が有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（例えば量子ドット材料）、及び熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。また、発光素子１３０として、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等のＬＥＤを用いることもできる。

発光素子１３０Ｒは、プラグ１０６上、及び絶縁層１０５上の導電層１１１Ｒと、導電層１１１Ｒの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒの上面及び側面を覆うＥＬ層１１３Ｒと、ＥＬ層１１３Ｒ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。ここで、導電層１１１Ｒと導電層１１２Ｒにより、発光素子１３０Ｒの画素電極が構成される。なお、発光素子１３０Ｒにおいて、ＥＬ層１１３Ｒと、共通層１１４と、をまとめてＥＬ層と呼ぶこともできる。

発光素子１３０Ｇは、プラグ１０６上、及び絶縁層１０５上の導電層１１１Ｇと、導電層１１１Ｇの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｇと、導電層１１２Ｇの上面及び側面を覆うＥＬ層１１３Ｇと、ＥＬ層１１３Ｇ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。ここで、導電層１１１Ｇと導電層１１２Ｇにより、発光素子１３０Ｇの画素電極が構成される。なお、発光素子１３０Ｇにおいて、ＥＬ層１１３Ｇと、共通層１１４と、をまとめてＥＬ層と呼ぶこともできる。

発光素子１３０Ｂは、プラグ１０６上、及び絶縁層１０５上の導電層１１１Ｂと、導電層１１１Ｂの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂの上面及び側面を覆うＥＬ層１１３Ｂと、ＥＬ層１１３Ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。ここで、導電層１１１Ｂと導電層１１２Ｂにより、発光素子１３０Ｂの画素電極が構成される。なお、発光素子１３０Ｂにおいて、ＥＬ層１１３Ｂと、共通層１１４と、をまとめてＥＬ層と呼ぶこともできる。

発光素子が有する画素電極と共通電極のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとしている場合がある。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、少なくとも発光層を有する。例えば、ＥＬ層１１３Ｒが赤色の光を発する発光層を有し、ＥＬ層１１３Ｇが緑色の光を発する発光層を有し、ＥＬ層１１３Ｂが青色の光を発する発光層を有することができる。ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、又はＥＬ層１１３Ｂは、シアン、マゼンタ、黄色、白色、又は赤外等の光を発してもよい。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、互いに離隔されている。ＥＬ層１１３を発光素子１３０ごとに島状に設けることで、隣接する発光素子１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを抑制することができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

島状のＥＬ層１１３は、ＥＬ膜を成膜し、当該ＥＬ膜を例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工することにより形成することができる。例えば、ＥＬ層１１３ＲとなるＥＬ膜を成膜して加工することによりＥＬ層１１３Ｒを形成し、ＥＬ層１１３ＧとなるＥＬ膜を成膜して加工することによりＥＬ層１１３Ｇを形成し、ＥＬ層１１３ＢとなるＥＬ膜を成膜して加工することによりＥＬ層１１３Ｂを形成することができる。

ＥＬ層１１３は、発光素子１３０の画素電極の上面及び側面を覆うように設けられる。これにより、ＥＬ層１１３の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、表示装置１００の開口率を高めることが容易となる。また、発光素子１３０の画素電極の側面をＥＬ層１１３で覆うことで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光素子１３０のショートを抑制できる。また、ＥＬ層１１３の発光領域、すなわち画素電極、ＥＬ層１１３、及び共通電極１１５が互いに重なる領域と、ＥＬ層１１３の端部との距離を大きくできる。ＥＬ層１１３の端部は、加工によりダメージを受けている可能性があるため、ＥＬ層１１３の端部から離れた領域を発光領域として用いることで、発光素子１３０の信頼性を高められる場合がある。

また、本発明の一態様の表示装置では、発光素子の画素電極を、複数の層の積層構成とする。例えば、図２Ａに示す例では、発光素子１３０の画素電極を、導電層１１１と、導電層１１２と、の積層構成としている。例えば、表示装置１００をトップエミッション型とし、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能する場合、導電層１１１は導電層１１２より可視光に対する反射率が高い層とし、導電層１１２は導電層１１１より仕事関数が大きい層とすることができる。画素電極の可視光に対する反射率が高いほど、ＥＬ層１１３が発する光が画素電極を例えば透過することを抑制できるため、表示装置１００がトップエミッション型である場合、ＥＬ層１１３が発する光の取り出し効率が高くなる。また、画素電極が陽極として機能する場合、画素電極の仕事関数が大きいほど、ＥＬ層１１３への正孔の注入が容易となるため、発光素子の駆動電圧を低くすることができる。以上より、発光素子１３０の画素電極を、可視光に対する反射率が高い導電層１１１と、仕事関数が大きい導電層１１２と、の積層構成とすることにより、発光素子１３０を、光取り出し効率が高く、且つ駆動電圧が低い発光素子とすることができる。

導電層１１１を、導電層１１２より可視光に対する反射率が高い層とする場合、導電層１１１の可視光に対する反射率は、例えば４０％以上１００％以下とすることが好ましく、７０％以上１００％以下とすることがより好ましい。また、導電層１１２は、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）とすることができる。

本明細書等において、透明電極とは、可視光に対する透過率が４０％以上である電極を示す。

なお、発光素子１３０が有する導電層１１１は、ＥＬ層１１３が発する光に対する反射率が高い層とする。例えば、ＥＬ層１１３が赤外光を発する場合、導電層１１１は、赤外光に対する反射率が高い層とすることができる。また、発光素子１３０の画素電極が陰極として機能する場合、導電層１１２は例えば導電層１１１より仕事関数が小さい層とすることができる。

一方、画素電極を複数の層の積層構成とする場合、例えば当該複数の層間の反応により、画素電極が変質する場合がある。例えば、詳細は後述するが、表示装置１００の作製において、画素電極の形成後に形成した膜をウェットエッチング法により除去する場合、薬液が画素電極と接触する場合がある。画素電極を複数の層の積層構成とする場合、当該複数の層が薬液と接触することにより、ガルバニック腐食が発生する場合がある。これにより、画素電極を構成する層の少なくとも一つが変質する場合がある。よって、表示装置の歩留まりが低下する場合がある。また、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

そこで、表示装置１００では、導電層１１１の上面及び側面を覆うように、導電層１１２を形成する。これにより、例えば導電層１１１と、導電層１１２と、を有する画素電極の形成後に形成した膜をウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が導電層１１１に接触することを抑制できる。よって、例えば画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。よって、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できる。また、表示装置１００に不良が発生することを抑制できるため、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。

導電層１１１として、例えば金属材料を用いることができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、若しくはネオジム（Ｎｄ）等の金属、又はこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることができる。合金材料として、例えばアルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに銀とマグネシウムの合金、又は銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金を用いることができる。

導電層１１２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、インジウムチタン酸化物、チタン酸亜鉛、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のうちいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、画素電極を陽極として機能させる場合、導電層１１２として好適に用いることができる。

なお、詳細は後述するが、導電層１１１は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよく、導電層１１２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１１１が、導電性酸化物等の導電層１１２に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。また、導電層１１２が、金属材料等の導電層１１１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１１２が２層以上の積層構成である場合は、導電層１１１と接する層は、金属材料等の導電層１１１に用いることができる材料を用いた層とすることができる。

ここで、導電層１１１の端部は、テーパ形状を有することができる。具体的には、導電層１１１の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。この場合、導電層１１１の側面に沿って設けられる導電層１１２もテーパ形状を有する。よって、導電層１１２の側面に沿って設けられるＥＬ層１１３もテーパ形状を有する。導電層１１２の側面をテーパ形状とすることで、導電層１１２の側面に沿って設けられるＥＬ層１１３の被覆性を高めることができる。

図２Ａにおいて、導電層１１２ＲとＥＬ層１１３Ｒの間には、導電層１１２Ｒの上面端部を覆う絶縁層（土手、又は構造体とも呼称する）が設けられていない。また、導電層１１２ＧとＥＬ層１１３Ｇの間には、導電層１１２Ｇの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。さらに、導電層１１２ＢとＥＬ層１１３Ｂの間には、導電層１１２Ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。このため、隣り合う発光素子１３０間の距離を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、又は高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

また、導電層１１２とＥＬ層１１３との間に、導電層１１２の端部を覆う絶縁層を設けない構成とすることで、ＥＬ層１１３からの発光を効率良く取り出すことができる。したがって、表示装置１００は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置１００における画像の視認性を高めることができる。例えば、表示装置１００においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

絶縁層１０１、絶縁層１０３、及び絶縁層１０５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層１０１、絶縁層１０３、及び絶縁層１０５としては、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の各種無機絶縁膜を好適に用いることができ、具体的には例えば酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜を用いることができる。

なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

絶縁層１０４は、例えば発光素子１３０に、水等の不純物が侵入することを抑制するバリア層として機能する。絶縁層１０４として、例えば窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化ハフニウム膜等の、酸化シリコン膜よりも水素又は酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

導電層１１１と重ならない領域における絶縁層１０５の膜厚は、導電層１１１と重なる領域における絶縁層１０５の膜厚より薄くなる場合がある。つまり、絶縁層１０５は、導電層１１１と重ならない領域に凹部を有する場合がある。当該凹部は、例えば導電層１１１の形成工程に起因して形成される。

導電層１０２は、配線として機能する。導電層１０２は、プラグ１０６を介して発光素子１３０と電気的に接続される。

導電層１０２、及びプラグ１０６には、各種導電材料を用いることができ、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、若しくはタングステン（Ｗ）等の金属、又はこれを主成分とする合金（ＡＰＣ等）を用いることができる。また、導電層１０２、及びプラグ１０６に、酸化スズ、又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。

発光素子１３０には、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用することができる。

前述のように、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、少なくとも発光層を有する。例えば、ＥＬ層１１３Ｒが赤色の光を発する発光層を有し、ＥＬ層１１３Ｇが緑色の光を発する発光層を有し、ＥＬ層１１３Ｂが青色の光を発する発光層を有する構成とすることができる。

また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、それぞれ正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層（中間層ともいう）、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

本明細書等において、ＥＬ層が有する層のうち、発光層以外の層を機能層という。

例えば、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、ＥＬ層１１３は、例えば下から順に、正孔注入層及び正孔輸送層を有する第１の機能層と、発光層と、電子輸送層を有する第２の機能層と、が積層される構成とすることができる。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。なお、第１の機能層は、正孔注入層又は正孔輸送層の一方を有し、他方を有さなくてもよい。また、第２の機能層は、電子注入層を有してもよいし、電子輸送層を有さなくてもよい。

また、例えば、発光素子１３０の画素電極が陰極として機能し、共通電極１１５が陽極として機能する場合、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び正孔輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、ＥＬ層１１３は、例えば下から順に、電子注入層及び電子輸送層を有する第１の機能層と、発光層と、正孔輸送層を有する第２の機能層と、が積層される構成とすることができる。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。なお、第１の機能層は、電子注入層又は電子輸送層の一方を有し、他方を有さなくてもよい。また、第２の機能層は、正孔注入層を有してもよいし、正孔輸送層を有さなくてもよい。

このように、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、を有することが好ましい。また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方又は双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光素子の信頼性を高めることができる。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂに含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以上１８０℃以下であることがさらに好ましい。例えば、これらの化合物のガラス転移点（Ｔｇ）は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以上１８０℃以下であることがさらにより好ましい。

特に、発光層上に設けられる機能層の耐熱温度は高いことが好ましい。また、発光層上に接して設けられる機能層の耐熱温度は高いことがより好ましい。当該機能層の耐熱性が高いことで、発光層を効果的に保護することが可能となり、発光層が受けるダメージを低減することができる。

発光層上に設けられる機能層は、ピリジン環、ジアジン環、及びトリアジン環の中から選ばれる一を含む複素芳香環骨格と、ビカルバゾール骨格と、を有する有機化合物、又はピリジン環若しくはジアジン環を含む縮合複素芳香環骨格と、ビカルバゾール骨格と、を有する有機化合物であり、かつ、Ｔｇが１００℃以上１８０℃以下、好ましくは１２０℃以上１８０℃以下、より好ましくは１４０℃以上１８０℃以下の有機化合物を有することが好ましい。このような有機化合物を用いた機能層は、正孔ブロック層としての機能及び電子輸送層としての機能の一方又は双方を有することができる。なお、このような有機化合物を用いた機能層は、発光層の上側（上部電極側）に位置する構成に限られず、発光層よりも下側（下部電極側）に設けられていてもよい。

このような有機化合物の具体例としては、２−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）、２−｛３−［２−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ−０２）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−ピリミジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰＰｍ）、９−（４，６−ジフェニル−ピリミジン−２−イル）−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰｍ）、９−（４，６−ジフェニルピリミジン−２−イル）−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰｍ−０２）、４−（９’−フェニル［２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール］−９−イル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ−０２）、及び４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ベンゾ［ｈ］キナゾリン等が挙げられる。

また、発光層の耐熱温度は高いことが好ましい。これにより、加熱により発光層がダメージを受けて発光効率が低下すること、及び寿命が短くなることを抑制できる。

また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、例えば、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットを有する構成とすることができる。

第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方又は双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光素子の信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方又は双方と、を有することが好ましい。

発光素子１３０の画素電極が陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、共通層１１４は、電子注入層又は電子輸送層の少なくとも一方を有し、例えば電子注入層を有する。又は、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有してもよい。一方、発光素子１３０の画素電極が陰極として機能し、共通電極１１５が陽極として機能する場合、共通層１１４は、正孔注入層又は正孔輸送層の少なくとも一方を有し、例えば正孔注入層を有する。又は、共通層１１４は、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有してもよい。共通層１１４は、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂで共有されている。

また、共通電極１１５も、共通層１１４と同様に発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂで共有されている。

共通電極１１５は、共通層１１４の成膜後、間にエッチング等の工程を挟まずに連続して成膜できる。例えば、真空中で共通層１１４を形成した後、基板を大気中に取り出すことなく、真空中で共通電極１１５を形成できる。つまり、共通層１１４と、共通電極１１５と、は真空一貫で形成できる。これにより、表示装置１００に共通層１１４を設けない場合より、共通電極１１５の下面を清浄な面とすることができる。よって、発光素子１３０を、信頼性が高く、特性が良好な発光素子とすることができる。

また、図２Ａに示す例では、発光素子１３０Ｒが有するＥＬ層１１３Ｒ上には、マスク層１１８Ｒが設けられ、発光素子１３０Ｇが有するＥＬ層１１３Ｇ上には、マスク層１１８Ｇが設けられ、発光素子１３０Ｂが有するＥＬ層１１３Ｂ上には、マスク層１１８Ｂが設けられる。マスク層１１８Ｒは、ＥＬ層１１３Ｒを加工する際にＥＬ層１１３Ｒの上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。同様に、マスク層１１８Ｇは、ＥＬ層１１３Ｇの形成時、マスク層１１８Ｂは、ＥＬ層１１３Ｂの形成時に、それぞれ設けたマスク層の一部が残存しているものである。このように、表示装置１００は、その作製時にＥＬ層を保護するために用いるマスク層が一部残存していてもよい。マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂのいずれか２つ、又は全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。なお、以下において、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂをまとめて、マスク層１１８と呼ぶ場合がある。

図２Ａにおいて、マスク層１１８Ｒの一方の端部は、ＥＬ層１１３Ｒの端部と揃っている、又は概略揃っており、マスク層１１８Ｒの他方の端部は、ＥＬ層１１３Ｒ上に位置する。ここで、マスク層１１８Ｒの他方の端部は、導電層１１１Ｒと重なることが好ましい。この場合、マスク層１１８Ｒの他方の端部がＥＬ層１１３Ｒの概略平坦な面に形成されやすくなる。なお、マスク層１１８Ｇ及びマスク層１１８Ｂについても同様である。また、マスク層１１８は、例えば、島状に加工されたＥＬ層１１３の上面と、絶縁層１２５との間に残存する。

なお、端部が揃っている、又は概略揃っている場合、及び、上面形状が一致又は概略一致している場合、平面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。上層と下層の間で少なくとも輪郭の一部が重なっている場合とは、例えば上層と下層とが同一のマスクパターン、又は一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、又は、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、又は、上面形状が概略一致しているという。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの側面は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの側面と重なる。

また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部は、マスク層１１８によって覆われている。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、マスク層１１８を介して、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部と重なる。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの上面の一部及び側面が、絶縁層１２５、絶縁層１２７、及びマスク層１１８の少なくとも一つによって覆われていることで、共通層１１４及び共通電極１１５が、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの側面と接することを抑制し、発光素子１３０のショートを抑制できる。これにより、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの膜厚は異ならせることができる。例えば、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂそれぞれの発する光を強める光路長に対応して膜厚を設定することが好ましい。これにより、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を実現し、副画素１１０から射出される光の色純度を高めることができる。

絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの側面と接することが好ましい。これにより、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの膜剥がれを抑制することができる。絶縁層１２５とＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、又はＥＬ層１１３Ｂとが密着することで、隣り合うＥＬ層１１３が、絶縁層１２５によって固定される、又は、接着される効果を奏する。これにより、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。また、発光素子の作製歩留まりを高めることができる。

また、図２Ａに示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＥＬ層１１３の膜剥がれをより好適に抑制することができ、発光素子１３０の信頼性をより好適に高めることができる。また、発光素子１３０の作製歩留まりをより好適に高めることができる。

図２Ａでは、導電層１１２Ｒの端部上に、ＥＬ層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の積層構造が位置する例を示す。同様に、導電層１１２Ｇの端部上に、ＥＬ層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の積層構造が位置し、導電層１１２Ｂの端部上に、ＥＬ層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｂ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７の積層構造が位置する。

図２Ａでは、導電層１１２Ｒの端部をＥＬ層１１３Ｒが覆っており、絶縁層１２５がＥＬ層１１３Ｒの側面と接する領域を有する構成を示す。同様に、導電層１１２Ｇの端部はＥＬ層１１３Ｇで覆われており、導電層１１２Ｂの端部はＥＬ層１１３Ｂで覆われており、絶縁層１２５がＥＬ層１１３Ｇの側面及びＥＬ層１１３Ｂの側面と接する領域を有している。

絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層の被形成面、具体的には共通層１１４及び共通電極１１５等の被形成面の極端な凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、共通層１１４及び共通電極１１５等の被覆性を高めることができる。

共通層１１４及び共通電極１１５は、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、ＥＬ層１１３Ｂ、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及び島状のＥＬ層１１３が設けられる領域と、画素電極及び島状のＥＬ層１１３が設けられない領域（発光素子１３０間の領域）と、に起因する段差が生じている。表示装置１００は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制できる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制できる。

絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、又は凹部を有していてもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

なお、表示装置１００においては、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に絶縁層１２７が設けられる。また、絶縁層１２７は、島状のＥＬ層１１３の間に設けられる。別言すると、表示装置１００は、島状のＥＬ層１１３を形成したのち、島状のＥＬ層１１３の端部と重畳するように絶縁層１２７を設けるプロセス（以下プロセス１と呼称する）が適用されている。一方、プロセス１とは異なるプロセスとしては、画素電極を島状に形成した後に、当該画素電極の端部を覆う絶縁層を形成し、その後、画素電極、及び上記絶縁層上に島状のＥＬ層１１３を形成するプロセス（以下プロセス２と呼称する）が挙げられる。

上記プロセス１は、上記プロセス２と比較して、マージンを広くすることができるため好適である。より具体的には、上記プロセス１は、上記プロセス２よりも異なるパターニング間での合わせ精度に対してマージンが広く、特性バラツキが少ない表示装置を提供できる。表示装置１００の作製方法は、上記プロセス１に準じた工程であるため、バラツキが少なく、表示品位の高い表示装置を提供できる。

次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の材料の例について説明する。

絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層１１３との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層１１３を保護する機能を有するため好ましい。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層１１３を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、又は固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。又は、対応する物質を、捕獲、又は固着する機能とする。

絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、又はゲッタリング機能を有することで、外部から発光素子１３０に拡散しうる不純物、代表的には水及び酸素の少なくとも一方の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光素子、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層１１３に不純物が混入し、ＥＬ層１１３が劣化することを抑制できる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

なお、絶縁層１２５とマスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂには同じ材料を用いることができる。この場合、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂのいずれかと、絶縁層１２５との境界が不明瞭となり区別できない場合がある。よって、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂのいずれかと、絶縁層１２５とが、１つの層として確認される場合がある。つまり、１つの層が、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面に接して設けられ、絶縁層１２７が、当該１つの層の側面の少なくとも一部を覆っているように観察される場合がある。

絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光素子１３０間に形成された絶縁層１２５の極端な凹凸を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５を形成する面の平坦性を向上させる効果を奏する。

絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料としては、感光性材料、例えば感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いることが好ましい。なお、本明細書等において、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、又はメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

また、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、又はこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の有機樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光素子１３０からの発光を吸収することで、発光素子１３０から絶縁層１２７を介して隣接する発光素子１３０に光が漏れること（迷光）を抑制できる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。

可視光を吸収する材料としては、黒色等の顔料を含む材料、染料を含む材料、ポリイミド等の光吸収性を有する樹脂材料、及び着色層に用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、又は３色以上のカラーフィルタ材料を積層又は混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色又は黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

また、絶縁層１２７に用いる材料は体積収縮率が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２７を所望の形状で形成することが容易となる。また、絶縁層１２７は硬化後の体積収縮率が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２７を形成した後の各種工程にて絶縁層１２７の形状を保ちやすくなる。具体的には、熱硬化後、光硬化後、又は、光硬化及び熱硬化後の絶縁層１２７の体積収縮率は、それぞれ、１０％以下が好ましく、５％以下がより好ましく、１％以下がさらに好ましい。ここで、体積収縮率としては、光照射による体積収縮率及び加熱による体積収縮率の一方の値、又は、双方の和を用いることができる。

発光素子１３０上に保護層１３１を設けることで、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び導電膜のうち少なくとも一種を用いることができる。

保護層１３１には、例えば酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の具体例は、絶縁層１２５の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜又は窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、又はインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を抑制することができる。また、保護層１３１が無機膜を有することで、発光素子１３０に水及び酸素等の不純物が入り込むことを抑制することができる。以上により、発光素子１３０を劣化しにくい発光素子とすることができるため、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。

発光素子１３０の発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため好ましい。

保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、又は、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層１１３側に水及び酸素等の不純物が入り込むことを抑制できる。

さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料としては、例えば、絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料が挙げられる。

保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、拡散フィルム等の光拡散層、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、又は衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層、又はシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、又はポリカーボネート系材料等を用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

基板１２０には、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、又は半導体等を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、当該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）若しくはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、又はアラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、又はセルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい、具体的には複屈折量が小さいともいえる。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生する等の形状変化が生じる恐れがある。このため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、又は嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、及びＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、例えば接着シートを用いてもよい。

図２Ｂ１は、導電層１１１、及び導電層１１２の構成例を示す断面図である。なお、図２Ｂ１には、絶縁層１０５も示している。導電層１１１、及び導電層１１２の構成例を示す他の図面においても同様である。

図２Ｂ１に示すように、導電層１１１は、絶縁層１０５上の導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の導電層１１１ｂと、導電層１１１ｂ上の導電層１１１ｃと、を有する構成とすることができる。また、導電層１１１ｃの上面、導電層１１１ｃの側面、導電層１１１ｂの側面、及び導電層１１１ａの側面を覆うように、導電層１１２を設ける。

図２Ｂ１に示す例では、導電層１１１ｂが、導電層１１１ａと導電層１１１ｃにより挟まれる構成である。導電層１１１ａ、及び導電層１１１ｃには、導電層１１１ｂより変質しにくい材料を用いることができる。例えば、導電層１１１ａには、絶縁層１０５と接することによるマイグレーションが、導電層１１１ｂより起こりにくい材料を用いることができる。また、導電層１１１ｃには、導電層１１１ｂより酸化しにくく、さらに酸化物の電気抵抗率が、導電層１１１ｂに用いる材料の酸化物より低い材料を用いることができる。

本明細書等において、マイグレーションとは、ストレスマイグレーション、及びエレクトロマイグレーションの一方又は双方を示す。ストレスマイグレーションとは、導電層と、当該導電層と接する絶縁層等の層と、の熱膨張係数の差に起因して、加熱処理の際に導電層に応力が発生し、これにより導電層に含まれる原子が移動する現象を示す。また、エレクトロマイグレーションとは、導電層に含まれる原子が、電界に起因して移動する現象を示す。導電層は、マイグレーションにより、表面の盛り上がりであるヒロック、又は空洞であるボイドが形成される場合がある。ヒロックの形成により、導電層が他の導電層とショートする場合があり、ボイドの形成により、導電層が分断する場合がある。

以上より、導電層１１１ｂを、導電層１１１ａと導電層１１１ｃで挟む構成とすることで、導電層１１１ｂの材料選択の幅を広げることができる。これにより、例えば導電層１１１ｂを、導電層１１１ａ及び導電層１１１ｃのうち少なくとも一方より、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。例えば、導電層１１１ｂとしてアルミニウムを用いることができる。なお、導電層１１１ｂには、アルミニウムを含む合金を用いてもよい。また、導電層１１１ａとして、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、絶縁層１０５と接してもアルミニウムよりマイグレーションが発生しにくい材料であるチタンを用いることができる。さらに、導電層１１１ｃとして、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化物の電気抵抗率が酸化アルミニウムの電気抵抗率より低い材料であるチタンを用いることができる。

以上のように、導電層１１１を複数の層の積層構造とすることにより、表示装置の特性を向上させることができる。例えば、表示装置１００を、光取り出し効率が高く、且つ信頼性が高い表示装置とすることができる。

図２Ｂ２は、図２Ｂ１に示す構成の変形例であり、導電層１１２が、導電層１１１ｃの上面、導電層１１１ｃの側面、導電層１１１ｂの側面、及び導電層１１１ａの側面を覆う導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１１２ｂと、を有する例を示している。

導電層１１２ａは、導電層１１１ｃに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。導電層１１２ｂは、図２Ｂ１に示す導電層１１２に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。つまり、導電層１１２ａとして、例えばチタン等の金属材料を用いることができ、導電層１１２ｂとして、例えばインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いることができる。

導電層１１２を図２Ｂ２に示す構成とすることにより、インジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いることができる導電層１１２ｂが、例えばアルミニウムを用いることができる導電層１１１ｂの側面と接することを抑制することができる。これにより、導電層１１１ｂの変質を好適に抑制することができ、表示装置１００の信頼性を高めることができる。なお、導電層１１２を図２Ｂ２に示す構成とする場合であっても、導電層１１１ｃを設けることが好ましい。これにより、導電層１１１の形成後、且つ導電層１１２の形成前に、例えば導電層１１１ａより可視光に対する反射率が高い導電層１１１ｂの上面が、大気中の酸素により酸化されることを抑制できる。よって、導電層１１１の、可視光に対する反射率の低下を抑制できる。以上より、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。

また、図２Ｂ２に示すように導電層１１２を、導電層１１２ａと導電層１１２ｂの積層構造とする場合、導電層１１２ａにインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用い、導電層１１２ｂに例えば酸化モリブデンと、有機材料と、を混合した混合材料を用いてもよい。

ここで、導電層１１１が図２Ｂ１、及び図２Ｂ２に示す構成である場合、断面視において、例えば導電層１１１ｂの端部が導電層１１１ｃの端部より内側に位置する場合がある。言い換えると、断面視において、導電層１１１ｃが導電層１１１ｂより突出した領域を有する場合がある。この場合、導電層１１２を被覆性が低い成膜方法を用いて形成すると、上記突出した領域により、導電層１１２に段切れが発生する場合がある。また、導電層１１２が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇する場合がある。

よって、導電層１１２を、被覆性が高い成膜方法で形成すると、導電層１１２の段切れによる接続不良の発生、及び導電層１１２の局所的な薄膜化による電気抵抗の上昇を抑制できる。例えば、導電層１１２を、ＡＬＤ法を用いて形成すると、導電層１１１ｃが導電層１１１ｂより突出した領域を有する場合であっても、導電層１１２の段切れによる接続不良の発生、及び導電層１１２の局所的な薄膜化による電気抵抗の上昇を好適に抑制できる。

図３Ａは、導電層１１１、及び導電層１１２の、図２Ｂ１、及び図２Ｂ２とは異なる構成例を示す断面図である。図３Ａに示すように、導電層１１１は、絶縁層１０５上の導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の導電層１１１ｂと、を有する構成とすることができる。つまり、図３Ａに示す導電層１１１は、２層積層構造である。このように、導電層１１１が複数の層の積層構造である場合、導電層１１１を構成する層のうち少なくとも１つの層の可視光に対する反射率は、導電層１１２の可視光に対する反射率より高い。また、導電層１１１ａ及び導電層１１１ｂの側面及び上面を覆うように、導電層１１２を設ける。

前述のように、導電層１１１の側面は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１１１の側面は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。例えば、図３Ａに示す構成の導電層１１１では、導電層１１１ａ、及び導電層１１１ｂのうち少なくとも１つの側面がテーパ形状を有することが好ましい。例えば、導電層１１１ａの側面がテーパ形状を有することが好ましい。又は、導電層１１１ａの側面、及び導電層１１１ｂの側面の両方がテーパ形状を有することが好ましい。

図３Ｂは、図３Ａに示す構成の変形例であり、導電層１１２を、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１１２ｂと、の２層積層構造としている。導電層１１２ａは、導電層１１１に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。導電層１１２ｂは、例えば図３Ａに示す導電層１１２に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

例えば、導電層１１２ａとして、銀、又は銀を含む合金を用いることができる。銀、及び銀を含む合金は、可視光に対する反射率が例えばチタンより高いという特性を有する。さらに、銀は、例えば導電層１１１ｂに用いることができるアルミニウムより酸化しにくく、また酸化銀の電気抵抗率は酸化アルミニウムの電気抵抗率より低いという特性を有する。以上により、導電層１１２ａとして銀、又は銀を含む合金を用いることにより、画素電極の可視光に対する反射率を好適に高くしつつ、導電層１１２ａの酸化による画素電極の電気抵抗の上昇を抑制できる。よって、表示装置１００を、光取り出し効率が高く、且つ信頼性が高い表示装置とすることができる。特に、発光素子１３０にマイクロキャビティ構造が適用されている場合は、導電層１１２ａとして、可視光に対する反射率が高い材料である銀、又は銀を含む合金を用いることが好ましい。これにより、表示装置１００の光取り出し効率を好適に高めることができる。

また、導電層１１２ａとしてチタンを用いてもよい。チタンは銀よりエッチングによる加工性に優れるため、導電層１１２ａとしてチタンを用いることにより、導電層１１２ａを容易に形成できる。

なお、導電層１１１が導電層１１１ｂを有さなくてもよい。つまり、導電層１１１を、導電層１１１ａの単層構造とすることができる。例えば、導電層１１１ａに用いることができるチタンは、導電層１１１ｂに用いることができるアルミニウムより酸化しにくく、また酸化チタンの電気抵抗率は酸化アルミニウムの電気抵抗率より低い。よって、導電層１１１が導電層１１１ｂを有さないことにより、導電層１１１と導電層１１２の接触界面における電気抵抗を小さくすることができる。

図４Ａは、導電層１１１、及び導電層１１２の、図２Ｂ１、図２Ｂ２、図３Ａ、及び図３Ｂとは異なる構成例を示す断面図である。図４Ａに示す例では、導電層１１１を単層構造としている。また、導電層１１２を、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１１２ｃと、の３層積層構造としている。

図４Ａに示す導電層１１１には、例えば導電層１１２ａと接しても酸化しにくく、たとえ酸化しても電気抵抗率が大幅に上昇しない材料を用いる。例えば、導電層１１１として、チタンを含む合金を用いることができる。以上により、導電層１１１の変質を抑制し、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。

図４Ａに示す導電層１１２ａは、導電層１１２ｂに対する密着性が、例えば絶縁層１０５より高い層とする。このような導電層１１２ａとして、導電性酸化物を用いることができ、例えばインジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。導電層１１２ａとして、具体的には例えばインジウム錫酸化物、又はシリコンを含むインジウム錫酸化物を用いることができる。これにより、導電層１１２ｂの膜剥がれを抑制し、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。なお、図４Ａに示すように、導電層１１２ａは絶縁層１０５と接し、導電層１１２ｂは絶縁層１０５と接しない構成とすることができる。

図４Ａに示す導電層１１２ｂは、可視光に対する反射率が、導電層１１１、導電層１１２ａ、及び導電層１１２ｃより高い層とする。導電層１１２ｂの可視光に対する反射率は、例えば７０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは８０％以上１００％以下であり、より好ましくは９０％以上１００％以下である。例えば、導電層１１２ｂとして、銀、又は銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として、例えばＡＰＣが挙げられる。以上により、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。

導電層１１１及び導電層１１２を陽極として機能させる場合、導電層１１２ｃは仕事関数が大きい層とする。導電層１１２ｃは、例えば、導電層１１２ｂより仕事関数が大きい層とする。これにより、発光素子１３０の駆動電圧を低くすることができる。導電層１１２ｃとして、例えば導電層１１２ａに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。例えば、導電層１１２ａと導電層１１２ｃに同一種の材料を用いる構成とすることができる。例えば、導電層１１２ａにインジウム錫酸化物を用いる場合は、導電層１１２ｃにもインジウム錫酸化物を用いることができる。

なお、導電層１１１及び導電層１１２を陰極として機能させる場合、導電層１１２ｃは仕事関数が小さい層とする。導電層１１２ｃは、例えば、導電層１１２ｂより仕事関数が小さい層とする。これにより、発光素子１３０の駆動電圧を低くすることができる。

また、導電層１１２ｃは、可視光に対する透過率が高い層とすることが好ましい。例えば、導電層１１２ｃの可視光に対する透過率は、導電層１１１、及び導電層１１２ｂの可視光に対する透過率より高いことが好ましい。例えば、導電層１１２ｃの可視光に対する透過率は、６０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは７０％以上１００％以下であり、より好ましくは８０％以上１００％以下である。以上により、ＥＬ層１１３が発する光のうち、導電層１１２ｃに吸収される光を少なくすることができる。また、前述のように、導電層１１２ｃ下の導電層１１２ｂは、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。よって、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。

なお、図４Ａに示す導電層１１２ｂは、ＥＬ層１１３が発する光に対する反射率が高い層とし、導電層１１２ｃは、ＥＬ層１１３が発する光に対する透過率が高い層とする。例えば、ＥＬ層１１３が赤外光を発する場合、導電層１１２ｂは、赤外光に対する反射率が高い層とし、導電層１１２ｃは、赤外光に対する透過率が高い層とする。例えば、ＥＬ層１１３が赤外光を発する場合、図４Ａに示す導電層１１２ｂ及び導電層１１２ｃについての上記説明において、可視光を赤外光と読み替えることができる。

以上により、表示装置１００は、信頼性が高く、且つ光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００は、発光効率が高い発光素子を有する表示装置とすることができる。

図４Ｂ、及び図４Ｃは、導電層１１１、及び導電層１１２の、図４Ａとは異なる構成例を示す断面図である。図４Ｂに示す例では、導電層１１１を、導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の導電層１１１ｂと、の２層積層構造としている。図４Ｃに示す例では、導電層１１１を、導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の導電層１１１ｂと、導電層１１１ｂ上の導電層１１１ｃと、の３層積層構造としている。

導電層１１１ａ、及び導電層１１１ｃには、図４Ａに示す導電層１１１と同様の材料を用いることができ、例えばチタン、又はチタンを含む合金を用いることができる。導電層１１１ｂは、例えば可視光に対する反射率が導電層１１１ａより高い層とすることができる。また、導電層１１１ｂは、例えばエッチング加工性が導電層１１２ｂより高い層とすることができる。以上により、画素電極の可視光に対する反射率を高くしつつ、例えば銀、又は銀を含む合金を用いることができる導電層１１２ｂの膜厚を薄くすることができる。よって、表示装置１００を光取り出し効率が高い表示装置とし、且つ表示装置１００を容易に作製できる。導電層１１１ｂとして、例えばアルミニウム、又はアルミニウム合金を用いることができる。

次に、図５Ａ及び図５Ｂを用いて、絶縁層１２７とその近傍の構造について説明する。図５Ａは、ＥＬ層１１３ＲとＥＬ層１１３Ｇの間の絶縁層１２７とその周辺の領域の断面拡大図である。以下では、ＥＬ層１１３ＲとＥＬ層１１３Ｇの間の絶縁層１２７を例に挙げて説明するが、ＥＬ層１１３ＧとＥＬ層１１３Ｂの間の絶縁層１２７、及びＥＬ層１１３ＢとＥＬ層１１３Ｒの間の絶縁層１２７等についても同様のことがいえる。また、図５Ｂは、図５Ａに示す、ＥＬ層１１３Ｇ上の絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。以下では、ＥＬ層１１３Ｇ上の絶縁層１２７の端部を例に挙げて説明する場合があるが、ＥＬ層１１３Ｒ上の絶縁層１２７の端部、及びＥＬ層１１３Ｂ上の絶縁層１２７の端部等についても同様のことがいえる。

図５Ａに示すように、導電層１１２Ｒを覆ってＥＬ層１１３Ｒが設けられ、導電層１１２Ｇを覆ってＥＬ層１１３Ｇが設けられる。ＥＬ層１１３Ｒの上面の一部に接してマスク層１１８Ｒが設けられ、ＥＬ層１１３Ｇの上面の一部に接してマスク層１１８Ｇが設けられる。マスク層１１８Ｒの上面及び側面、ＥＬ層１１３Ｒの側面、絶縁層１０５の上面、マスク層１１８Ｇの上面及び側面、並びにＥＬ層１１３Ｇの側面と接する領域を有するように、絶縁層１２５が設けられる。絶縁層１２５の上面に接して絶縁層１２７が設けられる。また、絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３Ｒの上面の一部及び側面、並びに、ＥＬ層１１３Ｇの上面の一部及び側面と重なり、絶縁層１２５の上面及び側面の少なくとも一部と接する。ＥＬ層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って共通層１１４が設けられ、共通層１１４の上に共通電極１１５が設けられる。

図５Ａに示すように、ＥＬ層１１３と重ならない領域における絶縁層１０５の膜厚は、ＥＬ層１１３と重なる領域における絶縁層１０５の膜厚より薄くなる場合がある。つまり、絶縁層１０５は、ＥＬ層１１３と重ならない領域に凹部を有する場合がある。当該凹部は、例えばＥＬ層１１３の形成工程に起因して形成される。

また、絶縁層１２７は、２つの島状のＥＬ層１１３の間の領域（例えば、図５Ａでは、ＥＬ層１１３ＲとＥＬ層１１３Ｇとの間の領域）に形成される。このとき、絶縁層１２７の少なくとも一部が、一方のＥＬ層１１３（例えば、図５Ａでは、ＥＬ層１１３Ｒ）の側面端部と、もう一方のＥＬ層１１３（例えば、図５Ａでは、ＥＬ層１１３Ｇ）の側面端部に挟まれる位置に配置されることになる。このような絶縁層１２７を設けることで、島状のＥＬ層１１３上、及び絶縁層１２７上に形成される共通層１１４及び共通電極１１５に、分断箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを抑制することができる。

絶縁層１２７は、図５Ｂに示すように、表示装置１００の断面視において、端部にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ１は、絶縁層１２７の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、ＥＬ層１１３Ｇの平坦部の上面、又は導電層１１２Ｇの平坦部の上面と、絶縁層１２７の側面がなす角としてもよい。

絶縁層１２７のテーパ角θ１は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。絶縁層１２７の端部をこのような順テーパ形状にすることで、絶縁層１２７上に設けられる共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜でき、段切れ、又は局所的な薄膜化等が生じることを抑制できる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５の面内均一性を向上させることができ、表示装置の表示品位を向上させることができる。

また、図５Ａに示すように、表示装置１００の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、絶縁層１２７上面の中心部の凸曲面部が、端部のテーパ部に滑らかに接続される形状であることが好ましい。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上全体で、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

図５Ｂに示すように、絶縁層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を好適に低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

絶縁層１２５は、図５Ｂに示すように、表示装置１００の断面視において、端部にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ２は、絶縁層１２５の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、ＥＬ層１１３Ｇの平坦部の上面、又は導電層１１２Ｇの平坦部の上面と、絶縁層１２５の側面がなす角としてもよい。

絶縁層１２５のテーパ角θ２は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。

マスク層１１８Ｇは、図５Ｂに示すように、表示装置１００の断面視において、端部にテーパ角θ３のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ３は、マスク層１１８Ｇの側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、ＥＬ層１１３Ｇの平坦部の上面、又は導電層１１２Ｇの平坦部の上面と、マスク層１１８Ｇの側面がなす角としてもよい。

マスク層１１８Ｇのテーパ角θ３は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。マスク層１１８Ｇをこのような順テーパ形状にすることで、マスク層１１８Ｇ上に設けられる、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

マスク層１１８Ｒの端部及びマスク層１１８Ｇの端部は、それぞれ、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

詳細は後述するが、絶縁層１２５とマスク層１１８のエッチング処理を一度に行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及びマスク層１１８が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。このため、エッチング処理を２回に分けて行い、２回のエッチングの間に加熱処理を行うことで、１回目のエッチング処理で空洞が形成されても、当該加熱処理によって絶縁層１２７が変形し、当該空洞を埋めることができる。また、２回目のエッチング処理では厚さが薄い膜をエッチングすることになるため、サイドエッチングされる量が少なくなり、空洞が形成されにくく、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。このため、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、共通層１１４及び共通電極１１５が段切れすることを抑制できる。このようにエッチング処理を２回行うことから、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれ異なる角度となる場合がある。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３は同じ角度であってもよい。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれテーパ角θ１よりも小さい角度となる場合がある。

絶縁層１２７は、マスク層１１８Ｒの側面の少なくとも一部、及び、マスク層１１８Ｇの側面の少なくとも一部を覆うことがある。例えば、図５Ｂでは、絶縁層１２７が、１回目のエッチング処理によって形成されたマスク層１１８Ｇの端部に位置する傾斜面を接して覆い、２回目のエッチング処理によって形成されたマスク層１１８Ｇの端部に位置する傾斜面は露出している例を示す。この２つの傾斜面はテーパ角が異なることから区別できることがある。また、２回のエッチング処理で形成される側面のテーパ角にほとんど差がなく、区別できないこともある。

また、図６Ａ及び図６Ｂは、図５Ａ及び図５Ｂに示す構成の変形例であり、絶縁層１２７が、マスク層１１８Ｒの側面全体、及びマスク層１１８Ｇの側面全体を覆う例を示す。具体的には、図６Ｂにおいて、絶縁層１２７は、上記の２つの傾斜面の双方に接して覆っている。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸をより低減することができ好ましい。図６Ｂでは、絶縁層１２７の端部が、マスク層１１８Ｇの端部よりも外側に位置する例を示す。絶縁層１２７の端部は、図６Ｂに示すように、マスク層１１８Ｇの端部の内側に位置していてもよく、マスク層１１８Ｇの端部と揃っている、又は概略揃っていてもよい。また、図６Ｂに示すように、絶縁層１２７は、ＥＬ層１１３Ｇと接することがある。

また、図７Ａ及び図８Ａは、図５Ａに示す構成の変形例であり、図７Ｂ及び図８Ｂは、図５Ｂに示す構成の変形例である。図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、及び図８Ｂには、絶縁層１２７が側面に凹曲面形状（くびれた部分、凹部、へこみ、又はくぼみ等ともいう）を有する例を示す。絶縁層１２７の材料及び形成条件（加熱温度、加熱時間、及び加熱雰囲気等）によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。

図７Ａ及び図７Ｂは、絶縁層１２７がマスク層１１８Ｇの側面の一部を覆い、マスク層１１８Ｇの側面の残りの部分が露出している例を示す。図８Ａ及び図８Ｂは、絶縁層１２７が、マスク層１１８Ｇの側面全体に接して覆っている例である。

図６Ｂ、図７Ｂ、及び図８Ｂに示す構成においても、テーパ角θ１乃至テーパ角θ３はそれぞれ、上記の範囲であると好ましい。

また、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、及び図８Ａに示すように、絶縁層１２７の一方の端部が導電層１１１Ｒの上面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が導電層１１１Ｇの上面と重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層１２７の端部をＥＬ層１１３Ｒ及びＥＬ層１１３Ｇの概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層１２７、絶縁層１２５、及びマスク層１１８のテーパ形状を形成することがそれぞれ比較的容易になる。また、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、ＥＬ層１１３Ｒ、及びＥＬ層１１３Ｇの膜剥がれを抑制できる。一方で、画素電極の上面と絶縁層１２７とが重なる部分が小さいほど発光素子の発光領域が広くなり、開口率を高めることができ、好ましい。

上記のように、図５乃至図８に示す各構成では、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８Ｒ、及びマスク層１１８Ｇを設けることにより、ＥＬ層１１３Ｒの概略平坦な領域からＥＬ層１１３Ｇの概略平坦な領域まで、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性高く形成することができる。そして、共通層１１４及び共通電極１１５に分断された箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを抑制することができる。よって、発光素子１３０間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、表示装置１００は、表示品位が高い表示装置とすることができる。

図９Ａ、及び図９Ｂは、図５Ａに示す構成の変形例である。図９Ａには、絶縁層１０５の側面、具体的には導電層１１１と重なる領域と重ならない領域の境界における絶縁層１０５の側面（図９Ａにおいて破線で囲った部分）が垂直である例を示している。図９Ｂには、絶縁層１２７の上面が、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり凹曲面を有する形状を有する例を示している。また、図９Ｂに示すように絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とすることで、絶縁層１２７の応力を緩和することができる。より具体的には、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とすることで、絶縁層１２７の端部に生じる局所的な応力を緩和し、ＥＬ層１１３Ｒ及びＥＬ層１１３Ｇと、マスク層１１８Ｒ及びマスク層１１８Ｇとの間の膜剥がれ、マスク層１１８Ｒ及びマスク層１１８Ｇと、絶縁層１２５との間の膜剥がれ、及び絶縁層１２５と、絶縁層１２７との間の膜剥がれのいずれか一又は複数を抑制することができる。

また、図９Ｂに示すような絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とするには、多階調マスク、代表的にはハーフトーンマスク又はグレートーンマスクを用いて露光すればよい。なお、多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。１枚のフォトマスク（一度の露光及び現像工程）により、複数（代表的には二種類）の厚さの領域を有する絶縁層１２７を形成することが可能である。又は、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とするには、凹曲面に位置するマスクの線幅を、露光部分の線幅よりも小さくすることで、複数の厚さの領域を有する絶縁層１２７を形成することができる。

なお、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成の形成方法としては、上記に限定されない。例えば、２枚のフォトマスクを用いて、露光部分と、中間露光部分と、を分けて作製してもよい。又は、絶縁層１２７に用いる樹脂材料の粘度を調整する、具体的には、絶縁層１２７に用いる材料の粘度を１０ｃＰ以下、好ましくは１ｃＰ以上５ｃＰ以下とすればよい。

なお、図９Ｂにおいては、図示していないが、絶縁層１２７の中央部の凹曲面は、必ずしも連続している必要はなく、隣接する発光素子の間で途切れていてもよい。この場合、図９Ｂに示す絶縁層１２７の中央部において、絶縁層１２７の一部が消失し、絶縁層１２５の表面が露出する構成となる。当該構成とする場合においては、絶縁層１２７の形状は、共通層１１４、及び共通電極１１５が絶縁層１２７を被覆できるようにすればよい。

［構成例２］
図１０は、図２Ａに示す構成の変形例であり、マスク層１１８Ｒの端部が、ＥＬ層１１３Ｒの端部の他、導電層１１２Ｒの端部と揃っている、又は概略揃っている例を示している。つまり、図１０は、導電層１１２Ｒの端部がＥＬ層１１３Ｒの端部と揃っている、又は概略揃っている例を示している。同様に、図１０に示す例では、マスク層１１８Ｇの端部が、ＥＬ層１１３Ｇの端部の他、導電層１１２Ｇの端部と揃っている、又は概略揃っており、マスク層１１８Ｂの端部が、ＥＬ層１１３Ｂの端部の他、導電層１１２Ｂの端部と揃っている、又は概略揃っている。つまり、図１０に示す例では、導電層１１２Ｇの端部がＥＬ層１１３Ｇの端部と揃っている、又は概略揃っており、導電層１１２Ｂの端部がＥＬ層１１３Ｂの端部と揃っている、又は概略揃っている。さらに、図１０に示す例では、絶縁層１２５がＥＬ層１１３Ｒの側面、ＥＬ層１１３Ｇの側面、及びＥＬ層１１３Ｂの側面の他、導電層１１２Ｒの側面、導電層１１２Ｇの側面、及び導電層１１２Ｂの側面と接する領域を有している。

図１１Ａは、図１０に示す構成における、ＥＬ層１１３ＲとＥＬ層１１３Ｇの間の絶縁層１２７とその周辺の領域の断面拡大図であり、図５Ａに示す構成の変形例である。図１１Ａに示す例では、導電層１１２Ｒ上にＥＬ層１１３Ｒが設けられ、導電層１１２Ｇ上にＥＬ層１１３Ｇが設けられる。

図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、及び図１３Ｂは、それぞれ図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、及び図９Ｂに示す構成の変形例であり、図１０に示す構成を適用した例である。

［構成例３］
図１４は、図２Ａに示す構成の変形例であり、発光素子１３０にタンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）が適用される例を示す。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。各発光ユニットの間には、電荷発生層を設けることが好ましい。

図１４では、発光素子１３０に、２つの発光ユニットが積層された２段のタンデム構造が適用された場合の構成例を示している。図１４において、ＥＬ層１１３内の破線は電荷発生層を示している。なお、以降の図においても、ＥＬ層１１３が有する電荷発生層を破線で示す場合がある。

図１４に示す例では、ＥＬ層１１３は、電荷発生層より下層の第１の発光ユニットと、電荷発生層より上層の第２の発光ユニットと、を有する。発光素子１３０にタンデム構造を適用することで、発光に係る電流効率を高めることができるため、発光素子１３０の発光効率を高めることができる。又は、同じ発光輝度において、発光素子１３０に流れる電流密度を下げることができるため、発光素子１３０を有する表示装置１００の消費電力を低減することができる。また、発光素子１３０にタンデム構造を適用することで、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。なお、発光素子１３０には、３段以上のタンデム構造を適用してもよい。例えば、発光素子１３０に３段のタンデム構造を適用する場合、ＥＬ層１１３は、下から順に第１の発光ユニット、第１の電荷発生層、第２の発光ユニット、第２の電荷発生層、及び第３の発光ユニットが積層される構成とすることができる。

前述のように、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂは、少なくとも発光層を有する。例えば、ＥＬ層１１３Ｒが有する第１の発光ユニット、及び第２の発光ユニットは、それぞれ赤色の光を発する発光層を有する。また、ＥＬ層１１３Ｇが有する第１の発光ユニット、及び第２の発光ユニットは、それぞれ緑色の光を発する発光層を有する。さらに、ＥＬ層１１３Ｂが有する第１の発光ユニット、及び第２の発光ユニットは、それぞれ青色の光を発する発光層を有する。

また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが有する各発光ユニットは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

図１４に示す画素１０８において、例えば、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが有する第１の発光ユニットは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、ＥＬ層１１３が有する第１の発光ユニットは、例えば下から順に、正孔注入層及び正孔輸送層を有する第１の機能層と、発光層と、電子輸送層を有する第２の機能層と、が積層される構成とすることができる。また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが有する第２の発光ユニットは、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、ＥＬ層１１３が有する第２の発光ユニットは、例えば下から順に、正孔輸送層を有する第３の機能層と、発光層と、電子輸送層を有する第４の機能層と、が積層される構成とすることができる。

ここで、第１の発光ユニット、及び第２の発光ユニットは、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、第２の発光ユニットは、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。なお、第１の機能層は、正孔注入層又は正孔輸送層の一方を有し、他方を有さないとしてもよい。

また、例えば、発光素子１３０の画素電極が陰極として機能し、共通電極１１５が陽極として機能する場合、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが有する第１の発光ユニットは、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び正孔輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、ＥＬ層１１３が有する第１の発光ユニットは、例えば下から順に、電子注入層及び電子輸送層を有する第１の機能層と、発光層と、正孔輸送層を有する第２の機能層と、が積層される構成とすることができる。また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが有する第２の発光ユニットは、電子輸送層、発光層、及び正孔輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、ＥＬ層１１３が有する第２の発光ユニットは、例えば下から順に、電子輸送層を有する第３の機能層と、発光層と、正孔輸送層を有する第４の機能層と、が積層される構成とすることができる。

ここで、第１の発光ユニット、及び第２の発光ユニットは、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、第２の発光ユニットは、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。なお、第１の機能層は、電子注入層又は電子輸送層の一方を有し、他方を有さないとしてもよい。

なお、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能する場合、及び陰極として機能する場合のいずれであっても、第１の発光ユニットが第２の機能層を有さなくてもよい。さらに、第２の発光ユニットが、第３の機能層、又は第４の機能層の少なくとも一方を有さなくてもよい。

第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方又は双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光素子の信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方又は双方と、を有することが好ましい。

以上のように、発光素子１３０は、タンデム構造とすることができる。タンデム構造の発光素子１３０の詳細な構成については、実施の形態２を参照することができる。また、発光素子１３０がシングル構造及びタンデム構造のいずれであっても、発光素子１３０の構成及び材料は、実施の形態５を参照することができる。

図１５Ａは、図１４に示す構成における、ＥＬ層１１３ＲとＥＬ層１１３Ｇの間の絶縁層１２７とその周辺の領域の断面拡大図であり、図５Ａに示す構成の変形例である。

図１５Ａに示す例では、ＥＬ層１１３Ｒは、例えば発光ユニット１１３Ｒ１と、発光ユニット１１３Ｒ１上の電荷発生層１１３Ｒ２と、電荷発生層１１３Ｒ２上の発光ユニット１１３Ｒ３と、を有する。また、ＥＬ層１１３Ｇは、例えば発光ユニット１１３Ｇ１と、発光ユニット１１３Ｇ１上の電荷発生層１１３Ｇ２と、電荷発生層１１３Ｇ２上の発光ユニット１１３Ｇ３と、を有する。ここで、図１４に示すＥＬ層１１３Ｒにおいて破線で示している層が電荷発生層１１３Ｒ２に相当し、ＥＬ層１１３Ｇにおいて破線で示している層が電荷発生層１１３Ｇ２に相当する。

発光素子１３０Ｒ、及び発光素子１３０Ｇに２段のタンデム構造が適用されている場合、発光ユニット１１３Ｒ１、及び発光ユニット１１３Ｇ１は図１４で説明した第１の発光ユニットとすることができ、発光ユニット１１３Ｒ３、及び発光ユニット１１３Ｇ３は図１４で説明した第２の発光ユニットとすることができる。

図１５Ｂ、図１６Ａ、図１６Ｂ、及び図１７Ａは、それぞれ図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、及び図９Ｂに示す構成の変形例であり、図１４に示す構成を適用した例である。図１７Ｂは、図１５Ａに示す構成の変形例であり、絶縁層１２７の上面が、断面視において、平坦部を有する例を示している。

図１８Ａは、領域１４１、及び接続部１４０の構成例を示す断面図である。領域１４１において、絶縁層１０１上に導電層１０９が設けられ、絶縁層１０１上、及び導電層１０９上に絶縁層１０３が設けられる。導電層１０９は、図２Ａに示す導電層１０２と同一の工程で形成することができ、導電層１０２と同一の材料を有することができる。

領域１４１には、絶縁層１０５上のＥＬ層１１３Ｒと、絶縁層１０５上、及びＥＬ層１１３Ｒ層上のマスク層１１８Ｒと、マスク層１１８Ｒ上の絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、絶縁層１２７上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、共通電極１１５上の保護層１３１と、保護層１３１上の樹脂層１２２と、樹脂層１２２上の基板１２０と、が設けられる。領域１４１において、マスク層１１８Ｒは例えばＥＬ層１１３Ｒの端部を覆うように設けられる。なお、例えば表示装置１００の作製工程によっては、ＥＬ層１１３Ｒの代わりにＥＬ層１１３Ｇ、又はＥＬ層１１３Ｂが領域１４１に設けられる場合がある。また、マスク層１１８Ｒの代わりにマスク層１１８Ｇ、又はマスク層１１８Ｂが領域１４１に設けられる場合がある。

領域１４１に設けられるＥＬ層１１３Ｒは、共通電極１１５とは電気的に接続されない。よって、領域１４１に設けられるＥＬ層１１３Ｒは、電圧が印加されない構成とすることができるため、領域１４１に設けられるＥＬ層１１３Ｒは発光しない構成とすることができる。

領域１４１にＥＬ層１１３Ｒ及びマスク層１１８Ｒが設けられる構成の表示装置では、詳細は後述するが、表示装置の作製工程中に絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３の一部がエッチング等により除去され、導電層１０９が露出することを抑制することができる。これにより、導電層１０９が、意図せず他の電極、又は層等と接触することを抑制することができる。例えば、導電層１０９と共通電極１１５のショートを抑制することができる。以上より、表示装置１００は、信頼性が高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できる。

接続部１４０は、絶縁層１０５上の導電層１１１Ｃと、導電層１１１Ｃの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｃと、導電層１１２Ｃ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、共通電極１１５上の保護層１３１と、保護層１３１上の樹脂層１２２と、樹脂層１２２上の基板１２０と、を有する。また、導電層１１２Ｃの端部を覆うようにマスク層１１８Ｒが設けられ、マスク層１１８Ｒ上に絶縁層１２５、絶縁層１２７、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１３１がこの順で積層して設けられる。なお、マスク層１１８Ｒの代わりにマスク層１１８Ｇ、又はマスク層１１８Ｂが領域１４１に設けられる場合は、接続部１４０にもマスク層１１８Ｒの代わりにマスク層１１８Ｇ、又はマスク層１１８Ｂが設けられる。

接続部１４０において、導電層１１１Ｃ及び導電層１１２Ｃと、共通電極１１５と、が電気的に接続される。導電層１１１Ｃ及び導電層１１２Ｃは、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）（図示せず）と電気的に接続される。以上により、例えばＦＰＣに電源電位を供給することにより、導電層１１１Ｃ及び導電層１１２Ｃを介して共通電極１１５に電源電位を供給することができる。

ここで、共通層１１４の厚さ方向の電気抵抗が無視できる程度に小さい場合、導電層１１２Ｃと、共通電極１１５と、の間に共通層１１４が設けられる場合であっても、導電層１１１Ｃ及び導電層１１２Ｃと、共通電極１１５との導通を確保することができる。画素部１０７だけでなく、領域１４１及び接続部１４０にも共通層１１４を設けることで、例えば成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう。）も含めたメタルマスクを用いずに、共通層１１４を形成することができる。よって、表示装置１００の作製工程を簡略化することができる。

図１８Ｂは、図１８Ａに示す構成の変形例であり、接続部１４０に共通層１１４を設けない例を示している。図１８Ｂに示す例では、導電層１１２Ｃと、共通電極１１５と、が接する構成とすることができる。これにより、導電層１１２Ｃと共通電極１１５との間の電気抵抗を小さくすることができる。なお、図１８Ｂでは、領域１４１において、ＥＬ層１１３Ｒと重なる領域には共通層１１４が設けられ、ＥＬ層１１３Ｒと重ならない領域には共通層１１４が設けられない構成を示しているが、これに限られない。例えば、領域１４１において、ＥＬ層１１３Ｒと重なる領域に共通層１１４が設けられなくてもよいし、ＥＬ層１１３Ｒと重ならない領域に共通層１１４が設けられてもよい。

図１８Ｃ、及び図１８Ｄは、それぞれ図１８Ａ、及び図１８Ｂに示す構成の変形例であり、導電層１１２Ｃが接続部１４０だけでなく、領域１４１にも設けられる例を示している。図１８Ｃ、及び図１８Ｄに示す例では、領域１４１には、絶縁層１０５上に導電層１１２Ｃが設けられ、導電層１１２Ｃ上にＥＬ層１１３Ｒが設けられ、導電層１１２Ｃ上、及びＥＬ層１１３Ｒ上にマスク層１１８Ｒが設けられる。また、接続部１４０には、導電層１１２Ｃ上にマスク層１１８Ｒが設けられる。

図１８Ｅ、及び図１８Ｆは、それぞれ図１８Ａ、及び図１８Ｂに示す構成の変形例であり、ＥＬ層１１３Ｒにタンデム構造が適用されている例を示している。

［構成例４］
図１９Ａは、図２Ａに示す構成の変形例であり、副画素１１０Ｒが着色層１３２Ｒを有し、副画素１１０Ｇが着色層１３２Ｇを有し、副画素１１０Ｂが着色層１３２Ｂを有する例を示す。

図１９Ａに示すように、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、保護層１３１上に設けることができる。この場合、保護層１３１は平坦化されていることが好ましいが、平坦化されていなくてもよい。

図１９Ａに示す例では、副画素１１０Ｒが有する発光素子１３０、副画素１１０Ｇが有する発光素子１３０、及び副画素１１０Ｂが有する発光素子１３０は、いずれも同一色の光を発することができ、例えば白色光を発することができる。この場合であっても、例えば着色層１３２Ｒが赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇが緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂが青色の光を透過することにより、図１９Ａに示す構成を有する表示装置１００はフルカラー表示を行うことができる。なお、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、又は着色層１３２Ｂは、シアン、マゼンタ、黄色、白色、又は赤外等の光を透過してもよい。また、発光素子１３０が、例えば赤外光を発してもよい。

図１９Ａに示す構成を有する表示装置１００は、ＥＬ層１１３を色ごとに作り分ける必要が無いため、表示装置１００の作製工程を簡略化できる。よって、表示装置１００の作製コストを低減し、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。

隣接する着色層１３２は、絶縁層１２７上において重なる領域を有する。例えば、図１９Ａに示す断面において、着色層１３２Ｇの一方の端部は着色層１３２Ｒと重なり、着色層１３２Ｇの他方の端部は着色層１３２Ｂと重なる。これにより、発光素子１３０が発する光の、隣接する副画素１１０への光漏れを抑制できる。よって、例えば副画素１１０Ｇに設けられる発光素子１３０が発する光が、着色層１３２Ｒ、及び着色層１３２Ｂに入射することを抑制できる。したがって、表示装置１００を、表示品位が高い表示装置とすることができる。

図１９Ｂは、図１９Ａに示す２つのＥＬ層１１３の間の絶縁層１２７とその周辺の領域の断面拡大図である。なお、図１９Ｂは、導電層１１２として導電層１１２Ｒ及び導電層１１２Ｇを示している。また、図１９Ｂに示すマスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７等の形状は、図５Ａと同様としている。

図１９Ａ、及び図１９Ｂに示すように、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂのそれぞれの膜厚は異ならせることができる。例えば、着色層１３２が透過する色の光を強める光路長に対応して膜厚を設定することが好ましい。例えば、着色層１３２Ｒが赤色の光を透過する場合は、赤色の光を強めるように導電層１１２Ｒの膜厚を設定し、着色層１３２Ｇが緑色の光を透過する場合は、緑色の光を強めるように導電層１１２Ｇの膜厚を設定し、着色層１３２Ｂが青色の光を透過する場合は、青色の光を強めるように導電層１１２Ｂの膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、副画素１１０から射出される光の色純度を高めることができる。なお、例えば図２Ａに示す構成においても、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂのそれぞれの膜厚を異ならせてもよい。この場合、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの膜厚を全て同一としても、マイクロキャビティ構造を実現することができる。

図１９Ｂでは、発光素子１３０をシングル構造としているが、タンデム構造としてもよい。図２０Ａは、ＥＬ層１１３が発光ユニット１１３ａ１と、発光ユニット１１３ａ１上の電荷発生層１１３ｂ１と、電荷発生層１１３ｂ１上の発光ユニット１１３ｃ１と、を有する例を示している。図２０Ａに示すＥＬ層１１３を有する発光素子１３０は、２段タンデム構造である。発光素子１３０にタンデム構造を適用することで、発光に係る電流効率を高めることができるため、発光素子１３０の発光効率を高めることができる。又は、同じ発光輝度において、発光素子１３０に流れる電流密度を下げることができるため、発光素子１３０を有する表示装置１００の消費電力を低減することができる。また、発光素子１３０にタンデム構造を適用することで、発光素子１３０の信頼性を高めることができる。

発光ユニット１１３ａ１、及び発光ユニット１１３ｃ１は、少なくとも１層の発光層を有する。発光ユニット１１３ａ１が発する光の色と、発光ユニット１１３ｃ１が発する光の色と、は異ならせることができる。

本明細書等において、発光ユニットが有する発光層が発する光のことを、発光ユニットが発する光という。

発光ユニット１１３ａ１が有する発光層が発する光の色と、発光ユニット１１３ｃ１が有する発光層が発する光の色と、は例えば補色の関係とすることができる。例えば、発光ユニット１１３ａ１又は発光ユニット１１３ｃ１の一方が青色の光を発し、発光ユニット１１３ａ１又は発光ユニット１１３ｃ１の他方が黄色の光を発することができる。例えば、発光ユニット１１３ａ１又は発光ユニット１１３ｃ１の一方が青色の光を発し、発光ユニット１１３ａ１又は発光ユニット１１３ｃ１の他方が赤色と緑色の光を発することができる。例えば、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、発光ユニット１１３ａ１が青色の光を発することができる。以上により、発光素子１３０は白色の光を発することができる。

また、発光ユニット１１３ａ１、及び発光ユニット１１３ｃ１は、それぞれ、発光層に加えて正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。つまり、発光ユニット１１３ａ１、及び発光ユニット１１３ｃ１は、機能層を有してもよい。発光ユニット１１３ａ１、及び発光ユニット１１３ｃ１以外の発光ユニットにおいても同様の構成とすることができる。

例えば、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、発光ユニット１１３ａ１は、例えば下から順に、正孔注入層及び正孔輸送層を有する第１の機能層と、発光層と、電子輸送層を有する第２の機能層と、が積層される構成とすることができる。また、発光ユニット１１３ｃ１は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、発光ユニット１１３ｃ１は、例えば下から順に、正孔輸送層を有する第３の機能層と、発光層と、電子輸送層を有する第４の機能層と、が積層される構成とすることができる。

ここで、発光ユニット１１３ａ１、及び発光ユニット１１３ｃ１は、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、発光ユニット１１３ｃ１は、電子輸送層と共通電極１１５の間に電子注入層を有していてもよい。なお、第１の機能層は、正孔注入層又は正孔輸送層の一方を有し、他方を有さないとしてもよい。

また、例えば、発光素子１３０の画素電極が陰極として機能し、共通電極１１５が陽極として機能する場合、発光ユニット１１３ａ１は、例えば下から順に、電子注入層及び電子輸送層を有する第１の機能層と、発光層と、正孔輸送層を有する第２の機能層と、が積層される構成とすることができる。また、発光ユニット１１３ｃ１は、電子輸送層、発光層、及び正孔輸送層をこの順で有していてもよい。つまり、発光ユニット１１３ｃ１は、例えば下から順に、電子輸送層を有する第３の機能層と、発光層と、正孔輸送層を有する第４の機能層と、が積層される構成とすることができる。

ここで、発光ユニット１１３ａ１、及び発光ユニット１１３ｃ１は、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、発光ユニット１１３ｃ１は、正孔輸送層と共通電極１１５の間に正孔注入層を有していてもよい。なお、第１の機能層は、電子注入層又は電子輸送層の一方を有し、他方を有さないとしてもよい。

なお、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能する場合、及び陰極として機能する場合のいずれであっても、発光ユニット１１３ａ１が第２の機能層を有さなくてもよい。さらに、発光ユニット１１３ｃ１が、第３の機能層、又は第４の機能層の少なくとも一方を有さなくてもよい。

電荷発生層１１３ｂ１は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層１１３ｂ１は、発光素子１３０の画素電極と共通電極１１５の間に電圧を印加した場合に、発光ユニット１１３ａ１又は発光ユニット１１３ｃ１の一方に電子を注入し、発光ユニット１１３ａ１又は発光ユニット１１３ｃ１の他方に正孔を注入する機能を有する。

図２０Ｂは、ＥＬ層１１３が発光ユニット１１３ａ２と、発光ユニット１１３ａ２上の電荷発生層１１３ｂ２と、電荷発生層１１３ｂ２上の発光ユニット１１３ｃ２と、発光ユニット１１３ｃ２上の電荷発生層１１３ｄと、電荷発生層１１３ｄ上の発光ユニット１１３ｅと、を有する例を示している。図２０Ｂに示すＥＬ層１１３を有する発光素子１３０は、３段タンデム構造である。タンデム構造の段数を増やすことにより、発光素子１３０の発光に係る電流効率を好適に高めることができるため、発光素子１３０の発光効率を好適に高めることができる。又は、同じ発光輝度において、発光素子１３０に流れる電流密度を好適に下げることができるため、発光素子１３０を有する表示装置１００の消費電力を好適に低減することができる。さらに、発光素子１３０の信頼性を好適に高めることができる。なお、発光素子１３０は、４段以上のタンデム構造としてもよい。

発光ユニット１１３ａ２、発光ユニット１１３ｃ２、及び発光ユニット１１３ｅは、少なくとも１層の発光層を有する。発光ユニット１１３ａ２、発光ユニット１１３ｃ２、及び発光ユニット１１３ｅのうち少なくとも１つの発光ユニットが発する光の色は、他の発光ユニットが発する光の色と異ならせることができる。例えば、発光ユニット１１３ａ２、発光ユニット１１３ｃ２、及び発光ユニット１１３ｅのうち少なくとも１つの発光ユニットが発する光の色は、他の発光ユニットが発する光の色の補色とすることができる。

例えば、発光ユニット１１３ａ２、及び発光ユニット１１３ｅは青色の光を発し、発光ユニット１１３ｃ２は黄色、黄緑色、又は緑色の光を発することができる。例えば、発光ユニット１１３ａ２、及び発光ユニット１１３ｅは青色の光を発し、発光ユニット１１３ｃ２は赤色、緑色、及び黄緑色の光を発することができる。以上により、発光素子１３０は白色の光を発することができる。

電荷発生層１１３ｂ２、及び電荷発生層１１３ｄは、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層１１３ｂ２は、発光素子１３０の画素電極と共通電極１１５の間に電圧を印加した場合に、発光ユニット１１３ａ２又は発光ユニット１１３ｃ２の一方に電子を注入し、発光ユニット１１３ａ２又は発光ユニット１１３ｃ２の他方に正孔を注入する機能を有する。電荷発生層１１３ｄは、発光素子１３０の画素電極と共通電極１１５の間に電圧を印加した場合に、発光ユニット１１３ｃ２又は発光ユニット１１３ｅの一方に電子を注入し、発光ユニット１１３ｃ２又は発光ユニット１１３ｅの他方に正孔を注入する機能を有する。

図２１Ａは、図１０に示す構成の変形例であり、副画素１１０Ｒが着色層１３２Ｒを有し、副画素１１０Ｇが着色層１３２Ｇを有し、副画素１１０Ｂが着色層１３２Ｂを有する例を示す。つまり、図２１Ａは、図１０に示す構成例と、図１９Ａに示す構成例と、を組み合わせた例である。

図２１Ｂは、図２１Ａに示す２つのＥＬ層１１３の間の絶縁層１２７とその周辺の領域の断面拡大図である。なお、図２１Ｂは、導電層１１２として導電層１１２Ｒ及び導電層１１２Ｇを示している。また、図２１Ｂに示すマスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７等の形状は、図１１Ａと同様としている。

本発明の一態様の表示装置は、発光素子ごとにＥＬ層が島状に設けられることで、副画素間に横リーク電流が発生することを抑制できる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを抑制することができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、隣り合う島状のＥＬ層の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層を設けることで、共通電極の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを抑制することができる。これにより、共通層及び共通電極において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

次に、本発明の一態様の表示装置の発光領域について、図面を用いて説明を行う。

［構成例５］
図２２Ａは、図１９Ａに示す構成の変形例である。なお、図２２Ａでは、例えば先に記載のマイクロキャビティ構造を省略して図示し、且つ図１９Ａに示す、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ近傍を拡大した断面図を示す。また、図２２Ｂは、表示装置の発光領域を説明する参考断面図である。なお、図２２Ａ、及び図２２Ｂでは、着色層１３２、及びプラグ１０６等を省略して図示している。

図２２Ａでは、図１９Ａで説明した構成に加え、表示装置の発光領域を説明するために、領域１８０、及び領域１８２を図示している。領域１８０は、表示装置の発光領域としての機能を有し、領域１８２は、表示装置の非発光領域としての機能を有する。

なお、表示装置の発光領域では、一対の電極間（上下電極間、陽極と陰極との間ともいう）にＥＬ層が設けられる。当該ＥＬ層は、島状のＥＬ層１１３の他、共通層１１４を有する。また、図２２Ａにおいて、ＥＬ層１１３は、正孔注入層１１３−１と、正孔輸送層１１３−２と、発光層１１３−３と、電子輸送層１１３−４と、を有する構成を例示している。また、図２２Ａにおいては、共通層１１４は、電子注入層として機能する。

また、図２２Ｂは、表示装置の一態様を示す断面図である。図２２Ｂに示す表示装置は、絶縁層１０５と、絶縁層１０５上の導電層１１１Ｒと、絶縁層１０５上の導電層１１１Ｇと、導電層１１１Ｒ上の導電層１１２Ｒと、導電層１１１Ｇ上の導電層１１２Ｇと、絶縁層１０５、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１２Ｒ、及び導電層１１２Ｇと接する絶縁層１２７ｂと、絶縁層１２７ｂ、導電層１１２Ｒ、及び導電層１１２Ｇと接するＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、共通電極１１５上の保護層１３１と、を有する。

図２２Ｂに示す表示装置の発光領域には、一対の電極間にＥＬ層として、ＥＬ層１１３と共通層１１４が設けられる。図２２Ｂに示すＥＬ層１１３は、図２２Ａとは異なり、複数の発光素子が共有する一続きの膜である。なお、図２２Ｂにおいて、ＥＬ層１１３は、正孔注入層１１３−１と、正孔輸送層１１３−２と、発光層１１３−３と、電子輸送層１１３−４と、を有する構成を例示している。また、図２２Ｂにおいては、共通層１１４は、電子注入層として機能する。

図２２Ｂにおいて、絶縁層１２７ｂは、導電層１１１Ｒの側面と、導電層１１１Ｇの側面と、導電層１１２Ｒの側面及び上面の一部と、導電層１１２Ｇの側面及び上面の一部と、を覆うように設けられる。このように絶縁層１２７ｂは、導電層の側面、及び導電層の上面の一部を覆う構造体（土手ともいう）としての機能を有する。すなわち、絶縁層１２７ｂは、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１２Ｒ、及び導電層１１２Ｇと接する領域を有するように設けられる。

図２２Ｂでは、領域１８４、及び領域１８６を図示している。領域１８４は、表示装置の発光領域としての機能を有し、領域１８６は、表示装置の非発光領域としての機能を有する。

図２２Ａに示すように、本発明の一態様の表示装置においては、発光素子ごとにＥＬ層１１３（ここでは、正孔注入層１１３−１、正孔輸送層１１３−２、発光層１１３−３、及び電子輸送層１１３−４）が島状に設けられることで、副画素間に横リーク電流が発生することを抑制できる。特に、ＥＬ層１１３が有する正孔注入層１１３−１が島状に設けられることにより、好適に副画素間の横リーク電流を低減させることができる。なお、正孔注入層１１３−１は、ＥＬ層１１３において、他の層に比較し導電性が高い層であるため、図２２Ａに示すように、少なくとも正孔注入層１１３−１は隣接する副画素間で分離されている構成が好ましい。

また、図２２Ａでは、発光領域として機能する領域１８０において、ＥＬ層（ＥＬ層１１３、及び共通層１１４）の中央部における一対の電極間の距離（Ｄ_１と図示する）と、ＥＬ層（ＥＬ層１１３、及び共通層１１４）の端部における一対の電極間の距離（Ｄ_２と図示する）と、の差が小さいことが好ましい。より具体的には、ＥＬ層の端部における一対の電極間の距離（Ｄ_２）は、ＥＬ層の中央部における一対の電極間の距離（Ｄ_１）に対して、±１０％未満であることが好ましく、±３％未満であることがより好ましい。ＥＬ層の中央部における一対の電極間の距離（Ｄ_１）と、ＥＬ層の端部における一対の電極間の距離（Ｄ_２）との差を小さくする、又は差を無くすことで、発光領域において均等な発光を得ることができる。

一方で、図２２Ｂに示すように、ＥＬ層１１３が隣接する副画素間で共通して設けられる構成、特に正孔注入層１１３−１が隣接する副画素間で共通して用いられる場合、非発光領域として機能する領域１８６の一部、又は全部が発光する可能性がある。換言すると、副画素間に横リーク電流が発生する可能性がある。また、図２２Ｂでは、発光領域として機能する領域１８４において、ＥＬ層（ＥＬ層１１３、及び共通層１１４）の中央部における一対の電極間の距離（Ｄ_３と図示する）と、ＥＬ層（ＥＬ層１１３、及び共通層１１４）の端部における一対の電極間の距離（Ｄ_４と図示する）と、の差が、上述のＤ_１とＤ_２との差よりも大きくなる。

なお、図２２Ｂでは、非発光領域として機能する領域１８６における一対の電極間の距離（Ｄ_５と図示する）は、ＥＬ層の端部における一対の電極間の距離（Ｄ_４）よりも大きくなる。なお、領域１８６における一対の電極間の距離（Ｄ_５）は、ＥＬ層１１３の膜厚と、共通層１１４の膜厚と、絶縁層１２７ｂの端部の膜厚と、を合わせた値となる。例えば、非発光領域として機能する領域１８６の一部が発光した場合、領域１８６における一対の電極間の距離（Ｄ_５）において、光が共振するために、発光領域として機能する領域１８４における光の共振の距離と異なる。よって、領域１８６が発光する場合においては、領域１８４と、光の共振の距離が変わるため、輝度、色度、及び発光方向のいずれか一又は複数が、領域１８６と領域１８４とで異なる。また、発光領域として機能する領域１８４と、非発光領域として機能する領域１８６との、発光が混在した場合、発光スペクトルがブロードになる、又は発光スペクトルに複数のピークを有する形状となる場合がある。一方で、図２２Ａに示す構成においては、非発光領域からの発光が抑えられた構成であるため、発光スペクトルがブロードになる、又は発光スペクトルが複数のピークを有する形状となることを抑制できる。

また、表示装置において、高輝度（例えば、１００００ｃｄ／ｍ^２）と低輝度（例えば、１００ｃｄ／ｍ^２）で色度が変わらない構成が好ましい。このためには、図２２Ａに示す構造の方が図２２Ｂに示す構造よりも好適である。

図２３は、図２１Ａに示す構成の変形例である。なお、図２３では、例えば先に記載のマイクロキャビティ構造を省略して図示し、且つ図２１Ａに示す、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ近傍を拡大した断面図を示す。つまり、図２３は、図２１Ａに示す構成と図２２Ａに示す構成を組み合わせた例である。

［作製方法例１］
以下では、図２Ａに示す構成、及び図１８Ａに示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を、図面を用いて説明する。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び熱ＣＶＤ法等が挙げられる。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

特に、発光素子の作製には、蒸着法等の真空プロセス、及び、スピンコート法又はインクジェット法等の溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、及び真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ法）、並びに、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層は、蒸着法（例えば真空蒸着法）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、又はスプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、又はマイクロコンタクト法等）等の方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工することができる。又は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、又はリフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、及び現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法における露光では、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）、又はＸ線を用いて露光を行ってもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線、又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。

図２Ａに示す構成、及び図１８Ａに示す構成を有する表示装置１００を作製するには、まず、図２４Ａに示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１０１を形成する。続いて、絶縁層１０１上に導電層１０２、及び導電層１０９を形成し、導電層１０２、及び導電層１０９を覆うように絶縁層１０１上に絶縁層１０３を形成する。続いて、絶縁層１０３上に絶縁層１０４を形成し、絶縁層１０４上に絶縁層１０５を形成する。

基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、又はＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

なお、図２４Ａでは、Ａ１−Ａ２間の断面図と、Ｂ１−Ｂ２間の断面図と、を並べて示している。表示装置の作製方法例を説明する以降の図においても同様である。

続いて、図２４Ａに示すように、絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３に、導電層１０２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１０６を形成する。

続いて、図２４Ａに示すように、プラグ１０６上、及び絶縁層１０５上に、後に導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃとなる導電膜１１１ｆを形成する。導電膜１１１ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１１１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。

導電膜１１１ｆは、下から順に後に導電層１１１ａとなる膜と、後に導電層１１１ｂとなる膜と、後に導電層１１１ｃとなる膜と、の３層積層構造とすることができる。又は、導電膜１１１ｆは、下から順に後に導電層１１１ａとなる膜と、後に導電層１１１ｂとなる膜と、の２層積層構造とすることができる。例えば、導電層１１１ａとなる膜としてチタンを用い、導電層１１１ｂとなる膜としてアルミニウムを用い、導電層１１１ｃとなる膜としてチタンを用いることができる。又は、導電膜１１１ｆを単層構造とすることができる。

続いて、図２４Ｂに示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜１１１ｆを加工し、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃを形成する。具体的には、例えばレジストマスクの形成後、エッチング法により導電膜１１１ｆの一部を除去する。導電膜１１１ｆとして金属材料を用いる場合、導電膜１１１ｆは例えばドライエッチング法により除去することができる。ここで、例えば導電膜１１１ｆの一部をドライエッチング法により除去する場合、絶縁層１０５の導電層１１１と重ならない領域に凹部が形成される場合がある。

導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃは、図２Ｂ１、図２Ｂ２、及び図４Ｃに示すように、導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の導電層１１１ｂと、導電層１１１ｂ上の導電層１１１ｃの３層積層構造とすることができる。また、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃは、図３Ａ、図３Ｂ、及び図４Ｂに示すように、導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の導電層１１１ｂと、の２層積層構造とすることができる。さらに、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃは、図４Ａに示すように単層構造とすることができる。

続いて、図２４Ｃに示すように、導電層１１１Ｒ上、導電層１１１Ｇ上、導電層１１１Ｂ上、導電層１１１Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、後に導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂ、及び導電層１１２Ｃとなる導電膜１１２ｆを形成する。導電膜１１２ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。

図２Ｂ１、及び図３Ａに示す構成の導電層１１２を形成する場合、導電膜１１２ｆとして、例えば導電性酸化物を用いることができる。また、図２Ｂ２、及び図３Ｂに示す構成の導電層１１２を形成する場合、導電膜１１２ｆは、下から順に後に導電層１１２ａとなる膜と、後に導電層１１２ｂとなる膜と、の２層積層構造とすることができる。例えば、導電層１１２ａとなる膜としてチタン、銀、又は銀を含む合金等の金属材料を用い、導電層１１２ｂとなる膜として導電性酸化物を用いることができる。さらに、図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃに示す構成の導電層１１２を形成する場合、導電膜１１２ｆは、下から順に後に導電層１１２ａとなる膜と、後に導電層１１２ｂとなる膜と、後に導電層１１２ｃとなる膜と、の３層積層構造とすることができる。例えば、導電層１１２ａとなる膜として導電性酸化物を用い、導電層１１２ｂとなる膜として銀、又は銀を含む合金を用い、導電層１１２ｃとなる膜として導電性酸化物を用いることができる。

また、導電膜１１２ｆの形成には、ＡＬＤ法を用いることができる。ここで、導電膜１１２ｆとして、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。この場合、プリカーサ（一般的には、前駆体、又は金属プリカーサ等と呼ばれる場合がある）の導入、当該プリカーサのパージ、酸化剤（一般的には、反応剤、リアクタント、又は非金属プリカーサ等と呼ばれる場合がある）の導入、及び当該酸化剤のパージを１サイクルとして、当該サイクルを繰り返し行うことにより導電膜１１２ｆを形成することができる。ここで、インジウム錫酸化物等、複数種の金属が含まれる酸化物膜を導電膜１１２ｆとして形成する場合、プリカーサの種類ごとにサイクル数を異ならせることにより、金属の組成を制御することができる。

例えば、導電膜１１２ｆとしてインジウム錫酸化物膜を成膜する場合、インジウムを含むプリカーサの導入後、当該プリカーサをパージし酸化剤を導入してＩｎ−Ｏ膜を形成し、次に錫を含むプリカーサの導入後、当該プリカーサをパージし酸化剤を導入してＳｎ−Ｏ膜を形成する。ここで、Ｉｎ−Ｏ膜形成のサイクル数を、Ｓｎ−Ｏ膜形成のサイクル数より多くすることにより、導電膜１１２ｆに含まれるＩｎの原子数を、Ｓｎの原子数より多くすることができる。

また、例えば導電膜１１２ｆとして酸化亜鉛膜を成膜する場合、Ｚｎ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１１２ｆとしてアルミニウム亜鉛酸化物膜を成膜する場合、Ｚｎ−Ｏ膜、及びＡｌ−Ｏ膜をそれぞれ上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１１２ｆとして酸化チタン膜を成膜する場合、Ｔｉ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１１２ｆとしてシリコンを含むインジウム錫酸化物膜を成膜する場合、Ｉｎ−Ｏ膜、Ｓｎ−Ｏ膜、及びＳｉ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１１２ｆとしてガリウムを含む酸化亜鉛膜を成膜する場合、Ｇａ−Ｏ膜、及びＺｎ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。

インジウムを含むプリカーサとして、例えばトリエチルインジウム、トリメチルインジウム、又は［１，１，１−トリメチル−Ｎ−（トリメチルシリル）アミド］−インジウムを用いることができる。錫を含むプリカーサとして、例えば塩化錫、又はテトラキス（ジメチルアミド）錫を用いることができる。亜鉛を含むプリカーサとして、例えばジエチル亜鉛、又はジメチル亜鉛を用いることができる。ガリウムを含むプリカーサとして、例えばトリエチルガリウムを用いることができる。チタンを含むプリカーサとして、例えば塩化チタン、テトラキス（ジメチルアミド）チタン、又はチタン酸テトライソプロピルを用いることができる。アルミニウムを含むプリカーサとして、例えば塩化アルミニウム、又はトリメチルアルミニウムを用いることができる。シリコンを含むプリカーサとして、例えばトリシリルアミン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン、又はビス（エチルメチルアミノ）シランを用いることができる。また、酸化剤として、例えば水蒸気、酸素プラズマ、又はオゾンガスを用いることができる。

ここで、例えば導電層１１１の形成後、且つ導電膜１１２ｆの形成前に、導電層１１１の表面が酸化する場合がある。例えば、導電層１１１を形成した後に大気開放することにより、大気中に含まれる酸素に起因して導電層１１１の表面が酸化する場合がある。ここで、導電層１１１の最も上層に、酸化により電気抵抗率が上昇する金属を用いる場合、導電層１１１と導電層１１２の接触界面における電気抵抗が、導電層１１１の表面が酸化していない場合より大きくなる場合がある。これにより、作製された表示装置に不良が発生し、信頼性が低い表示装置となる場合がある。

よって、導電層１１１の形成後、且つ導電膜１１２ｆの形成前に、導電層１１１の表面の酸化物を除去することが好ましい。そして、酸化物を除去した後、大気開放せずに導電膜１１２ｆを成膜することが好ましい。これにより、導電層１１１と導電層１１２の接触界面における電気抵抗を小さくすることができる。よって、表示装置１００に不良が発生することを抑制し、表示装置１００を信頼性が高い表示装置とすることができる。導電層１１１の表面の酸化物は、例えば逆スパッタリング法により除去することができる。

逆スパッタリング法とは、通常のスパッタリングにおいてはスパッタターゲットにイオンを衝突させるところを、逆に、被処理面にイオンを衝突させることによって被処理面を改質する方法のことをいう。被処理面にイオンを衝突させる方法としては、例えばアルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中で被処理面側に高周波電圧を印加して、被処理面付近にプラズマを生成する方法がある。なお、第１８族元素を含むガス雰囲気に代えて、窒素又は酸素等を含む雰囲気を適用してもよい。逆スパッタリング法で用いる装置は、スパッタリング装置に限定されず、プラズマＣＶＤ装置、又はドライエッチング装置等で同様の処理を行うことができる。

続いて、図２４Ｄに示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜１１２ｆを加工し、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂ、及び導電層１１２Ｃを形成する。具体的には、例えばレジストマスクの形成後、エッチング法により導電膜１１２ｆの一部を除去する。導電膜１１２ｆとして導電性酸化物を用いる場合、導電膜１１２ｆは例えばウェットエッチング法により除去することができる。導電層１１２は、導電層１１１の上面及び側面を覆うように形成される。なお、例えば導電層１１２を図２Ｂ２に示す構成とし、導電層１１２ａとして金属材料を用い、導電層１１２ｂとして導電性酸化物を用いる場合、導電層１１２ｂとなる導電膜の一部をウェットエッチング法により除去した後、導電層１１２ａとなる導電膜の一部をドライエッチング法により除去することができる。なお、導電層１１２ａとなる導電膜の一部をウェットエッチング法により除去してもよいし、導電層１１２ｂとなる導電膜の一部をドライエッチング法により除去してもよい。

ここで、導電層１１２を、図２Ｂ２、及び図３Ｂに示すように導電層１１２ａと導電層１１２ｂの積層構造とする場合、導電膜１１２ｆに含まれる、導電層１１２ａとなる膜には、チタン、銀、又は銀を含む合金等の金属材料を用いることができる。また、導電膜１１２ｆに含まれる、導電層１１２ｂとなる膜には、例えばインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いることができる。前述のように、導電層１１２ａとして銀、又は銀を含む合金を用いることにより、画素電極の可視光に対する反射率を高くすることができる。一方、前述のように、チタンは銀よりエッチングによる加工性に優れるため、導電層１１２ａとなる膜にチタンを用いることにより、当該膜を容易に加工して導電層１１２ａを形成することができる。

続いて、導電層１１２の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象となる表面を親水性から疎水性にすること、又は処理対象となる表面の疎水性を高めることができる。導電層１１２の疎水化処理を行うことで、導電層１１２と、後の工程で形成されるＥＬ層１１３と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

疎水化処理は、例えば導電層１１２へのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理又は加熱処理、又はフッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、又はＣ_５Ｆ_８等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、又はＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、水素ガス、又は酸素ガス等を適宜添加することができる。

また、導電層１１２の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、導電層１１２の表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はトリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、導電層１１２の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、導電層１１２の表面を疎水化することができる。

導電層１１２の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、導電層１１２の表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、導電層１１２の表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、導電層１１２の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、又はシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、導電層１１２の表面を疎水化することができる。

シリル化剤、又はシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法又はディップ法等を用いて、シリル化剤又はシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤又はシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、導電層１１２上等にシリル化剤を有する膜、又はシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、又はシランカップリング剤を有する材料等を揮発させることにより、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、例えば導電層１１２が形成されている基板をおく。これにより導電層１１２上に、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、導電層１１２の表面を疎水化することができる。

続いて、図２５Ａに示すように、後にＥＬ層１１３ＲとなるＥＬ膜１１３Ｒｆを、導電層１１２Ｒ上、導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、及び絶縁層１０５上に形成する。

図２５Ａに示すように、導電層１１２Ｃ上には、ＥＬ膜１１３Ｒｆを形成していない。例えば、エリアマスクを用いることで、ＥＬ膜１１３Ｒｆを所望の領域にのみ成膜することができる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光素子を作製することができる。

ＥＬ膜１１３Ｒｆは、例えば蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。また、ＥＬ膜１１３Ｒｆは、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。

続いて、図２５Ａに示すように、ＥＬ膜１１３Ｒｆ上、導電層１１２Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、後にマスク層１１８Ｒとなるマスク膜１１８Ｒｆと、後にマスク層１１９Ｒとなるマスク膜１１９Ｒｆと、を順に形成する。

なお、本実施の形態では、マスク膜１１８Ｒｆとマスク膜１１９Ｒｆの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

ＥＬ膜１１３Ｒｆ上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ膜１１３Ｒｆが受けるダメージを低減し、発光素子の信頼性を高めることができる。

マスク膜１１８Ｒｆには、ＥＬ膜１１３Ｒｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、ＥＬ膜１１３Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１１９Ｒｆには、マスク膜１１８Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

また、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆは、ＥＬ膜１１３Ｒｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの加工時に、ＥＬ膜１１３Ｒｆに加わるダメージを低減することができる。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、又はＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、又は真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

なお、ＥＬ膜１１３Ｒｆ上に接して形成されるマスク膜１１８Ｒｆは、マスク膜１１９Ｒｆよりも、ＥＬ膜１１３Ｒｆへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法又は真空蒸着法を用いて、マスク膜１１８Ｒｆを形成することが好ましい。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆとしては、それぞれ、例えば金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、若しくはタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの一方又は双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、ＥＬ膜１１３Ｒｆに紫外線が照射されることを抑制でき、ＥＬ膜１１３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。

また、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、又はシリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、又はイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

また、マスク膜として、光、特に紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることができる。例えば、紫外線に対して反射性を有する膜、又は紫外線を吸収する膜を用いることができる。遮光性を有する材料としては、紫外線に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、又は半金属等、様々な材料を用いることができるが、当該マスク膜の一部又は全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。

例えば、半導体の製造プロセスと親和性の高い材料として、シリコン及びゲルマニウム等の半導体材料が挙げられる。また、上記半導体材料の酸化物及び窒化物が挙げられる。また、炭素等の非金属（半金属）材料、及びその化合物が挙げられる。また、チタン、タンタル、タングステン、クロム、及びアルミニウム等の金属、並びにこれらの一以上を含む合金が挙げられる。また、酸化チタン及び酸化クロム等の上記金属を含む酸化物、並びに窒化チタン、窒化クロム、及び窒化タンタル等の窒化物が挙げられる。

マスク膜に、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、例えば露光工程でＥＬ層に紫外線が照射されることを抑制できる。ＥＬ層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光素子の信頼性を高めることができる。

なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する絶縁膜１２５ｆとして用いても、同様の効果を奏する。

また、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆとしては、それぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ膜１１３Ｒｆとの密着性が高く好ましい。例えば、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地、特にＥＬ層へのダメージを低減できるため好ましい。

例えば、マスク膜１１８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜、例えば酸化アルミニウム膜を用い、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、又はタングステン膜を用いることができる。

なお、マスク膜１１８Ｒｆと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、マスク膜１１８Ｒｆと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、マスク膜１１８Ｒｆと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、マスク膜１１８Ｒｆを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、マスク膜１１８Ｒｆを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁膜とすることができる。一方で、マスク膜１１８Ｒｆは後の工程で大部分又は全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。このため、マスク膜１１８Ｒｆは、絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの一方又は双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１１３Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ好ましい。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、又はパーフルオロポリマー等のフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。

例えば、マスク膜１１８Ｒｆとして、蒸着法又は上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置には、マスク膜の一部がマスク層として残存する場合がある。

続いて、図２５Ａに示すように、マスク膜１１９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成する。レジストマスク１９０Ｒは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。

レジストマスク１９０Ｒは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

レジストマスク１９０Ｒは、導電層１１２Ｒと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｒは、導電層１１２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１１２Ｃが表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１１２Ｃ上にレジストマスク１９０Ｒを設けなくてもよい。また、レジストマスク１９０Ｒは、図２５ＡのＢ１−Ｂ２間の断面図に示すように、ＥＬ膜１１３Ｒｆの端部から、導電層１１２ＣのＥＬ膜１１３Ｒｆ側の端部までを覆うように設けることが好ましい。

続いて、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１１９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｒを形成する。マスク層１１９Ｒは、導電層１１２Ｒ上と、導電層１１２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、マスク層１１９Ｒをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、マスク膜１１８Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｒを形成する。

マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆは、それぞれ、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により加工することができる。マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆの加工時に、ＥＬ膜１１３Ｒｆに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。

マスク膜１１９Ｒｆの加工においてはＥＬ膜１１３Ｒｆが露出しないため、マスク膜１１８Ｒｆの加工よりも加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１１９Ｒｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いる場合、マスク膜１１８Ｒｆの加工の際にエッチングガスに酸素を含むガスを用いる場合より、ＥＬ膜１１３Ｒｆの劣化を抑制できる。

また、マスク膜１１８Ｒｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、ＥＬ膜１１３Ｒｆの劣化を抑制できる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又は第１８族元素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。第１８族元素として、例えばＨｅを用いることができる。

例えば、マスク膜１１８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅ、又はＣＨＦ_３とＨｅとＣＨ_４を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１８Ｒｆの一部を除去することができる。また、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆの一部を除去することができる。又は、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆの一部を除去してもよい。又は、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆの一部を除去することができる。また、マスク膜１１９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、又はＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１９Ｒｆの一部を除去することができる。

レジストマスク１９０Ｒは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去することができる。又は、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又は第１８族元素と、を用いてもよい。第１８族元素として、例えばＨｅを用いることができる。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０Ｒを除去してもよい。このとき、マスク膜１１８Ｒｆが最表面に位置し、ＥＬ膜１１３Ｒｆは露出していないため、レジストマスク１９０Ｒの除去工程において、ＥＬ膜１１３Ｒｆにダメージが入ることを抑制できる。また、レジストマスク１９０Ｒの除去方法の選択の幅を広げることができる。

続いて、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示すように、ＥＬ膜１１３Ｒｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。例えば、マスク層１１９Ｒ及びマスク層１１８Ｒをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｒｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。

これにより、図２５Ｂに示すように、導電層１１２Ｒ上に、ＥＬ層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、及びマスク層１１９Ｒの積層構造が残存する。また、導電層１１２Ｇ及び導電層１１２Ｂは露出する。

図２５Ｂでは、ＥＬ層１１３Ｒの端部が、導電層１１２Ｒの端部よりも外側に位置する例を示す。このような構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。なお、図２５Ｂでは図示していないが、上記エッチング処理によって、絶縁層１０５のＥＬ層１１３Ｒと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

また、ＥＬ層１１３Ｒが導電層１１２Ｒの上面及び側面を覆うことにより、導電層１１２Ｒを露出させずに、以降の工程を行うことができる。導電層１１２Ｒの端部が露出していると、例えばエッチング工程において腐食が生じる場合がある。導電層１１２Ｒの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、又は雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面及びＥＬ層１１３Ｒの側面等に生成物が付着し、発光素子の特性に悪影響を及ぼす、又は複数の発光素子の間にリークパスを形成する可能性がある。また、導電層１１２Ｒの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、ＥＬ層１１３Ｒ又は導電層１１２Ｒの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。

よって、ＥＬ層１１３Ｒが導電層１１２Ｒの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光素子の歩留まり及び特性を向上させることができる。

前述のように、レジストマスク１９０Ｒは、Ｂ１−Ｂ２間において、ＥＬ層１１３Ｒの端部から、導電層１１２ＣのＥＬ層１１３Ｒ側の端部までを覆うように設けることが好ましい。これにより、図２５Ｂに示すように、マスク層１１８Ｒ、及びマスク層１１９Ｒが、Ｂ１−Ｂ２間において、ＥＬ層１１３Ｒの端部から、導電層１１２ＣのＥＬ層１１３Ｒ側の端部までを覆うように設けられる。よって、例えばＢ１−Ｂ２間において、絶縁層１０５が露出することを抑制できる。これにより、絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３の一部がエッチング等により除去され、導電層１０９が露出することを抑制することができる。このため、導電層１０９が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。例えば、導電層１０９と、後の工程で形成する共通電極１１５との間のショートを抑制できる。

ＥＬ膜１１３Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。又は、ウェットエッチングを用いてもよい。

ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、ＥＬ膜１１３Ｒｆの劣化を抑制できる。

また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、ＥＬ膜１１３Ｒｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。

ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又はＨｅ若しくはＡｒ等の第１８族元素のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えばＨ_２とＡｒを含むガス、又はＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１１９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成し、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１１９Ｒｆの一部を除去することにより、マスク層１１９Ｒを形成する。その後、マスク層１１９Ｒをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｒｆの一部を除去することにより、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いてＥＬ膜１１３Ｒｆを加工することにより、ＥＬ層１１３Ｒが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｒを用いて、ＥＬ膜１１３Ｒｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去してもよい。

次に、例えば導電層１１２Ｇの疎水化処理を行うことが好ましい。ＥＬ膜１１３Ｒｆの加工時に、例えば導電層１１２Ｇの表面状態が親水性に変化する場合がある。導電層１１２Ｇの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１１２Ｇと後の工程で形成される層（ここではＥＬ層１１３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図２５Ｃに示すように、後にＥＬ層１１３ＧとなるＥＬ膜１１３Ｇｆを、導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、マスク層１１９Ｒ上、及び絶縁層１０５上に形成する。

ＥＬ膜１１３Ｇｆは、ＥＬ膜１１３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成することができる。

続いて、図２５Ｃに示すように、ＥＬ膜１１３Ｇｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に、後にマスク層１１８Ｇとなるマスク膜１１８Ｇｆと、後にマスク層１１９Ｇとなるマスク膜１１９Ｇｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。マスク膜１１８Ｇｆ及びマスク膜１１９Ｇｆの材料及び形成方法は、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０Ｇは、導電層１１２Ｇと重なる位置に設ける。

続いて、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１１９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｇを形成する。マスク層１１９Ｇは、導電層１１２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１１９Ｇをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｇを形成する。続いて、ＥＬ膜１１３Ｇｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｇを形成する。例えば、マスク層１１９Ｇ及びマスク層１１８Ｇをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｇｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｇを形成する。

これにより、図２５Ｄに示すように、導電層１１２Ｇ上に、ＥＬ層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒ及び導電層１１２Ｂは露出する。

次に、例えば導電層１１２Ｂの疎水化処理を行うことが好ましい。ＥＬ膜１１３Ｇｆの加工時に、例えば導電層１１２Ｂの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１１２Ｂの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１１２Ｂと後の工程で形成される層（ここではＥＬ層１１３Ｂ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図２６Ａに示すように、後にＥＬ層１１３ＢとなるＥＬ膜１１３Ｂｆを、導電層１１２Ｂ上、マスク層１１９Ｒ上、マスク層１１９Ｇ上、及び絶縁層１０５上に形成する。

ＥＬ膜１１３Ｂｆは、ＥＬ膜１１３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成することができる。

続いて、図２６Ａに示すように、ＥＬ膜１１３Ｂｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に、後にマスク層１１８Ｂとなるマスク膜１１８Ｂｆと、後にマスク層１１９Ｂとなるマスク膜１１９Ｂｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを形成する。マスク膜１１８Ｂｆ及びマスク膜１１９Ｂｆの材料及び形成方法は、マスク膜１１８Ｒｆ及びマスク膜１１９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｂの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０Ｂは、導電層１１２Ｂと重なる位置に設ける。

続いて、図２６Ａ、及び図２６Ｂに示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１１９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｂを形成する。マスク層１１９Ｂは、導電層１１２Ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１１９Ｂをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｂを形成する。続いて、ＥＬ膜１１３Ｂｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｂを形成する。例えば、マスク層１１９Ｂ及びマスク層１１８Ｂをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｂｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｂを形成する。

これにより、図２６Ｂに示すように、導電層１１２Ｂ上に、ＥＬ層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｂ、及び、マスク層１１９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒ、及びマスク層１１９Ｇは露出する。

なお、ＥＬ層１１３Ｒの側面、ＥＬ層１１３Ｇの側面、及びＥＬ層１１３Ｂの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成したＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、島状のＥＬ層１１３の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供することができる。

続いて、図２６Ｃに示すように、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂを除去することが好ましい。後の工程によっては、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、マスク層１１８Ｂ、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂが表示装置に残存する場合がある。この段階でマスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂを除去することで、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂが表示装置に残存することを抑制できる。例えば、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂに導電材料を用いる場合、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂを事前に除去しておくことで、残存したマスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂによるリーク電流の発生、及び容量の形成等を抑制できる。

なお、本実施の形態では、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂを除去する場合を例に挙げて説明するが、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂは除去しなくてもよい。例えば、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂが、前述の、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、ＥＬ層１１３を紫外線から保護することができ、好ましい。

マスク層の除去工程には、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂに加わるダメージを低減することができる。

また、マスク層を、水又はアルコール等の溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。

マスク層を除去した後に、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂに含まれる水、並びにＥＬ層１１３Ｒ表面、ＥＬ層１１３Ｇ表面、及びＥＬ層１１３Ｂ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

続いて、図２６Ｄに示すように、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、ＥＬ層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを形成する。

後述するように、絶縁膜１２５ｆの上面に接して、後に絶縁層１２７となる絶縁膜が形成される。このため、絶縁膜１２５ｆの上面は、当該絶縁膜に用いる材料、例えばアクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物に対して親和性が高いことが好ましい。当該親和性を向上させるため、表面処理を行って絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化すること、又は疎水性を高めることが好ましい。例えば、ＨＭＤＳ等のシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化することにより、絶縁膜１２７ｆを密着性良く形成することができる。なお、表面処理としては、前述の疎水化処理を行ってもよい。

続いて、図２７Ａに示すように、絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。

絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５ｆは、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ｆよりも、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

また、絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、それぞれ、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は１２０℃以上であり、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。

絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は１０ｎｍ以上、かつ２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

そのほか、絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

絶縁膜１２７ｆは、例えば、重合体、酸発生剤、及び溶媒を有する樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。重合体は、１種又は複数種の単量体を用いて形成され、１種又は複数種の構造単位（構成単位ともいう）が規則的又は不規則に繰り返された構造を有する。酸発生剤としては、光の照射により酸を発生する化合物、及び加熱により酸を発生する化合物の一方又は双方を用いることができる。樹脂組成物は、さらに、感光剤、増感剤、触媒、接着助剤、界面活性剤、及び酸化防止剤のうち一つ又は複数を有していてもよい。

また、絶縁膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去することができる。

続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に可視光線又は紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に可視光線又は紫外線を照射する。絶縁層１２７は、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、並びに導電層１１２Ｃの周囲に形成される。このため、導電層１１２Ｒ上、導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、及び導電層１１２Ｃ上に、可視光線又は紫外線を照射する。なお、絶縁膜１２７ｆにネガ型の感光性材料を用いる場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。

絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御することができる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１１１の上面と重なる部分を有するように加工する。

露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

ここで、マスク層１１８及び絶縁膜１２５ｆの一方又は双方として、酸素に対するバリア絶縁層、例えば酸化アルミニウム膜等を設けることで、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂへの酸素の拡散を低減できる。ＥＬ層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該ＥＬ層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）がＥＬ層に照射されると当該ＥＬ層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。マスク層１１８及び絶縁膜１２５ｆを島状のＥＬ層上に設けることによって、当該ＥＬ層に含まれる有機化合物への雰囲気中の酸素の結合を低減できる。

続いて、図２７Ｂ１及び図２７Ｂ２に示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。なお、図２７Ｂ２は、図２７Ｂ１に示すＥＬ層１１３Ｇと、絶縁層１２７ａの端部とその近傍の拡大図である。絶縁層１２７ａは、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１１２Ｃを囲う領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、ＴＭＡＨを用いることができる。

続いて、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去してもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去することができる。

なお、絶縁層１２７ａの表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、絶縁膜１２７ｆとして非感光性の材料を用いる場合においても、例えば当該アッシングにより、絶縁膜１２７ｆの表面の高さを調整することができる。

続いて、図２８Ａ及び図２８Ｂに示すように、絶縁層１２７ａをマスクとしてエッチング処理を行って絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、絶縁層１２５が形成される。また、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、図２８Ｂは、図２８Ａに示すＥＬ層１１３Ｇと、絶縁層１２７ａの端部とその近傍の拡大図である。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。

第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、絶縁膜１２５ｆを、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、第１のエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

図２８Ｂに示すように、側面がテーパ形状である絶縁層１２７ａをマスクとしてエッチングを行うことで、絶縁層１２５の側面、並びにマスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。

ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４等から選ばれた、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等から選ばれた、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加することができる。ドライエッチングを用いることにより、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成することができる。

ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置としては、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。又は、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

また、ドライエッチングを行う場合、例えばドライエッチングで生じた副生成物が、絶縁層１２７ａの上面及び側面等に堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、絶縁膜１２５ｆに含まれる成分、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂに含まれる成分等が、表示装置完成後の絶縁層１２７に含まれる場合がある。

また、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂに加わるダメージを低減することができる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液を用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、絶縁膜１２５ｆを、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、上記エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

図２８Ａ及び図２８Ｂに示すように、第１のエッチング処理では、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂ上に、対応するマスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが損傷することを抑制することができる。

なお、図２８Ａ及び図２８Ｂでは、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの膜厚が薄くなる構成にしたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁膜１２５ｆの膜厚及びマスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの膜厚によっては、絶縁膜１２５ｆが絶縁層１２５に加工される前に第１のエッチング処理を停止する場合もある。具体的には、絶縁膜１２５ｆの一部の膜厚を薄くするのみで第１のエッチング処理を停止する場合もある。また、絶縁膜１２５ｆを、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂと同様の材料で成膜した場合、絶縁膜１２５ｆと、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂとの境界が不明瞭になる場合がある。これにより、絶縁層１２５が形成されたか判別できない場合、並びに、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの膜厚が薄くなったか判別できない場合がある。

また、図２８Ａ及び図２８Ｂでは、絶縁層１２７ａの形状が、図２７Ｂ１及び図２７Ｂ２と変化していない例を示すが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層１２７ａの端部が垂れて、絶縁層１２５の端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７ａの端部が、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ａに露光を行わない場合には、絶縁層１２７ａの形状が変化しやすいことがある。

続いて、基板全体に露光を行い、可視光線又は紫外線を絶縁層１２７ａに照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ａの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ａをテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

一方、後述するように、絶縁層１２７ａに対する露光を行わないことで、後の工程において、絶縁層１２７ａの形状を変化させること、又は、絶縁層１２７をテーパ形状に変形させることが容易となる場合がある。したがって、現像後に絶縁層１２７ａに対して露光を行わないことが好ましい場合がある。

例えば、絶縁層１２７ａの材料として光硬化性の樹脂を用いる場合、絶縁層１２７ａに対する露光を行うことで、重合が開始され、絶縁層１２７ａを硬化させることができる。なお、この段階では絶縁層１２７ａに対して露光をせず、絶縁層１２７ａが比較的形状変化しやすい状態を保ったまま、後述するポストベーク、及び第２のエッチング処理の少なくとも一方を行ってもよい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、共通層１１４及び共通電極１１５が段切れすることを抑制できる。なお、現像後、第１のエッチング処理の前に露光を行ってもよい。一方で、絶縁層１２７ａの材料（例えばポジ型材料）及び第１のエッチング処理の条件によっては、露光を行うことで、第１のエッチング処理の際に絶縁層１２７ａが薬液に溶けてしまうことがある。このため、第１のエッチング処理の後、且つポストベークの前に、露光を行うことが好ましい。これにより、所望な形状の絶縁層１２７ａを再現性高く安定して作製することができる。

ここで、可視光線又は紫外線の照射は、酸素を含まない雰囲気、又は酸素含有量が少ない雰囲気で行うことが好ましい。例えば、上記可視光線又は紫外線の照射は、窒素雰囲気等の不活性ガス雰囲気、又は減圧雰囲気で行うことが好ましい。上記可視光線又は紫外線の照射を、酸素を多く含む雰囲気で行うと、ＥＬ層１１３に含まれる化合物が酸化し、変質する恐れがある。しかしながら、上記可視光線又は紫外線の照射を、酸素を含まない雰囲気、又は酸素含有量が少ない雰囲気で行うことにより、当該ＥＬ層の変質を抑制することができるため、より信頼性が高い表示装置を提供することができる。

続いて、図２９Ａ及び図２９Ｂに示すように、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。図２９Ａ及び図２９Ｂに示すように、加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。なお、前述の通り、第１のエッチング処理が終了した時点で、既に絶縁層１２７ａの形状が変化し、側面にテーパ形状を有することがある。当該加熱処理は、ＥＬ層１１３の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。なお、図２９Ｂは、図２９Ａに示すＥＬ層１１３Ｇと、絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。

上述の通り、本発明の一態様の表示装置では、発光素子に耐熱性の高い材料を用いる。したがって、プリベークの温度及びポストベークの温度を、それぞれ、１００℃以上、１２０℃以上、又は１４０℃以上とすることもできる。これにより、絶縁層１２７と絶縁層１２５との密着性をより向上させ、絶縁層１２７の耐食性もより向上させることができる。また、絶縁層１２７として用いることができる材料の選択の幅を広げることができる。また、例えば絶縁層１２７に含まれる溶媒を十分に除去することで、ＥＬ層１１３に水及び酸素等の不純物が侵入することを抑制できる。

第１のエッチング処理にて、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態のマスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを残存させておくことで、例えばポストベークにおいて、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂがダメージを受けて劣化することを抑制することができる。したがって、発光素子の信頼性を高めることができる。

なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、又は時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、凹曲面形状が形成される場合がある。また、前述の通り、現像後の絶縁層１２７ａに露光を行わない場合には、ポストベーク時に絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

続いて、図３０Ａ及び図３０Ｂに示すように、絶縁層１２７をマスクとしてエッチング処理を行って、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの一部を除去する。なお、絶縁層１２５の一部も除去される場合がある。これにより、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂそれぞれに開口が形成され、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、ＥＬ層１１３Ｂ、及び導電層１１２Ｃの上面が露出する。なお、図３０Ｂは、図３０Ａに示すＥＬ層１１３Ｇと、絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用いたエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。

絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図３０Ａ及び図３０Ｂでは、マスク層１１８Ｇの端部の一部、具体的には第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。つまり、図５Ａ及び図５Ｂに示す構造に相当する。

第１のエッチング処理を行わず、ポストベーク後に一括で絶縁層１２５とマスク層のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及びマスク層が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。第１のエッチング処理で絶縁層１２５及びマスク層がサイドエッチングされて空洞が生じても、その後にポストベークを行うことで、絶縁層１２７が当該空洞を埋めることができる。その後、第２のエッチング処理ではより厚さが薄くなったマスク層をエッチングするため、サイドエッチングされる量が少なく、空洞が形成されにくくなり、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。このため、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面をより平坦にできる。

なお、図６Ａ、図６Ｂ、又は図８Ａ、図８Ｂに示すように、絶縁層１２７は、マスク層１１８Ｇの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、マスク層１１８Ｇの端部を覆う場合がある。また、例えば絶縁層１２７の端部が、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの少なくとも一つの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ａに露光を行わない場合には、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチングは、例えばＴＭＡＨ等のアルカリ溶液を用いて行うことができる。

一方、ウェットエッチング法を用いて第２のエッチング処理を行う場合、例えばＥＬ層１１３と他の層との密着性の問題により、ＥＬ層１１３とマスク層１１８の間、ＥＬ層１１３と絶縁層１２５の間、及びＥＬ層１１３と絶縁層１０５の間に隙間が空いていると、第２のエッチング処理で用いる薬液が当該隙間に侵入し、薬液が画素電極と接触する場合がある。ここで、導電層１１１と導電層１１２の両方に薬液が接触すると、導電層１１１と導電層１１２のうち、自然電位が低い導電層がガルバニック腐食により腐食する場合がある。例えば、導電層１１１としてアルミニウムを用い、導電層１１２としてインジウム錫酸化物を用いると、導電層１１２が腐食する場合がある。よって、表示装置の歩留まりが低下する場合がある。また、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

本発明の一態様の表示装置の作製方法では、前述のように、導電層１１２を、導電層１１１の上面及び側面を覆うように形成する。これにより、例えばＥＬ層１１３とマスク層１１８の間、ＥＬ層１１３と絶縁層１２５の間、及びＥＬ層１１３と絶縁層１０５の間に隙間が空いているとしても、第２のエッチング処理において薬液が導電層１１１に接触することを抑制することができる。これにより、画素電極の腐食を抑制することができ、例えば導電層１１２の腐食を抑制することができる。よって、本発明の一態様の表示装置の作製方法は、歩留まりが高い作製方法とすることができる。また、本発明の一態様の表示装置の作製方法は、不良の発生を抑制する作製方法とすることができる。

上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを設けることにより、各発光素子間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。

また、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、ＥＬ層１１３に含まれる水、及びＥＬ層１１３表面に吸着する水等を除去することができる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の端部、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂの端部、並びに、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。例えば、絶縁層１２７が、図６Ａ及び図６Ｂに示す形状となる場合がある。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で脱水が可能であるため好ましい。ただし、上記の加熱処理は、ＥＬ層１１３の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、ＥＬ層１１３の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも特に７０℃以上１２０℃以下の温度が好適である。

続いて、図３１Ａに示すように、ＥＬ層１１３Ｒ上、ＥＬ層１１３Ｇ上、ＥＬ層１１３Ｂ上、導電層１１２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に共通層１１４を形成する。共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成することができる。

続いて、図３１Ａに示すように、共通層１１４上に共通電極１１５を形成する。共通電極１１５は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成することができる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させて、共通電極１１５を形成してもよい。

共通電極１１５は、共通層１１４の成膜後、間にエッチング等の工程を挟まずに連続して成膜できる。例えば、真空中で共通層１１４を形成した後、基板を大気中に取り出すことなく、真空中で共通電極１１５を形成できる。つまり、共通層１１４と、共通電極１１５と、は真空一貫で形成できる。これにより、表示装置１００に共通層１１４を設けない場合より、共通電極１１５の下面を清浄な面とすることができる。よって、発光素子１３０を、信頼性が高く、特性が良好な発光素子とすることができる。

続いて、図３１Ｂに示すように、共通電極１１５上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成することができる。

続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、図２Ａに示す構成、及び図１８Ａに示す構成を有する表示装置を作製することができる。前述のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法は、導電層１１２を、導電層１１１の上面及び側面を覆うように形成することにより、歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。

ここで、図２９Ａ、及び図２９Ｂに示すポストベークを行って絶縁層１２７を形成した後に、絶縁層１２７に対する露光を行ってもよい。例えば、絶縁層１２７ａに前述の露光を行わない場合に、絶縁層１２７に対する露光を行ってもよい。例えば、図３０Ａ及び図３０Ｂに示す第２のエッチング処理の後、且つ図３１Ａに示す共通層１１４の形成前に、絶縁層１２７に対する露光を行ってもよい。又は、図３１Ａに示す共通電極１１５の形成後、且つ図３１Ｂに示す保護層１３１の形成前に、絶縁層１２７に対する露光を行ってもよい。又は、図３１Ｂに示す保護層１３１の形成後に、絶縁層１２７に対する露光を行ってもよい。ここで、例えば前述の絶縁層１２７ａに対する露光に適用することができる条件と同様の条件を、絶縁層１２７に対する露光における条件として適用することができる。なお、絶縁層１２７ａに対する露光、及び絶縁層１２７に対する露光は、１回も行わなくてもよいし、合計１回だけ行ってもよいし、合計２回以上行ってもよい。

例えば、絶縁層１２７として光硬化性の樹脂を用いる場合、絶縁層１２７に対する露光を行うことで、絶縁層１２７を硬化させることができる。これにより、絶縁層１２７が変形することを抑制できる。よって、例えば絶縁層１２７上の層の膜剥がれを抑制できる。以上より、本発明の一態様の表示装置を、信頼性が高い表示装置とすることができる。

以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層１１３Ｒ、島状のＥＬ層１１３Ｇ、及び島状のＥＬ層１１３Ｂは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間に横リーク電流が発生することを抑制できる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを抑制することができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。

また、隣り合う島状のＥＬ層１１３の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層１２７を設けることで、共通電極１１５の形成時に段切れが生じることを抑制し、また共通電極１１５に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを抑制することができる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

［作製方法例２］
以下では、図１０に示す構成、及び図１８Ｃに示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を、図面を用いて説明する。なお、図２４Ａ乃至図３１Ｂで説明した方法と異なる方法について主に説明し、図２４Ａ乃至図３１Ｂで説明した方法と同一の方法については適宜省略する。

図３２Ａ乃至図３２Ｃは、図２４Ａ乃至図２４Ｃと同様の工程を示している。

図３２Ｄ１は、図３２Ｃに示すＢ１−Ｂ２間の断面を拡大した図である。図３２Ｄ１に示す例では、導電膜１１２ｆが、導電層１０９と重なる領域を有する。

図３２Ｄ２は、図３２Ｄ１の変形例であり、導電膜１１２ｆが、導電層１０９と重ならない例を示している。例えば、図３２Ｃに示すように導電膜１１２ｆを形成した後、Ｂ１−Ｂ２間の領域において導電膜１１２ｆの一部を除去することにより、図３２Ｄ２に示す構成を作製することができる。図３２Ｄ２に示す工程を行う場合、作製される表示装置１００の、Ｂ１−Ｂ２間の構成は、例えば図１８Ａに示す構成となる。

例えば、導電層１０９と重なる領域に設けられる導電膜１１２ｆを除去することにより、後の工程で形成される導電層１１２Ｃが、導電層１０９と重ならなくなる。よって、前述のように例えば寄生容量の発生を抑制できる。なお、図３２Ｄ２に示す工程により、導電層１１２Ｃが形成されたものとしてもよい。つまり、図３２Ｄ２において、導電膜１１２ｆを導電層１１２Ｃに置き換えてもよい。

以下では、図３２Ｄ２に示す工程を行わないものとして表示装置１００の作製方法例を説明するが、図３２Ｄ２に示す工程を行う場合であっても、以下の作製方法例の説明を参照することができる。

続いて、前述のとおり、導電膜１１２ｆの疎水化処理を行うことが好ましい。

続いて、図３３Ａに示すように、後にＥＬ層１１３ＲとなるＥＬ膜１１３Ｒｆを、図２５Ａに示す方法と同様の方法により導電膜１１２ｆ上に形成する。その後、ＥＬ膜１１３Ｒｆ上、及び導電膜１１２ｆ上に、後にマスク層１１８Ｒとなるマスク膜１１８Ｒｆと、後にマスク層１１９Ｒとなるマスク膜１１９Ｒｆと、を図２５Ａに示す方法と同様の方法により順に形成する。

続いて、図３３Ａに示すように、マスク膜１１９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを、図２５Ａに示す方法と同様の方法により形成する。レジストマスク１９０Ｒは、導電層１１１Ｒと重なる位置に設ける。また、レジストマスク１９０Ｒは、導電層１１１Ｃと重なる位置にも設けることができる。

続いて、図３３Ａ、及び図３３Ｂに示すように、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｒを用いてマスク膜１１９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｒを形成する。マスク層１１９Ｒは、導電層１１１Ｒ上、及び導電層１１１Ｃ上に残存する。その後、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法により、マスク層１１９Ｒをマスクに用いてマスク膜１１８Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｒを形成する。

続いて、図３３Ａ、及び図３３Ｂに示すように、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法によりＥＬ膜１１３Ｒｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。例えば、マスク層１１９Ｒ及びマスク層１１８Ｒをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｒｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。これにより、図３３Ｂに示すように、導電層１１１Ｒと重なる領域を有するように導電膜１１２ｆ上に、ＥＬ層１１３Ｒ、マスク層１１８Ｒ、及びマスク層１１９Ｒの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒが設けられない領域において、導電膜１１２ｆは露出する。

レジストマスク１９０Ｒは、Ｂ１−Ｂ２間において、ＥＬ層１１３Ｒの端部から、導電層１１１ＣのＥＬ層１１３Ｒ側の端部までを覆うように設けることが好ましい。これにより、図３３Ｂに示すように、マスク層１１８Ｒ、及びマスク層１１９Ｒが、Ｂ１−Ｂ２間において、ＥＬ層１１３Ｒの端部から、導電層１１１ＣのＥＬ層１１３Ｒ側の端部までを覆うように設けられる。よって、例えばＢ１−Ｂ２間において、導電膜１１２ｆが露出することを抑制できる。これにより、導電膜１１２ｆ、絶縁層１０５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０３の一部がエッチング等により除去され、導電層１０９が露出することを抑制することができる。このため、導電層１０９が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。例えば、導電層１０９と、後の工程で形成する共通電極１１５との間のショートを抑制できる。

次に、例えば導電膜１１２ｆの疎水化処理を行うことが好ましい。ＥＬ膜１１３Ｒｆの加工時に、例えば導電膜１１２ｆの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電膜１１２ｆの疎水化処理を行うことで、導電膜１１２ｆと後の工程で形成される層（ここではＥＬ層１１３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図３３Ｃに示すように、後にＥＬ層１１３ＧとなるＥＬ膜１１３Ｇｆを、図２５Ｃに示す方法と同様の方法により導電膜１１２ｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に形成する。

続いて、図３３Ｃに示すように、ＥＬ膜１１３Ｇｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に、後にマスク層１１８Ｇとなるマスク膜１１８Ｇｆと、後にマスク層１１９Ｇとなるマスク膜１１９Ｇｆと、を図２５Ｃに示す方法と同様の方法により順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。

レジストマスク１９０Ｇは、導電層１１１Ｇと重なる位置に設ける。

続いて、図３３Ｃ、及び図３３Ｄに示すように、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｇを用いてマスク膜１１９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｇを形成する。マスク層１１９Ｇは、導電層１１１Ｇ上に残存する。その後、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法により、マスク層１１９Ｇをマスクに用いてマスク膜１１８Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｇを形成する。続いて、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法によりＥＬ膜１１３Ｇｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｇを形成する。例えば、マスク層１１９Ｇ及びマスク層１１８Ｇをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｇｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｇを形成する。

これにより、図３３Ｄに示すように、導電層１１１Ｇ上に、ＥＬ層１１３Ｇ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒは露出し、マスク層１１９Ｒ、及びマスク層１１９Ｇのいずれも設けられない領域において、導電膜１１２ｆは露出する。

次に、例えば導電膜１１２ｆの疎水化処理を行うことが好ましい。ＥＬ膜１１３Ｇｆの加工時に、例えば導電膜１１２ｆの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電膜１１２ｆの疎水化処理を行うことで、例えば導電膜１１２ｆと後の工程で形成される層（ここではＥＬ層１１３Ｂ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図３４Ａに示すように、後にＥＬ層１１３ＢとなるＥＬ膜１１３Ｂｆを、図２６Ａに示す方法と同様の方法により導電膜１１２ｆ上、マスク層１１９Ｒ上、及びマスク層１１９Ｇ上に形成する。

続いて、図３４Ａに示すように、ＥＬ膜１１３Ｂｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に、後にマスク層１１８Ｂとなるマスク膜１１８Ｂｆと、後にマスク層１１９Ｂとなるマスク膜１１９Ｂｆと、を図２６Ａに示す方法と同様の方法により順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを形成する。

レジストマスク１９０Ｂは、導電層１１１Ｂと重なる位置に設ける。

続いて、図３４Ａ、及び図３４Ｂに示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１１９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｂを形成する。マスク層１１９Ｂは、導電層１１１Ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１１９Ｂをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｂを形成する。続いて、ＥＬ膜１１３Ｂｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｂを形成する。例えば、マスク層１１９Ｂ及びマスク層１１８Ｂをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｂｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｂを形成する。

これにより、図３４Ｂに示すように、導電層１１１Ｂ上に、ＥＬ層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｂ、及びマスク層１１９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１１９Ｒ、及びマスク層１１９Ｇは露出し、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂのいずれも設けられない領域において、導電膜１１２ｆは露出する。

続いて、図３４Ｂ、及び図３４Ｃに示すように、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂをマスクに用いて、導電膜１１２ｆの一部を例えばエッチング法により除去する。これにより、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂ、及び導電層１１２Ｃを形成する。導電膜１１２ｆとして導電性酸化物を用いる場合、導電膜１１２ｆは例えばウェットエッチング法により除去することができる。導電層１１２は、導電層１１１の上面及び側面を覆うように形成される。なお、例えば導電層１１２を図２Ｂ２に示す構成とし、導電層１１２ａとして金属材料を用い、導電層１１２ｂとして導電性酸化物を用いる場合、導電層１１２ｂとなる導電膜の一部をウェットエッチング法により除去した後、導電層１１２ａとなる導電膜の一部をドライエッチング法により除去することができる。

続いて、図３５Ａに示すように、マスク層１１９Ｒ、マスク層１１９Ｇ、及びマスク層１１９Ｂを、図２６Ｃに示す方法と同様の方法により除去することが好ましい。

続いて、図３５Ｂに示すように、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂ、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、ＥＬ層１１３Ｂ、マスク層１１８Ｒ、マスク層１１８Ｇ、及びマスク層１１８Ｂを覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを図２６Ｄに示す方法と同様の方法により形成する。

図３５Ｃ、図３６Ａ乃至図３６Ｄ、図３７Ａ、及び図３７Ｂは、それぞれ図２７Ａ、図２７Ｂ１、図２８Ａ、図２９Ａ、図３０Ａ、図３１Ａ、及び図３１Ｂと同様の工程を示している。図３７Ｂに示す工程の後、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に基板１２０を貼り合わせることで、図１０に示す構成、及び図１８Ｃに示す構成を有する表示装置を作製することができる。

［作製方法例３］
以下では、図１４に示す構成、及び図１８Ｅに示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を、図面を用いて説明する。なお、図２４Ａ乃至図３１Ｂで説明した方法と異なる方法について主に説明し、図２４Ａ乃至図３１Ｂで説明した方法と同一の方法については適宜省略する。

まず、図２４Ａ乃至図２４Ｄに示す工程と同様の工程を行う。続いて、図３８Ａに示すように、後にＥＬ層１１３ＲとなるＥＬ膜１１３Ｒｆを、図２５Ａに示す方法と同様の方法により導電層１１２Ｒ上、導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、及び絶縁層１０５上に形成する。ＥＬ膜１１３Ｒｆは、後に発光ユニット１１３Ｒ１となる膜１１３Ｒ１ｆと、後に電荷発生層１１３Ｒ２となる電荷発生膜１１３Ｒ２ｆと、後に発光ユニット１１３Ｒ３となる膜１１３Ｒ３ｆと、を有する。図３８Ａでは、電荷発生膜１１３Ｒｆ２を破線で示している。

続いて、図３８Ａに示すように、ＥＬ膜１１３Ｒｆ上、導電層１１２Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、後にマスク層１１８Ｒとなるマスク膜１１８Ｒｆと、後にマスク層１１９Ｒとなるマスク膜１１９Ｒｆと、を図２５Ａに示す方法と同様の方法により順に形成する。続いて、図３８Ａに示すように、図２５Ａに示す方法と同様の方法により、マスク膜１１９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成する。

続いて、図３８Ａ、及び図３８Ｂに示すように、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｒを用いてマスク膜１１９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｒを形成する。マスク層１１９Ｒは、導電層１１１Ｒ上、及び導電層１１１Ｃ上に残存する。その後、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法により、マスク層１１９Ｒをマスクに用いてマスク膜１１８Ｒｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｒを形成する。

続いて、図３８Ａ、及び図３８Ｂに示すように、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示す方法と同様の方法によりＥＬ膜１１３Ｒｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。例えば、マスク層１１９Ｒ及びマスク層１１８Ｒをマスクに用いて、ＥＬ膜１１３Ｒｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３Ｒを形成する。前述のように、ＥＬ層１１３Ｒは、発光ユニット１１３Ｒ１と、発光ユニット１１３Ｒ１上の電荷発生層１１３Ｒ２と、電荷発生層１１３Ｒ２上の発光ユニット１１３Ｒ３と、を有する。なお、電荷発生層１１３Ｒ２は破線で示している。

次に、例えば導電層１１２Ｇの疎水化処理を行うと、前述のように例えば導電層１１２Ｇと後の工程で形成される層（ここではＥＬ層１１３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制でき好ましい。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図３８Ｃに示すように、図２５Ｃに示す方法と同様の方法により、後にＥＬ層１１３ＧとなるＥＬ膜１１３Ｇｆを導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、マスク層１１９Ｒ上、及び絶縁層１０５上に形成する。ＥＬ膜１１３Ｇｆは、後に発光ユニット１１３Ｇ１となる膜１１３Ｇ１ｆと、後に電荷発生層１１３Ｇ２となる電荷発生膜１１３Ｇ２ｆと、後に発光ユニット１１３Ｇ３となる膜１１３Ｇ３ｆと、を有する。図３８Ｃでは、電荷発生膜１１３Ｇｆ２を破線で示している。

続いて、図３８Ｃに示すように、図２５Ｃに示す方法と同様の方法により、ＥＬ膜１１３Ｇｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に、後にマスク層１１８Ｇとなるマスク膜１１８Ｇｆと、後にマスク層１１９Ｇとなるマスク膜１１９Ｇｆと、を順に形成する。その後、図２５Ｃに示す方法と同様の方法によりレジストマスク１９０Ｇを形成する。

続いて、図３８Ｃ、及び図３８Ｄに示すように、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｇを用いてマスク膜１１９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｇを形成する。その後、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法により、マスク層１１９Ｇをマスクに用いてマスク膜１１８Ｇｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｇを形成する。続いて、図２５Ｃ、及び図２５Ｄに示す方法と同様の方法によりＥＬ膜１１３Ｇｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｇを形成する。前述のように、ＥＬ層１１３Ｇは、発光ユニット１１３Ｇ１と、発光ユニット１１３Ｇ１上の電荷発生層１１３Ｇ２と、電荷発生層１１３Ｇ２上の発光ユニット１１３Ｇ３と、を有する。なお、電荷発生層１１３Ｇ２は破線で示している。

続いて、図３９Ａに示すように、図２６Ａに示す方法と同様の方法により、後にＥＬ層１１３ＢとなるＥＬ膜１１３Ｂｆを導電層１１２Ｂ上、マスク層１１９Ｒ上、マスク層１１９Ｇ上、及び絶縁層１０５上に形成する。ＥＬ膜１１３Ｂｆは、後に発光ユニット１１３Ｂ１となる膜１１３Ｂ１ｆと、後に電荷発生層１１３Ｂ２となる電荷発生膜１１３Ｂ２ｆと、後に発光ユニット１１３Ｂ３となる膜１１３Ｂ３ｆと、を有する。図３９Ａでは、電荷発生膜１１３Ｂｆ２を破線で示している。

続いて、図３９Ａに示すように、図２６Ａに示す方法と同様の方法により、ＥＬ膜１１３Ｂｆ上、及びマスク層１１９Ｒ上に、後にマスク層１１８Ｂとなるマスク膜１１８Ｂｆと、後にマスク層１１９Ｂとなるマスク膜１１９Ｂｆと、を順に形成する。その後、図２６Ａに示す方法と同様の方法によりレジストマスク１９０Ｂを形成する。

続いて、図３９Ａ、及び図３９Ｂに示すように、図２６Ａ、及び図２６Ｂに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｂを用いてマスク膜１１９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１９Ｂを形成する。その後、図２６Ａ、及び図２６Ｂに示す方法と同様の方法により、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、図２６Ａ、及び図２６Ｂに示す方法と同様の方法により、マスク層１１９Ｂをマスクに用いてマスク膜１１８Ｂｆの一部を除去し、マスク層１１８Ｂを形成する。続いて、図２６Ａ、及び図２６Ｂに示す方法と同様の方法によりＥＬ膜１１３Ｂｆを加工して、ＥＬ層１１３Ｂを形成する。前述のように、ＥＬ層１１３Ｂは、発光ユニット１１３Ｂ１と、発光ユニット１１３Ｂ１上の電荷発生層１１３Ｂ２と、電荷発生層１１３Ｂ２上の発光ユニット１１３Ｂ３と、を有する。なお、電荷発生層１１３Ｂ２は破線で示している。

図３９Ｃ、図３９Ｄ、図４０Ａ乃至図４０Ｃ、図４１Ａ、図４１Ｂ、図４２Ａ、及び図４２Ｂは、図２６Ｃ、図２６Ｄ、図２７Ａ、図２７Ｂ１、図２８Ａ、図２９Ａ、図３０Ａ、図３１Ａ、及び図３１Ｂと同様の工程を示している。図４２Ｂに示す工程の後、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に基板１２０を貼り合わせることで、図１４に示す構成、及び図１８Ｅに示す構成を有する表示装置を作製することができる。

［作製方法例４］
以下では、図１９Ａに示す構成、及び図１８Ａに示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を、図面を用いて説明する。なお、図２４Ａ乃至図３１Ｂで説明した方法と異なる方法について主に説明し、図２４Ａ乃至図３１Ｂで説明した方法と同一の方法については適宜省略する。

まず、図２４Ａ、及び図２４Ｂに示す工程と同様の工程を行う。これにより、図４３Ａに示すように、プラグ１０６上、及び絶縁層１０５上に導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃが形成される。

続いて、図４３Ｂに示すように、導電層１１１Ｒ上、導電層１１１Ｇ上、導電層１１１Ｂ上、導電層１１１Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、導電膜１１２ｆ１を形成する。導電膜１１２ｆ１は、例えば図２４Ｃに示す導電膜１１２ｆと同様の方法で形成でき、導電膜１１２ｆと同様の材料を用いることができる。

続いて、図４３Ｂ、及び図４３Ｃに示すように、導電膜１１２ｆ１を加工し、導電層１１１Ｂの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｂ１を形成する。導電膜１１２ｆ１の加工は、導電膜１１２ｆの加工と同様の方法で行うことができる。

続いて、図４３Ｄに示すように、導電層１１１Ｒ上、導電層１１１Ｇ上、導電層１１２Ｂ１上、導電層１１１Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、導電膜１１２ｆ２を形成する。導電膜１１２ｆ２は、導電膜１１２ｆと同様の方法で形成でき、導電膜１１２ｆと同様の材料を用いることができる。

続いて、図４３Ｄ、及び図４３Ｅに示すように、導電膜１１２ｆ２を加工し、導電層１１１Ｒの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｒ１、並びに導電層１１２Ｂ１上の導電層１１２Ｂ２を形成する。なお、図４３Ｅにおいて、導電層１１２Ｂ１と導電層１１２Ｂ２の境界を、点線で示している。

続いて、図４４Ａに示すように、導電層１１２Ｒ１上、導電層１１１Ｇ上、導電層１１２Ｂ２上、導電層１１１Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、導電膜１１２ｆ３を形成する。導電膜１１２ｆ３は、導電膜１１２ｆと同様の方法で形成でき、導電膜１１２ｆと同様の材料を用いることができる。

続いて、図４４Ａ、及び図４４Ｂに示すように、導電膜１１２ｆ３を加工し、導電層１１２Ｒ１上の導電層１１２Ｒ２、導電層１１１Ｇの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｇ、導電層１１２Ｂ２上の導電層１１２Ｂ３、並びに導電層１１１Ｃの上面及び側面を覆う導電層１１２Ｃを形成する。導電層１１２Ｒ１と、導電層１１２Ｒ２と、により導電層１１２Ｒを構成し、導電層１１２Ｂ１と、導電層１１２Ｂ２と、導電層１１２Ｂ３と、により導電層１１２Ｂを構成できる。導電膜１１２ｆ３の加工は、導電膜１１２ｆの加工と同様の方法で行うことができる。なお、図４４Ｂにおいて、導電層１１２Ｒ１と導電層１１２Ｒ２の境界、導電層１１２Ｂ１と導電層１１２Ｂ２の境界、及び導電層１１２Ｂ２と導電層１１２Ｂ３の境界を、点線で示している。以降の図面においても同様の記載をする。

以上により、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂのそれぞれの膜厚を異ならせることができる。なお、ここでは導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂの中で導電層１１２Ｂの膜厚を一番厚くし、導電層１１２Ｇの膜厚を一番薄くしたが、本発明の一態様はこれに限られず、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂのそれぞれの膜厚は適宜設定できる。例えば、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂの中で、導電層１１２Ｒの膜厚を一番厚くし、導電層１１２Ｂの膜厚を一番薄くしてもよい。

なお、導電層１１２Ｃの膜厚は、導電層１１２Ｇの膜厚と等しいとしたが、本発明の一態様はこれに限らない。例えば、導電層１１２Ｃの膜厚は、導電層１１２Ｇの膜厚より厚くてもよい。例えば、導電膜１１２ｆ３を加工する際だけでなく、導電膜１１２ｆ２を加工する際にも、導電層１１１Ｃの上面及び側面を覆うように導電膜を残してもよい。この場合、導電層１１２Ｃの膜厚を、例えば導電層１１２Ｒの膜厚と等しくすることができる。また、導電膜１１２ｆ１、導電膜１１２ｆ２、及び導電膜１１２ｆ３のいずれを加工する際においても、導電層１１１Ｃの上面及び側面を覆うように導電膜を残してもよい。この場合、導電層１１２Ｃの膜厚を、例えば導電層１１２Ｂの膜厚と等しくすることができる。

続いて、図４４Ｃに示すように、後にＥＬ層１１３となるＥＬ膜１１３ｆを、導電層１１２Ｒ上、導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、及び絶縁層１０５上に形成する。続いて、ＥＬ膜１１３ｆ上、導電層１１２Ｃ上、及び絶縁層１０５上に、後にマスク層１１８となるマスク膜１１８ｆと、後にマスク層１１９となるマスク膜１１９ｆと、を順に形成する。

続いて、図４４Ｃに示すように、マスク膜１１９ｆ上にレジストマスク１９０を形成する。レジストマスク１９０は、導電層１１２Ｒと重なる位置、導電層１１２Ｇと重なる位置、及び導電層１１２Ｂと重なる位置に設ける。また、レジストマスク１９０は、導電層１１２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。さらに、レジストマスク１９０は、図４４ＣのＢ１−Ｂ２間の断面図に示すように、ＥＬ膜１１３ｆの端部から、導電層１１２ＣのＥＬ膜１１３ｆ側の端部までを覆うように設けることが好ましい。

続いて、図４４Ｃ、及び図４４Ｄに示すように、レジストマスク１９０を用いて、マスク膜１１９ｆの一部を除去し、マスク層１１９を形成する。マスク層１１９は、導電層１１２Ｒ上、導電層１１２Ｇ上、導電層１１２Ｂ上、及び導電層１１２Ｃ上に残存する。その後、レジストマスク１９０を除去する。続いて、マスク層１１９をマスクに用いて、マスク膜１１８ｆの一部を除去し、マスク層１１８を形成する。

続いて、図４４Ｃ、及び図４４Ｄに示すように、ＥＬ膜１１３ｆを加工して、ＥＬ層１１３を形成する。例えば、マスク層１１９及びマスク層１１８をマスクに用いて、ＥＬ膜１１３ｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３を形成する。

これにより、図４４Ｄに示すように、導電層１１２Ｒ上、導電層１１２Ｇ上、及び導電層１１２Ｂ上のそれぞれに、ＥＬ層１１３、マスク層１１８、及びマスク層１１９の積層構造が残存する。また、Ｂ１−Ｂ２間において、マスク層１１８、及びマスク層１１９を、ＥＬ層１１３の端部から、導電層１１２ＣのＥＬ層１１３側の端部までを覆うように設けることができる。

続いて、図２６Ｃ乃至図３１Ｂに示す工程と同様の工程を行う。続いて、保護層１３１上に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを形成する。続いて、樹脂層１２２を用いて、着色層１３２上に基板１２０を貼り合わせることで、図１９Ａに示す構成、及び図１８Ａに示す構成を有する表示装置を作製することができる。

以上のように、図１９Ａに示す構成を有する表示装置１００は、ＥＬ膜１１３ｆ、マスク膜１１８ｆ、マスク膜１１９ｆの形成及び加工等を１回行うことで作製でき、色ごとに行う必要が無い。よって、表示装置１００の作製工程を簡略化できる。したがって、表示装置１００の作製コストを低減し、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。

［作製方法例５］
以下では、図２１Ａに示す構成、及び図１８Ｃに示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を、図面を用いて説明する。なお、図３２Ａ乃至図３２Ｃ、及び図３３Ａ乃至図３７Ｂで説明した方法と異なる方法について主に説明し、当該方法と同一の方法については適宜省略する。

まず、図３２Ａ乃至図３２Ｃに示す工程と同様の工程を行う。これにより、図４５Ａに示すように、プラグ１０６上、及び絶縁層１０５上に導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１１Ｃが形成される。また、導電層１１１Ｒ上、導電層１１１Ｇ上、導電層１１１Ｂ上、導電層１１１Ｃ上、及び絶縁層１０５上に導電膜１１２ｆが形成される。

続いて、図４５Ｂに示すように、後にＥＬ層１１３となるＥＬ膜１１３ｆを、導電膜１１２ｆ上に形成する。続いて、ＥＬ膜１１３ｆ上、及び導電膜１１２ｆ上に、後にマスク層１１８となるマスク膜１１８ｆと、後にマスク層１１９となるマスク膜１１９ｆと、を順に形成する。

続いて、図４５Ｂに示すように、マスク膜１１９ｆ上にレジストマスク１９０を形成する。レジストマスク１９０は、導電層１１１Ｒと重なる位置、導電層１１１Ｇと重なる位置、及び導電層１１１Ｂと重なる位置に設ける。また、レジストマスク１９０は、導電層１１１Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。さらに、レジストマスク１９０は、図４５ＢのＢ１−Ｂ２間の断面図に示すように、ＥＬ膜１１３ｆの端部から、導電層１１１ＣのＥＬ膜１１３ｆ側の端部までを覆うように設けることが好ましい。

続いて、図４５Ｂ、及び図４５Ｃに示すように、レジストマスク１９０を用いて、マスク膜１１９ｆの一部を除去し、マスク層１１９を形成する。マスク層１１９は、導電層１１１Ｒ上、導電層１１１Ｇ上、導電層１１１Ｂ上、及び導電層１１１Ｃ上に残存する。その後、レジストマスク１９０を除去する。続いて、マスク層１１９をマスクに用いて、マスク膜１１８ｆの一部を除去し、マスク層１１８を形成する。

続いて、図４５Ｂ、及び図４５Ｃに示すように、ＥＬ膜１１３ｆを加工して、ＥＬ層１１３を形成する。例えば、マスク層１１９及びマスク層１１８をマスクに用いて、ＥＬ膜１１３ｆの一部を除去し、ＥＬ層１１３を形成する。

これにより、図４５Ｃに示すように、導電層１１１Ｒ上、導電層１１１Ｇ上、及び導電層１１１Ｂ上のそれぞれに、ＥＬ層１１３、マスク層１１８、及びマスク層１１９の積層構造が残存する。また、Ｂ１−Ｂ２間において、マスク層１１８、及びマスク層１１９を、ＥＬ層１１３の端部から、導電層１１１ＣのＥＬ層１１３側の端部までを覆うように設けることができる。

続いて、図３４Ｃ乃至図３７Ｂに示す工程と同様の工程を行う。続いて、保護層１３１上に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを形成する。続いて、樹脂層１２２を用いて、着色層１３２上に基板１２０を貼り合わせることで、図２１Ａに示す構成、及び図１８Ｃに示す構成を有する表示装置を作製することができる。

以上のように、図２１Ａに示す構成を有する表示装置１００は、ＥＬ膜１１３ｆ、マスク膜１１８ｆ、マスク膜１１９ｆの形成及び加工等を１回行うことで作製でき、色ごとに行う必要が無い。よって、表示装置１００の作製工程を簡略化できる。したがって、表示装置１００の作製コストを低減し、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書等において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光素子の構成例、具体的にはタンデム構造の発光素子の構成例について説明する。

図４６Ａに、表示装置５００の断面概略図を示す。表示装置５００は、赤色の光を発する発光素子５５０Ｒ、緑色の光を発する発光素子５５０Ｇ、及び青色の光を発する発光素子５５０Ｂを有する。

発光素子５５０Ｒは、一対の電極（電極５０１及び電極５０２）の間に、電荷発生層５３１を介して２つの発光ユニット（発光ユニット５１２Ｒ＿１及び発光ユニット５１２Ｒ＿２）が積層された構成を有する。同様に、発光素子５５０Ｇは、一対の電極の間に、発光ユニット５１２Ｇ＿１、電荷発生層５３１、及び発光ユニット５１２Ｇ＿２を有し、発光素子５５０Ｂは、一対の電極の間に、発光ユニット５１２Ｂ＿１、電荷発生層５３１、及び発光ユニット５１２Ｂ＿２を有する。

電極５０１は、画素電極として機能し、発光素子毎に設けられる。電極５０２は、共通電極として機能し、複数の発光素子に共通に設けられる。

図４６Ａに示すように、発光ユニット５１２Ｒ＿１は、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｒ、及び層５２４を有する。発光ユニット５１２Ｒ＿２は、層５２２、発光層５２３Ｒ、及び層５２４を有する。また、発光素子５５０Ｒは、発光ユニット５１２Ｒ＿２と、電極５０２と、の間に、層５２５を有する。なお、層５２５を発光ユニット５１２Ｒ＿２の一部とみなすこともできる。

電極５０１が陽極として機能し、電極５０２が陰極として機能する場合、層５２１は、例えば、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。また、層５２２は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）及び電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一方又は双方を有する。また、層５２４は、例えば、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）及び正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一方又は双方を有する。また、層５２５は、例えば、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）を有する。

電極５０１が陰極として機能し、電極５０２が陽極として機能する場合、例えば、層５２１は電子注入層を有し、層５２２は電子輸送層及び正孔ブロック層のうち一方又は双方を有し、層５２４は正孔輸送層及び電子ブロック層のうち一方又は双方を有し、層５２５は正孔注入層を有する。

なお、層５２２、発光層５２３Ｒ、及び、層５２４は、それぞれ、発光ユニット５１２Ｒ＿１と発光ユニット５１２Ｒ＿２とで同一の構成（材料、膜厚等）であってもよく、異なる構成であってもよい。

なお、図４６Ａにおいては、層５２１と、層５２２と、を分けて明示したがこれに限定されない。例えば、層５２１が正孔注入層と、正孔輸送層との双方の機能を有する構成とする場合、或いは層５２１が電子注入層と、電子輸送層との双方の機能を有する構成とする場合においては、層５２２を省略してもよい。

タンデム構造の発光素子を作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層５３１を介して積層される。電荷発生層５３１は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層５３１は、電極５０１と電極５０２との間に電圧を印加したときに、発光ユニット５１２Ｒ＿１及び発光ユニット５１２Ｒ＿２のうち、一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

発光素子５５０Ｒが有する発光層５２３Ｒは、赤色の発光を示す発光物質を有し、発光素子５５０Ｇが有する発光層５２３Ｇは緑色の発光を示す発光物質を有し、発光素子５５０Ｂが有する発光層５２３Ｂは、青色の発光を示す発光物質を有する。なお、発光素子５５０Ｇ及び発光素子５５０Ｂは、それぞれ、発光素子５５０Ｒが有する発光層５２３Ｒを、発光層５２３Ｇ又は発光層５２３Ｂに置き換えた構成を有し、そのほかの構成は、発光素子５５０Ｒと同様である。

なお、層５２１、層５２２、層５２４、及び、層５２５は、それぞれ、２色以上又は全ての色の発光素子で同一の構成（材料、膜厚等）であってもよく、全ての色の発光素子で異なる構成であってもよい。

発光素子５５０Ｒ、発光素子５５０Ｇ、及び発光素子５５０Ｂのように、複数の発光ユニットが電荷発生層５３１を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。一方、一対の電極間に一つの発光ユニットを有する構成を、シングル構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光素子とすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、発光素子の信頼性を高めることができる。

本発明の一態様の表示装置５００は、タンデム構造の発光素子が適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。なお、図４６Ａに示す表示装置５００における発光素子は、発光ユニットが直列に２段形成された構造であるため、２段タンデム構造と呼称してもよい。また、図４６Ａに示す２段タンデム構造の発光素子５５０Ｒにおいては、赤色の発光層を有する第１の発光ユニットの上に、赤色の発光層を有する第２の発光ユニットが積層された構造となる。同様に、図４６Ａに示す２段タンデム構造の発光素子５５０Ｇにおいては緑色の発光層を有する第１の発光ユニットの上に緑色の発光層を有する第２の発光ユニットが積層された構造となり、発光素子５５０Ｂにおいては、青色の発光層を有する第１の発光ユニットの上に青色の発光層を有する第２の発光ユニットが積層された構造となる。

図４６Ｂは、図４６Ａに示す表示装置５００の変形例である。図４６Ｂに示す表示装置５００は、層５２５を、電極５０２と同様に、複数の発光素子が共有して有する例である。このとき、層５２５を共通層と呼ぶことができる。このように、複数の発光素子の間に１以上の共通層を設けることで、作製工程を簡略化できるため、製造コストを低減することができる。

図４７Ａに示す表示装置５００は、３つの発光ユニットを積層した場合の例である。図４７Ａにおいて、発光素子５５０Ｒは、発光ユニット５１２Ｒ＿２上にさらに電荷発生層５３１を介して発光ユニット５１２Ｒ＿３が積層されている。発光ユニット５１２Ｒ＿３は、発光ユニット５１２Ｒ＿２と同様の構成を有する。また、発光素子５５０Ｇが有する発光ユニット５１２Ｇ＿３、及び、発光素子５５０Ｂが有する発光ユニット５１２Ｂ＿３も同様である。なお、発光素子が複数の電荷発生層５３１を有する場合、複数の電荷発生層５３１の２つ以上又は全てが同一の構成（材料、膜厚等）であってもよく、全てが異なる構成であってもよい。

図４７Ｂでは、ｎ個の発光ユニット（ｎは２以上の整数）を積層した場合の例を示している。

このように、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ電流量で発光素子から得られる輝度を、積層数に応じて高めることができる。また、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、発光素子の消費電力を、積層数に応じて低減することができる。

図４６Ａ、図４６Ｂ、図４７Ａ、及び図４７Ｂに示す表示装置５００において、発光層の発光物質は特に限定されない。例えば、図４６Ａにおいて、発光素子５５０Ｒが有する２つの発光層５２３Ｒは、それぞれ、燐光材料を有し、発光素子５５０Ｇが有する２つの発光層５２３Ｇは、それぞれ、蛍光材料を有し、発光素子５５０Ｂが有する２つの発光層５２３Ｂは、それぞれ、蛍光材料を有する構成とすることができる。

又は、例えば図４６Ａにおいて、発光素子５５０Ｒが有する２つの発光層５２３Ｒは、それぞれ、燐光材料を有し、発光素子５５０Ｇが有する２つの発光層５２３Ｇは、それぞれ、燐光材料を有し、発光素子５５０Ｂが有する２つの発光層５２３Ｂは、それぞれ、蛍光材料を有する構成とすることができる。

また、本発明の一態様の表示装置には、発光素子５５０Ｒ、発光素子５５０Ｇ、及び発光素子５５０Ｂが有する全ての発光層に蛍光材料を用いる構成、又は、発光素子５５０Ｒ、発光素子５５０Ｇ、及び発光素子５５０Ｂが有する全ての発光層に燐光材料を用いる構成を適用してもよい。

また、例えば図４６Ａにおいて、発光ユニット５１２Ｒ＿１が有する発光層５２３Ｒに燐光材料を用い、発光ユニット５１２Ｒ＿２が有する発光層５２３Ｒに蛍光材料を用いる構成、又は、発光ユニット５１２Ｒ＿１が有する発光層５２３Ｒに蛍光材料を用い、発光ユニット５１２Ｒ＿２が有する発光層５２３Ｒに燐光材料を用いる構成、すなわち、１段目の発光層と２段目の発光層とで、異なる発光物質を用いる構成を適用してもよい。なお、ここでの記載については、発光ユニット５１２Ｒ＿１、及び発光ユニット５１２Ｒ＿２について明示したが、発光ユニット５１２Ｇ＿１、及び発光ユニット５１２Ｇ＿２、並びに発光ユニット５１２Ｂ＿１、及び発光ユニット５１２Ｂ＿２についても同様の構成を適用することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

本実施の形態では、主に、図１とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列等が挙げられる。

本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、及び正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。

また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

図４８Ａに示す画素１０８には、Ｓストライプ配列が適用されている。図４８Ａに示す画素１０８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂの、３つの副画素から構成される。

図４８Ｂに示す画素１０８は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０Ｒと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０Ｇと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０Ｂと、を有する。また、副画素１１０Ｒは、副画素１１０Ｇよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子を有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

図４８Ｃに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図４８Ｃでは、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇを有する画素１２４ａと、副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｂを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

図４８Ｄ乃至図４８Ｆに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有する。

図４８Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図４８Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図４８Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

図４８Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０Ｒに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０Ｇと３つの副画素１１０Ｂが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。

図４８Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、平面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇ、又は、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂ）の上辺の位置がずれている。

図４８Ａ乃至図４８Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０Ｇを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｒを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。

さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。

図４９Ａ乃至図４９Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

図４９Ａ乃至図４９Ｃに示す画素１０８は、ストライプ配列が適用されている。

図４９Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図４９Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図４９Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

図４９Ｄ乃至図４９Ｆに示す画素１０８は、マトリクス配列が適用されている。

図４９Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図４９Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図４９Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図４９Ｇ及び図４９Ｈでは、１つの画素１０８が、２行３列で構成されている例を示す。

図４９Ｇに示す画素１０８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１０８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。

図４９Ｈに示す画素１０８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０Ｗを有する。言い換えると、画素１０８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｗを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｗを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂ及び副画素１１０Ｗを有する。図４９Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、例えば製造プロセスで生じうるゴミを効率良く除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

図４９Ｇ及び図４９Ｈに示す画素１０８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

図４９Ｉでは、１つの画素１０８が、３行２列で構成されている例を示す。

図４９Ｉに示す画素１０８は、上の行（１行目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０Ｇを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０Ｂを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１０８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇを有し、右の列（２列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。

図４９Ｉに示す画素１０８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

図４９Ａ乃至図４９Ｉに示す画素１０８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗの、４つの副画素から構成される。例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｗを白色の光を呈する副画素とすることができる。なお、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗのうち少なくとも１つを、シアンの光を呈する副画素、マゼンタの光を呈する副画素、黄色の光を呈する副画素、又は近赤外光を呈する副画素としてもよい。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光素子を有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図５０Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図５０Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図５０Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図５０Ｂでは、画素２８４ａが図１に示す画素１０８と同様の構成を有する場合を例に示す。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインにはビデオ信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上に集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）が実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図５１Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、発光素子１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

基板３０１は、図５０Ａ及び図５０Ｂにおける基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１０４が設けられ、絶縁層１０４上に絶縁層１０５が設けられている。絶縁層１０５上に発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び、発光素子１３０Ｂが設けられている。図５１Ａでは、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び、発光素子１３０Ｂが図２Ａに示す積層構造を有する例を示す。隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁物が設けられる。例えば図５１Ａでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

発光素子１３０Ｒが有するＥＬ層１１３Ｒ上には、マスク層１１８Ｒが位置し、発光素子１３０Ｇが有するＥＬ層１１３Ｇ上には、マスク層１１８Ｇが位置し、発光素子１３０Ｂが有するＥＬ層１１３Ｂ上には、マスク層１１８Ｂが位置する。

導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、及び導電層１１１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１０４、及び絶縁層１０５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層１０５の上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び、発光素子１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光素子１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図５０Ａにおける基板２９２に相当する。

図５１Ｂは、図５１Ａに示す表示装置１００Ａの変形例である。図５１Ｂに示す表示装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有し、発光素子１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図５１Ｂに示す表示装置において、発光素子１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、図１９Ａを参照することができる。図５１Ｂに示す表示装置において、発光素子１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過することができる。

図５２Ａは、図５１Ａに示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図５２Ｂは、図５１Ｂに示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図２１Ａに示す構成を有する例を示す。図５３は、図５１Ａに示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｂ］
図５４に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光素子が設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

また、基板３０１Ｂの裏面（基板３０１Ａ側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａと基板３０１Ｂの間において、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

図５５は、図５４に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図５６は、図５４に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｃ］
図５７に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

図５７に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、又は錫（Ｓｎ）等を含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

図５８は、図５７に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図５９は、図５７に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｄ］
図６０に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図５０Ａ及び図５０Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板又は半導体基板を用いることができる。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水又は水素等の不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを抑制するバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、又は窒化シリコン膜等の、酸化シリコン膜よりも水素又は酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に例えば絶縁層２６４から水又は水素等の不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを抑制するバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致又は概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、例えばトランジスタ３２０に絶縁層２６５から水又は水素等の不純物が拡散することを抑制するバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

図６１は、図６０に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図６２は、図６０に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｅ］
図６３に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを援用することができる。

なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

図６４は、図６３に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図６５は、図６３に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｆ］
図６６に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、又は当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路又は記憶回路等の各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光素子の直下に画素回路だけでなく、例えば駆動回路を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

図６７は、図６６に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図６８は、図６６に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｇ］
図６９に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図７０Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図６９では、基板１５２を破線で明示している。

表示装置１００Ｇは、画素部１０７、接続部１４０、回路１６４、及び配線１６５等を有する。図６９では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。このため、図６９に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣと、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、表示装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。

接続部１４０は、画素部１０７の外側に設けられる。接続部１４０は、画素部１０７の一辺又は複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図６９では、画素部１０７の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光素子の共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線１６５は、画素部１０７及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から、又はＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

図６９では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。

図７０Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、画素部１０７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図７０Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子１３０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光素子１３０Ｂ等を有する。

発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図２Ａに示す積層構造を有する。発光素子の詳細は実施の形態１を参照できる。

発光素子１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１１１Ｒと、導電層１１１Ｒ上の導電層１１２Ｒと、を有する。導電層２２４Ｒ、導電層１１１Ｒ、及び導電層１１２Ｒの全てを画素電極と呼ぶこともでき、導電層１１１Ｒ、及び導電層１１２Ｒを画素電極と呼ぶこともできる。

発光素子１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１１１Ｇと、導電層１１１Ｇ上の導電層１１２Ｇと、を有する。

発光素子１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１１１Ｂと、導電層１１１Ｂ上の導電層１１２Ｂと、を有する。

導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４、絶縁層２１５、及び絶縁層２１３に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１１１Ｒの端部が位置している。また、前述のように、導電層１１２Ｒは、導電層１１１Ｒの上面及び側面を覆うように設けられている。

発光素子１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１１１Ｇ、及び導電層１１２Ｇ、並びに、発光素子１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１１１Ｂ、及び導電層１１２Ｂについては、発光素子１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１１１Ｒ、及び導電層１１２Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。

導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、導電層２２４Ｂ、及び層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、及び導電層１１１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることがさらに好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用することができる。

発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７が設けられている。発光素子１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図７０Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光素子と重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

図７０Ａでは、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、及び導電層１１１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１１１Ｃと、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１１２Ｃと、を有する例を示している。

表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光素子が発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は窒化アルミニウム膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層２２４Ｒ、導電層１１１Ｒ、又は導電層１１２Ｒ等の加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制できる。又は、絶縁層２１４には、導電層２２４Ｒ、導電層１１１Ｒ、又は導電層１１２Ｒ等の加工時に、凹部が設けられてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、又は逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることが好ましい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、又はｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

又は、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、又は非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

また、画素回路に含まれる発光素子の発光輝度を高くする場合、発光素子に流す電流量を大きくする必要がある。このためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光素子に流れる電流量を大きくし、発光素子の発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光素子に流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。このため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、有機ＥＬ素子の電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光素子に安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光素子の発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、及び「発光素子の特性ばらつきの抑制」等を図ることができる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路１６４が有するトランジスタと、画素部１０７が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部１０７が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

画素部１０７が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、画素部１０７が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、画素部１０７が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

例えば、画素部１０７にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、例えば配線の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

例えば、画素部１０７が有するトランジスタの一は、発光素子に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光素子の画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光素子に流れる電流を大きくできる。

一方、画素部１０７が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、信号線と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光素子を有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光素子間に流れうる横リーク電流を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光素子間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）等が限りなく少ない表示とすることができる。

特に、ＭＭＬ構造の発光素子の中でも、先に示すＳＢＳ構造を適用することで、発光素子の間に設けられる層が分断された構成となるため、横リーク電流をなくす、又は横リーク電流を極めて少なくすることができる。

図７０Ｂ１及び図７０Ｂ２に、トランジスタの他の構成例を示す。

トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

図７０Ｂ１に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

一方、図７０Ｂ２に示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図７０Ｂ２に示す構造を作製できる。図７０Ｂ２では、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１１１Ｒ、導電層１１１Ｇ、及び導電層１１１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１１２Ｒ、導電層１１２Ｇ、及び導電層１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光素子の間、接続部１４０、及び、回路１６４等に設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。

図７１は、図７０Ａに示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図７２は、図７０Ａに示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１４に示す構成を有する例を示す。

［表示装置１００Ｈ］
図７３Ａに示す表示装置１００Ｈは、図７０Ａに示す表示装置１００Ｇの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有する点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

表示装置１００Ｈにおいて、発光素子１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、基板１５２の基板１５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、及び着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１１７と重ねることができる。表示装置１００Ｈにおいて、例えば発光素子１３０の構成の詳細は、図１９Ａを参照することができる。

表示装置１００Ｈにおいて、発光素子１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過することができる。なお、表示装置１００Ｈは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。この場合、保護層１３１は、図１９Ａに示すように平坦化されていることが好ましい。

図７０Ａ及び図７３Ａ等では、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図７３Ｂ１乃至図７３Ｂ３に、層１２８の変形例を示す。

図７３Ｂ１及び図７３Ｂ３に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、図７３Ｂ２に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方又は双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つ又は複数とすることができる。

また、層１２８の上面の高さと、導電層２２４Ｒの上面の高さと、は、一致又は概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層２２４Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

また、図７３Ｂ１は、導電層２２４Ｒに形成された凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図７３Ｂ３のように、導電層２２４Ｒに形成された凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。

図７４Ａ、及び図７４Ｂ１、図７４Ｂ２、及び図７４Ｂ３は、図７３Ａ、及び図７３Ｂ１、図７３Ｂ２、及び図７３Ｂ３に示す構成の変形例であり、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂが図１０に示す構成を有する例を示す。図７５Ａ乃至図７５Ｃは、図７３Ｂ１乃至図７３Ｂ３に示す構成の変形例であり、ＥＬ層１１３Ｒが図１４に示す構成である例を示す。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光素子について説明する。

図７６Ａに示すように、発光素子は、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０等の複数の層で構成することができる。

発光層７７１は、少なくとも発光物質を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つ又は複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つ又は複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図７６Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図７６Ｂは、図７６Ａに示す発光素子が有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図７６Ｂに示す発光素子は、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率良くキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

なお、図７６Ｃ及び図７６Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図７６Ｃ及び図７６Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光素子における発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光素子は、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。バッファ層は、例えば、正孔輸送層又は電子輸送層に用いることができる材料を用いて形成することができる。

また、図７６Ｅ及び図７６Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光素子とすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。

なお、図７６Ｄ及び図７６Ｆは、表示装置が、発光素子と重なる層７６４を有する例である。図７６Ｄは、層７６４が、図７６Ｃに示す発光素子と重なる例であり、図７６Ｆは、層７６４が、図７６Ｅに示す発光素子と重なる例である。図７６Ｄ及び図７６Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

層７６４としては、色変換層及び着色層の一方又は双方を用いることができる。

図７６Ｃ及び図７６Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光素子が発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図７６Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光素子が発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色又は緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４としては、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。発光素子が発する光の一部は、色変換層で変換されずにそのまま透過してしまうことがある。色変換層を透過した光を、着色層を介して取り出すことで、所望の色の光以外を着色層で吸収し、副画素が呈する光の色純度を高めることができる。

また、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光素子は、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

例えば、シングル構造の発光素子が３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、又は、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇ等とすることができる。このとき、ＲとＧ又はＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

また、例えば、シングル構造の発光素子が２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。

図７６Ｄに示す層７６４として、着色層を設けてもよい。白色光が着色層を透過することで、所望の色の光を得ることができる。

白色の光を発する発光素子は、２以上の発光層を有することが好ましい。例えば、２の発光層を用いて白色発光を得る場合、２の発光層の各々の発光色が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する構成を得ることができる。また、３以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで、発光素子全体として白色発光することができる構成とすればよい。

また、図７６Ｅ及び図７６Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。

例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光素子が発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図７６Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光素子が発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色又は緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４としては、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。

また、各色の光を呈する副画素に、図７６Ｅ又は図７６Ｆに示す構成の発光素子を用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示装置は、タンデム構造の発光素子が適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い発光素子を実現することができる。

また、図７６Ｅ及び図７６Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図７６Ｆに示す層７６４として、着色層を設けてもよい。白色光が着色層を透過することで、所望の色の光を得ることができる。

なお、図７６Ｅ及び図７６Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

また、図７６Ｅ及び図７６Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光素子を例示したが、これに限られない。発光素子は、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。

具体的には、図７７Ａ乃至図７７Ｃに示す発光素子の構成が挙げられる。

図７７Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

また、図７７Ａに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。なお、層７８０ｃは、層７８０ａ及び層７８０ｂに適用可能な構成を用いることができ、層７９０ｃは、層７９０ａ及び層７９０ｂに適用可能な構成を用いることができる。

図７７Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、又は発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。なお、「ａ＼ｂ」は、ａの光を発する発光物質を有する発光ユニット上に、電荷発生層を介して、ｂの光を発する発光物質を有する発光ユニットが設けられていることを意味し、ａ、ｂは、色を意味する。

また、図７７Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のうち、一部又は全てに異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３の発光色の組み合わせは、例えば、いずれか２つが青色（Ｂ）、残りの一つが黄色（Ｙ）の構成、並びに、いずれか一つが赤色（Ｒ）、他の一つが緑色（Ｇ）、残りの一つが青色（Ｂ）の構成が挙げられる。

なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図７７Ｂに示すように、複数の発光層を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光素子としてもよい。図７７Ｂは、２つの発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

図７７Ｂにおいては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃについて、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ａを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃについても、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ｂを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図７７Ｂに示す構成は、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、又は４段以上のタンデム構造としてもよい。

また、タンデム構造の発光素子を用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙ又はＹ＼Ｂの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼Ｂ又はＢ＼Ｒ・Ｇの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造等が挙げられる。なお、「ａ・ｂ」は、１つの発光ユニットにａの光を発する発光物質とｂの光を発する発光物質とを有することを意味する。

また、図７７Ｃに示すように、１つの発光層を有する発光ユニットと、複数の発光層を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

具体的には、図７７Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

例えば、図７７Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造等を適用することができる。

例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、又は、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造等とすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

なお、図７６Ｃ、図７６Ｄにおいても、図７６Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

また、図７６Ｅ及び図７６Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つ又は複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つ又は複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

また、タンデム構造の発光素子を作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

次に、発光素子に用いることができる材料について説明する。

下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光素子を有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

発光素子の一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、マグネシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、及びネオジム等の金属、並びにこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物等を挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム合金、並びに、銀とマグネシウムの合金、及びＡＰＣ等の銀を含む合金が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウム等の希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

発光素子には、マイクロキャビティ構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光素子が有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光素子がマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光素子から射出される光を強めることができる。

なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、透明電極として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。

半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

発光素子は少なくとも発光層を有する。また、発光素子は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光素子は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

発光素子には低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光素子を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成することができる。

発光層は、１種又は複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、又は赤色等の発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料等が挙げられる。

蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体等が挙げられる。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、又はピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種又は複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種又は複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方又は双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種又は複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、又はＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率良く得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率良く発光を得ることができる。この構成により、発光素子の高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料等が挙げられる。

正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等の有機アクセプター性材料を用いることもできる。

例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、又はフラン誘導体）、又は芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、又はチアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、又はその他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

また、電子注入性の高い材料のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）ことが好ましい。

電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、若しくは炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、又は逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、又は２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

電子注入バッファ層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物又はアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、又は、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（又は電子輸送層）との相互作用を抑制して、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の材料、又は、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、又は特性等によって明確に区別できない場合がある。

なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は信頼性が高く、また高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置の解像度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する表示装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応することができる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、又はテキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。

図７８Ａ乃至図７８Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲ等の少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

図７８Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図７８Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電することができる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。

図７８Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図７８Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、例えば図７８Ｃにおいては、メガネのつる（ジョイント、又はテンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には例えば映像出力機器からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図７８Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図７８Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図７８Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図７８Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。

また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

図７９Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図７９Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図７９Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図７９Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、或いは受信者同士等）の情報通信を行うことも可能である。

図７９Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図７９Ｅ及び図７９Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図７９Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図７９Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図７９Ｅ及び図７９Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報若しくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図７９Ｅ及び図７９Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図８０Ａ乃至図８０Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図８０Ａ乃至図８０Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、又はテキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器に例えばカメラを設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図８０Ａ乃至図８０Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図８０Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図８０Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、又は電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、及び電波強度等が挙げられる。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。

図８０Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図８０Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図８０Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図８０Ｅ乃至図８０Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図８０Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図８０Ｇは折り畳んだ状態、図８０Ｆは図８０Ｅと図８０Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：絶縁層、１０２：導電層、１０３：絶縁層、１０４：絶縁層、１０５：絶縁層、１０６：プラグ、１０７：画素部、１０８：画素、１０９：導電層、１１０Ｂ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０Ｗ：副画素、１１０：副画素、１１１ａ：導電層、１１１Ｂ：導電層、１１１ｂ：導電層、１１１Ｃ：導電層、１１１ｃ：導電層、１１１ｆ：導電膜、１１１Ｇ：導電層、１１１Ｒ：導電層、１１１：導電層、１１２ａ：導電層、１１２Ｂ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２Ｃ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１２ｆ：導電膜、１１２Ｇ：導電層、１１２Ｒ：導電層、１１２：導電層、１１３Ｂ：ＥＬ層、１１３Ｂｆ：ＥＬ膜、１１３ｄ：電荷発生層、１１３ｅ：発光ユニット、１１３ｆ：ＥＬ膜、１１３Ｇ：ＥＬ層、１１３Ｇｆ：ＥＬ膜、１１３Ｒ：ＥＬ層、１１３Ｒｆ：ＥＬ膜、１１３：ＥＬ層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１１８Ｂ：マスク層、１１８Ｂｆ：マスク膜、１１８ｆ：マスク膜、１１８Ｇ：マスク層、１１８Ｇｆ：マスク膜、１１８Ｒ：マスク層、１１８Ｒｆ：マスク膜、１１８：マスク層、１１９Ｂ：マスク層、１１９Ｂｆ：マスク膜、１１９ｆ：マスク膜、１１９Ｇ：マスク層、１１９Ｇｆ：マスク膜、１１９Ｒ：マスク層、１１９Ｒｆ：マスク膜、１１９：マスク層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２７ａ：絶縁層、１２７ｂ：絶縁層、１２７ｆ：絶縁膜、１２７：絶縁層、１２８：層、１３０Ｂ：発光素子、１３０Ｇ：発光素子、１３０Ｒ：発光素子、１３０：発光素子、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３２：着色層、１４０：接続部、１４１：領域、１４２：接着層、１５１：基板、１５２：基板、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１８０：領域、１８２：領域、１８４：領域、１８６：領域、１９０Ｂ：レジストマスク、１９０Ｇ：レジストマスク、１９０Ｒ：レジストマスク、１９０：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２４Ｂ：導電層、２２４Ｃ：導電層、２２４Ｇ：導電層、２２４Ｒ：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、５００：表示装置、５０１：電極、５０２：電極、５１２Ｂ＿１：発光ユニット、５１２Ｂ＿２：発光ユニット、５１２Ｂ＿３：発光ユニット、５１２Ｇ＿１：発光ユニット、５１２Ｇ＿２：発光ユニット、５１２Ｇ＿３：発光ユニット、５１２Ｒ＿１：発光ユニット、５１２Ｒ＿２：発光ユニット、５１２Ｒ＿３：発光ユニット、５２１：層、５２２：層、５２３Ｂ：発光層、５２３Ｇ：発光層、５２３Ｒ：発光層、５２４：層、５２５：層、５３１：電荷発生層、５５０Ｂ：発光素子、５５０Ｇ：発光素子、５５０Ｒ：発光素子、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (20)

1. 　第１の発光素子と、前記第１の発光素子と隣接する第２の発光素子と、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の間に設けられる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、を有し、
   　前記第１の発光素子は、第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面を覆う第２の導電層と、前記第２の導電層上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光素子は、第３の導電層と、前記第３の導電層の上面及び側面を覆う第４の導電層と、前記第４の導電層上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第２の絶縁層上には、前記共通電極が設けられ、
   　前記第１の導電層の可視光に対する反射率は、前記第２の導電層の可視光に対する反射率より高く、
   　前記第３の導電層の可視光に対する反射率は、前記第４の導電層の可視光に対する反射率より高い、表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第１のＥＬ層は、前記第２の導電層と接する領域を有する第１の機能層と、前記第１の機能層上の第１の発光層と、を有し、
   　前記第２のＥＬ層は、前記第４の導電層と接する領域を有する第２の機能層と、前記第２の機能層上の第２の発光層と、を有する、表示装置。
3. 　請求項２において、
   　前記第１の機能層、及び前記第２の機能層は、正孔注入層、又は正孔輸送層の少なくとも一方を有し、
   　前記第２の導電層の仕事関数は、前記第１の導電層の仕事関数より大きく、
   　前記第４の導電層の仕事関数は、前記第３の導電層の仕事関数より大きい、表示装置。
4. 　請求項３において、
   　前記第１の発光素子は、前記第１のＥＬ層と前記共通電極との間に共通層を有し、
   　前記第２の発光素子は、前記第２のＥＬ層と前記共通電極との間に前記共通層を有し、
   　前記共通層は、前記第２の絶縁層と前記共通電極との間に位置し、
   　前記共通層は、電子注入層、又は電子輸送層の少なくとも一方を有する、表示装置。
5. 　請求項２において、
   　前記第１の機能層、及び前記第２の機能層は、電子注入層、又は電子輸送層の少なくとも一方を有し、
   　前記第２の導電層の仕事関数は、前記第１の導電層の仕事関数より小さく、
   　前記第４の導電層の仕事関数は、前記第３の導電層の仕事関数より小さい、表示装置。
6. 　請求項５において、
   　前記第１の発光素子は、前記第１のＥＬ層と前記共通電極との間に共通層を有し、
   　前記第２の発光素子は、前記第２のＥＬ層と前記共通電極との間に前記共通層を有し、
   　前記共通層は、前記第２の絶縁層と前記共通電極との間に位置し、
   　前記共通層は、正孔注入層、又は正孔輸送層の少なくとも一方を有する、表示装置。
7. 　請求項１乃至６のいずれか一項において、
   　前記第２の導電層、及び前記第４の導電層は、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を含む、表示装置。
8. 　請求項１乃至７のいずれか一項において、
   　前記第１の絶縁層は、前記第１のＥＬ層の側面、及び前記第２のＥＬ層の側面と接する領域を有し、且つ前記第１のＥＬ層の上面の一部、及び前記第２のＥＬ層の上面の一部を覆い、
   　断面視において、前記第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う、表示装置。
9. 　請求項１乃至８のいずれか一項において、
   　断面視において、前記第１の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、表示装置。
10. 　請求項１乃至９のいずれか一において、
    　前記第１の絶縁層は、無機絶縁層であり、
    　前記第２の絶縁層は、有機絶縁層である、表示装置。
11. 　請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    　前記第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、
    　前記第２の絶縁層は、アクリル樹脂を有する、表示装置。
12. 　請求項１乃至１１のいずれか一に記載の表示装置と、
    　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
13. 　請求項１２に記載の表示モジュールと、
    　筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
14. 　第１の導電層を形成し、
    　前記第１の導電層の上面及び側面を覆い、前記第１の導電層より可視光に対する反射率が低い第２の導電層を形成し、
    　前記第２の導電層上に、ＥＬ膜を形成し、
    　前記ＥＬ膜上に、マスク膜を形成し、
    　前記ＥＬ膜、及び前記マスク膜を加工して、前記第２の導電層上のＥＬ層と、前記ＥＬ層上のマスク層と、を形成する、表示装置の作製方法。
15. 　請求項１４において、
    　前記第２の導電層の形成後、且つ前記ＥＬ膜の形成前に、前記第２の導電層に対して疎水化処理を行う、表示装置の作製方法。
16. 　請求項１５において、
    　前記第２の導電層に対してフッ素修飾を行うことにより前記疎水化処理を行う、表示装置の作製方法。
17. 　第１の導電層、及び第２の導電層を形成し、
    　前記第１の導電層の上面及び側面を覆い、前記第１の導電層より可視光に対する反射率が低い第３の導電層と、前記第２の導電層の上面及び側面を覆い、前記第２の導電層より可視光に対する反射率が低い第４の導電層と、を形成し、
    　前記第３の導電層上、及び前記第４の導電層上に、第１のＥＬ膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜上に、第１のマスク膜を形成し、
    　前記第１のＥＬ膜、及び前記第１のマスク膜を加工して、前記第３の導電層上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の第１のマスク層と、を形成し、且つ前記第４の導電層を露出させ、
    　前記第１のマスク層上、及び前記第４の導電層上に、第２のＥＬ膜を形成し、
    　前記第２のＥＬ膜上に、第２のマスク膜を形成し、
    　前記第２のＥＬ膜、及び前記第２のマスク膜を加工して、前記第４の導電層上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の第２のマスク層と、を形成し、且つ前記第１のマスク層を露出させ、
    　前記第１のマスク層上、及び前記第２のマスク層上に、感光性材料を用いて絶縁膜を形成し、
    　前記絶縁膜を加工して、前記第１のＥＬ層と前記第２のＥＬ層の間に絶縁層を形成し、
    　前記絶縁層をマスクに用いてエッチング処理を行い、前記第１のＥＬ層の上面、及び前記第２のＥＬ層の上面を露出させ、
    　前記第１のＥＬ層上、前記第２のＥＬ層上、及び前記絶縁層上に共通電極を形成する、表示装置の作製方法。
18. 　請求項１７において、
    　前記第３の導電層、及び前記第４の導電層の形成後、且つ前記第１のＥＬ膜の形成前に、前記第３の導電層、及び前記第４の導電層に対して疎水化処理を行う、表示装置の作製方法。
19. 　請求項１８において、
    　前記第３の導電層、及び前記第４の導電層に対してフッ素修飾を行うことにより前記疎水化処理を行う、表示装置の作製方法。
20. 　請求項１７乃至１９のいずれか一項において、
    　前記エッチング処理は、ウェットエッチングによって行う、表示装置の作製方法。

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