TW202312530A - 顯示裝置、顯示模組、電子裝置以及顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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方堂涼太
神保安弘
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Abstract

提供一種可靠性高的顯示裝置。該顯示裝置包括第一發光元件、與第一發光元件相鄰的第二發光元件、設置在第一發光元件與第二發光元件之間的第一絕緣層以及第一絕緣層上的第二絕緣層。第一發光元件包括第一導電層、覆蓋第一導電層的頂面及側面的第二導電層、覆蓋第二導電層的頂面及側面的第一EL層以及第一EL層上的共用電極。第二發光元件包括第三導電層、覆蓋第三導電層的頂面及側面的第四導電層、覆蓋第四導電層的頂面及側面的第二EL層以及第二EL層上的共用電極。第二絕緣層上設置有共用電極。第一導電層的可見光反射率比第二導電層的可見光反射率高，第三導電層的可見光反射率比第四導電層的可見光反射率高。

Description

顯示裝置、顯示模組、電子裝置以及顯示裝置的製造方法
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置、顯示模組及電子裝置。本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置的製造方法。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置(例如，觸控感測器等)、輸入輸出裝置(例如，觸控面板等)、它們的驅動方法或它們的製造方法。
近年來，顯示裝置被期待應用於各種用途。例如，作為大型顯示裝置的用途，可以舉出家用電視機(也稱為電視或電視接收器)、數位看板(Digital Signage)及公共資訊顯示器(PID：Public Information Display)等。此外，作為可攜式資訊終端，對具備觸控面板的智慧手機及平板終端等已在進行研發。
另外，有顯示裝置的高清晰化的需求。作為需要高清晰顯示裝置的設備，例如面向虛擬實境(VR：Virtual Reality)、擴增實境(AR：Augmented Reality)、替代實境(SR：Substitutional Reality)以及混合實境(MR：Mixed Reality)的設備的開發很活躍。
作為顯示裝置，例如已開發了包括發光元件(也稱為發光器件)的發光裝置。利用電致發光(EL：Electroluminescence)現象的發光元件(也記載為“EL元件”或“有機EL元件”)具有容易實現薄型輕量化；能夠高速地回應輸入信號；以及能夠使用直流穩壓電源而驅動等的特徵，並且將其應用於顯示裝置。
專利文獻1公開了使用有機EL元件(也稱為有機EL器件)的面向VR的顯示裝置。
另外，非專利文獻1公開了使用典型UV光微影法的有機光電器件的製造方法。
[專利文獻1]國際專利申請公開第2018/087625號
[非專利文獻1]B.Lamprecht et al.，“Organic optoelectronic device fabrication using standard UV photolithography” phys.stat.sol.(RRL)2，No.1，pp.16-18 (2008)
例如，有機EL元件可以具有由一對電極夾持含有有機化合物的層的結構。這裡，在電極具有含有不同材料的多個層的疊層結構的情況下，電極例如因該多個層間的反應而變質。由此，有時降低顯示裝置的良率。
鑒於此，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種包括發光效率 高的發光元件的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種低功耗的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種光提取效率高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種廉價顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種顯示品質高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高清晰的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高解析度顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎顯示裝置。
另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種良率高的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種包括發光效率高的發光元件的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種低功耗的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種光提取效率高的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種顯示品質高的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高清晰的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高解析度顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎顯示裝置的製造方法。
注意，這些目的的記載並不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述目的以外的目的。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，包括第一發光元件、與第一發光元件相鄰的第二發光元件、設置在第一發光元件與第二發光元件之間的第一絕緣層以及第一絕緣層上的第二絕緣層，第一發光元件包括第一導電層、覆蓋第一導電層的頂面及側面的第二導電層、第二導電層上的第一EL層以及第一EL層上的共用電極，第二發光元件包括第三導電層、覆蓋第三導電層的頂面及側面的第四導電層、第四導電層上的第二EL層以及第二EL層上的共用電極，第二絕緣層上設置有共用電極，第一導電層的可見光反射率比第二導電層的可見光反射率高，第三導電層的可見光反射率比第四導電層的可見光反射率高。
另外，在上述實施方式中，第一EL層也可以包括具有接觸於第二導電層的區域的第一功能層以及第一功能層上的第一發光層，並且第二EL層也可以包括具有接觸於第四導電層的區域的第二功能層以及第二功能層上的第二發光層。
另外，在上述實施方式中，第一功能層及第二功能層也可以包括電洞注入層和電洞傳輸層中的至少一方，第二導電層的功函數也可以比第一導電層的功函數大，並且第四導電層的功函數也可以比第三導電層的功函數大。
另外，在上述實施方式中，第一發光元件也可以在第一EL層與共用電極之間包括共用層，第二發光元件也可以在第二EL層與共用電極之間包括共用層，共用層也可以位於第二絕緣層與共用電極之間，並且共用層也可以包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一方。
另外，在上述實施方式中，第一功能層及第二功能層也可以包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一方，第二導電層的功函數也可以比第一導電層的功函數小，並且第四導電層的功函數也可以比第三導電層的功函數小。
另外，在上述實施方式中，第一發光元件也可以在第一EL層與共用電極之間包括共用層，第二發光元件也可以在第二EL層與共用電極之間包括共用層，共用層也可以位於第二絕緣層與共用電極之間，並且共用層也可以包括電洞注入層和電洞傳輸層中的至少一方。
另外，在上述實施方式中，第二導電層及第四導電層也可以具有包含選自銦、錫、鋅、鎵、鈦、鋁和矽中的任一個或多個的氧化物。
另外，在上述實施方式中，第一絕緣層也可以具有接觸於第一EL層的側面及第二EL層的側面的區域並覆蓋第一EL層的頂面的一部分及第二EL層的頂面的一部分，在剖面中第二絕緣層的端部也可以具有錐角小於90°的錐形形狀，並且第二絕緣層也可以覆蓋第一絕緣層的側面的至少一部分。
另外，在上述實施方式中，在剖面中第一絕緣層的端部也可以具有錐角小於90°的錐形形狀。
另外，在上述實施方式中，第一絕緣層及第二絕緣層分別也可以為無機絕緣層及有機絕緣層。
另外，在上述實施方式中，第一絕緣層及第二絕緣層分別也可以包含氧化鋁及丙烯酸樹脂。
本發明的一個實施方式是一種顯示模組，包括本發明的一個實施方式的顯示裝置、以及連接器和積體電路中的至少一個。
本發明的一個實施方式是一種電子裝置，包括本發明的一個實施方式的顯示模組、以及外殼、電池、照相機、揚聲器和麥克風中的至少一個。
另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，包括：形成第一導電層；形成覆蓋第一導電層的頂面及側面且其可見光反射率比第一導電層低的第二導電層；在第二導電層上形成EL膜；在EL膜上形成遮罩膜；以及加工EL膜及遮罩膜來形成第二導電層上的EL層及EL層上的遮罩層。
另外，在上述實施方式中，也可以在形成第二導電層之後且形成EL膜之前對第二導電層進行疏水化處理。
另外，在上述實施方式中，也可以對第二導電層進行氟修飾，由此進行疏水化處理。
另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，包括：形成第一導電層及第二導電層；形成覆蓋第一導電層的頂面及側面且其可見光反射率比第一導電層低的第三導電層，並形成覆蓋第二導電層的頂面及側面且其可見光反射率比第二導電層低的第四導電層；在第三導電層及第四導電層上形成第一EL膜；在第一EL膜上形成第一遮罩膜；加工第一EL膜及第一遮罩膜來形成第三導電層上的第一EL層及第一EL層上的第一遮罩層，並使第四導電層露出；在第一遮罩層及第四導電層上形成第二EL膜；在第二EL膜上形成第二遮罩膜；加工第二EL膜及第二遮罩膜來形成第四導電層上的第二EL層及第二EL層上的第二遮罩層，並使第一遮罩層露出；在第一遮罩層及第二遮罩層上使用感光材料形成絕緣膜；加工絕緣膜來在第一EL層與第二EL層之間形成絕緣層；將絕緣層用作遮罩進行蝕刻處理來使第一EL層的頂面及第二EL層的頂面露出；以及在第一EL層、第二EL層及絕緣層上形成共用電極。
另外，在上述實施方式中，也可以在形成第三導電層及第四導電層之後且形成第一EL膜之前對第三導電層及第四導電層進行疏水化處理。
另外，在上述實施方式中，也可以對第三導電層及第四導電層進行氟修飾，由此進行疏水化處理。
另外，在上述實施方式中，蝕刻處理也可以利用濕蝕刻進行。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種包括發光效率高的發光元件的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種低功耗的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種光提取效率高的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種廉價顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高清晰的顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高解析度顯示裝置。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎顯示裝置。
另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種良率高的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種包括發光效率高的發光元件的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種低功耗的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種光提取效率高的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高清晰的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種高解析度顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎顯示裝置的製造方法。
注意，這些效果的記載並不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述效果以外的效果。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在以下說明的發明的結構中，在不同的圖式之間共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時圖式中示出的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式所公開的位置、大小及範圍等。
另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。
在本說明書等中，為了方便起見，有時使用“上”、“下”、“上方”或“下方”等表示配置的詞句以參照圖式說明組件的位置關係。此外，組件的位置關係根據描述各結構的方向適當地改變。因此，不侷限於本說明書等中所說明的詞句，根據情況可以適當地換詞句。例如，在“位於導電層的頂面的絕緣層”的表述中，藉由將所示的圖式的方向旋轉180度，也可以稱為“位於導電層的底面的絕緣層”。
在本說明書等中，有時將使用金屬遮罩或FMM(Fine Metal Mask，高精細金屬遮罩)製造的器件稱為具有MM(Metal Mask)結構的器件。此外，在本說明書等中，有時將不使用金屬遮罩或FMM製造的器件稱為具有MML(Metal Mask Less)結構的器件。
在本說明書等中，有時將電洞或電子稱為“載子”。明確而言，電洞注入層或電子注入層、電洞傳輸層或電子傳輸層以及電洞障壁層或電子障壁層有時分別被稱為“載子注入層”、”載子傳輸層”以及“載子障壁層”。注意，根據剖面形狀或特性等，有時不能明確地區別上述載子注入層、載子傳輸層及載子障壁層。另外，有時一個層具有作為載子注入層、載子傳輸層和載子障壁層中的兩個或三個的功能。
在本說明書等中，發光元件在一對電極間包括EL層。EL層至少包括發光層。在此，作為EL層所包括的層，可以舉出發光層、載子注入層、載子傳輸層及載子障壁層等。
在本說明書等中，載子注入層表示電洞注入層和電子注入層中的一者或兩者。另外，載子傳輸層表示電洞傳輸層和電子傳輸層中的一者或兩者。再者，載子障壁層表示電洞障壁層和電子障壁層中的一者或兩者。
本說明書等中，錐形形狀是指組件的側面的至少一部分相對於基板面傾斜地設置的形狀。例如，是指具有傾斜的側面和基板面(也稱為錐角)小於90°的區域的形狀。結構的側面及基板面不一定需要為完全的平坦，也可以為具有微小曲率的近似平面狀或具有微細凹凸的近似平面狀。
實施方式1 在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的顯示裝置及其製造方法。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以進行全彩色顯示。例如，藉由根據發光顏色分別形成至少包括發光層的EL層，可以製造能夠進行全彩色顯示的顯示裝置。或者，藉由例如在發射白色光的EL層上設置彩色層(也稱為濾色片)，可以製造能夠進行全彩色顯示的顯示裝置。
有時將在各顏色的發光元件(例如為藍色(B)、綠色(G)及紅色(R))中分別形成發光層或分別塗佈發光層的結構稱為SBS(Side By Side)結構。另外，有時將可發射白色光的發光元件稱為白色發光元件。
在製造包括發光顏色不同的多個發光元件的顯示裝置時，需要將發光顏色不同的發光層分別形成為島狀。另外，在製造包括白色發光元件的顯示裝置的情況下也較佳為將發光層形成為島狀，由此可以降低可產生在隔著發光層相鄰的發光元件間的洩漏電流。
注意，在本說明書等中，島狀是指以同一製程形成並使用同一材料的兩個以上的層物理分離的狀態。例如，島狀發光層是指該發光層與相鄰的發光層物理分離的狀態。
例如，藉由使用金屬遮罩的真空蒸鍍法，可以沉積島狀發光層。然而，在該方法中，島狀發光層的形狀及位置因金屬遮罩的精度、金屬遮罩與基板的錯位、金屬遮罩的撓曲、以及蒸氣的散射等所導致的沉積的膜的輪廓變大等各種影響而不同於設計。因此，不容易實現顯示裝置的高清晰化及高開口率化。另外，在蒸鍍中，有時因層的輪廓模糊而減小端部的厚度。就是說，有時根據位置島狀發光層的厚度不同。另外，當製造大型且高解析度或高清晰的顯示裝置時，有如下擔擾：由於金屬遮罩的低尺寸精度、熱等所引起的變形，製造良率下降。
鑒於此，在製造本發明的一個實施方式的顯示裝置時，不用金屬遮罩等陰影遮罩而用光微影法將發光層加工為微細圖案。明確而言，在每個子像素中形成像素電極，然後跨著多個像素電極沉積發光層。然後，利用光微影法加工該發光層而在一個像素電極中形成一個島狀發光層。由此，發光層按每個子像素分割而可以按每個子像素形成島狀發光層。
當將上述發光層加工為島狀時，可以考慮在發光層的正上利用光微影法進行加工的結構。在採用該結構的情況下，發光層有可能受到損傷，諸如加工所造成的損傷等而顯著降低可靠性。於是，在製造本發明的一個實施方式的顯示裝置時，較佳為使用如下方法，亦即在作為EL層的發光層和發光層的上方的功能層，諸如載子障壁層、載子傳輸層或載子注入層，更具體的是電洞障壁層、電子傳輸層或電子注入層等上形成遮罩層等，將發光層及該功能層加工為島狀。藉由採用該方法，可以提供可靠性高的顯示裝置。藉由在發光層和遮罩層之間包括功能層，可以抑制顯示裝置的製程中發光層露出在最表面上，可以減輕發光層受到的損傷。
注意，在本說明書等中，遮罩膜及遮罩層分別是指如下膜及層，亦即在至少構成發光層，更具體的是構成EL層的層中位於被加工為島狀的層的上方，並且在製程中具有保護該發光層的功能。另外，遮罩膜也可以被稱為犧牲膜或保護膜，遮罩層也可以被稱為犧牲層或保護層。
EL層可以不僅在發光層的上方而且在發光層的下方包括功能層。在此，當將上述發光層加工為島狀時，較佳的是，以與發光層相同的圖案將發光層的下方的功能層(例如，載子注入層、載子傳輸層或載子障壁層，更具體的是電洞注入層、電洞傳輸層或電子障壁層等)加工為島狀。藉由以與發光層相同的圖案將發光層的下方的層加工為島狀，可以降低可產生在相鄰的子像素間的洩漏電流(有時也稱為橫向洩漏電流或側洩漏電流)。例如，當相鄰的子像素間共用電洞注入層時，因該電洞注入層而可產生側洩漏電流。另一方面，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，可以以與發光層相同的圖案將電洞注入層加工為島狀，所以可以使相鄰的子像素間的側洩漏電流實質上沒有產生，或者可以使其極低。
在此，較佳為以覆蓋像素電極的頂面及側面的方式設置EL層。由此，與EL層的端部位於像素電極的端部的內側的結構相比更容易提高開口率。
另外，像素電極較佳為具有包含不同材料的多個層的疊層結構。例如，在顯示裝置具有頂部發射結構且像素電極具有第一導電層及第一導電層上的第二導電層這兩層疊層結構的情況下，第一導電層可以為其可見光反射率比第二導電層高的層。另外，在發光層的下方的功能層例如包括電洞注入層和電洞傳輸層中的至少一方且第二導電層接觸於該功能層的情況下，第二導電層可以為其功函數比第一導電層大的層。換言之，在將像素電極用作陽極的情況下，第二導電層可以為其功函數比第一導電層大的層。由此，可以實現光提取效率高且驅動電壓低的發光元件。
在本說明書等中，可見光是指波長為400nm以上且小於750nm的光。另外，可見光反射率是指400nm以上且小於750nm的波長中的規定範圍內的波長之光下的反射率。例如，有時將400nm以上且小於750nm的所有波長之光下的反射率的平均值或最大值設為可見光反射率。另外，有時將400nm以上且小於750nm的波長中的特定波長之光下的反射率設為可見光反射率。
另一方面，在像素電極具有使用不同材料的多個層的疊層結構的情況下，像素電極例如因該多個層間的反應而變質。例如，在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中，在使用濕蝕刻法去除形成像素電極之後形成的膜的情況下，有時藥液接觸於像素電極。在像素電極具有多個層的疊層結構的情況下，有時由於該多個層接觸於藥液而發生電偶腐蝕。由此，有時構成像素電極的層中的至少一個變質。由此，有時降低顯示裝置的良率。另外，有時降低顯示裝置的可靠性。
鑒於此，在本發明的一個實施方式中，以覆蓋第一導電層的頂面及側面的方式形成第二導電層。由此，例如在使用濕蝕刻法去除形成包括第一導電層及第二導電層的像素電極之後形成的膜的情況下也可以抑制藥液接觸於第一導電層。因此，例如可以抑制像素電極中發生電偶腐蝕。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以以良率高的方法製造。另外，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以為不良的發生得到抑制的高可靠性顯示裝置。
注意，在分別發射不同顏色光的發光元件中，不需要分別形成構成EL層的所有層，也可以藉由同一製程形成一部分層。在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中，在根據顏色將構成EL層的一部分層形成為島狀之後，去除遮罩層中的至少一部分，以各顏色共同使用的方式，亦即在各顏色上作為一個膜形成構成EL層的其他層(有時稱為共用層)以及共用電極(也可以稱為上部電極)。例如，可以以各顏色共同使用的方式形成載子注入層及共用電極。
另一方面，在很多情況下載子注入層為在EL層中導電性較高的層。因此，有在載子注入層接觸於被形成為島狀的EL層的部分層的側面或像素電極的側面時發光元件短路的擔憂。另外，在將載子注入層設置為島狀且以各顏色共同使用的方式形成共用電極的情況下，也有在共用電極與EL層的側面或像素電極的側面接觸時發光元件短路的擔憂。
於是，本發明的一個實施方式的顯示裝置包括至少覆蓋島狀發光層的側面的絕緣層。另外，該絕緣層較佳為覆蓋島狀發光層的頂面的一部分。
由此，可以抑制形成為島狀的EL層的至少一部分的層及像素電極接觸於載子注入層及共用電極。因此，可以抑制發光元件的短路而提高發光元件的可靠性。
在剖面中，該絕緣層的端部較佳為具有錐角小於90°的錐形形狀。由此，可以抑制設置在絕緣層上的共用層及共用電極的斷開。因此，可以抑制斷開導致的連接不良。另外，可以抑制電阻由於因步階導致的共用電極局部薄膜化而上升。
在本說明書等中，斷開是指層、膜或電極因步階等的被形成面的形狀而被截斷或局部性地形成厚度薄的部分的現象。
如此，在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中製造的島狀發光層不是使用包括高精細金屬遮罩形成，而是在整個面上沉積發光層之後進行加工來形成。因此，可以實現至今難以實現的高清晰的顯示裝置或高開口率的顯示裝置。並且，因為可以分別形成各顏色的發光層，所以可以實現極為鮮明、對比度高且顯示品質高的顯示裝置。另外，藉由在發光層上設置遮罩層，可以降低在顯示裝置的製程中發光層受到的損傷，而可以提高發光元件的可靠性。
另外，例如在使用高精細金屬遮罩的形成方法中，難以將相鄰的發光元件間的距離設為小於10μm，但是根據本發明的一個實施方式的使用光微影法的方法，在玻璃基板上的製程中可以將相鄰的發光元件間的距離、相鄰的EL層間的距離或相鄰的像素電極間的距離縮小到小於10μm、5μm以下、3μm以下、2μm以下、1.5μm以下、1μm以下或0.5μm以下。另外，例如藉由使用LSI用曝光裝置，在矽基板上的製程中可以將相鄰的發光元件間的距離、相鄰的EL層間的距離或相鄰的像素電極間的距離例如縮小到500nm以下、200nm以下、100nm以下、甚至為50nm以下。由此，可以大幅度地減小有可能存在於兩個發光元件間的非光發光區域的面積，而可以使開口率接近於100%。例如，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中也可以實現40%以上、50%以上、60%以上、70%以上、80%以上、甚至為90%以上，且低於100%的開口率。
另外，藉由提高顯示裝置的開口率，可以提高顯示裝置的可靠性。更明確地說，當以使用有機EL元件且開口率為10%的顯示裝置的使用壽命為準時，開口率為20%，亦即開口率為基準的兩倍的顯示裝置的使用壽命約為3.25倍，開口率為40%，亦即開口率為基準的四倍的顯示裝置的使用壽命約為10.6倍。如此，開口率越高可以使流過有機EL元件的電流密度越低，因此可以提高顯示裝置的使用壽命。在本發明的一個實施方式的顯示裝置中可以提高開口率，所以可以提高顯示裝置的顯示品質。並且，隨著顯示裝置的開口率提高，發揮優良的效果諸如顯著提高顯示裝置的可靠性，尤其是使用壽命。
此外，關於發光層本身的圖案，與使用高精細金屬遮罩的情況相比，可以極為小。此外，例如在使用金屬遮罩分別形成發光層時，由於在圖案的中央和端部產生厚度不均勻，所以圖案整體的面積中所佔的能夠用作發光區域的有效面積變小。另一方面，在上述製造方法中加工以均勻厚度沉積的膜，所以可以以均勻厚度形成島狀發光層。因此，即使使用微細圖案也可以將發光層的幾乎所有區域用作發光區域。因此，可以製造兼具高清晰度及高開口率的顯示裝置。另外，可以實現顯示裝置的小型化及輕量化。
明確而言，本發明的一個實施方式的顯示裝置的解析度例如可以為2000ppi以上，較佳為3000ppi以上，更佳為5000ppi以上，進一步較佳為6000ppi以上且為20000ppi以下或30000ppi以下。
[結構例子1] 圖1是示出顯示裝置100的結構例子的平面圖。顯示裝置100包括以矩陣狀排列多個像素108的像素部107。像素108包括子像素110R、子像素110G及子像素110B。圖1示出兩行六列的子像素110，由這些子像素構成兩行兩列的像素108。
在本說明書等中，例如在說明子像素110R、子像素110G及子像素110B之間共同的內容時有時稱為子像素110進行說明。同樣地，在說明字母進行區別的其他組件之間共同的內容時，有時用省略字母的符號進行說明。
子像素110R發射紅色光，子像素110G發射綠色光，並且子像素110B發射藍色光。由此，可以在像素部107上顯示影像。因此，像素部107可以說是顯示部。在本實施方式中，以紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)的三種顏色的子像素為例進行說明，但是也可以使用黃色(Y)、青色(cyan)(C)及洋紅色(magenta)(M)的三種顏色的子像素等。另外，子像素的種類不侷限於三個，也可以使用四個以上。作為四個子像素，可以舉出：R、G、B及白色(W)的四種顏色的子像素；R、G、B及Y的四種顏色的子像素；以及R、G、B及紅外光(IR)的四種顏色的子像素；等。
另外，也可以說圖1所示的像素108採用條紋排列。注意，可應用於像素108的排列方法不侷限於此，也可以採用條紋排列、S條紋排列、Delta排列、拜耳排列或鋸齒形(zigzag)排列等排列方法，也可以採用Pentile排列或Diamond排列等。
在本說明書等中，有時將行方向記為X方向且將列方向記為Y方向。X方向與Y方向交叉，例如垂直交叉。
在圖1所示的例子中，不同顏色的子像素在X方向上排列配置，相同顏色的子像素在Y方向上排列配置。注意，也可以不同顏色的子像素在Y方向上排列配置，相同顏色的子像素在X方向上排列配置。
像素部107的外側設置有區域141及連接部140，區域141設置在像素部107與連接部140之間。區域141設置有EL層113。另外，連接部140設置有導電層111C。
在圖1所示的例子中，在俯視時區域141及連接部140位於像素部107的右側，但是對區域141及連接部140的位置沒有特別的限制。區域141及連接部140只要在俯視時設置在像素部107的上側、右側、左側和下側中的至少一個位置即可，也可以以圍繞像素部107的四邊的方式設置。作為區域141及連接部140的頂面形狀，例如可以採用帶狀、L字狀、U字狀或框狀等。此外，區域141及連接部140也可以為一個或多個。
圖2A是沿圖1中的點劃線A1-A2的剖面圖，是示出設置在像素部107中的像素108的結構例子的剖面圖。如圖2A所示，顯示裝置100包括絕緣層101、絕緣層101上的導電層102、絕緣層101及導電層102上的絕緣層103、絕緣層103上的絕緣層104以及絕緣層104上的絕緣層105。絕緣層101設置在基板(未圖示)上。絕緣層105、絕緣層104及絕緣層103設置有到達導電層102的開口，以嵌入該開口的方式設置有插頭106。
在像素部107中，絕緣層105及插頭106上設置有發光元件130。以覆蓋發光元件130的方式設置有保護層131。基板120由樹脂層122貼合於保護層131上。另外，相鄰的發光元件130間設置有絕緣層125以及絕緣層125上的絕緣層127。
圖2A示出多個絕緣層125及多個絕緣層127的剖面，但是在俯視顯示裝置100時，絕緣層125及絕緣層127分別被形成為連續的一層。換言之，顯示裝置100例如可以包括一個絕緣層125及一個絕緣層127。另外，顯示裝置100也可以包括彼此分離的多個絕緣層125，也可以包括彼此分離的多個絕緣層127。
圖2A示出發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B作為發光元件130。發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B發射互不相同的顏色的光。例如，發光元件130R可以發射紅色光，發光元件130G可以發射綠色光，發光元件130B可以發射藍色光。另外，發光元件130R、發光元件130G或發光元件130B可以發射青色、洋紅色、黃色、白色或紅外等的光。
本發明的一個實施方式的顯示裝置例如可以具有向與形成有發光元件的基板相反的方向發射光的頂部發射結構(top emission)。
作為發光元件130，例如較佳為使用如OLED (Organic Light Emitting Diode；有機發光二極體)或QLED (Quantum-dot Light Emitting Diode；量子點發光二極體)。作為發光元件130含有的發光物質，例如可以舉出發射螢光的物質(螢光材料)、發射磷光的物質(磷光材料)、無機化合物(例如量子點材料)及呈現熱活化延遲螢光的物質(熱活化延遲螢光(Thermally Activated Delayed Fluorescence：TADF)材料)。此外，作為發光元件130，也可以使用微型LED(Light Emitting Diode：發光二極體)等LED。
發光元件130R包括插頭106及絕緣層105上的導電層111R、覆蓋導電層111R的頂面及側面的導電層112R、覆蓋導電層112R的頂面及側面的EL層113R、EL層113R上的共用層114以及共用層114上的共用電極115。在此，由導電層111R及導電層112R構成發光元件130R的像素電極。在發光元件130R中，可以將EL層113R及共用層114統稱為EL層。
發光元件130G包括插頭106及絕緣層105上的導電層111G、覆蓋導電層111G的頂面及側面的導電層112G、覆蓋導電層112G的頂面及側面的EL層113G、EL層113G上的共用層114以及共用層114上的共用電極115。在此，由導電層111G及導電層112G構成發光元件130G的像素電極。在發光元件130G中，可以將EL層113G及共用層114統稱為EL層。
發光元件130B包括插頭106及絕緣層105上的導電層111B、覆蓋導電層111B的頂面及側面的導電層112B、覆蓋導電層112B的頂面及側面的EL層113B、EL層113B上的共用層114以及共用層114上的共用電極115。在此，由導電層111B及導電層112B構成發光元件130B的像素電極。在發光元件130B中，可以將EL層113B及共用層114統稱為EL層。
發光元件所包括的像素電極和共用電極中的一方被用作陽極，另一方被用作陰極。以下，除非特別的敘述，有時假設像素電極被用作陽極且共用電極被用作陰極的情況。
EL層113R、EL層113G及EL層113B至少包括發光層。例如，EL層113R、EL層113G及EL層113B分別可以包括發射紅色光的發光層、發射綠色光的發光層及發射藍色光的發光層。EL層113R、EL層113G或EL層113B也可以發射青色、洋紅色、黃色、白色或紅外等的光。
EL層113R、EL層113G與EL層113B彼此隔開。藉由在每個發光元件130上分別設置島狀EL層113，可以抑制相鄰的發光元件130間的洩漏電流。由此，可以抑制起因於非意圖性的發光的串擾，而可以實現對比度極高的顯示裝置。尤其是，可以實現在低亮度下電流效率高的顯示裝置。
藉由沉積EL膜並例如使用光微影法對該EL膜進行加工，可以形成島狀EL層113。例如，可以藉由沉積並加工將成為EL層113R的EL膜來形成EL層113R，藉由沉積並加工將成為EL層113G的EL膜來形成EL層113G，並且藉由沉積並加工將成為EL層113B的EL膜來形成EL層113B。
以覆蓋發光元件130的像素電極的頂面及側面的方式設置有EL層113。由此，與EL層113的端部位於像素電極的端部的內側的結構相比更容易提高顯示裝置100的開口率。另外，藉由以EL層113覆蓋發光元件130的像素電極的側面，可以抑制像素電極與共用電極115接觸，因此可以抑制發光元件130的短路。另外，可以增長EL層113的發光區域，亦即像素電極、EL層113、共用電極115彼此重疊的區域和EL層113的端部之距離。因為EL層113的端部有可能因加工而受損傷，所以藉由將遠離EL層113的端部的區域用作發光區域，可以提高發光元件130的可靠性。
另外，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，發光元件的像素電極具有多個層的疊層結構。例如，在圖2A所示的例子中，發光元件130的像素電極具有導電層111和導電層112的疊層結構。例如，在顯示裝置100採用頂部發射結構且發光元件130的像素電極被用作陽極的情況下，導電層111可以為其可見光反射率比導電層112高的層，導電層112可以為其功函數比導電層111大的層。當像素電極的可見光反射率高時，可以抑制EL層113所發的光例如透過像素電極，因此在顯示裝置100具有頂部發射結構的情況下，提高EL層113所發的光提取效率。另外，當像素電極被用作陽極時，像素電極的功函數越大越容易將電洞注入到EL層113，因此可以降低發光元件的驅動電壓。由此，藉由發光元件130的像素電極具有可見光反射率高的導電層111和功函數大的導電層112的疊層結構，發光元件130可以為光提取效率高且驅動電壓低的發光元件。
在導電層111為其可見光反射率比導電層112高的層的情況下，導電層111的可見光反射率例如較佳為40%以上且100%以下、70%以上且100%以下。另外，導電層112可以為具有可見光透過性的電極(也稱為透明電極)。
在本說明書等中，透明電極是指可見光穿透率為40%以上的電極。
另外，發光元件130所包括的導電層111為對於EL層113所發的光的反射率高的層。例如，在EL層113發射紅外光的情況下，導電層111可以為紅外光反射率高的層。另外，在發光元件130的像素電極被用作陰極的情況下，導電層112例如可以為其功函數比導電層111小的層。
另一方面，在像素電極具有多個層的疊層結構的情況下，像素電極例如因該多個層間的反應而變質。例如，將在後面說明其詳細內容，在顯示裝置100的製造中，在使用濕蝕刻法去除形成像素電極之後形成的膜的情況下，有時藥液接觸於像素電極。在像素電極具有多個層的疊層結構的情況下，有時由於該多個層接觸於藥液而發生電偶腐蝕。由此，有時構成像素電極的層中的至少一個變質。由此，有時降低顯示裝置的良率。另外，有時降低顯示裝置的可靠性。
鑒於此，在顯示裝置100中，以覆蓋導電層111的頂面及側面的方式形成導電層112。由此，例如在使用濕蝕刻法去除形成包括導電層111及導電層112的像素電極之後形成的膜的情況下也可以抑制藥液接觸於導電層111。因此，例如可以抑制像素電極中發生電偶腐蝕。由此，可以以良率高的方法製造顯示裝置100。另外，可以抑制顯示裝置100中發生不良，因此顯示裝置100可以為可靠性高的顯示裝置。
作為導電層111，例如可以使用金屬材料。例如，可以使用鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、銦(In)、錫(Sn)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈀(Pd)、金(Au)、鉑(Pt)、銀(Ag)、釔(Y)或釹(Nd)等金屬或者適當地組合它們的合金。作為合金材料，例如可以使用含鋁的合金(鋁合金)諸如鋁、鎳和鑭的合金(Al-Ni-La)等以及含銀的合金諸如銀和鎂的合金或銀、鈀和銅的合金(Ag-Pd-Cu，也記為APC)等。
作為導電層112，可以使用含有選自銦、錫、鋅、鎵、鈦、鋁和矽中的任一個或多個的氧化物。例如，較佳為使用包括氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、包含鎵的氧化鋅、氧化鈦、銦鈦氧化物、鈦酸鋅、鋁鋅氧化物、包含鎵的銦鋅氧化物、包含鋁的銦鋅氧化物、包含矽的銦錫氧化物和包含矽的銦鋅氧化物等中的任一個或多個的導電氧化物。尤其是，包含矽的銦錫氧化物的功函數較大，其功函數例如為4.0eV以上，所以在將像素電極用作陽極的情況下可以將其適合用作導電層112。
將在後面說明其詳細內容，導電層111及導電層112分別也可以具有含有不同材料的多個層的疊層結構。此時，導電層111也可以包括使用導電氧化物等可用於導電層112的材料的層。另外，導電層112也可以包括使用金屬材料等可用於導電層111的材料的層。例如，在導電層112具有兩層以上的疊層結構的情況下，接觸於導電層111的層可以為使用金屬材料等可用於導電層111的材料的層。
在此，導電層111的端部可以具有錐形形狀。明確而言，導電層111的端部較佳為具有錐角小於90°的錐形形狀。此時，沿著導電層111的側面設置的導電層112也具有錐形形狀。因此，沿著導電層112的側面設置的EL層113也具有錐形形狀。藉由使導電層112的側面具有錐形形狀，可以提高沿著導電層112的側面設置的EL層113的覆蓋性。
在圖2A中，導電層112R與EL層113R之間沒有設置覆蓋導電層112R的頂面端部的絕緣層(也稱為堤或結構體)。另外，導電層112G與EL層113G之間沒有設置覆蓋導電層112G的頂面端部的絕緣層。並且，導電層112B與EL層113B之間沒有設置覆蓋導電層112B的頂面端部的絕緣層。由此，可以使相鄰的發光元件130間的距離極窄。因此，可以實現高清晰或高解析度的顯示裝置。另外，還不需要用來形成該絕緣層的遮罩，所以可以降低顯示裝置的製造成本。
另外，藉由採用導電層112與EL層113之間沒有設置覆蓋導電層112的端部的絕緣層的結構，可以高效地提取EL層113所發的光。因此，顯示裝置100可以使視角依賴性極小。藉由減少視角依賴性，可以提高顯示裝置100中的影像的可見度。例如，在顯示裝置100中，視角(在從斜側看螢幕時維持一定對比度的最大角度)可以為100°以上且小於180°、較佳為150°以上且170°以下的範圍內。另外，上下左右都可以採用上述視角。
絕緣層101、絕緣層103及絕緣層105被用作層間絕緣層。作為絕緣層101、絕緣層103及絕緣層105，可以適當地使用氧化絕緣膜、氮化絕緣膜、氧氮化絕緣膜或氮氧化絕緣膜等各種無機絕緣膜，明確而言，例如可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜。
在本說明書等中，“氧氮化物”是指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而“氮氧化物”是指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。例如，“氧氮化矽”是指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而“氮氧化矽”是指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。
絕緣層104例如被用作抑制水等雜質進入到發光元件130的障壁層。作為絕緣層104，例如可以使用與氧化矽膜相比氫或氧不容易擴散的膜諸如氮化矽膜、氧化鋁膜或氧化鉿膜等。
不重疊於導電層111的區域中的絕緣層105的厚度有時比重疊於導電層111的區域中的絕緣層105的厚度小。也就是說，絕緣層105有時在不重疊於導電層111的區域中具有凹部。該凹部例如由於導電層111的形成製程而形成。
導電層102被用作佈線。導電層102藉由插頭106與發光元件130電連接。
導電層102及插頭106可以使用各種導電材料，例如可以使用鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)、釔(Y)、鋯(Zr)、錫(Sn)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉬(Mo)、鉭(Ta)或鎢(W)等金屬或者以這些金屬為主要成分的合金(APC等)。另外，導電層102及插頭106也可以使用氧化錫或氧化鋅等氧化物。
發光元件130可以採用單結構(包括只有一個發光單元的結構)。
如上所述，EL層113R、EL層113G及EL層113B至少包括發光層。例如，可以具有EL層113R、EL層113G及EL層113B分別包括發射紅色光的發光層、發射綠色光的發光層及發射藍色光的發光層的結構。
另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B各自也可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電荷產生層(也稱為中間層)、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一個以上。
在本說明書等中，將EL層所包括的層中的發光層以外的層稱為功能層。
例如，在發光元件130的像素電極被用作陽極且共用電極115被用作陰極的情況下，EL層113R、EL層113G及EL層113B也可以依次包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層。也就是說，EL層113例如可以具有從下依次層疊有包括電洞注入層及電洞傳輸層的第一功能層、發光層和包括電子傳輸層的第二功能層的結構。另外，也可以在電洞傳輸層與發光層之間包括電子障壁層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電洞障壁層。另外，也可以在電子傳輸層上包括電子注入層。另外，第一功能層也可以包括電洞注入層和電洞傳輸層中的一方並不包括另一方。另外，第二功能層可以包括電子注入層，也可以不包括電子傳輸層。
另外，例如，在發光元件130的像素電極被用作陰極且共用電極115被用作陽極的情況下，EL層113R、EL層113G及EL層113B也可以依次包括電子注入層、電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層。也就是說，EL層113例如可以具有從下依次層疊有包括電子注入層及電子傳輸層的第一功能層、發光層和包括電洞傳輸層的第二功能層的結構。另外，也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電洞障壁層。另外，也可以在電洞傳輸層與發光層之間包括電子障壁層。另外，也可以在電洞傳輸層上包括電洞注入層。注意，第一功能層也可以包括電子注入層和電子傳輸層中的一方並不包括另一方。另外，第二功能層可以包括電洞注入層，也可以不包括電洞傳輸層。
如此，EL層113R、EL層113G及EL層113B較佳為包括發光層及發光層上的載子傳輸層。另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B較佳為包括發光層及發光層上的載子障壁層。另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B較佳為包括發光層、發光層上的載子障壁層及載子障壁層上的載子傳輸層。因為EL層113R、EL層113G及EL層113B的表面在顯示裝置的製程中露出，所以藉由在發光層上設置載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者，可以抑制發光層露出於最表面而降低發光層受到的損傷。由此，可以提高發光元件的可靠性。
EL層113R、EL層113G及EL層113B所包含的化合物的耐熱溫度各自較佳為100℃以上且180℃以下，更佳為120℃以上且180℃以下，進一步較佳為140℃以上且180℃以下。例如，這些化合物的玻璃轉移溫度(Tg)各自較佳為100℃以上且180℃以下，更佳為120℃以上且180℃以下，進一步較佳為140℃以上且180℃以下。
尤其較佳的是，設置在發光層上的功能層的耐熱溫度高。另外，更佳的是，設置在發光層上並與其接觸的功能層的耐熱溫度高。在該功能層的耐熱性高時可以有效地保護發光層，可以降低發光層受到的損傷。
設置在發光層上的功能層較佳為包含一種有機化合物，該有機化合物具有包含選自吡啶環、二嗪環和三嗪環中的一個的雜芳環骨架以及聯咔唑骨架、或者包含吡啶環或二嗪環的稠合雜芳環骨架以及聯咔唑骨架，並且其Tg為100℃以上且180℃以下，較佳為120℃以上且180℃以下，更佳為140℃以上且180℃以下。使用這種有機化合物的功能層可以具有作為電洞障壁層的功能和作為電子傳輸層的功能中的一者或兩者。使用這種有機化合物的功能層並不一定需要位於發光層的上側(上部電極一側)，也可以設置在發光層的下側(下部電極一側)。
作為這種有機化合物的具體例子，可以舉出2-{3-[3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹㗁啉(簡稱：2mPCCzPDBq)、2-{3-[2-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹㗁啉(簡稱：2mPCCzPDBq-02)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-3,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：mPCCzPTzn)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：mPCCzPTzn-02)、9-[4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-3,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：PCCzPTzn)、9-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-9’-苯基-3,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：PCCzTzn)、9-[3-(4,6-二苯基-嘧啶-2-基)苯基]-9’-苯基-3,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：2PCCzPPm)、9-(4,6-二苯基-嘧啶-2-基)-9’-苯基-2,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：2PCCzPm)、9-(4,6-二苯基嘧啶-2-基)-9’-苯基-3,3’-聯-9H-咔唑(簡稱：2PCCzPm-02)、4-(9’-苯基[2,3’-聯-9H-咔唑]-9-基)苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(簡稱：4PCCzBfpm-02)以及4-{3-[3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}苯并[h]喹唑啉等。
另外，發光層的耐熱溫度較佳為高。由此，可以抑制發光層由於加熱受到損傷而導致發光效率下降及使用壽命減短。
另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B例如可以包括第一發光單元、電荷產生層及第二發光單元。
第二發光單元較佳為包括發光層及發光層上的載子傳輸層。另外，第二發光單元較佳為包括發光層及發光層上的載子障壁層。另外，第二發光單元較佳為包括發光層、發光層上的載子障壁層及載子障壁層上的載子傳輸層。因為第二發光單元的表面在顯示裝置的製程中露出，所以藉由在發光層上設置載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者，可以抑制發光層露出於最表面而降低發光層受到的損傷。由此，可以提高發光元件的可靠性。注意，在包括三個以上的發光單元的情況下，較佳的是，設置在最上層中的發光單元包括發光層以及發光層上的載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者。
在發光元件130的像素電極被用作陽極且共用電極115被用作陰極的情況下，共用層114包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一方，例如包括電子注入層。或者，共用層114也可以以層疊的方式包括電子傳輸層和電子注入層。另一方面，在發光元件130的像素電極被用作陰極且共用電極115被用作陽極的情況下，共用層114包括電洞注入層和電洞傳輸層中的至少一方，例如包括電洞注入層。或者，共用層114也可以以層疊的方式包括電洞傳輸層和電洞注入層。發光元件130R、發光元件130G和發光元件130B共用共用層114。
另外，與共用層114同樣，發光元件130R、發光元件130G和發光元件130B還共用共用電極115。
共用電極115可以在沉積共用層114之後連續進行沉積，而之間沒有進行蝕刻等製程。例如，在真空下形成共用層114之後無需將基板暴露於大氣，可以還在真空下形成共用電極115。換言之，可以始終在真空下形成共用層114及共用電極115。由此，與顯示裝置100沒有設置共用層114的情況相比可以使共用電極115的底面清潔。因此，可以使發光元件130成為可靠性高且特性優良的發光元件。
另外，在圖2A所示的例子中，發光元件130R所包括的EL層113R上設置有遮罩層118R，發光元件130G所包括的EL層113G上設置有遮罩層118G，發光元件130B所包括的EL層113B上設置有遮罩層118B。遮罩層118R是在加工EL層113R時以接觸於EL層113R的頂面的方式設置的遮罩層的留下的一部分。同樣地，遮罩層118G及遮罩層118B分別是在形成EL層113G及EL層113B時設置的遮罩層的留下的一部分。如此，顯示裝置100也可以殘留有在其製程中用來保護EL層的遮罩層。可以將相同材料用於遮罩層118R、遮罩層118G和遮罩層118B中的任意兩個或全部，也可以將互不相同的材料用於上述遮罩層的全部。以下，有時將遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B統稱為遮罩層118。
在圖2A中，遮罩層118R的一方端部與EL層113R的端部對齊或大致對齊，遮罩層118R的另一方端部位於EL層113R上。在此，遮罩層118R的另一方端部較佳為與導電層111R重疊。此時，遮罩層118R的另一方端部容易形成在EL層113R的大致平坦的面上。遮罩層118G及遮罩層118B也是同樣的。另外，遮罩層118例如留在被加工為島狀的EL層113的頂面與絕緣層125之間。
在端部對齊或大致對齊的情況以及頂面形狀一致或大致一致的情況下，可以說在俯視時至少其輪廓的一部分在層疊的各層間彼此重疊。上層與下層的輪廓的一部分至少重疊的情況例如包括上層及下層藉由同一的遮罩圖案或其一部分同一的遮罩圖案被加工的情況。但是，實際上有邊緣不重疊的情況，有時上層位於下層的內側或者上層位於下層的外側，這種情況也可以說“端部大致對齊”或“頂面形狀大致一致”。
EL層113R、EL層113G及EL層113B的各側面被絕緣層125覆蓋。絕緣層127隔著絕緣層125與EL層113R、EL層113G及EL層113B的各側面重疊。
另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B的各頂面的一部分被遮罩層118覆蓋。絕緣層125及絕緣層127隔著遮罩層118與EL層113R、EL層113G及EL層113B的各頂面的一部分重疊。
由於EL層113R、EL層113G及EL層113B的頂面的一部分及側面被絕緣層125、絕緣層127和遮罩層118中的至少一個覆蓋，因此可以抑制共用層114及共用電極115接觸於EL層113R、EL層113G及EL層113B的側面，而可以抑制發光元件130的短路。由此，可以提高發光元件130的可靠性。
EL層113R、EL層113G與EL層113B的各厚度可以互不相同。例如，較佳為根據增強EL層113R、EL層113G及EL層113B各自所發的光的光程長設定各厚度。由此，可以實現光學微腔諧振器(微腔)結構來提高子像素110所發的光的色純度。
絕緣層125較佳為接觸於EL層113R、EL層113G及EL層113B的各側面。由此，可以抑制EL層113R、EL層113G及EL層113B的膜剝離。藉由絕緣層125與EL層113R、EL層113G或EL層113B密接，有相鄰的EL層113被絕緣層125固定或黏合的效果。由此，可以提高發光元件130的可靠性。另外，可以提高發光元件的製造良率。
另外，如圖2A所示，藉由以絕緣層125及絕緣層127覆蓋EL層113R、EL層113G及EL層113B的頂面的一部分和側面的兩者，可以適當地抑制EL層113的膜剝離，而可以更好地提高發光元件130的可靠性。另外，可以更好地提高發光元件130的製造良率。
圖2A示出在導電層112R的端部上具有EL層113R、遮罩層118R、絕緣層125和絕緣層127的疊層結構的例子。同樣地，在導電層112G的端部上具有EL層113G、遮罩層118G、絕緣層125和絕緣層127的疊層結構，在導電層112B的端部上具有EL層113B、遮罩層118B、絕緣層125和絕緣層127的疊層結構。
圖2A示出EL層113R覆蓋導電層112R的端部且絕緣層125具有接觸於EL層113R的側面的區域的結構。同樣地，導電層112G的端部被EL層113G覆蓋，導電層112B的端部被EL層113B覆蓋，絕緣層125具有接觸於EL層113G的側面及EL層113B的側面的區域。
絕緣層127以填充形成在絕緣層125中的凹部的方式設置在絕緣層125上。絕緣層127可以採用隔著絕緣層125與EL層113R、EL層113G及EL層113B的各頂面的一部分及側面重疊的結構。絕緣層127較佳為覆蓋絕緣層125的側面的至少一部分。
藉由設置絕緣層125及絕緣層127可以填埋相鄰的島狀層之間，所以可以減少設置在島狀層上的層的被形成面，具體的是共用層114及共用電極115等的被形成面的極端凹凸而進一步實現平坦化。因此，可以提高共用層114及共用電極115等的覆蓋性。
共用層114及共用電極115設置在EL層113R、EL層113G、EL層113B、遮罩層118、絕緣層125及絕緣層127上。在設置絕緣層125及絕緣層127之前的階段，產生起因於設置有像素電極及島狀EL層113的區域和不設置有像素電極及島狀EL層113的區域(發光元件130間的區域)的步階。顯示裝置100藉由包括絕緣層125及絕緣層127而可以使該步階平坦化，由此可以提高共用層114及共用電極115的覆蓋性。因此，可以抑制因斷開而發生的連接不良。另外，可以抑制電阻由於因步階導致的共用電極115局部地薄膜化而上升。
另外，雖然絕緣層127的頂面較佳為具有平坦性更高的形狀，但是也可以具有凸部、凸曲面、凹曲面或凹部。例如，絕緣層127的頂面較佳為具有平坦性較高的平緩凸曲面形狀。
注意，在顯示裝置100中，絕緣層125上以填充形成在絕緣層125中的凹部的方式設置有絕緣層127。另外，絕緣層127設置在島狀EL層113之間。換言之，顯示裝置100採用在形成島狀EL層113之後以重疊於島狀EL層113的端部的方式設置絕緣層127的製程(以下稱為製程1)。另一方面，作為與製程1不同的製程，可以舉出如下製程(以下稱為製程2)：在將像素電極形成為島狀之後設置覆蓋該像素電極的端部的絕緣層，然後在像素電極及上述絕緣層上形成島狀EL層113。
與上述製程2相比上述製程1可以增大餘地，所以是較佳的。更明確地說，與上述製程2相比，上述製程1對於不同圖案之間的對位精度餘地大，所以可以提供特性不均勻少的顯示裝置。顯示裝置100的製造方法為依據上述製程1的製程，所以可以提供不均勻少的高顯示品質的顯示裝置。
接著，說明絕緣層125及絕緣層127的材料的例子。
絕緣層125可以為包括無機材料的絕緣層。作為絕緣層125，可以使用氧化絕緣膜、氮化絕緣膜、氧氮化絕緣膜或氮氧化絕緣膜等無機絕緣膜。絕緣層125可以為單層結構，也可以為疊層結構。作為氧化絕緣膜，可以舉出氧化矽膜、氧化鋁膜、氧化鎂膜、銦鎵鋅氧化物膜、氧化鎵膜、氧化鍺膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鑭膜、氧化釹膜、氧化鉿膜及氧化鉭膜等。作為氮化絕緣膜，可以舉出氮化矽膜及氮化鋁膜等。作為氧氮化絕緣膜，可以舉出氧氮化矽膜及氧氮化鋁膜等。作為氮氧化絕緣膜，可以舉出氮氧化矽膜及氮氧化鋁膜等。尤其是在蝕刻中氧化鋁與EL層113的選擇比高，在後面說明的絕緣層127的形成中，具有保護EL層113的功能，因此是較佳的。尤其是，藉由將利用原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法形成的氧化鋁膜、氧化鉿膜或氧化矽膜等的無機絕緣膜應用於絕緣層125，可以形成針孔少且保護EL層113的功能良好的絕緣層125。另外，絕緣層125也可以採用利用ALD法形成的膜與利用濺射法形成的膜的疊層結構。絕緣層125例如可以採用利用ALD法形成的氧化鋁膜與利用濺射法形成的氮化矽膜的疊層結構。
另外，絕緣層125較佳為具有相對於水和氧中的至少一方的阻擋絕緣層的功能。另外，絕緣層125較佳為具有抑制水和氧中的至少一方的擴散的功能。另外，絕緣層125較佳為具有俘獲或固定(也被稱為吸雜)水和氧中的至少一方的功能。
在本說明書等中，阻擋絕緣層是指具有阻擋性的絕緣層。此外，在本說明書等中，阻擋性是指抑制所對應的物質的擴散的功能(也可以說透過性低)。或者，是指俘獲或固定所對應的物質的功能。
在絕緣層125被用作阻擋絕緣層或者具有吸雜功能的絕緣層時，可以具有抑制可能會從外部擴散到發光元件130的雜質(典型的是，水和氧中的至少一方)的進入的結構。藉由採用該結構，可以提供一種可靠性高的發光元件，並且可以提供一種可靠性高的顯示裝置。
另外，絕緣層125的雜質濃度較佳為低。由此，可以抑制雜質從絕緣層125混入到EL層113而導致EL層113的劣化。另外，藉由降低絕緣層125中的雜質濃度，可以提高對水和氧中的至少一方的阻擋性。例如，較佳的是，絕緣層125中的氫濃度和碳濃度中的一方充分低，較佳為氫濃度和碳濃度中的兩者較佳為充分低。
絕緣層125與遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B可以使用相同材料。在此情況下，有時遮罩層118R、遮罩層118G和遮罩層118B中的任意個與絕緣層125的邊界變得不清楚而不能區別上述層的邊界。由此，有時遮罩層118R、遮罩層118G和遮罩層118B中的任意個與絕緣層125被確認為一個層。也就是說，有時被觀察到以接觸於EL層113R、EL層113G及EL層113B的各頂面的一部分及側面的方式設置有一個層且絕緣層127覆蓋該一個層的側面的至少一部分。
設置在絕緣層125上的絕緣層127具有使形成在相鄰的發光元件130之間的絕緣層125的極端凹部平坦化的功能。換言之，藉由包括絕緣層127，發揮提高形成共用電極115的面的平坦性的效果。
作為絕緣層127，可以適合使用包含有機材料的絕緣層。作為有機材料，較佳為使用感光材料諸如感光有機樹脂等，較佳為使用含有丙烯酸樹脂的感光樹脂組成物。注意，在本說明書等中，丙烯酸樹脂不僅是指聚甲基丙烯酸酯或甲基丙烯酸樹脂，有時還是指廣義丙烯酸類聚合物。
另外，作為絕緣層127，也可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽酮樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂或上述樹脂的前驅物等。另外，作為絕緣層127，也可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普魯蘭、水溶性纖維素或者醇可溶性聚醯胺樹脂等有機材料。作為感光樹脂也可以使用光阻劑。作為感光有機樹脂，也可以使用正型材料或負型材料。
作為絕緣層127也可以使用吸收可見光的材料。藉由絕緣層127吸收來自發光元件130的發光，可以抑制光從發光元件130經過絕緣層127洩漏到相鄰的發光元件130(雜散光)。由此，可以提高顯示裝置的顯示品質。另外，即使在顯示裝置中不使用偏光板也可以提高顯示品質，所以可以實現顯示裝置的輕量化及薄型化。
作為吸收可見光的材料，可以舉出包括黑色等的顏料的材料、包括染料的材料、聚醯亞胺等具有光吸收性的樹脂材料以及可用於彩色層的樹脂材料(濾色片材料)。尤其是，在使用層疊或混合兩種顏色或三種以上的顏色的濾色片材料而成的樹脂材料時可以提高遮蔽可見光的效果，所以是較佳的。尤其是，藉由混合三種以上的顏色的濾色片材料，可以實現黑色或近似於黑色的樹脂層。
另外，較佳的是，用於絕緣層127的材料的體積收縮率低。由此，容易以所希望的形狀形成絕緣層127。另外，較佳的是，絕緣層127的固化後體積收縮率低。由此，在形成絕緣層127後的各種製程中容易保持絕緣層127的形狀。明確而言，熱固化後、光固化後或者光固化及熱固化後的絕緣層127的體積收縮率各自較佳為10%以下，更佳為5%以下，進一步較佳為1%以下。在此，作為體積收縮率，可以使用起因於光照射的體積收縮率和起因於加熱的體積收縮率中的一方的值或兩者的總和。
藉由在發光元件130上設置保護層131，可以提高發光元件130的可靠性。保護層131既可以為單層結構，又可以為兩層以上的疊層結構。
對保護層131的導電性沒有限制。作為保護層131，可以使用絕緣膜、半導體膜和導電膜中的至少一種。
作為保護層131，可以使用氧化絕緣膜、氮化絕緣膜、氧氮化絕緣膜或氮氧化絕緣膜等無機絕緣膜。這些無機絕緣膜的具體例子已在絕緣層125的說明中舉出。保護層131較佳為包括氮化絕緣膜或氮氧化絕緣膜，更佳為包括氮化絕緣膜。
另外，也可以將包含In-Sn氧化物(也被稱為ITO)、In-Zn氧化物、Ga-Zn氧化物、Al-Zn氧化物或銦鎵鋅氧化物(也稱為In-Ga-Zn氧化物、IGZO)等的無機膜用於保護層131。該無機膜較佳為具有高電阻，明確而言，該無機膜較佳為具有比共用電極115高的電阻。該無機膜還可以包含氮。
藉由保護層131包括無機膜，可以抑制共用電極115的氧化。另外，由於保護層131包括無機膜，因此可以抑制水及氧等雜質進入到發光元件130。由此，可以使發光元件130成為不容易劣化的發光元件，因此可以使顯示裝置100成為可靠性高的顯示裝置。
在經過保護層131提取發光元件130所發的光的情況下，保護層131的可見光透過性較佳為高。例如，ITO、IGZO以及氧化鋁都是可見光透過性高的無機材料，所以是較佳的。
作為保護層131，例如可以使用氧化鋁膜和氧化鋁膜上的氮化矽膜的疊層結構或者氧化鋁膜和氧化鋁膜上的IGZO膜的疊層結構等。藉由使用該疊層結構，可以抑制水及氧等雜質進入EL層113一側。
並且，保護層131也可以包括有機膜。例如，保護層131也可以包括有機膜和無機膜的兩者。作為可用於保護層131的有機材料，例如可以舉出可用於絕緣層127的有機絕緣材料。
保護層131也可以具有使用不同沉積方法形成的兩層結構。明確而言，也可以利用ALD法形成保護層131的第一層而利用濺射法形成保護層131的第二層。
基板120的樹脂層122側的面也可以設置有遮光層。另外，基板120的外側可以配置有各種光學構件。作為光學構件，可以使用偏光板、相位差板、如擴散薄膜等的光擴散層、防反射層及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在基板120的外側也可以配置抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜或緩衝層等表面保護層。例如，藉由作為表面保護層設置玻璃層或二氧化矽層(SiO x層)，可以抑制表面被弄髒或受損傷，所以是較佳的。另外，作為表面保護層也可以使用DLC(類金剛石碳)、氧化鋁(AlO x)、聚酯類材料或聚碳酸酯類材料等。另外，作為表面保護層較佳為使用對可見光的穿透率高的材料。另外，表面保護層較佳為使用硬度高的材料。
基板120可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、樹脂、金屬、合金或半導體等。取出來自發光元件的光一側的基板使用使該光透過的材料。在作為基板120使用具有撓性的材料時可以提高顯示裝置的撓性。另外，作為基板120也可以使用偏光板。
作為基板120，可以使用如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍或芳香族聚醯胺等)、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、ABS樹脂或者纖維素奈米纖維等。作為基板120，還可以使用其厚度允許其具有撓性的玻璃。
在將圓偏光板重疊於顯示裝置的情況下，較佳為將光學各向同性高的基板用作顯示裝置所包括的基板。光學各向同性高的基板的雙折射較低，具體地也可以說雙折射量較少。
光學各向同性高的基板的相位差值(retardation value)的絕對值較佳為30nm以下，更佳為20nm以下，進一步較佳為10nm以下。
作為光學各向同性高的薄膜，可以舉出三乙酸纖維素(也被稱為TAC：Cellulose triacetate)薄膜、環烯烴聚合物(COP)薄膜、環烯烴共聚物(COC)薄膜及丙烯酸薄膜等。
當作為基板使用薄膜時，有可能因薄膜的吸水而發生顯示裝置出現皺紋等形狀變化。因此，作為基板較佳為使用吸水率低的薄膜。例如，較佳為使用吸水率為1%以下的薄膜，更佳為使用吸水率為0.1%以下的薄膜，進一步較佳為使用吸水率為0.01%以下的薄膜。
作為樹脂層122，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂及EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其是，較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。此外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，例如也可以使用黏合薄片。
圖2B1是示出導電層111及導電層112的結構例子的剖面圖。注意，圖2B1還示出絕緣層105。在示出導電層111及導電層112的結構例子的其他圖式中也是同樣的。
如圖2B1所示，導電層111可以具有包括絕緣層105上的導電層111a、導電層111a上的導電層111b及導電層111b上的導電層111c的結構。另外，以覆蓋導電層111c的頂面、導電層111c的側面、導電層111b的側面及導電層111a的側面的方式設置導電層112。
在圖2B1所示的例子中，由導電層111a與導電層111c夾持導電層111b。導電層111a及導電層111c可以使用與導電層111b相比不容易變質的材料。例如，導電層111a可以使用與導電層111b相比不容易發生因接觸於絕緣層105而發生的遷移的材料。另外，導電層111c可以使用如下材料：與導電層111b相比不容易被氧化；並且其氧化物的電阻率比用於導電層111b的材料的氧化物低。
在本說明書等中，遷移是指應力遷移和電遷移中的一者或兩者。應力遷移是指如下現象：導電層中由於導電層與接觸該導電層的絕緣層等層的熱膨脹係數之差而在加熱處理中產生應力，由此導電層所包含的原子轉移。另外，電遷移是指導電層所包含的原子根據電場而轉移的現象。導電層中有時由於遷移而產生作為表面凸起的小丘、或者空洞。由於形成小丘有時導致導電層與其他導電層短路，由於形成空洞有時導致導電層截斷。
如上所述，藉由採用由導電層111a與導電層111c夾持導電層111b的結構，可以擴大導電層111b的材料的選擇範圍。由此，例如可以使導電層111b成為其可見光反射率比導電層111a和導電層111c中的至少一方高的層。例如，作為導電層111b可以使用鋁。另外，作為導電層111b也可以使用含鋁的合金。另外，作為導電層111a可以使用鈦，鈦這材料雖然可見光反射率比鋁低，但即使接觸絕緣層105也與鋁相比不容易發生遷移。並且，作為導電層111c可以使用鈦，鈦這材料雖然可見光反射率比鋁低，但與鋁相比不容易被氧化且氧化物的電阻率比氧化鋁的電阻率低。
如此，藉由使導電層111具有多個層的疊層結構，可以提高顯示裝置的特性。例如，可以使顯示裝置100成為光提取效率及可靠性都高的顯示裝置。
圖2B2示出圖2B1所示的結構的變形例子，示出導電層112包括覆蓋導電層111c的頂面、導電層111c的側面、導電層111b的側面及導電層111a的側面的導電層112a以及導電層112a上的導電層112b的例子。
導電層112a可以使用與可用於導電層111c的材料同樣的材料。導電層112b可以使用與可用於圖2B1所示的導電層112的材料同樣的材料。也就是說，作為導電層112a例如可以使用鈦等金屬材料，作為導電層112b例如可以使用銦錫氧化物等導電氧化物。
藉由使導電層112具有圖2B2所示的結構，可以抑制可使用銦錫氧化物等導電氧化物的導電層112b例如接觸於可使用鋁的導電層111b的側面。由此，可以適當地抑制導電層111b的變質，可以提高顯示裝置100的可靠性。另外，在使導電層112具有圖2B2所示的結構的情況下也較佳為設置導電層111c。由此，可以在形成導電層111之後且形成導電層112之前例如其可見光反射率比導電層111a高的導電層111b的頂面被大氣中的氧氧化。因此，可以抑制導電層111的可見光反射率下降。由此，可以使顯示裝置100成為光提取效率高的顯示裝置。
另外，如圖2B2所示，在使導電層112具有導電層112a及導電層112b的疊層結構的情況下，也可以將銦錫氧化物等導電氧化物用於導電層112a且例如將混合氧化鉬和有機材料的混合材料用於導電層112b。
這裡，在導電層111具有圖2B1及圖2B2所示的結構的情況下，在剖面中有時例如導電層111b的端部位於導電層111c的端部的內側。換言之，在剖面中有時導電層111c具有比導電層111b突出的區域。在此情況下，在利用覆蓋性低的沉積方法形成導電層112時，有時因上述突出的區域而在導電層112中發生斷開。另外，有時由於導電層112的局部薄膜化導致電阻上升。
因此，在利用覆蓋性高的沉積方法形成導電層112時，可以抑制因導電層112的斷開而發生的連接不良以及因導電層112局部性地被薄膜化導致的電阻上升。例如，在利用ALD法形成導電層112時，即使導電層111c具有比導電層111b突出的區域也可以適當地抑制因導電層112的斷開而發生的連接不良以及因導電層112局部性地被薄膜化導致的電阻上升。
圖3A是示出導電層111及導電層112的與圖2B1及圖2B2不同的結構例子的剖面圖。如圖3A所示，導電層111可以具有包括絕緣層105上的導電層111a及導電層111a上的導電層111b的結構。也就是說，圖3A所示的導電層111具有兩層疊層結構。如此，在導電層111具有多個層的疊層結構的情況下，構成導電層111的層中的至少一層的可見光反射率比導電層112的可見光反射率高。另外，以覆蓋導電層111a及導電層111b的側面及頂面的方式設置導電層112。
如上所述，導電層111的側面較佳為具有錐形形狀。明確而言，導電層111的側面較佳為具有錐角小於90°的錐形形狀。例如，在圖3A所示的結構的導電層111中，較佳的是，導電層111a和導電層111b中的至少一方的側面具有錐形形狀。例如，較佳的是，導電層111a的側面具有錐形形狀。或者，較佳的是，導電層111a的側面和導電層111b的側面的兩者都具有錐形形狀。
圖3B示出圖3A所示的結構的變形例子，其中導電層112具有導電層112a和導電層112a上的導電層112b的兩層疊層結構。導電層112a可以使用與可用於導電層111的材料同樣的材料。導電層112b例如可以使用與可用於圖3A所示的導電層112的材料同樣的材料。
例如，作為導電層112a可以使用銀或含銀的合金。銀及含銀的合金具有可見光反射率例如比鈦高的特性。再者，銀與例如可用於導電層111b的鋁相比不容易被氧化，並且氧化銀的電阻率比氧化鋁的電阻率低。由此，藉由作為導電層112a使用銀或含銀的合金，可以在適當地提高像素電極的可見光反射率的同時抑制因導電層112a的氧化導致的像素電極的電阻上升。因此，可以使顯示裝置100成為光提取效率及可靠性都高的顯示裝置。尤其是，在發光元件130採用微腔結構的情況下，作為導電層112a較佳為使用作為可見光反射率高的材料的銀或含銀的合金。由此，可以適當地提高顯示裝置100的光提取效率。
另外，作為導電層112a也可以使用鈦。與銀相比，鈦的蝕刻加工性更優異，所以藉由作為導電層112a使用鈦，可以容易形成導電層112a。
注意，導電層111也可以不包括導電層111b。也就是說，導電層111可以採用導電層111a的單層結構。例如，可用於導電層111a的鈦與可用於導電層111b的鋁相比不容易被氧化，並且氧化鈦的電阻率比氧化鋁的電阻率低。因此，在導電層111不包括導電層111b時，可以減小導電層111與導電層112的接觸介面的電阻。
圖4A是示出導電層111及導電層112的與圖2B1、圖2B2、圖3A及圖3B不同的結構例子的剖面圖。在圖4A所示的例子中，導電層111具有單層結構。另外，導電層112具有導電層112a、導電層112a上的導電層112b及導電層112b上的導電層112c的三層疊層結構。
作為圖4A所示的導電層111，例如使用接觸導電層112a也不容易被氧化且即便被氧化也沒有大幅度地提升電阻率的材料。例如，作為導電層111可以使用含鈦的合金。由此，可以抑制導電層111的變質而使顯示裝置100成為可靠性高的顯示裝置。
圖4A所示的導電層112a為對於導電層112b的密接性例如比絕緣層105高的層。作為這種導電層112a可以使用導電氧化物，例如可以使用含有選自銦、錫、鋅、鎵、鈦、鋁和矽中的任一個或多個的氧化物。作為導電層112a，具體地例如可以使用銦錫氧化物或含有矽的銦錫氧化物。由此，可以抑制導電層112b的膜剝離而使顯示裝置100成為可靠性高的顯示裝置。另外，如圖4A所示，也可以具有導電層112a接觸於絕緣層105且導電層112b不接觸於絕緣層105的結構。
圖4A所示的導電層112b為可見光反射率比導電層111、導電層112a及導電層112c高的層。導電層112b的可見光反射率例如可以為70%以上且100%以下，較佳為80%以上且100%以下，更佳為90%以上且100%以下。例如，作為導電層112b可以使用銀或含銀的合金。作為含銀的合金例如可以舉出APC。由此，可以使顯示裝置100成為光提取效率高的顯示裝置。
在將導電層111及導電層112用作陽極的情況下，導電層112c為功函數大的層。導電層112c例如為功函數比導電層112b大的層。由此，可以降低發光元件130的驅動電壓。作為導電層112c，例如可以使用可用於導電層112a的材料同樣的材料。例如，可以將同一種材料用於導電層112a和導電層112c。例如，在將銦錫氧化物用於導電層112a的情況下，還可以將銦錫氧化物用於導電層112c。
注意，在將導電層111及導電層112用作陰極的情況下，導電層112c為功函數小的層。導電層112c例如為功函數比導電層112b小的層。由此，可以降低發光元件130的驅動電壓。
另外，導電層112c較佳為可見光穿透率高的層。例如，導電層112c的可見光穿透率較佳為比導電層111及導電層112b的可見光穿透率高。例如，導電層112c的可見光穿透率可以為60%以上且100%以下，較佳為70%以上且100%以下，更佳為80%以上且100%以下。由此，可以減少EL層113所發的光中被導電層112c吸收的光。另外，如上所述，導電層112c下的導電層112b可以為可見光反射率高的層。因此，可以使顯示裝置100成為光提取效率高的顯示裝置。
另外，圖4A所示的導電層112b為對於EL層113所發的光的反射率高的層，導電層112c為對於EL層113所發的光的穿透率高的層。例如，在EL層113發射紅外光的情況下，導電層112b為紅外光反射率高的層，導電層112c為紅外光穿透率高的層。例如，在EL層113發射紅外光的情況下，可以在上述關於圖4A所示的導電層112b及導電層112c的說明中將可見光換稱為紅外光。
由此，可以使顯示裝置100成為可靠性及光提取效率都高的顯示裝置。另外，可以使顯示裝置100成為包括發光效率高的發光元件的顯示裝置。
圖4B及圖4C是示出導電層111及導電層112的與圖4A不同的結構例子的剖面圖。在圖4B所示的例子中，導電層111具有導電層111a和導電層111a上的導電層111b的兩層疊層結構。在圖4C所示的例子中，導電層111具有導電層111a、導電層111a上的導電層111b和導電層111b上的導電層111c的三層疊層結構。
作為導電層111a及導電層111c可以使用與圖4A所示的導電層111同樣的材料，例如可以使用鈦或含鈦的合金。導電層111b例如可以為可見光反射率比導電層111a高的層。另外，導電層111b例如可以為蝕刻加工性比導電層112b高的層。由此，可以在提高像素電極的可見光反射率的同時減薄例如可使用銀或含銀的合金的導電層112b的厚度。因此，可以使顯示裝置100成為光提取效率高的顯示裝置並容易製造顯示裝置100。作為導電層111b例如可以使用鋁或鋁合金。
接著，參照圖5A及圖5B說明絕緣層127及其附近的結構。圖5A是EL層113R與EL層113G之間的絕緣層127及其周圍的區域的剖面放大圖。下面以EL層113R與EL層113G之間的絕緣層127為例進行說明，但該說明可以同樣地應用於EL層113G與EL層113B之間的絕緣層127以及EL層113B與EL層113R之間的絕緣層127等。另外，圖5B是圖5A所示的EL層113G上的絕緣層127的端部及其附近的放大圖。下面有時以EL層113G上的絕緣層127的端部為例進行說明，但該說明也可以應用於EL層113R上的絕緣層127的端部以及EL層113B上的絕緣層127的端部等。
如圖5A所示，以覆蓋導電層112R的方式設置有EL層113R，以覆蓋導電層112G的方式設置有EL層113G。以接觸於EL層113R的頂面的一部分的方式設置有遮罩層118R，以接觸於EL層113G的頂面的一部分的方式設置有遮罩層118G。以具有接觸於遮罩層118R的頂面及側面、EL層113R的側面、絕緣層105的頂面、遮罩層118G的頂面及側面以及EL層113G的側面的區域的方式設置有絕緣層125。以接觸於絕緣層125的頂面的方式設置有絕緣層127。另外，絕緣層127隔著絕緣層125重疊於EL層113R的頂面的一部分及側面以及EL層113G的頂面的一部分及側面，並接觸於絕緣層125的頂面及側面的至少一部分。以覆蓋EL層113R、遮罩層118R、EL層113G、遮罩層118G、絕緣層125及絕緣層127的方式設置有共用層114，共用層114上設置有共用電極115。
如圖5A所示，不重疊於EL層113的區域中的絕緣層105的厚度有時比重疊於EL層113的區域中的絕緣層105的厚度小。也就是說，絕緣層105有時在不重疊於EL層113的區域中具有凹部。該凹部例如由於EL層113的形成製程而形成。
另外，絕緣層127形成在兩個島狀EL層113之間的區域(例如，在圖5A中為EL層113R與EL層113G之間的區域)中。此時，絕緣層127的至少一部分配置於夾在一方EL層113(例如，圖5A中的EL層113R)的側面端部與另一方EL層113(例如，圖5A中的EL層113G)的側面端部的位置。藉由設置這種絕緣層127，可以抑制形成在島狀EL層113及絕緣層127上的共用層114及共用電極115中形成被截斷的部分以及厚度局部性地薄的部分。
如圖5B所示，較佳的是，在顯示裝置100的剖面中絕緣層127的端部具有錐角θ1的錐形形狀。錐角θ1是絕緣層127的側面與基板面所形成的角度。注意，錐角θ1不侷限於絕緣層127的側面與基板面的側面所形成的角度，也可以是絕緣層127的側面與EL層113G的平坦部的頂面或導電層112G的平坦部的頂面所形成的角度。
絕緣層127的錐角θ1小於90°，較佳為60°以下，更佳為45°以下，進一步較佳為20°以下。藉由使絕緣層127的端部具有這樣正錐形形狀，可以以高覆蓋性沉積設置在絕緣層127上的共用層114及共用電極115，而可以抑制斷開或局部性的薄膜化等。由此，可以提高共用層114及共用電極115的面內均勻性而提高顯示裝置的顯示品質。
另外，如圖5A所示，較佳的是，在顯示裝置100的剖面中絕緣層127的頂面具有凸曲面形狀。絕緣層127的頂面的凸曲面形狀較佳為向中心平緩地膨脹的形狀。另外，較佳為絕緣層127的頂面的中心部的凸曲面部平滑地連接於端部的錐形部的形狀。藉由作為絕緣層127採用這樣形狀，可以在絕緣層127整體上以高覆蓋性沉積共用層114及共用電極115。
如圖5B所示，絕緣層127的端部較佳為位於絕緣層125的端部的外側。由此，可以適當地降低形成共用層114及共用電極115的面的凹凸來提高共用層114及共用電極115的覆蓋性。
如圖5B所示，較佳的是，在顯示裝置100的剖面中絕緣層125的端部具有錐角θ2的錐形形狀。錐角θ2是絕緣層125的側面與基板面所形成的角度。注意，錐角θ2不侷限於絕緣層125的側面與基板面所形成的角度，也可以是絕緣層125的側面與EL層113G的平坦部的頂面或導電層112G的平坦部的頂面所形成的角度。
絕緣層125的錐角θ2小於90°，較佳為60°以下，更佳為45°以下，進一步較佳為20°以下。
如圖5B所示，較佳的是，在顯示裝置100的剖面中遮罩層118G的端部具有錐角θ3的錐形形狀。錐角θ3是遮罩層118G的側面與基板面所形成的角度。注意，錐角θ3不侷限於遮罩層118G的側面與基板面所形成的角度，也可以是遮罩層118G的側面與EL層113G的平坦部的頂面或導電層112G的平坦部的頂面所形成的角度。
遮罩層118G的錐角θ3小於90°，較佳為60°以下，更佳為45°以下，進一步較佳為20°以下。藉由使遮罩層118G具有這樣正錐形形狀，可以以高覆蓋性沉積設置在遮罩層118G上的共用層114及共用電極115。
遮罩層118R的端部及遮罩層118G的端部較佳為都位於絕緣層125的端部的外側。由此，可以降低形成共用層114及共用電極115的面的凹凸來提高共用層114及共用電極115的覆蓋性。
將在後面說明其詳細內容，在同時進行絕緣層125及遮罩層118的蝕刻處理時，有時絕緣層127的端部下的絕緣層125及遮罩層118因側蝕而消失，形成空洞。由於該空洞，形成共用層114及共用電極115的面上出現凹凸，共用層114及共用電極115中易於發生斷開。因此，藉由進行兩次蝕刻處理並在兩次蝕刻之間進行加熱處理，即便在第一次蝕刻處理中形成空洞，經過該加熱處理絕緣層127變形，由此可以填埋該空洞。另外，在第二次蝕刻處理中蝕刻厚度薄的膜，因此被側蝕量較少，不容易形成空洞，並且可形成的空洞也可以極小。由此，可以抑制形成共用層114及共用電極115的面上出現凹凸，而可以抑制共用層114及共用電極115斷開。因為如此進行兩次蝕刻處理，所以錐角θ2及錐角θ3為互不相同的角度。另外，錐角θ2和錐角θ3也可以為相同的角度。另外，錐角θ2及錐角θ3各角度有時小於錐角θ1。
絕緣層127有時覆蓋遮罩層118R的側面的至少一部分及遮罩層118G的側面的至少一部分。例如，圖5B示出如下例子，亦即絕緣層127以與其接觸的方式覆蓋藉由第一次蝕刻處理形成的遮罩層118G的端部的傾斜面，並且藉由第二次蝕刻處理形成的遮罩層118G的端部的傾斜面露出。這兩個傾斜面有時具有不同的錐角而可以區別。另外，有時藉由兩次蝕刻處理形成的側面的錐角幾乎沒有差異而不能區別。
另外，圖6A及圖6B示出圖5A及圖5B所示的結構的變形例子，其中絕緣層127覆蓋遮罩層118R的整個側面及遮罩層118G的整個側面。明確而言，在圖6B中，絕緣層127以與其接觸的方式覆蓋上述兩個傾斜面的兩者。由此，可以進一步減少形成共用層114及共用電極115的面的凹凸，所以是較佳的。圖6B示出絕緣層127的端部位於遮罩層118G的端部的外側的例子。如圖6B所示，絕緣層127的端部可以位於遮罩層118G的端部的內側，也可以與遮罩層118G的端部對齊或大致對齊。另外，如圖6B所示，絕緣層127有時接觸於EL層113G。
另外，圖7A及圖8A示出圖5A所示的結構的變形例子，圖7B及圖8B示出圖5B所示的結構的變形例子。圖7A、圖7B、圖8A及圖8B示出絕緣層127的側面具有凹曲面形狀(也稱為頸縮的部分、凹部、凹陷或低凹等)。根據絕緣層127的材料及形成條件(加熱溫度、加熱時間及加熱氛圍等)有時凹曲面形狀形成在絕緣層127的側面。
圖7A及圖7B示出絕緣層127覆蓋遮罩層118G的側面的一部分且遮罩層118G的側面的其他部分露出的例子。圖8A及圖8B示出絕緣層127以與其接觸的方式覆蓋遮罩層118G的整個側面的例子。
在圖6B、圖7B及圖8B所示的結構中，較佳的是，錐角θ1至錐角θ3也都在上述範圍內。
另外，如圖5A、圖6A、圖7A及圖8A所示，較佳的是，絕緣層127的一方端部與導電層111R的頂面重疊且絕緣層127的另一方端部與導電層111G的頂面重疊。藉由採用這種結構，可以在EL層113R及EL層113G的大致平坦的區域上形成絕緣層127的端部。由此，絕緣層127、絕緣層125及遮罩層118的錐形形狀的形成變得較容易。另外，可以抑制導電層111R、導電層111G、導電層112R、導電層112G、EL層113R及EL層113G的膜剝離。另一方面，像素電極的頂面與絕緣層127重疊的部分越小發光元件的發光區域越大，由此開口率可以越高，所以是較佳的。
如上所述，在圖5至圖8所示的各結構中，藉由設置絕緣層127、絕緣層125、遮罩層118R及遮罩層118G，可以在EL層113R的大致平坦的區域至EL層113G的大致平坦的區域上以高覆蓋性形成共用層114及共用電極115。並且，可以抑制共用層114及共用電極115中形成被截斷的部分及厚度局部性地薄的部分。由此，可以抑制在發光元件130之間共用層114及共用電極115中發生起因於被截斷的部分的連接不良以及起因於厚度局部性地薄的部分的電阻上升。由此，可以使顯示裝置100成為顯示品質高的顯示裝置。
圖9A及圖9B示出圖5A所示的結構的變形例子。圖9A示出絕緣層105的側面，具體的是重疊於導電層111的區域與不重疊於導電層111的區域之邊界的絕緣層105的側面(圖9A中以虛線圍繞的部分)為垂直的例子。圖9B示出絕緣層127的頂面在剖面中具有中央及其附近低凹的形狀，亦即具有凹曲面形狀的例子。如圖9B所示，藉由採用絕緣層127的中央部具有凹曲面的結構，可以緩和絕緣層127的應力。更明確地說，藉由採用絕緣層127的中央部具有凹曲面的結構，可以緩和產生在絕緣層127的端部的局部性的應力而抑制如下現象中的任一個或多個：EL層113R及EL層113G與遮罩層118R及遮罩層118G之間的膜剝離；遮罩層118R及遮罩層118G與絕緣層125之間的膜剝離；絕緣層125與絕緣層127之間的膜剝離。
另外，為了實現圖9B所示的絕緣層127的中央部具有凹曲面的結構，使用多色調遮罩，典型的是半色調遮罩或灰色調遮罩進行曝光即可。多色調遮罩指的是能夠對曝光部分、中間曝光部分以及未曝光部分以三個級別進行曝光的遮罩，且是使透過光具有多種強度的曝光遮罩。藉由一個光罩(一次曝光及顯影製程),可以形成具有多種(典型的是兩種)厚度區域的絕緣層127。或者，為了實現絕緣層127的中央部具有凹曲面的結構，藉由使凹曲面上的遮罩線寬度小於曝光部分的線寬度，可以形成具有多種厚度區域的絕緣層127。
注意，絕緣層127的中央部具有凹曲面的結構的形成方法不侷限於上述方法。例如，也可以使用兩個光罩分別製造曝光部分及中間曝光部分。或者，調整用於絕緣層127的樹脂材料的黏度，具體的是將用於絕緣層127的材料的黏度設為10cP以下，較佳為1cP以上且5cP以下，即可。
注意，雖然圖9B中沒有示出，但絕緣層127的中央部的凹曲面並不需要連續，也可以在相鄰的發光元件之間間斷。此時，在圖9B所示的絕緣層127的中央部中，絕緣層127的一部分消失且絕緣層125的表面露出。當採用該結構時，絕緣層127較佳為具有能夠被共用層114及共用電極115覆蓋的形狀。
[結構例子2] 圖10示出圖2A所示的結構的變形例子，其中遮罩層118R的端部與EL層113R的端部及導電層112R的端部對齊或大致對齊。也就是說，圖10示出導電層112R的端部與EL層113R的端部對齊或大致對齊的例子。同樣地，在圖10所示的例子中，遮罩層118G的端部與EL層113G的端部及導電層112G的端部對齊或大致對齊，遮罩層118B的端部與EL層113B的端部及導電層112B的端部對齊或大致對齊。也就是說，在圖10所示的例子中，導電層112G的端部與EL層113G的端部對齊或大致對齊，導電層112B的端部與EL層113B的端部對齊或大致對齊。並且，在圖10所示的例子中，絕緣層125具有與EL層113R的側面、EL層113G的側面、EL層113B的側面、導電層112R的側面、導電層112G的側面及導電層112B的側面接觸的區域。
圖11A是圖10所示的結構中的EL層113R與EL層113G之間的絕緣層127及其周圍的區域的剖面放大圖，是圖5A所示的結構的變形例子。在圖11A所示的例子中，導電層112R上設置有EL層113R，導電層112G上設置有EL層113G。
圖11B、圖12A、圖12B、圖13A及圖13B分別示出圖6A、圖7A、圖8A、圖9A及圖9B所示的結構的變形例子，其中採用圖10所示的結構。
[結構例子3] 圖14示出圖2A所示的結構的變形例子，其中發光元件130具有串聯結構(包括多個發光單元的結構)。發光單元至少包括一個發光層。各發光單元之間較佳為設置有電荷產生層。
圖14示出發光元件130具有層疊有兩個發光單元的兩級串聯結構時的結構例子。在圖14中，EL層113內的虛線表示電荷產生層。在下面圖式中也有時以虛線表示EL層113所包括的電荷產生層。
在圖14所示的例子中，EL層113包括電荷產生層之下層的第一發光單元以及電荷產生層之上層的第二發光單元。藉由使發光元件130具有串聯結構，可以提高有關發光的電流效率，由此可以提高發光元件130的發光效率。或者，可以在相同發光亮度下降低流過發光元件130的電流密度，由此可以降低包括發光元件130的顯示裝置100的功耗。另外，藉由使發光元件130具有串聯結構，可以提高發光元件130的可靠性。另外，發光元件130也可以具有三級以上的串聯結構。例如，當使發光元件130具有三級串聯結構時，EL層113可以從下依次層疊有第一發光單元、第一電荷產生層、第二發光單元、第二電荷產生層和第三發光單元。
如上所述，EL層113R、EL層113G及EL層113B至少包括發光層。例如，EL層113R所包括的第一發光單元及第二發光單元各自包括發射紅色光的發光層。另外，EL層113G所包括的第一發光單元及第二發光單元各自包括發射綠色光的發光層。並且，EL層113B所包括的第一發光單元及第二發光單元各自包括發射藍色光的發光層。
另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B所包括的各發光單元也可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一個以上。
在圖14所示的像素108中，例如在發光元件130的像素電極被用作陽極且共用電極115被用作陰極的情況下，EL層113R、EL層113G及EL層113B所包括的第一發光單元也可以依次包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層。也就是說，EL層113所包括的第一發光單元例如可以具有從下依次層疊有包括電洞注入層及電洞傳輸層的第一功能層、發光層和包括電子傳輸層的第二功能層的結構。另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B所包括的第二發光單元也可以依次包括電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層。也就是說，EL層113所包括的第二發光單元例如可以具有從下依次層疊有包括電洞傳輸層的第三功能層、發光層和包括電子傳輸層的第四功能層的結構。
在此，第一發光單元及第二發光單元也可以在電洞傳輸層與發光層之間包括電子障壁層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電洞障壁層。另外，第二發光單元也可以在電子傳輸層上包括電子注入層。另外，第一功能層也可以包括電洞注入層和電洞傳輸層中的一方並不包括另一方。
另外，例如，在發光元件130的像素電極被用作陰極且共用電極115被用作陽極的情況下，EL層113R、EL層113G及EL層113B所包括的第一發光單元也可以依次包括電子注入層、電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層。也就是說，EL層113所包括的第一發光單元例如可以具有從下依次層疊有包括電子注入層及電子傳輸層的第一功能層、發光層和包括電洞傳輸層的第二功能層的結構。另外，EL層113R、EL層113G及EL層113B所包括的第二發光單元也可以依次包括電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層。也就是說，EL層113所包括的第二發光單元例如可以具有從下依次層疊有包括電子傳輸層的第三功能層、發光層和包括電洞傳輸層的第四功能層的結構。
在此，第一發光單元及第二發光單元也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電洞障壁層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電子障壁層。另外，第二發光單元也可以在電洞傳輸層上包括電洞注入層。另外，第一功能層也可以包括電子注入層和電子傳輸層中的一方並不包括另一方。
注意，發光元件130的像素電極無論被用作陽極還是被用作陰極，第一發光單元也可以不包括第二功能層。並且，第二發光單元也可以不包括第三功能層和第四功能層中的至少一方。
第二發光單元較佳為包括發光層及發光層上的載子傳輸層。另外，第二發光單元較佳為包括發光層及發光層上的載子障壁層。另外，第二發光單元較佳為包括發光層、發光層上的載子障壁層及載子障壁層上的載子傳輸層。因為第二發光單元的表面在顯示裝置的製程中露出，所以藉由在發光層上設置載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者，可以抑制發光層露出於最表面而降低發光層受到的損傷。由此，可以提高發光元件的可靠性。注意，在包括三個以上的發光單元的情況下，較佳的是，設置在最上層中的發光單元包括發光層以及發光層上的載子傳輸層和載子障壁層中的一者或兩者。
如上所述，發光元件130可以具有串聯結構。關於具有串聯結構的發光元件130的詳細結構可以參照實施方式2。另外，關於發光元件130的結構及材料，無論發光元件130具有單結構還是具有串聯結構都可以參照實施方式5。
圖15A是圖14所示的結構中的EL層113R與EL層113G之間的絕緣層127及其周圍的區域的剖面放大圖，是圖5A所示的結構的變形例子。
在圖15A所示的例子中，EL層113R例如包括發光單元113R1、發光單元113R1上的電荷產生層113R2及電荷產生層113R2上的發光單元113R3。另外，EL層113G例如包括發光單元113G1、發光單元113G1上的電荷產生層113G2及電荷產生層113G2上的發光單元113G3。這裡，在圖14中，EL層113R中的以虛線表示的層相當於電荷產生層113R2，EL層113G中的以虛線表示的層相當於電荷產生層113G2。
在發光元件130R及發光元件130G具有兩級串聯結構的情況下，發光單元113R1及發光單元113G1可以為參照圖14說明的第一發光單元，發光單元113R3及發光單元113G3可以為參照圖14說明的第二發光單元。
圖15B、圖16A、圖16B及圖17A分別示出圖6A、圖7A、圖8A及圖9B所示的結構的變形例子，其中採用圖14所示的結構。圖17B示出圖15A所示的結構的變形例子，其中絕緣層127的頂面在剖面中具有平坦部。
圖18A是示出區域141及連接部140的結構例子的剖面圖。在區域141中，絕緣層101上設置有導電層109，絕緣層101及導電層109上設置有絕緣層103。導電層109可以以與圖2A所示的導電層102相同的製程形成，並可以包含與導電層102相同的材料。
區域141設置有絕緣層105上的EL層113R、絕緣層105及EL層113R層上的遮罩層118R、遮罩層118R上的絕緣層125、絕緣層125上的絕緣層127、絕緣層127上的共用層114、共用層114上的共用電極115、共用電極115上的保護層131、保護層131上的樹脂層122以及樹脂層122上的基板120。在區域141中，例如以覆蓋EL層113R的端部的方式設置有遮罩層118R。注意，例如根據顯示裝置100的製程，有時區域141設置有EL層113G或EL層113B代替EL層113R。另外，有時區域141設置有遮罩層118G或遮罩層118B代替遮罩層118R。
設置在區域141中的EL層113R不與共用電極115電連接。由此，設置在區域141中的EL層113R可以不被施加電壓，因此設置在區域141中的EL層113R可以具有不發光的結構。
將在後面說明其詳細內容，藉由採用具有EL層113R及遮罩層118R設置在區域141中的結構的顯示裝置，可以抑制在顯示裝置的製程中絕緣層105、絕緣層104及絕緣層103的一部分被蝕刻等去除而導致導電層109露出。由此，可以抑制導電層109非意圖性地接觸其他電極或層等。例如，可以抑制導電層109與共用電極115的短路。由此，可以使顯示裝置100成為可靠性高的顯示裝置。另外，可以以良率高的方法製造顯示裝置100。
連接部140包括絕緣層105上的導電層111C、覆蓋導電層111C的頂面及側面的導電層112C、導電層112C上的共用層114、共用層114上的共用電極115、共用電極115上的保護層131、保護層131上的樹脂層122及樹脂層122上的基板120。另外，以覆蓋導電層112C的端部的方式設置有遮罩層118R，遮罩層118R上以依次層疊的方式設置有絕緣層125、絕緣層127、共用層114、共用電極115及保護層131。注意，在區域141設置有遮罩層118G或遮罩層118B代替遮罩層118R的情況下，連接部140還設置有遮罩層118G或遮罩層118B代替遮罩層118R。
在連接部140中，導電層111C及導電層112C與共用電極115電連接。導電層111C及導電層112C例如與FPC (Flexible Printed Circuit，撓性電路板)(未圖示)電連接。由此，藉由例如向FPC供應電源電位，可以經過導電層111C及導電層112C向共用電極115供應電源電位。
在此，當共用層114的厚度方向的電阻小到能夠忽略時，即使在導電層112C與共用電極115之間設置共用層114，也可以確保導電層111C及導電層112C與共用電極115的導通。藉由不但在像素部107中而且在區域141及連接部140中設置共用層114，例如不使用包括用來規定沉積範圍的遮罩(為了與高精細金屬遮罩區別，被稱為區域遮罩或粗金屬遮罩等)而可以形成共用層114。因此，可以簡化顯示裝置100的製程。
圖18B示出圖18A所示的結構的變形例子，其中連接部140沒有設置共用層114。在圖18B所示的例子中，可以具有導電層112C與共用電極115接觸的結構。由此，可以減小導電層112C與共用電極115之間的電阻。注意，圖18B示出區域141中的重疊於EL層113R的區域設置有共用層114且不重疊於EL層113R的區域沒有設置共用層114的結構，但不侷限於此。例如，區域141中的重疊於EL層113R的區域可以沒有設置共用層114，不重疊於EL層113R的區域也可以設置有共用層114。
圖18C及圖18D分別示出圖18A及圖18B所示的結構的變形例子，其中導電層112C不但設置在連接部140中而且設置在區域141中。在圖18C及圖18D所示的例子中，在區域141中，絕緣層105上設置有導電層112C，導電層112C上設置有EL層113R，導電層112C及EL層113R上設置有遮罩層118R。另外，在連接部140中，導電層112C上設置有遮罩層118R。
圖18E及圖18F分別示出圖18A及圖18B所示的結構的變形例子，其中EL層113R具有串聯結構。
[結構例子4] 圖19A示出圖2A所示的結構的變形例子，其中子像素110R包括彩色層132R，子像素110G包括彩色層132G，並且子像素110B包括彩色層132B。
如圖19A所示，彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B可以設置在保護層131上。此時，保護層131較佳為被平坦化，但也可以不被平坦化。
在圖19A所示的例子中，子像素110R所包括的發光元件130、子像素110G所包括的發光元件130及子像素110B所包括的發光元件130都可以發射同一顏色光，例如可以發射白色光。在此情況下，具有圖19A所示的結構的顯示裝置100例如也可以藉由彩色層132R透過紅色光，彩色層132G透過綠色光，並且彩色層132B透過藍色光來進行全彩色顯示。注意，彩色層132R、彩色層132G或彩色層132B也可以透過青色、洋紅色、黃色、白色或紅外等的光。另外，發光元件130例如也可以發射紅外光。
在具有圖19A所示的結構的顯示裝置100中不需按每個顏色分別形成EL層113，所以可以簡化顯示裝置100的製程。由此，可以降低顯示裝置100的製造成本而作為顯示裝置100提供廉價顯示裝置。
相鄰的彩色層132在絕緣層127上具有重疊的區域。例如，在圖19A所示的剖面中，彩色層132G的一方端部與彩色層132R重疊，彩色層132G的另一方端部與彩色層132B重疊。由此，可以抑制發光元件130所發的光洩露到相鄰的子像素110。因此，可以抑制例如設置在子像素110G中的發光元件130所發的光入射到彩色層132R及彩色層132B。因此，可以使顯示裝置100成為顯示品質高的顯示裝置。
圖19B是圖19A所示的兩個EL層113之間的絕緣層127及其周圍的區域的剖面放大圖。注意，圖19B示出導電層112R及導電層112G作為導電層112。另外，圖19B所示的遮罩層118、絕緣層125及絕緣層127等的形狀與圖5A同樣。
如圖19A及圖19B所示，可以使導電層112R、導電層112G和導電層112B的各厚度不同。例如，較佳為以與增強彩色層132所透過的光的光程長對應的方式設定厚度。例如，較佳的是，在彩色層132R透過紅色光時以增強紅色光的方式設定導電層112R的厚度，在彩色層132G透過綠色光時以增強綠色光的方式設定導電層112G的厚度，並且在彩色層132B透過藍色光時以增強藍色光的方式設定導電層112B的厚度。由此，可以實現微腔結構來提高子像素110所發的光的色純度。注意，例如在圖2A所示的結構中也可以使導電層112R、導電層112G和導電層112B的各厚度不同。此時，即使EL層113R、EL層113G及EL層113B的各厚度都相同，也可以實現微腔結構。
雖然在圖19B中發光元件130具有單結構，但也可以具有串聯結構。圖20A示出EL層113包括發光單元113a1、發光單元113a1上的電荷產生層113b1及電荷產生層113b1上的發光單元113c1的例子。包括圖20A所示的EL層113的發光元件130具有兩級串聯結構。藉由使發光元件130具有串聯結構，可以提高有關發光的電流效率，由此可以提高發光元件130的發光效率。或者，可以在相同發光亮度下降低流過發光元件130的電流密度，由此可以降低包括發光元件130的顯示裝置100的功耗。另外，藉由使發光元件130具有串聯結構，可以提高發光元件130的可靠性。
發光單元113a1及發光單元113c1至少包括一層發光層。發光單元113a1所發的光顏色與發光單元113c1所發的光顏色可以不同。
在本說明書等中，將發光單元所包括的發光層所發的光稱為發光單元所發的光。
發光單元113a1所包括的發光層所發的光顏色與發光單元113c1所包括的發光層所發的光顏色例如可以處於補色關係。例如，發光單元113a1和發光單元113c1中的一方可以發射藍色光，並且發光單元113a1和發光單元113c1中的另一方可以發射黃色光。例如，發光單元113a1和發光單元113c1中的一方可以發射藍色光，並且發光單元113a1和發光單元113c1中的另一方可以發射紅色光及綠色光。例如，在發光元件130的像素電極被用作陽極且共用電極115被用作陰極的情況下，發光單元113a1可以發射藍色光。由此，發光元件130可以發射白色光。
另外，發光單元113a1及發光單元113c1除了發光層之外還可以各自包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一個以上。也就是說，發光單元113a1及發光單元113c1也可以包括功能層。除發光單元113a1及發光單元113c1外的發光單元也可以具有同樣的結構。
例如，在發光元件130的像素電極被用作陽極且共用電極115被用作陰極的情況下，發光單元113a1例如可以具有從下依次層疊有包括電洞注入層及電洞傳輸層的第一功能層、發光層和包括電子傳輸層的第二功能層的結構。另外，發光單元113c1也可以依次包括電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層。也就是說，發光單元113c1例如可以具有從下依次層疊有包括電洞傳輸層的第三功能層、發光層和包括電子傳輸層的第四功能層的結構。
在此，發光單元113a1及發光單元113c1也可以在電洞傳輸層與發光層之間包括電子障壁層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電洞障壁層。另外，發光單元113c1也可以在電子傳輸層與共用電極115之間包括電子注入層。另外，第一功能層也可以包括電洞注入層和電洞傳輸層中的一方並不包括另一方。
另外，例如，在發光元件130的像素電極被用作陰極且共用電極115被用作陽極的情況下，發光單元113a1例如可以具有從下依次層疊有包括電子注入層及電子傳輸層的第一功能層、發光層和包括電洞傳輸層的第二功能層的結構。另外，發光單元113c1也可以依次包括電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層。也就是說，發光單元113c1例如可以具有從下依次層疊有包括電子傳輸層的第三功能層、發光層和包括電洞傳輸層的第四功能層的結構。
在此，發光單元113a1及發光單元113c1也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電洞障壁層。另外，也可以在電子傳輸層與發光層之間包括電子障壁層。另外，發光單元113c1也可以在電洞傳輸層與共用電極115之間包括電洞注入層。另外，第一功能層也可以包括電子注入層和電子傳輸層中的一方並不包括另一方。
注意，發光元件130的像素電極無論被用作陽極還是被用作陰極，發光單元113a1也可以不包括第二功能層。並且，發光單元113c1也可以不包括第三功能層和第四功能層中的至少一方。
電荷產生層113b1至少具有電荷產生區域。電荷產生層113b1具有如下功能：在將電壓施加到發光元件130的像素電極與共用電極115之間時，向發光單元113a1和發光單元113c1中的一方注入電子並向發光單元113a1和發光單元113c1中的另一方注入電洞。
圖20B示出EL層113包括發光單元113a2、發光單元113a2上的電荷產生層113b2、電荷產生層113b2上的發光單元113c2、發光單元113c2上的電荷產生層113d及電荷產生層113d上的發光單元113e的例子。包括圖20B所示的EL層113的發光元件130具有三級串聯結構。藉由增大串聯結構的級數，可以適當地提高有關發光元件130的發光的電流效率，由此可以適當地提高發光元件130的發光效率。或者，可以在相同發光亮度下適當地降低流過發光元件130的電流密度，由此可以適當地降低包括發光元件130的顯示裝置100的功耗。並且，可以適當地提高發光元件130的可靠性。另外，發光元件130也可以具有四級以上的串聯結構。
發光單元113a2、發光單元113c2及發光單元113e至少包括一層發光層。發光單元113a2、發光單元113c2和發光單元113e中的至少一個發光單元所發的光顏色可以與其他發光單元所發的光顏色不同。例如，發光單元113a2、發光單元113c2和發光單元113e中的至少一個發光單元所發的光顏色可以為其他發光單元所發的光顏色的補色。
例如，發光單元113a2及發光單元113e可以發射藍色光，發光單元113c2可以發射黃色光、黃綠色光或綠色光。例如，發光單元113a2及發光單元113e可以發射藍色光，發光單元113c2可以發射紅色光、綠色光及黃綠色光。由此，發光元件130可以發射白色光。
電荷產生層113b2及電荷產生層113d至少具有電荷產生區域。電荷產生層113b2具有如下功能：在將電壓施加到發光元件130的像素電極與共用電極115之間時，向發光單元113a2和發光單元113c2中的一方注入電子並向發光單元113a2和發光單元113c2中的另一方注入電洞。電荷產生層113d具有如下功能：在將電壓施加到發光元件130的像素電極與共用電極115之間時，向發光單元113c2和發光單元113e中的一方注入電子並向發光單元113c2和發光單元113e中的另一方注入電洞。
圖21A示出圖10所示的結構的變形例子，其中子像素110R包括彩色層132R，子像素110G包括彩色層132G，並且子像素110B包括彩色層132B。換言之，圖21A示出組合圖10所示的結構例子與圖19A所示的結構例子的例子。
圖21B是圖21A所示的兩個EL層113之間的絕緣層127及其周圍的區域的剖面放大圖。圖21B示出導電層112R及導電層112G作為導電層112。另外，圖21B所示的遮罩層118、絕緣層125及絕緣層127等的形狀與圖11A同樣。
在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，藉由在每個發光元件上分別設置島狀EL層，可以抑制子像素之間產生側洩漏電流。由此，可以抑制起因於非意圖性的發光的串擾，而可以實現對比度極高的顯示裝置。另外，藉由在相鄰的島狀EL層之間設置其端部具有錐形形狀的絕緣層，可以抑制在形成共用電極時發生斷開，並可以抑制共用電極中形成厚度局部性地薄的部分。由此，可以抑制共用層及共用電極中發生起因於被截斷的部分的連接不良以及起因於厚度局部性地薄的部分的電阻上升。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以同時實現高清晰及高顯示品質。
接著，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的發光區域。
[結構例子5] 圖22A示出圖19A所示的結構的變形例子。注意，在圖22A的剖面圖中，例如省略上述微腔結構，並且放大圖19A所示的子像素110R及子像素110G附近。另外，圖22B是說明顯示裝置的發光區域的參考剖面圖。注意，在圖22A及圖22B中省略彩色層132及插頭106等。
為了說明顯示裝置的發光區域，在圖22A中除了圖19A所說明的結構之外還示出區域180及區域182。區域180被用作顯示裝置的發光區域，區域182被用作顯示裝置的非發光區域。
在顯示裝置的發光區域中，一對電極間(也稱為上下電極間、陽極與陰極間)設置有EL層。該EL層除了島狀EL層113之外還包括共用層114。另外，圖22A例示出EL層113包括電洞注入層113-1、電洞傳輸層113-2、發光層113-3及電子傳輸層113-4的結構。另外，在圖22A中，共用層114被用作電子注入層。
另外，圖22B是示出顯示裝置的一個實施方式的剖面圖。圖22B所示的顯示裝置包括絕緣層105、絕緣層105上的導電層111R、絕緣層105上的導電層111G、導電層111R上的導電層112R、導電層111G上的導電層112G、接觸於絕緣層105、導電層111R、導電層111G、導電層112R及導電層112G的絕緣層127b、接觸於絕緣層127b、導電層112R及導電層112G的EL層113、EL層113上的共用層114、共用層114上的共用電極115以及共用電極115上的保護層131。
在圖22B所示的顯示裝置的發光區域中，作為EL層，一對電極間設置有EL層113及共用層114。與圖22A所示的EL層113不同，圖22B所示的EL層113是多個發光元件所共用的一連續膜。圖22B例示出EL層113包括電洞注入層113-1、電洞傳輸層113-2、發光層113-3及電子傳輸層113-4的結構。另外，在圖22B中，共用層114被用作電子注入層。
在圖22B中，以覆蓋導電層111R的側面、導電層111G的側面、導電層112R的側面及頂面的一部分以及導電層112G的側面及頂面的一部分的方式設置有絕緣層127b。如此，絕緣層127b被用作覆蓋導電層的側面及導電層的頂面的一部分的結構體(也稱為堤)。就是說，以具有接觸於導電層111R、導電層111G、導電層112R及導電層112G的區域的方式設置有絕緣層127b。
圖22B示出區域184及區域186。區域184被用作顯示裝置的發光區域，區域186被用作顯示裝置的非發光區域。
如圖22A所示，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，藉由在每個發光元件上分別設置島狀EL層113(在此，電洞注入層113-1、電洞傳輸層113-2、發光層113-3及電子傳輸層113-4)，可以抑制子像素之間產生側洩漏電流。尤其是，藉由將EL層113所包括的電洞注入層113-1設置為島狀，可以適當地減少子像素間的側洩漏電流。注意，在EL層113中電洞注入層113-1的導電性比其他層高，所以如圖22A所示，較佳為採用至少電洞注入層113-1在相鄰的子像素之間分離的結構。
另外，在圖22A中，較佳的是，在被用作發光區域的區域180中，EL層(EL層113及共用層114)的中央部的一對電極間距離(圖示為D 1)與EL層(EL層113及共用層114)的端部的一對電極間距離(圖示為D 2)之差小。更明確地說，較佳的是，EL層的端部的一對電極間距離(D 2)相對於EL層的中央部的一對電極間距離(D 1)小於±10%，更佳為小於±3%。藉由減小或消除EL層的中央部的一對電極間距離(D 1)與EL層的端部的一對電極間距離(D 2)之差，可以在發光區域中得到均勻發光。
另一方面，如圖22B所示，在以跨著相鄰的子像素的方式設置EL層113，尤其相鄰的子像素間共同使用電洞注入層113-1的情況下，有可能引起被用作非發光區域的區域186的一部分或全部發光。換言之，子像素間有可能產生側洩漏電流。另外，在圖22B中，在被用作發光區域的區域184中，EL層(EL層113及共用層114)的中央部的一對電極間距離(圖示為D 3)與EL層(EL層113及共用層114)的端部的一對電極間距離(圖示為D 4)之差比上述D 1與D 2之差大。
注意，在圖22B中，被用作非發光區域的區域186中的一對電極間距離(圖示為D 5)比EL層的端部的一對電極間距離(D 4)大。注意，區域186中的一對電極間距離(D 5)為合併EL層113的厚度、共用層114的厚度與絕緣層127b的端部的厚度的值。例如，當被用作非發光區域的區域186的一部分發光時，因為光在區域186中的一對電極間距離(D 5)間諧振，所以該距離與被用作發光區域的區域184中的光諧振距離不同。因此，在區域186發光時，區域186的光諧振距離與區域184不同，由此亮度、色度和發光方向中的任一個或多個在區域186與區域184之間不同。另外，在來自被用作發光區域的區域184的發光與來自被用作非發光區域的區域186的發光混合時，有時發射光譜變寬或變為具有多個峰的形狀。另一方面，在圖22A所示的結構中，來自非發光區域的發光得到抑制，因此可以抑制發射光譜變寬或變為具有多個峰的形狀。
另外，顯示裝置較佳為具有無論高亮度(例如，10000cd/m 2)還是低亮度(例如，100cd/m 2)色度都沒有變化的結構。為此，圖22A所示的結構比圖22B所示的結構更佳。
圖23示出圖21A所示的結構的變形例子。注意，在圖23的剖面圖中，例如省略上述微腔結構，並且放大圖21A所示的子像素110R及子像素110G附近。也就是說，圖23示出組合圖21A所示的結構與圖22A所示的結構的例子。
[製造方法例子1] 以下，參照圖式說明具有圖2A所示的結構及圖18A所示的結構的顯示裝置100的製造方法例子。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用濺射法、化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、ALD法等形成。作為CVD法可以舉出電漿增強化學氣相沉積(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法及熱CVD法等。此外，作為熱CVD法之一，有有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
此外，構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗佈法、輥塗法、簾式塗佈法或刮刀式塗佈法等濕式沉積方法形成。
尤其是，當製造發光元件時，可以利用蒸鍍法等真空製程以及旋塗法或噴墨法等溶液製程。作為蒸鍍法，可以舉出濺射法、離子鍍法、離子束蒸鍍法、分子束蒸鍍法及真空蒸鍍法等物理蒸鍍法(PVD法)以及化學氣相沉積法(CVD法)等。尤其是，可以利用蒸鍍法(例如，真空蒸鍍法)、塗佈法(浸塗法、染料塗佈法、棒式塗佈法、旋塗法或噴塗法)、印刷法(噴墨法、網版印刷(孔版印刷)法、平板印刷(平版印刷)法、柔版印刷(凸版印刷)法、照相凹版印刷法或微接觸印刷法等)等方法形成EL層。
此外，當對構成顯示裝置的薄膜進行加工時，例如可以利用光微影法等進行加工。或者，也可以利用奈米壓印法、噴砂法或剝離法等對薄膜進行加工。此外，也可以利用金屬遮罩等陰影遮罩的沉積方法直接形成島狀的薄膜。
光微影法典型地有如下兩種方法。一個是在要進行加工的薄膜上形成光阻遮罩，例如藉由蝕刻對該薄膜進行加工，並去除光阻遮罩的方法。另一個是形成具有感光性的薄膜之後進行曝光及顯影，將該薄膜加工為所希望的形狀的方法。
在光微影法中的曝光中，例如可以使用i線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)或將這些光混合了的光。另外，還可以使用紫外光、KrF雷射或ArF雷射等。此外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。此外，也可以使用極紫外光(EUV：Extreme Ultra-Violet)或X射線進行曝光。此外，代替用於曝光的光，也可以使用電子束。當使用極紫外光、X射線或電子束時，可以進行極其精細的加工，所以是較佳的。注意，在藉由利用電子束等光束進行掃描而進行曝光時，不需要光罩。
在薄膜的蝕刻中，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法或噴砂法等。
為了製造具有圖2A所示的結構及圖18A所示的結構的顯示裝置100，首先如圖24A所示在基板(未圖示)上形成絕緣層101。接著，在絕緣層101上形成導電層102及導電層109，以覆蓋導電層102及導電層109的方式在絕緣層101上形成絕緣層103。接著，在絕緣層103上形成絕緣層104，並在絕緣層104上形成絕緣層105。
作為基板，可以使用至少具有能夠承受後面的熱處理程度的耐熱性的基板。在使用絕緣基板作為基板的情況下，可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板或有機樹脂基板等。此外，還可以使用以矽或碳化矽等為材料的單晶半導體基板或多晶半導體基板、以矽鍺等為材料的化合物半導體基板或SOI基板等半導體基板。
注意，圖24A並排示出沿A1-A2的剖面圖及沿B1-B2的剖面圖。說明顯示裝置的製造方法例子的下面圖式也是同樣的。
接著，如圖24A所示，在絕緣層105、絕緣層104及絕緣層103中形成到達導電層102的開口。接著，以嵌入該開口的方式形成插頭106。
接著，如圖24A所示，在插頭106及絕緣層105上形成將在後面成為導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C的導電膜111f。導電膜111f例如可以利用濺射法或真空蒸鍍法形成。另外，作為導電膜111f例如可以使用金屬材料。
導電膜111f可以具有從下依次層疊有將在後面成為導電層111a的膜、將在後面成為導電層111b的膜和將在後面成為導電層111c的膜的三層疊層結構。或者，導電膜111f可以具有從下依次層疊有將在後面成為導電層111a的膜和將在後面成為導電層111b的膜的兩層疊層結構。例如，可以作為將成為導電層111a的膜使用鈦，作為將成為導電層111b的膜使用鋁且作為將成為導電層111c的膜使用鈦。或者，導電膜111f可以具有單層結構。
接著，如圖24B所示，例如利用光微影法對導電膜111f進行加工，由此形成導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C。明確而言，例如在形成光阻遮罩之後藉由蝕刻法去除導電膜111f的一部分。當作為導電膜111f使用金屬材料時，可以例如藉由乾蝕刻法去除導電膜111f。在此，例如在藉由乾蝕刻法去除導電膜111f的一部分的情況下，有時凹部形成在絕緣層105的不重疊於導電層111的區域上。
導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C可以具有圖2B1、圖2B2及圖4C所示的導電層111a、導電層111a上的導電層111b和導電層111b上的導電層111c的三層疊層結構。另外，導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C可以具有圖3A、圖3B及圖4B所示的導電層111a和導電層111a上的導電層111b的兩層疊層結構。並且，導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C可以具有圖4A所示的單層結構。
接著，如圖24C所示，在導電層111R、導電層111G、導電層111B、導電層111C及絕緣層105上形成將在後面成為導電層112R、導電層112G、導電層112B及導電層112C的導電膜112f。導電膜112f例如可以利用濺射法或真空蒸鍍法形成。
在形成具有圖2B1及圖3A所示的結構的導電層112的情況下，作為導電膜112f例如可以使用導電氧化物。另外，在形成具有圖2B2及圖3B所示的結構的導電層112的情況下，導電膜112f可以具有從下依次層疊有將在後面成為導電層112a的膜和將在後面成為導電層112b的膜的兩層疊層結構。例如，可以作為將成為導電層112a的膜使用鈦、銀或含銀的合金等金屬材料，並且作為將成為導電層112b的膜使用導電氧化物。再者，在形成具有圖4A、圖4B及圖4C所示的結構的導電層112的情況下，導電膜112f可以具有從下依次層疊有將在後面成為導電層112a的膜、將在後面成為導電層112b的膜和將在後面成為導電層112c的膜的三層疊層結構。例如，可以作為將成為導電層112a的膜使用導電氧化物，作為將成為導電層112b的膜使用銀或含銀的合金，並且作為將成為導電層112c的膜使用導電氧化物。
另外，導電膜112f可以利用ALD法形成。在此，作為導電膜112f，可以使用含有選自銦、錫、鋅、鎵、鈦、鋁和矽中的任一個或多個的氧化物。此時，藉由以前驅物(一般有時被稱為前驅物或金屬前驅物等)的引入、該前驅物的吹掃、氧化劑(一般有時被稱為反應劑、反應物或非金屬前驅物等)的引入以及該氧化劑的吹掃為一個循環來反復進行該循環，可以形成導電膜112f。這裡，在將銦錫氧化物等含有多種金屬的氧化物膜形成為導電膜112f時，藉由根據前驅物的種類改變循環次數，可以控制金屬組成。
例如，在作為導電膜112f沉積銦錫氧化物膜的情況下，在引入含有銦的前驅物之後吹掃該前驅物並引入氧化劑來形成In-O膜，接下來在引入含有錫的前驅物之後吹掃該前驅物並引入氧化劑來形成Sn-O膜。在此，藉由使形成In-O膜時的循環次數多於形成Sn-O膜時的循環次數，可以使導電膜112f所包含的In原子數多於Sn原子數。
另外，例如在作為導電膜112f沉積氧化鋅膜的情況下，藉由上述過程形成Zn-O膜。另外，例如在作為導電膜112f沉積鋁鋅氧化物膜的情況下，藉由上述過程形成Zn-O膜及Al-O膜。另外，例如在作為導電膜112f沉積氧化鈦膜的情況下，藉由上述過程形成Ti-O膜。另外，例如在作為導電膜112f沉積含有矽的銦錫氧化物膜的情況下，藉由上述過程形成In-O膜、Sn-O膜及Si-O膜。另外，例如在作為導電膜112f沉積含有鎵的氧化鋅膜的情況下，藉由上述過程形成Ga-O膜及Zn-O膜。
作為含有銦的前驅物，例如可以使用三乙基銦、三甲基銦或[1,1,1-三甲基-N-(三甲基矽基)醯胺]-銦。作為含有錫的前驅物，例如可以使用氯化錫或四(二甲基醯胺)錫。作為含有鋅的前驅物，例如可以使用二乙基鋅或二甲基鋅。作為含有鎵的前驅物，例如可以使用三乙基鎵。作為含有鈦的前驅物，例如可以使用氯化鈦、四(二甲基醯胺)鈦或鈦酸四異丙基。作為含有鋁的前驅物，例如可以使用氯化鋁或三甲基鋁。作為含有矽的前驅物，例如可以使用三矽基胺、雙(二乙基胺基)矽烷、三(二甲基胺基)矽烷或雙(三級丁基胺基)矽烷或雙(乙基甲基胺基)矽烷。另外，作為氧化劑例如可以使用水蒸氣、氧電漿或臭氧氣體。
在此，例如在形成導電層111之後且形成導電膜112f之前，有時導電層111的表面被氧化。例如，由於在形成導電層111之後使進行大氣暴露，有時導電層111的表面因大氣中的氧而被氧化。這裡，當導電層111的最上層使用因氧化導致電阻率上升的金屬時，導電層111與導電層112的接觸介面的電阻有時比導電層111的表面不被氧化的情況下的該電阻大。由此，有時所製造的顯示裝置發生不良而變成可靠性低的顯示裝置。
因此，較佳為在形成導電層111之後且形成導電膜112f之前去除導電層111表面的氧化物。並且，較佳為在去除氧化物之後以不進行大氣暴露的方式沉積導電膜112f。由此，可以減小導電層111與導電層112的接觸介面的電阻。因此，可以抑制顯示裝置100發生不良而使顯示裝置100成為可靠性高的顯示裝置。導電層111表面的氧化物例如可以利用反向濺射法去除。
通常的濺射法是指將離子碰撞到濺射靶材的方法，而反向濺射法是指將離子碰撞到被處理面來改變被處理面的性質的方法。作為將離子碰撞到被處理面的方法例如有如下方法，亦即在含有氬等第18族元素的氣體氛圍下對被處理面一側施加高頻電壓，由此在被處理面附近生成電漿。注意，也可以採用含有氮或氧等的氛圍代替含有第18族元素的氣體氛圍。在反向濺射法中使用的裝置不侷限於濺射裝置，也可以使用電漿CVD裝置或乾蝕刻裝置等進行同樣的處理。
接著，如圖24D所示，例如利用光微影法對導電膜112f進行加工，由此形成導電層112R、導電層112G、導電層112B及導電層112C。明確而言，例如在形成光阻遮罩之後藉由蝕刻法去除導電膜112f的一部分。在作為導電膜112f使用導電氧化物的情況下，例如可以藉由濕蝕刻法去除導電膜112f。導電層112以覆蓋導電層111的頂面及側面的方式形成。注意，例如在導電層112採用圖2B2所示的結構，並且作為導電層112a使用金屬材料且作為導電層112b使用導電氧化物的情況下，可以在藉由濕蝕刻法去除將成為導電層112b的導電膜的一部分之後藉由乾蝕刻法去除將成為導電層112a的導電膜的一部分。注意，也可以藉由濕蝕刻法去除將成為導電層112a的導電膜的一部分，並也可以藉由乾蝕刻法去除將成為導電層112b的導電膜的一部分。
在此，在使導電層112具有圖2B2及圖3B所示的導電層112a和導電層112b的疊層結構的情況下，作為導電膜112f所包括的將成為導電層112a的膜可以使用鈦、銀或含銀的合金等金屬材料。另外，作為導電膜112f所包括的將成為導電層112b的膜例如可以使用銦錫氧化物等導電氧化物。如上所述，藉由作為導電層112a使用銀或含銀的合金，可以提高像素電極的可見光反射率。另一方面，如上所述，與銀相比鈦的蝕刻加工性更優異，所以藉由作為將成為導電層112a的膜使用鈦，可以容易加工該膜而形成導電層112a。
接著，較佳為進行導電層112的疏水化處理。藉由疏水化處理，可以將作為處理對象的表面從親水性變為疏水性，或者可以提高作為處理對象的表面的疏水性。藉由進行導電層112的疏水化處理，可以提高導電層112與將在後面製程中形成的EL層113的密接性來抑制膜剝離。注意，也可以不進行疏水化處理。
疏水化處理例如可以藉由導電層112的氟修飾來進行。氟修飾例如可以藉由利用含氟氣體的處理或加熱處理或者含氟氣體氛圍下的電漿處理等來進行。作為含氟氣體例如可以使用氟氣體，例如可以使用碳氟化合物氣體。作為碳氟化合物氣體，例如可以使用四氟化碳(CF 4)氣體、C 4F 6氣體、C 2F 6氣體、C 4F 8氣體或C 5F 8等低級氟化碳氣體。另外，作為含氟氣體例如可以使用SF 6氣體、NF 3氣體或CHF 3氣體等。另外，也可以對這些氣體適當地添加氦氣體、氬氣體、氫氣體或氧氣體等。
另外，藉由對導電層112的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，然後進行利用矽烷化劑的處理，可以使導電層112的表面疏水化。作為矽烷化劑可以使用六甲基二矽氮烷(HMDS)或三甲基矽咪唑(TMSI)等。並且，藉由對導電層112的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，然後進行利用矽烷偶合劑的處理，也可以使導電層112的表面疏水化。
藉由對導電層112的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，可以給導電層112的表面帶來損傷。由此，HMDS等矽烷化劑中的甲基容易鍵合於導電層112的表面。另外，容易發生由於矽烷偶合劑的矽烷偶合。由此，藉由對導電層112的表面在包含氬等第18族元素的氣體氛圍下進行電漿處理，然後進行利用矽烷化劑或矽烷偶合劑的處理，可以使導電層112的表面疏水化。
利用矽烷化劑或矽烷偶合劑等的處理例如可以藉由利用旋塗法或浸漬法等塗佈矽烷化劑或矽烷偶合劑等來進行。另外，利用矽烷化劑或矽烷偶合劑等的處理例如藉由利用氣相法在導電層112上等形成包含矽烷化劑的膜或包含矽烷偶合劑的膜等來進行。在氣相法中：首先使包含矽烷化劑的材料或包含矽烷偶合劑的材料等揮發，來使矽烷化劑或矽烷偶合劑等包含在氛圍中；接下來將例如形成有導電層112的基板放在該氛圍下。由此，可以在導電層112上形成包含矽烷化劑或矽烷偶合劑等的膜來使導電層112的表面疏水化。
接著，如圖25A所示，在導電層112R、導電層112G、導電層112B及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113R的EL膜113Rf。
如圖25A所示，在導電層112C上不形成EL膜113Rf。例如，藉由利用區域遮罩，可以僅在所希望的區域上沉積EL膜113Rf。藉由採用利用區域遮罩的沉積製程和利用光阻遮罩的加工製程，可以以比較簡單的製程製造發光元件。
EL膜113Rf例如可以利用蒸鍍法形成，明確而言可以利用真空蒸鍍法形成。另外，EL膜113Rf也可以利用轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法的方法形成。
接著，如圖25A所示，在EL膜113Rf、導電層112C及絕緣層105上依次形成將在後面成為遮罩層118R的遮罩膜118Rf及將在後面成為遮罩層119R的遮罩膜119Rf。
注意，在本實施方式中，示出由遮罩膜118Rf和遮罩膜119Rf的兩層結構構成遮罩膜的例子，但遮罩膜可以具有單層結構，也可以具有三層以上的疊層結構。
藉由在EL膜113Rf上設置遮罩層，可以降低在顯示裝置的製程中EL膜113Rf受到的損傷，而可以提高發光元件的可靠性。
作為遮罩膜118Rf使用對EL膜113Rf的加工條件的耐性高的膜，明確而言與EL膜113Rf的蝕刻選擇比大的膜。作為遮罩膜119Rf使用與遮罩膜118Rf的蝕刻選擇比大的膜。
另外，遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf以低於EL膜113Rf的耐熱溫度的溫度形成。形成遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf時的基板溫度各自典型地為200℃以下，較佳為150℃以下，更佳為120℃以下，進一步較佳為100℃以下，更進一步較佳為80℃以下。
作為遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf較佳為使用可以利用濕蝕刻法去除的膜。藉由利用濕蝕刻法，與利用乾蝕刻法的情況相比，可以減輕在遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf的加工中EL膜113Rf受到的損傷。
遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf例如可以利用濺射法、ALD法(熱ALD法或PEALD法)、CVD法或真空蒸鍍法形成。另外，也可以利用上述濕式沉積方法形成。
另外，以接觸於EL膜113Rf上的方式形成的遮罩膜118Rf較佳為利用對EL膜113Rf帶來的損傷比遮罩膜119Rf少的形成方法形成。例如，與濺射法相比，更佳為使用ALD法或真空蒸鍍法形成遮罩膜118Rf。
作為遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf，例如可以使用金屬膜、合金膜、金屬氧化物膜、半導體膜、有機絕緣膜和無機絕緣膜等中的一種或多種。
作為遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf例如各自可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀、鈦、鋁、釔、鋯或鉭等金屬材料或者包含該金屬材料的合金材料。尤其較佳為使用鋁或銀等低熔點材料。藉由作為遮罩膜118Rf和遮罩膜119Rf的一者或兩者使用能夠遮蔽紫外線的金屬材料，可以抑制紫外線照射到EL膜113Rf而可以抑制EL膜113Rf的劣化，所以是較佳的。
另外，作為遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf各自可以使用金屬氧化物諸如In-Ga-Zn氧化物、氧化銦、In-Zn氧化物、In-Sn氧化物、銦鈦氧化物(In-Ti氧化物)、銦錫鋅氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、銦鈦鋅氧化物(In-Ti-Zn氧化物)、銦鎵錫鋅氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)或包含矽的銦錫氧化物等。
注意，也可以使用元素M(M為鋁、矽、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂中的一種或多種)代替上述鎵。尤其是，M較佳為選自鎵、鋁和釔中的一種或多種。
另外，作為遮罩膜可以使用含有具有遮光性，尤其具有紫外線遮光性的材料的膜。例如，可以使用具有紫外線反射性的膜或吸收紫外線的膜。作為具有遮光性的材料，可以使用具有紫外線遮光性的金屬、絕緣體、半導體或半金屬等各種材料，因為該遮罩膜的一部分或全部將在後面製程中被去除，所以遮罩膜較佳為可以藉由蝕刻被加工的膜，尤其較佳為加工性良好的膜。
例如，作為與半導體製造程序的親和性高的材料，可以舉出矽及鍺等半導體材料。另外，還可以舉出上述半導體材料的氧化物及氮化物。另外，還可以舉出碳等非金屬(半金屬)材料及其化合物。另外，還可以舉出鈦、鉭、鎢、鉻及鋁等金屬以及含有上述金屬中的一個以上的合金。另外，還可以舉出氧化鈦及氧化鉻等含有上述金屬的氧化物以及氮化鈦、氮化鉻及氮化鉭等氮化物。
藉由作為遮罩膜使用具有紫外線遮光性的材料的膜，可以抑制例如在曝光製程中紫外線被照射到EL層。藉由抑制紫外線給EL層帶來損傷，可以提高發光元件的可靠性。
注意，含有具有紫外線遮光性的材料的膜在被用作下述絕緣膜125f時也發揮同樣的效果。
另外，作為遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf各自可以使用能夠用於保護層131的各種無機絕緣膜。尤其是，氧化絕緣膜的與EL膜113Rf的密接性比氮化絕緣膜的與EL膜113Rf的密接性高，所以是較佳的。例如，分別可以將氧化鋁、氧化鉿或氧化矽等無機絕緣材料用於遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf。作為遮罩膜118Rf或遮罩膜119Rf各自例如可以利用ALD法形成氧化鋁膜。藉由利用ALD法，可以減輕對基底，尤其對EL層帶來的損傷，所以是較佳的。
例如，作為遮罩膜118Rf可以使用利用ALD法形成的無機絕緣膜諸如氧化鋁膜，並且作為遮罩膜119Rf可以使用利用濺射法形成的無機膜諸如In-Ga-Zn氧化物膜、鋁膜或鎢膜。
另外，作為遮罩膜118Rf和後面形成的絕緣層125的兩者可以使用相同無機絕緣膜。例如，作為遮罩膜118Rf和絕緣層125的兩者可以使用利用ALD法形成的氧化鋁膜。在此，遮罩膜118Rf和絕緣層125既可以採用相同沉積條件，也可以採用不同沉積條件。例如，藉由以與絕緣層125同樣的條件沉積遮罩膜118Rf，可以形成遮罩膜118Rf作為對水和氧中的至少一方的阻擋性高的絕緣膜。另一方面，遮罩膜118Rf是其大部分或全部在後面的製程中被去除的層，所以較佳為容易被加工。因此，遮罩膜118Rf較佳為以與絕緣層125相比沉積時的基板溫度低的條件沉積。
作為遮罩膜118Rf和遮罩膜119Rf中的一者或兩者也可以使用有機材料。例如，作為有機材料也可以使用可溶解於在化學上穩定的溶劑的材料。尤其是，可以將溶解於水或醇的材料適合用於遮罩膜118Rf和遮罩膜119Rf中的一者或兩者。當沉積上述材料時，較佳的是，在將材料溶解於水或醇等溶劑的狀態下藉由上述濕式的沉積方法塗佈該材料，然後進行用來使溶劑蒸發的加熱處理。此時，較佳為在減壓氛圍下進行加熱處理，由此可以在低溫且短時間下去除溶劑，而可以降低給EL膜113Rf帶來的熱損傷。
遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf各自也可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普魯蘭多糖、水溶性纖維素、可溶解於醇的聚醯胺樹脂或全氟聚合物等氟樹脂等有機樹脂。
例如，作為遮罩膜118Rf可以使用利用蒸鍍法和上述濕式沉積方法中的任意個形成的有機膜(例如，PVA膜)，並且作為遮罩膜119Rf可以使用利用濺射法形成的無機膜(例如，氮化矽膜)。
注意，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，有時遮罩膜的一部分殘留為遮罩層。
接著，如圖25A所示，在遮罩膜119Rf上形成光阻遮罩190R。光阻遮罩190R可以藉由塗佈感光樹脂(光阻劑)而進行曝光及顯影來形成。
光阻遮罩190R可以利用正型光阻劑材料或負型光阻劑材料。
光阻遮罩190R在與導電層112R重疊的位置上設置。光阻遮罩190R較佳為還在與導電層112C重疊的位置上設置。由此，可以抑制導電層112C在顯示裝置的製程中受到損傷。注意，也可以在導電層112C上不設置光阻遮罩190R。另外，如圖25A中的沿B1-B2的剖面圖所示，光阻遮罩190R較佳為以覆蓋EL膜113Rf的端部至導電層112C的EL膜113Rf一側的端部的方式設置。
接著，如圖25A及圖25B所示，利用光阻遮罩190R去除遮罩膜119Rf的一部分，來形成遮罩層119R。遮罩層119R留在導電層112R及導電層112C上。然後，去除光阻遮罩190R。接著，將遮罩層119R用作遮罩(也稱為硬遮罩)去除遮罩膜118Rf的一部分，來形成遮罩層118R。
遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf分別可以藉由濕蝕刻法或乾蝕刻法加工。遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf的加工較佳為藉由各向異性蝕刻進行。
藉由利用濕蝕刻法，與利用乾蝕刻法的情況相比，可以減輕在遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf的加工中EL膜113Rf受到的損傷。在使用濕蝕刻法時，例如較佳為使用顯影液、四甲基氫氧化銨水溶液(TMAH)、稀氫氟酸、草酸、磷酸、乙酸、硝酸或它們的混合液體的藥液等。
在加工遮罩膜119Rf時EL膜113Rf不露出，所以與加工遮罩膜118Rf的情況相比，加工方法的選擇範圍較寬。明確而言，在遮罩膜119Rf的加工中作為蝕刻氣體使用含氧氣體的情況下，與在遮罩膜118Rf的加工中作為蝕刻氣體使用含氧氣體的情況相比可以進一步抑制EL膜113Rf的劣化。
另外，當在遮罩膜118Rf的加工中利用乾蝕刻法時，藉由作為蝕刻氣體不使用含氧氣體可以抑制EL膜113Rf的劣化。在利用乾蝕刻法的情況下，例如較佳為將CF 4、C 4F 8、SF 6、CHF 3、Cl 2、H 2O、BCl 3或含有第18族元素的氣體用作蝕刻氣體。作為第18族元素，例如可以使用He。
例如，在作為遮罩膜118Rf使用利用ALD法形成的氧化鋁膜時，可以使用CHF 3及He或者CHF 3、He及CH 4藉由乾蝕刻法去除遮罩膜118Rf的一部分。另外，在作為遮罩膜119Rf使用利用濺射法形成的In-Ga-Zn氧化物膜時，可以使用稀磷酸藉由濕蝕刻法去除遮罩膜119Rf的一部分。或者，也可以使用CH 4及Ar藉由乾蝕刻法去除遮罩膜119Rf的一部分。或者，可以使用稀磷酸藉由濕蝕刻法去除遮罩膜119Rf的一部分。另外，在作為遮罩膜119Rf使用利用濺射法形成的鎢膜的情況下，可以使用SF 6、CF 4及O 2或者CF 4、Cl 2及O 2藉由乾蝕刻法去除遮罩膜119Rf的一部分。
光阻遮罩190R例如可以藉由使用氧電漿的灰化被去除。或者，也可以使用氧氣體和CF 4、C 4F 8、SF 6、CHF 3、Cl 2、H 2O、BCl 3或第18族元素。作為第18族元素，例如可以使用He。或者，也可以藉由濕蝕刻去除光阻遮罩190R。此時，遮罩膜118Rf位於最表面且EL膜113Rf不露出，所以在光阻遮罩190R的去除製程中可以抑制EL膜113Rf受到損傷。另外，可以擴大光阻遮罩190R的去除方法的選擇範圍。
接著，如圖25A及圖25B所示，加工EL膜113Rf來形成EL層113R。例如，將遮罩層119R及遮罩層118R用作遮罩去除EL膜113Rf的一部分來形成EL層113R。
由此，如圖25B所示，EL層113R、遮罩層118R和遮罩層119R的疊層結構留在導電層112R上。另外，導電層112G及導電層112B露出。
圖25B示出EL層113R的端部位於導電層112R的端部的外側的例子。藉由採用該結構，可以提高像素開口率。雖然圖25B未圖示，但有時藉由上述蝕刻處理凹部形成在絕緣層105的不重疊於EL層113R的區域中。
另外，由於EL層113R覆蓋導電層112R的頂面及側面，因此可以以不使導電層112R露出的方式進行後面製程。當導電層112R的端部露出時，例如有時在蝕刻製程中發生腐蝕。導電層112R的腐蝕所引起的生成物有時不穩定，例如在濕蝕刻中該生成物有可能溶解於溶液中，在乾蝕刻中該生成物有可能飛散在氛圍中。由於生成物溶解於溶液中或飛散在氛圍中，例如被處理面及EL層113R的側面等有可能附著生成物，而給發光元件特性帶來負面影響或者導致多個發光元件間形成洩漏路徑。另外，在導電層112R的端部露出的區域中，有可能降低彼此接觸的層的密接性而易於發生EL層113R或導電層112R的膜剝離。
因此，藉由採用EL層113R覆蓋導電層112R的頂面及側面的結構，例如可以提高發光元件的良率及特性。
如上所述，光阻遮罩190R較佳為以在B1-B2間覆蓋EL層113R的端部至導電層112C的EL層113R一側的端部的方式設置。由此，如圖25B所示，遮罩層118R及遮罩層119R以在B1-B2間覆蓋EL層113R的端部至導電層112C的EL層113R一側的端部的方式設置。因此，可以抑制例如在B1-B2間絕緣層105露出。由此，可以抑制絕緣層105、絕緣層104及絕緣層103的一部分被蝕刻等去除而導致導電層109露出。因此，可以抑制導電層109非意圖性地電連接於其他導電層。例如，可以抑制導電層109與將在後面製程中形成的共用電極115之間的短路。
EL膜113Rf的加工較佳為使用各向異性蝕刻進行。尤其較佳為使用各向異性乾蝕刻。或者，也可以使用濕蝕刻。
在使用乾蝕刻法時，藉由作為蝕刻氣體不使用含氧氣體，可以抑制EL膜113Rf的劣化。
另外，作為蝕刻氣體也可以使用含氧氣體。在蝕刻氣體包含氧時，可以提高蝕刻速度。因此，可以在保持充分的蝕刻速度的同時以低功率條件進行蝕刻。因此，可以抑制對EL膜113Rf帶來的損傷。並且，可以抑制蝕刻時產生的反應生成物的附著等不良。
在使用乾蝕刻法時，例如較佳為使用包含H 2、CF 4、C 4F 8、SF 6、CHF 3、Cl 2、H 2O、BCl 3和He或Ar等第18族元素中的一種以上的氣體作為蝕刻氣體。或者，較佳為使用包含上述氣體中的一種以上和氧的氣體作為蝕刻氣體。或者，也可以使用氧氣體作為蝕刻氣體。明確而言，例如可以使用包含H 2及Ar的氣體或者包含CF 4及He的氣體作為蝕刻氣體。另外，例如可以使用包含CF 4、He及氧的氣體作為蝕刻氣體。另外，例如可以使用包含H 2及Ar的氣體以及包含氧的氣體作為蝕刻氣體。
如上所述，在本發明的一個實施方式中，藉由在遮罩膜119Rf上形成光阻遮罩190R且使用光阻遮罩190R去除遮罩膜119Rf的一部分，來形成遮罩層119R。然後，藉由將遮罩層119R用作遮罩去除EL膜113Rf的一部分，來形成EL層113R。因此，可以說藉由利用光微影法加工EL膜113Rf來形成EL層113R。另外，也可以使用光阻遮罩190R去除EL膜113Rf的一部分。然後，也可以去除光阻遮罩190R。
接著，較佳為例如進行導電層112G的疏水化處理。在加工EL膜113Rf時，例如導電層112G的表面狀態有時變為親水性。藉由進行導電層112G的疏水化處理，例如可以提高導電層112G與將在後面製程中形成的層(在此，EL層113G)的密接性來抑制膜剝離。注意，也可以不進行疏水化處理。
接著，如圖25C所示，在導電層112G、導電層112B、遮罩層119R及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113G的EL膜113Gf。
EL膜113Gf可以以與可在形成EL膜113Rf時利用的方法同樣的方法形成。
接著，如圖25C所示，在EL膜113Gf及遮罩層119R上依次形成將在後面成為遮罩層118G的遮罩膜118Gf及將在後面成為遮罩層119G的遮罩膜119Gf。然後，形成光阻遮罩190G。遮罩膜118Gf及遮罩膜119Gf的材料及形成方法與可應用於遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf的條件同樣。光阻遮罩190G的材料及形成方法與可應用於光阻遮罩190R的條件同樣。
光阻遮罩190G在與導電層112G重疊的位置上設置。
接著，如圖25C及圖25D所示，利用光阻遮罩190G去除遮罩膜119Gf的一部分，來形成遮罩層119G。遮罩層119G留在導電層112G上。然後，去除光阻遮罩190G。接著，將遮罩層119G用作遮罩去除遮罩膜118Gf的一部分，來形成遮罩層118G。接著，加工EL膜113Gf來形成EL層113G。例如，將遮罩層119G及遮罩層118G用作遮罩去除EL膜113Gf的一部分，來形成EL層113G。
由此，如圖25D所示，EL層113G、遮罩層118G和遮罩層119G的疊層結構留在導電層112G上。另外，遮罩層119R及導電層112B露出。
接著，較佳為例如進行導電層112B的疏水化處理。在加工EL膜113Gf時，例如導電層112B的表面狀態有時變為親水性。藉由例如進行導電層112B的疏水化處理，例如可以提高導電層112B與將在後面製程中形成的層(在此，EL層113B)的密接性來抑制膜剝離。注意，也可以不進行疏水化處理。
接著，如圖26A所示，在導電層112B、遮罩層119R、遮罩層119G及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113B的EL膜113Bf。
EL膜113Bf可以以與可在形成EL膜113Rf時利用的方法同樣的方法形成。
接著，如圖26A所示，在EL膜113Bf及遮罩層119R上依次形成將在後面成為遮罩層118B的遮罩膜118Bf及將在後面成為遮罩層119B的遮罩膜119Bf。然後，形成光阻遮罩190B。遮罩膜118Bf及遮罩膜119Bf的材料及形成方法與可應用於遮罩膜118Rf及遮罩膜119Rf的條件同樣。光阻遮罩190B的材料及形成方法與可應用於光阻遮罩190R的條件同樣。
光阻遮罩190B在與導電層112B重疊的位置上設置。
接著，如圖26A及圖26B所示，利用光阻遮罩190B去除遮罩膜119Bf的一部分，來形成遮罩層119B。遮罩層119B留在導電層112B上。然後，去除光阻遮罩190B。接著，將遮罩層119B用作遮罩去除遮罩膜118Bf的一部分，來形成遮罩層118B。接著，加工EL膜113Bf來形成EL層113B。例如，將遮罩層119B及遮罩層118B用作遮罩去除EL膜113Bf的一部分，來形成EL層113B。
由此，如圖26B所示，EL層113B、遮罩層118B和遮罩層119B的疊層結構留在導電層112B上。另外，遮罩層119R及遮罩層119G露出。
注意，EL層113R的側面、EL層113G的側面及EL層113B的側面各自較佳為垂直於或大致垂直於被形成面。例如，被形成面與這些側面所形成的角度較佳為60度以上且90度以下。
如上所述，可以將使用光微影法形成的EL層113R、EL層113G和EL層113B中相鄰的兩個EL層之間的距離縮小到8μm以下、5μm以下、3μm以下、2μm以下或1μm以下。在此，例如可以根據EL層113R、EL層113G和EL層113B中相鄰的兩個EL層的相對的端部之間距離規定該距離。如此，藉由縮小島狀EL層113之間的距離，可以提供清晰度高且開口率大的顯示裝置。
接著，如圖26C所示，較佳為去除遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B。根據後面製程有時遮罩層118R、遮罩層118G、遮罩層118B、遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B留在顯示裝置中。藉由在這階段去除遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B，可以抑制遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B留在顯示裝置中。例如，在將導電材料用於遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B的情況下，藉由預先去除遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B，可以抑制由於留下的遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B導致洩漏電流產生及電容形成等。
注意，雖然在本實施方式中以去除遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B的情況為例進行說明，但也可以不去除遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B。例如，當遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B包含上述具有紫外線遮光性的材料時，藉由不去除上述遮罩層來進入下個製程，可以保護EL層113免受紫外線，所以是較佳的。
作為遮罩層的去除製程可以使用與遮罩層的加工製程同樣的方法。尤其是，藉由使用濕蝕刻法，與使用乾蝕刻法的情況相比，可以減少在去除遮罩層時EL層113R、EL層113G及EL層113B受到的損傷。
另外，也可以將遮罩層溶解於水或醇等的溶劑來去除。作為醇，可以舉出乙醇、甲醇、異丙醇(IPA)或甘油等。
在去除遮罩層之後，也可以進行乾燥處理來去除含在EL層113R、EL層113G及EL層113B中的水以及附著於EL層113R表面、EL層113G表面及EL層113B表面的水。例如，也可以在惰性氣體氛圍或減壓氛圍下進行加熱處理。加熱處理可以在50℃以上且200℃以下，較佳為60℃以上且150℃以下，更佳為70℃以上且120℃以下的基板溫度下進行。藉由採用減壓氛圍，可以以更低溫進行乾燥，所以是較佳的。
接著，如圖26D所示，以覆蓋EL層113R、EL層113G、EL層113B、遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的方式形成將在後面成為絕緣層125的絕緣膜125f。
如後面所述，以接觸於絕緣膜125f的頂面的方式形成將在後面成為絕緣層127的絕緣膜。因此，絕緣膜125f的頂面較佳為與用於該絕緣膜的材料諸如含有丙烯酸樹脂的感光樹脂組成物的親和性高。為了提高該親和性，較佳為進行表面處理來使絕緣膜125f的頂面疏水化或提高其疏水性。例如，較佳為使用HMDS等矽烷化劑進行處理。藉由如此使絕緣膜125f的頂面疏水化，可以以高密接性形成絕緣膜127f。作為表面處理，也可以進行上述疏水化處理。
接著，如圖27A所示，在絕緣膜125f上形成將在後面成為絕緣層127的絕緣膜127f。
絕緣膜125f及絕緣膜127f較佳為藉由對EL層113R、EL層113G及EL層113B帶來的損傷少的形成方法沉積。尤其是，絕緣膜125f以與EL層113R、EL層113G及EL層113B的側面接觸的方式形成，所以較佳為藉由與絕緣膜127f相比對EL層113R、EL層113G及EL層113B帶來的損傷少的形成方法沉積。
另外，絕緣膜125f及絕緣膜127f各自以低於EL層113R、EL層113G及EL層113B的耐熱溫度的溫度形成。藉由提高沉積絕緣膜125f時的基板溫度，絕緣膜125f可以為厚度薄也雜質濃度低且相對於水和氧中的至少一方的阻擋性高的膜。
形成絕緣膜125f及絕緣膜127f時的基板溫度各自較佳為60℃以上、80℃以上、100℃以上或120℃以上且為200℃以下、180℃以下、160℃以下、150℃以下或140℃以下。
作為絕緣膜125f，較佳為在上述基板溫度範圍內形成厚度為3nm以上、5nm以上或10nm以上且為200nm以下、150nm以下、100nm以下或50nm以下的絕緣膜。
絕緣膜125f例如較佳為利用ALD法形成。藉由利用ALD法可以減少沉積損傷，並且可以沉積覆蓋性高的膜，所以是較佳的。作為絕緣膜125f，例如較佳為利用ALD法形成氧化鋁膜。
除此之外，絕緣膜125f也可以利用沉積速率比ALD法高的濺射法、CVD法或PECVD法形成。由此，可以以高生產率製造可靠性高的顯示裝置。
絕緣膜127f較佳為利用上述濕式沉積方法形成。絕緣膜127f例如較佳為藉由旋塗法使用感光材料形成，更明確地說，較佳為使用含有丙烯酸樹脂的感光樹脂組成物形成。
例如，較佳為使用含有聚合物、酸產生劑及溶劑的樹脂組成物形成絕緣膜127f。聚合物使用一種或多種單體形成，具有有規則或無規則地反復一種或多種結構單位(也稱為構成單位)的結構。作為酸產生劑，可以使用藉由照射光產生酸的化合物和藉由加熱產生酸的化合物中的一者或兩者。樹脂組成物還可以包含感光劑、敏化劑、催化劑、黏合助劑、表面活性劑和防氧化劑中的一個或多個。
另外，較佳為在形成絕緣膜127f之後進行加熱處理(也稱為前烘)。該加熱處理以比EL層113R、EL層113G及EL層113B的耐熱溫度低的溫度進行。加熱處理中的基板溫度較佳為50℃以上且200℃以下，更佳為60℃以上且150℃以下，進一步較佳為70℃以上且120℃以下。由此，可以去除絕緣膜127f中的溶劑。
接著，進行曝光來用可見光線或紫外線使絕緣膜127f的一部分敏化。這裡，在將含有丙烯酸樹脂的正型感光樹脂組成物用於絕緣膜127f的情況下，向將在後面製程中沒形成絕緣層127的區域照射可見光線或紫外線。絕緣層127形成在被導電層112R、導電層112G和導電層112B中的任兩個夾持的區域以及導電層112C周圍。因此，向導電層112R、導電層112G、導電層112B及導電層112C照射可見光線或紫外線。注意，在將負型感光材料用於絕緣膜127f的情況下，向將形成絕緣層127的區域照射可見光線或紫外線。
借助於向絕緣膜127f曝光的區域，可以控制將在後面形成的絕緣層127的寬度。在本實施方式中，以絕緣層127具有與導電層111的頂面重疊的部分的方式進行加工。
用於曝光的光較佳為具有i線(波長365nm)。另外，用於曝光的光也可以具有g線(波長436nm)和h線(波長405nm)中的至少一方。
在此，藉由作為遮罩層118和絕緣膜125f中的一者或兩者設置如氧化鋁膜等氧阻擋絕緣層，可以降低氧擴散到EL層113R、EL層113G及EL層113B。當光(可見光線或紫外線)被照射到EL層時，有時該EL層所包含的有機化合物成為激發狀態而促進與氛圍內的氧反應。更明確地說，當在含氧氛圍下光(可見光線或紫外線)被照射到EL層時，氧有可能鍵合於該EL層所包含的有機化合物。藉由在島狀EL層上設置遮罩層118及絕緣膜125f，可以降低氛圍內的氧鍵合於該EL層所包含的有機化合物。
接著，如圖27B1及圖27B2所示，進行顯影去除絕緣膜127f中的被曝光的區域，來形成絕緣層127a。注意，圖27B2是圖27B1所示的EL層113G、絕緣層127a的端部及其附近的放大圖。絕緣層127a形成在被導電層112R、導電層112G和導電層112B中的任兩個夾持的區域以及圍繞導電層112C的區域。這裡，在將丙烯酸樹脂用於絕緣膜127f的情況下，作為顯影液較佳為使用鹼性溶液，例如可以使用TMAH。
接著，也可以去除顯影時的殘渣(所謂的浮渣)。例如，藉由進行利用氧電漿的灰化，可以去除殘渣。
另外，也可以進行蝕刻以便調整絕緣層127a的表面的高度。絕緣層127a例如也可以藉由利用氧電漿的灰化被加工。另外，在作為絕緣膜127f使用非感光材料的情況下，也例如藉由該灰化可以調整絕緣膜127f的表面高度。
接著，如圖28A及圖28B所示，將絕緣層127a用作遮罩進行蝕刻處理去除絕緣膜125f的一部分，來減小遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的一部分的厚度。由此，在絕緣層127a下形成絕緣層125。另外，遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的厚度薄的部分的表面露出。注意，圖28B是圖28A所示的EL層113G、絕緣層127a的端部及其附近的放大圖。下面，將絕緣層127a用作遮罩的蝕刻處理有時被稱為第一蝕刻處理。
第一蝕刻處理可以藉由乾蝕刻或濕蝕刻來進行。當使用與遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B同樣的材料沉積絕緣膜125f時，可以一次性地進行第一蝕刻處理，所以是較佳的。
如圖28B所示，藉由將側面呈錐形形狀的絕緣層127a用作遮罩進行蝕刻，可以使絕緣層125的側面以及遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的側面上端部較容易地成為錐形形狀。
當進行乾蝕刻時，較佳為使用氯類氣體。作為氯類氣體，可以使用選自Cl 2、BCl 3、SiCl 4及CCl 4等中的一種氣體或混合上述兩種以上的氣體。另外，可以將選自氧氣體、氫氣體、氦氣體及氬氣體等中的一種氣體或混合上述兩種以上的氣體適當地添加到上述氯類氣體。藉由利用乾蝕刻，可以以優良面內均勻性形成遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的厚度薄的區域。
作為乾蝕刻裝置，可以使用具有高密度電漿源的乾蝕刻裝置。作為具有高密度電漿源的乾蝕刻裝置，例如可以使用感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)蝕刻裝置。或者，可以使用包括平行平板型電極的電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)蝕刻裝置。包括平行平板型電極的電容耦合型電漿蝕刻裝置也可以採用對平行平板型電極中的一方施加高頻電壓的結構。或者，也可以採用對平行平板型電極中的一方施加不同的多個高頻電壓的結構。或者，也可以採用對平行平板型電極的各個施加頻率相同的高頻電壓的結構。或者，也可以採用對平行平板型電極的各個施加頻率不同的高頻電壓的結構。
另外，當進行乾蝕刻時，有時例如乾蝕刻中產生的副產物堆積於絕緣層127a的頂面及側面等。由此，蝕刻氣體中的成分、絕緣膜125f中的成分、遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B中的成分等有時包含在顯示裝置完成後的絕緣層127中。
另外，較佳為利用濕蝕刻進行第一蝕刻處理。藉由利用濕蝕刻法，與利用乾蝕刻法的情況相比，可以進一步減少EL層113R、EL層113G及EL層113B受到的損傷。例如，濕蝕刻可以使用鹼溶液進行。例如，在氧化鋁膜的濕蝕刻中較佳為使用鹼溶液的TMAH。此時，可以以塗膠方式進行濕蝕刻。當使用與遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B同樣的材料沉積絕緣膜125f時，可以一次性地進行上述蝕刻處理，所以是較佳的。
如圖28A及圖28B所示，在第一蝕刻處理中不完全去除遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B，在厚度變小的狀態下停止蝕刻處理。如此，藉由在EL層113R、EL層113G及EL層113B上留下所對應的遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B，可以抑制在後面製程中的處理中EL層113R、EL層113G及EL層113B受損傷。
注意，雖然在圖28A及圖28B所示的結構中遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的厚度變小，但本發明不侷限於此。例如，根據絕緣膜125f的厚度以及遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的厚度，有時在絕緣膜125f被加工為絕緣層125之前停止第一蝕刻處理。明確而言，有時僅在使絕緣膜125f的一部分的厚度變小後停止第一蝕刻處理。另外，在使用與遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B同樣的材料沉積絕緣膜125f的情況下，有時絕緣膜125f與遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的邊界不明確。由此，有時不能判斷是否形成絕緣層125，也有時不能判斷遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的厚度是否變小。
另外，圖28A及圖28B示出絕緣層127a的形狀從圖27B1及圖27B2不變的例子，但本發明不侷限於此。例如，有時絕緣層127a的端部滴下而覆蓋絕緣層125的端部。另外，例如，有時絕緣層127a的端部接觸於遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的頂面。如上所述，在不對顯影之後的絕緣層127a進行曝光的情況下，絕緣層127a的形狀有時易於變化。
接著，較佳為對整個基板進行曝光而將可見光線或紫外線照射到絕緣層127a。該曝光的能量密度較佳為大於0mJ/cm 2且為800mJ/cm 2以下，更佳為大於0mJ/cm 2且為500mJ/cm 2以下。藉由在顯影之後進行這種曝光，有時可以提高絕緣層127a的透明度。另外，有時可以降低後面製程中的將絕緣層127a變形為錐形形狀的加熱處理所需的基板溫度。
另一方面，如後面所述，藉由不對絕緣層127a進行曝光，有時易於在後面製程中改變絕緣層127a的形狀或將絕緣層127變形為錐形形狀。因此，有時較佳為在顯影之後不對絕緣層127a進行曝光。
例如，在作為絕緣層127a的材料使用光硬化性樹脂的情況下，藉由對絕緣層127a進行曝光，聚合開始，可以使絕緣層127a固化。注意，也可以在這階段不對絕緣層127a進行曝光而在保持絕緣層127a的形狀比較容易變化的狀態下進行下述後烘和第二蝕刻處理中的至少一方。由此，可以抑制形成共用層114及共用電極115的面上出現凹凸，而可以抑制共用層114及共用電極115斷開。注意，也可以在顯影之後且第一蝕刻處理之前進行曝光。另一方面，根據絕緣層127a的材料(例如，正型材料)及第一蝕刻處理的條件，有時因曝光導致在第一蝕刻處理中絕緣層127a溶解於藥液。因此，較佳為在第一蝕刻處理之後且後烘之前進行曝光。由此，可以以高再現性穩定地製造所希望的形狀的絕緣層127a。
在此，較佳為在不含氧的氛圍或氧含量少的氛圍下進行可見光線或紫外線照射。例如，較佳為在氮氛圍等惰性氣體氛圍或減壓氛圍下進行上述可見光線或紫外線照射。當在含有多量氧的氛圍下進行上述可見光線或紫外線照射時，EL層113所包含的化合物有可能氧化，由此EL層113變質。然而，藉由在不含氧的氛圍或氧含量少的氛圍下進行上述可見光線或紫外線照射，可以抑制該EL層變質，由此可以提供可靠性更高的顯示裝置。
接著，如圖29A及圖29B所示，進行加熱處理(也稱為後烘)。如圖29A及圖29B所示，藉由進行加熱處理，可以將絕緣層127a變形為其側面具有錐形形狀的絕緣層127。注意，如上所述，絕緣層127a的形狀有時在第一蝕刻處理結束的時點已變為其側面具有錐形形狀的形狀。該加熱處理在比EL層113的耐熱溫度低的溫度下進行。加熱處理可以在50℃以上且200℃以下，較佳為60℃以上且150℃以下，更佳為70℃以上且130℃以下的基板溫度下進行。加熱氛圍可以為大氣氛圍，也可以為惰性氣體氛圍。另外，加熱氛圍可以為大氣壓氛圍，也可以為減壓氛圍。藉由採用減壓氛圍，可以以更低溫進行乾燥，所以是較佳的。在本製程的加熱處理中，較佳為與形成絕緣膜127f之後的加熱處理(前烘)相比提高基板溫度。由此，可以提高絕緣層127與絕緣層125的密接性，並可以提高絕緣層127的抗腐蝕性。注意，圖29B是圖29A所示的EL層113G、絕緣層127的端部及其附近的放大圖。
如上所述，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，發光元件使用耐熱性高的材料。因此，可以將前烘溫度及後烘溫度各自設為100℃以上、120℃以上或140℃以上。由此，可以進一步提高絕緣層127與絕緣層125的密接性，並可以進一步提高絕緣層127的抗腐蝕性。另外，可以擴大可被用作絕緣層127的材料的選擇範圍。另外，例如藉由充分去除絕緣層127中的溶劑，可以抑制水及氧等雜質進入EL層113。
藉由在第一蝕刻處理中不完全去除遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B而留下處於厚度減小的狀態的遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B，可以抑制例如在後烘中EL層113R、EL層113G及EL層113B受損傷而劣化。因此，可以提高發光元件的可靠性。
注意，根據絕緣層127的材料、以及後烘的溫度、時間及氛圍，如圖7A及圖7B所示，有時絕緣層127的側面形成凹曲面形狀。例如，後烘條件中的溫度越高或時間越長，絕緣層127的形狀越容易變化，從而有時形成凹曲面形狀。另外，如上所述，在不對顯影之後的絕緣層127a進行曝光的情況下，有時在後烘中絕緣層127的形狀易於變化。
接著，如圖30A及圖30B所示，將絕緣層127用作遮罩進行蝕刻處理來去除遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的一部分。注意，有時絕緣層125的一部分也被去除。由此，開口形成在各遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B中，EL層113R、EL層113G、EL層113B及導電層112C的頂面露出。注意，圖30B是圖30A所示的EL層113G、絕緣層127的端部及其附近的放大圖。下面，將絕緣層127用作遮罩的蝕刻處理有時被稱為第二蝕刻處理。
絕緣層125的端部被絕緣層127覆蓋。另外，在圖30A及圖30B所示的例子中，遮罩層118G的端部的一部分，具體的是藉由第一蝕刻處理形成的錐形形狀部分被絕緣層127覆蓋，並且藉由第二蝕刻處理形成的錐形形狀部分露出。也就是說，圖30A及圖30B相當於圖5A及圖5B所示的結構。
當不進行第一蝕刻處理而在後烘之後一次性地進行絕緣層125及遮罩層的蝕刻處理時，有時絕緣層127的端部下的絕緣層125及遮罩層因側蝕而消失，形成空洞。由於該空洞，形成共用層114及共用電極115的面上出現凹凸，共用層114及共用電極115中易於發生斷開。即便在第一蝕刻處理中絕緣層125及遮罩層被側蝕而形成空洞，藉由之後進行後烘，也可以用絕緣層127填埋該空洞。然後，在第二蝕刻處理中蝕刻厚度進一步變薄的遮罩層，因此被側蝕量較少，不容易形成空洞，並且可形成的空洞也可以極小。因此，可以使形成共用層114及共用電極115的面更平坦。
注意，如圖6A及圖6B或者圖8A及圖8B所示，絕緣層127也可以覆蓋遮罩層118G的端部整體。例如，有時絕緣層127的端部滴下而覆蓋遮罩層118G的端部。另外，例如有時絕緣層127的端部接觸於EL層113R、EL層113G和EL層113B中的至少一個的頂面。如上所述，在不對顯影之後的絕緣層127a進行曝光的情況下，絕緣層127的形狀有時易於變化。
第二蝕刻處理利用濕蝕刻進行。藉由利用濕蝕刻法，與利用乾蝕刻法的情況相比，可以進一步減少EL層113R、EL層113G及EL層113B受到的損傷。濕蝕刻例如可以使用TMAH等鹼溶液進行。
另一方面，在利用濕蝕刻法進行第二蝕刻處理時，如果因如EL層113與其他層的密接性等問題而在EL層113與遮罩層118之間、EL層113與絕緣層125之間以及EL層113與絕緣層105之間有間隔，有時在第二蝕刻處理中使用的藥液就進入該間隔中而接觸於像素電極。這裡，當藥液接觸於導電層111和導電層112的兩者時，有時導電層111和導電層112中的自然電位更低一方的導電層由於電偶腐蝕而腐蝕。例如，當作為導電層111使用鋁且作為導電層112使用銦錫氧化物時，有時導電層112腐蝕。由此，有時降低顯示裝置的良率。另外，有時降低顯示裝置的可靠性。
在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中，如上所述地以覆蓋導電層111的頂面及側面的方式形成導電層112。由此，即使例如在EL層113與遮罩層118之間、EL層113與絕緣層125之間以及EL層113與絕緣層105之間有間隔，也可以抑制在第二蝕刻處理中藥液接觸於導電層111。由此，可以抑制如導電層112等像素電極的腐蝕。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法可以為良率高的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法可以為不良發生得到抑制的製造方法。
如上所述，藉由設置絕緣層127、絕緣層125、遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B，可以抑制在各發光元件之間共用層114及共用電極115中發生起因於被截斷的部分的連接不良以及起因於厚度局部性地薄的部分的電阻上升。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以提高顯示品質。
另外，也可以在使EL層113R、EL層113G及EL層113B的一部分露出之後還進行加熱處理。藉由進行該加熱處理，可以去除含在EL層113中的水及附著於EL層113表面的水等。另外，絕緣層127的形狀有時由於該加熱處理變化。明確而言，絕緣層127有時以覆蓋絕緣層125的端部、遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的端部和EL層113R、EL層113G及EL層113B的頂面中的至少一個的方式擴大。例如，絕緣層127有時變為圖6A及圖6B所示的形狀。例如，也可以在惰性氣體氛圍或減壓氛圍下進行加熱處理。加熱處理可以在50℃以上且200℃以下，較佳為60℃以上且150℃以下，更佳為70℃以上且120℃以下的基板溫度下進行。藉由採用減壓氛圍，可以以更低溫進行脫水，所以是較佳的。注意，較佳為還考慮EL層113的耐熱溫度適當地設定上述加熱處理的溫度範圍。在考慮EL層113的耐熱溫度的情況下，在上述溫度範圍中尤其較佳為採用70℃以上且120℃以下的溫度。
接著，如圖31A所示，在EL層113R、EL層113G、EL層113B、導電層112C及絕緣層127上形成共用層114。共用層114可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
接著，如圖31A所示，在共用層114上形成共用電極115。共用電極115可以藉由濺射法或真空蒸鍍法形成。或者，也可以層疊藉由蒸鍍法形成的膜與藉由濺射法形成的膜來形成共用電極115。
共用電極115可以在沉積共用層114之後連續進行沉積，而之間沒有進行蝕刻等製程。例如，在真空下形成共用層114之後無需將基板暴露於大氣，可以還在真空下形成共用電極115。換言之，可以始終在真空下形成共用層114及共用電極115。由此，與顯示裝置100沒有設置共用層114的情況相比可以使共用電極115的底面清潔。因此，可以使發光元件130成為可靠性高且特性優良的發光元件。
接著，如圖31B所示，在共用電極115上形成保護層131。保護層131可以藉由真空蒸鍍法、濺射法、CVD法或ALD法等方法形成。
接著，使用樹脂層122將基板120貼合於保護層131上，由此可以製造具有圖2A所示的結構及圖18A所示的結構的顯示裝置。如上所述，根據本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法，以覆蓋導電層111的頂面及側面的方式形成導電層112，由此可以提高良率並抑制發生不良。
在此，也可以在進行圖29A及圖29B所示的後烘來形成絕緣層127之後對絕緣層127進行曝光。例如，也可以在不對絕緣層127a進行上述曝光的情況下對絕緣層127進行曝光。例如，也可以在圖30A及圖30B所示的第二蝕刻處理之後且圖31A所示的共用層114的形成之前對絕緣層127進行曝光。或者，也可以在圖31A所示的共用電極115的形成之後且圖31B所示的保護層131的形成之前對絕緣層127進行曝光。或者，也可以在圖31B所示的保護層131的形成之後對絕緣層127進行曝光。在此，例如可以將在上述對於絕緣層127a的曝光中採用的條件同樣的條件用作對於絕緣層127的曝光的條件。注意，對於絕緣層127a的曝光以及對於絕緣層127的曝光可以一次也沒進行，也可以進行總共只有一次，也可以進行總共兩次以上。
例如，在作為絕緣層127使用光硬化性樹脂的情況下，藉由對絕緣層127進行曝光可以使絕緣層127固化。由此，可以抑制絕緣層127變形。因此，例如可以抑制絕緣層127上的層的膜剝離。由此，可以使本發明的一個實施方式的顯示裝置成為可靠性高的顯示裝置。
如上所述，在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中，島狀EL層113R、島狀EL層113G及島狀EL層113B不是使用高精細金屬遮罩形成，而是在將膜沉積在一面上之後進行加工來形成，因此可以以均勻的厚度形成島狀層。並且，可以實現高清晰的顯示裝置或高開口率的顯示裝置。另外，即使清晰度或開口率高且子像素間距離極短，也可以抑制在相鄰的子像素間EL層113R、EL層113G與EL層113B彼此接觸。因此，可以抑制子像素間產生側洩漏電流。由此，可以抑制起因於非意圖性的發光的串擾，而可以實現對比度極高的顯示裝置。
另外，藉由在相鄰的島狀EL層113之間設置其端部具有錐形形狀的絕緣層127，可以抑制在形成共用電極115時發生斷開，並可以抑制共用電極115中形成厚度局部性地薄的部分。由此，可以抑制共用層114及共用電極115中發生起因於被截斷的部分的連接不良以及起因於厚度局部性地薄的部分的電阻上升。由此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以同時實現高清晰及高顯示品質。
[製造方法例子2] 以下，參照圖式說明具有圖10所示的結構及圖18C所示的結構的顯示裝置100的製造方法例子。注意，主要說明與在圖24A至圖31B中說明的方法不同的方法，適當地省略與在圖24A至圖31B中說明的方法相同的方法。
圖32A至圖32C示出與圖24A至圖24C同樣的製程。
圖32D1是放大圖32C中的沿B1-B2的剖面的圖。在圖32D1所示的例子中，導電膜112f具有與導電層109重疊的區域。
圖32D2示出圖32D1的變形例子，其中導電膜112f不重疊於導電層109。例如，藉由在如圖32C所示地形成導電膜112f之後去除B1-B2間的區域中的導電膜112f的一部分，可以製造圖32D2所示的結構。在進行圖32D2所示的製程的情況下，被製造的顯示裝置100的B1-B2間的結構例如相當於圖18A所示的結構。
例如，藉由去除設置在重疊於導電層109的區域上的導電膜112f，將在後面製程中形成的導電層112C不重疊於導電層109。由此，如上所述地例如可以抑制寄生電容的產生。另外，也可以看作由於圖32D2所示的製程形成導電層112C。換言之，在圖32D2中也可以將導電膜112f替換為導電層112C。
以下，在不進行圖32D2所示的製程的前提下說明顯示裝置100的製造方法例子，但在進行圖32D2所示的製程的情況下也可以參照以下說明的製造方法例子。
接著，如上所述，較佳為進行導電膜112f的疏水化處理。
接著，如圖33A所示，以與圖25A所示的方法同樣的方法在導電膜112f上形成將在後面成為EL層113R的EL膜113Rf。然後，以與圖25A所示的方法同樣的方法在EL膜113Rf及導電膜112f上依次形成將在後面成為遮罩層118R的遮罩膜118Rf及將在後面成為遮罩層119R的遮罩膜119Rf。
接著，如圖33A所示，以與圖25A所示的方法同樣的方法在遮罩膜119Rf上形成光阻遮罩190R。光阻遮罩190R在與導電層111R重疊的位置上設置。另外，光阻遮罩190R還可以在與導電層111C重疊的位置上設置。
接著，如圖33A及圖33B所示，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法利用光阻遮罩190R去除遮罩膜119Rf的一部分，來形成遮罩層119R。遮罩層119R留在導電層111R及導電層111C上。然後，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法去除光阻遮罩190R。接著，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法將遮罩層119R用作遮罩去除遮罩膜118Rf的一部分，來形成遮罩層118R。
接著，如圖33A及圖33B所示，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法加工EL膜113Rf來形成EL層113R。例如，將遮罩層119R及遮罩層118R用作遮罩去除EL膜113Rf的一部分來形成EL層113R。由此，如圖33B所示，EL層113R、遮罩層118R和遮罩層119R的疊層結構以具有與導電層111R重疊的區域的方式留在導電膜112f上。另外，在沒有設置遮罩層119R的區域中導電膜112f露出。
光阻遮罩190R較佳為以在B1-B2間覆蓋EL層113R的端部至導電層111C的EL層113R一側的端部的方式設置。由此，如圖33B所示，遮罩層118R及遮罩層119R以在B1-B2間覆蓋EL層113R的端部至導電層111C的EL層113R一側的端部的方式設置。因此，可以抑制例如在B1-B2間導電膜112f露出。由此，可以抑制導電膜112f、絕緣層105、絕緣層104及絕緣層103的一部分被蝕刻等去除而導致導電層109露出。因此，可以抑制導電層109非意圖性地電連接於其他導電層。例如，可以抑制導電層109與將在後面製程中形成的共用電極115之間的短路。
接著，較佳為例如進行導電膜112f的疏水化處理。在加工EL膜113Rf時，例如導電膜112f的表面狀態有時變為親水性。藉由例如進行導電膜112f的疏水化處理，可以提高導電膜112f與將在後面製程中形成的層(在此，EL層113G)的密接性來抑制膜剝離。注意，也可以不進行疏水化處理。
接著，如圖33C所示，以與圖25C所示的方法同樣的方法在導電膜112f及遮罩層119R上形成將在後面成為EL層113G的EL膜113Gf。
接著，如圖33C所示，以與圖25C所示的方法同樣的方法在EL膜113Gf及遮罩層119R上依次形成將在後面成為遮罩層118G的遮罩膜118Gf及將在後面成為遮罩層119G的遮罩膜119Gf。然後，形成光阻遮罩190G。
光阻遮罩190G在與導電層111G重疊的位置上設置。
接著，如圖33C及圖33D所示，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法利用光阻遮罩190G去除遮罩膜119Gf的一部分，來形成遮罩層119G。遮罩層119G留在導電層111G上。然後，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法去除光阻遮罩190G。接著，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法將遮罩層119G用作遮罩去除遮罩膜118Gf的一部分，來形成遮罩層118G。接著，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法加工EL膜113Gf來形成EL層113G。例如，將遮罩層119G及遮罩層118G用作遮罩去除EL膜113Gf的一部分，來形成EL層113G。
由此，如圖33D所示，EL層113G、遮罩層118G和遮罩層119G的疊層結構留在導電層111G上。另外，遮罩層119R露出，並且在遮罩層119R及遮罩層119G都沒有設置的區域中導電膜112f露出。
接著，較佳為例如進行導電膜112f的疏水化處理。在加工EL膜113Gf時，例如導電膜112f的表面狀態有時變為親水性。藉由例如進行導電膜112f的疏水化處理，例如可以提高導電膜112f與將在後面製程中形成的層(在此，EL層113B)的密接性來抑制膜剝離。注意，也可以不進行疏水化處理。
接著，如圖34A所示，以與圖26A所示的方法同樣的方法在導電膜112f、遮罩層119R及遮罩層119G上形成將在後面成為EL層113B的EL膜113Bf。
接著，如圖34A所示，以與圖26A所示的方法同樣的方法在EL膜113Bf及遮罩層119R上依次形成將在後面成為遮罩層118B的遮罩膜118Bf及將在後面成為遮罩層119B的遮罩膜119Bf。然後，形成光阻遮罩190B。
光阻遮罩190B在與導電層111B重疊的位置上設置。
接著，如圖34A及圖34B所示，利用光阻遮罩190B去除遮罩膜119Bf的一部分，來形成遮罩層119B。遮罩層119B留在導電層111B上。然後，去除光阻遮罩190B。接著，將遮罩層119B用作遮罩去除遮罩膜118Bf的一部分，來形成遮罩層118B。接著，加工EL膜113Bf來形成EL層113B。例如，將遮罩層119B及遮罩層118B用作遮罩去除EL膜113Bf的一部分，來形成EL層113B。
由此，如圖34B所示，EL層113B、遮罩層118B和遮罩層119B的疊層結構留在導電層111B上。另外，遮罩層119R及遮罩層119G露出，並且遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B都沒有設置的區域中導電膜112f露出。
接著，如圖34B及圖34C所示，將遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B用作遮罩，例如藉由蝕刻法去除導電膜112f的一部分。由此，形成導電層112R、導電層112G、導電層112B及導電層112C。在作為導電膜112f使用導電氧化物的情況下，例如可以藉由濕蝕刻法去除導電膜112f。導電層112以覆蓋導電層111的頂面及側面的方式形成。注意，例如在導電層112採用圖2B2所示的結構，並且作為導電層112a使用金屬材料且作為導電層112b使用導電氧化物的情況下，可以在藉由濕蝕刻法去除將成為導電層112b的導電膜的一部分之後藉由乾蝕刻法去除將成為導電層112a的導電膜的一部分。
接著，如圖35A所示，較佳為以與圖26C所示的方法同樣的方法去除遮罩層119R、遮罩層119G及遮罩層119B。
接著，如圖35B所示，以與圖26D所示的方法同樣的方法以覆蓋導電層112R、導電層112G、導電層112B、EL層113R、EL層113G、EL層113B、遮罩層118R、遮罩層118G及遮罩層118B的方式形成將在後面成為絕緣層125的絕緣膜125f。
圖35C、圖36A至圖36D、圖37A及圖37B分別示出與圖27A、圖27B1、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A及圖31B同樣的製程。在進行圖37B所示的製程之後，使用樹脂層122將基板120貼合於保護層131上，由此可以製造具有圖10所示的結構及圖18C所示的結構的顯示裝置。
[製造方法例子3] 以下，參照圖式說明具有圖14所示的結構及圖18E所示的結構的顯示裝置100的製造方法例子。注意，主要說明與在圖24A至圖31B中說明的方法不同的方法，適當地省略與在圖24A至圖31B中說明的方法相同的方法。
首先，進行與圖24A至圖24D所示的製程同樣的製程。接著，如圖38A所示，以與圖25A所示的方法同樣的方法在導電層112R、導電層112G、導電層112B及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113R的EL膜113Rf。EL膜113Rf包括將在後面成為發光單元113R1的膜113R1f、將在後面成為電荷產生層113R2的電荷產生膜113R2f及將在後面成為發光單元113R3的膜113R3f。在圖38A中，以虛線表示電荷產生膜113Rf2。
接著，如圖38A所示，以與圖25A所示的方法同樣的方法在EL膜113Rf、導電層112C及絕緣層105上依次形成將在後面成為遮罩層118R的遮罩膜118Rf及將在後面成為遮罩層119R的遮罩膜119Rf。接著，如圖38A所示，以與圖25A所示的方法同樣的方法在遮罩膜119Rf上形成光阻遮罩190R。
接著，如圖38A及圖38B所示，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法利用光阻遮罩190R去除遮罩膜119Rf的一部分，來形成遮罩層119R。遮罩層119R留在導電層111R及導電層111C上。然後，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法去除光阻遮罩190R。接著，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法將遮罩層119R用作遮罩去除遮罩膜118Rf的一部分，來形成遮罩層118R。
接著，如圖38A及圖38B所示，以與圖25A及圖25B所示的方法同樣的方法加工EL膜113Rf來形成EL層113R。例如，將遮罩層119R及遮罩層118R用作遮罩去除EL膜113Rf的一部分來形成EL層113R。如上所述，EL層113R包括發光單元113R1、發光單元113R1上的電荷產生層113R2及電荷產生層113R2上的發光單元113R3。注意，以虛線表示電荷產生層113R2。
接著，較佳為例如進行導電層112G的疏水化處理，由此如上所述地例如可以提高導電層112G與將在後面製程中形成的層(在此，EL層113G)的密接性來抑制膜剝離。注意，也可以不進行疏水化處理。
接著，如圖38C所示，以與圖25C所示的方法同樣的方法在導電層112G、導電層112B、遮罩層119R及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113G的EL膜113Gf。EL膜113Gf包括將在後面成為發光單元113G1的膜113G1f、將在後面成為電荷產生層113G2的電荷產生膜113G2f及將在後面成為發光單元113G3的膜113G3f。在圖38C中，以虛線表示電荷產生膜113Gf2。
接著，如圖38C所示，以與圖25C所示的方法同樣的方法在EL膜113Gf及遮罩層119R上依次形成將在後面成為遮罩層118G的遮罩膜118Gf及將在後面成為遮罩層119G的遮罩膜119Gf。然後，以與圖25C所示的方法同樣的方法形成光阻遮罩190G。
接著，如圖38C及圖38D所示，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法利用光阻遮罩190G去除遮罩膜119Gf的一部分，來形成遮罩層119G。然後，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法去除光阻遮罩190G。接著，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法將遮罩層119G用作遮罩去除遮罩膜118Gf的一部分，來形成遮罩層118G。接著，以與圖25C及圖25D所示的方法同樣的方法加工EL膜113Gf來形成EL層113G。如上所述，EL層113G包括發光單元113G1、發光單元113G1上的電荷產生層113G2及電荷產生層113G2上的發光單元113G3。注意，以虛線表示電荷產生層113G2。
接著，如圖39A所示，以與圖26A所示的方法同樣的方法在導電層112B、遮罩層119R、遮罩層119G及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113B的EL膜113Bf。EL膜113Bf包括將在後面成為發光單元113B1的膜113B1f、將在後面成為電荷產生層113B2的電荷產生膜113B2f及將在後面成為發光單元113B3的膜113B3f。在圖39A中，以虛線表示電荷產生膜113Bf2。
接著，如圖39A所示，以與圖26A所示的方法同樣的方法在EL膜113Bf及遮罩層119R上依次形成將在後面成為遮罩層118B的遮罩膜118Bf及將在後面成為遮罩層119B的遮罩膜119Bf。然後，以與圖26A所示的方法同樣的方法形成光阻遮罩190B。
接著，如圖39A及圖39B所示，以與圖26A及圖26B所示的方法同樣的方法利用光阻遮罩190B去除遮罩膜119Bf的一部分，來形成遮罩層119B。然後，以與圖26A及圖26B所示的方法同樣的方法去除光阻遮罩190B。接著，以與圖26A及圖26B所示的方法同樣的方法將遮罩層119B用作遮罩去除遮罩膜118Bf的一部分，來形成遮罩層118B。接著，以與圖26A及圖26B所示的方法同樣的方法加工EL膜113Bf來形成EL層113B。如上所述，EL層113B包括發光單元113B1、發光單元113B1上的電荷產生層113B2及電荷產生層113B2上的發光單元113B3。注意，以虛線表示電荷產生層113B2。
圖39C、圖39D、圖40A至圖40C、圖41A、圖41B、圖42A及圖42B分別示出與圖26C、圖26D、圖27A、圖27B1、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A及圖31B同樣的製程。在進行圖42B所示的製程之後，使用樹脂層122將基板120貼合於保護層131上，由此可以製造具有圖14所示的結構及圖18E所示的結構的顯示裝置。
[製造方法例子4] 以下，參照圖式說明具有圖19A所示的結構及圖18A所示的結構的顯示裝置100的製造方法例子。注意，主要說明與在圖24A至圖31B中說明的方法不同的方法，適當地省略與在圖24A至圖31B中說明的方法相同的方法。
首先，進行與圖24A及圖24B所示的製程同樣的製程。由此，如圖43A所示，在插頭106及絕緣層105上形成導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C。
接著，如圖43B所示，在導電層111R、導電層111G、導電層111B、導電層111C及絕緣層105上形成導電膜112f1。導電膜112f1例如可以以與圖24C所示的導電膜112f同樣的方法形成，並可以使用與導電膜112f同樣的材料。
接著，如圖43B及圖43C所示，加工導電膜112f1來形成覆蓋導電層111B的頂面及側面的導電層112B1。導電膜112f1的加工可以以與導電膜112f的加工同樣的方法進行。
接著，如圖43D所示，在導電層111R、導電層111G、導電層112B1、導電層111C及絕緣層105上形成導電膜112f2。導電膜112f2可以以與導電膜112f同樣的方法形成，並可以使用與導電膜112f同樣的材料。
接著，如圖43D及圖43E所示，加工導電膜112f2來形成覆蓋導電層111R的頂面及側面的導電層112R1以及導電層112B1上的導電層112B2。另外，在圖43E中，以虛線表示導電層112B1與導電層112B2的邊界。
接著，如圖44A所示，在導電層112R1、導電層111G、導電層112B2、導電層111C及絕緣層105上形成導電膜112f3。導電膜112f3可以以與導電膜112f同樣的方法形成，並可以使用與導電膜112f同樣的材料。
接著，如圖44A及圖44B所示，加工導電膜112f3來形成導電層112R1上的導電層112R2、覆蓋導電層111G的頂面及側面的導電層112G、導電層112B2上的導電層112B3以及覆蓋導電層111C的頂面及側面的導電層112C。可以由導電層112R1及導電層112R2構成導電層112R，並可以由導電層112B1、導電層112B2及導電層112B3構成導電層112B。導電膜112f3的加工可以以與導電膜112f的加工同樣的方法進行。注意，在圖44B中，以虛線表示導電層112R1與導電層112R2的邊界、導電層112B1與導電層112B2的邊界以及導電層112B2與導電層112B3的邊界。以下圖式也同樣地記載。
由此，可以使導電層112R、導電層112G和導電層112B的各厚度不同。注意，這裡在導電層112R、導電層112G及導電層112B中導電層112B的厚度最大且導電層112G的厚度最小，但本發明的一個實施方式不侷限於此，可以適當地設定導電層112R、導電層112G及導電層112B的各厚度。例如，在導電層112R、導電層112G及導電層112B中可以使導電層112R的厚度最大且使導電層112B的厚度最小。
注意，將導電層112C的厚度設為與導電層112G的厚度相等的厚度，但本發明的一個實施方式不侷限於此。例如，導電層112C的厚度可以大於導電層112G的厚度。例如，不僅在加工導電膜112f3時而且還可以在加工導電膜112f2時以覆蓋導電層111C的頂面及側面的方式留下上述導電膜。在此情況下，導電層112C的厚度例如可以相等於導電層112R的厚度。另外，無論加工導電膜112f1、導電膜112f2或者導電膜112f3，也可以以覆蓋導電層111C的頂面及側面的方式留下上述導電膜。在此情況下，導電層112C的厚度例如可以相等於導電層112B的厚度。
接著，如圖44C所示，在導電層112R、導電層112G、導電層112B及絕緣層105上形成將在後面成為EL層113的EL膜113f。接著，在EL膜113f、導電層112C及絕緣層105上依次形成將在後面成為遮罩層118的遮罩膜118f及將在後面成為遮罩層119的遮罩膜119f。
接著，如圖44C所示，在遮罩膜119f上形成光阻遮罩190。光阻遮罩190在與導電層112R重疊的位置、與導電層112G重疊的位置及與導電層112B重疊的位置上設置。另外，光阻遮罩190較佳為還在與導電層112C重疊的位置上設置。並且，如圖44C中的沿B1-B2的剖面圖所示，光阻遮罩190較佳為以覆蓋EL膜113f的端部至導電層112C的EL膜113f一側的端部的方式設置。
接著，如圖44C及圖44D所示，利用光阻遮罩190去除遮罩膜119f的一部分，來形成遮罩層119。遮罩層119留在導電層112R、導電層112G、導電層112B及導電層112C上。然後，去除光阻遮罩190。接著，將遮罩層119用作遮罩去除遮罩膜118f的一部分，來形成遮罩層118。
接著，如圖44C及圖44D所示，加工EL膜113f來形成EL層113。例如，將遮罩層119及遮罩層118用作遮罩去除EL膜113f的一部分來形成EL層113。
由此，如圖44D所示，EL層113、遮罩層118和遮罩層119的疊層結構留在各導電層112R、導電層112G及導電層112B上。另外，可以以在B1-B2間覆蓋EL層113的端部至導電層112C的EL層113一側的端部的方式設置遮罩層118及遮罩層119。
接著，進行與圖26C至圖31B所示的製程同樣的製程。接著，在保護層131上形成彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B。接著，使用樹脂層122將基板120貼合於彩色層132上，由此可以製造具有圖19A所示的結構及圖18A所示的結構的顯示裝置。
如上所述，藉由一次進行EL膜113f、遮罩膜118f及遮罩膜119f的加工及形成等可以製造具有圖19A所示的結構的顯示裝置100，該加工及形成等不需按每個顏色進行。由此，可以簡化顯示裝置100的製程。因此，可以降低顯示裝置100的製造成本而作為顯示裝置100提供廉價顯示裝置。
[製造方法例子5] 以下，參照圖式說明具有圖21A所示的結構及圖18C所示的結構的顯示裝置100的製造方法例子。注意，主要說明與在圖32A至圖32C及圖33A至圖37B中說明的方法不同的方法，適當地省略與該方法相同的方法。
首先，進行與圖32A至圖32C所示的製程同樣的製程。由此，如圖45A所示，在插頭106及絕緣層105上形成導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C。另外，在導電層111R、導電層111G、導電層111B、導電層111C及絕緣層105上形成導電膜112f。
接著，如圖45B所示，在導電膜112f上形成將在後面成為EL層113的EL膜113f。接著，在EL膜113f及導電膜112f上依次形成將在後面成為遮罩層118的遮罩膜118f及將在後面成為遮罩層119的遮罩膜119f。
接著，如圖45B所示，在遮罩膜119f上形成光阻遮罩190。光阻遮罩190在與導電層111R重疊的位置、與導電層111G重疊的位置及與導電層111B重疊的位置上設置。另外，光阻遮罩190較佳為還在與導電層111C重疊的位置上設置。並且，如圖45B中的沿B1-B2的剖面圖所示，光阻遮罩190較佳為以覆蓋EL膜113f的端部至導電層111C的EL膜113f一側的端部的方式設置。
接著，如圖45B及圖45C所示，利用光阻遮罩190去除遮罩膜119f的一部分，來形成遮罩層119。遮罩層119留在導電層111R、導電層111G、導電層111B及導電層111C上。然後，去除光阻遮罩190。接著，將遮罩層119用作遮罩去除遮罩膜118f的一部分，來形成遮罩層118。
接著，如圖45B及圖45C所示，加工EL膜113f來形成EL層113。例如，將遮罩層119及遮罩層118用作遮罩去除EL膜113f的一部分來形成EL層113。
由此，如圖45C所示，EL層113、遮罩層118和遮罩層119的疊層結構留在各導電層111R、導電層111G及導電層111B上。另外，可以以在B1-B2間覆蓋EL層113的端部至導電層111C的EL層113一側的端部的方式設置遮罩層118及遮罩層119。
接著，進行與圖34C至圖37B所示的製程同樣的製程。接著，在保護層131上形成彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B。接著，使用樹脂層122將基板120貼合於彩色層132上，由此可以製造具有圖21A所示的結構及圖18C所示的結構的顯示裝置。
如上所述，藉由一次進行EL膜113f、遮罩膜118f及遮罩膜119f的加工及形成等可以製造具有圖21A所示的結構的顯示裝置100，該加工及形成等不需按每個顏色進行。由此，可以簡化顯示裝置100的製程。因此，可以降低顯示裝置100的製造成本而作為顯示裝置100提供廉價顯示裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。此外，在本說明書等中，在一個實施方式中示出多個結構例子的情況下，可以適當地組合該結構例子。
實施方式2 在本實施方式中，說明可用於本發明的一個實施方式的顯示裝置的發光元件的結構例子，具體的是具有串聯結構的發光元件的結構例子。
圖46A示出顯示裝置500的剖面示意圖。顯示裝置500包括發射紅色光的發光元件550R、發射綠色光的發光元件550G及發射藍色光的發光元件550B。
發光元件550R具有在一對電極(電極501及電極502)之間隔著電荷產生層531層疊兩個發光單元(發光單元512R_1及發光單元512R_2)的結構。同樣地，發光元件550G在一對電極之間包括發光單元512G_1、電荷產生層531及發光單元512G_2，發光元件550B在一對電極之間包括發光單元512B_1、電荷產生層531及發光單元512B_2。
電極501被用作像素電極並設置在每個發光元件中。電極502被用作共用電極並共同設置在多個發光元件中。
如圖46A所示，發光單元512R_1包括層521、層522、發光層523R及層524。發光單元512R_2包括層522、發光層523R及層524。此外，發光元件550R在發光單元512R_2與電極502之間包括層525。注意，也可以將層525看作發光單元512R_2的一部分。
在電極501被用作陽極且電極502被用作陰極的情況下，層521例如包括包含電洞注入性高的物質的層(電洞注入層)。另外，層522例如包括包含電洞傳輸性高的物質的層(電洞傳輸層)和包含電子阻擋性高的物質的層(電子障壁層)中的一者或兩者。另外，層524例如包括包含電子傳輸性高的物質的層(電子傳輸層)和包含電洞阻擋性高的物質的層(電洞障壁層)中的一者或兩者。另外，層525例如包括包含電子注入性高的物質的層(電子注入層)。
在電極501被用作陰極且電極502被用作陽極的情況下，例如，層521包括電子注入層，層522包括電子傳輸層和電洞障壁層中的一者或兩者，層524包括電洞傳輸層和電子障壁層中的一者或兩者，層525包括電洞注入層。
注意，層522、發光層523R及層524各自也可以在發光單元512R_1與發光單元512R_2之間具有同一或不同結構(材料、厚度等)。
在圖46A中，分別示出層521及層522，但是不侷限於此。例如，在層521具有電洞注入層及電洞傳輸層的兩者的功能時或者層521具有電子注入層及電子傳輸層的兩者的功能時，也可以省略層522。
在製造具有串聯結構的發光元件的情況下，兩個發光單元隔著電荷產生層531層疊。電荷產生層531至少具有電荷產生區域。電荷產生層531具有在電極501與電極502之間施加電壓時對發光單元512R_1和發光單元512R_2中的一個注入電子且對另一個注入電洞的功能。
注意，發光元件550R所包括的發光層523R包含呈現紅色發光的發光物質，發光元件550G所包括的發光層523G包含呈現綠色發光的發光物質，發光元件550B所包括的發光層523B包含呈現藍色發光的發光物質。注意，發光元件550G及發光元件550B分別具有用發光層523G或發光層523B代替發光元件550R所包括的發光層523R的結構，其他結構與發光元件550R同樣。
注意，層521、層522、層524及層525可以在兩種顏色以上的發光元件或所有顏色的發光元件之間具有相同結構(材料、厚度等)，也可以在所有發光元件之間具有不同結構。
如發光元件550R、發光元件550G及發光元件550B那樣，多個發光單元隔著電荷產生層531串聯連接的結構在本說明書中稱為串聯結構。另一方面，將在一對電極間具有一個發光單元的結構稱為單結構。另外，也可以將串聯結構稱為疊層結構。藉由採用串聯結構，可以實現能夠高亮度發光的發光元件。此外，串聯結構由於與單結構相比可以降低為了得到相同的亮度的電流，所以可以提高發光元件的可靠性。
可以說，本發明的一個實施方式的顯示裝置500使用具有串聯結構的發光元件並具有SBS結構。由此，具有串聯結構及SBS結構的兩者的優點。注意，圖46A所示的顯示裝置500中的發光元件由於具有串聯形成兩級發光單元的結構，所以也可以被稱為兩級串聯結構。此外，在圖46A所示的具有兩級串聯結構的發光元件550R中，在包括紅色的發光層的第一發光單元上層疊包括紅色的發光層的第二發光單元。同樣地，在圖46A所示的具有兩級串聯結構的發光元件550G中，在包括綠色的發光層的第一發光單元上層疊包括綠色的發光層的第二發光單元，在發光元件550B中，在包括藍色的發光層的第一發光單元上層疊包括藍色的發光層的第二發光單元。
圖46B是圖46A所示的顯示裝置500的變形例子。圖46B所示的顯示裝置500是與電極502同樣地多個發光元件共同使用層525的例子。此時，可以將層525稱為共用層。如此，藉由在多個發光元件之間設置一個以上的共用層，可以使製程簡化，因此可以降低製造成本。
圖47A所示的顯示裝置500是層疊三個發光單元的例子。在圖47A中，在發光元件550R中，在發光單元512R_2上隔著電荷產生層531還層疊發光單元512R_3。發光單元512R_3具有與發光單元512R_2同樣的結構。此外，發光元件550G所包括的發光單元512G_3及發光元件550B所包括的發光單元512B_3也同樣。注意，在發光元件包括多個電荷產生層531的情況下，可以使多個電荷產生層531中的兩個以上或所有電荷產生層531具有相同結構(材料、厚度等)，也可以使所有電荷產生層531具有不同結構。
圖47B示出層疊n個發光單元(n為2以上的整數)的例子。
如此，藉由增加發光單元的疊層數，可以根據疊層數提高以相同的電流量從發光元件得到的亮度。此外，藉由增加發光單元的疊層數，可以降低為了得到相同的亮度所需的電流，可以根據疊層數降低發光元件的功耗。
在圖46A、圖46B、圖47A及圖47B所示的顯示裝置500中，對發光層的發光物質沒有特別的限制。例如，在圖46A中，可以具有如下結構：發光元件550R所包括的兩個發光層523R都包含磷光材料，發光元件550G所包括的兩個發光層523G都包含螢光材料，發光元件550B所包括的兩個發光層523B都包含螢光材料。
或者，例如在圖46A中，可以具有如下結構：發光元件550R所包括的兩個發光層523R都包含磷光材料，發光元件550G所包括的兩個發光層523G都包含磷光材料，發光元件550B所包括的兩個發光層523B都包含螢光材料。
另外，本發明的一個實施方式的顯示裝置也可以採用發光元件550R、發光元件550G及發光元件550B所包括的所有發光層都使用螢光材料的結構或者發光元件550R、發光元件550G及發光元件550B所包括的所有發光層都使用磷光材料的結構。
另外，例如在圖46A中，也可以採用發光單元512R_1所包括的發光層523R使用磷光材料且發光單元512R_2所包括的發光層523R使用螢光材料的結構，或者發光單元512R_1所包括的發光層523R使用螢光材料且發光單元512R_2所包括的發光層523R使用磷光材料的結構，就是說，也可以在第一級發光層和第二級發光層之間使用不同發光物質。注意，雖然這裡記載的內容是關於發光單元512R_1及發光單元512R_2的內容，但是發光單元512G_1及發光單元512G_2以及發光單元512B_1及發光單元512B_2也可以採用同樣的結構。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。此外，在本說明書中，在一個實施方式中示出多個結構例子的情況下，可以適當地組合該結構例子。
實施方式3 在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。
在本實施方式中，主要說明與圖1不同的像素佈局。子像素的排列沒有特別的限制，可以採用各種排列方法。作為子像素的排列，例如可以舉出條紋排列、S條紋排列、矩陣排列、Delta排列、拜耳排列及Pentile排列等。
在本實施方式中圖式所示的子像素的頂面形狀相當於發光區域的頂面形狀。
另外，作為子像素的頂面形狀，例如可以舉出三角形、四角形(包括長方形及正方形)、五角形等多角形、帶圓角的上述多角形形狀、橢圓形或圓形等。
另外，構成子像素的電路佈局不侷限於圖式所示的子像素的範圍，也可以配置在其外側。
圖48A所示的像素108採用S條紋排列。圖48A所示的像素108由子像素110R、子像素110G及子像素110B的三個子像素構成。
圖48B所示的像素108包括具有帶圓角的近似梯形的頂面形狀的子像素110R、具有帶圓角的近似三角形的頂面形狀的子像素110G以及具有帶圓角的近似四角形或近似六角形的頂面形狀的子像素110B。另外，子像素110R的發光面積大於子像素110G。如此，各子像素的形狀及尺寸可以分別獨立決定。例如，包括可靠性高的發光元件的子像素的尺寸可以更小。
圖48C所示的像素124a及像素124b採用Pentile排列。在圖48C所示的例子中，交替地配置包括子像素110R及子像素110G的像素124a以及包括子像素110G及子像素110B的像素124b。
圖48D至圖48F所示的像素124a及像素124b採用Delta排列。像素124a在上行(第一行)包括兩個子像素(子像素110R及子像素110G)且在下行(第二行)包括一個子像素(子像素110B)。像素124b在上行(第一行)包括一個子像素(子像素110B)且在下行(第二行)包括兩個子像素(子像素110R及子像素110G)。
圖48D示出各子像素具有帶圓角的近似四角形的頂面形狀的例子，圖48E示出各子像素具有圓形的頂面形狀的例子，圖48F示出各子像素具有帶圓角的近似六角形的頂面形狀的例子。
在圖48F中，各子像素配置在排列為最緊密的六角形區域的內側。各子像素以在著眼於其中一個子像素時被六個發光元件圍繞的方式配置。此外，以呈現相同顏色的光的子像素不相鄰的方式設置。例如，各子像素以在著眼於子像素110R時交替地配置的三個子像素110G和三個子像素110B圍繞子像素110R的方式設置。
圖48G示出各顏色的子像素配置為之字形狀的例子。明確而言，在俯視時，在列方向上排列的兩個子像素(例如，子像素110R與子像素110G或者子像素110G與子像素110B)的上邊的位置錯開。
在圖48A至圖48G所示的各像素中，例如，較佳為將子像素110R設為呈現紅色光的子像素R，將子像素110G設為呈現綠色光的子像素G，並將子像素110B設為呈現藍色光的子像素B。注意，子像素的結構不侷限於此，可以適當地決定子像素所呈現的顏色及其排列順序。例如，也可以將子像素110G設為呈現紅色光的子像素R，並將子像素110R設為呈現綠色光的子像素G。
在光微影法中，被加工的圖案越微細越不能忽視光的繞射所帶來的影響，所以在藉由曝光轉移光罩的圖案時其忠實性變壞，難以將光阻遮罩加工為所希望的形狀。因此，即使光罩的圖案為矩形，也易於形成帶圓角的圖案。因此，子像素的頂面形狀有時呈帶圓角的多角形形狀、橢圓形或圓形等。
並且，在本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法中，使用光阻遮罩將EL層加工為島狀。形成在EL層上的光阻膜需要以低於EL層的耐熱溫度的溫度固化。因此，根據EL層的材料的耐熱溫度及光阻劑材料的固化溫度而有時光阻膜的固化不充分。固化不充分的光阻膜在被加工時有時呈遠離所希望的形狀的形狀。其結果是，EL層的頂面形狀有時呈帶圓角的多角形形狀、橢圓形或圓形等。例如，當要形成頂面形狀為正方形的光阻遮罩時，有時形成圓形頂面形狀的光阻遮罩而EL層的頂面形狀呈圓形。
為了使EL層的頂面形狀呈所希望的形狀，也可以預先利用以設計圖案與轉移圖案一致的方式校正遮罩圖案的技術(OPC(Optical Proximity Correction：光學鄰近效應校正)技術)。明確而言，在OPC技術中，例如對遮罩圖案上的圖形角部追加校正用圖案。
如圖49A至圖49I所示，像素可以包括四種子像素。
圖49A至圖49C所示的像素108採用條紋排列。
圖49A示出各子像素具有長方形的頂面形狀的例子，圖49B示出各子像素具有連接兩個半圓和長方形的頂面形狀的例子，圖49C示出各子像素具有楕圓形的頂面形狀的例子。
圖49D至圖49F所示的像素108採用矩陣排列。
圖49D示出各子像素具有正方形的頂面形狀的例子，圖49E示出各子像素具有角部大致正方形的頂面形狀的例子，圖49F示出各子像素具有圓形的頂面形狀的例子。
圖49G及圖49H示出一個像素108以兩行三列構成的例子。
圖49G所示的像素108在上行(第一行)包括三個子像素(子像素110R、子像素110G、子像素110B)且在下行(第二行)包括一個子像素(子像素110W)。換言之，像素108在左列(第一列)包括子像素110R，在中央列(第二列)包括子像素110G，在右列(第三列)包括子像素110B，並且跨著這三個列包括子像素110W。
圖49H所示的像素108在上行(第一行)包括三個子像素(子像素110R、子像素110G、子像素110B)且在下行(第二行)包括三個子像素110W。換言之，像素108在左列(第一列)包括子像素110R及子像素110W，在中央列(第二列)包括子像素110G及子像素110W，並且在右列(第三列)包括子像素110B及子像素110W。如圖49H所示，藉由使上行和下行的子像素的配置一致，例如可以高效地去除有可能在製造程序中產生的垃圾。由此，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置。
在圖49G及圖49H所示的像素108中，子像素110R、子像素110G及子像素110B的佈局為條紋排列，所以可以提高顯示品質。
圖49I示出一個像素108以三行兩列構成的例子。
圖49I所示的像素108在上行(第一行)包括子像素110R，在中央行(第二行)包括子像素110G，跨著第一行至第二行包括子像素110B，並且在下行(第三行)包括一個子像素(子像素110W)。換言之，像素108在左列(第一列)包括子像素110R及子像素110G，在右列(第二列)包括子像素110B，並且跨著這兩列包括子像素110W。
在圖49I所示的像素108中，子像素110R、子像素110G及子像素110B的佈局為所謂S條紋排列，所以可以提高顯示品質。
圖49A至圖49I所示的像素108由子像素110R、子像素110G、子像素110B及子像素110W的四個子像素構成。例如，可以將子像素110R設為呈現紅色光的子像素，將子像素110G設為呈現綠色光的子像素，將子像素110B設為呈現藍色光的子像素，並將子像素110W設為呈現白色光的子像素。另外，也可以將子像素110R、子像素110G、子像素110B和子像素110W中的至少一個設為呈現青色光的子像素、呈現洋紅色光的子像素、呈現黃色光的子像素或呈現近紅外光的子像素。
如上所述，在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，可以對由包括發光元件的子像素構成的像素採用各種佈局。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。此外，在本說明書中，在一個實施方式中示出多個結構例子的情況下，可以適當地組合該結構例子。
實施方式4 在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。
本實施方式的顯示裝置可以為高清晰的顯示裝置。因此，例如可以將本實施方式的顯示裝置用作手錶型及手鐲型等資訊終端設備(可穿戴裝置)的顯示部以及頭戴顯示器(HMD)等VR用設備及眼鏡型AR用設備等可戴在頭上的可穿戴裝置的顯示部。
另外，本實施方式的顯示裝置可以為高解析度的顯示裝置或大型顯示裝置。因此，例如可以將本實施方式的顯示裝置用作如下裝置的顯示部：具有較大的螢幕的電子裝置諸如電視機、桌上型或膝上型個人電腦、用於電腦等的顯示器、數位看板及彈珠機等大型遊戲機等；數位相機；數位視訊攝影機；數位相框；行動電話機；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；以及音頻再生裝置。
[顯示模組] 圖50A示出顯示模組280的立體圖。顯示模組280包括顯示裝置100A及FPC290。注意，顯示模組280所包括的顯示裝置不侷限於顯示裝置100A，也可以是將在後面說明的顯示裝置100B至顯示裝置100F中的任意個。
顯示模組280包括基板291及基板292。顯示模組280包括顯示部281。顯示部281是顯示模組280中的影像顯示區域，並可以看到來自設置在下述像素部284中的各像素的光。
圖50B是基板291一側的結構的立體示意圖。基板291上層疊有電路部282、電路部282上的像素電路部283及該像素電路部283上的像素部284。此外，基板291的不被像素部284重疊的部分上設置有用來連接到FPC290的端子部285。端子部285與電路部282藉由由多個佈線構成的佈線部286電連接。
像素部284包括週期性地排列的多個像素284a。圖50B的右側示出一個像素284a的放大圖。像素284a可以採用在上述實施方式中說明的各種結構。圖50B例示出像素284a具有與圖1所示的像素108同樣的結構的情況。
像素電路部283包括週期性地排列的多個像素電路283a。
一個像素電路283a控制一個像素284a所包括的多個元件的驅動。一個像素電路283a中可以設置有三個控制一個發光元件的發光的電路。例如，像素電路283a可以採用對於一個發光元件至少具有一個選擇電晶體、一個電流控制用電晶體(驅動電晶體)和電容器的結構。此時，選擇電晶體的閘極被輸入閘極信號，源極或汲極被輸入視訊信號。由此，實現主動矩陣型顯示裝置。
電路部282包括用於驅動像素電路部283的各像素電路283a的電路。例如，較佳為包括閘極線驅動電路和源極線驅動電路中的一者或兩者。此外，還可以具有運算電路、記憶體電路和電源電路等中的至少一個。
FPC290用作從外部向電路部282供給視訊信號或電源電位等的佈線。此外，也可以在FPC290上安裝積體電路(IC：Integrated Circuit)。
顯示模組280可以採用像素部284的下側層疊有像素電路部283和電路部282中的一者或兩者的結構，所以可以使顯示部281具有極高的開口率(有效顯示面積比)。例如，顯示部281的開口率可以為40%以上且低於100%，較佳為50%以上且95%以下，更佳為60%以上且95%以下。此外，能夠極高密度地配置像素284a，由此可以使顯示部281具有極高的清晰度。例如，顯示部281較佳為以20000ppi以下或30000ppi以下且2000ppi以上、更佳為3000ppi以上、進一步較佳為5000 ppi以上、更進一步較佳為6000ppi以上的清晰度配置像素284a。
這種高清晰的顯示模組280適合用於HMD等VR用設備或眼鏡型AR用設備。例如，因為顯示模組280具有極高清晰度的顯示部281，所以在透過透鏡觀看顯示模組280的顯示部的結構中，即使用透鏡放大顯示部也使用者不能看到像素，由此可以實現具有高度沉浸感的顯示。此外，顯示模組280還可以應用於具有相對較小型的顯示部的電子裝置。例如，適合用於手錶型裝置等可穿戴式電子裝置的顯示部。
[顯示裝置100A] 圖51A所示的顯示裝置100A包括基板301、發光元件130R、發光元件130G、發光元件130B、電容器240及電晶體310。
基板301相當於圖50A及圖50B中的基板291。電晶體310是在基板301中具有通道形成區域的電晶體。作為基板301，例如可以使用如單晶矽基板等半導體基板。電晶體310包括基板301的一部分、導電層311、低電阻區域312、絕緣層313及絕緣層314。導電層311被用作閘極電極。絕緣層313位於基板301與導電層311之間，並被用作閘極絕緣層。低電阻區域312是基板301中摻雜有雜質的區域，並被用作源極或汲極。絕緣層314覆蓋導電層311的側面。
此外，在相鄰的兩個電晶體310之間，以嵌入基板301的方式設置有元件分離層315。
此外，以覆蓋電晶體310的方式設置有絕緣層261，並絕緣層261上設置有電容器240。
電容器240包括導電層241、導電層245及位於它們之間的絕緣層243。導電層241用作電容器240中的一個電極，導電層245用作電容器240中的另一個電極，並且絕緣層243用作電容器240的介電質。
導電層241設置在絕緣層261上，並嵌入於絕緣層254中。導電層241藉由嵌入於絕緣層261中的插頭271與電晶體310的源極和汲極中的一個電連接。絕緣層243以覆蓋導電層241的方式設置。導電層245設置在隔著絕緣層243與導電層241重疊的區域中。
以覆蓋電容器240的方式設置有絕緣層255，絕緣層255上設置有絕緣層104，絕緣層104上設置有絕緣層105。絕緣層105上設置有發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B。圖51A示出發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖2A所示的疊層結構的例子。相鄰的發光元件之間的區域中設置有絕緣物。例如，在圖51A中，該區域中設置有絕緣層125及絕緣層125上的絕緣層127。
遮罩層118R位於發光元件130R所包括的EL層113R上，遮罩層118G位於發光元件130G所包括的EL層113G上，遮罩層118B位於發光元件130B所包括的EL層113B上。
導電層111R、導電層111G及導電層111B藉由嵌入於絕緣層243、絕緣層255、絕緣層104及絕緣層105中的插頭256、嵌入於絕緣層254中的導電層241及嵌入於絕緣層261中的插頭271與電晶體310的源極和汲極中的一方電連接。絕緣層105的頂面的高度與插頭256的頂面的高度一致或大致一致。插頭可以使用各種導電材料。
此外，發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B上設置有保護層131。保護層131上由樹脂層122貼合有基板120。發光元件130至基板120的組件的詳細內容可以參照實施方式1。基板120相當於圖50A的基板292。
圖51B示出圖51A所示的顯示裝置100A的變形例子。圖51B所示的顯示裝置包括彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B，發光元件130具有重疊於彩色層132R、彩色層132G和彩色層132B中的一個的區域。在圖51B所示的顯示裝置中，發光元件130至基板120的組件的詳細內容可以參照圖19A。在圖51B所示的顯示裝置中，發光元件130例如可以發射白色光。另外，例如，彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B分別可以透過紅色光、綠色光及藍色光。
圖52A示出圖51A所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖52B示出圖51B所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖21A所示的結構。圖53示出圖51A所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100B] 圖54所示的顯示裝置100B具有層疊有分別在半導體基板中形成通道的電晶體310A及電晶體310B的結構。注意，在後述的顯示裝置的說明中，有時省略說明與先前說明的顯示裝置同樣的部分。
顯示裝置100B具有貼合設置有電晶體310B、電容器240及發光元件的基板301B與設置有電晶體310A的基板301A的結構。
在此，較佳為在基板301B的底面設置絕緣層345。此外，較佳為在設置在基板301A上的絕緣層261上設置絕緣層346。絕緣層345及絕緣層346是被用作保護層的絕緣層，並可以抑制雜質擴散到基板301B及基板301A。作為絕緣層345及絕緣層346可以使用能夠用於保護層131的無機絕緣膜。
基板301B設置有穿過基板301B及絕緣層345的插頭343。在此，較佳為以覆蓋插頭343的側面的方式設置絕緣層344。絕緣層344是被用作保護層的絕緣層，可以抑制雜質擴散到基板301B。作為絕緣層344，可以使用可用於保護層131的無機絕緣膜。
此外，基板301B的背面(基板301A一側的表面)一側的絕緣層345下設置有導電層342。導電層342較佳為以嵌入於絕緣層335中的方式設置。此外，較佳為使導電層342及絕緣層335的底面平坦化。在此，導電層342與插頭343電連接。
另一方面，在基板301A與基板301B之間絕緣層346上設置有導電層341。導電層341較佳為以嵌入於絕緣層336中的方式設置。此外，導電層341及絕緣層336的頂面較佳為被平坦化。
導電層341與導電層342接合，由此基板301A與基板301B電連接。在此，藉由提高由導電層342及絕緣層335形成的面以及由導電層341及絕緣層336形成的面的平坦性，可以良好地貼合導電層341與導電層342。
作為導電層341及導電層342，較佳為使用相同的導電材料。例如，可以使用包含選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素的金屬膜或以上述元素為成分的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)等。作為導電層341及導電層342尤其較佳為使用銅。由此，可以使用Cu-Cu(銅-銅)直接接合技術(藉由彼此連接Cu(銅)的焊盤來進行電導通的技術)。
圖55示出圖54所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖56示出圖54所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100C] 圖57所示的顯示裝置100C具有導電層341及導電層342藉由凸塊347接合的結構。
如圖57所示，藉由在導電層341與導電層342之間設置凸塊347，可以使導電層341與導電層342電連接。凸塊347例如可以使用包含金(Au)、鎳(Ni)、銦(In)或錫(Sn)等的導電材料形成。例如，有時作為凸塊347使用焊料。此外，也可以在絕緣層345與絕緣層346之間設置黏合層348。此外，在設置凸塊347時，也可以不設置絕緣層335及絕緣層336。
圖58示出圖57所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖59示出圖57所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100D] 圖60所示的顯示裝置100D的與顯示裝置100A不同之處主要在於電晶體的結構。
電晶體320是在形成通道的半導體層中使用金屬氧化物(也稱為氧化物半導體)的電晶體(OS電晶體)。
電晶體320包括半導體層321、絕緣層323、導電層324、一對導電層325、絕緣層326及導電層327。
基板331相當於圖50A及圖50B中的基板291。作為基板331可以使用絕緣基板或半導體基板。
在基板331上設置有絕緣層332。絕緣層332被用作障壁層，該障壁層抑制水或氫等雜質從基板331擴散到電晶體320且防止氧從半導體層321向絕緣層332一側脫離。作為絕緣層332，例如可以使用與氧化矽膜相比氫或氧不容易擴散的膜諸如氧化鋁膜、氧化鉿膜或氮化矽膜等。
在絕緣層332上設置有導電層327，並以覆蓋導電層327的方式設置有絕緣層326。導電層327用作電晶體320的第一閘極電極，絕緣層326的一部分用作第一閘極絕緣層。絕緣層326中的至少接觸半導體層321的部分較佳為使用氧化矽膜等氧化物絕緣膜。絕緣層326的頂面較佳為被平坦化。
半導體層321設置在絕緣層326上。半導體層321較佳為含有具有半導體特性的金屬氧化物膜。一對導電層325接觸於半導體層321上並用作源極電極及汲極電極。
以覆蓋一對導電層325的頂面及側面以及半導體層321的側面等的方式設置有絕緣層328，絕緣層328上設置有絕緣層264。絕緣層328被用作障壁層，該障壁層抑制水或氫等雜質例如從絕緣層264擴散到半導體層321以及氧從半導體層321脫離。作為絕緣層328，可以使用與上述絕緣層332同樣的絕緣膜。
絕緣層328及絕緣層264中設置有到達半導體層321的開口。該開口內部嵌入有接觸於絕緣層264、絕緣層328及導電層325的側面以及半導體層321的頂面的絕緣層323、以及導電層324。導電層324被用作第二閘極電極，絕緣層323被用作第二閘極絕緣層。
導電層324的頂面、絕緣層323的頂面及絕緣層264的頂面被進行平坦化處理以它們的高度都一致或大致一致，並以覆蓋它們的方式設置有絕緣層329及絕緣層265。
絕緣層264及絕緣層265被用作層間絕緣層。絕緣層329被用作障壁層，該障壁層抑制水或氫等雜質從絕緣層265例如擴散到電晶體320。絕緣層329可以使用與上述絕緣層328及絕緣層332同樣的絕緣膜。
與一對導電層325中的一方電連接的插頭274嵌入絕緣層265、絕緣層329、絕緣層264及絕緣層328。在此，插頭274較佳為具有覆蓋絕緣層265、絕緣層329、絕緣層264及絕緣層328各自的開口的側面及導電層325的頂面的一部分的導電層274a以及與導電層274a的頂面接觸的導電層274b。此時，作為導電層274a，較佳為使用不容易擴散氫及氧的導電材料。
圖61示出圖60所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖62示出圖60所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100E] 圖63所示的顯示裝置100E具有層疊有分別在形成通道的半導體中含有氧化物半導體的電晶體320A及電晶體320B的結構。
電晶體320A、電晶體320B及其周邊的結構可以援用上述顯示裝置100D。
注意，在此，採用層疊兩個包括氧化物半導體的電晶體的結構，但是不侷限於該結構。例如，也可以採用層疊三個以上的電晶體的結構。
圖64示出圖63所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖65示出圖63所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100F] 在圖66所示的顯示裝置100F中，層疊有通道形成於基板301的電晶體310及形成通道的半導體層含有金屬氧化物的電晶體320。
以覆蓋電晶體310的方式設置有絕緣層261，並且絕緣層261上設置有導電層251。此外，以覆蓋導電層251的方式設置有絕緣層262，並且絕緣層262上設置有導電層252。導電層251及導電層252都被用作佈線。此外，以覆蓋導電層252的方式設置有絕緣層263及絕緣層332，並且絕緣層332上設置有電晶體320。此外，以覆蓋電晶體320的方式設置有絕緣層265，並在絕緣層265上設置有電容器240。電容器240與電晶體320藉由插頭274電連接｡
電晶體320可以用作構成像素電路的電晶體。此外，電晶體310可以用作構成像素電路的電晶體或構成用來驅動該像素電路的驅動電路(閘極線驅動電路或源極線驅動電路)的電晶體。此外，電晶體310及電晶體320可以用作構成運算電路或記憶體電路等各種電路的電晶體。
借助於這種結構，在發光元件正下不但可以形成像素電路例如還可以形成驅動電路，因此與在顯示區域的周圍設置驅動電路的情況相比，可以使顯示裝置小型化。
圖67示出圖66所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖68示出圖66所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100G] 圖69示出發光裝置100G的立體圖，圖70A示出發光裝置100G的剖面圖。
顯示裝置100G具有貼合基板152與基板151的結構。在圖69中，以虛線表示基板152。
顯示裝置100G包括像素部107、連接部140、電路164及佈線165等。圖69示出顯示裝置100G安裝有IC173及FPC172的例子。因此，也可以將圖69所示的結構稱為包括顯示裝置100G、IC及FPC的顯示模組。在此，安裝有FPC等連接器的顯示裝置的基板或安裝有IC的該基板被稱為顯示模組。
連接部140設置在像素部107的外側。連接部140可以沿著像素部107的一個邊或多個邊設置。連接部140的個數也可以為一個或多個。圖69示出以圍繞像素部107的四邊的方式設置連接部140的例子。在連接部140，發光元件的共用電極與導電層電連接，可以對共用電極供應電位。
作為電路164，例如可以使用掃描線驅動電路。
佈線165具有對像素部107及電路164供應信號及電力的功能。該信號及電力從外部經由FPC172輸入到佈線165或者從IC173輸入到佈線165。
圖69示出藉由COG(Chip On Glass)方式或COF(Chip On Film)方式等在基板151上設置IC173的例子。作為IC173，例如可以使用包括掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。注意，顯示裝置100G及顯示模組不一定必須設置有IC。此外，例如也可以將IC利用COF方式安裝於FPC。
圖70A示出顯示裝置100G的包括FPC172的區域的一部分、電路164的一部分、像素部107的一部分、連接部140的一部分及包括端部的區域的一部分的剖面的一個例子。
圖70A所示的顯示裝置100G在基板151與基板152之間包括電晶體201、電晶體205、發射紅色光的發光元件130R、發射綠色光的發光元件130G以及發射藍色光的發光元件130B等。
發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖2A所示的疊層結構，但其像素電極的結構與圖2A不同。發光元件的詳細內容可以參照實施方式1。
發光元件130R包括導電層224R、導電層224R上的導電層111R及導電層111R上的導電層112R。可以將導電層224R、導電層111R及導電層112R的全部都稱為像素電極，也可以將導電層111R及導電層112R稱為像素電極。
發光元件130G包括導電層224G、導電層224G上的導電層111G及導電層111G上的導電層112G。
發光元件130B包括導電層224B、導電層224B上的導電層111B及導電層111B上的導電層112B。
導電層224R藉由設置在絕緣層214、絕緣層215及絕緣層213中的開口與電晶體205所包括的導電層222b連接。導電層111R的端部位於導電層224R的端部外側。如上所述，導電層112R以覆蓋導電層111R的頂面及側面的方式設置。
發光元件130G中的導電層224G、導電層111G及導電層112G以及發光元件130B中的導電層224B、導電層111B及導電層112B與發光元件130R中的導電層224R、導電層111R及導電層112R同樣，所以省略詳細說明。
導電層224R、導電層224G及導電層224B中以覆蓋設置在絕緣層214中的開口的方式形成有凹部。該凹部嵌入有層128。
層128具有使導電層224R、導電層224G及導電層224B的凹部平坦化的功能。導電層224R、導電層224G、導電層224B及層128上設置有與導電層224R、導電層224G及導電層224B電連接的導電層111R、導電層111G及導電層111B。因此，與導電層224R、導電層224G及導電層224B的凹部重疊的區域也可以被用作發光區域，可以提高像素的開口率。
層128也可以為絕緣層或導電層。層128可以適當地使用各種無機絕緣材料、有機絕緣材料及導電材料。尤其是，層128較佳為使用絕緣材料形成，更佳為使用有機絕緣材料形成。層128例如可以使用上述可用於絕緣層127的有機絕緣材料。
發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B上設置有保護層131。保護層131和基板152由黏合層142黏合。基板152設置有遮光層117。發光元件130的密封可以採用固體密封結構或中空密封結構等。在圖70A中，基板152與基板151之間的空間被黏合層142填充，亦即採用固體密封結構。或者，也可以使用惰性氣體(氮或氬等)填充該空間，亦即採用中空密封結構。此時，黏合層142也可以以不與發光元件重疊的方式設置。另外，也可以使用與設置為框狀的黏合層142不同的樹脂填充該空間。
圖70A示出如下例子：連接部140包括加工與導電層224R、導電層224G及導電層224B相同的導電膜而得的導電層224C、加工與導電層111R、導電層111G及導電層111B相同的導電膜而得的導電層111C以及加工與導電層112R、導電層112G及導電層112B相同的導電膜而得的導電層112C。
顯示裝置100G是頂部發射型顯示裝置。發光元件將光發射到基板152一側。基板152較佳為使用對可見光的透過性高的材料。像素電極包含反射可見光的材料，相對電極(共用電極115)包含透過可見光的材料。
電晶體201及電晶體205都形成在基板151上。這些電晶體可以使用同一材料及同一製程形成。
在基板151上依次設置有絕緣層211、絕緣層213、絕緣層215及絕緣層214。絕緣層211的一部分用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層213的一部分用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層215以覆蓋電晶體的方式設置。絕緣層214以覆蓋電晶體的方式設置，並被用作平坦化層。此外，對閘極絕緣層的個數及覆蓋電晶體的絕緣層的個數沒有特別的限制，既可以為一個，又可以為兩個以上。
較佳的是，將水及氫等雜質不容易擴散的材料用於覆蓋電晶體的絕緣層中的至少一個。由此，可以將絕緣層用作障壁層。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而可以提高顯示裝置的可靠性。
作為絕緣層211、絕緣層213及絕緣層215較佳為使用無機絕緣膜。作為無機絕緣膜，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜或氮化鋁膜等。此外，也可以使用氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。
用作平坦化層的絕緣層214較佳為使用有機絕緣層。作為能夠用於有機絕緣層的材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂及上述樹脂的前驅物等。此外，絕緣層214也可以具有有機絕緣層及無機絕緣層的疊層結構。絕緣層214的最表面層較佳為被用作蝕刻保護層。由此，在加工導電層224R、導電層111R或導電層112R等時，可以抑制在絕緣層214中形成凹部。或者，也可以在加工導電層224R、導電層111R或導電層112R等時在絕緣層214中設置凹部。
電晶體201及電晶體205包括：用作閘極的導電層221；用作閘極絕緣層的絕緣層211；用作源極及汲極的導電層222a及導電層222b；半導體層231；用作閘極絕緣層的絕緣層213；以及用作閘極的導電層223。在此，藉由對同一導電膜進行加工而得到的多個層由相同的陰影線表示。絕緣層211位於導電層221與半導體層231之間。絕緣層213位於導電層223與半導體層231之間。
對本實施方式的顯示裝置所包括的電晶體結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體等。此外，電晶體都可以具有頂閘極結構或底閘極結構。或者，也可以在形成通道的半導體層上下設置有閘極。
作為電晶體201及電晶體205，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。此外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體、具有結晶性的半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用具有結晶性的半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
電晶體的半導體層較佳為使用金屬氧化物。就是說，本實施方式的顯示裝置較佳為使用在通道形成區域中包含金屬氧化物的電晶體。
作為具有結晶性的氧化物半導體，可以舉出CAAC(c-axis-aligned crystalline)-OS或nc(nanocrystalline)-OS等。
或者，也可以使用將矽用於通道形成區域的電晶體(Si電晶體)。作為矽可以舉出單晶矽、多晶矽或非晶矽等。尤其是，可以使用半導體層中含有低溫多晶矽(LTPS(Low Temperature Poly Silicon))的電晶體(以下，也稱為LTPS電晶體)。LTPS電晶體具有高場效移動率以及良好的頻率特性。
藉由使用LTPS電晶體等Si電晶體，可以在同一基板上形成需要以高頻率驅動的電路(例如，源極驅動器電路)和顯示部。因此，可以使安裝到顯示裝置的外部電路簡化，可以縮減構件成本及安裝成本。
OS電晶體的場效移動率比使用非晶矽的電晶體高得多。另外，OS電晶體的關閉狀態下的源極和汲極間的洩漏電流(以下，也稱為關態電流)極低，可以長期間保持與該電晶體串聯連接的電容器中儲存的電荷。另外，藉由使用OS電晶體，可以降低顯示裝置的功耗。
另外，在提高像素電路所包括的發光元件的發光亮度時，需要增大流過發光元件的電流量。為此，需要提高像素電路所包括的驅動電晶體的源極-汲極間電壓。因為OS電晶體的源極-汲極間的耐壓比Si電晶體高，所以可以對OS電晶體的源極-汲極間施加高電壓。由此，藉由作為像素電路所包括的驅動電晶體使用OS電晶體，可以增大流過發光元件的電流量而提高發光元件的發光亮度。
另外，當電晶體在飽和區域中工作時，與Si電晶體相比，OS電晶體可以使隨著閘極-源極間電壓的變化的源極-汲極間電流的變化細小。因此，藉由作為像素電路所包括的驅動電晶體使用OS電晶體，可以根據閘極-源極間電壓的變化詳細決定流過源極-汲極間的電流，所以可以控制流過發光元件的電流量。由此，可以增大由像素電路表示的灰階。
另外，關於電晶體在飽和區域中工作時流過的電流的飽和特性，與Si電晶體相比，OS電晶體即使逐漸地提高源極-汲極間電壓也可以使穩定的電流(飽和電流)流過。因此，藉由將OS電晶體用作驅動電晶體，即使例如有機EL元件的電流-電壓特性發生不均勻，也可以使穩定的電流流過發光元件。也就是說，OS電晶體當在飽和區域中工作時即使提高源極-汲極間電壓，源極-汲極間電流也幾乎不變，因此可以使發光元件的發光亮度穩定。
如上所述，藉由作為像素電路所包括的驅動電晶體使用OS電晶體，可以實現“黑色模糊的抑制”、“發光亮度的上升”、“多灰階化”及“發光元件的特性不均勻的抑制”等。
例如，半導體層較佳為包含銦、M(M為選自鎵、鋁、矽、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢或鎂中的一種或多種)和鋅。尤其是，M較佳為選自鋁、鎵、釔或錫中的一種或多種。
尤其是，作為半導體層，較佳為使用包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的氧化物(也記為IGZO)。或者，較佳為使用包含銦、錫及鋅的氧化物。或者，較佳為使用包含銦、鎵、錫及鋅的氧化物。或者，較佳為使用包含銦(In)、鋁(Al)及鋅(Zn)的氧化物(也稱為IAZO)。或者，較佳為使用包含銦(In)、鋁(Al)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的氧化物(也稱為IAGZO)。
在半導體層使用In-M-Zn氧化物時，該In-M-Zn氧化物中的In的原子個數比較佳為M的原子個數比以上。作為這種In-M-Zn氧化物的金屬元素的原子個數比，可以舉出In：M：Zn=1：1：1或其附近的組成、In：M：Zn=1：1：1.2或其附近的組成、In：M：Zn=2：1：3或其附近的組成、In：M：Zn=3：1：2或其附近的組成、In：M：Zn=4：2：3或其附近的組成、In：M：Zn=4：2：4.1或其附近的組成、In：M：Zn=5：1：3或其附近的組成、In：M：Zn=5：1：6或其附近的組成、In：M：Zn=5：1：7或其附近的組成、In：M：Zn=5：1：8或其附近的組成、In：M：Zn=6：1：6或其附近的組成、In：M：Zn=5：2：5或其附近的組成等。此外，附近的組成包括所希望的原子個數比的±30%的範圍。
例如，當記載為原子個數比為In：Ga：Zn=4：2：3或其附近的組成時包括如下情況：In的原子個數比為4時，Ga的原子個數比為1以上且3以下，Zn的原子個數比為2以上且4以下。此外，當記載為原子個數比為In：Ga：Zn=5：1：6或其附近的組成時包括如下情況：In的原子個數比為5時，Ga的原子個數比大於0.1且為2以下，Zn的原子個數比為5以上且7以下。此外，當記載為原子個數比為In：Ga：Zn=1：1：1或其附近的組成時包括如下情況：In的原子個數比為1時，Ga的原子個數比大於0.1且為2以下，Zn的原子個數比大於0.1且為2以下。
電路164所包括的電晶體和像素部107所包括的電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有不同的結構。電路164所包括的多個電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有兩種以上的不同結構。與此同樣，像素部107所包括的多個電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有兩種以上的不同結構。
像素部107所包括的所有電晶體都也可以為OS電晶體或Si電晶體，像素部107所包括的部分電晶體也可以為OS電晶體且剩下的電晶體也可以為Si電晶體。
例如，藉由在像素部107中使用LTPS電晶體和OS電晶體的兩者，可以實現具有低功耗及高驅動能力的顯示裝置。此外，有時將組合LTPS電晶體和OS電晶體的結構稱為LTPO。此外，例如較佳的是，將OS電晶體用於被用作控制佈線的導通/非導通的開關的電晶體且將LTPS電晶體用於控制電流的電晶體。
例如，像素部107所包括的電晶體之一被用作用來控制流過發光元件的電流的電晶體，可以稱為驅動電晶體。驅動電晶體的源極和汲極中的一個與發光元件的像素電極電連接。該驅動電晶體較佳為使用LTPS電晶體。由此，可以增大在像素電路中流過發光元件的電流。
另一方面，像素部107所包括的電晶體的其他之一被用作用來控制像素的選擇和非選擇的開關功能，也可以被稱為選擇電晶體。選擇電晶體的閘極與閘極線電連接，源極和汲極中的一個與信號線電連接。選擇電晶體較佳為使用OS電晶體。由此，由於即使使圖框頻率極小(例如1fps以下)也可以維持像素的灰階，所以藉由在顯示靜態影像時停止驅動器，可以降低功耗。
如此，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以兼具高開口率、高清晰度、高顯示品質及低功耗。
注意，本發明的一個實施方式的顯示裝置採用包括OS電晶體以及具有MML(Metal Mask Less)結構的發光元件的結構。藉由採用該結構，可以使可流過電晶體的洩漏電流以及可在相鄰的發光元件間流過的側洩漏電流極低。另外，藉由採用上述結構，在影像顯示在顯示裝置上時觀看者可以觀測到影像的鮮銳度、影像的銳度、高色飽和度和高對比中的任一個或多個。另外，藉由採用可流過電晶體的洩漏電流及發光元件間的橫向洩漏電流極低的結構，可以進行在顯示黑色時可發生的光洩露(所謂的黑色不純)等極少的顯示。
尤其是，在從MML結構的發光元件中採用上述SBS結構時，設置在發光元件間的層被分割，由此可以消除側洩漏電流或使側洩漏電流極少。
圖70B1及圖70B2示出電晶體的其他結構例子。
電晶體209及電晶體210包括：用作閘極的導電層221；用作閘極絕緣層的絕緣層211；包含通道形成區域231i及一對低電阻區域231n的半導體層231；與一對低電阻區域231n中的一個連接的導電層222a；與一對低電阻區域231n中的另一個連接的導電層222b；用作閘極絕緣層的絕緣層225；用作閘極的導電層223；以及覆蓋導電層223的絕緣層215。絕緣層211位於導電層221與通道形成區域231i之間。絕緣層225至少位於導電層223與通道形成區域231i之間。再者，還可以設置有覆蓋電晶體的絕緣層218。
在圖70B1所示的例子中，在電晶體209中絕緣層225覆蓋半導體層231的頂面及側面。導電層222a及導電層222b都藉由設置在絕緣層225及絕緣層215中的開口與低電阻區域231n連接。在導電層222a及導電層222b中，一方被用作源極，另一方被用作汲極。
另一方面，在圖70B2所示的電晶體210中，絕緣層225與半導體層231的通道形成區域231i重疊而不與低電阻區域231n重疊。例如，藉由以導電層223為遮罩加工絕緣層225，可以形成圖70B2所示的結構。在圖70B2中，絕緣層215覆蓋絕緣層225及導電層223，並且導電層222a及導電層222b分別藉由絕緣層215的開口與低電阻區域231n連接。
基板151的不被基板152重疊的區域中設置有連接部204。在連接部204中，佈線165藉由導電層166及連接層242與FPC172電連接。示出如下例子：導電層166具有加工與導電層224R、導電層224G及導電層224B相同的導電膜而得的導電膜、加工與導電層111R、導電層111G及導電層111B相同的導電膜而得的導電膜和加工與導電層112R、導電層112G及導電層112B相同的導電膜而得的導電膜的疊層結構。在連接部204的頂面上露出導電層166。因此，藉由連接層242可以使連接部204與FPC172電連接。
較佳為在基板152的基板151一側的面設置遮光層117。遮光層117可以設置在相鄰的發光元件之間、連接部140及電路164等中。此外，可以在基板152的外側配置各種光學構件。
基板151及基板152各自可以採用可用於基板120的材料。
作為黏合層142，可以使用可用於樹脂層122的材料。
作為連接層242，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
圖71示出圖70A所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖72示出圖70A所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖14所示的結構。
[顯示裝置100H] 圖73A所示的顯示裝置100H是圖70A所示的顯示裝置100G的變形例子，該顯示裝置100H的與顯示裝置100G不同之處在於包括彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B。
在顯示裝置100H中，發光元件130具有重疊於彩色層132R、彩色層132G和彩色層132B中的一個的區域。彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B可以設置在基板152的基板151一側的面上。彩色層132R的端部、彩色層132G的端部及彩色層132B的端部可以重疊於遮光層117。顯示裝置100H中的如發光元件130等的詳細結構可以參照圖19A。
在顯示裝置100H中，發光元件130例如可以發射白色光。另外，例如，彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B分別可以透過紅色光、綠色光及藍色光。另外，顯示裝置100H也可以採用在保護層131與黏合層142之間設置彩色層132R、彩色層132G及彩色層132B的結構。此時，如圖19A所示，保護層131較佳為被平坦化。
雖然圖70A及圖73A等示出層128的頂面具有平坦部的例子，但對層128的形狀沒有特別的限制。圖73B1至圖73B3示出層128的變形例子。
如圖73B1及圖73B3所示，層128的頂面在剖面中可以具有中央及其附近低凹的形狀，亦即具有凹曲面的形狀。
另外，如圖73B2所示，層128的頂面在剖面中可以具有中央及其附近膨脹的形狀，亦即具有凸曲面的形狀。
另外，層128的頂面也可以具有凸曲面和凹曲面中的一者或兩者。另外，對層128的頂面的凸曲面及凹曲面個數都沒有限制，可以為一個或多個。
另外，層128的頂面高度與導電層224R的頂面高度可以一致或大致一致，也可以不同。例如，層128的頂面高度可以低於或高於導電層224R的頂面高度。
圖73B1也可以說是層128收在形成在導電層224R中的凹部內部的例子。另一方面，如圖73B3所示，層128也可以以存在於形成在導電層224R中的凹部外側的方式形成，也就是說，以其頂面寬度大於該凹部的方式形成。
圖74A、圖74B1、圖74B2及圖74B3示出圖73A、圖73B1、圖73B2及圖73B3所示的結構的變形例子，其中發光元件130R、發光元件130G及發光元件130B具有圖10所示的結構。圖75A至圖75C示出圖73B1至圖73B3所示的結構的變形例子，其中EL層113R具有圖14所示的結構。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。此外，在本說明書中，在一個實施方式中示出多個結構例子的情況下，可以適當地組合該結構例子。
實施方式5 在本實施方式中，對能夠用於本發明的一個實施方式的顯示裝置的發光元件進行說明。
如圖76A所示，發光元件在一對電極(下部電極761及上部電極762)間包括EL層763。EL層763可以由層780、發光層771及層790等多個層構成。
發光層771至少包含發光物質。
在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，層780包括含有電洞注入性高的物質的層(電洞注入層)、含有電洞傳輸性高的物質的層(電洞傳輸層)和含有電子阻擋性高的物質的層(電子障壁層)中的一個或多個。另外，層790包括含有電子注入性高的物質的層(電子注入層)、含有電子傳輸性高的物質的層(電子傳輸層)和含有電洞阻擋性高的物質的層(電洞障壁層)中的一個或多個。在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，層780和層790的結構與上述反轉。
包括設置在一對電極間的層780、發光層771及層790的結構可以被用作單一的發光單元，在本說明書中將圖76A的結構稱為單結構。
另外，圖76B示出圖76A所示的發光元件所包括的EL層763的變形例子。明確而言，圖76B所示的發光元件包括下部電極761上的層781、層781上的層782、層782上的發光層771、發光層771上的層791、層791上的層792及層792上的上部電極762。
在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，例如，層781、層782、層791及層792可以分別為電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層。另外，在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，層781、層782、層791及層792可以分別為電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層及電洞注入層。藉由採用上述層結構，可以將載子高效地注入到發光層771，由此可以提高發光層771內的載子的再結合的效率。
此外，如圖76C及圖76D所示，層780與層790之間設置有多個發光層(發光層771、發光層772、發光層773)的結構也是單結構的變形例子。注意，雖然圖76C及圖76D示出包括三層發光層的例子，但具有單結構的發光元件中的發光層可以為兩層，也可以為四層以上。另外，具有單結構的發光元件也可以在兩個發光層之間包括緩衝層。緩衝層例如可以使用可用於電洞傳輸層或電子傳輸層的材料形成。
另外，如圖76E及圖76F所示，在本說明書中多個發光單元(發光單元763a及發光單元763b)隔著電荷產生層785(也稱為中間層)串聯連接的結構被稱為串聯結構。另外，也可以將串聯結構稱為疊層結構。藉由採用串聯結構，可以實現能夠以高亮度發光的發光元件。此外，串聯結構由於與單結構相比可以降低為了得到相同的亮度的電流，所以可以提高可靠性。
圖76D及圖76F示出顯示裝置包括重疊於發光元件的層764的例子。圖76D示出層764重疊於圖76C所示的發光元件的例子，圖76F示出層764重疊於圖76E所示的發光元件的例子。在圖76D及圖76F中，上部電極762使用透過可見光的導電膜以將光提取到上部電極762一側。
作為層764可以使用顏色轉換層和彩色層中的一者或兩者。
在圖76C及圖76D中，也可以將發射相同顏色的光的發光物質，甚至為相同發光物質用於發光層771、發光層772及發光層773。例如，也可以將發射藍色光的發光物質用於發光層771、發光層772及發光層773。關於呈現藍色光的子像素，可以提取發光元件所發射的藍色光。另外，關於呈現紅色光的子像素及呈現綠色光的子像素，藉由作為圖76D所示的層764設置顏色轉換層，可以使發光元件所發射的藍色光轉換為更長波長的光而提取為紅色光或綠色光。另外，作為層764較佳為使用顏色轉換層和彩色層的兩者。發光元件所發射的光的一部分有時不經顏色轉換層的轉換而透過。藉由經由彩色層提取透過顏色轉換層的光，可以由彩色層吸收所希望的顏色光之外的光而提高子像素所呈現的光的色純度。
另外，也可以將發射彼此不同顏色的光的發光物質用於發光層771、發光層772及發光層773。在發光層771、發光層772及發光層773各自所發射的光處於補色關係時，可以得到白色發光。例如，具有單結構的發光元件較佳為包括含有發射藍色光的發光物質的發光層以及含有發射比藍色波長長的可見光的發光物質的發光層。
例如，在具有單結構的發光元件包括三層發光層的情況下，較佳為包括含有發射紅色(R)光的發光物質的發光層、含有發射綠色(G)光的發光物質的發光層以及發射藍色(B)光的發光物質的發光層。作為發光層的疊層順序，可以採用從陽極一側依次層疊R、G、B的順序或從陽極一側依次層疊R、B、G的順序等。此時，也可以在R與G或B之間設置緩衝層。
另外，例如在具有單結構的發光元件包括兩層發光層的情況下，較佳為採用包括含有發射藍色(B)光的發光物質的發光層以及含有發射黃色(Y)光的發光物質的發光層的結構。有時將該結構稱為BY單結構。
作為圖76D所示的層764較佳為設置彩色層。藉由白色光透過彩色層，可以得到所希望的顏色的光。
發射白色光的發光元件較佳為包括兩個以上的發光層。例如，在使用兩個發光層得到白色發光的情況下，以兩個發光層的各發光顏色處於補色關係的方式選擇發光層即可。例如，藉由使第一發光層的發光顏色與第二發光層的發光顏色處於補色關係，可以得到在發光元件整體上以白色發光的結構。此外，在使用三個以上的發光層得到白色發光的情況下，三個以上的發光層的各發光顏色組合而得到在發光元件整體上以白色發光的結構即可。
在圖76E及圖76F中，也可以將發射相同顏色的光的發光物質，甚至為相同發光物質用於發光層771及發光層772。
例如，在呈現各顏色的光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射藍色光的發光物質用於發光層771及發光層772。關於呈現藍色光的子像素，可以提取發光元件所發射的藍色光。另外，關於呈現紅色光的子像素及呈現綠色光的子像素，藉由作為圖76F所示的層764設置顏色轉換層，可以使發光元件所發射的藍色光轉換為更長波長的光而提取為紅色光或綠色光。另外，作為層764較佳為使用顏色轉換層和彩色層的兩者。
另外，在將圖76E或圖76F所示的結構的發光元件用於呈現各顏色的子像素時，也可以根據子像素使用不同發光物質。明確而言，在呈現紅色光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射紅色光的發光物質用於發光層771及發光層772。同樣地，在呈現綠色光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射綠色光的發光物質用於發光層771及發光層772。在呈現藍色光的子像素所包括的發光元件中，也可以將發射藍色光的發光物質用於發光層771及發光層772。可以說，具有這種結構的顯示裝置使用具有串聯結構的發光元件並具有SBS結構。由此，具有串聯結構及SBS結構的兩者的優點。由此，可以實現高亮度發光而實現可靠性高的發光元件。
另外，在圖76E及圖76F中，也可以將發射彼此不同顏色的光的發光物質用於發光層771及發光層772。在發光層771所發射的光和發光層772所發射的光處於補色關係時，可以得到白色發光。作為圖76F所示的層764也可以設置彩色層。藉由白色光透過彩色層，可以得到所希望的顏色的光。
注意，雖然圖76E及圖76F示出發光單元763a包括一層發光層771且發光單元763b包括一層發光層772的例子，但不侷限於此。發光單元763a及發光單元763b各自也可以包括兩層以上的發光層。
另外，雖然圖76E及圖76F例示出包括兩個發光單元的發光元件，但不侷限於此。發光元件也可以包括三個以上的發光單元。
明確而言，可以舉出圖77A至圖77C所示的發光元件的結構。
圖77A示出包括三個發光單元的結構。注意，也可以將包括兩個發光單元的結構及包括三個發光單元的結構分別稱為兩級串聯結構及三級串聯結構。
如圖77A所示，多個發光單元(發光單元763a、發光單元763b及發光單元763c)隔著電荷產生層785彼此串聯連接。另外，發光單元763a包括層780a、發光層771及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772及層790b，發光單元763c包括層780c、發光層773及層790c。注意，層780c可以採用可用於層780a及層780b的結構，層790c可以採用可用於層790a及層790b的結構。
在圖77A中，發光層771、發光層772及發光層773較佳為包含發射相同顏色的發光物質。明確而言，可以採用如下結構：發光層771、發光層772及發光層773都包含紅色(R)發光物質的結構(所謂R\R\R三級串聯結構)；發光層771、發光層772及發光層773都包含綠色(G)發光物質的結構(所謂G\G\G三級串聯結構)；或者發光層771、發光層772及發光層773都包含藍色(B)發光物質的結構(所謂B\B\B三級串聯結構)。注意，“a\b”表示包含發射a的光的發光物質的發光單元上隔著電荷產生層設置有包含發射b的光的發光物質的發光單元，a、b表示顏色。
另外，在圖77A中，也可以將發射不同顏色的光的發光物質用於發光層771、發光層772和發光層773中的一部分或全部。作為發光層771、發光層772和發光層773的發光顏色的組合，例如可以舉出其中任兩個為藍色(B)且剩下一個為黃色(Y)的結構以及其中任一個為紅色(R)，另一個為綠色(G)且剩下一個為藍色(B)的結構。
注意，作為各自發射相同顏色的發光物質不侷限於上述結構。例如，如圖77B所示，也可以採用層疊包括多個發光層的發光單元的串聯型發光元件。在圖77B中，兩個發光單元(發光單元763a及發光單元763b)隔著電荷產生層785串聯連接。另外，發光單元763a包括層780a、發光層771a、發光層771b及發光層771c以及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772a、發光層772b及發光層772c以及層790b。
在圖77B中，從發光層771a、發光層771b及發光層771c中選擇各自處於補色關係的發光物質，來使發光單元763a具有能夠實現白色發光(W)的結構。另外，也從發光層772a、發光層772b及發光層772c中選擇各自處於補色關係的發光物質，來使發光單元763b具有能夠實現白色發光(W)的結構。也就是說，圖77B所示的結構是W\W兩級串聯結構。注意，對處於補色關係的發光物質的疊層順序沒有特別的限制。實施者可以適當地選擇最合適的疊層順序。雖然未圖示，但也可以採用W\W\W三級串聯結構或四級以上的串聯結構。
另外，在使用具有串聯結構的發光元件的情況下，可以舉出：包括發射黃色(Y)光的發光單元及發射藍色(B)光的發光單元的B\Y或Y\B兩級串聯結構；包括發射紅色(R)光及綠色(G)光的發光單元及發射藍色(B)光的發光單元的R·G\B或B\R·G兩級串聯結構；依次包括發射藍色(B)光的發光單元、發射黃色(Y)光的發光單元及發射藍色(B)光的發光單元的B\Y\B三級串聯結構；依次包括發射藍色(B)光的發光單元、發射黃綠色(YG)光的發光單元及發射藍色(B)光的發光單元的B\YG\B三級串聯結構；以及依次包括發射藍色(B)光的發光單元、發射綠色(G)光的發光單元及發射藍色(B)光的發光單元的B\G\B三級串聯結構等。注意，“a·b”表示一個發光單元包含發射a的光的發光物質及發射b的光的發光物質。
另外，如圖77C所示，也可以組合包括一個發光層的發光單元和包括多個發光層的發光單元。
明確而言，在圖77C所示的結構中，多個發光單元(發光單元763a、發光單元763b及發光單元763c)隔著電荷產生層785彼此串聯連接。另外，發光單元763a包括層780a、發光層771及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772a、發光層772b、發光層772c及層790b，發光單元763c包括層780c、發光層773及層790c。
例如，在圖77C所示的結構中可以採用B\R·G·YG\B三級串聯結構等，其中發光單元763a為發射藍色(B)光的發光單元，發光單元763b為發射紅色(R)光、綠色(G)光及黃綠色(YG)光的發光單元，並且發光單元763c為發射藍色(B)光的發光單元。
例如，作為發光單元的疊層數及顏色順序，可以舉出從陽極一側層疊B和Y的兩級結構、層疊B和發光單元X的兩級結構、層疊B、Y和B的三級結構、層疊B、X和B的三級結構，作為發光單元X中的發光層的疊層數及顏色順序，可以採用從陽極一側層疊R和Y的兩層結構、層疊R和G的兩層結構、層疊G和R的兩層結構、層疊G、R和G的三層結構或層疊R、G和R的三層結構等。另外，也可以在兩個發光層之間設置其他層。
注意，圖76C和圖76D中的層780及層790也可以分別獨立地採用圖76B所示的由兩層以上的層而成的疊層結構。
另外，在圖76E及圖76F中，發光單元763a包括層780a、發光層771及層790a，發光單元763b包括層780b、發光層772及層790b。
在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，層780a及層780b各自包括電洞注入層、電洞傳輸層和電子障壁層中的一個或多個。另外，層790a及層790b各自包括電子注入層、電子傳輸層和電洞障壁層中的一個或多個。在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，層780a和層790a的結構與上述反轉，層780b和層790b的結構也與上述反轉。
在下部電極761及上部電極762分別為陽極及陰極的情況下，例如，層780a包括電洞注入層及電洞注入層上的電洞傳輸層，而且還可以包括電洞傳輸層上的電子障壁層。另外，層790a包括電子傳輸層，而且還可以包括發光層771與電子傳輸層之間的電洞障壁層。另外，層780b包括電洞傳輸層，而且還可以包括電洞傳輸層上的電子障壁層。另外，層790b包括電子傳輸層及電子傳輸層上的電子注入層，而且還可以包括發光層771與電子傳輸層之間的電洞障壁層。在下部電極761及上部電極762分別為陰極及陽極的情況下，例如，層780a包括電子注入層及電子注入層上的電子傳輸層，而且還可以包括電子傳輸層上的電洞障壁層。另外，層790a包括電洞傳輸層，而且還可以包括發光層771與電洞傳輸層之間的電子障壁層。另外，層780b包括電子傳輸層，而且還可以包括電子傳輸層上的電洞障壁層。另外，層790b包括電洞傳輸層及電洞傳輸層上的電洞注入層，而且還可以包括發光層771與電洞傳輸層之間的電子障壁層。
另外，當製造具有串聯結構的發光元件時，兩個發光單元隔著電荷產生層785層疊。電荷產生層785至少具有電荷產生區域。電荷產生層785具有在對一對電極間施加電壓時向兩個發光單元中的一方注入電子且向另一方注入電洞的功能。
接著，說明可用於發光元件的材料。
作為下部電極761和上部電極762中的提取光一側的電極使用透過可見光的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。另外，在顯示裝置包括發射紅外光的發光元件時，較佳為作為提取光一側的電極使用透過可見光及紅外光的導電膜且作為不提取光一側的電極使用反射可見光及紅外光的導電膜。
另外，不提取光一側的電極也可以使用透過可見光的導電膜。在此情況下，較佳為在反射層與EL層763間配置該電極。換言之，EL層763的發光也可以被該反射層反射而從顯示裝置提取。
作為形成發光元件的一對電極的材料，可以適當地使用金屬、合金、導電化合物及它們的混合物等。作為該材料，具體地可以舉出鋁、鎂、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鎵、鋅、銦、錫、鉬、鉭、鎢、鈀、金、鉑、銀、釔及釹等金屬以及適當地組合它們的合金。另外，作為該材料，可以舉出In-Sn氧化物、In-Si-Sn氧化物(也稱為ITSO)、In-Zn氧化物及In-W-Zn氧化物等。另外，作為該材料，可以舉出鋁合金以及如銀與鎂的合金及APC等含銀合金。另外，作為該材料，可以舉出以上沒有列舉的屬於元素週期表中第1族或第2族的元素(例如，鋰、銫、鈣、鍶)、銪、鐿等稀土金屬、適當地組合它們的合金以及石墨烯等。
發光元件較佳為採用微腔結構。因此，發光元件所包括的一對電極中的一個較佳為對可見光具有透過性及反射性的電極(透反射電極)，另一個較佳為對可見光具有反射性的電極(反射電極)。當發光元件具有微腔結構時，可以在兩個電極之間使從發光層得到的發光諧振，並且可以增強從發光元件發射的光。
透反射電極可以具有可被用作反射電極的導電層和可被用作透明電極的導電層的疊層結構。
透反射電極的對可見光的反射率為10%以上且95%以下，較佳為30%以上且80%以下。反射電極對可見光的反射率為40%以上且100%以下，較佳為70%以上且100%以下。另外，這些電極的電阻率較佳為1×10 -2Ωcm以下。
發光元件至少包括發光層。另外，作為發光層以外的層，發光元件還可以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子阻擋材料、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。例如，發光元件除了發光層以外還可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電洞障壁層、電荷產生層、電子障壁層、電子傳輸層和電子注入層中的一層以上。
發光元件可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成發光元件的層可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法或塗佈法等方法形成。
發光層包含一種或多種發光物質。作為發光物質，適當地使用呈現藍色、紫色、藍紫色、綠色、黃綠色、黃色、橙色或紅色等發光顏色的物質。此外，作為發光物質，也可以使用發射近紅外光的物質。
作為發光物質，可以舉出螢光材料、磷光材料、TADF材料及量子點材料等。
作為螢光材料，例如可以舉出芘衍生物、蒽衍生物、聯伸三苯衍生物、茀衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹㗁啉衍生物、喹㗁啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物及萘衍生物等。
作為磷光材料，例如可以舉出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架的有機金屬錯合物(尤其是銥錯合物)、以具有拉電子基團的苯基吡啶衍生物為配體的有機金屬錯合物(尤其是銥錯合物)、鉑錯合物、稀土金屬錯合物等。
發光層除了發光物質(客體材料)以外還可以包含一種或多種有機化合物(主體材料、輔助材料等)。作為一種或多種有機化合物，可以使用電洞傳輸性高的物質(電洞傳輸材料)和電子傳輸性高的物質(電子傳輸材料)中的一者或兩者。作為電洞傳輸材料，可以使用下述可用於電洞傳輸層的電洞傳輸性高的材料。作為電子傳輸材料，可以使用下述可用於電子傳輸層的電子傳輸性高的材料。此外，作為一種或多種有機化合物，也可以使用雙極性材料或TADF材料。
例如，發光層較佳為包含磷光材料、容易形成激態錯合物的電洞傳輸材料及電子傳輸材料的組合。藉由採用這樣的結構，可以高效地得到利用從激態錯合物到發光物質(磷光材料)的能量轉移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激態錯合物-三重態能量轉移)的發光。藉由選擇形成發射與發光物質的最低能量一側的吸收帶的波長重疊的光的激態錯合物的組合，可以使能量轉移變得順利，從而高效地得到發光。藉由採用上述結構，可以同時實現發光元件的高效率、低電壓驅動以及長壽命。
電洞注入層是將電洞從陽極注入到電洞傳輸層的包含電洞注入性高的材料的層。作為電洞注入性高的材料，可以舉出芳香胺化合物以及包含電洞傳輸材料及受體材料(電子受體材料)的複合材料等。
作為電洞傳輸材料，可以使用下述可用於電洞傳輸層的電洞傳輸性高的材料。
作為受體材料，例如可以使用屬於元素週期表中的第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，可以舉出氧化鉬、氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鎢、氧化錳及氧化錸。特別較佳為使用氧化鉬，因為其在大氣中也穩定，吸濕性低，並且容易處理。另外，也可以使用含有氟的有機受體材料。除了上述以外，也可以使用醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物及六氮雜聯伸三苯衍生物等有機受體材料。
例如，作為電洞注入性高的材料也可以使用包含電洞傳輸材料及上述屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物(典型的是氧化鉬)的材料。
電洞傳輸層是將從陽極藉由電洞注入層注入的電洞傳輸到發光層的層。電洞傳輸層是包含電洞傳輸材料的層。作為電洞傳輸材料，較佳為採用電洞移動率為1×10 -6cm 2/Vs以上的物質。注意，只要電洞傳輸性比電子傳輸性高，就可以使用上述以外的物質。作為電洞傳輸材料，較佳為使用富π電子型雜芳族化合物(例如咔唑衍生物、噻吩衍生物、呋喃衍生物等)或者芳香胺(包含芳香胺骨架的化合物)等電洞傳輸性高的材料。
電子障壁層以接觸於發光層的方式設置。電子障壁層是具有電洞傳輸性並包含能夠阻擋電子的材料的層。可以將上述電洞傳輸材料中的具有電子阻擋性的材料用於電子障壁層。
電子障壁層具有電洞傳輸性，所以也可以被稱為電洞傳輸層。另外，電洞傳輸層中的具有電子阻擋性的層也可以被稱為電子障壁層。
電子傳輸層是將從陰極藉由電子注入層注入的電子傳輸到發光層的層。電子傳輸層是包含電子傳輸材料的層。作為電子傳輸材料，較佳為採用電子移動率為1×10 -6cm 2/Vs以上的物質。注意，只要電子傳輸性比電洞傳輸性高，就可以使用上述以外的物質。作為電子傳輸材料，可以使用具有喹啉骨架的金屬錯合物、具有苯并喹啉骨架的金屬錯合物、具有㗁唑骨架的金屬錯合物或具有噻唑骨架的金屬錯合物等，還可以使用㗁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、㗁唑衍生物、噻唑衍生物、啡啉衍生物、具有喹啉配體的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹㗁啉衍生物、二苯并喹㗁啉衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、嘧啶衍生物或含氮雜芳族化合物等缺π電子型雜芳族化合物等電子傳輸性高的物質。
電洞障壁層以接觸於發光層的方式設置。電洞障壁層是具有電子傳輸性並包含能夠阻擋電洞的材料的層。可以將上述電子傳輸材料中的具有電洞阻擋性的材料用於電洞障壁層。
電洞障壁層具有電子傳輸性，所以也可以被稱為電子傳輸層。另外，電子傳輸層中的具有電洞阻擋性的層也可以被稱為電洞障壁層。
電子注入層是將電子從陰極注入到電子傳輸層的包含電子注入性高的材料的層。作為電子注入性高的材料，可以使用鹼金屬、鹼土金屬或者包含上述物質的化合物。作為電子注入性高的材料，也可以使用包含電子傳輸材料及施體材料(電子施體材料)的複合材料。
另外，較佳的是，電子注入性高的材料的LUMO能階與用於陰極的材料的功函數值之差小(具體的是0.5eV以下)。
電子注入層例如可以使用鋰、銫、鐿、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF x，x為任意數)、8-(羥基喔啉)鋰(簡稱：Liq)、2-(2-吡啶基)苯酚鋰(簡稱：LiPP)、2-(2-吡啶基)-3-羥基吡啶(pyridinolato)鋰(簡稱：LiPPy)、4-苯基-2-(2-吡啶基)苯酚鋰(簡稱：LiPPP)、鋰氧化物(LiO x)或碳酸銫等鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物。另外，電子注入層也可以具有兩層以上的疊層結構。作為該疊層結構，例如可以舉出作為第一層使用氟化鋰且作為第二層設置鐿的結構。
電子注入層也可以包含電子傳輸材料。例如，可以將具有非共用電子對並具有缺電子雜芳環的化合物用於電子傳輸材料。明確而言，可以使用具有吡啶環、二嗪環(嘧啶環、吡嗪環、嗒𠯤環)以及三嗪環中的至少一個的化合物。
具有非共用電子對的有機化合物的最低空分子軌域(LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital)能階較佳為-3.6eV以上且-2.3eV以下。一般來說，可以使用CV(循環伏安法)、光電子能譜法、吸收光譜法或逆光電子能譜法等估計有機化合物的最高佔據分子軌域(HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital)能階及LUMO能階。
例如，可以將4,7-二苯基-1,10-啡啉(簡稱：BPhen)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(簡稱：NBPhen)、二喹㗁啉並[2,3-a:2’,3’-c]吩嗪(簡稱：HATNA)、2,4,6-三[3’-(吡啶-3-基)聯苯-3-基]-1,3,5-三嗪(簡稱：TmPPPyTz)等用於具有非共用電子對的有機化合物。此外，與BPhen相比，NBPhen具有高玻璃化轉變點(Tg)，從而具有高耐熱性。
如上所述，電荷產生層至少具有電荷產生區域。電荷產生區域較佳為包括受體材料，例如較佳為包括可應用於上述電洞注入層的電洞傳輸材料及受體材料。
另外，電荷產生層較佳為包括含有電子注入性高的材料的層。該層也可以被稱為電子注入緩衝層。電子注入緩衝層較佳為設置在電荷產生區域與電子傳輸層間。藉由設置電子注入緩衝層，可以緩和電荷產生區域與電子傳輸層間的注入能障，所以將產生在電荷產生區域中的電子容易注入到電子傳輸層中。
電子注入緩衝層較佳為包含鹼金屬或鹼土金屬，例如可以包含鹼金屬的化合物或鹼土金屬的化合物。明確而言，電子注入緩衝層較佳為包含含有鹼金屬和氧的無機化合物或者含有鹼土金屬和氧的無機化合物，更佳為包含含有鋰和氧的無機化合物(氧化鋰(Li 2O)等)。除此之外，作為電子注入緩衝層可以適當地使用可應用於上述電子注入層的材料。
電荷產生層較佳為包括含有電子傳輸性高的材料的層。該層也可以被稱為電子中繼層。電子中繼層較佳為設置在電荷產生區域與電子注入緩衝層間。在電荷產生層不包括電子注入緩衝層時，電子中繼層較佳為設置在電荷產生區域與電子傳輸層間。電子中繼層具有抑制電荷產生區域與電子注入緩衝層(或電子傳輸層)的相互作用並順利地傳遞電子的功能。
作為電子中繼層，較佳為使用酞青銅(II)(簡稱：CuPc)等酞青類材料或者具有金屬-氧鍵合和芳香配體的金屬錯合物。
注意，有時根據剖面形狀或特性等不能明確地區別上述電荷產生區域、電子注入緩衝層及電子中繼層。
另外，電荷產生層也可以包括施體材料代替受體材料。例如，作為電荷產生層也可以包括含有可應用於上述電子注入層的電子傳輸材料和施體材料的層。
在層疊發光單元時，藉由在兩個發光單元間設置電荷產生層，可以抑制驅動電壓的上升。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。此外，在本說明書中，在一個實施方式中示出多個結構例子的情況下，可以適當地組合該結構例子。
實施方式6 在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的電子裝置進行說明。
本實施方式的電子裝置在顯示部中包括本發明的一個實施方式的顯示裝置。本發明的一個實施方式的顯示裝置具有高可靠性，並容易實現高清晰化及高解析度化。因此，可以用於各種電子裝置的顯示部。
作為電子裝置，例如除了電視機、桌上型或膝上型個人電腦、用於電腦等的顯示器、數位看板、彈珠機等大型遊戲機等具有較大的螢幕的電子裝置以外，還可以舉出數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置等。
特別是，因為本發明的一個實施方式的顯示裝置可以提高清晰度，所以可以適當地用於包括較小的顯示部的電子裝置。作為這種電子裝置可以舉出手錶型及手鐲型資訊終端設備(可穿戴裝置)、可戴在頭上的可穿戴裝置等諸如頭戴顯示器等VR用設備、眼鏡型AR用設備及MR用設備等。
本發明的一個實施方式的顯示裝置較佳為具有極高的解析度諸如HD(像素數為1280×720)、FHD(像素數為1920×1080)、WQHD(像素數為2560×1440)、WQXGA (像素數為2560×1600)、4K(像素數為3840×2160)、8K(像素數為7680×4320)等。尤其是，較佳為設定為4K、8K或其以上的解析度。另外，本發明的一個實施方式的顯示裝置中的解析度(清晰度)較佳為100ppi以上，較佳為300ppi以上，更佳為500ppi以上，進一步較佳為1000ppi以上，更進一步較佳為2000ppi以上，更進一步較佳為3000ppi以上，還進一步較佳為5000ppi以上，進一步較佳為7000ppi以上。藉由使用上述的具有高解析度和高清晰度中的一者或兩者的顯示裝置，在可攜式或家用等的個人用途的電子裝置中可以進一步提高真實感及縱深感等。此外，對本發明的一個實施方式的顯示裝置的螢幕比例(縱橫比)沒有特別的限制。例如，顯示裝置可以適應1：1(正方形)、4：3、16：9及16：10等各種螢幕比例。
本實施方式的電子裝置也可以包括感測器(該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)。
本實施方式的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像或文字影像等)顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；執行各種軟體(程式)的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料的功能；等。
使用圖78A至圖78D說明可戴在頭上的可穿戴裝置的一個例子。這些可穿戴裝置具有顯示AR內容的功能、顯示VR內容的功能、顯示SR內容的功能和顯示MR內容的功能中的至少一個。當電子裝置具有顯示AR、VR、SR和MR等中的至少一個內容的功能時，可以提高使用者的沉浸感。
圖78A所示的電子裝置700A以及圖78B所示的電子裝置700B都包括一對顯示面板751、一對外殼721、通訊部(未圖示)、一對安裝部723、控制部(未圖示)、成像部(未圖示)、一對光學構件753、邊框757以及一對鼻墊758。
顯示面板751可以應用本發明的一個實施方式的顯示裝置。由此，可以實現可靠性高的電子裝置。
電子裝置700A及電子裝置700B都可以將由顯示面板751顯示的影像投影於光學構件753中的顯示區域756。因為光學構件753具有透光性，所以使用者可以與藉由光學構件753看到的透過影像重疊地看到顯示於顯示區域的影像。因此，電子裝置700A及電子裝置700B都是能夠進行AR顯示的電子裝置。
電子裝置700A及電子裝置700B上作為成像部也可以設置有能夠拍攝前方的照相機。另外，藉由在電子裝置700A及電子裝置700B設置陀螺儀感測器等的加速度感測器，可以檢測使用者的頭部朝向並將對應該方向的影像顯示在顯示區域756上。
通訊部具有無線通訊裝置，藉由該無線通訊裝置例如可以供應影像信號。另外，代替無線通訊裝置或者除了無線通訊裝置以外還可以包括能夠連接供應影像信號及電源電位的電纜的連接器。
另外，電子裝置700A以及電子裝置700B設置有電池，可以以無線方式和有線方式中的一者或兩者進行充電。
外殼721也可以設置有觸控感測器模組。觸控感測器模組具有檢測外殼721的外側的面是否被觸摸的功能。藉由觸控感測器模組，可以檢測使用者的點按操作或滑動操作等而執行各種處理。例如，藉由點按操作可以執行動態影像的暫時停止或再生等的處理，藉由滑動操作可以執行快進、快退等的處理等。另外，藉由在兩個外殼721的每一個設置觸控感測器模組，可以擴大操作範圍。
作為觸控感測器模組，可以使用各種觸控感測器。例如，可以採用靜電電容方式、電阻膜方式、紅外線方式、電磁感應方式、表面聲波式、光學方式等各種方式。尤其是，較佳為將靜電電容方式或光學方式的感測器應用於觸控感測器模組。
在使用光學方式的觸控感測器時，作為受光元件可以使用光電轉換器件(也稱為光電轉換元件)。在光電轉換器件的活性層中可以使用無機半導體和有機半導體中的一者或兩者。
圖78C所示的電子裝置800A以及圖78D所示的電子裝置800B都包括一對顯示部820、外殼821、通訊部822、一對安裝部823、控制部824、一對成像部825以及一對透鏡832。
顯示部820可以應用本發明的一個實施方式的顯示裝置。由此，可以實現可靠性高的電子裝置。
顯示部820設置在外殼821內部的藉由透鏡832能看到的位置上。另外，藉由在一對顯示部820的每一個上顯示不同影像，可以進行利用視差的三維顯示。
可以將電子裝置800A以及電子裝置800B都稱為面向VR的電子裝置。裝上電子裝置800A或電子裝置800B的使用者藉由透鏡832能看到顯示在顯示部820上的影像。
電子裝置800A及電子裝置800B較佳為具有一種機構，其中能夠調整透鏡832及顯示部820的左右位置，以根據使用者的眼睛的位置使透鏡832及顯示部820位於最合適的位置上。此外，較佳為具有一種機構，其中藉由改變透鏡832及顯示部820之間的距離來調整焦點。
使用者可以使用安裝部823將電子裝置800A或電子裝置800B裝在頭上。例如在圖78C中，例示出安裝部823具有如眼鏡的鏡腳(也稱為鉸鏈或腳絲等)那樣的形狀，但是不侷限於此。只要使用者能夠裝上，安裝部823就例如可以具有頭盔型或帶型的形狀。
成像部825具有取得外部的資訊的功能。可以將成像部825所取得的資料輸出到顯示部820。在成像部825中可以使用影像感測器。另外，也可以設置多個相機以能夠對應望遠及廣角等多種視角。
注意，在此示出包括成像部825的例子，設置能夠測量出與物件的距離的測距感測器(以下，也稱為檢測部)即可。換言之，成像部825是檢測部的一個實施方式。作為檢測部例如可以使用影像感測器或雷射雷達(LIDAR：Light Detection and Ranging)等距離影像感測器。藉由使用由相機取得的影像以及由距離影像感測器取得的影像，可以取得更多的資訊，可以實現精度更高的姿態操作。
電子裝置800A也可以包括被用作骨傳導耳機的振動機構。例如，作為顯示部820、外殼821和安裝部823中的任一個或多個可以採用包括該振動機構的結構。由此，不需要另行設置頭戴式耳機、耳機或揚聲器等音響設備，而只裝上電子裝置800A就可以享受影像和聲音。
電子裝置800A以及電子裝置800B也可以都包括輸入端子。例如可以將供應來自影像輸出設備的影像信號以及用於對設置在電子裝置內的電池進行充電的電力等的電纜連線到輸入端子。
本發明的一個實施方式的電子裝置也可以具有與耳機750進行無線通訊的功能。耳機750包括通訊部(未圖示)，並具有無線通訊功能。耳機750藉由無線通訊功能可以從電子裝置接收資訊(例如聲音資料)。例如，圖78A所示的電子裝置700A具有藉由無線通訊功能將資訊發送到耳機750的功能。另外，例如圖78C所示的電子裝置800A具有藉由無線通訊功能將資訊發送到耳機750的功能。
另外，電子裝置也可以包括耳機部。圖78B所示的電子裝置700B包括耳機部727。例如，可以採用以有線方式連接耳機部727和控制部的結構。連接耳機部727和控制部的佈線的一部分也可以配置在外殼721或安裝部723的內部。
同樣，圖78D所示的電子裝置800B包括耳機部827。例如，可以採用以有線方式連接耳機部827和控制部824的結構。連接耳機部827和控制部824的佈線的一部分也可以配置在外殼821或安裝部823的內部。另外，耳機部827和安裝部823也可以包括磁鐵。由此，可以用磁力將耳機部827固定到安裝部823，收納變得容易，所以是較佳的。
電子裝置也可以包括能夠與耳機或頭戴式耳機等連接的聲音輸出端子。另外，電子裝置也可以包括聲音輸入端子和聲音輸入機構中的一者或兩者。作為聲音輸入機構，例如可以使用麥克風等收音裝置。藉由將聲音輸入機構設置到電子裝置，可以使電子裝置具有所謂的耳麥的功能。
如此，作為本發明的一個實施方式的電子裝置，眼鏡型(電子裝置700A以及電子裝置700B等)和護目鏡型(電子裝置800A以及電子裝置800B等)的兩者都是較佳的。
另外，本發明的一個實施方式的電子裝置可以以有線或無線方式將資訊發送到耳機。
圖79A所示的電子裝置6500是可以被用作智慧手機的可攜式資訊終端設備。
電子裝置6500包括外殼6501、顯示部6502、電源按鈕6503、按鈕6504、揚聲器6505、麥克風6506、照相機6507及光源6508等。顯示部6502具有觸控面板功能。
顯示部6502可以使用本發明的一個實施方式的顯示裝置。由此，可以實現可靠性高的電子裝置。
圖79B是包括外殼6501的麥克風6506一側的端部的剖面示意圖。
外殼6501的顯示面一側設置有具有透光性的保護構件6510，被外殼6501及保護構件6510包圍的空間內設置有顯示面板6511、光學構件6512、觸控感測器面板6513、印刷電路板6517、電池6518等。
顯示面板6511、光學構件6512及觸控感測器面板6513使用黏合層(未圖示)固定到保護構件6510。
在顯示部6502的外側的區域中，顯示面板6511的一部分疊回，且該疊回部分連接有FPC6515。FPC6515安裝有IC6516。FPC6515與設置於印刷電路板6517的端子連接。
顯示面板6511可以使用本發明的一個實施方式的撓性顯示器。由此，可以實現極輕量的電子裝置。此外，由於顯示面板6511極薄，所以可以在抑制電子裝置的厚度的情況下安裝大容量的電池6518。此外，藉由折疊顯示面板6511的一部分以在像素部的背面設置與FPC6515的連接部，可以實現窄邊框的電子裝置。
圖79C示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101中組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7103支撐外殼7101的結構。
顯示部7000可以使用本發明的一個實施方式的顯示裝置。由此，可以實現可靠性高的電子裝置。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關以及另外提供的遙控器7111進行圖79C所示的電視機7100的操作。或者，也可以在顯示部7000中具備觸控感測器，也可以藉由用指頭等觸摸顯示部7000進行電視機7100的操作。另外，也可以在遙控器7111中具備顯示從該遙控器7111輸出的資料的顯示部。藉由利用遙控器7111所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道及音量的操作，並可以對顯示在顯示部7000上的影像進行操作。
另外，電視機7100具備接收機及數據機等。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通訊網路，從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通訊。
圖79D示出膝上型個人電腦的一個例子。膝上型個人電腦7200包括外殼7211、鍵盤7212、指向裝置7213及外部連接埠7214等。外殼7211中組裝有顯示部7000。
顯示部7000可以使用本發明的一個實施方式的顯示裝置。由此，可以實現可靠性高的電子裝置。
圖79E和圖79F示出數位看板的一個例子。
圖79E所示的數位看板7300包括外殼7301、顯示部7000及揚聲器7303等。此外，還可以包括LED燈、操作鍵(包括電源開關或操作開關)、連接端子、各種感測器、麥克風等。
圖79F示出設置於圓柱狀柱子7401上的數位看板7400。數位看板7400包括沿著柱子7401的曲面設置的顯示部7000。
在圖79E和圖79F中，可以將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部7000。由此，可以實現可靠性高的電子裝置。
顯示部7000越大，一次能夠提供的資訊量越多。顯示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高廣告宣傳效果。
藉由將觸控面板用於顯示部7000，不僅可以在顯示部7000上顯示靜態影像或動態影像，使用者還能夠直覺性地進行操作，所以是較佳的。另外，在用於提供路線資訊或交通資訊等資訊的用途時，可以藉由直覺性的操作提高易用性。
如圖79E和圖79F所示，數位看板7300或數位看板7400較佳為可以藉由無線通訊與使用者所攜帶的智慧手機等資訊終端設備7311或資訊終端設備7411聯動。例如，顯示在顯示部7000上的廣告資訊可以顯示在資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕上。此外，藉由操作資訊終端設備7311或資訊終端設備7411，可以切換顯示部7000的顯示。
此外，可以在數位看板7300或數位看板7400上以資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕為操作單元(控制器)執行遊戲。由此，不特定多個使用者可以同時參加遊戲，享受遊戲的樂趣。
圖80A至圖80G所示的電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。
圖80A至圖80G所示的電子裝置具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像及文字影像等)顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；藉由利用各種軟體(程式)控制處理的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料並進行處理的功能；等。注意，電子裝置的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種功能。電子裝置可以包括多個顯示部。另外，也可以在電子裝置中設置照相機等而使其具有如下功能：拍攝靜態影像或動態影像，且將所拍攝的影像儲存在存儲介質(外部存儲介質或內置於照相機的存儲介質)中的功能；將所拍攝的影像顯示在顯示部上的功能；等。
下面，詳細地說明圖80A至圖80G所示的電子裝置。
圖80A是示出可攜式資訊終端9101的立體圖。可以將可攜式資訊終端9101例如用作智慧手機。注意，在可攜式資訊終端9101中，也可以設置揚聲器9003、連接端子9006、感測器9007等。另外，作為可攜式資訊終端9101，可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。在圖80A中示出三個圖示9050的例子。另外，可以將以虛線的矩形示出的資訊9051顯示在顯示部9001的其他面上。作為資訊9051的一個例子，可以舉出提示收到電子郵件、SNS或電話等的資訊；電子郵件或SNS等的標題；電子郵件或SNS等的發送者姓名；日期；時間；電池餘量；以及電波強度等。或者，可以在顯示有資訊9051的位置上顯示圖示9050等。
圖80B是示出可攜式資訊終端9102的立體圖。可攜式資訊終端9102具有將資訊顯示在顯示部9001的三個以上的面上的功能。在此，示出資訊9052、資訊9053、資訊9054分別顯示於不同的面上的例子。例如，在將可攜式資訊終端9102放在上衣口袋裡的狀態下，使用者能夠確認顯示在從可攜式資訊終端9102的上方看到的位置上的資訊9053。例如，使用者可以確認到該顯示而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端9102，由此能夠判斷是否接電話。
圖80C是示出平板終端9103的立體圖。平板終端9103例如可以執行行動電話、電子郵件及文章的閱讀和編輯、播放音樂、網路通訊、電腦遊戲等各種應用軟體。平板終端9103在外殼9000的正面包括顯示部9001、照相機9002、麥克風9008及揚聲器9003，在外殼9000的左側面包括用作操作用按鈕的操作鍵9005，並且在底面包括連接端子9006。
圖80D是示出手錶型可攜式資訊終端9200的立體圖。可以將可攜式資訊終端9200例如用作智慧手錶(註冊商標)。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。此外，可攜式資訊終端9200例如藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊可以進行免提通話。此外，藉由利用連接端子9006，可攜式資訊終端9200可以與其他資訊終端進行資料傳輸或進行充電。充電也可以藉由無線供電進行。
圖80E至圖80G是示出可以折疊的可攜式資訊終端9201的立體圖。另外，圖80E是將可攜式資訊終端9201展開的狀態的立體圖，圖80G是折疊的狀態的立體圖，圖80F是從圖80E的狀態和圖80G的狀態中的一個轉換成另一個時中途的狀態的立體圖。可攜式資訊終端9201在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的瀏覽性強。可攜式資訊終端9201所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。顯示部9001例如可以在曲率半徑0.1mm以上且150mm以下的範圍彎曲。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。此外，在本說明書中，在一個實施方式中示出多個結構例子的情況下，可以適當地組合該結構例子。
100A:顯示裝置 100B:顯示裝置 100C:顯示裝置 100D:顯示裝置 100E:顯示裝置 100F:顯示裝置 100G:顯示裝置 100H:顯示裝置 100:顯示裝置 101:絕緣層 102:導電層 103:絕緣層 104:絕緣層 105:絕緣層 106:插頭 107:像素部 108:像素 109:導電層 110B:子像素 110G:子像素 110R:子像素 110W:子像素 110:子像素 111a:導電層 111B:導電層 111b:導電層 111C:導電層 111c:導電層 111f:導電膜 111G:導電層 111R:導電層 111:導電層 112a:導電層 112B:導電層 112b:導電層 112C:導電層 112c:導電層 112f:導電膜 112G:導電層 112R:導電層 112:導電層 113B:EL層 113Bf:EL膜 113d:電荷產生層 113e:發光單元 113f:EL膜 113G:EL層 113Gf:EL膜 113R:EL層 113Rf:EL膜 113:EL層 114:共用層 115:共用電極 117:遮光層 118B:遮罩層 118Bf:遮罩膜 118f:遮罩膜 118G:遮罩層 118Gf:遮罩膜 118R:遮罩層 118Rf:遮罩膜 118:遮罩層 119B:遮罩層 119Bf:遮罩膜 119f:遮罩膜 119G:遮罩層 119Gf:遮罩膜 119R:遮罩層 119Rf:遮罩膜 119:遮罩層 120:基板 122:樹脂層 124a:像素 124b:像素 125f:絕緣膜 125:絕緣層 127a:絕緣層 127b:絕緣層 127f:絕緣膜 127:絕緣層 128:層 130B:發光元件 130G:發光元件 130R:發光元件 130:發光元件 131:保護層 132B:彩色層 132G:彩色層 132R:彩色層 132:彩色層 140:連接部 141:區域 142:黏合層 151:基板 152:基板 164:電路 165:佈線 166:導電層 172:FPC 173:IC 180:區域 182:區域 184:區域 186:區域 190B:光阻遮罩 190G:光阻遮罩 190R:光阻遮罩 190:光阻遮罩 201:電晶體 204:連接部 205:電晶體 209:電晶體 210:電晶體 211:絕緣層 213:絕緣層 214:絕緣層 215:絕緣層 218:絕緣層 221:導電層 222a:導電層 222b:導電層 223:導電層 224B:導電層 224C:導電層 224G:導電層 224R:導電層 225:絕緣層 231i:通道形成區域 231n:低電阻區域 231:半導體層 240:電容器 241:導電層 242:連接層 243:絕緣層 245:導電層 251:導電層 252:導電層 254:絕緣層 255:絕緣層 256:插頭 261:絕緣層 262:絕緣層 263:絕緣層 264:絕緣層 265:絕緣層 271:插頭 274a:導電層 274b:導電層 274:插頭 280:顯示模組 281:顯示部 282:電路部 283a:像素電路 283:像素電路部 284a:像素 284:像素部 285:端子部 286:佈線部 290:FPC 291:基板 292:基板 301A:基板 301B:基板 301:基板 310A:電晶體 310B:電晶體 310:電晶體 311:導電層 312:低電阻區域 313:絕緣層 314:絕緣層 315:元件分離層 320A:電晶體 320B:電晶體 320:電晶體 321:半導體層 323:絕緣層 324:導電層 325:導電層 326:絕緣層 327:導電層 328:絕緣層 329:絕緣層 331:基板 332:絕緣層 335:絕緣層 336:絕緣層 341:導電層 342:導電層 343:插頭 344:絕緣層 345:絕緣層 346:絕緣層 347:凸塊 348:黏合層 500:顯示裝置 501:電極 502:電極 512B_1:發光單元 512B_2:發光單元 512B_3:發光單元 512G_1:發光單元 512G_2:發光單元 512G_3:發光單元 512R_1:發光單元 512R_2:發光單元 512R_3:發光單元 521:層 522:層 523B:發光層 523G:發光層 523R:發光層 524:層 525:層 531:電荷產生層 550B:發光元件 550G:發光元件 550R:發光元件 700A:電子裝置 700B:電子裝置 721:外殼 723:安裝部 727:耳機部 750:耳機 751:顯示面板 753:光學構件 756:顯示區域 757:邊框 758:鼻墊 761:下部電極 762:上部電極 763a:發光單元 763b:發光單元 763c:發光單元 763:EL層 764:層 771a:發光層 771b:發光層 771c:發光層 771:發光層 772a:發光層 772b:發光層 772c:發光層 772:發光層 773:發光層 780a:層 780b:層 780c:層 780:層 781:層 782:層 785:電荷產生層 790a:層 790b:層 790c:層 790:層 791:層 792:層 800A:電子裝置 800B:電子裝置 820:顯示部 821:外殼 822:通訊部 823:安裝部 824:控制部 825:成像部 827:耳機部 832:透鏡 6500:電子裝置 6501:外殼 6502:顯示部 6503:電源按鈕 6504:按鈕 6505:揚聲器 6506:麥克風 6507:照相機 6508:光源 6510:保護構件 6511:顯示面板 6512:光學構件 6513:觸控感測器面板 6515:FPC 6516:IC 6517:印刷電路板 6518:電池 7000:顯示部 7100:電視機 7101:外殼 7103:支架 7111:遙控器 7200:膝上型個人電腦 7211:外殼 7212:鍵盤 7213:指向裝置 7214:外部連接埠 7300:數位看板 7301:外殼 7303:揚聲器 7311:資訊終端設備 7400:數位看板 7401:柱子 7411:資訊終端設備 9000:外殼 9001:顯示部 9002:照相機 9003:揚聲器 9005:操作鍵 9006:連接端子 9007:感測器 9008:麥克風 9050:圖示 9051:資訊 9052:資訊 9053:資訊 9054:資訊 9055:鉸鏈 9101:可攜式資訊終端 9102:可攜式資訊終端 9103:平板終端 9200:可攜式資訊終端 9201:可攜式資訊終端
[圖1]是示出顯示裝置的結構例子的平面圖。 [圖2A]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。[圖2B1]及[圖2B2]是示出像素電極的結構例子的剖面圖。 [圖3A]及[圖3B]是示出像素電極的結構例子的剖面圖。 [圖4A]至[圖4C]是示出像素電極的結構例子的剖面圖。 [圖5A]及[圖5B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖6A]及[圖6B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖7A]及[圖7B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖8A]及[圖8B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖9A]及[圖9B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖10]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖11A]及[圖11B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖12A]及[圖12B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖13A]及[圖13B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖14]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖15A]及[圖15B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖16A]及[圖16B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖17A]及[圖17B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖18A]至[圖18F]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖19A]及[圖19B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖20A]及[圖20B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖21A]及[圖21B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖22A]及[圖22B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖23]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖24A]至[圖24D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖25A]至[圖25D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖26A]至[圖26D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖27A]、[圖27B1]及[圖27B2]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖28A]及[圖28B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖29A]及[圖29B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖30A]及[圖30B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖31A]及[圖31B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖32A]、[圖32B]、[圖32C]、[圖32D1]及[圖32D2]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖33A]至[圖33D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖34A]至[圖34C]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖35A]至[圖35C]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖36A]至[圖36D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖37A]及[圖37B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖38A]至[圖38D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖39A]至[圖39D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖40A]至[圖40C]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖41A]及[圖41B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖42A]及[圖42B]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖43A]至[圖43E]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖44A]至[圖44D]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖45A]至[圖45C]是示出顯示裝置的製造方法例子的剖面圖。 [圖46A]及[圖46B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖47A]及[圖47B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖48A]至[圖48G]是示出像素的結構例子的平面圖。 [圖49A]至[圖49I]是示出像素的結構例子的平面圖。 [圖50A]及[圖50B]是示出顯示模組的結構例子的立體圖。 [圖51A]及[圖51B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖52A]及[圖52B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖53]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖54]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖55]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖56]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖57]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖58]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖59]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖60]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖61]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖62]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖63]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖64]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖65]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖66]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖67]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖68]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖69]是示出顯示裝置的結構例子的立體圖。 [圖70A]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。[圖70B1]及[圖70B2]是示出電晶體的結構例子的剖面圖。 [圖71]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖72]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖73A]至[圖73B3]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖74A]至[圖74B3]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖75A]至[圖75C]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖76A]至[圖76F]是示出發光元件的結構例子的剖面圖。 [圖77A]至[圖77C]是示出發光元件的結構例子的剖面圖。 [圖78A]至[圖78D]是示出電子裝置的一個例子的圖。 [圖79A]至[圖79F]是示出電子裝置的一個例子的圖。 [圖80A]至[圖80G]是示出電子裝置的一個例子的圖。
101:絕緣層
102:導電層
103:絕緣層
104:絕緣層
105:絕緣層
106:插頭
107:像素部
108:像素
110B:子像素
110G:子像素
110R:子像素
111B:導電層
111G:導電層
111R:導電層
112B:導電層
112G:導電層
112R:導電層
113B:EL層
113G:EL層
113R:EL層
114:共用層
115:共用電極
118B:遮罩層
118G:遮罩層
118R:遮罩層
120:基板
122:樹脂層
125:絕緣層
127:絕緣層
130B:發光元件
130G:發光元件
130R:發光元件
131:保護層

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括： 第一發光元件； 與該第一發光元件相鄰的第二發光元件； 設置在該第一發光元件與該第二發光元件之間的第一絕緣層；以及 該第一絕緣層上的第二絕緣層， 其中，該第一發光元件包括第一導電層、覆蓋該第一導電層的頂面及側面的第二導電層、該第二導電層上的第一EL層以及該第一EL層上的共用電極， 該第二發光元件包括第三導電層、覆蓋該第三導電層的頂面及側面的第四導電層、該第四導電層上的第二EL層以及該第二EL層上的該共用電極， 該第二絕緣層上設置有該共用電極， 該第一導電層的可見光反射率比該第二導電層的可見光反射率高， 並且，該第三導電層的可見光反射率比該第四導電層的可見光反射率高。
  2. 如請求項1之顯示裝置， 其中該第一EL層包括具有接觸於該第二導電層的區域的第一功能層以及該第一功能層上的第一發光層， 並且該第二EL層包括具有接觸於該第四導電層的區域的第二功能層以及該第二功能層上的第二發光層。
  3. 如請求項2之顯示裝置， 其中該第一功能層及該第二功能層包括電洞注入層和電洞傳輸層中的至少一方， 該第二導電層的功函數比該第一導電層的功函數大， 並且該第四導電層的功函數比該第三導電層的功函數大。
  4. 如請求項3之顯示裝置， 其中該第一發光元件在該第一EL層與該共用電極之間包括共用層， 該第二發光元件在該第二EL層與該共用電極之間包括該共用層， 該共用層位於該第二絕緣層與該共用電極之間， 並且該共用層包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一方。
  5. 如請求項2之顯示裝置， 其中該第一功能層及該第二功能層包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一方， 該第二導電層的功函數比該第一導電層的功函數小， 並且該第四導電層的功函數比該第三導電層的功函數小。
  6. 如請求項5之顯示裝置， 其中該第一發光元件在該第一EL層與該共用電極之間包括共用層， 該第二發光元件在該第二EL層與該共用電極之間包括該共用層， 該共用層位於該第二絕緣層與該共用電極之間， 並且該共用層包括電洞注入層和電洞傳輸層中的至少一方。
  7. 如請求項1至6中任一項之顯示裝置， 其中該第二導電層及該第四導電層具有包含選自銦、錫、鋅、鎵、鈦、鋁和矽中的任一個或多個的氧化物。
  8. 如請求項1至7中任一項之顯示裝置， 其中該第一絕緣層具有接觸於該第一EL層的側面及該第二EL層的側面的區域並覆蓋該第一EL層的頂面的一部分及該第二EL層的頂面的一部分， 在剖面中該第二絕緣層的端部具有錐角小於90°的錐形形狀， 並且該第二絕緣層覆蓋該第一絕緣層的側面的至少一部分。
  9. 如請求項1至8中任一項之顯示裝置， 其中在剖面中該第一絕緣層的端部具有錐角小於90°的錐形形狀。
  10. 如請求項1至9中任一項之顯示裝置， 其中該第一絕緣層為無機絕緣層， 並且該第二絕緣層為有機絕緣層。
  11. 如請求項1至10中任一項之顯示裝置， 其中該第一絕緣層包含氧化鋁， 並且該第二絕緣層包含丙烯酸樹脂。
  12. 一種顯示模組，包括： 如請求項1至11中任一項之顯示裝置；以及 連接器和積體電路中的至少一方。
  13. 一種電子裝置，包括： 如請求項12之顯示模組；以及 外殼、電池、照相機、揚聲器和麥克風中的至少一個。
  14. 一種顯示裝置的製造方法，包括： 形成第一導電層； 形成覆蓋該第一導電層的頂面及側面且其可見光反射率比該第一導電層低的第二導電層； 在該第二導電層上形成EL膜； 在該EL膜上形成遮罩膜；以及 加工該EL膜及該遮罩膜來形成該第二導電層上的EL層及該EL層上的遮罩層。
  15. 如請求項14之顯示裝置的製造方法， 其中形成該第二導電層之後且形成該EL膜之前對該第二導電層進行疏水化處理。
  16. 如請求項15之顯示裝置的製造方法， 其中藉由對該第二導電層進行氟修飾，進行該疏水化處理。
  17. 一種顯示裝置的製造方法，包括： 形成第一導電層及第二導電層； 形成覆蓋該第一導電層的頂面及側面且其可見光反射率比該第一導電層低的第三導電層，並形成覆蓋該第二導電層的頂面及側面且其可見光反射率比該第二導電層低的第四導電層； 在該第三導電層及該第四導電層上形成第一EL膜； 在該第一EL膜上形成第一遮罩膜； 加工該第一EL膜及該第一遮罩膜來形成該第三導電層上的第一EL層及該第一EL層上的第一遮罩層，並使該第四導電層露出； 在該第一遮罩層及該第四導電層上形成第二EL膜； 在該第二EL膜上形成第二遮罩膜； 加工該第二EL膜及該第二遮罩膜來形成該第四導電層上的第二EL層及該第二EL層上的第二遮罩層，並使該第一遮罩層露出； 在該第一遮罩層及該第二遮罩層上使用感光材料形成絕緣膜； 加工該絕緣膜來在該第一EL層與該第二EL層之間形成絕緣層； 將該絕緣層用作遮罩進行蝕刻處理來使該第一EL層的頂面及該第二EL層的頂面露出；以及 在該第一EL層、該第二EL層及該絕緣層上形成共用電極。
  18. 如請求項17之顯示裝置的製造方法， 其中在形成該第三導電層及該第四導電層之後且形成該第一EL膜之前對該第三導電層及該第四導電層進行疏水化處理。
  19. 如請求項18之顯示裝置的製造方法， 其中藉由對該第三導電層及該第四導電層進行氟修飾，進行該疏水化處理。
  20. 如請求項17至19中任一項之顯示裝置的製造方法， 其中該蝕刻處理利用濕蝕刻進行。
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