WO2023119050A1

WO2023119050A1 - 表示装置

Info

Publication number: WO2023119050A1
Application number: PCT/IB2022/062034
Authority: WO
Inventors: 青山智哉; 池田寿雄; 中村太紀
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-12-23
Filing date: 2022-12-12
Publication date: 2023-06-29

Abstract

信頼性の高い表示装置を提供する。第１の発光デバイスと、第１の発光デバイスと隣接して配置された第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１の絶縁層の一部は、第１のＥＬ層の側端部と、第２のＥＬ層の側端部に挟まれる位置に配置され、第１の発光デバイスは、青色の光を発し、第２の発光デバイスは、第１の発光デバイスと異なる色の光を発し、第１のＥＬ層は、第１の画素電極上の第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、第２のＥＬ層は、第２の画素電極上の第３の発光ユニットを有する。

Description

表示装置

　本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。

　また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。

　表示装置としては、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

　特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。

　本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第１の発光デバイスと隣接して配置された第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１のＥＬ層の側面の一部と、第２のＥＬ層の側面の一部が、互いに対向して配置され、第１の絶縁層の一部は、第１のＥＬ層の側端部と、第２のＥＬ層の側端部に挟まれる位置に配置され、第１の絶縁層の他の一部は、第１のＥＬ層の上面の一部、または第２のＥＬ層の上面の一部と重なり、第１の発光デバイスは、青色の光を発し、第２の発光デバイスは、第１の発光デバイスと異なる色の光を発し、第１のＥＬ層は、第１の画素電極上の第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、第２のＥＬ層は、第２の画素電極上の第３の発光ユニットを有する、表示装置である。

　上記において、第１の画素電極の端部を覆う、第２の絶縁層を有する、構成にしてもよい。

　上記において、第１の画素電極の端部、及び第２の画素電極の端部をそれぞれ覆う、第２の絶縁層を有する、構成にしてもよい。

　また、本発明の他の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第３の発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有し、第１の発光デバイスは、第２の発光デバイス及び第３の発光デバイスと隣接して配置され、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、第３のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１のＥＬ層の側面の一部、第２のＥＬ層の側面の一部、及び第３のＥＬ層の側面の一部から選ばれたいずれか２つが、互いに対向して配置され、第１の絶縁層の一部は、第１のＥＬ層の側端部、第２のＥＬ層の側端部、及び第３のＥＬ層の側端部から選ばれたいずれか２つに挟まれる位置に配置され、第１の絶縁層の他の一部は、第１のＥＬ層の上面の一部、第２のＥＬ層の上面の一部、または第３のＥＬ層の上面の一部と重なり、第１の発光デバイスは、青色の光を発し、第２の発光デバイスは、赤色の光を発し、第３の発光デバイスは、緑色の光を発し、第１のＥＬ層は、第１の画素電極上の第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、第２のＥＬ層は、第２の画素電極上の第３の発光ユニットを有し、第３のＥＬ層は、第３の画素電極上の第４の発光ユニットと、第４の発光ユニット上の第２の電荷発生層と、第２の電荷発生層上の第５の発光ユニットと、を有する、表示装置である。

　上記において、第１の画素電極の端部、及び第３の画素電極の端部をそれぞれ覆う、第２の絶縁層を有する、構成にしてもよい。

　上記において、第１の画素電極の端部、第２の画素電極の端部、及び第３の画素電極の端部をそれぞれ覆う、第２の絶縁層を有する、構成にしてもよい。

　上記において、第１の絶縁層は、第１の層と、第１の層上の第２の層と、を有し、第１の層は、無機材料を有し、第２の層は、有機材料を有する、ことが好ましい。

　上記において、共通電極は、第２の層の上に配置される、ことが好ましい。

　本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置を提供できる。

　本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０Ａ及び図１０Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１２Ａ及び図１２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１３Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、発光デバイスの一例を示す図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂは、発光デバイスの一例を示す図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、受光デバイスの構成例を示す図である。図１６Ｃ乃至図１６Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｆは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２４Ａ及び図２４Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｇは、画素の一例を示す図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｋは、画素の一例を示す図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３４は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図３５Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図３５Ｂ及び図３５Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図３６Ａ乃至図３６Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図３７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３８Ａ乃至図３８Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３９Ａ乃至図３９Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図４０Ａ乃至図４０Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで少なくとも発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

　本明細書等において、発光デバイス（発光素子）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。

　本明細書等において、受光デバイス（受光素子ともいう）は、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。

　本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

　本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微細な曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

　本明細書等において、犠牲層は、少なくとも発光層（より具体的には、ＥＬ層を構成する層のうち、島状に加工される層）の上方に位置し、製造工程中において、当該発光層を保護する機能を有する。なお、本明細書等において、犠牲層をマスク層と呼称してもよい。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１乃至図１３を用いて説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、発光色ごとに作り分けられた発光デバイスを有し、フルカラー表示が可能である。

　発光色がそれぞれ異なる複数の発光デバイスを有する表示装置を作製する場合、発光色が異なる発光層をそれぞれ島状に形成する必要がある。

　例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び、蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、メタルマスクを用いて形成した島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法により、発光層を微細なパターンに加工する。具体的には、副画素ごとに画素電極を形成した後、複数の画素電極にわたって発光層を成膜する。その後、当該発光層を、フォトリソグラフィ法を用いて加工し、１つの画素電極に対して１つの島状の発光層を形成する。これにより、発光層が副画素ごとに分割され、副画素ごとに島状の発光層を形成することができる。

　なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ（加工によるダメージなど）が加わり、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層よりも上方に位置する機能層（例えば、キャリアブロック層、キャリア輸送層、またはキャリア注入層など）の上にて、犠牲層（マスク層、保護層などともいう）などを形成し、発光層及び当該機能層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示装置を提供することができる。発光層と犠牲層との間に他の機能層を有することで、表示装置の作製工程中に発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。

　また、上記発光層を島状に加工する場合、発光層よりも下側に位置する層（例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、または、キャリアブロック層など）を、発光層と同じパターンで島状に加工することが好ましい。発光層よりも下側に位置する層を発光層と同じパターンで島状に加工することで、隣接する副画素の間に生じうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、またはラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を低減することが可能となる。

　なお、それぞれ発光色が異なる発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成する全ての層を作り分ける必要はなく、一部の層は同一工程で成膜することができる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を色ごとに島状に形成した後、犠牲層の少なくとも一部を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層（共通層と呼ぶ場合がある）と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を各色の発光デバイスに共通して（一つの膜として）形成する。例えば、キャリア注入層と、共通電極と、を各色の発光デバイスに共通して形成することができる。

　一方で、キャリア注入層は、ＥＬ層の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状に形成されたＥＬ層の一部の層の側面、または、画素電極の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極を各色の発光デバイスに共通して形成する場合についても、共通電極と、ＥＬ層の側面、または、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置は、少なくとも島状のＥＬ層の側面を覆う絶縁層を有する。また、当該絶縁層は、島状のＥＬ層の上面の一部を覆うことが好ましい。

　これにより、島状に形成されたＥＬ層の発光層より下の層、及び、島状に形成されたＥＬ層に覆われた画素電極が、キャリア注入層または共通電極と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　断面視において、当該絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。これにより、絶縁層上に設けられる共通層及び共通電極の段切れを防止することができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、または電極が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断されてしまう現象を示す。

　このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状のＥＬ層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、発光層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、発光層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に発光層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　また、隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばファインメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、本発明の一態様のフォトリソグラフィ法を用いた方法によれば、ガラス基板上のプロセスにおいて、例えば、隣り合う発光デバイスの間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、または隣り合う画素電極間の間隔を、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、または、０．５μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、Ｓｉ　Ｗａｆｅｒ上のプロセスにおいて、隣り合う発光デバイスの間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、または隣り合う画素電極間の間隔を、例えば、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。より具体的には、有機ＥＬデバイスを用い、開口率が１０％の表示装置の寿命を基準にした場合、開口率が２０％（すなわち、基準に対して開口率が２倍）の表示装置の寿命は約３．２５倍となり、開口率が４０％（すなわち、基準に対して開口率が４倍）の表示装置の寿命は約１０．６倍となる。このように、開口率の向上に伴い、同じ表示を得るために必要な有機ＥＬデバイスに流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることが可能となる。本発明の一態様の表示装置においては、開口率を向上させることが可能であるため表示装置の表示品位を向上させることが可能となる。さらに、表示装置の開口率の向上に伴い、表示装置の信頼性（特に寿命）を格段に向上させるといった、優れた効果を奏する。

　また、島状のＥＬ層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、ファインメタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えば島状のＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、ＥＬ層全体の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工するため、島状のＥＬ層を均一の厚さで形成することができる。したがって、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。また、表示装置の小型化及び軽量化を実現することができる。

　具体的には、本発明の一態様の表示装置の精細度は、例えば、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下とすることができる。

　また、青色などの比較的短波長の光を発する発光デバイスは、赤色などの比較的長波長の光を発する発光デバイスと比較して、輝度の劣化などが起こりやすい傾向が見られる。そこで本発明に係る表示装置では、青色の光を発する発光デバイスにタンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用することで、当該発光デバイス及び表示装置の信頼性の向上を図る。また、赤色の光を発する発光デバイスにシングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用することで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。また、緑色の光を発する発光デバイスは、適宜シングル構造、またはタンデム構造を選択して用いればよい。

　なお、本発明においては、少なくとも、信頼性の最も低い発光デバイスをタンデム構造にすればよく、これは、青色の発光デバイスに限られるものではない。例えば、緑色の発光デバイスの信頼性が最も低い場合は、青色の発光デバイスをシングル構造にし、緑色の発光デバイスをタンデム構造にする構成にしてもよい。

　タンデム構造に含まれる各発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。また、各発光ユニットは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。各発光ユニットの間には、電荷発生層（中間層ともいう）を設けることが好ましい。

　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の断面構造について主に説明し、本発明の一態様の表示装置の作製方法については、実施の形態４で詳述する。

　図１Ａに、表示装置１００の上面図（平面図ということもできる）を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０が配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。表示部には、複数の副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、及び副画素１１Ｂがマトリクス状に配置されている。図１Ａでは、２行６列分の副画素を示しており、これらによって２行２列の画素１１０が構成される。

　図１Ａに示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

　また、副画素を構成する回路レイアウトは、図１Ａに示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。例えば、副画素１１Ｒが有するトランジスタは、図１Ａに示す副画素１１Ｇの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１Ｒの範囲外に位置してもよい。

　図１Ａでは、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの開口率（サイズ、発光領域のサイズともいえる）を等しくまたは概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

　図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１Ａに示す画素１１０は、副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂの、３つの副画素から構成される。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素が挙げられる。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、などが挙げられる。

　本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図１Ａ参照）。図１Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

　図１Ａでは、上面視（平面視ということもできる）で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図１Ｂに、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図２Ａ乃至図３Ｃには、図１の変形例を示す。図４Ａ及び図４Ｂに、図１Ｂに示す断面図の一部の拡大図を示す。図５Ａ乃至図８Ｂには、図４Ａ及び図４Ｂの変形例を示す。図９Ａ乃至図１１Ｃに、図１Ｂの変形例を示す。図１２Ａ及び図１２Ｂに、図１Ａにおける一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。

　図１Ｂに示すように、表示装置１００には、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　図１Ｂでは、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図１Ｂでは、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。これらの絶縁層は、隣接する発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。図１Ｂ等では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。なお、絶縁層２５５ｃは、隣接する発光デバイスの間に凹部を有していなくてもよい。なお、トランジスタ上の絶縁層（絶縁層２５５ａ乃至絶縁層２５５ｃ）も、トランジスタを含む層１０１の一部とみなすことができる。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態６で後述する。

　発光デバイス１３０Ｒは、赤色（Ｒ）の光を発し、発光デバイス１３０Ｇは、緑色（Ｇ）の光を発し、発光デバイス１３０Ｂは、青色（Ｂ）の光を発する。

　なお、本明細書等における青色（Ｂ）の波長領域は、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満であり、青色（Ｂ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有するとする。また、緑色（Ｇ）の波長領域は、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満であり、緑色（Ｇ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有するとする。また、赤色（Ｒ）の波長領域は、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、赤色（Ｒ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有するとする。

　発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

　発光デバイスの構成及び材料については、実施の形態２を参照することができる。

　発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。なお、画素電極及び共通電極の、構成及び材料の詳細については、実施の形態２を参照することができる。

　発光デバイス１３０Ｒは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｒと、画素電極１１１Ｒ上の島状の層１１３Ｒと、島状の層１１３Ｒ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０Ｒにおいて、層１１３Ｒ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶ場合もある。

　発光デバイス１３０Ｇは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｇと、画素電極１１１Ｇ上の島状の層１１３Ｇと、島状の層１１３Ｇ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０Ｇにおいて、層１１３Ｇ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶ場合もある。

　発光デバイス１３０Ｂは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｂと、画素電極１１１Ｂ上の島状の層１１３Ｂと、島状の層１１３Ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０Ｂにおいて、層１１３Ｂ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶ場合もある。

　本明細書等では、発光デバイスが有するＥＬ層のうち、発光デバイスごとに島状に設けられた層を層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｒと示し、複数の発光デバイスが共通して有する層を共通層１１４と示す。なお、本明細書等において、共通層１１４を含めず、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂを指して、島状のＥＬ層、島状に形成されたＥＬ層などと呼ぶ場合もある。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、フォトリソグラフィ法により島状に加工されている。そのため、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、それぞれその端部において、上面と側面との成す角が９０°に近い形状となる。一方、ファインメタルマスクなどを用いて形成された有機膜は、その厚さが端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があり、例えば１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にわたって、上面がスロープ状に形成されるため、上面と側面の区別が困難な形状となる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、上面と側面の区別が明瞭となる。これにより、隣接する層１１３Ｒと層１１３Ｇにおいて、層１１３Ｒの側面の一部と、層１１３Ｇの側面の一部は、互いに対向して配置される。これは、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのうちいずれの組み合わせにおいても同様である。

　このように、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、互いに離隔されている。ＥＬ層を発光デバイスごとに島状に設けることで、隣接する発光デバイス間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのそれぞれの端部はテーパ形状を有することが好ましい。具体的には、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのそれぞれの端部はテーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。これらの画素電極の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極の側面に沿って設けられる層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂは、テーパ形状が反映される。画素電極の側面をテーパ形状とすることで、画素電極の側面に沿って設けられるＥＬ層の被覆性を高めることができる。

　なお、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂをまとめて画素電極１１１と呼ぶ場合がある。

　画素電極１１１を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（インジウムスズ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物（インジウム亜鉛酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ（アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（銀とパラジウムと銅の合金、ＡＰＣともいう）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。また、上記の金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜積層して、画素電極１１１を形成してもよい。

　また、図１Ｂ等において、絶縁層２５５ｃに設けられる凹部の形状の一部が、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのテーパ形状と、同等のテーパ角を有する構成を例示したが、これに限定されない。例えば、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのテーパ形状と、絶縁層２５５ｃに形成される凹部とのテーパ形状とは、異なっていてもよい。

　図１Ｂにおいて、画素電極１１１Ｒと層１１３Ｒとの間には、画素電極１１１Ｒの上面端部を覆う絶縁層（隔壁、バンク、スペーサなどともいう）が設けられていない。また、画素電極１１１Ｇと層１１３Ｇとの間には、画素電極１１１Ｇの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。また、画素電極１１１Ｂと層１１３Ｂとの間には、画素電極１１１Ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

　また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

　本実施の形態では、図１Ｂに示すように、発光デバイス１３０Ｂには、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用することが好ましい。タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、図１Ｂに示すように、発光デバイス１３０Ｒ、及び発光デバイス１３０Ｇには、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用することが好ましい。ただし、これに限られず、発光デバイス１３０Ｇにタンデム構造を適用する構成にしてもよい。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。

　青色の発光デバイスは、長波長の発光デバイス（例えば、赤色の発光デバイスなど）と比較して、信頼性の低下（輝度の劣化など）が起こりやすい傾向が見られる。そこで、本発明に係る表示装置では、発光デバイス１３０Ｂにタンデム構造を用いることで、発光デバイス１３０Ｂの信頼性の向上、及び当該表示装置の信頼性の向上を図る。また、発光デバイス１３０Ｒ、及び発光デバイス１３０Ｇは、シングル構造にすることで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。

　層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、少なくとも発光層を有する。層１１３Ｒは、赤色の光を発する発光層を有し、層１１３Ｇは、緑色の光を発する発光層を有する。言い換えると、層１１３Ｒは、赤色の光を発する発光材料を有し、層１１３Ｇは、緑色の光を発する発光材料を有する。

　また、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

　例えば、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

　また、例えば、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。

　このように、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。または、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。または、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　また、層１１３Ｂは、複数の発光ユニットと、電荷発生層と、を有する。各発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。ここで、発光デバイス１３０Ｂは、上記の通り、青色（Ｂ）の波長領域（４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満）に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する光を発することが好ましい。よって、層１１３Ｂに含まれる複数の発光層の少なくとも一が、上記青色（Ｂ）の波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する光を発することが好ましい。ただし、層１１３Ｂに含まれる複数の発光層の一または複数が、青色（Ｂ）の波長領域に発光スペクトルのピークを有さない光を発する構成にしてもよい。つまりに、層１１３Ｂに含まれる複数の発光層が発する光の重ね合わせで、上記の青色（Ｂ）の光が形成される構成にすればよい。ここで、層１１３Ｂに含まれる複数の発光層の少なくとも一が、青色の光を発する発光材料を有することが好ましい。

　また、各発光ユニットは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。また、電荷発生層は、各発光ユニットの間に設けることが好ましい。

　例えば、図１Ｂに示す、層１１３Ｂは、青色の光を発する発光ユニットを２層有する構造である。図１Ｂに示す、層１１３Ｂは、発光ユニット１１３Ｂ１、発光ユニット１１３Ｂ１上の電荷発生層１１３Ｂ２、及び、電荷発生層１１３Ｂ２上の発光ユニット１１３Ｂ３を有する。ここで、電荷発生層１１３ｂ２は、少なくとも電荷発生領域を有する。なお、以下の図面等において、発光ユニット１１３Ｂ１、電荷発生層１１３Ｂ２、及び、発光ユニット１１３Ｂ３をまとめて層１１３Ｂと表す場合がある。

　ここで、発光ユニット１１３Ｂ１の発光層、及び発光ユニット１１３Ｂ３の発光層は、同じ発光材料を用いてもよいし、異なる発光材料を用いてもよい。異なる発光材料を用いる場合には、発光ユニット１１３Ｂ１の発光層が発する光と、発光ユニット１１３Ｂ３の発光層が発する光の重ね合わせで、上記の青色（Ｂ）の光が形成されるよう、各発光ユニットの発光材料を選択すればよい。例えば、発光ユニット１１３Ｂ１の発光層、及び発光ユニット１１３Ｂ３の発光層の一方を青色を発する発光材料とし、他方を青緑色を発する発光材料とすることができる。

　また、例えば、発光ユニット１１３Ｂ１が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有し、発光ユニット１１３Ｂ３が、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有する構成にしてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、発光ユニット１１３Ｂ３の電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

　また、例えば、発光ユニット１１３Ｂ１が、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有し、発光ユニット１１３Ｂ３が、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有する構成にしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、発光ユニット１１３Ｂ３の正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。また、この場合、適宜電荷発生層１１３Ｂ２を設けることが好ましい。

　発光ユニット１１３Ｂ３は、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。または、発光ユニット１１３Ｂ３は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。または、発光ユニット１１３Ｂ３は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。発光ユニット１１３Ｂ３の表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を、それぞれの発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方と、を有することが好ましい。

　また、図３Ａに示すように、さらに、発光デバイス１３０Ｇをタンデム構造にする構成にしてもよい。発光デバイス１３０Ｇのタンデム構造は、発光デバイス１３０Ｂと同様に設けることができる。

　ここで、層１１３Ｇは、複数の発光ユニットと、電荷発生層と、を有する。各発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。ここで、発光デバイス１３０Ｇは、上記の通り、緑色（Ｇ）の波長領域（４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満）に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する光を発することが好ましい。よって、層１１３Ｇに含まれる複数の発光層の少なくとも一が、上記緑色（Ｇ）の波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する光を発することが好ましい。ただし、層１１３Ｇに含まれる複数の発光層の一または複数が、緑色（Ｇ）の波長領域に発光スペクトルのピークを有さない光を発する構成にしてもよい。つまりに、層１１３Ｇに含まれる複数の発光層が発する光の重ね合わせで、上記の緑色（Ｇ）の光が形成される構成にすればよい。ここで、層１１３Ｇに含まれる複数の発光層の少なくとも一が、緑色の光を発する発光材料を有することが好ましい。

　例えば、図３Ａに示す、層１１３Ｇは、発光ユニットを２層有する構造である。図３Ａに示す、層１１３Ｇは、発光ユニット１１３Ｇ１、発光ユニット１１３Ｇ１上の電荷発生層１１３Ｇ２、及び、電荷発生層１１３Ｇ２上の発光ユニット１１３Ｇ３を有する。ここで、電荷発生層１１３Ｇ２は、少なくとも電荷発生領域を有する。なお、以下の図面等において、発光ユニット１１３Ｇ１、電荷発生層１１３Ｇ２、及び、発光ユニット１１３Ｇ３をまとめて層１１３Ｇと表す場合がある。

　ここで、発光ユニット１１３Ｇ１の発光層、及び発光ユニット１１３Ｇ３の発光層は、同じ発光材料を用いてもよいし、異なる発光材料を用いてもよい。異なる発光材料を用いる場合には、発光ユニット１１３Ｇ１の発光層が発する光と、発光ユニット１１３Ｇ３の発光層が発する光の重ね合わせで、上記の緑色（Ｇ）の光が形成されるよう、各発光ユニットの発光材料を選択すればよい。

　また、例えば、発光ユニット１１３Ｇ１が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有し、発光ユニット１１３Ｇ３が、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有する構成にしてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、発光ユニット１１３Ｇ３の電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

　また、例えば、発光ユニット１１３Ｇ１が、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有し、発光ユニット１１３Ｇ３が、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有する構成にしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、発光ユニット１１３Ｇ３の正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。また、この場合、適宜電荷発生層１１３Ｇ２を設けることが好ましい。

　発光ユニット１１３Ｇ３は、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。または、発光ユニット１１３Ｇ３は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。または、発光ユニット１１３Ｇ３は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。発光ユニット１１３Ｇ３の表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を、それぞれの発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方と、を有することが好ましい。

　上記のように、発光デバイス１３０Ｇ及び発光デバイス１３０Ｂにタンデム構造を用いることで、発光デバイス１３０Ｇ及び発光デバイス１３０Ｂの信頼性の向上、及び当該表示装置の信頼性の向上を図る。また、発光デバイス１３０Ｒは、シングル構造にすることで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂに含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下がより好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がさらに好ましい。例えば、これらの化合物のガラス転移点（Ｔｇ）は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下がより好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がさらに好ましい。ただし、本発明において、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂに含まれる化合物の耐熱温度は、上記の範囲に限られるものではない。発光デバイスの設計に合わせて、含まれる化合物の耐熱温度が１００℃以下になるような、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂを用いることもできる。

　特に、発光層上に設けられる機能層の耐熱温度は高いことが好ましい。また、発光層上に接して設けられる機能層の耐熱温度は高いことがより好ましい。当該機能層の耐熱性が高いことで、発光層を効果的に保護することが可能となり、発光層が受けるダメージを低減することができる。

　また、発光層の耐熱温度は高いことが好ましい。これにより、加熱により発光層がダメージを受けて発光効率が低下すること、及び、寿命が短くなることを抑制できる。

　発光層は、発光物質（発光材料、発光性の有機化合物、ゲスト材料などともいう）と、有機化合物（ホスト材料などともいう）と、を有する。発光層は、発光物質に比べて、有機化合物が多く含まれるため、当該有機化合物のＴｇを発光層の耐熱温度の指標に用いることができる。

　図１Ｂに示すように、画素電極１１１Ｒの端部よりも層１１３Ｒの端部が外側に位置することが好ましい。図１Ｂに示すように、層１１３Ｒは、画素電極１１１Ｒの端部を覆う構成にすることで、画素電極の上面全体を発光領域とすることが可能となる。これにより、島状のＥＬ層の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることが容易となる。また、画素電極の側面をＥＬ層で覆うことで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光デバイスのショートを抑制することができる。

　また、上記のように、画素電極１１１Ｒの端部よりも層１１３Ｒの端部が外側に位置する構成にすることで、ＥＬ層の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、ＥＬ層の端部との距離を大きくできる。これにより、発光デバイスの特性のばらつきを抑制し、発光デバイスの信頼性向上を図ることができる。

　なお、上記においては、画素電極１１１Ｒと層１１３Ｒについて述べたが、画素電極１１１Ｇと層１１３Ｇ、及び、画素電極１１１Ｂと層１１３Ｂにおいても同様である。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂ上に設けられる共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂで共有されている。

　また、共通層１１４上の共通電極１１５は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図１２Ａ及び図１２Ｂ参照）。導電層１２３には、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。

　なお、図１２Ａでは、導電層１２３上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示す。接続部１４０には共通層１１４を設けなくてもよい。図１２Ｂでは、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、共通層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。

　また、図２Ａに示すように、画素電極１１１Ｒの端部、画素電極１１１Ｇの端部、及び画素電極１１１Ｂの端部をそれぞれ覆うように、絶縁層１３６を設ける構成にしてもよい。ここで、絶縁層１３６は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂ、それぞれの上面の少なくとも一部と重畳する領域に開口を有する。これにより、画素電極１１１Ｒの上面に層１１３Ｒが接し、画素電極１１１Ｇの上面に層１１３Ｇが接し、画素電極１１１Ｂの上面に層１１３Ｂが接する。このように、絶縁層１３６を設けることで、画素電極１１１Ｂの端部が、導電性の高い電荷発生層１１３Ｂ２に接してショートすることを抑制することができる。

　図２Ａに示すように、絶縁層１３６は、下面が絶縁層２５５ｃ、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂに接し、上面が層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂ、及び絶縁層１２５に接する。なお、図２Ａに示す断面図では、絶縁層１３６が、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、それぞれの近傍で分断されているようにみえるがこれに限られず、紙面奥行き方向で絶縁層１３６が一体になっていてもよい。

　絶縁層１３６は、無機絶縁膜、または有機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１３６に無機絶縁膜を用いる場合は、後述する絶縁層１２５に用いることができる無機絶縁膜を用いればよい。また、絶縁層１３６に有機絶縁膜を用いる場合は、後述する絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁膜を用いればよい。

　また、図２Ａでは、全ての画素電極の端部が絶縁層１３６に覆われる構成について示したが、本発明はこれに限られるものではない。図２Ｂに示すように、タンデム構造の発光デバイス１３０Ｂに設けられた、画素電極１１１Ｂの端部だけを覆うように絶縁層１３６を設けてもよい。このように絶縁層１３６を設けても、画素電極１１１Ｂの端部が、導電性の高い電荷発生層１１３Ｂ２に接してショートすることを抑制することができる。

　この場合、絶縁層１３６は、画素電極１１１Ｒ及び画素電極１１１Ｇに接しないように設けられることが好ましい。これにより、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇの開口率を下げることなく、絶縁層１３６を設けることができる。

　また、図３Ｂに示すように、発光デバイス１３０Ｇ及び発光デバイス１３０Ｂをタンデム構造にした場合も、図２Ａと同様に絶縁層１３６を設けることができる。これにより、画素電極１１１Ｂの端部が、導電性の高い電荷発生層１１３Ｂ２に接してショートすることを抑制し、且つ画素電極１１１Ｇの端部が、導電性の高い電荷発生層１１３Ｇ２に接してショートすることを抑制することができる。

　また、図３Ｃに示すように、発光デバイス１３０Ｇ及び発光デバイス１３０Ｂをタンデム構造にした場合も、画素電極１１１Ｂの端部、及び画素電極１１１Ｇの端部を覆うように絶縁層１３６を設けてもよい。このように絶縁層１３６を設けても、画素電極１１１Ｂの端部が、導電性の高い電荷発生層１１３Ｂ２に接してショートすることを抑制し、且つ画素電極１１１Ｇの端部が、導電性の高い電荷発生層１１３Ｇ２に接してショートすることを抑制することができる。

　この場合、絶縁層１３６は、画素電極１１１Ｒに接しないように設けられることが好ましい。これにより、発光デバイス１３０Ｒの開口率を下げることなく、絶縁層１３６を設けることができる。

　また、図１Ｂでは、発光デバイス１３０Ｒが有する層１１３Ｒ上には、犠牲層１１８Ｒが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する層１１３Ｇ上には、犠牲層１１８Ｇが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する層１１３Ｂ上には、犠牲層１１８Ｂが位置する。犠牲層は、発光領域と重なる部分に開口を有する。犠牲層１１８Ｂは、層１１３Ｂを加工する際に層１１３Ｂの上面に接して設けた犠牲層の一部が残存しているものである。同様に、犠牲層１１８Ｇは、層１１３Ｇの形成時、犠牲層１１８Ｒは、層１１３Ｒの形成時に、それぞれ設けた犠牲層の一部が残存しているものである。このように、本発明の一態様の表示装置は、その作製時にＥＬ層を保護するために用いる犠牲層が一部残存していてもよい。犠牲層１１８Ｒ、犠牲層１１８Ｇ、及び犠牲層１１８Ｂのいずれか２つ、または全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。なお、以下において、犠牲層１１８Ｒ、犠牲層１１８Ｇ、及び犠牲層１１８Ｂをまとめて、犠牲層１１８と呼ぶ場合がある。

　図１Ｂにおいて、犠牲層１１８Ｒの一方の端部（発光領域側とは反対側の端部、外側の端部）は、層１１３Ｒの端部と揃っている、または概略揃っており、犠牲層１１８Ｒの他方の端部は、層１１３Ｒ上に位置する。ここで、犠牲層１１８Ｒの他方の端部（発光領域側の端部、内側の端部）は、層１１３Ｒ及び画素電極１１１Ｒと重なることが好ましい。この場合、犠牲層１１８Ｒの他方の端部が層１１３Ｒの概略平坦な面に形成されやすくなる。なお、犠牲層１１８Ｇ及び犠牲層１１８Ｂについても同様である。また、犠牲層１１８は、例えば、島状に加工されたＥＬ層（層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｂ）の上面と、絶縁層１２５との間に残存する。犠牲層については、実施の形態４で詳述する。

　なお、端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの側面は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの側面と重なる。言い換えると、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、層１１３Ｒの側端部、層１１３Ｇの側端部、及び層１１３Ｂの側端部から選ばれた二つに挟まれるように設けられる。

　また、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部は、犠牲層１１８によって覆われている。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、犠牲層１１８を介して、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部と重なる。なお、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面としては、画素電極の上面と重なる平坦部の上面のみに限られず、画素電極の上面の外側に位置する傾斜部及び平坦部の上面を含むことができる。

　層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの上面の一部及び側面が、絶縁層１２５、絶縁層１２７、及び犠牲層１１８の少なくとも一つによって覆われていることで、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、及び、層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。特に層１１３Ｂの電荷発生層１１３Ｂ２は比較的導電性が高い層であるため、電荷発生層１１３Ｂ２の側面が、絶縁層１２５、絶縁層１２７、及び犠牲層１１８の少なくとも一つによって覆われていることが好ましい。上記のような構造を用いることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　なお、図１Ｂでは、層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂの膜厚を全て同じ厚さで示すが、本発明はこれに限られるものではない。層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂのそれぞれの膜厚は異なっていてもよい。例えば、層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂそれぞれの発する光を強める光路長に対応して膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、それぞれの発光デバイスにおける色純度を高めることができる。

　絶縁層１２５は、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの側面と接することが好ましい。絶縁層１２５が層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂと接する構成とすることで、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの膜剥がれを防止することができる。絶縁層１２５と層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、または層１１３Ｒとが密着することで、隣り合う層１１３Ｂなどが、絶縁層１２５によって固定される、または、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

　また、図１Ｂに示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂの上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＥＬ層の膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりをより高めることができる。

　図１Ｂでは、画素電極１１１Ｒの端部上に、層１１３Ｒ、犠牲層１１８Ｒ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する例を示す。同様に、画素電極１１１Ｇの端部上に、層１１３Ｇ、犠牲層１１８Ｇ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置し、画素電極１１１Ｂの端部上に、層１１３Ｂ、犠牲層１１８Ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する。

　図１Ｂでは、画素電極１１１Ｒの端部を層１１３Ｒが覆っており、絶縁層１２５が層１１３Ｒの側面と接する構成を示す。同様に、画素電極１１１Ｇの端部は層１１３Ｇで覆われており、画素電極１１１Ｂの端部は層１１３Ｂで覆われており、絶縁層１２５が層１１３Ｇの側面及び層１１３Ｂの側面と接している。

　絶縁層１２７は、絶縁層１２５の凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。

　絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間の空間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極など）の被形成面の高低差の大きい凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層及び共通電極などの被覆性を高めることができる。

　共通層１１４及び共通電極１１５は、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂ、犠牲層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられる領域と、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

　次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の材料の例について説明する。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

　絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリング）機能とする。

　絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

　また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層に不純物が混入し、ＥＬ層が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

　なお、絶縁層１２５と犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒには同じ材料を用いることができる。この場合、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒのいずれかと、絶縁層１２５との境界が不明瞭となり区別できない場合がある。よって、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒのいずれかと、絶縁層１２５とが、１つの層として確認される場合がある。つまり、１つの層が、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面に接して設けられ、絶縁層１２７が、当該１つの層の側面の少なくとも一部を覆っているように観察される場合がある。

　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の高低差の大きい凹凸を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５が形成される面の平坦性を向上させる効果を奏する。

　絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いることが好ましい。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

　また、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の有機樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

　絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。

　可視光を吸収する材料としては、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、または３色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色または黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

　次に、図４Ａ及び図４Ｂを用いて、絶縁層１２７とその近傍の構造について説明する。図４Ａは、発光デバイス１３０Ｒと発光デバイス１３０Ｇの間の絶縁層１２７とその周辺を含む領域の断面拡大図である。以下では、発光デバイス１３０Ｒと発光デバイス１３０Ｇの間の絶縁層１２７を例に挙げて説明するが、発光デバイス１３０Ｇと発光デバイス１３０Ｂの間の絶縁層１２７、及び発光デバイス１３０Ｂと発光デバイス１３０Ｒの間の絶縁層１２７などについても同様のことがいえる。また、図４Ｂは、図４Ａに示す、層１１３Ｇ上の絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。以下では、層１１３Ｇ上の絶縁層１２７の端部を例に挙げて説明する場合があるが、層１１３Ｂ上の絶縁層１２７の端部、及び層１１３Ｒ上の絶縁層１２７の端部などについても同様のことがいえる。

　図４Ａに示すように、画素電極１１１Ｒを覆って層１１３Ｒが設けられ、画素電極１１１Ｇを覆って層１１３Ｇが設けられる。層１１３Ｒの上面の一部に接して犠牲層１１８Ｒが設けられ、層１１３Ｇの上面の一部に接して犠牲層１１８Ｇが設けられる。犠牲層１１８Ｒの上面及び側面、層１１３Ｒの側面、絶縁層２５５ｃの上面、犠牲層１１８Ｇの上面及び側面、並びに層１１３Ｇの側面に接して、絶縁層１２５が設けられる。また、絶縁層１２５は、層１１３Ｒの上面の一部及び層１１３Ｇの上面の一部を覆う。絶縁層１２５の上面に接して絶縁層１２７が設けられる。また、絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、層１１３Ｒの上面の一部及び側面、並びに、層１１３Ｇの上面の一部及び側面と重なり、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部に接する。層１１３Ｒ、犠牲層１１８Ｒ、層１１３Ｇ、犠牲層１１８Ｇ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って共通層１１４が設けられ、共通層１１４の上に共通電極１１５が設けられる。

　また、絶縁層１２７は、２つの島状のＥＬ層の間の領域（例えば、図４Ａでは、層１１３Ｒと層１１３Ｇとの間の領域）に形成される。このとき、絶縁層１２７の少なくとも一部が、一方のＥＬ層（例えば、図４Ａでは、層１１３Ｒ）の側端部と、もう一方のＥＬ層（例えば、図４Ａでは、層１１３Ｇ）の側端部に挟まれる位置に配置されることになる。このような絶縁層１２７を設けることで、島状のＥＬ層及び絶縁層１２７上に形成される共通層１１４及び共通電極１１５に、分断箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。

　絶縁層１２７は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ１は、絶縁層１２７の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、層１１３Ｇの平坦部の上面、または画素電極１１１Ｇの平坦部の上面と、絶縁層１２７の側面がなす角としてもよい。

　絶縁層１２７のテーパ角θ１は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。絶縁層１２７の端部をこのような順テーパ形状にすることで、絶縁層１２７上に設けられる共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜でき、段切れ、または局所的な薄膜化などが生じることを抑制できる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５の面内均一性を向上させることができ、表示装置の表示品位を向上させることができる。

　また、図４Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、絶縁層１２７上面の中央部の凸曲面部が、端部のテーパ部に連続的に接続される形状であることが好ましい。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上全体で、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　図４Ｂに示すように、絶縁層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

　絶縁層１２５は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ２は、絶縁層１２５の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、層１１３Ｇの平坦部の上面、または画素電極１１１Ｇの平坦部の上面と、絶縁層１２５の側面がなす角としてもよい。

　絶縁層１２５のテーパ角θ２は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。

　犠牲層１１８Ｇは、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ３のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ３は、犠牲層１１８Ｇの側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、層１１３Ｇの平坦部の上面、または画素電極１１１Ｇの平坦部の上面と、絶縁層１２７の側面がなす角としてもよい。

　犠牲層１１８Ｇのテーパ角θ３は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。犠牲層１１８Ｇをこのような順テーパ形状にすることで、犠牲層１１８Ｇ上に設けられる、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　犠牲層１１８Ｂの端部及び犠牲層１１８Ｇの端部は、それぞれ、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

　実施の形態４で詳述するが、絶縁層１２５と犠牲層１１８のエッチング処理を一度に行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及び犠牲層１１８が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。そのため、エッチング処理を２回に分けて行い、２回のエッチングの間に加熱処理を行うことで、１回目のエッチング処理で空洞が形成されても、当該加熱処理によって絶縁層１２７が変形し、当該空洞を埋めることができる。また、２回目のエッチング処理では厚さが薄い膜をエッチングすることになるため、サイドエッチングされる量が少なくなり、空洞が形成されにくく、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。そのため、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、共通層１１４及び共通電極１１５が段切れすることを抑制できる。このようにエッチング処理を２回行うことから、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれ異なる角度となる場合がある。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３は同じ角度であってもよい。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれテーパ角θ１よりも小さい角度となる場合がある。

　絶縁層１２７は、犠牲層１１８Ｒの側面の少なくとも一部、及び、犠牲層１１８Ｇの側面の少なくとも一部を覆うことがある。例えば、図４Ｂでは、絶縁層１２７が、１回目のエッチング処理によって形成された犠牲層１１８Ｇの端部に位置する傾斜面を接して覆い、２回目のエッチング処理によって形成された犠牲層１１８Ｇの端部に位置する傾斜面は露出している例を示す。この２つの傾斜面はテーパ角が異なることから区別できることがある。また、２回のエッチング処理で形成される側面のテーパ角にほとんど差がなく、区別できないこともある。

　また、図５Ａ及び図５Ｂには、絶縁層１２７が、犠牲層１１８Ｒの側面全体、及び、犠牲層１１８Ｇの側面全体を覆う例を示す。具体的には、図５Ｂにおいて、絶縁層１２７は、上記の２つの傾斜面の双方に接して覆っている。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸をより低減することができ好ましい。図５Ｂでは、絶縁層１２７の端部が、犠牲層１１８Ｇの端部よりも外側に位置する例を示す。絶縁層１２７の端部は、図４Ｂに示すように、犠牲層１１８Ｇの端部の内側に位置していてもよく、犠牲層１１８Ｇの端部と揃っている、または概略揃っていてもよい。また、図５Ｂに示すように、絶縁層１２７は、層１１３Ｇと接することがある。

　図５Ｂにおいても、テーパ角θ１乃至テーパ角θ３はそれぞれ、上記の範囲であると好ましい。

　また、図６Ａ及び図６Ｂには、絶縁層１２７が側面に凹曲面形状（くびれた部分、凹部、へこみ、くぼみなどともいう）を有する例を示す。絶縁層１２７の材料及び形成条件（加熱温度、加熱時間、及び加熱雰囲気など）によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。

　図６Ａは、絶縁層１２７が犠牲層１１８Ｇの側面の一部を覆い、犠牲層１１８Ｇの側面の残りの部分が露出している例を示す。図６Ｂは、絶縁層１２７が、犠牲層１１８Ｒの側面全体、及び、犠牲層１１８Ｇの側面全体に接して覆っている例である。

　また、図４乃至図６に示すように、絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１Ｒの上面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１Ｇの上面と重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層１２７の端部を層１１３Ｒ及び層１１３Ｇの概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層１２７、絶縁層１２５、及び犠牲層１１８のテーパ形状を形成することがそれぞれ比較的容易になる。また、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、層１１３Ｒ、及び層１１３Ｇの膜剥がれを抑制することができる。一方で、画素電極の上面と絶縁層１２７とが重なる部分が小さいほど発光デバイスの発光領域が広くなり、開口率を高めることができ、好ましい。

　なお、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重ならなくてもよい。図７Ａに示すように、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重ならず、絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１Ｒの側面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１Ｇの側面と重っていてもよい。また、図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、画素電極と重ならず、画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｇとに挟まれた領域に、設けられていてもよい。図７Ａ及び図７Ｂでは、層１１３Ｒ及び層１１３Ｇの上面のうち、画素電極の上面の外側に位置する傾斜部及び平坦部の上面の一部または全部が、犠牲層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７によって覆われている。このような構成であっても、犠牲層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を設けない構成に比べて、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

　また、図８Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は平坦部を有していてもよい。

　また、図８Ｂに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凹曲面形状を有していてもよい。図８Ｂにおいて、絶縁層１２７の上面は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状、つまり凸曲面を有し、かつ、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する。また、図８Ｂにおいて、絶縁層１２７上面の凸曲面部は、端部のテーパ部に連続的に接続される形状である。絶縁層１２７がこのような形状であっても、絶縁層１２７上全体で、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

　図８Ｂに示すような絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とするには、多階調マスク（代表的にはハーフトーンマスク、またはグレートーンマスク）を用いて露光する方法が適用できる。なお、多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分の３つの露光レベルで露光を行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。１枚のフォトマスク（一度の露光及び現像工程）により、複数（代表的には二種類）の厚さの領域を有する絶縁層１２７を形成することが可能である。

　なお、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を形成する方法としては、上記に限定されない。例えば、２枚のフォトマスクを用いて、露光部分と、中間露光部分と、を分けて作製してもよい。または、絶縁層１２７に用いる樹脂材料の粘度を調整してもよく、具体的には、絶縁層１２７に用いる材料の粘度を１０ｃＰ以下、好ましくは１ｃＰ以上５ｃＰ以下としてもよい。

　なお、図示していないが、絶縁層１２７の中央部の凹曲面は、必ずしも連続している必要はなく、隣接する発光デバイスの間で途切れていてもよい。この場合、図８Ｂに示す絶縁層１２７の中央部において、絶縁層１２７の一部が消失し、絶縁層１２５の表面が露出する構成となる。当該構成とする場合においては、共通層１１４及び共通電極１１５が被覆できるような形状とすればよい。

　上記のように、図４乃至図８に示す各構成では、絶縁層１２７、絶縁層１２５、犠牲層１１８Ｒ、及び犠牲層１１８Ｇを設けることにより、層１１３Ｒの概略平坦な領域から層１１３Ｇの概略平坦な領域まで、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性高く形成することができる。そして、共通層１１４及び共通電極１１５に分断された箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。よって、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の具体例は、絶縁層１２５の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（インジウムガリウム亜鉛酸化物、ＩＧＺＯ）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水及び酸素等）がＥＬ層側に入り込むことを抑制できる。

　さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料としては、例えば、絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料などが挙げられる。

　保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　図９Ａ乃至図９Ｃに示すように、表示装置にはレンズアレイ１３３を設けてもよい。レンズアレイ１３３は、発光デバイスに重ねて設けることができる。

　図９Ａ及び図９Ｂでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に、保護層１３１を介してレンズアレイ１３３を設ける例を示す。発光デバイスを形成した基板に、直接、レンズアレイ１３３を形成することで、発光デバイスと、レンズアレイと、の位置合わせの精度を高めることができる。

　図９Ｃは、レンズアレイ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０にレンズアレイ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　図９Ｂでは、保護層１３１として平坦化機能を有する層を用いる例を示すが、図９Ａ及び図９Ｃに示すように、保護層１３１は平坦化機能を有していなくてもよい。例えば、保護層１３１に有機膜を用いることで、保護層１３１の上面を平坦にすることができる。また、図９Ａ及び図９Ｃに示す保護層１３１は、例えば、無機膜を用いることで形成できる。

　レンズアレイ１３３は、凸面が基板１２０側を向いていてもよく、発光デバイス側を向いていてもよい。

　レンズアレイ１３３は、無機材料及び有機材料の少なくとも一方を用いて形成することができる。例えば、樹脂を含む材料をレンズに用いることができる。また、酸化物及び硫化物の少なくとも一方を含む材料をレンズに用いることができる。レンズアレイ１３３としては、例えば、マイクロレンズアレイを用いることができる。レンズアレイ１３３は、基板上または発光デバイス上に直接形成してもよく、別途形成されたレンズアレイを貼り合わせてもよい。

　図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、表示装置には着色層を設けてもよい。例えば、赤色の発光デバイス１３０Ｒと重ねて、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒを設け、緑色の発光デバイス１３０Ｇと重ねて、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇを設け、青色の発光デバイス１３０Ｂと重ねて、青色の光を透過する着色層１３２Ｂを設けることができる。例えば、赤色の発光デバイス１３０Ｒから射出される不要な波長の光を、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒを用いて、遮光することができる。このような構成とすることで、各発光デバイスから射出される光の色純度をさらに高めることができる。なお、上記においては、赤色の発光デバイスについて、記載したが、緑色の発光デバイス１３０Ｇ及び着色層１３２Ｇの組み合わせ、並びに、青色の発光デバイス１３０Ｂ及び着色層１３２Ｂの組み合わせにおいても同様の効果を奏する。

　発光デバイスと重ねて着色層を設けることで、外光反射を大きく低減でき、好ましい。また、発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、外光反射をより低減することができる。このように、着色層及びマイクロキャビティ構造の一方、好ましくは双方を適用することで、表示装置に円偏光板などの光学部材を用いなくても、外光反射を十分に抑制できる。表示装置に円偏光板を用いないことで、発光デバイスの発光が減衰されることを抑制でき、発光デバイスの光取り出し効率を高めることができる。これにより、表示装置の消費電力を低減することができる。

　また、異なる色の着色層が互いに重なる部分を有することが好ましい。異なる色の着色層が互いに重なる領域は、遮光層として機能させることができる。これにより、さらに外光反射を低減することができる。

　図１０Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に、保護層１３１を介して着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設ける例を示す。発光デバイスを形成した基板に、直接、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを形成することで、発光デバイスと、着色層と、の位置合わせの精度を高めることができる。また、発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。

　図１０Ａに示すように、着色層は、平坦化機能を有する保護層１３１上に設けられることが好ましい。着色層を平坦性の高い面に形成することで、被形成面に依存した凹凸が着色層に形成されることを抑制できる。これにより、発光デバイスの発光の一部が、着色層の凹凸で乱反射されることを抑制し、表示装置の表示品位の向上を図ることができる。例えば、保護層１３１は、共通電極１１５上の無機絶縁膜と、無機絶縁膜上の有機絶縁膜と、を有することが好ましい。

　図１０Ｂは、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０に着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　図１１Ａ乃至図１１Ｃに示すように、表示装置には、着色層とレンズアレイの双方を設けてもよい。

　図１１Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に、保護層１３１を介して、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ上に絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４上にレンズアレイ１３３を設ける例を示す。発光デバイスを形成した基板に、直接、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズアレイ１３３を形成することで、発光デバイスと、着色層またはレンズアレイと、の位置合わせの精度を高めることができる。

　絶縁層１３４には無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いることができる。絶縁層１３４は、単層構造であっても積層構造であってもよい。絶縁層１３４としては、例えば、保護層１３１に用いることができる材料を適用できる。発光デバイスの発光は、絶縁層１３４を介して取り出されるため、絶縁層１３４は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。

　図１１Ａでは、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。なお、発光デバイス上にレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３上に着色層を設けてもよい。

　図１１Ｂは、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズアレイ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、及び、レンズアレイ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　図１１Ｂでは、基板１２０に接して着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂに接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接してレンズアレイ１３３を設ける例を示す。

　図１１Ｂでは、発光デバイスの発光は、レンズアレイ１３３を透過した後、着色層を透過して、表示装置の外部に取り出される。なお、基板１２０に接してレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３に接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接して着色層を設けてもよい。この場合、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。なお、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、レンズアレイ１３３と、隣接するレンズアレイ１３３との間に、２色の着色層が重なる領域が設けられると好適である。異なる色の着色層が重なる領域を設けることで、発光デバイスの発光の混色を抑制することができる。

　図１１Ｃでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に、保護層１３１を介して、レンズアレイ１３３を設け、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び、着色層１３２Ｂが設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によってレンズアレイ１３３上及び保護層１３１上に貼り合わされている例である。

　図１１Ｃとは異なり、レンズアレイ１３３を基板１２０に設け、着色層を保護層１３１上に直接形成してもよい。このように、レンズアレイ及び着色層の一方を保護層１３１上に設け、他方を基板１２０に設けてもよい。

　図１１Ａ及び図１１Ｂでは、保護層１３１として平坦化機能を有する層を用いる例を示すが、図１１Ｃに示すように、保護層１３１は平坦化機能を有していなくてもよい。例えば、保護層１３１に有機膜を用いることで、保護層１３１の上面を平坦にすることができる。また、図１１Ｃに示す保護層１３１は、例えば、無機膜を用いることで形成できる。

　図１３Ａに、図１Ａとは異なる表示装置１００の上面図を示す。図１３Ａに示す画素１１０は、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｓの、４種類の副画素から構成される。

　副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｓは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。例えば、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｓとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの４つの副画素などが挙げられる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイスを有していてもよい。

　図１３Ａに示す画素１１０が有する４つの副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

　受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

　受光デバイスは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出することができる。可視光を検出する場合、例えば、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの色のうち一つまたは複数の光を検出することができる。赤外光を検出する場合、暗い場所でも対象物の検出が可能となり、好ましい。

　特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

　本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。

　受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

　受光デバイスの構成及び材料については、実施の形態３を参照することができる。

　図１３Ｂに、図１３Ａにおける一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を示す。なお、図１３Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図は、図１Ｂを参照でき、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図は、図１２Ａまたは図１２Ｂを参照できる。

　図１３Ｂに示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｂ及び受光デバイス１５０が設けられ、発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられ、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスと受光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　図１３Ｂでは、発光デバイス１３０Ｒ及び発光デバイス１３０Ｂが、基板１２０側に発する光（光Ｒ及び光Ｂ参照）、受光デバイス１５０に、基板１２０側から入射する光（光Ｌｉｎ参照）の例を示す。

　発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｂの構成は、前述の通りである。

　受光デバイス１５０は、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｓと、画素電極１１１Ｓ上の層１１３Ｓと、層１１３Ｓ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。層１１３Ｓは少なくとも活性層を含む。

　ここで、層１１３Ｓは、少なくとも活性層を含み、好ましくは複数の機能層を有する。例えば、機能層として、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。また、活性層上に１層以上の層を有することが好ましい。活性層と犠牲層との間に他の層を有することで、表示装置の作製工程中に活性層が最表面に露出することを抑制し、活性層が受けるダメージを低減することができる。これにより、受光デバイス１５０の信頼性を高めることができる。したがって、層１１３Ｓは、活性層と、活性層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）、もしくはキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。

　層１１３Ｓは、受光デバイス１５０に設けられ、発光デバイスには設けられない層である。ただし、層１１３Ｓに含まれる活性層以外の機能層は、層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂに含まれる発光層以外の機能層と同じ材料を有する場合がある。一方、共通層１１４は、発光デバイスと受光デバイスが共有する一続きの層である。

　ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。例えば、正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

　層１１３Ｓは、層１１３Ｒなどと同様に、画素電極１１１Ｓを覆って設けられ、画素電極１１１Ｓの周囲の絶縁層２５５ｃと接することが好ましい。

　層１１３Ｒと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８Ｒが位置し、層１１３Ｓと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８Ｓが位置する。犠牲層１１８Ｒは、層１１３Ｒを加工する際に層１１３Ｒ上に設けた犠牲層の一部が残存しているものである。また、犠牲層１１８Ｓは、活性層を含む層である層１１３Ｓを加工する際に層１１３Ｓの上面に接して設けた犠牲層の一部が残存しているものである。犠牲層１１８Ｂと犠牲層１１８Ｓは同じ材料を有していてもよく、異なる材料を有していてもよい。

　図１３Ａでは、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂに比べて副画素１１Ｓの開口率（サイズ、発光領域または受光領域のサイズともいえる）が大きい例を示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｓの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｓの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

　副画素１１Ｓは、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの少なくとも一つよりも開口率が高くてもよい。副画素１１Ｓの受光面積が広いことで、対象物の検出をより容易にできる場合がある。例えば、表示装置の精細度、及び、副画素の回路構成等によっては、副画素１１Ｓの開口率が、他の副画素の開口率に比べて高くなる場合がある。

　また、副画素１１Ｓは、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの少なくとも一つよりも開口率が低くてもよい。副画素１１Ｓの受光面積が狭いと、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、高精細または高解像度の撮像を行うことができ、好ましい。

　このように、副画素１１Ｓは、用途に合った検出波長、精細度、及び、開口率とすることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスごとにＥＬ層が島状に設けられていることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、少なくとも青色の光を発する発光デバイスに、タンデム構造を適用する。このような構成にすることで、輝度の劣化などが起こりやすい青色の発光デバイスの信頼性を向上させることができる。また、青色の発光デバイスの信頼性を向上させることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、赤色の発光デバイスをシングル構造にすることで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。

　また、隣り合う島状のＥＬ層の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層を設けることで、共通電極の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、共通層及び共通電極において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスの構成例について説明する。

　図１４Ａに、表示装置５００の断面概略図を示す。表示装置５００は、赤色の光を発する発光デバイス５５０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス５５０Ｇ、及び青色の光を発する発光デバイス５５０Ｂを有する。

　発光デバイス５５０Ｒは、一対の電極（電極５０１及び電極５０２）の間に、１つの発光ユニット５１２Ｒ＿１が設けられた構成を有する。同様に、発光デバイス５５０Ｇは、１つの発光ユニット５１２Ｇ＿１が設けられた構成を有する。発光デバイス５５０Ｂは、一対の電極の間に、発光ユニット５１２Ｂ＿１、電荷発生層５３１、及び発光ユニット５１２Ｂ＿２が設けられた構成を有する。つまり、表示装置５００は、図１Ｂに示す表示装置１００などと同様に、発光デバイス５５０Ｒ、及び発光デバイス５５０Ｇがシングル構造であり、発光デバイス５５０Ｂがタンデム構造である。

　電極５０１は、画素電極として機能し、発光デバイス毎に設けられる。電極５０２は、共通電極として機能し、複数の発光デバイスに共通に設けられる。

　図１４Ａに示すように、発光ユニット５１２Ｂ＿１は、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｂ、及び層５２４を有する。発光ユニット５１２Ｂ＿２は、層５２２、発光層５２３Ｂ、及び層５２４を有する。また、発光ユニット５１２Ｒ＿１は、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｒ、及び層５２４を有する。また、発光ユニット５１２Ｇ＿１は、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｇ、及び層５２４を有する。

　また、発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニット５１２Ｂ＿２と、電極５０２と、の間に、層５２５を有する。発光デバイス５５０Ｒは、発光ユニット５１２Ｒ＿１と、電極５０２と、の間に、層５２５を有する。発光デバイス５５０Ｇは、発光ユニット５１２Ｇ＿１と、電極５０２と、の間に、層５２５を有する。このように、層５２５を、電極５０２と同様に、複数の発光デバイスが共有する構成にすることができる。このとき、層５２５を共通層と呼ぶことができる。このように、複数の発光デバイスの間に１以上の共通層を設けることで、作製工程を簡略化できるため、製造コストを低減することができる。

　なお、上記に限られず、層５２５を、発光デバイス５５０Ｒ、５５０Ｇ、５５０Ｂのそれぞれに設ける構成にしてもよい。この場合、なお、層５２５を発光ユニット５１２Ｂ＿２、発光ユニット５１２Ｒ＿１、及び発光ユニット５１２Ｇ＿１の一部とみなすこともできる。

　電極５０１が陽極として機能し、電極５０２が陰極として機能する場合、層５２１は、例えば、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。また、層５２２は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）及び電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一方または双方を有する。また、層５２４は、例えば、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）及び正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一方または双方を有する。また、層５２５は、例えば、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）を有する。

　なお、電極５０１が陽極として機能する場合、電極５０１はアノード電位が与えられた配線（以下、アノード配線という。）と電気的に接続される。ここで、発光デバイス５５０Ｒ、５５０Ｇ、５５０Ｂのそれぞれの電極５０１に共通のアノード配線が電気的に接続される構成にしてもよい。また、シングル構造の発光デバイス５５０Ｒ、５５０Ｇの電極５０１と、タンデム構造の発光デバイス５５０Ｂの電極５０１とで、異なる系統のアノード配線が接続される構成にしてもよい。

　電極５０１が陰極として機能し、電極５０２が陽極として機能する場合、例えば、層５２１は電子注入層を有し、層５２２は電子輸送層及び正孔ブロック層のうち一方または双方を有し、層５２４は正孔輸送層及び電子ブロック層のうち一方または双方を有し、層５２５は正孔注入層を有する。

　なお、層５２２、発光層５２３Ｂ、及び、層５２４は、それぞれ、発光ユニット５１２Ｂ＿１と発光ユニット５１２Ｂ＿２とで同一の構成（材料、膜厚など）であってもよく、異なる構成であってもよい。例えば、発光ユニット５１２Ｂ＿１の発光層５２３Ｂに青色の光を発する発光材料を用い、発光ユニット５１２Ｂ＿２の発光層５２３Ｂに青緑色の光を発する発光材料を用いる構成にしてもよい。

　なお、図１４Ａにおいては、層５２１と、層５２２と、を分けて明示したがこれに限定されない。例えば、層５２１が正孔注入層と、正孔輸送層との双方の機能を有する構成とする場合、あるいは層５２１が電子注入層と、電子輸送層との双方の機能を有する構成とする場合においては、層５２２を省略してもよい。

　タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層５３１を介して積層される。電荷発生層５３１は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層５３１は、電極５０１と電極５０２との間に電圧を印加したときに、発光ユニット５１２Ｂ＿１及び発光ユニット５１２Ｂ＿２のうち、一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　発光デバイス５５０Ｒが有する発光層５２３Ｒは、赤色の発光を示す発光物質（発光材料ともいう）を有し、発光デバイス５５０Ｇが有する発光層５２３Ｇは緑色の発光を示す発光物質を有し、発光デバイス５５０Ｂが有する発光層５２３Ｂは、青色の発光を示す発光物質を有する。なお、発光デバイス５５０Ｒ及び発光デバイス５５０Ｇは、それぞれ、発光デバイス５５０Ｂの発光ユニット５１２Ｂ＿１が有する発光層５２３Ｂを、発光層５２３Ｒまたは発光層５２３Ｇに置き換えた構成を有し、そのほかの構成は、発光デバイス５５０Ｂと同様である。

　なお、層５２１、層５２２、層５２４、及び、層５２５は、それぞれ、２色以上または全ての色の発光デバイスで同一の構成（材料、膜厚など）であってもよく、全ての色の発光デバイスで異なる構成であってもよい。

　発光デバイス５５０Ｂのように、複数の発光ユニットが電荷発生層５３１を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。一方、発光デバイス５５０Ｒ及び発光デバイス５５０Ｇのように、一対の電極間に一つの発光ユニットを有する構成を、シングル構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、少なくとも青色の光を発する発光デバイス５５０Ｂに、タンデム構造を適用する。このような構成にすることで、輝度の劣化などが起こりやすい青色の発光デバイスの信頼性を向上させることができる。また、青色の発光デバイス５５０Ｂの信頼性を向上させることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、赤色の発光デバイス５５０Ｒをシングル構造にすることで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。

　また、発光デバイス５５０Ｒ、発光デバイス５５０Ｇ、及び発光デバイス５５０Ｂは、発光デバイスごとに少なくとも発光層を作り分けるＳＢＳ構造である。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上、信頼性の向上を図ることが容易となる。

　本発明の一態様の表示装置５００は、タンデム構造の発光デバイスが適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。なお、図１４Ａに示す表示装置５００における発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニットが直列に２段形成された構造であるため、２段タンデム構造と呼称してもよい。また、図１４Ａに示す２段タンデム構造の発光デバイス５５０Ｂにおいては、青色の発光層を有する第１の発光ユニットの上に、青色の発光層を有する第２の発光ユニットが積層された構造となる。

　また、図１４Ｂに示すように、さらに、発光デバイス５５０Ｇをタンデム構造にする構成にしてもよい。発光デバイス５５０Ｇは、発光デバイス５５０Ｂと同様に、発光ユニット５１２Ｇ＿１が、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｇ、及び層５２４を有し、且つ発光ユニット５１２Ｇ＿２が、層５２２、発光層５２３Ｇ、及び層５２４を有する。また、発光ユニット５１２Ｇ＿１と発光ユニット５１２Ｇ＿２は、電荷発生層５３１を介して積層される。

　図１５Ａに示す表示装置５００は、発光デバイス５５０Ｂにおいて、３つの発光ユニットを積層した場合の例である。図１５Ａにおいて、発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニット５１２Ｂ＿２上にさらに電荷発生層５３１を介して発光ユニット５１２Ｂ＿３が積層されている。発光ユニット５１２Ｂ＿３は、発光ユニット５１２Ｂ＿２と同様の構成を有する。なお、発光デバイスが複数の電荷発生層５３１を有する場合、複数の電荷発生層５３１の２つ以上または全てが同一の構成（材料、膜厚など）であってもよく、全てが異なる構成であってもよい。また、図１５Ａにおいて、発光デバイス５５０Ｇをシングル構造にしているが、これに限られず、発光デバイス５５０Ｇを２段または３段のタンデム構造にしてもよい。

　図１５Ｂでは、発光デバイス５５０Ｂにおいて、ｎ個の発光ユニット（ｎは２以上の整数）を積層した場合の例を示している。また、図１５Ｂにおいて、発光デバイス５５０Ｇをシングル構造にしているが、これに限られず、発光デバイス５５０Ｇを２段以上のタンデム構造にしてもよい。

　このように、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ電流量で発光デバイスから得られる輝度を、積層数に応じて高めることができる。また、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、発光デバイスの消費電力を、積層数に応じて低減することができる。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　電極５０１と電極５０２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と当該反射層と最も近い発光ユニットとの間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、発光デバイスの発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、マグネシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（インジウムスズ酸化物、ＩＴＯ）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物（インジウム亜鉛酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。また、上記の金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜積層して、発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成してもよい。

　例えば、電極５０１を画素電極として用いる場合は、電極５０１として、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜、ＩＴＯ膜の順に積層された、積層導電膜を用いてもよい。また、電極５０１として、ＡＰＣ膜、ＩＴＯ膜の積層された、積層導電膜を用いてもよい。また、例えば、電極５０２を共通電極として用いる場合は、マグネシウムとアルミニウムの合金膜、ＩＴＯ膜の順に積層された積層導電膜を用いてもよい。なお、上記において、ＩＴＯ膜の代わりにＩＴＳＯ膜を用いる構成にしてもよい。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）であることが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）であることが好ましい。言い換えると、電極５０１と電極５０２のうち、光を取り出す側の電極には、半透過・半反射電極を用い、光を取り出さない側の電極には、反射電極を用いることが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　また、半透過・半反射電極の発光層側、または反射電極の発光層側に、可視光を透過する導電膜を設ける構成にしてもよい。ここで、可視光を透過する導電膜は光学調整層として機能する。この場合、可視光を透過する導電膜は、画素電極または共通電極としての機能を有するともいうことができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及び、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような波長の発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

　アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を、発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　また、電子注入性の高い材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下である）ことが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　なお、図１４及び図１５に示す表示装置５００において、発光層の発光材料は特に限定されない。例えば、図１４Ｂにおいて、発光デバイス５５０Ｒが有する発光層５２３Ｒは、燐光材料を有し、発光デバイス５５０Ｇが有する２つの発光層５２３Ｇは、それぞれ、蛍光材料を有し、発光デバイス５５０Ｂが有する２つの発光層５２３Ｂは、それぞれ、蛍光材料を有する構成とすることができる。

　または、例えば、図１４Ｂにおいて、発光デバイス５５０Ｒが有する発光層５２３Ｒは、燐光材料を有し、発光デバイス５５０Ｇが有する２つの発光層５２３Ｇは、それぞれ、燐光材料を有し、発光デバイス５５０Ｂが有する２つの発光層５２３Ｂは、それぞれ、蛍光材料を有する構成とすることができる。

　また、本発明の一態様の表示装置には、発光デバイス５５０Ｒ、５５０Ｇ、５５０Ｂが有する全ての発光層に蛍光材料を用いる構成、または、発光デバイス５５０Ｒ、５５０Ｇ、５５０Ｂが有する全ての発光層に燐光材料を用いる構成を適用してもよい。

　また、図１４Ａにおいて、発光ユニット５１２Ｂ＿１が有する発光層５２３Ｂに燐光材料を用い、発光ユニット５１２Ｂ＿２が有する発光層５２３Ｂに蛍光材料を用いる構成、または、発光ユニット５１２Ｂ＿１が有する発光層５２３Ｂに蛍光材料を用い、発光ユニット５１２Ｂ＿２が有する発光層５２３Ｂに燐光材料を用いる構成、すなわち、１段目の発光層と２段目の発光層とで、異なる発光材料を用いる構成を適用してもよい。なお、ここでの記載については、発光ユニット５１２Ｂ＿１、及び発光ユニット５１２Ｂ＿２について明示したが、発光ユニット５１２Ｇ＿１、及び発光ユニット５１２Ｇ＿２についても同様の構成を適用することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる受光デバイスと、受発光機能を有する表示装置と、について説明する。

［受光デバイス］
　図１６Ａに示すように、受光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に層７６５を有する。層７６５は、少なくとも１層の活性層を有し、さらに他の層を有していてもよい。

　また、図１６Ｂは、図１６Ａに示す受光デバイスが有する層７６５の変形例である。具体的には、図１６Ｂに示す受光デバイスは、下部電極７６１上の層７６６と、層７６６上の活性層７６７と、活性層７６７上の層７６８と、層７６８上の上部電極７６２と、を有する。

　活性層７６７は、光電変換層として機能する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７６６は、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一方または双方を有する。また、層７６８は、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一方または双方を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７６６と層７６８は互いに上記と逆の構成になる。

　次に、受光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　受光デバイスが有する活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

　活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ_６０フラーレン、Ｃ_７０フラーレン等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレン誘導体としては、例えば、［６，６］−フェニル−Ｃ_７１−酪酸メチルエステル（略称：ＰＣ７１ＢＭ）、［６，６］−フェニル−Ｃ_６１−酪酸メチルエステル（略称：ＰＣ６１ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−テトラヒドロ−ジ［１，４］メタノナフタレノ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］フラーレン−Ｃ_６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

　また、ｎ型半導体の材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ−ＰＴＣＤＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体、及び、２，２’−（５，５’−（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル）ビス（チオフェン−５，２−ジイル））ビス（メタン−１−イル−１−イリデン）ジマロノニトリル（略称：ＦＴ２ＴＤＭＮ）が挙げられる。

　また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、及び、キノン誘導体等が挙げられる。

　活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（略称：ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（略称：ＺｎＰｃ）、スズ（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＳｎＰｃ）、キナクリドン、及び、ルブレン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

　また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、テトラセン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、及び、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

　また、活性層に、ドナーとして機能するポリ［［４，８−ビス［５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル］ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル］−２，５−チオフェンジイル［５，７−ビス（２−エチルヘキシル）−４，８−ジオキソ−４Ｈ，８Ｈ−ベンゾ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ジチオフェン−１，３−ジイル］］ポリマー（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

　また、活性層には３種類以上の材料を混合させてもよい。例えば、波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。

　受光デバイスは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。また、上記に限られず、正孔注入性の高い物質、正孔ブロック材料、電子注入性の高い材料、または電子ブロック材料などを含む層をさらに有していてもよい。受光デバイスが有する活性層以外の層には、例えば、上述の発光デバイスに用いることができる材料を用いることができる。

　例えば、正孔輸送性材料または電子ブロック材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料または正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有していてもよい。

［光検出機能を有する表示装置］
　本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

　さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

　したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。例えば、電子機器に設けられる生体認証装置、またはスクロールなどを行うための静電容量方式のタッチパネルなどを別途設ける必要がない。したがって、本発明の一態様の表示装置を用いることで、製造コストが低減された電子機器を提供することができる。

　具体的には、本発明の一態様の表示装置は、画素に、発光デバイスと受光デバイスを有する。本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。例えば、表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源としての光を呈し、残りの副画素で画像を表示することもできる。

　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。

　また、受光デバイスは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。

　ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

　タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、かつタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

　図１６Ｃ乃至図１６Ｅに示す表示装置１００は、基板３５１と基板３５９との間に、受光デバイスを有する層３５３、機能層３５５、及び、発光デバイスを有する層３５７を有する。

　機能層３５５は、受光デバイスを駆動する回路、及び、発光デバイスを駆動する回路を有する。機能層３５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、抵抗、配線、及び端子などのうち一つまたは複数を設けることができる。なお、発光デバイス及び受光デバイスをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

　例えば、図１６Ｃに示すように、発光デバイスを有する層３５７において発光デバイスが発した光を、表示装置１００に接触した指３５２が反射することで、受光デバイスを有する層３５３における受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指３５２が接触したことを検出することができる。

　また、図１６Ｄ及び図１６Ｅに示すように、表示装置に近接している（接触していない）対象物を検出または撮像する機能を有していてもよい。図１６Ｄでは、人の指を検出する例を示し、図１６Ｅでは人の目の周辺、表面、または内部の情報（瞬きの回数、眼球の動き、瞼の動きなど）を検出する例を示す。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について図１７Ａ乃至図２４Ｂを用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に実施の形態１で説明した部分と同様の部分については説明を省略することがある。

　図１７Ａ乃至図２１Ｃ、図２２Ａ、図２２Ｂ、図２３Ａ乃至図２４Ｂには、図１Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。図２２Ｃ乃至図２２Ｆには、絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図を示す。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線（紫外光ともいう）、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

　まず、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順で形成する。続いて、絶縁層２５５ｃ上に、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ及び導電層１２３を形成する。（図１７Ａ）。画素電極となる導電膜の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

　なお、絶縁層２５５ｃの、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ及び導電層１２３と重畳しない表面に凹部が形成される場合がある。

　また、図２Ａなどに示すように、絶縁層１３６を設ける構成にする場合、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、それぞれの端部を覆うように、絶縁層１３６を設ければよい。絶縁層１３６には、後述する絶縁膜１２５Ａの材料、または後述する絶縁膜１２７ａの材料を用いることができる。絶縁層１３６には、例えば、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、または酸化アルミニウム等を用いることができる。絶縁層１３６は、上記のように、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。

　続いて、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象の表面を親水性から疎水性にすること、または、処理対象の表面の疎水性を高めることができる。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と、後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３ｂ）と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　疎水化処理は、例えば画素電極へのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理または加熱処理、フッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、Ｃ_５Ｆ_８ガス等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、ＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、または水素ガス等を適宜添加することができる。

　また、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、画素電極の表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、画素電極の表面を疎水化することができる。

　画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、画素電極の表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、画素電極の表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、またはシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、画素電極の表面を疎水化することができる。

　シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、またはディップ法等を用いてシリル化剤、またはシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、画素電極上等にシリル化剤を有する膜、またはシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、またはシランカップリング剤を有する材料等を気化させることにより、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、画素電極等が形成されている基板をおく。これにより、画素電極上に、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、画素電極の表面を疎水化することができる。

　続いて、後に層１１３Ｂとなる膜１１３ｂを、画素電極上に形成する（図１７Ｂ）。膜１１３ｂは、膜１１３ｂ１と、膜１１３ｂ１上の膜１１３ｂ２と、膜１１３ｂ２上の膜１１３ｂ３と、を有する積層膜である。膜１１３ｂ１は後に発光ユニット１１３Ｂ１となり、膜１１３ｂ２は後に電荷発生層１１３Ｂ２となり、膜１１３ｂ３は後に発光ユニット１１３Ｂ２となる。ここで、膜１１３ｂ１または膜１１３ｂ３のいずれかは、青色の光を発する発光材料を含むことが好ましい。

　図１７Ｃに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、膜１１３ｂを形成していない。例えば、エリアマスクを用いることで、膜１１３ｂを所望の領域にのみ成膜することができる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製することができる。

　なお、発光デバイスには、耐熱性の高い材料を用いることが好ましい。具体的には、膜１１３ｂに含まれる化合物の耐熱温度は、それぞれ、１００℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下がより好ましく、１４０℃以上１８０℃以下がさらに好ましい。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、表示装置の作製工程においてかけられる温度の上限を高めることができる。したがって、表示装置に用いる材料及び形成方法の選択の幅を広げることができ、製造歩留まりの向上及び信頼性の向上が可能となる。

　膜１１３ｂ１、膜１１３ｂ２、及び膜１１３ｂ３は、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。また、膜１１３ｂ１、膜１１３ｂ２、及び膜１１３ｂ３は、転写法、印刷法、インクジェット法、または塗布法等の方法で形成してもよい。

　続いて、膜１１３ｂ３上、及び導電層１２３上に、後に犠牲層１１８Ｂとなる犠牲膜１１８ｂと、後に犠牲層１１９Ｂとなる犠牲膜１１９ｂと、を順に形成する（図１７Ｃ）。なお、本明細書等において、犠牲膜をマスク膜と呼称してもよい。

　なお、本実施の形態では、犠牲膜１１８ｂと犠牲膜１１９ｂの２層構造で犠牲膜を形成する例を示すが、犠牲膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

　膜１１３ｂ上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に膜１１３ｂが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　犠牲膜１１８ｂには、膜１１３ｂの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、膜１１３ｂとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。犠牲膜１１９ｂには、犠牲膜１１８ｂとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

　また、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂは、膜１１３ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

　耐熱温度の指標としては、例えば、ガラス転移点、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。膜１１３ｂ、１１３ｇ、１１３ｒ（つまり、層１１３Ｂ、１１３Ｇ、１１３Ｒ）の耐熱温度としては、これら耐熱温度の指標となるいずれかの温度、好ましくはこれらのうち最も低い温度とすることができる。

　発光デバイスに耐熱性の高い材料を用いた場合、犠牲膜を形成する際の基板温度を１００℃以上、１２０℃以上、または１４０℃以上とすることもできる。例えば、無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜とすることができる。したがって、このような温度で犠牲膜を成膜することで、膜１１３ｂが受けるダメージをより低減でき、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの加工時に、膜１１３ｂに加わるダメージを低減することができる。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法を含む）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

　なお、膜１１３ｂ上に接して形成される犠牲膜１１８ｂは、犠牲膜１１９ｂよりも、膜１１３ｂへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、犠牲膜１１８ｂを形成することが好ましい。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種または複数種を用いることができる。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀等の低融点材料を用いることが好ましい。犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの一方または双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、膜１１３ｂに紫外線が照射されることを抑制でき、膜１１３ｂの劣化を抑制できるため、好ましい。

　また、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、プラズマによるダメージが膜１１３ｂに加わることを抑制でき、膜１１３ｂの劣化を抑制できるため、好ましい。具体的には、ドライエッチング法を用いる工程、及び、アッシングを行う工程などで、プラズマによるダメージが膜１１３ｂに加わることを抑制できる。特に、犠牲膜１１９ｂとして、タングステン膜などの金属膜または合金膜を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、コバルト、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

　また、犠牲膜として、光、特に紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることができる。例えば、紫外線に対して反射性を有する膜、または紫外線を吸収する膜を用いることができる。遮光性を有する材料としては、紫外線に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、及び半金属など、様々な材料を用いることができるが、当該犠牲膜の一部または全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。

　例えば、半導体の製造プロセスと親和性の高い材料として、シリコンまたはゲルマニウムなどの半導体材料を用いることができる。または、上記半導体材料の酸化物または窒化物を用いることができる。または、炭素などの非金属材料、またはその化合物を用いることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウムなどの金属、またはこれらの一以上を含む合金が挙げられる。または、酸化チタンもしくは酸化クロムなどの上記金属を含む酸化物、または窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタルなどの窒化物を用いることができる。

　犠牲膜に、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、露光工程などでＥＬ層に紫外線が照射されることを抑制できる。ＥＬ層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する絶縁膜１２５Ａの材料として用いても、同様の効果を奏する。

　また、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂとしては、それぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて膜１１３ｂとの密着性が高く好ましい。例えば、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層）へのダメージを低減できるため好ましい。

　例えば、犠牲膜１１８ｂとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、犠牲膜１１９ｂとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、シリコン膜、またはタングステン膜）を用いることができる。

　なお、犠牲膜１１８ｂと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、犠牲膜１１８ｂと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、犠牲膜１１８ｂと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、犠牲膜１１８ｂを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、犠牲膜１１８ｂを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、犠牲膜１１８ｂは後の工程で大部分または全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。そのため、犠牲膜１１８ｂは、絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの一方または双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも膜１１３ｂの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、膜１１３ｂへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、または、パーフルオロポリマーなどのフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。

　例えば、犠牲膜１１８ｂとして、蒸着法または上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、犠牲膜１１９ｂとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。

　なお、実施の形態１で説明した通り、本発明の一態様の表示装置には、犠牲膜の一部が犠牲層として残存する場合がある。

　続いて、犠牲膜１１９ｂ上にレジストマスク１９０Ｂを形成する（図１７Ｃ）。レジストマスク１９０Ｂは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。

　レジストマスク１９０Ｂは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

　レジストマスク１９０Ｂは、画素電極１１１Ｂを覆うように設ける。つまり、上面視において、レジストマスク１９０Ｂの端部は、画素電極１１１Ｂの端部より外側に位置する。また、レジストマスク１９０Ｂは、導電層１２３と重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１２３が表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１２３上にレジストマスク１９０Ｂを設けなくてもよい。

　また、レジストマスク１９０Ｂは、図１７ＣのＹ１−Ｙ２間の断面図に示すように、膜１１３ｂの端部から導電層１２３の端部（膜１１３ｂ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。これにより、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂを加工した後でも、犠牲層１１８Ｂ、１１９Ｂの端部と膜１１３ｂの端部とが重なる。また、犠牲層１１８Ｂ、１１９Ｂが、膜１１３ｂの端部から導電層１２３の端部（膜１１３ｂ側の端部）までを覆うように設けられるため、膜１１３ｂを加工した後でも、絶縁層２５５ｃが露出することを抑制することができる（図１８ＣのＹ１−Ｙ２間の断面図参照）。これにより、絶縁層２５５ａ乃至２５５ｃ、及び、トランジスタを含む層１０１に含まれる絶縁層の一部がエッチング等により消失し、トランジスタを含む層１０１に含まれる導電層が露出することを防ぐことができる。そのため、当該導電層が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。例えば、当該導電層と共通電極１１５との間のショートを抑制できる。

　続いて、レジストマスク１９０Ｂを用いて、犠牲膜１１９ｂの一部を除去し、犠牲層１１９Ｂを形成する（図１８Ａ）。犠牲層１１９Ｂは、画素電極１１１Ｂ上と、導電層１２３上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、犠牲層１１９Ｂをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１１８ｂの一部を除去し、犠牲層１１８Ｂを形成する（図１８Ｂ）。ここで、犠牲層１１９Ｂ及び犠牲層１１８Ｂは、画素電極１１１Ｂを覆うように設けられる。つまり、上面視において、犠牲層１１９Ｂ及び犠牲層１１８Ｂの端部は、画素電極１１１Ｂの端部より外側に位置する。

　犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

　ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂの加工時に、膜１１３ｂに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの２以上を含む混合溶液等を用いることが好ましい。また、ウェットエッチング法を用いる場合、水、リン酸、希フッ酸、及び硝酸を含む混酸系薬液を用いてもよい。なお、ウェットエッチング処理に用いる薬液は、アルカリ性であってもよく、酸性であってもよい。

　犠牲膜１１９ｂの加工においては、膜１１３ｂが露出しないため、犠牲膜１１８ｂの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、犠牲膜１１９ｂの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、膜１１３ｂの劣化をより抑制することができる。

　また、犠牲膜１１８ｂの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３ｂの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

　例えば、犠牲膜１１８ｂとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅ、または、ＣＨＦ_３とＨｅとＣＨ_４を用いて、ドライエッチング法により犠牲膜１１８ｂを加工することができる。また、犠牲膜１１９ｂとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により犠牲膜１１９ｂを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により犠牲膜１１９ｂを加工することができる。また、犠牲膜１１９ｂとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、またはＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法により犠牲膜１１９ｂを加工することができる。

　レジストマスク１９０Ｂは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシング等により除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガス（希ガス）と、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０Ｂを除去してもよい。このとき、犠牲膜１１８ｂが最表面に位置し、膜１１３ｂは露出していないため、レジストマスク１９０Ｂの除去工程において、膜１１３ｂにダメージが加わることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０Ｂの除去方法の選択の幅を広げることができる。

　続いて、膜１１３ｂを加工して、層１１３Ｂを形成する。例えば、犠牲層１１９Ｂ及び犠牲層１１８Ｂをハードマスクに用いて、膜１１３ｂの一部を除去し、層１１３Ｂを形成する（図１８Ｃ）。このようにして、絶縁層２５５ｃ上の発光ユニット１１３Ｂ１と、発光ユニット１１３Ｂ１上の電荷発生層１１３Ｂ２と、電荷発生層１１３Ｂ２上の発光ユニット１１３Ｂ３と、を有する層１１３Ｂが形成される。

　これにより、図１８Ｃに示すように、画素電極１１１Ｂ上に、層１１３Ｂ、犠牲層１１８Ｂ、及び、犠牲層１１９Ｂの積層構造が残存する。また、画素電極１１１Ｒ及び画素電極１１１Ｇは露出する。

　ここで、膜１１３ｂを加工する際、画素電極１１１Ｒの表面及び画素電極１１１Ｇの表面は、エッチングガスまたはエッチング液等に曝される。一方、画素電極１１１Ｂの表面はエッチングガスまたはエッチング液等に曝されない。このように、最初に形成する色の発光デバイスでは、画素電極の表面がエッチング工程によるダメージを受けず、画素電極とＥＬ層との界面の状態を良好に保つことができる。

　膜１１３ｂの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。なお、図１８Ｃでは図示していないが、膜１１３ｂの加工によって、絶縁層２５５ｃの層１１３Ｂと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

　図１８Ｃでは、ドライエッチング法により、膜１１３ｂを加工する例を示す。ドライエッチング装置内では、エッチングガスをプラズマ化する。そのため、作製中の表示装置の表面はプラズマに曝される。ここで、犠牲層１１８Ｂ及び犠牲層１１９Ｂの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、膜１１３ｂの残存させる部分（層１１３Ｂとなる部分）にプラズマによるダメージが加わることを抑制でき、層１１３Ｂの劣化を抑制できるため、好ましい。特に、犠牲層１１９Ｂとして、タングステン膜などの金属膜または合金膜を用いることが好ましい。

　ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３ｂの劣化を抑制することができる。

　また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、膜１１３ｂに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制することができる。

　ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ、Ａｒ等の貴ガス（希ガス）のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

　ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。または、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

　ここで、層１１３Ｂは、画素電極１１１Ｂを覆うように設けられる。層１１３Ｂが画素電極１１１Ｂの上面及び側面を覆うことにより、画素電極１１１Ｂを露出させずに、以降の工程を行うことができる。画素電極１１１Ｂの端部が露出していると、エッチング工程などにおいて腐食が生じる場合がある。画素電極１１１Ｂの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には、雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、または、雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面、及び、層１１３Ｂの側面などに生成物が付着し、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼす、または、複数の発光デバイスの間にリークパスを形成する可能性がある。また、画素電極１１１Ｂの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、層１１３Ｂまたは画素電極１１１Ｂの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。

　したがって、層１１３Ｂが画素電極１１１Ｂの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光デバイスの歩留まり及び特性を向上させることができる。

　また、層１１３Ｂの端部は、膜１１３ｂの加工時またはのちの工程で、プラズマなどによりダメージが加わることがある。層１１３Ｂの端部及びその近傍は、発光に用いられないため、ダメージが加わっても、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼしにくい。一方で、層１１３Ｂの発光領域は犠牲層によって覆われているため、プラズマに曝されず、プラズマによるダメージが十分に低減されている。犠牲層は、層１１３Ｂの、画素電極１１１Ｂの上面と重なる平坦部の上面のみに限られず、画素電極１１１Ｂの上面の外側に位置する傾斜部及び平坦部の上面までを覆うように設けることが好ましい。このように、層１１３Ｂのうち、作製工程中のダメージが抑制された部分を発光領域として用いるため、発光効率が高く、長寿命の発光デバイスを実現することができる。

　また、接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上に犠牲層１１８Ｂと犠牲層１１９Ｂとの積層構造が残存する。

　なお、前述の通り、図１８ＣのＹ１−Ｙ２間の断面図において、犠牲層１１８Ｂ、１１９Ｂは、層１１３Ｂの端部と導電層１２３の端部を覆うように設けられ、絶縁層２５５ｃの上面が露出していない。したがって、絶縁層２５５ａ乃至２５５ｃ、及び、トランジスタを含む層１０１に含まれる絶縁層の一部がエッチング等により除去され、トランジスタを含む層１０１に含まれる導電層が露出することを防ぐことができる。そのため、当該導電層が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。

　以上のように、本発明の一態様では、犠牲膜１１９ｂ上にレジストマスク１９０Ｂを形成し、レジストマスク１９０Ｂを用いて、犠牲膜１１９ｂの一部を除去することにより、犠牲層１１９Ｂを形成する。その後、犠牲層１１９Ｂをハードマスクに用いて、膜１１３ｂの一部を除去することにより、層１１３Ｂを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いて膜１１３ｂを加工することにより、層１１３Ｂが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｂを用いて、膜１１３ｂの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去してもよい。

　次に、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。膜１１３ｂの加工時に、画素電極の表面状態が親水性に変化する場合がある。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　続いて、後に層１１３Ｇとなる膜１１３ｇを、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ上、及び、犠牲層１１９Ｂ上に形成する（図１９Ａ）。膜１１３ｇ（後の層１１３Ｇ）は、緑色の光を発する発光材料を含む。なお、膜１１３ｇに単層の発光層が含まれる構成にすることで、図１Ｂに示すように、シングル構造の層１１３Ｇを形成することができる。また、膜１１３ｇを上述の膜１１３ｂと同様に、複数の発光ユニットとなる層と電荷発生層を含む構成にすることで、図３Ａに示すように、タンデム構造の層１１３Ｇを形成することができる。また、本実施の形態では、２番目に、緑色の光を発する発光デバイスが有する島状のＥＬ層を形成する例を示す。なお、本発明はこれに限られず、２番目に、赤色の光を発する発光デバイスが有する島状のＥＬ層を形成してもよい。

　続いて、膜１１３ｇ上に、後に犠牲層１１８Ｇとなる犠牲膜１１８ｇと、後に犠牲層１１９Ｇとなる犠牲膜１１９ｇと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する（図１９Ａ）。犠牲膜１１８ｇ及び犠牲膜１１９ｇの材料及び形成方法は、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｂに適用できる条件と同様である。

　レジストマスク１９０Ｇは、画素電極１１１Ｇを覆うように設ける。つまり、上面視において、レジストマスク１９０Ｇの端部は、画素電極１１１Ｇの端部より外側に位置する。

　続いて、レジストマスク１９０Ｇを用いて、犠牲膜１１９ｇの一部を除去し、犠牲層１１９Ｇを形成する（図１９Ｂ）。犠牲層１１９Ｇは、画素電極１１１Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、犠牲層１１９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１１８ｇの一部を除去し、犠牲層１１８Ｇを形成する（図１９Ｃ）。ここで、犠牲層１１９Ｇ及び犠牲層１１８Ｇは、画素電極１１１Ｇを覆うように設けられる。つまり、上面視において、犠牲層１１９Ｇ及び犠牲層１１８Ｇの端部は、画素電極１１１Ｇの端部より外側に位置する。

　続いて、膜１１３ｇを加工して、層１１３Ｇを形成する。例えば、犠牲層１１９Ｇ及び犠牲層１１８Ｇをハードマスクに用いて、膜１１３ｇの一部を除去し、層１１３Ｇを形成する（図２０Ａ）。

　ここで、膜１１３ｇを加工する際、画素電極１１１Ｒの表面は、エッチングガスまたはエッチング液等に曝される。一方、画素電極１１１Ｂの表面及び画素電極１１１Ｇの表面はエッチングガスまたはエッチング液等に曝されない。つまり、２番目に形成する色の発光デバイスでは、画素電極の表面が１回のエッチング工程で曝され、３番目に形成する色の発光デバイスでは、画素電極の表面が２回のエッチング工程で曝されることとなる。そのため、島状のＥＬ層は、画素電極の表面状態が特性に影響しやすい発光デバイスほど先に形成することが好ましい。これにより、各色の発光デバイスの特性を良好にすることができる。

　図２０Ａでは、ドライエッチング法により、膜１１３ｇを加工する例を示す。作製中の表示装置の表面はプラズマに曝される。ここで、犠牲層１１８Ｂ及び犠牲層１１９Ｂの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、層１１３Ｂにプラズマによるダメージが加わることを抑制でき、層１１３Ｂの劣化を抑制できるため、好ましい。また、犠牲層１１８Ｇ及び犠牲層１１９Ｇの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、膜１１３ｇの残存させる部分（層１１３Ｇ）にプラズマによるダメージが加わることを抑制でき、層１１３Ｇの劣化を抑制できるため、好ましい。特に、犠牲層１１９Ｇとして、タングステン膜などの金属膜または合金膜を用いることが好ましい。

　これにより、図２０Ａに示すように、画素電極１１１Ｇ上に、層１１３Ｇ、犠牲層１１８Ｇ、及び、犠牲層１１９Ｇの積層構造が残存する。また、犠牲層１１９Ｂ及び画素電極１１１Ｒは露出する。

　次に、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。膜１１３ｇの加工時に、画素電極の表面状態が親水性に変化する場合がある。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３ｒ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

　続いて、後に層１１３Ｒとなる膜１１３ｒを、画素電極１１１Ｒ上、犠牲層１１９Ｇ、１１９Ｂ上に形成する（図２０Ｂ）。

　膜１１３ｒ（後の層１１３Ｒ）は、赤色の光を発する発光材料を含む。

　膜１１３ｒは、膜１１３ｇの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成することができる。

　続いて、膜１１３ｒ上に、後に犠牲層１１８Ｒとなる犠牲膜１１８ｒと、後に犠牲層１１９Ｒとなる犠牲膜１１９ｒと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０Ｒを形成する（図２０Ｂ）。犠牲膜１１８ｒ及び犠牲膜１１９ｒの材料及び形成方法は、犠牲膜１１８ｂ及び犠牲膜１１９ｂに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｒの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｂに適用できる条件と同様である。

　レジストマスク１９０Ｒは、画素電極１１１Ｒを覆うように設ける。つまり、上面視において、レジストマスク１９０Ｒの端部は、画素電極１１１Ｒの端部より外側に位置する。

　続いて、レジストマスク１９０Ｒを用いて、犠牲膜１１９ｒの一部を除去し、犠牲層１１９Ｒを形成する。犠牲層１１９Ｒは、画素電極１１１Ｒ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、犠牲層１１９Ｒをマスクに用いて、犠牲膜１１８ｒの一部を除去し、犠牲層１１８Ｒを形成する。ここで、犠牲層１１９Ｒ及び犠牲層１１８Ｒは、画素電極１１１Ｒを覆うように設けられる。つまり、上面視において、犠牲層１１９Ｒ及び犠牲層１１８Ｒの端部は、画素電極１１１Ｒの端部より外側に位置する。

　続いて、膜１１３ｒを加工して、層１１３Ｒを形成する。例えば、犠牲層１１９Ｒ及び犠牲層１１８Ｒをハードマスクに用いて、膜１１３ｒの一部を除去し、層１１３Ｒを形成する（図２０Ｃ）。

　図２０Ｃでは、ドライエッチング法により、膜１１３ｒを加工する例を示す。作製中の表示装置の表面はプラズマに曝される。ここで、犠牲層１１８Ｂ及び犠牲層１１９Ｂの一方または双方、及び、犠牲層１１８Ｇ及び犠牲層１１９Ｇの一方または双方に、それぞれ、金属膜または合金膜を用いることで、層１１３Ｂ及び層１１３Ｇにプラズマによるダメージが加わることを抑制でき、層１１３Ｂ及び層１１３Ｇの劣化を抑制できるため、好ましい。また、犠牲層１１８Ｒ及び犠牲層１１９Ｒの一方または双方に、金属膜または合金膜を用いることで、膜１１３ｒの残存させる部分（層１１３Ｒ）にプラズマによるダメージが加わることを抑制でき、層１１３Ｒの劣化を抑制できるため、好ましい。特に、犠牲層１１９Ｒとして、タングステン膜などの金属膜または合金膜を用いることが好ましい。

　これにより、図２０Ｃに示すように、画素電極１１１Ｒ上に、層１１３Ｒ、犠牲層１１８Ｒ、及び、犠牲層１１９Ｒの積層構造が残存する。また、犠牲層１１９Ｇ、１１９Ｂは露出する。

　なお、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、層１１３Ｒの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

　上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、島状のＥＬ層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供することができる。

　上記のように、少なくとも青色の光を発する発光デバイスに、タンデム構造を適用することで、輝度の劣化などが起こりやすい青色の発光デバイスの信頼性を向上させることができる。また、青色の発光デバイスの信頼性を向上させることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、赤色の発光デバイスをシングル構造にすることで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。

　また、上記のように、青色の光を発する発光材料を有する層１１３Ｂを島状に形成した後、青色よりも長波長の光を発する発光材料を有する、層１１３Ｇ及び層１１３Ｒを島状に形成する。これにより、青色の発光デバイスの駆動電圧の上昇と寿命の低下を抑制できる。また、各色の発光デバイスで、高い輝度での発光を実現できる。また、各色の発光デバイスの駆動電圧を抑制できる。また、各色の発光デバイスの寿命を長くし、表示装置の信頼性を高めることができる。

　ただし、本発明はこれに限られるものではなく、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒを形成する順番は適宜決定すればよい。層１１３Ｂ、層１１３Ｒ、層１１３Ｇの順番としてもよいし、層１１３Ｇ、層１１３Ｂ、層１１３Ｒの順番としてもよいし、層１１３Ｇ、層１１３Ｒ、層１１３Ｂの順番としてもよいし、層１１３Ｒ、層１１３Ｇ、層１１３Ｂの順番としてもよいし、層１１３Ｒ、層１１３Ｂ、層１１３Ｇの順番としてもよい。

　続いて、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを除去することが好ましい（図２１Ａ）。後の工程によっては、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒ、１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒが表示装置に残存する場合がある。この段階で犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを除去することで、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒが表示装置に残存することを抑制できる。例えば、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒに導電材料を用いる場合、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを事前に除去しておくことで、残存した犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒによるリーク電流の発生、及び、容量の形成などを抑制できる。

　なお、本実施の形態では、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを除去する場合を例に挙げて説明するが、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒは除去しなくてもよい。例えば、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒが、前述の、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、島状のＥＬ層を紫外線から保護することができ、好ましい。

　犠牲層の除去工程には、犠牲層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層を除去する際に、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒに加わるダメージを低減することができる。

　犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒに金属膜または合金膜を用いる場合、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを有することで、ＥＬ層にプラズマによるダメージが加わることを抑制できる。したがって、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを除去するまでの工程では、ドライエッチング法を用いて膜の加工を行うことができる。一方で、犠牲層１１９Ｂ、１１９Ｇ、１１９Ｒを除去する工程、及び、除去した後の各工程では、ＥＬ層にプラズマによるダメージが加わることを抑制する膜が無くなってしまうため、ウェットエッチング法など、プラズマを用いない方法により膜の加工を行うことが好ましい。

　また、犠牲層を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。

　犠牲層を除去した後に、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒに含まれる水、及び層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気などの不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

　続いて、画素電極、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、層１１３Ｒ、犠牲層１１８Ｂ、犠牲層１１８Ｇ、及び犠牲層１１８Ｒを覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５Ａを形成する（図２１Ａ）。

　後述するように、絶縁膜１２５Ａの上面に接して、絶縁膜１２７ａが形成される。このため、絶縁膜１２５Ａの上面は、絶縁膜１２７ａに用いる樹脂組成物（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対する密着性が高いことが好ましい。当該密着性を向上させるため、表面処理を行って絶縁膜１２５Ａの上面を疎水化すること（または疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などのシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように絶縁膜１２５Ａの上面を疎水化することにより、絶縁膜１２７ａを密着性良く形成することができる。なお、表面処理としては、前述の疎水化処理を行ってもよい。

　続いて、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁膜１２７ａを形成する（図２１Ｂ）。

　絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａは、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５Ａは、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ａよりも、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

　また、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａは、それぞれ、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、絶縁膜１２５Ａは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

　絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、または、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、または１４０℃以下であることが好ましい。

　発光デバイスに耐熱性の高い材料を用いることで、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａを形成する際の基板温度を、それぞれ、１００℃以上、１２０℃以上、または１４０℃以上とすることもできる。例えば、無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜とすることができる。したがって、このような温度で絶縁膜１２５Ａを成膜することで、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒが受けるダメージをより低減でき、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　絶縁膜１２５Ａとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

　絶縁膜１２５Ａは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。絶縁膜１２５Ａとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

　そのほか、絶縁膜１２５Ａは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、または、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

　絶縁膜１２７ａは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ａは、例えば、スピンコートにより、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

　また、絶縁膜１２７ａの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び、層１１３Ｒの耐熱温度よりも低い温度で形成する。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ａ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　続いて、可視光線または紫外線を絶縁膜１２７ａの一部に照射し、絶縁膜１２７ａの一部を感光させる（図２１Ｃ）。ここで、絶縁膜１２７ａにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に、マスク１３２を用いて可視光線または紫外線を照射する。絶縁層１２７は、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１２３の周囲に形成される。そのため、図２１Ｃに示すように、絶縁膜１２７ａの、画素電極１１１Ｒと重なる部分、画素電極１１１Ｇと重なる部分、画素電極１１１Ｂと重なる部分、及び、導電層１２３と重なる部分に、光を照射する。

　なお、ここで感光させる領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御することができる。本実施の形態では、絶縁層１２７が画素電極の上面と重なる部分を有するように加工する（図４Ａ）。図７Ａまたは図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重なる部分を有していなくてもよい。

　露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　なお、図２１Ｃにおいては、絶縁膜１２７ａにポジ型の感光性の樹脂を用い、絶縁層１２７が形成されない領域に、可視光線または紫外線を照射する例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁膜１２７ａにネガ型の感光性の樹脂を用いる構成にしてもよい。この場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線または紫外線を照射する。

　続いて、図２２Ａに示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ａの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ｂを形成する。絶縁層１２７ｂは、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１２３を囲む領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ａにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることができる。

　なお、現像後には、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去する工程を行ってもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去することができる。以降に示す各現像工程の後にも、それぞれ、残渣を除去する工程を行ってもよい。

　なお、絶縁層１２７ｂの表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７ｂは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。

　なお、現像後、かつ、ポストベークの前に、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を絶縁層１２７ｂに照射してもよい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ｂの透明度を向上させることができる場合がある。また、絶縁層１２７ｂを低い温度でテーパ形状に変形させることができる場合がある。

　一方、絶縁層１２７ｂに対する露光を行わないことで、後の工程において、絶縁層１２７ｂの形状を変化させること、または、絶縁層１２７をテーパ形状に変形させることが容易となる場合がある。したがって、現像後に絶縁層１２７ｂに対して露光を行わないことが好ましい場合がある。

　続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。図２２Ｂに示すように、加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で形成する。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ａの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。

　なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、または、時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、凹曲面形状が形成される場合がある。また、前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、ポストベーク時に、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

　続いて、図２２Ｂに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａ、及び、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの一部を除去する。これにより、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒそれぞれに開口が形成され、層１１３Ｇ、層１１３Ｇ、層１１３Ｒ、及び導電層１２３の上面が露出する。

　エッチング処理は、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって行うことができる。なお、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒと同様の材料を用いて成膜していた場合、エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

　ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４などを、単独または２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガスなどを、単独または２以上のガスを混合して、適宜添加することができる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成することができる。

　また、ドライエッチングを行う場合、ドライエッチングで生じた副生成物などが、絶縁層１２７ｂの上面及び側面などに堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、絶縁膜１２５Ａに含まれる成分、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒに含まれる成分などが、表示装置完成後の絶縁層１２７に含まれる場合がある。

　また、エッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒに加わるダメージを低減することができる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。また、ウェットエッチング法を用いる場合、水、リン酸、希フッ酸、及び硝酸を含む混酸系薬液を用いてもよい。なお、ウェットエッチング処理に用いる薬液は、アルカリ性であってもよく、酸性であってもよい。

　上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、犠牲層１１８Ｂ、犠牲層１１８Ｇ、及び、犠牲層１１８Ｒを設けることにより、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。

　また、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水などを除去することができる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の端部、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの端部、及び、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。例えば、絶縁層１２７が、図５Ａ及び図５Ｂに示す形状となる場合がある。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で脱水が可能であるため好ましい。ただし、上記の加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、ＥＬ層の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも特に７０℃以上１２０℃以下の温度が好適である。

　ここで、ポストベーク後に、一括で絶縁層１２５と犠牲層のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及び犠牲層が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。そこで、絶縁層１２５と犠牲層のエッチング処理を、ポストベークの前と後に分けて行うことが好ましい。

　以下では、図２２Ｃ乃至図２２Ｆを用いて、絶縁層１２５と犠牲層のエッチング処理を、ポストベークの前と後に分けて行う方法について説明する。

　まず、図２２Ｃに、図２２Ａに示す層１１３Ｇと、絶縁層１２７ｂの端部とその近傍の拡大図を示す。つまり、図２２Ｃには、現像によって形成された絶縁層１２７ｂを示している。

　次に、図２２Ｄに示すように、絶縁層１２７ｂをマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａの一部を除去し、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ｂの下に、絶縁層１２５が形成される。また、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７ｂをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。

　第１のエッチング処理は、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって行うことができる。

　図２２Ｄに示すように、側面がテーパ形状である絶縁層１２７ｂをマスクとしてエッチングを行うことで、絶縁層１２５の側面、及び犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。

　図２２Ｄに示すように、第１のエッチング処理では、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒ上に、対応する犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒを残存させておくことで、後の工程の処理で、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒが損傷することを防ぐことができる。

　なお、図２２Ｄでは、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの膜厚が薄くなる構成にしたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁膜１２５Ａの膜厚及び犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの膜厚によっては、絶縁膜１２５Ａが絶縁層１２５に加工される前に第１のエッチング処理を停止する場合もある。具体的には、絶縁膜１２５Ａの一部の膜厚を薄くするのみで第１のエッチング処理を停止する場合もある。また、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒと同様の材料で成膜した場合、絶縁膜１２５Ａと、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒとの境界が不明瞭になり、絶縁層１２５が形成されたか判別できない場合、及び、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの膜厚が薄くなったか判別できない場合がある。

　また、図２２Ｄでは、絶縁層１２７ｂの形状が、図２２Ｃと変化していない例を示すが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層１２７ｂの端部が垂れて、絶縁層１２５の端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７ｂの端部が、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、絶縁層１２７ｂの形状が変化しやすいことがある。

　続いて、ポストベークを行う。図２２Ｅに示すように、ポストベークを行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。なお、前述の通り、第１のエッチング処理が終了した時点で、既に絶縁層１２７ｂの形状が変化し、側面にテーパ形状を有することがある。

　第１のエッチング処理にて、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒを残存させておくことで、当該加熱処理において、層１１３Ｇ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　続いて、図２２Ｆに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの一部を除去する。これにより、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒそれぞれに開口が形成され、層１１３Ｇ、層１１３Ｇ、層１１３Ｒ、及び導電層１２３の上面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用いたエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。

　絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図２２Ｆでは、犠牲層１１８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。つまり、図４Ａ及び図４Ｂに示す構造に相当する。

　以上のように、ポストベークの前後にエッチングを行う方法を用いると、第１のエッチング処理で絶縁層１２５及び犠牲層がサイドエッチングされて空洞が生じても、その後にポストベークを行うことで、絶縁層１２７が当該空洞を埋めることができる。その後、第２のエッチング処理ではより厚さが薄くなった犠牲層をエッチングするため、サイドエッチングされる量が少なく、空洞が形成されにくくなり、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。そのため、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面をより平坦にできる。

　なお、図５Ａ及び図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、犠牲層１１８Ｇの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、犠牲層１１８Ｇの端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒの少なくとも一つの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

　第２のエッチング処理はウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。

　なお、絶縁膜１２５Ａのエッチング処理は、使用できる装置及び方法に制限が生じる場合がある。例えば、前述の第１のエッチング処理は、ポストベークよりも前に行うため、現像装置及び現像液を用いて、パドル方式で、絶縁膜１２５Ａのエッチング処理を行うことが好ましい。これにより、露光、現像、及びポストベークに用いる各装置の他に、新たな装置を追加することなく、絶縁膜１２５Ａの加工を行うことができる。例えば、絶縁膜１２５Ａとして酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＴＭＡＨを含む現像液を用いたウェットエッチングにより、絶縁膜１２５Ａを加工することができる。また、ウェットエッチング法を用いる場合、水、リン酸、希フッ酸、及び硝酸を含む混酸系薬液を用いてもよい。なお、ウェットエッチング処理に用いる薬液は、アルカリ性であってもよく、酸性であってもよい。

　ここで、ウェットエッチングは、エッチング液の消費量の少ない方式により行うことが好ましく、例えば、パドル方式が好ましい。なお、接続部１４０における絶縁膜１２５Ａのエッチング面積は、表示部における絶縁膜１２５Ａのエッチング面積に比べて非常に大きい。そのため、例えばパドル方式では、接続部１４０では、エッチャントの供給律速が生じ、エッチングレートが表示部に比べて低くなりやすい。このように、表示部と接続部１４０とでエッチングレートに差が生じてしまうと、絶縁膜１２５Ａの加工を安定して行えない問題がある。例えば、接続部１４０におけるエッチングレートに合わせてエッチング時間を設定すると、表示部における絶縁膜１２５Ａが過剰にエッチングされてしまう恐れがある。また、表示部におけるエッチングレートに合わせてエッチング時間を設定すると、接続部１４０における絶縁膜１２５Ａが十分にエッチングされず残存してしまう恐れがある。一方で、エッチングレートの差を生じさせないよう、新しい液を常に供給する方法（例えばスピン方式）では、エッチング液の消費量が多くなってしまう。

　そこで、絶縁膜１２７ａの露光及び現像を、接続部１４０と表示部とで分けて行ってもよい。これにより、接続部１４０と表示部とで、独立して絶縁膜１２５Ａのエッチング条件（エッチング時間など）を制御できるため、表示部において絶縁膜１２５Ａのエッチングが過剰に行われること、及び、接続部１４０において絶縁膜１２５Ａのエッチングが不十分になること、の双方を抑制し、絶縁膜１２５Ａを所望の形状に加工することができる。

　次に、絶縁膜１２７ａの露光及び現像を、表示部と接続部１４０とで別々に行う場合の工程について図２３Ａ乃至図２３Ｃを用いて説明する。

　絶縁膜１２７ａを形成した後（図２１Ｂ）、接続部１４０において露光を行う（図２３Ａ）。具体的には、マスク１３２ａを用いて、絶縁膜１２７ａのうち、導電層１２３と重なる領域に、可視光線または紫外線を照射し、絶縁膜１２７ａの一部を感光させる。

　続いて、現像を行って、絶縁膜１２７ａの露光させた領域を除去する。これにより、絶縁膜１２７ａは、表示部全体と、導電層１２３を囲む領域に形成される（図２３Ｂ）。

　現像方法は特に限定されず、ディップ方式、スピン方式、パドル方式、振動方式等を用いることができる。なお、エッチングレートを安定にするため、新しい液を常に供給する方法を適用することが好ましい。または、液の供給と保持（現像）とを繰り返す方式（ステップ・パドル方式ともいう）を適用することが好ましい。ステップ・パドル方式は、新しい液を常に供給する方法に比べて、液の消費量を節約でき、かつ、エッチングレートの安定化を図ることができ、好ましい。

　続いて、絶縁膜１２７ａをマスクとしてエッチング処理を行って、接続部１４０における絶縁膜１２５Ａの一部を除去して、かつ、犠牲層１１８Ｂの一部の膜厚を薄くする。接続部１４０では、犠牲層１１８Ｂの膜厚が薄い部分の表面が露出する（図２３Ｂ）。

　エッチング処理の方法としては、上記第１のエッチング処理に用いることができる方法を適用できる。

　接続部１４０に対するエッチング処理では、犠牲層１１８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。後述するエッチング処理でも、接続部１４０における犠牲層１１８Ｂは加工される。この段階のエッチング処理で、犠牲層１１８Ｂを完全に除去してしまうと、以降のエッチング処理で、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁膜１２５Ａ及び犠牲層が消失し、空洞が形成される場合がある。このように、導電層１２３上に、犠牲層１１８Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、犠牲層１１８Ｂが過剰にエッチングされること、及び、導電層１２３が損傷することを防ぐことができる。

　なお、絶縁膜１２５Ａの膜厚及び犠牲層１１８Ｂの膜厚によっては、絶縁膜１２５Ａの一部の膜厚を薄くするのみで当該エッチング処理を停止する場合もある。また、絶縁膜１２５Ａを、犠牲層１１８Ｂと同様の材料で成膜した場合、絶縁膜１２５Ａと、犠牲層１１８Ｂとの境界が不明瞭になり、絶縁膜１２５Ａが除去されたのか、薄い膜厚で残存しているのか判別できない場合、及び、犠牲層１１８Ｂの膜厚が薄くなったか判別できない場合がある。

　続いて、表示部において露光を行う（図２３Ｂ）。具体的には、マスク１３２ｂを用いて、絶縁膜１２７ａのうち、画素電極１１１Ｒと重なる領域、画素電極１１１Ｇと重なる領域、及び、画素電極１１１Ｂと重なる領域に、可視光線または紫外線を照射し、絶縁膜１２７ａの一部を感光させる。

　続いて、現像を行って、絶縁膜１２７ａの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ｂを形成する（図２３Ｃ）。絶縁層１２７ｂは、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１２３を囲む領域に形成される。

　続いて、図２３Ｃに示すように、絶縁層１２７ｂをマスクとしてエッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａの一部を除去し、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ｂの下に、絶縁層１２５が形成される。また、犠牲層１１８Ｂ、１１８Ｇ、１１８Ｒの膜厚が薄い部分の表面が露出する。

　なお、図２３Ｃに示すエッチング処理の工程は、前述の図２２Ｄに示す第１のエッチング処理の工程と同様である。また、エッチング処理の方法としては、上記第１のエッチング処理に用いることができる方法を適用できる。

　なお、図２３Ｃの時点で、接続部１４０における犠牲層１１８Ｂが完全に除去され、導電層１２３が露出する場合もある。

　その後、前述のポストベーク及び第２のエッチング処理を行うことで、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を形成することができる。

　以上のように、絶縁層１２７となる膜の露光及び現像を、表示部と接続部１４０とで別々に行うことで、絶縁層１２５となる膜の加工条件を、表示部と接続部１４０で独立に制御できる。これにより、絶縁層１２５を所望の形状に加工することができ、表示装置の作製不良を低減することができる。

　なお、エッチング処理の装置及び方法などによって、接続部１４０と表示部のエッチングレートの差を十分に小さくできる場合がある。また、接続部１４０及び絶縁層１２７ｂのレイアウト等によって、接続部１４０における絶縁膜１２５Ａのエッチング面積と、表示部における絶縁膜１２５Ａのエッチング面積との差を十分に小さくできる場合がある。このような場合は、図２１Ｃ及び図２２Ａに示すように、絶縁膜１２７ａの露光及び現像は、表示部と接続部１４０とで同一の工程で行うことが好ましい。これにより、工程数を削減することができる。

　続いて、絶縁層１２７、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び、層１１３Ｒ上に、共通層１１４、共通電極１１５をこの順で形成し（図２４Ａ）、さらに、保護層１３１を形成する（図２４Ｂ）。そして、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図１Ｂ）。

　共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状の層１１３Ｂ、島状の層１１３Ｇ、及び島状の層１１３Ｒは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び、層１１３Ｒが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。

　以上のように、少なくとも青色の光を発する発光デバイスに、タンデム構造を適用することで、輝度の劣化などが起こりやすい青色の発光デバイスの信頼性を向上させることができる。また、青色の発光デバイスの信頼性を向上させることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、赤色の発光デバイスをシングル構造にすることで、製造工程の簡略化を図り、表示装置の製造工程における歩留まりを高めることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図２５及び図２６を用いて説明する。図２５及び図２６に示す表示装置に用いられる発光デバイスは、実施の形態１に示すように、赤色の発光デバイスはシングル構造であり、青色の発光デバイスはタンデム構造である。また、緑色の発光デバイスはシングル構造にしてもよいし、タンデム構造にしてもよい。

［画素のレイアウト］
　本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域（または受光領域）の上面形状に相当する。

　また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

　図２５Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図２５Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。

　図２５Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

　図２５Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図２５Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図２５Ｄ乃至図２５Ｆに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。

　図２５Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図２５Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図２５Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図２５Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０ａに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０ｂと３つの副画素１１０ｃが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。

　図２５Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図２５Ａ乃至図２５Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図２６Ａ乃至図２６Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図２６Ａ乃至図２６Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図２６Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図２６Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図２６Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図２６Ｄ乃至図２６Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図２６Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図２６Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図２６Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図２６Ｇ及び図２６Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図２６Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図２６Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図２６Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図２６Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図２６Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図２６Ａ乃至図２６Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。

　副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。

　図２６Ａ乃至図２６Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、または近赤外光を呈する副画素ＩＲのいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図２６Ｇ及び図２６Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図２６Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　また、画素１１０は、受光デバイスを有する副画素を有していてもよい。

　図２６Ａ乃至図２６Ｉに示す各画素１１０において、副画素１１０ａ乃至副画素１１０ｄのいずれか一つを、受光デバイスを有する副画素としてもよい。

　図２６Ａ乃至図２６Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを、受光デバイスを有する副画素Ｓとすることが好ましい。このような構成とする場合、図２６Ｇ及び図２６Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図２６Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　受光デバイスを有する副画素Ｓが検出する光の波長は特に限定されない。副画素Ｓは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出する構成とすることができる。

　図２６Ｊ及び図２６Ｋに示すように、画素は副画素を５種類有する構成とすることができる。

　図２６Ｊでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図２６Ｊに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、２列目から３列目にわたって、副画素１１０ｅを有する。

　図２６Ｋでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図２６Ｋに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃ、１１０ｅを有する。

　図２６Ｊ及び図２６Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。このような構成とする場合、図２６Ｊに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図２６Ｋに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　また、図２６Ｊ及び図２６Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、少なくとも一方に、受光デバイスを有する副画素Ｓを適用することが好ましい。副画素１１０ｄと副画素１１０ｅの両方に受光デバイスを用いる場合、受光デバイスの構成が互いに異なっていてもよい。例えば、互いに検出する光の波長域が少なくとも一部が異なっていてもよい。具体的には、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方は主に可視光を検出する受光デバイスを有し、他方は主に赤外光を検出する受光デバイスを有していてもよい。

　また、図２６Ｊ及び図２６Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方に、受光デバイスを有する副画素Ｓを適用し、他方に、光源として用いることが可能な発光デバイスを有する副画素を適用することが好ましい。例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方は赤外光を呈する副画素ＩＲとし、他方は赤外光を検出する受光デバイスを有する副画素Ｓとすることが好ましい。

　副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲ、Ｓを有する画素では、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを用いて画像を表示しながら、副画素ＩＲを光源として用いて、副画素Ｓにて副画素ＩＲが発する赤外光の反射光を検出することができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、画素に発光デバイスと受光デバイスとの双方を有する構成を適用することができる。この場合においても、様々なレイアウトを適用することができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図２７乃至図３７を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　また、本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図２７Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図２７Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図２７Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図２７Ｂでは、図１Ａに示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤなどのＶＲ向け機器またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
　図２８Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。図２８Ａ乃至図３３に示す表示装置に用いられる発光デバイスは、実施の形態１に示すように、赤色の発光デバイス１３０Ｒはシングル構造であり、青色の発光デバイス１３０Ｂはタンデム構造である。また、緑色の発光デバイス１３０Ｇはシングル構造にしてもよいし、タンデム構造にしてもよい。

　基板３０１は、図２７Ａ及び図２７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　なお、トランジスタを含む層１０１が有する導電層の階層の少なくとも一つにおいて、表示部２８１（または画素部２８４）の外側を囲む導電層を設けることが好ましい。当該導電層は、ガードリングと呼ぶこともできる。当該導電層を設けることで、ＥＳＤ（静電気放電）またはプラズマを用いた工程による帯電により、トランジスタ及び発光デバイスなどの素子に高電圧がかかり、これらの素子が破壊してしまうことを抑制できる。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図２８Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図１Ｂに示す積層構造と同じ構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。図２８Ａなどでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　発光デバイス１３０Ｒが有する層１１３Ｒ上には、犠牲層１１８Ｒが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する層１１３Ｇ上には、犠牲層１１８Ｇが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する層１１３Ｂ上には、犠牲層１１８Ｂが位置する。ここで層１１３Ｂはタンデム構造をとる。これにより、発光デバイス１３０Ｂ及び表示装置の信頼性を向上させることができる。また、層１１３Ｒはシングル構造をとる。また、層１１３Ｇはシングル構造をとってもよいし、タンデム構造をとってもよい。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。図２８Ａ等では、画素電極が反射電極と、反射電極上の透明電極と、の２層構造である例を示す。

　また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図２７Ａにおける基板２９２に相当する。

　図２８Ｂ及び図２８Ｃに示す表示装置は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｂ、及び、受光デバイス１５０を有する例である。図示しないが、当該表示装置は、発光デバイス１３０Ｇも有する。図２８Ｂ及び図２８Ｃでは、絶縁層２５５ａより下の層を省略している。図２８Ｂ及び図２８Ｃに示す表示装置は、例えば、図２８Ａ及び図２９乃至図３３に示すトランジスタを含む層１０１のいずれかの構成を適用できる。

　受光デバイス１５０は、画素電極１１１Ｓと、層１１３Ｓと、共通層１１４と、共通電極１１５とを積層して有する。受光デバイスを有する表示装置の詳細については、実施の形態１及び実施の形態３を参照することができる。

　図２８Ｃに示すように、表示装置にはレンズアレイ１３３を設けてもよい。レンズアレイ１３３は、発光デバイス及び受光デバイスの一方または双方に重ねて設けることができる。

　図２８Ｃでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０上に、保護層１３１を介して、レンズアレイ１３３を設ける例を示す。発光デバイス（及び受光デバイス）を形成した基板に、直接、レンズアレイ１３３を形成することで、発光デバイスまたは受光デバイスと、レンズアレイと、の位置合わせの精度を高めることができる。

　図２８Ｃでは、発光デバイスの発光は、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。

　また、基板１２０にレンズアレイ１３３を設け、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わせてもよい。基板１２０にレンズアレイ１３３を設けることで、レンズアレイ１３３の形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

［表示装置１００Ｂ］
　図２９に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置１００Ｃ］
　図３０に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図３０に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置１００Ｄ］
　図３１に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図２７Ａ及び図２７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｅ］
　図３２に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
　図３３に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

［表示装置１００Ｇ］
　図３４に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図３５Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

　表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図３４では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図３４では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図３４に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図３４では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図３４では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図３５Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図３５Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。実施の形態１に示すように、赤色の発光デバイス１３０Ｒはシングル構造であり、青色の発光デバイス１３０Ｂはタンデム構造である。また、緑色の発光デバイス１３０Ｇはシングル構造にしてもよいし、タンデム構造にしてもよい。青色の発光デバイス１３０Ｂをタンデム構造にすることで、表示装置の信頼性向上を図ることができる。

　発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図１Ｂに示す積層構造と同様の構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。導電層１１２Ｒ、１２６Ｒ、１２９Ｒの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

　発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２Ｇと、導電層１１２Ｇ上の導電層１２６Ｇと、導電層１２６Ｇ上の導電層１２９Ｇと、を有する。

　発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。

　導電層１１２Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２Ｒの端部よりも外側に導電層１２６Ｒの端部が位置している。導電層１２６Ｒの端部と導電層１２９Ｒの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２Ｒ及び導電層１２６Ｒに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９Ｒに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

　発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１２Ｇ、１２６Ｇ、１２９Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂにおける導電層１１２Ｂ、１２６Ｂ、１２９Ｂについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層１１２Ｒ、１２６Ｒ、１２９Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。

　導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

　層１２８は、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び層１２８上には、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂと電気的に接続される導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂが設けられている。したがって、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用することができる。

　導電層１２６Ｒ、１２９Ｒの上面及び側面は、層１１３Ｒによって覆われている。同様に、導電層１２６Ｇ、１２９Ｇの上面及び側面は、層１１３Ｇによって覆われており、導電層１２６Ｂ、１２９Ｂの上面及び側面は、層１１３Ｂによって覆われている。したがって、導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

　層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒそれぞれの上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。層１１３Ｂと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８Ｂが位置する。また、層１１３Ｇと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８Ｇが位置し、層１１３Ｒと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８Ｒが位置する。層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、層１１３Ｒ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

　また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７が設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図３５Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　保護層１３１は、少なくとも表示部１６２に設けられており、表示部１６２全体を覆うように設けられていることが好ましい。保護層１３１は、表示部１６２だけでなく、接続部１４０及び回路１６４を覆うように設けられていることが好ましい。また、保護層１３１は、表示装置１００Ｇの端部にまで設けられていることが好ましい。一方で、接続部２０４には、ＦＰＣ１７２と導電層１６６とを電気的に接続させるため、保護層１３１が設けられていない部分が生じる。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９Ｒ、１２９Ｇ、１２９Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　例えば、保護層１３１を表示装置１００Ｇの一面全体に成膜した後、マスクを用いて保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を除去することで、導電層１６６を露出させることができる。

　また、導電層１６６上に、少なくとも１層の有機層と導電層との積層構造を設け、当該積層構造上に、保護層１３１を設けてもよい。そして、当該積層構造に対して、レーザ、または、鋭利な刃物（例えば針またはカッター）を用いて、剥離の起点（剥離のきっかけとなる部分）を形成し、当該積層構造及びその上の保護層１３１を選択的に除去し、導電層１６６を露出させてもよい。例えば、粘着性のローラーを基板１５１に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動させることで、保護層１３１を選択的に除去することができる。または、粘着性のテープを基板１５１に貼り付け、剥してもよい。有機層と導電層の密着性、または、有機層同士の密着性が低いため、有機層と導電層の界面、または、有機層中で分離が生じる。これにより、保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を選択的に除去することができる。なお、導電層１６６上に有機層等が残存した場合は、有機溶剤等により除去することができる。

　有機層としては、例えば、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのいずれかに用いる少なくとも１層の有機層（発光層、キャリアブロック層、キャリア輸送層、またはキャリア注入層として機能する層）を用いることができる。有機層は、層１１３Ｂ、層１１３Ｇ、及び層１１３Ｒのいずれかの成膜時に同時に形成してもよく、別途設けてもよい。導電層は、共通電極１１５と同一工程及び同一材料で形成することができる。例えば、共通電極１１５及び導電層として、ＩＴＯ膜を形成することが好ましい。なお、共通電極１１５に積層構造を用いる場合、導電層としては、共通電極１１５を構成する層のうち、少なくとも１層を設ける。

　また、導電層１６６上に保護層１３１が成膜されないように、導電層１６６の上面をマスクで覆ってもよい。マスクとしては、例えば、メタルマスク（エリアメタルマスク）を用いてもよく、粘着性または吸着性を有するテープまたはフィルムを用いてもよい。当該マスクを配置した状態で保護層１３１を形成し、その後、マスクを取り除くことで、保護層１３１を形成した後でも、導電層１６６が露出した状態を保つことができる。

　このような方法を用いて、接続部２０４に保護層１３１が設けられていない領域を形成し、当該領域において、導電層１６６とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９Ｒ、１２９Ｇ、１２９Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、犠牲層１１８Ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

　表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、または導電層１２９Ｒなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、または導電層１２９Ｒなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶性半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

　半導体層に用いることのできる金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、及び亜鉛酸化物が挙げられる。また、金属酸化物は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、の中から選ばれる二または三を有することが好ましい。なお、元素Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、コバルト、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種である。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層に用いる金属酸化物として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯ）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＴＺＯ（登録商標）とも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層に用いる金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、及び、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　また、半導体層は、組成が異なる２層以上の金属酸化物層を有していてもよい。例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］もしくはその近傍の組成の第１の金属酸化物層と、当該第１の金属酸化物層上に設けられるＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］もしくはその近傍の組成の第２の金属酸化物層と、の積層構造を好適に用いることができる。また、元素Ｍとして、ガリウム又はアルミニウムを用いることが特に好ましい。

　また、例えば、インジウム酸化物、インジウムガリウム酸化物、及びＩＧＺＯの中から選ばれるいずれか一と、ＩＡＺＯ、ＩＡＧＺＯ、及びＩＴＺＯ（登録商標）の中から選ばれるいずれか一と、の積層構造などを用いてもよい。

　結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタもと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。

　特に、ＭＭＬ構造の発光デバイスの中でも、先に示すＳＢＳ構造を適用することで、発光デバイスの間に設けられる層（例えば、発光デバイスの間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、サイドリークをなくす、またはサイドリークを極めて少なくすることができる。

　図３５Ｂ及び図３５Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図３５Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図３５Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図３５Ｃに示す構造を作製できる。図３５Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

　接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示装置１００Ｈ］
　図３６Ａに示す表示装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

　基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図３６Ａでは、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

　発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。

　導電層１１２Ｒ、１１２Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

　なお、図３６Ａでは、発光デバイス１３０Ｇを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇも設けられている。

　また、図３５Ａ及び図３６Ａなどでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図３６Ｂ乃至図３６Ｄに、層１２８の変形例を示す。

　図３６Ｂ及び図３６Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　また、図３６Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

　また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

　また、層１２８の上面の高さと、導電層１１２Ｒの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

　また、図３６Ｂは、導電層１１２Ｒの凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図３６Ｄのように、導電層１１２Ｒの凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。

［表示装置１００Ｊ］
　図３６Ａに示す表示装置１００Ｊは、受光デバイス１５０を有する点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

　受光デバイス１５０は、導電層１１２Ｓと、導電層１１２Ｓ上の導電層１２６Ｓと、導電層１２６Ｓ上の導電層１２９Ｓと、を有する。

　導電層１１２Ｓは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

　導電層１２６Ｓの上面及び側面と導電層１２９Ｓの上面及び側面は、層１１３Ｓによって覆われている。層１１３Ｓは、少なくとも活性層を有する。

　層１１３Ｓの上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。層１１３Ｓと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８Ｓが位置する。層１１３Ｓ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４は、受光デバイスと発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

　表示装置１００Ｊは、例えば、実施の形態５で説明した、図２６Ａ乃至図２６Ｋに示す画素レイアウトを適用することができる。また、受光デバイスを有する表示装置の詳細については、実施の形態１及び実施の形態３を参照することができる。

（実施の形態７）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３８乃至図４０を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３８Ａ乃至図３８Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図３８Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図３８Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスとして、光電変換デバイス（光電変換素子）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

　図３８Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図３８Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図３８Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図３８Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図３８Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

　また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図３８Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図３８Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

　また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

　図３９Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３９Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様の表示装置を適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図３９Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３９Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間など）の情報通信を行うことも可能である。

　図３９Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図３９Ｅ及び図３９Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図３９Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図３９Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図３９Ｅ及び図３９Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図３９Ｅ及び図３９Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図４０Ａ乃至図４０Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図４０Ａ乃至図４０Ｇにおいて、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４０Ａ乃至図４０Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図４０Ａ乃至図４０Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図４０Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図４０Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図４０Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図４０Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図４０Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図４０Ｅ乃至図４０Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図４０Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図４０Ｇは折り畳んだ状態、図４０Ｆは図４０Ｅと図４０Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

１１Ｂ：副画素、１１Ｇ：副画素、１１Ｒ：副画素、１１Ｓ：副画素、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００Ｊ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｅ：副画素、１１０：画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１Ｓ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：導電層、１１２Ｇ：導電層、１１２Ｒ：導電層、１１２Ｓ：導電層、１１３Ｂ：層、１１３ｂ：膜、１１３Ｇ：層、１１３ｇ：膜、１１３Ｒ：層、１１３ｒ：膜、１１３Ｓ：層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１１８Ｂ：犠牲層、１１８ｂ：犠牲膜、１１８Ｇ：犠牲層、１１８ｇ：犠牲膜、１１８Ｒ：犠牲層、１１８ｒ：犠牲膜、１１８Ｓ：犠牲層、１１８：犠牲層、１１９Ｂ：犠牲層、１１９ｂ：犠牲膜、１１９Ｇ：犠牲層、１１９ｇ：犠牲膜、１１９Ｒ：犠牲層、１１９ｒ：犠牲膜、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５Ａ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６Ｂ：導電層、１２６Ｇ：導電層、１２６Ｒ：導電層、１２６Ｓ：導電層、１２７ａ：絶縁膜、１２７ｂ：絶縁層、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９Ｂ：導電層、１２９Ｇ：導電層、１２９Ｒ：導電層、１２９Ｓ：導電層、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３１：保護層、１３２ａ：マスク、１３２ｂ：マスク、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３２：マスク、１３３：レンズアレイ、１３４：絶縁層、１３６：絶縁層、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０Ｂ：レジストマスク、１９０Ｇ：レジストマスク、１９０Ｒ：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、５００：表示装置、５０１：電極、５０２：電極、５１２Ｂ＿１：発光ユニット、５１２Ｂ＿２：発光ユニット、５１２Ｂ＿３：発光ユニット、５１２Ｇ＿１：発光ユニット、５１２Ｇ＿２：発光ユニット、５１２Ｒ＿１：発光ユニット、５２１：層、５２２：層、５２３Ｂ：発光層、５２３Ｇ：発光層、５２３Ｒ：発光層、５２４：層、５２５：層、５３１：電荷発生層、５５０Ｂ：発光デバイス、５５０Ｇ：発光デバイス、５５０Ｒ：発光デバイス、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６５：層、７６６：層、７６７：活性層、７６８：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　第１の発光デバイスと、前記第１の発光デバイスと隣接して配置された第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
　前記第１のＥＬ層の側面の一部と、前記第２のＥＬ層の側面の一部が、互いに対向して配置され、
　前記第１の絶縁層の一部は、前記第１のＥＬ層の側端部と、前記第２のＥＬ層の側端部に挟まれる位置に配置され、
　前記第１の絶縁層の他の一部は、前記第１のＥＬ層の上面の一部、または前記第２のＥＬ層の上面の一部と重なり、
　前記第１の発光デバイスは、青色の光を発し、
　前記第２の発光デバイスは、前記第１の発光デバイスと異なる色の光を発し、
　前記第１のＥＬ層は、前記第１の画素電極上の第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、
　前記第２のＥＬ層は、前記第２の画素電極上の第３の発光ユニットを有する、
　表示装置。
　請求項１において、
　前記第１の画素電極の端部を覆う、第２の絶縁層を有する、
　表示装置。
　請求項１において、
　前記第１の画素電極の端部、及び前記第２の画素電極の端部をそれぞれ覆う、第２の絶縁層を有する、
　表示装置。
　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第３の発光デバイスと、第１の絶縁層と、を有し、
　前記第１の発光デバイスは、前記第２の発光デバイス及び前記第３の発光デバイスと隣接して配置され、
　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
　前記第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、前記第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、前記第３のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
　前記第１のＥＬ層の側面の一部、前記第２のＥＬ層の側面の一部、及び前記第３のＥＬ層の側面の一部から選ばれたいずれか２つが、互いに対向して配置され、
　前記第１の絶縁層の一部は、前記第１のＥＬ層の側端部、前記第２のＥＬ層の側端部、及び前記第３のＥＬ層の側端部から選ばれたいずれか２つに挟まれる位置に配置され、
　前記第１の絶縁層の他の一部は、前記第１のＥＬ層の上面の一部、前記第２のＥＬ層の上面の一部、または前記第３のＥＬ層の上面の一部と重なり、
　前記第１の発光デバイスは、青色の光を発し、
　前記第２の発光デバイスは、赤色の光を発し、
　前記第３の発光デバイスは、緑色の光を発し、
　前記第１のＥＬ層は、前記第１の画素電極上の第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、
　前記第２のＥＬ層は、前記第２の画素電極上の第３の発光ユニットを有し、
　前記第３のＥＬ層は、前記第３の画素電極上の第４の発光ユニットと、前記第４の発光ユニット上の第２の電荷発生層と、前記第２の電荷発生層上の第５の発光ユニットと、を有する、
　表示装置。
　請求項４において、
　前記第１の画素電極の端部、及び前記第３の画素電極の端部をそれぞれ覆う、第２の絶縁層を有する、
　表示装置。
　請求項４において、
　前記第１の画素電極の端部、前記第２の画素電極の端部、及び前記第３の画素電極の端部をそれぞれ覆う、第２の絶縁層を有する、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
　第１の絶縁層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
　前記第１の層は、無機材料を有し、
　前記第２の層は、有機材料を有する、
　表示装置。
　請求項７において、
　前記共通電極は、前記第２の層の上に配置される、
　表示装置。