JP2016045979A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高い輝度を有する表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する発光素子が設けられた発光部と、前記発光部の周囲に設けられ、前記発光部からの光を反射するとともに前記発光素子の前記第２電極に電気的に接続された導電層を有するリフレクタとを備えた表示装置。【選択図】図３

Description

本技術は、有機層を有する発光素子を含む表示装置および電子機器に関する。

有機層を含む自発光型の発光素子を用いた有機ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイは、液晶などと比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対応しても十分な応答性を有するものである。

有機ＥＬディスプレイでは、光の取り出し効率を向上させる方法として、発光素子が設けられた発光部の周囲にリフレクタ構造を設ける方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−２３２４０号公報

このような有機ＥＬディスプレイでは、光の取り出し効率とともに、発光素子に伝達される信号量（例えば電流量）を増加させ、より輝度を向上させることが望まれている。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い輝度を有する表示装置および電子機器を提供することにある。

本技術による表示装置は、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する発光素子が設けられた発光部と、発光部の周囲に設けられ、発光部からの光を反射するとともに発光素子の第２電極に電気的に接続された導電層を有するリフレクタとを備えたものである。

本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本技術の表示装置または電子機器では、発光素子の第２電極にリフレクタの導電層が電気的に接続されているので、第２電極とともにリフレクタの導電層が利用され、発光素子に信号が伝達される。

本技術の表示装置および電子機器によれば、発光素子の第２電極にリフレクタの導電層を電気的に接続するようにしたので、発光素子に流れる信号量を増加させることができる。よって、輝度を向上させることができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本技術の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。 図１に示した表示装置の一部を拡大した平面図である。 図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。 図２に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成を表す図である。 図３および図４に示したリフレクタの導電層の構成を表す平面図である。 図３および図４に示したリフレクタの第１誘電体層の構成を表す平面図である。 図３および図４に示したリフレクタの第２誘電体層の構成を表す平面図である。 図６に示した第１誘電体層の他の構成を表す平面図である。 図７に示した第２誘電体層の他の構成を表す平面図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表す模式図である。 図１０に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図３に示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 図１３に続く工程を表す断面図である。 図１４に続く工程を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置の構成を表す平面図である。 図１６に示したＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。 図１６に示したＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。 図１７および図１８に示したリフレクタの第１誘電体層の構成を表す平面図である。 図１７および図１８に示したリフレクタの第２誘電体層の構成を表す平面図である。 図１９に示した第１誘電体層の構成の他の例を表す平面図である。 図２０に示した第２誘電体層の構成の他の例を表す平面図である。 変形例２に係る表示装置の第１誘電体層の構成を表す平面図である。 変形例２に係る表示装置の第２誘電体層の構成を表す平面図である。 図２３に示した第１誘電体層の構成の他の例を表す平面図である。 図２４に示した第２誘電体層の構成の他の例を表す平面図である。 変形例３に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１等に示した表示装置の適用例を表す斜視図である。 図８等に示した第１誘電体層の構成の他の例を表す平面図である。 図９等に示した第２誘電体層の構成の他の例を表す平面図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示装置：リフレクタが支持体、導電層および２つの誘電体層により構成されている例）
２．変形例１（誘電体層の接続孔の配置例１）
３．変形例２（誘電体層の接続孔の配置例２）
４．変形例３（リフレクタが支持体、導電層および１つの誘電体層により構成されている例）
５．変形例４（リフレクタが導電層および１つの誘電体層により構成されている例）
６．適用例

＜実施の形態＞
[表示装置１の構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の平面構成を模式的に表したものである。この表示装置１は、中央部の表示領域１１０Ａおよび表示領域１１Ａの外側の周辺領域１１０Ｂを有する基板１１を含むものである。周辺領域１１０Ｂは、表示領域１１０Ａを囲んでおり、この基板１１上の周辺領域１１０Ｂには共通電極１２Ｃが設けられている。共通電極１２Ｃは例えば、矩形の表示領域１１０Ａを囲む額縁状に設けられている。この共通電極１２Ｃは、例えば共通電源供給線（ＧＮＤ）に接続されている。共通電極１２Ｃは、周辺領域１１０Ｂに設けられていればよく、表示領域１１０Ａを囲んでいなくてもよい。

図２は、図１の部分Ｐの拡大図である。基板１１上の表示領域１１０Ａには複数の発光部１０が設けられている。発光部１０は、例えば赤色の光を発する赤色発光部１０Ｒ、緑色の光を発する緑色発光部１０Ｇおよび青色の光を発する青色発光部１０Ｂにより構成されている。赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂは、例えば矩形状であり、行方向（Ｘ方向）および列方向（Ｙ方向）にマトリクス状に配置されている。赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂは、例えば円状であってもよい（図示せず）。

図２のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿った断面構成を図３に、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成を図４にそれぞれ表す。

表示装置１は、基板１１上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１２および層間絶縁膜１３を有している。赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂでは、層間絶縁膜１３上にそれぞれ発光素子２０が設けられ、赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂの周囲には層間絶縁膜１３上にリフレクタ３０が設けられている。図３には、赤色発光部１０Ｒを示していないが、赤色発光部１０Ｒの発光素子２０も緑色発光部１０Ｇおよび青色発光部１０Ｂの発光素子２０と同様の構成を有している。発光素子２０は、層間絶縁膜１３に近い位置から順に第１電極２１、発光層を含む有機層２２および第２電極２３を有している。隣り合う発光素子２０の間には、画素間絶縁膜２４が設けられている。リフレクタ３０は、層間絶縁膜１３に近い位置から順に支持体３１、導電層３２、第１誘電体層３３および第２誘電体層３４を有している。これら発光素子２０およびリフレクタ３０は充填層４０で覆われており、基板１１とＣＦ（Color Filter）層５０を有する封止基板６０との間に封止されている。このような表示装置１は、例えばトップエミッション型の表示装置であり、発光素子２０で発生した光は封止基板６０から取り出されるようになっている。

基板１１は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。基板１１は、その一主面に複数の画素５が配列形成される支持体である。基板１１の構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）および鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて基板１１を構成してもよい。基板１１には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では後述の封止基板６０から光が取り出されるため、基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板６０には基板１１と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により基板１１を構成してもよい。

ＴＦＴ層１２は、例えばゲート絶縁膜と平坦化層との積層構造を有している。ＴＦＴ層１２には、画素駆動回路（後述の図１０の画素駆動回路１４０）を構成する駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２が形成されており、さらに、信号線（後述の図１０の信号線１２０Ａ）、走査線（後述の図１０の走査線１３０Ａ）および共通電極１２Ｃも埋設されている。詳細には、基板１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２のゲート電極がそれぞれ形成され、ゲート絶縁膜によって一括して覆われている。そのゲート絶縁膜の上には、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２における、半導体層、ソース電極およびドレイン電極がそれぞれ形成されている。

ゲート絶縁膜に積層された平坦化層は、主にＴＦＴ層１２の表面を平坦化するために設けられるものであり、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。ゲート絶縁膜により十分な平坦性が得られていれば、平坦化層を省略することもできる。

第１電極２１は、例えば反射層としての機能も兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極２１としては、例えば厚みが１００ｎｍ〜３００ｎｍの導電材料を用いることができる。第１電極２１の構成材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極２１は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。光透過性の高い導電材料により第１電極２１を構成し、基板１１と第１電極２１との間に反射層を設けるようにしてもよい。発光部１０Ｂに設けられた第１電極２１は、層間絶縁膜１３に設けられた接続孔ＨＢを介して、発光部１０Ｇに設けられた第１電極２１は、層間絶縁膜１３に設けられた接続孔ＨＧを介して、それぞれＴＦＴ層１２の駆動トランジスタＴｒ１に電気的に接続されている。

画素間絶縁膜２４は第１電極２１と第２電極２３との間の絶縁性を確保すると共に各発光素子２０の発光領域を区画分離するためのものである。この画素間絶縁膜２４は例えば、ポリイミド，アクリル樹脂またはノボラック系樹脂などの樹脂材料により構成されている。酸化シリコン（ＳｉＯ₂）および窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）等の無機絶縁材料と樹脂材料とを積層して画素間絶縁膜２４を構成するようにしてもよい。

第１電極２１と第２電極２３との間には、有機層２２が設けられている。この有機層２２は、発光部１０（赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂ）の発光色にかかわらず同一の構造を有しており、例えば、第１電極２１に近い位置から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層がこの順に積層されたものである。電界をかけることにより、第１電極２１から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極２３から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが発光層で再結合して、光が発生する。有機層２２は、例えば全ての発光素子２０に共通しており、リフレクタ３０を覆っている。

正孔注入層は、正孔（キャリア）を通過させて正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。

（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）

正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。正孔輸送機能を有する材料を正孔注入層として選択してもよい。

発光層は白色発光用の発光層であり、例えば第１電極２１と第２電極２３との間に互いに積層して設けられた赤色発光層，緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、正孔と電子との再結合により、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生するものである。

赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。

緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。

青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。

電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層１６への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等により構成されている。

第２電極２３は、有機層２２を間にして第１電極２１と対をなし、第１電極２１と絶縁された状態で電子注入層の上に全ての発光素子２０に共通して設けられている。この第２電極２３は、例えば光透過性の透明材料により構成されている。具体的には、第２電極２３にはアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金を用いることができる。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極２３の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。具体的には第２電極２３として、厚み１０ｎｍ〜３０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金、または厚み２０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＺＯ等を用いることができる。第２電極２３は例えば、有機層２２と同様に、全ての発光素子２０に共通しており、リフレクタ３０を覆っている。

リフレクタ３０は、発光部１０の周囲を囲むように設けられており、発光素子２０で発生した光を反射する。このようなリフレクタ３０を設けることにより、発光素子２０で発生した光の光取り出し効率が高まり、表示装置１の輝度が向上する。リフレクタ３０の支持体３１は、画素間絶縁膜２４上に設けられている。この支持体３１は、リフレクタ３０の形状を所望の形状に成形するためのものであり、発光部１０を囲む隔壁状に成形されている。支持体３１の太さ（幅）は、例えば画素間絶縁膜２４に近い位置で大きく、封止基板６０に近づくにつれて小さくなっている。即ち、支持体３１は、その断面形状がテーパ状になるように成形されている。このような断面がテーパ状の支持体３１（リフレクタ３０）を設けることにより、封止基板６０側からの光取り出し効率を高めることができる。支持体３１は、例えば紫外線硬化型または熱硬化型の樹脂により構成されている。支持体３１には、上述の画素間絶縁膜２４の構成材料と同じ材料を用いることも可能であり、支持体３１と画素間絶縁膜２４とが一体化されていてもよい。例えば、第１電極２１が半径１０μｍの円状の形状を有するとき、支持体３１の高さ（Ｚ方向の距離）は、例えば１０μｍである。支持体３１の高さは、第１電極２１の大きさ、形状およびピッチ等に応じて適宜調整すればよい。

導電層３２は、例えばその厚みが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、支持体３１の形状に沿うように支持体３１を覆っている。この導電層３２は、発光部１０からの光を表示面側に効率よく反射させるためのものであり、発光素子２０で発生した光に対して高い反射率を有する金属材料により構成することが好ましい。具体的には、導電層３２の構成材料は銀（Ａｇ）およびアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含むことが好ましい。銀またはアルミニウムの単体により導電層３２を構成するようにしてもよく、あるいは、銀およびアルミニウムの混合物を主成分とした合金により導電層３２を構成するようにしてもよい。本実施の形態では、この導電層３２が発光素子２０の第２電極２３に電気的に接続されている。詳細は後述するが、これにより、発光素子２０に流れる信号量を増加させ、発光素子２０の輝度を向上させることができる。

図５は、導電層３２の平面形状を表したものである。表示装置１には、１つの導電層３２が連続して設けられている。基板１１の表示領域１１０Ａ上では、導電層３２に複数の開口３２Ｅが設けられている。この開口３２Ｅは例えば矩形状であり、発光部１０に重なる位置に設けられている。開口３２Ｅでは、導電層３２の端面が第１誘電体層３３、第２誘電体層３４および画素間絶縁膜２４に覆われており、導電層３２は第１電極２１と絶縁されている。この導電層３２は、基板１１上の周辺領域１１０Ｂまで延在しており、周辺領域１１０Ｂの層間絶縁膜１３に設けられた接続孔ＨＣを介して、共通電極１２Ｃに電気的に接続されている（図３）。即ち、発光素子２０の第２電極２３は、導電層３２を介して共通電極１２Ｃに電気的に接続されている。

導電層３２に積層された第１誘電体層３３および第２誘電体層３４には、接続孔３０Ｈが設けられており、リフレクタ３０を覆う第２電極２３は、この接続孔３０Ｈを介して導電層３２に電気的に接続されている。有機層２２は接続孔３０Ｈ近傍で分断され、例えば、有機層２２の一部は接続孔３０Ｈの底部で局所的に導電層３２に付着している。第２電極２３は、有機層２２の分断面（端面）とともに、接続孔３０Ｈの壁面を覆い、接続孔３０Ｈの底部まで連続して設けられている。この第２電極２３が、接続孔３０Ｈの底部全体にまわり込み、導電層３２に接している。第１誘電体層３３および第２誘電体層３４は、接続孔３０Ｈの近傍にオーバーハング構造を有しており、接続孔３０Ｈの底部（導電層３２近傍）はその入口（第１誘電体層３３近傍）よりも大きくなっている。

図６は第１誘電体層３３の平面構成、図７は第２誘電体層３４の平面構成をそれぞれ表したものである。接続孔３０Ｈは、第１誘電体層３３の接続孔３３Ｈおよび第２誘電体層３４の接続孔３４Ｈにより構成されている。接続孔３３Ｈ，３４Ｈは例えば円状であり、第１誘電体層３３の接続孔３３Ｈの方が第２誘電体層３４の接続孔３４Ｈよりも大きくなっている。基板１１上の表示領域１１０Ａでは、この接続孔３３Ｈ，３４Ｈとともに、第１誘電体層３３に複数の開口３３Ｅが、第２誘電体層３４に複数の開口３４Ｅが設けられている。この開口３３Ｅ，３４Ｅは例えば矩形状であり、導電層３２の開口３２Ｅ、即ち発光部１０に重なる位置に設けられている。接続孔３３Ｈ，３４Ｈは、例えば行方向に隣り合う発光部１０の間に設けられている。

接続孔３３Ｈ，３４Ｈは、行方向に隣り合う発光部１０の間全てに設けられていてもよく（図６，図７）、図８および図９に示したように、行方向に隣り合う発光部１０の間の一部に設けられていてもよい。

第１誘電体層３３および第２誘電体層３４は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄），酸化チタン（ＴｉＯ₂），酸化ジルコニウム，酸化アルミニウム，酸化亜鉛および酸化インジウム等の無機材料により構成されている。第１誘電体層３３および第２誘電体層３４には、透明な（光透過性の高い）絶縁物を用いることが好ましい。第１誘電体層３３および第２誘電体層３４の構成材料は、所定条件下でのドライエッチングに対して互いにエッチング速度が異なることが好ましい。詳細には、第１誘電体層３３の構成材料の方が、第２誘電体層３４の構成材料よりも早くエッチングされることが好ましい。これにより、互いに大きさの異なる接続孔３３Ｈおよび接続孔３４Ｈを形成することが可能となる。第２誘電体層３４の屈折率（ｎ３４）は、第１誘電体層３３の屈折率（ｎ３３）よりも大きいことが好ましい（ｎ３４＞ｎ３３）。例えば、第１誘電体層３３は酸化シリコン、第２誘電体層３４は窒化シリコンにより構成されている。

基板１１と封止基板６０との間の充填層４０は、有機層２２への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものである。この充填層４０の光透過率は８０％程度であり、その厚みは例えば３μｍ〜２０μｍである。充填層４０には例えば、エポキシ樹脂あるいはアクリル樹脂等を用いることができる。充填層４０の屈折率（ｎ４０）は、第２誘電体層３４の屈折率ｎ３４よりも大きいことが好ましい（ｎ４０＞ｎ３４）。

封止基板６０の基板１１との対向面には、ＣＦ層５０が設けられている。このＣＦ層５０は、例えば赤色カラーフィルタ（図示せず）、緑色カラーフィルタ５０Ｇおよび青色カラーフィルタ５０Ｂを含んでおり、これらがそれぞれ赤色発光部１０Ｒ，緑色発光部１０Ｇ，青色発光部１０Ｂに対応して配置されている。赤色カラーフィルタ，緑色カラーフィルタ５０Ｇ，青色カラーフィルタ５０Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

ＣＦ層５０には例えば、各色カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ，緑色カラーフィルタ５０Ｇ，青色カラーフィルタ５０Ｂ）の間を埋める遮光膜が設けられている。この遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものが挙げられる。

封止基板６０は、発光素子２０の第２電極２３の側に位置しており、接着層（図示せず）と共に発光素子２０を封止するものである。封止基板６０は、発光素子２０で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。

図１０は、発光素子２０と発光素子２０に接続された各回路の構成を模式的に表したものである。基板１１上の周辺領域１１０Ｂには、共通電極１２Ｃ（図１）とともに、例えば、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられており、これらが表示領域１１０Ａの発光素子２０に接続されている。

表示領域１１０Ａには、複数の発光素子２０と共に、それらを駆動するための画素駆動回路１４０が形成されている。画素駆動回路１４０において、列方向には複数の信号線１２０Ａが配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａが配置されている。発光素子２０は、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点にそれぞれ設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続されている。

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された発光素子２０に供給する。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。走査線駆動回路１３０は、各発光素子２０への映像信号の書き込みに際し、行単位でそれらを走査し各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給する。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給される。

図１１は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、例えばアクティブ型の駆動回路である。具体的には、画素駆動回路１４０には、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された発光素子２０とが設けられている。発光素子２０の第１電極２１は駆動トランジスタＴｒ１のソース電極に接続され、発光素子２０の第２電極２２は共通電源供給線（ＧＮＤ）に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタにより構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

［表示装置１の製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。

（ＴＦＴ層１２および層間絶縁膜１３の形成工程）
まず、基板１１上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ層１２を形成する。このとき、基板１１上の表示領域１１０Ａには駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を、周辺領域１１０Ｂには共通電極１２Ｃを形成しておく。次いで、基板１１の全面にわたって層間絶縁膜１３を、例えばスピンコート法またはスリットコート法により成膜する。続いて、成膜した層間絶縁膜１３を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングして接続孔ＨＧ，ＨＢ，ＨＣを形成する。

（第１電極２１の形成工程）
ＴＦＴ２０を設けた後、発光部１０毎に第１電極２１を形成する。第１電極２１は、例えばＡｌＮｄ合金をスパッタ法により基板１１全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより形成される。

（画素間絶縁膜２４の形成工程）
次いで、基板１１全面にわたって例えばポリイミド系樹脂を成膜した後、これを所望の形状にパターニングすることにより、表示領域１１０Ａに画素間絶縁膜２４を形成する。

（リフレクタ３０の形成工程）
続いて、図１２に示したように、画素間絶縁膜２４上にリフレクタ３０を形成する。具体的には、まず、例えば基板１１全面に樹脂材料を成膜した後、これをパターニングすることにより、表示領域１１０Ａに支持体３１を形成する。その後、支持体３１を覆うようにして例えば、銀を成膜した後、これをパターニングして開口（図５の開口３２Ｅ）を形成する。これにより導電層３２が形成される。このとき、銀は周辺領域１１０Ｂまで延在させて、接続孔ＨＣに接続しておく。次いで、導電層３２上に第１誘電体層３３および第２誘電体層３４の構成材料を成膜した後、これをパターニングして開口（図６および図７の開口３３Ｅ，３４Ｅ）を形成する。これにより、リフレクタ３０が形成される。第１誘電体層３３および第２誘電体層３４は、所定条件下でのドライエッチングに対して、よりエッチング速度の速い材料を第１誘電体層３３に、よりエッチング速度の遅い材料を第２誘電体層３４に用いて形成しておく。

リフレクタ３０を設けた後、図１３に示したように、リフレクタ３０の第２誘電体層３４および第１誘電体層３３に接続孔３０Ｈを形成する。接続孔３０Ｈは、例えば、フォトリソグラフィ法およびドライエッチングを用いてパターニングすることにより形成する。このドライエッチングの工程では、上記のように、所定条件下でのドライエッチングに対して、互いにエッチング速度の異なる材料を用いて第１誘電体層３３および第２誘電体層３４を形成しておくことにより、第１誘電体層３３により大きな開口（図６の開口３３Ｅ）が、第２誘電体層３４により小さな開口（図７の開口３４Ｅ）が形成される。

（有機層２２の形成工程）
リフレクタ３０の第２誘電体層３４および第１誘電体層３３に接続孔３０Ｈを形成した後、図１４に示したように、基板１１上の表示領域１１０Ａに有機層２２を形成する。有機層２２は、例えば真空蒸着法により形成する。真空蒸着法は、蒸着源から基板１１に種々の材料を蒸着させる方法である。成膜時の圧力は、５×１０^-4Ｐａ以下であることが好ましい。有機層２２は、第１電極２１上に形成されるとともに、リフレクタ３０上にも形成される。リフレクタ３０の接続孔３０Ｈ内に、有機層２２の一部が入り込み、導電層３２に有機層２２が付着していてもよい。

（第２電極２３の形成工程）
有機層２２を設けた後、図１５に示したように、例えば真空蒸着法またはスパッタ法を用いて厚み２００ｎｍの第２電極２３を形成する。成膜時の圧力は、１×１０^-3Ｐａ以上であることが好ましく、例えば０．３Ｐａである。このとき、リフレクタ３０の接続孔３０Ｈ内で、有機層２２よりも第２電極２３が広い範囲に回りこむようにすることで、第２電極２３が導電層３２に接し、これらが電気的に接続される。第２電極２３は、ＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法またはＡＬＤ（Atomic layer deposition）法等を用いて形成するようにしてもよい。

（封止基板６０の形成工程）
封止基板６０上には、例えば以下のようにしてＣＦ層５０を形成する。まず、封止基板６０の全面に遮光膜の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングし、発光部１０の配置に合わせた開口を複数形成する。これにより遮光膜が形成される。次いで、遮光膜の開口に赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ５０Ｇおよび青色カラーフィルタ５０Ｂを順次パターニングして設ける。これによりＣＦ層５０が形成される。

（基板１１と封止基板６０との貼り合わせ工程）
上記のようにして形成した封止基板６０は、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）工程により発光素子２０、リフレクタ３０および充填層４０を間にして、基板１１に貼り合わされる。以上により、表示装置１が完成する。

[表示装置１の動作]
表示装置１では、各発光素子２０に、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極２１および第２電極２３を通じて、有機層２２に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層２２に含まれる発光層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光の少なくとも一部はリフレクタ３０で反射され、ＣＦ層５０および封止基板６０を透過して外部へ取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。

[表示装置１の作用・効果]
ここで、表示装置１では、発光素子２０の第２電極２３にリフレクタ３０の導電層３２が電気的に接続されているので、発光素子２０に流れる信号量を増加させることができる。以下、これについて説明する。

上面発光型（トップエミッション方式）の有機ＥＬディスプレイでは、発光素子の第２電極を透明導電材料により構成し、第１電極と第２電極との間で有機層からの光を多重反射させ、第１基板と反対側の第２基板（上面）から光を取り出すようになっている。第２電極として用いる透明導電材料は、一般に、金属材料よりも高い抵抗値を有するものである。したがって、発光素子の配置場所によって、発光素子を流れる信号量に差が生じ、表示性能が低下してしまう虞がある。第２電極の膜厚を厚くすると、その抵抗値は下がるものの、第２電極の可視光透過率が低下し、発光素子の光取出し効率を低下させてしまうことになる。

このような第２電極の高い抵抗値の影響を抑えるため、補助配線を用いる方法が考えられる。補助配線は、例えば隣り合う発光部の間に形成する。低抵抗の金属により構成された補助配線を介して第２電極を共通電極に接続することにより、第２電極により多くの信号を流すことが可能となり、表示性能が改善される。

しかしながら、補助配線を設けると発光部（開孔部）が狭くなる。即ち、補助配線が光取り出しを阻害して、輝度を低下させる虞がある。特に、リフレクタとともに補助配線を用いると、開孔率が大きく低下する。

これに対し、表示装置１では、発光素子２０の第２電極２３にリフレクタ３０の導電層３２が電気的に接続されているので、第２電極２３とともに導電層３２が利用され、発光素子２０に例えば電流等の信号が流れる。導電層３２は、共通電極１２Ｃに電気的に接続されており、第２電極２３から導電層３２を介して共通電極１２Ｃに電流が流れるようになっている。換言すれば、表示装置１のリフレクタ３０は、リフレクタとしてだけでなく、補助配線としても機能するようになっている。このように表示装置１では、リフレクタ３０とは別に補助配線を設ける必要がないので、開孔率を低下させることなく、発光素子２０に流れる信号量を増加させることができる。よって、表示装置１では、リフレクタ３０により、発光素子２０で発生した光の取り出し効率を向上させ、かつ、発光素子２０の発光量を増加させることができる。即ち、表示装置１では大出力の光を発生させることが可能となる。

また、表示装置１では、リフレクタ３０とは別に補助配線を設ける必要がないので、製造工程を簡略化し、コストを抑えることができる。

以上のように本実施の形態では、発光素子２０の第２電極２３にリフレクタ３０の導電層３２を電気的に接続するようにしたので、光の取り出し効率を向上させるとともに、発光素子２０に大容量の信号を流すことができる。よって、輝度を向上させることができる。

また、表示装置１では、上記のように開孔率の低下が抑えられるので、発光部１０の微細化を行うことが可能となる。マイクロディスプレイでは、パネルサイズの縮小化が可能となり、製造効率を向上させることが可能となる。

更に、発光素子２０からリフレクタ３０の導電層３２を介して共通電極１２Ｃに電流が流れるので、この電流量が大きい場合にも、駆動回路には影響を及ぼすことない。このため、表示領域１１０Ａ内で均一な発光を得ることができる。

加えて、第２誘電体層３４の屈折率ｎ３４を第１誘電体層３３の屈折率ｎ３３よりも大きく、充填層４０の屈折率ｎ４０を第２誘電体層３４の屈折率ｎ３４よりも大きく（ｎ３３＜ｎ３４＜ｎ４０）することにより、発光素子２０で発生した光は第２誘電体層３４の表面で全反射するようになる。よって、発光素子２０で発生した光の取り出し効率を更に向上させることが可能となる。

以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

＜変形例１＞
図１６は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の平面構成を表したものである。図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面構成を図１７に、ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った断面構成を図１８にそれぞれ表している。この表示装置１Ａは、上記表示装置１とは異なる位置に接続孔３０Ｈが設けられている。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

図１９は、リフレクタ３０の第１誘電体層３３の平面構成を表したものであり、図２０はリフレクタ３０の第２誘電体層３４の平面構成を表したものである。接続孔３３Ｈ，３４Ｈは、行方向および列方向のいずれの方向においても開口３３Ｅ，３４Ｅとずれた位置に設けられている。即ち、接続孔３３Ｈ，３４Ｈからなる接続孔３０Ｈは、行方向および列方向のいずれの方向においても発光部１０とずれた位置に配置されている。

図２１および図２２に示したように、行方向に隣り合う開口３３Ｅ，３４Ｅの間に接続孔３３Ｈ，３４Ｈを設けるととともに、行方向および列方向のいずれの方向においても開口３３Ｅ，３４Ｅとずれた位置に接続孔３３Ｈ，３４Ｈを設けるようにしてもよい。

＜変形例２＞
変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）は、リフレクタ３０の導電層３２と発光素子２０の第２電極２３とを接続するための接続孔３０Ｈが、列方向に隣り合う発光部１０の間に設けられたものである。この点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

図２３は、この表示装置１Ｂの第１誘電体層３３の平面構成を表したものであり、図２４は第２誘電体層３４の平面構成を表したものである。接続孔３３Ｈ，３４Ｈは、列方向に隣り合う開口３３Ｅ，３４Ｅの間に設けられている。即ち、接続孔３３Ｈ，３４Ｈからなる接続孔３０Ｈは、列方向に隣り合う発光部１０の間に配置されている。

接続孔３３Ｈ，３４Ｈは、列方向に隣り合う発光部１０の間全てに設けられていてもよく（図２３，図２４）、図２５および図２６に示したように、行方向に隣り合う発光部１０の間の一部に設けられていてもよい。列方向に隣り合う発光部１０の間と、行方向に隣り合う発光部１０の間とに接続孔３３Ｈ，３４Ｈが設けられていてもよい。

＜変形例３＞
図２７は、変形例３に係る表示装置（表示装置１Ｃ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｃでは、リフレクタ３０が支持体３１、導電層３２および第１誘電体層３２の積層構造により構成されており、第２誘電体層（例えば、図３の第２誘電体層３３）が設けられていない。この点を除き、表示装置１Ｃは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

表示装置１Ｃでは、リフレクタ３０の導電層３２と発光素子２０の第２電極２３とを接続する接続孔３０Ｈは、第１誘電体層３２に設けられている。接続孔３０Ｈは、表示装置１で説明したのと同様に、その入口よりも底部が大きくなっていることが好ましい。

＜変形例４＞
図２８は、変形例４に係る表示装置（表示装置１Ｄ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｄでは、リフレクタ３０が導電層３２および第１誘電体層３３の積層構造により構成されており、支持体（例えば、図３の支持体３１）および第２誘電体層（例えば、図３の第２誘電体層３３）が設けられていない。この点を除き、表示装置１Ｄは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

この表示装置１Ｄのリフレクタ３０では、導電層３２の断面形状がテーパ状になるように成形されており、導電層３２の太さ（幅）が、例えば画素間絶縁膜２４に近い位置で大きく、封止基板６０に近づくにつれて小さくなっている。第１誘電体層３３に設けられた接続孔３０Ｈは、表示装置１で説明したのと同様に、その入口よりも底部が大きくなっていることが好ましい。断面形状がテーパ状の導電層３２に、第１誘電体層３３および第２誘電体層を積層してリフレクタ３０を構成するようにしてもよい（図示せず）。

（適用例）
上記実施の形態および変形例に係る表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置（表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ）は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話やスマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

例えば、図２９は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。映像表示画面部３００が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等では、表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの構成を具体的に挙げて説明したが、表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは、図示した構成要素を全て備えるものに限定されるものではなく、また他の構成要素を備えていてもよい。一部の構成要素を他の構成要素に置換することもできる。

また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

更に、上記実施の形態等では、リフレクタ３０の第１誘電体層３３および第２誘電体層３４に接続孔３３Ｈ，３４Ｈを設ける場合について説明したが、図３０および図３１に示したように、第１誘電体層３３および第２誘電体層３４に列方向に延在する接続溝３３Ｓ，３４Ｓを設けるようにしてもよい。接続溝３３Ｓ，３４Ｓは、行方向に延在していてもよい（図示せず）。接続溝３３Ｓ，３４Ｓを設けた場合には、リフレクタ３０の導電層３２と発光素子２０の第２電極２３とは、接続溝で接続される。

加えて、上記実施の形態等では、有機層２２が全ての発光素子２０に共通して設けられている場合について説明したが、有機層２２の一部あるいは全部が発光素子２０毎に設けられていてもよい。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する発光素子が設けられた発光部と、前記発光部の周囲に設けられ、前記発光部からの光を反射するとともに前記発光素子の前記第２電極に電気的に接続された導電層を有するリフレクタとを備えた表示装置。
（２）更に、前記発光素子および前記リフレクタが設けられた表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する基板と、前記基板上の前記周辺領域に設けられた共通電極とを有し、前記リフレクタの前記導電層は、前記周辺領域に延在して前記共通電極に電気的に接続されている前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記リフレクタは、前記導電層に積層された誘電体層を含む前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）複数の前記発光素子を有し、前記発光素子の前記発光層および前記第２電極は、複数の前記発光素子に共通して設けられ、前記リフレクタを覆っている前記（３）に記載の表示装置。
（５）前記誘電体層に設けられた接続孔を介して、前記発光素子の前記第２電極は前記導電層に電気的に接続されている前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記接続孔の底部は、入口よりも大きくなっている前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記誘電体層は、所定条件下でのドライエッチングに対して互いにエッチング速度の異なる第１誘電体層および第２誘電体層を含む前記（６）に記載の表示装置。
（８）前記リフレクタは前記発光部を囲む隔壁状の支持体を有し、前記支持体に前記導電層、第１誘電体層および第２誘電体層がこの順に積層されている前記（７）に記載の表示装置。
（９）前記接続孔は、前記第１誘電体層に設けられた第１接続孔と、前記第２誘電体層に設けられるとともに前記第１接続孔よりも小さい第２接続孔とにより構成されている前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記接続孔では、前記有機層が前記導電層に付着するとともに前記導電層に付着した前記有機層の周囲で前記第２電極が前記導電層に接している前記（６）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）複数の前記発光部が行列状に配置され、前記誘電体層の前記接続孔は、行方向または列方向の少なくともいずれか一方において隣り合う前記発光部の間に設けられている前記（５）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）複数の前記発光部が行列状に配置され、前記誘電体層の前記接続孔は、行方向および列方向のいずれにおいても前記発光部とずれた位置に設けられている前記（５）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記発光部および前記リフレクタは、充填剤により覆われている前記（７）に記載の表示装置。
（１４）前記充填剤の屈折率は前記第２誘電体層の屈折率よりも大きく、前記第２誘電体層の屈折率は前記第１誘電体層の屈折率よりも大きい前記（１３）に記載の表示装置。
（１５）前記導電層は、銀およびアルミニウムの少なくとも一方を含んでいる前記（１）乃至（１４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）表示装置を備え、前記表示装置は、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する発光素子が設けられた発光部と、前記発光部の周囲に設けられ、前記発光部からの光を反射するとともに前記発光素子の前記第２電極に電気的に接続された導電層を有するリフレクタとを含む電子機器。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ・・・表示装置、１０・・・発光部、１０Ｒ・・・赤色発光部、１０Ｇ・・・緑色発光部、１０Ｂ・・・青色発光部、１１・・・基板、１１０Ａ・・・表示領域、１１０Ｂ・・・周辺領域、１２・・・ＴＦＴ層、１２Ｃ・・・共通電極、１３・・・層間絶縁膜、２０・・・発光素子、２１・・・第１電極、２２・・・有機層、２３・・・第２電極、２４・・・画素間絶縁膜、３０・・・リフレクタ、３０Ｈ，ＨＧ，ＨＢ，ＨＣ・・・接続孔、３１・・・支持体、３２・・・導電層、３３・・・第１誘電体層、３４・・・第２誘電体層、４０・・・充填層、５０・・・ＣＦ層、６０・・・封止基板。

Claims (16)

1. 第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する発光素子が設けられた発光部と、
   前記発光部の周囲に設けられ、前記発光部からの光を反射するとともに前記発光素子の前記第２電極に電気的に接続された導電層を有するリフレクタと
   を備えた表示装置。
2. 更に、前記発光素子および前記リフレクタが設けられた表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する基板と、
   前記基板上の前記周辺領域に設けられた共通電極とを有し、
   前記リフレクタの前記導電層は、前記周辺領域に延在して前記共通電極に電気的に接続されている
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記リフレクタは、前記導電層に積層された誘電体層を含む
   請求項１に記載の表示装置。
4. 複数の前記発光素子を有し、
   前記発光素子の前記発光層および前記第２電極は、複数の前記発光素子に共通して設けられ、前記リフレクタを覆っている
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記誘電体層に設けられた接続孔を介して、前記発光素子の前記第２電極は前記導電層に電気的に接続されている
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記接続孔の底部は、入口よりも大きくなっている
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記誘電体層は、所定条件下でのドライエッチングに対して互いにエッチング速度の異なる第１誘電体層および第２誘電体層を含む
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記リフレクタは前記発光部を囲む隔壁状の支持体を有し、前記支持体に前記導電層、第１誘電体層および第２誘電体層がこの順に積層されている
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記接続孔は、前記第１誘電体層に設けられた第１接続孔と、前記第２誘電体層に設けられるとともに前記第１接続孔よりも小さい第２接続孔とにより構成されている
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記接続孔では、前記有機層が前記導電層に付着するとともに前記導電層に付着した前記有機層の周囲で前記第２電極が前記導電層に接している
    請求項６に記載の表示装置。
11. 複数の前記発光部が行列状に配置され、
    前記誘電体層の前記接続孔は、行方向または列方向の少なくともいずれか一方において隣り合う前記発光部の間に設けられている
    請求項５に記載の表示装置。
12. 複数の前記発光部が行列状に配置され、
    前記誘電体層の前記接続孔は、行方向および列方向のいずれにおいても前記発光部とずれた位置に設けられている
    請求項５に記載の表示装置。
13. 前記発光部および前記リフレクタは、充填剤により覆われている
    請求項７に記載の表示装置。
14. 前記充填剤の屈折率は前記第２誘電体層の屈折率よりも大きく、前記第２誘電体層の屈折率は前記第１誘電体層の屈折率よりも大きい
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記導電層は、銀およびアルミニウムの少なくとも一方を含んでいる
    請求項１に記載の表示装置。
16. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する発光素子が設けられた発光部と、
    前記発光部の周囲に設けられ、前記発光部からの光を反射するとともに前記発光素子の前記第２電極に電気的に接続された導電層を有するリフレクタとを含む
    電子機器。

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