JP2015022914A - 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】コストを抑えた表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】表示領域内に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を有する第１基板と、前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板と、前記第２基板のうち、前記表示領域の外側に設けられた第１周辺電極と、前記第２基板に設けられると共に、前記第１周辺電極に電気的に接続された第１配線と、前記第１配線と前記発光素子とを電気的に接続する第１接続部とを備えた表示装置。【選択図】図１

Description

本技術は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子等の発光素子を有する表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子等を用いたディスプレイが注目されている（例えば、特許文献１〜３）。このような自発光型のディスプレイは、視野角が広く、消費電力が低いという特性を有している。また、有機ＥＬ素子は高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。このようなディスプレイは、主に能動駆動型（ＡＭ：Active Matrix）であり、各画素は例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を用いて制御される。
ところで、カラー表示の自発光型ディスプレイは、主に以下の２つの方法で製造される。１つ目は、赤色、緑色および青色の各色を発光する素子の有機層を画素毎に塗り分ける方法である。色純度向上のために、各画素にカラーフィルタを配置してもよい。２つ目は、全ての発光素子に共通の有機層を形成する方法である。この方法で製造したディスプレィでは、発光素子が放出する白色光を、画素毎に設けた赤色、緑色および青色の各色カラーフィルタを透過させて取り出すようになっている。共通の有機層として、例えば赤色、緑色および青色の発光層を積層してもよく、黄色および青色の発光層を積層するようにしてもよい。この方法は、有機層の塗り分けが不要となるため、上記１つ目の方法に比べて簡便である。
特開２００１−１９５００８号公報 特開２０１１−１０３２０５号公報 特許４３３３３３３号公報
しかしながら、自発光型のディスプレイでは、簡便さに加えて、より低いコストでの製造が望まれている。
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より低コスト化の可能な表示装置およびその製造方法、並びにその表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
本技術の表示装置の製造方法は、第１基板上の表示領域に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を形成し、第２基板に、第１配線と表示領域の外側に設けられると共に第１配線に電気的に接続された第１周辺電極とを形成し、発光素子を間にして第１基板に第２基板を対向させ、第１配線と発光素子とを第１接続部により電気的に接続するものである。
本技術の表示装置の製造方法では、第２基板に第１周辺電極が形成されるので、発光素子を形成する際のマスクの使用枚数を減らすことが可能となる。第１周辺電極は、第１配線および第１接続部を介して、例えば発光素子の第２電極に電気的に接続される。
本技術による表示装置は、上記本技術の表示装置の製造方法を用いて製造したものであり、表示領域内に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を有する第１基板と、発光素子を間にして第１基板に対向する第２基板と、第２基板のうち、表示領域の外側に設けられた第１周辺電極と、第２基板に設けられると共に、第１周辺電極に電気的に接続された第１配線と、第１配線と発光素子とを電気的に接続する第１接続部とを備えたものである。
本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
本技術の表示装置およびその製造方法、並びに電子機器によれば、第２基板に第１周辺電極を設けるようにしたので、発光素子を形成する際に必要なマスクの数を減らすことができる。よって、マスクの使用によるランニングコストの増加などを抑えることができ、低コストでの製造が可能となる。
本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。 図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した封止パネルの表示領域の構成を表す平面図である。 図１に示した素子パネルの全体の平面構成を表す平面図である。 図１に示した封止パネルの全体の平面構成を表す平面図である。 図５に示した素子パネルと図６に示した封止パネルとを重ねた状態を表す平面図である。 図１に示した素子パネルの製造工程を表す断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 図８Ｂに続く工程を表す断面図である。 図８Ｃに続く工程を表す断面図である。 比較例に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図９に示した素子パネルの構成を表す平面図である。 図９に示した封止パネルの構成を表す平面図である。 図１１に示した封止パネルの表示領域の構成を表す平面図である。 図１１に示した封止パネルの表示領域の外側の構成を表す平面図である。 図１０に示した素子パネルと図１１に示した封止パネルとを重ねた状態を表す平面図である。 図９に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。 図１５に示したマスクの構成を表す平面図である。 図１５に続く工程を表す断面図である。 図１７に示したマスクの構成を表す平面図である。 塗り分け型の発光層を有する表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した封止パネルの製造工程を表す断面図である。 図２０Ａに続く工程を表す断面図である。 図８Ｄに示した素子パネルと図２０Ｂに示した封止パネルとを合わせる工程の一例を表す断面図である。 図２１Ａに続く工程を表す断面図である。 図２１Ｂに続く工程を表す断面図である。 図２１Ｃに続く工程を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例３に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。 本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図２７に示した封止パネルの構成を表す平面図である。 図２７に示した素子パネルの構成を表す平面図である。 図２７に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。 図２８に示した封止パネルと図２９に示した素子パネルとを重ねた状態を表す平面図である。 本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図３２に示した表示装置の他の例を表す断面図である。 図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例１の外観の他の例を表す斜視図である。 適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。 適用例７の閉じた状態を表す図である。 適用例７の開いた状態を表す図である。 図１等に示した有機層の他の例を表す断面図である。
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第２基板に第１周辺電極を有する表示装置：トップエミッション型）
２．変形例１（第１接続部が導電性ボールにより構成される例）
３．変形例２（第１接続部が導電性樹脂により構成される例）
４．変形例３（第１接続部がカラーフィルタの凸部により構成される例）
５．変形例４（第１接続部が絶縁膜の凸部により構成される例）
６．第２の実施の形態（第２基板に第１周辺電極および第２周辺電極を有する表示装置）７．第３の実施の形態（ボトムエミッション型の表示装置）
＜第１の実施の形態＞
［表示装置の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。この表示装置１は素子パネル１０と封止パネル２０とを有し、封止パネル２０側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置である。素子パネル１０と封止パネル２０との間には充填樹脂３０Ａが設けられている。素子パネル１０は、素子基板１１（第１基板）上に赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒ、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇおよび青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂを有するものであり、これら有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと素子基板１１との間にはＴＦＴ１２および平坦化層１３が設けられている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは保護層１９に覆われている。封止パネル２０は、素子基板１１と対向する封止基板２１（第２基板）を有しており、封止基板２１の素子基板１１との対向面には、封止基板２１側から遮光層２２、カラーフィルタ２３、オーバーコート層２４、補助配線２５およびピラー２６（第１接続部）がこの順に設けられている。表示装置１では、このピラー２６を介して封止パネル２０の補助配線２５（第１配線）と素子パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとが電気的に接続されている。
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、中央部に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に二次元配置された表示領域１１０を有している。表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。
表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと共に、それらを駆動するための画素駆動回路１５０が形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給されるようになっている。
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述するトランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間においてトランジスタＴｒ１と直列に接続されている。トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２は、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）であってもスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。
トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと接続されている。
保持容量Ｃｓは、トランジスタＴｒ１のゲート電極（トランジスタＴｒ２のソース電極）と、トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
[表示装置の要部構成]
次に、再び図１を参照して、素子パネル１０および封止パネル２０の詳細な構成について説明する。
素子基板１１は、その一主面側に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが配列形成される支持体である。素子基板１１には、例えが高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板を用いることができる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて素子基板１１を構成するようにしてもよい。素子基板１１には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。素子基板１１に可撓性材料を用いるようにしてもよい。トップエミッション型では封止基板２１側から光が取り出されるため、素子基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２１には素子基板１１と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。
ＴＦＴ１２は、例えば、上記トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のいずれかに対応するトランジスタであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの能動素子として機能するものである。例えば、ＴＦＴ１２のソース・ドレイン電極は、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１２Ａを介して配線１２Ｂに電気的に接続されている。ＴＦＴ１２が例えばトランジスタＴｒ２であるとき、配線１２Ｂは信号線１２０Ａに接続され、ＴＦＴ１２が例えばトランジスタＴｒ１であるとき、配線１２Ｂは平坦化層１３の接続孔１３Ａを介して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（後述の第１電極１４）に接続される。層間絶縁膜１２Ａには、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機材料を用いることができる。例えばＢＰＳＧ（Boro-phospho silicate glass）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（Spin on glass）、低融点ガラスおよびガラスペースト等のＳｉＯ2系材料を層間絶縁膜１２Ａに用いるようにしてもよい。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム―銅（Ｃｕ）合金等により構成されている。
平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された素子基板１１の表面を平坦化するためのものであり、配線１２Ｂと下部電極１２とを接続するための微細な接続孔１３Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。吸水率の低い材料を平坦化層１３に用いると、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの水分による劣化を防ぐことができる。平坦化層１３には、例えば、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。平坦化層１３に、青色光またはＵＶ光を遮光する機能を加えることで、ＴＦＴ１２の劣化を抑えることも可能となる。
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、素子基板１１（平坦化層１３）側から、第１電極１４、発光層を含む有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８をこの順に有するものである。隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間には絶縁膜１５が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、どのように配置されていてもよく、例えばストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列あるいはレクタングル配列等で設けられている。
第１電極１４は各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に設けられており、複数の第１電極１４が平坦化層１３上に互いに離間して配置されている。この第１電極１４は陽極としての機能および反射層としての機能を備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が０．１μｍ以上１μｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１４は、このような金属膜を積層して構成するようにしてもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極１４に用いるようにしてもよい。第１電極１４には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層１６（特に、後述の正孔注入層）を選択することにより、第１電極１４として用いることが可能となる。
第１電極１４の表面（第２電極１８との対向面）から側面は、絶縁膜１５で覆われており、この絶縁膜１５には有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域（後述の図４の発光領域１０ＲＥ，１０ＧＥ，１０ＢＥ）を規定するための開口が設けられている。絶縁膜１５は、発光領域を正確に所望の形状に制御すると共に、第１電極１４と第２電極１８との間の絶縁性を確保する役割を担っている。絶縁膜１５には例えば、ポリイミド等の有機材料または酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料を用いることができる。絶縁膜１５の厚みは例えば５０ｎｍ〜２５００ｎｍである。
有機層１６は、例えば、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、第１電極１４側から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）をこの順に有している。正孔輸送層，発光層および電子輸送層により有機層１６を構成するようにしてもよく、このとき、発光層が電子輸送層を兼ねるようにしてもよい。このような一連の積層構造（所謂タンデムユニット）が接続層を介して複数重なり、有機層１６を構成していてもよい。例えば、赤色、緑色および青色の色毎にタンデムユニットを有し、これらを積層して有機層１６を構成するようにしてもよい。
正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
Figure 2015022914
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
Figure 2015022914
正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。
発光層は例えば白色発光用の発光層であり、第１電極１４と第２電極１８との間に例えば赤色発光層、緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）の積層体を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１８から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
高抵抗層１７は、第１電極１４と第２電極１８との間の短絡の発生を防止するためのものであり、全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。高抵抗層１７は、第１電極１４および第２電極１８よりも電気抵抗が高く、電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。第１電極１４上にパーティクル（異物）や突起物が存在したまま、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した場合、第１電極１４および第２電極１９が接してしまい、短絡が生じる虞がある。高抵抗層１７により、このような第１電極１４と第２電極１９との接触を防ぐことができる。
高抵抗層１７は、例えば、電気抵抗率が１×１０6Ω・ｍ以上１×１０8Ω・ｍ以下の材料により構成されていることが好ましい。この範囲内であれば、十分に短絡の発生を防止し、かつ、駆動電圧を低く抑えることができるためである。高抵抗層１７は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化モリブデン（ＭｏＯ2，ＭｏＯ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と酸化錫（ＳｎＯ2）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のうちから少なくとも１つを混合した混合物により構成されている。これらの材料を適宜組み合わせて高抵抗層１７を構成するようにしてもよい。有機層１６および第２電極１８の屈折率に近い値、例えば屈折率１．７以上の高抵抗層１７を用いることが好ましく、１．９以上であることがより好ましい。これにより、有機層１６の発光層の外部量子効率が向上する。高抵抗層１７の厚みは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
第２電極１８は、有機層１６を間にして第１電極１４と対をなし、例えば電子注入層の上に全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。第２電極１８は、光透過性の透明材料からなり、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１８の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。詳細は後述するが、表示装置１には補助配線２５が設けられているので、第２電極１８を薄膜化することが可能であり、第２電極１８の厚みは、例えば１０〜５００ｎｍ程度である。第２電極１８および高抵抗層１７は、有機層１６への水分の侵入を防ぐ機能も有している。
保護層１９は、有機層１６への水分の侵入を防ぐためのものであり、第２電極１８を覆うように素子基板１１の全面に設けられている。この保護層１９は、例えば、ＩＺＯ等の光透過性の導電材料により構成されている。保護層１９には、有機層１６で発生した光を例えば８０％以上透過する材料を用いることが好ましい。
素子パネル１０と封止パネル２０との間には、充填樹脂３０Ａおよび封止樹脂３０Ｂ（後述の図２１Ａ）が設けられている。充填樹脂３０Ａは、有機層１６への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものであり、少なくとも表示領域１１０を覆うように設けられている。この充填樹脂３０Ａの光透過率は８０％程度、厚みは３μｍ〜２０μｍ、中でも５μｍ〜１５μｍであることが好ましい。充填樹脂３０Ａの厚みが２０μｍよりも大きいと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとカラーフィルタ２３との間の距離が長くなり、素子基板１１に対して斜め方向の輝度が正面方向の輝度に比べて低くなる虞がある。また、混色が発生して色度が低下することにより、視野角が狭くなる虞もある。一方、充填樹脂３０Ａの厚みが３μｍよりも小さいと、素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせる際に異物を挟み込んでしまった場合に、この異物が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに接触しやすい。異物により有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに圧力がかかり、画素抜けなどの滅点が生じる虞がある。
封止樹脂３０Ｂは、素子パネル１０と封止パネル２０とを接着するためのものであり、充填樹脂３０Ａを囲むように設けられている。この封止樹脂３０Ｂは、外部から表示領域１１０への水分の侵入を防ぐ役割も担っている。この封止樹脂３０Ｂにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を規定することが可能である。例えば、樹脂材料に所望の粒径の粒子を混合して封止樹脂３０Ｂを構成することにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を粒径の大きさと略同じ大きさに調整することができる。この粒子の粒径は例えば３μｍ〜２０μｍ、中でも５μｍ〜１５μｍであることが好ましい。
封止パネル２０の遮光層２２は、所謂ブラックマトリクス（ＢＭ）であり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて、例えばマトリクス状にパターニングされている（図４）。この遮光層２２の開口から有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光が取り出されるようになっている。遮光層２２は、カーボンブラックにより構成することが好ましい。遮光性と導電性を兼ねた材料、クロムおよびグラファイト等を遮光層２２に用いるようにしてもよい。あるいは、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより遮光層２２を構成するようにしてもよい。この薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物または金属酸化物等の薄膜を１層以上積層することにより、薄膜の干渉を生じさせて光を減衰させるものである。このような薄膜フィルタとしては、例えば、封止基板２１側から、窒化シリコン（ＳｉＮ）６５ｎｍ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの、あるいは、封止基板２１側から、酸化モリブデン（ＭｏＯx）４５ｎｍ、モリブデン１０ｎｍ、酸化モリブデン４０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの等を挙げることができる。
カラーフィルタ２３は、例えば、赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを含み、これらが遮光層２２および有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのパターン毎に配色されている。遮光層２２に重なる位置にカラーフィルタ２３が設けられていてもよい。赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂは、例えば顔料または染料を混入した樹脂により構成されている。この顔料または染料の種類を適宜選択することにより、赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂではそれぞれ、赤色、緑色または青色それぞれの波長域の光透過率が高くなるように調整されている。赤色、緑色および青色の目的とする波長域以外では、カラーフィルタ２３の光透過率は低くなっている。カラーフィルタ２３の厚みは例えば、１〜４μｍである。カラーフィルタ２３は、封止基板２１のどちら側の面（素子基板１１との対向面あるいはその反対側の面）に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２３が表面に露出せず、保護層１９（または接着層）により保護することができるからである。また、有機層１６とカラーフィルタ２３との間の距離が狭くなることにより、有機層１６から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。
カラーフィルタ２３の表面（素子基板１１との対向面）はオーバーコート層２４に覆われている。オーバーコート層２４は、カラーフィルタ２３表面の平坦性を高め、保護するためのコーティング剤であり、例えば樹脂等の有機材料やＳｉＯ，ＳｉＮあるいはＩＴＯなどの無機材料により構成されている。
補助配線２５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１８と後述の第１周辺電極２５Ａとを電気的に接続するものである。この補助配線２５は、導電性が高く、かつ、空気中で酸化しにくい材料により構成されていることが好ましい。具体的には、補助配線２５の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）およびコバルト（Ｃｏ）等が挙げられる。アルミニウムは比較的酸化しやすいので、表面をモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等で被覆して補助配線２５を構成することが好ましい。このような補助配線２５を設けることにより、所謂ＩＲドロップの発生を抑えることが可能となる。以下、これについて説明する。
トップエミッション型の表示装置では、光透過性の導電膜を第２電極に使用するが、光透過性の導電膜は抵抗率が高いので、給電点から各画素（各有機発光素子）までの距離に応じた配線抵抗の増加率が大きい。また、第２電極の厚みは薄い方が好ましいので、第２電極の抵抗は更に高くなる。このため、画素と給電点との距離が長くなると、有機発光素子に印加される実効電圧が著しく降下し、輝度も大きく低下する。第２電極１８と第２電極１８の給電点との間の電流バイパスとして機能する補助配線２５を設けることにより、このようなＩＲドロップの発生を、抑えることができる。表示領域１１０内の補助配線２５は、図４に示したように、例えば遮光層２２に重なるようにマトリクス状に設けられている。導電性の遮光層２２を用いて、遮光層２２が補助配線２５を兼ねるようにしてもよい。マトリクス状の補助配線２５に代えて、封止基板２１の全面に透明導電膜を設け、これを補助配線２５として用いることも可能である。補助配線２５の構成材料、厚みおよび幅等はパネルサイズ等に応じて適宜調整すればよい。
ピラー２６は、第２電極１８への給電点となるものであり、第２電極１８と補助配線２５とを電気的に接続している。このピラー２６は、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の領域（非発光領域）に配置され、例えば補助配線２５および第２電極１８に接している。一の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応させて、一のピラー２６を設けるようにしてもよいが、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対して、一つのピラー２６を設けるようにしてもよい。
ピラー２６は、封止パネル２０側から例えば、３μｍ〜２０μｍ、好ましくは５μｍ〜１５μｍ程度突出して第２電極１８に接していればよく、このピラー２６の大きさにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を規定することも可能である。弾性を有し、変形可能なピラー２６を用い、素子パネル１０の第２電極１８と封止パネル２０の補助配線２５とを確実に接続させることが好ましい。形成したピラー２６の大きさにばらつきがあると、封止パネル２０を素子パネル１０に貼り合わせていく際に、大きなピラー２６から順に素子パネル１０の第２電極１８に接していくことになる。弾性かつ変形可能なピラー２６は、この大きさのばらつきを吸収することが可能であり、最も小さなピラー２６までも第２電極１８に確実に接触させることができる。また、大きなピラー２６に加わる圧力を吸収して、その損傷も防ぐことができる。ピラー２６に加えて、遮光層２２と補助配線２４との間のカラーフィルタ２３の厚みにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を調整することも可能である。隣接する赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇ，青色フィルタ２３Ｂの互いの端部を重ねることで、この距離を調整するようにしてもよい。
ピラー２６の形状はどのようなものであってもよく、例えば直方体、円柱あるいはテーパ状に成形されている。このようなピラー２６は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂等の樹脂材料に導電性微粒子を混合したものにより構成されている。成形した絶縁性樹脂の表面にＩＴＯおよびＩＺＯ等の透明導電膜を設けてピラー２６を構成するようにしてもよく、上記補助配線２５の構成材料で成形した絶縁性樹脂を被覆するようにしてもよい。
表示装置１は、表示領域１１０の外側に第１周辺電極２５Ａおよび第２周辺電極１２Ｃを有している。第１周辺電極２５Ａは封止パネル２０側に、第２周辺電極１２Ｃは素子パネル１０側にそれぞれ設けられている。
図５に示したように、第２周辺電極１２Ｃは例えば素子パネル１０の周縁２辺に設けられている。この第２周辺電極１２Ｃは、各々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４にＴＦＴ１２を通じて駆動信号を送るための接合パッド電極であり、例えば、ドライバＩＣが実装された配線基板（図示せず）に電気的に接続されている。
第１周辺電極２５Ａは、図６に示したように、表示領域１１０を囲む配線２５Ｂを介して補助配線２５に電気的に接続されている。即ち、第１周辺電極２５Ａは有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１８に電気的に接続されている。本実施の形態では、この第１周辺電極２５Ａが上述のように、封止パネル２０に設けられている。詳細は後述するが、これにより表示装置１の製造工程で使用するマスクの枚数を減らすことが可能となり、低コストでの製造が可能となる。第１周辺電極２５Ａは、例えば、共通電源供給線（ＧＮＤ）に電気的に接続されたパッド電極であり、封止パネル２０の周縁２辺に渡り設けられている（図６）。封止基板２１と第１周辺電極２５Ａとの間には、オーバーコート層２４が設けられていてもよく、オーバーコート層２４に加えて遮光層２２が設けられていてもよい。
図７に示したように、素子パネル１０のうち第２周辺電極１２Ｃが設けられた部分は封止パネル２０（封止基板２１）と、封止パネル２０のうち第１周辺電極２５Ａが設けられた部分は素子パネル１０（素子基板１１）と、互いに重ならないように配置される。
[表示装置の製造方法]
このような表示装置１は、例えば素子パネル１０および封止パネル２０を形成した後、これらを貼り合わせて製造する。以下、素子パネル１０の形成工程（図８Ａ〜図８Ｄ）、封止パネル２０の形成工程（図２０Ａ，図２０Ｂ）およびこれらの貼り合わせ工程（図２１Ａ〜図２１Ｃ）の順に説明する。
[素子パネル１０の製造方法]
まず、素子基板１１上にＴＦＴ１２、層間絶縁膜１２Ａ、配線１２Ｂ、第２周辺電極１２Ｃおよび平坦化層１３を形成する。平坦化層１３は例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法、スパッタリング法および各種印刷法等により形成することができる。平坦化層１３には接続孔１３Ａを設けておく。
次いで、平坦化層１３上に導電膜を例えばスパッタ法により成膜した後、これをフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングし、第１電極１４を形成する。続いて、第１電極１４上および平坦化層１３上に例えばプラズマＣＶＤ法により例えば窒化シリコン膜を成膜した後、この窒化シリコン膜に開口を設けて絶縁膜１５を形成する（図８Ａ）。
続いて、第２周辺電極１２Ｃを覆う保護膜３１を形成する（図８Ｂ）。この保護膜３１は、以降の工程で有機層１６および第２電極１８の材料が第２周辺電極１２Ｃに付着するのを防ぐためのものであり、保護膜３１として例えばテープ等の使い捨て材料を用いるようにしてもよい。このような使い捨ての保護膜３１を使用することにより、コストを抑えることが可能となる。保護膜３１を樹脂材料により構成して、有機層１６および第２電極１８の形成後に有機溶媒で除去するようにしてもよい。保護膜３１の除去は、例えば、削り取るなどの物理的な方法で行うことも可能である。
保護膜３１を設けた後、例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（PVD法:Physical Vapor Deposition）により発光層を含む有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８を素子基板１１の全面に形成する（図８Ｃ、図８Ｄ）。有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８は、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の印刷法、レーザ転写法あるいは塗布法等により形成するようにしてもよい。レーザ転写法は、転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層１６との積層構造にレーザを照射し、有機層１６を素子基板１１に転写する方法である。保護膜３１を設けずに、第２周辺電極１２Ｃをエリアマスク（図示せず）で覆った後に、有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８を形成するようにしてもよいが、保護膜３１を用いることにより、よりコストを抑えることができる。第２電極１８を設けた後、例えば真空蒸着法により保護層１９を形成する。成膜粒子のエネルギーが小さく、下層に及ぼす影響を抑えることができるので、真空蒸着法による保護層１９の形成が好ましい。同様に、下層に及ぼす影響が小さいＣＶＤ法により保護層１９を形成するようにしてもよい。第２電極１８を大気に暴露させることなく、保護層１９を形成して、大気中の水分や酸素による有機層１６の劣化を防ぐことが好ましい。また、保護層１９の成膜温度を常温に設定することにより、有機層１６の劣化による輝度の低下を防ぐことができる。負荷されるストレスが最小になる条件で、保護層１９を成膜することにより、保護層１９の膜はがれを防ぐことができる。上記の工程により、素子パネル１０が完成する。
本実施の形態では、第１周辺電極２５Ａが封止パネル２０に設けられているので、このような有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１３の形成工程で使用するマスクの枚数を減らすことが可能となる。以下、これについて説明する。
図９は、比較例に係る表示装置（表示装置１００）の断面構成を表したものである。この表示装置１００では、図１０に示したように、素子パネル１０に第２周辺電極１２Ｃと共に、補助配線２５が電気的に接続された第１周辺電極１２５Ａが設けられている。素子パネル１０の表示領域１１０は第１周辺電極１２５Ａに電気的に接続された配線１２５Ｂが囲んでいる。一方、封止パネル２０は、図１１に示したように、表示領域１１０の外側に周辺電極を有していない。封止パネル２０の表示領域１１０内には、図１２に示したように、例えばマトリクス状の補助配線２５が設けられている。この補助配線２５は、表示領域１１０の外側でピラー１２６により素子パネル１０の第１周辺電極１２５Ａ（配線１２５Ｂ）に電気的に接続されている（図９、図１３）。図１４に示したように、素子パネル１０の第１周辺電極１２５Ａおよび第２周辺電極１２Ｃが露出するように、素子パネル１０に封止パネル２０が貼り合わせられている。
このような表示装置１００は、以下のようにして製造する。まず、上記表示装置１と同様にして、素子基板１１上にＴＦＴ１２、層間絶縁膜１２Ａ、配線１２Ｂ、第２周辺電極１２Ｃ、平坦化層１３、第１電極１４および絶縁膜１５を形成する。このとき、表示装置１００では、素子基板１１上に第１周辺電極１２５Ａも形成しておく。
次いで、図１５および図１６に示したように、素子基板１１のうち、第１周辺電極１２５Ａ、配線１２５Ｂおよび第２周辺電極１２Ｃが設けられた領域をエリアマスク（マスク１３１Ａ）で覆った後、有機層１６および高抵抗層１７を形成する。第１周辺電極１２５Ａ、配線１２５Ｂおよび第２周辺電極１２Ｃが高抵抗の有機層１６の構成材料に接すると、消費電力が例えば約１．５倍〜２倍程度に増加する。このため、マスク１３１Ａを使用して、第１周辺電極１２５Ａおよび第２周辺電極１２Ｃ上への有機層１６の成膜を防止することが必要となる。
有機層１６を設けた後、マスク１３１Ａに代えて、素子基板１１の上方にマスク１３２Ａを設ける（図１７、図１８）。このマスク１３２Ａは、配線１２５Ｂを露出させ、かつ、第２周辺電極１２Ｃを覆うように成形されたエリアマスクである。第２周辺電極１２Ｃが、第２電極１８を介して第１周辺電極１２５Ａ（配線１２５Ｂ）と導通すると、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの駆動を制御できなくなる。従って、第２周辺電極１２Ｃ上への第２電極１８の成膜を防ぐためのマスク１３２Ａが必要となる。マスク１３２Ａを設けた後、第２電極１８を成膜して、第２電極１８と第１周辺電極１２５Ａ（配線１２５Ｂ）とを電気的に接続させる。このように表示装置１００では、有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８を形成する工程で少なくとも２種類のエリアマスク（マスク１３１Ａおよびマスク１３２Ａ）が必要である。有機層１６と高抵抗層１７とをそれぞれ別のエリアマスクで形成することもある。
表示装置１００では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎にそれぞれ有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを塗り分けた表示装置（表示装置２００）と比較すると、その製造工程が簡便になっているとも考えられる。図１９にこの表示装置２００の断面構成を示す。表示装置２００では、例えば、低分子量の有機材料を高熱で昇華させる蒸着法により、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成する。このとき、所望の有機発光素子１０Ｒ（または有機発光素子１０Ｇ，１０Ｂ）以外の素子領域にはエリアマスクが設けられる。このエリアマスクは、例えば厚み１０μｍ〜１００μｍの金属膜に開口が設けられたものであり、この開口は、例えば、エッチングまたは電鋳により形成されている。大型、かつ、高精細な表示装置２００では、このようなエリアマスクの撓みや、マスクの大きさの誤差が問題となる虞がある。また、精細なエリアマスクの形成は困難であり、更に、エリアマスクと素子基板１１との位置合わせも難しくなる。表示装置２００も、表示装置１００と同様に、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを設けた後、素子基板１１の全面に第２電極１８を成膜する。表示装置２００では、有機層１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成する際にエリアマスクを用いるので、第２電極１８に電気的に接続するための補助配線１８Ａを素子パネル１０に設けることができる。この補助配線１８Ａは、例えば有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと隣り合う位置に設けられ、素子基板１１の周縁の第１周辺電極（図示せず）に電気的に接続されている。
このような表示装置１００，２００の製造工程では、エリアマスクあるいはエリアマスクが複数必要であり、マスクの使用枚数が増加するほど製造コストが増加する。マスクには寿命があり、例えば、メタルマスクの寿命は１０μｍ〜２０μｍである（マスクに１０μｍ〜２０μｍの厚みの各種成膜材料が積もった時点で交換が必要となる）。表示装置は、例えば有機層の発光層を０．２μｍ〜０．３μｍ、第２電極となる透明導電膜を０．１μｍ〜１μｍ程度の厚みでそれぞれ成膜して製造する。発光層は、外部からの酸素や水分の侵入によりその特性が劣化しやすいので、保護のため、有機層全体として１μｍ以上の厚みが必要となる。従って、表示装置１０台〜１００台を製造する度にマスクの交換が必要となる。このようにマスクを頻繁に交換することにより、ランニングコストがかさみ、また、製造に要する時間も増加する。
これに対し、表示装置１では、有機層１６および第２電極１８を形成する素子基板１１とは別の基板（封止基板２１）に第１周辺電極２５Ａが設けられている。これにより、有機層１６および第２電極１８の成膜時に第１周辺電極２５Ａを覆うエリアマスク（図１５、図１６のマスク１３１Ａ）が不要となる。よって、マスクの使用枚数を減らし、製造コストを抑えることが可能となる。
また、表示装置１００，２００では、一枚のマスクが繰り返し何度も使用されるので、マスク上の堆積物が素子基板１１上に落ち、表示不良が発生する虞がある。更に、マスクと素子基板１１とは成膜材料の回り込みを防止するために、互いに近づけて、あるいは接するように配置される。これにより、マスク自体が有機発光素子を損傷させる虞もある。
加えて、表示装置１００では、表示領域１１０の外側に、素子基板１１とマスク１３１Ａ，１３２Ａとの位置合わせの誤差を考慮したマージン領域が必要となる。このマージン領域は、マスク１３１Ａ，１３２Ａと素子基板１１との間隙から、成膜材料が侵入してくる、所謂回り込み現象の発生も考慮して確保する。表示装置１００では、このようなマージン領域が必要となるため、表示領域１１０の外側の額縁領域が大きくなりやすい。即ち、基板１１内の有効画素（表示領域１１０）の割合が減り、額縁が広くなる。表示装置１００の素子パネル１０には、表示領域１１０の外側に周辺電極（第１周辺電極１２５Ａおよび第２周辺電極１２Ｃ）が設けられている。このため、マスク１３１Ａ，１３２Ａに代えて、除去可能な保護膜（例えば、図８Ｂの保護膜３１）を使用すると、除去の際に使用する薬液等により表示領域１１０内の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを劣化させる虞がある。物理的に保護膜を除去する場合にも、これにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが大気に曝され、劣化する虞がある。
これに対し、表示装置１では、素子基板１１上の周辺電極（第２周辺電極１２Ｃ）が一つであるので、有機層１６および第２電極１８の成膜時に、エリアマスクに代えて、除去可能な保護膜３１で第２周辺電極１２Ｃを覆うことが可能となる。従って、表示装置１では、有機層１６および第２電極１８の成膜時にマスクが不要となり、マスクの使用による表示不良や、額縁領域の拡大を防ぐことができる。このような表示装置１は、より狭い額縁が望まれているタブレット端末やモバイル機器等の分野への応用にも好適である。
[封止パネル２０の製造方法]
表示装置１の封止パネル２０は、例えば以下のようにして形成する（図２０Ａ，図２０Ｂ）。まず、封止基板２１の全面に遮光層２２の構成材料を成膜した後、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングする。次いで、この遮光層２２を設けた封止基板２１上に赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを順次パターニングして形成する。続いて、封止基板２１の全面にオーバーコート層２４を成膜し、オーバーコート層２４上に補助配線２５および第１周辺電極２５Ａを形成する（図２０Ａ）。
補助配線２５を設けた後、図２０Ｂに示したように、この補助配線２５と電気的に接続させてピラー２６を形成する。ピラー２６は、液晶ディスプレイなどでフォトスペーサーとして用いられている技術を転用して形成すればよい。具体的には、まず、例えばアクリル樹脂等を封止基板２１上に塗布した後、フォトリソグラフィ工程を用いてこれを所望の形状に成型する。この後、成形した樹脂上を含む封止基板２１の全面に例えばスパッタ法によりＩＴＯを成膜することにより、ピラー２６が形成される。以上の工程により、封止パネル２０が完成する。
[素子パネル１０および封止パネル２０の貼り合わせ工程]
上記のようにして形成した素子パネル１０と封止パネル２０とは、例えば図２１Ａ〜図２１Ｃに示したように、ＯＤＦ（One Drop Fill）工程を用いて貼り合わせる（図２２）。具体的には、真空チャンバ内に一対の上プレート４１Ａおよび下プレート４１Ｂを準備し、これら上プレート４１Ａおよび下プレート４１Ｂの対向面にそれぞれ、封止パネル２０、素子パネル１０を固定する。次いで、下プレート４１Ｂ上の素子パネル１０の周縁部を封止樹脂３０Ｂで囲み、この封止樹脂３０Ｂで囲まれた領域内に、充填樹脂３０Ａを滴下する（図２１Ａ）。このとき、複数の充填樹脂３０Ａの液滴を等間隔に配置する。続いて、真空チャンバ内で素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせた後（図２１Ｂ）、チャンバ内を窒素（Ｎ2）雰囲気にして、素子パネル１０と封止パネル２０とに圧力をかける。これにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間に充填樹脂３０Ａを隙間なく設けることができる（図２１Ｃ）。
素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせた後（図２２）、保護膜３１を除去すると共に、封止パネル２０の第１周辺電極２５Ａ、素子パネル１０の第２周辺電極１２Ｃがそれぞれ、素子基板１１、封止基板２１から露出するように、素子基板１１、封止基板２１を切断する（図７）。以上の工程により、図１に示した表示装置１が完成する。
[表示装置の動作]
この表示装置１では、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極１４および第２電極１８を通じて、有機層１６に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層１６に含まれる発光層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光は、第２電極１８，カラーフィルタ２３および封止基板２１を透過して取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。また、この映像表示動作の際に容量素子Ｃｓの一端に、映像信号に対応する電位が印加されることにより、容量素子Ｃｓには、映像信号に対応する電荷が蓄積される。
発光後の余剰の電流は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１８から、ピラー２６および補助配線２５を介して、封止パネル２０側の第１周辺電極２５Ａに流れるようになっている。第１周辺電極２５Ａは、例えば、共通電源供給線（ＧＮＤ）に電気的に接続されている（図３）。
一方、表示装置１００（図９）では、第１周辺電極１２５Ａが素子パネル１０側に設けられている。このため、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１８から、ピラー２６を介して封止パネル２０の補助配線２５に流れた電流は、表示領域１１０の外側のピラー１２６を介して再び素子パネル１０側に戻り、第１周辺電極１２５Ａに到達する。
このように、表示装置１００では、第２電極１８からの電流が、ピラー２６を介して素子パネル１０と封止パネル２０との間を２回移動するのに対し、表示装置１では移動回数を１回に減らすことができる。これにより、第２電極１８から第１周辺電極２５Ａまでの電流経路の抵抗値が下がり、表示装置１の消費電力を抑えることが可能となる。
[表示装置の作用・効果]
また、ここでは、封止パネル２０が第１周辺電極２５Ａを有しているので、素子基板１１上に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する際に使用するマスクの枚数が少なくなる。これにより、ランニングコストの増加および製造時間数の増加を抑え、コストを下げることができる。
また、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する際には、素子基板１１上の第２周辺電極１２Ｃを除去可能な保護膜３１で覆うことにより、マスクを用いずに有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８を形成することが可能となる。これにより、マスクの使用に起因した表示不良や、額縁領域の拡大を防ぐことができる。更に、使い捨ての保護膜３１を用いることにより、よりコストを下げることが可能となる。
加えて、ピラーを介した素子パネルと封止パネル２０との間の電流の移動回数が減るので、第２電極１８から第１周辺電極２５Ａまでの電流経路の抵抗値を下げて、表示装置１の消費電力を抑えることができる。
以上のように本実施の形態の表示装置１では、封止基板２１に第１周辺電極２５Ａを形成するようにしたので、より低いコストで表示装置１を製造することができる。
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
＜変形例１＞
図２３は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、素子パネル１０と封止パネル２０との間に導電性樹脂３０ＡＣを有するものである。このような表示装置１Ａでは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１８と補助配線２５とを電気的に接続するためのピラー（図１のピラー２６）の形成工程を省略することが可能となる。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
導電性樹脂３０ＡＣは、例えば、上記表示装置１の製造工程で用いた充填樹脂３０Ａ（図２１Ａ等）に導電性の樹脂材料を用いることで形成することが可能である。この導電性樹脂３０ＡＣの電気抵抗率は、例えば１×１０6Ω・ｍ〜１×１０8Ω・ｍであり、この範囲内の電気抵抗率の導電性樹脂３０ＡＣを用いた場合には、高抵抗層１７の形成工程を省略するようにしてもよい。また、第２電極１８を設けずに、導電性樹脂３０ＡＣにより、有機層１６と補助配線２５とを電気的に接続することも可能である。
＜変形例２＞
図２４は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｂは、上記表示装置１のピラー２６（図１）に代えて、導電性ボール２６Ａを有するものである。この導電性ボール２６Ａにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１８と補助配線２５とが電気的に接続される。この点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
導電性ボール２６Ａは、例えば直径３μｍ〜２０μｍの略球状の導電体であり、例えば、アクリル樹脂等の樹脂材料の表面を金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）および銀（Ａｇ）等の導電性金属材料により被覆したものにより構成されている。表面の被覆は、ＩＴＯおよびＩＺＯ等の光透過性の透明導電材料により行うようにしてもよい。透明導電材料を用いることにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域１０ＲＥ，１０ＧＥ，１０ＢＥに導電性ボール２６Ａが配置された場合にも、表示装置１Ｂの光学特性への影響を抑えることができる。導電性ボール２６Ａの直径の大きさにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を調整することも可能である。保護層１９が絶縁性である場合には、予め形成した保護層１９の接続孔に導電性ボール２６Ａを設ける。
対向基板２１の全面（素子基板１１との対向面）に、ＩＴＯおよびＩＺＯ等の透明導電膜を設けて、導電性ボール２６Ａと補助配線２５との電気的接続の信頼性を高めるようにしてもよい。対向基板２１の全面に導電膜を設けておくことにより、導電性ボール２６Ａが補助配線２５と接していない場合にも、これらが電気的に接続されるようになる。従って、確実に導電性ボール２６Ａと補助配線２５とを電気的に接続させることが可能となる。
＜変形例３＞
図２５は、変形例３に係る表示装置（表示装置１Ｃ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｃでは、カラーフィルタ２３により形成した凸部（凸部２３Ｃ）により、封止パネル２０の補助配線２５を素子パネル１０の第２電極１８に接触させている。この点を除き、表示装置１Ｃは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
非発光領域、即ち遮光層２２のパターンと対向する位置で、隣接する赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇ，青色フィルタ２３Ｂの端部が互いに重なっている。この赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇ，青色フィルタ２３Ｂの重畳領域では、カラーフィルタ２３が素子パネル１０側に凸状に盛り上がり、凸部２３Ｃが形成される。これにより、封止パネル２０側の補助配線２５が素子パネル１０側の第２電極１８に接し、これらが電気的に接続される。このような表示装置１Ｃではピラーの形成工程を省略することが可能となる。
＜変形例４＞
図２６は、変形例４に係る表示装置（表示装置１Ｄ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｄでは、絶縁膜１５を用いて第２電極１８と補助配線２５とを電気的に接続している。この点を除き、表示装置１Ｄは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
隣り合う第１電極１４の間の絶縁膜１５の厚みは、第１電極１４の厚みよりも大きく、絶縁膜１５の表面は、第１電極１４の表面よりも封止パネル２０側にある。この絶縁膜１５の厚みを利用することで、絶縁膜１５上の第２電極１８を封止パネル２０の補助配線２５に接触させ、これらの電気的接続を行うことが可能となる。このような表示装置１Ｄではピラーの形成工程を省略することが可能となる。
＜第２の実施の形態＞
図２７は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２では、封止パネル２０に、第１周辺電極２５Ａと共に、第２周辺電極（第２周辺電極１２ＣＡ）が設けられている（後述の図２８）。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
第２周辺電極１２ＣＡは、表示装置１の第２周辺電極１２Ｃと同様に、例えば各々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動信号を送るための接合パッド電極であり、図２８に示したように、表示領域１１０の外側に設けられている。第２周辺電極１２ＣＡは、封止基板２１の周縁のうち、例えば、第１周辺電極２５Ａとは異なる２辺に配置され、封止パネル２０の補助配線１２ＣＢ（第２配線）に電気的に接続されている。封止パネル２０の表示領域１１０内には、例えば表示装置１と同様に、第１周辺電極２５Ａに電気的に接続された補助配線２５が設けられている。
一方、表示装置２の素子パネル１０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０ＢのＴＦＴ１２に電気的に接続された電極１２Ｅ（導体）を有している（図２７）。図２９に示したように、この電極１２Ｅは表示領域１１０の外側に配置されており、例えばＴＦＴ１２のゲート電極あるいはソース・ドレイン電極と同一工程で形成される。電極１２Ｅを配線１２Ｂと同じ工程で形成するようにしてもよい。このようなＴＦＴ１２、配線１２Ｂおよび電極１２Ｅは、例えばリソグラフィ工程により形成されるため、断線や混線の発生を防いで、端子間を確実に接続することができる。このような電極１２Ｅには、例えば、アルミニウム、銀、銅、金、ニッケル、モリブデン、チタンおよびクロム等の低抵抗の金属材料を用いることができ、例えば、アルミニウムの表面をモリブデンで覆って電極１２Ｅを構成することが好ましい。モリブデンは酸化されにくく、電極１２Ｅの信頼性が向上する。
表示装置２は、素子基板１１と封止基板２１との間に、電極１２Ｅと補助配線１２ＣＢとを電気的に接続するための異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）１２Ｄ（第２接続部）を有している。これにより、第２周辺電極１２Ｃに接続された配線基板（図示せず）から、補助配線１２ＣＢ、異方性導電膜１２Ｄおよび電極１２Ｅを介して各ＴＦＴ１２に駆動信号が伝達されるようになっている。
異方性導電膜１２Ｄは、電流の流れる方向によって、その抵抗が変化するものである。例えば、異方性導電膜１２Ｄは、素子基板１１と封止基板２１との積層方向に電流が流れる際の抵抗が小さく、かつ、素子基板１１および封止基板２１の面と平行方向には電流が流れないようになっている。これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流を伝達して、これらを表示素子として機能させることが可能となる。異方性導電膜１２Ｄは、例えば熱硬化性樹脂に導電性を有する微細な金属粒子を混合させたものにより構成されている。この金属粒子は、例えば、直径５μｍ〜１５μｍの球状の粒子であり、中心部から外周に向かい、ニッケル層、金メッキ層および絶縁層をこの順に有している。接続端子間（補助配線１２ＣＢと電極１２Ｅとの間）にこのような導電性粒子を含む熱硬化性樹脂を設けた後、これを加熱しながら加圧する。加熱は例えばヒーター等を用いて行い、加圧には例えばゴムなどの弾性を有するパッドを使用する。端子が設けられた位置は基板面から凸状に盛り上がっているので、このように加圧すると、端子と対向する位置の導電性粒子に強く圧力がかかり、導電性粒子が重なりながら接する。これにより、導電性粒子のメッキ層同士がつながり、導電経路が形成される。一方、端子以外の部分の導電性粒子では、その絶縁層により粒子間の絶縁性が維持される。このようにして、異方性導電膜１２Ｄの異方性が形成される。異方性導電膜１２Ｄに代えて、ペースト状の異方性導電材料（異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Anisotropic Conductive Paste））を用いるようにしてもよい。異方性を有する導電性ボール（図２４）により補助配線１２ＣＢと電極１２Ｅとを電気的に接続するようにしてもよく、カラーフィルタ２３の凸部（図２５）あるいは絶縁膜１５（図２６）によりこれらを電気的に接続するようにしてもよい。
表示装置２は、例えば、以下のようにして製造する（図３０、図３１）。まず、素子基板２１上に、ＴＦＴ１２、層間絶縁膜１２Ａ、配線１２Ｂ、電極１２Ｅおよび平坦化層１３を形成する。次いで、平坦化層１３上に第１電極１４および絶縁膜１５を設けた後、図３０に示したように、電極１２Ｅを保護膜３２で覆う。保護膜３２は、電極１２Ｅと有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８との接触を防ぐためのものであり、保護膜３２には上記表示装置１の製造工程で説明した保護膜３１（図８Ｂ）と同様のものを用いることができる。保護膜３２に代えて、エリアマスク（図示せず）を用いるようにしてもよい。保護膜３２を設けた後、表示装置１と同様にして、有機層１６、高抵抗層１７、第２電極１８および保護層１９を形成する。一方、封止基板２１には第１周辺電極２５Ａに加えて、第２周辺電極１２ＣＡおよび補助配線１２ＣＢを形成する。補助配線１２ＣＢは、例えば、補助配線２５と同一工程で形成することができる。このように、同一工程で複数の配線（補助配線１２ＣＢ，２５）を形成することにより、生産性が向上し、コストを抑えることができる。遮光層２２、カラーフィルタ２３およびオーバーコート層２４は、上記表示装置１で説明したのと同様にして封止基板２１に形成すればよい。このようにして形成した封止パネル２０と素子パネル１０とを例えば、ＯＤＦ工程（図２１Ａ〜図２１Ｃ）を用いて貼り合わせ、封止パネル２０の第１周辺電極２５Ａおよび第２周辺電極１２ＣＡが露出するように素子基板１１を切断する（図３１）。以上の工程により、表示装置２が完成する。
このように、表示装置２では第２周辺電極１２ＣＡを封止パネル２０に設けるようにしたので、有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８の形成工程でのマスクの使用枚数を減らすことができる。よって、ランニングコストの増加および製造時間数の増加を抑え、コストを下げることができる。また、保護膜３２を用いることにより、マスクを用いることなく、有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８を形成することも可能であり、マスクの使用に起因した表示不良や、額縁領域の拡大を防ぐこともできる。
＜第３の実施の形態＞
図３２は、本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３は、素子基板２１側から光を取り出す、ボトムエミッション型の表示装置である。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
表示装置３の素子パネル１０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向する位置に開口１３Ｍを有しており、この開口１３Ｍを通じて有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光が取り出されるようになっている。開口１３Ｍは、例えば、平坦化層１３および層間絶縁膜１２Ａを貫通している。本実施の形態では、表示装置１と同様に、補助配線２５に電気的に接続された第１周辺電極２５Ａが封止パネル２０に設けられている。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成時のマスクの使用枚数を減らし、コストを抑えることができる。また、素子パネル１０側に第１周辺電極１２５がある場合（図９の表示装置１００）と比べて、素子パネル１０の設計負荷が減るので、開口１３Ｍの開口率を高めることができる。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの輝度を向上させることが可能となる。
表示装置３では、素子パネル１０側から光が取り出されるので、封止パネル２０をより自由に設計することが可能となる。例えば、発光領域（図４の発光領域１０ＲＥ，ＧＥ，ＢＥ）に補助配線２５およびピラー２６を設けるようにしてもよく、あるいは、封止基板２１の全面に導電膜を設けて補助配線２５を構成するようにしてもよい。
図３３に示したように、表示装置３の第２周辺電極（第２周辺電極１２ＣＡ）を封止パネル２０に設けるようにしてもよい。
（適用例）
以下、上記のような表示装置（表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，２，３）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図３４に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、素子パネル１０または封止パネル２０の一辺に、封止用基板２１または素子基板１１から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源線供給回路１４０の配線を延長して外部接続端子（第１周辺電極および第２周辺電極等）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
（適用例１）
図３５Ａおよび図３５Ｂはそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
（適用例２）
図３６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
（適用例３）
図３７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
（適用例４）
図３８Ａ，図３８Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
（適用例５）
図３９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
（適用例６）
図４０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
（適用例７）
図４１Ａ，図４１Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが共通の有機層１６を有する場合を例に挙げて説明したが、有機層１６のうちの少なくとも一つの層が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通していればよい。例えば、図４２に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇに赤色発光層１６Ｒ，緑色発光層１６Ｇを各々設け、青色発光層１６Ｂを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けるようにしてもよい。また、発光層を有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に塗り分け、正孔注入層等を有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けるようにしてもよい。
更に、上記実施の形態等では、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層させて白色光を発生させる場合について説明したが、発光層の構成はどのようなものであってもよく、例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層させるようにしてもよい。
加えて、上記実施の形態等では、カラーフィルタ２３として赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇ，青色フィルタ２３Ｂを設けて、赤色画素、緑色画素および青色画素を配置する場合について説明したが、これらに、黄色画素または白色画素を加えるようにしてもよい。これにより輝度を向上させることができる。
更にまた、上記実施の形態等では、高抵抗層１７を設ける場合について説明したが、高抵抗層を設けずに有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを構成することも可能である。また、オーバーコート層２４を省略するようにしてもよい。
加えてまた、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。また、上記実施の形態等において説明した全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）表示領域内に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を有する第１基板と、前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板と、前記第２基板のうち、前記表示領域の外側に設けられた第１周辺電極と、前記第２基板に設けられると共に、前記第１周辺電極に電気的に接続された第１配線と、前記第１配線と前記発光素子とを電気的に接続する第１接続部とを備えた表示装置。
（２）前記第２電極は、前記有機層と前記第２基板との間に前記複数の発光素子に共通して設けられると共に、前記第１接続部に電気的に接続されている前記（１）に記載の表示装置。
（３）更に、前記第２基板の、前記表示領域の外側に設けられた第２周辺電極と、前記第２基板に設けられると共に、前記第２周辺電極に電気的に接続された第２配線と、前記第２配線と前記発光素子とを電気的に接続する第２接続部とを有する前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記第２周辺電極は、前記発光素子に駆動信号を伝達する制御部に電気的に接続され、前記第１電極は、前記有機層と前記第１基板との間に各々の発光素子毎に設けられると共に、前記第２接続部に電気的に接続されている前記（３）に記載の表示装置。
（５）前記第２接続部は、前記第１基板の表示領域の外側に設けられた導体と、前記導体と前記第２配線との間の異方性導電膜とを含む前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記第１電極は、前記第１基板に設けられたＴＦＴを介して前記第２接続部に電気的に接続されている前記（４）または（５）に記載の表示装置。
（７）前記有機層のうちの少なくとも一層は、前記複数の発光素子に共通して設けられている前記（２）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記有機層は発光層を含み、前記発光層のうちの少なくとも一層が前記複数の発光素子に共通して設けられている前記（２）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記発光層からの光は、前記第２基板側から取り出され前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第１接続部は、隣り合う前記発光素子の間の非発光領域に設けられている前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）前記第１接続部は導電性ピラーにより構成されている前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記第１接続部は導電性ボールにより構成されている前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記第１接続部は前記第２電極と第２基板との間の導電性樹脂により構成されている前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記第２基板は互いに異なる波長の光を透過する複数のカラーフィルタを有し、前記第１接続部では、前記複数のカラーフィルタにより形成された凸部により前記第１配線と前記発光素子とが電気的に接続されている前記（１０）に記載の表示装置。
（１５）隣り合う前記発光素子の間に絶縁膜を有すると共に、前記絶縁膜上には前記第２電極が延在し、前記第１接続部では、前記第２電極を間にして前記絶縁膜と前記第１配線とが接している前記（１０）に記載の表示装置。
（１６）表示装置を備え、前記表示装置は、表示領域内に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を有する第１基板と、前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板と、前記第２基板のうち、前記表示領域の外側に設けられた第１周辺電極と、前記第２基板に設けられると共に、前記第１周辺電極に電気的に接続された第１配線と、前記第１配線と前記発光素子とを電気的に接続する第１接続部とを含む電子機器。
（１７）第１基板上の表示領域に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を形成し、第２基板に、第１配線と前記表示領域の外側に設けられると共に前記第１配線に電気的に接続された第１周辺電極とを形成し、前記発光素子を間にして前記第１基板に前記第２基板を対向させ、前記第１配線と前記発光素子とを第１接続部により電気的に接続する表示装置の製造方法。
（１８）前記第１基板の表示領域の外側に第２周辺電極を形成した後、前記第２周辺電極を保護膜で覆い、前記発光素子を形成した後、前記保護膜を除去し、前記第２周辺電極を前記発光素子に信号を伝達する制御部に電気的に接続する前記（１７）に記載の表示装置の製造方法。
（１９）前記第１基板の表示領域の外側に導体を形成した後、前記導体を保護膜で覆い、前記発光素子を形成した後、前記保護膜を除去し、前記第２基板の表示領域の外側に第２周辺電極を形成し、前記導体を、前記第２周辺電極を介して前記発光素子に信号を伝達する制御部に電気的に接続する前記（１７）に記載の表示装置の製造方法。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，２，３・・・表示装置、１０・・・素子パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・有機発光素子、１１・・・素子基板、１２・・・ＴＦＴ、１２Ａ・・・層間絶縁膜、１２Ｂ・・・配線、１２Ｃ，１２ＣＡ・・・第２周辺電極、１２Ｄ・・・異方性導電膜、１２Ｅ・・・電極、１３・・・平坦化層、１４・・・第１電極、１５・・・絶縁膜、１６・・・有機層、１７・・・高抵抗層、１８・・・第２電極、１９・・・保護層、２０・・・封止パネル、２１・・・封止基板、２２・・・遮光層、２３・・・カラーフィルタ、２４・・・オーバーコート層、２５，１２ＣＢ・・・補助配線、２５Ａ・・・第１周辺電極、１１０・・・表示領域、１２０・・・信号線駆動回路、１３０・・・走査線駆動回路、１４０・・・電源供給線駆動回路、１５０・・・画素駆動回路。

Claims (19)

  1. 表示領域内に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を有する第１基板と、
    前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第２基板のうち、前記表示領域の外側に設けられた第１周辺電極と、
    前記第２基板に設けられると共に、前記第１周辺電極に電気的に接続された第１配線と、
    前記第１配線と前記発光素子とを電気的に接続する第１接続部と
    を備えた表示装置。
  2. 前記第２電極は、前記有機層と前記第２基板との間に前記複数の発光素子に共通して設けられると共に、前記第１接続部に電気的に接続されている
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 更に、
    前記第２基板の、前記表示領域の外側に設けられた第２周辺電極と、
    前記第２基板に設けられると共に、前記第２周辺電極に電気的に接続された第２配線と、
    前記第２配線と前記発光素子とを電気的に接続する第２接続部とを有する
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第２周辺電極は、前記発光素子に駆動信号を伝達する制御部に電気的に接続され、
    前記第１電極は、前記有機層と前記第１基板との間に各々の発光素子毎に設けられると共に、前記第２接続部に電気的に接続されている
    請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記第２接続部は、前記第１基板の表示領域の外側に設けられた導体と、前記導体と前記第２配線との間の異方性導電膜とを含む
    請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第１電極は、前記第１基板に設けられたＴＦＴを介して前記第２接続部に電気的に接続されている
    請求項４に記載の表示装置。
  7. 前記有機層のうちの少なくとも一層は、前記複数の発光素子に共通して設けられている
    請求項２に記載の表示装置。
  8. 前記有機層は発光層を含み、
    前記発光層のうちの少なくとも一層が前記複数の発光素子に共通して設けられている
    請求項２に記載の表示装置。
  9. 前記発光層からの光は、前記第２基板側から取り出される
    請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記第１接続部は、隣り合う前記発光素子の間の非発光領域に設けられている
    請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記第１接続部は導電性ピラーにより構成されている
    請求項１に記載の表示装置。
  12. 前記第１接続部は導電性ボールにより構成されている
    請求項１に記載の表示装置。
  13. 前記第１接続部は前記第２電極と第２基板との間の導電性樹脂により構成されている
    請求項１に記載の表示装置。
  14. 前記第２基板は互いに異なる波長の光を透過する複数のカラーフィルタを有し、
    前記第１接続部では、前記複数のカラーフィルタにより形成された凸部により前記第１配線と前記発光素子とが電気的に接続されている
    請求項１０に記載の表示装置。
  15. 隣り合う前記発光素子の間に絶縁膜を有すると共に、前記絶縁膜上には前記第２電極が延在し、
    前記第１接続部では、前記第２電極を間にして前記絶縁膜と前記第１配線とが接している
    請求項１０に記載の表示装置。
  16. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    表示領域内に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を有する第１基板と、
    前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第２基板のうち、前記表示領域の外側に設けられた第１周辺電極と、
    前記第２基板に設けられると共に、前記第１周辺電極に電気的に接続された第１配線と、
    前記第１配線と前記発光素子とを電気的に接続する第１接続部とを含む
    電子機器。
  17. 第１基板上の表示領域に、第１電極と第２電極との間に有機層を含む複数の発光素子を形成し、
    第２基板に、第１配線と前記表示領域の外側に設けられると共に前記第１配線に電気的に接続された第１周辺電極とを形成し、
    前記発光素子を間にして前記第１基板に前記第２基板を対向させ、前記第１配線と前記発光素子とを第１接続部により電気的に接続する
    表示装置の製造方法。
  18. 前記第１基板の表示領域の外側に第２周辺電極を形成した後、前記第２周辺電極を保護膜で覆い、
    前記発光素子を形成した後、前記保護膜を除去し、前記第２周辺電極を前記発光素子に信号を伝達する制御部に電気的に接続する
    請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 前記第１基板の表示領域の外側に導体を形成した後、前記導体を保護膜で覆い、
    前記発光素子を形成した後、前記保護膜を除去し、
    前記第２基板の表示領域の外側に第２周辺電極を形成し、
    前記導体を、前記第２周辺電極を介して前記発光素子に信号を伝達する制御部に電気的に接続する
    請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
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