JP4984439B2

JP4984439B2 - 発光装置およびその製造方法

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Publication number: JP4984439B2
Application number: JP2005172455A
Authority: JP
Inventors: 陵一野澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-06-13
Filing date: 2005-06-13
Publication date: 2012-07-25
Anticipated expiration: 2025-06-13
Also published as: JP2006349753A

Description

本発明は、有機発光ダイオード素子のように電流量に応じた大きさの光を発光する発光
素子を用いた発光装置およびその製造方法に関する。

近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス
素子や発光ポリマー素子等と呼ばれる有機発光ダイオード（Organic Light Emitting
Diode、以下適宜「ＯＬＥＤ素子」と略称する）素子が注目されている。このＯＬＥＤ素
子を含む単位回路を格子状に配列した発光装置が開発されている。ＯＬＥＤ素子は陰極と
陽極との間に発光層を挟持して構成される。
この発光装置として、特許文献１には、走査線駆動回路の外に形成された電極用配線が
記載されている。この場合、ゲート電極層とソース電極層（あるいは、走査線の層と信号
線の層）の複数の配線層により、形成することが可能となる。したがって、電極用配線の
抵抗値をある程度、下げることができる。また、電極用配線の全面にて陰極とのコンタク
トを形成することができるため、陰極での電圧降下を低減させることができ、表示を均一
にすることができる。
また、特許文献２には、走査線駆動回路と有効領域の間に形成された電極用配線が記載
されている。
特開２００４−０５５５２９号公報特開２００１−１０９３９５号公報

しかしながら、特許文献１で開示された技術では、走査線駆動回路の外側に電極用配線
を配置するため、基板全体に占める発光領域の割合を大きくすることができない。この点
は、また、封止領域と陰極とが近いため、陰極が劣化する。一方、特許文献２に記載され
た技術では、走査線と電極用配線が近接して交差するため、その部分の寄生容量によって
信号波形が鈍るといった問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電源イン
ピーダンスを低減しつつ、小型化することことが可能な発光装置その製造方法を提供する
ことにある。

上述した課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上の発光領域に設けられた複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発光層を有する発光素子を有し、前記第１の電極は、複数の単位回路に共通に設けられた共通電極であり、前記発光領域の外側に設けられ、前記第１の電極に第１電源電圧を供給するための電極用配線と、前記発光領域の外側に配置され、前記複数の単位回路を駆動又は検査する周辺回路と、を備え、前記周辺回路を動作させる複数の電源電圧のうち一つは、前記第１電源電圧であり、前記電極用配線は、前記周辺回路の一部又は全部と重なるように、前記第２の電極と同一の層において同一の材料によって形成されるとともに、前記周辺回路に前記第１電源電圧を供給するための電源配線に接続され、前記第１の電極は、前記発光領域からその外側にかけて前記電極用配線と交差するように配置されるとともに、当該交差する領域の一部又は全部で前記電極用配線に接続されることを特徴とする。

この発明によれば、電極用配線を発光領域の外側において第２の電極と同一の層で構成
したので、発光素子を駆動するための電気的な要素と電極用配線とが交差するように配置
することができる。即ち、立体的な構造を採用することによって、基板の面積を小さくす
ることが可能となる。電気的な要素とは、例えば、積層することによって形成されるトラ
ンジスタが該当する。ここで、発光素子が形成される複数の層を第１層群とし、発光素子
を駆動する電気的な要素が形成される複数の層を第２層群としたとき、第１層群と第２層
群とは同じ層を含まないことが好ましい。第１層群と第２層群が分離されるから、第１層
群のうち第２の電極が形成される層を用いて電極用配線を形成すれば、第２層群の電気的
な要素と電極用配線とが重なるように配置することが可能となる。しかも、第２の電極と
同時に電極用配線は形成されるので、製造工程が増加することもない。なお、発光素子と
しては、有機発光ダイオードや無機発光ダイオード等が該当する。さらに、第１層群と第
２層群との間には層間絶縁層が設けられることが好ましい。このようにすると、発光素子
を駆動するための電気的な要素と電極用配線とが交差したとしても、層間絶縁膜を介して
いるため、発光素子を駆動するための電気的な要素にて伝播される信号を遅延させること
がない。

周辺回路と電極用配線が交差するように配置できるので、発光装置を小型化することができる。

電源配線を共通化して、かつ、多層化できるので、電源インピーダンスを低減できるとともに、配線の占有面積を削減できる。

また、上述した発光装置において、前記電極用配線を前記発光領域の全ての辺に沿って
配置することが好ましい。この場合には、電源インピーダンスを大幅に低減することがで
き、発光装置内の輝度均一性を向上させることができる。

また、上述した発光装置において、前記発光領域には、複数の走査線と複数のデータ線
とが形成されており、前記電極用配線は、前記複数の走査線および前記複数のデータ線と
絶縁性を有する層を隔てて形成されることが好ましい。この場合には、絶縁性を有する層
を備えるので、電極用配線と複数の走査線および複数のデータ線の距離を長くすることが
できる。この結果、寄生容量が小さくなり、信号の遅延時間を縮小することができる。

次に、本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えたものであって、例えば、デ
ィスプレイ等の表示装置、これを用いた携帯電話機、パーソナルコンピュータ、あるいは
プリンタヘッド、これを用いたプリンタ等が該当する。

次に、本発明に係る発光装置の製造方法は、基板上の発光領域に設けられた複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発光層を有する発光素子を有し、前記第１の電極は、複数の単位回路に共通に設けられた共通電極であり、前記発光領域の外側に設けられ、前記第１の電極に電源電圧を供給するための電極用配線と、前記発光領域の外側に配置され、前記複数の単位回路を駆動又は検査する周辺回路と、を備える発光装置の製造方法であって、前記周辺回路を動作させる複数の電源電圧のうち一つは、前記第１電源電圧であり、前記電極用配線を、前記周辺回路の一部又は全部と重なるように、前記第２の電極と同一の層において同一の材料によって形成するとともに、前記周辺回路に前記電源電圧を供給するための電源配線に接続し、前記第１の電極を、前記発光領域からその外側にかけて前記電極用配線と交差するように配置させるとともに、当該交差する領域の一部又は全部で前記電極用配線に接続することを特徴とする。この発明によれば、電極用配線を第２の電極と同時に形成することができるので、工程を増加させることなく電源インピーダンスを大幅に低減した発光装置を製造することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
＜１．第１実施形態＞
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成を示すブロック図である
。この発光装置１は、パネル１０とフレキシブル基板２０とを備える。パネル１０の端部
には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板２０に形成された接続端子と
が、ＡＣＦ（Anisotropic conductive film:異方性導電膜）と呼ばれる導電粒子を含有し
たフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板２０には、デー
タ線駆動回路２００が設けられており、さらに、フレキシブル基板２０を介して各種の電
源電圧がパネル１０に供給される。

パネル１０には、走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、プリチャージ回路１２０、
ならびに発光領域Ａが設けられている。ここで、プリチャージ回路１２０は書き込み動作
に先立って、データ線１１２の電位を所定の電位に設定するための回路である。なお、走
査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０は、周辺回路で
ある。周辺回路は、単位回路Ｐや配線の良否を検査する検査回路を含んでもよい。

発光領域Ａには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交
差に対応して複数の単位回路Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯＬＥＤ素子を含み、電
源供給線１１３から給電を受ける。この例の単位回路Ｐは、走査線駆動回路１００Ａおよ
び１００Ｂが複数の走査線１１１を順次選択すると、データ線１１２を介して供給される
データ信号を内部に保持し、データ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ素子に供給する
。これにより、ＯＬＥＤ素子は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。

また、図１（Ｂ）に示すように発光領域Ａの外側には、発光領域Ａの全ての辺に沿って
電極用配線１５０が形成されている。電極用配線１５０は、後述するようにＯＬＥＤ素子
の陰極（第１の電極）に電源電圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するた
めの配線である。電極用配線１５０はフレキシブル基板２０およびパネル１０に形成され
た第１主電源配線１４０と接続される。さらに、フレキシブル基板２０およびパネル１０
には第２主電源配線１３０が設けられており、発光領域Ａの外側において電源供給線１１
３と接続されている。

図２にパネル１０の部分断面図を示す。この例において、領域Ｓは発光領域Ａである一
方、領域Ｔには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成されている。同図に示すよう
に、基板３０の上に下地保護層３１が形成され、その上にトランジスタ４０、５０、およ
び６０が形成される。トランジスタ４０はｎチャネル型、トランジスタ５０および６０は
ｐチャネル型である。

トランジスタ４０、５０、および６０は、ＳｉＯ_２を主体とする下地保護層３１を介し
て基板３０の表面に設けられている。下地保護層３１の上層にはシリコン層４０１、５０
１および６０１が形成される。ゲート絶縁層３２はシリコン層４０１、５０１および６０
１を覆うように下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリ
コン層４０１、５０１および６０１に対向する部分にゲート電極４２、５２および６２が
設けられる。トランジスタ４０においてゲート電極４２を介してシリコン層４０１にはＶ
族元素がドーピングされ、ドレイン領域４０ｃおよびソース領域４０ａが形成される。こ
こで、Ｖ族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域４０ｂとなる。

トランジスタ５０および６０においてゲート電極５２および６２を介してシリコン層５
０１および６０１にはゲート電極５２および６２を介してIII族元素がドーピングされ、
ドレイン領域５０ａおよび６０ａ、ならびにソース領域５０ｃおよび６０ｃが形成される
。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域５０ｂおよび６０ｂ
となる。なお、トランジスタ４０、５０、および６０のゲート電極４２、５２、および６
２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。

第１層間絶縁層３３はゲート電極４２、５２および６２を覆うようにゲート絶縁層３２
の上層に形成される。第１層間絶縁層３３にはＳｉＯ_２等が用いられる。さらに、ソース
電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ならびにドレイン電極６１が
、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホールを介
してシリコン層４０１、５０１、および６０１と接続される。

そして、パシベーション膜３４が、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソ
ース電極４３、ならびにドレイン電極６１を覆うように第１層間絶縁層３３の上層に設け
られる。パシベーション膜３４は、例えば、窒化珪素を材料とする。これにより、トラン
ジスタ４０、５０、および６０からの水素の離脱を防止する。なお、パシベーション膜３
４をソース電極やドレイン電極の下に形成してもよい。

次に、第２層間絶縁層３５がパシベーション膜３４の上層に設けられる。第２層間絶縁
層３５は、例えば、アクリルもしくはポリイミド等の有機樹脂を材料とする。この場合、
有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、直接レジストと同様にパターニ
ングしても良い。第２層間絶縁層３５の材料としては、パシベーション膜３４と同様に酸
化珪素を用いても良い。あるいは、第１層間絶縁層３３と同様にＳｉＯ_２を用いても良い
。但し、酸化珪素やＳｉＯ_２を用いた場合の膜厚は１μｍにとどまるのに対し、有機樹脂
の場合には２〜３μｍ程度の膜厚にできる。したがって、有機樹脂の方が厚膜化に適して
いる。

次に、画素電極７６（第２の電極）を形成すると同時に、発光領域Ａと基板３０の外周
の間に電極用配線１５０を形成する。即ち、画素電極７６と電極用配線１５０とは同一の
層において、同一の材料を用いて同時に形成される。この例における、画素電極７６はＯ
ＬＥＤ素子７０の陽極であり、第２層間絶縁層３５およびパシベーション膜３４にわたっ
て開孔するコンタクトホールを介してトランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される
。また、画素電極７６および電極用配線１５０の材料としては、仕事関数が大きい材料が
望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等やその合金が好適である。

図に示すように電極用配線１５０は、領域Ｘにおいて走査線１１１と交差する。走査線
１１１には走査信号が供給されるため、走査線１１１に付随する寄生容量は小さいことが
望ましい。この例においては、走査線１１１と電極用配線１５０との間に、第１層間絶縁
層３３、パシベーション膜３４および第２層間絶縁層３５を設けた。特に、第２層間絶縁
層３５は厚膜化が容易な有機樹脂を用いて構成したので、寄生容量の低減を図ることがで
きる。また、領域Ｔにおいて電極用配線１５０と周辺回路とが重なるが、第２層間絶縁層
３５として厚膜化が容易な有機樹脂を用いたので、寄生容量の低減を図ることができる。

次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は画素電極７６を区画するものである。具体的に
は、例えば、アクリルもしくはポリイミド等を用いる。この場合、パターニングのため感
光性材料を混合して、直接レジストと同様にパターニングしても良い。なお、隔壁３７を
設けなくても良い。

次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む有機化合物層７４を形成する。発
光層には、発光能を有する有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であ
っても良いし、高分子材料であっても良い。有機化合物層７４を構成する他の層として、
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロッ
ク層の一部又は全部を備えていてもよい。

次に、電極用配線１５０および有機化合物層７４を覆うように、共通電極７２（第１の
電極）が形成される。ここで、共通電極７２は電極用配線１５０と発光領域Ａの外側で接
続される。この例の共通電極７２は、ＯＬＥＤ素子７０の陰極として機能する。共通電極
７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、ア
ルミ、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やその合金である。また、合金は仕
事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望ましい。例えば、マグ
ネシウムと銀の合金が好適である。

以上の構成において、共通電極７２（第１の電極）と電極用配線１５０との関係は図３
に示すようになる。共通電極７２たる陰極は、電極用配線１５０および発光領域Ａを覆う
ように配置される。そして、電極用配線１５０と共通電極７２とを接続する接続領域Ｙは
、発光領域Ａを囲むように形成される。つまり、発光領域Ａの辺に沿って電極用配線１５
０が形成されており、接続領域Ｙも発光領域Ａの辺に沿って形成される。この場合、共通
電極７２として最上層の導電膜を用いるため、共通電極７２と電極用配線１５０との接続
領域Ｙを電極用配線１５０の全面に形成することも可能である。いずれにしても、発光領
域Ａを囲むように接続領域Ｙを形成することができるので、発光装置内の輝度均一性を大
幅に向上させることができる。なお、接続領域Ｙは、電極用配線１５０の全面になくても
よく、その一部に形成されていればよく、共通電極７２と電極用配線１５０との接続抵抗
により、適宜設定されるものである。また、電極用配線１５０は、発光領域Ａの少なくと
も一辺に設けられていれば良く、接続領域Ｙについても同様である。例えば、図１０に示
すように、電極用配線１５０を発光領域Ａの３辺に沿って設けてもよい。

また、画素電極７６と同層で電極用配線１５０を設けたので、走査線駆動回路１００Ａ
等の周辺回路、走査線１１１、あるいはデータ線１１２があっても、その上に電極用配線
１５０を形成できるため、発光領域Ａの外周からパネル１０の外周までの額縁部分の面積
を小さくすることができ、パネル１０ひいては発光装置１を小型化することができる。し
かも、電極用配線１５０と、走査線１１１やデータ線１１２等の配線との間には、第２層
間絶縁層３５を有するので、信号遅延を起こさず電極用配線１５０を形成することができ
る。また、発光領域Ａと電極用配線１５０とは近接して配置できるため、その間の電圧降
下を低減させることができる。

また、本実施形態において、発光領域Ａの内部に設けられた電源供給線１１３は、上述
したように発光領域Ａの外側において第２主電源配線１３０と接続されている（図１（Ａ
）参照）。また、電極用配線１５０を画素電極７６と同一の層で構成することによって、
第２主電源配線１３０と電極用配線１５０とを重なることができる。これにより、発光領
域と基板外周の間に形成される額縁の面積を小さくすることができる。

ここで、第２主電源配線１３０をゲート電極が形成される層とソース電極が形成さる層
との２層で構成し、電極用配線１５０を画素電極７６が形成される層で形成しても良い。
また、第２主電源配線１３０をゲート電極が形成される層で構成し、電極用配線１５０を
ソース電極が形成される層と画素電極７６が形成される層との２層で形成しても良い。こ
のような２層構造を採用することによって電源インピーダンスを低減することができる。
但し、発光装置１がＲＧＢに対応するものであって、Ｒ色、Ｂ色、Ｇ色の各々単位回路Ｐ
に異なる電源電圧を供給する場合には、第２主電源配線１３０を３本設ける必要がある。
この場合には、電源供給線１１３と各第２主電源配線１３０とを接続するために立体交差
を設ける。立体交差の部分については、ゲート電極が形成される層とソース電極が形成さ
る層とのうち一方の層を用いて第２主電源配線１３０を構成し、他方の層を用いて立体交
差の配線とすれば良い。

また、上述したようにパネル１０の下端には、第１主電源線１４０、第２主電源線１３
０、走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂへの信号入力端子、ならびにデータ信号の入
力端子が形成される。これらの端子群が形成される端子領域には、第２層間絶縁層３５が
形成されていない。これは、電極用配線１５０が、第２層間絶縁層３５の上層のまま端子
領域までくると、端子との間で段差が生じてしまう可能性があるからである。そこで、電
極用配線１５０と端子との間には、第２層間絶縁層３５を形成しない領域を設け、当該領
域の電極用配線１５０を介して、電極用配線１５０と端子との間を電気的に接続する。

次に、第１実施形態の変形例について説明する。
図４に、変形例に係る発光装置１の部分断面図を示す。この発光装置１は、電極用配線
１５０が、周辺回路において電源電圧Ｖｓｓを供給する配線と接続される点を除いて、上
述した第１実施形態の発光装置と同様に構成されている。図４に示すように電極用配線１
５０は、第２層間絶縁層３５およびパシベーション膜３４にわたって形成されたコンタク
トホールＣＨを介してトランジスタ４０のソース電極４１に接続されている。トランジス
タ４０は走査線駆動回路１００Ａのバッファ１０３を構成する。このソース電極４１は、
電源電圧Ｖｓｓを供給する配線と接続されている。

図５に、走査線駆動回路１００Ａと発光領域Ａのブロック図を示す。走査線駆動回路１
００Ａは、スタートパルスＳＰをクロック信号ＣＫに従って順次シフトするシフトレジス
タ１０１、１０１…、と、レベル変換を行うレベルシフタ１０２、１０２…、と、バッフ
ァ１０３、１０３…とを備える。また、走査線駆動回路１００Ａには電源電圧として、Ｖ
ｓｓ、Ｖｄｄ、Ｖｈｈが供給される。これらの電源電圧は、Ｖｓｓ＜Ｖｄｄ＜Ｖｈｈとな
るように設定されている。シフトレジスタ１０１には電源電圧ＶｓｓおよびＶｄｄが供給
され、レベルシフタ１０２およびバッファ１０３には電源電圧ＶｓｓおよびＶｈｈが供給
される。なお、バッファ１０３は、図２に示すトランジスタ４０および５０によって構成
される。以上の構成において、電極用配線１５０は、走査線駆動回路１００Ａを覆うよう
に配置される。

このように走査線駆動回路１００Ａのロジック電源と電極用配線１５０を接続すること
により、電源電圧Ｖｓｓを供給する配線と電極用配線１５０を共通化すると共に多層化す
ることができる。この結果、配線の抵抗を下げ電源インピーダンスを低減することができ
る。加えて、多層化により配線占有面積を削減することができる。
また、クロック信号ＣＫと電源電圧Ｖｓｓとは交差しているため、クロック信号が劣化
する虞がある。電源電圧Ｖｓｓを供給する配線を電極用配線１５０と同様に画素電極７６
と同一層のみで構成することが好ましい。このようにすることにより、クロック信号ＣＫ
と電源電圧Ｖｓｓとは交差したとしても、寄生容量によりクロック信号ＣＫが劣化するこ
とを防止することができる。

＜２．第２実施形態＞
上述した第１実施形態の発光装置１は、発光領域Ａに複数の単位回路Ｐを配置したもの
であった。単位回路Ｐは、トランジスタ６０やＯＬＥＤ素子７０等によって構成される。
この場合、静電気が走査線１１１やデータ線１１２からトランジスタ６０に入来すると、
トランジスタ６０の耐圧を上回ることがある。第２実施形態の発光装置１は、発光領域Ａ
に隣接するダミー画素領域Ａ’にダミー単位回路Ｑを配置し、単位回路Ｐを静電破壊から
保護するものである。

図６に、第２実施形態に係る発光装置１のダミー単位回路Ｑの配置を示す。この図に示
すように、発光領域Ａの周辺にはダミー画素領域Ａ’が設けられている。ダミー画素領域
Ａ’には、ダミー単位回路Ｑが設けられている。ダミー単位回路Ｑは、ＯＬＥＤ素子７０
を含むが、発光に寄与しない回路である。

図７に、第２実施形態に係る発光装置１の部分断面を示す。同図においてトランジスタ
８０は、トランジスタ６０と同様にｐチャネル型で構成される。この図に示すように、ダ
ミー画素領域Ａ’においては、トランジスタ８０の上には、電極用配線１５０が設けられ
ている。ダミー単位回路Ｑは、発光に寄与しない。本実施形態では、ダミー画素領域Ａ’
の全部に電極用配線１５０が重なるように配置される。これにより、電極用配線１５０の
抵抗を低減することができる。なお、ダミー画素領域Ａ’の一部と重なるように電極用配
線１５０を配置しても良い。

図８に、第２実施形態の変形例に係る発光装置１の部分断面を示す。この変形例では、
トランジスタ８０のドレイン電極８１と電極用配線１５０が接続されている。この場合、
外部から流入した静電気を電極用配線１５０を介して放出することができる。したがって
、発光領域Ａの単位回路Ｐが劣化するのを防止することができる。

図９に、第２実施形態の変形例に係る発光装置１のブロック図を示す。この例において
、単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、
容量素子６９、およびＯＬＥＤ素子７０を含む。一方、ダミー単位回路Ｑには、ＯＬＥＤ
素子７０が設けられていない。なお、ダミー単位回路Ｑにトランジスタ６０と接続されな
いＯＬＥＤ素子７０を設けてもよい。

走査線１１１、データ線１１２、および電源供給線１１３の端部には、静電保護回路と
して機能するダイオードＤ１およびＤ２が設けられている。ダイオードＤ１およびＤ２は
ロジック電源配線Ｌ１およびＬ２と接続されており、データ線１１２、走査線１１１、お
よび電源供給線１１３で発生した静電気をロジック電源配線Ｌ１又はＬ２に放出し、ダミ
ー単位回路Ｑおよび単位回路Ｐに含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを
抑制する。

ここで、ダミー単位回路Ｑと単位回路Ｐに接続されるデータ線１１２-1には抵抗Ｒ１が
介挿され、ダミー単位回路Ｑのみが接続されるデータ線１１２-2には抵抗Ｒ１およびＲ２
が介挿される。これは、ダミー単位回路Ｑのみが接続されるデータ線１１２-2においては
、信号波形の鈍りが問題とならないからである。同様に、ダミー単位回路Ｑと単位回路Ｐ
に接続される走査線１１２-1には抵抗Ｒ１が介挿され、ダミー単位回路Ｑのみが接続され
る走査線１１１-2には抵抗Ｒ１およびＲ２が介挿される。また、ダミー単位回路Ｑと単位
回路Ｐに接続される電源供給線１１３-1には抵抗が介挿されないが、ダミー単位回路Ｑの
みが接続される電源供給線１１３-2には抵抗Ｒ１およびＲ２が介挿される。これは、電源
電圧の降下が問題とならないからである。

斜線部分には、電極用配線１５０が配置される。ダミー画素領域Ａ’においても電極用
配線１５０を配置することによって、抵抗を低減することが可能となる。ここで、端子Ｃ
１乃至Ｃ３のうち少なくとも一つを電極用配線１５０に接続し、電源電圧Ｖｓｓを供給し
ても良い。この場合には、ダミー単位回路Ｑのみが接続される走査線１１１-2、データ線
１１２-2、および電源供給線１１３-2のインピーダンスを低減することができるので、静
電気がこれらの配線に入来してもダミー単位回路Ｑの破壊を防止することができ、ひいて
は単位回路Ｐを静電破壊から有効に保護することができる。

＜３．応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。図１１は、上記実
施形態に係る発光装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構
成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置
１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキー
ボード２００２が設けられている。この発光装置１はＯＬＥＤ素子７０を用いるので、視
野角が広く見易い画面を表示できる。

図１２に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに
表示装置としての発光装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによっ
て、発光装置１に表示される画面がスクロールされる。

図１３に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal
Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４０
０１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１を備える。電源
スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置
１に表示される。

なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１１から図１３に示し
たもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置
、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機
、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等等が挙げられる。

本発明の第１実施形態の発光装置１の構成を示すブロック図である。同装置の部分断面図である。共通電極７２と電極用配線１５０との関係を示す平面図である。第１実施形態の変形例に係る発光装置１の部分断面図である。変形例に係る発光装置１の走査線駆動回路１００Ａと発光領域Ａのブロック図である。第２実施形態に係る発光装置１のダミー単位回路Ｑの配置を示す説明図である。同装置の部分断面図である。変形例に係る発光装置１の部分断面図である。第２実施形態の変形例に係る発光装置１のブロック図である。電極用配線１５０を発光領域Ａの３辺に沿って設けた発光措置の平面図である。パーソナルコンピュータの外観構成を示す斜視図である。携帯電話機の外観構成を示す斜視図である。携帯情報端末の外観構成を示す斜視図である。

符号の説明

１…発光装置、３５…第２層間絶縁層、７０…ＯＬＥＤ素子、７２…共通電極、７６…
画素電極、１００Ａ，１００Ｂ…走査線駆動回路、１１１…走査線、１１２…データ線、
１１３…電源供給線、１３０…第２主電源配線、１４０…第１主電源配線、１５０…電極
用配線、Ａ…発光領域、Ａ’…ダミー画素領域。

Claims

基板上の発光領域に設けられた複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発光層を有する発光素子を有し、前記第１の電極は、複数の単位回路に共通に設けられた共通電極である発光装置であって、
前記発光領域の外側に設けられ、前記第１の電極に第１電源電圧を供給するための電極用配線と、
前記発光領域の外側に配置され、前記複数の単位回路を駆動又は検査する周辺回路と、
を備え、
前記周辺回路を動作させる複数の電源電圧のうち一つは、前記第１電源電圧であり、
前記電極用配線は、前記周辺回路の一部又は全部と重なるように、前記第２の電極と同一の層において同一の材料によって形成されるとともに、前記周辺回路に前記第１電源電圧を供給するための電源配線に接続され、
前記第１の電極は、前記発光領域からその外側にかけて前記電極用配線と交差するように配置されるとともに、当該交差する領域の一部又は全部で前記電極用配線に接続される
ことを特徴とする発光装置。
前記電極用配線を前記発光領域の全ての辺に沿って配置したことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記発光領域には、複数の走査線と複数のデータ線とが形成されており、
前記電極用配線は、前記複数の走査線および前記複数のデータ線と絶縁性を有する層を隔てて形成される、
請求項１または２に記載の発光装置。
前記発光領域の内側に設けられ、前記複数の単位回路に第２電源電圧を供給する複数の電源供給線と、
前記発光領域の外側に設けられ、前記複数の電源供給線と接続された電源配線とを備え、
前記電源配線の一部又は全部と前記電極用配線とを交差するように配置した、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の発光装置。
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載した発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
基板上の発光領域に設けられた複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発光層を有する発光素子を有し、前記第１の電極は、複数の単位回路に共通に設けられた共通電極であり、
前記発光領域の外側に設けられ、前記第１の電極に電源電圧を供給するための電極用配線と、
前記発光領域の外側に配置され、前記複数の単位回路を駆動又は検査する周辺回路と、
を備える発光装置の製造方法であって、
前記周辺回路を動作させる複数の電源電圧のうち一つは、前記第１電源電圧であり、
前記電極用配線を、前記周辺回路の一部又は全部と重なるように、前記第２の電極と同一の層において同一の材料によって形成するとともに、前記周辺回路に前記電源電圧を供給するための電源配線に接続し、
前記第１の電極を、前記発光領域からその外側にかけて前記電極用配線と交差するように配置させるとともに、当該交差する領域の一部又は全部で前記電極用配線に接続する
ことを特徴とする発光装置の製造方法。