JP2006337713A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体層31は、ソース領域31sとドレイン領域31dとの間にチャネル領域31cを有する。ゲート電極34は、ゲート絶縁層32を挟んでチャネル領域31cに対向する。ソース電極36は、半導体層31およびゲート電極34を覆う第1層間絶縁層61の面上に形成されるとともにコンタクトホールCH1sを介してソース領域31sに導通する。ソース電極36は、ゲート電極34と重なるゲート対向部分361を含む。画素電極65は、ソース電極36を覆う第2層間絶縁層62の面上に形成され、この第2層間絶縁層62のうちゲート対向部分361と重なる位置に形成されたコンタクトホールCH2を介してソース電極36に導通する。画素電極65と共通電極68との間には発光層67が介在する。
【選択図】 図2
Description
<A−1:発光装置の構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、発光装置Dは、X方向に延在する複数の走査線11と、X方向に直交するY方向に延在する複数のデータ線13とを有する。走査線11とデータ線13との各交差には画素回路Pが配置される。各画素回路Pは、電流の供給によって発光する発光層67と、この発光層67の階調を制御するための複数のトランジスタTdrおよびTselとを含む。トランジスタTdrおよびTselはnチャネル型のTFT(Thin Film Transistor)である。
次に、本実施形態に係る画素回路Pを製造する方法について説明する。図3(a)ないし図3(d)は、各工程における画素回路Pの構成を示す平面図であり、図4(a)ないし図4(e)は、各工程における断面図である。図2に図示された断面は、図3(d)におけるA−A線からみた断面に相当する。また、図3(a)ないし図3(d)は平面図であるが、各部分の把握を容易にするために、各図のうち図2に図示された部分と共通の要素については同じ態様のハッチングが施されている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第1実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
各実施形態においては、半導体層31の面上にゲート電極(34や54)が配置されたトップゲート構造のトランジスタを例示したが、半導体層の下層にゲート絶縁層が配置されたボトムゲート構造のトランジスタにも本発明は適用される。図8に示されるように、ボトムゲート構造の駆動トランジスタTdrにおいては、基板20を覆う下地層21の表面にゲート電極34が形成され、ゲート電極34を覆うゲート絶縁層32の表面上に半導体層31が形成される。これ以外の要素の構成は各実施形態と同様である。すなわち、第1層間絶縁層61の表面に形成されたソース電極36はゲート電極34と重なり合うゲート対向部分361を含み、第2層間絶縁層62のうちコンタクトホールCH1よりもゲート電極34側の部位に形成されたコンタクトホールCH2を介して画素電極65とソース電極36とが導通する。この構成によっても各実施形態と同様の効果が奏される。
各実施形態においては、nチャネル型のトランジスタを例示して本発明の形態を説明したが、各トランジスタの導電型は適宜に変更される。また、各実施形態においてはソース電極36のゲート対向部分361がコンタクトホールCH2を介して画素電極65に導通する構成を例示したが、トランジスタの導電型や発光層67との関係によっては、ドレイン電極37が同様の構成によって画素電極65に導通する構成としてもよい。本発明における中間導電体とは、半導体層31と画素電極65とを導通するための導電体(各実施形態におけるソース電極)であり、ソース電極およびドレイン電極の何れに該当するかは不問である。
各実施形態においては、画素電極65を介して発光層67に接続されるトランジスタ(第1実施形態の駆動トランジスタTdrや第2実施形態の発光制御トランジスタTel)に本発明を適用した形態を例示したが、これ以外のトランジスタにも本発明を適用することが可能である。例えば、第1実施形態における選択トランジスタTselに本発明の構成を採用してもよい。また、画素回路Pの構成は図1の例示に限定されない。例えば、図1においてはデータ線13の電圧に応じて発光層67の階調が設定される電圧プログラミング方式の画素回路Pを例示したが、データ線13に流れる電流量に応じて発光層67の階調が設定される電流プログラミング方式の画素回路Pにも本発明を適用することができる。また、例えば米国特許第6,229,506号には、駆動トランジスタTdrのゲート電極とドレイン電極との導通および非導通を制御するトランジスタ(以下「スイッチングトランジスタ」という)によって駆動トランジスタTdrの閾値電圧を補償する画素回路Pが開示されている。この構成の画素回路Pにおいては、例えばスイッチングトランジスタに本発明の構成を適用してもよい。以上のように、本発明における中間導電体の接続先が画素電極65である必要は必ずしもない。
各実施形態においては有機EL材料からなる発光層67を例示したが、本発明における発光層はこれに限定されない。例えば、無機EL材料からなる膜体やLED(Light Emitting Diode)素子など様々な発光層を採用することができる。本発明における発光層は、電気エネルギの供給(典型的には電流の供給)によって発光する材料によって形成されていれば足り、その具体的な構造の如何は不問である。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図9は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置Dを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置Dと本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置Dは有機EL材料からなる発光層67を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
Claims (6)
- ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域を有する半導体層と、
ゲート絶縁層を挟んで前記チャネル領域に対向するゲート電極と、
前記半導体層を覆う第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第1層間絶縁層の第1コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に導通する中間導電体であって前記ゲート電極と対向する部分を含む中間導電体と、
前記中間導電体を覆い、当該中間導電体のうち前記ゲート電極と対向する部分に重なる位置に第2コンタクトホールを有する第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の面上に形成され、前記第2コンタクトホールを介して前記中間導電体に導通する画素電極と、
前記画素電極とこれに対向する他の電極との間に介挿された発光層と
を有する発光装置。 - ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域を有する半導体層と、
ゲート絶縁層を挟んで前記チャネル領域に対向するゲート電極と、
前記半導体層を覆う第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第1層間絶縁層の第1コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に導通する中間導電体と、
前記中間導電体を覆う第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第2層間絶縁層の第2コンタクトホールを介して中間導電体に導通する画素電極と、
前記画素電極とこれに対向する他の電極との間に介挿された発光層と
を有し、前記第2コンタクトホールは、前記半導体層の表面に垂直な方向からみて前記第1コンタクトホールの前記ゲート電極側に位置する
発光装置。 - 前記発光層は、前記半導体層の表面に垂直な方向からみて、前記第1コンタクトホールを挟んで前記第2コンタクトホールとは反対側の領域に位置する
請求項1または請求項2に記載の発光装置。 - 発光層を制御するためのトランジスタを含む画素回路を備えた発光装置であって、
前記トランジスタは、
ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域を有する半導体層と、
ゲート絶縁層を挟んで前記チャネル領域に対向するゲート電極と、
前記半導体層を覆う第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第1層間絶縁層の第1コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に導通する中間導電体であって前記ゲート電極と重なるゲート対向部分を含む中間導電体と、
前記中間導電体を覆い、当該中間導電体のうち前記ゲート電極と対向する部分に重なる位置に第2コンタクトホールを有する第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の面上に形成され、前記第2コンタクトホールを介して前記中間導電体に導通する電極部とを有する
発光装置。 - 発光層を制御するためのトランジスタを含む画素回路を備えた発光装置であって、
前記トランジスタは、
ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域を有する半導体層と、
ゲート絶縁層を挟んで前記チャネル領域に対向するゲート電極と、
前記半導体層を覆う第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第1層間絶縁層の第1コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に導通する中間導電体と、
前記中間導電体を覆う第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第2層間絶縁層の第2コンタクトホールを介して中間導電体に導通する電極部と
を有し、前記第2コンタクトホールは、前記半導体層の表面に垂直な方向からみて前記第1コンタクトホールの前記ゲート電極側に位置する
発光装置。 - 請求項1から請求項5の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
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