JP5163430B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学素子を利用した電気光学装置や電子機器に関する。

近年、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの電気光学素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。このような電気光学装置においては、基板上に設けられた電気光学素子に水分等が浸入することを防止するために多層の薄膜で封止を行うことが知られている。例えば、特許文献１には、基板上に設けられた電気光学素子や薄膜トランジスタなどの機能素子を平坦化するための平坦化層と、緩衝層と、バリア層と、を積層して基板上の機能素子を封止する構成が開示されている。

また、基板上には、電気光学素子を駆動する駆動用回路に電位を供給する電位供給線が設けられる。例えば特許文献２にも開示されているように、この電位供給線は駆動用回路を横切るように配置される。すなわち、駆動用回路を構成する複数の薄膜トランジスタは、基板上に延在する電位供給線を跨いで配置される。このため、上述したような薄膜封止を行う場合は、基板上の電位供給線も平坦化層で覆われる。そして、平坦化層は緩衝層で覆われ、平坦化層における側面まで緩衝層が入り込む。基板上において緩衝層で覆われた領域の外側にはシール材が設けられ、機能素子が配置された基板はシール材を介して封止用の第２の基板と対向するように接合される。
特開２００５−２５１７２１号公報 特開平８−１１４８１７号公報

電気光学装置の基板上における電気光学素子が配置される領域以外の額縁部分は、できるだけ狭小化されることが好ましい。しかしながら、上述の薄膜封止が行われる場合は、基板上の機能素子だけでなく電位供給線も平坦化層で覆われるから、電位供給線の幅に応じて額縁部分が大きくなり、額縁部分の狭小化を図ることが困難であるという問題があった。このような事情を背景として、本発明は、薄膜封止が行われる電気光学装置の額縁の狭小化を図るという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数の
データ線と、複数の走査線と複数のデータ線との各々の交差に対応して配置された複数の
画素と、複数の走査線又は複数のデータ線の少なくとも一方に信号を供給する駆動回路（例
えば図１に示す走査線駆動回路４０、データ線駆動回路５０）と、駆動回路に電位を供給
する電位供給線と、が基板上に設けられ、複数の画素の各々は、画素電極（例えば図２に
示す画素電極２１０）と、画素電極から見て基板とは反対側に配置される対向電極（例え
ば図２に示す対向電極２３０）と、画素電極と対向電極との間に介在する発光層（例えば
図２に示す発光層２２０）とを含む電気光学素子と、画素電極に電気的に接続された駆動
トランジスタと、を備える電気光学装置であって、駆動トランジスタと対向電極との間に
設けられる絶縁膜（例えば図２に示す第１平坦化層Ｆ１、図８に示す第１の平坦化層Ｆ１
および第２絶縁層Ｆａ２）と、対向電極を覆う平坦化層（例えば図２に示す第２の平坦化
層Ｆ２）と、を備え、電位供給線は、基板上の領域のうち、絶縁膜が設けられた第１の領
域（例えば図１乃至図３に示す領域Ｚ）の外側の第２の領域（例えば図２および図３に示
す領域Ｙ）内にて基板の周縁に沿って延在し、平坦化層は、絶縁膜を覆うとともに第２の
領域にて電位供給線の少なくとも一部と重なる。

この態様によれば、電位供給線は、基板上の領域のうち、絶縁膜が設けられた第１の領域の外側の第２の領域内にて基板の周縁に沿って延在し、その少なくとも一部が平坦化層と重なるから、額縁部分の狭小化を図ることができる。

また、本発明に係る電気光学装置は、複数の電気光学素子と、複数の薄膜トランジスタで構成されて複数の電気光学素子を駆動する駆動回路と、駆動回路に電位を供給する電位供給線（例えば図１乃至図３に示す高位側電位供給線ＶＨａまたは低位側電位供給線ＶＳａ）と、を基板上に備える電気光学装置であって、複数の薄膜トランジスタ（例えば図２および図３に示すトランジスタＴｒ）を覆う第１の平坦化層（例えば図２および図３に示す第１の平坦化層Ｆ１）と、第１の平坦化層を覆う第２の平坦化層（例えば図２および図３に示す第２の平坦化層Ｆ２）と、を具備し、電位供給線は、第１の平坦化層が設けられた第１の領域（例えば図１乃至図３に示す領域Ｚ）の外側の第２の領域（例えば図２および図３に示す領域Ｙ）内にて基板の周縁（例えば図１乃至図３に示す周縁１２）に沿って延在し、第２の平坦化層は、第１の平坦化層における側面（例えば図２および図３に示す側面Ｓ１）を覆うとともに第２の領域にて電位供給線の少なくとも一部と重なる態様とすることもできる。

以上の態様によれば、電位供給線は、第１の平坦化層が設けられた第１の領域の外側の第２の領域内にて形成され、第２の平坦化層のうち第２の領域内の部分と電位供給線の少なくとも一部が第２の領域にて重なることにより、額縁部分の狭小化を図ることができる。

本発明に係る電気光学装置の好適な態様において、平坦化層を覆うガスバリア層をさらに具備し、平坦化層における側面（例えば図２および図３に示す側面Ｓ２）の基板に対する傾斜角度は、絶縁膜における側面の基板に対する傾斜角度よりも小さい。平坦化層における側面の基板に対する傾斜角度が絶縁膜における側面の基板に対する傾斜角度に対して小さいほど平坦層の側面が水平に近づくため、平坦化層を覆うガスバリア層にクラックや剥離が発生することが抑制される一方、第１の領域の外側における平坦化層が設けられた領域の面積が大きくなる。そうすると、電位供給線が絶縁膜で覆われる態様においては、額縁部分の狭小化を図ることは困難となる。本発明の態様によれば、電位供給線の少なくとも一部が平坦化層と重なることにより、電位供給線が絶縁膜で覆われる態様よりも額縁部分の面積を小さくできる。すなわち、本発明の態様によれば、ガスバリア層にクラックや剥離が発生することを抑制しつつ額縁部分の狭小化を図ることができる。

本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、複数の走査線と複数のデータ線との各々の交差に対応して配置された複数の画素と、複数の走査線又は複数のデータ線の少なくとも一方に信号を供給する駆動回路と、駆動回路に電位を供給する電位供給線と、が基板上に設けられ、複数の画素の各々は、画素電極と、画素電極から見て基板とは反対側に配置された対向電極と、画素電極と対向電極との間に介在する発光層とを含む電気光学素子と、画素電極に電気的に接続された駆動トランジスタと、を備える電気光学装置であって、駆動トランジスタと対向電極との間に設けられる絶縁膜と、基板上の領域のうち、絶縁膜が設けられた第１の領域の外側の第２の領域に配置されたシール材と、シール材を介して基板に接合された第２基板と、を備え、電位供給線は、第２の領域内にて基板の周縁に沿って延在するとともに、少なくともその一部がシール材と重なる。この態様によれば、絶縁膜が設けられた第１の領域の外側の第２の領域において電位供給線の少なくとも一部がシール材と重なるから、額縁部分の狭小化を図ることができる。

また、本発明に係る電気光学装置は、複数の電気光学素子と、複数の薄膜トランジスタで構成されて複数の電気光学素子を駆動する駆動回路と、駆動回路に電位を供給する電位供給線と、を基板上に備える電気光学装置であって、複数の薄膜トランジスタを覆う第１の平坦化層と、第１の平坦化層が設けられた第１の領域の外側の第２の領域に配置されたシール材と、シール材を介して基板に接合された第２基板（例えば図１および図２に示す第２の基板３０）と、を具備し、電位供給線は、第２の領域内にて前記基板の周縁に沿って延在するとともに、少なくともその一部が前記シール材と重なる態様とすることもできる。以上の態様によれば、第１の平坦化層が設けられた第１の領域の外側の第２の領域において電位供給線の少なくとも一部がシール材と重なるから、額縁部分の狭小化を図ることができる。

本発明に係る電気光学装置の好適な態様において、第２電極は、複数の画素にわたって
連続するとともに第２の領域へ延在し、電位供給線を覆う絶縁層を介して、電位給線の少
なくとも一部と重なる。以上の態様によれば、第２電極と電位供給線との間に形成される
容量（例えば図５に示す容量Ｃｏ）によって、電位供給線および第２電極における電圧変
動が抑制（平滑化）される。

本発明に係る電気光学装置の好適な態様において、画素電極は、駆動トランジスタから見て基板とは反対側に配置され、絶縁膜（例えば図２に示す第１の平坦化層Ｆ１）は、画素電極と対向電極との間に設けられるとともに各画素電極を区分する。また、駆動トランジスタと画素電極との間に絶縁膜（例えば図８に示す第２絶縁層Ｆａ２）が設けられる態様とすることもできる。

本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成する構成の画像形成装置（印刷装置）においては、像担持体を露光する手段（いわゆる露光ヘッド）として本発明の電気光学装置を採用することもできる。

<Ａ：第１実施形態>
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す平面図である。この電気光学装置１０は、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であり、相互に対向する状態に貼り付けられた第１の基板２０と第２の基板３０とを具備する。第１の基板２０のうち第２の基板３０と対向する表面には、複数の画素回路Ｐが面状に配列された画素アレイ部１００と、各画素回路Ｐを駆動する走査線駆動回路４０Ａ，４０Ｂ、および、データ線駆動回路５０と、走査線駆動回路４０Ａに電位を供給するための高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａと、走査線駆動回路４０Ｂに電位を供給するための高位側電位供給線ＶＨｂおよび低位側電位供給線ＶＳｂと、が配置される。

図１に示すように、画素アレイ部１００には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１０２と、Ｘ方向に直交するＹ方向に延在するｎ本のデータ線１０４とが設けられる（ｍおよびｎは自然数）。各画素回路Ｐは、走査線１０２とデータ線１０４との交差に対応する位置に配置される。従って、これらの画素回路Ｐは縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に配列する。

図１に示す走査線駆動回路４０Ａおよび４０Ｂは、複数の画素回路Ｐを行単位で選択するための回路である。走査線駆動回路４０Ａおよび４０Ｂは順次アクティブとなる走査信号をｍ本の走査線１０２に出力する。図１に示すように、走査線駆動回路４０Ａは、画素アレイ部１００と第１の基板２０の周縁１２との間に配置される。走査線駆動回路４０Ｂは、画素アレイ部１００と第１の基板２０の周縁１４との間に配置される。

データ線駆動回路５０は、走査線駆動回路４０Ａおよび４０Ｂが選択した走査線１０２に対応する１行分のｎ個の画素回路Ｐの各々の階調を指定するデータ信号を各データ線１０４に出力する。図１に示すように、データ線駆動回路５０は、画素アレイ部１００と第１の基板２０の周縁１６との間に配置される。

高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、第１の基板２０の周縁１２に沿って延在する。さらに詳述すると、図１に示すように、高位側電位供給線ＶＨａは、第１の基板２０の面上に設けられた高位側電源端子Ｔｈａから、走査線駆動回路４０Ａと第１の基板２０の周縁１２との間の領域内において、周縁１２に沿って延びる。また、図１に示すように、低位側電位供給線ＶＳａは、第１の基板２０の面上に設けられた低位側電源端子Ｔｌａから、高位側電位供給線ＶＳａと周縁１２との間の領域内において、周縁１２に沿って延びる。

同様に、高位側電位供給線ＶＨｂおよび低位側電位供給線ＶＳｂは、第１の基板２０の周縁１４に沿って延在する。さらに詳述すると、図１に示すように、高位側電位供給線ＶＨｂは、第１の基板２０の面上に設けられた高位側電源端子Ｔｈｂから、高位側電位供給線ＶＨｂは、走査線駆動回路４０Ｂと第１の基板２０の周縁１４との間の領域内において、周縁１４に沿って延びるまた、図１に示すように、低位側電位供給線ＶＳｂは、第１の基板２０の面上に設けられた低位側電源端子Ｔｌｂから、高位側電位供給線ＶＳｂと周縁１４との間の領域内において、周縁１４に沿って延びる。

図１に示すように、各画素回路Ｐは、駆動トランジスタＲｄと、トランジスタＲｓと、容量素子Ｃと、ＯＬＥＤ素子２００と、を備える。ＯＬＥＤ素子２００は、陽極と陰極との間に発光材料を挟持して構成されて、電源線と接地線との間に配置される。Ｐチャネル型の駆動トランジスタＲｄは、電源線とＯＬＥＤ素子２００との間に配置され、ソースが電源線に接続されるとともにドレインがＯＬＥＤ素子２００の陽極に接続される。容量素子Ｃは、駆動トランジスタＲｄのゲート・ソース間に設けられる。また、駆動トランジスタＲｄのゲートはＮチャネル型のトランジスタＲｓのソースに接続される。トランジスタＲｓのゲートは走査線１０２に接続されるとともにドレインはデータ線１０４に接続される。走査線１０２を介して供給される走査信号がアクティブレベルへ遷移すると、トランジスタＲｓがオン状態となる。このとき、データ信号が画素回路Ｐに取り込まれる。ＯＬＥＤ素子２００に流れる駆動電流は駆動トランジスタＲｄのゲート・ソース間電圧によって決定される。

図２は、図１に示すＡ−Ａ線から見た断面図である。図２に示すように、第１の基板２０の面上には、走査線駆動回路４０Ａを構成する複数のトランジスタＴｒ（図２においてはひとつのみが図示されている）、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａ、各画素回路Ｐを構成する複数のトランジスタＲ（図２においてはひとつの駆動トランジスタＲｄのみが図示されている）が形成される。なお、図１に示す走査線駆動回路４０Ｂ、高位側電位供給線ＶＨｂおよび低位側電位供給線ＶＳｂの構成は、走査線駆動回路４０Ａ、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの構成と同じであるため、ここでは説明を省略する。

トランジスタＴｒは、第１の基板２０の表面に半導体材料によって形成された半導体層１１と、半導体層１１を覆うゲート絶縁層Ｆａ０を挟んで半導体層１１（チャネル領域）に対向するゲート電極１３とを含む薄膜トランジスタである。半導体層１１は、例えばアモルファスシリコンに対するレーザーアニールで形成されたポリシリコンの膜体である。ゲート電極１３は第１絶縁層Ｆａ１に覆われる。トランジスタＴｒのドレイン電極１１１およびソース電極１１２は、アルミニウムなどの低抵抗の金属によって第１絶縁層Ｆａ１の面上に形成されるとともにコンタクトホールを介して半導体層１１（ドレイン領域およびソース領域）に導通する。ドレイン電極１１１およびソース電極１１２は、第２絶縁層Ｆａ２に覆われる。第１絶縁層Ｆａ１や第２絶縁層Ｆａ２はＳｉＯ_２やＳｉＮなどの絶縁材料で形成された膜体である。

図２に示すように、高位側電位供給線ＶＨａは、ゲート絶縁層Ｆａ０の面上に形成される。トランジスタＴｒのゲート電極１３と高位側電位供給線ＶＨａとは、ゲート絶縁層Ｆａ０の全域にわたって連続的に形成された導電膜（例えばアルミニウムの薄膜）のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。なお、ゲート電極１３と高位側電位供給線ＶＨａとの関係のように、複数の要素が共通の膜体（単層であるか複数層であるかは不問）の選択的な除去によって同一の工程で形成されることを以下では単に「同層から形成される」と表記する。同層から形成された各要素の材料は当然に同一であって各々の膜圧厚は略一致する。複数の要素が同層から形成される構成によれば、各々が別個の膜体から形成される構成と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現されるという利点がある。

図２に示すように、低位側電位供給線ＶＳａは、第１絶縁層Ｆａ１の面上にドレイン電極１１１およびソース電極１１２と同層から形成される。

トランジスタＲは、トランジスタＴｒと同様の材料および積層構造の薄膜トランジスタである。図２に示すように、トランジスタＲは、第１の基板２０の表面に形成された半導体層２０１と、ゲート絶縁層Ｆａ０を挟んで半導体層２０１に対向するゲート電極２０３とを含む。トランジスタＲのドレイン電極２０５およびソース電極２０７は、ゲート電極２０３を覆う第１絶縁層Ｆａ１の面上に形成されるとともにコンタクトホールを介して半導体層２０１（ソース領域およびドレイン領域）に導通する。

図２に示すように、第２絶縁層Ｆａ２の面上には画素電極２１０が形成される。画素電極２１０は、複数のＯＬＥＤ素子２００ごとに相互に離間して形成される。画素電極２１０は、ＯＬＥＤ素子２００の陽極として機能する電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった光透過性の導電性材料によって形成される。図２に示すように、画素電極２１０は、第２絶縁層Ｆａ２を貫通するコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＲｄのドレイン電極２０５に電気的に接続される。

図２に示すように、第２絶縁層Ｆａ２の面上には、アクリルなどの有機材料やＳｉＯ_２およびＳｉＮなどの無機材料といった各種の絶縁材料によって第１の平坦化層Ｆ１が形成される。図１において、第１の平坦化層Ｆ１が設けられる領域Ｚを二点鎖線で示す。図１に示すように、第１の基板２０上における各画素回路Ｐおよび各画素回路Ｐの駆動に利用される駆動用回路（走査線駆動回路４０Ａ，４０Ｂおよびデータ線駆動回路５０など）は第１の平坦化層Ｆ１で覆われる。

図２に示すように、第１の平坦化層Ｆ１のうち、各画素回路Ｐにおける画素電極２１０と重なり合う部分には開口部Ｏａが形成される。ＯＬＥＤ素子２００の発光層２２０は、開口部Ｏａの内側であって画素電極２１０を底面とする空間に形成される。すなわち、各画素回路Ｐにおける画素電極２１０は、第１の平坦化層Ｆ１によって区分される。発光層２２０の形成には、例えば発光材料の液滴をノズルから吐出して画素電極２１０の表面に付着させるインクジェット法（液滴吐出法）が好適に採用される。なお、発光層２２０による発光を促進または効率化させるための各種の機能層（正孔注入層・正孔輸送層・電子注入層・電子輸送層・正孔ブロック層・電子ブロック層等）が発光層２２０に積層された構成としてもよい。

第１の平坦化層Ｆ１は、発光層２２０の形成時に発光材料の液滴が到達する領域をＯＬＥＤ素子２００ごとに仕切る要素として機能する。また、図２に示すように、走査線駆動回路４０Ａを構成する複数のトランジスタＴｒは、第１の平坦化層Ｆ１によって覆われる。これによって、トランジスタＴｒに起因して第２絶縁層Ｆａ２の面上に現れる段差が低減（平坦化）される。

図２に示す対向電極２３０は、ＯＬＥＤ素子２００の陰極として機能する電極である。対向電極２３０は、画素電極２１０から見て第１の基板２０とは反対側に配置され、対向電極２３０と画素電極２１０との間に発光層２２０が介在する。対向電極２３０は、複数の画素回路ＰにおけるＯＬＥＤ素子２００にわたって連続に形成される。対向電極２３０の材料としては、アルミニウムや銀などの金属およびこれらを主成分とする合金といった各種の光反射性の導電材料が採用される。本実施形態においては、発光層２２０から画素電極２１０側に放射された光と発光層２２０から画素電極２１０とは反対側に放射されて対向電極２３０にて反射されて画素電極２１０に向かう光とは、画素電極２１０や第１の基板２０を通過して外部へ出射される（ボトムエミッション）。

図２に示すように、第１の平坦化層Ｆ１および対向電極２３０の面上には、第１の平坦化層Ｆ１および第２の電極２３０が設けられた領域を平坦化するための第２の平坦化層Ｆ２が形成される。図２に示すように、第２の平坦化層Ｆ２は第１の平坦化層Ｆ１における側面Ｓ１をも覆う。第２の平坦化層Ｆ２は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの親油性を有する高分子材料（例えば有機樹脂材料）を、トルエン、キシレン、シクロヘキサンなどの親油性有機溶剤で希釈して所定の粘度に調整したエポキシオリゴマーやアクリルオリゴマー等で構成される。

第２の平坦化層Ｆ２の面上には、ガスバリア層ＧＳが形成される。ガスバリア層ＧＳは、その内側（第２の平坦化層Ｆ２側）に水分や気体が浸入するのを防止するためのものである。これによって、対向電極２３０や発光層２２０の劣化等を抑制できる。本実施形態においては、ガスバリア層ＧＳは、第２の平坦化層Ｆ２の側面Ｓ２を覆ったうえで第１の基板２０の周縁１２まで延在する。ガスバリア層ＧＳは、無機化合物で構成される。例えば、高密度プラズマ成膜法によって形成された珪素窒化物、珪素酸化物などの珪素化合物で構成することもできるし、アルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスで構成することもできる。

ここで、図２に示すように、第２の平坦化層Ｆ２における側面Ｓ２の第１の基板２０に対する傾斜角度は、第１の平坦化層Ｆ１における側面Ｓ１の第１の基板２０に対する傾斜角度よりも小さい。従って、本実施形態の構成によれば、第１の平坦化層Ｆ１の面上に直接ガスバリア層ＧＳを設ける構成と比べてガスバリア層ＧＳにクラックや剥離が発生することを抑制できる。

図２に示すように、第２の平坦化層Ｆ２が設けられた領域の外側（第１の基板２０の周縁１２側）には、シール材７０が設けられる。そして、図２に示すように第１の基板２０と第２の基板３０とが、シール材７０を介して相互に対向する状態に貼り付けられる。シール材７０は、第１基板２０と第２基板３０とを接合するための接着剤である。

図３は、図２の断面図を簡略的に表した図である。図３においては、説明の便宜上、各画素回路Ｐを構成する複数のトランジスタＲおよび第２の基板３０が省略されている。図３に示すように、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、第１の基板２０上において第１の平坦化層Ｆ１が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙに配置され、領域Ｙにおいては、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの少なくとも一部が第２の平坦化層Ｆ２と重なる。さらに詳述すると、図３に示すように、第２の平坦化層Ｆ２のうち第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１を覆う部分は領域Ｙに配置される。そして、領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２のうち第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１を覆う部分が高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なる。

また、領域Ｙにおいては、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの少なくとも一部が、領域Ｙに設けられたシール材７０と重なる。さらに詳述すると、図３に示すように、シール材７０は、領域Ｙのうち第２の平坦化層Ｆ２が設けられた領域よりもさらに外側（第１の基板２０の周縁１２側）の領域に設けられる。そして、領域Ｙにおいて、シール材７０は低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なる。

図４は、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａが領域Ｚに配置された態様（以下「対比例」という）の断面図である。図４に示すように、対比例においては、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、走査線駆動回路４０Ａを構成する複数のトランジスタＴｒとともに第１の平坦化層Ｆ１で覆われる。図４に示すように、対比例に係る高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、第１の平坦化層Ｆ１が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２のうち第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１を覆う部分またはシール材７０と重ならない。

本実施形態においては、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは第１の平坦化層Ｆ１が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙに配置される。図２に示すように、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは金属の単層で構成されるから、電位供給線（高位側電位供給線ＶＨａ、低位側電位供給線ＶＳａ）およびトランジスタＴｒを覆う絶縁層Ｆａの面上のうち電位供給線に対応する領域は、多数の層が積層されてなるトランジスタＴｒに対応する領域に比べて面上に現れる段差が少ない。従って、絶縁層Ｆａの面上のうち電位供給線に対応する領域には、直接ガスバリア層ＧＳを設けることが可能である。すなわち、第１の平坦化層Ｆ１で高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａを覆う必要はない。

そして、図３および図４から理解されるように、領域Ｙにおいては、第２の平坦化層Ｆ２のうち第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１を覆う部分が高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なるため、その重なった分、第１の基板２０における画素アレイ部１００以外の領域、すなわち額縁部分の面積を対比例に比べて小さくできる。また、領域Ｙにおいては、シール材７０が低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なるため、その重なった分、額縁部分の面積を対比例に比べてさらに小さくできる。

また、本実施形態においては、図２および図３に示すように、第２の平坦化層Ｆ２における側面Ｓ２の第１の基板２０に対する傾斜角度は、第１の平坦化層Ｆ１における側面Ｓ１の第１の基板２０に対する傾斜角度よりも小さい。この場合、第２の平坦化層Ｆ２の側面Ｓ２の傾斜角度が第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１の傾斜角度よりも小さいほど第２の平坦化層Ｆ２の側面Ｓ２は水平に近づくから、第２の平坦化層Ｆ２の面上に設けられたガスバリア層ＧＳにクラックや剥離が生じることを抑制できる一方、第２の平坦化層Ｆ２が設けられた領域の面積が大きくなるため、対比例の構成では額縁部分の狭小化を図ることが困難となる。これに対して、本実施形態においては、領域Ｙにおいて高位側電位供給線ＶＨａの一部が第２の平坦化層Ｆ２と重なることにより、対比例に比べて額縁部分の面積を小さくできる。つまり、本実施形態の構成によれば、ガスバリア層ＧＳにクラックや剥離が発生することを抑制しつつ額縁部分の狭小化を図ることができる。

＜Ｂ：第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１０の断面図である（図３に対応する図）。図５に示すように、本実施形態においては、対向電極２３０が各画素回路Ｐにおける複数の電気光学素子２００にわたって連続するとともに領域Ｙへ延在し、電位供給線を覆う絶縁層Ｆａ（図２に示す第１絶縁層Ｆａ１および第２絶縁層Ｆａ２）を介して電位供給線の少なくとも一部と重なる点で第１実施形態の構成と異なる。その他の構成については、第１実施形態の構成と同じであるため、重複する部分については説明を省略する。

図５に示すように、対向電極２３０は、第１の平坦化層Ｆ１の表面から側面Ｓ１を通って絶縁層Ｆａの表面に延在する。対向電極２３０のうち領域Ｙに延在する部分は絶縁層Ｆａを介して高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なる。これにより、図５に示すように、対向電極２３０と高位側電位供給線ＶＨａとの間には容量Ｃｏが形成される。そして、この容量Ｃｏによって対向電極２３０や高位側電位供給線ＶＨａにおける電圧変動が抑制（平滑化）される。

＜Ｃ：第３実施形態＞
図６は、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置１０の平面図である。本実施形態においては、第１の基板２０のうち第２の基板３０と対向する表面には、データ線駆動回路５０に電位を供給するための高位側電位供給線ＶＨｃおよび低位側電位供給線ＶＳｃが配置される。

高位側電位供給線ＶＨｃおよび低位側電位供給線ＶＳｃは、第１の平坦化層Ｆ１が設けられた領域Ｚの外側の領域内にて第１の基板２０の周縁１６に沿って延在する。さらに詳述すると、図６に示すように、高位側電位供給線ＶＨｃは、第１の基板２０の面上に設けられた高位側電源端子Ｔｈｃから、データ線駆動回路５０と第１の基板２０の周縁１６との間の領域内において、周縁１６に沿って延びる。また、図６に示すように、低位側電位供給線ＶＳｃは、第１の基板２０の面上に設けられた低位側電源端子Ｔｌｃから、高位側電位供給線ＶＳｃと周縁１６との間の領域内において、周縁１６に沿って延びる。また、図６に示すように、高位側電位供給線ＶＨｃおよび低位側電位供給線ＶＳｃは、データ線駆動回路５０と第２の基板３０の周縁３２との間に配置される。

具体的な図示は省略するが、本実施形態においても、上述の各実施形態と同様に第１の平坦化層Ｆ１で覆われた領域Ｚの外側の領域Ｙにおいて、第１の平坦化層Ｆ１を覆う第２の平坦化層Ｆ２のうち第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１を覆う部分が高位側電位供給線ＶＨｃの一部と重なる。また、領域Ｙにおいては、シール材７０が低位側電位供給線ＶＳｃの一部と重なる。これによって、電気光学装置１０における額縁部分の狭小化を図ることができる。

＜Ｄ：変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。

（１）変形例１
上述の各実施形態では、第１の平坦化層Ｆ１が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２が高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なるが、これに限らず、例えば領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２が高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの双方と重なる態様とすることもできるし、第２の平坦化層Ｆ２が低位側電位供給線ＶＳａの一部のみと重なる態様とすることもできる。要するに、第２の平坦化層Ｆ２は、第１の平坦化層Ｆ１における側面Ｓ１を覆うとともに領域Ｙにて電位供給線の少なくとも一部と重なる態様であればよい。

（２）変形例２
上述の各実施形態においては、領域Ｙにおいて、低位側電位供給線ＶＳａの一部がシール材７０と重なるが、これに限らず、例えば領域Ｙにおいて、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの双方がシール材７０と重なる態様とすることもできるし、低位側電位供給線ＶＳａの一部のみがシール材７０と重なる態様とすることもできる。要するに、電位供給線は、領域Ｙ内にて第１の基板２０の周縁に沿って延在するとともに少なくともその一部がシール材７０と重なる態様であればよい。

（３）変形例３
上述の各実施形態においては、図２に示すように、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、それぞれ別層から形成されるが、例えば図７に示すように、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａが同層から形成される態様とすることもできる。図７においては、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは図２に示すトランジスタＴｒのドレイン電極１１１およびソース電極１１２と同層から形成される。なお、これに限らず、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは図２に示すトランジスタＴｒのゲート電極１３と同層から形成されてもよい。

図７に示すように、走査線駆動回路４０Ａは、各々が走査信号を出力する複数の単位回路Ｕ（ラッチ回路）から構成される。ひとつの単位回路Ｕは複数のトランジスタＴｒから構成される。図７に示すように、高位側電位供給線ＶＨａ（メインバス）から分岐した複数の枝バスＢｈが各単位回路Ｕに接続される。図７に示すように、高位側電位供給線ＶＨａは、枝バスＢｈに比べて十分に太い。同様に、低位側電位供給線ＶＳａ（メインバス）から分岐した複数の枝バスＢｓが各単位回路Ｕに接続される。

図７に示す構成においては、複数の枝バスＢｓは、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａと別層から形成される。図７に示すように、枝バスＢｓは、コンタクトホールＣＨ２を介して低位側電位供給線ＶＳａと接続され、高位側電位供給線ＶＨａを跨いで単位回路Ｕへ延びる。

これに対して、上述の各実施形態のように、高位側電位供給線ＶＨａと低位側電位供給線ＶＳａとが別層から形成される構成によれば、電位供給線と枝バスＢとをコンタクトホールＣＨ２を介して接続する必要が無いため、図７の構成に比べて電位供給線と枝バスＢとの導通の確実性が向上するという利点がある。

（４）変形例４
上述の各実施形態においては、発光層２２０から放射された光は画素電極２１０や第１の基板２０を通過して外部へ出射する態様であるが、これに限らず、発光層２２０から放射された光が対向電極２３０や第２の基板３０を通過して外部へ出射する態様とすることもできる。この場合、対向電極２３０は光透過性の導電性材料で形成され、第２の基板３０のうち第１の基板２０との対向面には、各ＯＬＥＤ素子２００に対応するカラーフィルタや各カラーフィルタの間隙を遮光する遮光層が形成される（トップエミッション）。

（５）変形例５
上述の各実施形態では、領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２が高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なるとともに、シール材７０が低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なる態様であるが、これに限らず、領域Ｙにおいて第２の平坦化層Ｆ２のみが電位供給線の少なくとも一部と重なる態様とすることもできる。例えば、領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２は高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なり、シール材７０は低位側電位供給線ＶＳａと重ならない態様とすることができる。また、領域Ｙにおいて、シール材７０のみが電位供給線の少なくとも一部と重なる態様とすることもできる。例えば、領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２は高位側電位供給線ＶＨａと重ならず、シール材７０は低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なる態様とすることができる。ただし、上述の各実施形態のように、領域Ｙにおいて、第２の平坦化層Ｆ２が高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なるとともにシール材７０が低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なる態様によれば、領域Ｙにおいて第２の平坦化層Ｆ２のみが電位供給線の一部と重なる態様またはシール材７０のみが電位供給線の一部と重なる態様に比べて額縁部分をより狭小化できるという利点がある。

（６）変形例６
第２実施形態においては、対向電極２３０のうち領域Ｙに延在する部分は、絶縁層Ｆａを介して高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なるが、これに限らず、対向電極２３０のうち領域Ｙに延在する部分が絶縁層Ｆａを介して低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なる態様であってもよい。要するに、電気光学素子２００を構成する一方の電極が各画素回路Ｐにおける複数の電気光学素子２００にわたって連続するとともに領域Ｙへ延在し、絶縁層Ｆａを介して電位供給線の少なくとも一部と重なる態様であればよい。

（７）変形例７
上述の各実施形態においては、複数の電気光学素子２００を駆動する駆動回路の例として走査線駆動回路４０およびデータ線駆動回路５０を挙げて説明したが、これに限らず、例えば静電気保護回路であってもよい。要するに、複数のトランジスタＴｒで構成されて複数の電気光学素子の駆動に利用される回路であればよい。

（８）変形例８
上述の各実施形態においては、電気光学素子２００の一例として、ＯＬＥＤ素子を取り上げたが、これに限らず、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。

（９）変形例９
上述の各実施形態においては、駆動トランジスタＲｄの電極を覆う第２絶縁層Ｆａ２は、領域Ｚおよび領域Ｙにわたって設けられているが、図８に示すように、第２絶縁層Ｆａ２は、第１の平坦化層Ｆ１と同様、領域Ｚ内にのみ設けられるという構成を採用することもできる。この構成において、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、第１の基板２０上において第１の平坦化層Ｆ１および第２絶縁層Ｆａ２が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙに配置され、高位側電位供給線ＶＨａの一部が第２の平坦化層Ｆ２と重なる。また、図８において、領域Ｙ内に配置されたシール材７０は、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの一部と重なる。

また、第２絶縁層Ｆａ２が領域Ｚ内にのみ設けられる一方、第１の平坦化層Ｆ１は領域Ｚおよび領域Ｙにわたって設けられるという構成を採用することもできる。この構成において、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは、第１の基板２０上において第２絶縁層Ｆａ２が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙに配置され、その少なくとも一部が第２の平坦化層Ｆ２と重なる。そして、図８の構成と同様、シール材７０は、高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの少なくとも一部と重なる。

要するに、電位供給線は、駆動トランジスタＲｄと対向電極２３０との間に設けられた絶縁膜（第１の平坦化層Ｆ１、第２絶縁層Ｆａ２）が形成された領域Ｚの外側の領域Ｙ内にて第１の基板２０の周縁に沿って延在するとともに、その少なくとも一部が第２の平坦化層Ｆ２またはシール材７０と重なるという態様であればよい。

また、第２実施形態と同様に、各画素回路Ｐにわたって連続する対向電極２３０が領域Ｙへ延在し、第１絶縁層Ｆａ１を介して高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａの少なくとも一部と重なる態様とすることもできる。

＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置１０を利用した電子機器について説明する。図９は、以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置１０を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１０と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この電気光学装置１０は電気光学素子にＯＬＥＤ素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。

図１０に、実施形態に係る電気光学装置１０を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光措置１０を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１０に表示される画面がスクロールされる。

図１１に、実施形態に係る電気光学装置１０を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１０を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置Ｄに表示される。

なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図９から図１１に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用される。本発明にいう電子回路とは、各実施形態のように表示装置の画素を構成する画素回路のほか、画像形成装置における露光の単位となる回路をも含む概念である。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 同実施形態に係る電気光学装置の断面図である。 図２の断面図を模式的に示した図面である。 対比例に係る電気光学装置の断面図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の断面図である。 第３実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 変形例に係る電位供給線と駆動用回路との接続態様を示す図面である。 変形例に係る電気光学装置の断面図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。

符号の説明

１０……電気光学装置、１２，１４，１６……周縁、２０……第１の基板、３０……第２の基板、４０Ａ，４０Ｂ……走査線駆動回路、５０……データ線駆動回路、２００……電気光学素子、２１０……第１電極、２２０……発光層、２３０……第２電極、Ｆ１……第１の平坦化層、Ｆ２……第２の平坦化層、Ｆａ……絶縁層、ＧＳ……ガスバリア層、Ｓ１，Ｓ２……側面、Ｔｒ……トランジスタ、ＶＨａ，ＶＨｂ，ＶＨｃ……高位側電位供給線、ＶＳａ，ＶＳｂ，ＶＳｃ……低位側電位供給線、Ｙ……領域、Ｚ……領域。

Claims (7)

1. 複数の走査線と、
   複数のデータ線と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との各々の交差に対応して配置された複数の画素と、
   前記複数の走査線又は前記複数のデータ線の少なくとも一方に信号を供給する駆動回路と、
   前記駆動回路に電位を供給する電位供給線と、が基板上に設けられ、
   前記複数の画素の各々は、
   画素電極と、前記画素電極から見て前記基板とは反対側に配置される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する発光層とを含む電気光学素子と、
   前記画素電極に電気的に接続された駆動トランジスタと、を備える電気光学装置であって、
   前記駆動トランジスタと前記対向電極との間に設けられる絶縁膜と、
   前記対向電極を覆う平坦化層と、を備え、
   前記電位供給線は、前記基板上の領域のうち、前記絶縁膜が設けられた第１の領域の外側の第２の領域内にて前記基板の周縁に沿って延在し、
   前記平坦化層は、前記絶縁膜を覆うとともに前記第２の領域にて前記電位供給線の少なくとも一部と重なる、
   電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記平坦化層を覆うガスバリア層をさらに具備し、
   前記平坦化層における側面の前記基板に対する傾斜角度は、前記絶縁膜における側面の前記基板に対する傾斜角度よりも小さい、
   電気光学装置。
3. 複数の走査線と、
   複数のデータ線と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との各々の交差に対応して配置された複数の画素と、
   前記複数の走査線又は前記複数のデータ線の少なくとも一方に信号を供給する駆動回路と、
   前記駆動回路に電位を供給する電位供給線と、が基板上に設けられ、
   前記複数の画素の各々は、
   画素電極と、前記画素電極から見て前記基板とは反対側に配置された対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する発光層とを含む電気光学素子と、
   前記画素電極に電気的に接続された駆動トランジスタと、を備える電気光学装置であって、
   前記駆動トランジスタと前記対向電極との間に設けられる絶縁膜と、
   前記基板上の領域のうち、前記絶縁膜が設けられた第１の領域の外側の第２の領域に配置されたシール材と、
   前記シール材を介して前記基板に接合された第２基板と、を具備し、
   前記電位供給線は、前記第２の領域内にて前記基板の周縁に沿って延在するとともに、少なくともその一部が前記シール材と重なる、
   電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３の何れかに記載の電気光学装置であって、
   前記対向電極は、前記複数の画素にわたって連続するとともに前記第２の領域へ延在し、前記電位供給線を覆う絶縁層を介して、前記電位供給線の少なくとも一部と重なる、
   電気光学装置。
5. 請求項１から請求項４の何れかに記載の電気光学装置であって、
   前記画素電極は、前記駆動トランジスタから見て前記基板とは反対側に配置され、
   前記絶縁膜は、前記画素電極と前記対向電極との間に設けられるとともに前記各画素電極を区分する、
   電気光学装置。
6. 請求項１から請求項４の何れかに記載の電気光学装置であって、
   前記画素電極は、前記駆動トランジスタから見て前記基板とは反対側に配置され、
   前記絶縁膜は、前記駆動トランジスタと前記画素電極との間に設けられる、
   電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６の何れかの電気光学装置を備えた電子機器。
   

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