JP5035455B2 - 発光装置および電子機器 - Google Patents
発光装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5035455B2 JP5035455B2 JP2011162943A JP2011162943A JP5035455B2 JP 5035455 B2 JP5035455 B2 JP 5035455B2 JP 2011162943 A JP2011162943 A JP 2011162943A JP 2011162943 A JP2011162943 A JP 2011162943A JP 5035455 B2 JP5035455 B2 JP 5035455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- transistor
- gate electrode
- channel region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 29
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
図1は、本発明の各実施形態に係る発光装置Dの電気的な構成を示すブロック図である。同図に示すように、発光装置Dは、複数の選択線11と複数の初期化線12と複数のデータ線13とを有する。各選択線11および各初期化線12はX方向に延在する。各データ線13はX方向に直交するY方向に延在する。選択線11および初期化線12の各対とデータ線13との各交差には単位素子(画素)Pが配置される。したがって、これらの単位素子PはX方向およびY方向にわたってマトリクス状に配列する。ひとつの単位素子Pは発光の最小の単位となる要素である。各単位素子Pには電源線15を介して高位側の電源電位Vddが供給される。
E1の電位は、容量素子C1における容量カップリングによって、初期化期間にて設定された電位Vg(=Vdd−Vth)から変動する。このときの電極E1の電位の変化量は、容量素子C1とその他の寄生容量(例えば駆動トランジスタTdrのゲート容量やその他の配線に寄生する容量)との容量比に応じて定まる。より具体的には、容量素子C1の容量値を「C」として寄生容量の容量値を「Cs」とすると、電極E1の電位の変化量は「ΔV・C/(C+Cs)」と表現される。したがって、駆動トランジスタTdrのゲート電位Vgは、書込期間の終点において以下の式(1)のレベルに設定される。
Vg=Vdd−Vth−k・ΔV ……(1)
ただし、k=C/(C+Cs)
I=(β/2)(Vgs−Vth)2 ……(2)
=(β/2)(Vdd−Vg−Vth)2
式(1)の代入によって式(2)は以下のように変形される。
I=(β/2)(k・ΔV)2
すなわち、発光素子Eに供給される電流量Iは駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthに依存しない。したがって、本実施形態によれば、各駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthのバラツキ(設計値からの相違や他の単位素子Pの駆動トランジスタTdrとの相違)に起因した発光素子Eの光量の誤差(輝度のムラ)を抑制することができる。
次に、図面を参照して、以上に説明した単位素子Pの具体的な構造を説明する。なお、以下で参照する各図面においては、説明の便宜のために、各要素の寸法や比率を実際の装置から適宜に異ならせてある。
まず、本発明の第1実施形態に係る発光装置Dの単位素子Pの具体的な構成を説明する。図3は、ひとつの単位素子Pの構成を示す平面図であり、図4は、図3におけるIV−IV線からみた断面図である。なお、図3は平面図であるが、各要素の把握を容易化するために、図3と共通する要素については適宜に図3と同態様のハッチングが施されている。以下で参照する他の平面図についても同様である。
次に、本発明の第2実施形態における単位素子Pの具体的な構成を説明する。図12は、本実施形態における単位素子Pの構成を示す平面図であり、図13ないし図15は、単位素子Pが形成される各段階における基板10の面上の様子を示す平面図である。なお、以下に示す各形態において、第1実施形態と共通する要素には同一の符号を付してその説明を適宜に省略する。
次に、以上に説明した第2実施形態の変形例を説明する。図17は、本変形例において第1絶縁層L1が形成された段階(図14の段階)を示す平面図である。第2実施形態においては、駆動トランジスタTdrのゲート電極521がY方向に延在する構成を例示した。これに対し、本変形例においては、図17に示すようにゲート電極521がX方向に延在する。なお、本変形例のうち第2実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
以上の形態には様々な変形が加えられる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
以上の各形態における単位素子Pの電気的な構成は適宜に変更される。本発明に適用される単位素子Pの具体的な態様を以下に例示する。
以上の形態においては第1電極21が光反射性の材料によって形成された構成を例示したが、発光層23から基板10側への出射光が第1電極21とは別個の反射層によって基板10とは反対側に反射される構成としてもよい。この構成においては、光反射性の材料によって第1絶縁層L1の面上に反射層が形成され、この反射層を覆うように第1電極21が形成される。第1電極21は、ITOやIZOなどの光透過性の導電性材料によって形成される。また、以上の形態においては第2電極22が光透過性の材料によって形成された構成を例示したが、遮光性または光反射性を有する導電性材料を充分に薄く形成した電極が第2電極22とされた構成によっても発光層23からの放射光を透過させることができる。
第1実施形態や第2実施形態においては電源線15が選択トランジスタTslおよび初期化トランジスタTintの何れにも重なり合わない構成を例示したが、電源線15が選択トランジスタTslと重なり合う構成や電源線15が初期化トランジスタTintと重なり合う構成も採用される。
第2実施形態においては、接続部62が選択トランジスタTslの第1ゲート電極111と第2ゲート電極112との間隙の領域に形成される構成を例示した。これと同様に、電源線15の第2部分152が初期化トランジスタTintの第1ゲート電極121と第2ゲート電極122との間隙の領域に形成されてもよい。
第1実施形態においては、電源線15がX方向に延在する部分(本発明における「第1部分」)のみを含む構成を例示したが、第2実施形態のように、これらの部分の各々を相互に連結するようにY方向に延在する部分(以下「第2部分」という)を電源線15が含む構成としてもよい。この第2部分は、例えば、図7に図示された接続部61と素子導通部71との間隙の領域や各単位素子Pの間隙の領域にてY方向に延在し、Y方向に隣接する各電源線15(第1部分)を相互に連結する。この構成によれば、第1実施形態と比較して電源線15の抵抗を低減することが可能である。
以上の各形態においては、隔壁25の内周縁の内側の領域のみに発光層23が形成された構成を例示したが、基板10の全面(より詳細には第2絶縁層L2の全面)にわたって発光層23が連続に形成された構成としてもよい。この構成によれば、例えば、スピンコート法などの低廉な成膜技術を発光層23の形成に採用できるという利点がある。なお、第1電極21は発光素子Eごとに個別に形成されるから、発光層23が複数の発光素子Eにわたって連続するとは言っても、発光層23の光量は発光素子Eごとに個別に制御される。以上のように発光層23が複数の発光素子Eにわたって連続する構成においては隔壁25を省略してもよい。
以上の各形態においては有機EL材料からなる発光層23を含む発光素子Eを例示したが、本発明における発光素子はこれに限定されない。例えば、無機EL材料からなる発光層を含む発光素子やLED(Light Emitting Diode)素子など様々な発光素子を採用することができる。本発明における発光素子は、電気エネルギの供給(典型的には電流の供給)によって発光する素子であれば足り、その具体的な構造や材料の如何は不問である。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器の具体的な形態を説明する。図22は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置Dを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置Dと本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置Dは有機EL材料の発光層23を発光素子Eに使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
Claims (14)
- 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域と第1ドレイン領域と第1ソース領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、前記第1ゲート電極と、前記第1ドレイン領域または前記第1ソース領域との間に電気的に接続された第2のトランジスタとを有し、
前記第1ゲート電極は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2チャネル領域は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域と第1ドレイン領域と第1ソース領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、前記第1ゲート電極と、前記第1ドレイン領域または前記第1ソース領域との間に電気的に接続された第2のトランジスタとを有し、
前記第1チャネル領域は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2チャネル領域は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域と第1ドレイン領域と第1ソース領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、前記第1ゲート電極と、前記第1ドレイン領域または前記第1ソース領域との間に電気的に接続された第2のトランジスタとを有し、
前記第1ゲート電極は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2ゲート電極は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域と第1ドレイン領域と第1ソース領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、前記第1ゲート電極と、前記第1ドレイン領域または前記第1ソース領域との間に電気的に接続された第2のトランジスタとを有し、
前記第1チャネル領域は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2ゲート電極は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、オン状態にあるときに前記第1のトランジスタをダイオード接続する第2のトランジスタとを有し、
前記第1ゲート電極は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2チャネル領域は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、オン状態にあるときに前記第1のトランジスタをダイオード接続する第2のトランジスタとを有し、
前記第1チャネル領域は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2チャネル領域は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、オン状態にあるときに前記第1のトランジスタをダイオード接続する第2のトランジスタとを有し、
前記第1ゲート電極は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2ゲート電極は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、
電源線と、
第1電極と、前記第1電極に対向して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記基板上に配置された発光層とを含む発光素子と、
第1ゲート電極と第1チャネル領域とを有し、前記電源線から前記発光素子に供給される電流量を制御する第1のトランジスタと、
第2ゲート電極と第2チャネル領域とを有し、オン状態にあるときに前記第1のトランジスタをダイオード接続する第2のトランジスタとを有し、
前記第1チャネル領域は、前記基板の、前記発光層が配置された側の面に垂直な第1の方向から見て前記電源線と重なり、
前記第2ゲート電極は、前記第1の方向から見て前記電源線と重ならないように配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記第1チャネル領域が設けられた第1の半導体層と前記第2チャネル領域が設けられた第2の半導体層とは、連続して形成されていることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1ゲート電極に電気的に接続された容量素子をさらに有し、
前記容量素子は、前記第1チャネル領域と、前記第2チャネル領域との間隙に配置され、
前記電源線は、前記第1の方向から見て前記容量素子と重なるように配置されていることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の発光装置。 - 第3ゲート電極と第3チャネル領域とを有し、選択信号に応じてオン状態またはオフ状態となる第3のトランジスタをさらに有し、
前記第1ゲート電極は、オン状態となった前記第3のトランジスタを介してデータ線から供給されるデータ信号に応じた電位に設定され、
前記電源線は、前記第1の方向から見て前記第3チャネル領域と重ならないように配置されていることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の発光装置。 - 第3ゲート電極と第3チャネル領域とを有し、選択信号に応じてオン状態またはオフ状態となる第3のトランジスタをさらに有し、
前記第1ゲート電極は、オン状態となった前記第3のトランジスタを介してデータ線から供給されるデータ信号に応じた電位に設定され、
前記電源線は、前記第1の方向から見て前記第3ゲート電極と重ならないように配置されていることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第2のトランジスタは、デュアルゲート構造を有することを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1から13の何れか一項に記載の発光装置を具備することを特徴とする、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011162943A JP5035455B2 (ja) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 発光装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011162943A JP5035455B2 (ja) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 発光装置および電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005345300A Division JP5114841B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 発光装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011221556A JP2011221556A (ja) | 2011-11-04 |
JP5035455B2 true JP5035455B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=45038517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011162943A Active JP5035455B2 (ja) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 発光装置および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5035455B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4683766B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置 |
JP4982014B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2012-07-25 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JP2003108036A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 表示装置 |
JP2003167533A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Toshiba Corp | 表示装置 |
JP3933667B2 (ja) * | 2004-04-29 | 2007-06-20 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光表示パネル及び発光表示装置 |
-
2011
- 2011-07-26 JP JP2011162943A patent/JP5035455B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011221556A (ja) | 2011-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4661557B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP4939045B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5250960B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP2007148219A (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5533946B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5141812B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5429027B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5807694B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP2012190045A (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5761308B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP2010160526A (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5114841B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5035455B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP5979272B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP2013250565A (ja) | 発光装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5035455 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |