JP5327354B2 - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、発光装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制するこが可能な発光装置を提供することを解決課題とする。
さらに、本発明は、上記いずれかの態様の第1または第2の発光装置を有する電子機器としても把握される。この電子機器によれば、上述のいずれかの効果を達成可能である。
<A−1:第1実施形態>
図1(A)は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の構成の一部を示す概略平面図であり、図1(B)は図1(A)の状態の後に補助電極150および画素電極76をさらに形成した状態を示す平面図である。図1(A)に示すように、この発光装置1は、基板10とフレキシブル基板20とを備える。基板10の端部には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板20に形成された接続端子とが、ACF(anisotropic conductive film:異方性導電膜)と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板20には、データ線駆動回路200が設けられており、さらに、フレキシブル基板20を介して各種の電源電圧が基板10に供給される。
なお、上述したように、第2層間絶縁膜35は下層に配置されたトランジスタや配線などにより生ずる凹凸を平坦化するために用いられる。加えて、第2層間絶縁膜35は、アクリル系、ポリイミド系の絶縁性の有機高分子材料などで形成され、素子層30内に配置されたトランジスタ40、50、60などの回路素子から陽極76、共通電極72、補助電極150等の電極を絶縁する機能も有する。すなわち、発光素子の発光を制御するための回路素子から各電極を絶縁する絶縁層として機能する。
なお、本明細書において、「内側」「外側」とは基板10の端E5を基準とした場合の基板面内における相対位置を示す。よって、例えば、「端E1は、(略)端E2よりも内側である」とは、端E1と基板10の端E5との距離は、端E2と端E5との距離よりも長いことを示す。
上述した実施形態では、補助電極150と画素電極76とが同時に形成された場合の構成について説明したが、画素電極76と同時ではなく隔壁37が形成された後の工程で補助電極150を形成するようにしてもよい。
次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置について説明する。図8は、本実施形態に係る発光装置2Aの部分断面図である。図98に示すように、補助電極150は共通電極72の上に面接触するように形成され、補助電極150および共通電極72を覆うように封止膜80が形成される。発光装置2Aは、共通電極72が補助電極150の下層に形成される点を除いて第1実施形態の発光装置1A(図7)と同様である。よって、その説明を適宜省略する。
(1)上記第1および第2実施形態においては、共通電極72または補助電極150の上層を封止膜80で覆うことにより、素子層30、第2電極用電源線、第2層間絶縁膜35、共通電極72、補助電極150を含む層構造を外気から保護する構成としていたが、封止膜80を省く構成としてもよい。
図10に本変形例に係る発光装置1Cの簡略断面図を示す。図10に示されるように、発光装置1Cにおいては、封止膜80が設けられておらず、シール90と対向基板110により、基板10上に形成された層構造を保護している。なお、対向基板110の内側に、水分を吸着するための乾燥剤(図示略)を配置したり、あるいは、対向基板110自体に乾燥剤を埋め込んだものを用いる構成としてもよい。また、対向基板110とシール90の替わりに封止缶を用いてもよい。
図11に本変形例に係る別の発光装置1Dの簡略断面図を示す。図11に示されるように、発光装置1Dにおいては、対向基板110と基板10の上に形成された層構造との間に防湿性充填材65を充填することにより、層構造を外気から保護している。防湿性充填材65としては光透過性で低吸湿のものが望ましく、エポキシ系、またはウレタン系接着剤等を用いることができる。
各図12および図13は、本変形例に係る各発光装置のレイアウトの概略を説明するための図である。これらの図において、上述した実施形態と共通する部分については同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図14ないし図16には、以上の何れかの形態に係る発光装置を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
Claims (10)
- 第1の辺と、前記第1の辺と交差する第2の辺と、前記第1の辺と前記第2の辺とが作る第1の面と、前記第1の面上に定義された有効領域と、前記第1の辺と前記有効領域との間に定義された周辺領域とを有する基板と、
第1電極と、前記第1電極に対向して配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層とを含み、前記第1の面に垂直な第1の方向から見て前記有効領域内に配置された発光素子と、
第1ソース領域と第1ドレイン領域とが形成された第1半導体層と、前記第1半導体層と対向して配置された第1ゲート電極とを有し、前記第1電極と電気的に接続された第1トランジスターと、
第2ソース領域と第2ドレイン領域とが形成された第2半導体層と、前記第2半導体層と対向して配置された第2ゲート電極とを有する第2トランジスターを含んで構成され、前記周辺領域に配置された周辺回路と、
前記第1ゲート電極と前記第2電極との間の層に配置され、遮光性を有し、前記第1の方向から見て前記周辺回路と重なる金属層と、を有することを特徴とする発光装置。 - 前記金属層は、前記第1の方向から見て前記第2トランジスターと重なることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。
- 前記金属層は、前記第1電極と同層に形成されたことを特徴とする、請求項1または2に記載の発光装置
- 前記金属層は、前記第1電極と同じ材料で形成されたことを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記周辺回路は検査回路、データ線駆動回路、走査線駆動回路、及びプリチャージ回路のいずれかであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第2電極に電気的に接続された電源線を有し、
前記金属層は前記第2電極と前記電源線とを接続することを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1トランジスターは、前記第1ソース領域に接続され、前記第1ゲート電極と前記第1電極との間の層に配置された第1ソース電極を有し、
前記電源線は前記第1ソース電極と同層に形成されたことを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1トランジスターは、前記第1ドレイン領域に接続され、前記第1ゲート電極と前記第1電極との間の層に配置された第1ドレイン電極を有し、
前記電源線は前記第1ドレイン電極と同層に形成されたことを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1ゲート電極と前記第1電極との間の層に、前記第1電極に接して配置され、前記第1の方向から見て前記有効領域と前記周辺領域と重なる絶縁層を有し、
前記金属層は、第1の端部と第2の端部とを有し、
前記第1の端部と前記第2の端部と前記基板とを含む断面において、前記第1の端部は前記基板の端部と前記第2の端部との間に配置され、前記第1の端部は前記基板の端部と前記絶縁層の端部との間に配置され、前記絶縁層の端部は前記第1の端部と前記第2の端部との間に配置されていることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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