TWI645560B - 發光裝置及包含其之電子機器 - Google Patents

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TWI645560B
TWI645560B TW103134928A TW103134928A TWI645560B TW I645560 B TWI645560 B TW I645560B TW 103134928 A TW103134928 A TW 103134928A TW 103134928 A TW103134928 A TW 103134928A TW I645560 B TWI645560 B TW I645560B
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日商精工愛普生股份有限公司
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Abstract

本發明的發光裝置包含：發光元件，其配置於顯示區域內，且包含第1電極、第2電極及發光功能層；配線，其形成於顯示區域之周圍，且導通至第2電極；及濾光片層，其包含使第1波長之光穿透之第1著色層。濾光片層包含由第1著色層形成且與發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由第1著色層形成且與配線重疊之第1層。

Description

發光裝置及包含其之電子機器
本發明係關於一種利用例如有機EL(Electroluminescence，電致發光)材料等發光材料之發光裝置。
先前提出有將利用有機EL材料之發光元件排列於基板之顯示區域而成的發光裝置。發光元件係包含陽極電極及陰極電極、以及基於兩電極間之電流發光之發光功能層，且將與發光亮度相應之電位供給至陽極電極，對陰極電極供給低位側之電源電位。於專利文獻1中，揭示有藉由利用密封層(緩衝層、阻氣層)將形成於基板上之發光元件密封，而保護發光元件不受水分或外部氣體影響的技術。於專利文獻2中，揭示有連接於發光元件而供給電源電位之電源導電體(周邊配線)於俯視下形成於顯示區域之周圍的發光裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-147528號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-107841號公報
然而，於專利文獻1之技術中，存在水分或外部氣體自密封層之側端面與形成密封層之基底面(例如基板之表面)之交界部進入而到達 發光元件的可能性。作為解決以上問題之方法，考慮形成將密封層之側端面與基底面的交界部封閉的要素。然而，必須追加形成將密封層與基底面之交界部封閉之要素的步驟，從而存在製造步驟繁雜化之類之問題。
又，存在來自觀察側之光入射至顯示區域周圍之情形。專利文獻2之技術係於俯視下在顯示區域之周圍形成周邊配線，故而存在入射之外界光於周邊配線之表面進行反射而被觀察者感知(感知觀察側之物體之攝入)之類的問題。作為解決以上問題之方法，考慮與周邊配線重疊地形成遮光性之構件。然而，必須追加形成與周邊配線重疊之遮光性之構件的步驟，從而存在製造步驟繁雜化之類的問題。
考慮到以上情況，本發明之目的在於一面抑制製造步驟之繁雜化一面確保充分之密封性能。又，本發明之目的在於一面抑制製造步驟之繁雜化一面使周邊配線之表面上之反射光不易被觀察者感知。
為了解決以上課題，本發明之第1態樣之發光裝置具備：發光元件，其配置於顯示區域內，且包含第1電極及第2電極、及基於第1電極與第2電極之間之電流進行發光之發光功能層；周邊配線，其於俯視下形成於顯示區域之周圍，且導通至第2電極；及濾光片層，其係包含使第1波長之光穿透之第1著色層者，且包含由第1著色層形成且與發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由第1著色層形成且與周邊配線重疊之第1層。根據以上構成，由於第1層與周邊配線重疊，故而自觀察側朝向周邊配線之光或周邊配線之表面上之反射光被第1層遮擋。因此，具有周邊配線之表面上之反射光不易被觀察者感知之優點。又，由於第1層及第1彩色濾光片均由第1著色層形成，故而能以共用之步驟成批地形成。因此，相比與形成第1彩色濾光片之步驟分開地形成第1層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
於本發明之較佳之態樣中，濾光片層包含使與第1波長不同之第2波長之光穿透之第2著色層，且包含由第2著色層形成且與發光元件重疊之第2彩色濾光片、及由第2著色層形成於第1層之面上且與周邊配線重疊之第2層。根據以上構成，由於第2層及第1層與周邊配線重疊，故而與例如以單層遮光之構成相比，遮光性能提昇。因此，周邊配線之表面上之反射光不易被觀察者感知之效果格外顯著。又，由於第2層及第2彩色濾光片均由第2著色層形成，故而能以共用之步驟成批地形成。因此，相比與形成第2彩色濾光片之步驟分開地形成第2層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
於本發明之較佳之態樣中，第2層之周緣於俯視下位於第1層之周緣之內側。根據以上構成，由於第1層之周緣與第2層之周緣於俯視下不重疊，故而第1層與第2層之側面不會形成為同一面。於第1層與第2層之側面形成為同一面(即，第2層之周緣與第1層之周緣於俯視下重疊)之構成中，在濾光片層之表面上產生相當於第1層與第2層之膜厚之和的階差。另一方面，根據本發明之態樣，由於單獨地形成相當於第1層之膜厚之階差及相當於第2層之膜厚之階差，故而產生於濾光片層之表面之階差小於第1層與第2層之膜厚之和。即，與第1層與第2層之側面形成為同一面之構成相比，可平坦地形成濾光片層之表面。
於本發明之較佳之態樣中，濾光片層包含使與第1波長及第2波長不同之第3波長之光穿透的第3著色層，且包含由第3著色層形成且與發光元件重疊之第3彩色濾光片、及由第3著色層形成且第2層之面上且與周邊配線重疊之第3層。根據以上構成，由於第1層、第2層及第3層與周邊配線重疊，故而與例如以單層或雙層進行遮光之構成相比，遮光性能提昇。因此，周邊配線之表面上之反射光不易被觀察者感知之效果格外顯著。又，由於第3層及第3彩色濾光片均由第3著色層形成，故而能以共用之步驟成批地形成。因此，相比與形成第3彩 色濾光片之步驟分開地形成第3層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
於本發明之較佳之態樣中，第3層之周緣於俯視下位於第2層之周緣之內側。根據以上構成，相當於第2層之膜厚之階差及相當於第3層之膜厚之階差被單獨地形成於濾光片層之表面。因此，與第2層與第3層之周緣於俯視下重疊之構成(相當於第2層與第3層之膜厚之和之階差產生於濾光片層之表面的構成)相比，可使濾光片層之表面變得平坦。
於本發明之較佳之態樣中，濾光片層包含形成有顯示區域內之複數個第1開口部及與周邊配線重疊之第2開口部的絕緣層，且第1彩色濾光片、第2彩色濾光片及第3彩色濾光片係形成於複數個第1開口部之內側，第1層、第2層及第3層係形成於第2開口部之內側。於以上構成中，第1彩色濾光片、第2彩色濾光片及第3彩色濾光片係於顯示區域內被絕緣層劃分。第1層、第2層及第3層係在形成於絕緣層之第2開口部之內側形成，故而與將第1層、第2層及第3層形成於絕緣層之面上的構成相比，可減少濾光片層之表面之階差。
為了解決以上課題，本發明之第1態樣之發光裝置具備：發光元件，其配置於基體之面上；第1密封層，其包含與發光元件重疊之密封面、及於俯視下位於密封面之外側並且相對於該密封面傾斜之側端面，且將發光元件密封；及濾光片層，其係包含使第1波長之光穿透之第1著色層者，且包含由第1著色層形成且於第1密封層之面上與發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由第1著色層形成且與側端面中之基體側之周緣重疊之第1層。於以上構成中，由於第1層與第1密封層之側端面之基體側之周緣(第1密封層與基底層之交界之部分)重疊，故而可防止水分或外部氣體自第1密封層之周緣進入，從而第1密封層之密封性能提昇。又，由於第1層及第1彩色濾光片均由第1著色層形 成，故而能以共用之步驟成批地形成。因此，相比與形成第1彩色濾光片之步驟分開地形成第1層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
本發明之較佳態樣之發光裝置具有覆蓋第1密封層之第2密封層。於以上態樣中，由於第1密封層被第2密封層覆蓋，故而與僅形成第1密封層之構成相比，可充分地確保密封性能。再者，第2密封層中之與第1密封層之側端面之密封面側之周緣重疊之部分係與第2密封層中之密封面之面上之平坦部分相比，存在容易破損之傾向。考慮到以上情況，於具備第2密封層之構成之較佳例中，第1層係形成於第2密封層之面上，且與側端面之密封面側之周緣重疊。根據以上構成，與第1密封層之側端面中之密封面側之周緣重疊之第2密封層被第1層保護。
於俯視下在顯示區域之周圍形成有配線之構成中，存在當外界光入射至顯示區域之周圍時，配線之表面上之反射光(觀察側之物體之攝入)被觀察者感知的問題。因此，於本發明之較佳之態樣中，發光元件係配置於顯示區域內，且包含第1電極及第2電極、以及基於第1電極與第2電極之間之電流進行發光之發光功能層，本發明具備於俯視下形成於顯示區域之周圍且導通至第2電極之周邊配線，且第1層與周邊配線重疊。於以上構成中，由於周邊配線與第1層重疊，故而自觀察側朝向周邊配線之光或周邊配線之表面上之反射光被第1層遮擋。因此，具有周邊配線之表面上之反射光不易被觀察者感知之優點。
於本發明之較佳之態樣中，濾光片層包含使與第1波長不同之第2波長之光穿透之第2著色層，且包含由第2著色層形成且於第1密封層之面上與發光元件重疊之第2彩色濾光片、及形成於第2著色層且與第1層重疊之第2層。於以上構成中，由於第2層與第1層重疊，故而第1層受到第2層保護。又，由於第2層及第2彩色濾光片均由第2著色層形 成，故而能以共用之步驟成批地形成。因此，相比與形成第2彩色濾光片之步驟分開地形成第2層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
於本發明之較佳之態樣中，濾光片層包含使與第1波長及第2波長不同之第3波長之光穿透之第3著色層，且包含由第3著色層形成且於第2密封層之面上與發光元件重疊之第3彩色濾光片、及由第3著色層形成且與第2層重疊之第3層。於以上構成中，由於第1層被第2層及第3層保護而不受外力影響，因此，保護第1層之效果格外顯著。又，由於第3層及第3彩色濾光片均由第3著色層形成，故而能以共用之步驟成批地形成。因此，相比與形成第3彩色濾光片之步驟分開地形成第3層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
本發明之第2態樣之發光裝置具備：發光元件，其配置於基體之面上；第1密封層，其包含與發光元件重疊之密封面、及於俯視下位於密封面之外側並且相對於該密封面傾斜之側端面，且將發光元件密封；第2密封層，其覆蓋第1密封層；及濾光片層，其係包含使第1波長之光穿透之第1著色層者，且包含由第1著色層形成且於第1密封層之面上與發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由第1著色層形成且於第2密封層之面上與側端面中之密封面側之周緣重疊之第1層。根據以上構成，與第1密封層之側端面中之密封面側之周緣重疊之第2密封層受到第1層保護。又，相比與形成第1彩色濾光片之步驟分開地形成第1層之情形，具有製造步驟簡化之優點。
以上各態樣之發光裝置係作為例如顯示裝置而用於各種電子機器。具體而言，可將頭部配戴型顯示裝置或攝像裝置之電子式取景器等作為本發明之電子機器之較佳例而例示，但本發明之應用範圍並不限定於以上之例示。
1‧‧‧顯示裝置
2L‧‧‧穿透部
2R‧‧‧穿透部
4L‧‧‧半反射鏡
4R‧‧‧半反射鏡
10‧‧‧基板
10A‧‧‧主動區域
12‧‧‧顯示區域
14‧‧‧周邊區域
16‧‧‧安裝區域
20‧‧‧密封基板
21‧‧‧接著層
22‧‧‧掃描線
24‧‧‧控制線
26‧‧‧信號線
30‧‧‧驅動電路
32‧‧‧掃描線驅動電路
34‧‧‧信號線驅動電路
36‧‧‧安裝端子
41‧‧‧第1電源導電體
41A‧‧‧開口部
42‧‧‧第2電源導電體
45‧‧‧發光元件
46‧‧‧發光功能層
48‧‧‧周緣
58‧‧‧第2導電體
60‧‧‧光程調整層
63‧‧‧第1導電體
65‧‧‧像素定義層
65A‧‧‧開口部
70‧‧‧密封體
71‧‧‧第1密封層
72‧‧‧第2密封層
73‧‧‧第3密封層
82‧‧‧密封面
84‧‧‧側端面
86‧‧‧上側周緣
88‧‧‧下側周緣
90‧‧‧濾光片層
92‧‧‧絕緣層
92A‧‧‧開口部(第1開口部)
92B‧‧‧開口部(第2開口部)
94B‧‧‧彩色濾光片
94G‧‧‧彩色濾光片
94R‧‧‧彩色濾光片
96‧‧‧保護部
96B‧‧‧第3層
96G‧‧‧第2層
96R‧‧‧第1層
100‧‧‧發光裝置
100L‧‧‧發光裝置
100R‧‧‧發光裝置
C‧‧‧電容元件
C1‧‧‧第1電極
C2‧‧‧第2電極
D‧‧‧周邊配線
e‧‧‧緣端部(角部)
E1‧‧‧第1電極
E2‧‧‧第2電極
G(GDR、GEL、GSL)‧‧‧閘極
HA3‧‧‧導通孔
HA4‧‧‧導通孔
HA5‧‧‧導通孔
HA6‧‧‧導通孔
HA7‧‧‧導通孔
HB1‧‧‧導通孔
HB2‧‧‧導通孔
HB3‧‧‧導通孔
HB4‧‧‧導通孔
HD1‧‧‧導通孔
HD2‧‧‧導通孔
HD3‧‧‧導通孔
HE1‧‧‧導通孔
HF1‧‧‧導通孔
HG1‧‧‧導通孔
KB‧‧‧第3著色層
KG‧‧‧第2著色層
KR‧‧‧第1著色層
L(LA~LE)‧‧‧絕緣層
L0‧‧‧絕緣膜
L1‧‧‧距離
L2‧‧‧距離
L3‧‧‧距離
L4‧‧‧距離
P‧‧‧像素
Q(QA1、QA2、QA3、QA4、QB1、QB2、QD1、QE1)‧‧‧中繼電極
R‧‧‧階差
S1‧‧‧第1區域
S2‧‧‧第2區域
S3‧‧‧第3區域
TDR‧‧‧驅動電晶體
TEL‧‧‧發光控制電晶體
TSL‧‧‧選擇電晶體
U‧‧‧區域
VCT‧‧‧電源電位(第2電位)
VEL‧‧‧電源電位(第1電位)
W(WA~WE)‧‧‧配線層
圖1係本發明之第1實施形態之發光裝置之俯視圖。
圖2係像素之電路圖。
圖3係發光裝置之剖面圖。
圖4係發光裝置之剖面圖。
圖5係形成於基板上之各要素之說明圖。
圖6係形成於基板上之各要素之說明圖。
圖7係形成於基板上之各要素之說明圖。
圖8係形成於基板上之各要素之說明圖。
圖9係形成於基板上之各要素之說明圖。
圖10係第1電源導電體及第2電源導電體之模式圖。
圖11(A)-(D)係形成於基板上之各要素之位置關係之說明圖。
圖12係第2導電體之效果之說明圖。
圖13係形成於周邊區域之各導通孔之俯視圖。
圖14係對比例中之形成於周邊區域之導通孔附近之剖面圖。
圖15(A)、(B)係本發明之第1實施形態及對比例中之發光功能層之周緣附近之剖面圖。
圖16係密封體及濾光片層之剖面圖。
圖17係密封體及濾光片層之俯視圖。
圖18係對比例中之密封體及濾光片層之剖面圖。
圖19係第2實施形態中之密封體及濾光片層之剖面圖。
圖20係變化例中之密封體及濾光片層之剖面圖。
圖21係作為電子機器之一例之頭部配戴型顯示裝置之模式圖。
<第1實施形態>
圖1係本發明之第1實施形態之發光裝置100之俯視圖。第1實施形態之發光裝置100係於基板10之面上形成有利用有機EL材料之發光元件的有機EL裝置。基板10係由矽(silicon)等半導體材料形成之板狀 構件(半導體基板)，且用作被形成複數個發光元件之基體(基底)。
如圖1所例示，於基板10之表面被劃定顯示區域12、周邊區域14及安裝區域16。顯示區域12係排列有複數個像素P之矩形狀之區域。於顯示區域12形成有沿X方向延伸之複數條掃描線22、與各掃描線22對應地沿X方向延伸之複數條控制線24、及沿與X方向交叉之Y方向延伸之複數條信號線26。對應著複數條掃描線22與複數條信號線26之各交叉而形成像素P。因此，複數個像素P係遍及X方向及Y方向排列成矩陣狀。
周邊區域14係包圍顯示區域12之矩形框狀之區域。於周邊區域14設置有驅動電路30。驅動電路30係驅動顯示區域12內之各像素P之電路，且包含兩個掃描線驅動電路32及信號線驅動電路34而構成。第1實施形態之發光裝置100係驅動電路30包含直接形成於基板10之表面之電晶體等主動元件而成的電路內置型顯示裝置。再者，亦可於周邊區域14內形成並不直接有助於圖像顯示之虛設像素。
安裝區域16係隔著周邊區域14而與顯示區域12為相反側(即周邊區域14之外側)之區域，且排列有複數個安裝端子36。自控制電路或電源電路等各種外部電路(省略圖示)將控制信號或電源電位供給至各安裝端子36。外部電路係安裝於例如接合於安裝區域16之可撓性之配線基板(省略圖示)。
圖2係顯示區域12內之各像素(像素電路)P之電路圖。如圖2所例示，像素P係包含發光元件45、驅動電晶體TDR、發光控制電晶體TEL、選擇電晶體TSL及電容元件C而構成。再者，第1實施形態係將像素P之各電晶體T(TDR、TEL、TSL)設為P通道型，但亦可利用N通道型電晶體。
發光元件45係將包含有機EL材料之發光層之發光功能層46介置於第1電極(陽極)E1與第2電極(陰極)E2之間而成的光電元件。第1電極 E1係個別形成於每一像素P，第2電極E2係遍及複數個像素P而連續。如根據圖2所理解，發光元件45係配置於將第1電源導電體41與第2電源導電體42連結之電流路徑上。第1電源導電體41係被供給高位側之電源電位(第1電位)VEL之電源配線，第2電源導電體42係被供給低位側之電源電位(第2電位)VCT之電源配線。
驅動電晶體TDR及發光控制電晶體TEL係於將第1電源導電體41與第2電源導電體42連結之電流路徑上對於發光元件45串聯地配置。具體而言，驅動電晶體TDR之一對電流端中之一端(源極)係連接於第1電源導電體41。發光控制電晶體TEL係作為控制驅動電晶體TDR之一對電流端中之另一端(汲極)與發光元件45之第1電極E1之導通狀態(導通/非導通)的開關而發揮功能。驅動電晶體TDR產生與自身之閘極-源極間之電壓相應之電流量之驅動電流。於將發光控制電晶體TEL控制為接通狀態之狀態下，將驅動電流自驅動電晶體TDR經由發光控制電晶體TEL供給至發光元件45，藉此，發光元件45以與驅動電流之電流量相應之亮度發光。於將發光控制電晶體TEL控制為斷開狀態之狀態下，切斷驅動電流對發光元件45之供給，藉此，發光元件45熄滅。發光控制電晶體TEL之閘極係連接於控制線24。
圖2之選擇電晶體TSL係作為控制信號線26與驅動電晶體TDR之閘極之導通狀態(導通/非導通)的開關而發揮功能。選擇電晶體TSL之閘極係連接於掃描線22。又，電容元件C係將介電體介置於第1電極C1與第2電極C2之間而成之靜電電容。第1電極C1係連接於驅動電晶體TDR之閘極，第2電極C2係連接於第1電源導電體41(驅動電晶體TDR之源極)。因此，電容元件C保持驅動電晶體TDR之閘極-源極間之電壓。
信號線驅動電路34係於每一寫入期間(水平掃描期間)對複數條信號線26並列地供給與自外部電路供給之圖像信號對每一像素P指定之 灰階相應之灰階電位(資料信號)。另一方面，各掃描線驅動電路32藉由對各掃描線22供給掃描信號而於每一寫入期間依序選擇複數條掃描線22之各者。與掃描線驅動電路32所選擇之掃描線22對應之各像素P之選擇電晶體TSL轉變為接通狀態。因此，灰階電位經由信號線26及選擇電晶體TSL供給至各像素P之驅動電晶體TDR之閘極，電容元件C中保持與灰階電位相應之電壓。另一方面，當寫入期間內之掃描線22之選擇結束時，各掃描線驅動電路32藉由對各控制線24供給控制信號而將與該控制線24對應之各像素P之發光控制電晶體TEL控制為接通狀態。因此，與前一寫入期間內電容元件C中保持之電壓相應之驅動電流自驅動電晶體TDR經由發光控制電晶體TEL被供給至發光元件45。藉由以此方式，各發光元件45以與灰階電位相應之亮度發光而將圖像信號所指定之任意之圖像顯示於顯示區域12。
於下文詳細敍述第1實施形態之發光裝置100之具體結構。再者，於以下說明中參照之各圖式係為了便於說明，而使各要素之尺寸或縮小比率與實際之發光裝置100不同。圖3及圖4係發光裝置100之剖面圖，圖5至圖9係著眼於1個像素P，圖示形成發光裝置100之各要素之各階段中之基板10之表面之情況的俯視圖。圖5至圖9之與包含III-III線之剖面對應的剖面圖相當於圖3，與包含圖5至圖9之IV-IV線之剖面對應的剖面圖相當於圖4。再者，圖5至圖9係俯視圖，基於視覺上容易理解各要素之觀點，為方便起見，而對與圖3或圖4共用之各要素附加與圖3或圖4相同態樣之影線。
如根據圖3、圖4及圖5所理解，於由矽等半導體材料形成之基板10，形成有像素P之各電晶體T(TDR、TEL、TSL)之主動區域10A(源極/汲極區域)。對主動區域10A注入離子。像素P之各電晶體T(TDR、TEL、TSL)之主動層係存在於源極區域與汲極區域之間，且被注入與主動區域10A不同種類之離子，但為了方便起見而省略圖示。如圖3 及圖4所例示，形成有主動區域10A之基板10之表面係由絕緣膜L0(閘極絕緣膜)被覆，且各電晶體T之閘極G(GDR、GEL、GSL)係形成於絕緣膜L0之面上。各電晶體T之閘極G係隔著絕緣膜L0而與主動層對向。圖4中圖示有選擇電晶體TSL之閘極GSL、驅動電晶體TDR之閘極GDR、及發光控制電晶體TEL之閘極GEL。
如根據圖3及圖4所理解，於形成有各電晶體T之閘極G之絕緣膜L0之面上，形成有交替地積層複數個絕緣層L(LA~LE)與複數個配線層W(WA~WE)而成之多層配線層。各配線層W係由含有鋁或銀等之低電阻導電材料形成。各絕緣層L係由例如矽化合物(典型而言為氮化矽或氧化矽)等絕緣性無機材料形成。再者，於以下之說明中，將藉由導電層(單層或複數層)之選擇性去除而以同一步驟成批地形成複數個要素的關係記作「由同層形成」。
絕緣層LA係形成於形成有各電晶體T之閘極G之絕緣膜L0之面上。如根據圖3、圖4及圖6所理解，於絕緣層LA之面上，由同層(配線層WA)形成包含掃描線22、控制線24及複數個中繼電極QA(QA1、QA2、QA3、QA4)之導體圖案。掃描線22及控制線24係相互隔開間隔地遍及複數個像素P沿X方向直線狀地延伸。具體而言，如圖6所例示，掃描線22係以通過選擇電晶體TSL之閘極GSL之上方及驅動電晶體TDR之閘極GDR之上方之方式形成，且經由貫通絕緣層LA之導通孔(接觸孔)HA1導通至選擇電晶體TSL之閘極GSL。導通孔HA1係形成為於俯視下與選擇電晶體TSL之閘極GSL及主動層重疊。另一方面，控制線24係以通過發光控制電晶體TEL之閘極GEL之上方之方式形成，且經由貫通絕緣層LA之導通孔HA2導通至發光控制電晶體TEL之閘極GEL。導通孔HA2係形成為於俯視下與發光控制電晶體TEL之閘極GEL及主動層重疊。
中繼電極QA1係將選擇電晶體TSL之主動區域10A與驅動電晶體 TDR之閘極GDR連接的配線，且如圖6所例示，於俯視下位於掃描線22與控制線24之間。具體而言，如根據圖4及圖6所理解，中繼電極QA1經由貫通絕緣層LA及絕緣膜L0之導通孔HA3導通至選擇電晶體TSL之主動區域10A，並且經由絕緣層LA之導通孔HA4導通至驅動電晶體TDR之閘極GDR。又，如根據圖6所理解，中繼電極QA2經由貫通絕緣層LA及絕緣膜L0之導通孔HA5導通至選擇電晶體TSL之主動區域10A。中繼電極QA3經由貫通絕緣層LA及絕緣膜L0之導通孔HA6導通至驅動電晶體TDR之主動區域10A(源極)。中繼電極QA4經由貫通絕緣層LA及絕緣膜L0之導通孔HA7導通至發光控制電晶體TEL之主動區域10A(汲極)。如根據圖6所理解，選擇電晶體TSL、驅動電晶體TDR及發光控制電晶體TEL之各者係以通道長度沿著Y方向之方式形成。又，驅動電晶體TDR及發光控制電晶體TEL係沿Y方向排列，且選擇電晶體TSL係配置於相對於驅動電晶體TDR及發光控制電晶體TEL在X方向(圖6中為X方向之負側)上錯開之位置。
絕緣層LB係形成於形成有配線層WA之絕緣層LA之面上。如根據圖3、圖4及圖7所理解，於絕緣層LB之面上，由同層(配線層WB)形成包含信號線26、第1電極C1及複數個中繼電極QB(QB1、QB2)之導體圖案。信號線26係遍及複數個像素P地沿Y方向直線狀地延伸，且藉由絕緣層LA而與掃描線22及控制線24電性絕緣。具體而言，信號線26係以通過選擇電晶體TSL之主動區域10A(源極、汲極)及主動層之上方、及導通至驅動電晶體TDR之閘極GDR之中繼電極QA1之上方之方式形成，且沿著選擇電晶體TSL之通道長度之方向(Y方向)延伸，並且於俯視下與選擇電晶體TSL重疊。又，信號線26係相較各電晶體T(TDR、TEL、TSL)之主動區域10A(源極、汲極)、或各電晶體T之閘極G形成於更上層。如根據圖7所理解，配線層WB之信號線26經由貫通絕緣層LB之導通孔HB1導通至配線層WA之中繼電極QA2。 即，將信號線26與選擇電晶體TSL之主動區域10A(源極)經由中繼電極QA2而連接。圖7之配線層WB之第1電極C1經由貫通絕緣層LB之導通孔HB2導通至配線層WA之中繼電極QA1。即，將電容元件C之第1電極C1與驅動電晶體TDR之閘極GDR經由中繼電極QA1而連接。圖7之配線層WB之中繼電極QB1經由絕緣層LB之導通孔HB3導通至配線層WA之中繼電極QA3，且配線層WB之中繼電極QB2經由絕緣層LB之導通孔HB4導通至配線層WA之中繼電極QA4。
絕緣層LC係形成於形成有配線層WB之絕緣層LB之面上。如根據圖3、圖4及圖8所理解，於絕緣層LC之面上，由同層(配線層WC)形成包含第2電極C2之導體圖案。第2電極C2係形成為於俯視(即自與基板10之表面垂直之方向觀察之狀態)下與第1電極C1重疊(over lapping)之形狀及位置。如根據圖3所理解，電容元件C包含第1電極C1及第2電極C2、以及兩者間之絕緣層LC。如圖8所例示，電容元件C(第1電極C1、第2電極C2)係設置成於俯視下與驅動電晶體TDR及發光控制電晶體TEL重疊。
如圖3及圖4所例示，絕緣層LD係形成於形成有配線層WC之絕緣層LC之面上。對絕緣層LD之表面執行平坦化處理。平坦化處理中任意地採用化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)等公知之表面處理技術。如圖3及圖4所例示，於藉由平坦化處理而高度地平坦化之絕緣層LD之表面，由同層(配線層WD)形成包含第1電源導電體41、第2電源導電體42及中繼電極QD1之導體圖案。如圖3所示，第1電源導電體41與第2電源導電體42係相互隔開地形成且被電性絕緣。第1電源導電體41經由多層配線層內之配線(省略圖示)而導通至被供給高位側之電源電位VEL之安裝端子36。同樣地，第2電源導電體42經由多層配線層內之配線(省略圖示)而導通至被供給低位側之電源電位VCT之安裝端子36。第1實施形態之第1電源導電體41及第2電源導 電體42係由例如含有銀或鋁之光反射性之導電材料形成為例如100nm左右之膜厚。
圖10係第1電源導電體41及第2電源導電體42之俯視圖。第1電源導電體41係如上所述被供給高位側之電源電位VEL之電源配線，且如圖10所例示，該第1電源導電體41係遍及顯示區域12之大致整個區域地形成為面狀之大致矩形狀之填實圖案。所謂填實圖案係指並非線狀或帶狀之圖案或其組合(例如格子狀)之圖案，而指以將顯示區域12之大致整面塗滿之方式實質上無間隙且均勻一致地連續之面狀(即填實狀)圖案。再者，亦可將第1電源導電體41單獨地形成於每一像素P。
如根據圖4及圖9所理解，形成於顯示區域12內之第1電源導電體41係於每一像素P經由貫通絕緣層LD及絕緣層LC之導通孔HD1而與中繼電極QA3導通。即，如根據圖4所理解，作為驅動電晶體TDR之源極發揮功能之主動區域10A係經由中繼電極QA3及中繼電極QB1而連接於第1電源導電體41。又，如圖9所例示，第1電源導電體41係經由絕緣層LD之導通孔HD2連接於電容元件C之第2電極C2。即，電容元件C介置於驅動電晶體TDR之閘極GDR與源極(第1電源導電體41)之間。再者，亦可於絕緣層LD形成複數個導通孔HD2，且於複數個部位將第1電源導電體41與電容元件C之第2電極C2連接。
如圖9所例示，於第1電源導電體41對每一像素P形成開口部41A。於各開口部41A之內側，中繼電極QD1由與第1電源導電體41及第2電源導電體42相同之層形成。中繼電極QD1與第1電源導電體41係相互隔開地形成且被電性絕緣。如根據圖4及圖9所理解，中繼電極QD1經由貫通絕緣層LD及絕緣層LC之導通孔HD3導通至中繼電極QB2。
第2電源導電體42係形成於周邊區域14內，且如上所述地被供給低位側之電源電位VCT之電源配線。如圖10所例示，本實施形態之第 2電源導電體42係形成為俯視下包圍第1電源導電體41(顯示區域12)之矩形框狀(封閉圖形)。第2電源導電體42之寬度(內周緣至外周緣為止之距離)例如為1.5mm。圖11係形成於絕緣層LD之面上之各要素之位置關係的說明圖。圖10中之區域α之放大圖係對應於圖11之各部分((A)~(D))。如根據圖10及圖11之部分(A)所理解，顯示區域12與周邊區域14之交界位於俯視下由第1電源導電體41之周緣與第2電源導電體42之內周緣所包圍之區域。
如圖3及圖4所例示，絕緣層LE係形成於形成有配線層WD之絕緣層LD之面上。於絕緣層LE之面上，由同層(配線層WE)形成包含圖3所示之第2導電體58及圖4所示之中繼電極QE1的導體圖案。配線層WE係例如由遮光性之導電材料(例如氮化鈦)形成。
中繼電極QE1係經由貫通絕緣層LE之導通孔而導通至中繼電極QD1。如根據圖4所理解，中繼電極QE1係形成為於俯視下與第1電源導電體41之開口部41A重疊。即，中繼電極QE1之外周緣於俯視下位於開口部41A之內周緣之外側。中繼電極QE1係由遮光性之導電材料形成，故而可利用中繼電極QE1防止來自開口部41A之外界光對多層配線層之穿透。因此，具有可防止因光照射導致之各電晶體T之漏電流的優點。
如圖10及圖11之部分(B)所示，第2導電體58係形成於第1電源導電體41及第2電源導電體42之面上。圖10係以實線圖示第2導電體58之一部分，且以鏈線表現另一部分之外形。如根據圖10所理解，第2導電體58係形成為類似於第2電源導電體42之環狀(矩形框狀)，且形成為俯視下與第1電源導電體41及第2電源導電體42二者重疊之帶狀。具體而言，第2導電體58之內周緣於俯視下位於第1電源導電體41之周緣之內側。即，第2導電體58係與第1電源導電體41中之周緣附近之區域重疊。又，第2導電體58之外周緣係於俯視下位於第2電源導電體42之 外周緣之外側。即，第2導電體58於俯視下與第2電源導電體42之全域重疊。如根據以上之說明所理解，第2導電體58係於俯視下與第1電源導電體41與第2電源導電體42之間隙之區域(即顯示區域12與周邊區域14之交界附近之區域)重疊。
將不形成第2導電體58之構成假定為對比例(以下稱為「對比例1」)。圖12係對比例1中之第1電源導電體41及第2電源導電體42之剖面圖(顯示區域12與周邊區域14之交界附近之剖面圖)。如圖12所例示，對比例1係於被覆第1電源導電體41及第2電源導電體42之絕緣層LE之形成後，第1電源導電體41及第2電源導電體42之緣端部(角部)e自絕緣層LE露出，從而存在第1電源導電體41或第2電源導電體42中產生損傷或腐蝕之可能性。另一方面，於第1實施形態中，由於以與第1電源導電體41及第2電源導電體42之間隙重疊(被覆第1電源導電體41或第2電源導電體42之緣端部e)之方式形成第2導電體58，故而，具有可防止第1電源導電體41及第2電源導電體42因自絕緣層LE露出而導致損傷或腐蝕之優點。
如圖3及圖11之部分(B)所示，第2導電體58係經由貫通絕緣層LE之導通孔HE1而導通至第2電源導電體42。圖13係形成於周邊區域14之各導通孔(HE1、HF1、HG1)之俯視圖。如圖13所示，導通孔HE1係將絕緣層LE中之俯視下包圍顯示區域12之矩形框狀區域去除所得之貫通孔。導通孔HE1係形成於俯視下與第2電源導電體42重疊之區域中之第1區域S1內。第1區域S1係如圖13所示俯視下為矩形框狀之區域，且如圖11之部分(D)所示於周邊區域14中位於第2電源導電體42之內周緣與外周緣之間。第1區域S1之寬度(內周緣至外周緣為止之距離)例如為0.3mm。第2導電體58係經由導通孔HE1，遍及周邊區域14之全周地導通至第2電源導電體42。
如圖3及圖4所例示，於形成有配線層WE之絕緣層LE之面上形成 有光程調整層60。光程調整層60係用以對像素P之每一顯示顏色單獨地設定共振結構之共振波長(顯示顏色)的要素，且由矽化合物(典型而言為氮化矽或氧化矽)等透光性之絕緣材料形成。具體而言，藉由根據光程調整層60之膜厚適當調整構成共振結構之第1電源導電體41與第2電極E2之間之光程長度(光學距離)，而對每一顯示顏色設定各像素P之出射光之共振波長。
如圖3所例示，於光程調整層60之面上，由同層形成顯示區域12內之每一像素P之第1電極E1及周邊區域14內之第1導電體63。第1電極E1及第1導電體63係由例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)等透光性導電材料形成。第1電極E1係如參照圖2所說明，作為發光元件45之陽極發揮功能之大致矩形狀之電極(像素電極)，且如圖4所示地經由貫通光程調整層60之導通孔導通至中繼電極QE1。即，第1電極E1經由多層配線層之各中繼電極(QE1、QD1、QB2、QA4)導通至發光控制電晶體TEL之主動區域10A(汲極)。
第1導電體63係形成為類似於第2導電體58之環狀(矩形框狀)。如圖11之部分(C)所示，第1導電體63之內周緣係位於第2導電體58之內周緣之內側(基板10之周緣側)，且第1導電體63之外周緣係位於第2導電體58之外周緣之內側。如圖3及圖11之部分(C)所示，第1導電體63係經由貫通光程調整層60之導通孔HF1導通至第2導電體58。如圖13所示，導通孔HF1係將光程調整層60中之俯視下包圍顯示區域12之矩形框狀之區域去除所得之貫通孔。導通孔HF1係相較導通孔HE1位於顯示區域12側。第1導電體63係經由導通孔HF1，遍及周邊區域14之全周地導通至第2導電體58。
於形成有第1電極E1及第1導電體63之光程調整層60之面上，如圖3所例示，遍及基板10之全域地形成像素定義層65。像素定義層65係由例如矽化合物(典型而言為氮化矽或氧化矽)等絕緣性無機材料形 成。如根據圖3所理解，於像素定義層65形成有與顯示區域12內之各第1電極E1對應之開口部65A。
如圖3及圖4所例示，於形成有第1電極E1、第1導電體63及像素定義層65之光程調整層60之面上形成有發光功能層46。發光功能層46係包含由有機EL材料形成之發光層而構成，且藉由電流之供給而放射白色光。發光層係利用印刷技術或蒸鍍技術等公知之成膜技術而形成。白色光係具有遍及藍色波長範圍、綠色波長範圍及紅色波長範圍之光譜的光，且於可見光之波長範圍內觀測到至少2個波峰。再者，亦可使發光功能層46包含供給至發光層之電子或電洞之輸送層或注入層。
如圖3所示，發光功能層46係遍及顯示區域12內之複數個像素P而連續，且周緣48於俯視下位於周邊區域14。具體而言，如圖11之部分(D)所示，發光功能層46之周緣48位於第2區域S2內。第2區域S2係俯視下位於第1區域S1之顯示區域12側之矩形框狀之區域。發光功能層46之周緣48之位置上可能產生製造上之誤差。於發光功能層46之形成中採用製造精度相對較低之印刷技術等成膜技術之情形時，周緣48之位置之誤差尤為顯著。第2區域S2係以包容周緣48之位置之誤差範圍之方式得到確保之區域(製造容限範圍)。具體而言，第2區域S2之寬度係設定為第1區域S1之2倍左右之寬度(例如0.6mm)，較佳為第1區域S1之1倍以上3倍以下。
如圖11之部分(B)至部分(D)所示，發光功能層46之周緣48係與第2導電體58重疊。具體而言，周緣48之全周於俯視下與矩形框狀之第2導電體58重疊。於發光功能層46之周緣48之一部分與第2導電體58重疊，且另一部分不與第2導電體58重疊之構成中，存在反映第2導電體58之膜厚之階差出現在發光功能層46之表面的可能性。於本實施形態中，由於周緣48之全周與單一之構件(第2導電體58)重疊，故而，具 有將發光功能層46之表面之階差減少的優點。
於形成有發光功能層46之光程調整層60之面上，遍及顯示區域12之全域地形成有第2電極E2。如圖11之部分(D)所示，第2電極E2經由像素定義層65之導通孔HG1導通至第1導電體63。如圖13所示，導通孔HG1係將像素定義層65中之俯視下包圍顯示區域12之矩形框狀區域去除所得之貫通孔，且位於周邊區域14之第1區域S1內。第2電極E2係經由導通孔HG1而遍及周邊區域14之全周地與第1導電體63導通。導通孔HG1相較導通孔HF1位於顯示區域12側。
如根據圖3及圖11所理解，第2電源導電體42與第2導電體58係經由導通孔HE1而連接，第2導電體58與第1導電體63係經由導通孔HF1而連接，第1導電體63與第2電極E2係經由導通孔HG1而連接。因此，供給至第2電源導電體42之低位側之電源電位(第2電位)VCT係經由第2導電體58及第1導電體63而供給至第2電極E2。又，用於第2電源導電體42與第2電極E2之連接之各導通孔(HE1、HF1、HG1)係俯視下形成於矩形框狀之第1區域S1內。換言之，如圖11所示，將俯視下由導通孔HE1之外周緣與導通孔HG1之內周緣包圍之區域劃定為第1區域S1。再者，將形成於周邊區域14且連接於第2電極E2之配線於以下之說明中記作「周邊配線D」。如圖3所例示，第1實施形態之周邊配線D包含第2電源導電體42、第2導電體58及第1導電體63。
如圖3所例示，發光功能層46中之在像素定義層65之各開口部65A之內側夾於第1電極E1與第2電極E2之區域(發光區域)進行發光。即，於開口部65A之內側積層有第1電極E1、發光功能層46及第2電極E2之部分係作為發光元件45發揮功能。如根據以上之說明所理解，像素定義層65規定各像素P之發光元件45之平面形狀或尺寸(實際進行發光之區域)。第1實施形態之發光裝置100係將發光元件45極其高精細地配置而成之微顯示器。例如1個發光元件45之面積(1個開口部65A之 面積)係設定為40μm2以下，且X方向上相互鄰接之各發光元件45之間隔係設定為1.5μm以下。
第2電極E2係作為使到達表面之光之一部分穿透並且反射剩餘光之性質(半穿透半反射性)之半穿透半反射層發揮功能。例如，藉由將含有銀或鎂之合金等光反射性導電材料形成為充分薄之膜厚而形成半穿透半反射性之第2電極E2。來自發光功能層46之放射光係於第1電源導電體41與第2電極E2之間往復，且特定之共振波長之成分被選擇性地放大之後，穿透第2電極E2出射至觀察側(與基板10為相反側)。即，形成使來自發光功能層46之出射光於作為反射層發揮功能之第1電源導電體41與作為半穿透半反射層發揮功能之第2電極E2之間進行共振的共振結構。
如上所述，第2電極E2與第1導電體63之導通用之導通孔HG1係形成於第1區域S1，且發光功能層46之周緣48位於第2區域S2內，該第2區域S2係相較第1區域S1位於顯示區域12側。因此，如圖3及圖11所示，發光功能層46與導通孔HG1於俯視下不相互重疊。
圖14係導通孔HG1與發光功能層46於俯視下重疊之構成(以下稱為「對比例2」)之說明圖。於對比例2中，於導通孔HG1內之區域U，將發光功能層46介置於第2電極E2與第1導電體63之間。因此，於對比例2中，存在第2電極E2與第1導電體63之導通變得不充分之可能性。如上所述，在發光功能層46之周緣48之位置上可能產生製造誤差。於區域U因製造誤差而擴大之情形(第2電極E2與第1導電體63之接觸面積減小之情形)時，第2電極E2與第1導電體63之導通不足尤為明顯。另一方面，於第1實施形態中，由於發光功能層46與導通孔HG1不重疊，故而發光功能層46與第1導電體63不接觸。因此，發光功能層46與第1導電體63經由導通孔HG1而充分地連接。
又，如上所述，導通孔HG1於俯視下相較導通孔HF1位於顯示區 域12側，且導通孔HF1相較導通孔HE1位於顯示區域12側。即，如圖11及圖13所示，導通孔HE1、導通孔HF1及導通孔HG1係形成於俯視下相互錯開之位置。圖15之部分(A)係將本實施形態之導通孔HG1及導通孔HF1放大所得之剖面圖。另一方面，於圖15之部分(B)中例示有導通孔HG1與導通孔HF1於俯視下重疊之構成(以下稱為「對比例3」)。如圖15之部分(B)所示，於導通孔HG1與導通孔HF1在俯視下重疊之情形時，於第2電極E2中之位於導通孔HG1之外側之區域之表面與進入導通孔HG1之內側之區域之表面之間，產生相當於光程調整層60之膜厚與像素定義層65之膜厚之合計之高度的階差R。因此，於覆蓋第2電極E2之各層，可產生反映第2電極E2之表面之階差R的階差(凹凸)。另一方面，於第1實施形態中，如圖15之部分(A)所示，導通孔HG1與導通孔HF1於俯視下不重疊。因此，與對比例3相比，具有減少第2電極E2之表面之階差之優點。同樣地，於本實施形態中，將導通孔HE1及導通孔HF1形成於俯視下錯開之位置，因此，不會產生相當於像素定義層65之膜厚與絕緣層LE之膜厚之合計的階差。因此，可減少第1導電體63之表面之階差。
若考慮第2電極E2僅與第2電源導電體42之導通，則第2電源導電體42僅存在於第1區域S1內即可。然而，於第1實施形態中，如圖11之部分(D)所示，除了第1區域S1以外，亦遍及作為發光功能層46之製造容限範圍而確保之第2區域S2地形成第2電源導電體42。根據以上構成，與僅於第1區域S1內形成第2電源導電體42之構成相比，可充分確保第2電源導電體42之面積，故而具有減小第2電源導電體42之電阻之優點。由於藉由電阻之減小而抑制第2電源導電體42中之電壓下降，故而具有供給至顯示區域12內之各像素P之電位VCT得以均勻化，從而減少因電位VCT之誤差導致之顯示斑點(display speckle)的優點。
如圖3所例示，於第2電極E2之面上，遍及基板10之全域地形成 有密封體70。再者，圖4中為了方便起見而將密封體70之圖示省略。密封體70係藉由將形成於基板10上之各要素密封而防止外部氣體或水分之侵入的透光性之膜體，且包含第1密封層71、第2密封層72及第3密封層73之積層。於第3密封層73之面上形成第1密封層71，且於第1密封層71及第3密封層73之面上形成第2密封層72。
密封體70之第3密封層73係形成於第2電極E2之面上，且與第2電極E2之表面直接接觸。如根據圖3所理解，第3密封層73係遍及包含顯示區域12及周邊區域14之基板10之全域地形成。第3密封層73係由例如矽化合物(典型而言為氮化矽或氧化矽)等絕緣性無機材料形成為例如200nm至400nm左右之膜厚。第3密封層73係較佳地形成為光程調整層60之膜厚差(例如120nm)以上之膜厚。為形成第3密封層73，而較佳地利用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法或ECR(Electron Cyclotron Resonance，電子回旋共振)電漿濺鍍法或離子鍍著法等高密度電漿成膜技術。亦可藉由在氮氣環境中蒸鍍氧化矽而形成氮氧化矽之第3密封層73。又，亦可將以氧化鈦等金屬氧化物為代表之無機氧化物用作第3密封層73之材料。
第1密封層71係密封發光元件45之要素，且如圖3所示，包含密封面82及側端面84而構成。密封面82係第1密封層71之上表面(與和第3密封層73接觸之接觸面為相反側之面)中之與發光元件45重疊之面。側端面84係與密封面82連續之面，且於俯視下位於密封面82之外側，並且相對於密封面82傾斜。側端面84包含密封面82側之上側周緣86及基板10側之下側周緣88，且形成為越接近下側周緣88則膜厚越小。如圖11之部分(D)所示，第1密封層71之下側周緣88俯視下位於第1區域S1之基板10之周緣側(與顯示區域12為相反側)之第3區域S3內。第3區域S3係特定寬度之矩形框狀之區域。第1密封層71之下側周緣88之位置可能產生製造上之誤差。於將製造精度相對較低之印刷技術等成膜 技術用於第1密封層71之形成之情形時，下側周緣88之位置之誤差尤為顯著。第3區域S3係以包含下側周緣88之位置之誤差範圍之方式得到確保之區域(製造容限範圍)。具體而言，第3區域S3之寬度係設定為第1區域S1之2倍左右之寬度(例如0.6mm)，較佳為第1區域S1之1倍以上3倍以下。
如圖11之部分(B)至部分(D)所示，下側周緣88係與第2導電體58重疊。具體而言，與發光功能層46之周緣48同樣地，下側周緣88係全周於俯視下與矩形框狀之第2導電體58重疊。因此，與關於發光功能層46之上述情況同樣地，與下側周緣88之一部分與第2導電體58重疊且另一部分不與第2導電體58重疊之構成相比，可減小第1密封層71(下側周緣88)之表面之階差。
如上所述，若僅考慮第2電極E2與第2電源導電體42之導通，則第2電源導電體42僅存在於第1區域S1內即可。然而，第1實施形態係如圖11之部分(D)所示，不僅遍及第1區域S1，而且亦遍及作為第1密封層71之製造容限範圍而確保之第3區域S3地形成第2電源導電體42。根據以上構成，與僅於第1區域S1內形成第2電源導電體42之構成相比，充分確保了第2電源導電體42之面積，故而具有減小第2電源導電體42之電阻之優點。由於藉由電阻之減小而抑制第2電源導電體42中之電壓下降，故而具有供給至顯示區域12內之各像素P之電位VCT得以均勻化，減少了因電位VCT之誤差導致之顯示斑點的優點。
第1密封層71係作為填補第2電極E2或第3密封層73之表面之階差的平坦化膜發揮功能。即，於第2電極E2或第3密封層73之表面形成有反映下方(基板10側)之各要素之形狀的階差，但第1密封層71之密封面82係使階差充分減小之大致平面。亦可換言之，第1密封層71之密封面82與下表面(即與第3密封層73接觸之接觸面)相比較為平坦。例如，第1密封層71覆蓋形成於第1區域S1之各導通孔(HE1、HF1、 HG1)，使因該導通孔而產生於第1區域S1之面上(第2電極E2或第3密封層73)之階差平坦化。為了實現以上說明之平坦化之功能，而將第1密封層71形成為與第2密封層72及第3密封層73相比充分厚之膜厚(例如1μm至5μm，尤佳為3μm)。第1密封層71例如藉由利用公知之塗佈技術(例如印刷法或旋轉塗佈法)將環氧樹脂等透光性有機材料之溶液塗佈於第2密封層72之表面，且利用加熱處理使其硬化之步驟而形成。再者，第1密封層71之材料並不限定於有機材料。亦可藉由利用印刷法等塗佈技術塗佈例如氧化矽等無機材料並使其乾燥而形成膜厚足以進行平坦化之第1密封層71。第1密封層71係以遍及比形成有發光功能層46之區域更廣之區域而連續，且至少覆蓋發光功能層46之方式形成。又，第1密封層71亦可採用覆蓋第2電極E2之構成。
如根據圖3所理解，第2密封層72係遍及包含顯示區域12及周邊區域14之基板10之全域地形成。第2密封層72係由例如耐水性或耐熱性優異之無機材料形成為例如300nm至700nm左右(尤佳為400nm左右)之膜厚。例如氮化合物(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽)作為第3密封層73之材料較佳。就第3密封層73所例示之公知之成膜技術可任意地用於第2密封層72之形成。以上為密封體70之具體構成。
於密封體70(第2密封層72)之面上形成有濾光片層90。此處，於圖16中，將濾光片層90積層於密封體70(第2密封層72)之面上。圖16係密封體70及濾光片層90(絕緣層92、彩色濾光片94、保護部96)之剖面圖，圖17係俯視圖。於圖17中，以實線圖示濾光片層90(保護部96)之一部分，且以鏈線表現另一部分之外形。再者，於圖3或圖4中，為了方便起見而將濾光片層90之圖示省略。
濾光片層90包含絕緣層92、複數個彩色濾光片94、及保護部96。絕緣層92係形成於第2密封層72之面上之絕緣性構件，且遍及基板10之全域地形成。如圖16所示，於顯示區域12之絕緣層92在每一像 素P形成開口部(第1開口部)92A，且於周邊區域14之絕緣層92形成開口部(第2開口部)92B。開口部92B係如圖17所示地形成於俯視下包圍顯示區域12之矩形框狀之區域。
彩色濾光片94及保護部96係由使特定波長之光穿透之著色層K(KR、KG、KB)形成。具體而言，第1實施形態之各彩色濾光片94及保護部96係包含使不同波長之光穿透之複數個著色層K(KR、KG、KB)。第1著色層KR使波長約610nm之紅色光穿透，第2著色層KG使波長約550nm之綠色光穿透，第3著色層KB使波長約470nm之藍色光穿透。
第1實施形態之濾光片層90包含使不同波長之單色光穿透之複數個彩色濾光片94(94R、94G、94B)。第1彩色濾光片94R係由第1著色層KR形成。同樣地，第2彩色濾光片94G係由第2著色層KG形成，第3彩色濾光片94B係由第3著色層KB形成。各彩色濾光片94係配置於絕緣層92中形成在每一像素P之開口部92A之內側，且於俯視下與各像素P之發光元件45重疊。具體而言，第1彩色濾光片94R係與紅色像素P(將共振波長設定為紅色光之波長之像素P)之發光元件45重疊，第2彩色濾光片94G係與綠色像素P之發光元件45重疊，第3彩色濾光片94B係與藍色像素P之發光元件45重疊。如根據圖16所理解，絕緣層92係作為各彩色濾光片94之間隔壁發揮功能。來自各發光元件45之出射光在被重疊於該發光元件45之彩色濾光片94著色後，出射至發光裝置100之外部而被觀測者辨識。再者，圖17中例示了將同色之複數個像素P沿Y方向排列之條狀排列，但各顯示顏色之像素P之排列態樣係任意者。
保護部96係提高密封體70之密封性能之要素。如圖16及圖17所示，保護部96係以於俯視下遍及全周地包圍顯示區域12之方式，矩形框狀地形成於周邊區域14內。因此，顯示區域12位於保護部96之內 側，安裝區域16位於保護部96之外側。即，保護部96存在於顯示區域12與安裝區域16之間。
保護部96係於俯視下與第1密封層71之側端面84中之位於基板10側之下側周緣88重疊。於周邊區域14內露出密封體70之表面之構成中，存在水分或外部氣體自第1密封層71與第1密封層71之基底面(第3密封層73)之交界部(下側周緣88)進入而到達發光元件45的可能性。於本實施形態中，由於保護部96與第1密封層71之下側周緣88重疊，故而可防止水分或外部氣體自第1密封層71之周緣進入。即，可提高第1密封層71之密封性能。
如根據圖16所理解，第2密封層72中之與上側周緣86重疊之部分(以下稱為「角部」)存在與第2密封層72中之位於密封面82之面上之平坦部分相比，容易受到外力導致容易破損之問題。本實施形態之保護部96(第1層96R)係於第2密封層72之面上與第1密封層71之上側周緣86重疊(即覆蓋第2密封層72之角部)。即，第2密封層72中之易破損之角部受到保護部96之保護。因此，具有可減小第2密封層72之角部破損之可能性(防止外部氣體或水分自第2密封層72之破損部分進入)之優點。
如圖16所示，第1實施形態之保護部96係包含第1層96R、第2層96G及第3層96B之積層。第1層96R係形成於第2密封層72上。第2層96G係重疊地形成於第1層96R上，第3層96B係重疊地形成於第2層96G上。第1層96R係由第1著色層KR形成。同樣地，第2層96G係由第2著色層KG形成，第3層96B係由第3著色層KB形成。
如上所述，第1彩色濾光片94R及保護部96之第1層96R係由同層(第1著色層KR)形成。同樣地，第2彩色濾光片94G及第2層96G係由同層(第2著色層KG)形成，第3彩色濾光片94B及第3層96B係由同層(第3著色層KB)形成。根據以上構成，可於形成各顏色之彩色濾光片94之 步驟中形成保護部96。即，無需與彩色濾光片94之形成分開地執行形成保護部96之步驟。因此，與分開地形成保護部96及彩色濾光片94之構成相比，具有可將發光裝置之製造步驟簡化之優點。
如圖16所示，保護部96係於俯視下與周邊區域14內之周邊配線D(第2電源導電體42、第2導電體58、第1導電體63)重疊。於圖16中，例示了保護部96與周邊配線D之一部分(第2電源導電體42及第1導電體63之全部及第2導電體58之一部分)重疊的構成。於外界光進入周邊區域14之情形時，存在外界光於周邊配線D反射而被觀測者感知之可能性。於第1實施形態中，由於周邊配線D與保護部96於俯視下重疊，因此，自觀察側朝向周邊配線D之光或周邊配線D之表面上之反射光被保護部96遮擋。因此，具有周邊配線D之表面上之反射光(觀察側之物體之攝入)不易被觀察者感知之優點。尤其於第1實施形態中，由紅色之第1層96R、綠色之第2層96G及藍色之第3層96B之積層形成保護部96，故而，與例如由單層或雙層形成保護部96之構成相比，可對保護部96賦予充分之遮光性能。然而，亦可利用單層或雙層構成保護部96。
如圖16所例示，於濾光片層90之面上介隔接著層21接合密封基板20。密封基板20係由例如玻璃或石英等形成之透光性板狀構件。接著層21係藉由使塗佈於濾光片層90之表面之接著劑硬化而形成。接著劑之塗佈可較佳地採用旋轉塗佈法等。具體而言，將硬化前之接著劑滴落至基板10(濾光片層90)上，並使基板10旋轉，藉此，使接著劑流動而均勻地塗佈於濾光片層90之表面(絕緣層92、第3層96B、各彩色濾光片94之表面)之全域。若於濾光片層90之表面形成有階差，則因該階差而阻礙接著劑於濾光片層90之表面上之流動，導致接著劑未被均勻塗佈，產生接著層21之成膜不良。尤其，形成於濾光片層90之表面之階差越大則越容易產生成膜不良。圖18係未於絕緣層92形成開口 部92B而於絕緣層92之面上形成有保護部96之構成(以下稱為「對比例4」)的說明圖。於對比例4中，由於保護部96形成於絕緣層92之面上，故而於濾光片層90之表面產生與保護部96之膜厚(第1層96R、第2層96G及第3層96B之膜厚之和)相應之階差。另一方面，於本實施形態中，如圖16所示，將保護部96形成於絕緣層92上所形成之開口部92B之內側(較絕緣層92為下層之第2密封層72之面上)。因此，於本實施形態中，產生於濾光片層90之面上之階差成為自保護部96之膜厚減去絕緣層92之膜厚所得之大小。即，與對比例4相比，形成於濾光片層90之面上之階差變小，從而接著層21之成膜不良減少。
<第2實施形態>
對本發明之第2實施形態進行說明。再者，於以下例示之各形態中，對於作用或功能與第1實施形態相同之要素，沿用第1實施形態之說明中所參照之符號，且適當省略各者之詳細說明。
圖19係第2實施形態之形成於密封體70之面上之濾光片層90的說明圖。如圖19所例示，於第2實施形態之絕緣層92未形成第1實施形態中說明之開口部92B。第2實施形態之保護部96係各層(第1層96R、第2層96G、第3層96B)之周緣之位置關係與第1實施形態不同。第1實施形態係保護部96之各層之周緣於俯視下重疊(即，各層之側面為同一面)，與此相對，第2實施形態係各層之周緣之平面位置於俯視下不同。
具體而言，如圖19所示，第1層96R之內周緣係自第2層96G之內周緣以距離L1位於顯示區域12側，第1層96R之外周緣係自第2層96G之外周緣以距離L3位於基板10之周緣側(與顯示區域12為相反側)。即，第2層96G係以於俯視下包含於正下方之形成有第1層96R之範圍的方式形成為比第1層96小之面積。同樣地，第2層96G之內周緣係自第3層96B之內周緣以距離L2位於顯示區域12側，第2層96G之外周緣 係自第3層96B之外周緣以距離L4位於基板10之周緣側。因此，保護部96之內周緣側之側面及外周緣側之側面係形成為相當於各層膜厚之階差之階梯狀。距離L1至距離L4被設定為適當之大小，但宜於形成為第1層96R至第3層96B之膜厚以上之大小。例如，相對於膜厚為約1μm之第1層96R至第3層96B，可將距離L1至距離L4形成為約5μm。
於第2實施形態中，亦可實現與第1實施形態相同之效果。又，例如，於將第1層96R至第3層96B之側面設為同一面之保護部96形成於絕緣層92之表面而成的構成(例如，圖18所示之對比例4)中，相當於保護部96之各層(第1層96R、第2層96G、第3層96B)之膜厚之和的階差產生於濾光片層90之表面。於第2實施形態中，如根據圖19所理解，濾光片層90之表面之相當於1段之階差係相當於構成保護部96之各層(96R、96G、96B)之膜厚，且小於保護部96之各層之膜厚之和。如上所述，根據第2實施形態，因形成保護部96而產生於濾光片層90之表面(絕緣層92、第1層96R、第2層96G、第3層96B、各彩色濾光片94之表面)之各階差(可阻礙所滴落之接著劑之流動之階差)與對比例4相比變小。因此，根據本實施形態，於利用旋轉塗佈法等將接著劑塗佈於濾光片層90之表面之情形時，可減小接著劑之流動被濾光片層90之階差阻礙之可能性，就結果而言，可減少接著層21之成膜不良。
<變化例>
以上所例示之形態可多樣地變化。以下例示具體之變化態樣。可將任意地選自以下例示之2個以上之態樣適當地合併。
(1)根據減小濾光片層90之表面之階差之觀點，亦可如圖20所示地將與絕緣層92相同程度之膜厚之保護部96形成於絕緣層92中所形成之開口部92B之內側。根據以上構成，如圖20所示，絕緣層92之表面與保護部96之表面位於大致同一面內，因此減小濾光片層90之表面之階差之效果格外顯著。
且說，於將旋轉塗佈法等用於接著層21之形成之情形時，存在滴落至顯示區域12內之接著劑流動而自顯示區域12或周邊區域14到達安裝區域16之可能性。於接著劑到達安裝區域16而附著於各安裝端子36之表面之情形時，存在安裝端子36與外部電路之端子未充分導通之可能性。於第1實施形態中，保護部96位於顯示區域12與安裝區域16之間，且與保護部96之膜厚對應之階差出現在濾光片層90之表面。於以上構成中，接著劑對於安裝區域16之流動被保護部96之階差阻止，故而，具有可防止因接著劑之附著導致安裝端子36與外部電路之端子之導通不良的優點。
(2)上述各形態例示了保護部96覆蓋第1密封層71之側端面84之構成，但第1密封層71與保護部96之位置關係並不限定於上述例示。例如，亦可採用自第1密封層71之周緣(下側周緣88)觀察時於基板10之周緣側(與顯示區域12為相反側)之區域形成有保護部96的構成(即保護部96於俯視下與第1密封層71不重疊的構成)。又，亦可採用於第1密封層71之密封面82上形成有保護部96之構成(自第1密封層71之上側周緣86觀察時保護部96位於顯示區域12側之區域之構成)。如根據以上說明所理解，無論保護部96於俯視下是否與第1密封層71(第1密封層71之側端面84)重疊，於本發明中均無影響。
(3)以上各形態中之各要素可適當省略。例如，上述各形態係包含絕緣層92而構成濾光片層90，但亦可自濾光片層90省略絕緣層92。又，包含第1密封層71、第2密封層72及第3密封層73而構成密封體70，但可適當省略各層。於例如省略第2密封層72之情形時，於第1密封層71之表面直接地形成保護部96。又，包含第1層96R、第2層96G及第3層96B之3層而構成保護部96，但亦可例如包含第1層96R至第3層96B中之任1層或2層而構成保護部96。
(4)於以上各形態中，例示了與第1密封層71之側端面84及周邊配 線D之二者重疊的保護部96，但亦可採用使保護部96與側端面84及周邊配線D之任一者重疊之構成。
(5)於上述各形態中，與第1密封層71之周緣重疊地形成保護部96，但亦可與發光功能層46之周緣48重疊地形成保護部96。於以上構成中，可與第1實施形態同樣地，減少水分或外部氣體進入周緣48與基底層之間隙的情況。
(6)於以上之各形態中，與下側周緣88之全周重疊地形成保護部96，但亦可使保護部96與下側周緣88之一部分重疊。同樣地，亦可使保護部96與上側周緣86之一部分重疊。又，於以上之各形態中，設為保護部96與周邊配線D之一部分重疊之構成，但亦可採用保護部96於俯視下與周邊配線D之全域重疊之構成。
(7)於以上之各形態中，使保護部96與第1密封層71之上側周緣86及下側周緣88之二者重疊，但亦可使保護部96與上側周緣86及下側周緣88中之任一者重疊。
(8)濾光片層90之著色層K之種類並不限於上述各形態中之例示。例如，除包含使紅色光穿透之第1著色層KR、使綠色光穿透之第2著色層KG及使藍色光穿透之第3著色層KB以外，亦可包含使波長約580nm之黃色光穿透之第4著色層而構成濾光片層90。於以上構成中，將顯示顏色為黃色之像素P形成於顯示區域12，且與該像素P之發光元件45重疊之第4彩色濾光片、及與保護部96之第3層96B重疊之第4層使用第4著色層由同層形成。
(9)於上述各形態中，例示了利用有機EL材料之發光元件45，但本發明亦可同樣應用於利用由無機EL材料形成發光層之發光元件或LED等發光元件之構成。又，於上述各形態中，例示了對與基板10相反側出射光之頂部發光型發光裝置100，但本發明亦可同樣應用於對基板10側出射光之底部發光型發光裝置。
<電子機器>
上述各形態中例示之發光裝置100係較佳地用作各種電子機器之顯示裝置。於圖21中，將利用上述各形態中例示之發光裝置100之頭部配戴型顯示裝置1(HMD：Head Mounted Display，頭戴式顯示器)例示為電子機器。
顯示裝置1係可配戴於使用者之頭部之電子機器，且具備：穿透部(透鏡)2L，其與使用者之左眼重疊；穿透部2R，其與使用者之右眼重疊；左眼用之發光裝置100L及半反射鏡4L；及右眼用之發光裝置100R及半反射鏡4R。發光裝置100L及發光裝置100R係以出射光沿相互相反之方向前進之方式配置。左眼用之半反射鏡4L係使穿透部2L之穿透光於使用者之左眼側穿透，並且使來自發光裝置100L之出射光於使用者之左眼側反射。同樣地，右眼用之半反射鏡4R係使穿透部2R之穿透光於使用者之右眼側穿透，並且使來自發光裝置100R之出射光於使用者之右眼側反射。因此，使用者感知將經由穿透部2L及穿透部2R觀察之像與各發光裝置100之顯示圖像重疊所得之圖像。又，可藉由使發光裝置100L及發光裝置100R顯示相互被賦予視差之立體視覺圖像(左眼用圖像及右眼用圖像)，而令使用者感知顯示圖像之立體感。
再者，應用上述各形態之發光裝置100之電子機器並不限定於圖21之顯示裝置1。例如，本發明之發光裝置100亦較佳地用於攝錄影機或靜態相機等攝像裝置中所利用之電子式取景器(EVF：Electronic View Finder)。又，可於行動電話、個人數位助理(智慧型手機)、電視或個人電腦等之監視器、汽車導航裝置等各種電子機器中採用本發明之發光裝置。

Claims (15)

  1. 一種發光裝置，其包含：發光元件，其配置於顯示區域內，且包含第1電極及第2電極、以及基於上述第1電極與上述第2電極之間之電流進行發光之發光功能層；周邊配線，其係於俯視下形成於上述顯示區域之周圍，且導通至上述第2電極；及濾光片層，其係包含使第1波長之光穿透之第1著色層者，且包含由上述第1著色層形成且與上述發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由上述第1著色層形成且與上述周邊配線重疊之第1層。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述濾光片層包含使與上述第1波長不同之第2波長之光穿透之第2著色層，且包含由上述第2著色層形成且與上述發光元件重疊之第2彩色濾光片、及由上述第2著色層形成於上述第1層之面上且與上述周邊配線重疊之第2層。
  3. 如請求項2之發光裝置，其中上述第2層之周緣係於俯視下位於上述第1層之周緣之內側。
  4. 如請求項2或3之發光裝置，其中上述濾光片層包含使與上述第1波長及上述第2波長不同之第3波長之光穿透之第3著色層，且包含由上述第3著色層形成且與上述發光元件重疊之第3彩色濾光片、及由上述第3著色層形成於上述第2層之面上且與上述周邊配線重疊之第3層。
  5. 如請求項4之發光裝置，其中上述第3層之周緣係於俯視下位於上述第2層之周緣之內側。
  6. 如請求項4之發光裝置，其中上述濾光片層包含形成有上述顯示區域內之複數個第1開口部、及與上述周邊配線重疊之第2開口部的絕緣層，上述第1彩色濾光片、上述第2彩色濾光片及上述第3彩色濾光片係形成於上述複數個第1開口部之內側，且上述第1層、上述第2層及上述第3層係形成於上述第2開口部之內側。
  7. 如請求項5之發光裝置，其中上述濾光片層包含形成有上述顯示區域內之複數個第1開口部、及與上述周邊配線重疊之第2開口部的絕緣層，上述第1彩色濾光片、上述第2彩色濾光片及上述第3彩色濾光片係形成於上述複數個第1開口部之內側，且上述第1層、上述第2層及上述第3層係形成於上述第2開口部之內側。
  8. 一種發光裝置，其包含：發光元件，其配置於基體之面上；第1密封層，其包含與上述發光元件重疊之密封面、及於俯視下位於上述密封面之外側並且相對於該密封面傾斜之側端面，且將上述發光元件密封；及濾光片層，其係包含使第1波長之光穿透之第1著色層者，且包含由上述第1著色層形成且於上述第1密封層之面上與上述發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由上述第1著色層形成且與上述側端面中之上述基體側之周緣重疊之第1層。
  9. 如請求項8之發光裝置，其包含覆蓋上述第1密封層之第2密封層，且上述第1層係形成於上述第2密封層之面上，且與上述側端面之上述密封面側之周緣重疊。
  10. 如請求項8之發光裝置，其中上述發光元件係配置於顯示區域內，且包含第1電極及第2電極、以及基於上述第1電極與上述第2電極之間之電流進行發光之發光功能層，該發光裝置包含於俯視下形成於上述顯示區域之周圍且導通至上述第2電極之周邊配線，且上述第1層係與上述周邊配線重疊。
  11. 如請求項9之發光裝置，其中上述發光元件係配置於顯示區域內，且包含第1電極及第2電極、以及基於上述第1電極與上述第2電極之間之電流進行發光之發光功能層，該發光裝置包含於俯視下形成於上述顯示區域之周圍且導通至上述第2電極之周邊配線，且上述第1層係與上述周邊配線重疊。
  12. 如請求項8至11中任一項之發光裝置，其中上述濾光片層包含使與上述第1波長不同之第2波長之光穿透之第2著色層，且包含由上述第2著色層形成且於上述第1密封層之面上與上述發光元件重疊之第2彩色濾光片、及由上述第2著色層形成且與上述第1層重疊之第2層。
  13. 如請求項12之發光裝置，其中上述濾光片層包含使與上述第1波長及上述第2波長不同之第3波長之光穿透之第3著色層，且包含由上述第3著色層形成且於上述第2密封層之面上與上述發光元件重疊之第3彩色濾光片、及由上述第3著色層形成且與上述第2層重疊之第3層。
  14. 一種發光裝置，其包含：發光元件，其配置於基體之面上；第1密封層，其包含與上述發光元件重疊之密封面、及於俯視下位於上述密封面之外側並且相對於該密封面傾斜之側端面，且將上述發光元件密封；第2密封層，其覆蓋上述第1密封層；及濾光片層，其係包含使第1波長之光穿透之第1著色層者，且包含由上述第1著色層形成且於上述第1密封層之面上與上述發光元件重疊之第1彩色濾光片、及由上述第1著色層形成且於上述第2密封層之面上與上述側端面中之上述密封面側之周緣重疊之第1層。
  15. 一種包含發光裝置之電子機器，其包含如請求項1至14中任一項之發光裝置。
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