JP6881476B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器に関する。

ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）を備える有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置が知られている。有機ＥＬ装置は、例えば画像を表示する有機ＥＬディスプレイとして用いられる。

特許文献１には、有機発光層を備える有機デバイスが開示される。当該有機デバイスは、有機発光層と、有機発光層上に配置された第１封止層とを備える。第１封止層は、窒化シリコン膜および酸化アルミニウム膜の積層体で構成される。また、酸化アルミニウム膜は水に対する耐性が窒化シリコン膜よりも低いため、酸化アルミニウム膜への水の侵入を遮断するよう、第１封止層は窒化シリコン膜で構成された第２封止層で覆われている。

特開２０１８−７３７６０号公報

第１封止層および第２封止層の形成では、フォトリソグラフィー法が用いられる。そのため、第１封止層および第２封止層を形成するためには、レジストパターンを形成し、エッチングを行った後、レジストパターンを剥離する処理を複数回繰り返さなければならない。また、窒化シリコン膜で構成される第２封止層を高精細に形成するためには、フォトレジスト法を用いることが好ましく、他の方法で代用することは難しい。そのため、第２封止層が窒化シリコン膜で構成されていると、第１封止層および第２封止層の成膜プロセスが複雑になってしまうという問題がある。

本発明の一態様の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板上に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する保護部と、前記保護部からみて前記有機エレクトロルミネッセンス素子とは反対側に配置される透光性基板と、前記保護部と前記透光性基板との間に配置され、第１波長域の光を透過させる第１着色層と、第２波長域の光を透過させる第２着色層と、第３波長域の光を透過させる第３着色層と、を含むカラーフィルター層と、前記カラーフィルター層と前記透光性基板との間に配置される接着層と、を備え、前記保護部は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子からみて前記基板とは反対側に配置され、窒素を含むケイ素系に無機材料を主体とする第１層と、前記第１層からみて前記有機エレクトロルミネッセンス素子とは反対側に配置され、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする第２層と、前記第２層からみて前記第１層とは反対側に配置され、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第３層と、を有し、前記カラーフィルター層は、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面に接する第１樹脂部を有し、前記接着層は、前記第１樹脂部を覆うように設けられる第２樹脂部を有し、前記基板の平面方向における、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面と前記第２樹脂部との間に、前記第１着色層が配置され、
前記平面方向における、前記第１着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第２着色層が配置され、前記平面方向における、前記第２着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第３着色層が配置される。

本発明の一態様の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する保護部を形成する工程と、第１波長域の光を透過させる第１着色層を形成する工程と、第２波長域の光を透過させる第２着色層を形成する工程と、第３波長域の光を透過させる第３着色層を形成する工程と、を含むカラーフィルター層を形成する工程と、接着層を形成する工程と、を含み、前記保護部を形成する工程では、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第１層を形成し、前記第１層上に、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする第２層を形成し、前記第２層上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第３層を形成し、前記カラーフィルター層を形成する工程では、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面に接する第１樹脂部を形成し、前記接着層を形成する工程では、前記第１樹脂部を覆うように第２樹脂部を形成し、前記第１樹脂部を形成する工程では、前記基板の平面方向における、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面と前記第２樹脂部との間に、前記第１着色層を形成し、前記平面方向における、前記第１着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第２着色層を形成し、前記平面方向における、前記第２着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第３着色層を形成する。

第１実施形態における有機ＥＬ装置を示す斜視図である。 第１実施形態における表示パネルを示す概略平面図である。 第１実施形態における表示パネルの電気的な構成を示すブロック図である。 第１実施形態におけるサブ画素の等価回路図である。 第１実施形態における表示パネルの部分断面図である。 第１実施形態における表示パネルの部分断面図である。 第１実施形態における表示パネルの平面図である。 第１実施形態における表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。 第１実施形態における基板形成工程および発光部形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における保護部形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における保護部形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における保護部形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における保護部形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるカラーフィルター層形成工程を説明するための図である。 第１実施形態におけるカラーフィルター層形成工程を説明するための図である。 第１実施形態におけるカラーフィルター層形成工程を説明するための図である。 第１実施形態におけるカラーフィルター層形成工程を説明するための図である。 第１実施形態におけるエッチング工程を説明するための図である。 第１実施形態における透光性基板接着工程を説明するための図である。 第２実施形態における表示パネルの部分断面図である。 第３実施形態における表示パネルの部分断面図である。 第３実施形態における表示パネルの平面図である。 本発明の電子機器の一例である虚像表示装置の一部を模式的に示す平面図である。 本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置および有機ＥＬ装置の製造方法
１−１．第１実施形態
図１は、第１実施形態における有機ＥＬ装置１００を示す斜視図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１に示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を適宜用いて説明する。後述の表示パネル１が有する透光性基板７の表面がｘ−ｙ平面に平行であり、後述の表示パネル１が有する複数層の積層方向がｚ方向である。

１−１Ａ．有機ＥＬ装置１００の全体構成
図１に示す有機ＥＬ装置１００は、「有機エレクトロルミネッセンス装置」の一例であって、フルカラーの画像を表示する有機ＥＬ表示装置である。有機ＥＬ装置１００は、例えば、ヘッドマウントディスプレイにおいて画像を表示するマイクロディスプレイとして用いられる。なお、ヘッドマウントディスプレイについては後で詳述する。

有機ＥＬ装置１００は、開口９１を有するケース９０と、ケース９０内に設けられる表示パネル１と、表示パネル１に電気的に接続されるＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板９５とを有する。なお、図示はしないが、ＦＰＣ基板９５は、外部に設けられる上位回路に接続される。また、有機ＥＬ装置１００は、画像を表示する発光領域Ａ１０と、発光領域Ａ１０を囲む非発光領域Ａ２０とを有する。なお、図示では、発光領域Ａ１０は平面視で矩形状をなすが、発光領域Ａ１０の平面形状はこれに限定されず例えば円形等であってもよい。平面視とは、後述の表示パネル１が有する透光性基板７の厚さ方向と平行である−ｚ方向から見ることをいう。

図２は、第１実施形態における表示パネル１を示す概略平面図である。図２に示すように、表示パネル１の発光領域Ａ１０には、複数のサブ画素Ｐ０がＭ行Ｎ列の行列状で設けられる。具体的には、表示パネル１の発光領域Ａ１０には、青色の波長域に対応する複数のサブ画素ＰＢと、緑色の波長域に対応する複数のサブ画素ＰＧと、赤色の波長域に対応する複数のサブ画素ＰＲとが設けられる。なお、本明細書において、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲを区別しない場合には、サブ画素Ｐ０と表記する。サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲは、ｙ方向に沿って同色が並び、かつｘ方向に沿って赤色、緑色および青色の順に繰り返して並ぶ。なお、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲの配置は、これに限定されず任意である。また、１つのサブ画素ＰＢ、１つのサブ画素ＰＧおよび１つのサブ画素ＰＲにより、１つの画素Ｐが構成される。

また、表示パネル１の非発光領域Ａ２０には、制御回路３５、走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２が設けられる。また、表示パネル１の非発光領域Ａ２０には、ＦＰＣ基板９５に接続される複数の端子３７が設けられる。また、表示パネル１は、図示しない電源回路に接続される。

なお、有機ＥＬ装置１００は、ケース９０およびＦＰＣ基板９５が省略された構成であってもよい。

１−１Ｂ．表示パネル１の電気的な構成
図３は、第１実施形態における表示パネル１の電気的な構成を示すブロック図である。図３に示すように、表示パネル１は、ｘ方向に沿って延在するＭ本の走査線１３と、走査線１３と交差し、ｙ方向に沿って延在するＮ本のデータ線１４とを有する。なお、Ｍ、Ｎは、自然数である。また、Ｍ本の走査線１３とＮ本のデータ線１４との各交差に対応して複数のサブ画素Ｐ０が構成される。

制御回路３５は、画像の表示を制御する。制御回路３５には、図示しない上位回路からデジタルの画像データＶideoが同期信号Ｓに同期して供給される。制御回路３５は、同期信号Ｓに基づいて制御信号Ｃtrを生成し、これを走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２に対して供給する。また、制御回路３５は、画像データＶideoに基づいてアナログの画像信号Ｖidを生成し、これをデータ線駆動回路３６２に対して供給する。なお、前述の画像データＶideoとは、サブ画素Ｐ０の階調レベルを例えば８ビットで規定するデータである。同期信号Ｓとは、垂直同期信号、水平同期信号、およびドットクロック信号を含む信号である。

走査線駆動回路３６１は、Ｍ本の走査線１３に接続される。走査線駆動回路３６１は、制御信号Ｃtrに基づいて１フレーム期間内にＭ本の走査線１３を１本毎に順次選択するための走査信号を生成し、Ｍ本の走査線１３に対して出力する。また、データ線駆動回路３６２は、Ｎ本のデータ線１４に接続される。データ線駆動回路３６２は、表示すべき階調に応じたデータ信号を画像信号Ｖidおよび制御信号Ｃtrに基づいて生成し、Ｎ本のデータ線１４に対して出力する。

なお、走査線駆動回路３６１とデータ線駆動回路３６２とは、１つの駆動回路として一体化されてもよい。また、制御回路３５、走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２は、それぞれ、複数に分割されてもよい。また、図示では、制御回路３５は表示パネル１に設けられているが、制御回路３５は、例えば図１に示すＦＰＣ基板９５に設けられてもよい。

図４は、第１実施形態におけるサブ画素Ｐ０の等価回路図である。図４に示すように、サブ画素Ｐ０には、発光素子２０と、発光素子２０の駆動を制御する画素回路３０とが設けられる。

発光素子２０は、「有機エレクトロルミネッセンス素子」の一例であって、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）で構成される。発光素子２０は、陽極２３と、有機層２４と、陰極２５とを備える。陽極２３は、有機層２４に正孔を供給する。陰極２５は、有機層２４に電子を供給する。かかる発光素子２０では、陽極２３から供給される正孔と、陰極２５から供給される電子とが有機層２４で再結合し、有機層２４が白色光を発生させる。なお、陰極２５には、給電線１６が電気的に接続される。給電線１６には、図示しない電源回路から低位側の電源電位Ｖctが供給される。

画素回路３０は、スイッチング用トランジスター３１と、駆動用トランジスター３２と、保持容量３３とを有する。スイッチング用トランジスター３１のゲートは、走査線１３に電気的に接続される。また、スイッチング用トランジスター３１のソースまたはドレインの一方が、データ線１４に電気的に接続され、他方が、駆動用トランジスター３２のゲートに電気的に接続される。また、駆動用トランジスター３２のソースまたはドレインの一方が、給電線１５に電気的に接続され、他方が、陽極２３に電気的に接続されている。なお、給電線１５には、図示しない電源回路から高位側の電源電位Ｖelが供給される。また、保持容量３３の一方の電極は、駆動用トランジスター３２のゲートに接続され、他方の電極は、給電線１５に接続される。

かかる電気的な構成の表示パネル１において、走査線駆動回路３６１が走査信号をアクティブにすることで走査線１３が選択されると、選択されるサブ画素Ｐ０に設けられるスイッチング用トランジスター３１がオンする。すると、データ線１４からデータ信号が、選択される走査線１３に対応する駆動用トランジスター３２に供給される。駆動用トランジスター３２は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子２０に対して供給する。そして、発光素子２０は、駆動用トランジスター３２から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。また、走査線駆動回路３６１が走査線１３の選択を解除してスイッチング用トランジスター３１がオフした場合、駆動用トランジスター３２のゲートの電位は、保持容量３３により保持される。そのため、発光素子２０は、スイッチング用トランジスター３１がオフした後も発光が可能である。

以上が表示パネル１の電気的な構成である。なお、前述の画素回路３０の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、陽極２３と駆動用トランジスター３２との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。

１−１Ｃ．表示パネル１の構成
図５は、第１実施形態における表示パネル１の部分断面図であって、図２中の表示パネル１のＡ−Ａ線断面図である。以下の説明において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が５０％以上であることをいう。

図５に示す表示パネル１は、基板１０と、複数の発光素子２０を有する発光部２と、保護部４と、カラーフィルター層６と、接着層７０と、透光性基板７と、を有する。発光部２、保護部４、カラーフィルター層６および接着層７０は、基板１０から透光性基板７に向かってにこの順で積層される。表示パネル１はトップエミッション型であって、発光素子２０で発生する光は透光性基板７を透過して出射される。

〈基板１０〉
基板１０は、例えば基板本体１１と、配線層１２とを有する。基板本体１１は、例えばシリコン、ガラス、樹脂またはセラミック等で構成される。また、表示パネル１はトップエミッション型であるため、基板本体１１は透光性を有していてもいなくてもよい。

配線層１２は、各種配線等と、複数の絶縁膜１２１、１２２および１２３とを有する。各種配線等には、前述したスイッチング用トランジスター３１、駆動用トランジスター３２および保持容量３３を備える画素回路３０と、走査線１３と、データ線１４と、給電線１５と、給電線１６とが含まれる。なお、図５では全ての各種配線の図示はしていない。

配線層１２が有する絶縁膜１２１は、基板本体１１上に配置される。絶縁膜１２１上には、駆動用トランジスター３２が有する半導体層３２０が配置される。半導体層３２０は、チャネル３２ｃ、ドレイン３２ｄおよびソース３２ｓを有する。なお、基板本体１１がシリコンである場合、基板本体１１にイオンを注入して半導体層３２０を形成してもよい。また、絶縁膜１２１上には、半導体層３２０を覆って絶縁膜１２２が配置される。絶縁膜１２２上には、駆動用トランジスター３２のゲート電極３２ｇが配置される。ゲート電極３２ｇは、平面視でチャネル３２ｃと重なる。絶縁膜１２２上には、ゲート電極３２ｇを覆って絶縁膜１２３が配置される。絶縁膜１２３上には、中継電極３２１および３２２が配置される。中継電極３２１は、絶縁膜１２２を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２１１を介してドレイン３２ｄと電気的に接続される。一方、中継電極３２２は、絶縁膜１２２を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２２１を介してソース３２ｓと電気的に接続される。なお、中継電極３２２は、図５では図示はしないが、給電線１５に接続される。

絶縁膜１２１、１２２および１２３の各構成材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料が挙げられる。また、各種配線等の構成材料は、例えば、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等が挙げられる。

〈発光部２〉
基板１０の＋ｚ側の表面には、所定の波長域の光を共振させる発光部２が配置される。発光部２は、反射層２１と、共振調整層２２と、複数の発光素子２０とを有する。複数の発光素子２０は、前述のように、複数の陽極２３と、有機層２４と、陰極２５とを有する。

反射層２１は、基板１０の絶縁膜１２３上に配置される。反射層２１は、光反射性を有しており、有機層２４から発生する光を有機層２４側に反射させる。反射層２１は、例えば、チタン（Ｔｉ）を含む層とＡｌ−Ｃｕ系合金を含む層とがこの順で絶縁膜１２３上に積層された積層体である。また、図示では、反射層２１は、行列状に配列された複数の反射部２１０を有する。反射部２１０は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられる。なお、反射層２１は、光反射性を有すれば図示の構成に限定されない。

絶縁膜１２３上には、反射層２１を覆って共振調整層２２が配置される。共振調整層２２は、反射層２１と陰極２５との間の光学的な距離である光学距離Ｌ０を調整する層である。

図示では、共振調整層２２の厚さは、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲで等しいが、実際には、発光色ごとに異なる。また、サブ画素Ｐ０の光学距離Ｌ０は、発光色ごとに異なる。サブ画素ＰＢにおける光学距離Ｌ０は、青色の波長域の光に対応して設定される。サブ画素ＰＧにおける光学距離Ｌ０は、緑色の波長域の光に対応して設定される。サブ画素ＰＲにおける光学距離Ｌ０は、赤色の波長域の光に対応して設定される。したがって、実際には、サブ画素ＰＢにおける共振調整層２２の膜厚が最も薄く、サブ画素ＰＲにおける共振調整層２２の膜厚が最も厚い。なお、共振調整層２２の膜厚に代えて陽極２３の膜厚を調整することで光学距離Ｌ０を調整してもよい。また、共振調整層２２の膜厚および陽極２３の膜厚の両方を調整することで、光学距離Ｌ０を調整してもよい。

また、共振調整層２２の構成材料としては、透光性および絶縁性を有する無機材料が挙げられ、具体的には例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等が挙げられる。

共振調整層２２の＋ｚ側の表面には、複数の陽極２３と、平面視で各陽極２３を囲む隔壁２６とが配置される。陽極２３は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられており、陽極２３同士は、隔壁２６によって絶縁される。なお、隔壁２６は、例えば平面視で格子状をなす。また、陽極２３は、共振調整層２２を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２１２を介して中継電極３２１と電気的に接続される。

また、陽極２３の構成材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびＩＺＯ（Indium Xinc Oxide）等の透明な導電材料である。また、隔壁２６の構成材料は、絶縁性材料であり、具体的には例えばアクリル系の感光性樹脂または酸化シリコン等の無機材料である。

陽極２３の＋ｚ側の表面には、有機層２４が配置される。有機層２４は、少なくとも、電流の供給により発光する発光材料を含む発光層２４０を有する。本実施形態では、発光層２４０は、青色発光材料を含む層と、緑色発光材料を含む層と、赤色発光材料を含む層とが積層されている。青色発光材料を含む層からは青色の光が発生し、緑色発光材料を含む層からは緑色の光が発生し、赤色発光材料を含む層からは赤色の光が発生する。したがって、発光層２４０からは白色光が発生すると言ってもよい。また、本実施形態では、発光層２４０以外に、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）および電子輸送層と（ＥＴＬ）を有する。有機層２４では、正孔注入層から注入される正孔と電子輸送層から輸送される電子とが発光層２４０で再結合する。なお、有機層２４の構成は任意であり、有機層２４は前述のいずれかの層を省略してもよいし、さらに任意の層を追加してもよい。

有機層２４の＋ｚ側の表面には、陰極２５が配置される。陰極２５は、透光性と光反射性とを有する。陰極２５は、複数のサブ画素Ｐ０に亘って連続して形成される共通電極である。陰極２５は、例えば、マグネシウムおよび銀、またはこれらの材料を主成分とする合金等で構成される。

かかる発光部２では、有機層２４で発生する光のうち所定の波長域の光を反射層２１と陰極２５との間で共振させる。所定の波長域の光のスペクトルのピーク波長をλ０とすると、次のような関係式［１］が成り立つ。Φ（ラジアン）は、発光部２内で透過・反射する際に生じる位相シフトの総和を表す。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］

取り出したい波長域の光のピーク波長がλ０となるよう光学距離Ｌ０を設定する。そして、光学距離Ｌ０に応じて共振調整層２２および陽極２３の各膜厚を設定することで、取り出したい所定の波長域の光が共振されて増強される。取り出したい波長域の光に応じて光学距離Ｌ０を調整することで、所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化および当該光のスペクトルの狭幅化を図ることができる。

〈保護部４〉
保護部４は、陰極２５上に配置され、発光部２を封止する。保護部４を備えることで、有機層２４を大気中の水分または酸素等から保護できる。つまり、保護部４は、ガスバリア性を有する。そのため、保護部４を備えていない場合に比べ、表示パネル１の信頼性を高めることができる。また、保護部４は、透光性を有する。

保護部４は、陰極２５上に配置される第１層４１と、第１層４１上に配置される第２層４２と、第２層上に配置される第３層４３とを有する。

第１層４１は、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする。当該「主体とする」とは、第１層４１の構成材料の７０％以上が窒素を含むケイ素系の無機材料であることを言う。第１層４１が窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とすることで、酸化ケイ素を主体とする場合に比べ、第１層４１におけるガスバリア性を高くすることができる。窒素を含むケイ素系の無機材料としては、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素が挙げられる。中でも、窒化ケイ素を用いることで、第１層４１のガスバリア性を特に高めることができる。

また、第１層４１は、プラズマを用いたＣＶＤ（化学気相堆積）法を用いて形成されることが好ましい。ＣＶＤ法を用いることで、厚さが充分に薄い第１層４１を容易に形成できる。また、ＣＶＤ法を用いることで、ＡＬＤ（原子層堆積）法を用いる場合に比べ、成膜速度を速くすることができる。また、ＣＶＤ法においてプラズマを用いることで、用いない場合に比べて低温で成膜でき、ガス量を調節することで第１層４１の応力を低減できる。

第１層４１の厚さＤ１は、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。かかる範囲内であると、第１層４１によるガスバリア性を特に高くでき、かつ、第１層４１の厚さが過度に厚くなることによりクラックが生じるおそれを低減できる。なお、当該厚さＤ１は、第１層４１の平均厚さである。

第２層４２は、第１層４１上に配置される。第２層４２は、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする。当該「主体とする」とは、第２層４２の構成材料の７０％以上が酸化ケイ素または酸化アルミニウムであることを言う。かかる第２層４２を有することで、製造時において第１層４１にピンホール等の欠陥が生じても、その欠陥を補完できる。そのため、第１層４１に発生し得るピンホール等の欠陥をパスとして大気中の水分等が有機層２４に伝達されることを特に効果的に抑制できる。また、第２層４２は、プラズマを用いたＡＬＤ法を用いて形成されることが好ましい。ＡＬＤ法を用いて第２層４２を形成することで、第１層４１における欠陥を補完する機能を特に好適に発揮できる。また、ＡＬＤ法においてプラズマを用いることで、用いない場合に比べて低温で成膜できる。

また、第２層４２が酸化ケイ素を主体とすることで、アルミナを主体とする場合に比べ、第２層４２の水に対する耐性を高くすることができる。そのため、表示パネル１の製造時に水洗処理およびウェットエッチング等を行っても、第２層４２が水で溶解することより抑制できる。そのため、第２層４２が水に溶解して、保護部４の封止機能が低下することをより抑制できる。また、第２層４２は酸化ケイ素を主体とすることで、窒化ケイ素を主体とすることに比べて透光性が高い点で好ましい。

第２層４２の厚さＤ２は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上９０ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。かかる範囲内であると、第１層４１の欠陥を補完する機能を顕著に発揮できるとともに、第２層４２の形成時間が過度に長くなることを抑制できる。なお、当該厚さＤ２は、第２層４２の平均厚さである。

第３層４３は、第２層４２上に配置される。第３層４３は、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする。当該「主体とする」とは、第３層４３の構成材料の７０％以上が窒素を含むケイ素系の無機材料であることを言う。第１層４１および第２層４２に加えて第３層４３を備えることで、第３層４３を備えていない場合に比べ、保護部４のガスバリア性をさらに高くすることができる。特に、窒化ケイ素を用いることで、第１層４１のガスバリア性を高めることができる。また、カラーフィルター層６と発光素子２０との距離の最適化することが容易である。また、第３層４３は、第１層４１と同様に、プラズマを用いたＣＶＤ法を用いて形成されることが好ましい。ＣＶＤ法を用いることで、厚さが充分に薄い第３層４３を容易に形成できる。

第３層４３は、第１層４１と同様に、プラズマを用いたＣＶＤ法を用いて形成される。第３層４３の厚さＤ３は、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であることがより好ましく、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。かかる範囲内であると、第３層４３によるガスバリア性を特に高くでき、かつ、第３層４３の厚さＤ３が過度に厚くなることによりクラックが生じるおそれを低減できる。なお、当該厚さＤ３は、第３層４３の平均厚さである。

また、保護部４は、窒化ケイ素または酸化ケイ素を主体とする層で構成されており、有機材料を主体とする層を備えていない。そのため、保護部４が有機材料を主体として構成される層を備える場合に比べ、厚さが充分に薄い保護部４を実現できる。また、外部から発光部２に加えられる機械的衝撃等を緩和できる。さらには、有機材料を主体として構成される層を備える場合、保護部４の成分が有機層２４に侵入するおそれがあるが、保護部４を窒化ケイ素または酸化ケイ素を主体として構成することで、そのようなおそれを防止できる。

また、第１層４１および第３層４３は窒素を含むケイ素系の無機材料のみで構成され、第２層４２は酸化ケイ素のみで構成されていることが好ましい。ただし、各層の機能を低下させない程度に他の材料を含んでもよい。

〈カラーフィルター層６〉
保護部４上には、カラーフィルター層６が配置される。カラーフィルター層６は、所定の波長域の光に対応しており、所定の波長域の光を選択的に透過させる。カラーフィルター層６は、サブ画素ＰＢに対応した着色層６１Ｂ、サブ画素ＰＧに対応した着色層６１Ｇ、およびサブ画素ＰＲに対応した着色層６１Ｒ、を有する。発光領域Ａ１０において、着色層６１Ｂ、着色層６１Ｇおよび着色層６１Ｒは、ｘ−ｙ平面に沿って並ぶ。

カラーフィルター層６は、各色の色材を含む樹脂材料で構成される。具体的には例えば、色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料で構成されることが好ましい。なお、表示パネル１は、カラーフィルター層６を省略した構成でもよい。ただし、表示パネル１は、カラーフィルター層６を備えることで、カラーフィルター層６を備えていない場合に比べ、表示パネル１から出射される光の色純度を高めることができる。

〈接着層７０〉
カラーフィルター層６上には、透光性を有する接着層７０が配置される。接着層７０は、透光性基板７をカラーフィルター層６に対して接着する。なお、カラーフィルター層６を省略する場合には、保護部４に透光性基板７が接着される。接着層７０は、カラーフィルター層６に透光性基板７を接着でき、かつ透光性を有していれば如何なる材料で構成されてもよく、例えばエポキシ樹脂およびアクリル樹脂等の透明な樹脂材料で構成される。特に、感光性樹脂を用いることで、熱硬化性樹脂を用いる場合に比べ、接着層７０の製造時間を短縮できる。また、発光素子２０の熱によるダメージを低減できる。

〈透光性基板７〉
カラーフィルター層６上には、接着層７０を介して透光性基板７が配置される。透光性基板７は、カラーフィルター層６および発光素子２０等を保護するカバーである。透光性基板７は、透光性を有しており、例えばガラス基板または石英基板で構成される。

次に、図６および図７を参照して、表示パネル１の端子３７およびその周辺の構造について説明する。図６は、第１実施形態における表示パネル１の部分断面図であって、図２中の表示パネル１のＢ−Ｂ線断面図である。図７は、第１実施形態における表示パネルの平面図である。なお、図７では透光性基板７の図示を省略する。また、図７では、接着層７０の配置の理解を容易にするため、接着層７０に網掛けを付す。

図６に示すように、共振調整層２２の＋ｚ側の表面には、端子３７が配置される。端子３７は、共振調整層２２を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２３１を介して中継電極３２３と電気的に接続される。中継電極３２３は、詳細な図示はしないが、配線層１２に設けられた各種配線等に電気的に接続される。

カラーフィルター層６の非発光領域Ａ２０に位置する部分は、着色層６１Ｇ、着色層６１Ｂおよび着色層６１Ｒが保護部４側からこの順に積層される積層体である。カラーフィルター層６のうち当該部分は、反射光を防止し、迷光の影響を防ぐために設けられる。一方、カラーフィルター層６のうち発光領域Ａ１０に位置する部分は、前述のように所定の波長の光を透過させるカラーフィルターとして機能する。

保護部４は、平面視で複数の端子３７と重ならないよう配置される。同様に、カラーフィルター層６は、平面視で複数の端子３７と重ならないよう配置される。また、透光性基板７は、平面視で複数の端子３７と重ならないよう配置される。なお、透光性基板７は、平面視で、発光領域Ａ１０に対応する領域に配置される。

接着層７０は、カラーフィルター層６および保護部４を覆う。図７に示すように、接着層７０は、平面視でカラーフィルター層６および保護部４よりも広い範囲に配置され、カラーフィルター層６および保護部４を包んでいる。なお、保護部４は、平面視でカラーフィルター層６と重なる。また、図６に示すように、接着層７０は、カラーフィルター層６の＋ｚ軸側の面に接する。また、接着層７０は、第２層４２の外周面４２０と接する。外周面４２０は、第２層４２の「側面」の一例であって、第２層４２の−ｚ軸側の第１主面４２１と＋ｚ軸側の第２主面４２２とを繋ぐ面である。さらに本実施形態では、接着層７０は、第１層４１の外周面４１０および第３層４３の外周面４３０と接する。つまり、本実施形態では、接着層７０は、保護部４の外周面４０と接する。接着層７０のうち保護部４の外周面４０と接する部分は、第２保護部７５を構成する。つまり、接着層７０は、第２保護部７５を有する。

第２保護部７５は、「樹脂部」の一例であって、樹脂材料を主体とする。第２保護部７５を有することで、保護部４の外周面４０が露出することを防いで保護部４を保護できる。第２保護部７５を有することで、発光素子２０を保護部４およびカラーフィルター層６で覆うことができるので、第２保護部７５を有さない場合に比べ、大気中の水分または酸素等が発光素子２０に侵入することを防ぐことができる。

以上の構成の表示パネル１は、基板１０と、基板１０上に配置され、「有機エレクトロルミネッセンス素子」としての発光素子２０と、発光素子２０を保護する保護部４と、樹脂材料を主体とする「樹脂部」としての第２保護部７５と、を備える。保護部４は、発光素子２０からみて基板１０とは反対側に配置され、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第１層４１と、第１層４１からみて発光素子２０とは反対側に配置され、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする第２層４２と、第２層４２からみて第１層４１とは反対側に配置され、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第３層４３と、を有する。そして、第２保護部７５は、第２層４２の「側面」の一例としての外周面４２０上に配置される。

第１層４１、第２層４２および第３層４３を有する保護部４を備えることで、封止性能に優れ、かつ厚さが充分に薄い表示パネル１を提供できる。また、第２保護部７５が樹脂材料を主体とすることで、フォトリソグラフィー法を用いずとも、第２層４２の外周面４２０上に第２保護部７５を形成でき、よって、表示パネル１の製造工程数を減らすことができる。なお、第２保護部７５の製造方法については後で説明する。また、第２層４２は、窒化ケイ素を主体とする第１層４１および第３層４３に比べて水に対する耐性が低いため、第２保護部７５によって第２層４２を保護することで、表示パネル１の製造時に水に接触することを抑制または防止できる。よって、保護部４の封止性能が低下することを抑制でき、結果として、品質の信頼性に優れる表示パネル１を提供できる。また、第２層４２が酸化アルミニウムを主体とする場合には、水に対する耐性が特に低いので、第２保護部７５によって第２層４２を保護することは特に有効である。また、第２層４２が酸化ケイ素を主体とすることで、酸化アルミニウムを主体とする場合に比べ、水への耐性を高めることができる。

また、本実施形態では、第２保護部７５は、第２層４２の外周面４２０上に加え、第１層４１の外周面４１０上および第３層４３の外周面４３０上にも配置される。保護部４の外周面４０上に配置されることで、保護部４をより好適に保護できる。そのため、保護部４で保護される発光素子２０をより好適に保護できる。

なお、基板１０と発光素子２０との間には、反射層２１および共振調整層２２が配置されるが、こられは基板１０の一部として捉えてもよい。また、基板１０と発光素子２０との間、発光素子２０と第１層４１との間、第１層４１と第２層４２との間、第２層４２と第３層４３との間、および第２保護部７５と第２層４２の外周面４２０との間には、それぞれ各部の機能を阻害しない程度に任意の層が配置されてもよい。また、表示パネル１が有する他の要素同士の間についても同様である。ただし、第１層４１と第２層４２との間には任意の層が配置されておらず、第１層４１と第２層４２とは互いに接触していることが特に好ましい。これにより、第１層４１による封止性能を特に効果的に発揮できるとともに、第２層４２による第１層４１の欠陥を補完する機能を特に効果的に発揮できる。同様に、第２層４２と第３層４３との間には、任意の層が配置されておらず、第２層４２と第３層４３とは互いに接触していることが特に好ましい。これにより、第３層４３による封止性能を特に効果的に発揮できる。

また、前述のように、表示パネル１は、保護部４からみて発光素子２０とは反対側に配置される透光性を有する透光性基板７と、保護部４と透光性基板７との間に配置される接着剤を含む接着層７０と、を備える。そして、第２保護部７５は、接着層７０の一部である。そのため、接着層７０を形成することで、第２保護部７５が形成される。よって、第２保護部７５と接着層７０とが別体で構成される場合に比べ、表示パネル１の製造工程数を減らすことができる。

なお、第２保護部７５は、少なくとも第２層４２の外周面４２０上に配置されていればよく、第１層４１上および第３層４３上に配置されなくてもよい。

１−１Ｄ．有機ＥＬ装置１００の製造方法
次に、有機ＥＬ装置１００が有する表示パネル１の製造方法について説明する。図８は、第１実施形態における表示パネル１の製造方法を示すフローチャートである。図８に示すように、表示パネル１の製造方法は、基板形成工程Ｓ１１、発光部形成工程Ｓ１２、保護部形成工程Ｓ１３、カラーフィルター層形成工程Ｓ１４、エッチング工程Ｓ１５、および透光性基板接着工程Ｓ１６を有する。これら各工程を順に行うことにより表示パネル１が製造される。

〈基板形成工程Ｓ１１〉
図９は、第１実施形態における基板形成工程Ｓ１１および発光部形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。基板形成工程Ｓ１１では、シリコン板等で構成される基板本体１１を用意し、基板本体１１上に配線層１２を形成する。具体的には、駆動用トランジスター３２等の各種配線等は、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜を形成し、フォトリソグラフィー法により当該金属膜をパターニングすることにより形成される。また、絶縁膜１２１、１２２および１２３は、それぞれ、ＣＶＤ法等により絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に対してＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法等の研磨法等による平坦化処理を施すことにより形成される。

〈発光部形成工程Ｓ１２〉
発光部形成工程Ｓ１２は、反射層形成工程と、共振調整層形成工程と、「有機ＥＬ素子を形成する工程」としての発光素子形成工程とを有する。

まず、反射層形成工程では、絶縁膜１２３上に反射層２１を形成する。反射層２１は、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜を形成し、フォトリソグラフィー法により当該金属膜をパターニングすることにより形成される。また、この際、中継電極３２１および３２２も形成する。また、図示はしないが、非発光領域Ａ２０に位置する中継電極３２３も形成する。

次いで、共振調整層形成工程では、絶縁膜１２３上に、反射層２１を覆うようにして共振調整層２２を形成する。共振調整層２２は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料を含む絶縁膜をＣＶＤ法等の気相堆積等により形成し、その後、平坦化処理を施すことにより形成される。

次いで、発光素子形成工程では、共振調整層２２上に、複数の発光素子２０を形成する。具体的にはまず、共振調整層２２上に複数の陽極２３を形成する。陽極２３の形成方法は、反射層２１の形成方法と同様である。次いで、陽極２３を平面視で囲むように隔壁２６を形成する。具体的には、例えばＣＶＤ法等により絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィー法により当該絶縁膜をパターニングすることにより隔壁２６が形成される。次いで、陽極２３および隔壁２６上に有機層２４を形成する。有機層２４が有する各層は、例えば蒸着法等により成膜される。次いで、有機層２４上に陰極２５を形成する。陰極２５の形成方法は、有機層２４の形成方法と同様である。以上のようにして、発光素子２０が形成される。

〈保護部形成工程Ｓ１３〉
図１０〜図１３は、第１実施形態における保護部形成工程Ｓ１３を説明するための断面図である。保護部形成工程Ｓ１３は、図１０および図１１に示す第１層形成工程、図１２に示す第２層形成工程、および図１３に示す第３層形成工程を有する。保護部形成工程Ｓ１３は、「保護部を形成する工程」に相当する。

まず、図１０に示すように、第１層形成工程では、例えばプラズマを用いたＣＶＤ法により陰極２５上にシリコン窒化膜４１ａを形成する。なお、シリコン窒化膜４１ａ以外の窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とる膜を形成してもよい。この処理により、図１１に示すように、第１層４１が形成される。また、ＣＶＤ法を用いることで、ＡＬＤ法を用いる場合に比べ、成膜速度を速くすることができるので、第１層４１の成膜時間を短くすることができる。また、ＣＶＤ法においてプラズマを用いることで、用いない場合に比べ、より低温で成膜できる。また、第１層４１の応力を低減することによって、第１層４１にクラック等が生じるおそれを低減できる。また、本工程では、第１層４１の厚さは前述の範囲内の厚さとなるよう成膜する。

次いで、図１２に示すように、第２層形成工程では、例えばプラズマを用いたＡＬＤ法により第１層４１上に第２層４２を形成する。第２層４２が酸化ケイ素である場合、第２層４２を構成するための原料は、アミノシラン系材料であることが好ましい。一方、第２層４２が酸化アルミニウムである場合、原料は、例えばトリメチルアルミニウムを用いる。また、ＡＬＤ法を用いることで、ＣＶＤ法で形成された第１層４１に欠陥が生じても、当該欠陥を埋めるようにして第２層４２で当該欠陥を補完できる。また、当該ＡＬＤ法では、プラズマを用いることが好ましい。プラズマを用いることで、より低温で成膜できる。そのため、第２層４２の応力を低減できる。また、本工程では、第２層４２の厚さは前述の範囲内の厚さとなるよう成膜する。

次いで、図１３に示すように、例えばプラズマを用いたＣＶＤ法により第２層４２上に第３層４３を形成する。第３層４３の形成方法は、第１層４１の形成方法と同様である。

〈カラーフィルター層形成工程Ｓ１４〉
図１４〜図１７は、それぞれ、第１実施形態におけるカラーフィルター層形成工程Ｓ１４を説明するための図である。カラーフィルター層形成工程Ｓ１４では、保護部４上にカラーフィルター層６を成膜する。

具体的には、まず、図１４および図１５に示す着色層６１Ｇを形成する。例えば、第３層４３上に、緑色の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、緑色の樹脂層を形成する。その後、緑色の樹脂層のうち着色層６１Ｇを形成する部分を露光してアルカリ現像液等により当該樹脂層の未露光の部分を除去する。その後、緑色の樹脂層を硬化させることにより、着色層６１Ｇが形成される。

着色層６１Ｇの形成と同様にして、図１６および図１７に示す着色層６１Ｂおよび着色層６１Ｒを形成する。具体的には、例えば、着色層６１Ｇ上に、青色の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、青色の樹脂層を形成する。次に、青色の樹脂層のうち着色層６１Ｒを形成する部分を露光してアルカリ現像液等により当該樹脂層の未露光の部分を除去する。その後、青色の樹脂層を硬化させることにより、着色層６１Ｂが形成される。次いで、例えば、赤色の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、赤色の樹脂層を形成する。その後、赤色の樹脂層のうち着色層６１Ｒを形成する部分を露光してアルカリ現像液等により当該樹脂層の未露光の部分を除去する。その後、赤色の樹脂層を硬化させることにより、着色層６１Ｒが形成される。なお、発光領域Ａ１０における着色層６１Ｇ、着色層６１Ｂおよび着色層６１Ｒは、互いに保護部４の＋ｚ軸側の面上において互いに異なる箇所に配置するよう形成される。ただし、各着色層６１Ｇ、着色層６１Ｂおよび着色層６１Ｒは、互いに一部重なる部分を有してもよい。

〈エッチング工程Ｓ１５〉
図１８は、第１実施形態におけるエッチング工程Ｓ１５を説明するための図である。エッチング工程Ｓ１５では、図１８に示すように、保護部４の端子３７に対応する領域、具体的には、保護部４のうち平面視で端子３７と重なる領域を除去する。当該領域の除去は、例えば、フォトリソグラフィー法により図示しないレジストパターンを形成し、当該レジストパターンを用いてドライエッチングにより行う。また、第２層４２が、酸化ケイ素で形成されていると、第１層４１、第２層４２および第３層４３を同一のエッチングガスを用いて一括でエッチングできる。

なお、前述のレジストパターンの形成は省略してもよく、その場合には、ガラス等の絶縁物をマスクとして用いてドライエッチング処理を行ってもよい。また、ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを行ってもよい。また、エッチング工程Ｓ１５は、カラーフィルター層形成工程Ｓ１４の前に行ってもよい。さらにエッチングはウェットエッチングでも良い。

〈透光性基板接着工程Ｓ１６〉
図１９は、第１実施形態における透光性基板接着工程Ｓ１６を説明するための図であって、透光性基板接着工程Ｓ１６のうち接着剤の塗布を説明するための図である。透光性基板接着工程Ｓ１６では、カラーフィルター層６上に透明な樹脂材料を塗布して、塗布された樹脂材料上にガラス基板等で構成される透光性基板７を配置し、押圧する。この際、例えば、樹脂材料が感光性樹脂である場合、透光性基板７を介して光を照射して当該感光性樹脂を硬化させる。この硬化によって、樹脂材料の硬化物で構成される接着層７０が得られる。また、接着層７０によって透光性基板７がカラーフィルター層６に接着される。

ここで、接着剤の塗布では、カラーフィルター層６および保護部４を覆うように接着剤を塗布する。つまり、カラーフィルター層６の＋ｚ軸側の面上と、保護部４の外周面４０上とに、接着剤を塗布する。接着剤の塗布方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサーを用いた塗布法、または、スクリーンマスクを用いた塗布法が挙げられる。スクリーンマスクを用いた塗布法を用いることで、所望の位置に高精度に接着剤を塗布できる。

以上により、有機ＥＬ装置１００の表示パネル１が製造される。なお、表示パネル１をケース９０内に収容してＦＰＣ基板９５と接続することで、有機ＥＬ装置１００が得られる。

以上説明のように、表示パネル１の製造方法では、発光素子２０を形成する発光部形成工程Ｓ１２と、発光素子２０を保護する保護部４を形成する保護部形成工程Ｓ１３と、透光性基板接着工程Ｓ１６とを含む。また、保護部形成工程Ｓ１３では、発光素子２０からみて前記基板とは反対側の面上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第１層４１を形成し、第１層４１からみて発光素子２０とは反対側に、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする第２層４２を形成し、第２層４２からみて第１層４１とは反対側の面上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第３層４３を形成する。また、透光性基板接着工程Ｓ１６では、樹脂材料を主体とする「樹脂部」としての第２保護部７５を、第２層４２の「側面」の一例としての外周面４２０上に形成する。

第１層４１、第２層４２および第３層４３を有する保護部４を形成することで、厚さが充分に薄く、かつ封止性能に優れた表示パネル１を得ることができる。また、第２保護部７５が樹脂材料で構成されることで、フォトリソグラフィー法を用いずとも、第２層４２の外周面４２０上に第２保護部７５を形成できる。よって、第２保護部７５の形成において、マスクを用いてレジストパターンを形成し、レジストパターンを用いて露光および現像をし、エッチングし、その後レジストパターンを剥離するという手間を省くことができる。そのため、表示パネル１の製造工程数を減らすことができる。具体的には、前述のように、第２層４２の外周面４２０上に接着剤を塗布して硬化させることで、第２保護部７５を形成できる。よって、表示パネル１の製造プロセスを簡略化することができる。

また、前述のように、第１層４１は、プラズマを用いたＣＶＤ法により形成され、第２層４２は、プラズマを用いたＡＬＤ法により形成され、第３層４３は、プラズマを用いたＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ法を用いることで、ガスバリア性に優れ、かつ厚さが充分に薄い第１層４１および第３層４３の成膜時間の短縮化を図ることができる。また、ＡＬＤ法を用いることで、充分に薄く、かつ、第１層４１の欠陥を補完できる第２層４２を好適に形成できる。さらに、各方法でプラズマを用いることで、各層の応力を低減できる。このようなことから、封止性能に優れ、かつ厚さが充分に薄い保護部４を容易に形成できる。

以上、本実施形態における有機ＥＬ装置１００について説明した。なお、本実施形態では、第２保護部７５は、接着層７０の一部であるが、第２保護部７５は、接着層７０と別体であってもよい。第２保護部７５と接着層７０とを別体で形成する場合、エッチング工程Ｓ１５、第２保護部７５を形成する工程およびエッチング工程Ｓ１５は当該順序で行われてもよい。

また、本実施形態では、保護部４は、第１層４１、第２層４２および第３層４３の３層で構成されるが、保護部４は、４層以上で構成されてもよい。その場合、保護部４は、第１層４１上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする層と、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする層との組を複数有する構成であることが好ましい。当該組を複数有することで、保護部４の封止性能を高めることができる。

また、有機ＥＬ装置１００は、青色の波長光、緑色波長域の光、または赤色の波長域の光のいずれかを出射する構成でもよい。つまり、有機ＥＬ装置１００は、単色のみを出射する構成でもよい。

１−２．第２実施形態
図２０は、第２実施形態における表示パネル１Ａの部分断面図である。本実施形態は、第３保護部６５を備えることが第１実施形態と異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜省略する。

図２０に示す表示パネル１Ａが有するカラーフィルター層６Ａは、保護部４を覆う。カラーフィルター層６Ａは、第２層４２の外周面４２０と接する。さらに、カラーフィルター層６Ａは、第１層４１の外周面４１０および第３層４３の外周面４３０と接する。つまり、本実施形態では、カラーフィルター層６Ａは、保護部４の外周面４０に接する。カラーフィルター層６Ａのうち保護部４の外周面４０と接する部分は、第３保護部６５を構成する。つまり、カラーフィルター層６Ａは、第３保護部６５を有する。第３保護部６５は、「樹脂部」の一例であって、樹脂材料を主体とする。第３保護部６５を有することで、保護部４の外周面４０が露出することを防いで保護部４を保護できる。第３保護部６５を有することで、発光素子２０を保護部４およびカラーフィルター層６Ａで覆うことができるので、第３保護部６５を有さない場合に比べ、大気中の水分または酸素等が発光素子２０に侵入することを防ぐことができる。

前述のように、表示パネル１Ａは、保護部４からみて発光素子２０とは反対側に配置され、所定の波長の光を透過させるカラーフィルター層６Ａを備える。カラーフィルター層６Ａは、樹脂材料を主体とする「樹脂部」としての第３保護部６５を有する。

第３保護部６５が樹脂材料を主体とすることで、フォトリソグラフィー法を用いずとも、保護部４の外周面４０上に第３保護部６５を形成できる。よって、表示パネル１の製造工程数を減らすことができる。また、第３保護部６５がカラーフィルター層６Ａの一部であるため、カラーフィルター層６Ａを形成することで、第３保護部６５が形成される。よって、第３保護部６５とカラーフィルター層６Ａとが別体で構成される場合に比べ、表示パネル１Ａの製造工程数を減らすことができる。

また、本実施形態では、第３保護部６５上に第２保護部７５が配置される。そのため、第３保護部６５上に第２保護部７５が配置されていない場合に比べ、封止性能に優れた表示パネル１を提供できる。なお、第３保護部６５を備える場合、第２保護部７５は省略してもよい。つまり、接着層７０は、カラーフィルター層６Ａの＋ｚ軸側の面のみに設けられてもよい。また、第３保護部６５は、少なくとも第２層４２の外周面４２０上に配置されていればよく、第１層４１の外周面４１０上および第３層４３の外周面４３０上に配置されなくてもよい。

１−３．第３実施形態
図２１は、第３実施形態における表示パネル１Ｂの部分断面図である。図２２は、第３実施形態における表示パネル１Ｂの平面図である。本実施形態は、保護部４Ｂが開口部４９を備えることが主に第１実施形態と異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜省略する。また、図２２では透光性基板７の図示を省略する。また、図２２では、接着層７０Ｂの配置の理解を容易にするため、接着層７０Ｂに網掛けを付す。

図２１および図２２に示すように、表示パネル１Ｂが有する保護部４Ｂは、平面視で複数の端子３７と重なる開口部４９が設けられる。開口部４９は、保護部４Ｂを貫通する空間である。開口部４９は、第１層４１Ｂの内周面４１９、第２層４２Ｂの内周面４２９および第３層４３Ｂの内周面４３９により形成される。また、カラーフィルター層６Ｂには、平面視で複数の端子３７と重なる第２開口部６９が設けられる。第２開口部６９は、カラーフィルター層６Ｂを貫通する空間であって、開口部４９と連通する。また、接着層７０Ｂには、平面視で複数の端子３７と重なる第３開口部７９が設けられる。第３開口部７９は、接着層７０Ｂを貫通する空間であって、開口部４９と連通する。

接着層７０Ｂは、平面視でカラーフィルター層６Ｂおよび保護部４Ｂよりも広い範囲に配置され、カラーフィルター層６および保護部４を包んでいる。なお、保護部４Ｂは、平面視でカラーフィルター層６Ｂと重なる。また、接着層７０Ｂは、第２層４２の内周面４２９と接する。内周面４２９は、第２層４２Ｂの「側面」の一例であって、第２層４２Ｂの−ｚ軸側の第１主面４２１Ｂと＋ｚ軸側の第２主面４２２Ｂとを繋ぐ面である。さらに本実施形態では、接着層７０Ｂは、第１層４１Ｂの内周面４１９および第３層４３Ｂの内周面４３９と接する。接着層７０のうち内周面４１９、４２９および４３９と接する部分は、第２保護部７５Ｂを構成する。本実施形態においても第１実施形態と同様に、接着層７０Ｂを備えることで、第２保護部７５Ｂによって第２層４２Ｂを含む保護部４Ｂを保護できる。

２．電子機器
前述の実施形態の有機ＥＬ装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。

２−１．ヘッドマウントディスプレイ
図２３は、本発明の電子機器の一例である虚像表示装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図２３に示す虚像表示装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像表示装置７００は、前述した有機ＥＬ装置１００と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４とを備える。なお、有機ＥＬ装置１００から出射される光は、映像光ＬＬとして出射される。

コリメーター７１は、有機ＥＬ装置１００と導光体７２との間に配置される。コリメーター７１は、有機ＥＬ装置１００から出射された光を平行光にする。コリメーター７１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター７１で平行光に変換された光は、導光体７２に入射する。

導光体７２は、平板状をなし、コリメーター７１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体７２は、その内部で光を反射して導光する。導光体７２のコリメーター７１と対向する面７２１には、光が入射する光入射口と、光を出射する光出射口が設けられる。導光体７２の面７２１とは反対側の面７２２には、「回折光学素子」としての第１反射型体積ホログラム７３および「回折光学素子」としての第２反射型体積ホログラム７４が配置される。第１反射型体積ホログラム７３は、第２反射型体積ホログラム７４よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム７３および第２反射型体積ホログラム７４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。

かかる構成の虚像表示装置７００では、光入射口から導光体７２内に入射した映像光ＬＬが、反射を繰り返して進み光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光ＬＬにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。

ここで、虚像表示装置７００は、前述の有機ＥＬ装置１００を備える。前述の有機ＥＬ装置１００は封止性能に優れており、品質が良好である。そのため、有機ＥＬ装置１００を備えることで、品質の高い虚像表示装置７００を提供できる。

なお、虚像表示装置７００は、有機ＥＬ装置１００から出射される光を合成するダイクロイックプリズム等の合成素子を備えてもよい。その場合、虚像表示装置７００は、例えば、青色の波長域の光を出射する有機ＥＬ装置１００、緑色の波長域の光を出射する有機ＥＬ装置１００および赤色の波長域の光を出射する有機ＥＬ装置１００を備えることができる。

２−２．パーソナルコンピューター
図２４は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター４００は、有機ＥＬ装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、を備える。パーソナルコンピューター４００は、前述の有機ＥＬ装置１００を備えるため、品質に優れる。

なお、有機ＥＬ装置１００を備える「電子機器」としては、図２３に例示した虚像表示装置７００およぶ図２４に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、有機ＥＬ装置１００を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、有機ＥＬ装置１００を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。

以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。

１…表示パネル、２…発光部、４…保護部、６…カラーフィルター層、７…透光性基板、１０…基板、１１…基板本体、１２…配線層、２０…発光素子、２１…反射層、２２…共振調整層、２３…陽極、２４…有機層、２５…陰極、２６…隔壁、３２…駆動用トランジスター、３２ｃ…チャネル、３２ｄ…ドレイン、３２ｇ…ゲート電極、３２ｓ…ソース、３７…端子、４１…第１層、４２…第２層、４３…第３層、６１Ｂ…着色層、６１Ｇ…着色層、６１Ｒ…着色層、６５…第３保護部、６９…第２開口部、７０…接着層、７５…第２保護部、１００…有機ＥＬ装置、１２１…絶縁膜、１２２…絶縁膜、１２３…絶縁膜、２１０…反射部、２４０…発光層、３２０…半導体層、３２１…中継電極、３２２…中継電極、３２３…中継電極、３２１１…貫通電極、３２１２…貫通電極、３２２１…貫通電極、３２３１…貫通電極、Ａ１０…発光領域、Ａ２０…非発光領域、Ｌ０…光学距離。

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する保護部と、
   前記保護部からみて前記有機エレクトロルミネッセンス素子とは反対側に配置される透光性基板と、
   前記保護部と前記透光性基板との間に配置され、第１波長域の光を透過させる第１着色層と、第２波長域の光を透過させる第２着色層と、第３波長域の光を透過させる第３着色層と、を含むカラーフィルター層と、
   前記カラーフィルター層と前記透光性基板との間に配置される接着層と、
   を備え、
   前記保護部は、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子からみて前記基板とは反対側に配置され、窒素を含むケイ素系に無機材料を主体とする第１層と、
   前記第１層からみて前記有機エレクトロルミネッセンス素子とは反対側に配置され、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする第２層と、
   前記第２層からみて前記第１層とは反対側に配置され、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第３層と、を有し、
   前記カラーフィルター層は、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面に接する第１樹脂部を有し、
   前記接着層は、前記第１樹脂部を覆うように設けられる第２樹脂部を有し、
   前記基板の平面方向における、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面と前記第２樹脂部との間に、前記第１着色層が配置され、
   前記平面方向における、前記第１着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第２着色層が配置され、
   前記平面方向における、前記第２着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第３着色層が配置される、
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
2. 基板上に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する保護部を形成する工程と、
   第１波長域の光を透過させる第１着色層を形成する工程と、第２波長域の光を透過させる第２着色層を形成する工程と、第３波長域の光を透過させる第３着色層を形成する工程と、を含むカラーフィルター層を形成する工程と、
   接着層を形成する工程と、を含み、
   前記保護部を形成する工程では、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第１層を形成し、
   前記第１層上に、酸化ケイ素または酸化アルミニウムを主体とする第２層を形成し、
   前記第２層上に、窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とする第３層を形成し、
   前記カラーフィルター層を形成する工程では、
   前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面に接する第１樹脂部を形成し、
   前記接着層を形成する工程では、
   前記第１樹脂部を覆うように第２樹脂部を形成し、
   前記第１樹脂部を形成する工程では、
   前記基板の平面方向における、前記第１層、前記第２層および前記第３層の各側面と前記第２樹脂部との間に、前記第１着色層を形成し、前記平面方向における、前記第１着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第２着色層を形成し、前記平面方向における、前記第２着色層と前記第２樹脂部との間に、前記第３着色層を形成する、
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
3. 前記第１層は、プラズマを用いた化学気相堆積法により形成され、
   前記第２層は、プラズマを用いた原子層堆積法により形成され、
   前記第３層は、プラズマを用いた化学気相堆積法により形成される請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。

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