JP6515537B2 - 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、該有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」）素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を含む機能層を挟み込んだ構成となっている。陽極から注入される正孔と、陰極から注入される電子とが再結合することにより機能層を励起させ、有機発光層の材質に応じた蛍光やりん光を発している。
一方、有機ＥＬ素子は、外部からの水分または酸素の影響（以下、「水分等」）を受けることも知られている。水分等が有機ＥＬ素子に入り込んだ場合、たとえば両電極と機能層との界面状態が変質し、正孔や電子を機能層へ効率的に輸送できず、結果として有機発光層で所望の輝度を得られない、いわゆるダークスポットを生じることがある。すなわち、有機ＥＬ素子において、水分等の影響を排除するための封止技術は極めて重要であり、これまでもいくつかの対策が取られていた。
例えば、有機ＥＬ素子を水分等に対するガスバリア性の高い封止膜で覆う「薄膜封止法」が提案されている。薄膜封止法では、有機ＥＬ素子が形成された領域に封止膜を成膜することにより、水分等に対するガスバリア性を担保している。そして通常、封止膜を成膜する前の段階では、有機ＥＬ素子と外部との導通を取るための実装電極の形成もすでに行われているので、実装端子にも封止膜が掛かる場合があった。そのため、あらかじめメタルマスク等で実装端子をマスキングする手法がとられていた。
メタルマスクを用いた場合には、メタルマスクの開口部の周辺における封止膜の成膜粒子の入射制限や、メタルマスクの開口部の端部直下への封止膜の回り込みなどを原因とする封止膜の膜厚ばらつきが発生していた。よって、有機ＥＬ素子を確実に封止膜で覆うために、メタルマスクの開口部と有機ＥＬ素子との間隔をある程度広く確保する必要があり、有機ＥＬ装置の小型化への阻害要因ともなっていた。

このような課題を解決する方法として、特許文献１によると、有機ＥＬ素子に保護膜を成膜した後に、外部接続端子を含む外部接続領域に掛かる保護膜を、該有機ＥＬ素子を備えた表示装置の封止用基板をマスクとして、異方性エッチングする方法が開示されている。この方法によれば、封止用基板の端面を含む鉛直面に沿って保護膜を選択的に除去して、上記外部接続領域を露出させることができるとしている。

特開２００７−２３４６１０号公報

しかしながら、上記特許文献１によると、封止用基板をマスクとして用いるため、少なからず封止用基板もエッチングされる。例えば封止用基板に青板ガラスや無アルカリガラスなどを使用した場合には、該ガラスに含まれるＳｉＯ（酸化シリコン）以外の成分（例えばＡｌ、Ｃａなどやこれらの酸化物）はエッチング時の反応生成物として除去されず、残存してしまう。そして、これら残存物が保護膜除去後の外部接続端子に再付着するおそれがあった。よって、後に行われる外部接続端子と外部回路との電気的な接続を図る工程において、接続強度を低下させるため接続信頼性が悪化し、ひいては電気的特性を確保できないという不具合が生じていた。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、を有し、前記封止膜をエッチングする工程において、エッチングガスと反応して気化する組成からなる前記第２基板、または、前記第２基板の少なくとも一部を覆う保護部材をマスクとして用いることを特徴とする。

本適用例によれば、第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とが形成されており、さらに、有機ＥＬ素子と実装端子とを覆うように封止膜が形成されている。封止膜の上部にはさらに充填剤を介して、第２基板もしくは、少なくとも一部を保護部材で覆われた第２基板が貼り合わされている。よって、封止膜のうち実装端子と重なる部分については、第２基板または保護部材をマスクとしてエッチングすることにより取り除くことができる。また、第２基板が封止膜をエッチングするエッチングガスと反応して気化する組成で構成されている場合には、封止膜をエッチングする工程で、第２基板がエッチングされたとしても反応生成物が残留しないので、残留物が実装端子へ影響を及ぼすことがない。また、第２基板の保護部材をマスクとして用いる場合には、封止膜をエッチングする工程で第２基板がエッチングされがたく、第２基板がどのような材料構成であってもエッチング時に反応生成物が残留しがたいので、同じく残留物が実装端子へ影響を及ぼさない。つまり、外部回路との間で高い接続信頼性を確保可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止膜はシリコン酸窒化膜を主成分とし、前記第２基板は石英ガラスであることが好ましい。

本適用例によれば、封止膜の主成分はシリコン酸窒化膜であり、第２基板は石英ガラスである。よって、封止膜をエッチングする工程で、第２基板の石英ガラスの成分はシリコン酸窒化膜のエッチングガスと反応して気化してしまうため、実装端子へ影響を及ぼすことはない。よって、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記保護部材は感光性樹脂であることが好ましい。

本適用例によれば、保護部材としての感光性樹脂をマスクとして、封止膜のうち実装端子に重なる部分をエッチングすることが可能となる。また、感光性樹脂が仮に実装端子に付着しても容易に除去することができる。よって第２基板の材質に拘ることなく、設計自由度が広がり製造プロセスを容易にすることが可能となる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止膜と前記保護部材とが同一の材料を主成分としていることが好ましい。

本適用例によれば、封止膜をエッチングする工程で、保護部材も封止膜と同様に気化され、保護部材の反応生成物が残留しないので、残留物が実装端子へ影響を及ぼすことがない。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記保護部材はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、アルミ酸化膜のいずれかを含むことが好ましい。

本適用例によれば、保護部材はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、アルミ酸化膜、のいずれかひとつを含んでいる。これらの部材は実装端子を覆う封止膜をエッチングする際に反応生成物として気化するか、もしくはエッチングされないことから、実装端子に影響を及ぼすことがない。また、いずれの部材も可視光領域の光に対して透明である。よって、第２基板上から保護部材を除去せずに、有機ＥＬ素子からの発光を取り出すことができる。よって、プロセス工数を削減し、かつ、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止膜のエッチングレートは、前記保護部材のエッチングレートより大きいことが好ましい。

本適用例によれば、例えば、ほぼ同一の膜厚で封止膜と保護部材とを成膜した場合でも、実装端子を覆う封止膜をエッチングにて取り除いた時点で、保護部材は残っている。よって、保護部材で覆われている第２基板の表面を保護できる。

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止膜はシリコン窒化膜を主成分とし、保護部材がシリコン酸化膜であることが好ましい。

本適用例によれば、エッチングガスを適宜選択することで、シリコン酸化膜のエッチングレートよりもシリコン窒化膜のエッチングレートを大きくすることができる。例えばフッ素系のエッチングガスを用いてもよい。そのため、例えばほぼ同一の膜厚で封止膜と保護部材とを成膜した場合でも、実装端子を覆う封止膜をエッチングにて取り除いた時点で、第２基板の表面を保護部材で保護した状態を維持することができる。すなわち、封止膜をエッチングする際に好適なマスクとしての保護部材を実現できる。

［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第２基板の屈折率と前記保護部材の屈折率とが近しいことが好ましい。つまり、前記第２基板が青板ガラスや無アルカリガラスなどＳｉＯ（酸化シリコン）を主成分とし、かつＳｉＯ以外の成分を含有するガラスである場合、前記保護部材はシリコン酸化膜であることが好ましい。

本適用例によれば、前記第２基板の屈折率と前記保護部材の屈折率とが近しいことで、エッチングで前記保護部材が不均一に除去されても、前記保護部材の残存膜厚ムラが視認されにくくなる。

［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記保護部材の厚みは、前記実装端子を覆う部分の前記封止膜の厚みよりも厚くてもよい。

本適用例によれば、保護部材の厚みが実装端子に形成される封止膜の厚みよりも厚く形成されている。そのため、実装端子を覆う封止膜をエッチングにて取り除いた時点で、いまだ保護部材は残っており、第２基板の表面を保護部材で保護することができる。

［適用例１０］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子と実装端子とが形成された第１基板と、少なくとも前記有機ＥＬ素子を覆う封止膜と、前記第１基板の前記有機ＥＬ素子が形成された側に充填剤を介して貼り合わされた第２基板と、を有し、前記第２基板は、前記封止膜をエッチング可能なエッチングガスと反応して気化する組成からなる、又は、前記第２基板の前記第１基板と対向する側に対して反対側の表面の少なくとも一部が保護部材で覆われてなることを特徴とする。

本適用例によれば、封止膜によって実装端子の全部または一部が覆われていたとしても、第２基板や第２基板の保護部材をマスクとして封止膜をエッチングすることができる。したがって、エッチング時に生ずる残留物の影響を受けることなく実装端子を露出させ、高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記封止膜はシリコン酸窒化膜を主成分とし、前記第２基板は石英ガラスであることが好ましい。

本適用例によれば、高い接続信頼性を有するのみならず、良好な光透過性を有した有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記保護部材は感光性樹脂であることが好ましい。

本適用例によれば、第２基板の材質に拘ることなく、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記封止膜と前記保護部材とが同一の材料を主成分とすることが好ましい。

本適用例によれば、封止膜をエッチングすると同時に、保護部材もエッチングすることが可能となるので、保護部材の厚みを薄くするあるいは保護部材を除去するための専用工程を不要とすることができる。つまり、高い生産性と高い接続信頼性とを有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記保護部材はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、アルミ酸化膜のいずれかを含むことが好ましい。

本適用例によれば、有機ＥＬ素子からの発光に対して、保護部材の影響を受けることなく、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記封止膜はシリコン窒化膜を主成分とし、前記保護部材がシリコン酸化膜であることが好ましい。

本適用例によれば、封止膜のエッチングレートが、保護部材のエッチングレートよりも大きいので、封止膜をエッチングしても保護部材を確実に残すことができる。また、保護部材をそのまま残したとしても有機ＥＬ素子からの発光に対して、保護部材の影響を受けることがない。よって、優れた発光特性と高い接続信頼性とを有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第２基板の屈折率と前記保護部材の屈折率とが近しいことが好ましい。つまり、前記第２基板が青板ガラスや無アルカリガラスの場合、前記保護部材はシリコン酸化膜であることが好ましい。

本適用例によれば、前記第２基板の屈折率と前記保護部材の屈折率とが近しいことで、エッチングで前記保護部材が不均一に除去されても、前記保護部材の残存膜厚ムラが視認されにくくなる。

［適用例１７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記保護部材の厚みは、前記第２基板からはみ出した前記封止膜の部分の厚みよりも厚くてもよい。

本適用例によれば、保護部材をマスクとして用いても、保護部材によって第２基板の表面を確実に保護することができるので、高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１８］本適用例に係る電子機器は、前記有機ＥＬ装置の製造方法を用いて形成された前記有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することができる。

［適用例１９］本適用例に係る電子機器は、前記有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することができる。

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 図２に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ線概略断面図。 図２に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ線概略断面図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｄ）〜（ｅ）は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置のマザー基板を示す概略図。 （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の他の製造方法を示す概略図。 第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示し、図２のＢ−Ｂ線に相当する概略断面図。 第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。

以下に、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。なお、使用する図面は、説明する部分を明確に認識し読み手の理解を促進できるよう、適宜拡大または縮小して表示している。
また、以下の実施形態の説明において、例えば「基板上に」との記載がある場合、基板の上に接するように配置されている場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含むものとする。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
本実施形態における有機ＥＬ装置について、図１〜図３を用いて説明する。図１は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。図２は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２と複数のデータ線１３、および電源線１４とを有している。複数の走査線１２は走査線駆動回路１５に接続されており、複数のデータ線１３はデータ線駆動回路１６に接続されている。複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応して、マトリックス状に複数のサブ画素１８が配置されている。
サブ画素１８には、発光素子である有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御するための画素回路２０とを含んでいる。

有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極３１と、陰極として機能する対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた発光体となる有機発光層を含む機能層３２とで構成されている。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを有している。スイッチング用トランジスター２１と、駆動用トランジスター２３とは、例えば、ｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。駆動用トランジスター２３のうちソースまたはドレインの一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１と接続され、ソースまたはドレインの他方が電源線１４と接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線駆動回路１５から走査線１２を経由して、制御信号がスイッチング用トランジスター２１に供給されると、ゲートはオンの状態となる。そして、データ線駆動回路１６からデータ線１３を経由して供給される画像信号に基づく電位が、スイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２に保持された電位つまり駆動用トランジスター２３のゲート電位に対応して、駆動用トランジスター２３のゲートのオン、オフ状態が決まる。駆動用トランジスター２３のゲートがオンの状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２に電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は機能層３２を流れる電流の大きさに応じて発光する。

なお、画素回路２０の構成は、これに限定されない。例えば、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間に設けられ、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていても良い。

図２は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概略平面図である。なお、図２においては発明の理解を容易にするため、製図法上、実線であらわすべきところを破線で、もしくは破線で表すべきところを実線で表記している場合がある。
有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０に対向するように配置された封止基板４１とを有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ１（図中、破線で表示）と、表示領域Ｅ１の外側にダミー領域Ｅ２（図中、２点鎖線で表示）とが設けられている。ダミー領域Ｅ２の外部は非表示領域となっている。

表示領域Ｅ１には、サブ画素１８がマトリックス状に配置されている。前述したように、サブ画素１８は発光素子である有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１および駆動用トランジスター２３の動作に伴って、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られる。ここでは、赤色に発光する画素をサブ画素１８Ｒ、緑色に発光する画素をサブ画素１８Ｇ、青色に発光する画素をサブ画素１８Ｂとしている。以降、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂをまとめてサブ画素１８と表現する場合もある。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が図面上において垂直方向に配置され、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が、水平方向に配置されている。このようなサブ画素１８の配置はストライプ方式といわれている。以降、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が配列した方向をＸ方向とし、同色の発光が得られるサブ画素１８が配列した方向をＹ方向として説明する。
Ｘ方向のサブ画素１８の配列について、図中Ｒ，Ｇ，Ｂとしているが、これに拘るものではなく、複数の組み合わせを用いることができる。また、サブ画素１８の配列はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であっても良い。
Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置ピッチは、例えば５μｍ未満である。Ｘ方向に例えば０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置ピッチは例えば１０μｍ未満である。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して、一対の走査線駆動回路１５が設けられている。一対の走査線駆動回路１５の間で表示領域Ｅ１に沿った位置に、検査回路１７が設けられている。

素子基板１０には、一対の走査線駆動回路１５に沿ったＹ方向と、検査回路１７に沿ったＸ方向とに延在して、ダミー領域Ｅ２を囲むように配置された配線層２９を有している。有機ＥＬ素子３０の対向電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０すなわち複数のサブ画素１８に亘って、共通陰極として形成されている。また、対向電極３３は、表示領域Ｅ１から非表示領域に至るように形成され、非表示領域において上記の配線層２９と電気的に接続されている。

素子基板１０は、封止基板４１よりも大きく、封止基板４１からＹ方向にはみ出た一辺部（図中、素子基板１０の下方の端部と、ダミー領域Ｅ２との間の辺部；以降、端子部１１ｔと呼ぶ）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るための複数の実装端子１０１がＸ方向に配列している。複数の実装端子１０１には、フレキシブル回路基板（以下、ＦＰＣ）１０５が接続されている。ＦＰＣ１０５には、駆動用ＩＣ１１０が実装されている。駆動用ＩＣ１１０は、前述したデータ線駆動回路１６を含むものである。ＦＰＣ１０５は、駆動用ＩＣ１１０の入力側に配線を介して接続される入力端子１０２と、駆動用ＩＣ１１０の出力側に配線を介して接続される出力端子（図示省略）とを有している。素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、実装端子１０１及びＦＰＣ１０５を介して、駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。走査線駆動回路１５や検査回路１７に接続された配線は、実装端子１０１とＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。共通陰極としての対向電極３３もまた配線層２９及び実装端子１０１、並びにＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。したがって、端子部１１ｔに配列した複数の実装端子１０１のいずれかに、駆動用ＩＣ１１０からの制御信号や駆動用電位（ＶＤＤ）などが供給される。すなわち実装端子１０１とＦＰＣ１０５側の出力端子との電気的な接続信頼性を確保することは、有機ＥＬ装置１００の動作に大きく寄与するものとなる。
素子基板１０側の複数の実装端子１０１と、ＦＰＣ１０５側の出力端子とを電気的に接続する方法は、公知の方法を用いることができ、例えば熱可塑性の異方性導電フィルムを用いる方法や熱硬化型の異方性接着剤を用いる方法が挙げられる。

次に、有機ＥＬ装置１００の構造について、図３及び図４を参照して説明する。図３は図２のＡ−Ａ線に沿った有機ＥＬ装置１００の構造を示す概略断面図、図４は図２のＢ−Ｂ線に沿った有機ＥＬ装置１００の構造を示す概略断面図である。図３は表示領域Ｅ１におけるサブ画素１８の構造を示し、図４は端子部１１ｔの構造を示すものである。ここで以下に述べる基材１１は本発明でいう第１基板に、封止基板４１は本発明でいう第２基板に相当する。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路２０と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター３６とを含む素子基板１０を備えている。また、素子基板１０に対して対向して配置された封止基板４１を備えている。
封止基板４１は、例えば石英ガラスなどの可視光領域に対して透明な基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６を保護すべく、充填剤４２を介して素子基板１０に対向して配置されている。
サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの機能層３２からの発光は、後述する反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を通過して封止基板４１の側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。

基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、石英ガラスなどの透明基板のみならず、シリコン（Ｓｉ）やセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、基材１１として石英ガラスを用い、画素回路２０に薄膜トランジスターを用いた場合を例に説明する。

基材１１の表面を覆って、第１絶縁膜１１ａが形成される。画素回路２０における例えば駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが、第１絶縁膜１１ａ上に形成される。半導体層２３ａを覆ってゲート絶縁膜として機能する第２絶縁膜１１ｂが形成される。第２絶縁膜１１ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置にゲート電極２３ｇが形成される。ゲート電極２３ｇを覆って第１層間絶縁膜２４が３００ｎｍ〜２μｍの膜厚で形成される。第１層間絶縁膜２４は、画素回路２０の駆動用トランジスター２３などを覆うことによって生じた表面の凹凸を無くすように平坦化処理が施される。半導体層２３ａのソース領域２３ｓとドレイン領域２３ｄとにそれぞれ対応して、第２絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜２４とを貫通するコンタクトホールが形成される。これらのコンタクトホールを埋めるようにして導電膜が形成され、パターニングされて駆動用トランジスター２３に接続される電極や配線が形成される。また、上記導電膜は、光反射性があり、例えばアルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム（Ａｌ）と銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）との合金などを用いて形成される。これをパターニングすることによって、サブ画素１８ごとに独立した反射層２５が形成される。本実施形態において、反射層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。図３では図示を省略したが、画素回路２０におけるスイッチング用トランジスター２１や蓄積容量２２も、基材１１上に形成される。
反射層２５と第１層間絶縁膜２４とを覆って１０ｎｍ〜２μｍの膜厚で第２層間絶縁膜２６が形成される。また、後に画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが第２層間絶縁膜２６を貫通して形成される。第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６を構成する材料としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、あるいはシリコン酸窒化物を用いることができる。

第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを埋めるように、第２層間絶縁膜２６を覆って導電膜が成膜される。この導電膜をパターニングすることによって画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）が形成される。画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。本実施形態において、画素電極３１の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）を光反射性のアルミニウム（Ａｌ）やその合金を用いて形成してもよい。

各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁部を覆って隔壁２８が形成される。これによって各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成される。隔壁２８は例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて、１μｍ程度の高さで各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂをそれぞれ区画するように形成される。
なお、本実施形態では、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを互いに絶縁された状態とするために感光性樹脂からなる隔壁２８を形成したが、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを区画してもよい。

機能層３２は、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに接するように、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成され、隔壁２８の表面も機能層３２で覆われる。なお、隔壁２８で区画された領域に機能層３２が形成されればよいので、機能層３２は隔壁２８のすべての表面を覆う必要はない。よって、隔壁２８の頭頂部は機能層３２で覆われていなくてもよい。

機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層をそれぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層をさら含んでも良いし、例えば有機発光層に電子輸送層の機能を持たせて、層数を減らすこともできる。有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。

機能層３２を覆って共通陰極としての対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。本実施形態において、対向電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、対向電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。

対向電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と対向電極３３との間で光共振器を構成してもよい。光共振器は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離を異ならせることにより、特定の共振波長の光が取り出されるものである。これによって、各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからの発光の色純度を高めることができる。上記光学的距離は、光共振器を構成する反射層２５と対向電極３３との間に挟まれた各種の機能膜の屈折率と膜厚との積の合計として求められる。したがって、上記光学的距離をサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに異ならせる方法としては、画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの膜厚を異ならせる方法や、反射層２５と画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂとの間の第２層間絶縁膜２６の膜厚を異ならせる方法がある。

次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、第１封止膜３４ａ、緩衝膜３４ｂ、第２封止膜３４ｃが積層されたものである。なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過度が７×１０^-3ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、中でも５×１０^-4ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、特に５×１０^-6ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_XＮ_Y）およびこれらを主成分としたものが好ましい。

第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。第１封止膜３４ａや第２封止膜３４ｃの膜厚を厚くするほど、高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膜の膨張や収縮によって生じる膜応力によりクラックが生じ易い。したがって、おのおの２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では緩衝膜３４ｂを挟んで、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。

緩衝膜３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、緩衝膜３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、緩衝膜３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、緩衝膜３４ｂは第１封止膜３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。緩衝膜３４ｂの厚みは、１μｍ〜５μｍ、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍの範囲である。

図４に示すように、端子部１１ｔとの境界における封止層３４の端部は、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで主に構成されており、表示領域Ｅ１のように第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで緩衝膜３４ｂを挟んだ構成になっていない。表示領域Ｅ１においては画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などの構造物により、少なからず凹凸が生じてしまうため、緩衝膜３４ｂを挟むことにより凹凸を緩和させる必要がある。他方で、ダミー領域Ｅ２においては有機ＥＬ素子３０等が存在しないために、下地の凹凸をそれほど考慮しなくても良いからである。また、封止層３４の上記端部は、直接外部と接触するため水分等の影響を受けやすい。そのため、第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃのみの構成であるほうが、より高いガスバリア性を実現できる。さらに、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとは同じ材料で構成することができるため、お互いの密着性も良く、ガスバリア性をさらに高めることができる。

図３に戻る。封止層３４上には、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成される。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂで構成されるカラーフィルター３６の形成方法としては、各色に対応した染料や顔料などの色材が溶剤に分散された感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像して形成する方法が挙げられる。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚は、どの色も同じでもよいし、少なくとも１色を他の色と異ならせてもよい。いずれにしても、有機ＥＬ素子３０からの発光が各着色層（３６Ｒ、３６Ｇ、３６Ｂ）を通過した際に、適度な色度やホワイトバランスが得られるような膜厚が設定される。
なお、図４では着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）を表示領域Ｅ１までとしているがこれに拘るものでは無く、ダミー領域Ｅ２（端子部１１ｔと封止基板４１との境界）まで覆いかぶせる構成であってもよい。この構成によれば、後の充填剤４２を塗布して形成する工程において、充填剤４２は、互いに濡れ性の異なる、着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）と第２封止膜３４ｃとの双方に接することがなくなり、着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）の面のみに塗布することができる。つまり、充填剤４２の塗布性をより良好にできるからである。

再び図３に戻る。素子基板１０と封止基板４１とは、間隔を置いて対向して配置され、当該間隔に充填剤４２が塗布される。充填剤４２の機能としては、封止基板４１と素子基板１０との濡れ性および接着性を良好なものとし、また、有機ＥＬ素子３０からの発光に対して透明であることが必要とされる。そのため、充填剤４２としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。充填剤４２の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍである。

次に、図４を参照して、素子基板１０の端子部１１ｔとその周辺の構造について説明する。図４に示すように、実装端子１０１は、素子基板１０の端子部１１ｔにおいて、画素電極３１と同様に、第２層間絶縁膜２６上に形成されている。また、第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホール２６ａ内の導電膜を介して、第１層間絶縁膜２４上に形成された配線層１０３と接続されている。図４には、基材１１上における画素回路２０や画素回路２０に接続される信号配線、走査線駆動回路１５などの周辺回路の構成について図示を省略しているが、複数の実装端子１０１のそれぞれは、これらの回路や信号配線に対して配線層１０３を通じて電気的に接続されている。
配線層１０３は、第１層間絶縁膜２４上に形成された導電膜を利用して、反射層２５と一緒にパターニングされていることが好ましいが、反射層２５と異なる構成の材料で形成されていてもよい。
また、実装端子１０１は、第２層間絶縁膜２６上に形成された導電膜を利用して、画素電極３１と一緒にパターニングされていることが好ましいが、画素電極３１と異なる構成の材料で形成されていてもよい。実装端子１０１は前述したようなＦＰＣ１０５との接続のみならず（図２）、ワイヤーボンディングなどで実装してもよい。実装端子１０１は、実装方法との相性と、のちの封止膜エッチング工程におけるフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングに対する耐久性に鑑みて、アルミニウム（Ａｌ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などを用いるとよい。

いずれの端子構成であっても実装端子１０１は、第２層間絶縁膜２６の上面で、例えば封止層３４、充填剤４２、その他の部材と干渉することなく露出した状態を保持しているので、外部との電気的接続を良好に行うことができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について図５〜図７を参照して、本発明の特徴部分である、高い接続信頼性を有する実装端子１０１の形成方法を詳しく説明する。
図５は有機ＥＬ装置１００の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｃ）および図７（ｄ）〜（ｅ）は有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図である。なお、図６および図７は、図４に対応した領域の概略断面図である。

図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程（ステップＳ１）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）と、充填剤塗布工程（ステップＳ３）と、基板貼り合せ工程（ステップＳ４）と、封止膜エッチング工程（ステップＳ５）とを含んでいる。
なお、基材１１上に画素回路２０、反射層２５、有機ＥＬ素子３０、その他周辺回路、信号配線などを形成する方法は、公知の成膜技術、穴埋め技術、平坦化技術その他付随するプロセスを採用することができる。

＜封止層形成工程（ステップＳ１）＞
図６（ａ）に示すように、まず、対向電極３３と端子部１１ｔ（実装端子１０１）とを覆う第１封止膜３４ａを形成する。第１封止膜３４ａを形成する方法としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯ_XＮ_Y）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第１封止膜３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合、４００ｎｍとした。
次に、第１封止膜３４ａを覆う緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂは、端子部１１ｔと封止基板４１との境界に掛からず、ダミー領域Ｅ２に収まるように形成することが望ましい。緩衝膜３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法や定量吐出法で該溶液を塗布し、乾燥させることにより、エポキシ樹脂からなる緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍである。この場合、２μｍとした。
なお、緩衝膜３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されない。例えば、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、膜厚がおよそ２μｍの酸化シリコン膜を、緩衝膜３４ｂとして形成してもよい。
続いて、緩衝膜３４ｂを覆う第２封止膜３４ｃを形成する。第２封止膜３４ｃの形成方法は、第１封止膜３４ａと同じであって、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯ_XＮ_Y）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第２封止膜３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合は８００ｎｍとした。そして、ステップＳ２へ進む。

＜カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）＞
図６（ｂ）に示すように、例えば緑の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより感光性樹脂層を形成する。続いて、該感光性樹脂層を露光・現像することにより緑（Ｇ）の着色層３６Ｇを形成する。本実施形態においては、適度な光学特性を得られるよう、着色層３６Ｇの膜厚を１．０μｍ〜２．０μｍの範囲とした。また、図示はしないが、赤および青についても同様に各色の色材を含む感光性樹脂を塗布し、露光現像を行い、着色層３６Ｒ、３６Ｂを形成する。すなわち、使用するカラーフィルターの色数に応じた回数分、塗布〜露光現像処理を行う必要がある。続いて、ステップＳ３へ進む。

＜充填剤塗布工程（ステップＳ３）＞
図６（ｂ）に示すように、着色層３６Ｇ（３６）を覆うように充填剤４２を塗布する。充填剤４２には、有機ＥＬ素子３０から発せられる光の透過性およびカラーフィルター３６と封止基板４１との接着性を考慮して熱硬化型のエポキシ系樹脂が使用されている。その他、たとえばウレタン系、アクリル系、ポリオレフィン系などの樹脂材料でも同様の効果が得られる。充填剤４２は、緩衝膜３４ｂの効果により例えば有機ＥＬ素子３０などの構造物の凹凸が低減されているため、カラーフィルター３６や第２封止膜３４ｃの表面上を流動性よく塗布することができる。なお、最終的な充填剤４２の厚みはおよそ１０〜１００μｍである。続いて、ステップＳ４に進む。

＜封止基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）＞
図６（ｂ）にて充填剤４２が塗布された基材１１に対して、封止基板４１を所定の位置に例えば真空吸引等で対向して配置する（図６（ｃ））。封止基板４１には光透過性やハンドリング性、後の封止膜エッチング工程による反応生成物の影響を考慮して、石英ガラスが使用されている。封止基板４１の厚みは０．５ｍｍ〜１．２ｍｍが好適である。本実施形態においては０．７ｍｍの基板を用いている。
対向して配置された封止基板４１を所定の押し圧で加圧し、基材１１と封止基板４１とに挟まれて、いまだ固化していない充填剤４２を平面視でまんべんなく押し広げる。この際、封止基板４１の端部（端子部１１ｔとの境界面）から充填剤４２がはみ出て端子部１１ｔにかかり、実装端子１０１まで覆ってしまうことも懸念される。したがって、充填剤４２の塗布量の調整、封止基板４１の平面積、加圧の程度により、充填剤４２が端子部１１ｔにはみ出さないように管理することが好ましい。ちなみに、充填剤４２の内部に気泡の残りがあると表示不良を引き起こす可能性もあるので、真空（大気圧以下）雰囲気の元で押し圧作業を行うことがより好ましい。
上記作業の後、充填剤４２の硬化条件となる温度および時間にて充填剤４２を固化し、素子基板１０と封止基板４１とを接着する。なお、封止基板４１を加圧することにより充填剤４２を平面的に延在させるため、前述したステップＳ３にて充填剤４２を表示領域Ｅ１全体に塗布することは特に求めない。続いて、ステップＳ５に続く。

＜封止膜エッチング工程（ステップＳ５）＞
図７（ｄ）に示すように、封止基板４１をマスクとして、端子部１１ｔを覆う第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃをエッチングする。シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y）およびシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_XＮ_Y）などの無機膜からなる第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃを選択的にエッチングする方法として、ＣＨＦ₃（三フッ化メタン）、ＣＦ₄（四フッ化炭素）、ＮＦ₃（三フッ化窒素）、ＳＦ₆（六フッ化硫黄）などのフッ素系処理ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。ドライエッチングは所定のガス流量、チャンバー圧力のもと高周波電圧を印加することにより行われる。ガス種に応じたプラズマ粒子（図７（ｄ）の矢印５０）が封止膜（３４ａ，３４ｃ）や封止基板４１などに照射されることで、プラズマ粒子と被照射物である封止膜（３４ａ、３４ｃ）などとが化学反応を起こし揮発性物質を生成することにより、被照射物を削り取る。

端子部１１ｔ（実装端子１０１）では、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとが重なっている。そして双方の封止膜（３４ａ，３４ｃ）は、共にシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_XＮ_Y）のいずれかであり、ＳｉまたはＳｉＯを主成分としている。よって、同種のエッチングガスで第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを一括除去することが可能となる。一方、マスクとなる封止基板４１は、先に述べたように石英ガラスで構成されている。当然ながら石英ガラスもＳｉＯで構成されているため、封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングする際に同じくエッチングされる。

本実施形態において、封止膜（３４ａ，３４ｃ）の膜厚はおよそ１２００ｎｍ（第１封止膜３４ａの厚み：４００ｎｍ＋第２封止膜３４ｃの厚み：８００ｎｍ）であり、一方、封止基板４１の厚みは７００μｍである。よって、封止基板４１は封止膜（３４ａ，３４ｃ）を除去するために十分な厚みを有し、封止膜エッチング工程でのマスクとして機能している。
実装端子１０１には先に述べたようにアルミニウム（Ａｌ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用されている。よって、端子部１１ｔを覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）を除去した後には、実装端子１０１自体が良好なエッチングストップ材となり、実装端子１０１は封止膜エッチング工程に対して保護される。
なお、実装端子１０１と封止基板４１との位置する高さの違いから、一概に材質のみではエッチングレートが決まらないこともある。

続いて、封止基板４１となる石英ガラスがエッチングされた場合の端子部１１ｔへの影響を考察する。石英ガラスは、例えばＣＦ₄を用いたエッチングによると、下記の反応式（１）をたどり、ＳｉＦ₄やＣＯ_Xなどの揮発性物質となる。式（１）中、「＊」はラジカルを、「↑」は揮発することを表している。
ＳｉＯ₂＋ＣＦ₃＋Ｆ^*＝ ＳｉＦ₄↑＋ＣＯ_X↑・・・（１）
エッチングを継続させるためにはプロセス中、エッチングガスを流入し続ける一方で、プロセス内のガスを常に排気する必要がある。そのため、封止膜エッチング工程で生じたＳｉＦ₄やＣＯ_Xなどの揮発性物質も、常に排気されている。よって、端子部１１ｔにはマスクとなっている封止基板４１の組成に起因した元素、その他化合物は堆積されない。つまり、封止膜（３４ａ，３４ｃ）除去後の実装端子１０１の表面にも、封止基板４１の組成に起因した元素等は堆積されないこととなる。よって、接続信頼性の高い実装端子１０１の表面状態を実現できる。

なお、マスクとして封止基板４１を用いた場合、封止膜エッチング工程の前後における封止基板４１自体の光透過性についても検証する必要がある。なぜなら、封止基板４１の表面も先の式（１）に示す通りエッチングされ、その表面に微細な凹凸を生じる可能性があるからである。封止基板４１の光透過率の測定結果によると、封止膜エッチング工程の前後において光透過率の低下の度合いは１％を切るものであった。ゆえに、光学特性の面からも石英ガラスをマスクとして用いることは十分に実効性のあるものである。

次に、封止基板４１の一例として、本実施形態で用いた石英ガラスに代えて、ＳｉＯ成分およびＳｉＯ以外の成分を含む入手容易なガラス、例えば無アルカリガラスを封止基板４１として用いた場合を述べる。なお、封止基板４１の材質の違い以外は、同じエッチング工程での実験である。
同様のプロセスで、端子部１１ｔの封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングしたのちに、端子部１１ｔの確認を行った。そうすると、端子部１１ｔには、実体顕微鏡下では認識できないが、端子部１１ｔをエタノールなどで拭きあげた際に剥離し、視認可能となる堆積物が残存していた。そしてこの堆積物を組成分析したところ、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）の酸化物、フッ化物（エッチングガスとの反応生成物）が確認された。これらの元素は当該無アルカリガラスに含有される元素であり、端子部１１ｔの汚染原因となっていた。よって、ＳｉＯ以外の成分を含むガラスを第２基板とし、封止膜エッチング工程のマスクとして使用するならば、さらに端子部１１ｔの物理的、あるいは化学的な洗浄プロセスを付加しなければならない。
一方で、本実施形態のように石英ガラスをマスクとして用いた場合には、先に述べたように、石英ガラスの組成由来の反応生成物を端子部１１ｔに堆積させることはない。すなわち、封止膜エッチング工程の後の状態で、すでにＦＰＣ１０５との接続に良好な実装端子１０１の表面状態を実現できる。

上記のプロセスで素子基板１０の端子部１１ｔ（実装端子１０１）を露出させたのち（図７（ｅ））、図２に示すように実装端子１０１にＦＰＣ１０５を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。

上記有機ＥＬ装置１００の製造方法は、１つの有機ＥＬ装置１００を単位として説明したが、実際には、有機ＥＬ装置１００における有機ＥＬパネル（ＦＰＣ１０５が実装される前の状態）を複数同時に形成することが考えられる。以降、マザー基板を用いた例について説明する。
図８（ａ）は複数の素子基板１０が面付け（レイアウト）され、封止基板４１をそれぞれに配置したマザー基板を示す概略平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ線概略断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）における部分拡大図である。

図８（ａ）に示すように、マザー基板１１Ｗは、ウェハー状の例えば石英ガラス基板であって、大きさは例えば直径２００ｍｍ〜３００ｍｍであり、外周の一部を切り欠くことによって面方位を表すオリフラが設けられている。オリフラを基準として、Ｘ方向とＹ方向およびこれらに直交する方向をＺ方向としている。最終的に有機ＥＬ装置１００として小片化する際のスクライブラインをＳＬとしている。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であることから、前述したように、素子基板１０の基材１１は、透明な石英ガラス基板のみならず、不透明な例えばシリコン基板を用いることができる。つまり、マザー基板１１Ｗとしてシリコンウエハーを用いることもできる。

マザー基板１１Ｗにおいて、複数の基材１１がマトリックス状に面付けされた状態で、素子基板１０が形成される。複数の有機ＥＬ素子３０が形成された素子基板１０について、封止層形成工程（ステップＳ１）にて封止層３４が形成される。続いて、ステップＳ２のカラーフィルター形成工程にて、カラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）が形成される。続いて、できあがった状態の素子基板１０のそれぞれに対して、充填剤塗布工程（ステップＳ３）にて、充填剤４２が塗布される。
基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）では封止基板４１を素子基板１０にアライメントしながら重ね合せる。封止基板４１は、端子部１１ｔ（実装端子１０１）に覆いかぶらないように配置されている（図８（ａ）〜（ｃ））。そして、熱硬化型である充填剤４２を加熱し硬化させることにより、素子基板１０と封止基板４１とを貼り合せる。
封止膜エッチング工程（ステップＳ５）にて、封止基板４１をマスクとして、端子部１１ｔを覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングして取り除く。この際、端子部１１ｔを覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）だけではなく、マザー基板１１Ｗ上で封止基板４１に覆われていない部分（スリット部４５）の封止膜（３４ａ，３４ｃ）も除去されている。すなわち、スクライブラインＳＬ上の封止膜（３４ａ，３４ｃ）は除去された状態となっている。

その後に、隣り合う素子基板１０の間の仮想のスクライブラインＳＬに沿って、マザー基板１１Ｗを切断することにより、小片化された個々の有機ＥＬ装置１００を取り出す。スクライブラインＳＬ上の封止膜（３４ａ，３４ｃ）は、封止膜エッチング工程で除去されているため、マザー基板１１Ｗの切断において、例えば切断ブレードの回転により封止膜（３４ａ，３４ｃ）を巻き込むことが少ない。よって、素子基板１０の外縁側の封止膜（３４ａ，３４ｃ）にクラックや剥がれの生ずることを低減することができるため、良好なガスバリア性を保つことができる。ちなみに、切断方法としては、超硬チップやダイヤモンドチップを使ったスジ入れスクライブ法やダイヤモンドブレードを使ったダイシング法が挙げられる。

なお、マザー基板１１Ｗを用いた有機ＥＬ装置１００の製造方法は、素子基板１０側だけに限定されない。すなわち、素子基板１０が面付けされたマザー基板１１Ｗと、封止基板４１が面付けされた封止用マザー基板とを貼り合せて、切断する方法にも適用できる。

図９は、マザー基板１１Ｗと封止用マザー基板４１Ｗとを貼り合せた状態での、有機ＥＬ装置１００の他の製造方法を示す概略図である。図９（ａ）は、図８（ａ）Ｃ−Ｃ線断面に対応する箇所の概略断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）にて端子部１１ｔに掛かる領域にある封止用マザー基板４１Ｗをスクライブ除去した概略断面図である。図９（ｃ）は、図８（ｃ）に対応した部分拡大図である。

何ら加工が施されていない封止用マザー基板４１Ｗを用いた場合、マザー基板１１Ｗとの貼り合せ後の状態において、封止用マザー基板４１Ｗは端子部１１ｔを覆った状態にある（図９（ａ））。そして、先に述べたように端子部１１ｔは充填剤４２によって覆われていないので、封止用マザー基板４１Ｗと端子部１１ｔとは、充填剤４２を介して接着されていない。
ここで、ステップＳ５の封止膜エッチング工程を行うためには、少なくとも端子部１１ｔに掛かる封止用マザー基板４１Ｗを除去する必要がある。そのために、まず端子部１１ｔの幅程度（実装端子１０１のＹ方向両端より広め）に、ラインＳＬ１およびラインＳＬ２の位置を定める（図９（ａ），（ｃ））。続いてラインＳＬ１とラインＳＬ２とに沿って、封止用マザー基板４１ＷのＸ方向の一端から他端まで横断するように、スクライブする。これを実装端子１０１のＹ方向の列数ごとに繰り返す。
スクライブされたラインＳＬ１およびラインＳＬ２の下には、封止用マザー基板４１Ｗの厚み方向（Ｚ方向）に向かって亀裂が生じる。この亀裂によって、封止用マザー基板４１Ｗは、ラインＳＬ１とラインＳＬ２とで複数に分断される。そして、端子部１１ｔは充填剤４２で覆われていないことから、端子部１１ｔに掛かる封止用マザー基板４１Ｗを吸引等により取り除くことができ、容易に端子部１１ｔを露出させることができる（図９（ｂ）および図９（ｃ）のドットハッチ部）。
本スクライブは水を使用しないドライカットを適用できるため、例えば乾燥工程等を介さずに利用することもできる。なお、ウエットスクライブを排除するものでは無い。
このようにして、端子部１１ｔに掛かる封止用マザー基板４１Ｗを除去した後に、ステップＳ５の封止膜エッチング工程に進み、前述した方法で有機ＥＬ装置１００を製造する。

以上、上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）端子部１１ｔを覆う第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとをエッチングする際に、石英ガラスで構成された封止基板４１をエッチングマスクとして用いている。マスクである石英ガラスの表面も一部エッチングされるが、揮発性物質となり排気される。よって、封止膜エッチング工程中、封止基板４１を起因とするエッチング残留物が、端子部１１ｔを汚染することがない。つまり、端子部１１ｔに形成されている実装端子１０１の表面を汚染することもない。すなわち、実装端子１０１とＦＰＣ１０５との電気的な接続において高い信頼接続性を有する有機ＥＬ装置１００を製造及び提供することができる。
（２）実装端子１０１の表面の汚染を防ぐことが可能であるため、追加での物理的あるいは化学的な洗浄を必要とせず、プロセス工数を削減できる。よって、より安価に有機ＥＬ装置１００を製造することができる。
（３）マザー基板１１Ｗと、封止基板４１とを用いて、有機ＥＬ装置１００を構成した場合（図８）、封止膜エッチング工程（ステップＳ５）において、端子部１１ｔに重なる封止膜（３４ａ，３４ｃ）のみならず、スクライブラインＳＬに沿ったスリット部４５を覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）もエッチングされる。すなわち、マザー基板１１Ｗを切断する前の段階で、スクライブラインＳＬ上の封止膜（３４ａ，３４ｃ）が除去されている。つまり、マザー基板１１Ｗの切断において、素子基板１０の外縁側の封止膜（３４ａ，３４ｃ）にクラックや剥がれの生ずることを低減することができる。よって、水分等の入り込む余地を可能な限り抑えた、ガスバリア性の良好な有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２実施形態にかかる有機ＥＬ装置について、図１０および図１１を用いて説明する。図１０は第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図、図１１は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図である。図１０は、第１実施形態の図４に相当する図であり、図１１は第１実施形態の図７（ｄ）に相当する図である。
第２実施形態の構成上、第１実施形態と異なるところは、封止基板４１の上部（封止基板４１に対して、充填剤４２が接着する面と反対の面）に保護部材６０が形成されているところである。そのため、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付し、その説明を省略する。

図１０および図１１において、保護部材６０は封止基板４１の上部に形成されている。そして、保護部材６０は封止膜エッチング工程において、封止基板４１を保護するために用いられている。なお、図１０および図１１で、保護部材６０は封止基板４１の全面を覆うように形成されているが、必ずしも全面にわたって形成される必要はない。たとえば、封止基板４１の上部で、端子部１１ｔ近傍にのみ形成されていても、本実施形態における効果を発揮するものである。
以下に、本実施形態で利用可能な保護部材６０の具体的態様について述べる。

＜第１の構成：保護部材６０を感光性樹脂とする＞
第１の構成によれば、保護部材６０には感光性樹脂を用いることができる。感光性樹脂とは、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）を主要元素として含む高分子材料をいい、ここでは封止膜エッチング工程におけるエッチング耐性の面から、ノボラック系樹脂やポリエチレン系樹脂であることがとくに好ましい。
封止膜エッチング工程に用いられるフッ素系ガスは、上記の感光性樹脂に対してもエッチャントとして機能する。そして、エッチング耐性は、含有する炭素数量の違いによって変動する。一般的に炭素数量の多い高分子材料においては、炭素（Ｃ）を含有しない無機材料に比べてフッ素系ガスに対するエッチング耐性が高い。言い換えれば、エッチングレートが低い。
そのため、炭素を主要な構成元素に含む感光性樹脂のエッチングレートは、Ｓｉ系およびＳｉＯ系の無機材料で構成されている封止膜（３４ａ，３４ｃ）に対するエッチングレートよりも低くなる。つまり、感光性樹脂は封止膜（３４ａ，３４ｃ）のエッチング用マスクとして好適となる。

感光性樹脂のエッチングレートが封止膜（３４ａ，３４ｃ）よりも低いということは、感光性樹脂のエッチング残留物も相対的に少ないと言い換えることができる。よって、封止膜（３４ａ，３４ｃ）除去後の実装端子１０１に対して、保護部材６０たる感光性樹脂のエッチング残留物による汚染も低減できるということである。
なお、仮に感光性樹脂のエッチング残留物が、実装端子１０１に付着したとしても、ここでのエッチング残留物は炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）を主成分とする有機物であることから、たとえばアセトンなどの有機溶剤を用いて容易に溶解し、取り除くこともできる。

また、封止基板４１の上に保護部材６０を形成することから、封止膜エッチング工程において、封止基板４１の表面を保護することができる。そのため、封止基板４１はエッチングガスによるプラズマ粒子の照射を直接受けることはなく、封止基板４１からのエッチングによる残留物が生じない。よって、有機ＥＬ素子３０からの発光に対して透明である材料であれば、いずれも封止基板４１の候補として選択可能となる。すなわち、石英ガラスのみならず、ソーダガラスや無アルカリガラスなど、ＳｉＯを主成分とするその他のケイ酸塩ガラスを用いることもできる。

保護部材６０である感光性樹脂を封止基板４１に形成する方法として、いわゆるスピンコート法を用いることができる。以下に、その方法を述べる。
第１実施形態の図９（ａ）で説明したように、マザー基板１１Ｗと封止用マザー基板４１Ｗとを、充填剤４２を介して貼り合わせ固着させる。固着させた状態で、感光性樹脂と有機溶剤とを混ぜ合わせたレジスト液を、封止用マザー基板４１Ｗ上に滴下し、封止用マザー基板４１Ｗを高速回転させる。高速回転により働く遠心力によって、レジスト液は略均一な厚みで封止用マザー基板４１Ｗ上に塗布される。レジスト液の膜厚は、回転数、レジスト液の滴下量、レジスト液の粘度などいくつかの条件で調整可能である。本実施形態においては、封止膜（３４ａ、３４ｃ）に対するエッチングマスクとしての耐性の観点から、１．０μｍ〜５．０μｍの範囲とした。
続いて、レジスト液の性質に応じた温度で加熱し、溶剤を揮発させて感光性樹脂を封止用マザー基板４１Ｗ上に形成する。
なお、塗布後の感光性樹脂について、図９（ａ）および図９（ｃ）に記載のスクライブライン（ＳＬ、ＳＬ１、ＳＬ２）にあたる部分を、露光〜現像により除去することも可能である。しかしながら、該感光性樹脂はその存否によってスクライブ工程の目的であるスクライブに影響を与えないため、あえて除去しなくても良い。
上記のようにして、感光性樹脂が封止用マザー基板４１Ｗに形成される。
その後、封止用マザー基板４１Ｗをスクライブして端子部１１ｔを露出させ（図９（ｂ））、封止膜エッチング工程（図１１）と進み、封止膜（３４ａ，３４ｃ）を取り除く（図１０）。

封止膜（３４ａ，３４ｃ）を封止膜エッチング工程で取り除いた時点では、封止用マザー基板４１Ｗに感光性樹脂が形成されたままである。この状態で有機ＥＬ装置２００として動作させた場合、有機ＥＬ素子３０からの発光に対して、感光性樹脂の吸収特性に応じた波長の光を一部吸収してしまい、所望の輝度を得ることができない。そのため、封止膜エッチング工程のあとに、感光性樹脂を取り除く必要がある。感光性樹脂の除去には、酸素プラズマを用いたアッシングを用いることが好適である。アッシングとは、酸素プラズマを感光性樹脂に照射することにより、感光性樹脂を主に二酸化炭素（ＣＯ₂）と、水（Ｈ₂Ｏ）に分解する手法である。これら二酸化炭素（ＣＯ₂）や水（Ｈ₂Ｏ）は揮発するため、アッシングによる感光性樹脂の反応生成物が端子部１１ｔ（実装端子１０１）を汚染することは無い。
続いて、第１実施形態と同様に、スクライブラインＳＬに沿ってダイシングを行い、小片化することによって有機ＥＬ装置２００の完成となる。
なお、第１実施形態の図８に示したように、保護部材６０が形成された封止基板４１をマザー基板１１Ｗの上にそれぞれ配置することにより、有機ＥＬ装置２００を製造することも可能である。

＜第２の構成：保護部材６０をシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、およびアルミ酸化膜のいずれかで構成する＞
保護部材６０について、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y）、
シリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_XＮ_Y）（以下、シリコン酸化膜等）、およびアルミ酸化膜（Ａｌ₂Ｏ₃）のいずれかを用いることができる。シリコン酸化膜等はそのガスバリア性や光透過性の点から、先に述べた封止膜（３４ａ，３４ｃ）として用いられている。そのため、封止膜（３４ａ，３４ｃ）の製造プロセスを用いて、封止基板４１上に保護部材６０を形成することもできる。

アルミ酸化膜を保護部材６０として用いた場合には、シリコン酸化膜等を用いた場合に比べて、より一層、封止基板４１を保護できる。なぜなら、封止膜エッチング工程で使用するガスは前述のとおり主にフッ素系であるが、アルミ酸化膜をエッチングする際には主に塩素（Ｃｌ）系ガスを用いるためである。つまり、封止膜エッチング工程において、保護部材６０としてのアルミ酸化膜は、封止膜（３４ａ，３４ｃ）と比べてエッチングされにくいため、封止基板４１を確実に保護することができる。アルミ酸化膜を封止基板４１上に形成する方法は、公知の真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などが挙げられる。

なお、封止膜エッチング工程を終えたのちに、マスクとしての役割を終えたシリコン酸化膜等およびアルミ酸化膜が、封止基板４１上に残っているとしても本構成においては問題にはならない。なぜなら、シリコン酸化膜等およびアルミ酸化膜は、有機ＥＬ素子３０の発光に対する光透過性を十分確保でき、有機ＥＬ装置２００としての発光特性を十分に担保しえるからである。よって、封止基板４１からシリコン酸化膜等およびアルミ酸化膜をあえて取り除く必要がないため、これらの保護部材６０を除去する専用工程を必要としない。

ここで、保護部材６０と封止膜（３４ａ，３４ｃ）とを同一の材料を主成分として形成することはさらに望ましい。例えば、双方をシリコン酸化膜等のうちいずれか一の材料を主成分とする材料で形成することによって、封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングする工程で、保護部材６０も封止膜（３４ａ，３４ｃ）と同様に気化される。よって、保護部材６０の反応生成物が残留しないので、残留物が実装端子１０１へ影響を及ぼすことがない。

＜第３の構成：封止膜（３４ａ，３４ｃ）の主成分をシリコン窒化膜とし、保護部材６０をシリコン酸化膜とする＞
エッチングガスを適宜選択することで、同一条件のもとでのエッチングレートは、下記の式（２）の関係とすることができる。
シリコン窒化膜（Ｓｉ_XＮ_Y） ＞ シリコン酸化膜（ＳｉＯ） ・・・（２）
よって、たとえば封止膜（３４ａ，３４ｃ）と保護部材６０とを同じ膜厚で形成したとしても、シリコン窒化膜で形成された封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングで取り除いた時点で、シリコン酸化膜で形成された保護部材６０を、封止基板４１の上に残存させることができる。つまり、封止基板４１を十分に保護することが可能となる。よって、封止基板４１のエッチングによる残留物が生じないため、実装端子１０１を汚染することなく、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

＜第４の構成：保護部材６０の材質を、封止基板４１の材質と屈折率が近しい材質にする＞
前述のとおり、封止基板４１からシリコン酸化膜等を除去する必要はないが、封止膜エッチング工程で保護部材６０のエッチングのムラが生じた場合、封止基板４１の屈折率と保護部材６０の屈折率との差によりエッチングムラが視認される可能性がある。
したがって、エッチングムラの視認性を抑えるためには、封止基板４１と保護部材６０の屈折率を近しいものにするとよい。
たとえば、封止基板４１が青板ガラスや無アルカリガラスである場合、保護部材６０としては屈折率が近しいシリコン酸化膜が好適である。

＜第５の構成：保護部材６０の厚みを、封止膜（３４ａ，３４ｃ）の厚みよりも厚くする＞
端子部１１ｔを覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）の厚みよりも、封止基板４１の上に形成された保護部材６０の厚みを厚くしてもよい。
ここで、封止膜（３４ａ，３４ｃ）の厚みとは、実装端子１０１の上に形成された第１封止膜３４ａの厚みと第２封止膜３４ｃの厚みとの合計の厚みである。保護部材６０の厚みとは、封止基板４１に形成された保護部材６０の厚みである。なお、それぞれの厚みの測定には透過型電子顕微鏡による断面観察、赤外線分光法による吸収特性、Ｘ線解析やＸ線光電子分光法による深さ分析など、種々の測定方法を採用することができる。封止膜（３４ａ，３４ｃ）と保護部材６０との測定方法を同じくして、かつ、それぞれ多点分析を行った上での平均をとることがより好ましい。
この構成によれば、例えば、同じエッチングレートを有する材料を封止膜（３４ａ，３４ｃ）と、保護部材６０とで使用した場合であっても、封止膜（３４ａ，３４ｃ）がエッチングで除去された時点で、保護部材６０はいまだ封止基板４１の上に残存している。つまり、封止基板４１の表面を確実に保護することが可能となる。よって、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

以上、上記第２実施形態によれば、前述した第１実施形態の効果に加えて、さらに下記の効果が得られる。
（第１の構成による効果）
（１）封止基板４１に保護部材６０である感光性樹脂を形成することによって、封止基板４１を保護することができる。よって、封止膜エッチング工程において封止基板４１がエッチングされることは無い。そのため、封止基板４１からはエッチングによる残留物が生じないので、封止膜エッチング工程において実装端子１０１を汚染することなく、接続信頼性の高い、有機ＥＬ装置２００を製造し、提供することができる。
（２）封止基板４１は有機ＥＬ素子３０からの発光に対して透明であれば良いので、封止基板４１の材料選択の幅が広がる。よって、高い生産性と高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置２００を提供することができる。
（３）感光性樹脂（保護部材６０）のエッチングレートは、封止膜（３４ａ，３４ｃ）のエッチングレートよりも低いので、感光性樹脂（保護部材６０）からのエッチング残留物を低減できる。よって、感光性樹脂（保護部材６０）のエッチング残留物によって実装端子１０１を汚染することはなく、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

（第２の構成による効果）
（１）保護部材６０をシリコン酸化膜等とすることで、封止膜（３４ａ，３４ｃ）の製造プロセスを保護部材６０の形成に転用可能となる。また、封止基板４１を確実に封止膜エッチング工程から保護することができる。よって、高い生産性と高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置２００を提供することができる。
（２）保護部材６０をアルミ酸化物とすることで、封止膜エッチング工程にて保護部材６０自体をエッチングから保護することができる。同時に、封止基板４１を確実に封止膜エッチング工程から保護することができる。よって、高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置２００を提供することができる。
（３）保護部材６０をシリコン酸化膜等およびアルミ酸化物等とすることで、封止膜エッチング工程の後に、封止基板４１から保護部材６０を取り除く必要がない。つまり保護部材６０を除去するための専用工程を必要とせず、高い生産性を有する有機ＥＬ装置２００を提供することができる。
（４）封止膜（３４ａ，３４ｃ）と保護部材６０とを共にシリコン酸化物等とすることにより、封止膜エッチング工程で、保護部材６０も封止膜（３４ａ、３４ｃ）と同様に気化され、保護部材６０の反応生成物が残留しないので、残留物が実装端子１０１へ影響を及ぼすことがない。

（第３の構成による効果）
封止膜（３４ａ，３４ｃ）の主成分をシリコン窒化膜とし、保護部材６０をシリコン酸化膜とすると、エッチングガスを適宜選択することで、シリコン酸化膜のエッチングレートよりもシリコン窒化膜のエッチングレートを大きくすることができる。これによれば、封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングで取り除いた時点で、保護部材６０は、いまだ封止基板４１の上に残存している。つまり、封止基板４１を十分に保護することが可能となる。よって、封止基板４１のエッチングによる残留物が生じないため、実装端子１０１を汚染することなく、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

（第４の構成による効果）
封止基板４１の屈折率と保護部材６０の屈折率とを近しいものにすることで、封止膜エッチング工程で保護部材６０のエッチングのムラが生じた場合でも、封止基板４１の屈折率と保護部材６０の屈折率との差によるエッチングムラが視認されることを回避できる。

（第５の構成による効果）
端子部１１ｔを覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）の厚みよりも、封止基板４１の上に形成された保護部材６０の厚みを厚くしてもよい。この場合、例えば同じエッチングレートを有する材料を、封止膜（３４ａ，３４ｃ）と保護部材６０とで使用した場合であっても、封止膜（３４ａ，３４ｃ）がエッチングで除去された時点で、保護部材６０はいまだ封止基板４１の上に残存している。つまり、封止基板４１の表面を確実に保護することが可能となる。よって、接続信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

＜上記実施形態の製造方法を用いていることを推定する方法＞
「実装端子１０１の表面にフッ素がある」ことで、実装端子１０１の上の封止膜（第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃ）をエッチングしたことが強く推定することができる。

また、「封止基板４１（保護部材６０も含む）の表面があれている」ことで、封止基板４１がある状態でエッチングしたことが強く推定することができる。

更に、「実装端子１０１の表面の不純物が少ない」ことで、封止基板４１由来のエッチング生成物が付着しない製造方法が適用されていることが強く推定することができる。

上記方法に加えて、「封止基板４１の材料が石英である」ことで、第１実施形態の製造方法を用いたことが推定できる。また、「封止基板４１の表面に保護部材６０がある」ことで、第２実施形態の製造方法を用いたことが推定できる。

具体的には、比較例として、上記したように封止基板４１が無アルカリガラスの場合の「封止基板４１の表面」は、エッチングガスに暴露されるため、あれる。「実装端子１０１の表面、又は封止基板４１の表面のフッ素分」は、エッチングガスに起因して付着する。また、洗浄が困難なため残る。「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」は、封止基板４１に含有される不純物に起因して、エッチングによる生成物は揮発しにくく、付着する。

一方、第１実施形態の「封止基板４１の表面」は、封止膜（第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃ）のエッチングに用いるエッチングガスに暴露されるため、あれる。「実装端子１０１の表面、又は封止基板４１の表面のフッ素分」は、エッチングガスに起因して付着する。また、洗浄が困難なため残る。「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」は、エッチングによる生成物は揮発するので、付着は無い。

また、第２実施形態（保護部材６０：感光性樹脂などで残さないもの）の「封止基板４１の表面」は、あれない。「実装端子１０１の表面、又は封止基板４１の表面のフッ素分」は、エッチングガスに起因して付着する。また、洗浄が困難なため残る。「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」は、エッチングによる生成物は揮発するので、付着は無い。

また、第２実施形態（保護部材６０：残すもの）の「保護部材６０の表面」は、封止膜（第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃ）のエッチングに用いるエッチングガスに暴露されるため、あれる。「実装端子１０１の表面のフッ素分」は、エッチングガスに起因して付着する。また、洗浄が困難なため残る。「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」は、エッチングによる生成物は揮発するので、付着は無い。

また、封止基板４１をマスクとして用いずに封止膜（第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃ）をエッチングした場合（物理マスクなどを用いた場合）の「封止基板４１の表面」は、あれない。「実装端子１０１の表面のフッ素分」は、封止基板４１がないため、洗浄で除去される可能性が高い。「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」の付着は無い。

また、封止膜（第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃ）をエッチングしなかった場合（封止膜をパターニングで形成した場合、隔壁２８のパターニング時に実装端子１０１の表面がエッチングガスに暴露された場合）の「封止基板４１の表面」は、あれない。「実装端子１０１の表面のフッ素分」は、エッチングしていないため無い。更に、「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」の付着は無い。

なお、エッチングした後の封止基板４１の表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以上、例えば５ｎｍ程度である。「実装端子１０１の表面のフッ素分」は、エッチングガスに起因して付着する場合、例えば、５ａｔ％以上である。「実装端子１０１の表面の不純物（フッ素分以外、ＡｌやＣａなど）」は、例えば、１ａｔ％以上である。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１２に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００（または上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、高い生産性を有しているのでコストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例）
上記第１〜第２実施形態においては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色表現をするためカラーフィルター３６を用いた有機ＥＬ装置１００，２００について記載したが、これに拘るものでは無い。例えば、３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光をする有機ＥＬ素子３０を用いたＲＧＢ塗り分け方式、青（Ｂ）発光から蛍光体の色変換層を通して赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の発光を得る色変換方式など、その他の多様な色表現方法を有する有機ＥＬ装置に本発明を適用することが可能である。

１０…素子基板、１１…基材、１１ａ…第１絶縁膜、１１ｂ…第２絶縁膜、端子部１１ｔ…端子部、１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）…サブ画素、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１封止膜、３４ｂ…緩衝膜、３４ｃ…第２封止膜、４１…封止基板、４２…充填剤、６０…保護部材、１００，２００…有機ＥＬ装置、１０１…実装端子、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ。

Claims (9)

1. 第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、
   少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、
   前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、
   前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、
   を有し、
   前記第２基板は、エッチングガスと反応して気化する石英ガラスからなり、
   前記封止膜をエッチングする工程において、前記第２基板をマスクとして用いることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 前記封止膜はシリコン酸窒化膜を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、
   少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、
   前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、
   前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、
   を有し、
   前記封止膜をエッチングする工程において、前記第２基板の少なくとも一部を覆う保護部材をマスクとして用い、
   前記封止膜と前記保護部材とが同一の材料を主成分とすることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、
   少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、
   前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、
   前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、
   を有し、
   前記封止膜をエッチングする工程において、前記第２基板の少なくとも一部を覆う保護部材をマスクとして用い、
   前記保護部材はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、アルミ酸化膜のいずれかを含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、
   少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、
   前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、
   前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、
   を有し、
   前記封止膜をエッチングする工程において、前記第２基板の少なくとも一部を覆う保護部材をマスクとして用い、
   前記封止膜のエッチングレートは、前記保護部材のエッチングレートより大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 前記封止膜はシリコン窒化膜を主成分とし、前記保護部材がシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、
   少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、
   前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、
   前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、
   を有し、
   前記封止膜をエッチングする工程において、前記第２基板の少なくとも一部を覆う保護部材をマスクとして用い、
   前記第２基板はＳｉＯ（酸化シリコン）を主成分とし、かつＳｉＯ以外の成分を含有するガラスであり、前記保護部材はシリコン酸化膜であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
8. 第１基板上に有機ＥＬ素子と実装端子とを形成する工程と、
   少なくとも前記有機ＥＬ素子と前記実装端子とを覆うように封止膜を形成する工程と、
   前記第１基板に対して充填剤を介して第２基板を貼り合せる工程と、
   前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、
   を有し、
   前記封止膜をエッチングする工程において、前記第２基板の少なくとも一部を覆う保護部材をマスクとして用い、
   前記保護部材の厚みは、前記実装端子を覆う部分の前記封止膜の厚みよりも厚いことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
9. 前記保護部材の厚みは、前記実装端子を覆う部分の前記封止膜の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。

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