KR20220146727A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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윤홍민
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강신택
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Abstract

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치된 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역으로 연장된 뱅크, 상기 뱅크 상에 배치되며, 상기 뱅크를 커버하는 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 배치되며, 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층, 상기 제1 오버코트층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역에서 서로 적층된 복수의 컬러 필터, 상기 복수의 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층, 및 상기 제2 오버코트층 상에 배치된 광학 기능층을 포함하며, 상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변, 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변, 및 상기 제2 오버코트층의 측변은 상호 정렬된다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{Display device and method for manufacturing of the same}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치의 화상을 표시하는 장치로서 유기 발광 표시 패널이나 액정 표시 패널과 같은 표시 패널을 포함한다. 그 중, 발광 표시 패널로써, 발광 소자를 포함할 수 있는데, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 경우, 유기물을 발광 물질로 이용하는 유기 발광 다이오드(OLED), 무기물을 발광 물질로 이용하는 무기 발광 다이오드 등이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 장치의 가장자리에서의 빛샘을 방지하고, 뱅크 및 광학 기능층의 들뜸을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치된 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역으로 연장된 뱅크, 상기 뱅크 상에 배치되며, 상기 뱅크를 커버하는 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 배치되며, 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층, 상기 제1 오버코트층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역에서 서로 적층된 복수의 컬러 필터, 상기 복수의 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층, 및 상기 제2 오버코트층 상에 배치된 광학 기능층을 포함하며, 상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변, 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변, 및 상기 제2 오버코트층의 측변은 상호 정렬될 수 있다.
상기 뱅크의 측변은 상기 기판의 측변으로부터 상기 표시 영역을 향하는 방향으로 이격될 수 있다.
상기 기판과 상기 발광 소자층 사이에 배치된 제1 절연층을 더 포함하며, 상기 캡핑층의 적어도 일부는 상기 비표시 영역에서 상기 제1 절연층과 접촉하여 상기 기판과 나란하게 배치될 수 있다.
상기 캡핑층의 적어도 일부는 상기 기판의 측변과 상기 뱅크의 측변 사이에 배치되며, 상기 캡핑층의 측변은 상기 기판의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상기 제1 절연층의 측변은 상기 기판의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상기 복수의 컬러 필터는 서로 다른 색의 광을 투과시키는 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터를 포함하며, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 오버코트층 상에 배치되고, 상기 제1 컬러 필터는 상기 제2 컬러 필터 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 제3 컬러 필터를 더 포함하며, 상기 제3 컬러 필터는 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터가 각각 투과시키는 광의 색과 다른 색의 광을 투과시킬 수 있다.
상기 발광 소자층은 상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 발광 소자 상에 배치된 박막 봉지층을 포함하며, 상기 박막 봉지층은 상기 복수의 발광 소자 상에 배치된 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치된 봉지 유기막, 및 상기 봉지 유기막 상에 배치된 제2 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 소자는 유기 발광 다이오드 또는 무기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 광학 기능층의 측변은 상기 기판의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상기 광학 기능층의 측변은 상기 기판의 측변으로부터 외측으로 돌출되거나 상기 기판의 측변으로부터 내측으로 이격될 수 있다.
상기 기판의 상기 비표시 영역에 배치된 복수의 격벽 및 지지대를 더 포함하며, 상기 복수의 격벽 및 상기 지지대는 상기 뱅크에 의해 커버되며 상기 복수의 컬러 필터와 중첩할 수 있다.
상기 기판의 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 뱅크에 형성된 제1 트렌치를 더 포함하며, 상기 제1 트렌치는 상기 표시 영역을 둘러쌀 수 있다.
상기 제1 트렌치는 폐루프 형상으로 이루어질 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, 상기 표시 영역 상에 발광 소자층을 형성하는 단계, 상기 발광 소자층 상에 뱅크 및 제1 트렌치를 동시에 형성하는 단계, 상기 뱅크 및 상기 제1 트렌치 상에 상기 뱅크 및 상기 제1 트렌치를 커버하는 캡핑층을 형성하는 단계, 상기 캡핑층 상에 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층을 형성하는 단계, 상기 비표시 영역의 상기 제1 오버코트층 상에 복수의 컬러 필터를 서로 적층하는 단계, 상기 복수의 컬러 필터 상에 상기 복수의 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층을 형성하는 단계, 상기 제1 트렌치와 대응되는 스크라이빙 라인을 따라 상기 기판을 스크라이빙하는 단계, 및 상기 제2 오버코트층 상에 광학 기능층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판을 스크라이빙하는 단계과 상기 광학 기능층을 형성하는 단계 사이에 상기 기판을 연마하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 광학 기능층을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판을 연마하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기판을 연마하는 단계에서, 상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변 및 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변이 상호 정렬될 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 상에 배치된 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역으로 연장된 뱅크, 상기 뱅크 상에 배치되며, 상기 뱅크를 커버하는 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 배치되며, 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층, 상기 제1 오버코트층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역에서 서로 적층된 복수의 컬러 필터, 상기 복수의 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층, 및 상기 제2 오버코트층 상에 배치된 광학 기능층을 포함하며, 상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변, 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변, 및 상기 제2 오버코트층의 측변은 상호 정렬되고, 상기 기판으로부터의 상기 제2 오버코트층의 높이는 상기 비표시 영역 및 상기 표시 영역에서 각각 동일할 수 있다.
상기 표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 제1 오버코트층의 높이는 상기 비표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 제1 오버코트층의 높이보다 클 수 있다.
상기 표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 뱅크의 높이는 상기 비표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 뱅크의 높이보다 클 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 뱅크의 측변이 기판의 측변보다 내측으로 이격되어 배치됨으로써, 뱅크가 외부의 수분이나 산소에 의해 들뜸이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 비표시 영역에 복수의 컬러 필터를 배치함으로써, 광이 새어나오는 빛샘을 방지하고 제2 오버코트층의 상면을 평탄하게 하여 광학 기능층이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대한 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B'선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6 내지 도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역을 나타낸 단면도이다.
도 16은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역을 나타낸 단면도이다.
도 17은 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 18 내지 도 24는 각각 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 이미지이다.
도 26은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면 이미지이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(10)에 포함될 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함할 수 있다. 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 유기 발광 다이오드 또는 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
이하, 표시 장치(10)를 설명하는 실시예의 도면에는 제1 방향(DR1), 제2 방향(DR2), 및 제3 방향(DR3)이 정의되어 있다. 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)은 하나의 평면 내에서 서로 수직한 방향일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 위치하는 평면에 수직한 방향일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 각각에 대해 수직을 이룬다. 표시 장치(10)를 설명하는 실시예에서 제3 방향(DR3)은 표시 장치(10)의 두께 방향을 나타낸다.
표시 장치(10)는 평면상 제1 방향(DR1)이 제2 방향(DR2)보다 긴 장변과 단변을 포함하는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 평면상 표시 장치(10)의 장변과 단변이 만나는 코너부는 직각일 수 있지만, 이에 제한되지 않으며, 라운드진 곡선 형상을 가질 수도 있다. 표시 장치(10)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 정사각형, 코너부(꼭지점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등 기타 다른 형상을 가질 수도 있다.
표시 장치(10)의 표시면은 두께 방향인 제3 방향(DR3)의 일측에 배치될 수 있다. 표시 장치(10)를 설명하는 실시예들에서 다른 별도의 언급이 없는 한, "상부"는 제3 방향(DR3) 일측으로 표시 방향을 나타내고, "상면"은 제3 방향(DR3) 일측을 향하는 표면을 나타낸다. 또한, "하부"는 제3 방향(DR3) 타측으로 표시 방향의 반대 방향을 나타내고, 하면은 제3 방향(DR3) 타측을 향하는 표면을 지칭한다. 또한, "좌", "우", "상", "하"는 표시 장치(10)를 평면에서 바라보았을 때의 방향을 나타낸다. 예를 들어, "우측"는 제1 방향(DR1) 일측, "좌측"는 제1 방향(DR1) 타측, "상측"은 제2 방향(DR2) 일측, "하측"은 제2 방향(DR2) 타측을 나타낸다.
표시 장치(10)는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DPA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DPA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다.
표시 영역(DPA)의 형상은 표시 장치(10)의 형상을 추종할 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DPA)의 형상은 표시 장치(10)의 전반적인 형상과 유사하게 평면상 직사각형 형상을 가질 수 있다. 표시 영역(DPA)은 대체로 표시 장치(10)의 중앙을 차지할 수 있다.
표시 영역(DPA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 일 방향에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소(PX)는 스트라이프 타입 또는 펜타일 타입으로 배열될 수 있다. 또한, 화소(PX)들 각각은 특정 파장대의 광을 방출하는 발광 소자를 하나 이상 포함하여 특정 색을 표시할 수 있다.
표시 영역(DPA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)을 전부 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DPA)은 직사각형 형상이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)의 4변에 인접하도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(10)의 베젤을 구성할 수 있다. 각 비표시 영역(NDA)들에는 표시 장치(10)에 포함되는 배선들 또는 회로 구동부들이 배치되거나, 외부 장치들이 실장될 수 있다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대한 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다. 도 4는 도 2의 B-B'선을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 영역(DPA)에는 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있다. 발광 영역(LA1, LA2, LA3)은 발광 소자에서 생성된 광이 외부로 방출되는 영역일 수 있으며, 비발광 영역(NLA)은 광이 외부로 방출되지 않는 영역일 수 있다. 일 실시예에서 표시 영역(DPA) 중 제1 방향(DR1)을 따라 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)이 순차적으로 반복 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭이 서로 같거나 다를 수 있다.
각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)들은 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에서 제1 발광 영역(LA1)은 제1 색의 광을 방출할 수 있고, 제2 발광 영역(LA2)은 제2 색의 광을 방출할 수 있으며, 제3 발광 영역(LA3)은 제3 색의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에서 상기 제1 색의 광은 440nm 내지 약 480nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색 광일 수 있으며, 상기 제2 색의 광은 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색 광일 수 있다. 또한 상기 제3 색의 광은 약 510nm 내지 약 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색 광일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 색의 광이 녹색 광이고 상기 제3 색의 광이 적색 광일 수도 있다.
이하, 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)의 구조에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 2와 결부하여 도 3을 참조하면, 표시 장치(10)는 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치된 발광 소자층(EML), 발광 소자층(EML) 상에 배치된 색 변환층(CCL), 및 색 변환층(CCL) 상에 배치된 광학 기능층(LFL)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 절연 기판일 수 있다. 기판(SUB)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 유리, 석영 등과 같은 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 리지드(rigid) 기판일 수 있다. 그러나, 기판(SUB)은 이에 한정되지 않으며 폴리이미드 등과 같은 플라스틱을 포함할 수도 있고, 휘어지거나, 벤딩되거나, 폴딩되거나, 롤링될 수 있는 플렉시블한(flexible) 특성을 가질 수도 있다. 기판(SUB)에는 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있다.
기판(SUB) 상에 스위칭 소자들(T1, T2, T3)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(SUB)의 제1 발광 영역(LA1)에 제1 스위칭 소자(T1)가 위치하고, 제2 발광 영역(LA2)에 제2 스위칭 소자(T2)가 위치하며, 제3 발광 영역(LA3)에 제3 스위칭 소자(T3)가 위치할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3) 중 적어도 어느 하나는 비발광 영역(NLA)에 위치할 수도 있다.
일 실시예에서 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3)는 각각 비정질 실리콘, 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터일 수 있다. 이외 도면에 도시하지 않았으나, 기판(SUB) 상에는 각 스위칭 소자에 신호를 전달하는 복수의 신호선들(예를 들어, 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인 등)이 더 위치할 수 있다. 또한, 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)들은 제1 절연층(120)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(120)은 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 또는 층간 절연막일 수 있다. 게이트 절연막 또는 층간 절연막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy), 실리콘 질화물(SiNx) 중 어느 하나를 포함하는 단층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3) 상에 제2 절연층(130)이 위치할 수 있다. 일 실시예에서 제2 절연층(130)은 평탄화막일 수 있다. 일 실시예에서 제2 절연층(130)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제2 절연층(130)은 포지티브 감광성 재료 또는 네거티브 감광성 재료를 포함할 수 있다.
제2 절연층(130) 상에 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)이 위치할 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1)은 제1 발광 영역(LA1)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제2 애노드 전극(AE2)은 제2 발광 영역(LA2)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 발광 영역(LA3)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1)은 제2 절연층(130)을 관통하여 제1 스위칭 소자(T1)와 연결되고 제2 애노드 전극(AE2)은 제2 절연층(130)을 관통하여 제2 스위칭 소자(T2)와 연결되고, 제3 애노드 전극(AE3)은 제2 절연층(130)을 관통하여 제3 스위칭 소자(T3)와 연결될 수 있다.
일 실시예에서 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)의 폭 또는 면적은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 애노드 전극(AE1)의 폭은 제2 애노드 전극(AE2)의 폭보다 작고, 제3 애노드 전극(AE3)의 폭은 제2 애노드 전극(AE2)의 폭보다 작고 제1 애노드 전극(AE1)의 폭보다 클 수도 있다. 또는 제1 애노드 전극(AE1)의 면적은 제2 애노드 전극(AE2)의 면적보다 작고, 제3 애노드 전극(AE3)의 면적은 제2 애노드 전극(AE2)의 면적보다 작고 제1 애노드 전극(AE1)의 면적보다 클 수도 있다. 또는 제1 애노드 전극(AE1)의 면적은 제2 애노드 전극(AE2)의 면적보다 작고, 제3 애노드 전극(AE3)의 면적은 제2 애노드 전극(AE2)의 면적 및 제1 애노드 전극(AE1)의 면적보다 클 수도 있다. 다만 전술한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)의 폭 또는 면적은 서로 실질적으로 동일할 수도 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 반사형 전극일 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은 물질층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 발광층(OL)에 가깝게 배치될 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 다층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에 화소정의막(150)이 위치할 수 있다. 화소정의막(150)은 제1 애노드 전극(AE1)을 노출하는 개구부, 제2 애노드 전극(AE2)을 노출하는 개구부 및 제3 애노드 전극(AE3)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있으며, 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)을 정의할 수 있다. 즉, 제1 애노드 전극(AE1) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제1 발광 영역(LA1)일 수 있다. 제2 애노드 전극(AE2) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제2 발광 영역(LA2)일 수 있다. 제3 애노드 전극(AE3) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제3 발광 영역(LA3)일 수 있다. 그 외에 화소정의막(150)이 위치하는 영역은 비발광 영역(NLA)일 수 있다.
화소정의막(150)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenes resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 화소정의막(150)은 후술할 색 변환층(CCL)의 뱅크와 중첩할 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에 발광층(OL)이 배치될 수 있다. 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치인 일 실시예에서, 발광층(OL)은 유기 물질을 포함하는 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은 유기 발광층을 포함하며, 경우에 따라 발광을 보조하는 보조층으로서 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 발광층(OL)은 두께 방향으로 중첩 배치된 복수의 유기 발광층과 그 사이에 배치된 전하생성층을 포함하는 탠덤(tandem) 구조를 가질 수 있다. 중첩 배치된 각 유기 발광층은 동일한 파장의 빛을 발광할 수도 있지만, 상이한 파장의 빛을 발광할 수도 있다.
일 실시예에서 발광층(OL)은 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 걸쳐 형성된 연속된 막의 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 발광층(OL)이 발광하는 빛의 파장은 동일할 수 있다. 예를 들어, 발광층(OL)은 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3)에서 청색 광 또는 자외선을 발광할 수 있다.
발광층(OL) 상에 캐소드 전극(CE)이 위치할 수 있다. 일 실시예에서 캐소드 전극(CE)은 반투과성 또는 투과성을 가질 수 있다. 캐소드 전극(CE)이 상기 반투과성을 갖는 경우에, 캐소드 전극(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CE)의 두께가 수십 내지 수백 옹스트롬인 경우에, 캐소드 전극(CE)은 반투과성을 가질 수 있다.
캐소드 전극(CE)이 투과성을 갖는 경우, 캐소드 전극(CE)은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(CE)은 WxOy(tungsten oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), MgO(magnesium oxide) 등을 포함할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제1 발광 소자(ED1)를 이루고, 제2 애노드 전극(AE2), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제2 발광 소자(ED2)를 이루고, 제3 애노드 전극(AE3), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제3 발광 소자(ED3)를 이룰 수 있다. 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)는 각각 소스 광(source light)을 방출하고, 소스 광은 색 변환층(CCL)에 제공될 수 있다. 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)는 유기 발광 다이오드일 수 있다.
캐소드 전극(CE) 상에 박막 봉지층(170)이 위치할 수 있다. 박막 봉지층(170)은 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 공통적으로 위치할 수 있다. 일 실시예에서 박막 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE)을 직접 커버할 수 있다.
일 실시예에서 박막 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE) 상에 순차적으로 적층된 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(173) 및 제2 봉지 무기막(175)을 포함할 수 있다.
제1 봉지 무기막(171) 및 제2 봉지 무기막(175)은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물, 리튬 플로라이드 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 봉지 유기막(173)은 아크릴계 수지, 메타크릴레이트계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다.
그러나, 박막 봉지층(170)의 구조가 전술한 예에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 박막 봉지층(170)의 적층구조는 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 박막 봉지층(170)을 포함하는 발광 소자층(EML) 상에 색 변환층(CCL)이 배치될 수 있다.
색 변환층(CCL)은 뱅크(180), 광 투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240), 제2 파장변환 패턴(250) 및 컬러 필터층(210)을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(170) 상에 뱅크(180)가 배치될 수 있다. 뱅크(180)는 비발광 영역(NLA)과 중첩하여 배치되어, 광의 투과를 차단할 수 있다. 보다 구체적으로, 뱅크(180)는 광투과 패턴(230)과 제1 파장변환 패턴(240) 사이 및 제1 파장변환 패턴(240)과 제2 파장변환 패턴(250) 사이에 위치하여, 이웃하는 발광 영역 간의 혼색을 방지할 수 있다.
뱅크(180)는 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정, 또는 잉크젯 방식 등을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 뱅크(180)는 유기 물질 및 유기 물질에 혼합된 차광성을 갖는 염료 또는 안료를 포함할 수 있다. 유기 물질은 아크릴계 수지, 메타크릴레이트계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다. 염료 또는 안료는 카본 블랙 등을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(170) 상에 광투과 패턴(230)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서 광투과 패턴(230)은 감광성 물질을 도포하고, 이를 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(250)은 잉크젯 방식으로 형성될 수도 있다.
광투과 패턴(230)은 제1 발광 영역(LA1)에 중첩할 수 있다. 광투과 패턴(230)은 입사광을 투과시킬 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)에서 제공된 소스 광은 전술한 바와 같이 청색 광일 수 있다. 청색 광인 소스 광은 광투과 패턴(230)을 투과할 수 있다.
일 실시예에서 광투과 패턴(230)은 제1 베이스 수지(231)를 포함할 수 있으며, 제1 베이스 수지(231) 내에 분산된 제1 산란체(233)를 더 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(231)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서 제1 베이스 수지(231)는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제1 베이스 수지(231)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제1 산란체(233)는 제1 베이스 수지(231)와 상이한 굴절률을 가지고 제1 베이스 수지(231)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 산란체(233)는 광 산란 입자일 수 있다. 제1 산란체(233)는 투과 광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 제1 산란체(233)는 광투과 패턴(230)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다.
박막 봉지층(170) 상에 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(250)이 배치될 수 있다.
제1 파장변환 패턴(240)은 박막 봉지층(170) 상에 위치하며, 제2 발광 영역(LA2)과 중첩할 수 있다. 제1 파장변환 패턴(240)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 일 실시예에서 제1 파장변환 패턴(240)은 제2 발광 소자(ED2)에서 제공된 소스광을 약 610nm 내지 약 650nm 범위의 피크파장을 갖는 적색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
제1 파장변환 패턴(240)은 제2 베이스 수지(241) 및 제2 베이스 수지(241) 내에 분산된 제1 파장 시프터(245)를 포함할 수 있으며, 제2 베이스 수지(241) 내에 분산된 제2 산란체(243)를 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(241)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서 제2 베이스 수지(241)는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 제2 베이스 수지(241)는 제1 베이스 수지(231)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 베이스 수지(231)의 구성 물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 파장 시프터(245)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 일 실시예에서 제1 파장 시프터(245)는 제2 발광 소자(ED2)에서 제공된 청색 광인 제1 색의 광을 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 적색 광으로 변환하여 방출할 수 있다.
제1 파장 시프터(245)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; InZnP, AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InAlP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장 시프터(245)가 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(full width at half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치(10)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 또한, 제1 파장 시프터(245)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 제2 발광 영역(LA2)에서 표시되는 제2 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제2 발광 소자(ED2)에서 제공된 소스광 중 일부는 제1 파장 시프터(245)에 의해 적색광으로 변환되지 않을 수 있다. 그러나, 소스광 중 적색광으로 변환되지 않은 광은 상부에 배치된 컬러 필터에 의해 차단될 수 있다. 반면, 소스광 중 제1 파장변환 패턴(240)에 의해 변환된 적색 광은 컬러 필터를 투과하여 외부로 출사된다.
제2 산란체(243)는 제2 베이스 수지(241)와 상이한 굴절률을 가지고 제2 베이스 수지(241)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(243)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제2 산란체(243)에 대한 구체적 설명은 제1 산란체(233)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략하기로 한다.
제2 파장변환 패턴(250)은 박막 봉지층(170) 상에 위치하며, 제3 발광 영역(LA3)에 중첩할 수 있다. 제2 파장변환 패턴(250)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 일 실시예에서 제2 파장변환 패턴(250)은 제3 발광 소자(ED3)에서 제공된 소스광을 약 510nm 내지 약 550nm 범위인 녹색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
제2 파장변환 패턴(250)은 제3 베이스 수지(251) 및 제3 베이스 수지(251) 내에 분산된 제2 파장 시프터(255)를 포함할 수 있으며, 제3 베이스 수지(251) 내에 분산된 제3 산란체(253)를 더 포함할 수 있다.
제3 베이스 수지(251)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서 제3 베이스 수지(251)는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 제3 베이스 수지(251)는 제1 베이스 수지(231)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 베이스 수지(231)의 구성 물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 파장 시프터(255)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 일 실시예에서 제2 파장 시프터(255)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색 광을 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색 광으로 변환할 수 있다.
제2 파장 시프터(255)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 제2 파장 시프터(255)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1 파장 시프터(245)의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략하기로 한다. 일 실시예에서 제1 파장 시프터(245) 및 제2 파장 시프터(255)는 모두 양자점으로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 제1 파장 시프터(245)를 이루는 양자점의 입자 크기는 제2 파장 시프터(255)를 이루는 양자점의 입자 크기보다 클 수 있다.
제3 산란체(253)는 제3 베이스 수지(251)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(251)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(253)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제3 산란체(253)에 대한 구체적 설명은 제2 산란체(243)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2 파장변환 패턴(250)에는 제3 발광 소자(ED3)에서 방출된 소스광이 제공될 수 있으며, 제2 파장 시프터(255)는 제3 발광 소자(ED3)에서 제공된 소스광을 약 510nm 내지 약 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색 광으로 변환하여 방출할 수 있다.
청색 광인 소스광 중 일부는 제2 파장 시프터(255)에 의해 녹색 광으로 변환되지 않고 제2 파장변환 패턴(250)을 투과할 수 있다. 그러나, 녹색 광으로 변환되지 않은 광은 컬러 필터에 의해 차단될 수 있다. 반면, 소스광 중 제2 파장변환 패턴(250)에 의해 변환된 녹색 광은 컬러 필터를 투과하여 외부로 출사된다.
색 변환층(CCL)은 캡핑층(190)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(190)은 뱅크(180), 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(250) 상에 배치되어 이들을 커버할 수 있다. 이에 따라 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 뱅크(180), 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(250)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
캡핑층(190)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(190)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
색 변환층(CCL)은 제1 오버코트층(200)을 더 포함할 수 있다. 제1 오버코트층(200)은 캡핑층(190) 상에 배치될 수 있다. 제1 오버코트층(200)은 오버코트층(200)의 하부의 단차를 평탄화하여 후술하는 컬러 필터가 용이하게 형성될 수 있게 한다.
제1 오버코트층(200)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 오버코트층(200)은 아크릴계 수지, 메타크릴레이트계 수지, 폴리이소프렌, 이미드계 수지, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다.
컬러 필터층(210)은 제1 오버코트층(200) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(210)은 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제3 컬러 필터(215)를 포함할 수 있다.
제1 컬러 필터(211)는 제1 오버코트층(200)의 일면 상에 위치하고, 제1 발광 영역(LA1)에 중첩할 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(211)는 제1 발광 소자(ED1) 및 광투과 패턴(230)과 중첩할 수 있다.
제1 컬러 필터(211)는 상기 제1 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제2 색의 광(예를 들어, 적색 광) 및 상기 제3 색의 광(예를 들어, 녹색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 일 실시예에서 제1 컬러 필터(211)는 청색 컬러 필터일 수 있으며, 청색 염료(blue dye) 또는 청색 안료(pigment)와 같은 청색의 색재(colorant)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 색재(colorant)란, 염료(dye) 및 안료(pigment)를 모두 포함하는 개념이다.
제2 컬러 필터(213)는 제2 발광 영역(LA2)과 중첩할 수 있으며, 제2 발광 소자(ED2) 및 제1 파장변환 패턴(240)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서 제2 컬러 필터(213)의 일측은 비발광 영역(NLA)에 중첩할 수 있으며, 인접한 제1 컬러 필터(211)와 이격될 수 있다. 제2 컬러 필터(213)의 타측은 비발광 영역(NLA)에 중첩할 수 있으며, 제3 컬러 필터(215)와 이격될 수 있다.
제2 컬러 필터(213)는 상기 제1 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제2 컬러 필터(213)는 청색 광을 차단하는 청색 광 차단 필터로 기능할 수 있다. 제2 컬러 필터(213)는 상기 제2 색의 광(예를 들어, 적색 광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1 색의 광 및 상기 제3 색의 광(예를 들어, 녹색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(213)는 적색 컬러 필터일 수 있으며, 적색 염료 또는 적색 안료와 같은 적색의 색재를 포함할 수 있다.
제3 컬러 필터(215)는 제3 발광 영역(LA3)과 중첩할 수 있으며, 제3 발광 소자(ED3) 및 제2 파장변환 패턴(250)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서 제3 컬러 필터(215)의 일측은 비발광 영역(NLA)에 중첩할 수 있으며, 인접한 제2 컬러 필터(213)와 이격될 수 있다. 또한, 제3 컬러 필터(215)의 타측은 비발광 영역(NLA)에 중첩할 수 있으며, 인접한 제1 컬러 필터(211)와 이격될 수 있다.
제3 컬러 필터(215)는 상기 제1 색의 광을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제3 컬러 필터(215)도 청색 광 차단 필터로 기능할 수 있다. 제3 컬러 필터(215)는 상기 제3 색의 광을 선택적으로 투과시키고 상기 제1 색의 광 및 상기 제2 색의 광을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예를 들어 제3 컬러 필터(215)는 녹색 컬러 필터일 수 있으며, 녹색 염료 또는 녹색 안료와 같은 녹색의 색재를 포함할 수 있다.
도면에서는 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제3 컬러 필터(215)의 사이가 서로 이격된 것으로 도시하였으며, 이에 한정되지 않으며 이들 사이에 블랙 매트릭스와 같은 차광성 패턴이 배치될 수도 있다.
또한, 도면에서는 제1 발광 영역(LA1)에 광투과 패턴(230) 및 제1 컬러 필터(211)가 배치되고, 제2 발광 영역(LA2)에 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 컬러 필터(213)가 배치되며, 제3 발광 영역(LA3)에 제2 파장변환 패턴(250) 및 제3 컬러 필터(215)가 배치된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 발광 영역(LA1)에 제1 파장변환 패턴(240)과 제2 컬러 필터(213)가 배치될 수도 있고, 제1 발광 영역(LA1)에 제2 파장변환 패턴(250)과 제3 컬러 필터(215)가 배치될 수도 있다.
색 변환층(CCL)은 제2 오버코트층(220)을 더 포함할 수 있다. 제2 오버코트층(220)은 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제3 컬러 필터(215) 상에 배치되며, 후술하는 광학 기능층(LFL)의 부착 신뢰성을 향상시키기 위해, 하부 단차를 평탄화할 수 있다.
제2 오버코트층(200)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 제2 오버코트층(200)은 상술한 제1 오버코트층(200)의 유기 물질과 동일할 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 서로 다른 유기 물질로 이루어질 수도 있다.
색 변환층(CCL) 상에 광학 기능층(LFL)이 배치될 수 있다. 광학 기능층(LFL)은 외부광의 반사를 방지하는 반사 방지층일 수 있다. 광학 기능층(LFL)은 필름 형태로 부착되거나 코팅 방식으로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않으며, 지문 방지층 등이 배치될 수도 있다.
한편, 표시 장치(10)는 표시 영역(DPA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)의 외측면에 차광 부재가 배치되지 않으면 표시 영역(DPA)의 광이 새어 나오는 빛샘이 발생할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에서 제2 오버코트층(200)의 상면에 슬로프가 생기면, 상부에 부착되는 광학 기능층(LFL)이 막 스트레스에 의해 탈착될 수 있다. 또한, 색 변환층(CCL)의 뱅크(180)가 비표시 영역(NDA)의 외측면에 노출되면 외부의 수분이나 산소가 뱅크(180)에 침투되어 막 들뜸이 발생할 수 있다. 일 실시예에서는 비표시 영역(NDA)의 가장자리에도 컬러 필터층(210)을 배치하여 빛샘과 광학 기능층(LFL)의 탈착을 방지할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)의 외측면으로 뱅크(180)가 노출되는 것을 방지하여, 뱅크(180)의 막 들뜸을 방지할 수 있다.
이하, 표시 장치(10)의 비표시 영역(NDA)의 구조를 자세히 살펴보기로 한다. 상술한 바와 같이, 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(240)은 배치가 서로 달라질 수 있으며, 이에 따라, 제1 내지 제3 컬러 필터(211, 213, 215) 또한 배치가 서로 달라질 수 있다. 하기에서는 제1 발광 영역(LA1)과 중첩하는 영역에 제1 파장변환 패턴(240)과 제2 컬러 필터(213)가 배치된 것을 예로 설명하기로 한다.
도 2 및 3과 결부하여 도 4 및 도 5를 참조하면, 표시 장치(10)의 비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 형성된 다수의 층들 외에 복수의 격벽(BR1, BR2)과 지지대(135)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 표시 영역(DPA)으로부터 연장된 제1 절연층(120)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(120)은 기판(SUB)의 측변까지 연장되어 배치될 수 있다. 기판(SUB)의 측변과 제1 절연층(120)의 측변은 상호 정렬될 수 있다.
복수의 격벽(BR1, BR2)은 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 복수의 격벽(BR1, BR2)은 표시 영역(DPA)으로부터 연장된 박막 봉지층(170)의 봉지 유기막(173)이 넘치는 것을 방지할 수 있다.
복수의 격벽(BR1, BR2)은 표시 영역(DPA)에 인접한 제1 격벽(BR1) 및 제1 격벽(BR1)으로부터 기판(SUB)의 측변을 향하는 방향으로 이격된 제2 격벽(BR2)을 포함할 수 있다.
제1 격벽(BR1)은 제1 하층(131)과 제1 상층(151)이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 제1 하층(131)은 표시 영역(DPA)의 제2 절연층(130)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 하층(131)은 제2 절연층(130)과 동일한 마스크 공정으로 형성될 수 있다. 제1 하층(131)은 제1 절연층(120) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 상층(151)은 제1 하층(131) 상에 배치되며, 화소정의막(150)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 상층(151)은 화소정의막(150)과 동일한 마스크 공정으로 형성될 수 있다.
제2 격벽(BR2)은 제2 하층(132)과 제2 상층(152)이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 제2 하층(132)은 표시 영역(DPA)의 제2 절연층(130) 및 제1 하층(131)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 하층(132)은 제2 절연층(130) 및 제1 하층(131)과 동일한 마스크 공정으로 형성될 수 있다. 제2 하층(132)은 제1 절연층(120) 상에 직접 배치될 수 있다. 제2 상층(152)은 제2 하층(132) 상에 배치되며, 화소정의막(150) 및 제1 상층(151)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 상층(152)은 화소정의막(150) 및 제1 상층(151)과 동일한 마스크 공정으로 형성될 수 있다.
지지대(135)는 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 지지대(135)는 기판(SUB)의 측변과 제2 격벽(BR2) 사이에 배치될 수 있다. 지지대(135)는 박막 봉지층(170)의 제1 봉지 무기막(171) 및 제2 봉지 무기막(175)을 형성하기 위한 마스크가 기판(SUB)에 지지될 수 있도록 마스크를 지지하는 역할을 할 수 있다. 지지대(135)는 표시 영역(DPA)의 제2 절연층(130)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제2 절연층(130)과 동일한 마스크 공정으로 형성될 수 있다.
복수의 격벽(BR1, BR2) 및 지지대(135)는 비표시 영역(NDA)에서 뱅크(180)에 의해 커버되고, 복수의 컬러 필터(211, 213)과 중첩하여 배치될 수 있다.
한편, 비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DPA)의 박막 봉지층(170)이 연장되어 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170)의 제1 봉지 무기막(171)은 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2) 상에 배치될 수 있다. 제1 봉지 무기막(171)은 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2) 상에서 이들을 커버할 수 있다. 제1 봉지 무기막(171)은 지지대(135)의 측변까지 연장될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 지지대(135)를 커버할 수도 있다. 또한, 박막 봉지층(170)의 봉지 유기막(173)은 비표시 영역(NDA)으로 연장되되, 제1 격벽(BR1)과 인접하여 배치될 수 있다. 봉지 유기막(173)은 제1 봉지 무기막(171) 상에서 제1 격벽(BR1)과 이격하여 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170)의 제2 봉지 무기막(175)은 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2) 상에 배치될 수 있다. 제2 봉지 무기막(175)은 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2) 상에서 이들을 커버할 수 있다. 제2 봉지 무기막(175)은 지지대(135)의 측변까지 연장될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 지지대(135)를 커버할 수도 있다.
비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 뱅크(180)가 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 뱅크(180)는 기판(SUB)의 측변에 인접하여 연장될 수 있다. 뱅크(180)는 지지대(135), 제1 격벽(BR1), 제2 격벽(BR2)을 커버하여, 기판(SUB)의 상부가 전체적으로 평탄하게 하는 역할을 할 수 있다. 뱅크(180)의 상면은 표시 영역(DPA) 및 비표시 영역(NDA)에서 전체적으로 평탄할 수 있으나, 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에서의 하부 구조물의 차이로 비표시 영역(NDA)에서 뱅크(180)의 높이가 상대적으로 낮을 수 있다. 예시적인 실시예에서 표시 영역(DPA)에서 기판(SUB)으로부터 뱅크(180)의 높이는 비표시 영역(NDA)에서 기판(SUB)으로부터 뱅크(180)의 높이보다 클 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 기판(SUB)으로부터의 뱅크(180)의 높이는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에서 동일할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 뱅크(180)의 측변은 기판(SUB)의 측변보다 표시 영역(DPA)을 향하는 방향으로 이격하여 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 뱅크(180)가 기판(SUB)의 측변으로 노출되면 외부의 수분이나 산소에 의해 뱅크(180)의 들뜸이 발생할 수 있다. 따라서, 뱅크(180)의 측변은 기판(SUB)의 측변보다 표시 영역(DPA)을 향하는 방향으로 이격하여 배치함으로써, 외부의 수분이나 산소에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 캡핑층(190)이 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 캡핑층(190)은 표시 영역(DPA)으로부터 기판(SUB)의 측변까지 연장되어 배치될 수 있다. 캡핑층(190)은 뱅크(180) 상에서 뱅크(180)를 커버하여, 외부로부터 침투될 수 있는 수분이나 산소로부터 뱅크(180)를 보호할 수 있다. 캡핑층(190)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다. 특히, 캡핑층(190)은 제1 절연층(120)과 컨택하여 기판(SUB)과 나란하게 형성된 영역을 포함할 수 있다. 캡핑층(190)은 무기 물질로 이루어져 기판(SUB)의 스크라이빙 공정에서 크랙 등의 물리적인 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 스크라이빙 공정에서 캡핑층(190)에 발생할 수 있는 크랙을 보상하기 위해, 캡핑층(190)은 비표시 영역(NDA)에서 적어도 일부가 제1 절연층(120)과 접촉하여 기판(SUB)과 나란하게 배치될 수 있다. 기판(SUB)과 나란하게 배치된 캡핑층(190)의 일부는 기판(SUB)의 측변과 뱅크(180)의 측변 사이에 배치될 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 제1 오버코트층(200)이 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 제1 오버코트층(200)은 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 기판(SUB)의 측변까지 연장되어 배치될 수 있다. 제1 오버코트층(200)은 기판(SUB)의 상부가 전체적으로 평탄하게 하는 역할을 할 수 있다. 제1 오버코트층(200)의 상면은 표시 영역(DPA) 및 비표시 영역(NDA)에서 전체적으로 평탄할 수 있으나, 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에서의 하부 구조물의 차이로 비표시 영역(NDA)에서 높이가 상대적으로 낮을 수 있다. 예시적인 실시예에서 표시 영역(DPA)에서 기판(SUB)으로부터 제1 오버코트층(200)의 높이는 비표시 영역(NDA)에서 기판(SUB)으로부터 제1 오버코트층(200)의 높이보다 클 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 기판(SUB)으로부터의 제1 오버코트층(200)의 높이는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에서 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 오버코트층(200)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서 제1 오버코트층(200)은 뱅크(180)와 중첩하는 영역에서의 높이보다 뱅크(180)와 비중첩하는 영역에서의 높이가 더 클 수 있다. 즉, 제1 오버코트층(200)은 뱅크(180)와 기판(SUB)의 측변으로부터 이격하여 발생한 공간을 채워 기판(SUB)을 전체적으로 평탄하게 할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 복수의 컬러 필터(211, 213)가 배치될 수 있다. 복수의 컬러 필터(211, 213)는 제1 컬러 필터(211) 및 제2 컬러 필터(213)를 포함할 수 있다. 제2 컬러 필터(213)는 제1 오버코트층(200) 상에 직접 배치되어, 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 제2 컬러 필터(213)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다. 제1 컬러 필터(211)는 제2 컬러 필터(213) 상에 직접 배치되어, 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 제1 컬러 필터(211)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 컬러 필터(211)는 청색 컬러 필터이고, 제2 컬러 필터(213)는 적색 컬러 필터일 수 있다. 서로 다른 색의 광을 투과시키는 2개의 컬러 필터들이 적층된 경우, 광이 투과되지 않을 수 있다. 예들 들어, 적색, 청색 및 녹색의 광이 상기 적층된 제1 컬러 필터(211) 및 제2 컬러 필터(213)에 입사되면, 제2 컬러 필터(213)에 의해 적색 광만 투과되고 청색과 녹색 광이 차단된다. 제2 컬러 필터(213)를 투과한 적색 광은 청색 광을 투과시키는 제1 컬러 필터(211)에서 차단되어 결과적으로, 광이 투과되지 못하고 차단될 수 있다.
일 실시예에서는 비표시 영역(NDA)에 서로 다른 색을 투과시키는 2개의 컬러 필터(211, 213)들, 즉 제1 컬러 필터(211)와 제2 컬러 필터(213)를 적층하여 배치함으로써, 비표시 영역(NDA)으로 광이 새어나오지 못하도록 하여 빛샘을 방지할 수 있다.
한편, 비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 제2 오버코트층(220)이 배치될 수 있다. 제2 오버코트층(220)은 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 배치될 수 있다. 제2 오버코트층(220)은 컬러 필터층(210)을 커버하여 하부의 구조물에 의한 단차를 전체적으로 평탄화시킬 수 있다. 제2 오버코트층(220)은 하부의 컬러 필터층(210)으로 인해 실질적으로 상면이 평탄할 수 있다. 즉, 기판(SUB)으로부터의 제2 오버코트층(220)의 높이는 표시 영역(DPA) 및 비표시 영역(NDA)에서 각각 동일할 수 있다. 또한, 제2 오버코트층(220)은 기판(SUB)의 측변까지 연장되어, 제2 오버코트층(220)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 광학 기능층(LFL)이 배치될 수 있다. 광학 기능층(LFL)은 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서는 평탄한 제2 오버코트층(220)으로 인해, 광학 기능층(LFL)이 평탄하게 부착 또는 형성될 수 있다. 이에 따라, 광학 기능층(LFL)의 하부가 평탄하지 않아 발생할 수 있는 들뜸 등을 방지할 수 있다. 또한, 광학 기능층(LFL)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 뱅크(180)의 측변이 기판(SUB)의 측변보다 내측으로 이격되어 배치시킴으로써, 뱅크(180)가 외부의 수분이나 산소에 의해 들뜸이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에 복수의 컬러 필터를 배치함으로써, 광이 새어나오는 빛샘을 방지하고 제2 오버코트층(220)의 상면을 평탄하게 하여 광학 기능층(LFL)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
이하, 전술한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기로 한다.
도 6 내지 도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 도면들이다. 도 14는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 도 6 내지 도 14는 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)의 일부와 비표시 영역(NDA)의 제조 공정을 중점적으로 도시하고 있으며, 이들은 각각 도 4의 단면도에 대응될 수 있다. 각 층들의 제조 공정은 포토리소그래피 또는 잉크젯 방식 등의 일반적인 방법을 이용하므로, 그 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 기판(SUB) 상에 제1 절연층(120), 제1 스위칭 소자(T1), 제2 절연층(130), 제1 애노드 전극(AE1), 화소정의막(150), 발광층(OL), 캐소드 전극(CE), 제1 격벽(BR1), 제2 격벽(BR2) 및 지지대(135)를 형성한다. 제1 격벽(BR1), 제2 격벽(BR2) 및 지지대(135)는 비표시 영역(NDA)에 형성되고, 제1 스위칭 소자(T1), 제1 애노드 전극(AE1), 화소정의막(150), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 표시 영역(DPA)에 형성될 수 있다. 제1 절연층(120)은 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 각 층들은 금속, 유기 물질 또는 무기 물질을 형성하고 포토리소그래피법을 이용한 패터닝 공정 또는 잉크젯 방식 등의 용액 공정으로 형성될 수 있다.
기판(SUB) 상에 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(173) 및 제2 봉지 무기막(175)을 형성하여 박막 봉지층(170)을 형성한다. 제1 봉지 무기막(171)과 제2 봉지 무기막(175)은 오픈 마스크를 이용하여 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에 걸쳐 적층되고, 봉지 유기막(173)은 잉크젯 방식 등의 용액 공정으로 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에 걸쳐 형성될 수 있다.
다음, 도 7을 참조하면, 기판(SUB) 전면에 뱅크 물질을 도포하여 뱅크 물질층(181)을 형성한다. 뱅크 물질층(181)은 기판(SUB)의 표시 영역(DPA) 및 비표시 영역(NDA) 상에 배치될 수 있다. 뱅크 물질층(181)은 유기 물질을 포함하여, 잉크젯 방식, 스핀 코팅 등의 용액 공정으로 도포될 수 있다.
이어, 뱅크 물질층(181) 상에 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(PR1)은 표시 영역(DPA)의 제1 발광 영역(LA1)과, 비표시 영역(NDA)의 적어도 일부를 노출할 수 있다.
다음, 도 8을 참조하면, 포토레지스트 패턴(PR1)을 마스크로 하여 뱅크 물질층(181)을 패터닝하여 뱅크(180)를 형성한다. 구체적으로, 표시 영역(DPA)의 제1 발광 영역(LA1)과 중첩하는 뱅크 물질층을 제거하여 개구(OP)를 형성한다. 개구(OP)에서는 박막 봉지층(170)을 노출시킨다. 또한, 비표시 영역(NDA)에서 뱅크 물질층의 일부를 제거하여 제1 트렌치(TRE1)를 형성한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제1 트렌치(TRE1)는 뱅크(180)에 형성된 도랑과 같은 구조로 이루어질 수 있다. 제1 트렌치(TRE1)는 표시 영역(DPA)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제1 트렌치(TRE1)는 기판(SUB) 상에 형성된 제1 절연층(120)을 노출시킨다. 뱅크(180)는 표시 영역(DPA)에서 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 소정의 슬로프가 형성될 수 있다. 따라서, 표시 영역(DPA)에서의 뱅크(180)의 높이는 비표시 영역(NDA)에서의 뱅크(180)의 높이보다 클 수 있다.
이어, 도 10을 참조하면, 표시 영역(DPA)의 개구(OP)에 제1 파장변환 패턴(240)을 형성한다. 도시하지 않았지만, 표시 영역(DPA)의 다른 부분에도 복수의 개구(OP)가 형성되어 광투과 패턴 및 제2 파장변환 패턴이 형성될 수 있다. 제1 파장변환 패턴(240)은 잉크젯 방식으로 개구(OP) 내에 도포될 수 있다. 그리고, 기판(SUB) 상에 캡핑층(190)을 형성한다. 캡핑층(190)은 기판(SUB)의 표시 영역(DPA) 및 비표시 영역(NDA)에 전면적으로 형성될 수 있다.
다음, 기판(SUB)의 캡핑층(190) 상에 제1 오버코트층(200), 제2 컬러 필터(213), 제1 컬러 필터(211) 및 제2 오버코트층(220)을 형성한다.
제1 오버코트층(200)은 유기 물질로 이루어져 기판(SUB) 상에 용액 공정으로 도포될 수 있다. 제1 오버코트층(200)은 제1 트렌치(TRE1)를 채우며 캡핑층(190) 상에 형성될 수 있다. 제1 오버코트층(200)은 하부의 뱅크(180)의 슬로프를 따라 소정의 슬로프를 가지도록 형성될 수 있으나, 뱅크(180)의 슬로프보다는 작은 슬로프를 가질 수 있다. 따라서, 표시 영역(DPA)에서의 제1 오버코트층(200)의 높이는 비표시 영역(NDA)에서의 제1 오버코트층(200)의 높이보다 클 수 있다. 도면에서는 제1 오버코트층(200)이 기판(SUB) 전체에 형성되지 않고 뱅크(180)의 상부까지 형성된 것으로 도시하였지만, 이에 한정되지 않으며, 제1 오버코트층(200)은 기판(SUB) 전체적으로 형성될 수도 있다.
제2 컬러 필터(213)는 제1 오버코트층(200) 상에 형성될 수 있다. 제2 컬러 필터(213)는 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 제1 오버코트층(200)을 커버할 수 있다. 제1 컬러 필터(211)는 제2 컬러 필터(213) 상에 형성될 수 있다. 제1 컬러 필터(211)는 비표시 영역(NDA)에 형성되어 제2 컬러 필터(213)를 커버할 수 있다. 제1 컬러 필터(211)와 제2 컬러 필터(213)는 용액 공정으로 도포된 후, 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(211)와 제2 컬러 필터(213)는 하부의 슬로프를 따라 형성될 수 있으나, 하부의 슬로프보다 작은 슬로프를 가지거나 실질적으로 평탄하게 형성될 수 있다.
제2 오버코트층(220)은 유기 물질로 이루어져 기판(SUB) 상에 용액 공정으로 도포될 수 있다. 제2 오버코트층(220)은 기판(SUB) 전체에 형성되어 하부의 단차를 덮어 실질적으로 평탄하게 형성될 수 있다. 제2 오버코트층(220)은 제1 컬러 필터(211) 및 제2 컬러 필터(213)를 덮으며, 캡핑층(190)까지 덮을 수 있다.
다음, 도 11을 참조하면, 기판(SUB)을 스크라이빙할 수 있다. 지금까지의 공정은 기판(SUB)이 원장 단위에서 이루어지게 되고, 셀 단위로 분리하는 스크라이빙 공정이 수행될 수 있다. 스크라이빙 공정은 블레이드(blade) 등을 이용한 물리적인 스크라이빙 공정으로 수행될 수 있다. 기판(SUB)은 스크라이빙 위한 스크라이빙 라인(SCL)을 따라 스크라이빙될 수 있다. 스크라이빙 라인(SCL)은 제1 트렌치(TRE1)에 대응하여 배치될 수 있다. 스크라이빙 라인(SCL)이 뱅크(180)와 중첩되면 유기 물질의 뱅크(180)로 인해 스크라이빙이 어려울 수 있다. 또한, 스크라이빙 라인(SCL)이 뱅크(180)의 측변에 형성된 캡핑층(190)과 중첩되는 경우, 캡핑층(190)이 스크라이빙에 의해 크랙 등의 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 스크라이빙 라인(SCL)은 제1 트렌치(TRE1)에서 캡핑층(190)과 제1 절연층(120)이 접하는 영역에 형성될 수 있다.
이어, 도 12를 참조하면, 스크라이빙된 표시 장치(10)는 기판(SUB), 제1 절연층(120), 캡핑층(190), 제1 오버코트층(200), 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제2 오버코트층(220) 각각의 측변이 상호 정렬될 수 있다. 뱅크(180)의 측변은 기판(SUB)의 측변으로부터 표시 영역(DPA)을 향하는 방향으로 이격 배치됨으로써, 뱅크(180)가 외부의 수분이나 산소에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 스크라이빙된 표시 장치(10)는 측변이 거칠어 쉽게 손상될 수 있다. 일 실시예에서 연마 공정을 통해 표시 장치(10)의 측변을 연마할 수 있다. 연마 공정은 연마 장치(SPO)를 이용하여 연마될 수 있다. 연마 장치(SPO)는 물리적으로 회전하여 표시 장치(10)의 측변을 연마할 수 있다. 연마 장치(SPO)는 표시 장치(10)의 측변, 즉 기판(SUB), 제1 절연층(120), 캡핑층(190), 제1 오버코트층(200), 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제2 오버코트층(220) 각각의 측변을 연마할 수 있다.
이어, 도 13을 참조하면, 측변이 연마된 표시 장치(10) 상에 광학 기능층(LFL)을 형성한다. 광학 기능층(LFL)은 제2 오버코트층(220) 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 광학 기능층(LFL)은 필름 타입으로 제2 오버코트층(220) 상에 부착될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 광학 기능층(LFL)은 용액 공정으로 제2 오버코트층(220) 상에 도포되어 형성될 수도 있다. 상기 스크라이빙 및 연마 공정을 통해 광학 기능층(LFL)의 측변은 기판(SUB), 제1 절연층(120), 캡핑층(190), 제1 오버코트층(200), 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제2 오버코트층(220) 각각의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상기와 같이 제조된 표시 장치(10)는 비표시 영역(NDA)에 복수의 컬러 필터를 배치함으로써, 광이 새어나오는 빛샘을 방지하고 제2 오버코트층(220)의 상면을 평탄하게 하여 광학 기능층(LFL)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 14를 참조하면, 연마 공정은 광학 기능층(LFL)이 형성된 후에 수행될 수도 있다. 상술한 도 11과 같이 스크라이빙된 표시 장치(10) 상에 광학 기능층(LFL)을 형성한 후, 연마 장치(SPO)를 이용하여 광학 기능층(LFL)도 함께 연마할 수도 있다.
이하, 다른 도면들을 참조하여 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기로 한다.
다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 발광 소자층(EML)이 무기 발광 다이오드를 포함한다는 점에서 상술한 도 3 내지 도 4의 실시예와 차이가 있다. 하기에서는 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이점에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 15는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역을 나타낸 단면도이다. 도 16은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역을 나타낸 단면도이다. 도 17은 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 15를 참조하면, 표시 장치(10)는 기판(SUB), 발광 소자층(EML), 색 변환층(CCL) 및 광학 기능층(LFL)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)의 표시 영역(DPA)에는 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있다. 또한, 기판(SUB)의 표시 영역(DPA)에는 기판(SUB)의 제1 발광 영역(LA1)에 제1 스위칭 소자(T1)가 위치하고, 제2 발광 영역(LA2)에 제2 스위칭 소자(T2)가 위치하며, 제3 발광 영역(LA3)에 제3 스위칭 소자(T3)가 위치할 수 있다. 또한, 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)들은 제1 절연층(120)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3) 상에 제2 절연층(130)이 배치될 수 있다.
제2 절연층(130) 상에 복수의 서브 뱅크(410, 420), 복수의 전극(430, 440), 복수의 발광 소자(ED), 뱅크(180), 제3 절연층(450) 및 복수의 연결 전극(460, 470)을 포함할 수 있다.
복수의 서브 뱅크(410, 420)는 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 복수의 서브 뱅크(410, 420)는 서로 이격되어 배치된 제1 서브 뱅크(410)와 제2 서브 뱅크(420)를 포함할 수 있다. 제1 서브 뱅크(410)와 제2 서브 뱅크(420)는 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 제1 서브 뱅크(410)와 제2 서브 뱅크(420) 사이에는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치될 수 있다. 복수의 서브 뱅크(410, 420)는 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)에 배치될 수 있다.
복수의 서브 뱅크(410, 420)는 제2 절연층(130)의 상면을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 복수의 서브 뱅크(410, 420)의 돌출된 부분은 경사진 측면을 가질 수 있고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 복수의 서브 뱅크(410, 420) 상에 배치되는 전극(430, 440)에서 반사되어 제2 절연층(130)의 상부 방향으로 출사될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 복수의 서브 뱅크(410, 420)은 외면이 곡률진 반원 또는 반타원의 형상을 가질 수도 있다. 복수의 서브 뱅크(410, 420)은 폴리이미드(PI)와 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
복수의 전극(430, 440)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)에 배치될 수 있으며, 이들은 서로 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 전극(430, 440)은 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 전극(430, 440)들은 후술하는 연결 전극(460, 470)을 통해 발광 소자(ED)와 연결될 수 있고, 하부의 스위칭 소자로부터 인가되는 전기 신호를 발광 소자(ED)에 전달할 수 있다.
복수의 전극(430, 440)은 제1 전극(430) 및 제2 전극(440)을 포함할 수 있다. 제1 전극(430)은 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)의 중심을 기준으로 좌측에 배치되고, 제2 전극(440)은 제1 전극(430)과 제1 방향(DR1)으로 이격되어 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)의 중심을 기준으로 우측에 배치된다. 제1 전극(430)은 제1 서브 뱅크(410) 상에 배치되고, 제2 전극(440)은 제2 서브 뱅크(420) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(430)과 제2 전극(440)은 적어도 서브 뱅크(410, 420)의 경사진 측면 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 전극(430, 440)들 각각의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭은 서브 뱅크(410, 420) 각각의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭보다 클 수 있다. 제1 전극(430)과 제2 전극(440)은 적어도 서브 뱅크(410, 420)의 일 측면은 덮도록 배치되어 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다. 발광 소자(ED)들에서 방출된 광은 서브 뱅크(410, 420) 상에 배치된 전극(430, 440)들에서 반사되어 상부 방향으로 출사될 수 있다.
각 전극(430, 440)들은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함하여 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다. 각 전극(430, 440)들은 반사율과 전도성이 높은 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(430, 440)들은 알루미늄(Al)을 포함하거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La), 구리(Cu) 등을 포함하는 합금 재료를 포함할 수 있다. 또한, ITO, IZO, 및 ITZO과 같은 재료를 더 포함하거나 이들이 한 층 이상으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
각 전극(430, 440)들은 후술하는 연결 전극(460, 470)들을 통해 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되고, 각 전극(430, 440)들은 각각 연결 전극(460, 470)들과 직접 접촉할 수 있다. 제1 전극(430)은 제2 절연층(130)에 형성된 컨택홀들을 통해 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)들과 연결될 수 있다. 제2 전극(440)은 도시하지 않았지만, 제2 절연층(130)에 형성된 컨택홀들을 통해 전원 배선에 연결될 수 있다. 제1 전극(430)은 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)와 전기적으로 연결되어 제1 전원 전압이 인가되고, 제2 전극(440)은 전원 배선에 연결되어 제2 전원 전압이 인가될 수 있다.
제3 절연층(450)은 복수의 전극(430, 440)들 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층(450)은 복수의 전극(430, 440)들 상에서 각 전극(430, 440)의 적어도 일부를 노출할 수 있다. 노출된 각 전극(430, 440)은 후술하는 연결 전극(460, 470)들에 각각 연결될 수 있다. 제3 절연층(450)은 무기 물질로 이루어질 수 있으며, 전술한 제1 절연층(120)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
뱅크(180)는 제3 절연층(450) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(180)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하며, 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 둘러쌀 수 있다. 뱅크(180)는 비발광 영역(NLA)과 중첩하여 배치될 수 있다. 뱅크(180)는 후술하는 발광 소자(ED)가 잉크젯 방식으로 도포될 때 잉크가 주변의 발광 영역으로 넘치는 것을 방지하고, 또한, 후술하는 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(250)을 잉크젯 방식으로 도포될 때 주변의 발광 영역으로 넘치는 것을 방지할 수 있다.
복수의 발광 소자(ED)들은 제3 절연층(450) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 갖고, 연장된 일 방향이 기판(SUB)과 평행하도록 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 연장된 일 방향을 따라 배치된 복수의 반도체층들을 포함할 수 있고, 상기 복수의 반도체층들은 기판(SUB)의 상면과 평행한 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 발광 소자(ED)가 다른 구조를 갖는 경우, 복수의 반도체층들은 기판(SUB)에 수직한 방향으로 배치될 수도 있다.
복수의 발광 소자(ED)들은 서브 뱅크(410, 420)들 사이에서 제1 방향(DR1)으로 이격된 전극(430, 440)들 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 적어도 일 단부가 서로 다른 전극(430, 440)들 중 어느 하나 상에 배치되거나, 양 단부가 각각 서로 다른 전극(430, 440)들 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 양 단부가 서로 다른 전극(430, 440) 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 각 전극(430, 440)들이 연장된 방향과 발광 소자(ED)가 연장된 방향은 실질적으로 수직을 이루도록 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 각 전극(430, 440)들이 연장된 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배치되며 실질적으로 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 발광 소자(ED)는 각 전극(430, 440)들이 연장된 방향에 비스듬히 배치될 수도 있다.
각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)에 배치된 발광 소자(ED)들은 상술한 반도체층이 이루는 재료에 따라 서로 다른 파장대의 광을 방출할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)에 배치된 발광 소자(ED)들은 동일한 재료의 반도체층을 포함하여 동일한 색의 광을 방출할 수 있다. 발광 소자(ED)들은 연결 전극(460, 470)들과 접촉하여 전극(430, 440)들을 통해 인가된 전기 신호에 의해 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다.
복수의 연결 전극(460, 470)들은 복수의 전극(430, 440)들, 및 발광 소자(ED)들 상에 배치되고 이들과 각각 접촉할 수 있다. 연결 전극(460, 470)은 발광 소자(ED)의 어느 한 단부 및 전극(430, 440)들 중 적어도 어느 하나와 접촉할 수 있다.
복수의 연결 전극(460, 470)은 제1 연결 전극(460) 및 제2 연결 전극(470)을 포함할 수 있다. 제1 연결 전극(460)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 갖고 제1 전극(430) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(460) 중 제1 서브 뱅크(410) 상에 배치된 부분은 제1 전극(430)과 중첩하고, 이로부터 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 연결 전극(460)은 제1 전극(430)과 연결되고 발광 소자(ED)들의 일 단부에 접촉함으로써, 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)로부터 인가된 전기 신호를 발광 소자(ED)에 전달할 수 있다.
제2 연결 전극(470)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 갖고 제2 전극(440) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(470) 중 제2 서브 뱅크(420) 상에 배치된 부분은 제2 전극(440)과 중첩하고, 이로부터 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 연결 전극(470)은 제2 전극(440)과 연결되고 발광 소자(ED)들의 타 단부에 접촉함으로써, 전원 배선으로부터 인가된 전기 신호를 발광 소자(ED)에 전달할 수 있다.
한편, 발광 소자층(EML) 상에 색 변환층(CCL)이 배치될 수 있다. 색 변환층(CCL)은 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240), 제2 파장변환 패턴(250), 캡핑층(190), 제1 오버코트층(200), 컬러 필터층(210) 및 제2 오버코트층(220)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(250)이 뱅크(180) 사이에 배치되어 발광 소자(ED)와 접촉하는 차이가 있을 뿐, 상술한 도 3과 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다. 색 변환층(CCL) 상에 광학 기능층(LFL)이 배치될 수 있다.
이하, 도 16을 참조하여 표시 장치(10)의 비표시 영역(NDA)의 구조를 자세히 살펴보기로 한다. 상술한 바와 같이, 광투과 패턴(230), 제1 파장변환 패턴(240) 및 제2 파장변환 패턴(240)은 배치가 서로 달라질 수 있으며, 이에 따라, 제1 내지 제3 컬러 필터(211, 213, 215) 또한 배치가 서로 달라질 수 있다. 하기에서는 제1 발광 영역(LA1)과 중첩하는 영역에 제1 파장변환 패턴(240)과 제2 컬러 필터(213)가 배치된 것을 예로 설명하기로 한다.
도 15와 결부하여 도 16을 참조하면, 표시 장치(10)의 비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 형성된 다수의 층들이 배치될 수 있다.
구체적으로, 비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 표시 영역(DPA)으로부터 연장된 제1 절연층(120)이 배치될 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 뱅크(180)가 표시 영역(DPA)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 뱅크(180)는 기판(SUB)의 측변에 인접하여 연장될 수 있다. 뱅크(180)의 측변은 기판(SUB)의 측변보다 표시 영역(DPA)을 향하는 방향으로 이격하여 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 뱅크(180)가 기판(SUB)의 측변으로 노출되면 외부의 수분이나 산소에 의해 뱅크(180)의 들뜸이 발생할 수 있다. 따라서, 뱅크(180)의 측변은 기판(SUB)의 측변보다 표시 영역(DPA)을 향하는 방향으로 이격하여 배치함으로써, 외부의 수분이나 산소에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 캡핑층(190), 제1 오버코트층(200), 제2 컬러 필터(213), 제1 컬러 필터(211) 및 제2 오버코트층(220)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 오버코트층(220) 상에 광학 기능층(LFL)이 배치될 수 있다. 이들의 구성은 상술한 도 4와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.
일 실시예에서는 뱅크(180)의 측변이 기판(SUB)의 측변보다 내측으로 이격되어 배치시킴으로써, 뱅크(180)가 외부의 수분이나 산소에 의해 들뜸이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에 복수의 컬러 필터를 배치함으로써, 광이 새어나오는 빛샘을 방지하고 제2 오버코트층(220)의 상면을 평탄하게 하여 광학 기능층(LFL)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
도 17을 참조하면, 상술한 발광 소자(ED)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있으며, 구체적으로 발광 소자(ED)는 나노 미터(Nano-meter) 내지 마이크로 미터(Micro-meter) 단위의 크기를 가지고, 무기물로 이루어진 무기 발광 다이오드일 수 있다. 발광 소자(ED)는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 전계를 형성하면 극성이 형성되는 상기 두 전극 사이에 정렬될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 원통, 로드(Rod), 와이어(Wire), 튜브(Tube) 등의 형상을 가질 수 있다. 다만, 발광 소자(ED)의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 정육면체, 직육면체, 육각기둥형 등 다각기둥의 형상을 갖거나, 일 방향으로 연장되되 외면이 부분적으로 경사진 형상을 갖는 등 발광 소자(ED)는 다양한 형태를 가질 수 있다.
발광 소자(ED)는 임의의 도전형(예컨대, p형 또는 n형) 불순물로 도핑된 반도체층을 포함할 수 있다. 반도체층은 외부의 전원으로부터 인가되는 전기 신호가 전달되어 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 반도체층(31), 제2 반도체층(32), 발광층(36), 전극층(37) 및 절연막(38)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(31)은 n형 반도체일 수 있다. 제1 반도체층(31)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(31)은 n형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(31)에 도핑된 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다.
제2 반도체층(32)은 발광층(36)을 사이에 두고 제1 반도체층(31) 상에 배치된다. 제2 반도체층(32)은 p형 반도체일 수 있으며, 제2 반도체층(32)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체층(32)은 p형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(32)에 도핑된 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등일 수 있다.
한편, 도면에서는 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)이 하나의 층으로 구성된 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(36)의 물질에 따라 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)은 더 많은 수의 층, 예컨대 클래드층(Clad layer) 또는 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층을 더 포함할 수도 있다.
발광층(36)은 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32) 사이에 배치된다. 발광층(36)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층된 구조일 수도 있다. 발광층(36)은 제1 반도체층(31) 및 제2 반도체층(32)을 통해 인가되는 전기 신호에 따라 전자-정공 쌍의 결합에 의해 광을 발광할 수 있다. 발광층(36)은 AlGaN, AlGaInN 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaN 또는 AlGaInN, 우물층은 GaN 또는 AlInN 등과 같은 물질을 포함할 수 있다.
발광층(36)은 밴드갭(Band gap) 에너지가 큰 종류의 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질들이 서로 교번적으로 적층된 구조일 수도 있고, 발광하는 광의 파장대에 따라 다른 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수도 있다. 발광층(36)이 방출하는 광은 청색 파장대의 광으로 한정되지 않고, 경우에 따라 적색, 녹색 파장대의 광을 방출할 수도 있다.
전극층(37)은 오믹(Ohmic) 연결 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 쇼트키(Schottky) 연결 전극일 수도 있다. 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 전극층(37)을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 하나 이상의 전극층(37)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 전극층(37)은 생략될 수도 있다.
전극층(37)은 표시 장치(10)에서 발광 소자(ED)가 전극 또는 연결 전극과 전기적으로 연결될 때, 발광 소자(ED)와 전극 또는 연결 전극 사이의 저항을 감소시킬 수 있다. 전극층(37)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(37)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 인듐(In), 금(Au), 은(Ag), ITO, IZO 및 ITZO 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
절연막(38)은 상술한 복수의 반도체층 및 전극층의 외면을 둘러싸도록 배치된다. 예를 들어, 절연막(38)은 적어도 발광층(36)의 외면을 둘러싸도록 배치되되, 발광 소자(ED)의 길이방향의 양 단부는 노출되도록 형성될 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 적어도 일 단부와 인접한 영역에서 단면상 상면이 라운드지게 형성될 수도 있다.
절연막(38)은 절연특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물 (SiOxNy), 질화알루미늄(AlNx), 산화알루미늄(AlOx) 등을 포함할 수 있다. 도면에서는 절연막(38)이 단일층으로 형성된 것이 예시되어 있으나 이에 제한되지 않으며, 몇몇 실시예에서 절연막(38)은 복수의 층이 적층된 다중층 구조로 형성될 수도 있다.
절연막(38)은 상기 부재들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 절연막(38)은 발광 소자(ED)에 전기 신호가 전달되는 전극과 직접 접촉하는 경우 발광층(36)에 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 절연막(38)은 외면이 표면 처리될 수 있다. 발광 소자(ED)는 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다. 여기서, 발광 소자(ED)가 잉크 내에서 인접한 다른 발광 소자(ED)와 응집되지 않고 분산된 상태를 유지하기 위해, 절연막(38)은 표면이 소수성 또는 친수성 처리될 수 있다.
이하, 또 다른 도면들을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 다른 실시예들에 대해 설명하기로 한다. 하기에서는 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)에 유기 발광 다이오드가 형성된 도 4의 구조를 예로 설명하기로 한다. 다만, 이에 한정되지 않으며 도 16에 도시된 무기 발광 다이오드인 발광 소자를 포함하는 실시예도 적용 가능하다.
도 18 내지 도 24는 각각 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도들이다. 하기에서는 전술한 도 4와 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이가 있는 구성에 대해 설명하기로 한다.
도 18을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 비표시 영역(NDA) 상에 제1 오버코트층(200), 제2 컬러 필터(213) 및 제1 컬러 필터(211)가 배치될 수 있다.
제1 오버코트층(200)은 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)에서 전체적으로 평탄하게 형성되나, 비표시 영역(NDA)에서의 높이는 하부의 뱅크(180)의 유무에 따라 달라질 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서, 뱅크(180)와 중첩하는 제1 오버코트층(200)의 높이(H1)는 뱅크(180)와 비중첩하는 제1 오버코트층(200)의 높이(H2)보다 클 수 있다. 여기서 높이는 기판(SUB)의 상면으로부터 제1 오버코트층(200)의 상면까지의 거리를 의미한다.
마찬가지로, 제1 오버코트층(200) 상에 배치된 제2 컬러 필터(213)도 비표시 영역(NDA)에서의 높이가 하부의 뱅크(180)의 유무에 따라 달라질 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서 뱅크(180)와 중첩하는 제2 컬러 필터(213)의 높이(H3)는 뱅크(180)와 비중첩하는 제2 컬러 필터(213)의 높이(H4)보다 클 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(211)는 제2 컬러 필터(213)와 마찬가지로, 비표시 영역(NDA)에서의 높이가 다를 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서 뱅크(180)와 중첩하는 제1 컬러 필터(211)의 높이(H5)는 뱅크(180)와 비중첩하는 제1 컬러 필터(211)의 높이(H6)보다 클 수 있다.
제1 컬러 필터(211) 및 제2 컬러 필터(213) 상에 배치된 제2 오버코트층(220)은 실질적으로 평탄하게 배치될 수 있다. 제2 오버코트층(220) 하부에 배치된 제1 오버코트층(200), 제2 컬러 필터(213) 및 제1 컬러 필터(211)가 하부의 단차를 완화시켜, 제2 오버코트층(220)은 실질적으로 평탄할 수 있다. 즉, 제2 오버코트층(200)의 높이는 표시 영역(DPA) 및 비표시 영역(NDA)에서 실질적으로 동일할 수 있다.
한편, 도 19를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 박막 봉지층(170) 중 봉지 유기막과 제2 봉지 무기막이 생략될 수 있다. 즉, 제1 봉지 무기막(171)만을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 파장변환 패턴(240)과 뱅크(180)는 제1 봉지 무기막(171) 상에 직접 배치될 수 있다. 도시하지 않았지만, 광투과 패턴 및 제2 파장변환 패턴 또한 제1 봉지 무기막(171) 상에 직접 배치될 수 있다.
도 20을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 광학 기능층(LFL)의 측변이 기판(SUB)의 측변보다 외측으로 돌출될 수 있다. 이 경우, 광학 기능층(LFL)은 기판(SUB)이 연마된 후에 부착될 수 있다. 광학 기능층(LFL)의 평면 크기는 기판(SUB)의 평면 크기보다 크게 이루어질 수 있다.
반면, 도 21을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 광학 기능층(LFL)의 측변이 기판(SUB)의 측변보다 내측으로 이격될 수 있다. 이 경우, 광학 기능층(LFL)은 기판(SUB)이 연마된 후에 부착될 수 있다. 광학 기능층(LFL)의 평면 크기는 기판(SUB)의 평면 크기보다 작게 이루어질 수 있다.
도 22 및 도 23을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(SUB)의 비표시 영역(NDA)에 제1 트렌치(TRE1) 및 뱅크 패턴(185)을 더 포함할 수 있다.
제1 트렌치(TRE1)는 뱅크(180)에 형성된 도랑과 같은 구조로 이루어질 수 있다. 제1 트렌치(TRE1)는 표시 영역(DPA)을 둘러싸며, 비표시 영역(NDA)에 배치된 제1 격벽(BR1), 제2 격벽(BR2) 및 지지대(135)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1 트렌치(TRE1)는 도 23에 도시된 바와 같이, 폐루프(closed loop) 또는 도넛 형상으로 이루어질 수 있다.
뱅크 패턴(185)은 뱅크(180)로부터 이격되어 제1 트렌치(TRE1)를 이룰 수 있다. 뱅크 패턴(185)은 기판(SUB)의 측변과 뱅크(180) 사이에 배치되며, 표시 영역(DPA) 및 제1 트렌치(TRE1)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 뱅크 패턴(185) 또한 제1 트렌치(TRE1)와 마찬가지로 폐루프 또는 도넛 형상으로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서는 제1 트렌치(TRE1) 및 뱅크 패턴(185)을 더 포함함으로써, 외부로부터 수분이나 산소가 뱅크(180)로 침투되는 것을 더욱 방지할 수 있다.
도 24를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(SUB)의 비표시 영역(NDA) 상에 제3 컬러 필터(215)를 더 포함할 수 있다.
기판(SUB)의 비표시 영역(NDA) 상에 복수의 컬러 필터(211, 213, 215)가 배치될 수 있다. 복수의 컬러 필터(211, 213, 215)는 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제3 컬러 필터(215)를 포함할 수 있다. 제2 컬러 필터(213)는 제1 오버코트층(200) 상에 직접 배치되어, 표시 영역(DPA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 제2 컬러 필터(213)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다. 제1 컬러 필터(211)는 제2 컬러 필터(213) 상에 직접 배치되어, 표시 영역(DPA)으로부터 이격되어 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(211)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다. 제3 컬러 필터(215)는 제1 컬러 필터(211) 상에 직접 배치되어, 표시 영역(DPA)으로 이격되어 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제3 컬러 필터(215)의 측변은 기판(SUB)의 측변과 상호 정렬될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 컬러 필터(211)는 청색 컬러 필터이고, 제2 컬러 필터(213)는 적색 컬러 필터이며, 제3 컬러 필터(215)는 녹색 컬러 필터일 수 있다. 서로 다른 색의 광을 투과시키는 3개의 컬러 필터들이 적층된 경우, 광이 투과되지 않을 수 있다. 예들 들어, 적색, 청색 및 녹색의 광이 상기 적층된 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213), 및 제3 컬러 필터(215)에 입사되면, 제2 컬러 필터(213)에 의해 적색 광만 투과되고 청색과 녹색 광이 차단된다. 제2 컬러 필터(213)를 투과한 적색 광은 청색 광을 투과시키는 제1 컬러 필터(211)에서 차단되어 결과적으로, 광이 투과되지 못하고 차단될 수 있다. 그리고, 제1 컬러 필터(211) 및 제2 컬러 필터(213)에 의해 차단되지 않고 제3 컬러 필터(215)에 입사되는 녹색 이외의 광은 제3 컬러 필터(215)에서 차단될 수 있다.
일 실시예에서는 비표시 영역(NDA)에 서로 다른 색을 투과시키는 3개의 컬러 필터(211, 213, 215)들, 즉 제1 컬러 필터(211), 제2 컬러 필터(213) 및 제3 컬러 필터(215)를 적층하여 배치함으로써, 비표시 영역(NDA)으로 광이 새어나오지 못하도록 하여 빛샘을 방지할 수 있다.
도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 이미지이다. 도 26은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면 이미지이다. 여기서, 단면 이미지는 SEM 이미지이다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 표시 영역(DPA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)에 제1 트렌치(TRE1)가 형성된 것이 나타나 있다. 도 26과 같이, 뱅크에 형성된 제1 트렌치(TRE1)는 제1 오버코트층(200)에 의해 채워져 대체적으로 평탄하게 형성됨을 확인할 수 있다.
상기와 같이, 실시예들에 따른 표시 장치(10)는 뱅크(180)의 측변이 기판(SUB)의 측변보다 내측으로 이격되어 배치시킴으로써, 뱅크(180)가 외부의 수분이나 산소에 의해 들뜸이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에 복수의 컬러 필터를 배치함으로써, 광이 새어나오는 빛샘을 방지하고 제2 오버코트층(220)의 상면을 평탄하게 하여 광학 기능층(LFL)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 120: 제1 절연층
135: 지지대 170: 박막 봉지층
180: 뱅크 190: 캡핑층
200: 제1 오버코트층 210: 컬러 필터층
211, 213, 215: 제1 내지 제3 컬러 필터
220: 제2 오버코트층 LFL: 광학 기능층
DPA: 표시 영역 NDA: 비표시 영역
BR1, BR2: 제1 및 제2 격벽 TRE1: 제1 트렌치
SUB: 기판 EML: 발광 소자층

Claims (21)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역 상에 배치된 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역으로 연장된 뱅크;
    상기 뱅크 상에 배치되며, 상기 뱅크를 커버하는 캡핑층;
    상기 캡핑층 상에 배치되며, 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층;
    상기 제1 오버코트층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역에서 서로 적층된 복수의 컬러 필터;
    상기 복수의 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층; 및
    상기 제2 오버코트층 상에 배치된 광학 기능층을 포함하며,
    상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변, 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변, 및 상기 제2 오버코트층의 측변은 상호 정렬되는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 뱅크의 측변은 상기 기판의 측변으로부터 상기 표시 영역을 향하는 방향으로 이격된 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 발광 소자층 사이에 배치된 제1 절연층을 더 포함하며,
    상기 캡핑층의 적어도 일부는 상기 비표시 영역에서 상기 제1 절연층과 접촉하여 상기 기판과 나란하게 배치되는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 캡핑층의 적어도 일부는 상기 기판의 측변과 상기 뱅크의 측변 사이에 배치되며, 상기 캡핑층의 측변은 상기 기판의 측변과 상호 정렬되는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 절연층의 측변은 상기 기판의 측변과 상호 정렬되는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 컬러 필터는 서로 다른 색의 광을 투과시키는 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터를 포함하며,
    상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 오버코트층 상에 배치되고, 상기 제1 컬러 필터는 상기 제2 컬러 필터 상에 배치되는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터 상에 배치된 제3 컬러 필터를 더 포함하며, 상기 제3 컬러 필터는 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터가 각각 투과시키는 광의 색과 다른 색의 광을 투과시키는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 소자층은 상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 발광 소자 상에 배치된 박막 봉지층을 포함하며,
    상기 박막 봉지층은 상기 복수의 발광 소자 상에 배치된 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치된 봉지 유기막, 및 상기 봉지 유기막 상에 배치된 제2 봉지 무기막을 포함하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는 유기 발광 다이오드 또는 무기 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 광학 기능층의 측변은 상기 기판의 측변과 상호 정렬되는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 광학 기능층의 측변은 상기 기판의 측변으로부터 외측으로 돌출되거나 상기 기판의 측변으로부터 내측으로 이격된 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 비표시 영역에 배치된 복수의 격벽 및 지지대를 더 포함하며,
    상기 복수의 격벽 및 상기 지지대는 상기 뱅크에 의해 커버되며 상기 복수의 컬러 필터와 중첩하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 뱅크에 형성된 제1 트렌치를 더 포함하며,
    상기 제1 트렌치는 상기 표시 영역을 둘러싸는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 트렌치는 폐루프 형상으로 이루어진 표시 장치.
  15. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    상기 표시 영역 상에 발광 소자층을 형성하는 단계;
    상기 발광 소자층 상에 뱅크 및 제1 트렌치를 동시에 형성하는 단계;
    상기 뱅크 및 상기 제1 트렌치 상에 상기 뱅크 및 상기 제1 트렌치를 커버하는 캡핑층을 형성하는 단계;
    상기 캡핑층 상에 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층을 형성하는 단계;
    상기 비표시 영역의 상기 제1 오버코트층 상에 복수의 컬러 필터를 서로 적층하는 단계;
    상기 복수의 컬러 필터 상에 상기 복수의 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층을 형성하는 단계;
    상기 제1 트렌치와 대응되는 스크라이빙 라인을 따라 상기 기판을 스크라이빙하는 단계; 및
    상기 제2 오버코트층 상에 광학 기능층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 기판을 스크라이빙하는 단계과 상기 광학 기능층을 형성하는 단계 사이에 상기 기판을 연마하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 광학 기능층을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판을 연마하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 기판을 연마하는 단계에서, 상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변 및 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변이 상호 정렬되는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역 상에 배치된 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역으로 연장된 뱅크;
    상기 뱅크 상에 배치되며, 상기 뱅크를 커버하는 캡핑층;
    상기 캡핑층 상에 배치되며, 상기 캡핑층을 커버하는 제1 오버코트층;
    상기 제1 오버코트층 상에 배치되며, 상기 비표시 영역에서 서로 적층된 복수의 컬러 필터;
    상기 복수의 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 컬러 필터를 커버하는 제2 오버코트층; 및
    상기 제2 오버코트층 상에 배치된 광학 기능층을 포함하며,
    상기 기판의 측변, 상기 캡핑층의 측변, 상기 제1 오버코트층의 측변, 상기 복수의 컬러 필터 각각의 측변, 및 상기 제2 오버코트층의 측변은 상호 정렬되고,
    상기 기판으로부터의 상기 제2 오버코트층의 높이는 상기 비표시 영역 및 상기 표시 영역에서 각각 동일한 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 제1 오버코트층의 높이는 상기 비표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 제1 오버코트층의 높이보다 큰 표시 장치.
  21. 제19 항에 있어서,
    상기 표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 뱅크의 높이는 상기 비표시 영역에서 상기 기판으로부터의 상기 뱅크의 높이보다 큰 표시 장치.
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