JP6733203B2 - 電気光学装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器に関するものである。

電気光学装置の一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）素子を用いた画素が素子基板の表示領域にマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
具体的に、特許文献１における有機ＥＬ素子は、駆動用基板の側から順に積層された、反射層としての機能も兼ねた陽極、絶縁膜、有機層及び陰極を有して構成され、表示領域に設けられた保護膜によって封止されている。

特開２００７−２３４６１０号公報

特許文献１においては、有機ＥＬ素子上に保護膜を成膜した後に、素子基板の表示領域及び外部接続領域（素子基板の表示領域以外の領域）に保護膜を形成し、該保護膜に対して、封止用基板をマスクとする異方性エッチングを行うことによって、外部接続領域上の保護膜を除去している。
しかしながら、封止用基板は一般的なフォトリソマスクと違ってマスクの厚さが１ｍｍ程度もあり、マスクとなる封止用基板近傍の数十μｍの膜厚を有する保護膜を十分にエッチングすることができないという問題があった。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、封止用基板をマスクとして保護膜を充分にエッチングすることのできる、電気光学装置、電子機器を提供することを目的の一つとしている。

本発明の一態様における電気光学装置は、複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に配置された実装端子と、を含む素子基板と、前記複数の発光素子を封止し、前記素子基板の面法線方向から見て、前記実装端子と重なる領域に開口部を有する封止膜と、前記素子基板に前記封止膜を介して配置され、厚さが１ｍｍ以上である封止用基板と、を備え、前記素子基板の面法線方向から見て、前記封止用基板と前記実装端子との間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法以上である。

これによれば、封止用基板と実装端子との距離が封止用基板の厚さ寸法以上、離れているため、製造過程において、封止用基板をマスクにして封止膜のエッチングを行う際、実装端子を覆っていた封止膜をエッチングによって十分に取り除くことができる。

本発明の一態様における電気光学装置において、前記素子基板の前記実装端子が配置された側の一辺と、前記実装端子との間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法の１／２以上である構成としてもよい。

これによれば、マザー基板を用いて電気光学装置を複数同時に製造する場合であっても、実装端子を覆っていた封止膜をエッチングによって十分に取り除くことができる。

本発明の一態様における電気光学装置において、前記発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に挟持される発光層と、を有し、前記陰極は、前記素子基板の面法線方向から見て、前記実装端子と前記封止用基板との間に設けられたデータ線駆動回路を覆い、前記封止用基板は前記陰極の一部を覆っている構成としてもよい。

これによれば、封止膜から露出した陰極の一部を介して、データ線駆動回路の熱を放熱させることができる。これにより、電気光学装置を適正な温度で動作させることができる。

本発明の一態様における電子機器は、上記の電気光学装置を備えている。

これによれば、封止用基板を用いたエッチングによって製造した電気光学装置を備えているため、優れた表示品質を有するとともに、高い生産性を有した電子機器を得ることができる。

電気光学装置の製造方法は、素子基板上に複数の発光素子と複数の実装端子とを形成する工程と、前記複数の発光素子及び前記複数の実装端子を覆うように封止膜を形成する工程と、前記封止膜を介して前記素子基板上に封止用基板を配置する工程と、前記封止用基板をマスクとして、前記実装端子の少なくとも一部を露出させるように前記封止膜をエッチングする工程と、を有し、前記複数の実装端子を形成する工程において、前記素子基板の面法線方向から見て、前記封止用基板と前記実装端子との間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法以上となるように形成する。

また、電気光学装置の製造方法は、前記複数の実装端子を形成する工程において、前記素子基板の面法線方向から見て、前記素子基板の前記複数の実装端子が配列された一辺と、前記実装端子との間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法の１／２以上となるように形成する。

また、電気光学装置の製造方法は、マザー基板を用いる場合は、前記実装端子を形成する工程において、前記マザー基板の面法線から見て水平方向に各素子基板形成領域の前記表示領域が存在し、垂直方向に各素子基板形成領域の前記端子領域が存在する場合に、垂直方向で隣り合う一方の前記素子基板形成領域の前記実装端子と、垂直方向で隣り合う他の前記素子基板形成領域との間のスクライブラインとの間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法の１／２以上となるように形成する。

また、電気光学装置の製造方法は、前記発光素子を形成する工程において、前記端子領域に設けられたデータ線駆動回路を覆うように陰極を形成し、前記封止膜をエッチングする工程において、前記陰極の一部を露出させる。

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 （ａ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の一部を拡大して示す図。 図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｄ）〜（ｅ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 封止用基板と実装端子との距離を示す断面図。 封止用基板からの実装端子の距離［ｍｍ］と、エッチングレート［Å／ｓｅｃ］との関係を示す図。 複数の素子基板が面付け（レイアウト）され、封止用基板をそれぞれに配置したマザー基板を示す概略平面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。

以下に、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。なお、使用する図面は、説明する部分を明確に認識し読み手の理解を促進できるよう、適宜拡大または縮小して表示している。

また、以下の実施形態の説明において、例えば「基板上に」との記載がある場合、基板の上に接するように配置されている場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含むものとする。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
本実施形態における有機ＥＬ装置について説明する。
図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
図２（ａ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の一部を拡大して示す図である。なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）においては発明の理解を容易にするため、製図法上、実線であらわすべきところを破線で、もしくは破線で表すべきところを実線で表記している場合がある。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００は、互いに交差する複数の走査線１２と複数のデータ線１３、および電源線１４とを有している。複数の走査線１２は走査線駆動回路１５に接続されており、複数のデータ線１３はデータ線駆動回路１６に接続されている。複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応して、マトリックス状に複数のサブ画素１８が配置されている。

サブ画素１８には、発光素子である有機ＥＬ素子（発光素子）３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御するための画素回路２０とを含んでいる。

有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極（陽極）３１と、陰極として機能する共通電極３３と、画素電極３１と共通電極（陰極）３３との間に設けられた発光体となる有機発光層を含む機能層３２とで構成されている。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを有している。スイッチング用トランジスター２１と、駆動用トランジスター２３とは、例えば、ｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。駆動用トランジスター２３のうちソースまたはドレインの一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１と接続され、ソースまたはドレインの他方が電源線１４と接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線駆動回路１５から走査線１２を経由して、制御信号がスイッチング用トランジスター２１に供給されると、ゲートはオンの状態となる。そして、データ線駆動回路１６からデータ線１３を経由して供給される画像信号に基づく電位が、スイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２に保持された電位つまり駆動用トランジスター２３のゲート電位に対応して、駆動用トランジスター２３のゲートのオン、オフ状態が決まる。駆動用トランジスター２３のゲートがオンの状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と共通電極３３とに挟まれた機能層３２に電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は機能層３２を流れる電流の大きさに応じて発光する。

なお、画素回路２０の構成は、これに限定されない。例えば、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間に設けられ、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていても良い。

有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０に対向するように配置された封止用基板４１とを有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ１（図中、破線で表示）と、表示領域Ｅ１の外側にダミー領域Ｅ２（図中、２点鎖線で表示）とが設けられている。ダミー領域Ｅ２の外部は非表示領域となっている。

表示領域Ｅ１には、サブ画素１８がマトリックス状に配置されている。前述したように、サブ画素１８は発光素子である有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１および駆動用トランジスター２３の動作に伴って、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られる。ここでは、赤色に発光する画素をサブ画素１８Ｒ、緑色に発光する画素をサブ画素１８Ｇ、青色に発光する画素をサブ画素１８Ｂとしている。以降、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂをまとめてサブ画素１８と表現する場合もある。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が図面上において垂直方向に配置され、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が、水平方向に配置されている。このようなサブ画素１８の配置はストライプ方式といわれている。以降、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が配列した方向をＸ方向とし、同色の発光が得られるサブ画素１８が配列した方向をＹ方向として説明する。

Ｘ方向のサブ画素１８の配列について、図中Ｒ，Ｇ，Ｂとしているが、これに拘るものではなく、複数の組み合わせを用いることができる。また、サブ画素１８の配列はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であっても良い。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して、一対の走査線駆動回路１５が設けられている。一対の走査線駆動回路１５の間で表示領域Ｅ１に沿った位置に、検査回路１７が設けられている。

素子基板１０には、一対の走査線駆動回路１５に沿ったＹ方向と、検査回路１７に沿ったＸ方向とに延在して、ダミー領域Ｅ２を囲むように配置された配線層２９を有している。有機ＥＬ素子３０の共通電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０すなわち複数のサブ画素１８に亘って、共通陰極として形成されている。また、共通電極３３は、表示領域Ｅ１から非表示領域に至るように形成され、非表示領域において上記の配線層２９と電気的に接続されている。

素子基板１０は、封止用基板４１よりも大きく、封止用基板４１からＹ方向にはみ出た一辺部（図中、素子基板１０の下方の端部と、ダミー領域Ｅ２との間の辺部；以降、端子領域１１ｔと呼ぶ）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るための複数の実装端子１０１がＸ方向に配列している。複数の実装端子１０１には、フレキシブル回路基板（以下、ＦＰＣ）１０５が接続されている。ＦＰＣ１０５には、駆動用ＩＣ１１０が実装されている。

駆動用ＩＣ１１０は、前述したデータ線駆動回路１６を含むものである。ＦＰＣ１０５は、駆動用ＩＣ１１０の入力側に配線を介して接続される入力端子１０２と、駆動用ＩＣ１１０の出力側に配線を介して接続される出力端子（図示省略）とを有している。

素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、実装端子１０１及びＦＰＣ１０５を介して、駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。走査線駆動回路１５や検査回路１７に接続された配線は、実装端子１０１とＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。共通陰極としての共通電極３３もまた配線層２９及び実装端子１０１、並びにＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。

したがって、端子領域１１ｔに配列した複数の実装端子１０１のいずれかに、駆動用ＩＣ１１０からの制御信号や駆動用電位（ＶＤＤ）などが供給される。すなわち実装端子１０１とＦＰＣ１０５側の出力端子との電気的な接続信頼性を確保することは、有機ＥＬ装置１００の動作に大きく寄与するものとなる。

素子基板１０側の複数の実装端子１０１と、ＦＰＣ１０５側の出力端子とを電気的に接続する方法は、公知の方法を用いることができ、例えば熱可塑性の異方性導電フィルムを用いる方法や熱硬化型の異方性接着剤を用いる方法が挙げられる。

（有機ＥＬ装置の構造）
次に、有機ＥＬ装置１００の構造について、図３及び図４を参照して説明する。
図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った有機ＥＬ装置１００の構造を示す概略断面図である。図４は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った有機ＥＬ装置１００の構造を示す概略断面図である。

ここで、図３は表示領域Ｅ１におけるサブ画素１８の構造を示し、図４は端子領域１１ｔの構造を示すものである。ここで以下に述べる基材１１は本発明でいう素子基板に相当する。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路２０と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター３６とを含む素子基板１０を備えている。また、素子基板１０に対して対向して配置された封止用基板４１を備えている。

封止用基板４１は、例えば石英ガラスなどの可視光領域に対して透明な基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６を保護すべく、充填剤４２を介して素子基板１０に対向して配置されている。

サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの機能層３２からの発光は、後述する反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を通過して封止用基板４１の側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。

基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、石英ガラスなどの透明基板のみならず、シリコン（Ｓｉ）やセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、基材１１として石英ガラスを用い、画素回路２０に薄膜トランジスターを用いた場合を例に説明する。

第１絶縁膜１１ａは、基材１１の表面を覆って形成される。第１絶縁膜１１ａ上には、画素回路２０における例えば駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが形成される。半導体層２３ａを覆ってゲート絶縁膜として機能する第２絶縁膜１１ｂが形成される。第２絶縁膜１１ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置に、ゲート電極２３ｇが形成される。ゲート電極２３ｇを覆って第１層間絶縁膜２４が３００ｎｍ〜２μｍの膜厚で形成される。第１層間絶縁膜２４は、画素回路２０の駆動用トランジスター２３などを覆うことによって生じた表面の凹凸を無くすように平坦化処理が施される。

半導体層２３ａのソース領域２３ｓとドレイン領域２３ｄとにそれぞれ対応して、第２絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜２４とを貫通するコンタクトホールが形成される。これらのコンタクトホールを埋めるようにして導電膜が形成され、パターニングされて駆動用トランジスター２３に接続される電極や配線が形成される。

また、上記導電膜は、光反射性があり、例えばアルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム（Ａｌ）と銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）との合金などを用いて形成される。これをパターニングすることによって、サブ画素１８ごとに独立した反射層２５が形成される。本実施形態において、反射層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。図３では図示を省略したが、画素回路２０におけるスイッチング用トランジスター２１や蓄積容量２２も、基材１１上に形成される。

反射層２５と第１層間絶縁膜２４とを覆って１０ｎｍ〜２μｍの膜厚で第２層間絶縁膜２６が形成される。また、後に画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが第２層間絶縁膜２６を貫通して形成される。第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６を構成する材料としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、あるいはシリコン酸窒化物を用いることができる。

第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを埋めるように、第２層間絶縁膜２６を覆って導電膜が成膜される。この導電膜をパターニングすることによって画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）が形成される。画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。本実施形態において、画素電極３１の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）を光反射性のアルミニウム（Ａｌ）やその合金を用いて形成してもよい。

各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁部を覆って隔壁２８が形成される。これによって各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成される。隔壁２８は例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて、１μｍ程度の高さで各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂをそれぞれ区画するように形成される。

なお、本実施形態では、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを互いに絶縁された状態とするために感光性樹脂からなる隔壁２８を形成したが、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを区画してもよい。

機能層３２は、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに接するように、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成され、隔壁２８の表面も機能層３２で覆われる。なお、隔壁２８で区画された領域に機能層３２が形成されればよいので、機能層３２は隔壁２８のすべての表面を覆う必要はない。よって、隔壁２８の頂部は機能層３２で覆われていなくてもよい。

機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を、それぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。

なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層をさら含んでも良いし、例えば有機発光層に電子輸送層の機能を持たせて、層数を減らすこともできる。

有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。

機能層３２を覆って共通陰極としての共通電極３３が形成される。共通電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。本実施形態において、共通電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、共通電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。

共通電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と共通電極３３との間で光共振器を構成してもよい。光共振器は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに、反射層２５と共通電極３３との間の光学的距離を異ならせることにより、特定の共振波長の光が取り出されるものである。これによって、各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからの発光の色純度を高めることができる。

上記光学的距離は、光共振器を構成する反射層２５と共通電極３３との間に挟まれた各種の機能膜の屈折率と膜厚との積の合計として求められる。したがって、上記光学的距離をサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに異ならせる方法としては、画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの膜厚を異ならせる方法や、反射層２５と画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂとの間の第２層間絶縁膜２６の膜厚を異ならせる方法がある。上記のように有機ＥＬ素子３０が共振構造を有する場合、有機ＥＬ素子３０から発せられた光は、共通電極３３から後述の封止層３４側に出射される光であり、機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。

共通電極３３上には、水や酸素などが浸入しないように、複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、共通電極３３側から順に、第１封止膜（封止膜）３４ａ、緩衝膜３４ｂ、第２封止膜（封止膜）３４ｃが積層されたものである。

なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過度が７×１０⁻³ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、中でも５×１０⁻⁴ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、特に５×１０⁻⁶ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透過率は、共通電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。

第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_ＸＮ_Ｙ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）およびこれらを主成分としたものが好ましい。

第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。第１封止膜３４ａや第２封止膜３４ｃの膜厚を厚くするほど、高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膜の膨張や収縮によって生じる膜応力によりクラックが生じ易い。したがって、それぞれ２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましい。本実施形態では緩衝膜３４ｂを挟んで、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。

緩衝膜３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、緩衝膜３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、緩衝膜３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、緩衝膜３４ｂは第１封止膜３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。

図４に示すように、端子領域１１ｔにおける封止層３４の端部は、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで主に構成されており、表示領域Ｅ１のように第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで緩衝膜３４ｂを挟んだ構成になっていない。表示領域Ｅ１においては画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などの構造物により、少なからず凹凸が生じてしまうため、緩衝膜３４ｂを挟むことにより凹凸を緩和させる必要がある。他方で、ダミー領域Ｅ２においては有機ＥＬ素子３０等が存在しないために、下地の凹凸をそれほど考慮しなくても良いからである。

また、封止層３４の上記端部は、直接外部と接触するため水分等の影響を受けやすい。そのため、第１封止膜３４ａ、第２封止膜３４ｃのみの構成であるほうが、より高いガスバリア性を実現できる。さらに、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとは同じ材料で構成することができるため、お互いの密着性も良く、ガスバリア性をさらに高めることができる。

封止層３４上には、図３に示すように、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成される。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂで構成されるカラーフィルター３６の形成方法としては、各色に対応した染料や顔料などの色材が溶剤に分散された感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像して形成する方法が挙げられる。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚は、どの色も同じでもよいし、少なくとも１色を他の色と異ならせてもよい。いずれにしても、有機ＥＬ素子３０からの発光が各着色層（３６Ｒ、３６Ｇ、３６Ｂ）を通過した際に、適度な色度やホワイトバランスが得られるような膜厚が設定される。

本実施形態におけるカラーフィルター３６は、異なる色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ間においてＹ方向に延在して、異なる色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを区分するストライプ状の絶縁層３５を含むものである。絶縁層３５は、色材を含まない感光性樹脂材料からなる。絶縁層３５の断面形状は台形に限定されるものではないが、封止層３４に接する底面のＸ方向の長さは、画素電極３１間の寸法と同程度の０．５μｍ〜１μｍであることが望ましい。絶縁層３５は表示領域Ｅ１及びダミー領域Ｅ２に亘り、形成されている。サブ画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０から発せられた光は青色の着色層３６Ｂを透過し、緑色の着色層３６Ｇ及び赤色の着色層３６Ｒにて遮光される。同様に、サブ画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０から発せられた光は緑色の着色層３６Ｇを透過し、青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒにて遮光され、サブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０から発せられた光は赤色の着色層３６Ｒを透過し、青色の着色層３６Ｂ及び緑色の着色層３６Ｇにて遮光される。したがって、各有機ＥＬ素子３０の位置とカラーフィルター３６の各着色層の位置により、有機ＥＬ装置１００から取り出される光の方向が規定される。

なお、図４では着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）を表示領域Ｅ１までとしているがこれに拘るものでは無く、ダミー領域Ｅ２（端子領域１１ｔと封止用基板４１との境界）まで覆いかぶせる構成であってもよい。この構成によれば、後の充填剤４２を塗布して形成する工程において、充填剤４２は、互いに濡れ性の異なる、着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）と第２封止膜３４ｃとの双方に接することがなくなり、着色層３６Ｇ（カラーフィルター３６）の面のみに塗布することができる。つまり、充填剤４２の塗布性を良くすることができる。

素子基板１０と封止用基板４１とは、図３及び図４に示すように間隔をおいて対向して配置され、当該間隔に充填剤４２が塗布される。充填剤４２の機能としては、封止用基板４１及び素子基板１０に対して濡れ性および接着性が良好であるとともに、有機ＥＬ素子３０からの発光に対して透明であることが必要とされる。よって、充填剤４２としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。充填剤４２の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍである。

（素子基板１０の端子領域１１ｔとその周辺の構造）
実装端子１０１は、図４に示すように、素子基板１０の端子領域１１ｔにおいて、画素電極３１と同様に、第２層間絶縁膜２６上に形成されている。また、第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホール２６ａ内の導電膜を介して、第１層間絶縁膜２４上に形成された配線層１０３と接続されている。

図４では、基材１１上における画素回路２０や画素回路２０に接続される信号配線、走査線駆動回路１５などの周辺回路の構成について図示を省略しているが、複数の実装端子１０１のそれぞれは、これらの回路や信号配線に対して配線層１０３を通じて電気的に接続されている。

配線層１０３は、第１層間絶縁膜２４上に形成された導電膜を利用して、反射層２５と一緒にパターニングされていることが好ましいが、反射層２５と異なる構成の材料で形成されていてもよい。

また、実装端子１０１は、第２層間絶縁膜２６上に形成された導電膜を利用して、画素電極３１と一緒にパターニングされていることが好ましいが、画素電極３１と異なる構成の材料で形成されていてもよい。実装端子１０１は前述したようなＦＰＣ１０５との接続のみならず（図２（ａ））、ワイヤーボンディングなどで実装してもよい。実装端子１０１は、実装方法との相性と、のちの封止膜エッチング工程におけるフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングに対する耐久性に鑑みて、アルミニウム（Ａｌ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などを用いるとよい。

いずれの端子構成であっても実装端子１０１は、第２層間絶縁膜２６の上面で、例えば封止層３４、充填剤４２、その他の部材と干渉することなく露出した状態を保持しているので、外部との電気的接続を良好に行うことができる。

本実施形態における封止用基板４１の厚さＴは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍである。図２（ｂ）及び図４に示すように、素子基板１０の面法線方向から見て封止用基板４１と実装端子１０１との間の距離Ｌ１が、封止用基板４１の厚さ寸法以上となっており、Ｔ≦Ｌ１の関係を満たしている。つまり、素子基板１０の面法線方向から見て、素子基板１０の一面上で、封止用基板４１の端部（実装端子１０１側の端部）４１ａと重なる位置から、封止用基板４１の厚さ寸法以上の距離をおいて実装端子１０１が配置されている。

また、実装端子１０１と、素子基板１０における実装端子１０１が配列された側の一辺１１Ａと、の間の距離Ｌ２が、封止用基板４１の厚さ寸法の１／２以上となっている（Ｔ／２≦Ｌ２）。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について図５〜図７を参照して、本発明の特徴部分である、高い接続信頼性を有する実装端子１０１の形成方法を詳しく説明する。
図５は有機ＥＬ装置１００の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｃ）および図７（ｄ）〜（ｅ）は有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図である。なお、図６および図７は、図４に対応した領域の概略断面図である。

図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程（ステップＳ１）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）と、充填剤塗布工程（ステップＳ３）と、基板貼り合せ工程（ステップＳ４）と、封止膜エッチング工程（ステップＳ５）と、アッシング工程（ステップＳ６）とを含んでいる。

なお、基材１１上に画素回路２０、反射層２５、有機ＥＬ素子３０、その他周辺回路、信号配線などを形成する方法は、公知の成膜技術、穴埋め技術、平坦化技術その他付随するプロセスを採用することができる。

＜封止層形成工程（ステップＳ１）＞
図６（ａ）に示すように、まず、共通電極３３と端子領域１１ｔ（実装端子１０１）とを覆う第１封止膜３４ａを形成する。第１封止膜３４ａを形成する方法としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_ＸＮ_Ｙ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第１封止膜３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合、４００ｎｍとした。

次に、第１封止膜３４ａを覆う緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂは、端子領域１１ｔと封止用基板４１との境界に掛からず、ダミー領域Ｅ２に収まるように形成することが望ましい。緩衝膜３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法や定量吐出法で該溶液を塗布し、乾燥させることにより、エポキシ樹脂からなる緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍである。この場合、２μｍとした。

なお、緩衝膜３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されない。例えば、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、膜厚がおよそ２μｍの酸化シリコン膜を、緩衝膜３４ｂとして形成してもよい。

続いて、緩衝膜３４ｂを覆う第２封止膜３４ｃを形成する。第２封止膜３４ｃの形成方法は、第１封止膜３４ａと同じであって、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_ＸＮ_Ｙ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第２封止膜３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合は８００ｎｍとした。そして、ステップＳ２へ進む。

＜カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）＞
図６（ａ）に示すように、まず、色材を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで、画素の間でＹ方向に延在するストライプ状の絶縁層３５を形成する。この際、基材１１上に形成された実装端子１０１と平面視で重なる領域に開口部３７をパターン形成する。

次に、絶縁層３５を覆って、例えば、緑の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより色材を含む感光性樹脂層を形成する。続いて、該感光性樹脂層を露光・現像することにより緑（Ｇ）の着色層３６Ｇを形成する。本実施形態においては、適度な光学特性を得られるよう、着色層３６Ｇの膜厚を１．０μｍ〜２．０μｍの範囲とした。また、図示はしないが、赤および青についても同様に各色の色材を含む感光性樹脂を塗布し、露光現像を行い、着色層３６Ｒ、３６Ｂを形成する。すなわち、使用するカラーフィルターの色数に応じた回数分、塗布〜露光現像処理を行う必要がある。
続いて、ステップＳ３へ進む。

＜充填剤塗布工程（ステップＳ３）＞
図６（ｂ）に示すように、着色層３６Ｇ（３６）を覆うように充填剤４２を塗布する。充填剤４２には、有機ＥＬ素子３０から発せられる光の透過性およびカラーフィルター３６と封止用基板４１との接着性を考慮して熱硬化型のエポキシ系樹脂が使用されている。その他、たとえばウレタン系、アクリル系、ポリオレフィン系などの樹脂材料でも同様の効果が得られる。充填剤４２は、緩衝膜３４ｂの効果により例えば有機ＥＬ素子３０などの構造物の凹凸が低減されているため、カラーフィルター３６や第２封止膜３４ｃの表面上を流動性よく塗布することができる。なお、最終的な充填剤４２の厚みはおよそ１０〜１００μｍである。続いて、ステップＳ４に進む。

＜封止基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）＞
図６（ｂ）にて充填剤４２が塗布された基材１１に対して、封止用基板４１を所定の位置に例えば真空吸引等で対向して配置する（図６（ｃ））。封止用基板４１には光透過性やハンドリング性、後の封止膜エッチング工程による反応生成物の影響を考慮して、石英ガラスが使用されている。封止用基板４１の厚みは０．５ｍｍ〜１．２ｍｍが好適である。本実施形態においては１．２ｍｍの基板を用いている。

対向して配置された封止用基板４１を所定の押し圧で加圧し、基材１１と封止用基板４１とに挟まれて、いまだ固化していない充填剤４２を平面視でまんべんなく押し広げる。この際、封止用基板４１の端部（端子領域１１ｔとの境界面）から充填剤４２がはみ出て端子領域１１ｔにかかり、実装端子１０１まで覆ってしまうことも懸念される。したがって、充填剤４２の塗布量の調整、封止用基板４１の平面積、加圧の程度により、充填剤４２が端子領域１１ｔにはみ出さないように管理することが好ましい。ちなみに、充填剤４２の内部に気泡の残りがあると表示不良を引き起こす可能性もあるので、真空（大気圧以下）雰囲気の元で押し圧作業を行うことがより好ましい。

上記作業の後、充填剤４２の硬化条件となる温度および時間にて充填剤４２を固化し、素子基板１０と封止用基板４１とを接着する。なお、封止用基板４１を加圧することにより充填剤４２を平面的に延在させるため、前述したステップＳ３にて充填剤４２を表示領域Ｅ１全体に塗布することは特に求めない。

＜封止膜エッチング工程（ステップＳ５）＞
次に、図７（ｄ）に示すように、絶縁層３５をエッチングマスクとして開口部３７内の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃをエッチングにより除去し、実装端子１０１を露出させる。エッチング方法は、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。この際、封止用基板４１によって、エッチングによるダメージから有機ＥＬ素子３０及びカラーフィルター３６を保護することができる。

ここでは、絶縁層３５だけでなく、封止用基板４１もエッチングマスクとして機能する。封止用基板４１及び絶縁層３５をマスクとして実装端子１０１上の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃをエッチングする。そのため本実施形態では、第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃと同時に、第２封止膜３４ｃ上に積層されている絶縁層３５の一部もエッチングにより除去される。

本工程では、絶縁層３５の開口部３７内におけるエッチング対象の封止膜３４ａ，３４ｃをエッチングするが、フォトレジストである絶縁層３５も同時にエッチングされる。実装端子１０１の表面を確実に露出させるために、少し長めにエッチング処理をした場合、端子領域１１ｔにおける封止膜３４ａ，３４ｃ上の絶縁層３５は殆どなくなっている可能性がある。しかしながら、感光性樹脂である絶縁層３５がなくなると、実装端子１０１以外の領域に設けられた封止膜３４ａ，３４ｃ、つまり、端子領域１１ｔ上に本来残しておくべき封止膜３４ａ，３４ｃがエッチングされてしまう。そこで、封止膜エッチング工程では絶縁層３５がある程度残るようなエッチング条件で処理を行う。しかしながら、端子領域１１ｔに残る絶縁層３５は僅かであるため、エッチング処理後の様子を示す図７（ｅ）での図示は省略する。

シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_ＸＮ_Ｙ）およびシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）などの無機膜からなる第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃを選択的にエッチングする方法として、ＣＨＦ_３（三フッ化メタン）、ＣＦ_４（四フッ化炭素）、ＮＦ_３（三フッ化窒素）、ＳＦ_６（六フッ化硫黄）などのフッ素系処理ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。

ドライエッチングは、所定のガス流量、チャンバー圧力のもと高周波電圧を印加することにより行われる。ガス種に応じたプラズマ粒子（図７（ｄ）の矢印５０）が封止膜（３４ａ，３４ｃ）や封止用基板４１などに照射されることで、プラズマ粒子と被照射物である封止膜（３４ａ、３４ｃ）などとが化学反応を起こし揮発性物質を生成することにより、被照射物を削り取る。

端子領域１１ｔ（実装端子１０１）では、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとが重なっている。そして、これら封止膜（３４ａ，３４ｃ）は、共にシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_ＸＮ_Ｙ）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）のいずれかであり、ＳｉまたはＳｉＯを主成分としている。よって、同種のエッチングガスで第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを一括除去することが可能となる。

本実施形態において、封止膜（３４ａ，３４ｃ）の膜厚はおよそ１２００ｎｍ（第１封止膜３４ａの厚み：４００ｎｍ＋第２封止膜３４ｃの厚み：８００ｎｍ）である。一方、封止用基板４１の厚みは１．２ｍｍである。よって、封止用基板４１は、実装端子１０１上の封止膜（３４ａ，３４ｃ）を除去するために十分な厚みを有し、封止膜エッチング工程でのマスクとして機能している。なお、絶縁層３５の膜厚はおよそ１０００ｎｍである。

封止膜エッチング工程では、所望の封止膜パターンを形成するために、所定の電力を印加してエッチングガスをプラズマ化し、バイアス電力を素子基板１０に印加することによってエッチングを行う。

しかしながら、素子基板１０の表面上と、封止用基板４１の表面上とでは、プラズマに対する基板バイアスのかかり方が違うため、封止用基板４１上で高さのある部分の近くはエッチングされにくい。

そこで本実施形態では、素子基板１０の面法線方向から見て、封止用基板４１の端部４１ａから、封止用基板４１の厚さ寸法以上離して実装端子１０１を配置した。高さのある封止用基板４１から距離をおき、端子領域１１ｔにおいて、プラズマ中にシースが均一に形成される領域に実装端子１０１を配置することによって、実装端子１０１上の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃを安定してエッチングすることができる。これにより、封止用基板４１の厚さが１ｍｍ以上あったとしても、実装端子１０１上の封止層３４に対して十分なエッチングレートを確保することができる。

ここで、封止用基板４１と実装端子１０１との距離によるエッチングレートの違いについて述べる。
図８は、封止用基板と実装端子との距離を示す断面図であって、封止用基板、素子基板、実装端子を中心に記載し、その他の構成要素の記載を省略している。
図９は、封止用基板からの実装端子の距離［ｍｍ］と、エッチングレート［Å／ｓｅｃ］との関係を示す図である。表１に、封止用基板４１と実装端子１０１の距離ごとのエッチングレートを示す。また、表２に、エッチング処理の条件を示す。

エッチング処理条件
・処理ガス：ＣＦ_４（四フッ化炭素）
・ガス流量：８０ｓｃｃｍ
・ＲＦ_ＰＯＷＥＲ：２００Ｗ
・チャンバーの内部圧力：２５Ｐａ

図８及び図９に示すように、封止用基板４１から実装端子１０１が離れるほど第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃに対するエッチングレートが高くなっていることが分かる。具体的に表１からも分かるように、封止用基板４１と実装端子１０１との距離Ｌ１が、封止用基板４１の厚さＴ（１．２ｍｍ）以上のときと、厚さＴ以下のときとでは、第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃに対するエッチングレートの差が大きい。距離Ｌ１が封止用基板４１の厚さ寸法以上になると、封止層３４に対するエッチングレートが各段に高くなっている。よって、封止用基板４１の厚さＴと、封止用基板４１と実装端子１０１との距離Ｌ１との関係がＴ＜Ｌ１の関係であることが好ましい。距離Ｌ１が大きくなるほどエッチングレートが高くなっていることから、少なくともＴ≦Ｌの関係を満たしていればよい。

実装端子１０１には先に述べたようにアルミニウム（Ａｌ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用されている。よって、開口部３７内の封止膜（３４ａ，３４ｃ）を除去した後には、実装端子１０１自体が良好なエッチングストップ材となり、実装端子１０１は封止膜エッチング工程に対して保護される。

なお、実装端子１０１と封止用基板４１との位置する高さの違いから、一概に材質のみではエッチングレートが決まらないこともある。

＜アッシング工程（ステップＳ６）＞
次に、封止膜エッチング工程の後、実装端子１０１の表面を含む素子基板１０上に残留した有機物等を除去する。アッシング工程を行うことで、有機樹脂である絶縁層３５の残差を除去し、ＦＰＣ１０５との接続に良好な実装端子１０１の表面状態を実現できる。アッシング条件を表２に示す。

アッシング処理条件
・処理ガス：Ｏ_２（酸素）、Ａｒ（アルゴン）
・ガス流量：２０ｓｃｃｍ
・ＲＦ_ＰＯＷＥＲ：２００Ｗ
・チャンバーの内部圧力：３０Ｐａ

上記のプロセスで素子基板１０の端子領域１１ｔ（実装端子１０１）を露出して表面処理したのち（図７（ｅ））、図２（ａ）に示すように実装端子１０１にＦＰＣ１０５を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。

以上、上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
実装端子１０１を覆う第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとをエッチングする際に、封止用基板４１をエッチングマスクとして用いている。本実施形態では、素子基板１０上における実装端子１０１の位置を封止用基板４１から所定距離（封止用基板４１の厚さ寸法）以上ほど離すことによって、封止膜エッチング工程において、端子領域１１ｔに存在する第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃのエッチングを安定して行うことができ、実装端子１０１の表面を確実に露出させることができる。このように、エッチングマスクとして用いる封止用基板４１が１ｍｍを超える厚さを有していても、封止膜エッチング工程を安定して行うことができる。

これにより、実装端子１０１と、ＦＰＣ１０５側の出力端子との接続信頼性を高めることができ、表示品質に優れた有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

さらに、本実施形態では封止用基板４１をマスクとしたエッチングを行っているため、マスキングは不要になり、製造工程が簡略化され、高い生産性を有している。

また、上記有機ＥＬ装置１００の製造方法は、１つの有機ＥＬ装置１００を単位として説明したが、実際には、有機ＥＬ装置１００における有機ＥＬパネル（ＦＰＣ１０５が実装される前の状態）を複数同時に形成することが考えられる。以降、マザー基板を用いた例について説明する。

図１０は複数の素子基板１０が面付け（レイアウト）され、封止用基板４１をそれぞれに配置したマザー基板を示す概略平面図である。

図１０に示すように、マザー基板１１Ｗは、ウェハー状の例えば石英ガラス基板であって、大きさは例えば直径２００ｍｍ〜３００ｍｍであり、外周の一部を切り欠くことによって面方位を表すオリフラが設けられている。オリフラを基準として、Ｘ方向とＹ方向およびこれらに直交する方向をＺ方向としている。最終的に有機ＥＬ装置１００として小片化する際のスクライブラインをＳＬとしている。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であることから、前述したように、素子基板１０の基材１１は、透明な石英ガラス基板のみならず、不透明な例えばシリコン基板を用いることができる。つまり、マザー基板１１Ｗとしてシリコンウエハーを用いることもできる。

マザー基板１１Ｗにおいて、複数の素子基板形成領域１１Ｒが設定されており、複数の基材１１がマトリックス状に面付けされた状態で素子基板１０が形成される。ここで、マザー基板１１Ｗ上には、その面法線から見たときに、各素子基板形成領域１１Ｒの表示領域Ｅ１どうしがＸ方向で隣り合うとともに、各素子基板形成領域１１Ｒの端子領域１１ｔどうしがＸ方向で隣り合うように存在し、Ｙ方向に各素子基板形成領域１１Ｒの表示領域Ｅ１と端子領域１１ｔとが交互に存在している。

この場合、複数の素子基板形成領域１１Ｒのそれぞれに実装端子１０１を形成する工程において、Ｙ方向で隣り合う一方の素子基板形成領域１１Ｒの実装端子１０１と、Ｙ方向で隣り合う他の素子基板形成領域１１Ｒとの間のスクライブラインＳＬ１、すなわちＸ方向に延在するスクライブラインＳＬ１と、の間の距離Ｌ１が、封止用基板４１の厚さ寸法の１／２以上となるように、実装端子１０１を形成する。

複数の有機ＥＬ素子３０が形成された素子基板１０について、封止層形成工程（ステップＳ１）にて封止層３４が形成される。

続いて、ステップＳ２のカラーフィルター形成工程にて、絶縁層３５、カラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）が形成される。続いて、できあがった状態の素子基板１０のそれぞれに対して、充填剤塗布工程（ステップＳ３）にて、充填剤４２が塗布される。

基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）では封止用基板４１を素子基板１０にアライメントしながら重ね合せる。封止用基板４１は、端子領域１１ｔ（実装端子１０１）に覆いかぶらないように配置されている（図１０（ａ）〜（ｃ））。そして、熱硬化型である充填剤４２を加熱し硬化させることにより、素子基板１０と封止用基板４１とを貼り合せる。

封止膜エッチング工程（ステップＳ５）にて、封止用基板４１（絶縁層３５）をマスクとして、実装端子１０１上を覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）をエッチングして部分的に取り除く。なお、ここでも封止膜（３４ａ，３４ｃ）のエッチングと同時に、封止膜（３４ａ，３４ｃ）を覆う端子領域１１ｔ上の絶縁層３５もエッチングされる。
上述したように、垂直方向（Ｙ方向）で隣り合う素子基板形成領域１１Ｒの間のスクライブラインＳＬ１と、スクライブラインＳＬ１よりもＹ方向＋側（図中上位側）に存在する素子基板形成領域１１Ｒの実装端子１０１との距離Ｌ２が封止用基板４１の厚さ寸法の１／２以上離れているため、各素子基板形成領域１１Ｒの実装端子１０１上に存在する封止膜（３４ａ，３４ｃ）を、エッチングによって十分に取り除くことができる。

また、実装端子１０１を覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）だけではなく、スクライブラインＳＬ１及びスクライブラインＳＬ２上の封止膜（３４ａ，３４ｃ）も除去されるよう、エッチングマスクである絶縁層３５をパターン形成しておくことが望ましい。

その後に、隣り合う素子基板１０の間の仮想のスクライブラインに沿って、マザー基板１１Ｗを切断することにより、小片化された個々の有機ＥＬ装置１００を取り出す。スクライブラインＳＬ１、ＳＬ２上の封止膜（３４ａ，３４ｃ）は、封止膜エッチング工程で除去されているため、マザー基板１１Ｗの切断において、例えば切断ブレードの回転により封止膜（３４ａ，３４ｃ）を巻き込むことが少ない。よって、素子基板１０の外縁側の封止膜（３４ａ，３４ｃ）にクラックや剥がれの生ずることを低減することができるため、良好なガスバリア性を保つことができる。ちなみに、切断方法としては、超硬チップやダイヤモンドチップを使ったスジ入れスクライブ法やダイヤモンドブレードを使ったダイシング法が挙げられる。

なお、マザー基板１１Ｗを用いた有機ＥＬ装置１００の製造方法は、素子基板１０側だけに限定されない。すなわち、素子基板１０が面付けされたマザー基板１１Ｗと、封止用基板４１が面付けされた封止用マザー基板とを貼り合せて、切断する方法にも適用できる。

このように、マザー基板を用いて複数の有機ＥＬ装置１００を一度に製造する場合であっても、素子基板形成領域１１ＲのスクライブラインＳＬ１（完成後の素子基板１０の一辺１１Ａに相当）から、封止用基板４１の厚さ寸法の１／２以上離れた位置に実装端子１０１を設けておくことにより、各素子基板形成領域１１Ｒにおける実装端子１０１上の封止層３４のエッチングを安定して行うことができる。これにより、実装端子１０１の表面を確実に露出させることができる。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ装置について説明する。
以下に示す本実施形態の電気光学装置の基本構成は、上記第１実施形態と略同様であるが、陰極の形成範囲において異なる。よって、以下の説明では、第１実施形態と異なる点について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図４と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。

図１１は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図である。
図１１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置（電気光学装置）２００では、有機ＥＬ素子３０の陰極として機能する共通電極３３がデータ線駆動回路１６の上方を覆うようにして形成されている。共通電極３３は、素子基板１０の面法線方向から見てデータ線駆動回路１６の全体を覆う範囲に形成されていてもよいし、データ線駆動回路１６の一部を覆うように形成されていてもよい。そして、この共通電極３３は封止層３４により覆われている。すなわち、本実施形態においては、封止用基板４１によって共通電極３３の一部が覆われておらず、共通電極３３の端部３３Ａが封止層３４を介して外気に露出した状態となっている。このような構成によれば、封止用基板４１と実装端子１０１との間の領域に、データ線駆動回路１６等の駆動回路の配置のため有効に活用できる。

本実施形態の構成によれば、共通電極３３の一部を封止用基板４１で封止せずに露出させておくことにより、データ線駆動回路１６の消費電力が増加して発熱量が増した場合でも、共通電極３３の端部３３Ａを介して放熱させることができる。データ線駆動回路１６だけでなく、他の制御回路を覆うように共通電極３３の形成範囲を広げてもよい。集積回路で発生した熱を効率よく逃がすことができるため、集積回路の温度上昇を抑制して、有機ＥＬ装置を適正な温度で動作させることができる。また、熱によって構成に歪み等が生じるのを防ぐことができる。これによれば、封止用基板４１と実装端子１０１との間の領域を放熱のため有効に活用できる。

本実施形態の有機ＥＬ装置２００を製造する場合には、有機ＥＬ素子３０を形成する工程において、端子領域１１ｔに設けられたデータ線駆動回路１６上を覆うように共通電極（陰極）３３を形成する。また、素子基板１０上に封止用基板４１を配置する工程において、封止用基板４１によって覆われていない共通電極３３の端部３３Ａを露出させるように、絶縁層３５、封止膜（３４ａ，３４ｃ）のエッチングを行う。

［第３実施形態］
次に、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。
図１２は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す概略図である。
図１２に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（電子機器）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００（または上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、高い生産性を有しているのでコストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。各実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。

（変形例）
例えば、上記第１〜第２実施形態においては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色表現をするためカラーフィルター３６を用いた有機ＥＬ装置１００，２００について記載したが、これに拘るものでは無い。例えば、３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光をする有機ＥＬ素子３０を用いたＲＧＢ塗り分け方式、青（Ｂ）発光から蛍光体の色変換層を通して赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の発光を得る色変換方式など、その他の多様な色表現方法を有する有機ＥＬ装置に本発明を適用することが可能である。

１０…素子基板、１０１…実装端子、１１Ａ…素子基板の一辺、１１Ｒ…素子基板形成領域、１１ｔ…端子領域、１１Ｗ…マザー基板、１３…データ線、１６…データ線駆動回路、３０…有機ＥＬ素子（発光素子）、３１…画素電極（陽極）、３３…共通電極（陰極）、３４…第１封止膜（封止膜）、３４…第２封止膜（封止膜）、４１…封止用基板、１００，２００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１０００…ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）、Ｅ１…表示領域、Ｌ１…封止用基板と実装端子との距離、Ｌ２…素子基板の一辺と実装端子との距離、ＳＬ１，ＳＬ２…スクライブライン、Ｔ…封止用基板の厚さ

Claims (4)

1. 複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に配置された実装端子と、を含む素子基板と、
   前記複数の発光素子を封止し、前記素子基板の面法線方向から見て、前記実装端子と重なる領域に開口部を有する封止膜と、
   前記素子基板に前記封止膜を介して配置され、厚さが１ｍｍ以上である封止用基板と、を備え、
   前記素子基板の面法線方向から見て、前記封止用基板と前記実装端子との間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法以上である、電気光学装置。
2. 前記素子基板の前記実装端子が配置された側の一辺と、前記実装端子との間の距離が、前記封止用基板の厚さ寸法の１／２以上である、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に挟持される発光層と、を有し、
   前記陰極は、前記素子基板の面法線方向から見て、前記実装端子と前記封止用基板との間に設けられたデータ線駆動回路を覆い、
   前記封止用基板は前記陰極の一部を覆っている、請求項１に記載の電気光学装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。

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