JP2016143605A - 発光装置の製造方法、発光装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示に寄与しない非発光領域の広がりを抑制し、発光装置の狭額縁化を図ること。【解決手段】基材１１の表示領域Ｅ１に設けられた有機ＥＬ素子３０と、少なくとも有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４と、表示領域Ｅ１を囲むように設けられた第１の樹脂４１と、第１の樹脂４１で囲まれた領域の内側に配置された対向基板４０と、基材１１と対向基板４０とを接着し、第１の樹脂４１で囲まれた領域の内側に配置された第２の樹脂４２と、を含むことを特徴とする。【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置の製造方法、当該製造方法で製造された発光装置、及び当該発光装
置が搭載された電子機器に関する。

発光装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）装置は
、自発光型の表示装置であり、例えば液晶装置などの非発光型の表示装置と比べて、光源
としてのバックライトが不要となるため薄型化や軽量化の点で有利であり、電子ビューフ
ァインダーなどのマイクロディスプレイへの応用が期待されている。

発光装置として、例えば特許文献１に記載の有機ＥＬ装置が提案されている。特許文献
１の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子を有する素子基板と、素子基板に対向配置された封止
基板と、素子基板と封止基板との間に配置され両基板を固定する周辺シール層と、周辺シ
ール層で囲まれた領域の内側に充填（密封）された充填層とを含み、有機ＥＬ素子は電極
保護層と有機緩衝層とガスバリア層とからなる封止層で覆われ、ガスバリア層は有機緩衝
層よりも広く、有機緩衝層の周辺端部は周辺シール層の幅内に配置されている。

周辺シール層の幅内に有機緩衝層の周辺端部が配置され、有機シール層の周辺端部を覆
うガスバリア層は周辺シール層によって補強されているので、当該周辺端部における応力
集中によってガスバリア層にクラックや剥離などの損傷が生じにくい。よって、表示に寄
与しない領域（非発光領域）を狭くしてもガスバリア層の損傷が抑制されるので、有機Ｅ
Ｌ装置の狭額縁化を図ることができる。

特開２００８−５９８６７号公報

特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、減圧された環境で、素子基板と封止基板と周辺
シール層とで囲まれた領域の内側に充填層を充填し、素子基板と封止基板とを貼り合せた
後に、減圧された環境から大気圧の環境に変化させて、周辺シール層と充填層とを硬化さ
せる。このとき、素子基板と封止基板と周辺シール層とで囲まれた領域の内側の充填層は
減圧された環境にあり、素子基板と封止基板と周辺シール層とで囲まれた領域の外側は大
気圧の環境にあるので、充填層は、減圧された環境と大気圧の環境との圧力差に相当する
強い圧力が作用し、素子基板と封止基板とで押圧される。

周辺シール層は、充填層と同じ強い圧力が作用し、素子基板と封止基板とで押圧され、
周辺シール層が押し広げられるおそれがあった。さらに、充填層が素子基板と対向基板と
で強く押圧されると、周辺シール層を突き破り、充填層が素子基板と封止基板と周辺シー
ル層とで囲まれた領域の外側にはみ出すおそれもあった。
従って、周辺シール層が押し広げられたり、充填層がはみ出したりすると、表示に寄与
しない領域（非発光領域）が広くなるので、有機ＥＬ装置の狭額縁化が阻害されるという
課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る発光装置の製造方法は、第１基板の素子領域に発光素子が
設けられた発光装置の製造方法であって、少なくとも発光素子を覆うように、封止層を形
成する工程と、前記素子領域を囲むように、第１の樹脂を塗布する工程と、前記第１の樹
脂を硬化する工程と、前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に第２の樹脂を塗布する工程
と、前記第２の樹脂を介して第２基板を前記第１基板に貼り合せる工程と、前記第２の樹
脂を硬化する工程と、を有することを特徴とする。

本実施形態では、第１の樹脂を硬化させ第１の樹脂の強度を高めた後に、第２の樹脂を
塗布する工程や第２基板を貼り合せる工程が処理されているので、仮に両工程で第１の樹
脂に外力が作用しても、第１の樹脂は変形しにくい。よって、第２基板を貼りあわせ第１
の樹脂及び第２の樹脂を硬化させる際に、第１の樹脂が押圧され押し広げられるという公
知技術の課題を解消し、公知技術と比べて第１の樹脂の幅を小さくすることができる。

第１の樹脂で囲まれた領域の内側に第２の樹脂が配置されているので、第２基板を貼り
合せる工程で第２の樹脂が押圧され、第２基板の端部からはみ出しても、第２の樹脂は第
１の樹脂で囲まれた領域の内側にとどまり、第１の樹脂で囲まれた領域の外側にはみ出さ
ない。よって、公知技術と比べて、第２の樹脂の広がり（はみ出し）の影響を小さくする
ことができる。
従って、本実施形態は、公知技術と比べて、第１の樹脂の幅を小さくし、第２の樹脂の
広がり（はみ出し）の影響を小さくすることができるので、表示に寄与しない領域を狭く
し、発光装置の小型化を図ることができる。

［適用例２］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記第１の樹脂の頂部は、前記
第２の樹脂の頂部よりも高い位置に形成されていることが好ましい。

第１の樹脂の頂部を第２の樹脂の頂部よりも高くすることで、第２の樹脂が押し広げら
れた際に、第２の樹脂が第１の樹脂を乗り越えて、第１の樹脂で囲まれた領域の外側に広
がるおそれを抑制することができる。

［適用例３］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記第２基板は、前記第１の樹
脂で囲まれた領域の内側に配置されていることが好ましい。

第２基板は、第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置されている。すなわち、第１の樹
脂は、第１基板と第２基板との間に配置されておらず、第１基板と第２基板とから押圧さ
れ第１の樹脂が押し広げられるおそれはない。よって、第１の樹脂が押し広げられるおそ
れがあるという公知技術の課題を解決することができる。

［適用例４］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記第１の樹脂は、光硬化性樹
脂であり、前記光硬化性樹脂の粘度は、１００００〜１００００００ｍＰａｓの範囲であ
ることが好ましい。

光硬化性樹脂の粘度は、１００００〜１００００００ｍＰａｓと高粘度であり、当該光
硬化性樹脂は流動しにくい。よって、当該光硬化性樹脂を使用して、細い幅の第１の樹脂
を形成することができる。

例えば、高粘度の熱硬化性樹脂を使用して第１の樹脂を形成すると、熱硬化性樹脂を硬
化させる熱処理によって熱硬化性樹脂が軟化し（流動し）、第１の樹脂の幅が広くなりや
すい。第１の樹脂は光硬化性樹脂であり、当該光硬化性樹脂を硬化させる光照射では第１
の樹脂の軟化は生じにくいので、第１の樹脂の幅は広くなりにくい。従って、高粘度の光
硬化性樹脂を使用して第１の樹脂を形成すると、熱硬化性樹脂を使用して第１の樹脂を形
成する場合と比べて、細い幅の第１の樹脂を形成することができる。

［適用例５］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記封止層は、前記発光素子の
側に配置された第１無機封止層と、第２無機封止層と、前記第１無機封止層と前記第２無
機封止層とで挟まれた有機封止層と、を有し、前記有機封止層は前記第１の樹脂で囲まれ
た領域の内側に配置されている、または前記有機封止層の端部は平面視で前記第１の樹脂
と重なるように配置されていることが好ましい。

有機封止層が第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置されると、有機封止層は第２の樹
脂と対向基板とで保護され、有機封止層に外力が作用しにくい。または、有機封止層の端
部が平面視で第１の樹脂と重なると、有機封止層は第１の樹脂と第２の樹脂と対向基板と
で保護され、有機封止層に外力が作用しにくい。
従って、有機封止層に外力が作用し、有機封止層が変形し、有機封止層の上に形成され
た第２無機封止層にクラックなどの欠陥が生じるというおそれを抑制することができる。

［適用例６］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記第１基板の端と前記第１の
樹脂との間に、端子が形成される端子領域を有し、前記第２の樹脂を硬化する工程の後に
、前記端子を露出させる工程を有することが好ましい。

第２の樹脂を硬化する工程の後では、表示領域の発光素子や封止層は、第１の樹脂と第
２の樹脂と第２基板とで保護されているので、第２の樹脂を硬化する工程の後に端子を露
出させる工程を設けると、表示領域の発光素子や封止層に悪影響を及ぼさずに、端子を露
出させることができる。

［適用例７］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記封止層を形成する工程と前
記第１の樹脂を塗布する工程との間に、カラーフィルターを形成する工程を有し、前記カ
ラーフィルターと前記第２基板とは、前記第２の樹脂を介して貼り合わされていることが
好ましい。

第１基板の封止層と第２の樹脂との間にカラーフィルターを設けると、発光素子で発し
た光を、カラーフィルターの中を通過させ、第２基板の側から射出させ、カラーフィルタ
ーによって発光素子で発した光の色純度を高めることができる。

［適用例８］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記第１基板は複数の素子領域
を有し、前記複数の素子領域のそれぞれに第２基板を貼り合せることが好ましい。

第１基板を複数の素子領域が多面付けされたマザー基板とし、複数の素子領域のそれぞ
れに単体の第２基板を貼り合せるチップマウント方式で、第１基板と第２基板とを貼り合
せると、一つの素子領域が設けられた第１基板と単体の第２基板とを貼りわせる方式と比
べて、貼り合せ工程の生産性を高めることができる。

［適用例９］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、大気圧の環境で、前記第２基板
を貼り合せることが好ましい。

第２基板は、大気圧の環境で第１基板に貼り合わされているので、公知技術における減
圧された環境と大気圧の環境との圧力差に相当する強い圧力が充填層（第２の樹脂）に作
用し、第２の樹脂が広がるというおそれを抑制することができる。

［適用例１０］上記適用例に係る発光装置の製造方法は、前記第１基板の母材は不透明
基板であることが好ましい。

例えば、第１基板の母材をシリコンなどの半導体基板（不透明基板）で構成することに
よって、第１基板の母材を石英などの透明基板で構成する場合と比べて、第１基板により
高性能なトランジスターを形成することができる。

［適用例１１］本適用例に係る発光装置は、第１基板の素子領域に設けられた発光素子
と、少なくとも前記発光素子を覆う封止層と、前記素子領域を囲むように設けられた第１
の樹脂と、前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置された第２基板と、前記第１基板
と前記第２基板とを接着し、前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置された第２の樹
脂と、を含むことを特徴とする。

第２の基板は、第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置され、第１の樹脂は、第１基板
と第２基板とで挟まれていない。第１の樹脂は第１基板と第２基板とで押圧されないので
、第１基板と第２基板とからの押圧で第１の樹脂が押し広げられるという公知技術の課題
を抑制し、公知技術と比べて第１の樹脂の幅を小さくすることができる。さらに、第２の
樹脂は、第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置され、第１の樹脂で囲まれた領域の外側
への広がり（はみ出し）が抑制されている。
従って、本実施形態は、公知技術と比べて、第１の樹脂の幅を小さくし、第２の樹脂の
広がり（はみ出し）の影響を小さくすることができるので、表示に寄与しない領域を狭く
し、発光装置の狭額縁化を図ることができる。

［適用例１２］上記適用例に係る発光装置は、前記封止層は、前記発光素子の側から順
に配置された第１無機封止層と、有機封止層と、第２無機封止層と、を含み、前記有機封
止層は前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置されている、または前記有機封止層の
端部は平面視で前記第１の樹脂と重なるように配置されていることが好ましい。

有機封止層は、第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置され、第２の樹脂と対向基板と
で保護され、外力が作用しにくい。または、有機封止層の端部は、平面視で第１の樹脂と
重なり、有機封止層は、第１の樹脂と第２の樹脂と対向基板とで保護され、外力が作用し
にくい。従って、有機封止層に外力が作用し、有機封止層が変形し、有機封止層の上に形
成された第２無機封止層（バリア層）にクラックなどの欠陥が生じにくくなる。

［適用例１３］上記適用例に係る発光装置は、前記第１の樹脂の幅は、１ｍｍ以下であ
ることが好ましい。

第１基板と第２基板とによる押圧で、第１の樹脂が押し広げられるおそれがないので、
第１の樹脂の幅を小さくすることができる。よって、第１の樹脂の幅を１ｍｍ以下とし、
発光装置を狭額縁化することができる。

［適用例１４］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えている
ことを特徴とする。

上記適用例に記載の発光装置は、狭額縁化を図り、発光装置の外形寸法を小さくし、発
光装置をコンパクトにすることができる。従って、上記適用例に記載の発光装置が適用さ
れた電子機器もコンパクトにすることができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、
ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末
、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の発光装置を適用す
ることができる。

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 サブ画素の構成を示す概略平面図。 図１のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 図１のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 複数の素子基板が多面付けされたマザー基板の状態を示す図。 図６に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 図１０に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 ヘッドマウントディスプレイの概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発
明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の
範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある
。

（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１は、本発明における「発光装置」の一例であり、後述
するヘッドマウントディスプレイの表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイであ
る。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実
施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の概要について、説
明する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、素子基板１０と、素子基板１
０に対向配置された対向基板４０とを有している。両基板は、後述する第２の樹脂４２（
図４参照）によって接着されている。
なお、対向基板４０は、本発明における「第２基板」の一例である。

素子基板１０は、青色の光を発するサブ画素１８Ｂと、緑色の光を発するサブ画素１８
Ｇと、赤色の光を発するサブ画素１８Ｒとからなる画素１９が、マトリックス状に配列さ
れた表示領域Ｅ１を有している。
なお、表示領域Ｅ１は、本発明における「素子領域」の一例である。以降の説明では、
サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒを、サブ画素１８と称する場合が
ある。

表示領域Ｅ１を囲むように、第１の樹脂４１が設けられている。第１の樹脂４１は額縁
形状を有し、第１の樹脂４１の幅は概略１ｍｍ以下である。第１の樹脂４１は、表示に寄
与しない非発光領域に設けられ、第１の樹脂４１の幅を概略１ｍｍ以下と小さくすること
によって、表示に寄与しない非発光領域の寸法を小さくしている。すなわち、有機ＥＬ装
置１の狭額縁化が図られている。

素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数
の外部接続用端子１０３が設けられた素子基板１０の第１辺の端と、第１の樹脂４１との
間の領域が、端子領域Ｅ２となる。つまり、後述する基材１１（図５参照）と、第１の樹
脂４１との間の領域が、端子領域Ｅ２となる。
複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅ１との間には、データ線駆動回路１５が設け
られている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅ１との間
には、走査線駆動回路１６が設けられている。

以降、素子基板１０の第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに
対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から対
向基板４０に向かう方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って対向基板４０の側から見
ることを平面視と呼ぶ。

対向基板４０は、透光性のガラス基板であり、素子基板１０に対向配置されている。対
向基板４０は、素子基板１０よりも小さく、第１の樹脂４１で囲まれた領域の内側に配置
されている。対向基板４０の端は、第１の樹脂４１と表示領域Ｅ１との間に配置されてい
る。対向基板４０は、表示領域Ｅ１を覆い、表示領域Ｅ１に配置されている有機ＥＬ素子
３０（図２参照）が傷つかないように保護している。
なお、対向基板４０は、透光性の絶縁基板であればよく、上述したガラス基板の他に、
例えば石英基板や透光性を有する樹脂などを使用することができる。

図１では図示を省略するが、サブ画素１８Ｂには青色の光を透過する青色の着色層３６
Ｂ（図４参照）が設けられ、サブ画素１８Ｇには緑色の光を透過する緑色の着色層３６Ｇ
（図４参照）が設けられ、サブ画素１８Ｒには赤色の光を透過する赤色の着色層３６Ｒ（
図４参照）が設けられている。

サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとは、それぞれＹ方向に沿って配置
されている。青色の着色層３６Ｂと緑色の着色層３６Ｇと赤色の着色層３６Ｒとは、それ
ぞれＹ方向に延びたストライプ形状をなし、表示領域Ｅ１及び端子領域Ｅ２に配置されて
いる。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデ
ータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有
している。走査線１２は走査線駆動回路１６に接続され、データ線１３はデータ線駆動回
路１５に接続されている。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に
対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２
０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有してい
る。画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３
３は、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。画素電極３１から供給され
る正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で結合し、発光機能層３
２が白色に発光する。
なお、有機ＥＬ素子３０は、本発明における「発光素子」の一例である。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トラ
ンジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル
型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に接続されている。スイッ
チング用トランジスター２１のソースまたはドレインのうち一方は、データ線１３に接続
されている。スイッチング用トランジスター２１のソースまたはドレインのうち他方は、
駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。

駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方は、有機ＥＬ素子３０の
画素電極３１に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのう
ち他方は、電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１
４との間には、蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、その
ときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスタ
ー２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジ
スター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる
。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トラン
ジスター２３を介して、画素電極３１と対向電極３３とで挟まれた発光機能層３２に、ゲ
ート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０から発せられる光の輝度は、発光
機能層３２に流れる電流密度によって変化する。

「サブ画素の概要」
図３は、サブ画素の構成を示す概略平面図である。図３では、サブ画素１８の構成要素
のうち、画素電極３１及び絶縁膜２８が図示され、他の構成要素の図示は省略されている
。
次に、図３を参照してサブ画素１８の概要について説明する。

図３に示すように、サブ画素１８には、画素電極３１及び絶縁膜２８が配置されている
。画素電極３１は、光透過性を有し、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透光性材
料で構成され、サブ画素１８毎に島状に配置されている。

絶縁膜２８は、例えばシリコン酸化物で構成され、画素電極３１と発光機能層３２との
間に配置されている（図４参照）。絶縁膜２８は、画素電極３１の周縁部を覆い、画素電
極３１を露出する開口２８ＣＴを有している。

開口２８ＣＴが設けられた領域では、画素電極３１と発光機能層３２とが接し、画素電
極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、発光機能層３２が発光する。つまり、開口
２８ＣＴが設けられた領域が、発光機能層３２が発光する発光領域となる。絶縁膜２８が
設けられた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光
機能層３２の発光が抑制される。

「有機ＥＬ装置の断面構造」
図４は、図１のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。図５
は、図１のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。なお、図５
は、サブ画素１８Ｒ（青色の着色層３６Ｂ）が配置された部分の概略断面図である。
次に、図４及び図５を参照して、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１では、素子基板１０と、第２の樹脂４２と、対向基
板４０とが、Ｚ方向に順に積層されている。

素子基板１０は、基材１１と、基材１１にＺ方向に順に積層された反射層２５と、光学
的距離調整層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、カラーフィルター３６とを有
している。
なお、基材１１は、本発明における「第１基板」の一例である。

基材１１の母材は、例えばシリコンからなる不透明基板である。基材１１は、走査線１
２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、スイッチ
ング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３（図２参照）など
が、公知技術によって形成された半導体基板である。さらに、基材１１は、半導体層や複
数の導電層や複数の絶縁層などを有し、データ線駆動回路１５や走査線駆動回路１６やト
ランジスター２１，２３などは、同じ工程で形成されている。
なお、基材１１の母材は、上述したシリコンなどの不透明基板に限定されず、例えば石
英やガラスなどの透明基板であってもよい。

基材１１の母材をシリコン（不透明基板）とすることによって、基材１１の母材を石英
（透明基板）とする場合と比べて、半導体層の移動度を大きくし、データ線駆動回路１５
や走査線駆動回路１６や画素回路２０（図２参照）を構成するトランジスターの高性能化
を図ることができる。

反射層２５は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の一方の反射層
である。反射層２５は、反射率の高い材料によって形成され、複数のサブ画素１８に跨っ
て配置されている。反射層２５の構成材料としては、例えばアルミニウムや銀などを使用
することができる。

光学的距離調整層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６
ｃで構成される。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５の上に設けられ、サブ画素１８Ｂとサ
ブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２
６ａの上に設けられ、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第３絶縁膜
２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂの上に設けられ、サブ画素１８Ｒに配置されている。その結
果、光学的距離調整層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒ
の順に大きくなっている。

有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、発光機能層３２と、対
向電極３３とを有し、表示領域Ｅ１に配置されている。
画素電極３１は、例えばＩＴＯで構成され、透光性を有し、表示領域Ｅ１に配置されて
いる。上述したように、画素電極３１の周縁部は絶縁膜２８で覆われ、絶縁膜２８の開口
２８ＣＴが発光領域となる。

発光機能層３２は、透光性を有し、画素電極３１を覆い、表示領域Ｅ１よりも広く配置
されている。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機
発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成
分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青
色で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよ
い。

対向電極３３は、発光機能層３２を覆い、発光機能層３２よりも広く配置されている。
対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有
している。対向電極３３は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の他
方の反射層である。

封止層３４は、Ｚ方向に順に積層された第１無機封止層３４ａと、有機封止層３４ｂと
、第２無機封止層３４ｃとで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面
に設けられている。なお、封止層３４には、外部接続用端子１０３を露出させる開口１０
４が設けられている（図５参照）。

第１無機封止層３４ａは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）法などの方法で形成されたシリコン酸窒化物で構成される。第１無機封止層３４ａ
は、対向電極３３（有機ＥＬ素子３０）を覆うように、素子基板１０の略全面に設けられ
ている。シリコン酸窒化物は、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

第１無機封止層３４ａが形成される下地膜（絶縁膜２８、対向電極３３）には、開口２
８ＣＴ、有機ＥＬ素子３０（画素電極３１、発光機能層３２、対向電極３３）などに起因
する微小な凹凸が存在する。このため、第１無機封止層３４ａを無欠陥で形成することが
難しく、第１無機封止層３４ａだけで、有機ＥＬ素子３０への水分や酸素の侵入を抑制す
ることが難しい。

有機封止層３４ｂは、平面視で対向電極３３と重なり、対向電極３３よりも広く設けら
れている。有機封止層３４ｂの端部は、平面視で第１の樹脂４１と重なるように設けられ
ている。有機封止層３４ｂは、例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（例えば、シリ
コン酸化物）などで構成されている。有機封止層３４ｂは、第１無機封止層３４ａの欠陥
（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。さらに、有機封止
層３４ｂの端部は、第１無機封止層３４ａの表面に対してなだらかに傾斜している（低テ
ーパーに傾斜している）。

第２無機封止層３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ法などの方法で形成された
シリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。第２無機
封止層３４ｃは、有機封止層３４ｂを覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。有
機封止層３４ｂの端部は、第１無機封止層３４ａの表面に対して低テーパーに傾斜してい
るので、第２無機封止層３４ｃが有機封止層３４ｂの端部を覆っても、例えば応力集中な
どの影響が軽減され、第２無機封止層３４ｃに欠陥が生じにくい。さらに、第２無機封止
層３４ｃは、有機封止層３４ｂの平坦な面の上に形成されるので、欠陥が生じにくい。よ
って、有機封止層３４ｂを覆うように第２無機封止層３４ｃを形成することによって、水
分や酸素に対するバリア性に優れた第２無機封止層３４ｃを形成することができる。

カラーフィルター３６は、封止層３４の上に配置され、青色の着色層３６Ｂと、緑色の
着色層３６Ｇと、赤色の着色層３６Ｒと、凸部３７とを有している。
青色の着色層３６Ｂは、例えば青色の色材を含むアクリル樹脂で構成され、平面視でサ
ブ画素１８Ｂの開口２８ＣＴ（発光領域）と重なるように設けられている。緑色の着色層
３６Ｇは、例えば緑色の色材を含むアクリル樹脂で構成され、平面視でサブ画素１８Ｇの
開口２８ＣＴ（発光領域）と重なるように設けられている。赤色の着色層３６Ｒは、例え
ば赤色の色材を含むアクリル樹脂で構成され、平面視でサブ画素１８Ｒの開口２８ＣＴ（
発光領域）と重なるように設けられている。

凸部３７は、例えば色材を含まないアクリル樹脂であり、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６
Ｒと同じ主材料で構成される。凸部３７は、青色の着色層３６Ｂと緑色の着色層３６Ｇと
が隣り合う部分に配置され、青色の着色層３６Ｂと緑色の着色層３６Ｇとの混色を抑制す
る。凸部３７は、緑色の着色層３６Ｇと赤色の着色層３６Ｒとが隣り合う部分に配置され
、緑色の着色層３６Ｇと赤色の着色層３６Ｒとの混色を抑制する。凸部３７は、赤色の着
色層３６Ｒと青色の着色層３６Ｂとが隣り合う部分に配置され、赤色の着色層３６Ｒと青
色の着色層３６Ｂとの混色を抑制する。
なお、端子領域Ｅ２にもカラーフィルター３６が配置されている。端子領域Ｅ２のカラ
ーフィルター３６には、外部接続用端子１０３を露出させる開口１０４が設けられている
（図５参照）。

カラーフィルター３６の上には、第１の樹脂４１と第２の樹脂４２とが配置されている
。
第１の樹脂４１は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂であり、光硬化性樹脂を硬化さ
せて形成される。第１の樹脂４１は、対向基板４０と素子基板１０との間の領域に配置さ
れている。つまり、第１の樹脂４１は、表示領域Ｅ１や対向基板４０を囲むように配置さ
れている。

第２の樹脂４２は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂であり、光硬化性樹脂または熱
硬化性樹脂を硬化させて形成される。第２の樹脂４２は、第１の樹脂４１で囲まれた領域
の内側に配置されている。第１の樹脂４１の頂部４１ａは、第２の樹脂４２の頂部４２ａ
よりも高い位置に配置されている。よって、第２の樹脂４２は、第１の樹脂４１の頂部４
１ａを乗り越えて、第１の樹脂４１で囲まれた領域の外側にはみ出しにくくなっている。
なお、第１の樹脂４１の頂部４１ａとは、Ｚ方向において第１の樹脂４１が最も高くな
った部分である。第２の樹脂４２の頂部４２ａとは、Ｚ方向において第２の樹脂４２が最
も高くなった部分である。

対向基板４０は、第１の樹脂４１で囲まれた領域の内側に配置され、第２の樹脂４２を
介してカラーフィルター３６（素子基板１０）に接着されている。
詳細は後述するが、対向基板４０を、第２の樹脂４２を挟んで素子基板１０に貼り合せ
る際に、余分な第２の樹脂４２が対向基板４０の端部からはみ出す。第１の樹脂４１は、
対向基板４０の端部からはみ出した第２の樹脂４２の広がりを制限する（抑制する）土手
の役割を有している。対向基板４０を囲むように第１の樹脂４１を設けることによって、
第２の樹脂４２の広がりが小さくなり、表示に寄与しない非発光領域の寸法（表示領域Ｅ
１の外縁と素子基板１０の端部との間の寸法）を小さくし、有機ＥＬ装置１の狭額縁化を
図ることができる。

図５に示すように、素子基板１０のＹ（−）方向側の端部と第１の樹脂４１との間の領
域（端子領域Ｅ２）に、外部接続用端子１０３が設けられている。外部接続用端子１０３
は、例えばＩＴＯで構成されている。上述したように、基材１１は、複数の導電層や複数
の絶縁層などを有し、これら複数の導電層や複数の絶縁層による立体配線によって、外部
接続用端子１０３と、データ線駆動回路１５及び走査線駆動回路１６とが電気的に接続さ
れている。外部接続用端子１０３は、カラーフィルター３６と封止層３４と絶縁膜２８と
を貫く開口１０４によって、露出している。

第１の樹脂４１は、外部接続用端子１０３と対向基板４０との間に配置されている。上
述したように、第１の樹脂４１は、対向基板４０からはみ出した第２の樹脂４２の広がり
を制限するので、非発光領域の寸法（表示領域Ｅ１の外縁と素子基板１０の端部との間の
寸法）を小さくし、有機ＥＬ装置１の狭額縁化を図ることができる。

「光共振構造」
発光領域（開口２８ＣＴが設けられた領域）では、光反射性を有する反射層２５と、光
学的距離調整層２６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが、Ｚ方向
に順に積層されている。発光機能層３２で発した光は、反射層２５と対向電極３３との間
で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離に対応する特定波長
（共振波長）の光の強度が増幅され、対向基板４０の側から表示光としてＺ方向に射出さ
れる。

詳しくは、光学的距離調整層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離を
調整する役割を有している。サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波
長）が４７０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画
素１８Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定
されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、光学的距離調整
層２６の膜厚が設定されている。

このように、有機ＥＬ装置１は共振構造を有し、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピー
ク波長とする青色の光が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑
色の光が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光が発せら
れる。

サブ画素１８Ｂで発せられる４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光、サブ画素１８Ｇ
で発せられる５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光、サブ画素１８Ｒで発せられる６１
０ｎｍをピーク波長とする赤色の光は、それぞれカラーフィルター３６（着色層３６Ｂ、
３６Ｇ，３６Ｒ）を通過して、対向基板４０の側から表示光としてＺ方向に射出される。
つまり、有機ＥＬ装置１は、トップエミッション構造を有し、カラーフィルター３６（着
色層３６Ｂ、３６Ｇ，３６Ｒ）は、表示光の色純度をさらに高める役割を有している。

「有機ＥＬ装置の特徴」
公知技術（特開２００８−５９８６７号公報）の素子基板は、本実施形態の素子基板１
０に該当し、以降符号を附さずに素子基板と称す。公知技術の封止基板は、本実施形態の
対向基板４０に該当し、以降符号を附さずに対向基板と称す。

公知技術では、第１の樹脂は、素子基板と対向基板とで挟まれ、押圧され、押し広げら
れ、第１の樹脂の幅が大きくなる。

本実施形態では、第１の樹脂４１は、素子基板１０と対向基板４０とで挟まれておらず
、素子基板１０と対向基板４０とで押圧されない。よって、本実施形態では、公知技術と
比べて、第１の樹脂４１の幅を小さくすることができる。詳しくは、第１の樹脂４１の幅
を１ｍｍ以下と小さくすることができる。

公知技術では、第２の樹脂は、第１の樹脂と素子基板と対向基板とで囲まれた領域の中
に密封されている。例えば、第２の樹脂が流動性を有する（第２の樹脂が未硬化である）
場合に、第２の樹脂が素子基板と対向基板とで強く押圧されると、第２の樹脂が第１の樹
脂を突き破り、第１の樹脂で囲まれた領域の外側に流動する（はみ出す）おそれがある。

本実施形態では、第２の樹脂４２は、第１の樹脂４１と素子基板１０と対向基板４０と
で囲まれた領域の中に密封されていない。つまり、第１の樹脂４１と対向基板４０との間
に隙間を有し、隙間を有する空隙に第２の樹脂４２が配置（充填）されている。よって、
例えば素子基板１０と対向基板４０とで第２の樹脂４２が押圧されると、第２の樹脂４２
が流動し、第２の樹脂４２に圧力（内圧）が蓄積しないので、第２の樹脂４２が第１の樹
脂４１を突き破ることはない。よって、公知技術における第２の樹脂が第１の樹脂を突き
破り、第１の樹脂で囲まれた領域の外側に流動するというおそれを抑制することができる
。

さらに、素子基板１０と対向基板４０とによる押圧で第２の樹脂４２が流動した場合に
、第２の樹脂４２が第１の樹脂４１で囲まれた領域の外側に流動しないように、第１の樹
脂４１の頂部４１aは第２の樹脂４２の頂部４２aよりも高い位置に設けられている。よっ
て、本実施形態では、第２の樹脂４２が第１の樹脂４１で囲まれた領域の外側に流動し、
表示に寄与しない非発光領域が広くなるおそれを抑制することができる。
従って、本実施形態は、公知技術と比べて、表示に寄与しない非発光領域を狭くし、有
機ＥＬ装置１の狭額縁化を図ることができる。

さらに、有機材料で構成される有機封止層３４ｂは、無機材料で構成される第２無機封
止層３４ｃと比べて剛性に劣り、変形しやすい。一方、無機材料で構成される第２無機封
止層３４ｃは、有機材料で構成される有機封止層３４ｂと比べて剛性に優れ、水分や酸素
の侵入を抑制する優れた性質を有している。しかしながら、第２無機封止層３４ｃは、応
力に弱く、例えば有機封止層３４ｂが変形すると、有機封止層３４ｂの上に形成されてい
る第２無機封止層３４ｃに応力が加わり、クラックなどの欠陥が生じ、水や酸素に対する
バリア性が劣化するおそれがある。

本実施形態では、有機封止層３４ｂは、平面視で第１の樹脂４１、第２の樹脂４２、及
び対向基板４０の少なくとも一つと重なり、第１の樹脂４１、第２の樹脂４２、及び対向
基板４０の少なくとも一つで保護され、有機封止層３４ｂに外力が作用しにくくなってい
る。よって、有機封止層３４ｂが変形しにくく、有機封止層３４ｂの上に形成されている
第２無機封止層３４ｃにクラックなどの欠陥が生じにくい。さらに、有機封止層３４ｂの
端部は低テーパーに傾斜しているので、第２無機封止層３４ｃが有機封止層３４ｂの端部
を覆っても、例えば応力集中などの影響が軽減され、第２無機封止層３４ｃに欠陥が生じ
にくい。
従って、第１の樹脂４１の幅を１ｍｍ以下に小さくし、有機ＥＬ装置１を狭額縁化した
場合において、第２無機封止層３４ｃに欠陥が生じにくく、水や酸素に対するバリア性の
劣化を抑制することができる。従って、本実施形態１に係る有機ＥＬ装置１は、高い信頼
性を有する。

「有機ＥＬ装置の製造方法」
図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図７は、
複数の素子基板が多面付けされたマザー基板の状態を示す図である。図８は、図５に対応
する図であり、図６に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図であ
る。
以下に、図６乃至図８を参照して、有機ＥＬ装置１の製造方法の概要を説明する。

図６に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法は、第１無機封止層３
４ａを形成する工程（ステップＳ１）と、有機封止層３４ｂを形成する工程（ステップＳ
２）と、第２無機封止層３４ｃを形成する工程（ステップＳ３）と、カラーフィルター３
６を形成する工程（ステップＳ４）と、第１の樹脂４１を塗布する工程（ステップＳ５）
と、第１の樹脂４１を硬化する工程（ステップＳ６）と、第２の樹脂４２を塗布する工程
（ステップＳ７）と、素子基板１０に対向基板４０を貼り合せる工程（ステップＳ８）と
、第２の樹脂４２を硬化する工程（ステップＳ９）と、封止層３４をエッチングする工程
（ステップＳ１０）と、を含んでいる。
なお、ステップＳ１〜ステップＳ３は、本発明における「封止層を形成する工程」の一
例である。ステップＳ１０は、本発明における「端子を露出させる工程」の一例である。

図７に示すように、ステップＳ１〜ステップＳ１０は、複数の素子基板１０（表示領域
Ｅ１）が多面付けされたマザー基板９の状態で処理されている。ステップＳ１〜ステップ
Ｓ１０を経た後に、マザー基板９を分断線ＳＬに沿って分断し、単体の有機ＥＬ装置１に
分割している。

ステップＳ１では、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
法などを用いてシリコン酸窒化物を素子基板１０の略全面に堆積し、対向電極３３（有機
ＥＬ素子３０）を覆う第１無機封止層３４ａを形成する。第１無機封止層３４ａの膜厚は
、概略２００ｎｍ〜４００ｎｍである。第１無機封止層３４ａは、対向電極３３（有機Ｅ
Ｌ素子３０）の表面凹凸の影響を緩和し、次の工程で形成する有機封止層３４ｂの下地膜
として機能し、有機封止層３４ｂの密着性を高める。

第１無機封止層３４ａは、有機ＥＬ素子３０が設けられた領域、及び有機ＥＬ素子３０
が設けられていない領域（絶縁膜２８が形成された領域）に形成される。有機ＥＬ素子３
０が設けられた領域の第１無機封止層３４ａは、下地膜の有機ＥＬ素子３０が表面凹凸を
有するため、欠陥が生じやすく、水や酸素に対するバリア性に劣る。有機ＥＬ素子３０が
設けられていない領域（絶縁膜２８が形成された領域）の第１無機封止層３４ａは、下地
膜の絶縁膜２８が表面凹凸を有していないため平坦であり、欠陥が生じにくく、水や酸素
に対するバリア性に優れる。

ステップＳ２では、スクリーン印刷法や、ディスペンサーを用いた定量吐出法などの方
法で、例えば光透過性を有するエポキシ樹脂を第１無機封止層３４ａの上に塗布する。平
面視で対向電極３３（有機ＥＬ素子３０）と重なり、対向電極３３（有機ＥＬ素子３０）
よりも広く、エポキシ樹脂を塗布する。エポキシ樹脂は、流動性を有するので、例えば第
１無機封止層３４ａの上に異物がある場合、エポキシ樹脂は、異物を被覆し、流動し、平
坦な面を形成する。さらに、エポキシ樹脂は、当該流動によって、端部で第１無機封止層
３４ａの表面に対して低テーパーに傾斜するようになる。

さらに、エポキシ樹脂を硬化させて有機封止層３４ｂを形成する。有機封止層３４ｂは
、低テーパーに傾斜した端部と、平坦な面とを有する。また、有機封止層３４ｂの膜厚は
、第１無機封止層３４ａの膜厚よりも大きく、概略１０００ｎｍ〜５０００ｎｍである。
このように、ステップＳ２によって、第１無機封止層３４ａの欠陥（ピンホール、クラ
ック）や異物などが被覆された平坦な面と、低テーパーに傾斜した端部とを有する有機封
止層３４ｂを形成する。また、有機封止層３４ｂの周辺（有機封止層３４ｂと基材１１の
端部との間）には、第１無機封止層３４ａが配置されている。

図８（ａ）に示すように、ステップＳ３では、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ法など
を用いてシリコン酸窒化物を素子基板１０の略全面に堆積し、有機封止層３４ｂや第１無
機封止層３４ａを覆う第２無機封止層３４ｃを形成し、第１無機封止層３４ａと有機封止
層３４ｂと第２無機封止層３４ｃとで構成される封止層３４を形成する。第２無機封止層
３４ｃの膜厚は、概略３００ｎｍ〜７００ｎｍである。プラズマＣＶＤ法などの方法で形
成されたシリコン酸窒化物は、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

有機封止層３４ｂを覆う第２無機封止層３４ｃは、有機封止層３４ｂが低テーパーに傾
斜した端部と平坦な面とを有しているため、クラックなどの欠陥が生じにくく、水分や酸
素に対して優れたバリア性を有する。さらに、第１無機封止層３４ａを覆う第２無機封止
層３４ｃは、第１無機封止層３４ａが平坦であるため、欠陥が生じにくく、水や酸素に対
して優れたバリア性を有する。
端子領域Ｅ２において、外部接続用端子１０３は、絶縁膜２８と第１無機封止層３４ａ
と第２無機封止層３４ｃとで覆われている。

図８（ｂ）に示すように、ステップＳ４では封止層３４の上にカラーフィルター３６を
形成する。
ステップＳ４では、公知技術のフォトリソグラフィー法で、色材を含まない感光性樹脂
層（アクリル樹脂）を露光・現像し、焼成して凸部３７を形成する（図示省略）。続いて
、緑（Ｇ）の色材を含む感光性樹脂を、露光・現像し、焼成して、サブ画素１８Ｇに緑色
の着色層３６Ｇを形成する（図示省略）。続いて、青（Ｂ）の色材を含む感光性樹脂を、
露光・現像し、焼成して、サブ画素１８Ｂに青色の着色層３６Ｂを形成する。最後に、赤
（Ｒ）の色材を含む感光性樹脂を、露光・現像し、焼成して、サブ画素１８Ｒに赤色の着
色層３６Ｒを形成する（図示省略）。
凸部３７は、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの境界部分に形成され、着色層３６Ｒ，３
６Ｇ，３６Ｂの境界部分における異なる色材の混色を抑制する。

カラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ、凸部３７）は、端子領域Ｅ２
にも形成されている。端子領域Ｅ２に形成されたカラーフィルター３６には、外部接続用
端子１０３に対応する位置に開口１０４が形成されている。開口１０４が設けられた領域
の外部接続用端子１０３の上には、絶縁膜２８と第１無機封止層３４ａと第２無機封止層
３４ｃとが、Ｚ方向に順に積層されている。

ステップＳ５では、後述するステップＳ７で使用する光硬化性樹脂（第２の樹脂４２）
よりも高粘度の光硬化性樹脂、例えば粘度が概略１００００〜１０００００ｍＰａｓであ
る光硬化性樹脂を、スクリーン印刷法やディスペンサーを用いた定量吐出法などの方法で
塗布し、表示領域Ｅ１を囲み、幅が概略１ｍｍ以下である第１の樹脂４１を形成する。ま
た、ステップＳ５では、マザー基板９に多面付けされた複数の素子基板１０のそれぞれに
、表示領域Ｅ１を囲む第１の樹脂４１を形成する。

第１の樹脂４１は、光硬化性樹脂であり、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などを使
用することができる。光硬化性樹脂の粘度は、概略１００００〜１０００００ｍＰａｓと
高粘度であるので、第１の樹脂４１は流動しにくく、形状が変化しにくい。よって、細い
幅（線幅）の第１の樹脂４１を形成することができる。

図８（ｃ）に示すように、ステップＳ６では、ステップＳ５で塗布された第１の樹脂４
１に光（紫外線）を照射し、第１の樹脂４１を硬化させる。第１の樹脂４１の幅は、概略
１ｍｍ以下である。なお、有機ＥＬ装置１の狭額縁化のためには、第１の樹脂４１の幅は
小さい方が好ましく、第１の樹脂４１の幅は、概略０．０５〜０．５ｍｍであることが好
ましい。また、第１の樹脂４１の高さ（Ｚ方向の寸法）は、概略１０〜１００μｍである
。

例えば、熱硬化性樹脂を用いて第１の樹脂４１を形成する場合、熱硬化性樹脂を硬化さ
せる熱処理によって、熱硬化性樹脂が軟化（流動）するので、細い幅の第１の樹脂４１を
形成することが難しい。光硬化性樹脂は、硬化させる熱処理が不要であり、光照射によっ
て早く硬化するので、熱硬化性樹脂と比べて硬化時に形状変形が生じにくい。従って、光
硬化性樹脂を使用することによって、熱硬化性樹脂を使用する場合と比べて、細い幅の第
１の樹脂４１を形成することができる。

図８（ｄ）に示すように、ステップＳ７では、ステップＳ５で使用する光硬化性樹脂（
第１の樹脂４１）よりも低粘度の光硬化性樹脂を、例えばディスペンサーを用いて、第１
の樹脂４１で囲まれた領域の内側に塗布し、第２の樹脂４２を形成する。ステップＳ７で
使用する光硬化性樹脂の粘度は、概略１０〜１００００ｍＰａｓである。ステップＳ６で
は、マザー基板９に多面付けされた複数の素子基板１０のそれぞれに、第１の樹脂４１で
囲まれた領域の内側に第２の樹脂４２を形成する。

ステップＳ７では、光硬化性樹脂の他に、熱硬化性樹脂を使用することができる。また
、第２の樹脂４２は、シリコン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などを
使用することができる。エポキシ樹脂はガラス基板（対向基板４０）との接着強度が大き
いので、第２の樹脂４２にエポキシ樹脂を使用することが好ましい。

図８（ｅ）に示すように、ステップＳ８では、第１の樹脂４１で囲まれた領域の内側に
配置されるように対向基板４０の位置を調整し、対向基板４０をカラーフィルター３６（
素子基板１０）に貼り合せる。すなわち、対向基板４０が第１の樹脂４１で囲まれた領域
の内側に配置されるように、対向基板４０の貼り合せ位置を調整し、対向基板４０を素子
基板１０に貼り合せる。
なお、ステップＳ８では、マザー基板９に多面付けされた複数の素子基板１０のそれぞ
れに、単体の対向基板４０を貼り合せるというチップマウント方式で、対向基板４０を素
子基板１０に貼り合せる。

例えば、複数の素子基板１０が形成されたマザー基板９と、複数の対向基板４０が形成
されたマザー基板とを貼り合せる大板貼り合せ方式では、素子基板１０及び対向基板４０
の両方を分割する必要がある。対向基板４０は素子基板１０よりも小さいため、マザー基
板において対向基板４０と隣り合う対向基板との間に、不必要なダミー基板が配置される
ことになり、ダミー基板を切り離して対向基板４０と隣り合う対向基板と分割する必要が
ある。ところが、有機ＥＬ装置１を狭額縁化すると、当該ダミー基板の寸法が小さくなり
、当該ダミー基板を切り離すことが難しくなる。
よって、有機ＥＬ装置１を狭額縁化すると、ステップＳ８は、大板貼り合せ方式よりも
チップマウント方式の方が好ましい。さらに、チップマウント方式は、単体の素子基板１
０と単体の対向基板４０とを貼り合せる方式よりも、貼り合せ工程の生産性に優れている
。

対向基板４０を素子基板１０に貼り合せると、第２の樹脂４２は対向基板４０と素子基
板１０とで押圧され、Ｚ方向と交差する方向に広がり、対向基板４０の端部からはみ出す
。ステップＳ７では、対向基板４０の端部からはみ出す第２の樹脂４２の量が小さくなる
ように、第２の樹脂４２の塗布量が設定されている。さらに、対向基板４０の周囲には、
第１の樹脂４１が形成されているので、第２の樹脂４２は第１の樹脂４１で囲まれた領域
の内側に留まる。詳しくは、対向基板４０の端部からはみ出した第２の樹脂４２が、第１
の樹脂４１で囲まれた領域の外側に流動しないように、第１の樹脂４１の頂部４１ａは、
第２の樹脂４２の頂部４２ａよりも高い位置に配置されていので、第２の樹脂４２は第１
の樹脂４１で囲まれた領域の内側に留まる。

なお、対向基板４０の端部からはみ出す第２の樹脂４２の量を小さくするためには、な
るべく弱い力で押圧して、対向基板４０を素子基板１０に貼り合せることが好ましい。例
えば、対向基板４０の自重だけで、対向基板４０を素子基板１０に貼り合せることが好ま
しい。

さらに、ステップＳ８では、大気圧の環境で、対向基板４０が素子基板１０に貼り合わ
されている。一方、公知技術では、減圧された環境で、対向基板が素子基板に貼り合わさ
れている。この点も本実施形態と公知技術との相違点である。

図８（e）に示すように、ステップＳ９では、紫外線照射や熱処理などで第２の樹脂４
２を硬化させ、第２の樹脂４２によって対向基板４０とカラーフィルター３６（素子基板
１０）とを接着（固定）する。
公知技術では、減圧された環境から大気圧の環境に変化させて、第２の樹脂を硬化させ
ている。減圧された環境から大気圧の環境に変化させると、第１の樹脂で囲まれた領域の
内側（第２の樹脂が充填された領域）は減圧された環境にあり、第１の樹脂で囲まれた領
域の外側は大気圧の環境にあるため、これら圧力差に起因する強い圧力が第２の樹脂に作
用し、第２の樹脂が、第１の樹脂を突き破り、第１の樹脂で囲まれた領域の外側に流動す
るおそれがあった。

本実施形態では、ステップＳ８は大気圧の環境で処理されているので、ステップＳ９で
は減圧された環境からから大気の環境に変化させる必要がないため、公知技術のような強
い圧力が第２の樹脂４２に作用しない。従って、第２の樹脂４２が、第１の樹脂４１を突
き破り、第１の樹脂４１で囲まれた領域の外側に流動するおそれはない。

図８（ｅ）に示すように、ステップＳ１０では、例えばフッ素系ガスを用いたドライエ
ッチング処理を施し、外部接続用端子１０３を露出させる。つまり、ステップＳ１０では
、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によって、開口１０４で露出した部
分の第２無機封止層３４ｃ（酸窒化シリコン）と第１無機封止層３４ａ（酸窒化シリコン
）と絶縁膜２８（シリコン酸化物）とを順にエッチング除去し、外部接続用端子１０３を
露出させる。
なお、ステップＳ１０では、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理の他に、例え
ばフッ素系エッチャントによるウエットエッチング処理を施して、外部接続用端子１０３
を露出させてもよい。

さらに、ステップＳ１０を経た後に分断線ＳＬに沿ってマザー基板９を分断し、単体の
有機ＥＬ装置１に分割する。

このように、本実施形態に係る製造方法によれば、高粘度の光硬化性樹脂を使用して第
１の樹脂４１を塗布し、光（紫外線）を照射して早く硬化させることによって、例えば高
粘度の熱硬化性樹脂を使用して第１の樹脂４１を形成する場合と比べて、細い幅の第１の
樹脂４１を形成することができる。

対向基板４０を素子基板１０に貼り合せた際に、対向基板４０の端部からはみ出す第２
の樹脂４２の量が小さくなるように、ステップＳ７における第２の樹脂４２の塗布量が設
定されている。さらに、対向基板４０の端部からはみ出した第２の樹脂４２が、第１の樹
脂４１で囲まれた領域の外側に流動しないように、第１の樹脂４１の頂部４１ａは、第２
の樹脂４２の頂部４２ａよりも高い位置に配置されている。さらに、大気圧の環境でステ
ップＳ８，Ｓ９が処理され、第２の樹脂が、第１の樹脂を突き破り、第１の樹脂で囲まれ
た領域の外側に流動するおそれが抑制されている。このように、第２の樹脂４２は、第１
の樹脂４１で囲まれた領域の内側にとどまり、第１の樹脂４１で囲まれた領域の外側に流
動し、表示に寄与しない非発光領域が広くなるおそれを抑制することができる。
従って、本実施形態に係る製造方法では、表示に寄与しない非発光領域を狭くし、有機
ＥＬ装置１を狭額縁化することができる。

（実施形態２）
図９は、図５に対応する図であり、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略断
面図である。図１０は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローであ
る。図１１は、図８に対応する図であり、図１０に示す工程フローの主要な工程を経た後
の状態を示す概略断面図である。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置２は、端子領域Ｅ２を除き、実施形態１の有機ＥＬ装置
１と同じ構成を有し、狭額縁化が図られている。
以下に、図９乃至図１１を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の概要を、実施
形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同
一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図９に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２では、端子領域Ｅ２の封止層３４
とカラーフィルター３６と絶縁膜２８とが削除され、外部接続用端子１０３の全体が露出
している。実施形態１では、絶縁膜２８とカラーフィルター３６と封止層３４とは、外部
接続用端子１０３の周縁部を覆い、絶縁膜２８とカラーフィルター３６と封止層３４とを
貫く開口１０４によって、外部接続用端子１０３が露出している。この点が、本実施形態
に係る有機ＥＬ装置２と、実施形態１に係る有機ＥＬ装置１との相違点である。

「有機ＥＬ装置の製造方法」
図１０に示すように、本実施形態に係る製造方法は、第１無機封止層３４ａを形成する
工程（ステップＳ１）と、有機封止層３４ｂを形成する工程（ステップＳ２）と、第２無
機封止層３４ｃを形成する工程（ステップＳ３）と、カラーフィルターを形成する工程（
ステップＳ４）と、第１の樹脂４１を塗布する工程（ステップＳ５）と、第１の樹脂４１
を硬化する工程（ステップＳ６）と、第２の樹脂４２を塗布する工程（ステップＳ７）と
、素子基板１０に対向基板４０を貼り合せる工程（ステップＳ８）と、第２の樹脂４２を
硬化する工程（ステップＳ９）と、カラーフィルター３６及び封止層３４をエッチングす
る工程（ステップＳ１１）と、を含んでいる。
ステップＳ１と、ステップＳ２と、ステップＳ３と、ステップＳ５と、ステップＳ６と
、ステップＳ７と、ステップＳ８と、ステップＳ９とは、実施形態１に係る有機ＥＬ装置
１の製造方法と同じであるので、説明を省略する。

図１１（ａ）に示すように、ステップＳ４のカラーフィルター３６を形成する工程では
、外部接続用端子１０３は、絶縁膜２８とカラーフィルター３６とで覆われている。つま
り、カラーフィルター３６には、実施形態１における開口１０４が設けられていない。

図１１（ｂ）に示すように、ステップＳ５〜ステップＳ９を経て、基材１１と、有機Ｅ
Ｌ素子３０と、封止層３４と、カラーフィルター３６と、第２の樹脂４２と、対向基板４
０とがＺ方向に積層され、基材１１と対向基板４０との間に第１の樹脂４１が配置された
有機ＥＬ装置２を形成する。当該有機ＥＬ装置２では、外部接続用端子１０３の上に、絶
縁膜２８と、封止層３４（第１無機封止層３４ａ、第２無機封止層３４ｃ）と、カラーフ
ィルター３６とが順に積層されている。

図１１（ｃ）に示すように、ステップＳ１１では、対向基板４０と第１の樹脂４１と第
２の樹脂４２とをエッチングマスクとして、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチン
グ処理を施し、端子領域Ｅ２のカラーフィルター３６と、第２無機封止層３４ｃと、第１
無機封止層３４ａと、絶縁膜２８とを順にエッチング除去し、外部接続用端子１０３の全
体を露出させる。

実施形態１では、カラーフィルター３６に開口１０４が形成されている状態で、第１の
樹脂４１を塗布し、第１の樹脂４１を硬化させている（図８（ｃ）参照）。このため、狭
額縁化のために開口１０４と第１の樹脂４１（表示領域Ｅ１）との間の距離を小さくしす
ぎると、ステップＳ５において第１の樹脂４１の塗布位置が変動した場合に、開口１０４
の中に第１の樹脂４１が充填されるおそれがある。仮に、開口１０４の中に第１の樹脂４
１が充填されると、第１の樹脂４１が流動して開口１０４を塞ぎ、ステップＳ１０の工程
において外部接続用端子１０３を露出させることが難しくなる。

本実施形態では、カラーフィルター３６は開口１０４を有していないので、第１の樹脂
４１が開口１０４を塞ぎ、外部接続用端子１０３を露出させることが難しくなるというお
それを抑制することができる。さらに、外部接続用端子１０３の全体を露出させ、外部接
続用端子１０３の周縁部に余分な段差を有していない方が、外部接続用端子１０３を例え
ばフレキシブル回路基板などに安定して電気的に接続させることができる。

（実施形態３）
「電子機器」
図１２は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１２に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設
けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１
０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画
像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示
すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２のいずれ
かが搭載されている。有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２は、狭額縁化され、コンパクト
化されている。従って、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１及び有機Ｅ
Ｌ装置２のいずれかを搭載することによって、表示部１００１の寸法を小さくし、ヘッド
マウントディスプレイ１０００のコンパクト化や軽量化を実現することができる。

なお、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１や有機ＥＬ装置２が搭載される電子機器は、
ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレ
イや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの
表示部を有する電子機器に搭載してもよい。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み
取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を
伴う有機ＥＬ装置及び当該有機ＥＬ装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲
に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。

（変形例１）
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１の発光機能層３２は、有機材料で構成された有機発光
層を含んでいた。発光機能層３２は、有機材料を含むことに限定されず、無機材料で構成
されていてもよい。すなわち、本発明に係る発光装置は、有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装
置に限定されず、無機ＥＬ素子を含む無機ＥＬ装置であってもよい。

（変形例２）
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１では、有機封止層３４ｂの端部は、平面視で第１の樹
脂４１と重なるように配置されていた。有機封止層３４ｂの端部は、第１の樹脂４１で囲
まれた領域の内側に配置されていてもよい。すなわち、有機封止層３４ｂに外力が作用し
ないように、有機封止層３４ｂが、第１の樹脂４１で囲まれた領域の内側に配置され、第
１の樹脂４１、第２の樹脂４２、及び対向基板４０の少なくとも一つで保護されている構
成であってもよい。

１，２…有機ＥＬ装置、９…マザー基板、１０…素子基板、１１…基材、１８，１８Ｂ
，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２５…反射層、２６…光学的距離調整層、２
６ａ…第１絶縁膜、２６ｂ…第２絶縁膜、２６ｃ…第３絶縁膜、２８…絶縁膜、２８ＣＴ
…開口、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３
４…封止層、３４ａ…第１無機封止層、３４ｂ…有機封止層、３４ｃ…第２無機封止層、
３６…カラーフィルター、３６Ｂ…青色の着色層、３６Ｇ…緑色の着色層、３６Ｒ…赤色
の着色層、３７…凸部、４０…対向基板、４１…第１の樹脂、４２…第２の樹脂、１０３
…外部接続用端子、１０４…開口、Ｅ１…発光領域、Ｅ２…端子領域。

Claims (14)

1. 第１基板の素子領域に発光素子が設けられた発光装置の製造方法であって、
   少なくとも発光素子を覆うように、封止層を形成する工程と、
   前記素子領域を囲むように、第１の樹脂を塗布する工程と、
   前記第１の樹脂を硬化する工程と、
   前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に第２の樹脂を塗布する工程と、
   前記第２の樹脂を介して第２基板を前記第１基板に貼り合せる工程と、
   前記第２の樹脂を硬化する工程と、
   を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記第１の樹脂の頂部は、前記第２の樹脂の頂部よりも高い位置に形成されていること
   を特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記第２基板は、前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置されていることを特徴と
   する請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記第１の樹脂は、光硬化性樹脂であり、
   前記光硬化性樹脂の粘度は、１００００〜１００００００ｍＰａｓの範囲であることを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記封止層は、前記発光素子の側に配置された第１無機封止層と、第２無機封止層と、
   前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とで挟まれた有機封止層と、を有し、
   前記有機封止層は前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置されている、または前記
   有機封止層の端部は平面視で前記第１の樹脂と重なるように配置されていることを特徴と
   する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記第１基板の端と前記第１の樹脂との間に、端子が形成される端子領域を有し、
   前記第２の樹脂を硬化する工程の後に、前記端子を露出させる工程を有することを特徴
   とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記封止層を形成する工程と前記第１の樹脂を塗布する工程との間に、カラーフィルタ
   ーを形成する工程を有し、
   前記カラーフィルターと前記第２基板とは、前記第２の樹脂を介して貼り合わされてい
   ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記第１基板は複数の素子領域を有し、前記複数の素子領域のそれぞれに第２基板を貼
   り合せることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
9. 大気圧の環境で、前記第２基板を貼り合せることを特徴とする請求項１乃至８のいずれ
   か１項に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記第１基板の母材は不透明基板であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１
    項に記載の発光装置の製造方法。
11. 第１基板の素子領域に設けられた発光素子と、
    少なくとも前記発光素子を覆う封止層と、
    前記素子領域を囲むように設けられた第１の樹脂と、
    前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板とを接着し、前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置
    された第２の樹脂と、
    を含むことを特徴とする発光装置。
12. 前記封止層は、前記発光素子の側から順に配置された第１無機封止層と、有機封止層と
    、第２無機封止層と、を含み、
    前記有機封止層は前記第１の樹脂で囲まれた領域の内側に配置されている、または前記
    有機封止層の端部は平面視で前記第１の樹脂と重なるように配置されていることを特徴と
    する請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記第１の樹脂の幅は、１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１１または１２に記
    載の発光装置。
14. 請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする電
    子機器。

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