JP6187051B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置として、カラー表示を実現するためにカラーフィルターを内蔵した表示装置が知られている。カラーフィルターは表示用の画素に対応して設けられる着色層（色変換層、あるいはフィルター層とも言う）を有している。
例えば、特許文献１には、基板上において複数のデバイス形成領域を仕切るように設けられた隔壁部と、該複数のデバイス領域のそれぞれに異なる機能性材料を含む機能液を付与して積層された多層の薄膜層とを備えた薄膜デバイスが開示されている。また、該多層の薄膜層が光学的に透明な機能層と、該機能層に積層された着色層とを含むカラーフィルターであることが例示されている。
特許文献１に示されたカラーフィルターの構成によれば、着色層が光学的に透明な機能層上に積層されるので、隔壁部の高さ（厚み）と着色層の厚みとの差を機能層によって補うことができ、隔壁部と着色層との間に凹凸が生じ難く、断面形状がより平坦なカラーフィルターを提供できるとしている。また、このようなカラーフィルターは受光型の表示装置である液晶表示装置や発光型の表示装置である有機エレクトロルミネッセンス装置に適用できるとしている。

また、例えば、特許文献２には、素子基板上に形成された発光素子と、発光素子を被覆する保護層と、保護層を被覆するガスバリア層と、ガスバリア層の表面に、発光素子に対応して設けられた複数の着色層と、着色層を区分するブラックマトリクス層とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置が開示されている。つまり、特許文献２の有機エレクトロルミネッセンス装置は、素子基板上において発光素子とカラーフィルターとが一体的に形成されたものであり、発光素子からの発光を効率よく取り出せるとしている。

特開２００７−２８０８６６号公報 国際公開第１０／１０６６１９号パンフレット

上記特許文献１のカラーフィルターの構成によれば、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層がそれぞれ機能層上に積層されている。したがって、色再現性や明るさ（透過率）を考慮して、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層のうちいずれかの厚みを他の着色層の厚みと異ならせようとすると、カラーフィルターの断面形状がねらいのとおり平坦にならないと言う課題があった。
また、上記特許文献２の有機エレクトロルミネッセンス装置では、発光素子やカラーフィルターなどが形成された素子基板と封止基板とが充填層を挟んで周辺シール層により貼り合わされている。また、上記特許文献２にはカラーフィルターの詳しい形成方法について記載がされていないが、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層をフォトリソグラフィ法により形成する場合、色材を含む感光性樹脂材料を色ごとに塗布して露光・現像・乾燥させて、各色の着色層を形成する必要がある。素子基板には発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が形成され、保護層やガスバリア層により被覆されてはいるが、カラーフィルターの形成における乾燥工程で素子基板を例えば２００℃以上の高温に晒すと、有機エレクトロルミネッセンス素子の素子特性に影響を及ぼすおそれがある。したがって、乾燥温度を例えば１００℃〜１５０℃程度に下げる必要がある。一方で、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層のうち最後に形成される着色層は、他の着色層に比べて乾燥工程を経る機会が少ないので、着色層の乾燥が不十分となるおそれがある。着色層の乾燥が不十分だと、前述したように素子基板と封止基板とが充填層を挟んで貼り合わされた後に、着色層から溶媒成分や水分などのガスが発生し充填層との間に気泡が生じて、表示品質を損なうおそれがあった。なお、当該ガスの発生量は、着色層の膜厚が厚い（大きい）ほど多くなると考えられる。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置は、基板と、前記基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を封止する封止層と、前記封止層上において、第１領域に配置された第１着色層と、第２領域に配置され、前記第１着色層の膜厚よりも薄い膜厚の第２着色層と、前記封止層と前記第２着色層との間に配置されたスペーサー層と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、電気光学装置において例えば明るさを改善するために、第１着色層の膜厚と第２着色層の膜厚とを異ならせたとしても、スペーサー層により膜厚の差を調整することができる。つまり、封止層上における第１着色層の高さと第２着色層の高さを実質的にほぼおなじ状態とすることができるので、第１着色層と第２着色層の封止層上における高さの違いに起因する基板構造の不具合を解消し、優れた表示品質を有する電気光学装置を提供できる。上記基板構造の不具合としては、例えば、前述した特許文献２のように、発光素子や着色層が形成された基板と、封止基板とを充填層を挟んで貼り合わせる場合、封止基板と第１着色層及び第２着色層との間の間隔が異なると、充填層をむら無く配置することが難しいことが挙げられる。本適用例によれば、封止基板と第１着色層及び第２着色層との間の間隔を一定にできるので、充填層をむら無く配置することができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記封止層上において、前記第１領域と前記第２領域とを区分する隔壁を有することが好ましい。
この構成によれば、隔壁を案内部として、発光素子に対して第１着色層と第２着色層とが正確に区分される。つまり、混色などが生じ難くなり、より優れた表示品質を有する電気光学装置を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記スペーサー層と前記隔壁とは、一体となっていることが好ましい。
この構成によれば、封止層に対する隔壁の接触面積を実質的に増やすことができ、隔壁の密着性を向上させることができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記スペーサー層の一部は、前記封止層と前記隔壁との間に配置されているとしてもよい。
この構成によれば、封止層に対するスペーサー層の浮きを隔壁により押さえることができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記封止層上における前記隔壁の高さは、前記第１着色層の膜厚よりも小さいことが好ましい。
この構成によれば、第１着色層の形成時に第１着色層で隔壁を覆っても、第１着色層の表面において隔壁の高さに起因して生ずる凹凸を抑えることができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第１着色層は、前記第２領域を区分していることを特徴とする。
この構成によれば、第１領域と第２領域とを区分するための隔壁を不要とすることができる。つまり、より簡素な構成で優れた表示品質を有する電気光学装置を提供できる。
なお、第１着色層は、第２着色層を透過した光の波長範囲のうちの一部の波長範囲の光を透過しない構成であることが好ましい。これにより、第２着色層を透過した光が第１着色層側に漏れたとしても、混色の発生を低減できる。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置の製造方法は、基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を封止する封止層と、前記封止層上に配置された第１着色層及び第２着色層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記封止層上の第１領域に前記第１着色層を形成する工程と、前記封止層上の第２領域にスペーサー層を形成する工程と、前記スペーサー層に積層して、前記第１着色層の膜厚よりも膜厚が薄い第２着色層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、電気光学装置の製造方法において例えば明るさを改善するために、膜厚を異ならせて第１着色層と第２着色層とを形成したとしても、スペーサー層により膜厚の差を調整することができる。つまり、封止層上における第１着色層の高さと第２着色層の高さを実質的にほぼおなじ状態とすることができるので、第１着色層と第２着色層の封止層上における高さの違いに起因する基板構造の不具合を解消し、優れた表示品質を有する電気光学装置の製造方法を提供できる。上記基板構造の不具合としては、例えば、前述した特許文献２のように、発光素子や着色層が形成された基板と、封止基板とを充填層を挟んで貼り合わせる場合、封止基板と第１着色層及び第２着色層との間の間隔が異なると、充填層をむら無く配置することが難しいことが挙げられる。本適用例によれば、封止基板と第１着色層及び第２着色層との間の間隔を一定にできるので、充填層をむら無く配置することができる。

上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記封止層上に、前記第１領域と前記第２領域とを区分する隔壁を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
この方法によれば、隔壁を案内部として、発光素子に対して第１着色層と第２着色層とを正確に区分して形成することができる。つまり、混色などが生じ難くなり、より優れた表示品質を有する電気光学装置を製造することができる。

上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程は、前記スペーサー層と前記隔壁とを一体に形成することが好ましい。
この方法によれば、封止層に対する隔壁の接触面積を実質的に増やすことができ、隔壁の密着性を向上させることができる。

上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程は、前記封止層上における前記隔壁の高さが、前記第１着色層の膜厚よりも小さくなるように前記隔壁を形成することが好ましい。
この方法によれば、第１着色層の形成時に第１着色層で隔壁を覆っても、第１着色層の表面において隔壁の高さに起因して生ずる凹凸を抑えることができる。

上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程は、前記第１着色層を用いて前記第２領域を区分するとしてもよい。
この方法によれば、第１領域と第２領域とを区分するための隔壁の形成工程を不要とすることができる。つまり、より簡素な構成で優れた表示品質を有する電気光学装置を製造することができる。

上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記第１着色層を形成する工程及び前記第２着色層を形成する工程は、色材を含む感光性樹脂材料を塗布して、露光・現像・乾燥することにより、前記第１着色層と前記第２着色層とをそれぞれ形成し、前記第１着色層を形成してから前記第２着色層を形成することが好ましい。
この方法によれば、第２着色層を形成するときの乾燥工程が第１着色層を形成するときの乾燥工程と同じ条件であってとしても、第２着色層の膜厚が第１着色層の膜厚よりも小さいので、十分に乾燥することができる。言い換えれば、膜厚が大きい第１着色層を先に形成することで、第１着色層の乾燥を十分に行うことができる。つまり、第１着色層や第２着色層の形成時における乾燥が不十分であることに起因するガスの発生を抑えることができる。

［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする。
これらの適用例によれば、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。

第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 サブ画素の配置を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 （ａ）はサブ画素における隔壁と着色層の配置を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったカラーフィルターの要部断面図、（ｃ）は（ｂ）の要部拡大断面図。 （ａ）は変形例の隔壁と着色層の配置を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったカラーフィルターの要部断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った要部拡大断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｆ）〜（ｉ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す概略断面図。 （ａ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素における隔壁と着色層の配置を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったカラーフィルターの要部断面図、（ｃ）は（ｂ）の要部拡大断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置２００の製造方法を示すフローチャート。 図１３（ａ）〜（ｆ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｇ）〜（ｊ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。 変形例の有機ＥＬ装置における隔壁の構成を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置について、有機エレクトロルミネッセンス装置（以降、有機ＥＬ装置と称する）を例に挙げて、図１〜図４を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３はサブ画素の配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された発光画素である複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子３０（以降、有機ＥＬ素子３０と称する）と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、陽極としての画素電極３１と、陰極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた大きさの電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流の大きさに応じて発光する。
なお、画素回路２０の構成は、２つのトランジスター２１，２３を有することに限定されない。例えば、駆動用トランジスター２３と有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間に、流れる電流を制御する電流制御用トランジスターを備えた構成としてもよい。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。

実表示領域Ｅ１には、サブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。また、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に加えて、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）以外の色の発光が得られるサブ画素１８を有していてもよい。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。

素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。

表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成されている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。

次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な配置について説明する。図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８ＲがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチは例えばおよそ５μｍ未満である。また、Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチは例えばおよそ１０μｍ未満である。

サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２７が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となっている。
なお、図３では、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、Ｘ方向において左側から青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順になっているが、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ方向において、左側から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順であってもよい。また、表示単位としての画素１９は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）以外の例えば黄色（Ｙ）のサブ画素１８を含んでいてもよい。

次に、図４を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、本発明における基板としての基材１１と、基材１１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能層３２、対向電極３３を有する。対向電極３３は、機能層３２を挟んで各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する共通の陰極である。また、対向電極３３を覆う封止層３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３７とを有する。さらに、カラーフィルター３７を保護するために、透明樹脂層４２を介して配置された封止基板４１を有する。素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３７までを含むものである。なお、図４では、素子基板１０における画素回路２０の駆動用トランジスター２３などの構成について、図示を省略した。

有機ＥＬ装置１００は、機能層３２から発した光がカラーフィルター３７を透過して封止基板４１側から取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、基材１１は透明な例えばガラスなどの基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミックスなどの基板を用いることができる。封止基板４１は透明な例えばガラスなどの基板である。

基材１１上に形成される反射層２５は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいはこれらの光反射性を有する金属の合金を用いることができる。

透明層２６は、後に形成される画素電極３１と反射層２５との電気的な絶縁を図るものであって、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機絶縁膜を用いることができる。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、透明層２６上に設けられた画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。具体的には、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚く（大きく）なっている。

機能層３２は白色光が得られる有機発光層を含み、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。

機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）合金からなり、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。

封止層３４は、対向電極３３側から第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３４ｃが順に積層された構造となっている。
第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材料としては、水分や酸素などを通し難い、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化シリコン）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）などが挙げられる。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラックなどが生じ難く、且つ透明性が得られるように、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍとなっている。

平坦化層３４ｂは、透明性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。また、塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。平坦化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。第１封止層３４ａの表面は、厚みが異なる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、１μｍ〜５μｍの膜厚で平坦化層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィルター３７が該凹凸の影響を受け難くなる。

平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃは、前述した無機材料を用いて形成されている。

カラーフィルター３７は、封止層３４の上に、フォトリソグラフィ法で形成された青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを含んで構成されている。着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成される。３つの着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのうち、着色層３７Ｂの膜厚は着色層３７Ｇ，３７Ｒの膜厚よりも薄い（小さい）。具体的には、着色層３７Ｂの膜厚はおよそ１．２μｍ〜１．５μｍ、着色層３７Ｇ，３７Ｒの膜厚はおよそ１．５μｍ〜２．０μｍである。
また、封止層３４上において、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの間に光透過性の隔壁３６が設けられている。封止層３４上における隔壁３６の高さは、着色層３７Ｇ，３７Ｒの膜厚よりも低い（小さい）。具体的には、封止層３４上における隔壁３６の高さはおよそ１．０μｍ〜１．２μｍである。
隔壁３６の構成について、詳しくは後述するが、封止層３４上において隔壁３６間に各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒが形成されると共に、隔壁３６は着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのいずれかにより覆われた状態となっている。これにより、封止層３４上におけるカラーフィルター３７の表面の凹凸が小さくなっている。

さらに、膜厚が他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも薄い（小さい）着色層３７Ｂと封止層３４（第２封止層３４ｃ）との間にスペーサー層３５が設けられている。スペーサー層３５の膜厚はおよそ０．３μｍ〜０．５μｍである。詳しくは後述するが、本実施形態では、スペーサー層３５と隔壁３６とが一体に形成されている。すなわち、スペーサー層３５は隔壁３６と同様に光透過性を有している。着色層３７Ｇまたは着色層３７Ｒが本発明の第１着色層の一例であり、着色層３７Ｂが本発明の第２着色層の一例である。
なお、隔壁３６の高さは、１．０μｍ〜１．２μｍであることに限定されず、例えば、０．５μｍ〜３．０μｍとしてもよい。着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのいずれかにより隔壁３６が覆われていればよいので、スペーサー層３５及び着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの膜厚との関係で、隔壁３６の高さが決まる。

本実施形態では、着色層３７Ｂの膜厚を着色層３７Ｇ，３７Ｒの膜厚よりも薄く（小さく）することで、着色層３７Ｂにおける光の透過率を向上させて、より明るい表示品質を実現している。また、封止層３４（第２封止層３４ｃ）と着色層３７Ｂとの間に光透過性のスペーサー層３５を配置し、スペーサー層３５に膜厚が他に比べて薄い（小さい）着色層３７Ｂを積層することにより、封止層３４（第２封止層３４ｃ）上における着色層３７Ｂの実質的な高さを他の着色層３７Ｇ，３７Ｒの高さとほぼ合わせている。つまり、他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも膜厚が薄い（小さい）着色層３７Ｂを設けても、カラーフィルター３７の表面に凹凸が生じ難い構造となっている。
本実施形態におけるカラーフィルター３７は、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒに加えて、スペーサー層３５と隔壁３６とを含むものである。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間で光共振器が構成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波長の光が得られる構成となっている。
なお、光共振器における光学的な距離の調整方法は、これに限定されず、例えばサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６の膜厚を異ならせてもよい。あるいは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６を屈折率が異なる材料により構成してもよい。

各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを透過して透明な封止基板４１側から射出される。カラーフィルター３７が封止層３４上に形成されているため、カラーフィルター３７が封止基板４１側に形成される場合に比べて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの平面的な大きさが小さくなる、つまり高精細になるほど混色を効果的に低減できる。
なお、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）以外の色のサブ画素１８を有する場合、カラーフィルター３７は、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒ以外の色の着色層を含んで構成される。

次に、封止層３４上における隔壁３６と着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒとの関係について、図５及び図６を参照して説明する。図５（ａ）はサブ画素における隔壁と着色層の配置を示す概略平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったカラーフィルターの要部断面図、図５（ｃ）は図５（ｂ）の要部拡大断面図である。図６（ａ）は変形例の隔壁と着色層の配置を示す概略平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったカラーフィルターの要部断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った要部拡大断面図である。

図５（ａ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００のカラーフィルター３７は、Ｙ方向に同色の着色層が延在して配置されている。つまり、青（Ｂ）の着色層３７Ｂは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｂ（画素電極３１Ｂ）に跨ってストライプ状に配置されている。同様に、緑（Ｇ）の着色層３７Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇ（画素電極３１Ｇ）に跨ってストライプ状に配置されている。赤（Ｒ）の着色層３７Ｒは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒ（画素電極３１Ｒ）に跨ってストライプ状に配置されている。各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの境は、Ｘ方向に配列する隣り合うサブ画素１８の画素電極３１の間に位置している。
すなわち、着色層３７Ｇまたは着色層３７ＲがＹ方向に沿ってストライプ状に設けられた領域が本発明の第１領域に相当するものであり、着色層３７ＢがＹ方向に沿ってストライプ状に設けられた領域が本発明の第２領域に相当するものである。

図５（ｂ）に示すように、封止層３４上において、異なる色の着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの間には、隔壁３６が配置されている。したがって、封止層３４上において隔壁３６もＹ方向に延在するようにストライプ状（スジ状）に配置されている。つまり、隔壁３６は、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのそれぞれが配置される領域を区分するように封止層３４上に設けられている。

図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って切った隔壁３６の断面形状は、台形であって、隔壁３６の底面は、図５（ａ）に示すように、隣り合うサブ画素１８の画素電極３１間に位置している。
なお、各画素電極３１の外縁は、絶縁膜２７により被覆され、絶縁膜２７に設けられた開口部２７ａにおいて画素電極３１は機能層３２と接している。サブ画素１８において開口部２７ａが実質的に発光に寄与する領域であるため、隔壁３６の底面が開口部２７ａ以外の画素電極３１と重なるように隔壁３６を形成してもよい。

本実施形態において、光透過性のスペーサー層３５及び隔壁３６は、着色材料（色材）を含まない感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法で形成されている。すなわち、スペーサー層３５及び隔壁３６の主材料は同じである。封止層３４上における隔壁３６の幅は例えばおよそ０．５μｍ〜１．０μｍ（好ましくは底面の幅が０．７μｍ、頭頂部３６ａの幅が０．５μｍ）、高さは前述したようにおよそ１．０〜１．２μｍである。隔壁３６の高さは、着色層３７Ｇ，３７Ｒの平均膜厚ｔよりも低く（小さく）、平均膜厚ｔの１／２以上であることが好ましい。

図５（ｃ）に示すように、例えば、本実施形態のスペーサー層３５の平均膜厚ｔｓはおよそ０．３μｍ、着色層３７Ｂの平均膜厚ｔｂはおよそ１．２μｍ、着色層３７Ｇの平均膜厚ｔｇはおよそ１．６μｍ、着色層３７Ｒの平均膜厚ｔｒはおよそ２．０μｍである。これは、各色の着色層における視感度及び透過率（明るさ）を考慮して、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの膜厚を異ならせたものである。特に、視感度が低い青色の着色層３７Ｂの膜厚を着色層３７Ｇや着色層３７Ｒよりも薄く（小さく）することで、着色層３７Ｂの光の透過率を改善し、表示における明るさの向上が図られている。
なお、ここでは、スペーサー層３５、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのそれぞれの膜厚を平均膜厚として示したが、例えば、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおける平面視の中央部分における各層の膜厚を代表的な膜厚として用いてもよい。

スペーサー層３５及び隔壁３６の形成方法は、詳しくは後述するが、色材を含まない感光性樹脂材料を塗布して、フォトリソグラフィ法により露光・現像・乾燥することにより、スペーサー層３５と隔壁３６とを一体に形成される。スペーサー層３５は、サブ画素１８Ｂに対応して形成される。

着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの形成方法は、詳しくは後述するが、サブ画素１８Ｇでは、Ｘ方向において向かい合う隔壁３６間を埋めると共に、隔壁３６の頭頂部３６ａの少なくとも一部を覆うように着色層３７Ｇが形成される。着色層３７Ｇに隣り合う着色層３７Ｂは、スペーサー層３５の表面及び隔壁３６の側壁に接すると共に、着色層３７Ｂの一方の縁部が隔壁３６の頭頂部３６ａを覆った着色層３７Ｇの縁部と重なるように形成される。同様に、着色層３７Ｇに隣り合う着色層３７Ｒは、隔壁３６の側壁に接すると共に、着色層３７Ｒの一方の縁部が隔壁３６の頭頂部３６ａを覆った着色層３７Ｇの縁部と重なるように形成される。つまり、着色層３７Ｇは、封止層３４と、隔壁３６の頭頂部３６ａ及び側壁と、着色層３７Ｂの縁部及び着色層３７Ｒの縁部と接するように形成される。
着色層３７Ｂは、スペーサー層３５の表面及び隔壁３６の側壁と接して形成されるので、他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも隔壁３６に対する密着性が向上する。

（隔壁の変形例）
隔壁３６は、図５（ａ）に示すようにＹ方向に延在したストライプ状に配置されることに限定されない。例えば、図６（ａ）に示すように、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２７ａを囲むように、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。したがって、図６（ｂ）に示すように、Ｘ方向では、隔壁３６を覆うようにして隔壁３６間に着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒがそれぞれ充填される。また、図６（ｃ）に示すように、Ｙ方向において同色のサブ画素１８Ｒ間に位置する隔壁３６は、頭頂部３６ａを含めて、サブ画素１８Ｒに対応する着色層３７Ｒによって覆われる。このようにすれば、前述したストライプ状の隔壁３６間に形成された着色層３７Ｒに対して、変形例の着色層３７Ｒの方が隔壁３６に接触する面積が増えるので、着色層３７Ｒの隔壁３６に対する密着性が向上する。緑（Ｇ）の着色層３７Ｇにおいても同様に隔壁３６に対する密着性が向上する。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図７〜図９を参照して説明する。図７は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図８（ａ）〜（ｅ）及び図９（ｆ）〜（ｉ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
本実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置１００の製造方法は、隔壁／スペーサー層形成工程（ステップＳ１）と、Ｇ着色層形成工程（ステップＳ２）と、Ｒ着色層形成工程（ステップＳ３）と、Ｂ着色層形成工程（ステップＳ４）と、素子基板／封止基板貼り合わせ工程（ステップＳ５）と、を備えている。なお、素子基板１０において、走査線１２、データ線１３、電源線１４などの配線、画素回路２０を構成するところのスイッチング用トランジスター２１、駆動用トランジスター２３、蓄積容量２２、及び有機ＥＬ素子３０、封止層３４の形成方法は、公知の方法を適用することができる。ここでは、発明の特徴部分となるスペーサー層３５及び隔壁３６の形成工程以降について詳しく説明する。また、図８（ａ）〜（ｅ）及び図９（ｆ）〜（ｉ）では、素子基板１０の基材１１上における画素回路２０の上記各構成の図示を省略している。

図７のステップＳ１では、封止層３４上にスペーサー層３５及び隔壁３６を形成する。具体的には、まず、例えばポジ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、図８（ａ）に示すように、封止層３４を覆う感光性樹脂層３５ａを形成する。感光性樹脂層３５ａの膜厚は例えば１．０μｍ〜１．２μｍである。
続いて、図８（ｂ）に示すように、ハーフトーンマスク５０を用いて感光性樹脂層３５ａを露光する。ハーフトーンマスク５０は、隔壁３６が形成される領域に対応して設けられた遮光部５１と、スペーサー層３５が形成される領域（本発明における第２領域に相当）に対応して設けられた半透過部５２とを有している。半透過部５２は所定の間隔をおいて配置された一対の遮光部５１の間に設けられている。
そして、露光された感光性樹脂層３５ａを現像・乾燥することにより、図８（ｃ）に示すように、感光性樹脂層３５ａにおいて、所定の露光量で露光された部分は、現像液に溶解して消失し、遮光部５１によって光が遮光された部分に隔壁３６が形成される。また、半透過部５２によって露光量が上記所定の露光量よりも減ぜられた感光性樹脂層３５ａの部分は、現像液に溶解して減膜して、スペーサー層３５が形成される。半透過部５２は遮光部５１と繋がっているので、スペーサー層３５と隔壁３６とが一体に形成される。なお、スペーサー層３５の膜厚がねらいの膜厚となるように、露光量やハーフトーンマスク５０における半透過部５２の光の透過性が調整される。スペーサー層３５の膜厚は例えばおよそ０．３μｍである。
塗布された感光性樹脂材料の乾燥は、プリベークと呼ばれている。また、露光された感光性樹脂層３５ａを現像した後の乾燥は、ポストベークとよばれている。このようなプリベークやポストベークを含む乾燥工程は、基材１１上に先に形成された有機ＥＬ素子３０の熱による素子特性の劣化を考慮して、１００℃〜１５０℃の範囲内で設定されている。そして、ステップＳ２へ進む。

図７のステップＳ２では、緑（Ｇ）の着色層３７Ｇを形成する。具体的には、まず、緑色の色材を含む例えばネガ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、図８（ｄ）に示すように、スペーサー層３５及び隔壁３６並びに封止層３４を覆う感光性樹脂層６０Ｇを形成する。感光性樹脂層６０Ｇの膜厚は例えば１．６μｍである。続いて、感光性樹脂層６０Ｇをフォトリソグラフィ法により露光・現像・乾燥することにより、図８（ｅ）に示すように、スペーサー層３５が設けられていない隔壁３６の間を埋めた着色層３７Ｇを形成する。そして、ステップＳ３へ進む。

図７のステップＳ３では、赤（Ｒ）の着色層３７Ｒを形成する。具体的には、まず、赤色の色材を含む例えばネガ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、図９（ｆ）に示すように、スペーサー層３５、隔壁３６、封止層３４、着色層３７Ｇのそれぞれを覆う感光性樹脂層６０Ｒを形成する。感光性樹脂層６０Ｒの膜厚は例えば２．０μｍである。続いて、感光性樹脂層６０Ｒをフォトリソグラフィ法により露光・現像・乾燥することにより、図９（ｇ）に示すように、着色層３７Ｇの隣であって、スペーサー層３５が設けられていない隔壁３６の間を埋めた着色層３７Ｒを形成する。そして、ステップＳ４へ進む。

図７のステップＳ４では、青（Ｂ）の着色層３７Ｂを形成する。具体的には、まず、青色の色材を含む例えばネガ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、図９（ｈ）に示すように、スペーサー層３５、隔壁３６、着色層３７Ｇ、着色層３７Ｒのそれぞれを覆う感光性樹脂層６０Ｂを形成する。感光性樹脂層６０Ｂの膜厚は例えば１．２μｍである。続いて、感光性樹脂層６０Ｂをフォトリソグラフィ法により露光・現像・乾燥することにより、図９（ｉ）に示すように、スペーサー層３５が設けられている隔壁３６の間を埋めた着色層３７Ｂを形成する。つまり、スペーサー層３５に積層して着色層３７Ｂを形成する。これにより封止層３４上にカラーフィルター３７が形成された素子基板１０ができあがる。そして、ステップＳ５へ進む。

図７のステップＳ５では、カラーフィルター３７が形成された素子基板１０と封止基板４１とを貼り合わせる。具体的には、まず、素子基板１０のカラーフィルター３７上に、例えば熱硬化型または紫外線硬化型のアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などの透明樹脂材料を印刷法や吐出法などにより塗布する。そして、塗布された透明樹脂材料に封止基板４１を押し当てて、素子基板１０と封止基板４１との間に挟まれてできた透明樹脂層４２を硬化させる。これにより、図４に示すように有機ＥＬ装置１００の有機ＥＬパネルができあがる。できあがった有機ＥＬパネルの端子部に駆動用ＩＣ４４が実装されたＦＰＣ４３を電気的に接続すれば、有機ＥＬ装置１００ができあがる（図２参照）。

なお、基材１１上に有機ＥＬ素子３０を形成した後に行われる各種の層の形成における乾燥工程は、前述したように、有機ＥＬ素子３０の素子特性に影響を及ぼさないように、例えば１００℃〜１５０℃の範囲内で行われる。

上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）有機ＥＬ装置１００及びその製造方法によれば、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにおいて、各有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４上にカラーフィルター３７が形成される。カラーフィルター３７は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応した着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを有し、着色層３７Ｂは、他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも膜厚が薄く（小さく）形成される。また、着色層３７Ｂと他の着色層３７Ｇ，３７Ｒとの膜厚の差を補うように、封止層３４と着色層３７Ｂとの間に光透過性のスペーサー層３５が形成される。したがって、封止層３４上におけるカラーフィルター３７の表面は凹凸が少ないほぼ平坦な状態となる。カラーフィルター３７は、着色層３７Ｂの膜厚が他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも薄く（小さく）なるように形成されているので、このようなカラーフィルター３７が形成された素子基板１０を備える有機ＥＬ装置１００は、明るく見栄えのよい表示を行なうことができる。
明るく見栄えのよい表示を行なうために、視感度が他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも低い青の着色層３７Ｂの形成領域を他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも広く（大きく）する方法、つまり、実質的な青のサブ画素１８Ｂの発光領域を他のサブ画素１８Ｇ，１８Ｒよりも広く（大きく）する方法が考えられる。しかしながら、上記有機ＥＬ装置１００では、前述したように各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの大きさが、Ｘ方向において５μｍ以下、Ｙ方向において１０μｍ以下の微細な構成であるため、サブ画素１８Ｂだけを大きくすると他のサブ画素１８Ｇ，１８Ｒの輝度が低下して、ホワイトバランスが崩れるおそれがある。したがって、上記第１実施形態のように、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの大きさを同じにして、着色層３７Ｂの膜厚を薄く（小さく）し、封止層３４との間にスペーサー層３５を配置することは、上記有機ＥＬ装置１００のようなマイクロディスプレイにおいて明るく見栄えがよい表示を実現するために有効な手段である。
（２）着色層３７Ｂが形成される領域（本発明の第２領域）と着色層３７Ｇまたは着色層３７Ｒが形成される領域（本発明の第１領域）とを区分する隔壁３６が封止層３４上に形成されている。また、隔壁３６は、平面視で、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの間に形成される。したがって、隔壁３６を案内部として各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを形成すると、平面視で各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒに対して精度よく対応する着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのそれぞれを配置することができる。ゆえに、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの位置ズレが低減され、優れた表示品質の有機ＥＬ装置１００を提供または製造することができる。
また、封止層３４上における隔壁３６の高さは、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの膜厚よりも小さい。したがって、隔壁３６を覆うように着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのいずれかを形成しても、カラーフィルター３７の表面に生ずる凹凸を小さくすることができる。
（３）スペーサー層３５は、隔壁３６を形成する工程において、隔壁３６と一体に形成される。したがって、スペーサー層３５を別途形成する必要がなく、有機ＥＬ装置１００を効率的に製造することができる。また、スペーサー層３５を隔壁３６と一体に形成することにより、封止層３４に対する隔壁３６の実質的な接触面積を増やすことができるので、封止層３４に対する隔壁３６の密着性、惹いては着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの密着性を向上させることができる。すなわち、高い信頼性を有する有機ＥＬ装置１００を提供または製造することができる。
（４）着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのうち、最も膜厚が薄い（小さい）着色層３７Ｂが最後に形成されるので、カラーフィルター３７の形成における乾燥工程を経る機会が少なくても、着色層３７Ｂを十分に乾燥させることができる。言い換えれば、膜厚が厚い（大きい）着色層３７Ｇ，３７Ｒが形成されてから、膜厚が薄い（小さい）着色層３７Ｂを形成するので、各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを十分に乾燥させることができる。したがって、各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの乾燥が不十分なことに起因するガスの発生が抑制されるので、素子基板１０と封止基板４１とを貼り合わせた後に、当該ガスによって透明樹脂層４２に気泡が生ずる不具合を低減することができる。ゆえに、高い信頼性を有する有機ＥＬ装置１００を製造することができる。

なお、上記第１実施形態では、スペーサー層３５と隔壁３６とを一体に形成したが、これに限定されず、スペーサー層３５を先に形成してからスペーサー層３５の一部と重なるように隔壁３６を形成してもよい。これによれば、封止層３４とスペーサー層３５との密着性の不足からスペーサー層３５の一部が浮くことを隔壁３６によって抑えられる。

（第２実施形態）
＜他の電気光学装置＞
次に、第２実施形態の電気光学装置について、有機ＥＬ装置の他の例を挙げて、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は第２実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す概略断面図、図１１（ａ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素における隔壁と着色層の配置を示す概略平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったカラーフィルターの要部断面図、図１１（ｃ）は図１１（ｂ）の要部拡大断面図である。
本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して隔壁３６に相当する部分の構成を異ならせたものである。図１０は第１実施形態の図４に対応するものであり、図１１は第１実施形態の図５に対応するものである。したがって、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置２００は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を有する素子基板１０と封止基板４１とが透明樹脂層４２を挟んで貼り合わされたものである。
素子基板１０は、基材１１と、基材１１上順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能層３２、対向電極３３を有する。対向電極３３は、機能層３２を挟んで各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する共通の陰極であり、光透過性と光反射性とを兼ね備えている。また、対向電極３３を覆う封止層３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３７とを有する。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて、機能層３２から発した光が反射層２５と対向電極３３との間で反射して共振し、共振波長の光の強度が強められる光共振器が取り入れられている。光共振器における共振波長は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおける反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離によって決まる。本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と同様に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚を異ならせることにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて所望の共振波長の光を取り出すことができる構造となっている。すなわち、有機ＥＬ装置２００は、トップエミッション型であって、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて光共振器から発した光が対応するカラーフィルター３７を透過して封止基板４１側から表示光として射出される。

カラーフィルター３７は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応した着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを有している。着色層３７Ｂの膜厚は他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも薄い（小さい）。封止層３４と着色層３７Ｂとの間には、着色層３７Ｂの膜厚と他の着色層３７Ｇ，３７Ｒの膜厚との差を補う光透過性のスペーサー層３５が形成されている。

また、着色層３７Ｂ及び着色層３７Ｇは、着色層３７Ｒと隔壁３６ｒとにより色ごとに区分されている。隔壁３６ｒは着色層３７Ｒと同時に形成されたものである。また、隔壁として機能する着色層３７Ｒ及び隔壁３６ｒは、着色層３７Ｂが積層されるスペーサー層３５の一部（外縁）と重なって配置されている。つまり、第１実施形態において各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを色ごとに区分する隔壁３６が色材を含まない感光性樹脂材料を用いて形成されているのに対して、本実施形態では、着色層３７Ｒを構成する赤色（Ｒ）の色材を含む感光性樹脂材料を用いて隔壁３６ｒが形成されている。

次に、図１１を参照して、本実施形態のカラーフィルター３７における着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの配置と構造について、さらに詳しく説明する。
図１１（ａ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００のカラーフィルター３７は、Ｙ方向に同色の着色層が延在して配置されている。つまり、青（Ｂ）の着色層３７Ｂは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｂ（画素電極３１Ｂ）に跨ってストライプ状に配置されている。同様に、緑（Ｇ）の着色層３７Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇ（画素電極３１Ｇ）に跨ってストライプ状に配置されている。赤（Ｒ）の着色層３７Ｒは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒ（画素電極３１Ｒ）に跨ってストライプ状に配置されている。各着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの境は、Ｘ方向に配列する隣り合うサブ画素１８の画素電極３１の間に位置している。また、隔壁３６ｒは、Ｘ方向において隣り合う着色層３７Ｂと着色層３７Ｇとの間に、Ｙ方向に延在するようにストライプ状（スジ状）に配置されている。

図１１（ｂ）に示すように、封止層３４上において、異なる色の着色層３７Ｂ，３７Ｇの間には、隔壁３６ｒが配置されている。Ｘ方向において、着色層３７Ｂと着色層３７Ｒとは互いに接している。また、着色層３７Ｇと着色層３７Ｒとは互いに接している。言い換えれば、着色層３７Ｂと着色層３７Ｒとの間、及び着色層３７Ｇと着色層３７Ｒとの間には、異なる色の着色層を区分するための隔壁は存在していない。

図１１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って切った隔壁３６ｒの断面形状は、台形であって、隔壁３６ｒの底面は、Ｘ方向に隣り合う、サブ画素１８Ｂの画素電極３１Ｂとサブ画素１８Ｇの画素電極３１Ｇとの間に位置している。
なお、各画素電極３１の外縁は、絶縁膜２７により被覆され、絶縁膜２７に設けられた開口部２７ａにおいて画素電極３１は機能層３２と接している。サブ画素１８において開口部２７ａが実質的に発光に寄与する領域であるため、隔壁３６ｒの底面が開口部２７ａ以外の画素電極３１Ｂ，３１Ｇの一部と重なるように隔壁３６ｒを形成してもよい。

本実施形態において、隔壁３６ｒは、赤色（Ｒ）の色材を含む感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法で形成されている。封止層３４上における隔壁３６ｒの幅は例えばおよそ０．５μｍ〜１．０μｍ（好ましくは底面の幅が０．７μｍ、頭頂部の幅が０．５μｍ）である。隔壁３６ｒの封止層３４上における高さは、着色層３７Ｒの平均膜厚とほぼ同じである。

図１１（ｃ）に示すように、例えば、本実施形態のスペーサー層３５の平均膜厚ｔｓはおよそ０．３μｍ、着色層３７Ｂの平均膜厚ｔｂはおよそ１．２μｍ、着色層３７Ｇの平均膜厚ｔｇはおよそ２．０μｍ、着色層３７Ｒの平均膜厚ｔｒはおよそ１．６μｍである。これは、第１実施形態と同様に、各色の着色層における視感度及び透過率（明るさ）を考慮して、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの膜厚を異ならせたものである。特に、視感度が低い青色の着色層３７Ｂや赤色の着色層３７Ｒの膜厚を着色層３７Ｇよりも薄く（小さく）することで、着色層３７Ｂや着色層３７Ｒの光の透過率を改善し、より明るい表示が得られるように図られている。
なお、スペーサー層３５、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒのそれぞれの膜厚の定義の仕方は、上記第１実施形態と同様である。

本実施形態におけるカラーフィルター３７の詳しい形成方法については、後述するが、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒは、着色層３７Ｒ、着色層３７Ｇ、着色層３７Ｂの順に形成されている。具体的には、図１１（ｃ）に示すように、着色層３７Ｇは、着色層３７Ｒと隔壁３６ｒとの間に充填され、着色層３７ＧのＸ方向における外縁が着色層３７Ｒと、隔壁３６ｒの頭頂部とに重なるように形成されている。着色層３７Ｂは、着色層３７Ｒと隔壁３６ｒとの間においてスペーサー層３５上に充填され、着色層３７ＢのＸ方向における外縁が着色層３７Ｒと、隔壁３６ｒの頭頂部を覆う着色層３７Ｇとに重なるように形成されている。

＜他の有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置２００の製造方法について、図１２〜図１４を参照して説明する。図１２は第２実施形態の有機ＥＬ装置２００の製造方法を示すフローチャート、図１３（ａ）〜（ｆ）及び図１４（ｇ）〜（ｊ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図１３及び図１４は、本発明の特徴部分である、スペーサー層３５及びカラーフィルター３７の形成方法を示すものであり、素子基板１０の基材１１上に形成される画素回路２０、反射層２５、透明層２６、有機ＥＬ素子３０の各構成の図示を省略している。

図１２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００の製造方法は、スペーサー層形成工程（ステップＳ１１）と、Ｒ着色層／隔壁形成工程（ステップＳ１２）と、Ｇ着色層形成工程（ステップＳ１３）と、Ｂ着色層形成工程（ステップＳ１４）と、素子基板／封止基板貼り合わせ工程（ステップＳ１５）とを備えている。

図１２のステップＳ１１では、スペーサー層３５を形成する。具体的には、まず、図１３（ａ）に示すように、例えばポジ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、封止層３４を覆う感光性樹脂層３５ａを形成する。感光性樹脂層３５ａの膜厚は例えば０．３μｍである。
続いて、図１３（ｂ）に示すように、フォトマスク５５を用いて感光性樹脂層３５ａを露光する。フォトマスク５５は、スペーサー層３５が形成される領域（本発明における第２領域に相当）に対応して設けられた遮光部５６を有している。
そして、露光された感光性樹脂層３５ａを現像することにより、図１３（ｃ）に示すように、感光性樹脂層３５ａにおいて、所定の露光量で露光された部分は、現像液に溶解して消失し、遮光部５６によって光が遮光された部分にスペーサー層３５が形成される。なお、スペーサー層３５の膜厚は、前駆体である感光性樹脂層３５ａの膜厚とほぼ同じである。そして、ステップＳ１２へ進む。

図１２のステップＳ１２では、着色層３７Ｒと隔壁３６ｒとを形成する。具体的には、まず、図１３（ｄ）に示すように、赤色の色材を含む例えばネガ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、スペーサー層３５及び封止層３４を覆う感光性樹脂層６０Ｒを形成する。感光性樹脂層６０Ｒの膜厚は例えば１．６μｍである。
続いて、図１３（ｅ）に示すように、感光性樹脂層６０Ｒをフォトマスク７０を用いて露光する。フォトマスク７０は、着色層３７Ｂが形成される領域（本発明の第２領域）に対応して設けられた第１遮光部７１と、着色層３７Ｇが形成される領域に対応して設けられた第２遮光部７２とを有している。また、第１遮光部７１と第２遮光部７２とは、隣り合ってそれぞれストライプ状に設けられている。フォトマスク７０は、第１遮光部７１と第２遮光部７２との間に、隔壁３６ｒが形成される領域に対応した第１の隙間７３と、着色層３７Ｒが形成される領域に対応した第２の隙間７４とを有している。
このようなフォトマスク７０を用いて露光された感光性樹脂層６０Ｒを現像して乾燥すると、図１３（ｆ）に示すように、第１遮光部７１及び第２遮光部７２によって露光光が遮光された部分は現像液に溶解して消失し、第１の隙間７３を介して露光された感光性樹脂層６０Ｒの部分は現像液に溶けずに残って隔壁３６ｒが形成される。また、第２の隙間７４を介して露光された感光性樹脂層６０Ｒの部分は現像液に溶けずに残って着色層３７Ｒが形成される。また、隔壁３６ｒ及び着色層３７Ｒはスペーサー層３５の外縁と重なるように形成される。そして、ステップＳ１３へ進む。

図１２のステップＳ１３では、着色層３７Ｇを形成する。具体的には、まず、緑色の色材を含む例えばネガ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、図１４（ｇ）に示すように、封止層３４、スペーサー層３５、隔壁３６ｒ、着色層３７Ｒを覆う感光性樹脂層６０Ｇを形成する。感光性樹脂層６０Ｇの膜厚は例えば２．０μｍである。続いて、感光性樹脂層６０Ｇをフォトリソグラフィ法により露光・現像・乾燥することにより、図１４（ｈ）に示すように、スペーサー層３５が設けられていない隔壁３６ｒと着色層３７Ｒとの間を埋めた着色層３７Ｇを形成する。そして、ステップＳ１４へ進む。

図１２のステップＳ１４では、着色層３７Ｂを形成する。具体的には、まず、青色の色材を含む例えばネガ型の感光性樹脂材料を、例えばスピンコート法などの塗布方法により塗布して乾燥することにより、図１４（ｉ）に示すように、スペーサー層３５、隔壁３６ｒ、着色層３７Ｇ、着色層３７Ｒのそれぞれを覆う感光性樹脂層６０Ｂを形成する。感光性樹脂層６０Ｂの膜厚は例えば１．２μｍである。続いて、感光性樹脂層６０Ｂをフォトリソグラフィ法により露光・現像・乾燥することにより、図１４（ｊ）に示すように、スペーサー層３５が設けられている隔壁３６ｒと着色層３７Ｒとの間を埋めた着色層３７Ｂを形成する。つまり、スペーサー層３５に積層して着色層３７Ｂを形成する。これにより封止層３４上にカラーフィルター３７が形成された素子基板１０ができあがる。そして、ステップＳ１５へ進む。

図１２のステップＳ１５では、カラーフィルター３７が形成された素子基板１０と封止基板４１とを貼り合わせる。具体的には、まず、素子基板１０のカラーフィルター３７上に、例えば熱硬化型または紫外線硬化型のアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などの透明樹脂材料を印刷法や吐出法などにより塗布する。そして、塗布された透明樹脂材料に封止基板４１を押し当てて、素子基板１０と封止基板４１との間に挟まれてできた透明樹脂層４２を硬化させる。これにより、図１０に示すように有機ＥＬ装置２００の有機ＥＬパネルができあがる。できあがった有機ＥＬパネルの端子部に、第１実施形態と同様に、駆動用ＩＣ４４が実装されたＦＰＣ４３を電気的に接続すれば、有機ＥＬ装置２００ができあがる。

上記第２実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（１）及び（４）と同様な効果が得られると共に、以下の効果が得られる。
（５）有機ＥＬ装置２００とその製造方法によれば、スペーサー層形成工程（ステップＳ１１）では、スペーサー層３５は封止層３４上に単独に形成される。したがって、第１実施形態のように、ハーフトーンマスク５０を用いて階調露光してスペーサー層３５と隔壁３６とを一体に形成する場合に比べて、膜厚の精度がよいスペーサー層３５を形成できる。
さらに、スペーサー層３５の外縁と重なるように隔壁３６ｒや着色層３７Ｒが形成されるので、封止層３４とスペーサー層３５との密着性の不足に起因して、封止層３４上においてスペーサー層３５が外縁側から剥がれるような不具合を低減することができる。
（６）着色層３７Ｂ及び着色層３７Ｇは、Ｒ着色層／隔壁形成工程（ステップＳ１２）において形成された着色層３７Ｒと隔壁３６ｒとにより色ごとに区分されている。第１実施形態のように、色材を含まない感光性樹脂材料を用いて形成された隔壁３６によって着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを色ごとに区分する場合に比べて、着色層３７Ｂを透過した光が隣り合う着色層３７Ｇに漏れたとしても、漏れた光は、隔壁３６ｒによって吸収されるので、着色層３７Ｇを有するサブ画素１８Ｇにおける混色を防止することができる。すなわち、第１実施形態に比べて、より優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置２００を提供または製造することができる。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１５を参照して説明する。図１５は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１５に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００（あるいは上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。また、表示部１００１を直視する構成に限らず、表示部１００１から発せられた表示光を導光あるいは反射させることにより、表示部１００１の表示を間接的に見る構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法ならびに該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記第１実施形態のように、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを色ごとに区分する隔壁３６は、光透過性を有することに限定されない。図１６は、変形例の有機ＥＬ装置における隔壁の構成を示す概略断面図である。なお、変形例の有機ＥＬ装置は、上記隔壁３６の構成を異ならせたものであり、他の構成は、上記有機ＥＬ装置１００と同じである。また、図１６は上記第１実施形態の図４に相当するものである。例えば、図１６に示すように、変形例の有機ＥＬ装置３００は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を有する素子基板１０と封止基板４１とが透明樹脂層４２を挟んで貼り合わされたものである。
素子基板１０は、基材１１と、基材１１上順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能層３２、対向電極３３を有する。対向電極３３は、機能層３２を挟んで各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する共通の陰極であり、光透過性と光反射性とを兼ね備えている。また、対向電極３３を覆う封止層３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３７とを有する。
上記第１実施形態と同様に、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて、機能層３２から発した光が反射層２５と対向電極３３との間で反射して共振し、共振波長の光強度が強められる光共振器が取り入れられている。すなわち、有機ＥＬ装置３００は、トップエミッション型であって、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて光共振器から発した光が対応するカラーフィルター３７を透過して封止基板４１側から表示光として射出される。
カラーフィルター３７は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応した着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを有している。着色層３７Ｂの膜厚は他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも薄い（小さい）。封止層３４と着色層３７Ｂとの間には、着色層３７Ｂの膜厚と他の着色層３７Ｇ，３７Ｒの膜厚との差を補う光透過性のスペーサー層３５が形成されている。
また、着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒは、封止層３４上に設けられた隔壁３６ｂによって色ごとに区分されている。隔壁３６ｂは遮光性の有機樹脂材料や無機材料を用いて形成されている。したがって、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれに設けられた有機ＥＬ素子３０からの発光（共振波長の光）が対応する着色層と隣り合う着色層に向って斜め方向から入射したとしても、隔壁３６ｂによって遮光することができる。ゆえに、上記第１実施形態のように光透過性の隔壁３６を用いる場合に比べて、混色をより低減することができる。
なお、遮光性の有機樹脂材料としては、例えばカーボンブラックなどの黒色顔料を含んだラジカル重合型のブラックレジストが挙げられる。
また、遮光性の無機材料としては、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉなどの金属材料を挙げることができる。無機材料を採用すれば、封止層３４の最上層である無機材料からなる第２封止層３４ｃに対して高い密着性を有する隔壁３６ｂを形成することができる。

（変形例２）スペーサー層３５を形成する領域は、膜厚が他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも薄い（小さい）着色層３７Ｂが形成される領域（本発明の第２領域）だけに限定されない。上記第１実施形態のおける着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒの膜厚の大きさは、前述したように着色層３７Ｂ＜着色層３７Ｇ＜着色層３７Ｒの順になっている。したがって、着色層３７Ｇが形成される領域にも、着色層３７Ｇと着色層３７Ｒとの膜厚の差を補うスペーサー層を配置してもよい。これによれば、封止層３４上におけるカラーフィルター３７の表面の凹凸をさらに小さくすることができる。すなわち、異なる色の複数の着色層のうち、他の着色層に対して膜厚が薄い（小さい）任意の着色層と封止層３４との間にスペーサー層を配置すればよい。

（変形例３）着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒを形成する順番は、膜厚が他の着色層３７Ｇ，３７Ｒよりも薄い（小さい）着色層３７Ｂを最後に形成することに限定されない。例えば、着色層３７Ｂを最初に形成してもよいし、他の着色層３７Ｇ，３７Ｒのそれぞれを形成する工程の間に着色層３７Ｂを形成してもよい。

（変形例４）上記第１実施形態においてスペーサー層３５と隔壁３６とを一体形成する方法は、ハーフトーンマスク５０を用いたフォトリソグラフィ法に限定されない。例えば、封止層３４を覆う透明樹脂層に成形型を押し当ててスペーサー層３５と隔壁３６とを一体形成するインプリント法を用いることができる。なお、該透明樹脂層は半硬化状態で形成され、インプリント後に完全硬化させる。

（変形例５）本発明のカラーフィルター３７を含む電気光学装置は、サブ画素１８ごとに光共振器を備えたトップエミッション型の有機ＥＬ装置１００（または有機ＥＬ装置２００）であることに限定されない。例えば、光共振器を備えていないトップエミッション型やボトムエミッション型の有機ＥＬ装置にも適用することができる。また、スペーサー層３５と着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒとを含むカラーフィルター３７は、有機ＥＬ素子３０が形成された素子基板１０側に形成されることに限定されず、封止基板４１側に形成されていてもよい。さらに、有機ＥＬ装置などの自発光型の表示デバイスだけでなく、液晶表示装置や電気泳動表示装置などの受光型の表示デバイスにも本発明を適用することができる。

１０…素子基板、１１…基板としての基材、３０…発光素子としての有機ＥＬ素子、３４…封止層、３５…スペーサー層、３６…隔壁、３７…カラーフィルター、３７Ｂ…第２着色層としての青の着色層、３７Ｇ…緑の着色層、３７Ｒ…赤の着色層、１００，２００，３００…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）。

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された発光素子と、
   前記発光素子を封止する封止層と、
   前記封止層上において、第１領域に配置された第１着色層と、
   第２領域に配置され、前記第１着色層の膜厚よりも薄い膜厚の第２着色層と、
   前記封止層と前記第２着色層との間に配置されたスペーサー層と、
   前記封止層上において、前記第１領域と前記第２領域とを区分する隔壁と、を有し、
   前記スペーサー層と前記隔壁とは、一体となっていることを特徴とする電気光学装置。
2. 基板と、
   前記基板上に配置された発光素子と、
   前記発光素子を封止する封止層と、
   前記封止層上において、第１領域に配置された第１着色層と、
   第２領域に配置され、前記第１着色層の膜厚よりも薄い膜厚の第２着色層と、
   前記封止層と前記第２着色層との間に配置されたスペーサー層と、
   前記封止層上において、前記第１領域と前記第２領域とを区分する隔壁と、を有し、
   前記スペーサー層の一部は、前記封止層と前記隔壁との間に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 前記封止層上における前記隔壁の高さは、前記第１着色層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 基板と、
   前記基板上に配置された発光素子と、
   前記発光素子を封止する封止層と、
   前記封止層上において、第１領域に配置された第１着色層と、
   第２領域に配置され、前記第１着色層の膜厚よりも薄い膜厚の第２着色層と、
   前記封止層と前記第２着色層との間に配置されたスペーサー層と、を有し、
   前記第１着色層は、前記第２領域を区分していることを特徴とする電気光学装置。
5. 基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を封止する封止層と、前記封止層上に配置された第１着色層及び第２着色層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記封止層上の第１領域に前記第１着色層を形成する工程と、
   前記封止層上の第２領域にスペーサー層を形成する工程と、
   前記スペーサー層に積層して、前記第１着色層の膜厚よりも膜厚が薄い第２着色層を形成する工程と、を備え、
   前記封止層上に、前記第１領域と前記第２領域とを区分する隔壁を形成する工程をさらに含み、
   前記隔壁を形成する工程は、前記スペーサー層と前記隔壁とを一体に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 前記隔壁を形成する工程は、前記封止層上における前記隔壁の高さが、前記第１着色層の膜厚よりも小さくなるように前記隔壁を形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を封止する封止層と、前記封止層上に配置された第１着色層及び第２着色層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記封止層上の第１領域に前記第１着色層を形成する工程と、
   前記封止層上の第２領域にスペーサー層を形成する工程と、
   前記スペーサー層に積層して、前記第１着色層の膜厚よりも膜厚が薄い第２着色層を形成する工程と、を備え、
   前記封止層上に、前記第１領域と前記第２領域とを区分する隔壁を形成する工程をさらに含み、
   前記隔壁を形成する工程は、前記第１着色層を用いて前記第２領域を区分することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 前記第１着色層を形成する工程及び前記第２着色層を形成する工程は、色材を含む感光性樹脂材料を塗布して、露光・現像・乾燥することにより、前記第１着色層と第２着色層とをそれぞれ形成し、前記第１着色層を形成してから前記第２着色層を形成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
10. 請求項５乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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