CN220402275U - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN220402275U
CN220402275U CN202321648984.5U CN202321648984U CN220402275U CN 220402275 U CN220402275 U CN 220402275U CN 202321648984 U CN202321648984 U CN 202321648984U CN 220402275 U CN220402275 U CN 220402275U
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
light
display device
metal
light shielding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321648984.5U
Other languages
English (en)
Inventor
姜胜培
金成准
文晟薰
秋秉权
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN220402275U publication Critical patent/CN220402275U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

显示装置包括：基板；发光元件，配置在基板上；封装层，覆盖发光元件；以及光控制膜，配置在封装层上，并且包括多个光控制图案，光控制图案的每一个包括：第一金属图案，配置在封装层上；第一光透射图案，配置在第一金属图案上；第二金属图案，配置在第一光透射图案上，并且与第一金属图案在平面上重叠；第二光透射图案，配置在第二金属图案上，并且与第一光透射图案重叠；第一遮光图案，配置在与第一金属图案相同的层，并且与第一光透射图案重叠；以及第二遮光图案，配置在与第二金属图案相同的层，并且与第二光透射图案重叠。

Description

显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示装置。更详细地，本实用新型涉及提供视觉信息的显示装置。
背景技术
随着信息化技术的发展，作为用户和信息之间的连接媒介的显示装置的重要性日益凸显。因此，液晶显示装置(liquid crystal display device)、有机发光显示装置(organic light emitting display device)、等离子显示装置(plasma display device)等之类显示装置的使用正在增加。
另一方面，显示装置可以显示具有广视角图像，或者为了改善安全或图像透射现象，可以限制显示装置中显示的图像的视角。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种可以有效地限制视角的显示装置。
本实用新型的另一目的是提供一种所述显示装置的制造方法。
然而，本实用新型的目的不限于以上提及的目的，在不脱离本实用新型的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达到上述的本实用新型的一目的，可以是，根据本实用新型的一实施例的显示装置包括：基板；发光元件，配置在所述基板上；封装层，覆盖所述发光元件；以及光控制膜，配置在所述封装层上，并且包括多个光控制图案，所述光控制图案的每一个，包括：第一金属图案，配置在所述封装层上；第一光透射图案，配置在所述第一金属图案上；第二金属图案，配置在所述第一光透射图案上，并且与所述第一金属图案在平面上重叠；第二光透射图案，配置在所述第二金属图案上，并且与所述第一光透射图案重叠；第一遮光图案，配置在与所述第一金属图案相同的层，并且与所述第一光透射图案重叠；以及第二遮光图案，配置在与所述第二金属图案相同的层，并且与所述第二光透射图案重叠。
在一实施例中，可以是，所述第一遮光图案配置在通过所述第一金属图案以及所述第一光透射图案定义的第一底切形状内部，所述第二遮光图案配置在通过所述第二金属图案以及所述第二光透射图案定义的第二底切形状内部。
在一实施例中，可以是，针对约380nm至约780nm波段的光的所述第一光透射图案以及所述第二光透射图案的每一个的折射率为1至2。
在一实施例中，可以是，彼此相邻的所述光控制图案之间的间隔为约5um至约10um。
在一实施例中，可以是，所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案的每一个的宽度为约1um至约2um。
在一实施例中，可以是，针对相同的蚀刻工艺的所述第二金属图案的蚀刻率低于所述第一金属图案的蚀刻率。
在一实施例中，可以是，所述第一金属图案以及所述第二金属图案包含透明导电性氧化物。
在一实施例中，可以是，所述第一光透射图案以及所述第二光透射图案包含透明有机物质。
在一实施例中，可以是，所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案在平面上重叠。
在一实施例中，可以是，所述光控制膜还包括：至少一个的填充图案，配置在每个相邻的所述光控制图案之间，并且包含透明的有机物质。
在一实施例中，可以是，所述光控制图案的每一个还包括：遮光隔墙，覆盖所述第一光透射图案、所述第二光透射图案、所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案的侧面。
在一实施例中，可以是，所述遮光隔墙与所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案形成为一体。
在一实施例中，可以是，所述光控制图案中的至少一个具有贯通所述光控制图案的贯通孔，所述贯通孔由与所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案相同的物质填充。
为了达到上述的本实用新型的另一目的，根据本实用新型的一实施例的显示装置的制造方法包括：在基板上形成发光元件的步骤；形成覆盖所述发光元件的封装层的步骤；以及在所述封装层上形成包括多个光控制图案的光控制膜的步骤，形成所述光控制膜的步骤包括形成所述光控制图案的步骤，形成所述光控制图案的步骤包括：形成依次层叠第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及第二绝缘层的初步光控制层的步骤；在所述初步光控制层上形成掩模图案的步骤；通过第一蚀刻工艺去除所述第二绝缘层的从所述掩模图案暴露的一部分而形成第二光透射图案的步骤；通过第二蚀刻工艺去除所述第二金属层的从所述第二光透射图案暴露的一部分以及与所述第二光透射图案的一部分重叠的所述第二金属层的一部分而形成第二金属图案的步骤；将所述掩模图案作为掩模而通过所述第一蚀刻工艺去除所述第一绝缘层的一部分而形成第一光透射图案的步骤；通过所述第二蚀刻工艺去除所述第一金属层的从所述第一光透射图案暴露的一部分以及与所述第一光透射图案的一部分重叠的所述第一金属层的一部分而形成第一金属图案的步骤；形成覆盖所述第一金属图案、所述第一光透射图案、所述第二金属图案以及所述第二光透射图案的初步遮光层的步骤；以及去除所述初步遮光层的一部分，而形成配置在与所述第一金属层相同的层的第一遮光图案以及配置在与所述第二金属层相同的层的第二遮光图案的步骤。
在一实施例中，可以是，针对所述第一金属层的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率低于所述第一绝缘层的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率，针对所述第二金属层的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率低于所述第二绝缘层的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率，针对所述第一金属层的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率高于针对所述第一绝缘层的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率，针对所述第二金属层的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率高于针对所述第二绝缘层的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。
在一实施例中，可以是，针对所述掩模图案的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率低于针对所述第一金属层以及所述第二金属层的每一个的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。
在一实施例中，可以是，针对所述第二金属层的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率低于针对所述第一金属层的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。
在一实施例中，可以是，形成所述光控制膜的步骤还可以包括：在形成所述光控制图案之后，形成配置在相邻的所述光控制图案之间，并且包含透明有机物质的填充图案的步骤。
在一实施例中，可以是，在形成所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案的步骤中，通过全面抛光工艺去除所述初步遮光层的一部分。
根据本实用新型的实施例的显示装置可以包括光控制膜。另外，所述光控制膜可以包括在第一方向上延伸，并且沿着与所述第一方向垂直的第二方向彼此隔开的第一遮光图案以及配置在所述第一遮光图案上，并在所述第一方向上延伸，并且沿着所述第二方向彼此隔开的第二遮光图案。即，所述光控制膜的遮光图案可以具有多级构造。因此，在不具有高的遮光图案的每一个的高度的情况，也可以容易地形成适应于控制视角的光控制膜。因此，可以提升制造所述光控制膜的工艺的效率。
然而，本实用新型的效果不限于以上提及的效果，在不脱离本实用新型的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的平面图。
图2是放大示出图1的显示装置的显示区域的一部分的平面图。
图3是沿着图2的I-I'线截取的截面图。
图4是放大示出图3的A区域的一例的截面图。
图5至图14是示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
图15至图20是示出根据本实用新型的实施例的显示装置的图。
(附图标记说明)
DD：显示装置 SUB：基板
LED1、LED2：第一及第二发光元件
TFE：封装层 LCF：光控制膜
LCP：光控制图案 MP1：第一金属图案
MP2：第二金属图案 LTP1：第一光透射图案
LTP2：第二光透射图案 LP1：第一遮光图案
LP2：第二遮光图案 UC1：第一底切形状
UC2：第二底切形状 FP：填充图案
LB：遮光隔墙 TH：贯通孔
ML1：第一金属层 ML2：第二金属层
IL1：第一绝缘层 IL2：第二绝缘层
PLCL：初步光控制层 MSP：掩模图案
PLBL：初步遮光层
具体实施方式
以下，将参照所附附图，更详细地说明本实用新型的实施例。针对附图中的相同的构成要件使用相同的附图标记并省略针对相同的构成要件的重复说明。
图1是示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据本实用新型的一实施例的显示装置DD可以包括显示区域DA以及周边区域PA。
在显示区域DA中可以配置多个像素PX。多个像素PX的每一个可以发光。多个像素PX可以包括第一像素PX1以及第二像素PX2。例如，第一像素PX1以及第二像素PX2可以同时发光。选择性地，当第一像素PX1发光时，第二像素PX2也可以不发光。选择性地，当第一像素PX1不发光时，第二像素PX2也可以发光。随着多个像素PX的每一个发光，显示区域DA可以显示图像。
多个像素PX可以在平面上沿着第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2反复排列。例如，第二像素PX2可以与第一像素PX1相邻。具体地，第二像素PX2可以与第一像素PX1在第二方向DR2上相邻。
周边区域PA可以位于显示区域DA的周边。例如，周边区域PA可以围绕显示区域DA的至少一部分。在周边区域PA中可以配置驱动部。所述驱动部可以将信号及/或电压提供到多个像素PX。例如，所述驱动部可以包括数据驱动部、栅极驱动部等。周边区域PA可以不显示图像。
在本说明书中，在第一方向DR1以及第二方向DR2上可以定义平面。例如，第一方向DR1可以与第二方向DR2垂直。
本实用新型的显示装置DD也可以包括有机发光显示装置(organic lightemitting display device，OLED)、液晶显示装置(liquid crystal display device，LCD)，场致发射显示装置(field emission display device，FED)、等离子体显示装置(plasma display device，PDP)、电泳式显示装置(electrophoretic display device，EPD)或者无机发光显示装置(inorganic light emitting display device，ILED)。
图2是放大示出图1的显示装置的显示区域的一部分的平面图。
参照图1以及图2，如上所述，显示装置DD可以包括显示区域DA以及周边区域PA，在显示区域DA中配置多个像素PX。多个像素PX可以包括第一像素PX1以及第二像素PX2。
第一像素PX1以及第二像素PX2的每一个可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3以及非发光区域NLA。
可以是，第一发光区域LA1发出第一颜色的光，第二发光区域LA2发出第二颜色的光，第三发光区域LA3发出第三颜色的光。在一实施例中，可以是，所述第一颜色是红色，所述第二颜色是蓝色，所述第三颜色是绿色。随着所述第一颜色的光、所述第二颜色的光以及所述第三颜色的光组合，第一像素PX1以及第二像素PX2的每一个可以发出各种颜色的光。非发光区域NLA可以不发光。
在一实施例中，显示装置DD可以包括多个遮光图案LP。多个遮光图案LP的每一个可以在第一方向DR1上延伸。多个遮光图案LP可以彼此平行。另外，多个遮光图案LP中的一部分可以与第一至第三发光区域LA1、LA2、LA3重叠。
图3是沿着图2的I-I'线截取的截面图。图4是放大示出图3的A区域的一例的截面图。另一方面，为了便于说明，在图3中仅示出第一发光区域LA1以及第二发光区域LA2的截面构造。第三发光区域LA3的截面构造实质上可以与第一发光区域LA1以及第二发光区域LA2的所述截面构造相同。
参照图3以及图4，根据本实用新型的一实施例的显示装置DD可以包括基板SUB、缓冲层BFR、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、导通绝缘层VIA、像素定义膜PDL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、封装层TFE以及光控制膜LCF。
在此，可以是，第一晶体管TR1包括第一有源图案ACT1、第一栅极电极GAT1、第一源极电极CE1以及第一漏极电极CE2，第二晶体管TR2包括第二有源图案ACT2、第二栅极电极GAT2、第二源极电极CE3以及第二漏极电极CE4。
另外，可以是，第一发光元件LED1包括第一像素电极PE1、第一发光层EL1以及公共电极CE，第二发光元件LED2包括第二像素电极PE2、第二发光层EL2以及公共电极CE。
另外，光控制膜LCF可以包括多个光控制图案LCP以及至少一个的填充图案FP。另外，光控制图案LCP的每一个可以包括第一金属图案MP1、第一光透射图案LTP1、第二金属图案MP2、第二光透射图案LTP2、第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2。光控制图案LCP可以沿着第二方向DR2彼此隔开排列。填充图案FP可以配置在彼此相邻的光控制图案LCP之间。
基板SUB可以包含透明的物质或者不透明的物质。基板SUB可以由透明树脂基板实现。所述透明树脂基板的例可以举，聚酰亚胺基板等。在这种情况下，所述聚酰亚胺基板可以包括第一有机层、第一阻挡层、第二有机层等。选择性地，基板SUB也可以包括石英(quartz)基板，合成石英(synthetic quartz)基板，氟化钙(calcium fluoride)基板，掺杂了氟的石英(F-doped quartz)基板，碱石灰(sodalime)玻璃基板，无碱(non-alkali)玻璃基板等。其可以单独或者彼此组合使用。
在基板SUB上可以配置缓冲层BFR。可以防止金属原子或杂质从基板SUB扩散到第一和第二晶体管TR1、TR2的现象。另外，当基板SUB的表面不均匀时，缓冲层BFR可以提升基板SUB的表面的平坦度。例如，缓冲层BFR可以包含硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等之类无机物质。其可以单独或者彼此组合使用。
在缓冲层BFR上可以配置第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2。第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2的每一个可以包括金属氧化物半导体、无机物半导体(例如，非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly silicon))或者有机物半导体等。第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2的每一个可以包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域。第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2可以通过相同的工艺形成，包含相同的物质。
在缓冲层BFR上可以配置极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以充分覆盖第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2，在第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2的周围可以不生成台阶并实质上具有平坦的上面。选择性地，栅极绝缘层GI也可以覆盖第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2，以均匀的厚度沿着第一有源图案ACT1以及第二有源图案ACT2的每一个的轮廓配置。例如，栅极绝缘层GI可以包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅碳化物(SiCx)、硅氧氮化物(SiOxNy)、硅氧碳化物(SiOxCy)等之类无机物质。其可以单独或者彼此组合使用。
在栅极绝缘层GI上可以配置第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2。可以是，第一栅极电极GAT1与第一有源图案ACT1的所述沟道区域重叠，第二栅极电极GAT2与第二有源图案ACT2的所述沟道区域重叠。
第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2的每一个可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以用作第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2的金属的例可以举，银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)等。所述导电性金属氧化物的例可以举，铟锡氧化物，铟锌氧化物等。另外，所述金属氮化物的例可以举，铝氮化物(AlNx)，钨氮化物(WNx)，铬氮化物(CrNx)等。这些可以分别单独或者彼此组合使用。
第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2可以通过相同的工艺形成，包含相同的物质。
在栅极绝缘层GI上可以配置层间绝缘层ILD。层间绝缘层ILD可以充分覆盖第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2，在第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2的周围可以不生成台阶并实质上具有平坦的上面。选择性地，层间绝缘层ILD也可以覆盖第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2，以均匀的厚度沿着第一栅极电极GAT1以及第二栅极电极GAT2每一个的轮廓配置。例如，层间绝缘层ILD可以包含硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、硅氧氮化物、硅氧碳化物等之类无机物质。其可以单独或者彼此组合使用。
在层间绝缘层ILD上可以配置第一源极电极CE1、第二源极电极CE3、第一漏极电极CE2以及第二漏极电极CE4。第一源极电极CE1可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔与第一有源图案ACT1的所述源极区域接通。第二源极电极CE3可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔与第二有源图案ACT2的所述源极区域接通。第一漏极电极CE2可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD与第一有源图案ACT1的所述漏极区域接通。第二漏极电极CE4可以通过贯通栅极绝缘层GI以及层间绝缘层ILD的接触孔与第二有源图案ACT2的所述漏极区域接通。
例如，第一源极电极CE1、第二源极电极CE3、第一漏极电极CE2以及第二漏极电极CE4的每一个可以包含金属、合金、金属氮化物，导电性金属氧化物、透明导电性物质等。其可以单独或者彼此组合使用。第一源极电极CE1、第二源极电极CE3、第一漏极电极CE2以及第二漏极电极CE4可以通过相同的工艺形成，包含相同的物质。
因此，可以是，包括第一有源图案ACT1、第一栅极电极GAT1、第一源极电极CE1以及第一漏极电极CE2的第一晶体管TR1配置在基板SUB上，包括第二有源图案ACT2、第二栅极电极GAT2、第二源极电极CE3以及第二漏极电极CE4的第二晶体管TR2配置在基板SUB上。
在层间绝缘层ILD上可以配置导通绝缘层VIA。导通绝缘层VIA可以充分覆盖第一源极电极CE1、第二源极电极CE3、第一漏极电极CE2以及第二漏极电极CE4。导通绝缘层VIA可以包含有机物质。例如，可以用作导通绝缘层VIA的有机物质的例可以有酚醛树脂(phenolic resin)、聚丙烯酸酯树脂(polyacrylates resin)、聚酰亚胺树脂(polyimidesrein)、聚酰氨树脂(polyamides resin)，硅氧烷树脂(siloxane resin)、环氧树脂(epoxyresin)等。其可以单独或者彼此组合使用。
在导通绝缘层VIA上可以配置第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2。可以是，第一像素电极PE1与第一发光区域LA1重叠，第二像素电极PE2与第二发光区域LA2重叠。第一像素电极PE1可以通过贯通导通绝缘层VIA的接触孔与第一漏极电极CE2接通，第二像素电极PE2可以通过贯通导通绝缘层VIA的接触孔与第二漏极电极CE4接通。
例如，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的每一个可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。其可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的每一个可以具有包含ITO/Ag/ITO的叠层构造。第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2可以通过相同的工艺形成，包含相同的物质。例如，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的每一个可以以阳极(anode)启动。
在导通绝缘层VIA上可以配置像素定义膜PDL。像素定义膜PDL可以与非发光区域NLA重叠。像素定义膜PDL可以覆盖第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的每一个的两侧部。另外，在像素定义膜PDL可以定义使第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的每一个的上面的一部分暴露的像素开口。例如，像素定义膜PDL可以包含无机物质或者有机物质。在一实施例中，像素定义膜PDL可以包含环氧树脂，硅氧烷树脂等之类有机物质。其可以单独或者彼此组合使用。在另一实施例中，像素定义膜PDL也可以还包含含有黑色颜料、黑色染料等的遮光物质。
可以是，在第一像素电极PE1上配置第一发光层EL1，在第二像素电极PE2上配置第二发光层EL2。第一发光层EL1以及第二发光层EL2的每一个可以包含发出预设定的颜色的光的有机物。例如，可以是，第一发光层EL1包含发出红色光的有机物，第二发光层EL2包含发出蓝色光的有机物。
在第一发光层EL1、第二发光层EL2以及像素定义膜PDL上可以配置公共电极CE。公共电极CE可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。其可以单独或者彼此组合使用。例如，公共电极CE可以以阴极(cathode)启动。
因此，可以是，包括第一像素电极PE1、第一发光层EL1以及公共电极CE的第一发光元件LED1配置在基板SUB上的第一发光区域LA1，包括第二像素电极PE2、第二发光层EL2以及公共电极CE的第二发光元件LED2配置在基板SUB上的第二发光区域LA2。
在公共电极CE上可以配置封装层TFE。封装层TFE可以防止杂质、水分、外气等从外部渗透到第一发光元件LED1以及第二发光元件LED2。封装层TFE可以包括至少一个的无机封装层以及至少一个的有机封装层。例如，所述无机封装层可以包含硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等。其可以单独或者彼此组合使用。所述有机封装层可以包含聚丙烯酸酯等之类高分子固化物。
在封装层TFE上可以配置光控制膜LCF。光控制膜LCF可以包括多个光控制图案LCP以及至少一个的填充图案FP。
光控制图案LCP可以沿着第二方向DR2彼此隔开排列。光控制图案LCP可以具有彼此相同的截面构造。在一实施例中，光控制图案LCP的每一个可以包括第一金属图案MP1、第一光透射图案LTP1、第二金属图案MP2、第二光透射图案LTP2、第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2。
第一金属图案MP1可以配置在封装层TFE上。从发光元件LED1、LED2发出的光可以通过第一金属图案MP1。在一实施例中，第一金属图案MP1可以包含透明导电性氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)。用作第一金属图案MP1的透明导电性氧化物(TCO)的例可以有铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、锌氧化物(Zinc Oxide，ZnOx)、铟氧化物(Indium Oxide，In2O3)、铟镓氧化物(IndiumGallium Oxide，IGO)以及铝锌氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)等。锌氧化物(ZincOxide，ZnOx)可以是ZnO及/或ZnO2。其可以单独或者彼此组合使用。优选地，第一金属图案MP1可以包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或者铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。
第一光透射图案LTP1可以配置在第一金属图案MP1上。从发光元件LED1、LED2发出的光可以通过第一光透射图案LTP1。在一实施例中，第一光透射图案LTP1可以包含透明有机物质。可以用作第一光透射图案LTP1的有机物质的例可以有环氧树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂以及光刻胶等。其可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，约380nm至约780nm波段的光的第一光透射图案LTP1的折射率可以是约1至约2。更具体地，第一光透射图案LTP1的所述折射率可以是约1.3至约1.7。
在一实施例中，第一光透射图案LTP1可以与第一金属图案MP1部分重叠。例如，第一光透射图案LTP1可以具有与第一金属图案MP1重叠的中央部以及与第一金属图案MP1不重叠的两侧部。因此，第一光透射图案LTP1可以相对于第一金属图案MP1的两端部具有底切形状。即，第一金属图案MP1和第一光透射图案LTP1可以定义一对第一底切形状UC1。
第二金属图案MP2可以配置在第一光透射图案LTP1上。在一实施例中，第二金属图案MP2可以与第一金属图案MP1在平面上重叠。从发光元件LED1、LED2发出的光可以通过第二金属图案MP2。第二金属图案MP2可以包含透明导电性氧化物(Transparent ConductiveOxide，TCO)。用作第二金属图案MP2的透明导电性氧化物(TCO)的例可以有铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、锌氧化物(Zinc Oxide，ZnOx)、铟氧化物(Indium Oxide，In2O3)，铟镓氧化物(Indium Gallium Oxide，IGO)以及铝锌氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)等。锌氧化物(Zinc Oxide，ZnOx)可以是ZnO及/或ZnO2。其可以单独或者彼此组合使用。优选地，第二金属图案MP2可以包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或者铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。
在一实施例中，第一金属图案MP1和第二金属图案MP2可以包含彼此相同的物质。例如，第一金属图案MP1以及第二金属图案MP2全部可以包含铟锌氧化物(Indium ZincOxide，IZO)或者铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。然而，本实用新型不一定限制于此。例如，在另一实施例中，第一金属图案MP1和第二金属图案MP2也可以包含彼此不同的物质。关于此后面将参照图18进行详细说明。
第二光透射图案LTP2可以配置在第二金属图案MP2上。在一实施例中，第二光透射图案LTP2可以与第一光透射图案LTP1在平面上重叠。从发光元件LED1、LED2发出的光可以通过第二光透射图案LTP2。在一实施例中，第二光透射图案LTP2可以包含透明有机物质。可以用作第二光透射图案LTP2的有机物质的例可以有环氧树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂以及光刻胶等。其可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，第二光透射图案LTP2可以包含与第一光透射图案LTP1相同的物质。在一实施例中，针对约380nm至约780nm波段的光的第二光透射图案LTP2的折射率可以是1至2。更具体地，第二光透射图案LTP2的所述折射率可以是1.3至1.7。
在一实施例中，第二光透射图案LTP2可以与第二金属图案MP2部分重叠。例如，第二光透射图案LTP2可以具有与第二金属图案MP2重叠的中央部以及与第二金属图案MP2不重叠的两侧部。
因此，第二光透射图案LTP2可以相对于第二金属图案MP2的两端部具有底切形状。即，第二金属图案MP2和第二光透射图案LTP2可以定义一对第二底切形状UC2。
在一实施例中，可以是，如图5至图9所示，在显示装置DD的制造过程中，通过第一蚀刻工艺(例如，利用等离子体得干蚀刻工艺)去除第一绝缘层(例如，图8的IL1)的一部分而形成第一光透射图案LTP1，去除第二绝缘层(例如，图6的IL2)的一部分而形成第二光透射图案LTP2。另外，可以是，通过第二蚀刻工艺(例如，利用蚀刻液的湿蚀刻工艺)去除第一金属层(例如，图9的ML1)的一部分而形成第一金属图案MP1，去除第二金属层(例如，图7的ML2)的一部分而形成第二金属图案MP2。
在一实施例中，针对第一金属层ML1的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率可以低于针对第一绝缘层IL1的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率。另外，针对第二金属层ML2的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率可以低于针对第二绝缘层IL2的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率。
换句话说，针对第一金属图案MP1的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率可以低于针对第一光透射图案LTP1的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率，针对第二金属图案MP2的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率可以低于针对第二光透射图案LTP2的所述第一蚀刻工艺的蚀刻率。
即，可以是，通过所述第一蚀刻工艺，相比第一金属层ML1，相对地蚀刻更多第一绝缘层IL1，相比第二金属层ML2，相对地蚀刻更多第二绝缘层IL2。例如，通过所述第一蚀刻工艺，可以仅蚀刻第一绝缘层IL1，不蚀刻第一金属层ML1。另外，通过所述第一蚀刻工艺，可以仅蚀刻第二绝缘层IL2，不蚀刻第二金属层ML2。
在一实施例中，针对第一金属层ML1的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率可以高于针对第一绝缘层IL1的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。另外，针对第二金属层ML2的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率可以高于针对第二绝缘层IL2的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。
换句话说，针对第一金属图案MP1的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率可以高于针对第一光透射图案LTP1的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率，针对第二金属图案MP2的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率可以高于针对第二光透射图案LTP2的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。
即，可以是，通过所述第二蚀刻工艺，相比第一绝缘层IL1，相对地蚀刻更多第一金属层ML1，相比第二绝缘层IL2，相对地蚀刻更多第二金属层ML2。例如，通过所述第二蚀刻工艺，可以仅蚀刻第一金属层ML1，不蚀刻第一绝缘层IL1。另外，通过所述第二蚀刻工艺，可以仅蚀刻第二金属层ML2，不蚀刻第二绝缘层IL2。
因此，针对第一金属层ML1、第一绝缘层IL1、第二金属层ML2以及第二绝缘层IL2可以依次层叠的层叠体反复执行所述第一蚀刻工艺以及所述第二蚀刻工艺，从而形成定义一对第一底切形状UC1的第一金属图案MP1以及第一光透射图案LTP1，以及定义一对第二底切形状UC2的第二金属图案MP2以及第二光透射图案LTP2。针对此，后面将参照图5至图9进行详细说明。
第一遮光图案LP1可以配置在与第一金属图案MP1相同的层。例如，第一遮光图案LP1可以配置在封装层TFE上。在一实施例中，第一遮光图案LP1可以与第一光透射图案LTP1重叠。例如，第一遮光图案LP1可以与第一光透射图案LTP1中与第一金属图案MP1不重叠的部分重叠。换句话说，第一遮光图案LP1可以配置在通过第一金属图案MP1以及第一光透射图案LTP1定义的第一底切形状UC1内部。即，光控制图案LCP的每一个可以包括一对第一遮光图案LP1。一对第一遮光图案LP1的每一个可以沿着第一方向DR1延伸，在第二方向DR2上彼此隔开。
在一实施例中，第一遮光图案LP1可以包含钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、黑色颜料、黑色染料、钼-钽氧化物中至少一个。可以是，从发光元件LED1、LED2发出的光中入射到第一遮光图案LP1的光从第一遮光图案LP1反射，或者透射第一遮光图案LP1，或者被第一遮光图案LP1吸收。在一实施例中，入射到第一遮光图案LP1的光的大部分可以被第一遮光图案LP1吸收。因此，第一遮光图案LP1可以控制显示装置DD的视角。
在一实施例中，第一遮光图案LP1的在第二方向DR2上的宽度W1可以是约1um至约2um，更具体地是约1.5um至约2um。当在第一遮光图案LP1的宽度W1满足所述范围时，通过第一遮光图案LP1的视角控制效果可以更提升。
第二遮光图案LP2可以配置在与第二金属图案MP2相同的层。例如，第二遮光图案LP2可以配置在第一光透射图案LTP1上。在一实施例中，第二遮光图案LP2可以与第二光透射图案LTP2重叠。例如，第二遮光图案LP2可以与第二光透射图案LTP2中与第二金属图案MP2不重叠的部分重叠。换句话说，第二遮光图案LP2可以配置在通过第二金属图案MP2以及第二光透射图案LTP2定义的第二底切形状UC2内部。即，光控制图案LCP的每一个可以包括一对第二遮光图案LP2。一对第二遮光图案LP2的每一个可以沿着第一方向DR1延伸在第二方向DR2上彼此隔开。在一实施例中，第二遮光图案LP2可以与第一遮光图案LP1在平面上重叠。
在一实施例中，第二遮光图案LP2可以包含钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、黑色颜料、黑色染料、钼-钽氧化物中至少一个。可以是，从发光元件LED1、LED2发出的光中入射到第二遮光图案LP2的光从第二遮光图案LP2反射，或者透射第二遮光图案LP2，或者被第二遮光图案LP2吸收。在一实施例中，入射到第二遮光图案LP2的光的大部分可以被第二遮光图案LP2吸收。因此，第二遮光图案LP2可以控制显示装置DD的视角。
在一实施例中，第二遮光图案LP2的在第二方向DR2上的宽度W2可以是约1um至约2um，更具体地是约1.5um至约2um。当在第二遮光图案LP2的宽度W2满足所述范围时，通过第二遮光图案LP2的视角控制效果可以更提升。
在一实施例中，可以是，彼此相邻的光控制图案LCP之间的间隔S时约5um至约10um，更具体地是约6um至约8um。在一实施例中，光控制图案LCP的每一个的高度H可以是约10um至约30um，更具体地是约15um至约30um。当光控制图案LCP满足所述范围时，通过光控制图案LCP的视角控制效果可以更提升。
可以是，填充图案FP配置在封装层TFE上，配置在每个彼此相邻的光控制图案LCP之间。在一实施例中，填充图案FP的上面的高度可以与光控制图案LCP的上面的高度实质上相同。因此，光控制膜LCF可以具有实质上平坦的上面。
从发光元件LED1、LED2发出的光可以通过填充图案FP。在一实施例中，填充图案FP可以包含透明有机物质。可以用作填充图案FP的有机物质的例可以有环氧树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂以及光刻胶等。其可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，填充图案FP可以包含与第一光透射图案LTP1及/或第二光透射图案LTP2相同的物质。
另一方面，在图3以及图4中，光控制图案LCP的每一个包括两个金属图案MP1、MP2以及两个光透射图案LTP1、LTP2，因此，示出为光控制膜LCF的所述遮光图案具有两级构造的情况，本实用新型不一定限制于此。在另一实施例中，光控制图案LCP的每一个也可以包括三个以上的金属图案以及三个以上的光透射图案。在此情况下，光控制膜LCF的所述遮光图案也可以具有三级以上的多级构造。
根据实施例，可以是，光控制膜LCF包括在第一方向DR1上延伸并配置在沿着第二方向DR2彼此隔开的第一遮光图案LP1以及配置在第一遮光图案LP1上并在第一方向DR1上延伸并且沿着第二方向DR2彼此隔开的第二遮光图案LP2。即，光控制膜LCF的遮光图案可以具有多级构造。因此，即使不增加所述遮光图案的每一个的高度，也可以容易地形成适合于视角控制的光控制膜LCF。因此，可以提升制造光控制膜LCF的工艺的效率。
图5至图14是示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的制造方法的截面图。具体地，图5至图14是示出包括在图3的显示装置DD的光控制膜LCF的制造方法的一例的截面图。
参照图3，在基板SUB上可以依次形成缓冲层BFR、第一以及第二有源图案ACT1、ACT2、栅极绝缘层GI、第一以及第二栅极电极GAT1、GAT2、层间绝缘层ILD、第一以及第二源极电极CE1、CE3、第一以及第二漏极电极CE2、CE4、导通绝缘层VIA、第一以及第二像素电极PE1、PE2、像素定义膜PDL、第一以及第二发光层EL1、EL2、公共电极CE以及封装层TFE。
即，可以是，在基板SUB上形成第一以及第二发光元件LED1、LED2，并形成覆盖第一以及第二发光元件LED1、LED2的封装层TFE。
之后，在封装层TFE上可以形成光控制膜LCF。在一实施例中，通过进行后述的图5至图14的工艺，光控制膜LCF可以形成在单独的载流子膜上。在此情况下，光控制膜LCF可以通过单独的粘接剂等来与封装层TFE结合。然而，本实用新型不一定限制于此，在另一实施例中，也可以通过直接进行后述的图5至图14的工艺，光控制膜LCF形成在封装层TFE上。
以下，参照图5至图14，针对形成光控制膜LCF的过程进行详细说明。
参照图5，可以形成第一金属层ML1、第一绝缘层IL1、第二金属层ML2以及第二绝缘层IL2依次层叠的初步光控制层PLCL。例如，在光控制膜LCF形成在所述载流子膜上之后，结合在封装层TFE上的实施例的情况下，初步光控制层PLCL可以形成在所述载流子膜上。选择性地，在光控制膜LCF直接形成在封装层TFE上的实施例的情况下，初步光控制层PLCL可以形成在封装层TFE上。
在一实施例中，第一金属层ML1针对所述第一蚀刻工艺(例如，利用等离子体等干蚀刻工艺)，可以使用具有低于第一绝缘层IL1的蚀刻率的蚀刻率的物质而形成。另外，第二金属层ML2针对所述第一蚀刻工艺，可以使用具有低于第二绝缘层IL2的蚀刻率的蚀刻率的物质而形成。
即，在图6所示的所述第一蚀刻工艺中，相比第二金属层ML2，可以相对地蚀刻更多第二绝缘层IL2。例如，在图6所示的所述第一蚀刻工艺中，在蚀刻第二绝缘层IL2期间，可以不蚀刻第二金属层ML2。另外，在图8所示的所述第一蚀刻工艺中，相比第一金属层ML1，可以相对地蚀刻更多第一绝缘层IL1。例如，在图8所示的所述第一蚀刻工艺中，在蚀刻第一绝缘层IL1期间，可以不蚀刻第一金属层ML1。
相反，第一金属层ML1针对所述第二蚀刻工艺(例如，利用蚀刻液的湿蚀刻工艺)，可以使用具有高于第一绝缘层IL1的蚀刻率的蚀刻率的物质而形成。另外，第二金属层ML2针对所述第二蚀刻工艺，可以使用具有高于第二绝缘层IL2的蚀刻率的蚀刻率的物质而形成。
即，在图7所示的所述第二蚀刻工艺中，相比由第二绝缘层IL2形成的第二光透射图案LTP2，可以相对地蚀刻更多第二金属层ML2。例如，在图7所示的所述第二蚀刻工艺中，在蚀刻第二金属层ML2的期间，可以不蚀刻第二光透射图案LTP2。另外，在图9所示的所述第二蚀刻工艺中，相比由第一绝缘层IL1形成的第一光透射图案LTP1，可以相对地蚀刻更多第一金属层ML1。例如，在图9所示的所述第二蚀刻工艺中，在蚀刻第一金属层ML1期间，可以不蚀刻第一光透射图案LTP1。
在一实施例中，第一金属层ML1以及第二金属层ML2的每一个可以由铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、锌氧化物(Zinc Oxide，ZnOx)、铟氧化物(Indium Oxide，In2O3)，铟镓氧化物(Indium Gallium Oxide，IGO)以及铝锌氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)等透明导电性氧化物形成。锌氧化物(Zinc Oxide，ZnOx)可以是ZnO及/或ZnO2。
在一实施例中，第一绝缘层IL1以及第二绝缘层IL2的每一个可以由酚醛树脂(phenolic resin)、聚丙烯酸酯树脂(polyacrylates resin)、聚酰亚胺树脂(polyimidesrein)、聚酰氨树脂(polyamides resin)、硅氧烷树脂(siloxane resin)、环氧树脂(epoxyresin)等形成。
参照图6，在初步光控制层PLCL上可以形成掩模图案MSP。即，在第二绝缘层IL2上可以形成掩模图案MSP。掩模图案MSP可以使初步光控制层PLCC的一部分暴露。即，掩模图案MSP可以使第二绝缘层IL2的一部分暴露。
在一实施例中，掩模图案MSP针对所述第二蚀刻工艺(例如，利用蚀刻液的湿蚀刻工艺)，可以使用具有低于第一金属层ML1以及第二金属层ML2的每一个的蚀刻率的蚀刻率的物质而形成。例如，在图7所示的所述第二蚀刻工艺中，在蚀刻第二金属层ML2期间，可以不蚀刻掩模图案MSP。另外，在图9所示的所述第二蚀刻工艺中，在蚀刻第一金属层ML1期间，可以不蚀刻掩模图案MSP。
在一实施例中，掩模图案MSP可以包含金属物质或者无机绝缘物质等。可以用作掩模图案MSP的所述金属物质的可以例有铝(Al)、钼(Mo)、含有铝的合金、含有钼的合金等。其可以单独或者彼此组合使用。
再参照图7，通过所述第一蚀刻工艺，可以去除通过掩模图案MSP暴露的第二绝缘层IL2的一部分而形成第二光透射图案LTP2。即，可以去除在第二绝缘层IL2中与掩模图案MSP不重叠的部分，并且与掩模图案MSP重叠的部分残存而形成第二光透射图案LTP。如上所述，在一实施例中，在蚀刻第二绝缘层IL2期间，可以不蚀刻第二金属层ML2。
再参照图8，通过所述第二蚀刻工艺，可以去除第二金属层ML2的从第二光透射图案LTP2暴露的一部分而形成第二金属图案MP2。即，可以去除第二金属层ML2中与第二光透射图案LTP2不重叠的部分。此时，也可以一起去除第二金属层ML2中与第二光透射图案LTP2的一部分重叠的一部分。因此，第二光透射图案LTP2相对于第二金属图案MP2的两端部可以具有底切形状。即，第二金属图案MP2和第二光透射图案LTP2可以定义一对第二底切形状UC2。此时，如上所述，在一实施例中，在蚀刻第二金属层ML2期间，可以不蚀刻第二光透射图案LTP2。另外，在一实施例中，在蚀刻第二金属层ML2期间，可以也不蚀刻第一绝缘层IL1。
再参照图9，可以将掩模图案MSP作为掩模，通过所述第一蚀刻工艺去除第一绝缘层IL1的一部分而形成第一光透射图案LTP1。即，可以去除在第一绝缘层IL1中与掩模图案MSP不重叠的部分，并且与掩模图案MSP重叠的部分残存而形成第一光透射图案LTP1。如上所述，在一实施例中，在蚀刻第一绝缘层IL1期间，可以不蚀刻第一金属层ML1。另外，在一实施例中，在蚀刻第一绝缘层IL1期间，可以也不蚀刻第二金属图案MP2。
再参照图10，通过所述第二蚀刻工艺，可以去除第一金属层ML1的从第一光透射图案LTP1暴露的一部分而形成第一金属图案MP1。即，可以去除第一金属层ML1中与第一光透射图案LTP1不重叠的部分。此时，也可以一起去除第一金属层ML1中与第一光透射图案LTP1的一部分重叠的一部分。因此，第一光透射图案LTP1相对于第一金属图案MP1的两端部可以具有底切形状。即，第一金属图案MP1和第一光透射图案LTP1可以定义一对第一底切形状UC1。此时，如上所述，在一实施例中，在蚀刻第一金属层ML1期间，可以不蚀刻第一光透射图案LTP1。
参照图11，可以形成覆盖第一金属图案MP1、第一光透射图案LTP1、第二金属图案MP2以及第二光透射图案LTP2的初步遮光层PLBL。此时，在初步遮光层PLBL中的一部分可以位于第一金属图案MP1和第一光透射图案LTP1所定义的第一底切形状UC1内部以及第二金属图案MP2和第二光透射图案LTP2所定义的第二底切形状UC2内部。在一实施例中，初步遮光层PLBL可以由包含钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、黑色颜料、黑色染料、钼-钽氧化物中至少一个的物质形成。
参照图12，可以通过全面抛光(Ashing)工艺而去除初步遮光层PLBL的一部分而形成第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2。例如，可以是，在初步遮光层PLBL中通过第一光透射图案LTP1覆盖的部分残存而形成第一遮光图案LP1，通过第二光透射图案LTP2覆盖的部分残存而形成第二遮光图案LP2，并且去除其它部分。即，第一遮光图案LP1可以配置在与第一金属图案MP1相同的层。另外，第一遮光图案LP1可以在平面上与第一光透射图案LTP1重叠。第二遮光图案LP2可以配置在与第二金属图案MP2相同的层。另外，第二遮光图案LP2可以在平面上与第二光透射图案LTP2重叠。
换句话说，第一遮光图案LP1可以配置在第一金属图案MP1和第一光透射图案LTP1所定义的第一底切形状UC1内部，第二遮光图案LP2可以配置在第二金属图案MP2和第二光透射图案LTP2所定义的第二底切形状UC2内部。
因此，可以形成包括第一金属图案MP1、第一光透射图案LTP1、第二金属图案MP2、第二光透射图案LTP2、第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2的光控制图案LCP。根据实施例，光控制图案LCP可以形成多个，多个光控制图案LCP可以具有相同的构造。
参照图13，形成光控制图案LCP之后，相邻的光控制图案LCP之间可以形成填充图案FP。即，填充图案FP可以形成在每个相邻的光控制图案LCP之间。在一实施例中，填充图案FP可以由酚醛树脂(phenolic resin)、聚丙烯酸酯树脂(polyacrylates resin)、聚酰亚胺树脂(polyimides resin)、聚酰氨树脂(polyamides resin)、硅氧烷树脂(siloxaneresin)、环氧树脂(epoxy resin)等形成。在一实施例中，填充图案FP可以形成为上面的高度与光控制图案LCP的上面的高度实质上相同。
参照图14，掩可以去除模图案MSP。选择性地，也可以不去除掩模图案MSP。在此情况下，掩模图案MSP可以使用透明导电性物质(TCO)而形成。
另一方面，在图5至图14中，针对包括两个金属层以及两个绝缘层的初步光控制层进行两次所述第一蚀刻工艺，进行两次所述第二蚀刻工艺而形成光控制图案LCP，因此，光控制膜LCF的所述遮光图案示出为形成为具有两级构造的情况，本实用新型不一定限制于此。在另一实施例中，针对包括三个以上的金属层以及三个以上的绝缘层的初步光控制层，进行三次以上所述第一蚀刻工艺，进行三次以上所述第二蚀刻工艺而形成光控制图案LCP，因此，光控制膜LCF的所述遮光图案也可以形成为具有三级以上的多级构造。
图15至图20是示出根据本实用新型的实施例的显示装置的图。
例如，图15至图19的每一个可以与图3的截面图相对应，图20可以与图2的平面图相对应。以下，以与参照图1至图4进行说明的显示装置DD的区别点为中心进行说明，重复的说明进行省略或者简化。
参照图15，在一实施例中，填充图案FP可以省略。在此情况下，光控制膜LCF可以是多个光控制图案LCP的集合。当省略填充图案FP时，入射到光控制膜LCF之间的光的透射率可以更加提升。
参照图16，在一实施例中，光控制图案LCP的每一个还可以包括遮光隔墙LB。例如，光控制图案LCP的每一个还可以包括一对遮光隔墙LB。遮光隔墙LB可以覆盖第一遮光图案LP1、第一光透射图案LTP1、第二遮光图案LP2以及第二光透射图案LTP2的侧面。
在一实施例中，遮光隔墙LB可以包含钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、黑色颜料、黑色染料、钼-钽氧化物中至少一个。可以是，在发光元件LED1、LED2中发出的光中入射到遮光隔墙LB的光在遮光隔墙LB中反射，或者透射遮光隔墙LB，或者被遮光隔墙LB吸收。在一实施例中，入射到遮光隔墙LB的光的大部分可以被遮光隔墙LB吸收。因此，遮光隔墙LB可以控制显示装置DD的视角。
在一实施例中，遮光隔墙LB可以通过与第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2相同的工艺形成。换句话说，遮光隔墙LB可以包含与第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2相同的物质。在一实施例中，遮光隔墙LB可以与第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2形成为一体。在另一实施例中，遮光隔墙LB也可以通过与第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2不同的另外的工艺形成。
根据实施例，随着光控制图案LCP还包括遮光隔墙LB，显示装置DD的视角可以更效果地控制。
参照图17，在一实施例中，光控制图案LCP的每一个可以具有贯通光控制图案LCP的至少一个贯通孔TH。在一实施例中，贯通孔TH可以与第一金属图案MP1和第一光透射图案LTP1所定义的第一底切形状UC1以及第二金属图案MP2和第二光透射图案LTP2所定义得第二底切形状UC2在空间上连接。
在一实施例中，贯通孔TH可以由第一遮光图案LP1及/或第二遮光图案LP2相同的物质填充。例如，贯通孔TH可以由包含钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、黑色颜料、黑色染料、钼-钽氧化物中至少一个得物质。
根据实施例，随着在光控制图案LCP定义贯通孔TH，在形成第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2的过程中，可以最小化气泡的产生。因此，在形成第一遮光图案LP1以及第二遮光图案LP2之后，可以最小化空的空间的产生。因此，可以更有效地控制显示装置DD的视角。
参照图18，在一实施例中，第一金属图案MP1和第二金属图案MP2可以包含彼此不同的物质。
在一实施例中，针对第二金属图案MP2的所述第二蚀刻工艺(例如，通过蚀刻液的湿蚀刻工艺)的蚀刻率可以低于针对第一金属图案MP1的所述第二蚀刻工艺的蚀刻率。
即，通过所述第二蚀刻工艺，相比第二金属层(例如，图5的ML2)，相对地蚀刻更多第一金属层(例如，图5的ML1)。例如，通过所述第二蚀刻工艺，可以仅蚀刻第一金属层ML1，不蚀刻第二金属层ML2。
在一实施例中，可以是，第一金属图案MP1包含铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)，第二金属图案MP2包含铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。
根据实施例，第一金属图案MP1和第二金属图案MP2包含具有彼此不同的蚀刻率的物质，当反复蚀刻工艺时，也可以最小化或防止位于上部的金属图案的磨损。因此，第一金属图案MP1的两端部和第二金属图案MP2的两端部的每一个实质上可以排列在相同的线上。
参照图19，在一实施例中，显示装置DD还可以包括感测层SL。感测层SL可以配置在封装层TFE上。在此情况下，光控制膜LCF可以配置在感测层SL上。
在一实施例中，感测层SL可以包括第一触摸电极TE1、配置在第一触摸电极TE1上的第一触摸绝缘层TIL1、配置在第一触摸绝缘层TIL1上的第二触摸电极TE2以及配置在第二触摸电极TE2上的第二触摸绝缘层TIL2。第二触摸绝缘层TIL2可以具有实质上平坦的上面。第二触摸电极TE2可以通过贯通第一触摸绝缘层TIL1的接触孔与第一触摸电极TE1接通。感测层SL可以用作所述显示装置的输入构件。
参照图20，在一实施例中，遮光图案LP的每一个可以与非发光区域NLA重叠。然而，遮光图案LP的每一个可以与第一发光区域LA1，第二发光区域LA2以及第三发光区域LA3不重叠。当遮光图案LP的每一个与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2以及第三发光区域LA3不重叠时，显示装置DD的透射率可以更加提升。
本实用新型可以适用于显示装置以及包括其的电子设备。例如，本实用新型可以适用于高分辨率智能电话、便携电话、智能平板、智能手表、平板PC、车用导航系统、电视、计算机显示器、笔记本等。
以上，虽然参照本实用新型的示例性实施例进行了说明，但在所属技术领域中具有通常知识的人应能理解，在不脱离所附的权利要求书中记载的本实用新型的构思和领域的范围内可以以多种方式修改及变更本实用新型。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
发光元件，配置在所述基板上；
封装层，覆盖所述发光元件；以及
光控制膜，配置在所述封装层上，并且包括多个光控制图案，
所述光控制图案的每一个包括：
第一金属图案，配置在所述封装层上；
第一光透射图案，配置在所述第一金属图案上；
第二金属图案，配置在所述第一光透射图案上，并且与所述第一金属图案在平面上重叠；
第二光透射图案，配置在所述第二金属图案上，并且与所述第一光透射图案重叠；
第一遮光图案，配置在与所述第一金属图案相同的层，并且与所述第一光透射图案重叠；以及
第二遮光图案，配置在与所述第二金属图案相同的层，并且与所述第二光透射图案重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一遮光图案配置在通过所述第一金属图案以及所述第一光透射图案定义的第一底切形状内部，
所述第二遮光图案配置在通过所述第二金属图案以及所述第二光透射图案定义的第二底切形状内部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
针对380nm至780nm波段的光的所述第一光透射图案以及所述第二光透射图案的每一个的折射率为1至2，
彼此相邻的所述光控制图案之间的间隔为5um至10um，
所述光控制图案的每一个的高度为10um至30um，
所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案的每一个的宽度为1um至2um。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
针对相同的蚀刻工艺的所述第二金属图案的蚀刻率低于所述第一金属图案的蚀刻率。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属图案以及所述第二金属图案包含透明导电性氧化物。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一光透射图案以及所述第二光透射图案包含透明的有机物质。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案在平面上重叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述光控制膜还包括：
至少一个填充图案，配置在每个相邻的所述光控制图案之间，并且包含透明的有机物质。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述光控制图案的每一个还包括：
遮光隔墙，覆盖所述第一光透射图案、所述第二光透射图案、所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案的侧面，
所述遮光隔墙与所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案形成为一体。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述光控制图案中的至少一个具有贯通所述光控制图案的贯通孔，
所述贯通孔由与所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案相同的物质填充。
CN202321648984.5U 2022-10-25 2023-06-27 显示装置 Active CN220402275U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0138042 2022-10-24
KR1020220138042A KR20240062151A (ko) 2022-10-25 2022-10-25 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220402275U true CN220402275U (zh) 2024-01-26

Family

ID=89597364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321648984.5U Active CN220402275U (zh) 2022-10-25 2023-06-27 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240136480A1 (zh)
KR (1) KR20240062151A (zh)
CN (1) CN220402275U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240136480A1 (en) 2024-04-25
KR20240062151A (ko) 2024-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI651877B (zh) 顯示裝置
JP6733203B2 (ja) 電気光学装置、電子機器
TWI632676B (zh) 有機電激發光裝置及電子機器
JP6135062B2 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
US9601554B2 (en) Transparent display device and method of manufacturing the same
CN110070798B (zh) 显示设备
CN102854665A (zh) 显示装置和电子设备
KR20160061540A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200064207A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2014041776A (ja) 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
KR20210106606A (ko) 표시 장치
CN113130548A (zh) 显示装置及其制造方法
JP2016143605A (ja) 発光装置の製造方法、発光装置、及び電子機器
US20090135357A1 (en) Display apparatus
CN220402275U (zh) 显示装置
KR20210148534A (ko) 표시 장치
CN220290833U (zh) 显示装置
US20240065079A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20240215416A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN220755382U (zh) 显示装置
US20220208859A1 (en) Color conversion substrate, display device and method of manufacturing color conversion substrate
JP6835115B2 (ja) 光学基板、電子機器、および光学基板の製造方法
JP7342648B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
KR20240042321A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2007115654A (ja) 発光装置、その製造方法、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant