CN110070798B - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110070798B CN110070798B CN201910062784.3A CN201910062784A CN110070798B CN 110070798 B CN110070798 B CN 110070798B CN 201910062784 A CN201910062784 A CN 201910062784A CN 110070798 B CN110070798 B CN 110070798B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage wiring
- supply voltage
- layer
- power supply
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 187
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 112
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 314
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 20
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 20
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 19
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 16
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 14
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- SOGFHWHHBILCSX-UHFFFAOYSA-J prop-2-enoate silicon(4+) Chemical compound [Si+4].[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C SOGFHWHHBILCSX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(2+) Chemical compound [O-2].[Ta+2] JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示设备，该显示设备包括：具有包括多个像素区域的显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板；在下基板上的多个像素区域中的多个像素结构；在多个像素结构上的上基板；在外围区域中在下基板和上基板之间的密封件；和在外围区域中在密封件与下基板之间的电源电压布线，其中电源电压布线与密封件部分地重叠，并且电源电压布线包括在电源电压布线的一部分中的多个第一开口，该一部分在从外围区域延伸到显示区域的第一方向上从密封件向内突出。
Description
技术领域
实施例涉及显示设备。
背景技术
因为与阴极射线管(CRT)显示设备相比，平板显示(FPD)设备重量轻且薄，所以FPD设备被广泛用作电子设备的显示设备。FPD设备的示例包括液晶显示(LCD)设备和有机发光显示(OLED)设备。
可以使用密封件来组合上基板和下基板。在组合上基板和下基板的过程中，可以在密封件中照射激光的光。当照射激光的光时，密封件材料的状态可以被改变，使得上基板和下基板可以被组合。电源电压布线可以设置在密封件下方。
发明内容
可以通过提供显示设备来实现实施例，该显示设备包括：具有包括多个像素区域的显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板；在下基板上的多个像素区域中的多个像素结构；在多个像素结构上的上基板；在外围区域中在下基板和上基板之间的密封件；以及在外围区域中在密封件与下基板之间的电源电压布线，其中电源电压布线部分地与密封件重叠，并且电源电压布线包括在该电源电压布线的一部分中的多个第一开口，该一部分在从外围区域延伸到显示区域的第一方向上从密封件向内突出。
第一开口可以在与第一方向垂直的第二方向上沿着显示区域和外围区域之间的边界排列。
电源电压布线可以进一步包括：在电源电压布线的与密封件重叠的一部分中的多个第二开口。
第二开口可以与第一开口间隔开预定距离，第一开口和第二开口可以在与第一方向垂直的第二方向上排列，并且第一开口和第二开口可以彼此平行地对齐。
显示设备可以进一步包括在下基板和像素结构之间的多个半导体元件，其中多个半导体元件中的每一个包括：在下基板上的有源层；在有源层上的栅电极；和在栅电极上的源电极和漏电极。
电源电压布线以及源电极和漏电极可以位于同一层。
显示设备可以进一步包括：在下基板上的栅绝缘层，栅绝缘层覆盖有源层；在栅绝缘层上的绝缘夹层，绝缘夹层覆盖栅电极；在绝缘夹层上的平坦化层，平坦化层覆盖源电极和漏电极；和在平坦化层上的像素限定层。
密封件可以通过第二开口与平坦化层的上表面接触。
电源电压布线的从密封件向内突出的至少一部分可以与平坦化层重叠并直接接触。
电源电压布线可以进一步包括与第二开口间隔开预定距离的多个第三开口，第三开口在与第一方向垂直的第二方向上排列，并且第二开口和第三开口可以彼此平行地对齐。
显示设备可以进一步包括在外围区域中的上基板上的、沿着显示区域和外围区域之间的边界的触摸布线结构，触摸布线结构包括多个布线。
触摸布线结构可以与电源电压布线的从密封件向内突出的一部分重叠。
多个像素结构可以包括：多个下电极；在下电极上的多个发光层；和在发光层上的上电极。
上电极可以从显示区域延伸到外围区域中，并且位于外围区域中的上电极可以电连接到电源电压布线。
显示设备可以进一步包括在上电极和电源电压布线之间的第一连接图案，其中上电极和电源电压布线通过第一连接图案电连接。
第一连接图案的第一端可以与上电极直接接触，第一连接图案的第二端可以与电源电压布线直接接触，并且第一连接图案和多个下电极可以位于同一层。
可以通过提供显示设备来实现实施例，该显示设备包括：具有包括多个像素区域的显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板；在下基板上的多个像素区域中的多个像素结构；在多个像素结构上的上基板；在外围区域中在下基板和上基板之间的密封件；和在外围区域中在密封件和下基板之间的电源电压布线，电源电压布线包括与密封件重叠的第一布线图案；在从外围区域向内延伸到显示区域的第一方向上与第一布线图案间隔开的第二布线图案；和在第一布线图案和第二布线图案下方的第二连接图案，第二连接图案与第一布线图案和第二布线图案电连接。
显示设备可以进一步包括在下基板和像素结构之间的多个半导体元件，其中多个半导体元件中的每一个包括：在下基板上的有源层；在有源层上的栅电极；和在栅电极上的源电极和漏电极。
第二连接图案和栅电极可以位于同一层。
可以通过提供显示设备来实现实施例，该显示设备包括：具有包括多个像素区域的显示区域和围绕显示区域的外围区域的下基板；在下基板上的多个像素区域中的多个像素结构；在多个像素结构上的上基板；在外围区域中在下基板和上基板之间的密封件；在外围区域中在密封件与下基板之间的电源电压布线，电源电压布线部分地与密封件重叠，电源电压布线包括在电源电压布线的与密封件重叠的一部分中的多个第一开口，并且电源电压布线具有在从外围区域延伸到显示区域的第一方向上从密封件向内突出的部分；沿着上基板上的外围区域中的显示区域和外围区域之间的边界的触摸布线结构，触摸布线结构与电源电压布线的从密封件向内突出的一部分重叠；和在上基板的下表面上的外围区域中的触摸布线结构周围的阻挡件，阻挡件与从密封件突出的电源电压布线的剩余部分重叠。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的显示设备的平面图；
图2示出了图1的显示设备中的电源电压布线的平面图；
图3A示出了沿图1中的线I-I'截取的截面图；
图3B示出了沿图1中的线II-II'截取的截面图；
图4示出了图3A的显示设备中的电源电压布线的平面图；
图5至图10示出了根据示例实施例的制造显示设备的方法中的阶段的截面图；
图11示出了图3A的显示设备的示例的截面图；
图12示出了根据示例实施例的显示设备的截面图；
图13示出了图12的显示设备中的电源电压布线的平面图；
图14示出了根据示例实施例的显示设备的截面图；
图15示出了图14的显示设备中的电源电压布线的平面图；
图16示出了根据示例实施例的显示设备的截面图；
图17示出了根据示例实施例的显示设备的截面图；
图18示出了图17的显示设备的示例的截面图；
图19示出了图18的显示设备中的电源电压布线的平面图；
图20示出了根据示例实施例的显示设备的截面图；
图21示出了根据示例实施例的显示设备的截面图；
图22示出了图21的显示设备中的电源电压布线的平面图；和
图23示出了图21的显示设备的示例的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例性实施方式。
在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。还应理解，当层或元件被称为在另一层或基板“上”时，该层或元件可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当一层被称为在另一层“下面”时，该层可以直接在下面，也可以存在一个或多个中间层。另外，还应理解，当层被称为在两个层“之间”时，该层可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记自始至终指代相同的元件。
图1示出了根据示例实施例的显示设备的平面图，并且图2示出了图1的显示设备中的电源电压布线的平面图。
参考图1和图2，显示设备100可以包括显示区域10和外围区域20。显示区域10可以具有多个像素区域30。
多个像素结构(例如，图3A中的像素结构200)可以设置在显示区域10的像素区域30中。可以通过像素结构在显示区域10中显示图像(例如，显示图像)。布线(例如，扫描布线、数据布线、电源电压布线等)可以布置在外围区域20中。这里，布线可以电连接到像素结构。在实施方式中，如图1所示，可以在外围区域20的一部分中设置多个焊盘电极430。焊盘电极430可以电连接到外部设备。例如，外部设备可以通过柔性印刷电路板电连接到显示设备100，并且可以向显示设备100提供数据信号、扫描信号和电源电压等。
在实施方式中，可以在外围区域20中设置电源电压布线350。例如，电源电压布线350可以围绕显示区域10，并且可以具有大体上跑道的平面形状(例如，可以围绕显示区域10的周边)。另外，电源电压布线350可以具有第一开口351和第二开口352。第一开口351可以被设置成与显示区域10和外围区域20之间的边界相邻或接近，并且可以沿边界排列。例如，如图2所示，位于顶部部分和底部部分的第一开口351可以(例如，重复地)在与显示设备100的上表面平行的第一方向D1上排列，并且位于左侧部分和右侧部分的第一开口351可以(例如，重复地)在与第一方向D1垂直的第二方向D2上排列。第二开口352可以与第一开口351间隔开，并且可以排列成使得第二开口352围绕第一开口351(例如，在显示区域10和外围区域20之间的边界的远侧，使得第一开口351在第二开口352和边界之间)。在实施方式中，显示设备100可以具有第一开口351，并且在显示设备100中包括的平坦化层中可以不发生放气现象。
在实施方式中，图1中示出的显示区域10和外围区域20中的每一个的形状可以具有四边形的平面形状。在实施方式中，显示区域10和外围区域20中的每一个的形状可以具有大致多边形(例如，大致三角形、大致菱形)、大致圆形、大致跑道形或大致椭圆形的平面形状。
图3A示出了沿图1中的线I-I'截取的截面图，并且图3B示出了沿图1中的线II-II'截取的截面图。图4示出了图3A的显示设备的电源电压布线的平面图。
参考图3A、图3B和图4，显示设备100可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、连接电极450、电源电压布线350、焊盘电极430、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410等。在实施方式中，像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340，并且半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。
如上所述，显示设备100可以具有例如i)包括像素区域30的显示区域10以及ii)外围区域20。例如，可以通过显示区域10中的像素结构200显示图像，并且电源电压布线350和密封件390可以设置在外围区域20中。
可以提供包括透明或不透明材料的下基板110。下基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟化物掺杂石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等。显示设备100可以具有显示区域10、像素区域30和外围区域20，并且下基板110可以被划分为显示区域10、像素区域30和外围区域20。
在实施方式中，下基板110可以包括柔性透明材料，例如柔性透明树脂基板(例如，聚酰亚胺基板)。在这种情况下，聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。例如，聚酰亚胺基板可以具有第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在刚性玻璃基板上的构造。聚酰亚胺基板可以相对薄且柔韧，并且聚酰亚胺基板可以形成在刚性玻璃基板上以帮助支持上部结构(例如，半导体元件250和像素结构200等)的形成。在显示设备100的制造中，在聚酰亚胺基板的第二聚酰亚胺层上提供绝缘层(例如，缓冲层)之后，可以在缓冲层上形成上部结构。在缓冲层上形成上部结构之后，可以去除其上形成有聚酰亚胺基板的刚性玻璃基板。因为聚酰亚胺基板相对薄且柔韧，所以可能难以在聚酰亚胺基板上直接形成上部结构。在实施方式中，上部结构可以形成在聚酰亚胺基板和刚性玻璃基板上，然后在去除刚性玻璃基板之后聚酰亚胺基板可以用作下基板110。
缓冲层可以设置在下基板110上。缓冲层可以设置在整个下基板110上。缓冲层可以帮助防止金属原子和/或杂质从下基板110扩散到半导体元件250和像素结构200中。另外，缓冲层可以帮助控制用于形成有源层130的结晶工艺中的热传递速率，从而获得基本均匀的有源层130。此外，当下基板110的表面相对不规则时，缓冲层可以帮助提高下基板110的表面平坦度。在实施方式中，根据下基板110的类型，可以在下基板110上设置至少两个缓冲层，或者可以省略缓冲层。例如，缓冲层可以包括有机材料或无机材料。
有源层130可以设置在下基板110上的像素区域30中。例如，有源层130可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。
栅绝缘层150可以设置在有源层130上。栅绝缘层150可以覆盖下基板110上的像素区域30中的有源层130，并且可以设置在整个下基板110上。在示例实施例中，栅绝缘层150可以充分地覆盖下基板110上的有源层130，并且可以具有基本平坦的上表面而没有围绕有源层130的台阶。在实施方式中，栅绝缘层150可以覆盖下基板110上的有源层130，并且可以沿着有源层130的轮廓被设置为基本均匀的厚度。栅绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。
栅电极170可以设置在栅绝缘层150的、有源层130位于其下的一部分上。栅电极170可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，或可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。
连接电极450在外围区域20中可以设置在栅绝缘层150的、焊盘电极430和电源电压布线350位于其上的一部分上。连接电极450可以电连接焊盘电极430和电源电压布线350。连接电极450可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，或可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，连接电极450和栅电极170可以位于同一层或在同一层上(例如，可以具有共面表面)，并且可以使用相同的材料同时(或并发)形成。在实施方式中，连接电极450可以具有包括多个层的多层结构。
绝缘夹层190可以设置在栅电极170上。绝缘夹层190可以覆盖栅绝缘层150上的像素区域30中的栅电极170，并且可以设置在整个栅绝缘层150上。在实施方式中，绝缘夹层190可以充分地覆盖栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有基本上平坦的上表面而没有围绕栅电极170的台阶。在实施方式中，绝缘夹层190可以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以沿着栅电极170的轮廓被设置为基本均匀的厚度。绝缘夹层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。
源电极210和漏电极230可以设置在绝缘夹层190上的像素区域30中。源电极210可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘夹层190各自的一部分而形成的接触孔来与有源层130的第一侧(例如，源区)直接接触。漏电极230可以经由通过去除栅绝缘层150和绝缘夹层190各自的另一部分而形成的接触孔来与有源层130的第二侧(例如，漏区)直接接触。源电极210和漏电极230可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，或可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。例如，可以构成包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
在实施方式中，显示设备100可以具有包括一个晶体管(例如，半导体元件250)的构造。在实施方式中，显示设备100可以具有包括至少两个晶体管和至少一个电容器的构造。
在实施方式中，半导体元件250可以具有包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230的构造。在实施方式中，半导体元件250可以具有包括有源层130、栅绝缘层150、栅电极170、绝缘夹层190、源电极210和漏电极230的构造。
在实施方式中，半导体元件250可以具有顶栅结构。在实施方式中，半导体元件250可以具有底栅结构和/或双栅结构。
电源电压布线350可以设置在绝缘夹层190上的外围区域20中。例如，电源电压布线350可以与绝缘夹层190上的源电极210和漏电极230间隔开。在实施方式中，可以将低电源电压施加到电源电压布线350。可以将低电源电压提供给上电极340(例如，可以向下电极290提供高电源电压)。
在实施方式中，电源电压布线350可以吸收和反射照射在密封件390上以对下基板110和上基板410进行密封的激光的光的能量，并且可以帮助改变密封件390的材料的状态。例如，电源电压布线350可以用作能够提供低电源电压的布线以及能够吸收和反射激光的光的能量的金属层。
在实施方式中，电源电压布线350在外围区域20中可以设置在密封件390和下基板110之间，并且可以与密封件390部分地重叠。例如，电源电压布线350的一部分可以在第一方向D1(从外围区域20进入显示区域10的方向)上从密封件390突出，并且电源电压布线350可以如图4所示在电源电压布线350的突出的一部分中具有多个第一开口351。在实施方式中，电源电压布线350的另一部分可以与密封件390重叠(例如，位于密封件390的下面)，并且可以如图4所示具有多个第二开口352。第一开口351可以被设置成与显示区域10和外围区域20之间的边界相邻，并且可以沿边界排列(参见图2)。例如，第一开口351可以在与第一方向D1垂直的第二方向D2上排列(例如，间隔开)。第二开口352可以与第一开口351间隔开，并且可以排列成使得第二开口352(例如，在边界的远侧)围绕第一开口351。
例如，第一开口351可能未形成在一些其他电源电压布线中。例如，由照射在密封件390上以对下基板110和上基板410进行密封的激光的光引起的热量可以通过电源电压布线350传输到有机层(例如，平坦化层270和/或像素限定层310)。可以通过该热量来加热平坦化层270，并且产生具有负电荷的气态化合物的放气现象可能发生。当发生放气现象时，下电极290、发光层330和上电极340可能被损坏。
在实施方式中，电源电压布线350可以具有第一开口351，并且显示设备100可以相对地减少由激光的光引起并传输到平坦化层270的热量。因此，在平坦化层270中可能不会发生放气现象。
电源电压布线350可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。在实施方式中，电源电压布线350可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银合金、氮化钨(WNx)、铜合金、钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用，或可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，电源电压布线350可以具有包括多个层的多层结构。
如图3B中所示，焊盘电极430可以与绝缘夹层190上的外围区域20中的密封件390间隔开。例如，焊盘电极430可以与密封件390间隔开，并且可以设置在下基板110的最外面的部分。外部设备可以向焊盘电极430提供低电源电压，并且低电源电压可以通过连接电极450提供给电源电压布线350。焊盘电极430可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，或可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，焊盘电极430、电源电压布线350、源电极210和漏电极230可以位于同一层或在同一层上，并且可以使用相同的材料同时形成。在实施方式中，焊盘电极430可以具有包括多个层的多层结构。
平坦化层270可以设置在绝缘夹层190、源电极210、漏电极230和电源电压布线350的一部分上。在实施方式中，从密封件390突出的电源电压布线350的至少一部分可以与平坦化层270重叠(例如，位于平坦化层270下面)，并且可以与平坦化层270直接接触。例如，平坦化层270可以具有足以覆盖源电极210和漏电极230以及电源电压布线350的厚度。例如，平坦化层270可以具有基本上平坦的上表面，并且可以在平坦化层270上进一步进行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。可以经由通过去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔来暴露漏电极230的上表面的一部分。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在实施方式中，平坦化层270可以包括有机材料。例如，平坦化层270可以包括聚酰亚胺树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂等。
下电极290可以设置在平坦化层270上的像素区域30中。下电极290可以经由平坦化层270的接触孔而与漏电极230接触。在实施方式中，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。
第一连接图案295可以设置在电源电压布线350的一部分和在平坦化层270的一部分上的外围区域20中。在实施方式中，第一连接图案295在外围区域20中可以与平坦化层270的上表面、平坦化层270的侧壁、和电源电压布线350的从密封件390突出的一部分的上表面的一部分直接接触。例如，第一连接图案295的第一侧或端可以与上电极340直接接触，并且第一连接图案295的第二侧或端可以与电源电压布线350直接接触。第一连接图案295可以与电源电压布线350和上电极340电连接。第一连接图案295可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，下电极290和第一连接图案295可以位于同一层或在同一层上，并且可以使用相同的材料同时形成。在实施方式中，第一连接图案295可以具有包括多个层的多层结构。
像素限定层310可以设置在下电极290的一部分、第一连接图案295的一部分和平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖下电极290的两个横向部分和第一连接图案295的横向部分，并且可以暴露下电极290的上表面的一部分。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在实施方式中，像素限定层310可以包括有机材料。
发光层330可以设置在由像素限定层310暴露的下电极290上。可以使用能够根据子像素产生不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光)的发光材料中的至少一种来形成发光层330。在实施方式中，发光层330通常可以通过堆叠能够产生不同颜色的光(例如，红色的光、绿色的光和蓝色的光)的多个发光材料来产生白光。在这种情况下，滤色器可以设置在发光层330上(例如，滤色器与发光层330重叠，并且设置在上基板410的下表面或上表面上)。滤色器可以包括选自红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在实施方式中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂。
上电极340可以设置在第一连接图案295的一部分、像素限定层310和发光层330上。在实施方式中，上电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且可以从显示区域10延伸到外围区域20中。在实施方式中，位于外围区域20中的上电极340可以与第一连接图案295的上表面的一部分直接接触，并且可以电连接到第一连接图案295。上电极340可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以构成包括下电极290、发光层330和上电极340的像素结构200。
密封件390可以设置在电源电压布线350上的外围区域20中。例如，密封件390在外围区域20中可以设置在下基板110和上基板410之间。密封件390的上表面可以与上基板410的下表面直接接触，并且密封件390的下表面可以与绝缘夹层190的一部分和电源电压布线350的一部分直接接触。在实施方式中，密封件390可以通过第二开口352与绝缘夹层190的上表面接触。
密封件390可以包括玻璃料等。在实施方式中，密封件390可以另外包括光固化材料。例如，密封件390可以包括诸如有机材料和光固化材料的化合物。在实施方式中，在化合物被紫外线、激光束、可见光等照射之后，化合物可以固化，因此可以获得密封件390。包括在密封件390中的光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸酯树脂、聚丁二烯丙烯酸酯树脂、硅丙烯酸酯树脂、丙烯酸烷基酯树脂等。
例如，可以将激光照射到诸如有机材料和光固化材料的化合物。根据激光的光的照射，化合物(例如，密封件390)的状态可以从固态变为液态。另外，液态的化合物可在预定时间后固化成固态。根据化合物的状态变化，化合物可以将下基板110和上基板410密封。在照射激光的光的同时，电源电压布线350可以吸收或反射激光的光的能量。由电源电压布线350吸收和反射的能量可以传递到化合物，并且可以帮助改变化合物的材料的状态。
在实施方式中，密封件390可以具有其中上表面的宽度小于下表面的宽度的梯形形状。在实施方式中，密封件390可以具有其中上表面的宽度大于下表面的宽度的梯形形状、四边形形状、方形形状等。
上基板410可以设置在密封件390和上电极340上(例如，可以面对上电极340)。上基板410和下基板110可以包括基本相同的材料。在实施方式中，上基板410可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟化物掺杂石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等。在实施方式中，上基板410可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，上基板410可以包括柔性透明树脂基板。在这种情况下，为了增加显示设备100的柔性，上基板410可以具有堆叠结构，其中至少一个无机层和至少一个有机层交替堆叠。因此，可以构成显示设备100。
根据示例实施例的显示设备100可以包括具有第一开口351和第二开口352的电源电压布线350，并且传输到平坦化层270的热量(由激光的光引起的热量)可以被减少。因此，在平坦化层270中可能不会发生(或者可能以其他方式减少)放气现象。
另外，电源电压布线350可以用作能够提供低电源电压的布线以及能够吸收和反射激光的光的能量的金属层。因此，由于没有设置能够吸收和反射激光的光的能量的金属层，所以可以相对降低显示设备100的制造成本。
提供以下示例和比较例以突出一个或多个实施例的特征，但应理解，示例和比较例不应解释为限制实施例的范围，比较例也不应解释为在实施例的范围之外。此外，应理解，实施例不限于示例和比较例中描述的具体细节。
实验性示例：根据存在或不存在电源电压布线的开口，对有机层温度的评估
在下基板上依次形成没有第一开口的电源电压布线、设置在电源电压布线上的密封件和设置在密封件上的上基板，以获得比较例的堆叠结构。
同时，在下基板110上依次形成具有第一开口351的电源电压布线350、设置在电源电压布线350上的密封件390和设置在密封件390上的上基板410，以获得示例的堆叠结构。
比较例和示例的堆叠结构如下表1所示。
表1
将光照射在比较例和示例的密封件上，并在密封件的左侧、中间和右侧以及在有机层的左侧和右侧测量温度。例如，密封件的左侧是显示设备的最外面的部分，密封件的右侧是与有机层相邻的部分。密封件的中间位于左侧和右侧之间。另外，有机层的左侧是有机层位于外围区域20中的部分，有机层的右侧是有机层位于显示区域10中的部分。
如表1所示，当在电源电压布线350(例如，示例)中形成第一开口351时，与在包括没有第一开口的电源电压布线的比较例中测量的温度相比，可以在有机层的左侧和右侧测量到相对低的温度。因此，尽管在对下基板和上基板进行密封的过程中将激光的光照射在密封件上，但是可以相对减少能够在有机层中产生的排气现象。
图5至图10示出了根据示例实施例的制造显示设备的方法中的多个阶段的截面图。
参考图5，可以提供包括透明或不透明材料的下基板110。下基板110可以使用石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟化物掺杂石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等形成。下基板110可以被划分为显示区域10、像素区域30和外围区域20。在实施方式中，下基板110可以使用诸如柔性透明树脂基板(例如，聚酰亚胺基板)的柔性透明材料来形成。
在实施方式中，可以在下基板110上形成缓冲层。缓冲层可以形成在整个下基板110上。缓冲层可以帮助防止金属原子和/或杂质从下基板110扩散。另外，缓冲层可以帮助控制用于形成有源层的结晶过程中的热传递的速率，从而获得基本均匀的有源层。在实施方式中，当下基板110的表面相对不规则时，缓冲层可以帮助提高下基板110的表面平坦度。根据下基板110的类型，可以在下基板110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。例如，缓冲层可以使用有机材料或无机材料来形成。
可以在下基板110上的像素区域30中形成有源层130。例如，有源层130可以使用氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等来形成。
可以在有源层130上形成栅绝缘层150。栅绝缘层150可以覆盖下基板110上的像素区域30中的有源层130，并且可以形成在整个下基板110上。在实施方式中，栅绝缘层150可以充分覆盖下基板110上的有源层130，并且可以具有基本平坦的上表面而没有围绕有源层130的台阶。在实施方式中，栅绝缘层150可以覆盖下基板110上的有源层130，并且可以沿着有源层130的轮廓形成为基本均匀的厚度。栅绝缘层150可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成。例如，栅绝缘层150可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx、TiOx等。
可以在栅绝缘层150的、有源层130位于其下的部分上形成栅电极170。栅电极170可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用，或可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。
参考图6和图7，可以在栅电极170上形成绝缘夹层190。绝缘夹层190可以覆盖栅绝缘层150上的像素区域30中的栅电极170，并且可以形成在整个栅绝缘层150上。在实施方式中，绝缘夹层190可以充分覆盖栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有基本上平坦的上表面而没有围绕栅电极170的台阶。在实施方式中，绝缘夹层190可以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以沿着栅电极170的轮廓形成为基本均匀的厚度。可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成绝缘夹层190。
可以在绝缘夹层190上的像素区域30中形成源电极210和漏电极230。源电极210可以经由通过去除栅绝缘层150和绝缘夹层190中的每一个的一部分而形成的接触孔来与有源层130的第一侧(例如，源区)直接接触。漏电极230可以经由通过去除栅绝缘层150和绝缘夹层190中的每一个的另一部分而形成的接触孔来与有源层130的第二侧(例如，漏区)直接接触。源电极210和漏电极230可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以形成包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
可以在绝缘夹层190上的外围区域20中形成电源电压布线350。例如，电源电压布线350在绝缘夹层190上可以与源电极210和漏电极230间隔开。在实施方式中，电源电压布线350可以用作能够提供低电源电压的布线和能够吸收以及反射激光的光的能量的金属层。
另外，电源电压布线350的一部分可以在第一方向D1(例如，从外围区域20到显示区域10中的方向)上从密封件390(将在下面描述)突出，并且电源电压布线350可以具有在电源电压布线350的突出的一部分中的多个第一开口351。另外，电源电压布线350的另一部分可以与密封件390重叠(例如，位于密封件390的下面)，并且可以具有多个第二开口352。第一开口351可以被设置成与显示区域10和外围区域20之间的边界相邻，并且可以沿边界排列(参见图2)。例如，如图7所示，第一开口351可以在与第一方向D1垂直的第二方向D2上排列(例如，间隔开)。第二开口352可以与第一开口351间隔开，并且可以排列成使得第二开口352围绕第一开口351(例如，第二开口352可以在第一开口351的外侧与第一开口351对齐)。
电源电压布线350可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成。例如，电源电压布线350可以包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、铝合金、AlNx、银合金、WNx、铜合金、钼合金、TiNx、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。
在实施方式中，电源电压布线350、源电极210和漏电极230可以位于同一层，并且可以使用相同的材料同时形成。例如，可以在整个绝缘夹层190上形成初步的第一电极层，可以通过选择性地蚀刻初步的第一电极层来形成电源电压布线350、源电极210和漏电极230。在实施方式中，电源电压布线350可以具有包括多个层的多层结构。
参考图8，可以在绝缘夹层190、源电极210、漏电极230和电源电压布线350的一部分上形成平坦化层270。在实施方式中，从密封件390突出的电源电压布线350至少一部分可以与平坦化层270重叠，并且可以与平坦化层270直接接触。例如，平坦化层270可以具有足以覆盖源电极210和漏电极230以及电源电压布线350的厚度。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本上平坦的上表面，并且可以在平坦化层270上进一步进行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。可以经由通过去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔来暴露漏电极230的上表面的一部分。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在实施方式中，平坦化层270可以使用有机材料形成。例如，平坦化层270可以包括聚酰亚胺树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂等。
可以在平坦化层270上的像素区域30中形成下电极290。下电极290可以经由平坦化层270的接触孔与漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。
可以在电源电压布线350的一部分和平坦化层270的一部分上的外围区域20中形成第一连接图案295。在实施方式中，第一连接图案295在外围区域20中可以与平坦化层270的上表面、平坦化层270的侧壁、和电源电压布线350的从密封件390突出的部分的上表面的一部分直接接触。第一连接图案295可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，下电极290和第一连接图案295可以位于同一层，并且可以使用相同的材料同时形成。例如，可以在绝缘夹层190、电源电压布线350和平坦化层270上形成初步的第二电极层，并且可以通过选择性地蚀刻初步的第二电极层来形成第一连接图案295和下电极290。在实施方式中，第一连接图案295可以具有包括多个层的多层结构。
参考图9，可以在下电极290的一部分、第一连接图案295的一部分和平坦化层270上设置像素限定层310。像素限定层310可以覆盖下电极290的两个横向部分和第一连接图案295的横向部分，并且可以暴露下电极290的上表面的一部分。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在实施方式中，像素限定层310可以使用有机材料形成。
可以在由像素限定层310暴露的下电极290上形成发光层330。可以使用能够根据子像素产生不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光)的发光材料中的至少一种来形成发光层330。在实施方式中，发光层330通常可以通过堆叠能够产生不同颜色的光(例如，红色的光、绿色的光和蓝色的光)的多个发光材料来产生白光。在这种情况下，可以在发光层330上形成滤色器。滤色器可以包括选自红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在实施方式中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以使用光敏树脂形成。
可以在第一连接图案295的一部分、像素限定层310和发光层330上形成上电极340。在实施方式中，上电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且可以从显示区域10延伸到外围区域20中。在实施方式中，位于外围区域20中的上电极340可以与第一连接图案295的上表面的一部分直接接触，并且可以电连接到第一连接图案295。上电极340可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以形成包括下电极290、发光层330和上电极340的像素结构200。
参考图10，可以在电源电压布线350上的外围区域20中形成密封件390，并且密封件390的下表面可以与绝缘夹层190的一部分和电源电压布线350的一部分直接接触。在实施方式中，密封件390可以通过第二开口352与绝缘夹层190的上表面接触。密封件390可以使用玻璃料等形成。在实施方式中，密封件390可以另外包括光固化材料。例如，密封件390可以包括诸如有机材料和光固化材料的化合物。在实施方式中，在化合物被紫外线、激光束、可见光线等照射之后，化合物可以固化，因此可以获得密封件390。包含在密封件390中的光固化材料可以使用环氧丙烯酸酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸酯树脂、聚丁二烯丙烯酸酯树脂、硅丙烯酸酯树脂、丙烯酸烷基酯树脂等来形成。
上基板410可以在密封件390上形成并且面向上电极340。上基板410和下基板110可以包括基本上相同的材料。例如，上基板410可以使用石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟化物掺杂石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等形成。在实施方式中，上基板410可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，上基板410可以包括柔性透明树脂基板。在这种情况下，为了增加显示设备100的柔性，上基板410可以具有堆叠结构，其中至少一个无机层和至少一个有机层交替堆叠。
在形成上基板410之后，可以将激光的光照射在密封件390上。根据激光的光的照射，化合物(例如，密封件390)的状态可以从固态变为液态。另外，液态的化合物可在预定时间后固化成固态。根据化合物的状态变化，化合物可以将下基板110和上基板410密封。在照射激光的光的同时，电源电压布线350可以吸收或反射激光的光的能量。由电源电压布线350吸收和反射的能量可以传递到化合物，并且可以帮助改变化合物的材料的状态。
在实施方式中，当电源电压布线350包括第一开口351时，可以减少由激光的光引起并传输到平坦化层270的热量。因此，在平坦化层270中可能不会发生放气现象。因此，可以制造图3A中所示的显示设备100。
图11示出了图3A的显示设备的示例的截面图。图11中示出的显示设备可以具有与参考图3A、图3B和图4描述的显示设备100的构造基本相同或相似的构造。在图11中，可以不重复与参考图3A、图3B和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图11，显示设备可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线350、平坦化层270、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410等。这里，像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340，并且半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。
在实施方式中，上电极340可以与电源电压布线350直接接触。例如，上电极340可以从显示区域10延伸到外围区域20，并且可以在外围区域20中与平坦化层270的上表面、平坦化层270的侧壁、和电源电压布线350的从密封件390突出的一部分的上表面的至少一部分直接接触。
图12示出了根据示例实施例的显示设备的截面图，并且图13示出了图12的显示设备的电源电压布线的平面图。除了电源电压布线1350之外，图12和图13中示出的显示设备500可以具有与参考图3A、图3B和图4描述的显示设备100的构造基本相同或相似的构造。在图12和图13中，可以不重复与参考图3A、图3B和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图12和图13，显示设备500可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线1350、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410等。
电源电压布线1350在外围区域20中可以设置在密封件390和下基板110之间，并且可以与密封件390部分地重叠。例如，电源电压布线1350的一部分可以在第一方向D1(即从外围区域20进入显示区域10的方向)上从密封件390突出，并且如图13所示，电源电压布线1350可以在电源电压布线1350的突出的一部分中具有穿过其中的多个第一开口351。在实施方式中，电源电压布线1350的另一部分可以与密封件390重叠。第一开口351可以被设置成与显示区域10和外围区域20之间的边界相邻，并且可以沿边界排列。例如，第一开口351可以在与第一方向D1垂直的第二方向D2上排列。例如，电源电压布线1350可以不包括第二开口。
图14示出了根据示例实施例的显示设备的截面图，并且图15示出了图14的显示设备的电源电压布线的平面图。除了电源电压布线1355之外，图14和图15中示出的显示设备600可以具有与参考图3A、图3B和图4描述的显示设备100的构造基本相同或相似的构造。在图14和图15中，可以不重复与参考图3A、图3B和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图14和图15，显示设备600可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线1355、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410等。
电源电压布线1355在外围区域20中可以设置在密封件390和下基板110之间，并且可以与密封件390部分地重叠。例如，电源电压布线1355的一部分可以在第一方向D1(即从外围区域20进入显示区域10的方向)上从密封件390突出，并且如图15所示，电源电压布线1355可以在电源电压布线1355的突出的一部分中具有多个第一开口351。另外，电源电压布线1355的另一部分可以与密封件390重叠(例如，位于密封件390的下面)，并且可以如图15所示具有多个第二开口352和多个第三开口353。第一开口351可以被设置成与显示区域10和外围区域20之间的边界相邻，并且可以沿边界排列。例如，第一开口351可以在与第一方向D1垂直的第二方向D2上排列或间隔开。第二开口352可以与第一开口351间隔开，并且可以排列成使得第二开口352围绕第一开口351(例如，与第一开口351对齐)。另外，第三开口353可以与第二开口352隔开预定距离，并且可以沿着与第二开口352平行的第二方向D2排列(例如，可以与第二开口352和第一开口351对齐)。第三开口353可以围绕第二开口352。
根据示例实施例的显示设备600可以包括具有第三开口353的电源电压布线1355，并且可以减少由激光的光引起并且传输到平坦化层270的热量。
图16示出了根据示例实施例的显示设备的截面图。除了触摸布线结构490之外，图16中示出的显示设备700可以具有与参考图3A、图3B和图4描述的显示设备100的构造基本相同或相似的构造。在图16中，可以不重复与参考图3A、图3B和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图16，显示设备700可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线350、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410、触摸布线结构490等。
触摸布线结构490可以设置在上基板410上的外围区域20中。例如，触摸布线结构490可以沿着显示区域10和外围区域20之间的边界设置，并且可以包括多个布线。在实施方式中，显示设备700可以进一步在像素区域30中包括电连接到触摸布线结构490的多个触摸感应电极。例如，可以将触摸感应信号施加到包括在触摸布线结构490中的布线，并且可以通过触摸布线结构490的布线将触摸感应信号提供给触摸感应电极。
在实施方式中，触摸布线结构490可以与位于外围区域20中的平坦化层270重叠。例如，当激光的光照射在密封件390上以将下基板110和上基板410进行密封时，激光的光的一部分可能照射在位于外围区域20中的平坦化层270中。为了帮助防止这种情况，触摸布线结构490可以被设置为与位于外围区域20中的平坦化层270重叠，并且可以阻挡激光的光的照射。
图17示出了根据示例实施例的显示设备的截面图。除了触摸布线结构495之外，图17中示出的显示设备800可以具有与参考图16描述的显示设备700的构造基本相同或相似的构造。在图17中，可以不重复与参考图16描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图17，显示设备800可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线350、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410、触摸布线结构495等。
触摸布线结构495可以设置在上基板410上的外围区域20中。例如，触摸布线结构495可以沿着显示区域10和外围区域20之间的边界设置，并且可以包括多个布线。与图16的触摸布线结构490相比，触摸布线结构495可以包括相对大量的布线。
在实施方式中，触摸布线结构495可以与位于外围区域20中的平坦化层270以及电源电压布线350的从密封件390突出的一部分重叠。例如，当激光的光照射在密封件390上以对下基板110和上基板410进行密封时，激光的光的一部分可能照射在位于外围区域20中的平坦化层270以及电源电压布线350的从密封件390突出的一部分中。为了帮助防止这种情况，触摸布线结构495可以被设置为与位于外围区域20中的平坦化层270以及电源电压布线350的从密封件390突出的一部分重叠，并且可以阻挡激光的光的照射。
图18示出了图17的显示设备的示例的截面图，并且图19示出了图18的显示设备的电源电压布线的平面图。除了电源电压布线355之外，图18和图19中示出的显示设备可以具有与参考图17描述的显示设备800的构造基本相同或相似的构造。在图18和图19中，可以不重复与参考图17描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图18和图19，显示设备可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线355、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410、触摸布线结构495等。
电源电压布线355在外围区域20中可以设置在密封件390和下基板110之间，并且可以与密封件390部分地重叠。例如，电源电压布线355的一部分可以在第一方向D1(即，从外围区域20到显示区域10中的方向)上从密封件390突出，电源电压布线355的另一部分可以与密封件390重叠。如图19所示，电源电压布线355的另一部分可以具有多个第一开口351。
图20示出了根据示例实施例的显示设备的截面图。除了触摸布线结构490和阻挡件510之外，图20中示出的显示设备900可以具有与参考图18和图19描述的显示设备的构造基本相同或相似的构造。在图20中，可以不重复与参考图18和图19描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图20，显示设备900可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线355、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、触摸布线结构490、阻挡件510、上基板410等。
触摸布线结构490可以设置在上基板410上的外围区域20中。在实施方式中，显示设备900可以进一步在像素区域30中包括电连接到触摸布线结构490的多个触摸感应电极。例如，可以将触摸感应信号施加到包括在触摸布线结构490中的布线，并且可以通过触摸布线结构490的布线将触摸感应信号提供给触摸感应电极。在实施方式中，触摸布线结构490可以与位于外围区域20中的平坦化层270重叠。例如，触摸布线结构490可以与电源电压布线355的从密封件390突出的至少一部分重叠。
阻挡件510可以设置在上基板410的下表面上的外围区域20中，并且可以围绕触摸布线结构490。在实施方式中，阻挡件510可以与电源电压布线355的从密封件390突出的剩余部分重叠。阻挡件510可以阻挡光。例如，阻挡件510可以包括黑矩阵。黑矩阵可以包括黑色材料。能够用作黑矩阵的黑色材料可以包括炭黑、亚苯基黑、苯胺黑、花青黑、苯胺黑酸黑、黑色树脂等。
例如，当激光的光照射在密封件390上以对下基板110和上基板410进行密封时，激光的光的一部分可能照射在位于外围区域20中的平坦化层270以及电源电压布线355的从密封件390突出的一部分中。为了帮助防止这种情况，触摸布线结构490可以设置为与电源电压布线355的从密封件390突出的至少一部分重叠，并且阻挡件510可以与电源电压布线355的从密封件390突出的剩余部分重叠。触摸布线结构490和阻挡件510可以阻挡激光的光的照射。
图21示出了根据示例实施例的显示设备的截面图，并且图22示出了图21的显示设备中所示的电源电压布线的平面图。图23示出了图21的显示设备的示例的截面图。
除了电源电压布线2350之外，图21和图22中示出的显示设备1000可以具有与参考图3A、图3B和图4描述的显示设备100的构造基本相同或相似的构造。在图21和图22中，可能不重复与参考图3A、图3B和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参考图21和图22，显示设备1000可以包括下基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、绝缘夹层190、电源电压布线2350、平坦化层270、第一连接图案295、像素结构200、像素限定层310、密封件390、上基板410等。这里，像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340，并且半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。另外，电源电压布线2350可以包括第一布线图案751、第二布线图案752和第二连接图案175。
第二连接图案175可以设置在栅绝缘层150上的外围区域20中。第二连接图案175可以与栅电极170间隔开，并且第二连接图案175和栅电极170可以位于同一层。第二连接图案175可以与第一布线图案751和第二布线图案752电连接。第二连接图案175可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，第二连接图案175可以具有包括多个层的多层结构。
第一布线图案751在外围区域20中可以设置在密封件390和下基板110之间，并且可以与密封件390部分地重叠。在实施方式中，如图22所示，第一布线图案751可以具有多个第一开口351。第一开口351可以在与第一方向D1垂直的第二方向D2上排列。第一布线图案751可以经由通过去除绝缘夹层190的第一部分而形成的接触孔来与第二连接图案175接触。
第二布线图案752可以在第一方向D1上与第一布线图案751间隔开，并且可以与位于外围区域20中的平坦化层270的一部分重叠。第二布线图案752可以经由通过移除绝缘夹层190的第二部分而形成的接触孔来与第二连接图案175接触。
第一布线图案751和第二布线图案752中的每一个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用，也可以以其适当的组合来使用。在实施方式中，第一布线图案751和第二布线图案752中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。在实施方式中，第一布线图案751、第二布线图案752、源电极210和漏电极230可以位于同一层，可以使用相同的材料同时形成。因此，可以构成包括第一布线图案751、第二布线图案752和第二连接图案175的电源电压布线2350。在实施方式中，如图23所示，第一布线图案751和第二布线图案752可以通过与有源层130位于同一层的第二连接图案135电连接。
根据示例实施例的显示设备1000可以包括电源电压布线2350，电源电压布线2350包括通过第二连接图案175电连接的第一布线图案751和与第一布线图案751间隔开的第二布线图案752，可以减少由激光的光引起并且传输到平坦化层270的热量。因此，在平坦化层270中可能不会发生放气现象。
实施例可以应用于包括显示设备的各种显示设备。例如，实施例可以应用于车辆显示设备、船舶显示设备、飞行器显示设备、便携式通信设备、用于显示或用于信息传送的显示设备、医疗显示设备等。
通过总结和回顾，当激光的光照射在密封件中或密封件上时，电源电压布线可能被加热，并且可能通过电源电压布线将热量传输到有机层(例如，平坦化层和/或像素限定层)。在这种情况下，在由电源电压布线加热的有机层中可能发生放气现象。因此，可能发生显示设备的故障。
实施例可以提供包括电源电压布线的显示设备。
由于根据示例实施例的显示设备包括具有第一开口的电源电压布线，所以显示设备可以相对减少由激光的光引起并传输到平坦化层的热量。因此，在平坦化层中可能不会发生放气现象。
至此，已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但是它们只是在一般的且描述的意义下使用的，也只能在一般的且描述的意义上去解释它们，并且它们并非用于限制。在一些情况下，在提交本申请时将会对本领域普通技术人员来说显而易见的，除非另外具体指出，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不背离所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (10)
1.一种显示设备，包括：
下基板，所述下基板具有：
包括多个像素区域的显示区域，和
围绕所述显示区域的外围区域；
多个像素结构，在所述下基板上的所述多个像素区域中；
上基板，在所述多个像素结构上；
密封件，在所述外围区域中在所述下基板和所述上基板之间；和
电源电压布线，在所述外围区域中在所述密封件与所述下基板之间，其中：
所述电源电压布线与所述密封件部分地重叠，并且
所述电源电压布线包括在所述电源电压布线的一部分中的多个第一开口，所述一部分在从所述外围区域延伸到所述显示区域的第一方向上从所述密封件的侧壁突出，并且所述密封件的所述侧壁是所述密封件的最邻近所述像素结构的边界。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一开口在与所述第一方向垂直的第二方向上沿着所述显示区域和所述外围区域之间的边界排列。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述电源电压布线进一步包括：在所述电源电压布线的与所述密封件重叠的一部分中的多个第二开口。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中：
所述第二开口与所述第一开口隔开预定距离，
所述第一开口和所述第二开口在与所述第一方向垂直的第二方向上排列，并且
所述第一开口和所述第二开口彼此平行地对齐。
5.根据权利要求3所述的显示设备，进一步包括：在所述下基板和所述像素结构之间的多个半导体元件，
其中所述多个半导体元件中的每一个包括：
在所述下基板上的有源层；
在所述有源层上的栅电极；和
在所述栅电极上的源电极和漏电极，并且
其中所述电源电压布线以及所述源电极和所述漏电极位于同一层。
6.根据权利要求5所述的显示设备，进一步包括：
在所述下基板上的栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层；
在所述栅绝缘层上的绝缘夹层，所述绝缘夹层覆盖所述栅电极；
在所述绝缘夹层上的平坦化层，所述平坦化层覆盖所述源电极和所述漏电极；和
在所述平坦化层上的像素限定层，
其中所述密封件通过所述第二开口与所述平坦化层的上表面接触，并且
其中所述电源电压布线的从所述密封件向内突出的至少一部分与所述平坦化层重叠并直接接触。
7.根据权利要求3所述的显示设备，其中：
所述电源电压布线进一步包括与所述第二开口隔开预定距离的多个第三开口，所述第三开口在与所述第一方向垂直的第二方向上排列，并且
所述第二开口和所述第三开口彼此平行地对齐。
8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：在所述外围区域中的所述上基板上的、沿着所述显示区域和所述外围区域之间的边界的触摸布线结构，所述触摸布线结构包括多个布线，并且
其中所述触摸布线结构与所述电源电压布线的从所述密封件向内突出的所述一部分重叠。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述多个像素结构包括：
多个下电极；
在所述下电极上的多个发光层；和
在所述发光层上的上电极，并且其中：
所述上电极从所述显示区域延伸到所述外围区域中，并且
位于所述外围区域中的所述上电极电连接到所述电源电压布线。
10.根据权利要求9所述的显示设备，进一步包括：在所述上电极和所述电源电压布线之间的第一连接图案，
其中所述上电极和所述电源电压布线通过所述第一连接图案电连接，并且其中：
所述第一连接图案的第一端与所述上电极直接接触，
所述第一连接图案的第二端与所述电源电压布线直接接触，并且
所述第一连接图案和所述多个下电极位于同一层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180008363A KR102495122B1 (ko) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | 표시 장치 |
| KR10-2018-0008363 | 2018-01-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110070798A CN110070798A (zh) | 2019-07-30 |
| CN110070798B true CN110070798B (zh) | 2023-04-11 |
Family
ID=67300191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910062784.3A Active CN110070798B (zh) | 2018-01-23 | 2019-01-23 | 显示设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11552152B2 (zh) |
| KR (1) | KR102495122B1 (zh) |
| CN (1) | CN110070798B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109192767B (zh) * | 2018-11-01 | 2020-08-21 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN111370439A (zh) * | 2018-12-07 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR20210086814A (ko) | 2019-12-30 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210146489A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN116634808A (zh) * | 2020-12-04 | 2023-08-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN112670270B (zh) * | 2020-12-22 | 2024-01-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR20240048819A (ko) * | 2022-10-07 | 2024-04-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 컬러필터, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120136697A (ko) * | 2011-06-09 | 2012-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 뉴턴 링 현상을 줄이기 위한 유기 발광표시소자 |
| CN105301807A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-02-03 | 三星显示有限公司 | 显示模块、显示装置及其制造方法 |
| CN105824457A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-03 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538488B2 (en) | 2004-02-14 | 2009-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| KR101107251B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| EP1979268A2 (en) * | 2006-04-13 | 2008-10-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Packaging a mems device using a frame |
| KR101269394B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2013-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시기판 어셈블리 및 이의 제조 방법 |
| US8362993B2 (en) * | 2008-08-04 | 2013-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel |
| JP2010080341A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示装置 |
| KR101201720B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2012-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101722026B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 패널, 평판 표시 패널용 원장기판, 및 평판 표시 패널 제조 방법 |
| KR101772142B1 (ko) | 2010-11-29 | 2017-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 유기 발광 표시 장치용 밀봉 기판의 제조 방법 |
| JP2013257475A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| US9825253B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-11-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR102126714B1 (ko) | 2013-09-03 | 2020-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR20150043136A (ko) * | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102184676B1 (ko) | 2014-02-19 | 2020-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20160006861A (ko) * | 2014-07-09 | 2016-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| JP6446208B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102352285B1 (ko) | 2014-10-10 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20160053242A (ko) | 2014-10-31 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102399574B1 (ko) * | 2015-04-03 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102403001B1 (ko) | 2015-07-13 | 2022-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102605957B1 (ko) * | 2016-02-23 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-01-23 KR KR1020180008363A patent/KR102495122B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-01-17 US US16/250,044 patent/US11552152B2/en active Active
- 2019-01-23 CN CN201910062784.3A patent/CN110070798B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120136697A (ko) * | 2011-06-09 | 2012-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 뉴턴 링 현상을 줄이기 위한 유기 발광표시소자 |
| CN105301807A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-02-03 | 三星显示有限公司 | 显示模块、显示装置及其制造方法 |
| CN105824457A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-03 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11552152B2 (en) | 2023-01-10 |
| KR20190090111A (ko) | 2019-08-01 |
| CN110070798A (zh) | 2019-07-30 |
| US20190229176A1 (en) | 2019-07-25 |
| KR102495122B1 (ko) | 2023-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110070798B (zh) | 显示设备 | |
| CN108933162B (zh) | 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法 | |
| TWI651877B (zh) | 顯示裝置 | |
| CN108288632B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| TWI632676B (zh) | 有機電激發光裝置及電子機器 | |
| US9978824B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| US10937838B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| CN116249387A (zh) | 显示装置 | |
| KR20050015821A (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
| US11004926B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR102582066B1 (ko) | 칩 온 필름 패키지 및 칩 온 필름 패키지를 포함하는 표시 장치 | |
| US11751457B2 (en) | Organic light emitting display device including organic pattern on sidewall of substrate and method of manufacturing organic light emitting display device | |
| CN111490073A (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
| US20220393134A1 (en) | Display device including an adhesive bonded polarization plate | |
| US20230389351A1 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
| US20230028400A1 (en) | Display device | |
| US11329120B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| US10714705B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| CN113745277A (zh) | 显示装置 | |
| US11444145B2 (en) | Display device | |
| JP7511723B2 (ja) | 表示装置 | |
| US20230217733A1 (en) | Display device | |
| US20240237392A1 (en) | Display device including an adhesive bonded polarization plate | |
| WO2023137663A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| KR20170015830A (ko) | 투명표시장치 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |