JP2010080341A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の画素によって構成されたアクティブエリア１０２を備えた表示装置であって、各画素に配置された自発光性の有機ＥＬ素子４０と、アクティブエリアの周辺１０４に配置された光反射性を有する金属層５００と、金属層に積層され光透過性を有する金属酸化物層６００と、を備えたアレイ基板１００と、アレイ基板の有機ＥＬ素子に対向して配置された封止基板２００と、アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、金属酸化物層に溶着されたフリットガラスからなり、アレイ基板と封止基板とを接合するシール部材３００と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。

有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えて構成されている。このような有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。

このような構成の有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように密封する必要がある。

そこで、例えば特許文献１によれば、有機ＥＬ素子が配置された基板の周辺に設置した低融点ガラスであるフリットガラスを介して封止基板を貼り合せることにより水分の流入を防止する構成が提案されている。また、特許文献２によれば、透明な材質の第１フリット層と、不透明な材質の第２フリット層を含む密封材により厚さ調整を可能とする構成が提案されている。
特開２００７−２００８４０号公報 特開２００７−２００８３６号公報

有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板と封止基板とをフリットガラスによって接合する場合には、通常、封止基板となるガラス板にフリットガラスを塗布して硬化焼成し、冷却した後にアレイ基板を合わせ、レーザー等の局所的に加熱する装置によってフリットガラスを溶融して、アレイ基板と封止基板との外周全部を接合し、両基板の間に有機ＥＬ素子を密封している。

平面表示装置については、画像を表示するアクティブエリアの大きさは所望のサイズを確保しつつ、外形寸法を縮小すること（狭額縁化）が市場から強く望まれており、有機ＥＬ表示装置についても同様の要望がある。そのため、アレイ基板と封止基板との接合を担うフリットガラスの塗布幅（溶着後の幅）の縮小が望まれる一方で、表示装置として十分な機械的強度及び密封性能を確保する必要がある。

しかしながら、アレイ基板の表面に剥き出しとなった金属配線とフリットガラスとが直接溶着されている箇所については、引き剥がす力に対する機械的強度及び密封性能が不足する傾向にあり、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、狭額縁化が可能であるとともに、機械的強度及び密封性能を向上することが可能な表示装置を提供することにある。

この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、前記アクティブエリアの周辺に配置された光反射性を有する金属層と、前記金属層に積層され光透過性を有する金属酸化物層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向して配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記金属酸化物層に溶着されたフリットガラスからなり、前記第１基板と前記第２基板とを接合するシール部材と、
を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、狭額縁化が可能であるとともに、機械的強度及び密封性能を向上することが可能な表示装置を提供できる。このため、製造歩留まりの低下が抑制されるとともに、表示素子が大気に曝されることがなく、表示素子の劣化が抑制されるため、良好な表示品位の維持及び長寿命化が可能となる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板（第１基板）１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。

アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板２００（第２基板）によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有する絶縁性の基板、特にガラス基板によって構成されている。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、平坦に形成されていても良いし、少なくともアクティブエリア１０２との対向面が窪み、周縁部より肉薄に形成されても良い。

これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、それぞれの周縁部がアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって接合されている。この実施の形態においては、シール部材３００は、フリットガラス（低融点ガラス）からなる。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。

図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、各種スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチ素子ＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。

これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチ素子ＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜（平坦化層）１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。

ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート電極２０Ｇやゲート線は、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。

これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線は、有機絶縁膜１１４によって覆われている。このような有機絶縁膜１１４は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化する目的で、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成されている。

この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。

すなわち、第１電極６０は、有機絶縁膜１１４の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。

このような第１電極６０は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。

有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。なお、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。

第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第２電極６４は、半透過層を含んでいることが望ましい。

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。

封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０に対向するように配置されている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリアの周辺１０４において、シール部材３００により接合されている。シール部材３００は、フリットガラスであり、このようなフリットガラスは、レーザー光を照射するなどして熱を加えることによって溶融し、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との間に密閉空間が形成される。有機ＥＬ素子４０は、この密閉空間内に配置され、密封されることになる。

ところで、この実施の形態においては、アレイ基板１００は、シール部材３００の下地として、金属層５００及び金属酸化物層６００の積層体を備えている。この金属層５００は、アクティブエリア１０２の周辺１０４に配置され、光反射性を有する金属材料によって形成されている。また、金属酸化物層６００は、金属層５００の上に積層され、光透過性を有する金属酸化物によって形成されている。シール部材３００は、金属酸化物層６００に溶着されている。換言すると、金属層５００とシール部材３００とは、金属酸化物層６００を介して溶着されている。

例えば、図２に示すように、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２からその周辺１０４に延在しており、シール部材３００が配置されるシール領域３１０にも配置されている。金属層５００は、シール領域３１０に対応するように、層間絶縁膜１１３の上に配置されている。金属酸化物層６００は、金属層５００の上に積層配置されている。

このような金属層５００及び金属酸化物層６００は、例えば、図３に示すように、アクティブエリア１０２を囲むように一連の枠状に配置されている。この場合、金属酸化物層６００は、シール部材３００と全周にわたって重なっている。なお、金属層５００及び金属酸化物層６００は、このような配置に限らず、一連でなくても良い。例えば、金属層５００及び金属酸化物層６００は、島状に形成され、アクティブエリア１０２を囲むように点在するように配置されても良いし、アクティブエリア１０２に沿った少なくとも一辺に配置されても良いし、特に強固な接合が要求されるコーナー部などの特定の箇所についてのみ配置されても良い。

このような金属酸化物層６００は、シール領域３１０において、アレイ基板１００の表面に露出している。このため、シール部材３００として、フリットガラスを塗布、硬化させた封止基板２００をアレイ基板１００に貼り合わせる際、シール部材３００は、金属酸化物層６００に接触する。

そして、封止基板２００の外面側からレーザー光を照射することによって、フリットガラス３００を加熱し、また一部のレーザー光が金属酸化物層６００を透過して金属層５００によって反射されるなどしてフリットガラス３００と金属酸化物層６００との界面の温度上昇によってフリットガラス３００が溶融し、フリットガラス３００が金属酸化物層６００に溶着される。

このような金属酸化物層６００は、金属層５００よりも比較的高い融点を有している。このため、金属酸化物層６００がフリットガラス３００の下地としてのバッファ層として機能し、金属層５００の溶着時の熱によるダメージを軽減できる。これにより、レーザー光を照射した際に、金属層５００と金属酸化物層６００との界面での剥離や界面形状乱れを抑制することが可能となる。

また、金属酸化物層６００が光透過性を有するため、照射されたレーザー光は、金属酸化物層６００を透過し、金属層５００で反射されるため、フリットガラス３００にレーザー光のエネルギーが効率よく吸収される。このため、フリットガラス３００の溶融が促進され、金属酸化物層６００との溶着性が向上し、アレイ基板１００と封止基板２００とを強固に接合することが可能となる。

加えて、金属層５００の上に金属酸化物層６００が積層された構造においては、高い熱伝導性を維持できるため、レーザー光が照射された領域のみが局所的に高温にならず、フリットガラス３００と接触している部分が均一な熱分布となる。このため、フリットガラス３００と金属酸化物層６００との均一な溶着が可能となる。

したがって、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合するために、シール領域３１０を大幅に拡大する必要がなく、狭額縁化が可能となる。また、機械的強度及び密封性能を向上することが可能となり、製造歩留まりの低下を抑制できるとともに、有機ＥＬ素子の劣化が抑制されるため、良好な表示品位の維持及び長寿命化が可能となる。

≪構成例≫
金属層５００は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム・ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金のいずれかによって形成されることが望ましい。このような金属層５００は、例えば、金属層５００を形成する金属材料をマグネトロンスパッタ法などで成膜した後に、フォトグラフィー法やドライエッチングあるいはウエットエッチングなどにより所望の形状にパターニングされることによって形成可能である。

金属酸化物層６００は、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）のいずれかによって形成されることが望ましい。このような金属酸化物層６００は、金属層５００を形成した後に、たとえば、金属酸化物層を形成する材料をスパッタ法などで成膜した後に、パターニングすることによって形成可能である。

このようにして形成された金属酸化物層６００は、例えば図４に示すように、先に形成された金属層５００の表面（つまり上面及び側面）を覆うように配置される。

金属層５００及び金属酸化物層６００を形成する金属材料として、上述した材料を選択した場合には、金属層５００及び金属酸化物層６００は、アレイ基板１００に備えられた配線または有機ＥＬ素子４０を構成する電極を形成する工程で同時に形成可能である。図２に示したように、金属層５００が層間絶縁膜１１３の上に配置された構成では、金属層５００及び金属酸化物層６００は、アレイ基板１００における層間絶縁膜１１３よりも後に形成される配線または電極と同一材料によって形成可能である。

例えば、有機絶縁膜１１４の上に配置される第１電極６０が反射層及びこの反射層の上に透過層を積層した構成においては、反射層がアルミニウムや銀を主金属として形成される場合には、金属層５００は、第１電極６０の反射層と同一材料により同一工程で形成可能である。また、第１電極６０の透過層がＩＴＯなどによって形成される場合には、金属酸化物層６００は、透過層と同一材料により同一工程で形成可能である。

これにより、金属層５００及び金属酸化物層６００を形成する工程を別途に必要とせず、製造工程が増加しないため、コストアップを抑制できる。

なお、金属層５００については、層間絶縁膜１１３の上に配置される信号線やトランジスタ素子のソース電極及びドレイン電極と同一材料により同一工程で形成可能である。すなわち、配線や電極の材料としては、チタン、アルミニウムのほかに、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉなどが利用可能であり、いずれも金属層５００を形成する材料として適用可能である。

次に、実施例について説明する。

すなわち、封止基板２００となる厚さ０．７ｍｍの平板状のガラス板の周縁部に、粘度１，０００〜５０，０００ｃＰのペースト状にしたフリットガラス３００を、０．５ｍｍの幅に塗布できるよう適当な塗布条件を設定し、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の外周を囲む形状となるよう塗布する。フリットガラス３００を塗布したガラス板を、３００℃以上の温度で加熱してペースト中の有機物質を燃焼させ、フリットガラス３００を硬化させる。

一方で、アレイ基板１００の形成過程において、アクティブエリア１０２においては有機絶縁膜１１４の上、及び、周辺１０４においては層間絶縁膜１１３の上に、金属材料としてアルミニウム（Ａｌ）をマグネトロンスパッタ法により成膜した後に、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング（またはウェットエッチング）により所望の形状にパターニングする。これにより、アクティブエリア１０２においては、第１電極６０の反射層が形成されるとともに、周辺１０４のシール領域（溶着領域）３１０においては、０．７ｍｍの幅でアクティブエリア１０２を囲むようなリング状の金属層５００が形成される。

その後、基板上のアクティブエリア１０２及びその周辺１０４の全面に、ＩＴＯをスパッタ法で成膜した後に、所望の形状にパターニングする。この後、２２０℃でアニールして膜界面を安定化させ、透過率の向上を図る。これにより、アクティブエリア１０２においては、第１電極６０の反射層の上に透過層が形成されるとともに、周辺１０４のシール領域（溶着領域）３１０においては、金属層５００の上に金属酸化物層６００が形成される。

その後、アクティブエリア１０２において、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した有機ＥＬ素子４０と、隣接する有機ＥＬ素子を分離する隔壁７０を形成するなどしてアレイ基板１００が完成する。

その後、アレイ基板１００と、フリットガラス３００を硬化させた封止基板２００とを対向配置し、シール領域３１０において、金属酸化物層６００とフリットガラスとを接触させた後、封止基板２００側からシール領域３１０の金属層５００に向けてレーザー光を照射してフリットガラス３００を溶融し、フリットガラス３００と金属酸化物層６００とを溶着する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との外周全部が接合され、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０が密封される。

この実施例によれば、フリットガラス３００を溶融するために、シール領域３１０に向けて照射されたレーザー光は、金属酸化物層６００を透過した後に金属層５００によって反射され、フリットガラス３００にレーザー光のエネルギーが十分に吸収される。このため、金属酸化物層６００上において、フリットガラス３００の加熱及び溶融が促進される。これにより、金属酸化物層６００の表面で溶融したフリットガラス３００が広がり、フリットガラス３００と金属酸化物層６００との溶着性が向上する。したがって、溶着後のアレイ基板１００と封止基板２００との接合強度を向上することが可能となる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図３は、シール部材とその下地（金属層）との位置関係の一例を概略的に示す平面図である。 図４は、金属層の上に金属酸化物層を積層した構造例を説明するための概略断面図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置 ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極 ６２…有機活性層 ６４…第２電極
７０…隔壁
１００…アレイ基板 １０２…アクティブエリア １０４…アクティブエリア周辺
１２０…配線基板 ２００…封止基板 ３００…シール部材（フリットガラス）
５００…金属層 ６００…金属酸化物層

Claims (6)

1. 複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
   各画素に配置された自発光性の表示素子と、前記アクティブエリアの周辺に配置された光反射性を有する金属層と、前記金属層に積層され光透過性を有する金属酸化物層と、を備えた第１基板と、
   前記第１基板の前記表示素子に対向して配置された第２基板と、
   前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記金属酸化物層に溶着されたフリットガラスからなり、前記第１基板と前記第２基板とを接合するシール部材と、
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 前記金属酸化物層は、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）のいずれかによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム合金のいずれかによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記金属層及び前記金属酸化物層は、前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記金属酸化物層が前記シール部材と全周にわたって重なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記金属層及び前記金属酸化物層は、前記第１基板に備えられた配線または前記表示素子を構成する電極と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記表示素子は、
   反射層及び反射層の上に積層された透過層を有する第１電極と、
   前記第１電極の透過層上に配置された有機活性層と、
   前記有機活性層を覆うように配置された第２電極と、を備えたトップエミッション方式であり、
   前記金属層は、前記第１電極の反射層と同一材料によって形成されるとともに、前記金属酸化物層は、前記第１電極の透過層と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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