JP2011258492A - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】額縁部の小さな有機ＥＬ装置を得る。
【解決手段】基板上に発光領域１００と発光領域１００の外側に設けられた接続領域とを備える発光装置であって、発光領域１００には第１電極５２と第２電極５６と第１電極５２と第２電極５６との間に設けられた発光機能層５４とを有する発光素子５０を有し、接続領域には第２電極５６と電気的に接続された第２電極配線２２が設けられ、第２電極５６は、発光領域１００及び接続領域に形成されており、接続領域の少なくとも一部には第２電極５６と第２電極配線２２との間に第１の層８８が設けられており、第２電極５６と第２電極配線２２とは、第１の層８８の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成されたコンタクト部２４において電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

画像表示可能な発光装置の一つとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層に電流を印加することにより生じる発光を利用して画像を表示する有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ装置は、陽極（第１電極）と少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層と陰極（第２電極）とが積層されてなる発光素子としての有機ＥＬ素子が発光領域内に規則的に配置されており、個々の有機ＥＬ素子の発光を制御することで発光領域に画像を形成している。上述の制御は、有機ＥＬ素子毎に独立している陽極に電圧を印加することで行われる。そして陰極は、発光領域内で、すなわち全ての有機ＥＬ素子間で同電位である。

有機ＥＬ装置の形式のひとつとして、基板上に個々の有機ＥＬ素子を制御する薄膜トランジスター等からなる素子層が形成されており、有機ＥＬ素子は該素子層の上層に層間絶縁膜を介して配置されている形式がある。かかる形式の有機ＥＬ装置では、陰極は、発光領域の外側の周辺領域において、素子層と略同一の層に形成された陰極配線と接続されている。そして、例えば特許文献１に示す従来の有機ＥＬ装置では、かかる接続が層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して成されている。

図１に、かかる従来の陰極５６と陰極配線の接続の態様を示す。基板１０上には、有機ＥＬ素子と該有機ＥＬ素子を制御する制御用薄膜トランジスターが規則的に配置された発光領域１００が形成されており、陰極５６は該発光領域の周囲まで延在している。すなわち陰極５６は、発光領域１００内に規則的に配置された一群の制御用薄膜トランジスターを覆うよう形成されている。そして陰極配線は、発光領域１００を囲む接続領域２６内において、上述の薄膜トランジスターと略同一の層に形成されている。陰極５６は、陰極配線等を覆う層間絶縁膜が形成され、陰極配線上の層間絶縁膜にフォトリソグラフィー法によりコンタクトホールが形成された後、発光領域１００と該コンタクトホールを覆うように、マスク成膜法（マスク蒸着法又はマスクスパッタ法）により形成される。

特開２００３−２８８９９４号公報

しかし、上述の従来の有機ＥＬ装置は、コンタクトホールが形成された後に陰極５６を成膜するため、成膜時に合せずれを考慮して、陰極５６と接続領域２６とが重なる領域（図１において網状のハッチングが施された領域）を広く設定する必要がある。したがって、基板１０内に占める発光領域１００が相対的に縮小されることとなり、有機ＥＬ装置の額縁部が大きくなってしまうといった課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる発光装置の製造方法は、基板上に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた発光機能層とを有する発光素子を備える発光領域と、上記第２電極と電気的に接続された第２電極配線を備える上記発光領域の外側の接続領域と、を有する発光装置の製造方法であって、上記基板上に上記第２電極配線を形成する第１の工程と、上記第２電極配線の少なくとも一部を覆うように第１の層を形成する第２の工程と、上記第２電極配線と上記第１の層とが積層された領域の少なくとも一部を覆うように上記第２電極を形成する第３の工程と、上記第２電極配線と上記第１の層と上記第２電極とが積層された領域にレーザーを照射して上記第１の層の少なくとも一部を除去する第４の工程と、を順に実施することを特徴とする。

このような製造方法であれば、第２電極配線と第２電極とが重なり合った部分を有効に利用できる。したがって合せずれが発生した場合を考慮しても、接続領域を拡大せずに第２電極配線と第２電極との電気的接続を確保することができ、発光装置を狭額縁化することができる。

［適用例２］上述の発光装置の製造方法であって、上記第３の工程において、上記第２電極は、マスク成膜法により形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、第２電極と第２電極配線が重なった領域にレーザー照射を行うことができるため、成膜精度の不足を補うことができる。したがって、品質等に影響を与えることなく製造コストを低減できる。

［適用例３］本適用例にかかる発光装置は、基板上に、発光領域と、上記発光領域の外側に設けられた接続領域と、を備える発光装置であって、上記発光領域には、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた発光機能層と、を有する発光素子を有し、上記接続領域には、上記第２電極と電気的に接続された第２電極配線が設けられ、上記第２電極は、上記発光領域及び上記接続領域に形成されており、上記接続領域の少なくとも一部には、上記第２電極と上記第２電極配線との間に、第１の層が設けられており、上記第２電極と上記第２電極配線とは、上記第１の層の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成されたコンタクト部において電気的に接続されていることを特徴とする。

このような構成であれば、第２電極配線と第２電極とが重なり合った部分を有効に利用できる。したがって、合せずれを考慮して接続領域を拡大せずに、第２電極配線と第２電極と導通すなわち電気的接続を確保でき、発光装置を狭額縁化することができる。

［適用例４］上述の発光装置であって、上記第１の層は、上記発光素子を制御する薄膜トランジスターのゲート絶縁膜であることを特徴とする発光装置。

ゲート絶縁膜は他の層に比べて薄いため、上述のコンタクト部を容易に形成できる。したがってこのような構成であれば、製造コストの増加を抑制しつつ発光装置を狭額縁化することができる。

［適用例５］上述の発光装置であって、上記第１の層は上記発光機能層であることを特徴とする発光装置。

発光機能層を含む発光素子を備える発光装置は、該発光機能層の層厚均一性を向上させるために発光領域の周囲にダミー画素を備える場合が多い。したがって上述の構成であれば、該ダミー画素内に上述のコンタクト部を形成できるため、発光装置をより一層狭額縁化することができる。

［適用例６］本適用例にかかる発光装置は、基板上に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた発光機能層と、を有する発光素子と、平面視において、上記第１電極が形成されていない領域に、上記第２電極と電気的に接続された第２電極配線と、を有し、上記第２電極と上記第２電極配線とは、上記発光機能層の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成されたコンタクト部において電気的に接続されていることを特徴とする。

透明導電性を有する第２電極を介して発光を射出する発光装置の場合、発光領域の中央近傍での発光強度の低下を抑制するために、基板側に第２電極配線を形成する場合が多い。かかる場合において、このような構成であれば第２電極配線とコンタクト部との合せずれを考慮する必要が無くなり、第２電極配線を細く形成できる。したがって、基板の一方の面上に形成される第１電極の面積を増加させることができ、発光強度等を向上できる。また第２電極配線を細く形成できるため、装置全体の形状を狭額縁化することができる。

［適用例７］上述の発光装置であって、上記第１電極と上記第２電極配線とは、第２の層に設けられていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば積層構成を簡略化でき、製造コストを低減できる。

［適用例８］上述の発光装置であって、上記第１電極は、第１の第１電極と、第２の第１電極と、を有し、平面視において、上記第２電極配線は、上記第１の第１電極と、上記第２の第１電極との間に設けられていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば第２電極の面抵抗を発光領域内において一層均一化できる。したがって、発光領域内における発光強度のばらつきが低減された発光装置を得ることができる。

［適用例９］上述の発光装置であって、上記第１電極と上記第２電極配線との間には、層間絶縁膜が設けられ、上記第２電極と上記第２電極配線とは、上記発光機能層及び上記層間絶縁膜の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成された上記コンタクト部において電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、発光領域内に占める第１電極の面積を増加させることができる。そして、コンタクト部で第１電極と第２電極配線と接続させるため、発光領域内における第１電極の面抵抗を均一化できる。したがって、発光装置の形状等を増加させることなく発光領域内における発光強度のばらつきを低減できる。

従来の有機ＥＬ装置の陰極と陰極配線の接続の態様を示す図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置を光が射出される側から見た模式平面図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 接続領域に対する陰極とコンタクト部との配置の態様を模式的に示す平面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第３の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 第５の実施形態の有機ＥＬパネルを示す図。 第６の実施形態の有機ＥＬパネルを示す図。 第７の実施形態の有機ＥＬパネルを示す図。 第８の実施形態の有機ＥＬパネルを示す図。 第９の実施形態の有機ＥＬパネルを示す図。 変形例の有機ＥＬパネルを示す図。 電子機器としての携帯電話機の斜視構成図。 電子機器としての有機ＥＬ照明装置を示す図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す図。

以下、本発明を具体化した実施の形態について、発光素子としての有機ＥＬ素子が発光領域に規則的に配置されてなる、発光装置としての有機ＥＬ装置を例に述べる。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、該各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の回路構成を示す図である。有機ＥＬ装置１は、規則的に配置された複数の有機ＥＬ素子の発光を個別に制御して、発光領域１００にカラー画像を形成するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。発光領域１００には、複数の走査線１０２と該走査線と直交する複数の信号線１０４と信号線１０４と平行に延在する複数の電源供給線１０６が形成されている。そして、上記３種類の配線で囲まれる区画毎に画素４６が形成されている。

画素４６は総称であり、具体的には、赤色光を射出する赤色画素４６Ｒと緑色光を射出する緑色画素４６Ｇと青色光を射出する青色画素４６Ｂと３種類が形成されている。かかる夫々の（三原色の）発光色は、後述する発光機能層５４（図４参照）に含まれる有機ＥＬ層の形成材料により設定される。すなわち、赤色画素４６Ｒの発光機能層５４には主として赤色光に相当する光を発光する有機ＥＬ層が配置されており、緑色画素４６Ｇの発光機能層５４には主として緑色光に相当する光を発光する有機ＥＬ層が配置されており、青色画素４６Ｂの発光機能層５４には主として青色光に相当する光を発光する有機ＥＬ層が配置されている。画素４６における有機ＥＬ層以外の構成要素は、３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で共通である。なお、有機ＥＬ層は３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で共通の白色光を発光するタイプのものとして、上述の三原色はカラーフィルターにより形成することもできる。

各々の画素４６は、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ」と称する。）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が供給される有機ＥＬ素子５０とを備えている。

有機ＥＬ素子５０は、駆動用ＴＦＴ１１２に接続された第１電極としての画素電極（陽極）５２（図４参照）と第２電極としての陰極５６との一対の電極と、該一対の電極間に挟持された上述の発光機能層５４とで構成されている。画素電極５２は画素毎にパターニングされている。一方、陰極５６は、本図では画素４６毎に図示されているが、実際には少なくとも発光領域１００内の全面にマスク成膜法により形成されている。したがって陰極５６は、発光領域１００内に形成された全ての画素４６間で共通の電位を有している。

発光領域１００の周辺には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、信号線１０４には信号線駆動回路１３０から画素信号が供給され、電源供給線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。なお、走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。

走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から画素電極５２に駆動電流が流れ、さらに発光機能層５４を介して陰極５６に駆動電流が流れる。発光機能層５４は駆動電流の大きさに応じて発光する。その結果、該発光機能層を備える個々の有機ＥＬ素子５０、そして該有機ＥＬ素子を備える個々の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、該駆動電流の大きさに応じて、三原色光のいずれかを射出する。そして、かかる任意の強度で射出される三原色光により、発光領域１００にカラー画像が形成される。

図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置１を、光が射出される側から見た模式平面図である。有機ＥＬ装置１は、素子基板１０と後述する対向基板１１（図４参照）とで、上述の有機ＥＬ素子５０等を挟持しているが、本図では対向基板１１の図示を省略している。

図示するように発光領域１００は素子基板１０の略中央を占めている。素子基板１０上における該発光領域以外の領域が、周辺領域（符号無し）である。そして、有機ＥＬ装置１においては、該周辺領域のうち、発光領域を囲む環状の領域を接続領域２６と定義している。接続領域２６の外側には、発光領域１００を挟んで対向する素子基板１０の２辺に沿って、Ｙ側駆動回路部１２２が設けられると共に、この２辺に隣接する一辺に沿ってＸ側駆動回路部１３２が設けられている。Ｙ側駆動回路部１２２は走査線駆動回路１２０が形成されている領域であり、Ｘ側駆動回路部１３２は信号線駆動回路１３０が形成されている領域である。走査線１０２及び信号線１０４は、接続領域２６を介してＹ側駆動回路部１２２あるいはＸ側駆動回路部１３２に至るまで延在している。

周辺領域におけるＸ側駆動回路部１３２が設けられた素子基板１０の一辺には、実装端子１５０が接続されている。そして該実装端子には、配線基材３００が、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｒａｓｓ）方式により実装されている。信号線駆動回路１３０や走査線駆動回路１２０を駆動させるための各種信号は、該配線基材を介して、図示しない外部回路（外部装置）から供給される。

接続領域２６には、走査線１０２等のほかに第２電極配線としての陰極配線２２（図４参照）が形成されている。陰極配線２２は、陰極５６と上述の外部回路とを、Ｙ側駆動回路部１２２あるいはＸ側駆動回路部１３２、及び実装端子１５０等を介して接続する配線である。そして、陰極５６と陰極配線２２とは、接続領域２６内で電気的に接続されている。

上述したように陰極５６の電位は、有機ＥＬ装置１が備える全ての有機ＥＬ素子５０間で共通している。したがって、上述の接続は一箇所で行うこともできる。しかし、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、配線抵抗や接続抵抗等を低減するために、発光領域１００の全周においてかかる接続が形成されている。

有機ＥＬ素子５０は、素子基板１０側から画素電極５２と発光機能層５４と陰極５６とが順に積層されて形成されている。したがって、陰極５６は対向基板（封止基板）１１側に位置している。また陰極配線２２は、少なくとも発光機能層５４よりは素子基板１０側に形成されている。そのため、上述の接続は陰極配線２２が形成されている層と陰極５６が形成されている層の間の層である第１の層にコンタクト部２４（図５参照）を形成することで成されている。

上述したように陰極５６は発光領域１００及び該発光領域を囲む領域に、導電性層をマスク成膜することで形成されている。上述のコンタクト部２４は、かかる陰極５６として機能する導電性層が形成された領域に形成される。したがって、陰極５６が形成された領域から発光領域１００をのぞく領域が接続領域２６である。

ここで、陰極５６を除く有機ＥＬ素子５０の構成要素、及び陰極配線２２はフォトリソグラフィー法によるパターニングで形成されている。しかし陰極５６は、フォトリソグラフィー法に比べて精度が劣るマスク成膜法でパターニングされるため、下層に形成されている陰極配線２２に対して若干の合せずれが生じ得る。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、陰極配線２２と陰極５６に接続を、該双方の要素が重なり合った部分に陰極５６の形成後に形成されたコンタクト部２４で上述の接続を得ている。そのため、陰極５６となる導電性層がマスク成膜法で形成されているにもかかわらず、接続領域２６を増大させることなく上述の接続がなされている。したがって、発光領域１００の周囲の周辺領域が縮小されており、有機ＥＬ装置全体が平面視において小型化されている。

図４は、有機ＥＬ装置１の接続領域２６と該接続領域の周辺の一部の断面を拡大して示す模式断面図である。接続領域２６に形成された陰極配線２２及びコンタクト部２４等と共に、接続領域２６に隣接する発光領域１００に形成された画素４６の断面も示している。ただし、本図では画素４６の構成要素のうちスイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０については図示を省略して、有機ＥＬ素子５０と駆動用ＴＦＴ１１２のみを図示している。図示するように有機ＥＬ装置１は、素子基板１０と対向基板１１の一対の基板、及び該一対の基板に挟持された各要素で構成されている。以下、かかる各要素について素子基板１０側から順に説明する。

本実施形態の有機ＥＬ装置１では、素子基板１０はガラスから成る。なお、有機ＥＬ装置１は、対向基板１１側に光を射出するトップエミッション型である。トップエミッション型の有機ＥＬ装置においては、一般的に、対向基板１１は透明性を必要とするが、素子基板１０は不透明基板を用いることができる。しかし有機ＥＬ装置１は、コンタクト部２４が上述の一対の基板を貼り合せた後のレーザー照射により形成されている。したがって、素子基板１０側からレーザー照射を行う場合を考慮すると、素子基板１０にも透明性を有する基板を用いることが好ましい。また、後述する半導体層をいわゆる高温プロセスで形成する場合は、耐熱性の高い石英基板等を用いる必要がある。

素子基板１０の対向基板１１側の面には、ＳｉＯ_n（酸化シリコン）等からなる下地保護膜６０が形成されている。該下地保護膜は、素子基板１０に含有される可能性のある不純物等が駆動用ＴＦＴ１１２等の形成過程において、該不純物が拡散することを防止する機能を果たしている。なお、以下の記載において、対向基板１１側の方向を「上面」、「上方」若しくは「上側」と称する。

接続領域２６における下地保護膜６０の上面には、陰極配線２２が形成されており、発光領域１００における下地保護膜６０の上面には、駆動用ＴＦＴ１１２が規則的に形成されている。駆動用ＴＦＴ１１２は、ポリ（多結晶）シリコンからなる半導体層７１とゲート絶縁膜７９とゲート電極７５とで構成されている。ゲート電極７５はＡｌ（アルミニウム）等からなり、上述の走査線１０２と同一の層をパターニングして形成されている。ゲート絶縁膜７９は、ＳｉＯ_n（酸化シリコン）あるいはＳｉＮ_n（窒化シリコン）あるいはＳｉＯ_mＮ_n（酸窒化シリコン）からなる。

半導体層７１は、ゲート電極７５と対向する部分であるチャネル領域７２と、該チャネル領域の両側の領域であるソース領域７３及びドレイン領域７４と、からなる。駆動用ＴＦＴ１１２の上面には、ＳｉＯ_n等からなる第１の層間絶縁膜６１が形成されている。第１の層間絶縁膜６１の、上述のソース領域７３及びドレイン領域７４と重なる領域には（該第１の層間絶縁膜を選択的に除去して）第１のコンタクトホール６７が形成されている。そして、該第１のコンタクトホールに埋設されるようにソース電極７７及びドレイン電極７８が形成されている。

ソース電極７７及びドレイン電極７８の上面には、ＳｉＯ_n等からなる第２の層間絶縁膜６２が形成されている。そしてドレイン電極７８の上面には、該第２の層間絶縁膜を選択的に除去して第２のコンタクトホール６８が形成されている。そして、平面視で該第２のコンタクトホールの形成領域及びその周囲の若干の領域を除く領域に反射層６３が形成されている。上述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は対向基板１１側に光を射出するトップエミッション型である。反射層６３はＡｌ等の反射性の高い金属で形成されており、後述する発光機能層５４の発光のうち素子基板１０側に向かう光を対向基板１１側に反射させる機能を果たしている。そして該反射層を覆うように、第１電極としての画素電極５２が形成されている。なお、反射層６３の上面にはＳｉＯ_nあるいはＳｉＮ_nからなる保護膜が形成されているが本図では図示を省略している。

画素電極５２はＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の透明導電材料層を、各々の画素４６毎に島状にパターニングして形成されている。そして、第２のコンタクトホール６８を介してドレイン電極７８と接続している。したがって、画素電極５２は駆動用ＴＦＴ１１２と導通し、電源供給線１０６から供給される駆動電流を、後述する発光機能層５４に供給できる。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であるため、画素電極５２をＡｌ等の反射性材料で形成することもできる。かかる構成であれば、上述の反射層６３は不要となる。

画素電極５２の上層には、隔壁３０が形成されている。隔壁３０は、発光領域１００内において画素電極５２が形成されていない領域、及び画素電極５２の外縁部と重なる領域に形成されている。したがって、平面視において、画素電極５２の外縁部には、画素電極５２と隔壁３０とが重なる環状の領域が形成される。画素電極５２がマトリクス状に形成されている場合、隔壁３０は平面視で格子状となる。なお、画素電極はマトリクス状ではなく、例えば千鳥状に形成することもできる。

隔壁３０で囲まれた画素電極５２を底面とする凹部内には発光機能層５４が形成されている。そして、発光機能層５４の上面には、発光領域１００と接続領域２６の全域に渡って陰極５６が形成されている。画素電極５２と発光機能層５４と陰極５６とで、有機ＥＬ素子５０が構成される。すなわち、画素電極５２と発光機能層５４と陰極５６との積層体が有機ＥＬ素子５０である。ただし、本図においては、反射層６３も含めて二点鎖線で囲んで部分を有機ＥＬ素子５０として表示している。

発光機能層５４は、画素電極５２側から順に、画素電極５２から正孔を注入し易くするための正孔注入層と、注入された正孔を発光層へ輸送し易くするための正孔輸送層と、通電によりすなわち正孔と電子の結合により発光する有機ＥＬ層と、陰極５６から注入された電子を有機ＥＬ層へ輸送し易くするための電子輸送層と、陰極５６から電子を注入し易くするための電子注入層と、の計５層が積層されて形成されている。本実施形態においてかかる膜層の形成は、マスク蒸着法すなわち、上述の凹部に相当（対応）する開口部を有するマスクを介して上述の各層の形成材料を素子基板の上面に蒸着させる方法で行われる。

上述の各材料層のうち、有機ＥＬ層は、上述の３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で異なっている。すなわち各々の画素４６の発光色に合せて形成されている。なお、上述の三原色を有機ＥＬ層ではなく、対向基板１１側にカラーフィルターを形成することで得ても良い。かかる構成であれば有機ＥＬ層も３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で共通にできる。また、有機ＥＬ層を３種類の画素４６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で発光色に合せて個別に形成した上で、カラーフィルターを併用しても良い。また、対向基板１１側にカラーフィルターを形成する場合、該カラーフィルター間に光の射出を防ぐ遮光層を形成しても良い。なお、遮光層は隔壁３０の上面に形成することもできる。

上述したように、陰極５６は、マスク成膜法により接続領域２６に至るまで形成されている。また、陰極配線２２は周辺領域（符号無し）から接続領域２６に至るまで形成されている。そして陰極配線２２は、少なくとも接続領域２６においては第１の層としてのゲート絶縁膜７９で覆われている。そして該接続領域において、陰極５６と陰極配線２２とは、ゲート絶縁膜７９を局所的に破壊又は溶融して形成されたコンタクト部２４において電気的に接合されている。そして、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、コンタクト部２４が、陰極５６の形成後に形成されている。より具体的には、素子基板１０と対向基板１１とが貼り合された後に形成されている。

陰極５６の上面には封止層６６が形成されている。そして封止層６６の上面には、該封止層と一部が重なるように発光領域１００を囲む環状のシール材２８が形成されている。シール材２８は、アクリル等の樹脂材料を印刷法でパターニングして形成されている。

封止層６６は、詳しくは電極保護層と緩衝層とガスバリア層との計３層が積層されて構成されている。電極保護層は、ＳｉＯ₂や、Ｓｉ₃Ｎ₄等の透明で、かつ、水分を遮断する機能を有する材質から構成されている。緩衝層は、熱硬化性のエポキシ樹脂等の透明な有機緩衝層である。ガスバリア層は、ＳｉＯ₂や、Ｓｉ₃Ｎ₄等の透明で、かつ、水分を遮断する機能を有する層であり、発光機能層５４への水分等の浸入を防止する機能を有している。シール材２８で囲まれた領域内、すなわちシール材２８と封止層６６とで構成される凹部内には、接着層６５が配置されている。対向基板１１は、シール材２８と接着層６５とで素子基板１０に貼り合されている。

陰極配線２２は、Ａｌ等の金属層（導電性層）をフォトリソグラフィー法でパターニングして形成されている。一方、陰極５６は上述したように、フォトリソグラフィー法に比べてパターニング精度が低いマスク成膜法で形成されている。したがって、陰極５６は形成時（成膜時）に若干の合せずれが発生し得る。したがって、コンタクト部２４が前もって形成されている構成の場合、該コンタクト部は接続領域２６と陰極５６とが確実に重なる領域に形成される必要がある。そのため、上述の合せずれが存在しないと仮定した場合に比べて狭い領域にしかコンタクト部２４を形成することはできない。また、より広い領域にコンタクト部２４を形成しようとする場合には、接続領域２６の面積を増加させる必要がある。

一方、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、コンタクト部２４が、接続領域２６と陰極５６とが重なり合った領域に後から形成されているため、合せずれの存在（発生）にもかかわらず、上述の接続領域２６と陰極５６とが重なり合った領域を有効に利用できる。その結果、合せずれの存在にもかかわらず充分なコンタクト部２４を形成でき、表示品質等を向上できる。また、コンタクト部２４が形成される領域を同等とする場合において、接続領域の面積の縮小で有機ＥＬ装置全体を小型化できる。

また、陰極５６と陰極配線２２との電気的な接続を安定化できるという効果も得ることができる。コンタクト部の形成をフォトリソグラフィー法で行うと、陰極配線の表面に酸化膜等の導通を妨げる膜層が形成されることがあり、安定した電気的な接続を得られない可能性がある。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、上述の接続がレーザー照射で形成されるコンタクト部２４を介して行われるため、陰極５６と陰極配線２２との間の導通を確保でき、有機ＥＬ装置の信頼性を向上できる。

図５は、接続領域２６に対する陰極５６とコンタクト部２４との配置の態様を模式的に示した平面図である。図５（ａ）は、陰極５６が接続領域２６に対して左側にずれた場合すなわち左方向の合せずれが発生した態様を示している。そして図５（ｂ）は、陰極５６が接続領域２６に対して右側にずれた場合すなわち右方向の合せずれが発生した態様を示している。図５（ａ）に示す態様と図５（ｂ）に示す態様の双方とも、合せずれの発生にもかかわらず充分なコンタクト部２４が確保されており接続領域２６と陰極５６とが重なり合った領域が有効に利用されている。したがって、表示品質の向上と、接続領域２６の小面積化による有機ＥＬ装置全体の小型化との内の少なくとも一方が実現されている。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図６は、本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２の模式断面図である。図６は上述の図４に相当する図であり、接続領域２６と該接続領域の周辺の一部の断面を拡大して示す模式断面図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と類似した構成を有しており、回路構成及び平面的な構成は略同一である。そこで、上述の図２及び図３に相当する図は省略して、模式断面図のみを図示する。また、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１の構成要素と共通する構成要素については同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。

本実施形態の有機ＥＬ装置２は、上述の有機ＥＬ装置１と同様に、レーザー照射によって形成されたコンタクト部２４を介して陰極５６と陰極配線２２との接続がなされている。ただし、レーザー照射によって絶縁が破壊される膜層が発光機能層５４である点で、上記の第１の実施形態の有機ＥＬ装置１とは異なっている。図示するように、有機ＥＬ装置２の陰極配線２２はゲート絶縁膜７９の上層に形成されている。そして有機ＥＬ装置２は、接続領域２６にダミー画素９０を有している。

ダミー画素９０は、隔壁３０等で形成された凹部と該凹部内に形成された発光機能層５４とからなる。ダミー画素９０は、駆動用ＴＦＴ１１２等を有していないため、発光を射出することはない。有機ＥＬ装置２では、第１の層間絶縁膜６１及び第２の層間絶縁膜６２も接続領域２６に至るまで形成されている。そして、隔壁３０と略同一の平面視形状となるようにパターニングされ、上述の凹部の一部として機能している。

ダミー画素９０は、従来の有機ＥＬ装置においても、一般的に備えられている例が多い。かかるダミー画素９０は、発光機能層５４の形成（成膜）時に、層厚等の均一性を向上させる機能を果たしている。基板上に膜層を形成する場合、一般に外側の領域では層厚等のばらつきが増大する傾向がある。発光領域１００の外側にダミー画素９０を形成して、該ダミー画素の領域にも発光機能層を形成することで、発光領域１００内の該発光機能層の層厚の均一性を向上できる。本実施形態の有機ＥＬ装置２は、ダミー画素９０を陰極配線２２上に形成して該ダミー画素内にコンタクト部２４を形成している。

図６に示すように、ダミー画素９０が形成される領域の少なくとも一部は陰極配線２２と重なっている。そして、該領域においては陰極配線２２が露出するように第１の層間絶縁膜６１と第２の層間絶縁膜６２も選択的に除去されている。そして画素電極５２と反射層６３は発光領域１００内の画素４６と同様に形成されている。ただし、画素４６において反射層６３を覆うように形成されていた図示しない保護膜は、ダミー画素９０では形成されていない。

ダミー画素９０の、画素電極５２を底部とする凹部内には画素４６と同様に発光機能層５４が形成されており、陰極５６は該ダミー画素が形成されている領域まで形成されている。そして、陰極配線２２と陰極５６とが反射層６３及び画素電極５２を介して積層されている領域の一部において、発光機能層５４がレーザー照射により溶融等されてコンタクト部２４が形成されている。上記したように反射層６３は導電性の高いＡｌからなり、画素電極５２も導電性を有するＩＴＯで形成されている。したがって、かかるコンタクト部２４により、陰極配線２２と陰極５６とは、（反射層６３と画素電極５２を介して）導通が確保される。

本実施形態の有機ＥＬ装置２は、コンタクト部２４が、接続領域２６に形成されたダミー画素９０内に形成されていることに特徴がある。上述したようにダミー画素９０は発光領域１００内における発光機能層５４の層厚均一性を向上させる機能を果たしており、発光領域１００の周囲の領域である接続領域２６内に形成されている。有機ＥＬ装置２は、かかるダミー画素９０内にコンタクト部２４が形成されているため、発光機能層５４の層厚均一性を向上しつつ、陰極配線２２と陰極５６との接続に要する面積を縮小できる。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、小型化と表示品質の向上とが両立されている。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。図７は、本発明の第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置３の模式断面図である。図７は、上述の図６に相当する図であり、接続領域２６と該接続領域の周辺の一部の断面を拡大して示す模式断面図である。本実施形態の説明においても、上述の第２の実施形態と同様に模式断面図のみを図示している。そして、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１の構成要素と共通する構成要素については同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。

本実施形態の有機ＥＬ装置３は、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置（１，２）と同様に、レーザー照射によって形成されたコンタクト部２４を介して陰極５６と陰極配線２２との接続がなされている。ただし、レーザー照射によって絶縁が破壊される膜層が第１の層間絶縁膜６１である点で、上述有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２とは異なっている。有機ＥＬ装置３においては、陰極配線２２が第２の実施形態の有機ＥＬ装置２と同様にゲート絶縁膜７９の上層に形成されており、第１の層間絶縁膜６１が接続領域２６に至るまで形成されている。コンタクト部２４は、陰極配線２２と陰極５６が第１の層間絶縁膜６１を介して重なり合った部分をレーザーで照射して形成されている。したがって、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同様に接続領域２６を縮小でき、発光領域１００の面積を同一とした場合において、有機ＥＬ装置全体を小型化できる。

また、本実施形態の有機ＥＬ装置３は、有機ＥＬ装置２と同様に、陰極配線２２がゲート絶縁膜７９の上層に形成されている。したがって、陰極配線２２を走査線１０２（図２参照）と同一の層にできる。すなわち同一の層をパターニングして、陰極配線２２と走査線１０２を同時に形成できる。したがって、成膜工程の回数等を増加させることなくコンタクト部２４を形成でき、製造コストの増加を抑制しつつ有機ＥＬ装置全体を小型化できる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態として、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図８（ａ）〜図８（ｄ）は本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。以下、工程順に説明する。

まず、図８（ａ）に示すように、第１の工程として素子基板１０上の発光領域１００に隣接する領域である接続領域２６に、第２電極配線としての陰極配線２２を、該接続領域を囲む周辺領域（符号無し）から延在するように形成する。

そして次に第２の工程として、陰極配線２２を覆う第１の層８８を形成する。第１の層８８は有機ＥＬ装置の構成要素の何れかであり、該構成要素が接続領域２６を超えて周辺領域に至るまで成膜されたものである。上述したように、ゲート絶縁膜７９、発光機能層５４等を用いることができる。

次に、図８（ｂ）に示すように、第３の工程として、第２電極としての陰極５６を発光領域１００と接続領域２６とを覆うように形成する。本工程は、成膜マスク９３を素子基板１０上に被せてＡｌ等の導電材料粒子を堆積させるマスク成膜法により行う。陰極５６は、素子基板１０側から順に画素電極５２（図４等参照）と発光機能層５４（図４等参照）と陰極５６とが積層されてなる有機ＥＬ素子５０（図４等参照）の最上層である。したがって、陰極５６が形成されることで、発光領域１００内に有機ＥＬ素子５０が形成される。

次に、図８（ｃ）に示すように、陰極５６上に封止層６６と接着層６５を形成する。そして、接着層６５により対向基板１１を貼り合せる。

次に、図８（ｄ）に示すように、第４の工程として陰極配線２２と陰極５６が平面視で重なる領域にレーザー９５を照射して、該領域における第１の層８８を除去する。かかる第１の層８８が局所的に除去された部分（領域）が、コンタクト部２４である。レーザー９５は波長１０６４μｍのＹＡＧレーザーを用いることが好ましい。照射時間は１〜１００ｍｓｅｃ、照射面積は１μｍ²〜１００００μｍ²が好ましい。なお、本図ではレーザー９５を対向基板１１側から照射するように示しているが、素子基板１０側から照射することも可能である。また対向基板１１側と素子基板１０側の双方から同一の領域に対して照射することもできる。

以上の工程により、陰極配線２２と陰極５６の導通すなわち電気的接続を確保するコンタクト部２４が形成される。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法であれば、陰極配線２２と陰極５６とが重なった領域を狙ってレーザー９５を照射できるため、陰極５６が陰極配線２２に対してずれて成膜された場合であっても充分なコンタクト部２４を形成できる。したがって、あらかじめコンタクトホールを形成する製造方法に比べて接続領域２６が占める面積が相対的に縮小された、有機ＥＬ装置すなわち小型化された有機ＥＬ装置を、表示品質等を損なうことなく得ることができる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。上述の第１〜第４の実施形態は、画像表示装置として用いられる有機ＥＬ装置を例に説明している。しかし本発明の実施の形態は画像表示装置に限定されるものではなく、照明装置（有機ＥＬ照明装置）の構成要素としても実現可能である。本実施形態では照明装置の構成要素として用いられる有機ＥＬパネルを例に説明する。図９は、本発明の第５の実施形態にかかる、有機ＥＬパネル５を示す図である。図９（ａ）は素子基板１０に形成された陰極配線２２等を示す模式平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ’線における断面を示す模式断面図である。

図９（ａ）に示すように、有機ＥＬパネル５は、平面視で周囲を環状のシール材２８で囲まれている。そして、該シール材で囲まれた領域内には、平板状の第１電極としての陽極８１が形成されている。そして、シール材２８と陽極８１の間には、該陽極を若干の間隔を持って囲むように、一箇所に切れ目を有する枠状の陰極配線２２が形成されている。陽極８１は、かかる切れ目から突き出すように形成（パターニング）された突起部を有している。該突起部は環状のシール材２８の外側まで延在しており、図示しない電源と電気的に接続されている。また陰極配線２２も、該切れ目の近傍においてシール材２８の外側まで延在して図示しない電源と電気的に接続される突起部を有している。

図９（ｂ）に示すように、有機ＥＬパネル５は、素子基板１０側から順に積層された陽極８１と発光機能層５４と第２電極としての陰極５６を有している。そして、陰極５６の上層に充填された接着層６５により対向基板１１と貼り合されている。上述の陰極配線２２は、陽極８１と同一の層に形成されている。陰極配線２２と陽極８１が形成されている層が、第２の層である。
有機ＥＬパネル５は対向基板１１側に光を照射する発光装置であるため、陰極５６は透明導電材料であるＩＴＯで形成されている。そして、陽極８１と陰極配線２２は透明性を必要としないため、導電性の高いＡｌで形成されている。

後述するように、陰極５６は陰極配線２２と電気的に接続されている。そして上述したように、陰極配線２２は図示しない電源と電気的に接続されている。したがって、陽極８１に電圧が印加されると、該陽極と陰極５６との間に発光機能層５４を介して電流が流れる。そして該電流値に応じた発光が対向基板１１側から射出される。したがって、かかる陽極８１と発光機能層５４と陰極５６の積層体が発光素子として機能している。

発光機能層５４と陰極５６は、シール材２８の内側の全域に形成されている。一方、陽極８１は、上述したように陰極配線２２の内側に形成されている。したがって、有機ＥＬパネル５においては、陽極８１が形成されている領域が光を射出する領域すなわち発光領域である。そして、陽極８１とシール材２８との間の領域、すなわち陰極配線２２が形成されている領域が、発光に寄与しない額縁部である。

上述の陰極５６と陰極配線２２との接続は、上述の額縁部でなされている。具体的には、発光機能層５４を局所的に除去して形成されたコンタクト部２４によって、陰極５６と陰極配線２２とは電気的に接続されている。したがって、コンタクト部２４を微細かつ高精度で形成することで陰極配線２２の幅を狭くすること、そして額縁部の面積を縮小して、有機ＥＬパネル５全体に占める発光領域の比率を増大させることが可能となる。

本実施形態の有機ＥＬパネル５は、コンタクト部２４が上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置のコンタクト部２４と同様に、素子基板１０と対向基板１１とが貼り合された後にレーザーを照射することで形成されている。具体的には、素子基板１０と対向基板１１とのどちらかの側から、陰極配線２２が形成された領域にレーザーを規則的に照射することで形成されている。かかる照射により、発光機能層５４が局所的に溶融又は蒸発してコンタクト部２４が形成され、陰極５６と陰極配線２２とが電気的に接続される。

レーザーは、非常に高い精度かつ小面積に照射可能である。したがって、レーザーの照射により、コンタクト部２４を例えばフォトリソグラフィー法で形成する場合に比べて高い精度で形成できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネル５は、陰極５６と陰極配線２２との電気的接続を損なうことなく、陰極配線２２の幅及び該陰極配線とシール材２８との間隔、そして該陰極配線と陽極８１との間隔を縮小できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネル５は、上述の額縁部の幅（面積）を縮小でき、発光領域の面積を維持しつつパネル形状を縮小できる。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。図１０は本発明の第６の実施形態にかかる、有機ＥＬパネル６を示す図である。図１０（ａ）は素子基板１０に形成された陰極配線２２等を示す模式平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面を示す模式断面図である。

本実施形態の有機ＥＬパネル６は、上述の有機ＥＬパネル５と同様に、シール材２８及び接着層６５を介して貼り合された素子基板１０と対向基板１１の一対の基板で構成されている。そして、シール材２８で囲まれた領域内に第１電極としての陽極８１と発光機能層５４と第２電極としての陰極５６が積層されてなる発光素子が形成されている点でも、有機ＥＬパネル５と共通している。そして、有機ＥＬパネル６は、第１電極及び陰極配線２２の形態が上述の有機ＥＬパネル５と異なっている。

図示するように有機ＥＬパネル６の第１電極は第１の第１電極としての第１陽極８３と第２の第１電極としての第２陽極８４とに分割されている。そして双方の陽極（８３，８４）の間に陰極配線２２が延在している。なお、双方の陽極（８３，８４）と陰極配線２２の夫々の一部は、環状のシール材２８の外側まで延在しており、図示しない電源と電気的に接続されている。

陰極配線２２が双方の基板（１０，１１）の中央を横断するように形成されているため、該陰極配線と陰極５６との接続も、該中央においてなされている。すなわち、陰極配線２２の形成領域に対して上記双方の基板（１０，１１）のどちらか一方の側からレーザーを照射して発光機能層５４を局所的に溶融又は蒸発させて形成されたコンタクト部２４において上述の接続がなされている。

本実施形態の有機ＥＬパネル６は、発光領域（符号なし）の中央を横断する領域で陰極５６と陰極配線２２との接続がなされているため、該発光領域の中央近傍における陰極５６の面抵抗の上昇が抑制される。その結果、該中央近傍において輝度が低下する現象が低減される。したがって本実施形態の有機ＥＬパネル６は、大面積すなわち広い発光領域を有しているにもかかわらず輝度むらが低減されている。

また、陰極５６と陰極配線２２の導通が確実に得られるという効果も有している。段落（００５８）で述べたように、コンタクト部２４をフォトリソグラフィー法で形成すると、陰極配線２２の表面に酸化膜等の導通を妨げる膜層が形成されることがある。本実施形態の有機ＥＬパネル６は、レーザーの照射で形成されたコンタクト部２４において陰極５６と陰極配線２２とが接続されているため、上述の酸化膜等の影響が低減されている。したがって、陰極５６と陰極配線２２とが安定した状態で接続されており、信頼性等が向上している。

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態について説明する。図１１は本発明の第７の実施形態にかかる有機ＥＬパネル７を示す図である。図１１（ａ）は素子基板１０に形成された陰極配線２２等を示す模式平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＣ−Ｃ’線における断面を示す模式断面図である。

本実施形態の有機ＥＬパネル７は、上述の各実施形態の有機ＥＬパネル（５，６）と同様に、シール材２８及び接着層６５を介して貼り合された素子基板１０と対向基板１１の一対の基板で構成されている。そして、シール材２８で囲まれた発光領域内に第１電極としての陽極８１と発光機能層５４と陰極５６が積層されてなる発光素子が形成されている点でも、上述の有機ＥＬパネル（５，６）と共通している。そして、有機ＥＬパネル７は、陽極８１及び陰極配線２２の形態が、上述の有機ＥＬパネル（５，６）と異なっている。

図１１（ａ）に示すように、有機ＥＬパネル７の陽極８１及び陰極配線２２は平面視で櫛歯状にパターニングされている。そして双方の櫛の歯の部分が互いに並行に延在するように配置されている。そのため、有機ＥＬパネル７の陽極８１及び陰極配線２２は、図１１（ｂ）に示すように、同一の面に形成されているにもかかわらず、発光領域の略全域において互いの接触することなく分布している。そして陽極８１と陰極配線２２の双方は一部が環状のシール材２８の外側まで延在しており、図示しない電源と電気的に接続されている。

図示するように、陰極配線２２と陰極５６の間にはレーザーの照射により発光機能層５４を局所的に溶融又は蒸発させて形成されたコンタクト部２４が規則的に形成されている。そのため、発光領域の略全域において、陰極５６と陰極配線２２は電気的に接続されている。上述したように、陰極５６を構成するＩＴＯはＡｌに比べて導電性が低いため、発光領域の中央近傍では外縁部に比べて通電量が不足して発光強度が低下する。すなわち、発光領域内において輝度むらが発生する。しかし本実施形態の有機ＥＬパネル７は、発光領域の略全域にＡｌからなる陰極配線２２が形成されており、かつ該全域において陰極５６が陰極配線２２と接続されているため、陰極５６の抵抗が発光領域内において略均一に保たれている。そのため、有機ＥＬパネルが大面積化された場合であっても、発光領域の全域で輝度むらを有さない略均一の発光を射出できる。

また、コンタクト部２４が、陰極配線２２上にレーザーを照射することで形成されているため、陰極配線２２上とコンタクト部２４との合せずれが殆んど生じていない。したがって、陰極５６との電気的接続を充分に得た上で陰極配線２２の線幅を細くでき、その分陽極８１の線幅を増加できる。したがって、陽極８１の配線抵抗等も低減されており、輝度むらが低減された発光を、消費電力の増加を抑制しつつ射出できる。

（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態について説明する。図１２は本発明の第８の実施形態にかかる有機ＥＬパネル８を示す図である。図１２（ａ）は素子基板１０に形成された陰極配線２２等を示す模式平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＤ−Ｄ’線における断面を示す模式断面図である。そして図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のＥ−Ｅ’線における断面を示す模式断面図である。

本実施形態の有機ＥＬパネル８は、上述の第５〜第７の実施形態の有機ＥＬパネル（５〜７）と同様に、シール材２８及び接着層６５を介して貼り合された素子基板１０と対向基板１１の一対の基板で構成されている。そして、シール材２８で囲まれた発光領域内に第１電極としての陽極８１と発光機能層５４と陰極５６が積層されてなる発光素子が形成されている点でも、上述の第５〜第７の実施形態の有機ＥＬパネル（５〜７）と共通している。

有機ＥＬパネル８の陽極８１は、発光領域内に、互いに所定の間隔が生じるようにマトリクス状にパターニングされた方形の部分と、隣り合う方形の部分を連結する帯状の部分と、が形成されるようにパターニングされている。陰極配線２２は隣り合う陽極８１の間を延在するように形成されている。上述したように陽極８１がマトリクス状にパターニングされているため、陰極配線２２は平面視で格子状となる。そして陽極８１と陰極配線２２の双方は、一部が環状のシール材２８の外側まで延在しており、図示しない電源と電気的に接続されている。

かかる構成により、陰極配線２２と陽極８１のうちの上述の帯状の部分とは、一部の領域において平面視で交差する。図１２（ｂ）に示すように、有機ＥＬパネル８は、かかる領域に局所的に第４の層間絶縁膜８６が形成されており、陰極配線２２と陽極８１との電気的な絶縁が確保されている。そして、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示すように、陰極配線２２と陰極５６の間にはレーザーの照射により発光機能層５４を局所的に溶融又は蒸発させて形成されたコンタクト部２４が規則的に形成されている。そのため、発光領域内における格子状の領域において、陰極５６と陰極配線２２は電気的に接続されている。したがって、有機ＥＬパネル８は、陰極５６がＩＴＯで形成されているにもかかわらず発光領域の全域において面抵抗が低減されており、上述の有機ＥＬパネル（５〜７）と同様に、輝度むらが低減されている。

本実施形態の有機ＥＬパネル８は、陰極配線２２及びコンタクト部２４が発光領域内に比較的均一に形成されている点で上述の有機ＥＬパネル７と共通している。しかし、陽極８１が略方形である点で、有機ＥＬパネル７と相違している。陽極８１が略方形であるため、発光領域内に線状の輝度むらが生じることが低減されている。そのため、例えば照明装置の部品として用いた場合においても高品質の発光を得ることができる。

（第９の実施形態）
次に、第９の実施形態について説明する。図１３は本発明の第９の実施形態にかかる有機ＥＬパネル９を示す図である。図１３（ａ）は素子基板１０に形成された陰極配線２２等を示す模式平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＦ−Ｆ’線における断面を示す模式断面図である。

本実施形態の有機ＥＬパネル９は、上述の第５〜第８の実施形態の有機ＥＬパネル（５〜８）と同様に、シール材２８及び接着層６５を介して貼り合された素子基板１０と対向基板１１の一対の基板で構成されている。そして、シール材２８で囲まれた発光領域内に第１電極としての陽極８１と発光機能層５４と陰極５６が積層されてなる発光素子が形成されている点でも、上述の有機ＥＬパネル（５，６）と共通している。陰極５６が、別途形成された陰極配線２２に接続されている点でも、上述の有機ＥＬパネル（５〜８）と共通している。そして陰極配線２２が、陽極８１が形成されている層とは別の層に形成されている点で、上述の有機ＥＬパネル（５〜８）と相違している。

図示するように、本実施形態の有機ＥＬパネル９の陰極配線２２は、素子基板１０上の略全面に形成されている。そして、層間絶縁膜としての第３の層間絶縁膜８５で覆われている。そして陽極８１は、第３の層間絶縁膜８５上に形成されたＡｌ等からなる導電体層をパターニングして形成されている。

陽極８１は、図１３（ａ）に示すように規則的に開口領域８７が形成されている。すなわち上述のパターニングは上述の導電体層をエッチングして該導電体層を局所的に除去するように行われている。なお、開口領域８７は平面視で略円形であるが、方形等の他の形状でも良い。そして開口領域８７内、すなわち平面視で導電体層が除去された領域内には、コンタクト部２４が形成されている。

コンタクト部２４は、上述の有機ＥＬパネル（５〜８）における該コンタクト部と同様の方法で形成されている。すなわち、素子基板１０と対向基板１１とを貼り合せた後、どちらかの基板（１０，１１）側からレーザーを照射して形成されている。ここで、本実施形態の有機ＥＬパネル９は第３の層間絶縁膜８５を有しているため、コンタクト部２４は該第３の層間絶縁膜も貫通する必要がある。したがって、上述のレーザーの照射は、発光機能層５４と第３の層間絶縁膜８５とを局所的に溶融又は蒸発させて、陰極配線２２と陰極５６との導通が得られるような強度で行われる。

本実施形態の有機ＥＬパネル９は、陰極配線２２が素子基板１０上の略全面に形成されている点で、上述の第５〜第８の実施形態の有機ＥＬパネル（５〜８）と異なっている。かかる構成により、該陰極配線に接続される陰極５６の面抵抗を極めて低くできる。さらに、陽極８１も開口領域８７を除き素子基板１０上の略全面に形成できるため、発光領域内においてコンタクト部２４を比較的均一に分布させることができる。したがって、発光領域内における輝度むら等の発生をより一層低減できる。

なお、本実施形態の有機ＥＬパネル９は、開口領域８７が陽極８１上にすなわち発光領域の全域において規則的に形成されている。しかし、陰極配線２２を陽極８１が形成されている層とは別の層に形成するという構成を維持しつつ、開口領域８７を陽極８１の周囲のみに形成する態様も可能である。具体的には、平面視において図９に示す第５の実施形態の有機ＥＬパネル５におけるコンタクト部２４の形成位置と類似する位置にのみ開口領域８７を形成して、該開口領域内にコンタクト部２４を形成する態様である。

そのような態様の有機ＥＬパネルであれば、発光領域にコンタクト部２４を形成しないため、有機ＥＬパネル５と同様に全域から光を射出させることができる。一方で陰極配線２２は素子基板１０の略全面に形成されているため陰極５６の面抵抗は充分に低減できる。したがって、第５の実施形態の有機ＥＬパネル５の長所と第９の実施形態の有機ＥＬパネル９の長所を併せ持つこととなり、例えば照明装置の部品として用いた場合においても高品質の発光を得ることができる。

本発明の実施の形態は、上述の各実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
図１４（ａ）は、変形例１にかかる有機ＥＬパネル１５を示す模式平面図である。有機ＥＬパネル１５は、素子基板１０上の略全面に陽極８１が形成されている点で、上述の有機ＥＬパネル９と共通している。そして、陰極配線２２が全面ではなく局所的に形成されている点で、有機ＥＬパネル９と相違している。図示するように、有機ＥＬパネル１５の陰極配線２２は、陽極８１に形成された開口領域８７内に平面視で収まるようにパターニングされている。そして、図示しない配線で互いに接続されており、さらに該配線により図示しない電源と接続されている。なお、本図、及び後述する図１４（ｂ）では、コンタクト部２４の図示を省略している。

本実施形態の有機ＥＬパネル１５は、陽極８１を広く形成できるという効果を有している。局所的に形成された陰極配線２２以外の領域の略全てに陽極８１を形成できるため、発光領域内において実際に光が射出される領域を増加させることができる。また、本実施形態の有機ＥＬパネル１５は、陰極配線２２を任意の位置に形成できるという効果も有している。そのため、例えば発光領域が広い場合に中央部に陰極配線２２を形成して、周辺部の照度を向上させることもできる。

（変形例２）
図１４（ｂ）は、変形例２にかかる有機ＥＬパネル１６を示す模式平面図である。有機ＥＬパネル１６は、発光領域の中央を横断する陰極配線２２で分割されるようにパターニングされた２つの陽極８１を有している点で、図１０に示す第６の実施形態の有機ＥＬパネル６と共通している。そして、陰極配線２２が発光領域の外縁部に形成されており、平面視で陽極８１を囲んでいる点で、有機ＥＬパネル６と相違している。

本変形例の有機ＥＬパネル１６は、発光領域の周縁部においても陰極５６の面抵抗を低減できるという効果を有している。上述の有機ＥＬパネル６は、陰極５６と陰極配線２２は、発光領域の中央部でのみ接続されているため周縁部では陰極５６の面抵抗が増加する傾向にある。本変形例の有機ＥＬパネル１６は、周縁部においても陰極５６と陰極配線２２とが接続されているため、発光領域内における発光の強度がより一層均一化されている。したがって、照明装置等の部品として用いた場合、品質の向上した照明を得ることができる。

（電子機器）
図１５は、上述の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置１〜３、あるいは第４の実施形態の製造方法で製造された有機ＥＬ装置を部品として組み込んだ電子機器としての携帯電話機１３００の斜視構成図である。携帯電話機１３００は、表示部１３０１、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えている。そして、表示部１３０１には上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置が用いられている。

上述したように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、平面視形状内に占める発光領域１００の比率が向上している。したがって、かかる有機ＥＬ装置を備える携帯電話機１３００は、表示部１３０１の表示品質を損なうことなく小型化が達成されている。

図１６は、上述の第５〜第９の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル５〜９を部品として組み込んだ電子機器としての有機ＥＬ照明装置２００を示す図である。図１６（ａ）は有機ＥＬ照明装置２００の斜視構成図であり、図１６（ｂ）は有機ＥＬ照明装置２００の内部構成図である。

図示するように、有機ＥＬ照明装置２００は、全面に開口部を有する筐体２０１と、該筐体を支える基台２０２と、該筐体内固定されたパネル取り付け基台２０３と、上述の開口部を覆う前面カバー２０４と、パネル取り付け基台２０３に配置された有機ＥＬパネル２０５と、を有している。そして有機ＥＬパネル２０５には、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬパネル５〜９が用いられている。

パネル取り付け基台２０３は電源コード２０６により商用電源（不図示）から電力の供給を受けることができる。そして該パネル取り付け基台は変圧機構及び整流機構等を内蔵しており、商用の１００Ｖの交流電力を低圧の直量電力に変換できる。有機ＥＬパネル２０５はパネル取り付け基台２０３と電気的に接続されており、上述の陽極８１と陰極５６との間に直流電圧を印加できる。したがって、有機ＥＬ照明装置２００の使用者は、図示しないスイッチを操作することで、有機ＥＬパネル２０５を点灯させることができる。

上述したように、有機ＥＬパネル２０５は、上述の第５〜第９の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル（５〜９）の何れかである。そして上述の有機ＥＬパネルは、陰極配線２２により陰極５６の面抵抗が低減かつ均一化されているため、発光強度のばらつきが低減されている。したがって、有機ＥＬ照明装置２００は品質の向上した照明を供給できる。また特に、有機ＥＬパネル２０５として第５の実施形態にかかる額縁面積が縮小された有機ＥＬパネル５を用いた場合、開口部の面積を相対的に増大させることができ、有機ＥＬ照明装置２００全体を小型化できる。

図１７は、上述の第１〜第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１〜３あるいは第４の実施形態の製造方法で製造された有機ＥＬ装置を部品として組み込んだ電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（以下、「ＨＭＤ」と称する。）４００を示す図である。なお、上述の有機ＥＬ装置１〜３を、本図では有機ＥＬ装置４１０として図示している。

図１７（ａ）は模式斜視図であり、図１７（ｂ）は内部構成図である。ＨＭＤ４００は図１７（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置等を内蔵する筐体４０２とフレーム４０４とを有しており、人の頭部４５０に装着可能である。両眼の夫々に対応する位置（領域）に開口部４０６を備えている。ＨＭＤ４００の使用者は、該開口部を通して外部を視認できると共に、後述する光学系の切り替えにより筐体４０２に内蔵される有機ＥＬ装置４１０に形成される画像を視認することもできる。

図１７（ｂ）に示すように、筐体４０２内にはパネル取り付け基板４０８、及び該パネル取り付け基板の両面に配置された有機ＥＬ装置４１０が配置されている。そして、パネル取り付け基板４０８の両側には、凸レンズ４１２と反射ミラー４１４とを備えた光路系が、左右夫々の眼４１８に対応するように配置されている。反射ミラー４１４は、一方の端に回転軸４１６を有し、該回転軸を中心に所定の範囲内で回転可能である。反射ミラー４１４が実線で示された位置にあるときは、使用者は、有機ＥＬ装置４１０に形成された画像を該反射ミラー及び凸レンズ４１２を介して視認できる。そして、反射ミラー４１４が破線で示された位置にあるときは、使用者は、開口部４０６により外部を視認できる。

上述したように、有機ＥＬ装置４１０として用いられる有機ＥＬ装置１〜４は、陰極５６と陰極配線２２との接続がレーザーにより形成されるコンタクト部２４を介してなされているため額縁面積が縮小されており、全体に小型化されている。したがって、ＨＭＤ４００は、従来の有機ＥＬ装置を内蔵するＨＭＤに比べて小型化及び軽量化がなされており、装着感等が向上している。

１…第１の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬ装置、２…第２の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬ装置、３…第３の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬ装置、５…第５の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル、６…第６の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル、７…第７の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル、８…第８の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル、９…第９の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬパネル、１０…素子基板、１１…対向基板、１５…変形例１にかかる有機ＥＬパネル、１６…変形例２にかかる有機ＥＬパネル、２２…第２電極配線としての陰極配線、２４…コンタクト部、２６…接続領域、２８…シール材、３０…隔壁、４６…画素、４６Ｂ…青色画素、４６Ｇ…緑色画素、４６Ｒ…赤色画素、５０…発光素子としての有機ＥＬ素子、５２…第１電極としての画素電極、５４…発光機能層、５６…第２電極としての陰極、６０…下地保護膜、６１…第１の層間絶縁膜、６２…第２の層間絶縁膜、６３…反射層、６５…接着層、６６…封止層、６７…第１のコンタクトホール、６８…第２のコンタクトホール、７１…半導体層、７２…チャネル領域、７３…ソース領域、７４…ドレイン領域、７５…ゲート電極、７７…ソース電極、７８…ドレイン電極、７９…ゲート絶縁膜、８１…第１電極としての陽極、８３…第１の第１電極としての第１陽極、８４…第２の第１電極としての第２陽極、８５…第３の層間絶縁膜、８６…第４の層間絶縁膜、８７…開口領域、８８…第１の層、９０…ダミー画素、９３…成膜マスク、９５…レーザー、１００…発光領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１２２…Ｙ側駆動回路部、１３０…信号線駆動回路、１３２…Ｘ側駆動回路部、１４０…同期信号線、１５０…実装端子、２００…有機ＥＬ照明装置、２０１…筐体、２０２…基台、２０３…パネル取り付け基台、２０４…前面カバー、２０５…有機ＥＬパネル、２０６…電源コード、３００…配線基材、４００…ヘッドマウントディスプレイ、４０２…筐体、４０４…フレーム、４０６…開口部、４０８…パネル取り付け基板、４１０…有機ＥＬ装置、４１２…凸レンズ、４１４…反射ミラー、４１６…回転軸、４１８…眼、４５０…頭部、１３００…電子機器としての携帯電話機、１３０１…表示部、１３０２…操作ボタン、１３０３…受話口、１３０４…送話口。

Claims (9)

1. 基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光機能層と、を有する発光素子を備える発光領域と、
   前記第２電極と電気的に接続された第２電極配線を備える前記発光領域の外側の接続領域と、を有する発光装置の製造方法であって、
   前記基板上に前記第２電極配線を形成する第１の工程と、
   前記第２電極配線の少なくとも一部を覆うように第１の層を形成する第２の工程と、
   前記第２電極配線と前記第１の層とが積層された領域の少なくとも一部を覆うように前記第２電極を形成する第３の工程と、
   前記第２電極配線と前記第１の層と前記第２電極とが積層された領域にレーザーを照射して前記第１の層の少なくとも一部を除去する第４の工程と、
   を順に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記第３の工程において、前記第２電極は、マスク成膜法により形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 基板上に、発光領域と、前記発光領域の外側に設けられた接続領域と、を備える発光装置であって、
   前記発光領域には、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光機能層と、を有する発光素子を有し、
   前記接続領域には、前記第２電極と電気的に接続された第２電極配線が設けられ、
   前記第２電極は、前記発光領域及び前記接続領域に形成されており、
   前記接続領域の少なくとも一部には、前記第２電極と前記第２電極配線との間に、第１の層が設けられており、
   前記第２電極と前記第２電極配線とは、前記第１の層の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成されたコンタクト部において電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
4. 前記第１の層は、前記発光素子を制御する薄膜トランジスターのゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
5. 前記第１の層は前記発光機能層であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光機能層と、を有する発光素子と、
   平面視において、前記第１電極が形成されていない領域に、前記第２電極と電気的に接続された第２電極配線と、を有し、
   前記第２電極と前記第２電極配線は、前記発光機能層の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成されたコンタクト部において電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
7. 前記第１電極と前記第２電極配線とは、第２の層に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
8. 前記第１電極は、第１の第１電極と、第２の第１電極と、を有し、
   平面視において、前記第２電極配線とは、前記第１の第１電極と、前記第２の第１電極との間に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 前記第１電極と前記第２電極配線との間には、層間絶縁膜が設けられ、
   前記第２電極と前記第２電極配線とは、前記発光機能層及び前記層間絶縁膜の少なくとも一部に設けられたレーザーの照射により形成された前記コンタクト部において電気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。

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