JP2020194673A - 表示装置、その製造方法および電気装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】画素の高密度化および画像の高品質化の双方を比較的簡素な構成で実現する。【解決手段】本発明の一側面は表示装置に係り、前記表示装置は、其々が有機発光素子を含む複数の画素が画素領域に配列された表示装置であって、前記複数の画素に対応するように基板上に配列された複数の下部電極と、前記基板の上面と前記複数の下部電極の少なくとも側面とを被覆して前記複数の下部電極を互いに電気分離する第１絶縁層と、前記複数の下部電極と前記第１絶縁層とを覆うように前記画素領域に亘って設けられた有機化合物層と、前記有機化合物層を覆うように前記画素領域に亘って設けられた上部電極と、前記有機化合物層の下方かつ前記第１絶縁膜の上方において前記複数の画素の境界に沿うように前記複数の下部電極の間に設けられた画素間電極と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、主に表示装置に関する。
カメラの電子ビューファインダ、テレビのディスプレイ、携帯端末の表示パネル等に用いられる表示装置の中には、画素に有機発光素子が用いられたものがある（特許文献１〜２参照）。このような表示装置は、有機ＥＬディスプレイ等とも称される。例えば、白色光を発生可能な複数の有機発光素子を基板上に配列すると共に、その上方にカラーフィルタ層（例えば赤色、緑色、青色等のカラーフィルタ）を設けることにより、カラー表示可能な表示装置を実現可能となる。
特開２０１２−１５５９５３号公報 特開２０１４−５２５８２号公報
ところで、画素の高密度化を図る場合、互いに隣り合う２つの画素間では電気干渉（クロストーク）が生じることが考えられる。例えば、或る画素を発光させるように駆動したにも関わらず、それに隣接する他の画素が部分的に発光することが考えられる。このことは画像の品質の低下の原因となりうる。
本発明は、画素の高密度化および画像の高品質化の双方を比較的簡素な構成で実現することを例示的目的とする。
本発明の一つの側面は表示装置にかかり、前記表示装置は、其々が有機発光素子を含む複数の画素が画素領域に配列された表示装置であって、前記複数の画素に対応するように基板上に配列された複数の下部電極と、前記基板の上面と前記複数の下部電極の少なくとも側面とを被覆して前記複数の下部電極を互いに電気分離する第１絶縁層と、前記複数の下部電極と前記第１絶縁層とを覆うように前記画素領域に亘って設けられた有機化合物層と、前記有機化合物層を覆うように前記画素領域に亘って設けられた上部電極と、前記有機化合物層の下方かつ前記第１絶縁膜の上方において前記複数の画素の境界に沿うように前記複数の下部電極の間に設けられた画素間電極と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、画素の高密度化および画像の高品質化の双方を実現可能となる。
表示装置の構成例を説明するための図である。 画素構造の一例を説明するための模式図である。 表示装置の製造方法の一例を説明するための模式図である。 画素構造の参考例を説明するための模式図である。 画素構造の平面レイアウトを説明するための模式図である。 画素構造の他の例を説明するための模式図である。 画素構造の他の例を説明するための模式図である。 画素構造の他の例を説明するための模式図である。 表示装置の適用例を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
（第１実施形態）
‐表示装置の構成例
図１（Ａ）は、第１実施形態に係る表示装置１の構成の一例を示す。表示装置１は、本実施形態では有機ＥＬディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ‐Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）とし、画素アレイ２、走査信号ドライバ３、情報信号ドライバ４、及び、電圧供給部５を備える。
画素アレイ２は、行列状に（複数の行および複数の列を形成するように）配列された複数の画素２１１〜２１３を含む。詳細については後述とするが、画素２１１は赤色光を発生可能に構成され、画素２１２は緑色光を発生可能に構成され、また、画素２１３は青色光を発生可能に構成される。画素２１１、２１２及び２１３は、それぞれ、赤画素、緑画素および青画素とも表現可能である。複数の画素２１１〜２１３は、画素２１１〜２１３の３つを一つの単位として配列され、それらの発光光を組み合わせることにより、及び、それらの光量を調節することにより、多様な色の光を出射可能とする。この観点で、画素２１１〜２１３の３つを纏めて「画素２１」と表現し、画素２１１〜２１３を「副画素２１１〜２１３」と表現してもよい。以下の説明において、画素２１１〜２１３は、これらを特に区別しない場合には「画素２１１等」と表現されうる。
走査信号ドライバ３は、各行に設けられた信号線を介して画素２１１等に行毎に走査信号ＳＩＧ３を供給する。情報信号ドライバ４は、各列に設けられた信号線を介して画素２１１等に列毎に情報信号ＳＩＧ４を供給する。電圧供給部５は画素２１１等に所定電圧（例えば接地電圧等の基準電圧）を供給する。このような構成により、画素アレイ２は、画素毎に個別に駆動可能となっている。走査信号ドライバ３、情報信号ドライバ４および電圧供給部５は何れも画素アレイ２を駆動するための駆動部に対応する。
図１（Ｂ１）は、画素２１１の構成の一例を示す。画素２１１は、有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ（ＯＬＥＤ））Ｅ１、及び、トランジスタＴ１を有する。詳細については後述とするが、有機発光素子Ｅ１は、電圧が加えられたことに応じて発光する有機化合物層により形成される。トランジスタＴ１には、ＭＯＳトランジスタ、薄膜トランジスタ等の公知のスイッチ素子が用いられればよい。本実施形態では、トランジスタＴ１は、ソース端子で有機発光素子Ｅ１のアノード（陽極）に接続され、また、ゲート端子で走査信号ＳＩＧ３を受け、ドレイン端子で情報信号ＳＩＧ４を受ける。有機発光素子Ｅ１のカソード（陰極）は電圧供給部５により接地される。
このような構成において、画素２１１は、走査信号ドライバ３から活性化レベルの走査信号ＳＩＧ３を受けて選択された際に情報信号ドライバ４から活性化レベルの情報信号ＳＩＧ４を受け取ったことに応じて駆動され、それにより有機発光素子Ｅ１が発光する。一例として、トランジスタＴ１がＮチャネル型トランジスタの場合、走査信号ＳＩＧ３および情報信号ＳＩＧ４の双方がハイレベルのとき、トランジスタＴ１が導通状態となり、有機発光素子Ｅ１が駆動されて発光することとなる。有機発光素子Ｅ１の発光光の光量は情報信号ＳＩＧ４の信号値に従うこととなる。また、ここでは画素２１１の構成を例示したが、他の画素２１２及び２１３についても同様である。
尚、上記画素２１１等は、上記図１（Ｂ１）とは異なる論理レベルで駆動可能に構成されてもよい。例えば、有機発光素子Ｅ１は、アノードが電源電圧に固定され且つカソードがトランジスタＴ１に接続されるように設けられてもよい。
詳細については後述とするが、画素２１１、２１２及び２１３には、有機発光素子Ｅ１を覆うように、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタがそれぞれ設けられる。本実施形態では有機発光素子Ｅ１は白色光を発生するものとし、有機発光素子Ｅ１が発光すると、画素２１１、２１２及び２１３のそれぞれから、カラーフィルタに対応した色の光が出射されることとなる。
上記図１（Ｂ１）の例では説明の容易化のため、単一のトランジスタＴ１を有する画素２１１の構成を例示したが、この例に限られるものではない。例えば、図１（Ｂ２）の画素２１１’に示されるように、トランジスタＴ１の代わりにトランジスタＴ２及びＴ３が用いられてもよい。この例では、トランジスタＴ２は、ソース端子でトランジスタＴ３のゲート端子に接続され、また、ゲート端子で走査信号ＳＩＧ３を受け、ドレイン端子で情報信号ＳＩＧ４を受ける。また、トランジスタＴ３は、電源電位と接地電位との間に有機発光素子Ｅ１と直列に接続されて配置される。このような構成によっても上記画素２１１同様の機能を実現可能であり、また、他の画素２１２〜２１３についても同様のことが云える。
‐画素アレイの構造例
図２は、上述の画素アレイ２を実現する構造（以下、単に「画素構造」という。）ＳＴ１を示す断面模式図である。画素構造ＳＴ１は、基板２２０上の画素領域に前述の画素２１１等が配列されて成る。画素領域は、典型的には基板２２０の中央部に形成され、その周辺部は、画素アレイ２を、走査信号ドライバ３、情報信号ドライバ４または電圧供給部５に電気接続するための接続領域として用いられる。基板２２０には、画素アレイ２の構成要素を公知の製造プロセスにより形成可能な所定の板材、例えばシリコン基板、ガラス基板等、が用いられればよい。画素構造ＳＴ１は、複数の下部電極２３１、有機化合物層２３２、上部電極２３３、絶縁層２４１及び２４２、画素間電極２４３、封止層２５１、平坦化層２５２、並びに、カラーフィルタ層２５３を備える。
複数の下部電極２３１は、基板２２０上に行列状に配列され、複数の画素２１１等にそれぞれ対応して設けられる。個々の下部電極２３１は、図１（Ｂ１）を参照しながら述べた有機発光素子Ｅ１のアノードに対応する。詳細については後述とするが、互いに隣り合う下部電極２３１間には、絶縁層２４１及び２４２、並びに、画素間電極２４３が設けられる。
有機化合物層２３２は、複数の下部電極２３１、絶縁層２４１及び２４２、並びに、画素間電極２４３を覆うように設けられ、上記画素領域に亘って延在する。有機化合物層２３２は、電圧が加えられたことに応じて発光可能に構成され、詳細な説明については省略とするが、例えば発光層（再結合層）、電荷注入層、電荷輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等、少なくとも部分的に有機材料で構成された層が積層されて成る。
上部電極２３３は、有機化合物層２３２を覆うように設けられ、有機化合物層２３２同様に上記画素領域に亘って延在する。上部電極２３３は、図１（Ｂ１）を参照しながら述べた有機発光素子Ｅ１のカソードに対応する。
第１絶縁層２４１は、互いに隣り合う下部電極２３１間において基板２２０の上面を被覆すると共に個々の下部電極２３１の側面と上面の周縁部とを被覆するように設けられる。このような絶縁層２４１は、その上面において、互いに隣り合う下部電極２３１間で凹形状を形成しており、画素間電極２４３は、この凹形状を埋めるように設けられる。第２絶縁層２４２は、絶縁層２４１および画素間電極２４３の上に設けられる。
即ち、画素間電極２４３は、有機化合物層２３２の下方かつ複数の下部電極２３１の間において複数の画素２１１等を区画するように設けられ、換言すると、画素境界に沿って延設される。画素間電極２４３は、画素境界電極（或いは単に境界電極）等と表現されてもよい。絶縁層２４１は、基板２２０の上面と複数の下部電極２３１の側面とを被覆して複数の下部電極２３１を互いに電気分離する共に、画素間電極２４３の側面および下面を覆って基板２２０および複数の下部電極２３１から画素間電極２４３を電気的に絶縁する。絶縁層２４２は、画素間電極２４３の上面を覆うように絶縁層２４１の上に設けられ、有機化合物層２３２から画素間電極２４３を電気的に絶縁する。絶縁層２４１及び２４２は、画素間電極２４３を取り囲む絶縁部材ＯＸ１１に対応し、これにより、画素間電極２４３は複数の下部電極２３１から電気的に独立している。
ここで、画素間電極２４３は、図５（Ａ）に示すように、下部電極２３１の周囲に途切れることなく（連続的に／一体に）配置されてもよいし、部分的に途切れて配置されてもよい（離間した部分があってもよい。）。即ち、上述の画素間電極２４３による区画とは、単一の部材が画素境界に沿って連続的に配置された態様、及び、複数の部材が画素境界に沿って断続的に配置された態様、の何れをも含む。尚、下部電極２３１が途切れることなく配置された構成においては後述の電界ＥＦ１の効果が広範囲に及ぶため好ましい。
個々の詳細については後述とするが、このような構造により、画素間電極２４３の上面は複数の下部電極２３１の其々の上面よりも上方に位置しており、付随的に、画素間電極２４３の下面は複数の下部電極２３１の其々の下面よりも上方に位置している。また、本実施形態においては、画素間電極２４３の側面は傾斜しており、画素間電極２４３の上面は底面よりも幅広になっている。絶縁層２４１及び２４２で形成される絶縁部材ＯＸ１１は、下部電極２３１上面よりも上方において傾斜面を有しており、それにより、有機化合物層２３２における絶縁部材ＯＸ１１の該傾斜面の直上の部分は比較的肉薄となっている。
封止層２５１は、画素領域および画素領域外の接続領域に亘って上部電極２３３を覆うように設けられ、複数の下部電極２３１、有機化合物層２３２、上部電極２３３、絶縁層２４１及び２４２、画素間電極２４３を封止する。封止層２５１上には平坦化層２５２を介してカラーフィルタ層２５３が設けられる。カラーフィルタ層２５３は、赤色フィルタ２５３１、緑色フィルタ２５３２および青色フィルタ２５３３を含み、これらはそれぞれ画素２１１、２１２及び２１３に対応するように設けられる。
画素構造ＳＴ１を構成する上述の各要素には、その機能を適切に実現可能かつ公知の製造プロセスで形成可能な材料が用いられればよい。
下部電極２３１には、有機発光素子Ｅ１の発光光に対する反射率の高い導電材料、好適には反射率８０％以上となる金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等、が用いられうる。或いは、それ／それらの合金として、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）等が添加されたものが用いられてもよい。付随的に、下部電極２３１には、例えばチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）等のバリアメタルが用いられてもよい。
絶縁層２４１及び２４２には、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等の絶縁材料が用いられうる。詳細については後述とするが、絶縁層２４１及び２４２には、互いに異なる絶縁材料が用いられてもよく、例えば絶縁層２４２の屈折率が絶縁層２４１の屈折率より高くなるように材料が選択されてもよい。
画素間電極２４３には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）等の導電材料が用いられうる。或いは、それ／それらの合金として、シリコン（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）等が添加されたものが用いられてもよい。付随的に、下部電極２３１には、例えばチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）等のバリアメタルが用いられてもよい。
上部電極２３３には、光透過性の導電材料、特に有機発光素子Ｅ１の発光光に対する透過率の高い導電材料、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等、が用いられうる。或いは、上部電極２３３は、上記発光光を充分が通過可能な薄膜金属で構成されてもよく、その材料には、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、それ／それらの合金、或いは、アルカリ金属、アルカリ土類金属等を含む合金が用いられうる。
封止層２５１には、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物等、防湿に有利かつ光透過性の絶縁材料が用いられればよい。平坦化層２５２には、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等、その上面にカラーフィルタ層２５３を形成するのに有利かつ光透過性の絶縁材料が用いられればよい。カラーフィルタ層２５３には、例えば光硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等、加工（パターニング）に有利かつ所定波長域の光を通過可能なカラーレジスト、が用いられうる。
このような画素構造ＳＴ１により、画素２１１〜２１３は、それらの発光光を組み合わせることにより、及び、それらの光量を調節することにより、多様な色の光を出射することができる。例えば、画素２１１において下部電極２３１と上部電極２３３との間に駆動電圧を加えることにより（画素２１１を駆動することにより）、有機化合物層２３２のうち下部電極２３１と上部電極２３３との間の部分において白色光が発生する。この白色光は、カラーフィルタ２５３１を通過して赤色光となり、この赤色光が構造ＳＴ１上方に向かって出射されることとなる。同様に、例えば、画素２１２（又は２１３）を駆動することにより、カラーフィルタ２５３２（又は２５３３）を通過した緑色光（又は青色光）が、構造ＳＴ１上方に向かって出射される。各層の厚さは、画素２１１等から出射される光が干渉により強め合うように決められてもよい（特開２０１８−７８０９５号公報参照）。
‐画素間電極の構造について
単位面積あたりの画素２１１等の数量（画素数）は画素密度と表現され、表示装置１により表示される画像の精細度の向上等を目的として、この画素密度を高くすることが考えられる。一方、画素密度を高くすると、互いに隣り合う２つの画素の間、例えば画素２１１及び２１２の間、ではクロストーク等とも称される電気干渉が生じることが考えられる。
電気干渉の一例としては、或る画素（例えば画素２１１）を駆動した際、有機化合物層２３２における対応部分で発生したキャリアの一部が、有機化合物層２３２中を通って隣接画素（例えば画素２１２）にドリフトして流出することが挙げられる。この場合、実質的に、駆動対象（ここでは画素２１１）とは異なる画素（ここでは画素２１２）が部分的に駆動されることとなってしまう。
また、電気干渉の他の例あるいは付随的な影響の一例として、或る画素（例えば画素２１２）を駆動して発光させた場合、発光光の一部が隣接画素（例えば画素２１３）に漏れ出すことが挙げられる。この場合、実質的に、駆動対象（ここでは画素２１２）とは異なる画素（ここでは画素２１３）が部分的に駆動されることとなってしまう。
即ち、このような電気干渉は画素間に混色等をもたらしうるため、画素の高密度化は、却って画像の品質の低下の原因となる場合があると云える。
ここで再び図２を参照すると、画素間電極２４３の上面は、周縁部では絶縁層２４１により被覆され、かつ、中央部は開口部ＯＰ１１として露出される。この開口部ＯＰ１１の面積は、上記画素密度との関係で、画像の品質を示すパラメータとなり得、例えば、単一の画素に対応する面積に対する開口部ＯＰ１１の面積の比は開口率と表現されうる。例えば、個々の画素２１１等における発光光の光量を大きくすること、所望の光量を実現するために駆動電圧を抑制すること等を目的として、この開口率を大きくすることが考えられる。
上述の電気干渉を抑制するためには、画素間の電気分離は適切に行われる必要がある。一方、上記開口率を大きく維持することを考慮すると、このような画素間の電気分離を、比較的簡素な構成で（例えば比較的小面積かつ製造面に有利な態様で）実現可能とすることが求められる。
本実施形態においては、有機化合物層２３２のうち画素間電極２４３と上部電極２３３との間の部分（有機化合物層２３２における画素境界およびその周辺部。以下、有機化合物層２３２の画素境界部という。）を、画素間電極２４３によりバイアスすることが可能である。本実施形態では、画素間電極２４３には電圧供給部５により所定電圧が印加されるものとするが、他の実施形態として、画素間電極２４３と上部電極２３３との仕事関数差に基づいて有機化合物層２３２の画素境界部をバイアスしてもよい。
上記バイアスにより有機化合物層２３２の画素境界部には電界ＥＦ１が発生する。そのため、画素２１１で発生して隣接画素２１２に向かってドリフトしうるキャリア（キャリアＣＲ１と図示する。）は、有機化合物層２３２の画素境界部において上記電界ＥＦ１により再結合し易くなっている。よって、本実施形態によれば、隣接画素２１２に到達しうるキャリアＣＲ２は低減され、即ち、キャリアＣＲ１の隣接画素２１２への流出は適切に低減されることとなる。
画素間電極２４３に供給する電圧は、下部電極２３１に供給する駆動電圧と同極性の電圧とすればよい。例えば、本実施形態においては、上部電極２３３に供給する基準電圧（ここでは接地電圧）に対して、下部電極２３１および画素間電極２４３に供給される電圧の値は共に正とする。下部電極２３１に供給する電圧値と画素間電極２４３に供給する電圧値とは互いに等しくてもよいし異なっていてもよい。ここで、画素間電極２４３に供給する電圧値は、例えば、発光に必要な最小の電圧が有機化合物層２３２の画素境界部に加わるように、設定されればよい。これにより、有機化合物層２３２の画素境界部における不要な発光を防ぐと共に、該画素境界部を通過するキャリアＣＲ１のみを適切に再結合させることが可能となる。
また、本実施形態においては、図２から分かるように、絶縁層２４１及び２４２で形成される絶縁部材ＯＸ１１は、下部電極２３１の上方部において傾斜面を有する。これにより、有機化合物層２３２における絶縁部材ＯＸ１１の該傾斜面の直上の部分は比較的肉薄となっており、その電気抵抗が大きくなっていると云える。よって、本実施形態によれば、隣接画素２１２に到達しうるキャリアＣＲ２は更に低減され、即ち、キャリアＣＲ１の隣接画素２１２への流出は更に適切に低減される。
また、図２の拡大模式図に示されるように、本実施形態においては、画素間電極２４３の側面は、画素間電極２４３の上面が底面よりも幅広になるように傾斜している（傾斜角θ＞９０［度］）。これにより、画素２１２で発生して隣接画素２１３に向かう光Ｌ１１は、Ｌ１２で図示されるように、画素間電極２４３の側面において実質的に下方に向けて反射される。よって、光Ｌ１１の隣接画素２１３への漏れが適切に低減される。
ここで、絶縁層２４１の屈折率をε１とし、絶縁層２４２の屈折率をε２としたとき、ε１＜ε２が成立するとよい。この場合、絶縁層２４１での光散乱により上方に向かう迷光は、絶縁層２４１と絶縁層２４２との境界面において下方に向けて反射されうるため、光Ｌ１１は更に適切に下方に向けて反射されると云える。これにより光Ｌ１１の隣接画素２１３への漏れが更に適切に低減される。
尚、反射光Ｌ１２は、Ｌ１３で図示されるように、絶縁層２４１と基板２０との境界面において上方に向けて反射されることも考えられるが、Ｌ１４で図示されるように、画素間電極２４３の下面において下方に反射される。そのため、このような反射光Ｌ１２が迷光として他の画素２１３に到達することもない。
以上のことを小括すると、本実施形態によれば、画素間の電気干渉およびそれに付随して生じうる隣接画素への漏れ光が防止ないし抑制される。よって、本実施形態によれば、画素の高密度化および画像の高品質化の双方を実現可能となる。
‐表示装置の製造方法について
上述の表示装置１は公知の製造プロセスを用いて製造可能である。図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、表示装置１の製造方法を説明するための模式図であり、主に図２を参照しながら述べた絶縁層２４１及び２４２並びに画素間電極２４３により形成される画素分離構造を作製する際の様子を工程毎に示す。
図３（Ａ）の工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて、基板２２０上における複数の画素２１１等に対応する位置に、複数の下部電極２３１を形成する。即ち、基板２２０上にＰＶＤ（物理気相成長法）等により導電材料の層を形成した後、レジストパターンを用いたエッチングにより該導電材料の層をパターニングすることにより、下部電極２３１を形成する。
図３（Ｂ）の工程では、図３（Ａ）の工程で得られた構造の上に、絶縁層２４１ＭをＣＶＤ（化学気相成長法）等により形成する。ここで、絶縁層２４１Ｍは、下部電極２３１の側面を被覆する程度（互いに隣り合う下部電極２３１間の空間を充填しない程度）の厚さで形成される。その後、この絶縁層２４１Ｍの上に導電材料の層２４３ＭをＰＶＤ等により形成する。
図３（Ｃ）の工程では、図３（Ｂ）の工程で得られた構造に対してエッチングによるエッチバックまたはＣＭＰ（化学機械研磨）を行い、該構造の上面を平坦化すると共に絶縁層２４１Ｍの上面を露出させる。
図３（Ｄ）の工程では、図３（Ｃ）の工程で得られた構造の上に、絶縁層２４２ＭをＣＶＤ等により形成する。
図３（Ｅ）の工程では、図３（Ｄ）の工程で得られた構造に対して、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層２４１Ｍ及び２４２Ｍをパターニングして絶縁層２４１及び２４２（図２参照）にすると共に、下部電極２３１の上面を開口部ＯＰ１１として露出させる。この工程によれば、絶縁層２４１の上面と画素間電極２４３の上面とは連続面を形成し、この連続面は絶縁層２４２により覆われることとなる。絶縁層２４１Ｍ及び２４２Ｍのパターニングは、絶縁層２４１及び２４２の側面が傾斜面となるように行われるとよい。これにより、後に形成される有機化合物層２３２及び上部電極２３３の不測の断線を防ぐことが可能となる。このパターニングは、等方性エッチングにより行われてもよいが、エッチング条件を変更しながら異方性エッチングを行うことによっても実現可能である。
図３（Ｆ）の工程では、図３（Ｅ）の工程で得られた構造の上に、有機化合物層２３２を蒸着法により形成し、有機化合物層２３２の上に上部電極２３３を更に形成する。その後、封止層２５１、平坦化層２５２及びカラーフィルタ層２５３を公知の手順で形成することにより画素構造ＳＴ１が得られる。
詳細については後述とするが、上記製造方法によれば、図２の拡大模式図に示されるように、互いに隣り合う下部電極２３１間の距離Ｗ１２を半導体製造プロセスにおける最小加工寸法とすることが可能となる。尚、下部電極２３１の絶縁部材ＯＸ１１で覆わる幅Ｗ１３は、製造ばらつき、位置ずれ等を考慮して決定されればよい。この場合、互いに隣り合う開口部ＯＰ１１間の距離Ｗ１１は、
Ｗ１１＝Ｗ１２＋Ｗ１３×２
と表せる。
‐実施形態と参考例との比較
図４は、参考例としての画素構造ＳＴＲを示す。画素構造ＳＴＲは、画素間電極２４３に代替して、それと同機能を実現するための画素間電極２４３Ｒを備えると共に、絶縁膜２４１及び２４２に代替して、画素間電極２４３Ｒを覆う絶縁膜２４４を備える。
画素間電極２４３Ｒは、例えば複数の下部電極２３１の形成後に（或いは、複数の下部電極２３１の形成と共に）、画素間電極２４３Ｒを構成する導電材料の層をパターニングすることにより設けられる。この場合、互いに隣り合う下部電極２３１間の距離を最小にするためには、画素間電極２４３Ｒの幅Ｗ２４と、下部電極２３１と画素間電極２４３Ｒとの距離Ｗ２２とをそれぞれ前述の最小加工寸法とする必要がある。尚、下部電極２３１の絶縁部材ＯＸ１１で覆わる幅Ｗ２３は、幅Ｗ１３同様、製造ばらつき、位置ずれ等を考慮して決定されればよい。結果として、画素構造ＳＴＲにおいては、互いに隣り合う開口部ＯＰ１１間の距離Ｗ２１は、
Ｗ２１＝Ｗ２４＋Ｗ２２×２＋Ｗ２３×２、
と表せる。
図５（Ａ）は、本実施形態の画素構造ＳＴ１の平面レイアウトを示す模式図である。図５（Ｂ）は、参考例の画素構造ＳＴＲの平面レイアウトを示す模式図である。本実施形態の画素構造ＳＴ１における幅Ｗ１１は、前述のとおり、
Ｗ１１＝Ｗ１２＋Ｗ１３×２、
と表せる。ここで、Ｗ１２、Ｗ２２及びＷ２４がそれぞれ最小加工寸法（最小加工寸法Ｆとする。）であることを考慮すると、幅Ｗ１１及びＷ２１は、
Ｗ１１＝Ｗ１２＋Ｗ１３×２
＝Ｆ＋Ｗ１３×２、
Ｗ２１＝Ｗ２４＋Ｗ２２×２＋Ｗ２３×２
＝Ｆ×３＋Ｗ２３×２、
とそれぞれ表せる。ここで、幅Ｗ１３及びＷ２３は同条件で決定されるものとすると（Ｗ１３＝Ｗ２３とすると）、幅Ｗ１１は、Ｆ×２（最小加工寸法の２倍分）だけ幅Ｗ２１より小さい。即ち、本実施形態によれば、参考例よりも画素密度を高くすることができると云える。
また、参考例の画素構造ＳＴＲを参照すると（図４参照）、画素間電極２４３Ｒは、下部電極２３１と同じ高さに設けられている。そのため、或る画素で発生して隣接画素に向かう光Ｌ２１は、Ｌ２２で示されるように画素間電極２４３Ｒにより適切に遮蔽されないため（隣接画素に進入しうるため）、混色を発生させる場合がある。これに対して、本実施形態によれば、図２の拡大模式図を参照しながら述べたように、隣接画素に向かう光Ｌ１１は画素間電極２４３により適切に遮蔽され、混色が発生することもないため、画像の品質が参考例よりも向上しうる。
以上の観点から、本実施形態によれば、画素の高密度化および画像の高品質化の双方を比較的簡素な構成で実現可能と云える。
‐第１実施形態のまとめ
以上、本実施形態によれば、画素間電極２４３は、複数の下部電極２３１間において複数の画素２１１等を区画するように設けられ、換言すると画素境界に沿って延設される。画素間電極２４３は、絶縁層２４１及び２４２により複数の下部電極２３１から電気的に独立しており、即ち、画素間電極２４３には、複数の下部電極２３１とは異なる電気経路で所定電圧が個別に供給される。画素間電極２４３に電圧が印加されることにより、有機化合物層２３２のうち画素間電極２４３と上部電極２３３との間の部分に所定の電界ＥＦ１が発生することとなる。この電界ＥＦ１は、例えば、画素２１１から隣接画素２１２に向かうキャリアＣＲ１（図２参照）が再結合することを促進することとなり、それにより、このキャリアＣＲ１の隣接画素２１２への流出を防止ないし抑制する。
画素間電極２４３に供給される上記電圧の値は、好適には、有機化合物層２３２のうち画素間電極２４３と上部電極２３３との間の部分に該部分が発光するのに必要な最小の電圧が加わるように、設定されればよい。これにより、キャリアＣＲ１は、画素間電極２４３上方において速やかに再結合するため、隣接画素２１２に流出しにくくなる。
キャリアＣＲ１の隣接画素２１２への流出の防止は、画素間の電気干渉およびそれに伴う画素間の混色を防止することとなるため、画像の品質を向上させることとなる。また、画素間の電気干渉及び画素間の混色は、画素の高密度化に伴い顕著な問題となりうるため、本実施形態によれば、画素の高密度化および画像の高品質化の双方を実現するのに有利である。特に参考例との関係では（図２、図４、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照しながら述べたように）、本実施形態によれば上述のことを比較的簡素な構成で実現可能と云える。
また、本実施形態によれば、画素間電極２４３の上面は複数の下部電極２３１の其々の上面より上方に位置している。そのため、例えば画素２１２で発生し且つ隣接画素２１３に向かう光Ｌ１１（図２参照）は、画素間電極２４３により妨げられることとなり、隣接画素２１３に漏れにくい。
また、本実施形態によれば、画素間電極２４３の側面は、画素間電極２４３の上面が底面よりも幅広になるように傾斜している（傾斜角θ＞９０［度］）。これにより、光Ｌ１１は、画素間電極２４３の側面において実質的に下方に向けて反射される（光Ｌ１２参照）。更に、絶縁層２４１の屈折率をε１とし、絶縁層２４２の屈折率をε２としたとき、ε１＜ε２が成立するとよく、それにより、光Ｌ１１は適切に下方に向けて反射されることとなる。本構造によれば、光Ｌ１１の隣接画素２１３への漏れが更に適切に防止される。
‐変形例
第１実施形態の内容には、その趣旨を逸脱しない範囲で多様な変形ないし変更を加えることが可能である。例えば、画素アレイ２の配列態様は、図５（Ａ）の例（いわゆるストライプ配列）に限られるものではなく、他の配列態様としてもよい。図６（Ａ）は、一例として、画素アレイ２の配列態様をハニカム配列とした画素構造ＳＴ１’の平面レイアウトを示す。このような配列態様においても図１（Ａ）同様の回路構成で画素アレイ２を駆動可能である。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）における線ｄ１−ｄ１での断面模式図を示す。図６（Ｂ）から分かるように、画素領域の端部あるいは画素領域外の接続領域（画素アレイ２を、走査信号ドライバ３、情報信号ドライバ４または電圧供給部５に電気接続するための領域）には、プラグ２９１及び電極部２９２が配されてもよい。画素間電極２４３は、複数の画素２１１等を区画するように（画素境界に沿って）画素領域の全域に亘って延設される。そのため、これらプラグ２９１及び電極部２９２は、画素領域の全域において、画素間電極２４３に所定電圧を印加可能に電気接続された接続部として機能する。
本例においては、プラグ２９１及び電極部２９２は基板２２０内に設けられ、電極部２９２は、接続領域における外部電極が設けられた位置まで延設され、この外部電極に電気接続されうる。この外部電極は、本例においては基板２２０の下面側に設けられるが、他の例として基板２２０の上面側に設けられてもよい。
プラグ２９１及び電極部２９２は、画素領域内の略中央部に設けられてもよく、例えば、図７に画素構造ＳＴ１”として示されるように、画素２１１と画素２１３との間の位置に（画素２１２の位置に画素２１２に代替して）設けられてもよい。即ち、この画素は、ダミー画素２１４として画素２１２に代替して設けられ、プラグ２９１及び電極部２９２は、平面視においてダミー画素２１４と重なる位置に設けられることとなる。前述のとおり、画素間電極２４３は、画素領域の全域に亘って延設される。そのため、図７の例によれば、画素領域内の略中央部において画素間電極２４３に所望の電圧を供給することも可能となる。
（第２実施形態）
図８は、第２実施形態に係る画素構造ＳＴ２を示す断面模式図である。図中に示された個々の要素について、前述の第１実施形態同様の機能を実現するものには同一の参照番号を付し、第１実施形態の内容を踏襲するものとする（重複する説明を省略する。）。
画素構造ＳＴ２は、下部電極２３１として、上下方向に互いに離間した位置に設けられた電極部２３１１及び２３１２、並びに、それらを電気接続するプラグ２３１３を含む。第１電極部２３１１は、基板２２０上に配置され、また、第２電極部２３１２は、電極部２３１１上方にプラグ２３１３を介して配置される。
画素構造ＳＴ２は、画素２１１における電極部２３１１‐２３１２の間に光学調整層（以下、単に「調整層」という。）２８１を更に備え、また、画素２１２における電極部２３１１‐２３１２の間に光学調整層（以下、単に「調整層」という。）２８２を更に備える。調整層２８１及び２８２は、互いに異なる厚さで設けられる絶縁層であり、光透過性の絶縁部材（例えば絶縁層２４１及び２４２同様の材料）が好適に用いられうる。
このような構造により、電極部２３１２は、画素２１１〜２１３間で互いに異なる高さに位置し、即ち、電極部２３１１及び２３１２は、それらの上下方向の距離が画素毎に異なるように設けられることとなる。このような構造によれば、対応の発光光を干渉により強め合う構造を実現することが可能となる。即ち、調整層２８１及び２８２は、電極部２３１２の高さを調整するのに用いられ、この観点で例えば介在層等と表現されてもよい。
本実施形態においては、画素２１３には調整層は設けられないものとするが、他の実施形態として、画素２１３における電極部２３１１‐２３１２の間には、調整層２８１及び２８２とは厚さの異なる他の調整層が更に設けられてもよい。
電極部２３１１は下部第１電極と表現され、電極部２３１２は下部第２電極と表現されてもよい。或いは、有機化合物２３２の観点では、直接的には電極部２３１２が下部電極として作用するため、電極部２３１１を基板側電極と表現し、電極部２３１２を下部電極と表現してもよい。
また、本実施形態においては、画素間電極２４３は、互いに隣り合う電極部２３１１の間に設けられるものとするが、付随的／代替的に、互いに隣り合う電極部２３１２の間に設けられてもよい。即ち、画素間電極２４３は、互いに隣り合う電極部２３１１間及び／又は互いに隣り合う電極部２３１２間に設けられればよい。
以上の各実施形態では理解の容易化のため、以上の説明において、各要素をその機能面に関連する名称で示したが、各要素は、以上で説明された内容を主機能として備えるものに限られるものではなく、それを補助的に備えるものであってもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、即ち、本発明は、用語の厳密な意味に限定されるものでない。例えば、装置という文言に替わってユニット／アセンブリ／デバイス／モジュール等と表現されてもよいし、逆も同様である。
尚、実施形態においては有機化合物層２３２により有機発光素子Ｅ１を実現する構成を例示したが、実施形態の内容は、他の発光素子、例えば無機発光素子、を備える構成にも適用可能である。この場合、発光層を構成する１以上の無機材料層が有機化合物層２３２に代替して設けられればよい。
（実験結果）
第１実施形態に係る表示装置１は試作され、その効果は本発明者らの鋭意検討により以下のとおり評価された。
‐第１実験例
前述の第１実施形態に基づく第１実験例として表示装置１（区別のため以下「表示装置１１」とする。）を試作した。第１実験例では、画素アレイ２の配列態様をストライプ配列とした（図５（Ａ）参照）。下部電極２３１および画素間電極２４３のそれぞれには、窒化チタンの層の上にタングステンの層を積層したものを用いた。下部電極２３１は、２．４［μｍ］×２．４［μｍ］の略正方形の形状とした。互いに隣り合う下部電極２３１間の距離Ｗ１２は、最小加工寸法に従う０．２［μｍ］とした。絶縁部材ＯＸ１１を形成する絶縁層２４１及び２４２にはシリコン酸化物を用い、それらの膜厚を何れも３０［ｎｍ］程度とした。また、下部電極２３１の絶縁部材ＯＸ１１で覆わる幅Ｗ１３は、最小加工寸法に従う０．２［μｍ］とした。このような設計態様においては、１［ｍｍ］×１［ｍｍ］の単位領域における画素数は３８４となり、また、開口率は５９［％］となった。
また、有機化合物層２３２は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、第１の発光層、第２の発光層、電子輸送層および電子注入層を、この順に積層したものを用いた。正孔注入層には、下記化合物Ａ１を用いた（厚さ７［ｎｍ］程度）。正孔輸送層には、下記化合物Ａ２を用いた（厚さ５［ｎｍ］程度）。電子ブロック層には、下記化合物Ａ３を用いた（厚さ１０［ｎｍ］程度）。第１の発光層には、下記化合物Ａ４を母材とし且つ下記化合物Ａ５を重量比３［％］で含有するものを用いた（厚さ１０［ｎｍ］程度）。第２の発光層には、下記化合物Ａ４を母材とし且つ下記化合物Ａ６を重量比１［％］で含有するものを用いた（厚さ１０［ｎｍ］程度）。電子輸送層には、下記化合物Ａ７を用いた（厚さ３４［ｎｍ］程度）。電子注入層には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いた（厚さ０．５［ｎｍ］程度）。
Figure 2020194673
また、上部電極２３３には、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（合成比１：１）を用いた（厚さ１０［ｎｍ］程度）。封止層２５１には、窒化シリコンを用いた（厚さ１．５［μｍ］程度）。封止層２５１上には、平坦化層２５２を介してカラーフィルタ層２５３を形成した。
駆動対象となる画素２１１等には輝度５［ｃｄ／ｍ２］となる駆動電流がそれぞれ供給され且つ非駆動対象の画素２１１等の電流密度は１×１０−３［ｍＡ／ｃｍ２］或いはそれ以下となるように、下部電極２３１に電圧を印加した。画素２１１等を駆動するための駆動電圧は２［Ｖ］以上であった。また、画素間電極２４３および上部電極２３３は、何れも接地電圧（０［Ｖ］）とした。
このような表示装置１１の画素アレイ２の色域（色再現範囲（Ｇａｍｕｔ））は６５［％］程度であった。有機発光素子Ｅ１が発光するのに必要な最小の電圧（閾値電圧）は２［Ｖ］程度であるため、下部電極２３１と上部電極２３３との間に１．５［Ｖ］を印加しても、それらの間には電流は実質的に発生しない。例として、画素２１１における下部電極２３１と上部電極２３３との間に１．５［Ｖ］を印加した場合のリーク電流は測定限界（１０−６［ｎＡ／単位画素］未満）であり、画素間の電気干渉は実質的に観測されなかった。また、画素２１２に電流密度１００［ｍＡ／ｃｍ２］の電流を供給して駆動した際、画素２１２の輝度は２５０［ｃｄ／ｍ２］となった。
‐第２実験例
次に、第２実験例としての表示装置１（区別のため以下「表示装置１２」とする。）は、画素間電極２４３に印加する電圧を５［Ｖ］としたことを除いて、上記第１実験例の表示装置１１同様である。このような表示装置１２の画素アレイ２の色域は７０［％］程度であった。即ち、画素間電極２４３に所定電圧を印加することにより、有機化合物層２３２の画素境界部を通過するキャリアＣＲ１が適切に再結合され（図２参照）、それにより画素間のリーク電流が低減されることが分かる。
‐第１比較例
上記第１〜第２実験例との比較のため、前述の参考例に基づく第１比較例として、画素構造ＳＴＲ（図４及び図５（Ｂ）参照）を備える表示装置１（区別のため以下「表示装置１１Ｒ」とする。）を同様に試作した。ここで、幅Ｗ２２、Ｗ２３及びＷ２４は、何れも最小加工寸法に従う０．２［μｍ］とし、即ち上記第１実験例同様とした。また、開口率を上記第１実験例同様に５９［％］とするため、下部電極２３１を３．６９［μｍ］×３．６９［μｍ］の略正方形の形状とした。このような設計態様においては、１［ｍｍ］×１［ｍｍ］の単位領域における画素数は２３３となるため、画素の高密度化が難しいと云える。また、画素２１１における下部電極２３１と上部電極２３３との間に１．５［Ｖ］を印加した場合のリーク電流は２×１０−３［ｎＡ／単位画素］程度となり、即ち、第１実験例に比べて上部電極と下部電極との間でのリーク電流が大きくなった。
‐第２比較例
また、第２比較例としての表示装置１（区別のため以下「表示装置１２Ｒ」とする。）は、１［ｍｍ］×１［ｍｍ］の単位領域における画素数は３８４とした結果、開口率が３８［％］となったことを除いて、上記第１比較例の表示装置１１Ｒ同様である。このような表示装置１２Ｒにおいては、画素２１２に電流密度１００［ｍＡ／ｃｍ２］の電流を供給して駆動した際、画素２１２の輝度は２５０［ｃｄ／ｍ２］となり、即ち、第１実験例よりも低輝度となった。
以上のことから、実施形態に基づく第１および第２実験例の表示装置１１及び１２は、第１および第２比較例の表示装置１１Ｒ及び１２Ｒとの比較によれば、画素の高密度化および画像の高品質化の双方に有利と云える。
（適用例）
実施形態の表示装置１は、カメラの電子ビューファインダ、テレビのディスプレイ、携帯機器の表示パネル等、多様な電気装置に適用可能である。
図９（Ａ）は、撮像装置９１の模式図である。撮像装置９１は、筐体９１０にそれぞれ取り付けられた操作部９１１、背面ディスプレイ９１２および電子ビューファインダ９１３を備える。ユーザは、操作部９１１を用いて、所望の被写体の撮像を行い、また、該撮像により得られる画像を背面ディスプレイ９１２により確認することが可能である。表示装置１は、電子ビューファインダ９１３に適用可能であり、撮像を行う際にはユーザは電子ビューファインダ９１３を用いて被写体およびその周辺環境を確認することができる。尚、撮像装置９１の概念には、撮像機能を主機能として備えるカメラの他、撮像機能を補助的に備えるものも含まれる。
図９（Ｂ）は、携帯機器９２の模式図である。携帯機器９２は、筐体９２０にそれぞれ取り付けられた表示部９２１および操作部９２２を備える。表示装置１は、この表示部９２１に適用可能であり、ユーザは、操作部９２２を用いて、表示部９２１に所望の画像を表示させることが可能である。また、表示部９２１は、他の操作部としての機能を兼ね、即ちタッチパネルとしても機能しうる。尚、携帯機器９２の例としては、ポータブルタイプの電子機器ないしモバイル機器が挙げられ、例えば、スマートフォン等の携帯電話の他、ゲーム機器等が挙げられる。
図９（Ｃ）は、モニタ装置９３の模式図である。モニタ装置９３は、フレーム９３０、フレーム９３０を支持する支持台９３１、及び、フレーム９３０に縁取りされた表示部９３２を備える。表示装置１は、この表示部９３２に適用可能であり、ユーザは、不図示のリモートコントローラを用いて、又は、フレーム９３０若しくは支持台９３１に設けられた不図示の操作部を用いて、表示部９３２に所望の画像を表示させることが可能である。尚、モニタ装置９３は、所望の映像を表示可能な装置であればよく、モニタ装置９３の概念には、テレビモニタ（放送受信機）、パーソナルコンピュータ用モニタ等が含まれる。
図９（Ｄ）は、フォルダブルタイプの（折り畳み可能な）デバイス９４の模式図である。デバイス９４は、筐体９４０と、筐体９４０を折り畳み可能にする折曲部（屈曲部）９４１と、第１表示部９４２と、第２表示部９４３とを備える。第１〜第２表示部９４２及び９４３は、それぞれ折曲部９４１の両側において筐体９４０に取り付けられる。例えば、第１〜第２表示部９４２及び９４３は、筐体９４０が折り畳まれて閉じられた状態においては休止状態となり、筐体９４０が開いた状態においては駆動状態となる。表示装置１は、これら第１〜第２表示部９４２及び９４３のそれぞれに適用可能であり、第１〜第２表示部９４２及び９４３は、互いに異なる画像を表示することも可能であるし、それらで１つの画像を表示することも可能である。第１〜第２表示部９４２及び９４３の一方または双方は、操作部としての機能を兼ね、即ちタッチパネルとしても機能しうる。尚、このようなデバイス９４の概念には、例えば、ディスプレイ（いわゆるフォルダブルディスプレイ）の他、スマートフォン（いわゆるフォルダブルフォン）等のタブレット端末が含まれる。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１：表示装置、２３１：下部電極、２３２：有機化合物層、２３３：上部電極、２４３：画素間電極。

Claims (19)

  1. 其々が有機発光素子を含む複数の画素が画素領域に配列された表示装置であって、
    前記複数の画素に対応するように基板上に配列された複数の下部電極と、
    前記基板の上面と前記複数の下部電極の少なくとも側面とを被覆して前記複数の下部電極を互いに電気分離する第１絶縁層と、
    前記複数の下部電極と前記第１絶縁層とを覆うように前記画素領域に亘って設けられた有機化合物層と、
    前記有機化合物層を覆うように前記画素領域に亘って設けられた上部電極と、
    前記有機化合物層の下方かつ前記第１絶縁膜の上方において前記複数の画素の境界に沿うように前記複数の下部電極の間に設けられた画素間電極と、を備える
    ことを特徴とする表示装置。
  2. 前記画素間電極は前記複数の下部電極から電気的に独立している
    ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
  3. 前記画素間電極の上面を覆うように前記第１絶縁層の上に設けられ、前記有機化合物層から前記画素間電極を電気的に絶縁する第２絶縁層を更に備える
    ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の表示装置。
  4. 前記第１絶縁層の上面と前記画素間電極の上面とは連続面を形成しており、前記第２絶縁層は該連続面を覆う
    ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
  5. 前記有機発光素子の発光光についての前記第１絶縁層の屈折率をε１とし、該発光光についての前記第２絶縁層の屈折率をε２としたとき、ε１＜ε２が成立する
    ことを特徴とする請求項３または請求項４記載の表示装置。
  6. 前記第１絶縁層は、前記複数の下部電極の其々の上面における中央部を露出させつつ周縁部を覆うように設けられている
    ことを特徴とする請求項３から請求項５の何れか１項記載の表示装置。
  7. 前記画素間電極の上面は前記複数の下部電極の其々の上面より上方に位置している
    ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項記載の表示装置。
  8. 前記画素間電極の下面は前記複数の下部電極の其々の下面より上方に位置している
    ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項記載の表示装置。
  9. 前記画素間電極の側面は、前記画素間電極の上面が底面よりも幅広になるように傾斜している
    ことを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項記載の表示装置。
  10. 前記画素間電極に所定電圧を印加可能に電気接続された接続部を更に備える
    ことを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項記載の表示装置。
  11. 前記接続部は、平面視において、前記画素領域外に設けられている
    ことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
  12. 前記複数の画素のうちの１つはダミー画素であり、
    前記接続部は、平面視において、前記画素領域内における前記ダミー画素と重なる位置に設けられている
    ことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
  13. 前記複数の下部電極のそれぞれは、第１電極部と、該第１電極部の上方にプラグを介して配された第２電極部とを含み、
    前記画素間電極は、互いに隣り合う前記第１電極部間及び／又は互いに隣り合う前記第２電極部間に設けられている
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２の何れか１項記載の表示装置。
  14. 前記第１電極部および前記第２電極部は、それらの上下方向の距離が画素毎に異なるように設けられている
    ことを特徴とする請求項１３記載の表示装置。
  15. 前記上部電極、前記複数の下部電極および前記画素間電極に電圧を供給して前記複数の画素を駆動する駆動部を更に備え、
    前記駆動部は、
    前記上部電極に基準電圧を供給し、
    前記複数の下部電極のうち駆動対象の画素に対応する少なくとも１つに、前記基準電圧とは異なる駆動電圧を供給し、
    前記画素間電極には、前記基準電圧に対して前記駆動電圧と同極性の所定電圧を供給する
    ことを特徴とする請求項１から請求項１４の何れか１項記載の表示装置。
  16. 前記駆動部は、前記有機化合物層のうち前記画素間電極と前記上部電極との間の部分に、該部分が発光するのに必要な最小の電圧が加わるように、前記画素間電極に前記所定電圧を供給する
    ことを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
  17. 前記複数の画素に対応するように前記上部電極の上方に設けられたカラーフィルタ層を更に備える
    ことを特徴とする請求項１から請求項１６の何れか１項記載の表示装置。
  18. 請求項１から請求項１７の何れか１項記載の表示装置を備える
    ことを特徴とする電気装置。
  19. 其々が有機発光素子を含む複数の画素が画素領域に配列された表示装置の製造方法であって、
    前記複数の画素に対応するように基板上に複数の下部電極を形成する第１工程と、
    前記基板の上面と前記複数の下部電極の少なくとも側面とを被覆して前記複数の下部電極を互いに電気分離する第１絶縁層を形成する第２工程と、
    前記複数の下部電極と前記第１絶縁層とを覆うように前記画素領域に亘って有機化合物層を形成する第３工程と、
    前記有機化合物層を覆うように前記画素領域に亘って上部電極を形成する第４工程と、
    前記第２工程後かつ前記第３工程前、前記第１絶縁膜の上方において前記複数の画素の境界に沿うように前記複数の下部電極の間に画素間電極を形成する第５工程と、を含む
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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