WO2020158710A1

WO2020158710A1 - 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器

Info

Publication number: WO2020158710A1
Application number: PCT/JP2020/002914
Authority: WO
Inventors: 伸一荒川
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2019-02-01
Filing date: 2020-01-28
Publication date: 2020-08-06
Also published as: CN113348729A; US20220102469A1

Abstract

表示装置は、画素を構成する発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、所定の回路を有する第２基板とを含んでおり、第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている。

Description

表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器

　本開示は、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　有機エレクトロルミネッセンスを用いた発光部、及び、係る発光部を含む画素を備えた表示装置が周知である。係る表示装置は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示装置として注目されている。

　有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置は、自発光型であり、更には、高精細度の高速ビデオ信号に対しても充分な応答性を有する。眼鏡やゴーグルなどといったアイウェアに装着するための表示装置にあっては、例えば、画素サイズを数ミクロンメートルないし１０ミクロンメートル程度とするといったことも求められている。

　有機エレクトロルミネッセンスを用いた発光部は、通常、発光層を含む有機層と、有機層を挟むように配置された第１電極および第２電極とから構成される。画素は、発光部と発光部を駆動するトランジスタ等から成る駆動回路から構成されている。そして、画素がマトリクス状に配置された表示領域が、所定の周辺回路によって走査されることによって、画像が表示される。特許文献１には、有機エレクトロルミネッセンスを用いた発光部とその駆動回路、更には、周辺回路が同一基板上に形成された構造が開示されている。

特開２０１４－８９８０３号公報

　有機エレクトロルミネッセンスを用いた発光部を駆動するトランジスタに要求される特性と、周辺回路に用いられるトランジスタに要求される特性とは、必ずしも一致するものではない。共通の半導体素子製造プロセスによってこれらのトランジスタを同一基板に形成するとすれば、工程が非常に複雑となり、歩留まりの低下の要因となる。また、基板サイズの縮小といった小型化への対応も困難である。

　従って、本開示の目的は、半導体素子製造プロセスを複雑にすることなく、表示装置に用いられるトランジスタの特性を好適なものとでき、小型化も図ることができる表示装置および係る表示装置の製造方法、並びに、係る表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
　画素を構成する発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている、
表示装置である。

　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、所定の回路を有する第２基板とを、それぞれの接合面が対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部を設ける第２の工程、
を含む、
表示装置の製造方法である。

　上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている、
表示装置を備えた電子機器である。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。図２は、表示領域とパッド領域と配置関係を説明するための模式的な平面図である。図３は、第１基板と第２基板の積層関係を説明するための模式的な斜視図である。図４は、画素の模式的な回路図である。図５は、表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図６は、パッド領域における構成要素の配置関係を説明するための模式的な平面図である。図７Ａおよび図７Ｂは、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図８Ａおよび図８Ｂは、図７Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図９は、図８Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１０は、図９に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１１は、図１０に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１２は、図１１に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１３は、図１２に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１４は、図１３に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１５は、図１４に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１６は、図１５に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１７は、図１６に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１８は、図１７に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図１９は、第２の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図２０は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２１は、図２０に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２２は、第３の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図２３は、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２４は、図２３に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２５は、図２４に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２６は、図２５に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２７は、図２６に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図２８は、第４の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図２９は、第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３０は、図２９に引き続き、第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３１は、図３０に引き続き、第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３２は、図３１に引き続き、第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３３は、第５の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図３４は、パッド領域における構成要素の配置関係を説明するための模式的な平面図である。図３５は、第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３６は、図３５に引き続き、第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３７は、図３６に引き続き、第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３８は、図３７に引き続き、第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図３９は、第６の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図４０は、第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４１は、図４０に引き続き、第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４２は、図４１に引き続き、第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４３は、図４２に引き続き、第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４４は、図４３に引き続き、第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４５は、第７の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図４６は、第７の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４７は、図４６に引き続き、第７の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４８は、図４７に引き続き、第７の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図４９は、図４８に引き続き、第７の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５０は、第８の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５１は、第８の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５２は、図５１に引き続き、第８の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５３は、図５２に引き続き、第８の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５４は、図５３に引き続き、第８の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５５は、第９の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５６は、第１０の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。図５７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図５７Ａにその正面図を示し、図５７Ｂにその背面図を示す。図５８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。図５９は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。

　以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
　１．本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器、全般に関する説明
　２．第１の実施形態
　３．第２の実施形態
　４．第３の実施形態
　５．第４の実施形態
　６．第５の実施形態
　７．第６の実施形態
　８．第７の実施形態
　９．第８の実施形態
１０．第９の実施形態
１１．第１０の実施形態
１２．電子機器の説明、その他

［本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器、全般に関する説明］
　本開示に係る表示装置、本開示に係る表示装置の製造方法により得られる表示装置、及び、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置（以下、これらを単に、本開示に係る表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、上述したように、
　画素を構成する発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている。

　本開示に係る表示装置において、第１基板上には、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
が積層されて形成されており、
　発光部は、第１電極と有機層と第２電極によって構成される、
構成とすることができる。

　上述した好ましい構成を含む本開示に係る表示装置にあっては、
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層は、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分されている、
構成とすることができる。

　この場合において、絶縁構造物は絶縁膜を構成する絶縁材料によって形成されている構成とすることができる。あるいは又、１．第２電極の上には保護膜が形成されており、絶縁構造物は保護膜を構成する絶縁材料によって形成されているといった構成、２．第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、絶縁構造物はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって形成されているといった構成、３．第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、絶縁構造物はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって形成されているといった構成、とすることもできる。

　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示に係る表示装置にあっては、
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　半導体材料層の貫通面は絶縁材料によって覆われている、
構成とすることができる。

　この場合において、半導体材料層の貫通面は絶縁膜を構成する絶縁材料によって覆われている構成とすることができる。あるいは又、１．第２電極の上には保護膜が形成されており、半導体材料層の貫通面は保護膜を構成する絶縁材料によって覆われているといった構成、２．第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、半導体材料層の貫通面はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって覆われているといった構成、３．第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、半導体材料層の貫通面はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって覆われている構成、とすることもできる。

　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示に係る表示装置において、半導体材料層には、パッド電極の露出領域よりも広い領域の開口が設けられている構成とすることもできる。

　上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る表示装置にあっては、
　第１基板の接合面には第１接続電極が設けられており、
　第２基板の接合面には第２接続電極が設けられており、
第１接続電極と第２接続電極とは、接合面において金属接合されている、
構成とすることができる。

　上述したように、本開示に係る表示装置の製造方法は、
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、所定の回路を有する第２基板とを、それぞれの接合面が対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部を設ける第２の工程、
を含む。

　上述した本開示に係る表示装置の製造方法にあっては、
　第１基板上に、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
を積層することによって、第１電極と有機層と第２電極から成る発光部を形成する工程、
を含む、
構成とすることができる。

　この場合において、第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層を、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分する工程、
を行う構成とすることができる。

　この場合において、絶縁構造物は絶縁膜を構成する絶縁材料によって形成する構成とすることができる。あるいは又、
　１．第１電極上に保護膜を形成し、保護膜を構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成するといった構成、
　２．第１電極上にカラーフィルタを形成し、カラーフィルタを構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成する構成、
　３．第１電極上にマイクロレンズを形成し、マイクロレンズを構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成するといった構成、
とすることもできる。

　あるいは又、第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部が形成される領域を包含するように、第１基板の半導体材料層を貫通するように開口を設ける工程、及び、
　開口を含む全面に絶縁材料層を形成する工程、
を行う構成とすることができる。

　この場合において、絶縁膜を構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する構成（換言すれば、半導体材料層の断面が絶縁膜を構成する絶縁材料によって覆われている）構成とすることができる。あるいは又、
　１．第１電極上に保護膜を形成する工程を含んでおり、保護膜を構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する構成（半導体材料層の断面が保護膜を構成する絶縁材料によって覆われている構成）、
　２．第１電極上にカラーフィルタを形成する工程を含んでおり、カラーフィルタを構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する構成（半導体材料層の断面がカラーフィルタを構成する絶縁材料によって覆われている構成）、
　３．　第１電極上にマイクロレンズを形成する工程を含んでおり、マイクロレンズを構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する構成（半導体材料層の断面マイクロレンズを構成する絶縁材料によって覆われている構成）、
とすることもできる。

　あるいは又、第１の工程と第２の工程との間に、
　半導体材料層にパッド電極の露出領域よりも広い領域の開口を設ける工程、
を行う構成とすることもできる。

　本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器（以下、これらを単に本開示と呼ぶ場合がある）にあっては、第１基板や第２基板として、ガラス等の基材上に半導体材料層が形成された基板や、シリコン等の半導体材料から成る基板を用いることができる。トランジスタなどの回路要素は、半導体材料層の加工や、半導体材料から成る基板に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成することなどによって構成することができる。

　上述したように、発光部は、第１電極と有機層と第２電極によって構成される。例えば第１電極は有機層にホールを注入するためのアノード電極であり、第２電極は有機層に電子を注入するためのカソード電極である。有機層で発生した光がカソード電極側へ射出されるといったいわゆるトップエミッション型である場合、第１電極は光反射性を有するように構成され、第２電極は光透過性を有するように構成される。

　光反射性を有する電極は、有機層の発光波長に対して高い反射率を示すことが好ましく、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などといった金属単体あるいは合金といった金属材料から形成することができる。尚、電極は単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。

　また、光透過性を有する電極は、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）などの透明導電材料を用いて構成することができる。尚、場合によっては、光透過性を有するほどに薄膜化した金属膜を用いることもできる。

　表示装置に用いられる各種配線などは、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。

　表示装置に用いられる絶縁層や絶縁膜などは、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び、シリコン酸窒化物などといった無機材料、あるいは又、ポリイミドなどの有機材料といった、周知の絶縁材料を用いて形成することができる。

　表示装置は、モノクロ画像を表示する構成であってもよいし、カラー画像を表示する構成であってもよい。表示装置の解像度の値として、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

　有機層は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、および、電子注入層を順に積層した構造で構成することができる。有機層を構成するホール輸送材料、ホール輸送材料、電子輸送材料、有機発光材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いることができる。

　表示装置をカラー表示とする場合、白色発光の有機層とカラーフィルタとを組み合わせた構成とすることができる。この構成にあっては、ホール輸送層、発光層、電子輸送層などを含む有機層を複数の画素において共通化することができる。従って、有機層を画素毎に個別に塗り分ける必要がない。あるいは又、画素に応じて、赤色発光有機層、緑色発光有機層、青色発光有機層を個別に塗り分けるといった構成とすることもできる。この構成にあっては、画素ピッチが細かくなるほど、個別の塗り分けが困難となる。従って、画素ピッチがミクロンメートル単位であるような表示装置にあっては、白色発光の有機層とカラーフィルタとを組み合わせた構成とすることが好ましい。

　白色光を出射する有機層は、赤色発光層、緑色発光層、及び、青色発光層を含む積層構造を有する形態とすることができる。あるいは又、有機層が、青色を発光する青色発光層および黄色を発光する黄色発光層を含む積層構造や、青色を発光する青色発光層および橙色を発光する橙色発光層を含む積層構造を有する形態とすることができる。これらは、全体として白色を発光する。

　発光層を構成する発光材料は、蛍光性のものであってもよいし、燐光性のものであってもよい。発光材料の構成は特に限定するものではなく、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）と２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）の混合物（赤色発光）、ＤＰＶＢｉと４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）の混合物（青色発光）、ＤＰＶＢｉとクマリン６の混合物（緑色発光）などといった周知の材料を用いることができる。また、各色の発光層は、上述した発光材料に加え、電子やホールといったキャリアの輸送性材料などを適宜加えて構成することができる。

　ホール輸送性材料は発光層へのホールの注入を助けるホール注入層などにも用いられる材料であって、銅フタロシアニン、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）、α－ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕- 4,4'-diamineなどといった周知の材料を例示することができる。また、電子輸送性材料は、発光層への電子の注入を助ける電子注入層などにも用いられる材料であって、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体や含窒素複素環誘導体（例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム錯体、ベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体）などといった周知の材料を例示することができる。両電荷輸送性材料としては、アミノスチリル化合物などといった材料の他、ホール輸送性材料と電子輸送性材料とが共蒸着されて成る材料を挙げることができる。

　表示装置を駆動するソースドライバなどの所定の回路は、周知の回路素子を用いて構成することができる。例えば、図１に示す垂直スキャナーや電源部などについても、周知の回路素子を用いて構成することができる。

　また、本開示の表示装置を備えた電子機器として、直視型や投射型の表示装置の他、画像表示機能を備えた各種の電子機器を例示することができる。

　本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。

［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。

　図１に示す表示装置１は、画素７０を構成する発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板１０と、所定の回路を有する第２基板２０とを含んでいる。第１基板１０と第２基板２０とは、それぞれの接合面ＪＳが対向するように貼り合わされている。画素７０は、貼り合わされている基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている。第１基板１０および第２基板２０の基本的な構成については後述する図３を参照して後ほど説明する。

　表示装置１は、行方向（図１においてＸ方向）に沿って配された画素行毎に設けられた、走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１、並びに、列方向（図１においてＹ方向）に沿って配された画素列毎に設けられたデータ線ＤＴＬを含んでいる。各画素７０は、走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１、並びに、データ線ＤＴＬに接続された状態で、行方向にＮ個、列方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列されている。

　２次元マトリクス状に配列された画素７０によって、画像を表示する表示領域（画素アレイ部）８０が構成される。表示領域８０における画素７０の行数はＭであり、各行を構成する画素７０の数はＮである。

　走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１の本数は、それぞれＭ本である。第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の画素７０は、第ｍ番目の走査線ＷＳ_mおよび第ｍ番目の給電線ＰＳ１_mに接続されており、１つの画素行を構成する。また、データ線ＤＴＬの本数はＮ本である。第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ）の画素７０は、第ｎ番目のデータ線ＤＴＬ_nに接続されている。

　尚、図１では記載を省略しているが、表示装置１は、全ての画素７０に共通に接続される共通給電線を備えている。共通給電線には、共通の電圧として例えば接地電位が定常的に供給される。

　表示装置１は、更に、表示領域８０を駆動するための、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０といった各種回路を備えている。尚、図１に示す例において、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０はそれぞれ、表示領域８０の一端側に配置されているとしたが、これは例示に過ぎない。

　表示領域８０、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０は、貼り合わされている第１基板１０と第２基板２０とによって一体として構成されている。即ち、表示装置１は、ドライバ回路一体型の表示装置である。

　ソースドライバ１１０には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調を表す信号ＬＤ_Sigが入力される。信号ＬＤ_Sigは、例えば低電圧のデジタル信号である。ソースドライバ１１０は、映像信号ＬＤ_Sigの階調値に応じたアナログ信号を生成し、映像信号としてデータ線ＤＴＬに供給するために用いられる。生成するアナログ信号は、最大値はソースドライバ１１０に供給される電源電圧と略同等であって、振れ幅は数ボルト程度といった信号である。

　垂直スキャナー１２０は、走査線ＷＳに走査信号を供給する。この走査信号によって、画素７０は例えば行単位で線順次走査される。電源部１３０は、走査線ＷＳの走査とは無関係に、給電線ＰＳ１に所定の電源電圧Ｖ_CC（例えば１０ボルト程度）を継続して供給するとして説明する。尚、場合によっては、走査線ＷＳの走査に対応して、給電線ＰＳ１に供給する電圧を切り替えるといった構成であってもよい。

　表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置であり、行方向に並ぶ３つの画素７０から成る群が１つのカラー画素を構成する。従って、Ｎ’＝Ｎ／３とすれば、表示領域８０には、行方向にＮ’個、列方向にＭ個、合計Ｎ’×Ｍ個のカラー画素が配列される。

　上述したように、垂直スキャナー１２０の走査信号によって、画素７０は行単位で線順次走査される。第ｍ行、第ｎ列目に位置する画素７０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の画素７０と呼ぶ。

　表示装置１にあっては、第ｍ行目に配列されたＮ個の画素７０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＮ個の画素７０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満である。

　表示装置１にあっては、例えば上述した階調を表す信号ＬＤ_Sigなどといった信号や電圧が外部から供給される。このため、信号や電圧を供給するための接続用パッド領域が設けられている。

　図２は、表示領域とパッド領域と配置関係を説明するための模式的な平面図である。

　パッド領域９０は、画像の表示に支障がないように、例えば表示領域８０の一端に沿うように配置されている。パッド領域９０には、接続用のパッド電極２６が、例えば所定の間隔を空けて複数配置されている。

　図３は、第１基板と第２基板の積層関係を説明するための模式的な斜視図である。

　図３に示すように、第１基板１０には表示領域８０が形成され、第２基板２０には、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０といった、所定の回路が設けられている。このため、第１基板１０の半導体素子製造プロセスは、画素７０を構成する発光部を駆動するためのトランジスタの製造に関して好適なものを選択することができ、また、第２基板２０の半導体素子製造プロセスは、ソースドライバ１１０などの所定の回路を構成するトランジスタの製造に好適なものを選択することができるといった利点を備えている。

　階調を表す信号ＬＤ_Sigなどといった信号や電圧は、基本的には、第２基板２０における所定の回路に供給される必要がある。このため、基本的には、パッド電極２６を第２基板２０側に設けることが好ましい。図３では記載を省略しているが、第２基板２０に設けられたパッド電極２６が底面に露出するように、第１基板１０側からパッド電極２６に向けてパッド開口部が設けられている。パッド開口部については、後述する図５などを参照して、後で詳しく説明する。

　以上、表示装置１の概要について説明した。次いで、画素７０の詳細について説明する。

　先ず、画素７０の回路構成について説明する。図４は、画素の模式的な回路図である。尚、図示の都合上、図４においては、１つの画素７０、より具体的には、第（ｎ，ｍ）番目の画素７０についての結線関係を示した。

　図４に示すように、画素（表示素子）７０は、電流駆動型の発光部５０、及び、発光部５０を駆動するための駆動回路７１を備えている。駆動回路７１は、映像信号を書き込むための書込みトランジスタＴＲ_Wと、発光部５０に電流を流す駆動トランジスタＴＲ_Dとを少なくとも含んでいる。これらは、ｐチャネル型トランジスタから構成されている。

　駆動回路７１は、更に、容量部Ｃ_Sを備えている。容量部Ｃ_Sは、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に対するゲート電極の電圧（所謂ゲート・ソース間電圧）を保持するために用いられる。画素７０の発光時において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域（図４において給電線ＰＳ１に接続されている側）はソース領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働く。

　容量部Ｃ_Sを構成する一方の電極と他方の電極は、それぞれ、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域とゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、発光部５０のアノード電極に接続されている。

　発光部５０は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の発光部であって、具体的には、有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。発光部５０は、第１電極（アノード電極）、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び、第２電極（カソード電極）等から成る周知の構成や構造を有する。

　発光部５０の他端（具体的には、第２電極）は、共通給電線に接続されている。共通給電線には所定の電圧Ｖ_CATH（例えば接地電位）が供給される。尚、発光部５０の容量を符号Ｃ_ELで表す。発光部５０の容量Ｃ_ELが小さくて画素７０を駆動する上で支障を生ずるなどといった場合には、必要に応じて、発光部５０に対して並列に接続される補助容量を設ければよい。

　書込みトランジスタＴＲ_Wは、走査線ＷＳに接続されるゲート電極と、データ線ＤＴＬに接続される一方のソース／ドレイン領域と、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続される他方のソース／ドレイン領域とを有する。結果として、データ線ＤＴＬからの信号電圧は、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して容量部Ｃ_Sに書き込まれる。

　上述したように、容量部Ｃ_Sは、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域とゲート電極との間に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には電源部１３０から給電線ＰＳ１_mを介して電源電圧Ｖ_CCが印加される。データ線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖ_Sigが書込みトランジスタＴＲ_Wを介して容量部Ｃ_Sに書き込まれると、容量部Ｃ_Sは（Ｖ_CC－Ｖ_Sig）といった電圧を、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート・ソース間電圧として保持する。駆動トランジスタＴＲ_Dには、以下の式（１）で表すドレイン電流Ｉ_dsが流れ、発光部５０は電流値に応じた輝度で発光する。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（（Ｖ_CC－Ｖ_Sig）－｜Ｖ_th｜）²　　（１）
　尚、
μ　：実効的な移動度
Ｌ　：チャネル長
Ｗ　：チャネル幅
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

　尚、上述した駆動回路７１の構成は一例に過ぎない。実際には、駆動回路は種々の構成をとり得る。

　以上、画素７０の回路構成について説明した。引き続き、表示装置１を構成する各種構成要素の立体的な配置関係について説明する。図５は、表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　第１基板１０の接合面ＪＳには第１接続電極１５が設けられており、第２基板２０の接合面ＪＳには第２接続電極２５が設けられている。そして、第１接続電極１５と第２接続電極２５とは、接合面ＪＳにおいて金属接合されている。

　第２基板２０は、半導体材料層２１、層間絶縁層２３、及び、パッド電極２６などを含んでいる。ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０といった、所定の回路を構成するトランジスタは、半導体材料層２１に形成されている。符号２４は各種の配線層を示し、符号２２は所定の回路を構成するトランジスタのゲート電極などを示す。尚、配線層２４や電極２２は模式的な記載である。また、層間絶縁層２３は、実際には複数の層から構成される。図示の都合上、図では層間絶縁層２３を１層で示した。

　第１基板１０は、半導体材料層１１、及び、層間絶縁層１３などを含んでいる。上述した駆動回路７１を構成する各種のトランジスタは、半導体材料層１１に形成されている。符号１４は各種の配線層を示し、符号１２は駆動回路７１を構成するトランジスタのゲート電極などを示す。尚、配線層１４や電極１２は模式的な記載である。また、層間絶縁層１３は、実際には複数の層から構成される。図示の都合上、図では層間絶縁層１３を１層で示した。

　先ず、表示領域８０における画素７０を含む部分の構成について説明する。画素７０は、第１基板１０上に形成されている。第１基板１０上には、絶縁膜３０、絶縁膜３０上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極３２、第１電極３２上を含む全面に形成された有機層３３、及び、有機層３３上を含む全面に形成された第２電極３４が積層されて形成されている。そして、発光部５０は、第１電極３２と有機層３３と第２電極３４によって構成される。第１電極３２は、接続プラグ３１によって、第１基板１０に設けられた駆動回路に接続される。第２電極３４の上には、保護膜４０、カラーフィルタ４１、マイクロレンズ４２が配置されている。更に、封止樹脂４３を介して、例えばガラス等から成る対向基板４４が配置されている。

　引き続き、パッド領域９０の部分の構成について説明する。第１基板１０と第２基板２０とは、それぞれの接合面ＪＳが対向するように貼り合わされている。そして、パッド電極２６は接合面ＪＳ側に設けられており、例えば、第２基板２０の層間絶縁層２３内に形成されている。また、第１基板１０の上には、絶縁膜３０、保護膜４０、マイクロレンズを形成する際の絶縁材料層（便宜上、符号４２をそのまま用いる。他の実施形態においても同様である）が積層されている。第２基板２０に設けられたパッド電極２６が底面に露出するように、第１基板１０側からパッド電極２６に向けてパッド開口部ＰＤＯＰが設けられている。

　パッド開口部ＰＤＯＰは第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように設けられており、パッド開口部ＰＤＯＰの周囲に位置する半導体材料層１１は、各パッド開口部ＰＤＯＰの周囲に沿って半導体材料層１１を貫通するように設けられた絶縁構造物３０Ａによって区分されている。後述する図７ないし図１８を参照して詳しく説明するが、絶縁構造物３０Ａは絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって形成されている。

　図６は、パッド領域における構成要素の配置関係を説明するための模式的な平面図である。

　図６に示すように、絶縁構造物３０Ａは、各パッド開口部ＰＤＯＰの周囲を連続して囲むように形成されている。これによって、開口部ＰＤＯＰに半導体材料層１１の断面が露出した状態であっても、半導体材料層１１を介して生じ得るパッド電極２６間でのリークを防ぐことができ、電気的な信頼性を向上させることができる。

　また、有機層３３の特性は水分の浸入や吸湿によって劣化する。絶縁構造物３０Ａによって、半導体材料層１１を介して生じ得る水分の浸入や吸湿を抑制することができるので、有機層３３の劣化も抑制することができる。

　以上、表示装置１を構成する各種構成要素の立体的な配置関係について説明した。引き続き、基板などの模式的な一部端面図である図７ないし図１８を参照して、表示装置１の製造方法について説明する。

　表示装置１の製造方法は、
　発光部５０を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層１１を有する第１基板１０と、所定の回路を有する第２基板２０とを、それぞれの接合面ＪＳが対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面ＪＳ側に設けられたパッド電極２６が底面に露出するように、第１基板１０側からパッド電極２６に向けてパッド開口部ＰＤＯＰを設ける第２の工程、
を含んでいる。また、表示装置１の製造方法は、
　第１基板１０上に、
　絶縁膜３０、
　絶縁膜３０上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極３２、
　第１電極３２上を含む全面に形成された有機層３３、及び、
　有機層３３上を含む全面に形成された第２電極３４、
を積層することによって、第１電極３２と有機層３３と第２電極３４から成る発光部５０を形成する工程、
を含んでいる。

　そして、表示装置１の製造方法にあっては、第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部ＰＤＯＰの周囲に位置する半導体材料層１１を、各パッド開口部ＰＤＯＰの周囲に沿って半導体材料層１１を貫通するように設けられた絶縁構造物３０Ａによって区分する工程、
を行う。後述する第２の実施形態ないし第４の実施形態についても同様である。

　以下、表示装置１の製造方法について詳しく説明する。

　　［工程－１００］
　第１基板１０に、発光部５０を駆動する為に必要な素子を形成する。例えば、シリコン等の半導体材料から成る半導体材料層１１に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成する。半導体材料層１１は、例えばポリシリコンを用いて形成することができ、イオン注入などを施すことでチャネル領域やソース／ドレイン領域を形成することができる。その後、各種電極１２や配線層１４を、層間絶縁層１３内に適宜形成する（図７Ａ参照）。

　電極１２や配線層１４を形成する配線は例えばアルミニウム（Ａｌ）などの材料を用いて形成することができ、配線間を接続する接続プラグ（ビア）は例えばタングステン（Ｗ）などを用いて形成することができる。また、場合によっては、銅（Ｃｕ）を用いて配線や接続プラグを形成することもできる。第２基板２０における電極２２や配線層２４などについても同様である。

　次いで、第２基板２０との接続に用いられる第１接続電極１５を形成する（図７Ｂ参照）。ここでは、銅（Ｃｕ）を用いて第１接続電極１５を形成した。

　　［工程－１１０］
　第２基板２０に、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０といった、所定の回路を形成する。各回路の動作状態などを反映して、例えば、閾値特性が異なるトランジスタを適宜形成するといったことが必要となる。第１基板１０と同様に、例えば、シリコン等の半導体材料から成る半導体材料層２１に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成する。その後、各種電極２２や配線層２４を、層間絶縁層２３内に適宜形成する。また、併せて、所定の回路に接続されるパッド電極２６を形成する。（図８Ａ参照）。

　次いで、第１基板１０との接続に用いられる第２接続電極２５を形成する（図８Ｂ参照）。ここでは、銅（Ｃｕ）を用いて第２接続電極２５を形成した。

　　［工程－１２０］
　第１基板１０と第２基板２０とを接合する。例えば、第１基板１０と第２基板２０とを対向させた状態で、プラズマ処理による活性化を施すことによって表面を親水化する（図９参照）。そして、両者を密着させたのちに後に熱処理を加えて、それぞれの接合面ＪＳが対向するように貼り合わせる（図１０参照）。第１接続電極１５と第２接続電極２５とは、接合面ＪＳにおいて金属接合され、第１基板１０の画素回路と第２基板２０の駆動回路との電気的接続等が確保される。その後、第１基板１０の半導体材料層１１に、例えば、化学機械研磨法（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）技術などを施し、薄膜化を施す（図１１参照）。ここでは、半導体材料層１１を３ミクロンメートル程度まで薄膜化したとして説明する。

　　［工程－１３０］
　次いで、パッド領域９０に対応する部分に絶縁構造物を形成する。まず、パッド開口部ＰＤＯＰ分を囲む半導体材料層１１の部分を除去して、環状の開口ＯＰを形成する（図１２参照）。開口ＯＰは、例えば、リソグラフィー技術によりマスクを形成しその後ドライエッチングを施すなどといった方法によって形成することができる。ここでは、溝の幅は２００ナノメートル程度とした。表示装置１の仕様などにもよるが、溝の幅は１００ないし１０００ナノメートル程度とすることが好ましい。尚、図１２では半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図１３参照）。

　その後、半導体材料層１１上を含む全面に絶縁膜３０を成膜する。これによって、環状の開口ＯＰの部分も絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって埋め込まれ、絶縁構造物３０Ａが形成される（図１４参照）。この絶縁構造物３０Ａによって、パッド電極２６間の絶縁に加えて、パッド電極２６と、半導体材料層１１や有機層３３との絶縁を好適に確保することができる。

　　［工程－１４０］
　次いで、第１基板１０上に発光部５０を形成する。

　第１電極３２と、半導体材料層１１に形成されたトランジスタ等を接続するための接続プラグ（ビア）３１を形成する。先ず、第１基板１０において接続プラグ３１を形成すべき部分に開口ＯＰを形成する。例えば、リソグラフィー技術によりマスクを形成しその後ドライエッチングを施すなどといった方法によって、絶縁膜３０と半導体材料層１１の部分に開口ＯＰを形成することができる。ここでは、開口径は５００ナノメートル程度とした。その後、絶縁膜３０を１００ナノメートル程度埋め戻した後、例えばドライエッチングを施し開口ＯＰの底に配線を露出させる（図１５参照）。

　引き続き、開口ＯＰを含む全面に導電材料層を形成した後、ＣＭＰ技術などによって平滑化を施すことによって、接続プラグ３１を形成することができる（図１６参照）。ここでは、バリアメタルとしてチタン窒化物（ＴｉＮ_x）を形成した後、タングステン（Ｗ）を埋め込んだ後、表層部分のチタン窒化物とタングステンを除去した。

　次いで、全面に第１電極３２を構成する導電材料層を成膜した後、リソグラフィー技術によりマスクを形成しその後ドライエッチングを施すなどといった方法によって、各画素７０に対応する第１電極３２を形成する。トップエミッション型である場合、第１電極３２は、アノード電極としての機能と反射膜としての機能を備えたものであって、反射率が高く、且つ、ホール注入性も高い材料で構成されている事が望ましい。第１電極３２は、例えば、膜厚が１０ないし１０００ナノメートル程度に設定された、クロム（Ｃｒ）などから成る導電材料層から形成することができる。

　次いで、表示領域８０に対応する部分について、第１電極３２上を含む全面に、発光層を含む有機層３３を成膜した後、有機層３３上に第２電極３４を形成する。その後、表示領域８０およびパッド領域９０に対応する部分について、全面に保護膜４０を形成する（図１７参照）。以上の工程によって、第１電極３２と有機層３３と第２電極３４とが積層されて成る発光部５０が形成される。

　有機層３３は、例えば、第１電極３２側から、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を順次積層することによって形成することができる。

　有機層３３の発光層は、例えば白色発光用の発光層として形成することができる。この場合、カラーフィルタとの組み合わせによってカラー表示を行うことができる。白色発光層は、例えば、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層を順次積層することによって形成することができる。あるいは又、青色発光層および黄色発光層を含む積層構造や、青色発光層および橙色発光層を含む積層構造を有する形態とすることもできる。これらは、全体として白色を発光する。有機層３３を構成する材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いて構成することができる。

　　［工程－１５０］
　次いで、表示領域８０に対応する部分について保護膜４０上にカラーフィルタ４１を形成した後、全面にマイクロレンズ４２を形成する。その後、表示領域８０に対応する部分について、封止樹脂４３を介して対向基板４４を貼り合わせる（図１８参照）。

　次いで、例えばリソグラフィー技術によりマスクを形成しその後ドライエッチングを施すなどといった方法によって、図１８に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図５に示す表示装置１を得ることができる。

　尚、パッド電極２６は第２基板２０側に設けられているとして説明したが、パッド電極２６は第１基板１０側に設けられていてもよい。例えば、第１基板１０の層間絶縁層１３内にパッド電極２６が形成されていてもよい。

［第２の実施形態］
　第２の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図１９は、第２の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。第２の実施形態に係る表示装置の概念図は、図１において表示装置１を表示装置２と読み替えればよい。後述する他の実施形態においても同様に適宜読み替えをすればよい。

　第１の実施形態と同様に、第２の実施形態に係る表示装置２においても、絶縁構造物３０Ｂは絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって形成されている。但し、接続プラグ３１の形成工程を利用して絶縁構造物３０Ｂを形成するといった点が相違する。このため、第１の実施形態に対して、工程の一部を削減することができる。

　以下、表示装置２の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－２００］
　先ず、第１の実施形態において説明した［工程－１００］ないし［工程－１２０］を行う（図１１参照）。その後、全面に、絶縁膜３０を形成する（図２０参照）。

　　［工程－２１０］
　次いで、接続プラグ３１を形成し、併せて、絶縁構造物３０Ｂを形成する。先ず、第１基板１０において接続プラグ３１を形成すべき部分と、絶縁構造物３０Ｂを形成すべき部分に開口ＯＰを形成する（図は省略する）。その後、絶縁膜３０を１００ナノメートル程度埋め戻した後、例えばドライエッチングを施す。そして、開口を含む全面に導電材料層を形成した後にＣＭＰ技術などによって平滑化を施すことによって、接続プラグ３１を形成することができ、併せて、プラグ３１Ａが埋め込まれた状態の絶縁構造物３０Ｂを形成することができる（図２１参照）。

　　［工程－２２０］
　次いで、第１の実施形態において図１７及び図１８を参照して説明したのと同様の工程を行うことによって、表示装置２を得ることができる。

［第３の実施形態］
　第３の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図２２は、第３の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　第１の実施形態および第２の実施形態において、絶縁構造物３０Ａ，３０Ｂは絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって形成されていた。これに対し、第３の実施形態において、絶縁構造物４０Ａは第２電極３４上の保護膜４０を構成する絶縁材料によって形成されている点が相違する。

　以下、表示装置３の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－３００］
　先ず、第２の実施形態において説明した［工程－２００］を行う（図２０参照）。

　　［工程－３１０］
　その後、第１基板１０上に発光部５０を形成する。第１の実施形態において説明した［工程－１４０］と同様に、接続プラグ３１を形成する（図２３参照）。次いで、各画素７０に対応する第１電極３２を形成し、その後、表示領域８０に対応する部分について、第１電極３２上を含む全面に、発光層を含む有機層３３を成膜し、有機層３３上に第２電極３４を形成する。以上の工程によって、第１電極３２と有機層３３と第２電極３４とが積層されて成る発光部５０が形成される（図２４参照）。

　　［工程－３２０］
　次いで、パッド領域９０に対応する部分に絶縁構造物を形成する。まず、パッド開口部ＰＤＯＰ分を囲む絶縁膜３０および半導体材料層１１の部分を除去して、環状の開口ＯＰを形成する（図２５参照）。尚、図２５では絶縁膜３０と半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図２６参照）。

　　［工程－３３０］
　その後、表示領域８０およびパッド領域９０に対応する部分について、全面に保護膜４０を形成する。これによって、第２電極３４上の保護膜４０を構成する絶縁材料によって絶縁構造物４０Ａが形成される。引き続き、第１の実施形態において説明した［工程－１５０］を行い、図２７に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図２２に示す表示装置３を得ることができる。

［第４の実施形態］
　第４の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図２８は、第４の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　第３の実施形態において、絶縁構造物４０Ａは保護膜を構成する絶縁材料によって形成されていた。これに対し、第３の実施形態において、絶縁構造物４１Ａは第２電極３４上のカラーフィルタ４１を構成する絶縁材料によって形成されている点が相違する。

　以下、表示装置４の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－４００］
　先ず、第３の実施形態において説明した［工程－３００］および［工程－３１０］を行う（図２４参照）。

　　［工程－４１０］
　その後、表示領域８０およびパッド領域９０に対応する部分について、全面に保護膜４０を形成する（図２９参照）。

　　［工程－４２０］
　次いで、パッド領域９０に対応する部分に絶縁構造物を形成する。まず、パッド開口部ＰＤＯＰの部分を囲む保護膜４０、絶縁膜３０、および、半導体材料層１１の部分を除去して、環状の開口ＯＰを形成する（図３０参照）。尚、図３０では保護膜４０、絶縁膜３０、半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図３１参照）。

　　［工程－４３０］
　その後、表示領域８０およびパッド領域９０に対応する部分について、全面にカラーフィルタ４１を形成する。これによって、第２電極３４上のカラーフィルタ４１を構成する絶縁材料によって絶縁構造物４１Ａが形成される。引き続き、第１の実施形態において説明した［工程－１５０］を行い、図３２に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図２８に示す表示装置４を得ることができる。

［第５の実施形態］
　第５の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図３３は、第５の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。図３４は、パッド領域における構成要素の配置関係を説明するための模式的な平面図である。

　第１の実施形態ないし第４の実施形態にあっては、開口部ＰＤＯＰに半導体材料層１１の断面が露出していた。第５の実施形態にあっては、パッド開口部ＰＤＯＰは第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように設けられており、半導体材料層１１の貫通面は絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって覆われている。貫通面を覆う部分を符号３０Ｃで表した。

　表示装置５にあっては、パッド開口部ＰＤＯＰには半導体材料層１１の断面が露出していない。従って、半導体材料層１１を介して生じ得るパッド電極２６間でのリークを防ぐことができ、電気的な信頼性を向上させることができる。また、半導体材料層１１を介して生じ得る水分の浸入や吸湿を抑制することができるので、有機層３３の劣化も抑制することができる。

　表示装置５の製造方法も、
　発光部５０を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層１１を有する第１基板１０と、所定の回路を有する第２基板２０とを、それぞれの接合面ＪＳが対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面ＪＳ側に設けられたパッド電極２６が底面に露出するように、第１基板１０側からパッド電極２６に向けてパッド開口部ＰＤＯＰを設ける第２の工程、
を含んでいる。また、表示装置５の製造方法も、
　第１基板１０上に、
　絶縁膜３０、
　絶縁膜３０上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極３２、
　第１電極３２上を含む全面に形成された有機層３３、及び、
　有機層３３上を含む全面に形成された第２電極３４、
を積層することによって、第１電極３２と有機層３３と第２電極３４から成る発光部５０を形成する工程、
を含んでいる。

　そして表示装置５の製造方法にあっては、第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部ＰＤＯＰが形成される領域を包含するように、第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように開口を設ける工程、及び、
　開口を含む全面に絶縁材料層を形成する工程、
を行う。後述する第６の実施形態ないし第８の実施形態についても同様である。

　以下、表示装置５の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－５００］
　先ず、第１の実施形態において説明した［工程－１００］ないし［工程－１２０］を行う（図１１参照）。次いで、パッド開口部ＰＤＯＰが形成される領域を包含するように、第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように開口ＯＰを設ける（図３５参照）。尚、図３５では半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図３６参照）。その後、半導体材料層１１上を含む全面に絶縁膜３０を成膜する（図３７参照）。これによって、半導体材料層１１の断面も絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって覆われる。

　　［工程－５１０］
　次いで、第１の実施形態において説明した［工程－１４０］ないし［工程－１５０］を行う（図３８参照）。その後、図３８に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図３３に示す表示装置５を得ることができる。

［第６の実施形態］
　第６の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図３９は、第６の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　第５の実施形態において、半導体材料層１１の貫通面は絶縁膜３０を構成する絶縁材料によって覆われていた。これに対し、第６の実施形態にあっては、半導体材料層１１の貫通面は保護膜４０を構成する絶縁材料によって覆われている点が相違する。貫通面を覆う部分を符号４０Ｂで表した。

　以下、表示装置６の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－６００］
　先ず、第３の実施形態において説明した［工程－３００］および［工程－３１０］を行う（図２４参照）。

　　［工程－６１０］
　次いで、パッド開口部ＰＤＯＰが形成される領域を包含するように、第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように開口ＯＰを設ける（図４０参照）。尚、図４０では絶縁膜３０および半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図４１参照）。その後、絶縁膜３０上を含む全面に保護膜４０を成膜する（図４２参照）。これによって、半導体材料層１１の断面も保護膜４０を構成する絶縁材料によって覆われる。

　　［工程－６２０］
　次いで、第１の実施形態において説明した［工程－１５０］を行う（図４３、図４４参照）。その後、図４４に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図３９に示す表示装置６を得ることができる。

［第７の実施形態］
　第７の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図４５は、第７の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　第６の実施形態において、半導体材料層１１の貫通面は保護膜４０を構成する絶縁材料によって覆われていた。これに対し、第６の実施形態にあっては、半導体材料層１１の貫通面はカラーフィルタ４１を構成する絶縁材料によって覆われている点が相違する。貫通面を覆う部分を符号４１Ｂで表した。

　以下、表示装置７の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－７００］
　先ず、第４の実施形態において説明した［工程－４００］および［工程－４１０］を行う（図２９参照）。

　　［工程－７１０］
　次いで、パッド開口部ＰＤＯＰが形成される領域を包含するように、第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように開口ＯＰを設ける（図４６参照）。尚、図４６では保護層４０、絶縁膜３０および半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図４７参照）。その後、絶縁膜３０上を含む全面に保護膜４０を成膜する（図４２参照）。これによって、半導体材料層１１の断面も保護膜４０を構成する絶縁材料によって覆われる。

　　［工程－７２０］
　次いで、表示領域８０及びパッド領域９０を含む全面に、カラーフィルタ４１を形成する（図４８参照）。その後、全面にマイクロレンズ４２を形成した後、表示領域８０に対応する部分について、封止樹脂４３を介して対向基板４４を貼り合わせる（図４９参照）。次いで、図４９に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図４５に示す表示装置７を得ることができる。

［第８の実施形態］
　第８の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図５０は、第８の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　第７の実施形態において、半導体材料層１１の貫通面はカラーフィルタ４１を構成する絶縁材料によって覆われていた。これに対し、第８の実施形態にあっては、半導体材料層１１の貫通面はマイクロレンズ４２を構成する絶縁材料によって覆われている点が相違する。貫通面を覆う部分を符号４２Ｂで表した。

　以下、表示装置８の製造方法について、詳しく説明する。

　　［工程－８００］
　先ず、第４の実施形態において説明した［工程－４００］および［工程－４１０］を行う（図２９参照）。次いで、表示領域８０に対応する部分について、全面にカラーフィルタ４１を形成する（図５１参照）。

　　［工程－８１０］
　その後、パッド開口部ＰＤＯＰが形成される領域を包含するように、第１基板１０の半導体材料層１１を貫通するように開口ＯＰを設ける（図５２参照）。尚、図４６では保護層４０、絶縁膜３０および半導体材料層１１のみを除去した態様を示したが、下層に位置する層間絶縁層１３にエッチングが及ぶ態様であってもよい（図５３参照）。

　　［工程－８２０］
　次いで、表示領域８０及びパッド領域９０を含む全面にマイクロレンズ４２を形成した後、表示領域８０に対応する部分について、封止樹脂４３を介して対向基板４４を貼り合わせる（図５４参照）。これによって、半導体材料層１１の断面もマイクロレンズ４２を構成する絶縁材料によって覆われる。その後、図５４に破線で示す部分を開口してパッド電極２６を露出させる。以上の工程によって、図５０に示す表示装置８を得ることができる。

［第９の実施形態］
　第９の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図５５は、第９の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　表示装置９Ａは、パッド開口部ＰＤＯＰにおいて半導体材料層１１の断面が露出した構成である。但し、半導体材料層には、パッド電極２６の露出領域よりも広い領域の開口が設けられている。

　表示装置９Ａの製造方法も、
　発光部５０を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層１１を有する第１基板１０と、所定の回路を有する第２基板２０とを、それぞれの接合面ＪＳが対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面ＪＳ側に設けられたパッド電極２６が底面に露出するように、第１基板１０側からパッド電極２６に向けてパッド開口部ＰＤＯＰを設ける第２の工程、
を含んでいる。そして、第１の工程と第２の工程との間に、
　半導体材料層１１にパッド電極２６の露出領域よりも広い領域の開口を設ける工程、
を行う。

　例えば、接続プラグ３１の形成時にパッド領域９０における半導体材料層１１に開口を設け、後に、これよりも小さい開口を設けて底部にパッド電極２６を露出させる。上述した２つの開口のオフセット料は例えば５ミクロンメートル程度とする。パッド開口部ＰＤＯＰにおいて半導体材料層１１の断面は後退しているので、プローピングによる測定やワイヤードンディング工程などに起因する半導体材料層１１のダメージは軽減される。結果として、パッド電極２６間におけるリークも抑制される。

［第１０の実施形態］
　第１０の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

　図５６は、第１０の実施形態に係る表示装置の表示領域における画素を含む部分とパッド領域の部分の模式的な一部断面図である。

　表示装置９Ｂは、絶縁膜３０上に、パッド電極２６Ａが形成されている。そして、パッド電極２６Ａとパッド電極２６とは、接続プラグ３１Ａを介して電気的に接続されている。

　この構成によれば、パッド電極２６Ａが絶縁膜３０上に位置する構造であるので、パッド電極間のリークや有機層３３の吸湿を軽減することができる。

［電子機器の説明］
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。

　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、表示領域に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から表示領域への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ、及び、ヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。

（具体例１）
　図５７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図５７Ａにその正面図を示し、図５７Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。

　そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。

　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例２）
　図５８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例３）
　図５９は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。

　本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

　本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

　鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。

［その他］
　なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。

［Ａ１］
　画素を構成する発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている、
表示装置。
［Ａ２］
　第１基板上には、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
が積層されて形成されており、
　発光部は、第１電極と有機層と第２電極によって構成される、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層は、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分されている、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
　絶縁構造物は絶縁膜を構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ａ３］に記載の表示装置。
［Ａ５］
　第２電極の上には保護膜が形成されており、
　絶縁構造物は保護膜を構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ａ３］に記載の表示装置。
［Ａ６］
　第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、
　絶縁構造物はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ａ３］に記載の表示装置。
［Ａ７］
　第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、
　絶縁構造物はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ａ３］に記載の表示装置。
［Ａ８］
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　半導体材料層の貫通面は絶縁材料によって覆われている、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ９］
　半導体材料層の貫通面は絶縁膜を構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ａ８］に記載の表示装置。
［Ａ１０］
　第２電極の上には保護膜が形成されており、
　半導体材料層の貫通面は保護膜を構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ａ８］に記載の表示装置。
［Ａ１１］
　第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、
　半導体材料層の貫通面はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ａ８］に記載の表示装置。
［Ａ１２］
　第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、
　半導体材料層の貫通面はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ａ８］に記載の表示装置。
［Ａ１３］
　半導体材料層には、パッド電極の露出領域よりも広い領域の開口が設けられている、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ１４］
　第１基板の接合面には第１接続電極が設けられており、
　第２基板の接合面には第２接続電極が設けられており、
第１接続電極と第２接続電極とは、接合面において金属接合されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１３］のいずれかに記載の表示装置。

［Ｂ１］
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、所定の回路を有する第２基板とを、それぞれの接合面が対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部を設ける第２の工程、
を含む、
表示装置の製造方法。
［Ｂ２］
　第１基板上に、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
を積層することによって、第１電極と有機層と第２電極から成る発光部を形成する工程、
を含む、
上記［Ｂ１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ３］
　第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層を、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分する工程、
を行う、
上記［Ｂ２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ４］
　絶縁膜を構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ５］
　第１電極上に保護膜を形成する工程を含んでおり、
　保護膜を構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ６］
　第１電極上にカラーフィルタを形成する工程を含んでおり、
　カラーフィルタを構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ７］
　第１電極上にマイクロレンズを形成する工程を含んでおり、
　マイクロレンズを構成する絶縁材料によって絶縁構造物を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ８］
　第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部が形成される領域を包含するように、第１基板の半導体材料層を貫通するように開口を設ける工程、及び、
　開口を含む全面に絶縁材料層を形成する工程、
を行う、
上記［Ｂ２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ９］
　絶縁膜を構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する、
上記［Ｂ８］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１０］
　第１電極上に保護膜を形成する工程を含んでおり、
　保護膜を構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１１］
　第１電極上にカラーフィルタを形成する工程を含んでおり、
　カラーフィルタを構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１２］
　第１電極上にマイクロレンズを形成する工程を含んでおり、
　マイクロレンズを構成する絶縁材料によって絶縁材料層を形成する、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１３］
　第１の工程と第２の工程との間に、
　半導体材料層にパッド電極の露出領域よりも広い領域の開口を設ける工程、
を行う、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。

［Ｃ１］
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている、
表示装置を備えた電子機器。
［Ｃ２］
　第１基板上には、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
が積層されて形成されており、
　発光部は、第１電極と有機層と第２電極によって構成される、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層は、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分されている、
上記［Ｃ２］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
　絶縁構造物は絶縁膜を構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ５］
　第２電極の上には保護膜が形成されており、
　絶縁構造物は保護膜を構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ６］
　第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、
　絶縁構造物はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ７］
　第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、
　絶縁構造物はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって形成されている、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ８］
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　半導体材料層の貫通面は絶縁材料によって覆われている、
上記［Ｃ２］に記載の電子機器。
［Ｃ９］
　半導体材料層の貫通面は絶縁膜を構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１０］
　第２電極の上には保護膜が形成されており、
　半導体材料層の貫通面は保護膜を構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１１］
　第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、
　半導体材料層の貫通面はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１２］
　第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、
　半導体材料層の貫通面はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって覆われている、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１３］
　半導体材料層には、パッド電極の露出領域よりも広い領域の開口が設けられている、
上記［Ｃ１］または［Ｃ２］に記載の電子機器。
［Ｃ１４］
　第１基板の接合面には第１接続電極が設けられており、
　第２基板の接合面には第２接続電極が設けられており、
第１接続電極と第２接続電極とは、接合面において金属接合されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ１３］のいずれかに記載の電子機器。

１，２，３，４，５，６，７，８，９Ａ，９Ｂ・・・表示装置、１０・・・第１基板、１１・・・半導体材料層、１２・・・各種の電極、１３・・・層間絶縁層、１４・・・配線層、１５・・・第１接続電極、２０・・・第２基板、２１・・・半導体材料層、２２・・・各種の電極、２３・・・層間絶縁層、２４・・・配線層、２５・・・第２接続電極、２６，２６Ａ・・・パッド電極、３０・・・絶縁膜、３０Ａ，３０Ｂ・・・絶縁構造物、３０Ｃ・・・半導体材料層の断面を覆う絶縁材料、３１・・・接続プラグ（ビア）、３２・・・第１電極（アノード電極）、３３・・・有機層、３４・・・第２電極（カソード電極）、４０・・・保護膜、４０Ａ・・・絶縁構造物、４０Ｂ・・・半導体材料層の断面を覆う絶縁材料、４１・・・カラーフィルタ、４１Ａ・・・絶縁構造物、４１Ｂ・・・半導体材料層の断面を覆う絶縁材料、４２・・・マイクロレンズ、４２Ｂ・・・半導体材料層の断面を覆う絶縁材料、４３・・・封止樹脂、４４・・・対向基板、５０・・・発光部、７０・・・画素、７１・・・駆動回路、８０・・・表示領域、９０・・・パッド領域、１１０・・・ソースドライバ、１２０・・・垂直スキャナー、１３０・・・電源部、ＷＳ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、ＴＲ_W・・・書込みトランジスタ、ＴＲ_D・・・駆動トランジスタ、Ｃ_S・・・容量部、Ｃ_EL・・・発光部の容量、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒

Claims

　画素を構成する発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている、
表示装置。
　第１基板上には、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
が積層されて形成されており、
　発光部は、第１電極と有機層と第２電極によって構成される、
請求項１に記載の表示装置。
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層は、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分されている、
請求項２に記載の表示装置。
　絶縁構造物は絶縁膜を構成する絶縁材料によって形成されている、
請求項３に記載の表示装置。
　第２電極の上には保護膜が形成されており、
　絶縁構造物は保護膜を構成する絶縁材料によって形成されている、
請求項３に記載の表示装置。
　第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、
　絶縁構造物はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって形成されている、
請求項３に記載の表示装置。
　第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、
　絶縁構造物はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって形成されている、
請求項３に記載の表示装置。
　パッド開口部は第１基板の半導体材料層を貫通するように設けられており、
　半導体材料層の貫通面は絶縁材料によって覆われている、
請求項２に記載の表示装置。
　半導体材料層の貫通面は絶縁膜を構成する絶縁材料によって覆われている、
請求項８に記載の表示装置。
　第２電極の上には保護膜が形成されており、
　半導体材料層の貫通面は保護膜を構成する絶縁材料によって覆われている、
請求項８に記載の表示装置。
　第２電極の上にはカラーフィルタが形成されており、
　半導体材料層の貫通面はカラーフィルタを構成する絶縁材料によって覆われている、
請求項８に記載の表示装置。
　第２電極の上にはマイクロレンズが形成されており、
　半導体材料層の貫通面はマイクロレンズを構成する絶縁材料によって覆われている、
請求項８に記載の表示装置。
　半導体材料層には、パッド電極の露出領域よりも広い領域の開口が設けられている、
請求項２に記載の表示装置。
　第１基板の接合面には第１接続電極が設けられており、
　第２基板の接合面には第２接続電極が設けられており、
第１接続電極と第２接続電極とは、接合面において金属接合されている、
請求項１に記載の表示装置。
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、所定の回路を有する第２基板とを、それぞれの接合面が対向するように貼り合わせる第１の工程、及び、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部を設ける第２の工程、
を含む、
表示装置の製造方法。
　第１基板上に、
　絶縁膜、
　絶縁膜上に形成され、マトリクス状に配置された第１電極、
　第１電極上を含む全面に形成された有機層、及び、
　有機層上を含む全面に形成された第２電極、
を積層することによって、第１電極と有機層と第２電極から成る発光部を形成する工程、
を含む、
請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
　第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部の周囲に位置する半導体材料層を、各パッド開口部の周囲に沿って半導体材料層を貫通するように設けられた絶縁構造物によって区分する工程、
を行う、
請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
　第１の工程と第２の工程との間に、
　パッド開口部が形成される領域を包含するように、第１基板の半導体材料層を貫通するように開口を設ける工程、及び、
　開口を含む全面に絶縁材料層を形成する工程、
を行う、
請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
　第１の工程と第２の工程との間に、
　半導体材料層にパッド電極の露出領域よりも広い領域の開口を設ける工程、
を行う、
請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
　発光部を駆動するためのトランジスタが形成された半導体材料層を有する第１基板と、
　所定の回路を有する第２基板と、
を含んでおり、
　第１基板と第２基板とは、それぞれの接合面が対向するように貼り合わされており、
　接合面側に設けられたパッド電極が底面に露出するように、第１基板側からパッド電極に向けてパッド開口部が設けられている、
表示装置を備えた電子機器。