WO2021176894A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器 - Google Patents

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WO2021176894A1
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cathode
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cathode electrode
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加藤　孝義
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ソニーグループ株式会社
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Definitions

  • This disclosure relates to a display device, a manufacturing method of the display device, and an electronic device.
  • flat panel type (flat type) display devices are the mainstream.
  • a display device using a so-called current-driven electro-optical element whose emission brightness changes according to the current value flowing through the device as a light emitting part (light emitting element) of a pixel.
  • an organic electroluminescence element EL: Electroluminescence
  • an organic electroluminescence element hereinafter, simply, “ (Sometimes abbreviated as "organic EL element" is known.
  • An organic electroluminescence display device (hereinafter, may be simply abbreviated as "organic EL display device") using an organic EL element as a light emitting unit of a pixel generally has a circuit unit for driving the organic EL element on a substrate.
  • An insulating film (interlayer film) is provided so as to cover the circuit portion, and organic EL elements are arranged and formed on the insulating film.
  • a cathode electrode is formed on the organic EL element as an upper electrode as an electrode common to all pixels. A predetermined potential is applied to the cathode electrode.
  • a contact electrode to which a predetermined potential is applied is provided on the outer peripheral portion of the effective pixel region, and the cathode electrode is electrically connected to the contact electrode.
  • a contact electrode is provided on the outer peripheral portion of the effective pixel region and the contact electrode is electrically connected to the cathode electrode as in the prior art described in Patent Document 1, it is provided in common for all pixels.
  • the sheet resistance of the cathode electrode to be used may increase due to various factors. When the sheet resistance of the cathode electrode increases, the larger the angle of view and the more current is tried to flow, the more the brightness decreases at the center of the effective pixel region.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device and a method for manufacturing a display device capable of reducing the sheet resistance of the cathode electrode, and an electronic device having the display device.
  • the display device of the present disclosure for achieving the above object is Light emitting part, A multi-layered cathode electrode in which two or more layers are laminated on the light emitting portion with a protective film interposed therebetween and electrically connected to each other, and Potential supply wiring that gives a predetermined potential to the multilayer cathode electrodes, With The second or higher-layer cathode electrodes of the multilayer cathode electrodes are electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the first contact hole.
  • a protective film is formed on the cathode electrode of the first layer to which a predetermined potential is applied.
  • the protective film is formed with a first contact hole leading to the contact electrode to which a predetermined potential is applied.
  • the bottom of the first contact hole is electrically connected to the contact electrode, and the side wall of the first contact hole is electrically connected to the first layer of the cathode electrode to form a second or more layer of cathode electrode. do.
  • the electronic devices of the present disclosure for achieving the above objectives are Light emitting part, A multi-layered cathode electrode in which two or more layers are laminated on the light emitting portion with a protective film interposed therebetween and electrically connected to each other, and Potential supply wiring that gives a predetermined potential to the multilayer cathode electrodes, With Of the multilayer cathode electrodes, the second and higher cathode electrodes are electrically connected to the potential supply wiring through the first contact hole. It has a display device.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of the configuration of an organic EL display device which is an example of a display device to which the technique of the present disclosure is applied.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of pixels (pixel circuits) in an organic EL display device.
  • FIG. 3A is a plan view showing a plan structure of a display panel according to a conventional example, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3A.
  • FIG. 4 is an end view of a cut portion showing the panel structure of the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a panel structure composed of red, green, and blue organic EL elements.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of the configuration of an organic EL display device which is an example of a display device to which the technique of the present disclosure is applied.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of
  • FIG. 6 is a cross-sectional structure showing a cross-sectional structure of a main part of a panel structure composed of a combination of a white organic EL element and a color filter.
  • 7A, 7B, and 7C are process charts (No. 1) showing the flow of the manufacturing method according to the second embodiment.
  • 8A, 8B, and 8C are process charts (No. 2) showing the flow of the manufacturing method according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is an end view of a cut portion showing the panel structure of the display device according to the third embodiment.
  • 10A, 10B, and 10C are process charts (No. 1) showing the flow of the manufacturing method according to the fourth embodiment.
  • 11A, 11B, and 11C are process charts (No. 2) showing the flow of the manufacturing method according to the fourth embodiment.
  • FIG. 1 is process charts showing the flow of the manufacturing method according to the fourth embodiment.
  • FIG. 12 is an end view of a cut portion showing the panel structure of the display device according to the fifth embodiment.
  • 13A and 13B are process charts (No. 1) showing the flow of the manufacturing method according to the sixth embodiment.
  • 14A and 14B are process charts (No. 2) showing the flow of the manufacturing method according to the sixth embodiment.
  • 15A, 15B, and 15C are plan views showing an arrangement example (No. 1), an arrangement example (No. 2), and an arrangement example (No. 3) of the cathode contact portion according to the seventh embodiment.
  • FIG. 16A is a front view of an interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera according to a specific example 1 of the electronic device of the present disclosure
  • FIG. 16B is a rear view thereof.
  • FIG. 17 is an external view showing an example of a head-mounted display according to Specific Example 2 of the electronic device of the present disclosure.
  • Example 1 (Example of two-layer cathode electrode: The cathode electrode of the second layer is electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the contact hole, and the cathode electrode of the first layer and 2 at the side wall of the contact hole. Example of electrically connecting to the cathode electrode of the layer) 3-2.
  • Example 2 (Example of manufacturing method of display device according to Example 1) 3-3.
  • Example 3 (Modification of Example 1: An example in which the cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer are electrically connected through a contact hole formed exclusively). 3-4.
  • Example 4 (Example of manufacturing method of display device according to Example 3) 3-5.
  • Example 5 Example of three-layer cathode electrode: The cathode electrode of the third layer is electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the contact hole, and the cathode electrode of the third layer is connected to the side wall of the contact hole.
  • Example of electrically connecting the cathode electrodes of the first and second layers 3-6.
  • Example 6 Example of manufacturing method of display device according to Example 5) 3-7.
  • Example 7 Example of Arrangement of Electrical Connections of Cathode Electrodes of the Second Layer or More with Potential Supply Wiring and Electrical Connections Between Cathode Electrodes of Each Layer
  • Modification example 5 Electronic device of the present disclosure 5-1. Specific example 1 (example of digital still camera) 5-2. Specific example 2 (example of head-mounted display) 6. Configuration that can be taken by this disclosure
  • the cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer or more are electrically connected to each other at the side wall portion of the first contact hole.
  • the cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer or more can be electrically connected to each other at the bottom of the second contact hole.
  • the cathode contact portion for electrically connecting the cathode electrodes of the second layer or more to the potential supply wiring.
  • It can be configured to be provided in the effective pixel area.
  • the cathode contact portion is provided for each pixel in the effective pixel region, or is provided for each region of a predetermined size in the effective pixel region, or is provided in the center of the effective pixel region.
  • the configuration may be provided in the vicinity of the pixels of the unit.
  • the light emitting portion may be configured to include an organic electroluminescence element.
  • the organic layer is formed in pixel units with a plurality of monochromatic light emitting organic materials, or is formed in common with all pixels with a white light emitting organic material, and is formed in one stage or two or more stages. It can be configured to be laminated and provided.
  • the drive circuit portion of the light emitting unit may be configured to be formed on the semiconductor substrate. ..
  • the display device to which the technique of the present disclosure is applied is a thin film transistor (TFT) formed on a transparent insulating substrate or a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor formed on a silicon semiconductor substrate. It is a so-called active matrix type display device that drives an element) to emit light.
  • TFT thin film transistor
  • MOS Metal Oxide Semiconductor
  • an organic EL element can be exemplified as a current-driven electro-optical element.
  • an active matrix type organic EL display device using an organic EL element, which is a current-driven electro-optical element, as a light emitting unit of a pixel circuit will be described as an example.
  • the "pixel circuit" may be simply referred to as a "pixel”.
  • a general form of an organic EL display device is to control a current flowing through an organic EL element by a thin film transistor formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate.
  • a thin film transistor formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate.
  • amorphous silicon or polycrystalline silicon as the channel material for the thin film transistor.
  • a MOS transistor formed on a semiconductor substrate such as a silicon substrate.
  • the current flowing through the organic EL element may be controlled.
  • a common electrode provided common to all pixels is fixed to, for example, 0 V, located on the opposite side of the common electrode across the organic EL layer, and a positive voltage is applied to individual electrodes provided for each pixel. By doing so, the organic EL element is made to emit light.
  • the individual electrodes provided for each pixel will be referred to as anode electrodes
  • the common electrodes provided for all pixels will be referred to as cathode electrodes.
  • the usage of fixing the potential of the cathode electrode (cathode potential) to 0V is a typical example, but the usage is not limited to this usage, and for example, by setting the cathode potential to a negative potential, It is also possible to set a larger potential difference from the anode electrode and increase the brightness than when fixing it at 0 V.
  • the usage of fixing the cathode potential to 0V is the basis, though not limited to the embodiment.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of the configuration of an organic EL display device which is an example of a display device to which the technique of the present disclosure is applied.
  • the organic EL display device 10 according to the present application example has a pixel array unit 30 in which a plurality of pixels 20 including an organic EL element are two-dimensionally arranged in a matrix shape, and the pixels.
  • the system configuration includes peripheral circuits (peripheral drive units) arranged around the array unit 30.
  • the peripheral circuit includes, for example, a writing scanning unit 40, a driving scanning unit 50, a signal output unit 60, etc. mounted on the same display panel 70 as the pixel array unit 30, and drives each pixel 20 of the pixel array unit 30. do. It is also possible to adopt a configuration in which some or all of the writing scanning unit 40, the driving scanning unit 50, and the signal output unit 60 are provided outside the display panel 70.
  • a transparent insulating substrate such as a glass substrate can be used, or a semiconductor substrate such as a silicon substrate can be used.
  • An organic EL display device using a semiconductor substrate as the substrate of the display panel 70 is called a so-called micro display (small display), and is suitable for use as an electronic viewfinder of a digital still camera, a display unit of a head-mounted display, or the like. It is a thing.
  • the organic EL display device 10 can be configured to support monochrome (black and white) display or can be configured to support color display.
  • monochrome black and white
  • color display When the organic EL display device 10 supports color display, one pixel (unit pixel / pixel) as a unit for forming a color image is composed of a plurality of sub-pixels (sub-pixels).
  • each of the sub-pixels corresponds to the pixel 20 in FIG. More specifically, in a display device that supports color display, one pixel is, for example, a sub-pixel that emits red (Red; R) light, a sub-pixel that emits green (Green; G) light, and blue. It is composed of three sub-pixels of sub-pixels that emit the light of (Blue; B).
  • one pixel is not limited to the combination of the sub-pixels of the three primary colors of RGB, and one pixel may be formed by further adding the sub-pixels of one color or a plurality of colors to the sub-pixels of the three primary colors. It is possible. More specifically, for example, a sub-pixel that emits white (W) light to improve brightness is added to form one pixel, or at least complementary color light is emitted to expand the color reproduction range. It is also possible to add one sub-pixel to form one pixel.
  • W white
  • the scanning lines 31 (31 1 to 31 m ) are connected to the output ends of the corresponding lines of the writing scanning unit 40, respectively.
  • Drive lines 32 (32 1 ⁇ 32 m) are respectively connected to output terminals corresponding to the line of the drive scanner 50.
  • Signal lines 33 (33 1 ⁇ 33 n) are connected to the output end of the corresponding columns of the signal output unit 60.
  • the write scanning unit 40 is composed of a shift register circuit or the like.
  • the writing scanning unit 40 writes the writing scanning signal WS (WS 1 to WS m ) with respect to the scanning lines 31 (31 1 to 31 m ) when writing the signal voltage of the video signal to each pixel 20 of the pixel array unit 30.
  • WS writing scanning signal
  • 31 31 1 to 31 m
  • the drive scanning unit 50 is composed of a shift register circuit or the like.
  • the drive scanning unit 50 pixel by in synchronism with the line sequential scanning by the writing scanning unit 40, supplies the emission control signals DS (DS 1 ⁇ DS m) with respect to the drive line 32 (32 1 ⁇ 32 m) 20 light emission / non-emission (quenching) control is performed.
  • Signal output unit 60 a signal source signal voltage of a video signal corresponding to luminance information supplied from the (not shown) (hereinafter, sometimes simply described as "signal voltage") V sig and the reference voltage V ofs And are output selectively.
  • the reference voltage V ofs is a voltage corresponding to a reference voltage of the signal voltage V sig of the video signal (for example, a voltage corresponding to the black level of the video signal), or a voltage in the vicinity thereof.
  • the reference voltage V ofs is used as an initialization voltage when performing a correction operation.
  • the signal output unit 60 adopts a drive mode of line sequential writing in which the signal voltage V sig is written in pixel line units.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of pixels (pixel circuits) in the organic EL display device 10 according to this application example.
  • the light emitting portion of the pixel 20 is composed of an organic EL element 21.
  • the organic EL element 21 is an example of a current-driven electro-optical element whose emission brightness changes according to the value of the current flowing through the device.
  • the pixel 20 is composed of an organic EL element 21 and a drive circuit unit (pixel drive circuit unit) that drives the organic EL element 21 by passing a current through the organic EL element 21. ..
  • the cathode electrode is connected to the common power supply line 34 which is commonly wired to all the pixels 20.
  • a predetermined potential for example, a reference potential
  • Cel is the equivalent capacitance of the organic EL element 21.
  • the drive circuit unit that drives the organic EL element 21 has a circuit configuration having a drive transistor 22, a sampling transistor 23, a light emission control transistor 24, a holding capacity 25, and an auxiliary capacity 26.
  • the drive transistor 22 is a P channel.
  • the configuration uses a type transistor.
  • the sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 also adopt a configuration in which a P-channel type transistor is used as in the drive transistor 22. Therefore, the drive transistor 22, the sampling transistor 23, and the light emission control transistor 24 have four terminals of source / gate / drain / back gate instead of three terminals of source / gate / drain. A power supply voltage V dd is applied to the back gate.
  • sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 are not limited to P-channel type transistors because they are switching transistors that function as switch elements. That is, the sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 may be an N-channel type transistor or a configuration in which a P-channel type and an N-channel type are mixed.
  • the sampling transistor 23 writes to the holding capacitance 25 by sampling the signal voltage V sig supplied from the signal output unit 60 through the signal line 33.
  • the light emission control transistor 24 is connected between the node of the power supply voltage V dd and the source electrode of the drive transistor 22, and controls the light emission / non-light emission of the organic EL element 21 under the drive of the light emission control signal DS.
  • the holding capacity 25 is connected between the gate electrode and the source electrode of the drive transistor 22.
  • the holding capacitance 25 holds the signal voltage V sig written by the sampling operation by the sampling transistor 23.
  • the drive transistor 22 drives the organic EL element 21 by passing a drive current corresponding to the holding voltage of the holding capacity 25 through the organic EL element 21.
  • the auxiliary capacitance 26 is connected between the source electrode of the drive transistor 22 and a node having a fixed potential, for example, a node having a power supply voltage V dd.
  • the auxiliary capacitance 26 suppresses the fluctuation of the source potential of the drive transistor 22 when the signal voltage V sig is written, and the gate-source voltage V gs of the drive transistor 22 is set to the threshold voltage V of the drive transistor 22. It acts to make th.
  • FIG. 3A shows a plan view of the structure of the display panel 70 according to the conventional example
  • FIG. 3B shows a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3A.
  • a circuit portion (not shown) for driving the organic EL element 21 is formed on a semiconductor substrate 71 such as a silicon substrate, and an interlayer film 72, which is an insulating film, is formed so as to cover the circuit portion.
  • the organic EL element 21 is arranged and formed on the interlayer film 72.
  • a cathode electrode 73 is formed as an upper electrode on the organic EL element 21 as an electrode common to all pixels.
  • the organic EL element 21 is provided with an anode electrode 74 as a lower electrode for each pixel of the pixel array unit 30 which is an effective pixel region.
  • the anode electrode 74 is electrically connected to the circuit unit that drives the organic EL element 21 on a pixel-by-pixel basis.
  • the contact electrode 75 in which a predetermined potential is given as the cathode potential V cath is rectangular on the outer peripheral portion of the effective pixel region which is the region of the pixel array portion 30. It is provided in an annular shape so that the cathode electrode 73 is electrically connected to the contact electrode 75.
  • the sheet resistance of the cathode electrode 73 which is commonly provided for all pixels, may increase over the entire surface of the effective pixel region due to various factors.
  • the sheet resistance of the cathode electrode 73 increases, the larger the angle of view and the larger the current flow, the lower the brightness of the pixels in the center of the effective pixel region and its vicinity, which is one of the causes of shading. It becomes.
  • the contact electrode 75 since it is necessary to arrange the contact electrode 75 on the outer peripheral portion of the effective pixel region, it hinders the narrowing of the frame (reducing the chip size) of the display panel 70.
  • an example is an organic EL display device in which the display device shown in FIGS. 1 and 2, that is, the light emitting unit (light emitting element) is composed of an organic EL element which is an example of a current-driven electro-optical element. It will be explained by listing in.
  • the organic layer (organic EL layer) which is a light emitting functional layer includes a light emitting layer (for example, a light emitting layer made of an organic light emitting material).
  • the organic layer includes, for example, a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, a laminated structure of a light emitting layer that also serves as a hole transport layer and an electron transport layer, and a hole injection layer. It can be composed of a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the organic layer when used as a tandem unit, the organic layer includes a first tandem unit, a CGL (Charge Generation Layer) as an intermediate layer, and a second tandem unit. It may have a laminated two-stage tandem structure, and may further have a three- or more-stage tandem structure in which three or more tandem units are laminated.
  • CGL Charge Generation Layer
  • a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method
  • a printing method such as a screen printing method or an inkjet printing method
  • a lamination of a laser absorbing layer and an organic layer formed on a transfer substrate
  • PVD method physical vapor deposition method
  • a laser transfer method in which the organic layer on the laser absorbing layer is separated by irradiating the structure with a laser beam and the organic layer is transferred, and various coating methods can be exemplified.
  • an organic layer can be obtained by depositing a material that has passed through an opening provided in the metal mask using a so-called metal mask, and the organic layer can be formed. It may be formed on the entire surface without patterning.
  • the display device is, for example, an organic EL display device using an organic EL element as a light emitting unit, and sandwiches an interlayer film (protective film) on the light emitting unit and the light emitting unit. It includes a multi-layered cathode electrode that is laminated and electrically connected to each other, and a potential supply wiring that gives a predetermined potential (for example, a reference potential) to the multi-layered cathode electrode.
  • a predetermined potential for example, a reference potential
  • the second and higher layers of cathode electrodes are electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the first contact hole.
  • the cathode electrode and the organic layer of the first layer are formed by mask sputtering and vapor deposition, they cannot be formed with a fine structure, and when they are formed including contact holes in the subsequent photoresist processing, they are finely processed. Etc. will be realized. Since the cathode electrodes of the second layer and above can be formed with a fine structure, the cathode electrodes of the second layer and above are electrically connected to the potential supply wiring to form a cathode contact portion for a predetermined potential. This makes it possible to provide the cathode contact portion in the effective pixel region.
  • the distance between the pixel in the effective pixel region, particularly the central portion, and the cathode contact portion can be shortened, so that the sheet resistance of the cathode electrode can be reduced in combination with the reduction of the sheet resistance of the cathode electrode. Shading caused by resistance can be suppressed. Further, by providing the cathode contact portion in the effective pixel region, it is possible to narrow the frame of the display panel 70 (reduce the chip size).
  • the multilayer cathode electrode for example, a two-layer cathode electrode composed of a first cathode electrode and a second cathode electrode will be described as an example.
  • the multilayer cathode electrode is not limited to the two-layer cathode electrode, and may be a three-layer or higher-layer cathode electrode.
  • the cathode electrode is an example of two layers, and the cathode electrode of the second layer is electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the contact hole, and the cathode of the first layer is connected to the side wall of the contact hole. This is an example of electrically connecting the electrode and the cathode electrode of the second layer.
  • FIG. 4 is an end view of a cut portion showing the panel structure of the display device according to the first embodiment.
  • an interlayer film 72 which is an insulating film, is formed on the semiconductor substrate 71 on which the pixel circuit portion 20A for driving the organic EL element 21 is formed so as to cover the pixel circuit portion 20A. There is. Then, on the interlayer film 72, pixels (sub-pixels) 20 including the organic EL element 21 are arranged in an array.
  • the pixel 20 is composed of, for example, three sub-pixels of a pixel 20R that emits red (Red; R) light, a pixel 20G that emits green light, and a pixel 20B that emits blue light.
  • pixel 20R, 20G, and 20B forming methods there are roughly two types of pixel 20R, 20G, and 20B forming methods.
  • One of them is a method of forming an organic EL layer in pixel (sub-pixel) units by separately painting a plurality of colors, for example, R, G, and B monochromatic light emitting organic materials with a thin-film deposition mask, as shown in FIG.
  • the other is, as shown in FIG. 6, a white (W) light emitting organic material having a plurality of color emission spectra is vapor-deposited over the entire surface of the light emitting pixel region to form a white organic EL element (white organic EL layer).
  • This is a method in which 21W is formed in common for all pixels and is dispersed by color filters 90R, 90G, 90B having spectral spectra of a plurality of colors, for example, R, G, and B.
  • the organic EL display device may be an organic EL display device having a panel structure having an RGB coating structure, or an organic having a white (W) one-stage or two-stage or more tandem structure panel structure. It may be an EL display device.
  • the organic EL element (organic EL layer) 21 of the pixel 20 is formed by vacuum-depositing an organic EL material.
  • an anode electrode 74 as a lower electrode is independently formed on the interlayer film 72 for each pixel.
  • the material of the anode electrode 74 for example, aluminum (Al) or a metal material obtained by laminating indium tin oxide (ITO) and silver (Ag) can be used.
  • a contact electrode 75 is formed on the same layer as the anode electrode 74 on the interlayer film 72.
  • the material of the contact electrode 75 for example, the same material as the anode electrode 74, that is, a metal material made by laminating aluminum or indium tin oxide and silver can be exemplified.
  • a potential supply wiring 76 that supplies a predetermined potential (reference potential) is electrically connected to the contact electrode 75.
  • the potential supply wiring 76 is formed in the same layer as the wiring 77 of the pixel circuit unit 20A that drives the organic EL element 21, for example.
  • the anode electrode 74 is electrically connected to the wiring 77 of the pixel circuit unit 20A that drives the organic EL element 21.
  • the wiring 77 of the pixel circuit unit 20A corresponds to the wiring or the like connecting the organic EL element 21 and the drive transistor 22 in the case where the pixel 20 is the circuit example shown in FIG.
  • the first cathode electrode 73 1 is the cathode electrode of the first layer is formed by vacuum deposition.
  • the first cathode electrode 73 1 of the material e.g., indium zinc oxide (Indium Zink Oxide: IZO), can be used transparent material such as indium tin oxide (ITO). Further, a semi-transparent material such as magnesium silver (MgAg) can also be used.
  • ITO indium tin oxide
  • MgAg magnesium silver
  • the protective film 78 is deposited by vacuum evaporation over the entire surface of the pixel array.
  • an inorganic material such as silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), silicon oxide nitride (SiNO), titanium oxide (TIO), or aluminum oxide (AlO) can be used. can.
  • a second cathode electrode 73 2 is a cathode electrode of the second layer is formed by vacuum deposition.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the second cathode electrodes 73 2 materials necessarily, need not be the same material as the first cathode electrode 73 1, it is also possible to use different materials.
  • the first cathode electrode 73 1 and the second cathode electrode 73 2 protective film 78 is an interlayer film between the light between the first cathode electrode 73 1 and the second cathode electrode 73 2 It may be adjusted so as to form an optimum cavity structure for light extraction by utilizing the resonance effect of.
  • the protective film 78 has a first contact hole 79 connected to a contact electrode 75 electrically connected to a potential supply wiring 76 that supplies a predetermined potential through a layer of an organic EL element 21. It is formed.
  • This side wall portion of the first contact hole 79 similarly to the upper surface of the protective film 78, a second cathode electrode 73 2 is formed by vacuum deposition.
  • the second cathode electrodes 73 2, at the bottom of the contact hole 78, with respect to the potential supply line 76 are electrically connected via the contact electrode 75.
  • a predetermined potential reference potential
  • the 2 second cathode electrodes 73, the side wall portion of the first contact hole 79 consists of a first cathode electrode 73 1 to a predetermined potential is applied.
  • the second embodiment is an example of the method for manufacturing the panel structure of the display device according to the first embodiment.
  • the process diagram (No. 1) of the manufacturing method according to the second embodiment is shown in FIGS. 7A, 7B, and 7C, and the process diagram (No. 2) is shown in FIGS. 8A, 8B, and 8C.
  • the manufacturing process after the formation of the anode electrode 74 will be described.
  • step 1 shown in FIG. 7A shows a state in which a base is prepared by a general process of forming the anode electrode 74.
  • step 2 shown in FIG. 7B to form the organic EL element 21 and the first cathode electrode 73 1 is a light emitting portion by vapor deposition and sputtering.
  • step 3 shown in FIG. 7C on the first cathode electrode 73 1, the protective film 78 over the entire surface of the pixel array is formed using a material such as silicon nitride or titanium oxide.
  • step 4 shown in FIG. 8A the photoresist 81 is applied onto the protective film 78 except for the portion A forming the first contact hole 79, and then in step 5 shown in FIG. 8B, the difference is different. by isotropic etching to form a first contact hole 79 for electrically connecting the first cathode electrode 73 1 and the 2 second cathode electrode 73 in the protective film 78.
  • step 6 shown in FIG. 8C after removing the photoresist 81, including the inner wall and bottom of the first contact hole 79, the entire surface of the protective film 78, a second cathode electrode 73 2 Formed by sputtering or vapor deposition.
  • the first cathode electrode 731 can be electrically connected to the contact electrode 75, and the first contact electrode 75 can be electrically connected.
  • the first contact electrode 75 can be electrically connected.
  • it in the side wall of the contact hole 79, it can be first cathode electrode 73 1 and the 2 second cathode electrodes 73 are electrically connected to each other.
  • Example 3 is a modification of Example 1, in which the cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer are electrically connected through a contact hole (second contact hole) formed exclusively for the first layer.
  • FIG. 9 is an end view of the cut portion showing the panel structure according to the second embodiment.
  • the first contact hole 79 for connecting the first cathode electrode 73 1 and the 2 second cathode electrodes 73, the second cathode electrode 73 2 to the contact electrode 75 It is configured to be electrically connected at the side wall of the.
  • the protective film 78 forms the second contact hole 80 connected to the first cathode electrode 731, and the second contact hole 80 is formed.
  • a second cathode electrode 73 2 is formed, at the bottom of the second contact hole 80, a second cathode electrode 73 2 the has a first cathode electrode 73 1 and the construction of electrically connecting.
  • a predetermined potential is applied to the 2 second cathode electrode 73 through the contact electrode 75 from the potential supply line 76. Then, the predetermined potential, at the sidewall portion of the first contact hole 79, together with the given first cathode electrode 73 1, through the second cathode electrodes 73 2, at the bottom of the second contact hole 80, It would be given to the first cathode electrode 73 1.
  • the electrode 73 2 has a structure for electrically connecting, not limited thereto. That is, the second only at the bottom of the contact hole 80, a configuration for electrically connecting the first cathode electrode 73 1 and the 2 second cathode electrode 73.
  • the fourth embodiment is an example of the method for manufacturing the panel structure of the display device according to the third embodiment.
  • the process diagram (No. 1) of the manufacturing method according to the fourth embodiment is shown in FIGS. 10A, 10B, and 10C, and the process diagram (No. 2) is shown in FIGS. 11A, 11B, and 11C.
  • step 1 shown in FIG. 10A shows a state in which a base is prepared by a general process of forming the anode electrode 74.
  • step 2 shown in FIG. 10B to form the organic EL element 21 and the first cathode electrode 73 1 is a light emitting portion by vapor deposition and sputtering.
  • step 3 shown in FIG. 10C on the first cathode electrode 73 1, the protective film 78 over the entire surface of the pixel array is formed using a material such as silicon nitride or titanium oxide.
  • step 4 shown in FIG. 11A the photoresist 81 is applied onto the protective film 78 except for the portion B forming the second contact hole 80, and then in step 5 shown in FIG. 11B, the difference is different. by isotropic etching, to form the second contact hole 80 for electrically connecting the first cathode electrode 73 1 and the 2 second cathode electrode 73 in the protective film 78.
  • step 6 shown in FIG. 11C after removing the photoresist 81, including the inner wall and bottom of the second contact hole 80, the entire surface of the protective film 78, a second cathode electrode 73 2 Formed by sputtering or vapor deposition.
  • the cathode electrode is an example of three layers, and the cathode electrode of the third layer is electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the contact hole (third contact hole), and the side wall of the contact hole. This is an example of electrically connecting the cathode electrodes of the third layer and the cathode electrodes of the first and second layers.
  • FIG. 12 is an end view of a cut portion showing the panel structure of the display device according to the fifth embodiment.
  • the protective film 82 is deposited by vacuum evaporation over the entire surface of the pixel array.
  • the same material as the protective film 78 that is, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxide nitride, titanium oxide, or aluminum oxide can be used.
  • the third cathode electrode 73 3 is formed by vacuum deposition is a cathode electrode of the third layer.
  • a third contact hole 83 connected to the contact electrode 75 electrically connected to the potential supply wiring 76 for supplying a predetermined potential through the layer of the organic EL element 21 is formed.
  • the third cathode electrode 73 3 is at the bottom of the third contact hole 78, with respect to the potential supply line 76 are electrically connected via the contact electrode 75.
  • the first cathode electrode 73 1 and the second cathode electrode 73 2 is the side wall portion of the third contact hole 83, and is connected to the third cathode electrode 73 3 electrically.
  • the first cathode electrodes 73 1 and the second cathode electrode 73 2 and the third cathode electrode 73 3, the side wall portion of the third contact hole 83 are electrically connected to each other.
  • the first cathode electrode 73 1 and the second cathode electrodes 73 2 as in the case of the panel structure of a display device according to the third embodiment, also in the bottom of the second contact hole 80, electrically connected to each other Has been done.
  • the electrical connection at the bottom of the second contact hole 80 may be omitted.
  • the sixth embodiment is an example of the method for manufacturing the panel structure of the display device according to the fifth embodiment.
  • the process chart (No. 1) of the manufacturing method according to the fifth embodiment is shown in FIGS. 13A and 13B, and the process chart (No. 2) is shown in FIGS. 14A and 14B.
  • step 6 shown in FIG. 11 Since the steps prior to the step of forming the second cathode electrode 732 of the manufacturing method according to the fourth embodiment (step 6 shown in FIG. 11) are the same as those of the manufacturing method according to the fourth embodiment. , Here, the illustration and description of the process will be omitted.
  • Step 1 shown in FIG. 13A on the second cathode electrodes 73 2, a protective film 82 over the entire surface of the pixel array, such as silicon nitride or titanium oxide A film is formed using the material.
  • step 2 shown in FIG. 13B the photoresist 84 is applied onto the protective film 82 except for the portion C that forms the third contact hole 83.
  • step 3 shown in FIG. 14A by anisotropic etching, to form a third contact hole 83 for electrically connecting the third cathode electrode 73 3 of the contact electrode 75.
  • step 4 shown in FIG. 14B after removing the photoresist 84, including the inner wall and bottom of the third contact hole 83, the entire surface of the protective film 84, the third cathode electrode 73 3 Formed by sputtering or vapor deposition.
  • the manufacturing method according to the fourth embodiment described above at the bottom of the third contact hole 83, it is possible to electrically connect the third cathode electrode 73 3 relative to the contact electrode 75. Further, the side wall portion of the third contact hole 83, the third of the cathode electrode 73 3, a first cathode electrode 73 1 and the second cathode electrode 73 2 may be electrically connected.
  • Example 7 is an example of arranging an electrical connection portion of the cathode electrodes of the second layer or higher with respect to the potential supply wiring and an electrical connection portion between the cathode electrodes of each layer.
  • the panel structure of a display device according to Embodiment 2 the first cathode electrode 73 1 and the 2 second cathode electrodes 73 are electrically connected to each other at the bottom of the second contact hole 80.
  • the second layer or the cathode electrode (second cathode electrode 73 2 / third cathode electrode 73 3) the first contact hole 79 / the third contact hole
  • the connection portion electrically connected at the bottom of the 83 is referred to as the first cathode contact portion.
  • the connection portion where the cathode electrodes of each layer are electrically connected to each other at the side wall portion of the 79 / third contact hole 83 is referred to as the third cathode contact portion.
  • the inside, outside, or the effective pixel region is used in a white (W) one-stage or two-stage tandem structure.
  • W white
  • the inside, outside, or the effective pixel region is used in a white (W) one-stage or two-stage tandem structure.
  • It can be arranged on both sides thereof, and in a tandem structure of three or more stages or an RGB painting structure, it can be arranged inside or outside the effective pixel area.
  • the white (W) one-stage or two-stage tandem structure when the arrangement position of the first cathode contact portion is inside and outside the effective pixel region, or only inside, the bottom of the contact hole 80 is used.
  • a second cathode contact portion that utilizes the bottom of the contact hole 79 can be adopted.
  • a second cathode contact portion that utilizes the bottom of the contact hole 80 and a third cathode contact portion that utilizes the side wall portion of the first contact hole 79 / third contact hole 83 are adopted. can do.
  • the first cathode contact portion can be provided outside the effective pixel region, but the distance between the pixel 20 in the central portion in the effective pixel region and the first cathode contact portion is shortened.
  • 15A, 15B, and 15C show an arrangement example (No. 1), an arrangement example (No. 2), and an arrangement example (No. 3) of the cathode contact portion according to the seventh embodiment.
  • the most preferable form is that the first cathode contact portion 85 is set to 1 as shown in the arrangement example (No. 1) of FIG. 15A. One is arranged for each pixel 20. According to this arrangement example (No. 1), the distance between the pixel 20 and the first cathode contact portion 85 can be short and constant regardless of the position of the pixel 20 in the effective pixel region. ..
  • a region X having a predetermined size including a plurality of pixels 20 adjacent to each other is used as a unit, and one first cathode contact portion 85 is provided in the region X.
  • it can also be an arrangement example in which they are arranged one by one.
  • a case where a region X having a predetermined size is composed of four pixels adjacent to each other is illustrated, but the region X is not limited to the region consisting of four pixels, and the size of the region X is arbitrary.
  • the smaller the number of pixels forming the region X the closer to the most preferable form shown in FIG. 15A, and the distance between the pixels 20 and the first cathode contact portion 85 should be short and constant. Can be done.
  • the first cathode contact portion 85 is arranged one by one in a plurality of pixels 20 in the vicinity of the pixel 20o in the central portion of the effective pixel region. You can also do it.
  • the distance between the pixel 20 in the central portion and the first cathode contact portion 85 can be shortened, and the sheet resistance of the cathode electrode can be reduced. It is possible to suppress the occurrence of IR drops and suppress the shading caused by the sheet resistance.
  • the technique of the present disclosure has been described above based on the preferred embodiment, the technique of the present disclosure is not limited to the embodiment.
  • the configuration and structure of the display device described in the above embodiment are examples, and can be changed as appropriate.
  • the application is not limited to the organic EL display device, and for example, a display device having a configuration in which a predetermined potential is applied to a cathode electrode. Applicable to all.
  • tandem structure having one stage of white (W) has been described as an example, but two or more stages of white (W) formed by stacking tandem units with the charge generation layer (CGL) as an intermediate layer.
  • CGL charge generation layer
  • the display device of the present disclosure described above is a display unit (display device) of an electronic device in all fields that displays a video signal input to the electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or a video. Can be used as. Examples of electronic devices include television sets, notebook personal computers, digital still cameras, mobile terminal devices such as mobile phones, and head-mounted displays. However, it is not limited to these.
  • the following effects can be obtained by using the display device of the present disclosure as the display unit. That is, according to the display device of the present disclosure, it is possible to satisfy all of the improvement of the pixel resolution, the increase of the brightness, and the narrowing of the frame. Therefore, by using the display device of the present disclosure, it is possible to contribute to higher performance of the display unit of the electronic device and miniaturization of the main body of the electronic device.
  • the display device of the present disclosure also includes a modular device having a sealed configuration.
  • a display module formed by attaching a facing portion such as transparent glass to a pixel array portion is applicable.
  • the display module may be provided with a circuit unit for inputting / outputting a signal or the like from the outside to the pixel array unit, a flexible printed circuit (FPC), or the like.
  • FPC flexible printed circuit
  • a digital still camera and a head-mounted display will be illustrated as specific examples of the electronic device using the display device of the present disclosure. However, the specific examples illustrated here are only examples, and are not limited to these.
  • FIG. 16 is an external view of an interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera according to a specific example 1 of the electronic device of the present disclosure, the front view thereof is shown in FIG. 16A, and the rear view thereof is shown in FIG. 16B.
  • the interchangeable lens single-lens reflex type digital still camera has, for example, an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 212 on the front right side of the camera body (camera body) 211 and on the front left side. It has a grip portion 213 for the photographer to grip.
  • interchangeable photographing lens unit interchangeable lens
  • a monitor 214 is provided in the center of the back of the camera body 211.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 215 is provided above the monitor 214. By looking into the electronic viewfinder 215, the photographer can visually recognize the light image of the subject guided by the photographing lens unit 212 and determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the electronic viewfinder 215. That is, the interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera according to the first embodiment is manufactured by using the display device of the present disclosure as its electronic viewfinder 215.
  • FIG. 17 is an external view showing an example of a head-mounted display according to Specific Example 2 of the electronic device of the present disclosure.
  • the head-mounted display 300 has a transmissive head-mounted display configuration having a main body 301, an arm 302, and a lens barrel 303.
  • the main body 301 is connected to the arm 302 and the glasses 310.
  • the end portion of the main body portion 301 in the long side direction is attached to the arm portion 302.
  • one side of the side surface of the main body 301 is connected to the eyeglasses 310 via a connecting member (not shown).
  • the main body 301 may be directly attached to the head of the human body.
  • the main body 301 has a built-in control board and display for controlling the operation of the head-mounted display 300.
  • the arm portion 302 supports the lens barrel 303 with respect to the main body 301 by connecting the main body 301 and the lens barrel 303. Specifically, the arm portion 302 is coupled to the end portion of the main body portion 301 and the end portion of the lens barrel 303 to fix the lens barrel 303 to the main body 301. Further, the arm portion 302 has a built-in signal line for communicating data related to an image provided from the main body portion 301 to the lens barrel 303.
  • the lens barrel 303 projects the image light provided from the main body 301 via the arm 302 through the lens 311 of the spectacles 310 toward the eyes of the user who wears the head-mounted display 300.
  • the display device of the present disclosure can be used as the display unit built in the main body unit 301. That is, the head-mounted display 300 according to the second embodiment is manufactured by using the display device of the present disclosure as its display unit.
  • the present disclosure may also have the following configuration.
  • A. Display device ⁇ [A-1] Light emitting unit, A multi-layered cathode electrode in which two or more layers are laminated on the light emitting portion with a protective film interposed therebetween and electrically connected to each other, and Potential supply wiring that gives a predetermined potential to the multilayer cathode electrodes, With Of the multilayer cathode electrodes, the second and higher cathode electrodes are electrically connected to the potential supply wiring at the bottom of the first contact hole. Display device. [A-2] The cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer or higher are electrically connected to each other at the side wall portion of the first contact hole. The display device according to the above [A-1].
  • [A-3] The cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer or higher are electrically connected to each other at the bottom of the second contact hole.
  • [A-4] A cathode contact portion for electrically connecting the second and higher layers of cathode electrodes to the potential supply wiring is provided in the effective pixel region.
  • [A-5] The cathode contact portion is provided for each pixel in the effective pixel region.
  • Cathode contact portions are provided for each region of a predetermined size in the effective pixel region.
  • the cathode contact portion is provided in the vicinity of the pixel in the central portion in the effective pixel region.
  • the light emitting unit is composed of an organic electroluminescence element.
  • the organic layer of the organic electroluminescent device is formed of a plurality of colors of monochromatic light emitting organic materials on a pixel-by-pixel basis.
  • the organic layer of the organic electroluminescent element is made of a white luminescent organic material and is common to all pixels. It is provided with one stage or two or more stages stacked.
  • [A-11] The drive circuit unit of the light emitting unit is formed on the semiconductor substrate.
  • FIG. 1 A protective film is formed on the cathode electrode of the first layer to which a predetermined potential is applied. Next, the protective film is formed with a first contact hole leading to the contact electrode to which a predetermined potential is applied. Next, the bottom of the first contact hole is electrically connected to the contact electrode, and the side wall of the first contact hole is electrically connected to the first layer of the cathode electrode to form a second or more layer of cathode electrode. do, How to manufacture a display device. [B-2] A second contact hole leading to the cathode electrode of the first layer is formed on the protective film formed on the cathode electrode of the first layer. The bottom of the second contact hole then forms a second or higher layer of cathode electrodes that are electrically connected to the first layer of cathode electrodes. The method for manufacturing a display device according to the above [B-1].
  • [C-3] The cathode electrode of the first layer and the cathode electrode of the second layer or higher are electrically connected to each other at the bottom of the second contact hole.
  • [C-4] A cathode contact portion for electrically connecting the second and higher layers of cathode electrodes to the potential supply wiring is provided in the effective pixel region.
  • [C-5] The cathode contact portion is provided for each pixel in the effective pixel region.
  • Cathode contact portions are provided for each region of a predetermined size in the effective pixel region.
  • the cathode contact portion is provided in the vicinity of the pixel in the central portion in the effective pixel region.
  • the light emitting unit is composed of an organic electroluminescence element.
  • the organic layer of the organic electroluminescent device is formed of a plurality of colors of monochromatic light emitting organic materials on a pixel-by-pixel basis.
  • the organic layer of the organic electroluminescent element is made of a white luminescent organic material and is common to all pixels. It is provided with one stage or two or more stages stacked.
  • [C-11] The drive circuit unit of the light emitting unit is formed on the semiconductor substrate.
  • third cathode electrode 74 (74R, 74G, 74B), ⁇ ⁇ -Anode electrode (lower electrode), 75 ... contact electrode, 76 ... power supply wiring, 77 ... circuit section wiring, 78, 82 ... protective film, 79 ... first contact hole , 80 ... 2nd contact hole, 83 ... 3rd contact hole, 85 ... cathode contact part, 90R, 90G, 90B ... color filter

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Abstract

本開示の表示装置は、発光部、発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、を備えている。そして、多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールを通して、電位供給配線に対して電気的に接続されている。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器
　本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。
　近年の表示装置は、フラットパネル型（平面型）の表示装置が主流である。フラットパネル型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子の一つとして、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、『有機ＥＬ素子』と略称する場合がある）が知られている。
　画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある）は、一般に、有機ＥＬ素子を駆動する回路部を基板上に形成し、当該回路部を覆う状態で絶縁膜（層間膜）を設け、この絶縁膜上に有機ＥＬ素子を配列形成した構成となっている。そして、有機ＥＬ素子の上には、上部電極として、カソード電極が全画素共通の電極として成膜される。このカソード電極には、所定の電位が与えられる。
　カソード電極に所定の電位を与えるために、従来は、有効画素領域の外周部に、所定の電位が与えられたコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極に対してカソード電極を電気的に接続するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１４－１９９７３９号公報
　上記の特許文献１に記載の従来技術のように、有効画素領域の外周部にコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極にてカソード電極と電気的に接続するようにしたのでは、全画素共通に設けられるカソード電極のシート抵抗が種々の要因によって上昇する場合がある。カソード電極のシート抵抗が上昇すると、画角が大きい程、且つ、電流を多く流そうとする程、有効画素領域の中心部で輝度が低下するという不具合が生じる。
　本開示は、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を可能とした表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
　発光部、
　発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
　多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
　多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている。
　また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
　所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
　次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
　次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する。
　また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
　発光部、
　発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
　多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
　多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールを通して、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する。
図１は、本開示の技術が適用される表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、有機ＥＬ表示装置における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。 図３Ａは、従来例に係る表示パネルの平面構造を示す平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのＡ－Ａ線に沿った矢視断面図である。 図４は、実施例１に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。 図５は、赤色、緑色、及び、青色の有機ＥＬ素子から成るパネル構造の断面構造を示す断面図である。 図６は、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせから成るパネル構造の要部の断面構造を示す断面構造である。 図７Ａ、図７Ｂ、及び、図７Ｃは、実施例２に係る製造方法の流れを示す工程図（その１）である。 図８Ａ、図８Ｂ、及び、図８Ｃは、実施例２に係る製造方法の流れを示す工程図（その２）である。 図９は、実施例３に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、及び、図１０Ｃは、実施例４に係る製造方法の流れを示す工程図（その１）である。 図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１１Ｃは、実施例４に係る製造方法の流れを示す工程図（その２）である。 図１２は、実施例５に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、実施例６に係る製造方法の流れを示す工程図（その１）である。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、実施例６に係る製造方法の流れを示す工程図（その２）である。 図１５Ａ、図１５Ｂ、及び、図１５Ｃは、実施例７に係るカソードコンタクト部の配置例（その１）、配置例（その２）、及び、配置例（その３）を示す平面図である。 図１６Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの正面図であり、図１６Ｂは、その背面図である。 図１７は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
　以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される表示装置
　２－１．システム構成
　２－２．画素回路
　２－３．従来例に係るパネル構造
３．本開示の実施形態に係る表示装置
　３－１．実施例１（カソード電極が２層の例：２層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線に電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを電気的に接続する例）
　３－２．実施例２（実施例１に係る表示装置の製造方法の例）
　３－３．実施例３（実施例１の変形例：１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを、専用に形成したコンタクトホールを通して電気的に接続する例）
　３－４．実施例４（実施例３に係る表示装置の製造方法の例）
　３－５．実施例５（カソード電極が３層の例：３層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線と電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で３層目のカソード電極と、１層目及び２層目のカソード電極とを電気的に接続する例）
　３－６．実施例６（実施例５に係る表示装置の製造方法の例）
　３－７．実施例７（電位供給配線に対する２層目以上のカソード電極の電気的接続部、及び、各層のカソード電極同士の電気的接続部の配置例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
　５－１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
　５－２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
６．本開示がとることができる構成
＜本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明＞
　本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とが、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている構成とすることができる。また、１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とが、第２のコンタクトホールの底部において互いに電気的に接続されている構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示の本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部について、有効画素領域内に設けられている構成とすることができる。このとき、カソードコンタクト部について、有効画素領域内の画素毎に設けられている、あるいは又、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられているあるいは又、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、発光部について、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る構成とすることができる。このとき、有機層について、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、あるいは又、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、１段、又は、２段以上積層されて設けられている構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、発光部の駆動回路部について、半導体基板上に形成されている構成とすることができる。
＜本開示の技術が適用される表示装置＞
　本開示の技術が適用される表示装置は、透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor：ＴＦＴ)や、シリコン半導体基板上に形成したＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタで、発光部（発光素子）を駆動して発光させる、所謂、アクティブマトリクス型表示装置である。
　発光部として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子がある。電流駆動型の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を例示することができる。ここでは、一例として、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
　有機ＥＬ表示装置の一般的な形態は、ガラス基板等の透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタによって有機ＥＬ素子に流す電流を制御するというものである。そして、テレビジョンシステムやスマートフォンのディスプレイのような用途には、薄膜トランジスタのチャネル材料として、例えばアモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いるのが一般的である。一方、画素ピッチが例えば１０μｍ以下で、解像度が例えば２５００ｐｐｉ[pixels per inch]を超えるような高精細で、且つ、小型の表示装置の場合には、シリコン基板等の半導体基板上に形成したＭＯＳトランジスタによって有機ＥＬ素子に流す電流を制御する場合がある。
　有機ＥＬ表示装置では、全画素共通に設けられた共通電極を例えば０Ｖに固定とし、有機ＥＬ層を挟んで共通電極の反対側に位置し、画素毎に設けられた個別電極に正電圧を印加することで、有機ＥＬ素子を発光させることになる。以下では、画素毎に設けられた個別電極をアノード電極と記述し、全画素共通に設けられた共通電極をカソード電極と記述する。
　上記のように、カソード電極の電位（カソード電位）を０Ｖに固定する使い方が典型的な例であるが、この使い方に限定されるものではなく、例えばカソード電位を負電位に設定することで、０Ｖに固定する場合よりも、アノード電極との電位差を大きく設定し、輝度を上げるような使い方も可能である。以下に説明する実施形態では、限定されるものではないが、カソード電位を０Ｖに固定する使い方を基本とする。
［システム構成］
　図１は、本開示の技術が適用される表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）とを有するシステム構成となっている。
　周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
　表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。表示パネル７０の基板として、半導体基板を用いた有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
　有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。
　１つの画素が複数の副画素から構成されるとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）の光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）の光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）の光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
　但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
　画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対し、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１（３１1～３１m）と駆動線３２（３２1～３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対し、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３（３３1～３３n）が画素列毎に配線されている。
　走査線３１（３１1～３１m）は、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２（３２1～３２m）は、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３（３３1～３３n）は、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
　書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際し、走査線３１（３１1～３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1～ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
　駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1～３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1～ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
　信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
　信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３４（３４1～３４n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
［画素回路］
　図２は、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
　図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路部（画素駆動回路部）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。これにより、有機ＥＬ素子２１のカソード電極には、共通電源線３４を通して所定の電位（例えば、基準電位）がカソード電位Ｖcathとして与えられる。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
　有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路部は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する回路構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路部を、ガラス基板のような透明絶縁性基板上ではなく、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
　また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
　但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。すなわち、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものであってもよい。
　上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
　保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリング動作によって書き込まれた信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
　補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
［従来例に係るパネル構造］
　ここで、従来例に係る表示パネル７０の構造（パネル構造）について説明する。図３Ａに、従来例に係る表示パネル７０の構造の平面図を示し、図３Ｂに、図３ＡのＡ－Ａ線に沿った矢視断面図を示す。
　表示パネル７０は、シリコン基板等の半導体基板７１上に、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部（図示せず）が形成され、当該回路部を覆う状態で絶縁膜である層間膜７２が成膜され、当該層間膜７２の上に有機ＥＬ素子２１が配列形成された構成となっている。そして、有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極としてカソード電極７３が全画素共通の電極として成膜されている。また、有機ＥＬ素子２１には、有効画素領域である画素アレイ部３０の画素毎に、下部電極としてアノード電極７４が設けられている。図２から明らかなように、アノード電極７４は、画素単位で、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部と電気的に接続されている。
　カソード電極７３には、所定の電位をカソード電位Ｖcathとして与える必要がある。具体的には、例えば図２の画素回路の構成を採る場合には、カソード電位Ｖcathの共通電源線３４に対してカソード電極７３を電気的に接続する必要がある。そのため、従来例に係る表示パネル７０のパネル構造にあっては、画素アレイ部３０の領域である有効画素領域の外周部に、所定の電位がカソード電位Ｖcathとして与えられたコンタクト電極７５を矩形環状に設け、当該コンタクト電極７５にカソード電極７３を電気的に接続するようにしている。
　上記の構成の従来例に係るパネル構造では、有効画素領域の全面に亘って、全画素共通に設けられるカソード電極７３のシート抵抗が種々の要因によって上昇する場合がある。そして、カソード電極７３のシート抵抗が上昇すると、画角が大きい程、且つ、電流を多く流そうとする程、有効画素領域の中心部及びその近傍の画素の輝度が低下し、シェーディングの一因となる。また、有効画素領域の外周部にコンタクト電極７５を配置する必要があるため、表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）の妨げとなる。
＜本開示の実施形態に係る表示装置＞
　本開示の実施形態として、図１及び図２に示した表示装置、即ち、発光部（発光素子）が、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子から成る有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　有機ＥＬ素子において、発光機能層である有機層（有機ＥＬ層）は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等の有機層をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、中間層としてのＣＧＬ（Charge Generation Layer：電荷発生層）、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。
  有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、当該メタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることによって有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
　本開示の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置であって、発光部、発光部の上に、互いに層間膜（保護膜）を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、多層のカソード電極に対して所定の電位（例えば、基準電位）を与える電位供給配線、を備えている。そして、多層のカソード電極のうち、２層目以上のカソード電極が、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続された構成となっている。カソード電極について、互いに電気的に接続された多層の電極構造とすることで、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を図ることができる。
　１層目のカソード電極及び有機層については、マスクスパッタ及び蒸着にて形成するために微細な構造での形成ができなく、その後のフォトレジスト加工にてコンタクトホールを含め形成するときに微細な加工等を実現することになる。２層目以上のカソード電極については、微細な構造での形成が可能であるために、２層目以上のカソード電極を電位供給配線に電気的に接続し、所定の電位に対するカソードコンタクト部とすることで、カソードコンタクト部を有効画素領域内に設けることが可能になる。これにより、有効画素領域内の特に中央部の画素とカソードコンタクト部との間の距離を短くすることができるために、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化と相俟って、カソード電極のシート抵抗に起因するシェーディングを抑えることができる。また、カソードコンタクト部を有効画素領域内に設けることにより、表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）を図ることができる。
　以下に、多層のカソード電極を有するパネル構造の本開示の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の具体的な実施例について説明する。以下では、多層のカソード電極として、例えば、第１のカソード電極と第２のカソード電極とから成る２層のカソード電極を例に挙げて説明することとする。但し、多層のカソード電極としては、２層のカソード電極に限られるものではなく、３層以上のカソード電極であってもよい。
［実施例１］
　実施例１は、カソード電極が２層の例であり、２層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線に電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを電気的に接続する例である。図４は、実施例１に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。
　図４に示すように、有機ＥＬ素子２１を駆動する画素回路部２０Ａが形成された半導体基板７１上には、当該画素回路部２０Ａを覆う状態で、絶縁膜である層間膜７２が形成されている。そして、層間膜７２上には、有機ＥＬ素子２１を含む画素（副画素）２０が配列形成されている。画素２０は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）の光を発光する画素２０Ｒ、緑色の光を発光する画素２０Ｇ、青色の光を発光する画素２０Ｂの３つの副画素から構成される。
　ところで、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの形成手法には大きく分けて二種類ある。その一つは、図５に示すように、複数色、例えばＲ，Ｇ，Ｂの単色発光有機材料を蒸着マスクで塗り分けて画素（副画素）単位で有機ＥＬ層を形成する手法である。他の一つは、図６に示すように、複数色の発光スペクトルを持つ白色（Ｗ）発光有機材料を、発光画素領域の全面に亘って蒸着して白色有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ層）２１Ｗを全画素共通に形成し、複数色、例えばＲ，Ｇ，Ｂの分光スペクトルを持つカラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂによって分光する手法である。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、ＲＧＢ塗分け構造のパネル構造を有する有機ＥＬ表示装置であってもよいし、白色（Ｗ）１段もしくは２段以上のタンデム構造のパネル構造を有する有機ＥＬ表示装置であってもよい。
　画素２０の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）２１は、有機ＥＬ材料を真空蒸着することによって形成される。有機ＥＬ素子２１には、下部電極としてアノード電極７４が、画素毎に独立して層間膜７２の上に形成されている。アノード電極７４の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層等による金属材料を用いることができる。
　層間膜７２の上のアノード電極７４と同じ層には、コンタクト電極７５が形成されている。コンタクト電極７５の材料としては、例えば、アノード電極７４と同じ材料、即ち、アルミニウムや、酸化インジウム錫と銀との積層等による金属材料を例示することができる。コンタクト電極７５には、所定の電位（基準電位）を供給する電位供給配線７６が電気的に接続されている。電位供給配線７６は、例えば、有機ＥＬ素子２１を駆動する画素回路部２０Ａの配線７７と同じ層に形成されている。
　アノード電極７４は、有機ＥＬ素子２１を駆動する画素回路部２０Ａの配線７７に電気的に接続されている。画素回路部２０Ａの配線７７は、画素２０が図２に示す回路例の場合には、有機ＥＬ素子２１と駆動トランジスタ２２とを繋ぐ配線等に相当する。
　有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極として、１層目のカソード電極である第１のカソード電極７３1が真空蒸着によって形成されている。第１のカソード電極７３1の材料としては、例えば、酸化インジウム亜鉛（Indium Zink Oxide：ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透過性の材料を用いることができる。また、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）等の半透過性の材料を用いることもできる。
　第１のカソード電極７３1の上には、画素配列の全面に亘って保護膜７８が真空蒸着にて成膜されている。保護膜７８の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、又は、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）等の無機材料を用いることができる。
　保護膜７８の上には、２層目のカソード電極である第２のカソード電極７３2が真空蒸着によって形成されている。第２のカソード電極７３2の材料としては、第１のカソード電極７３1と同じ材料、即ち、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の材料を用いることができる。但し、第２のカソード電極７３2の材料については、必ずしも、第１のカソード電極７３1と同じ材料である必要はなく、異なる材料を用いることもできる。
　第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2との間の層間膜である保護膜７８については、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2との間での光の共振効果を利用した、光取り出しに最適なキャビティ構造を形成するように調整してもよい。
　図４に示すように、保護膜７８には、所定の電位を供給する電位供給配線７６と電気的に接続されたコンタクト電極７５に、有機ＥＬ素子２１の層を通して繋がる第１のコンタクトホール７９が形成されている。この第１のコンタクトホール７９の側壁部には、保護膜７８の上面と同様に、第２のカソード電極７３2が真空蒸着にて形成されている。これにより、第２のカソード電極７３2は、コンタクトホール７８の底部において、電位供給配線７６に対して、コンタクト電極７５を介して電気的に接続されている。
　また、第１のカソード電極７３1は、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第２のカソード電極７３2と電気的に接続されている。すなわち、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とは、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、互いに電気的に接続されている。
　そして、第１のカソード電極７３1には、第１のコンタクトホール７９の底部において、電位供給配線８５からコンタクト電極７５を介して所定の電位（基準電位）が与えられることになる。また、第２のカソード電極７３2には、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第１のカソード電極７３1から所定の電位が与えられることになる。
［実施例２］
　実施例２は、実施例１に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例２に係る製造方法の工程図（その１）を図７Ａ、図７Ｂ、及び、図７Ｃに示し、工程図（その２）を図８Ａ、図８Ｂ、及び、図８Ｃに示す。ここでは、アノード電極７４の形成以降の製造工程について説明することとする。
　図７Ａに示す工程１の状態は、一般的なアノード電極７４の形成プロセスで下地を作製した状態を示している。図７Ｂに示す工程２では、発光部である有機ＥＬ素子２１及び第１のカソード電極７３1を蒸着及びスパッタリングによって形成する。次に、図７Ｃに示す工程３では、第１のカソード電極７３1の上に、画素配列の全面に亘って保護膜７８を、窒化シリコンや酸化チタン等の材料を用いて成膜する。
　次に、図８Ａに示す工程４では、保護膜７８の上に、第１のコンタクトホール７９を形成する部位Ａを除いてフォトレジスト８１を塗布し、次いで、図８Ｂに示す工程５では、異方性のエッチングによって、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続するための第１のコンタクトホール７９を保護膜７８に形成する。次に、図８Ｃに示す工程６では、フォトレジスト８１を除去した後、第１のコンタクトホール７９の内壁及び底部を含んで、保護膜７８の全面に亘って、第２のカソード電極７３2をスパッタリングもしくは蒸着によって形成する。
　上述した実施例２に係る製造方法によれば、第１のコンタクトホール７９の底部において、第１のカソード電極７３1をコンタクト電極７５に対して電気的に接続することができるとともに、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを互いに電気的に接続することができる。
［実施例３］
　実施例３は、実施例１の変形例であり、１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを、専用に形成したコンタクトホール（第２のコンタクトホール）を通して電気的に接続する例である。図９は、実施例２に係るパネル構造を示す切断部端面図である。
　実施例１に係る表示装置のパネル構造は、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを、第２のカソード電極７３2をコンタクト電極７５に接続する第１のコンタクトホール７９の側壁部で電気的に接続する構成となっている。これに対し、実施例３に係る表示装置のパネル構造は、図９に示すように、保護膜７８に、第１のカソード電極７３1に繋がる第２のコンタクトホール８０を形成するとともに、第２のコンタクトホール８０の側壁部及び底部を含んで、保護膜７８の全面に亘って、第２のカソード電極７３2を形成し、第２のコンタクトホール８０の底部において、第２のカソード電極７３2を第１のカソード電極７３1と電気的に接続する構成となっている。
　実施例３に係る表示装置のパネル構造によれば、第１のコンタクトホール７９の底部において、電位供給配線７６からコンタクト電極７５を介して第２のカソード電極７３2に所定の電位が与えられる。そして、この所定の電位が、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第１のカソード電極７３1に与えられるとともに、第２のカソード電極７３2を通して、第２のコンタクトホール８０の底部において、第１のカソード電極７３1に与えられることになる。
　尚、実施例３に係る表示装置のパネル構造では、第２のコンタクトホール８０の底部の他に、第１のコンタクトホール７９の側壁部においても、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続する構成となっているが、これに限られるものではない。すなわち、第２のコンタクトホール８０の底部においてのみ、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続する構成とすることができる。
［実施例４］
　実施例４は、実施例３に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例４に係る製造方法の工程図（その１）を図１０Ａ、図１０Ｂ、及び、図１０Ｃに示し、工程図（その２）を図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１１Ｃに示す。
　ここでは、アノード電極７４の形成以降の製造工程について説明することとする。また、第１のカソード電極７３1を、電位供給配線８５に対して、コンタクト電極７５を介して電気的に接続するための第１のコンタクトホール７９の形成については、実施例２の製造方法の場合と同じであるため、ここではその説明を省略することとする。
　図１０Ａに示す工程１の状態は、一般的なアノード電極７４の形成プロセスで下地を作製した状態を示している。図１０Ｂに示す工程２では、発光部である有機ＥＬ素子２１及び第１のカソード電極７３1を蒸着及びスパッタリングによって形成する。次に、図１０Ｃに示す工程３では、第１のカソード電極７３1の上に、画素配列の全面に亘って保護膜７８を、窒化シリコンや酸化チタン等の材料を用いて成膜する。
　次に、図１１Ａに示す工程４では、保護膜７８の上に、第２のコンタクトホール８０を形成する部位Ｂを除いてフォトレジスト８１を塗布し、次いで、図１１Ｂに示す工程５では、異方性のエッチングによって、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続するための第２のコンタクトホール８０を保護膜７８に形成する。次に、図１１Ｃに示す工程６では、フォトレジスト８１を除去した後、第２のコンタクトホール８０の内壁及び底部を含んで、保護膜７８の全面に亘って、第２のカソード電極７３2をスパッタリングもしくは蒸着によって形成する。
　上述した実施例４に係る製造方法によれば、第２のコンタクトホール８０の底部において、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続することができる。
［実施例５］
　実施例５は、カソード電極が３層の例であり、３層目のカソード電極を、コンタクトホール（第３のコンタクトホール）の底部で電位供給配線と電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で３層目のカソード電極と、１層目及び２層目のカソード電極とを電気的に接続する例である。図１２は、実施例５に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。
　図１２に示すように、第２のカソード電極７３2の上には、画素配列の全面に亘って保護膜８２が真空蒸着にて成膜されている。保護膜８２の材料としては、保護膜７８と同じ材料、即ち、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化チタン、又は、酸化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
　保護膜８２の上には、３層目のカソード電極である第３のカソード電極７３3が真空蒸着にて形成されている。第３のカソード電極７３3の材料としては、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2と同じ材料、即ち、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛等の材料を用いることができる。但し、第３のカソード電極７３3の材料については、必ずしも、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2と同じ材料である必要はなく、異なる材料を用いることもできる。
　保護膜８２及び保護膜７８には、所定の電位を供給する電位供給配線７６と電気的に接続されたコンタクト電極７５に、有機ＥＬ素子２１の層を通して繋がる第３のコンタクトホール８３が形成されている。この第３のコンタクトホール８３の側壁部及び底部には、保護膜８２の上面と同様に、第３のカソード電極７３3が真空蒸着にて形成されている。これにより、第３のカソード電極７３3は、第３のコンタクトホール７８の底部において、電位供給配線７６に対して、コンタクト電極７５を介して電気的に接続されている。
　また、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2は、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、第３のカソード電極７３3と電気的に接続されている。すなわち、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2と第３のカソード電極７３3とは、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、互いに電気的に接続されている。
　第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とは、実施例３に係る表示装置のパネル構造の場合と同様に、第２のコンタクトホール８０の底部においても、互いに電気的に接続されている。尚、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とは、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、第３のカソード電極７３3を通して互いに電気的に接続されていることから、第２のコンタクトホール８０の底部での電気的接続を省略するようにしてもよい。
［実施例６］
　実施例６は、実施例５に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例５に係る製造方法の工程図（その１）を図１３Ａ及び図１３Ｂに示し、工程図（その２）を図１４Ａ及び図１４Ｂに示す。
　尚、実施例４に係る製造方法の第２のカソード電極７３2を形成する工程（図１１に示す工程６）以前の工程については、実施例４に係る製造方法の場合と同じであるために、ここではその工程の図示及び説明は省略することとする。
　第２のカソード電極７３2を形成した後、図１３Ａに示す工程１では、第２のカソード電極７３2の上に、画素配列の全面に亘って保護膜８２を、窒化シリコンや酸化チタン等の材料を用いて成膜する。次に、図１３Ｂに示す工程２では、保護膜８２の上に、第３のコンタクトホール８３を形成する部位Ｃを除いてフォトレジスト８４を塗布する。
　次に、図１４Ａに示す工程３では、異方性のエッチングによって、第３のカソード電極７３3とコンタクト電極７５とを電気的に接続するための第３のコンタクトホール８３を形成する。次に、図１４Ｂに示す工程４では、フォトレジスト８４を除去した後、第３のコンタクトホール８３の内壁及び底部を含んで、保護膜８４の全面に亘って、第３のカソード電極７３3をスパッタリングもしくは蒸着によって形成する。
　上述した実施例４に係る製造方法によれば、第３のコンタクトホール８３の底部において、第３のカソード電極７３3をコンタクト電極７５に対して電気的に接続することができる。また、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、第３のカソード電極７３3に対して、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2を電気的に接続することができる。
［実施例７］
　実施例７は、電位供給配線に対する２層目以上のカソード電極の電気的接続部、及び、各層のカソード電極同士の電気的接続部の配置例である。
　実施例１に係る表示装置のパネル構造では、電位供給配線７６に対して第２のカソード電極７３2が第１のコンタクトホール７９の底部で電気的に接続されている。実施例１に係る表示装置のパネル構造では更に、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とが、第１のコンタクトホール７９の側壁部で互いに電気的に接続されている。
　実施例２に係る表示装置のパネル構造では、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とが、第２のコンタクトホール８０の底部で互いに電気的に接続されている。
　実施例３に係る表示装置のパネル構造では、電位供給配線７６に対して第３のカソード電極７３3が第３のコンタクトホール８３の底部で電気的に接続されている。実施例３に係る表示装置のパネル構造では更に、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2と第３のカソード電極７３3とが、第３のコンタクトホール８３の側壁部で互いに電気的に接続されている。
　ここで、便宜上、電位供給配線７６に対して、２層目以上のカソード電極（第２のカソード電極７３2／第３のカソード電極７３3）が第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の底部で電気的に接続される接続部を第１のカソードコンタクト部とする。また、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とが第２のコンタクトホール８０の底部で電気的に接続される接続部を第２のカソードコンタクト部とし、第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の側壁部で各層のカソード電極同士が互いに電気的に接続される接続部を第３のカソードコンタクト部とする。
　第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の底部を利用する第１のカソードコンタクト部については、白色（Ｗ）１段もしくは２段のタンデム構造では、有効画素領域の内側、外側、もしくは、その両側に配置することができ、３段以上のタンデム構造、又は、ＲＧＢ塗分け構造では、有効画素領域の内側もしくは外側に配置することができる。
　白色（Ｗ）１段もしくは２段のタンデム構造では、第１のカソードコンタクト部の配置位置が有効画素領域の内側及び外側のとき、あるいは、内側のみのときには、コンタクトホール８０の底部を利用する第２のカソードコンタクト部、及び、第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の側壁部を利用する第３のカソードコンタクト部を採用することができる。第１のカソードコンタクト部の配置位置が有効画素領域外側のみときには、コンタクトホール７９の底部を利用する第２のカソードコンタクト部を採用することができる。ＲＧＢ塗分け構造では、コンタクトホール８０の底部を利用する第２のカソードコンタクト部、及び、第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の側壁部を利用する第３のカソードコンタクト部を採用することができる。
　特に、第１のカソードコンタクト部については、有効画素領域外に設けることも可能であるが、有効画素領域内の特に中央部の画素２０と第１のカソードコンタクト部との間の距離を短くし、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を図る上では、有効画素領域内に設けることが好ましい。また、第１のカソードコンタクト部を有効画素領域内に設けることで、表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）を図ることができる。
　図１５Ａ、図１５Ｂ、及び、図１５Ｃに、実施例７に係るカソードコンタクト部の配置例（その１）、配置例（その２）、及び、配置例（その３）を示す。
　例えば、第１のカソードコンタクト部８５を、有効画素領域内に設けるに当たっては、最も好ましい形態としては、図１５Ａの配置例（その１）に示すように、第１のカソードコンタクト部８５を、１つの画素２０に１個ずつ配置することである。この配置例（その１）によれば、有効画素領域内における画素２０の位置に関係なく、画素２０と第１のカソードコンタクト部８５との間の距離を短く、しかも、一定にすることができる。
　また、図１５Ｂの配置例（その２）に示すように、互いに隣接する複数の画素２０を含む所定の大きさの領域Ｘを単位とし、当該領域Ｘに第１のカソードコンタクト部８５を１個ずつ配置する配置例とすることもできる。ここでは、所定の大きさの領域Ｘが、互いに隣接する４画素から成る場合を例示しているが、４画素から成る領域に限られるものではなく、その領域Ｘの大きさは任意である。但し、領域Ｘを構成する画素数が少ない方が、図１５Ａの最も好ましい形態に近付けることができ、画素２０と第１のカソードコンタクト部８５との間の距離を短く、しかも、一定にすることができる。
　また、図１５Ｃの配置例（その３）に示すように、有効画素領域の中央部の画素２０ｏの近傍の複数の画素２０に、第１のカソードコンタクト部８５を１個ずつ配置する配置例とすることもできる。この配置例（その３）によれば、特に中央部の画素２０と第１のカソードコンタクト部８５との間の距離を短くし、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を図ることができるため、ＩＲドロップの発生を抑制し、シート抵抗に起因するシェーディングを抑えることができる。
＜変形例＞
　以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、有機ＥＬ表示装置への適用に限られるものではなく、例えば、カソード電極に所定の電位を与える構成をとる表示装置全般に対して適用可能である。
　また、上記の実施形態では、白色（Ｗ）１段のタンデム構造を例に挙げて説明したが、電荷発生層（ＣＧＬ）を中間層としてタンデムユニットを積層して成る白色（Ｗ）２段以上のタンデム構造に対しても、本開示の技術を適用することができる。
＜本開示の電子機器＞
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
　このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の表示装置によれば、画素解像度の向上、高輝度化、及び、狭額縁化の全てを満たすことができる。従って、本開示の表示装置を用いることにより、電子機器の表示部の高性能化、及び、電子機器本体の小型化に寄与できる。
　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらに限られるものではない。
（具体例１）
　図１６は、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１６Ａにその正面図を示し、図１６Ｂにその背面図を示す。
　本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。
　そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例２］
　図１７は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
　本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
　鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。
　上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
＜本開示がとることができる構成＞
　尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ－１］発光部、
　発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
　多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
　多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置。
［Ａ－２］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ａ－１］に記載の表示装置。
［Ａ－３］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ａ－２］に記載の表示装置。
［Ａ－４］２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－５］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－６］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－７］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－７］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－９］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ａ－８］に記載の表示装置。
［Ａ－１０］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
　１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
上記［Ａ－８］に記載の表示装置。
［Ａ－１１］発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－１０］のいずれかに記載の表示装置。
≪Ｂ．表示装置の製造方法≫
［Ｂ－１］所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
　次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
　次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ－２］１層目のカソード電極の上に形成した保護膜に、１層目のカソード電極に至る第２のコンタクトホールを形成し、
　次いで、第２のコンタクトホールの底部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
上記［Ｂ－１］に記載の表示装置の製造方法。
≪Ｃ．電子機器≫
［Ｃ－１］発光部、
　発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
　多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
　多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ－２］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ｃ－１］に記載の電子機器。
［Ｃ－３］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ｃ－２］に記載の電子機器。
［Ｃ－４］２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－５］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－６］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－７］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－９］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ｃ－８］に記載の電子機器。
［Ｃ－１０］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
　１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
上記［Ｃ－８］に記載の電子機器。
［Ｃ－１１］発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－１０］のいずれかに記載の電子機器。
　１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）・・・画素（副画素）、２０Ａ・・・画素回路部、２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｗ）・・・有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・半導体基板、７２・・・層間膜、７３・・・カソード電極（上部電極）、７３1・・・第１のカソード電極、７３2・・・第２のカソード電極、７３3・・・第３のカソード電極、７４（７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂ）、・・・アノード電極（下部電極）、７５・・・コンタクト電極、７６・・・電源供給配線、７７・・・回路部の配線、７８，８２・・・保護膜、７９・・・第１のコンタクトホール、８０・・・第２のコンタクトホール、８３・・・第３のコンタクトホール、８５・・・カソードコンタクト部、９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ・・・カラーフィルタ

Claims (14)

  1. 　発光部、
    　発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
    　多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
    を備え、
    　多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
    表示装置。
  2. 　１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 　１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
    請求項２に記載の表示装置。
  4. 　２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
    請求項１に記載の表示装置。
  5. 　カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
    請求項４に記載の表示装置。
  6. 　カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
    請求項４に記載の表示装置。
  7. 　カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
    請求項４に記載の表示装置。
  8. 　発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 　有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
    請求項８に記載の表示装置。
  10. 　有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
    　１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
    請求項８に記載の表示装置。
  11. 　発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  12. 　所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
    　次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
    　次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
    表示装置の製造方法。
  13. 　１層目のカソード電極の上に形成した保護膜に、１層目のカソード電極に至る第２のコンタクトホールを形成し、
    　次いで、第２のコンタクトホールの底部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
    請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  14. 　発光部、
    　発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
    　多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
    を備え、
    　多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
    表示装置を有する電子機器。
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