CN115462180A - 显示装置、制造显示装置的方法和电子仪器 - Google Patents

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Abstract

通过使像素布置成二维矩阵的形式形成显示装置，像素具有通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件。通过形成透光的上部电极，然后在上部电极上依次堆叠发光单元和包括金属材料的下部电极来形成发光元件。

Description

显示装置、制造显示装置的方法和电子仪器
技术领域
本公开涉及显示装置、用于该显示装置的制造方法以及电子仪器。
背景技术
近年来，作为能够取代液晶显示装置的显示装置，使用有机材料的电致发光(EL)的显示装置受到关注。使用有机EL的显示装置也开始倾向于应用于直视显示器(诸如监视器)以及需要约几微米的精细像素间距的超小显示器。
用于超小型显示应用的许多显示装置等具有例如这样的结构，其中形成包括发光层的发光单元，并且在发光单元上形成透光的上部电极，使得在上部电极侧接收来自发光单元的光(例如，参见专利文献1)。通常使用例如溅射法形成透光的上部电极。
引用列表
专利文献1：JP 2006-201421 A。
发明内容
技术问题
采用例如溅射的方法形成发光单元，然后在发光单元上形成上部电极，会导致发光单元被溅射损坏。如果发光单元损坏，导致发光单元发光所需的电压将增加，从而提供阻碍增加显示装置的亮度的原因。
因此，本公开的目的是提供包括通过形成透光上部电极而不损坏的发光单元的显示装置、包括显示装置的电子仪器、以及用于制造显示装置的方法。
问题的解决方案
为了实现该目的，根据本公开的显示装置，其中像素以二维矩阵布置，每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件，并且通过形成透光的上部电极，然后将发光单元和由金属材料形成的下部电极顺序地堆叠到上部电极上来形成发光元件。
为了实现该目的，根据本公开的一种用于制造显示装置的方法，其中像素以二维矩阵布置，每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件，该方法包括：通过在基底材料上形成透光的上部电极，然后在上部电极上依次堆叠发光单元和由金属材料形成的下部电极来形成发光元件的步骤。
为了实现该目的，根据本公开的电子仪器包括：显示装置，其中像素以二维矩阵布置，每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件，并且通过形成透光的上部电极，然后将发光单元和由金属材料形成的下部电极顺序地堆叠到上部电极上来形成发光元件。
附图说明
图1是根据本公开的第一实施方式的显示装置的示意性平面图。
图2为用于说明第m行第n列像素的连接关系的电路示意图。
图3是根据第一实施方式的显示装置的示意性局部截面图。
图4是图3中由A-A表示的部分的示意性截面图。
图5是由图3中的B-B表示的部分的示意性截面图。
图6是由图3中的C-C表示的部分的示意性截面图。
图7A是用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图7B是用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图8A是继图7B之后的用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图8B是继图7B之后的用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图8C是继图7B之后的用于说明像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图9A是用于说明制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图9B是用于说明根据第一实施方式的显示装置的制造方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图10A是继图9B之后的用于示出制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图10B是继图9B之后的用于示出制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图11是继图10B之后的用于示出制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图12是继图11之后的用于示出制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图13是继图12之后的用于示出制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图14是继图13之后的用于示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图15是根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的示意性局部横截面图。
图16A是示出用于制造根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图16B是示出用于制造根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图17是继图16B之后的用于示出制造根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图18是继图17之后的用于示出制造根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图19是继图18之后的用于示出制造根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图20是根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的示意性局部横截面图。
图21A是用于示出制造根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图21B是用于示出制造根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的方法的基底材料及其他元件的示意性局部横截面图。
图22是继图21B之后的用于示出制造根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的方法的基底材料及其他元件的示意性局部横截面图。
图23是继图22之后的用于示出制造根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图24是继图23之后的用于示出制造根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图25是根据第一实施方式的第三变形例的显示装置的示意性局部横截面图。
图26是根据第一实施方式的第四变形例的显示装置的示意性局部横截面图。
图27是根据第一实施方式的第五变形例的显示装置的示意性局部横截面图。
图28是根据第二实施方式的显示装置的示意性局部横截面图。
图29是图28中由D-D表示的部分的示意性横截面图。
图30是图28中由E-E表示的部分的示意性横截面图。
图31是图28中的F-F表示的部分的示意性横截面图。
图32A是用于示出根据制造第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图32B是用于示出根据制造第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图33是继图32B之后的用于示出制造根据第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图34是继图33之后的用于示出制造根据第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图35是继图34之后的用于示出制造根据第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图36是继图35之后的用于示出制造根据第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
图37A是可更换镜头类型的单镜头反射数字静态相机的主视图。
图37B是可更换镜头类型的单镜头反射数字静态相机的后视图。
图38是头戴式显示器的外观图。
图39是透视头戴式显示器的外观图。
具体实施方式
下面参考附图基于实施方式描述本公开。本公开不限于这些实施方式，并且实施方式中的各种数值和材料是示例性的。在以下描述中，相同的参考符号将用于相同的元件或具有相同功能的元件，并且将省略冗余的描述。按照以下顺序进行描述。
1.关于根据本公开的显示装置、用于制造显示装置的方法和电子仪器的一般描述
2.第一实施方式
3.第一实施方式的各种变形例
4.第二实施方式
5.电子仪器的描述
6.其他
[关于根据本公开的显示装置、用于制造显示装置的方法和电子仪器的一般描述]
关于根据本发明的显示装置、根据本发明的用于电子仪器的显示装置、以及通过制造根据本发明的显示装置的方法提供的显示装置(以下均被简称为“本公开的显示装置”)，每个发光元件通过形成透光的上部电极然后在上部电极上依次堆叠发光单元和由金属材料形成的下部电极来形成。
在这种情况下，发光单元可由包括发光层的有机层形成。通过在上部电极和下部电极之间夹住有机层来形成所谓的有机电致发光元件。如下所述，可形成每个发光元件的有机层以发射白光。可替代地，每个发光元件的有机层可被形成为发射红光、绿光或蓝光。例如，发射白光的有机层可以具有空穴注入层、空穴传输层、红光发射层、光发射分离层、蓝光发射层、绿光发射层、电子传输层和电子注入层依次堆叠的结构。在一些情况下，微米尺寸的LED元件可以用作发光单元。
包括上述各种优选配置的本公开的显示装置可被配置为使得形成有用于驱动发光元件的驱动电路的下部基板的接合面接合至形成有发光元件的上部基板在下部电极侧上具有的接合面。在这种情况下，上部基板可包括第一连接部，第一连接部设置在下部电极侧的接合表面上，以便对应于相应的发光元件，并且下部基板可包括第二连接部，第二连接部设置在下部基板的接合面上，以便对应于第一连接部。通过将第一连接部和第二连接部连接，能够使发光元件和驱动该发光元件的驱动电路电连接。
包括上述各种优选配置的本公开的显示装置可被配置为使得：上部电极被形成为对应于相应的发光元件；下部电极被形成为发光元件共用的电极。在这种情况下，上部电极和第一连接部可经由穿过设置在下部电极中的开口的接触插头连接。接触插头可被形成为连接至上插头电极的底面或侧面。在这种情况下，可替代地，有机层可以各自被形成为使得空穴注入层位于上部电极侧并且电子注入层位于下部电极侧。
可替代地，包括上述各种优选配置的本公开的显示装置可被配置为使得：上部电极被形成为由发光元件共享的电极；以及下部电极被形成为对应于各个发光元件。在这种情况下，下部电极和第一连接部可以经由接触插头连接。在这种情况下，可替代地，有机层可以各自被形成为使得空穴注入层位于下部电极侧并且电子注入层位于上部电极侧。
包括上述各种优选配置的本公开的显示装置可被配置为使得每个发光元件的有机层形成为发射白光。在该配置中，可以将发光元件的有机层形成为在组成上相同，从而提供可以简化形成用于显示装置的有机层的过程的优点。
发射白光的有机层可以具有所谓的串联结构，其中多个发光层经由电荷生成层或中间电极连接。例如，发射白光的发光单元可以通过堆叠用于红光发射、绿光发射和蓝光发射的光发射层，或通过堆叠用于黄光发射和蓝光发射的光发射层来形成。形成有机层的空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料和有机发光材料不受具体限制，并且可以使用众所周知的材料作为这些材料。
为了实现具有这种配置的彩色显示，用于待显示颜色的滤色器可适当地被设置成对应于各个发光元件。滤色器可由例如包含颜料或染料的树脂材料形成。
可替代地，可以形成包括上述各种优选配置的本公开的显示装置，使得形成每个发光元件的有机层以发射红光、绿光或蓝光。这种配置涉及形成显示装置的有机层的复杂工艺，但是具有高发光效率的优点。而且，在这种情况下，例如，为了提高颜色纯度，可以设置用于待显示的颜色的滤色器。
包括上述各种优选配置的本公开的显示装置可被配置为使得发光元件具有用于使由发光单元生成的光谐振的谐振器结构。例如，可以通过在半透射反射膜和下部电极之间设置有机层并且将规定距离设置为半透射反射膜和下部电极之间的光学距离，来形成谐振器结构。
例如，假设Φ为在半透射反射膜和下部电极之间发生的反射光的相移；L，下部电极与半透射反射膜之间的光学距离；λ，待提取的光的光谱的峰值波长。在这种情况下，光学距离L可满足2L/λ+Φ/2π＝m(m为整数)。
可替代地，包括上述各种优选配置的本公开的显示装置可被配置为使得被设置成对应于各个发光元件的聚光透镜可形成在上部基板中。通过聚光透镜调节光路，可以提高光的利用率，从而提高显示图像的亮度。聚光透镜的形状没有具体限制，可以根据规格适当地选择凸透镜形状、凹透镜形状、盒透镜形状等。
包括上述优选配置的本公开的显示装置可以具有用于彩色显示的配置。在一些情况下，可以使用所谓的单色显示的配置。
在用于彩色显示的配置的情况下，每个单个像素可以由多个子像素形成。具体地，每个单个像素可由三个子像素形成，即，红色显示子像素、绿色显示子像素和蓝色显示子像素。此外，每个单个像素可由这三种类型的子像素的集合和一种或多种类型的附加子像素(例如，进一步包括发射白光以改善亮度的子像素的集合、进一步包括发射互补色光以扩大颜色再现范围的子像素的集合、进一步包括发射黄光以扩大颜色再现范围的子像素的集合、并且进一步包括发射黄光和青色光以扩大颜色再现范围的子像素的集合)形成。
用于图像显示的一些分辨率，诸如VGA(640，480)、S-VGA(800，600)、XGA(1024，768)、APRC(1152，900)、S-XGA(1280，1024)、U-XGA(1600，1200)、HD-TV(1920，1080)和Q-XGA(2048，1536)，包括(1920，1035)、(720，480)和(1280，960)，可以被呈现为显示装置的像素值的示例。然而，本发明不限于这些值。
在发光元件之间形成分隔的绝缘膜等可以由适当地选自公知的无机和有机材料的材料形成。例如，绝缘膜等可以使用诸如物理沉积法(PVD法)(例如，真空沉积法、溅射法)或任何类型的化学气相沉积法(CVD法)的众所周知的膜形成方法，和诸如蚀刻法或剥离法的众所周知的图案化方法的组合来形成。
例如，根据本公开的显示装置不具体限于用于控制发光元件的光发射的驱动电路的配置。形成驱动电路的晶体管的配置没有具体限制。可以使用P沟道场效应晶体管或n沟道场效应晶体管。
半导体材料、玻璃材料和塑料材料可作为基底材料的组成材料的实例呈现。驱动电路可以由形成在半导体基底材料上的晶体管形成，其方式使得：由例如硅形成的半导体基底材料设置有阱区域；以及晶体管形成在阱中。同时，驱动电路可以以在由玻璃材料或塑料材料形成的基底材料上形成半导体薄膜的方式由例如薄膜晶体管形成。公知的配置和结构可以用作各种布线。
例如，上部电极可以由诸如氧化铟锌或氧化铟锡的透明导电材料形成。可替代地，上部电极可以由例如金属或合金形成并且制成薄至达到透光率的程度。
下部电极可由诸如铝(Al)、铝合金、银(Ag)或银合金的金属材料形成。上部电极的厚度优选在100至300纳米的范围内。
本文中的不同条件可以被精确地满足或基本上满足。关于条件的满足，由例如显示装置的设计或制造导致的各种变化的存在是可接受的。同时，在以下描述中使用的附图是示意性的。例如，图3(在下文中描述)示出了显示装置的横截面结构，但是不表示例如宽度、高度和厚度之间的比例。
[第一实施方式]
第一实施方式涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子仪器。
图1是根据本公开的第一实施方式的显示装置的示意性平面图。显示装置1使用有源矩阵方案。如图1所示，显示装置1包括布置成矩阵的像素PX和用于驱动像素PX的各种电路，诸如水平驱动电路11和垂直驱动电路12。显示装置1通过集成诸如水平驱动电路11和垂直驱动电路12的各种电路而提供。在一些情况下，各种电路可以形成为单独的主体。
参考标号SCL表示用于扫描像素PX的扫描线，并且参考标号DTL表示用于将各种电压供应至像素PX的信号线。例如，M个像素PX可被布置在水平方向上，并且N个像素可被布置在垂直方向上，即，M×N个像素PX可被布置成矩阵。显示装置1是彩色显示装置。附图标记R、G和B分别表示用于显示红色、绿色和蓝色的像素PX。尽管显示装置1除了扫描线SCL和信号线DTL之外还包括例如馈线，但是为了便于说明，在图1中省略了这些线。
例如，M个像素PX可被布置在水平方向上，并且N个像素可被布置在垂直方向上，即，M×N个像素PX可被布置成矩阵。在图1所示的示例中，水平驱动电路11和垂直驱动电路12均布置在显示装置1的一个边缘侧上。然而，这仅是示例。
图2为用于说明第m行第n列像素的连接关系的电路示意图。
在显示装置1中，均包括发光元件ELP的像素PX以各自连接至在行方向(图1中的X方向)上延伸的扫描线SCL和在列方向(图1中的Y方向)上延伸的信号线DTL的方式布置成二维矩阵。
显示装置1还包括用于将驱动电压供应至像素的馈线PS1以及以共享方式连接至所有像素PX的共享馈线PS2。馈线PS1从电源部(未示出)例如供给规定的驱动电压Vcc。共享馈线PS2被供给相同的电压VCat(例如，接地电位)。
显示装置1包括M条扫描线SCL和M条馈线PS1。第m行(m＝1，2，…，P)上的像素PX连接至第m扫描线SCLm和第m条馈线PS1m，从而形成一行显示元件。注意，图2仅示出扫描线SCLm和馈线PS1m。
信号线DTL的数量是N。第n列(n＝1，2，…，N)上的像素PX连接至第n信号线DTLn。注意，图2仅示出了信号线DTLn。
例如，显示装置1可以是彩色显示装置。每个单个像素PX形成一个子像素。通过来自水平驱动电路11的扫描信号逐行地线顺序地扫描显示装置1。位于第m行和第n列的像素PX可以被称为第(n，m)像素PX。
在显示装置1中，同时驱动布置在第m行上的M个像素PX。换言之，以像素PX所属的行为单位控制在行方向上布置的M个像素PX的发射/不发射的定时。当显示装置1逐行进行线顺序扫描时，每行的扫描周期(所谓的水平扫描周期)小于(1/FR)×(1/P)秒，其中，FR是显示装置1的显示帧率(次/秒)。
像素PX由发光元件ELP和用于驱动发光元件ELP的驱动电路形成。发光元件ELP由有机电致发光元件形成。驱动电路由写入晶体管TRW、驱动晶体管TRD和电容器部C1形成。发光元件ELP基于经由驱动晶体管TRD流过发光元件ELP的电流而发光。每个晶体管由p沟道场效应晶体管形成。
在像素PX中，驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区域连接至电容部C1的一端和馈线PS1，并且驱动晶体管TRD的另一个源极/漏极区域连接至发光元件ELP的一端(具体地，阳极电极)。驱动晶体管TRD的栅极电极连接到写入晶体管TRW的另一源极/漏极区域并且连接到电容部C1的另一端。
写入晶体管TRW的一个源极/漏极区域连接至信号线DTL，并且写入晶体管TRW的栅极电极连接至扫描线SCL。
发光元件ELP的另一端(具体地，阴极电极)连接至共享馈线PS2。规定的阴极电压VCat被供应至共享馈线PS2。应注意，参考标号CEL表示发光元件ELP的电容。
下面描述驱动像素PX的概述。当与要显示的图像的亮度对应的电压从垂直驱动电路12供应到信号线DTL时，通过使用来自水平驱动电路11的扫描信号将写入晶体管TRW置于导通状态，使得与要显示的图像的亮度对应的电压被写入电容部C1。在写入晶体管TRW被置于非导通状态之后，根据由电容部C1保持的电压，通过流过驱动晶体管TRD的电流使发光元件ELP发光。
本公开不具体限制用于控制发光元件ELP的光发射的驱动电路的配置。因此，在图2中示出的配置仅仅是实例，并且对于根据本公开的显示装置，各种配置是可行的。
接下来，将描述显示装置1的详细结构。
图3是根据第一实施方式的显示装置的示意性局部横截面图。
在显示装置1中，像素被布置成二维矩阵，每个像素包括通过堆叠上部电极131、发光单元133和下部电极134形成的发光元件ELP。如将在下文中参考图10和图11详细描述的，通过形成透光上部电极131并且随后将发光单元133和由金属材料形成的下部电极134顺次堆叠在上部电极131上来形成发光元件ELP。发光单元133由包括发光层的有机层形成。为每个发光元件ELP形成上部电极131。下部电极134形成为由发光元件ELP共享的电极。
通常使用例如溅射法形成上部电极131。在本公开中，在形成上部电极131之后堆叠发光单元133。因此，发光单元133在形成上部电极131的过程中不会损坏。因此，因为可以减少对发光单元133的损坏，所以可以增加显示装置的亮度。
显示装置1被配置为使得形成用于驱动发光元件ELP的驱动电路的下部基板100的接合表面JS被接合至形成有发光元件ELP的上部基板120在下部电极134侧上具有的接合表面JS。上部基板120包括设置在下部电极134侧上的接合表面JS上的第一连接部137，以便对应于各个发光元件ELP。下部基板100包括第二连接部117，第二连接部117设置在下部基板100的接合表面JS上以对应于第一连接部137。将第一连接部137连接至第二连接部117允许发光元件ELP和用于驱动发光元件ELP的驱动电路电连接。
下面参照图3对各部件进行详细描述。
首先，描述下部基板100。下部基板100包括基底材料101、栅电极102、栅极绝缘膜103、半导体材料层104、层间绝缘膜111、源极/漏极112、平坦化膜115以及设置在平坦化膜115的开口中的接触插头116和第二连接部117。
栅极102形成在基底材料101上。形成栅极绝缘膜103以覆盖基底材料101的包括栅极电极102在内的整个表面。半导体材料层104形成在栅极绝缘膜103上。层间绝缘膜111形成在半导体材料层104上。
源电极/漏电极112经由设置在层间绝缘膜111中的开口连接到晶体管的源极/漏极区。平坦化膜115被形成为覆盖包括源极/漏极112的整个表面。接触插头116设置在平坦化膜115的开口中并且连接至驱动晶体管的源极/漏极电极112。第二连接部117形成在平坦化膜115的结合表面JS侧，并且经由接触插头116连接到驱动晶体管的源极/漏极112。
尽管发光元件ELP的驱动电路包括例如驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW，但是为了便于说明，图3仅示出了驱动晶体管TRD。下部基板100包括例如由上述晶体管形成并且旨在驱动发光元件ELP的驱动电路。
例如，基底材料101可由玻璃材料、半导体材料或塑料材料形成。包括用于控制发光元件ELP的光发射的薄膜晶体管的驱动电路形成在基底材料101上。
例如，形成驱动电路的各种晶体管的栅电极102可以由多晶硅或诸如铝(Al)的金属形成。栅极绝缘膜103以覆盖栅电极102的方式设置在基底材料101的整个表面上。例如，栅极绝缘膜103可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)形成。
例如，半导体材料层104可以由非晶硅、多晶硅或氧化物半导体形成在栅极绝缘膜103上。另外，半导体材料层104的部分区域掺杂有杂质，形成源极/漏极区。此外，半导体材料层104的每个位于一个源极/漏极区域与另一个源极/漏极区域之间并且位于栅电极102上方的区域形成沟道区域。由此，底栅型的薄膜晶体管设置在基底材料101上。注意，在图3中省略了源极/漏极区和沟道区域的指示。
层间绝缘膜111设置在半导体材料层104上。例如，层间绝缘膜111可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)形成。源极/漏极电极112通过设置在层间绝缘膜111中的接触孔与半导体材料层104连接。例如，源极/漏极电极112可由诸如铝(Al)的金属形成。
形成平坦化膜115以覆盖和平坦化例如驱动电路。例如，平坦化膜115可由有机绝缘膜形成，诸如聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂或酚醛类树脂，或者由无机绝缘膜形成，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)。
接下来，给出上部基板120的描述。
上部基板120包括基体材料121、滤色器122、保护膜123、分别由上部电极131、发光单元133和下部电极134形成的发光元件ELP、平坦化膜135、以及设置在平坦化膜135的开口中的接触插头136和第一连接部137。附图标记132表示形成上部电极131之间的分隔部的绝缘部。
滤色器122形成在基底材料121上。滤色器122包括红色滤色器122R、绿色滤色器122G和蓝色滤色器122B。参考标号122BM表示在具有不同颜色的滤色器之间形成分隔部的遮光部。
保护膜123形成为覆盖滤色器122的整个表面。在保护膜123上形成上部电极131和绝缘部132。上部电极131各自具有形成在其上的发光单元133和下部电极134，以便形成发光元件ELP。形成平坦化膜135以覆盖包括发光元件ELP的整个表面。
接触插头136设置在平坦化膜135的开口中并且连接至上部电极131。第一连接部137形成在平坦化膜135的结合表面JS侧上并且经由接触插头136连接至发光元件ELP的上部电极131。
如上所述，上部电极131被形成为对应于相应的发光元件ELP，并且下部电极134被形成为由发光元件ELP共享的电极。例如，可以从馈线PS2(未示出)向下部电极134提供接地电位。当来自驱动晶体管的电压经由接触插头116、第二连接部117、第一连接部137以及接触插头136供应至上部电极131时，发光元件ELP发光。例如，接触插头116和136以及连接部117和137可由诸如铜(Cu)、钛(Ti)或金(Au)的金属形成。
如上所述，下部电极134被形成为由发光元件ELP共享的电极。下部电极134的电阻的增加将导致下部电极134的电位在显示装置1的操作期间根据像素的位置而改变，从而降低显示屏幕的均匀性。在本公开中，下部电极134可由金属材料形成，并且因此具有高导电性。发光元件ELP共享的下部电极可以由低电阻连续膜形成在整个表面上，使得可以抑制下部电极的电位根据像素的位置而变化，而不增加例如辅助电极布线。所以，显示装置1的显示屏幕可具有改善的均匀性。
接下来，对上部电极131、下部电极134以及连接部117和137之间的平面定位关系进行描述。图4是图3中由A-A表示的部分的示意性横截面图。图5是由图3中的B-B表示的部分的示意性横截面图。图6是由图3中的C-C表示的部分的示意性横截面图。
如图4所示，为各个发光元件ELP形成上部电极131，并且绝缘部132在相邻的上部电极131之间形成分隔部。接触插头136形成为与上部电极131的底表面接触。如图5所示，下部电极134形成为发光元件ELP共享的电极。然而，下部电极134设置有对应于上部电极131的开口，并且接触插头136形成为穿过开口。如图6所示，对于各个发光元件ELP形成连接部117和137。因此，上部电极131经由穿过设置在下部电极134中的开口的接触插头136连接至第一连接部137。当在平面图中观察时，下部电极134和连接部117和137设置成彼此互补。因此，可以有效地防止来自发光单元133的内部散射光入射在布置在下部基板100中的晶体管上。
已经给出了下部基板100和上部基板120的描述。
在显示装置1中，形成发光单元133的有机层被形成为使得空穴注入层位于上部电极131侧并且电子注入层位于下部电极134侧。形成每个发光元件ELP的发光单元133的有机层可以形成为发射白光。可替代地，形成每个发光元件ELP的发光单元133的有机层可以形成为发射红光、绿光或蓝光。
图7A和图7B示出了当每个发光元件的有机层发射白光时提供的堆叠实例。图7A示出了通过红光发射层、蓝光发射层和绿光发射层的组合发射白光的实例。图7B示出了通过蓝光发射层和黄光发射层的组合发射白光的实例。图8A、图8B和图8C示出了当每个发光元件的有机层形成为根据要显示的颜色发射红光、绿光或蓝光时提供的堆叠实例。
已经描述了显示装置1的详细结构。显示装置1的制造方法包括如下步骤：在基底材料上形成透光性的上部电极，然后在该上部电极上依次堆叠由金属材料形成的发光单元和下部电极，形成发光元件。这同样适用于下文描述的其他实施方式。
图9至图14是用于示出制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
以下，参照附图详细说明制造显示装置1的方法。
[步骤100](参见图9A和图9B)
首先，制造形成有驱动电路的下部基板100。准备基底材料101，对该基底材料101实施规定的成膜和图案化处理，形成包括薄膜晶体管的驱动电路(参照图9A)。
接着，利用例如旋涂法、狭缝涂布法、溅射法、CVD法在驱动电路的整个表面上形成平坦化膜115。然后，在平坦化膜115上形成开口，在该开口中形成接触插头116和第二连接部117(见图9B)。通过该步骤可以提供图3所示的下部基板100。
[步骤110](参见图10A、图10B、图11、图12和图13)
接下来，制造形成有发光元件ELP的上部基板。准备基底材料121，对该基底材料121实施规定的成膜和图案化处理，形成滤色器122。随后，在滤色器122上形成保护膜123。然后，通过例如溅射法在保护膜123的整个表面上形成ITO，然后适当地通过图案化形成上部电极131(见图10A)。此后，通过使用例如溅射法或CVD法形成无机绝缘膜(诸如氮氧化硅)作为电极之间的绝缘部，然后执行平坦化以提供绝缘部132(见图10B)。
此后，用于形成发光单元133的有机层和由例如铝(Al)形成并且旨在形成下部电极134的导电膜依次堆叠在包括构成阳极电极的上部电极131的整个表面上。这些膜优选在真空状态下通过集成工艺堆叠。
顺序地堆叠用于形成发光单元133的有机层和由金属材料形成的导电膜，使得可以抑制由下部电极134的表面氧化引起的反射率的降低。此外，可在下部电极134与有机层之间保持低电势垒，从而还可降低发光元件ELP的电压。
接下来，例如，通过使用干蚀刻方法可以处理有机层和导电膜，从而提供形成为对应于相应像素的发光元件ELP(见图11)。此后，在包括发光元件ELP的整个表面上形成平坦化膜135(见图12)。然后，在平坦化膜135中形成接触孔，并在开口中形成接触插头136和第一连接部137(见图13)。通过该步骤可以提供图3所示的上部基板120。
[步骤120](见图14)
之后，利用例如Ar等离子体照射第一连接部137和第二连接部117被暴露的接合表面JS，使接合表面JS活化。然后，使上部基板120和下部基板100彼此面对，使得第一连接部137和第二连接部117彼此面对，并且在这种条件下，在真空中在室温执行接合。通过该步骤可以提供图3中所示的显示装置1。
已经描述了显示装置1。附图等示出了连接部117和137的平面形状相同并且其中心在接合时彼此一致。然而，这仅是示例。例如，连接部117和137可以使得连接部117和137彼此偏移的方式彼此连接，以防止外部光入射到下部基板中的晶体管上。这同样适用于下文描述的其他实施方式。
[第一实施方式的各种变形例]
第一实施方式能够进行各种变形。以下，参照附图说明各种变形例。
(第一变形例)
图15是根据第一实施方式的第一变形例的显示装置的示意性局部横截面图。可通过用显示装置2代替图1中的显示装置1来提供用于示出根据第一变形例的显示装置的示意性平面图。
在图3所示的显示装置1中，滤色器122、发光元件ELP以及其他元件直接形成在基底材料121上。与此相反，在图15所示的显示装置2中，基底材料121通过密封树脂224层压在滤色器122上，发光元件ELP和滤色器122堆叠在下部基板100上。这是与显示装置1的主要区别。
图16至图19是用于示出制造根据第一变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
以下，参照附图详细说明制造显示装置2的方法。
[步骤200]
首先，执行与以上关于第一实施方式所述的步骤100类似的步骤，以提供图3所示的下部基板100。
[步骤210](参见图16A、图16B和图17。)
接着，制备由例如硅形成的基底材料229。在基底材料229上而不是基底材料121上执行与上文关于第一实施方式描述的步骤110类似的步骤。
图16A对应于步骤110中的图10A。图16B对应于步骤110中的图10B。
图17对应于步骤110中的图13。
[步骤220](参见图18和图19)
接着，执行与上文关于第一实施方式描述的步骤120类似的步骤，使下部基板的接合表面JS与形成在基底材料229侧的平坦化膜135的接合表面JS相面对，在该状态下，在室温下在真空下进行接合(见图18)。接下来，移除基底材料229(见图19)，并且使用密封树脂224将基底材料121层压到滤色器122上。通过该步骤可以提供图15中所示的显示装置2。
(第二变形例)
图20是根据第一实施方式的第二变形例的显示装置的示意性局部横截面图。用于示出根据第二变形例的显示装置的示意性平面图可以通过用显示装置3替换图1中的显示装置1来提供。
在图3所示的显示装置1中，接触插头136被形成为与上部电极131的底表面接触。相比之下，在图20所示的显示装置3中，接触插头336形成为与上部电极331的侧面接触。这是与显示装置1的主要区别。
图21至图23是用于示出制造根据第二变形例的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
以下，参照附图详细说明显示装置3的制造方法。
[步骤300]
首先，执行与以上关于第一实施方式所述的步骤100类似的步骤，以提供图3所示的下部基板100。
[步骤310](见图21A、图21B、图22和图23。)
接下来，制备由例如硅形成的基底材料229，并且对基底材料229而不是基底材料121执行与上文关于第一实施方式描述的步骤110类似的步骤。图21A与步骤110中的图10A相对应。图21B与步骤110中的图10B相对应。上部电极331具有比显示装置1的上部电极131小的外形，使得上部电极331的侧表面可以连接到接触插头336(在下文中描述)。
此后，用于形成发光单元133的有机层和由例如铝(Al)形成并且旨在形成下部电极134的导电膜依次堆叠在包括构成阳极电极的上部电极331的整个表面上。这些膜优选在真空状态下通过集成工艺堆叠。接下来，例如，通过使用干蚀刻方法可以处理有机层和导电膜，从而提供被形成为对应于各个像素的发光元件ELP。此后，在包括发光元件ELP的整个表面上形成平坦化膜135(见图22)。
[步骤320](见图23和图24)
接着，执行与上文关于第一实施方式所述的步骤120类似的步骤，使下部基板100的接合表面JS与形成在基底材料229侧的平坦化膜135的接合表面JS相面对，在此状态下，在室温和真空下进行接合。此后，去除基底材料229(见图23)。
接下来，形成接触孔以穿透滤色器122、保护膜123和平坦化膜135，并且形成接触插头336，接触插头336到达第二连接部117并且包括与上部电极331接触的侧壁(见图24)。在该配置中，接触插头336的面向第二连接部117的前端部分构成第一连接部337。此后，使用密封树脂224将基底材料121层压到滤色器122上。通过该步骤可以提供图20中所示的显示装置3。
[第三变形例]
图25是根据第一实施方式的第三变形例的显示装置的示意性局部横截面图。可以通过将图1中的显示装置1替换为显示装置4来提供用于示出根据第三变形例的显示装置的示意性平面图。
在图25中所示的显示装置4中，发光元件ELP具有用于使由发光单元生成的光谐振的谐振器结构。这是与显示装置1的主要区别。
在显示装置4中，半透射反射膜430设置在保护膜123与上部电极431之间。例如，半透射反射膜430可以由银(Ag)的薄膜形成。根据由发光元件ELP发射的颜色的波长，适当地设置上部电极431的厚度。微腔结构形成在半透射反射膜430与下部电极134之间。
显示装置4被配置为：半透射反射膜430设置在上部基板420中；以及上部电极431R、431G和431B，它们具有根据要显示的颜色设置的厚度，而不是图3所示的上部电极131。所提及的显示装置具有这些差异并且可以通过基本上类似于针对显示装置1所描述的制造步骤来制造。
(第四变形例)
图25是根据第一实施方式的第四变形例的显示装置的示意性局部横截面图。可通过用显示装置5代替图1中的显示装置1来提供用于示出根据第三变形例的显示装置的示意性平面图。
在图26中所示的显示装置5中，发光元件ELP具有用于使由发光单元生成的光谐振的谐振器结构。这是与显示装置1的主要区别。
如在第三变形例中，显示装置5也具有布置在保护膜123上的半透射反射膜430。然而，绝缘膜538设置在第一电极131和半透射反射膜430之间。绝缘膜538的厚度根据发光元件ELP要发射的颜色来设置。微腔结构形成在半透射反射膜430与下部电极134之间。
显示装置5的不同之处在于半透射反射膜430设置在上部基板520中，并且形成具有根据发光元件ELP要发射的颜色设置的厚度的绝缘膜538。该显示装置可以通过基本上类似于针对显示装置1所描述的制造步骤来制造。
(第五变形例)
图27是根据第一实施方式的第五变形例的显示装置的示意性局部横截面图。可以通过用显示装置6替换图1中的显示装置1来提供用于示出根据第五变形例的显示装置的示意性平面图。
在图27所示的显示装置5中，对应于各个发光元件ELP而设置的聚光透镜625形成在上部基板620中。附图标记626表示填充基底材料121与聚光透镜625之间的空间的透明材料。附图标记624表示由聚光透镜625和透明材料626形成的透镜层部。聚光透镜625可在形成上部电极131之前使用众所周知的方法适当地形成。
[第二实施方式]
第二实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子仪器。
图28是根据第二实施方式的显示装置的示意性局部横截面图。通过用显示装置7替换图1中的显示装置1，可以提供用于示出根据第二实施方式的显示装置的示意性平面图。
在根据第一实施方式的显示装置1中，上部电极被形成为对应于各个发光元件，并且下部电极被形成为发光元件ELP共享电极。与此相反，在根据第二实施方式的显示装置7中，上部电极形成为由发光元件共享的电极，并且下部电极形成为对应于各个发光元件。这是与显示装置1的主要区别。
显示装置7被形成为使得像素被布置成二维矩阵，像素包括通过堆叠上部电极731、发光单元733和下部电极734形成的发光元件ELP。如后面参考图32和图33详细描述的，通过形成透光的上部电极731，然后将发光单元733和由金属材料形成的下部电极734顺次堆叠在上部电极731上，形成发光元件ELP。上部电极731形成为发光元件共享的电极。下部电极734对应于各个发光元件形成。附图标记732表示用于在像素的发光单元733之间形成分隔部的绝缘膜。下部电极734和第一连接部137经由接触插头136连接。
通常使用例如溅射法形成上部电极731。在本公开中，在形成上部电极731之后堆叠发光单元733。因此，在形成上部电极731的过程中不会损坏发光单元733。因此，因为可以减少对发光单元的损坏，所以可以增加显示装置的亮度。
形成上部电极731不损坏发光单元733。所以，能够抑制元件电压的上升，能够确保上部电极731的膜厚。发光元件ELP共享的上部电极可以由低电阻连续膜形成在整个表面上，使得可以抑制下部电极的电位根据像素的位置而变化，而不增加例如辅助电极布线。所以，显示装置7的显示屏幕的均匀性也提高。
接着，对上部电极731、下部电极734和连接部117、137的平面定位关系进行说明。图29是由图28中D-D表示的部分的示意性横截面图。注意，为了帮助理解，在该图中以切口方式指示上部电极731的一部分。图30是由图28中E-E表示的部分的示意性横截面图。图31是由图28中的F-F表示的部分的示意性横截面图。
如图29中所示，上部电极731被形成为发光元件ELP共享的电极，并且用于在发光单元733之间形成分隔部的绝缘膜732被设置成格子形状。如图30所示，为各个发光元件ELP形成下部电极734。接触插头136形成为与下部电极734的底表面接触。应注意，图28中的连接部117和137的定位类似于第一实施方式中的图6中的定位。
与第一实施方式中的发光单元133一样，发光单元733由包括发光层的有机层形成。但是，发光单元733各自被形成为使得空穴注入层位于下部电极734侧，电子注入层位于上部电极731侧。可通过分别用参考标号733、下部电极734和上部电极731代替图7A、图7B、图8A、图8B和图8C中的参考标号133、上部电极131和下部电极134来理解有机层733的堆叠结构，并且在此省略对该结构的描述。
图32至图36是用于示出制造根据第二实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
以下，参照附图详细说明制造显示装置7的方法。
[步骤700]
首先，执行与以上关于第一实施方式所述的步骤100类似的步骤，以提供图3所示的下部基板100。
[步骤710](见图32A、图32B、图33、图34和图35。)
接下来，制造形成有发光元件ELP的上部基板720。制备基底材料121，对该基底材料121执行规定的成膜和图案化处理，形成滤色器122。随后，在滤色器122上形成保护膜123。然后，通过使用例如溅射法在保护膜123的整个表面上形成ITO，以形成上部电极731(见图32A)。此后，通过使用例如溅射法或CVD法形成诸如氧氮化硅的无机绝缘膜，然后适当地图案化，由此形成绝缘膜732(见图32B)，用于形成发光单元733之间的分隔部。
此后，在包括构成阴极电极的上部电极731的整个表面上，顺序地堆叠用于形成发光单元733的有机层和由例如铝(Al)形成并且旨在形成下部电极734的导电膜。这些膜优选在真空状态下通过集成工艺堆叠。
顺序地堆叠用于形成发光单元733的有机层和由金属材料形成的导电膜，使得可以抑制由下部电极734的表面氧化引起的反射率的降低。此外，可在下部电极734和有机层之间保持低电势垒，从而还可降低发光元件ELP的电压。
接下来，例如，通过使用干蚀刻方法可以处理有机层和导电膜，从而提供形成为对应于各个像素的发光元件ELP(见图33)。随后，在包括发光元件ELP的整个表面上形成平坦化膜135(见图34)。然后，在平坦化膜135中形成接触孔，并在开口中形成接触插头136和第一连接部137(见图35)。通过该步骤，可以提供图28所示的上部基板720。
[步骤720](见图36)
之后，利用例如Ar等离子体照射第一连接部137和第二连接部117被暴露的接合表面JS，使接合表面JS活化。然后，使上部基板720和下部基板100彼此面对，使得第一连接部137和第二连接部分117彼此面对，并且在这种条件下，在真空中在室温下执行接合。通过该步骤可以提供图28中所示的显示装置7。
在本公开的所描述的显示装置中，通过形成透光上部电极并随后将发光单元和由金属材料形成的下部电极顺次堆叠在上部电极上来形成每个发光元件。因此，在形成透光上部电极的过程中不会损坏发光单元。所以，可以提高显示装置的亮度。此外，本公开中所描述的效果是说明性的而非限制性的，并且可提供额外的效果。
[电子仪器的描述]
本公开所描述的显示装置可以用作属于任何领域的电子仪器的显示单元(显示装置)，以便显示输入到电子仪器的视频信号或者在电子仪器内产生的视频信号作为图像或视频。作为实例，显示装置可以用作显示单元，例如，电视机、数码相机、笔记本式个人计算机、诸如移动电话的移动终端装置、摄像机、或头戴式显示器(头戴式类型的显示器)。
本公开的显示装置包括具有密封配置的模块形状的显示装置。作为实例，通过将诸如透明玻璃的面对部分层压在像素阵列单元上形成的显示模块可以是适用的。注意，显示模块可以设置有，例如，用于将信号等从外部输入到像素阵列单元或者将信号从像素阵列单元输出到外部的电路单元或柔性印刷电路(FPC)。在下文中，数字静态相机和头戴式显示器将被呈现为使用本公开的显示装置的电子仪器的具体实例。然而，下面给出的具体实施方式仅是本发明的一些示例，并不以此为限。
(第一具体实施方式)
图37构成可更换镜头类型的单镜头反射数字照相机的外观图，图37A表示其前视图，图37B表示其后视图。例如，可更换镜头类型的单镜头反射数字照相机可包括：在照相机主体单元(照相机主体)811的右前侧上的可更换成像镜头单元(可更换镜头)812；以及握持部分813，由摄影师保持在照相机主体单元811的左前侧。
监视器814基本上设置在照相机主体单元811的后表面的中心。取景器(目镜窗)815设置在监视器814上方。通过观察取景器815，拍摄者可以观看被引导通过成像透镜单元812的被摄体的光学图像并且确定构图。
本公开的显示装置可以用作具有上述配置的可更换镜头类型的单镜头反射数码照相机的取景器815。因此，使用本公开的显示装置作为取景器815，生产本实例中的可更换镜头类型的单镜头反射数码照相机。
(第二具体实施方式)
图38是头戴式显示器的外观图。例如，头戴式显示器可在成形为类似眼镜的显示单元911的两侧上包括待佩戴在用户的头部上的耳钩段912。本公开的显示装置可用作头戴式显示器的显示单元911。因此，生产该实例中的头戴式显示器，其中本公开的显示装置用作显示单元911。
(第三具体实施方式)
图39是透视头戴式显示器的外观图。透视头戴式显示器941由主体部942、臂943和透镜镜筒944形成。
主体部942连接到臂943和眼镜930。具体地，主体部942在长边方向上的端部耦接到臂943，主体部942在一侧上的侧表面经由连接构件耦接到眼镜600。注意，主体部942可直接佩戴在人体的头部上。
主体部942中安装有用于控制透视头戴式显示器941的操作的显示单元和控制板。臂943连接主体部942和透镜镜筒944并支撑透镜镜筒944。具体地，臂943耦接至主体部942的端部和透镜镜筒944的端部，并固定透镜镜筒944。臂943中还安装有信号线，用于将与从主体部942提供的图像有关的数据传送到透镜镜筒944。
透镜镜筒944通过目镜朝向佩戴透视头戴式显示器941的用户的眼睛投射从主体部942经由臂943提供给其的图像光。本公开的显示装置可以用于透视头戴式显示器941的主体部942的显示单元。
[其他]
本公开的技术还可具有以下配置。
[A1]
一种显示装置，其中，
像素被布置成二维矩阵，每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件；并且
通过形成透光的上部电极，然后在上部电极上依次堆叠发光单元和由金属材料形成的下部电极来形成发光元件。
[A2]
根据[A1]的显示装置，其中，
发光单元由包括发光层的有机层形成。
[A3]
根据[A1]或[A2]的显示装置，其中，
显示装置被配置为使得形成有驱动发光元件的驱动电路的下部基板的接合表面被接合到形成有发光元件的上部基板在下部电极侧上具有的接合表面。
[A4]
根据[A3]的显示装置，其中，
上部基板包括第一连接部，第一连接部被布置在下部电极侧的接合表面上以与各个发光元件对应，并且
下部基板包括第二连接部，第二连接部被布置在下部基板的接合表面上以与第一连接部相对应。
[A5]
根据[A4]的显示装置，其中，
通过将第一连接部接合至第二连接部，发光元件电连接至驱动发光元件的驱动电路。
[A6]
根据[A4]的显示装置，其中，
上部电极被单独地形成以对应于各个发光元件，并且
下部电极被形成为由发光元件共享的电极。
[A7]
根据[A6]的显示装置，其中，
上部电极和第一连接部经由穿过设置在下部电极中的开口的接触插头连接。
[A8]
根据[A7]的显示装置，其中，
接触插头被形成为连接至上部电极的底表面或侧表面。
[A9]
根据[A6]至[A8]中任一项的显示装置，其中，
有机层分别被形成为使得空穴注入层位于上部电极侧并且电子注入层位于下部电极侧。
[A10]
根据[A4]的显示装置，其中，
上部电极被形成为由发光元件共享的电极，并且
下部电极被单独地形成为对应于各个发光元件。
[A11]
根据[A10]的显示装置，其中，
下部电极与第一连接部之间通过接触插头连接。
[A12]
根据[A10]或[A11]的显示装置，其中，
有机层被分别形成为使得空穴注入层位于下部电极侧并且电子注入层位于上部电极侧。
[A13]
根据[A3]至[A12]中任一项的显示装置，其中，
形成每个发光元件的有机层以发射白光。
[A14]
根据[A3]至[A12]中任一项的显示装置，其中，
形成每个发光元件的有机层以发射红光、绿光或蓝光。
[A15]
根据[A3]至[A14]中任一项的显示装置，其中，
发光元件包括使发光单元产生的光谐振的谐振器结构。
[A16]
根据[A3]至[A15]中任一项的显示装置，其中，
对应于各个发光元件设置的聚光透镜形成在上部基板中。
[B1]
一种制造显示装置的方法，其中像素被布置成二维矩阵，每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件，方法包括：
通过在基底材料上形成透光的上部电极，然后在上部电极上顺序堆叠发光单元和由金属材料形成的下部电极来形成发光元件的步骤。
[B2]
根据[B1]的用于制造显示装置的方法，其中，
发光单元由包括发光层的有机层形成。
[B3]
根据[B2]的用于制造显示装置的方法，其中，
上部电极被形成为对应于各个发光元件，并且
下部电极形成为由发光元件共享的电极。
[B4]
根据[B3]的用于制造显示装置的方法，其中，
有机层被分别形成为使得空穴注入层位于上部电极侧并且电子注入层位于下部电极侧。
[B5]
根据[B2]的用于制造显示装置的方法，其中，
上部电极被形成为由发光元件共享的电极，并且
下部电极被形成为对应于各个发光元件。
[B6]
根据[B5]的用于制造显示装置的方法，其中
有机层被分别形成为使得空穴注入层位于下部电极侧并且电子注入层位于上部电极侧。
[B7]
根据[B2]至[B6]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
在每个发光元件中形成发射白光的有机层。
[B8]
根据[B2]至[B7]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
在每个发光元件中形成发射红光、绿光或蓝光的有机层。
[C1]
一种电子仪器，包括：显示装置，其中
像素被布置成二维矩阵，每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件；并且
通过形成透光的上部电极，然后在上部电极上依次堆叠发光单元和由金属材料形成的下部电极来形成发光元件。
[C2]
根据[C1]的电子仪器，其中，
发光单元由包括发光层的有机层形成。
[C3]
根据[C1]或[C2]的电子仪器，其中
显示装置被配置为使得形成有驱动发光元件的驱动电路的下部基板的接合表面被接合到与形成有发光元件的上部基板在下部电极侧上具有的接合表面。
[C4]
根据[C3]的电子仪器，其中，
上部基板包括第一连接部，第一连接部被布置在下部电极侧的接合表面上以与各个发光元件对应，并且
下基板包括第二连接部，第二连接部被布置在下部基板的接合表面上以与第一连接部相对应。
[C5]
根据[C4]的电子仪器，其中
通过将第一连接部接合至第二连接部，发光元件电连接至驱动发光元件的驱动电路。
[C6]
根据[C4]的电子仪器，其中
上部电极被形成为对应于各个发光元件，并且
下部电极被形成为由发光元件共享的电极。
[C7]
根据[C6]的电子仪器，其中，
上部电极和第一连接部经由穿过设置在下部电极中的开口的接触插头连接。
[C8]
根据[C7]的电子仪器，其中
接触插头被形成为连接至上部电极的底表面或侧表面。
[C9]
根据[C6]至[C8]中任一项的电子仪器，其中，
有机层被分别形成为使得空穴注入层位于上部电极侧并且电子注入层位于下部电极侧。
[C10]
根据[C4]的电子仪器，其中
上部电极被形成为由发光元件共享的电极，并且
下部电极被形成为对应于各个发光元件。
[C11]
根据[C10]的电子仪器，其中
下部电极与第一连接部之间通过接触插头连接。
[C12]
根据[C10]或[C11]的电子仪器，其中，
有机层被分别形成为使得空穴注入层位于下部电极侧并且电子注入层位于上部电极侧。
[C13]
根据[C3]至[C12]中任一项的电子仪器，其中，
形成每个发光元件的有机层以发射白光。
[C14]
根据[C3]至[C12]中任一项的电子仪器，其中，
形成每个发光元件的有机层以发射红光、绿光或蓝光。
[C15]
根据[C3]至[C14]中任一项的电子仪器，其中，
发光元件包括使发光单元产生的光谐振的谐振器结构。
[C16]
根据[C3]至[C15]中任一项的电子仪器，其中，
对应于各个发光元件设置的聚光透镜形成在上部基板中。
参考标记列表
1、2、3、4、5、6、7 显示装置
11 水平驱动电路
12 垂直驱动电路
100 下部基板
101 基底材料
102 栅电极
103 栅极绝缘膜
104 半导体材料层
111 层间绝缘膜
112 源极/漏极
115 平坦化膜
116 接触插头
117 第二连接部
120 上部基板
121 基底材料
122 滤色器
123 保护膜
131 上部电极
132 绝缘部
133 发光单元
134 下部电极
135 平坦化膜
136 接触插头
137 第一连接部
220 上部基板
224 密封树脂
229 基底材料
320 上部基板
331 上部电极
332 绝缘部
336 接触插头
337 第一连接部
420 上部基板
430 半透射反射膜
431 上部电极
520 上部基板
538 绝缘膜
620 上部基板
624 透镜层
625 聚光透镜
626 透明材料
720 上部基板
731 上部电极
732 绝缘膜
733 发光单元
734 下部电极
811 照相机主体单元
812 成像透镜单元
813 握持部
814 监视器
815 取景器
911 成形为眼镜的显示单元
912 耳钩段
930 眼镜(护目镜)
941 透视头戴式显示器
942 主体部
943 臂
944 透镜镜筒。

Claims (18)

1.一种显示装置，其中，
像素被布置成二维矩阵，所述像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件；并且
通过形成透光的所述上部电极然后在所述上部电极上依次堆叠所述发光单元和由金属材料形成的所述下部电极，来形成所述发光元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光单元由包括发光层的有机层或由微米尺寸的LED元件形成。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述显示装置被配置为使得形成有驱动所述发光元件的驱动电路的下部基板的接合面被接合到形成有所述发光元件的上部基板在所述下部电极侧上具有的接合面。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述上部基板包括第一连接部，所述第一连接部被布置在所述下部电极侧的接合面上以与各发光元件对应，并且
所述下部基板包括第二连接部，所述第二连接部被布置在所述下部基板的接合面上以与所述第一连接部相对应。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
通过所述第一连接部和所述第二连接部接合，所述发光元件被电连接到驱动所述发光元件的所述驱动电路。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述上部电极被单独地形成以对应于各所述发光元件，并且所述下部电极被形成为由各所述发光元件共享的电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述上部电极和所述第一连接部经由穿过设置在所述下部电极中的开口的接触插头连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述接触插头被形成为连接至所述上部电极的底表面或侧表面。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述有机层被形成为使得空穴注入层位于上部电极侧并且电子注入层位于所述下部电极侧。
10.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述上部电极被形成为由各所述发光元件共享的电极，并且所述下部电极被单独地形成为对应于各所述发光元件。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述下部电极与所述第一连接部通过接触插头连接。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述有机层被形成为使得空穴注入层位于下部电极侧并且电子注入层位于上部电极侧。
13.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
形成每个发光元件的所述有机层以发射白光。
14.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
形成每个发光元件的所述有机层以发射红光、绿光或蓝光。
15.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括使所述发光单元产生的光谐振的谐振器结构。
16.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
对应于各所述发光元件设置的聚光透镜形成在所述上部基板中。
17.一种制造显示装置的方法，其中，像素被布置成二维矩阵，所述像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件，所述方法包括以下步骤：
通过在基底材料上形成透光的所述上部电极，然后在所述上部电极上依次堆叠所述发光单元和由金属材料形成的所述下部电极，来形成所述发光元件。
18.一种电子仪器，包括：显示装置，其中
像素被布置成二维矩阵，所述像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件；并且
通过形成透光的所述上部电极，然后在所述上部电极上依次堆叠所述发光单元和由金属材料形成的所述下部电极，来形成所述发光元件。
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