CN113690288A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括正常显示区和位于所述正常显示区内的透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率的比值为0.8至1.2。本公开通过将正常显示区的分辨率与透光显示区的分辨率设置成相近，消除了正常显示区和透光显示区的显示差异，有效解决了现有全面屏存在的显示差异问题，有效提高了全面屏的显示品质。
Description
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品，已被广泛应用于手机、电脑、电视、车载、智能可穿戴设备等领域。
随着显示技术的发展，全面屏以其较大的屏占比和超窄的边框，已逐步成为显示产品的发展趋势。全面屏产品通常是采用屏下传感技术，将摄像头、3D成像和指纹识别等传感器放置于显示基板的屏下摄像区域(Under Display Camera，简称UDC)，屏下摄像区域不仅具有一定的透过率，而且具有显示功能。
经本申请发明人研究发现，现有全面屏存在显示差异的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开示例性实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有全面屏存在的显示差异等问题。
一方面，本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括正常显示区和位于所述正常显示区内的透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率的比值为0.8至1.2。
在示例性实施方式中，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率相同。
在示例性实施方式中，所述正常显示区包括多个第一像素单元，至少一个第一像素单元可以包括出射红色光线的第一红色子像素、出射绿色光线的第一绿色子像素和出射蓝色光线的第一蓝色子像素；所述透光显示区包括多个第二像素单元，至少一个第二像素单元可以包括出射红色光线的第二红色子像素、出射绿色光线的第二绿色子像素和出射蓝色光线的第二蓝色子像素；所述透光显示区中至少一个第二像素单元的像素开口率小于所述正常显示区中至少一个第一像素单元的像素开口率。
在示例性实施方式中，至少一个第二像素单元的像素开口率为至少一个第一像素单元的像素开口率的40％至60％。
在示例性实施方式中，至少一个第二红色子像素的像素开口率为至少一个第一红色子像素的像素开口率的39％至49％。
在示例性实施方式中，至少一个第二绿色子像素的像素开口率为至少一个第一绿色子像素的像素开口率的52％至62％。
在示例性实施方式中，至少一个第二蓝色子像素的像素开口率为至少一个第一蓝色子像素的像素开口率的45％至55％。
在示例性实施方式中，至少一个第一像素单元中，所述第一红色子像素的像素开口率：所述第一绿色子像素的像素开口率：所述第一蓝色子像素的像素开口率为1.0：0.8至1.0：2.7至2.9。
在示例性实施方式中，所述第一红色子像素的像素开口率：所述第一绿色子像素的像素开口率：所述第一蓝色子像素的像素开口率为1.0:0.9:2.8。
在示例性实施方式中，至少一个第二像素单元中，所述第二红色子像素的像素开口率：所述第二绿色子像素的像素开口率：所述第二蓝色子像素的像素开口率为1.0：1.0至1.2：3.0至3.4。
在示例性实施方式中，所述第一红色子像素的像素开口率：所述第一绿色子像素的像素开口率：所述第一蓝色子像素的像素开口率为1.0:1.1:3.2。
在示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的平面上，所述显示基板包括设置在基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的光学结构层；所述正常显示区的光学结构层包括设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的彩膜层和设置在所述彩膜层远离所述基底一侧的防反层，所述透光显示区的光学结构层包括设置在所述显示结构层远离基底一侧的防反层。
在示例性实施方式中，所述显示结构层至少包括设置在所述基底上的驱动电路层和设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层；所述正常显示区的发光结构层包括出射白光的第一有机发光层，所述透光显示区的发光结构层包括出射单色光的第二有机发光层。
另一方面，本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
又一方面，本公开示例性实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：
形成正常显示区和位于所述正常显示区内的透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率的比值为0.8至1.2。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过将正常显示区的分辨率与透光显示区的分辨率设置成相近，消除了正常显示区和透光显示区的显示差异，有效解决了现有全面屏存在的显示差异问题，有效提高了全面屏的显示品质。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示装置的结构示意图；
图2为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；
图3为一种显示区的平面结构示意图；
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图5为一种像素驱动电路的工作时序图；
图6为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
图7为本公开示例性实施例一种显示结构层的剖面结构示意图；
图8为本公开示例性实施例形成驱动电路层图案后的示意图；
图9为本公开示例性实施例形成阳极图案后的示意图；
图10为本公开示例性实施例形成像素定义层图案后的示意图；
图11为本公开示例性实施例形成有机发光层图案后的示意图；
图12为本公开示例性实施例形成阴极图案后的示意图；
图13为本公开示例性实施例形成封装结构层图案后的示意图；
图14为本公开示例性实施例形成彩膜层图案后的示意图；
图15为本公开示例性实施例一种形成防反层图案后的示意图；
图16为本公开示例性实施例另一种形成防反层图案后的示意图；
图17为正常显示区和透光显示区白光亮度和色坐标老化曲线；
图18为正常显示区和透光显示区白光寿命色偏曲线；
图19为正常显示区和透光显示区白光色差曲线。
附图标记说明:
10-基底； 11-第一绝缘层层； 12-第二绝缘层；
13-第三绝缘层； 14-第四绝缘层； 15-平坦层；
21-第一阴极； 22-第二阳极； 23-像素定义层；
24-第一有机发光层； 25-第二有机发光层； 26-阴极；
100-正常显示区； 101-驱动电路层； 102-发光结构层；
103-封装结构层； 110-显示结构层； 120-光学结构层；
130-彩膜层； 140-防反层； 150-填充层；
160-偏光层； 170-盖板； 200-透光显示区。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
对于智能终端等产品，通常需要设置前置摄像头、光线传感器等硬件，为提高屏占比，全面屏产品通常采用在显示基板上开孔的方式，利用开孔形成屏下摄像区域UDC。经本申请发明人研究发现，现有全面屏存在显示差异问题的原因之一，是屏下摄像区域的分辨率与正常显示区域的分辨率存在差异。一种显示基板中，为了满足屏下摄像区域的透过率要求，保证摄像头等器件工作性能，通常将屏下摄像区域的分辨率设置成低于正常显示区域的分辨率，例如，将屏下摄像区域的分辨率设置成约为正常显示区域的分辨率的50％左右。分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)是指单位面积所拥有像素的数量，可以称为像素密度，PPI数值越高，代表显示基板能够以越高的密度显示画面，画面的细节就越丰富。由于屏下摄像区域的分辨率较低，造成屏下摄像区域和正常显示区域存在显示差异，因而导致全面屏存在显示差异的问题，影响了全面屏的显示品质。
图2为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图。如图2所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板可以包括正常显示区100和透光显示区200，透光显示区200可以位于正常显示区100内。在示例性实施方式中，正常显示区100被配置为进行图像显示，透光显示区200的位置可以与光学装置的位置相对应，透光显示区200被配置为进行图像显示和透过光线，透过的光线被光学装置接收。
在示例性实施方式中，正常显示区100的分辨率与透光显示区200的分辨率的比值可以约为0.8至1.2左右。
在示例性实施方式中，正常显示区100的分辨率与透光显示区200的分辨率可以相同。
在示例性实施方式中，透光显示区200在正常显示区100中的位置不限，可以位于正常显示区100上部或下部，或者可以位于正常显示区100的边缘，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，透光显示区200的形状可以是如下任意一种或多种：矩形、多边形、圆形和椭圆形，光学装置可以是指纹识别装置、摄像装置或3D成像等光学传感器。透光显示区200的形状为圆形时，圆形的直径可以约为3mm至5mm，透光显示区200的形状为矩形时，矩形的边长可以约为3mm至5mm，本公开在此不做限定。
图3为一种显示区的平面结构示意图。如图3所示，正常显示区或者透光显示区可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，至少一个像素单元P可以包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，三个子像素均可以包括像素驱动电路和发光器件。三个子像素中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光器件输出相应的电流。三个子像素中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色(R)光线的红色子像素、第二子像素P2可以是出射绿色(G)光线的绿色子像素，第三子像素P3可以是出射蓝色(B)光线的蓝色子像素。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形等，可以采用水平并列、竖直并列或品字方式等排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，像素单元可以包括四个子像素。例如，四个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和出射白色(W)光线的白色子像素。又如，四个子像素可以包括红色子像素、蓝色子像素和2个绿色子像素。四个子像素可以采用水平并列、竖直并列、正方形(Square)或钻石形(Diamond)等方式排列，本公开在此不做限定。
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图4所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C，像素驱动电路与7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)连接。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。
在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。
第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。
第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。
第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。
第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。
第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT沿水平方向延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D沿竖直方向延伸。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
图5为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图4示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图4中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第六晶体管T7)和1个存储电容C。
在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。
第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：
I＝K*(Vgs-Vth)2＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]2＝K*[(Vdd-Vd]2
其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。
图6为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图。如图6所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的显示结构层110和设置在显示结构层110远离基底10一侧的光学结构层120，正常显示区100的光学结构层120可以包括设置在显示结构层110远离基底10一侧的彩膜层130和设置在彩膜层130远离基底10一侧的防反层140，透光显示区200的光学结构层120可以包括设置在显示结构层110远离基底10一侧的防反层140。也就是说，透光显示区200的光学结构层120中没有设置彩膜层。在示例性实施方式中，彩膜层130被配置为将正常显示区100中显示结构层110出射的白色光过滤成相应的单色光，防反层140被配置为增加正常显示区100和透光显示区200的透过率，并减少外界光线的反射。
图7为本公开示例性实施例一种显示结构层的剖面结构示意图，示意了正常显示区100中一个子像素和透光显示区200中一个子像素的结构。如图7所示，显示结构层可以包括设置在基底10上的驱动电路层101、设置在驱动电路层101远离基底10一侧的发光结构层102和设置在发光结构层102远离基底10一侧的封装结构层103，光学结构层120可以设置在封装结构层103远离基底10的一侧。
在示例性实施方式中，正常显示区100的驱动电路层101可以包括构成第一像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图7中仅以一个子像素中的一个第一晶体管100A和一个第一存储电容100B作为示例。透光显示区200的驱动电路层可以包括构成第二像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图7中仅以一个子像素中的一个第二晶体管200A和一个第二存储电容200B作为示例。
在示例性实施方式中，正常显示区100的发光结构层102可以包括第一阳极、像素定义层、第一有机发光层和阴极，第一有机发光层在第一阳极和阴极的驱动下出射白色光。
在示例性实施方式中，透光显示区200的发光结构层102可以包括第二阳极、像素定义层、第二有机发光层和阴极，第二有机发光层在第二阳极和阴极的驱动下出射相应颜色的单色光。
在示例性实施方式中，正常显示区100和透光显示区200的封装结构层103可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层102。
在示例性实施方式中，正常显示区100的像素定义层23上开设有第一像素开口K1，第一像素开口K1暴露出第一阳极。透光显示区200的像素定义层23上开设有第二像素开口K2，第二像素开口K2暴露出第二阳极。
在示例性实施方式中，正常显示区100和透光显示区200中的每个子像素可以包括发光区域和不发光区域，每个子像素的发光区域是像素定义层上像素开口所在区域，每个子像素的不发光区域是像素定义层上像素开口以外的区域。以一个像素单元包括三个子像素为例，在平行于显示基板的平面上，一个像素单元的面积是三个子像素的面积之和，一个像素单元中发光区域的面积是三个子像素中发光区域的面积之和。在示例性实施方式中，一个像素单元中，像素单元的像素开口率是指像素单元中发光区域的面积与像素单元的面积之比，即像素单元的像素开口率是一个像素单元中，三个子像素的像素开口的面积之和与三个子像素的面积之和的比值。
在示例性实施方式中，正常显示区100可以包括多个第一像素单元，透光显示区200可以包括多个第二像素单元，透光显示区200中至少一个第二像素单元的像素开口率可以小于正常显示区100中至少一个第一像素单元的像素开口率。
在示例性实施方式中，至少一个第二像素单元的像素开口率可以约为至少一个第一像素单元的像素开口率的40％至60％。
在示例性实施方式中，第二像素单元的像素开口率可以约为第一像素单元的像素开口率的45％至55％。
在示例性实施方式中，第二像素单元的像素开口率可以约为第一像素单元的像素开口率的50％。例如，正常显示区100中第一像素单元的像素开口率可以约为23.08％，透光显示区200中第二像素单元的像素开口率可以约为11.54％。
在示例性实施方式中，正常显示区100中至少一个第一像素单元可以包括第一红色子像素、第一绿色子像素和第一蓝色子像素透光显示区200中至少一个第二像素单元可以包括第二红色子像素、第二绿色子像素和第二蓝色子像素。
在示例性实施方式中，正常显示区100的第一像素单元中，第一红色子像素的像素定义层上开设有第一红色像素开口，第一绿色子像素的像素定义层23上开设有第一绿色像素开口，第一蓝色子像素的像素定义层上开设有第一蓝色像素开口。透光显示区200的第二像素单元中，第二红色子像素的像素定义层上开设有第二红色像素开口，第二绿色子像素的像素定义层上开设有第二绿色像素开口，第二蓝色子像素的像素定义层上开设有第二蓝色像素开口。在示例性实施方式中，子像素的像素开口率是指像素单元中一个子像素发光区域的面积与像素单元的面积之比，即子像素的像素开口率是一个像素单元中，一个子像素的像素开口的面积与三个子像素的面积之和的比值。
在示例性实施方式中，至少一个第二红色子像素的像素开口率可以约为至少一个第一红色子像素的像素开口率的39％至49％。例如，第一红色子像素的像素开口率可以约为4.93％，第二红色子像素的像素开口率可以约为2.18％。
在示例性实施方式中，至少一个第二绿色子像素的像素开口率可以约为至少一个第一绿色子像素的像素开口率的52％至62％。例如，第一绿色子像素的像素开口率可以约为4.28％，第二绿色子像素的像素开口率可以约为2.43％。
在示例性实施方式中，至少一个第二蓝色子像素的像素开口率可以约为至少一个第一蓝色子像素的像素开口率的45％至55％。例如，第一蓝色子像素的像素开口率可以约为13.87％，第二蓝色子像素的像素开口率可以约为6.93％。
在示例性实施方式中，正常显示区100的至少一个第一像素单元中，第一红色子像素的像素开口率：第一绿色子像素的像素开口率：第一蓝色子像素的像素开口率可以约为1.0：0.8至1.0：2.7至2.9。例如，第一红色子像素的像素开口率：第一绿色子像素的像素开口率：第一蓝色子像素的像素开口率＝1.0:0.9:2.8。
在示例性实施方式中，透光显示区200的至少一个第二像素单元中，第二红色子像素的像素开口率：第二绿色子像素的像素开口率：第二蓝色子像素的像素开口率可以约为1.0：1.0至1.2：3.0至3.4。例如，第二红色子像素的像素开口率：第二绿色子像素的像素开口率：第二蓝色子像素的像素开口率＝1.0:1.1:3.2。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，通过将正常显示区的分辨率与透光显示区的分辨率设置成相近，消除了正常显示区和透光显示区的显示差异，有效解决了现有全面屏存在的显示差异问题，有效提高了全面屏的显示品质。本公开示例性实施例通过在正常显示区设置彩膜层，而透光显示区不设置彩膜层，有效增加了透光显示区的透过率。本公开示例性实施例通过正常显示区和透光显示区中像素开口率的差异化设计，透光显示区中第二像素单元的像素开口率小于正常显示区中第一像素单元的像素开口率，进一步增加了透光显示区的透过率。本公开示例性实施例通过正常显示区和透光显示区中三个子像素开口率比例的差异化设计，使得正常显示区和透光显示区具有相近的白光亮度寿命水平和白光寿命色偏水平。本公开中，相近是指两者的比值可以约为0.8至1.2左右。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，显示基板可以包括正常显示区100和透光显示区200。正常显示区100可以包括多个第一像素单元，透光显示区200可以包括多个第二像素单元，正常显示区100的分辨率与透光显示区200的分辨率相同或相近，即正常显示区100中第一像素单元的面积与透光显示区200中第二像素单元的面积相等或相近，正常显示区100中相邻第一像素单元之间的间距与透光显示区200中相邻第二像素单元之间的间距相等或相近。
在示例性实施方式中，至少一个第一像素单元可以包括第一红色子像素、第一绿色子像素和第一蓝色子像素，至少一个第二像素单元可以包括第二红色子像素、第二绿色子像素和第二蓝色子像素。本公开示例性实施例显示基板的制备过程可以包括如下步骤，以正常显示区100中一个第一子像素和透光显示区200中一个第二子像素为例。
(1)在基底上制备驱动电路层图案。在示例性实施方式中，在基底上制备驱动电路层图案可以包括：
在形成前述图案的基底上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖保护层的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括：位于正常显示区100的第一有源层和位于透光显示区200的第二有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括：位于正常显示区100的第一栅电极和第一极板以及位于透光显示区200的第二栅电极和第二极板。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括：位于正常显示区100的第三极板，以及位于透光显示区200的第四极板，第三极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分交叠，第四极板在基底上的正投影与第二极板在基底上的正投影至少部分交叠。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案第四绝缘层14图案，第四绝缘层14上形成多个有源过孔，位于正常显示区100的至少两个第一有源过孔暴露出第一有源层的两端，位于透光显示区200的至少两个第二有源过孔暴露出第二有源层的两端。
随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第四绝缘层14上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括：位于正常显示区100的第一源电极和第一漏电极，以及透光显示区200的第二源电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极分别通过第一有源过孔与正常显示区100的第一有源层连接，第二源电极和第二漏电极分别通过第二有源过孔与透光显示区200的第二有源层连接。
随后，在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案平坦层15图案，平坦层15上形成多个连接过孔，位于正常显示区100的第一连接过孔暴露出第一漏电极的表面，位于透光显示区200的第二连接过孔暴露出第二漏电极的表面。
至此，制备完成驱动电路层101图案，驱动电路层101可以包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、半导体层、第二绝缘层12、第一导电层、第三绝缘层13、第二导电层、第四绝缘层14、第三导电层和平坦层15，如图8所示。
在示例性实施方式中，正常显示区100的驱动电路层可以包括构成第一像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图8中仅以一个子像素中的一个第一晶体管100A和一个第一存储电容100B作为示例。透光显示区200的驱动电路层可以包括构成第二像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图8中仅以一个子像素中的一个第二晶体管200A和一个第二存储电容200B作为示例。
在示例性实施方式中，第一晶体管100A可以包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，第一存储电容100B可以包括第一极板和第三极板。第二晶体管200A可以包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，第二存储电容200B可以包括第二极板和第四极板。在示例性实施方式中，第一晶体管100A可以是第一像素驱动电路中的驱动晶体管，第二晶体管200A可以是第二像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为(GI)层，第四绝缘层可以称为层间绝缘(ILD)层。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。平坦层可以采用有机材料，如树脂等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
在示例性实施方式中，基底可以是刚性基底，或者可以是柔性基底。在示例性实施方式中，刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，柔性基底可以采用聚酰亚胺(PI)等材料，柔性基底可以是单层结构，或者可以是无机材料层和柔性材料层构成的叠层结构，本公开在此不做限定。
(2)形成阳极图案。在示例性实施方式中，形成阳极图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成阳极图案，阳极图案至少包括：位于正常显示区100的第一阳极21和位于透光显示区200的第二阳极22，如图9所示。
在示例性实施方式中，第一阳极21通过第一连接过孔与第一晶体管100A的第一漏电极连接，第二阳极22通过第二连接过孔与第二晶体管200A的第二漏电极连接。
在示例性实施方式中，第四导电薄膜可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。在示例性实施方式中，导电薄膜可以是单层结构，或者是多层复合结构，如ITO/Al/ITO等。
(3)形成像素定义层(Pixel Define Layer，简称PDL)图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层23图案。位于正常显示区100的像素定义层23上设置有第一像素开口K1，第一像素开口K1内的像素定义薄膜被去掉，暴露第一阳极21的表面。位于透光显示区200的像素定义层23上设置有第二像素开口K2，第二像素开口K2内的像素定义薄膜被去掉，暴露第二阳极22的表面，如图10所示。
在示例性实施方式中，像素定义层的材料可以包括聚酰亚胺或亚克力等。
在示例性实施方式中，可以采用半色调(Half Tone Mask)掩膜板的图案化工艺，在形成像素定义层时形成隔垫柱图案，隔垫柱可以设置在像素开口的外侧，隔垫柱被配置为在后续蒸镀工艺中支撑精细金属掩模版，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，在平行于基底的平面内，第一像素开口K1和第二像素开口K2的形状可以是矩形、五边形、六边形、圆形或者椭圆形等。在垂直于基底的平面内，第一像素开口K1和第二像素开口K2的截面形状可以是矩形或梯形等，第一像素开口K1和第二像素开口K2的内侧侧壁可以是平面或者弧面，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，透光显示区200被配置为进行图像显示和透过光线，不仅具有显示功能，而且需要具有较高的透过率。为了提高透光显示区200的透过率，本公开对正常显示区100中的第一像素开口K1和透光显示区200中的第二像素开口K2进行了差异化设计。
在示例性实施方式中，透光显示区200中第二像素开口K2的面积B2可以小于正常显示区100中第一像素开口K1的面积B1。
在示例性实施方式中，正常显示区100的至少一个第一像素单元中，第一红色子像素的像素定义层23上开设有第一红色像素开口，第一绿色子像素的像素定义层23上开设有第一绿色像素开口，第一蓝色子像素的像素定义层23上开设有第一蓝色像素开口，第一像素单元中第一红色像素开口、第一绿色像素开口和第一蓝色像素开口的面积之和称为第一像素开口面积。透光显示区200的至少一个第二像素单元中，第二红色子像素的像素定义层23上开设有第二红色像素开口，第二绿色子像素的像素定义层23上开设有第二绿色像素开口，第二蓝色子像素的像素定义层23上开设有第二蓝色像素开口，第二像素单元中第二红色像素开口、第二绿色像素开口和第二蓝色像素开口的面积之和称为第二像素开口面积。
在示例性实施方式中，透光显示区200中第二像素单元的第二像素开口面积可以小于正常显示区100中第一像素单元的第一像素开口面积，使得透光显示区200中第二像素单元的像素开口率小于正常显示区100中第一像素单元的像素开口率。
在示例性实施方式中，透光显示区200中第二像素单元的第二像素开口面积可以约为正常显示区100中第一像素单元的第一像素开口面积的40％至60％，使得第二像素单元的像素开口率可以约为第一像素单元的像素开口率的40％至60％。例如，第二像素单元的第二像素开口面积可以约为第一像素单元的第一像素开口面积的45％至55％。又如，第二像素单元的第二像素开口面积可以约为第一像素单元的第一像素开口面积的50％左右。
在示例性实施方式中，图10所示正常显示区100的第一子像素为第一红色子像素，透光显示区200的第二子像素为第二红色子像素，且第一红色子像素的面积和第二红色子像素的面积相等或相近时，透光显示区200中第二像素开口的面积B2可以约为正常显示区100中第一像素开口的面积B1的39％至49％，使得透光显示区200中第二红色子像素的像素开口率可以约为正常显示区100中第一红色子像素的像素开口率的39％至49％。例如，透光显示区200中第二像素开口的面积B2可以约为正常显示区100中第一像素开口的面积B1的44％左右。
在示例性实施方式中，图10所示正常显示区100的第一子像素为第一绿色子像素，透光显示区200的第二子像素为第二绿色子像素，且第一绿色子像素的面积和第二绿色子像素的面积相等或相近时，透光显示区200中第二像素开口的面积B2可以约为正常显示区100中第一像素开口的面积B1的52％至62％，使得透光显示区200中第二绿色子像素的像素开口率可以约为正常显示区100中第一绿色子像素的像素开口率的52％至62％。透光显示区200中第二像素开口的面积B2可以约为正常显示区100中第一像素开口的面积B1的57％左右。
在示例性实施方式中，图10所示正常显示区100的第一子像素为第一蓝色子像素，透光显示区200的第二子像素为第二蓝色子像素，且第一蓝色子像素的面积和第二蓝色子像素的面积相等或相近时，透光显示区200中第二像素开口的面积B2可以约为正常显示区100中第一像素开口的面积B1的45％至55％，使得透光显示区200中第二蓝色子像素的像素开口率可以约为正常显示区100中第一蓝色子像素的像素开口率的45％至55％。例如，透光显示区200中第二像素开口的面积B2可以约为正常显示区100中第一像素开口的面积B1的50％左右。
在示例性实施方式中，正常显示区100的至少一个第一像素单元中，第一红色子像素的第一像素开口的面积：第一绿色子像素的第一像素开口的面积：第一蓝色子像素的第一像素开口的面积可以约为1.0：0.8至1.0：2.7至2.9，使得第一红色子像素的像素开口率：第一绿色子像素的像素开口率：第一蓝色子像素的像素开口率可以约为1.0：0.8至1.0：2.7至2.9。例如，第一红色子像素的第一像素开口的面积：第一绿色子像素的第一像素开口的面积：第一蓝色子像素的第一像素开口的面积可以约为1.0:0.9:2.8。
在示例性实施方式中，透光显示区200的至少一个第二像素单元中，第二红色子像素的第二像素开口的面积：第二绿色子像素的第二像素开口的面积：第二蓝色子像素的第二像素开口的面积可以约为1.0：1.0至1.2：3.0至3.4，使得第二红色子像素的像素开口率：第二绿色子像素的像素开口率：第二蓝色子像素的像素开口率可以约为1.0：1.0至1.2：3.0至3.4。例如，第二红色子像素的第二像素开口的面积：第二绿色子像素的第二像素开口的面积：第二蓝色子像素的第二像素开口的面积可以约为1.0:1.1:3.2。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过正常显示区的分辨率与透光显示区的分辨率相同或相近，正常显示区和透光显示区具有相同的显示效果，因而不存在正常显示区和透光显示区的显示差异，有效提高了全面屏的显示品质。在示例性实施方式中，正常显示区中的像素驱动电路和透光显示区中的像素驱动电路可以分别用独立的集成芯片(IC)进行控制。例如，正常显示区中的数据信号线可以由一个集成芯片单独进行伽马(Gamma)电压控制，透光显示区中的数据信号线可以由另一个集成芯片单独进行伽马电压控制，以确保正常显示区和透光显示区出射白光时具有相同的亮度和色坐标。这样，不仅保证了正常显示区和透光显示区具有相同的分辨率，而且保证了正常显示区和透光显示区具有相同的亮度和色坐标，实现了正常显示区和透光显示区具有相同的显示效果。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过对正常显示区和透光显示区中的像素开口进行了差异化设计，透光显示区中第二像素开口面积约为正常显示区中第一像素开口面积的40％至60％，增加了透光显示区中透光区域的面积，因而增加了透光显示区的透过率。试验结果表明，正常显示区的透过率约为40％至50％，透光显示区的透过率可达60％至80％，能够满足透过率设计要求，能够保证光学装置的正常工作性能。
在示例性实施方式中，透光显示区的像素开口率小于正常显示区100的像素开口率时，为了实现正常显示区和透光显示区具有相同的亮度和色坐标，需要增加透光显示区中像素单元的亮度，因而会造成透光显示区中发光器件寿命减少，导致长时间使用后，透光显示区的亮度不足，色偏严重。本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过对正常显示区和透光显示区中三个子像素(RGB三原色)的开口率比例进行了差异化设计，将正常显示区的R:G:B设置成约为1.0：0.8至1.0：2.7至2.9，透光显示区的R:G:B设置成约为1.0：1.0至1.2：3.0至3.4，通过分别调控正常显示区和透光显示区的白光寿命水平和白光寿命色偏水平，在一定程度上降低正常显示区的白光寿命，同时提升透光显示区的白光寿命，使得正常显示区和透光显示区具有相近的白光亮度寿命水平和白光寿命色偏水平，有效解决了透光显示区中发光器件寿命减少的问题。
(4)形成有机发光层图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成第一有机发光层24和第二有机发光层25图案，如图11所示。
在示例性实施方式中，第一有机发光层24可以位于正常显示区100，第一有机发光层24通过第一像素开口K1与第一阳极21连接。正常显示区100中第一红色子像素、第一绿色子像素和第一蓝色子像素的第一有机发光层24的膜层结构可以相同或相近，第一有机发光层24被配置为出射白光。
在示例性实施方式中，第二有机发光层25可以位于透光显示区200，第二有机发光层25通过第二像素开口K2与第二阳极22连接。透光显示区200中第二红色子像素、第二绿色子像素和第二蓝色子像素的第二有机发光层25的膜层结构可以不同，第二红色子像素的第二有机发光层25被配置为出射红光，第二绿色子像素的第二有机发光层25被配置为出射绿光，第二蓝色子像素的第二有机发光层25被配置为出射蓝光。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过对正常显示区和透光显示区中的有机发光层进行了差异化设计，正常显示区中第一子像素的第一有机发光层出射白光，透光显示区中第二子像素的第二有机发光层出射单色光，因而后续仅需要在正常显示区设置彩膜层，而透光显示区不需要设置彩膜层，可以有效增加透光显示区的透过率。
在示例性实施方式中，第一有机发光层24可以包括第一发光层(EML1)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。第二有机发光层25可以包括第二发光层(EML2)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
在示例性实施方式中，可以采用如下制备方法制备有机发光层。
首先，采用开放式掩膜版(Open Mask，简称OPM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺在正常显示区100和透光显示区200依次形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，在显示基板上形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层。
随后进行第一子像素的蒸镀或者打印工艺。采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺，在正常显示区100的第一红色子像素、第一绿色子像素和第一蓝色子像素中形成相同的第一发光层，正常显示区100的第一发光层可以是共通层。
随后进行第二子像素的蒸镀或者打印工艺。采用精细金属掩模版(Fine MetalMask，简称FMM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺，在透光显示区200的第二红色子像素、第二绿色子像素和第二蓝色子像素分别形成不同的第二发光层，第二红色子像素形成的第二发光层可以包括红色发光层，第二绿色子像素形成的第二发光层可以包括绿色发光层，第二蓝色子像素形成的第二发光层可以包括蓝色发光层。相邻第二子像素的第二发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。
随后，采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺在正常显示区100和透光显示区200依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，可以先进行第二子像素的蒸镀或者打印工艺，然后再进行第一子像素的蒸镀或者打印工艺，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一有机发光层24和第二有机发光层25中可以包括微腔调节层，使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层作为微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
(5)形成阴极图案。在示例性实施方式中，形成阴极图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过开放式掩膜版的蒸镀方式形成阴极26图案，如图12所示。
在示例性实施方式中，整面结构的阴极26可以位于正常显示区100和透光显示区200，阴极26分别与第一有机发光层24和第二有机发光层25连接，实现了有机发光层同时与阳极和阴极连接。
在示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
在一些可能的示例性实施方式中，可以在形成阴极图案后形成光学耦合层图案，光学耦合层设置在阴极上，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率，光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
至此，制备完成发光结构层102。发光结构层102可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，有机发光层设置在阳极和阴极之间，正常显示区100中每个第一子像素的发光结构层102出射白光，透光显示区200中每个第二子像素的发光结构层102出射单色光。
(6)形成封装结构层图案。在示例性实施方式中，形成封装结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第一封装薄膜，形成第一封装层图案，随后利用开放式掩膜板采用喷墨打印工艺打印第二封装材料，形成第二封装层图案，随后利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第三封装薄膜，形成第三封装层图案，叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层组成封装结构层103，如图13所示。
在示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以保证外界水氧无法进入发光结构层，沉积方式可以采用化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)等方式。第二封装层可以采用有机材料，如树脂等，起到包覆显示基板各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。封装结构层103所形成的无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，可以保证封装完整性，有效隔绝外界水氧。
(7)形成彩膜层图案。在示例性实施方式中，形成彩膜层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过图案化工艺形成彩膜层130图案，如图14所示。
在示例性实施方式中，彩膜层130可以位于正常显示区100，透光显示区200没有彩膜层130。
在示例性实施方式中，彩膜层130可以包括按照设定规律排列的红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层。红色光阻层的位置与第一红色子像素中第一红色像素开口的位置相对应，红色光阻层被配置过滤发光结构层出射的白光，使得第一红色子像素出射红光。绿色光阻层的位置与第一绿色子像素中第一绿色像素开口的位置相对应，绿色光阻层被配置过滤发光结构层出射的白光，使得第一绿色子像素出射绿光。蓝色光阻层的位置与第一蓝色子像素中第一蓝色像素开口的位置相对应，蓝色光阻层被配置过滤发光结构层出射的白光，使得第一蓝色子像素出射蓝光。
在示例性实施方式中，在正常显示区100形成彩膜层130图案的过程可以包括，先通过图案化工艺形成一个颜色的光阻层，然后通过图案化工艺形成另一个颜色的光阻层，然后通过图案化工艺形成又一个颜色的光阻层，然后在正常显示区100涂覆一层覆盖(OverCoat，简称OC)层，完成彩膜层130的制备。
在示例性实施方式中，在形成彩膜层之前，可以在封装结构层上先形成一层功能层(Functional Layer，简称FL)，然后在功能层形成彩膜层。在示例性实施方式中，功能层可以是触摸结构层(TSP)，触摸结构层可以包括触控电极层，或者包括触控电极层和触控绝缘层等，本公开在此不作限定。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过对正常显示区和透光显示区中的发光结构层进行差异化设计，正常显示区的发光结构层出射白光，因而彩膜层仅设置在正常显示区，透光显示区的发光结构层出射单色光，因而透光显示区不需要设置彩膜层。由于透光显示区没有彩膜层，因而有效增加了透光显示区的透过率。试验结果表明，正常显示区的透过率约为40％至50％，透光显示区的透过率可达60％至80％。
(8)形成防反层。在一种示例性实施方式中，形成防反层可以包括：通过粘结层将盖板(Cover Glass，简称CG)140贴设在前述形成的结构层上，如图15所示。
在示例性实施方式中，盖板170可以作为防反层，可以采用高透高反材料，利用盖板170增加正常显示区100和透光显示区200的透过率，并减少外界光线的反射，可以确保正常显示区100和透光显示区200一体黑的效果。
在示例性实施方式中，粘结层可以采用光学胶(OCA)。
在另一种示例性实施方式中，形成防反层可以包括：先形成填充层150，填充层150仅位于透光显示区200，填充层150被配置为消除正常显示区100和透光显示区200的段差，使得透光显示区200中填充层150远离基底一侧的表面与正常显示区100中彩膜层130远离基底一侧的表面平齐。然后，在彩膜层130和填充层150远离基底的一侧形成偏光层160。然后，在偏光层160远离基底的一侧形成高透高反盖板170，如图16所示。
在示例性实施方式中，盖板170和偏光层160可以作为防反层，利用盖板170和偏光层160增加正常显示区100和透光显示区200的透过率，并减少外界光线的反射，可以确保正常显示区100和透光显示区200一体黑的效果。
在示例性实施方式中，填充层150可以采用具有高透过率的有机材料。例如，填充层150可以采用具有99％以上透过率的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等材料。
图17为本公开示例性实施例显示基板中正常显示区和透光显示区白光亮度和色坐标老化曲线，其中，AA为正常显示区，UDC为透光显示区，W Lum为描述白光光通量的物理单位。如图17所示，试验结果表明，通过本公开前述的差异化设计，正常显示区和透光显示区对应的白光亮度寿命衰减曲线能够很好的重合。其中，正常显示区对应的白光寿命T95约为397小时，透光显示区对应的白光寿命T95约为395小时。正常显示区的白光寿命色偏约为0.35JNCD，透光显示区的白光寿命色偏约为0.20JNCD。由此可见，正常显示区和透光显示区两者的白光寿命和寿命色偏水平相当，在保证正常显示区和透光显示区具有相同的显示效果的情况下，能够满足显示基板的白光寿命设计要求。其中，白光寿命T95是从初始亮度(100％)降低到95％亮度的时间，JNCD是衡量屏幕色彩准确度的参数，JNCD的数值越，屏幕的色彩显示就越准确。
图18为本公开示例性实施例显示基板中正常显示区和透光显示区白光寿命色偏曲线。如图18所示，对于正常显示区和透光显示区，在老化时间400小时之后，白光色坐标偏离0时刻色坐标的色偏程度均小于1.0JNCD，眼睛基本上察觉不到色坐标的变化。其中，Wx为白光色坐标x轴，Wy为白光色坐标y轴。
图19为本公开示例性实施例显示基板中正常显示区和透光显示区白光色差曲线，表1为正常显示区和透光显示区白光寿命和寿命色偏对比结果。为了进一步评估随着老化时间从0小时到400小时(白光T95)白光亮度和色坐标的差异程度及人眼的识别差异，评估了每个时间下两个区域对应白光的色差水平。如表1和图19所示，在整个老化时间内，白光色坐标色偏程度＜0.70JNCD，色差值△E＜3.0，人眼对这个水平的色差基本上不敏感，即正常显示区和透光显示区在整个老化时间内具有相同的显示效果。其中，Lum为描述光通量的物理单位，CIEx为色坐标x轴，CIEy为色坐标y轴，ΔE为色差值。
表1正常显示区和透光显示区白光寿命和寿命色偏对比
通过本公开示例性实施例显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开通过将正常显示区的分辨率与透光显示区的分辨率设置成相同或相近，使得正常显示区和透光显示区具有相同的显示效果，正常显示区和透光显示区具有相同的亮度和色坐标，消除了正常显示区和透光显示区的显示差异，有效提高了全面屏的显示品质。本公开通过对正常显示区中的像素开口和透光显示区中的像素开口进行了差异化设计，透光显示区中像素开口面积约为正常显示区中像素开口面积的40％至60％，增加了透光显示区中透光区域的面积，因而增加了透光显示区的透过率。本公开通过对正常显示区和透光显示区中子像素的开口率比例进行了差异化设计，分别调控正常显示区和透光显示区的白光寿命水平和白光寿命色偏水平，使得正常显示区和透光显示区具有相近的白光亮度寿命水平和白光寿命色偏水平，有效解决了透光显示区中发光器件寿命减少的问题。本公开通过对正常显示区和透光显示区中的发光结构层进行了差异化设计，正常显示区的发光结构层出射白光，透光显示区的发光结构层出射单色光，因而透光显示区不需要设置彩膜层，有效增加了透光显示区的透过率。本公开通过设置高透高反的防反层，可以确保正常显示区和透光显示区一体黑的效果。本公开制备方法不需要改变现有工艺流程，不需改变现有工艺设备，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，工艺可实现性高，实用性强。
本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。
本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，以制备出前述示例性实施例的显示基板。在示例性实施方式中，显示基板的制备方法可以包括：
形成正常显示区和位于所述正常显示区内的透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率的比值为0.8至1.2。
本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。显示装置包括前置摄像头、光线传感器等器件，前置摄像头、光线传感器等器件的设置位置与显示基板的透光显示区相对应，即设置在透光显示区的下面，使得在摄像头对应区域可实现透明显示。本公开示例性实施例显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (15)
1.一种显示基板，其特征在于，包括正常显示区和位于所述正常显示区内的透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率的比值为0.8至1.2。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率相同。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述正常显示区包括多个第一像素单元，至少一个第一像素单元可以包括出射红色光线的第一红色子像素、出射绿色光线的第一绿色子像素和出射蓝色光线的第一蓝色子像素；所述透光显示区包括多个第二像素单元，至少一个第二像素单元可以包括出射红色光线的第二红色子像素、出射绿色光线的第二绿色子像素和出射蓝色光线的第二蓝色子像素；所述透光显示区中至少一个第二像素单元的像素开口率小于所述正常显示区中至少一个第一像素单元的像素开口率。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，至少一个第二像素单元的像素开口率为至少一个第一像素单元的像素开口率的40％至60％。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，至少一个第二红色子像素的像素开口率为至少一个第一红色子像素的像素开口率的39％至49％。
6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，至少一个第二绿色子像素的像素开口率为至少一个第一绿色子像素的像素开口率的52％至62％。
7.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，至少一个第二蓝色子像素的像素开口率为至少一个第一蓝色子像素的像素开口率的45％至55％。
8.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，至少一个第一像素单元中，所述第一红色子像素的像素开口率：所述第一绿色子像素的像素开口率：所述第一蓝色子像素的像素开口率为1.0：0.8至1.0：2.7至2.9。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一红色子像素的像素开口率：所述第一绿色子像素的像素开口率：所述第一蓝色子像素的像素开口率为1.0:0.9:2.8。
10.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，至少一个第二像素单元中，所述第二红色子像素的像素开口率：所述第二绿色子像素的像素开口率：所述第二蓝色子像素的像素开口率为1.0：1.0至1.2：3.0至3.4。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第一红色子像素的像素开口率：所述第一绿色子像素的像素开口率：所述第一蓝色子像素的像素开口率为1.0:1.1:3.2。
12.根据权利要求1至11任一项所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的平面上，所述显示基板包括设置在基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的光学结构层；所述正常显示区的光学结构层包括设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的彩膜层和设置在所述彩膜层远离所述基底一侧的防反层，所述透光显示区的光学结构层包括设置在所述显示结构层远离基底一侧的防反层。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构层至少包括设置在所述基底上的驱动电路层和设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层；所述正常显示区的发光结构层包括出射白光的第一有机发光层，所述透光显示区的发光结构层包括出射单色光的第二有机发光层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～13任一所述的显示基板。
15.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成正常显示区和位于所述正常显示区内的透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述正常显示区的分辨率与所述透光显示区的分辨率的比值为0.8至1.2。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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