CN114005865B - 显示基板及其制备方法、电子装置 - Google Patents

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CN114005865B CN202111640219.4A CN202111640219A CN114005865B CN 114005865 B CN114005865 B CN 114005865B CN 202111640219 A CN202111640219 A CN 202111640219A CN 114005865 B CN114005865 B CN 114005865B
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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、电子装置。显示基板包括第一显示区和第二显示区，第一显示区包括设置在基底上的第一显示结构层和设置在所述第一显示结构层远离所述基底一侧的第一彩膜层，所述第二显示区包括设置在基底上的第二显示结构层和设置在所述第二显示结构层远离所述基底一侧的第二彩膜层，所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度。本公开通过设置第一显示区中第一彩色滤光层的厚度小于第二显示区中第二彩色滤光层的厚度，有效解决了现有电子装置存在大视角发青和亮度衰减严重等问题。

Description

显示基板及其制备方法、电子装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、电子装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED) 和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）进行信号控制的柔性电子显示装置（Flexible Display）已成为目前显示领域的主流产品。
随着显示技术的发展，全面屏以其较大的屏占比和超窄的边框，已逐步成为显示产品的发展趋势。全面屏产品通常是采用屏下传感技术，将摄像头、3D成像和指纹识别等传感器设置于显示基板的屏下摄像区域（Under Display Camera，简称UDC），屏下摄像区域不仅具有一定的透过率，而且具有显示功能，实现摄像头区全显示（Full Display inCamera，简称FDC）。
经本申请发明人研究发现，现有电子装置存在大视角发青和亮度衰减严重等问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开示例性实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、电子装置，以解决现有电子装置存在大视角发青和亮度衰减严重等问题。
一方面，本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，所述第一显示区包括设置在基底上的第一显示结构层和设置在所述第一显示结构层远离所述基底一侧的第一彩膜层，所述第二显示区包括设置在基底上的第二显示结构层和设置在所述第二显示结构层远离所述基底一侧的第二彩膜层，所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度。
在示例性实施方式中，所述第一彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第一滤光层、透过第二颜色光线的第三滤光层和透过第三颜色光线的第五滤光层，所述第二彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第二滤光层、透过第二颜色光线的第四滤光层和透过第三颜色光线的第六滤光层；所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度包括如下任意一种或多种：所述第一滤光层的第一厚度小于所述第二滤光层的第二厚度，所述第三滤光层的第三厚度小于所述第四滤光层的第四厚度，所述第五滤光层的第五厚度小于所述第六滤光层的第六厚度。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，所述第一显示区至少包括第一子像素、第三子像素和第五子像素，所述第二显示区至少包括第二子像素、第四子像素和第六子像素；所述第一滤光层设置在所述第一子像素，所述第二滤光层设置在所述第二子像素，所述第三滤光层设置在所述第三子像素，所述第四滤光层设置在所述第四子像素，所述第五滤光层设置在所述第五子像素，所述第六滤光层设置在所述第六子像素；对于透过相同颜色光线的滤光层，所述滤光层的厚度与所述滤光层所在子像素的像素开口率正相关。
在示例性实施方式中，对于透过相同颜色光线的滤光层，所述滤光层的厚度与所述滤光层所在子像素的像素开口率正相关包括如下任意一种或多种：所述第一滤光层和第二滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，所述第三滤光层和第四滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，所述第五滤光层和第六滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关。
在示例性实施方式中，所述第一黑矩阵远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离小于所述第一彩色滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离，所述第二黑矩阵远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离小于所述第二彩色滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层在所述基底上的正投影与所述第三滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第一交叠区，在所述第一交叠区，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第三滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第三滤光层在所述基底上的正投影与所述第五滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第二交叠区，在所述第二交叠区，所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第三滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层在所述基底上的正投影与所述第五滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第三交叠区，在所述第三交叠区，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第二滤光层在所述基底上的正投影与所述第四滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第四交叠区，在所述第四交叠区，所述第二滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第四滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第二彩色滤光层还包括第七滤光层，所述第七滤光层位于所述第四滤光层和第六滤光层之间，所述第七滤光层在所述基底上的正投影与所述第四滤光层和第六滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第五交叠区，在所述第五交叠区，所述第七滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第四滤光层和/或所述第六滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第二滤光层在所述基底上的正投影与所述第六滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第六交叠区，在所述第六交叠区，所述第二滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第六滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层、第二滤光层和第七滤光层为红色滤光层，所述第三滤光层和第四滤光层为绿色滤光层，所述第五滤光层和第六滤光层为蓝色滤光层。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层的第一厚度H1满足如下关系：
Figure 360552DEST_PATH_IMAGE001
（1）
其中，Ta为所述第一滤光层的理论透过率，Ta=1-[(n1-1)/(n1+1)]2，Ra为所述第一滤光层的理论反射率，Ra=1-Ta，T1为所述第一滤光层的实测透过率，
Figure 908208DEST_PATH_IMAGE002
为所述第一滤光层吸收系数，K1为所述第一滤光层的厚度调整系数，0.01≤K1≤0.7。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层的厚度调整系数K1满足：0.2≤K1≤0.5。
在示例性实施方式中，
Figure 875027DEST_PATH_IMAGE003
=Ln（Io1/I1），K1=K11*EXP(A11)；
其中，Io1为所述第一滤光层所在位置入射光的光强，I1为所述第一滤光层所在位置出射光的光强，A11为所述第一滤光层对应子像素的像素开口率，K11为所述第一滤光层的开口率调整系数，0.01≤K11≤0.68，n1为所述第一滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层的开口率调整系数K11满足：0.2≤K11≤0.5。
在示例性实施方式中，所述第二滤光层的第二厚度H2满足如下关系：
Figure 849936DEST_PATH_IMAGE004
（2）
其中，Tb为所述第二滤光层的理论透过率，Tb=1-[(n2-1)/(n2+1)]2，Rb为所述第二滤光层的理论反射率，Rb=1-Tb，T2为所述第二滤光层的实测透过率，
Figure 204170DEST_PATH_IMAGE005
为所述第二滤光层吸收系数，K2为所述第二滤光层的厚度调整系数，0.05≤K2≤0.8。
在示例性实施方式中，所述第二滤光层的厚度调整系数K2满足：0.30≤K2≤0.50。
在示例性实施方式中，
Figure 289937DEST_PATH_IMAGE006
=Ln（Io2/I2），K2=K21*EXP(A21)；
其中，Io2为所述第二滤光层所在位置入射光的光强，I2为所述第二滤光层所在位置出射光的光强，A21为所述第二滤光层对应子像素的像素开口率，K21为所述第二滤光层的开口率调整系数，0.096≤K21≤0.77，n2为所述第二滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，所述第二滤光层的开口率调整系数K21满足：0.02≤K21≤0.57。
在示例性实施方式中，所述第三滤光层的第三厚度H3满足如下关系：
Figure 111263DEST_PATH_IMAGE007
（3）
其中，Tc为所述第三滤光层的理论透过率，Tc=1-[(n3-1)/(n3+1)]2，Rc为所述第三滤光层的理论反射率，Rc=1-Tc，T3为所述第三滤光层的实测透过率，
Figure 257074DEST_PATH_IMAGE008
为所述第三滤光层吸收系数，K3为所述第三滤光层的厚度调整系数，0.02≤K3≤0.72。
在示例性实施方式中，所述第三滤光层的厚度调整系数K3满足：0.3≤K3≤0.52。
在示例性实施方式中，
Figure 898270DEST_PATH_IMAGE009
=Ln（Io3/I3），K3=K31*EXP(A31)；
其中，Io3为所述第三滤光层所在位置入射光的光强，I3为所述第三滤光层所在位置出射光的光强，A31为所述第三滤光层对应子像素的像素开口率，K31为所述第三滤光层的开口率调整系数，0.01≤K31≤0.69，n3为所述第三滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，所述第三滤光层的开口率调整系数K31满足：0.21≤K31≤0.49。
在示例性实施方式中，所述第四滤光层的第四厚度H4满足如下关系：
Figure 787729DEST_PATH_IMAGE010
（4）
其中，Td为所述第四滤光层的理论透过率， Td=1-[(n4-1)/(n4+1)]2，Rd为所述第四滤光层的理论反射率，Rd=1-Td，T4为所述第四滤光层的实测透过率，
Figure 463561DEST_PATH_IMAGE011
为所述第四滤光层吸收系数，K4为所述第四滤光层的厚度调整系数，0.08≤K4≤0.6。
在示例性实施方式中，所述第四滤光层的厚度调整系数K4满足：0.2≤K4≤0.40。
在示例性实施方式中，
Figure 45852DEST_PATH_IMAGE012
=Ln（Io4/I4），K4=K41*EXP(A41)；
其中，Io4为所述第四滤光层所在位置入射光的光强，I4为所述第四滤光层所在位置出射光的光强，A41为所述第四滤光层对应子像素的像素开口率，K41为所述第四滤光层的开口率调整系数，0.07≤K41≤0.56，n4为所述第四滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，所述第四滤光层的开口率调整系数K41满足：0.15≤K41≤0.36。
在示例性实施方式中，所述第五滤光层的第五厚度H5满足如下关系：
Figure 174345DEST_PATH_IMAGE013
（5）
其中，Te为所述第五滤光层的理论透过率，Te=1-[(n5-1)/(n5+1)]2，Re为所述第五滤光层的理论反射率，Re=1-Te，T5为所述第五滤光层的实测透过率，
Figure 601915DEST_PATH_IMAGE014
为所述第五滤光层吸收系数，K5为所述第五滤光层的厚度调整系数，0.01≤K5≤0.7。
在示例性实施方式中，所述第五滤光层的厚度调整系数K5满足：0.30≤K5≤0.60。
在示例性实施方式中，
Figure 132254DEST_PATH_IMAGE015
=Ln（Io5/I5），K5=K51*EXP(A51)；
其中，Io5为所述第五滤光层所在位置入射光的光强，I5为所述第五滤光层所在位置出射光的光强，A51为所述第五滤光层对应子像素的像素开口率，K51为所述第五滤光层的开口率调整系数，0.11≤K51≤0.86，n5为所述第五滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，所述第五滤光层的开口率调整系数K51满足：0.25≤K51≤0.66。
在示例性实施方式中，所述第六滤光层的第六厚度H6满足如下关系：
Figure 616937DEST_PATH_IMAGE016
（6）
其中，Tf为所述第六滤光层的理论透过率，Tf=1-[(n6-1)/(n6+1)]2，Rf为所述第六滤光层的理论反射率，Rf=1-Tf，T6为所述第六滤光层的实测透过率，
Figure 232726DEST_PATH_IMAGE017
为所述第六滤光层吸收系数，K6为所述第六滤光层的厚度调整系数，0.1≤K6≤0.7。
在示例性实施方式中，所述第六滤光层的厚度调整系数K6满足：0.25≤K6≤0.6。
在示例性实施方式中，
Figure 463988DEST_PATH_IMAGE018
=Ln（Io6/I6），K6=K61*EXP(A61)；
其中，Io6为第六滤光层所在位置入射光的光强，I6为第六滤光层所在位置出射光的光强，A61为第六滤光层对应子像素的像素开口率，K61为所述第六滤光层的开口率调整系数，0.09≤K61≤0.66，n6为第六滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，所述第六滤光层的开口率调整系数K61满足：0.24≤K61≤0.46。
在示例性实施方式中，所述第一显示结构层包括设置在所述基底上的第一电路层、设置在所述第一电路层远离所述基底一侧的第一发光层和设置在所述第一发光层远离所述基底一侧的第一封装层，所述第一封装层至少包括有机材料的第一有机层；所述第二显示结构层包括设置在所述基底上的第二电路层、设置在所述第二电路层远离所述基底一侧的第二发光层和设置在所述第二发光层远离所述基底一侧的第二封装层，所述第二封装层至少包括有机材料的第二有机层；所述第一有机层的厚度大于所述第二有机层的厚度。
另一方面，本公开示例性实施例还提供了一种电子装置，包括摄像装置和上述的显示基板，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第一显示区在所述显示基板上的正投影至少部分交叠，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第二显示区在所述显示基板上的正投影没有交叠。
在示例性实施方式中，所述电子装置还包括盖窗结构，所述盖窗结构设置在所述显示基板的出光面的一侧。
在示例性实施方式中，所述盖窗结构包括：设置在所述显示基板上的覆盖层，设置在所述覆盖层远离所述显示基板一侧的超薄玻璃层，设置在所述超薄玻璃层远离所述显示基板一侧的粘结层，以及设置在所述粘结层远离所述显示基板一侧的盖板层。
在示例性实施方式中，所述盖板层包括盖板玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
又一方面，本公开示例性实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；所述制备方法包括：
在所述第一显示区和第二显示区的基底上分别形成第一显示结构层和第二显示结构层；
在所述第一显示结构层上形成第一彩膜层，在所述第二显示结构层上形成第二彩膜层；所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板及其制备方法、电子装置，通过设置第一显示区中第一彩色滤光层的厚度小于第二显示区中第二彩色滤光层的厚度，有效解决了现有电子装置存在大视角发青和亮度衰减严重等问题。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其它方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种电子装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的结构示意图；
图3为一种第一显示区的平面结构示意图；
图4为一种第二显示区的平面结构示意图；
图5为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图6为一种像素驱动电路的工作时序图；
图7为本公开示例性实施例一种第一显示区的剖面结构示意图；
图8为本公开示例性实施例一种第二显示区的剖面结构示意图；
图9为本公开示例性实施例黑矩阵透光开口的示意图；
图10为本公开示例性实施例形成电路结构层图案后的示意图；
图11为本公开示例性实施例形成发光结构层图案后的示意图；
图12为本公开示例性实施例形成封装结构层图案后的示意图；
图13为本公开示例性实施例形成黑矩阵图案后的示意图；
图14为本公开示例性实施例形成第三、第四滤光层图案后的示意图；
图15为本公开示例性实施例形成第五、第六滤光层图案后的示意图；
图16为本公开示例性实施例形成第一、第二滤光层图案后的示意图；
图17为本公开示例性实施例一种电子装置的结构示意图。
附图标记说明:
10—基底；21—第一阳极；22—第二阳极；23—第一像素定义层；24—第二像素定义层；25—第一有机发光层；26—第二有机发光层；27—阴极；31—第一子层；32—第二子层；33—第三子层；34—第四子层；35—第五子层；36—第六子层；41—第一滤光层；42—第二滤光层；43—第三滤光层；44—第四滤光层；45—第五滤光层；46—第六滤光层；47—第七滤光层；51—第一黑矩阵；52—第二黑矩阵；60—盖窗结构；61—覆盖层；62—超薄玻璃层；63—粘结层；64—盖板层；70—摄像装置；100—第一显示区；101—第一电路层；102—第一发光层；103—第一封装层；104—第一彩膜层；200—第二显示区；201—第二电路层；202—第二发光层；203—第二封装层；204—第二彩膜层。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其它结构可参考通常设计。
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极（漏电极端子、漏区域或漏电极）与源电极（源电极端子、源区域或源电极）之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种电子装置的结构示意图。如图1所示，电子装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线（D1到Dn）连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线（S1到Sm）连接，发光驱动器分别与多个发光信号线（E1到Eo）连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
随着显示技术的发展，全面屏或窄边框等产品以其较大的屏占比和超窄边框，已逐步成为显示产品的发展趋势。对于智能终端等产品，通常需要设置前置摄像头、指纹传感器或光线传感器等硬件，为提高屏占比，全面屏或窄边框产品通常采用屏下摄像头技术（Full display with camera，简称FDC）或者屏下指纹技术，将摄像头等传感器放置于显示基板的屏下摄像区域（Under Display Camera，简称UDC），屏下摄像区域不仅具有一定的透过率，而且具有显示功能。
图2为一种显示基板的结构示意图。如图2所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板可以包括第一显示区100和第二显示区200，第二显示区200可以至少部分围绕第一显示区100。在示例性实施方式中，第一显示区100的位置可以与光学装置的位置相对应，第一显示区100被配置为进行图像显示和透过光线，透过的光线被光学装置接收，第一显示区100可以称为屏下摄像显示区。第二显示区200被配置为进行图像显示，第二显示区200可以称为正常显示区。
在示例性实施方式中，第一显示区100在第二显示区200中的位置可以不限，可以位于第二显示区200的上部或者下部，或者可以位于第二显示区200的边缘位置。在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，第一显示区100的形状可以是如下任意一种或多种：正方形、矩形、多边形、圆形和椭圆形等，光学装置可以是指纹识别装置、摄像装置或3D成像等光学传感器。第一显示区100的形状为圆形时，圆形的直径可以约为3mm至5mm，第一显示区100的形状为矩形时，矩形的边长可以约为3mm至5mm，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一显示区100和第二显示区200的分辨率可以相同，或者第一显示区100的分辨率可以小于第二显示区200的分辨率。例如，第一显示区100的分辨率可以约为第二显示区200的分辨率的50%至70%左右。分辨率（Pixels Per Inch，简称PPI）是指单位面积所拥有像素的数量，可以称为像素密度，PPI数值越高，代表显示基板能够以越高的密度显示画面，画面的细节就越丰富。
图3为一种第一显示区的平面结构示意图。如图3所示，第一显示区可以包括规则排布的多个像素岛PD，相邻的像素岛PD之间具有一定的间隔。在示例性实施方式中，至少一个像素岛PD可以包括两个第一像素单元PA，至少一个第一像素单元PA可以至少包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第三子像素P3以及出射第三颜色光线的第五子像素P5。每个子像素均可以包括第一电路单元和第一发光器件，第一电路单元可以包括第一像素驱动电路以及与第一像素驱动电路连接的扫描信号线、数据信号线和发光信号线等，第一像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向第一发光器件输出相应的电流。每个子像素中的第一发光器件分别与所在子像素的第一像素驱动电路连接，第一发光器件被配置为响应所在子像素的第一像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色（R）光线的红色子像素，第三子像素P3可以是出射绿色（G）光线的绿色子像素，第五子像素P5可以是出射蓝色（B）光线的蓝色子像素，一个第一像素单元PA只能给可以包括一个第一子像素P1、两个第三子像素P3和一个第五子像素P5，因而一个像素岛PD可以包括两个第一子像素P1、四个第三子像素P3和两个第五子像素P5。在示例性实施方式中，第一子像素P1和第五子像素P5可以位于第一像素单元PA的两侧，两个第三子像素P3可以位于第一子像素P1和第五子像素P5之间。在示例性实施方式中，第一像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形等，可以采用水平并列、竖直并列或品字方式等排列，本公开在此不做限定。
图4为一种第二显示区的平面结构示意图。如图4所示，第二显示区可以包括规则排布的多个第二像素单元PB，至少一个第二像素单元PB可以包括出射第一颜色光线的第二子像素P2、出射第二颜色光线的第四子像素P4和出射第三颜色光线的第六子像素P6。每个子像素均可以包括第二电路单元和第二发光器件，第二电路单元可以包括第二像素驱动电路以及与第二像素驱动电路连接的扫描信号线、数据信号线和发光信号线等，第二像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向第二发光器件输出相应的电流。每个子像素中的第二发光器件分别与所在子像素的第二像素驱动电路连接，第二发光器件被配置为响应所在子像素的第二像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第二子像素P2可以是出射红色（R）光线的红色子像素，第四子像素P4可以是出射绿色（G）光线的绿色子像素，第六子像素P6可以是出射蓝色（B）光线的蓝色子像素。第二像素单元PB中三个子像素可以采用“品”字形方式排列，第二子像素P2和第六子像素P6对齐设置，第四子像素P4与第二子像素P2和第六子像素P6错位设置。在示例性实施方式中，第二像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形等，可以采用水平并列、竖直并列或品字方式等排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一显示区中的像素岛可以包括多个第一像素单元，第二显示区中的第二像素单元可以包括四个子像素，第一显示区中的第一像素单元可以包括三个子像素，子像素的排列方式可以采用其它排布方式，本公开在此不做限定。
图5为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图5所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管（第一晶体管T1到第七晶体管T7）、1个存储电容C，像素驱动电路与7个信号线（数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS）连接。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。
在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。
第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。
第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。
第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。
第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。
第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
在示例性实施方式中，发光器件可以是OLED，包括叠设的第一极（阳极）、有机发光层和第二极（阴极），或者可以是QLED，包括叠设的第一极（阳极）、量子点发光层和第二极（阴极）。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S（n），第二扫描信号线S2为S（n-1），本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅（Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS），氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体（Oxide）。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物（LowTemperature Polycrystalline Oxide ，简称LTPO）显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管（OLED），包括叠设的第一极（阳极）、有机发光层和第二极（阴极）。
图6为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图5示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图5中的像素驱动电路包括7个晶体管（第一晶体管T1到第六晶体管T7）和1个存储电容C。
在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。
第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端（第二节点N2）的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化（复位），清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3（驱动晶体管）的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：
I＝K*(Vgs-Vth) 2＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]2＝K*[(Vdd-Vd]2
其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，所述第一显示区包括设置在基底上的第一显示结构层和设置在所述第一显示结构层远离所述基底一侧的第一彩膜层，所述第二显示区包括设置在基底上的第二显示结构层和设置在所述第二显示结构层远离所述基底一侧的第二彩膜层，所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度。
在示例性实施方式中，所述第一彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第一滤光层、透过第二颜色光线的第三滤光层和透过第三颜色光线的第五滤光层，所述第二彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第二滤光层、透过第二颜色光线的第四滤光层和透过第三颜色光线的第六滤光层；所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度包括如下任意一种或多种：所述第一滤光层的第一厚度小于所述第二滤光层的第二厚度，所述第三滤光层的第三厚度小于所述第四滤光层的第四厚度，所述第五滤光层的第五厚度小于所述第六滤光层的第六厚度。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，所述第一显示区至少包括第一子像素、第三子像素和第五子像素，所述第二显示区至少包括第二子像素、第四子像素和第六子像素；所述第一滤光层设置在所述第一子像素，所述第二滤光层设置在所述第二子像素，所述第三滤光层设置在所述第三子像素，所述第四滤光层设置在所述第四子像素，所述第五滤光层设置在所述第五子像素，所述第六滤光层设置在所述第六子像素；对于透过相同颜色光线的滤光层，所述滤光层的厚度与所述滤光层所在子像素的像素开口率正相关。
在示例性实施方式中，对于透过相同颜色光线的滤光层，所述滤光层的厚度与所述滤光层所在子像素的像素开口率正相关包括如下任意一种或多种：所述第一滤光层和第二滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，所述第三滤光层和第四滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，所述第五滤光层和第六滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层和第二滤光层为红色滤光层，所述第三滤光层和第四滤光层为绿色滤光层，所述第五滤光层和第六滤光层为蓝色滤光层。
在示例性实施方式中，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第三滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离，所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第三滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第二滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第四滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离，所述第二滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第六滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，所述第二彩色滤光层还包括第七滤光层，所述第七滤光层位于所述第四滤光层和第六滤光层之间，所述第七滤光层在所述基底上的正投影与所述第四滤光层和第六滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第五交叠区，在所述第五交叠区，所述第七滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第四滤光层和/或所述第六滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
在示例性实施方式中，至少一个滤光层的厚度H满足如下关系：
Figure 848833DEST_PATH_IMAGE019
其中，Tt为所述滤光层的理论透过率，Rt为所述滤光层的理论反射率，Ts为所述滤光层的实测透过率，α为所述滤光层吸收系数，K为所述滤光层的厚度调整系数，0.01≤K≤0.8。
其中，α=Ln（Io/I），K=K'*EXP(A)，Rt=1-Tt，Tt=1-[(n-1)/(n+1)]2；
其中，Io为所述滤光层所在位置入射光的光强，I为所述滤光层所在位置出射光的光强，A为所述滤光层对应子像素的像素开口率，K'为所述滤光层的开口率调整系数，0.01≤K'≤0.86，n为所述滤光层的折射率。
通过厚度公式可以可出，滤光层的厚度与滤光层的厚度调整系数K正相关，而厚度调整系数K与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，因而滤光层的厚度与滤光层对应子像素的像素开口率正相关。对于透光相同颜色的滤光层，子像素的像素开口率越大，滤光层的厚度大，子像素的像素开口率越小，滤光层的厚度越小。在示例性实施方式中，反射率随着开口率的增大呈指数型增加，而透过率随着开口率的增大呈线性增大，本公开通过设置滤光层的厚度与滤光层对应子像素的像素开口率正相关，可以有效保证COE结构的低反射率。
在示例性实施方式中，光的强度随传播距离（穿透的厚度）而衰减的现象称为光的吸收，吸收系数是指光通过单位厚度介质的衰减量。通过厚度公式可以可出，滤光层的厚度与滤光层吸收系数成反比，滤光层吸收系数越大，滤光层的厚度越小，滤光层吸收系数越小，滤光层的厚度越大。例如，滤光层吸收系数α较小即Io/I较小，出射的光强较大，光被吸收的较少。
在示例性实施方式中，在设计过程中，滤光层吸收系数可以根据滤光层的材料特性通过计算或试验获得，滤光层的实测透过率可以根据模拟仿真等方式获得，本公开在此不做限定。
图7为本公开示例性实施例一种第一显示区的剖面结构示意图，示意了三个子像素的结构。如图7所示，在垂直于显示基板的平面上，第一显示区的显示基板可以包括设置在基底10上的第一电路层101、设置在第一电路层101远离基底10一侧的第一发光层102、设置在第一发光层102远离基底10一侧的第一封装层103和设置在第一封装层103远离基底10一侧的第一彩膜层104。
在示例性实施方式中，第一电路层101可以包括构成第一像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。第一发光层102可以包括第一像素定义层和第一发光器件，第一发光器件可以包括第一阳极、第一有机发光层和第一阴极。第一封装层103可以包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层可以采用无机材料，第二子层可以采用有机材料。第一彩膜层104可以包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵51，形成彩膜位于封装层上（Color filter On Encapsulation，简称COE）结构。
在示例性实施方式中，第一彩膜层104被配置为减少外界光线的反射，代替偏光片，可以有效提升显示基板的透过率、色彩饱和度，提升抗弯折性。第一彩色滤光层可以至少包括透过第一颜色光线的第一滤光层41、透过第二颜色光线的第三滤光层43和透过第三颜色光线的第五滤光层45，第一滤光层41可以位于第一子像素P1所在区域，第三滤光层43可以位于第三子像素P3所在区域，第五滤光层45可以位于第五子像素P5所在区域。
在示例性实施方式中，第一黑矩阵51上开设有多个第一透光开口，多个第一透光开口可以位于第一子像素P1、第三子像素P3和第五子像素P5内，第一透光开口之间的黑矩阵可以位于相邻的子像素之间。
在示例性实施方式中，第一颜色可以是红色，第一滤光层41可以为使红色光线透过的红色滤光层，第二颜色可以是绿色，第三滤光层43可以为使绿色光线透过的绿色滤光层，第三颜色可以是蓝色，第五滤光层45可以为使蓝色光线透过的蓝色滤光层。
在示例性实施方式中，第一黑矩阵51远离基底一侧的表面与基底之间的距离L11可以小于第一彩色滤光层远离基底一侧的表面与基底之间的距离L12。例如，距离L11可以小于第一滤光层41远离基底一侧的表面与基底之间的距离。又如，距离L11可以小于第三滤光层43远离基底一侧的表面与基底之间的距离。再如，距离L11可以小于第五滤光层45远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第一滤光层41在基底上的正投影与第三滤光层43在基底上的正投影至少部分交叠，形成第一交叠区FD1。在第一交叠区FD1所在区域，第一滤光层41远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第三滤光层43远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第五滤光层45在基底上的正投影与第三滤光层43在基底上的正投影至少部分交叠，形成第二交叠区FD2。在第二交叠区FD2所在区域，第五滤光层45远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第三滤光层43远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第一滤光层41在基底上的正投影与第五滤光层45在基底上的正投影至少部分交叠，形成第三交叠区FD3。在第三交叠区FD3所在区域，第一滤光层41远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第五滤光层45远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第一滤光层41的第一厚度H1可以满足如下关系：
Figure 507347DEST_PATH_IMAGE020
（1）
其中，Ta为第一滤光层的理论透过率，Ra为第一滤光层的理论反射率，T1为第一滤光层的实测透过率，
Figure 876011DEST_PATH_IMAGE021
为第一滤光层吸收系数，K1为第一滤光层的厚度调整系数，0.01≤K1≤0.7。
在示例性实施方式中，Ra=1-Ta，Ta=1-[(n1-1)/(n1+1)]2，n1为第一滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，第一滤光层吸收系数
Figure 645384DEST_PATH_IMAGE022
=Ln（Io1/I1）。
其中，Io1为第一滤光层所在位置入射光的光强，I1为第一滤光层所在位置出射光的光强。
在示例性实施方式中，第一滤光层的厚度调整系数K1=K11*EXP(A11)。
其中，A11为第一滤光层对应子像素的像素开口率，K11为第一滤光层的开口率调整系数，0.01≤K11≤0.68。
在示例性实施方式中，第一滤光层的厚度调整系数K1可以满足：0.2≤K1≤0.5。
在示例性实施方式中，第一滤光层的开口率调整系数K11可以满足：0.2≤K11≤0.5。
在示例性实施方式中，第三滤光层43的第三厚度H3满足如下关系：
Figure 415894DEST_PATH_IMAGE023
（3）
其中，Tc为第三滤光层的理论透过率，Rc为第三滤光层的理论反射率，T3为第三滤光层的实测透过率，
Figure 714152DEST_PATH_IMAGE024
为第三滤光层吸收系数，K3为第三滤光层的厚度调整系数，0.02≤K3≤0.72。
在示例性实施方式中，Rc=1-Tc，Tc=1-[(n3-1)/(n3+1)]2，n3为第三滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，第三滤光层吸收系数
Figure 304533DEST_PATH_IMAGE024
=Ln（Io3/I3）。
其中，Io3为第三滤光层所在位置入射光的光强，I3为第三滤光层所在位置出射光的光强。
在示例性实施方式中，第三滤光层的厚度调整系数K3=K31*EXP(A31)。
其中，A31为第三滤光层对应子像素的像素开口率，K31为第三滤光层的开口率调整系数，0.01≤K11≤0.69。
在示例性实施方式中，第三滤光层的厚度调整系数K3可以满足：0.3≤K3≤0.52。
在示例性实施方式中，第三滤光层的开口率调整系数K31可以满足：0.21≤K31≤0.49。
在示例性实施方式中，第五滤光层45的第五厚度H5满足如下关系：
Figure 143176DEST_PATH_IMAGE025
（5）
其中，Te为第五滤光层的理论透过率，Re为第五滤光层的理论反射率，T5为第五滤光层的实测透过率，
Figure 237034DEST_PATH_IMAGE026
为第五滤光层吸收系数，K5为第五滤光层的厚度调整系数，0.01≤K5≤0.7。
在示例性实施方式中，Re=1-Te，Te=1-[(n5-1)/(n5+1)]2，n5为第五滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，第五滤光层吸收系数
Figure 992279DEST_PATH_IMAGE026
=Ln（Io5/I5）。
其中，Io5为第五滤光层所在位置入射光的光强，I5为第五滤光层所在位置出射光的光强。
在示例性实施方式中，第五滤光层的厚度调整系数K5=K51*EXP(A51)。
其中，A51为第五滤光层对应子像素的像素开口率，K51为第五滤光层的开口率调整系数，0.11≤K51≤0.86。
在示例性实施方式中，第五滤光层的厚度调整系数K5可以满足：0.30≤K5≤0.60。
在示例性实施方式中，第五滤光层的开口率调整系数K51可以满足：0.25≤K51≤0.66。
图8为本公开示例性实施例一种第二显示区的剖面结构示意图，示意了三个子像素的结构。如图8所示，在垂直于显示基板的平面上，第二显示区的显示基板可以包括设置在基底10上的第二电路层201、设置在第二电路层201远离基底10一侧的第二发光层202、设置在第二发光层202远离基底10一侧的第二封装层203和设置在第二封装层203远离基底10一侧的第二彩膜层204。
在示例性实施方式中，第二电路层201可以包括构成第二像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。第二发光层202可以包括第二像素定义层和第二发光器件，第二发光器件可以包括第二阳极、第二有机发光层和第二阴极。第二封装层203可以包括叠设的第四子层、第五子层和第六子层，第四子层和第六子层可以采用无机材料，第五子层可以采用有机材料。第二彩膜层204可以包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵52，形成COE结构。
在示例性实施方式中，第二彩膜层204被配置为减少外界光线的反射，代替偏光片，可以有效提升显示基板的透过率、色彩饱和度，提升抗弯折性。第二彩色滤光层可以至少包括透过第一颜色光线的第二滤光层42、透过第二颜色光线的第四滤光层44、透过第三颜色光线的第六滤光层46和作为辅助滤光层的第七滤光层47，第二滤光层42可以位于第二子像素P2所在区域，第四滤光层44可以位于第四子像素P4所在区域，第六滤光层46可以位于第六子像素P6所在区域，第七滤光层47可以位于第四子像素P4和第六子像素P6之间的区域。
在示例性实施方式中，第二黑矩阵52上开设有多个第二透光开口，多个第二透光开口可以位于第二子像素P2、第四子像素P4和第六子像素P6内，第二透光开口之间的黑矩阵可以位于相邻的子像素之间。
在示例性实施方式中，第二滤光层42可以为使红色光线透过的红色滤光层，第四滤光层44可以为使绿色光线透过的绿色滤光层，第六滤光层46可以为使蓝色光线透过的蓝色滤光层，第七滤光层47可以为红色滤光层。
在示例性实施方式中，第二黑矩阵52远离基底一侧的表面与基底之间的距离L21可以小于第二彩色滤光层远离基底一侧的表面与基底之间的第二滤光距离L22。例如，距离L21可以小于第二滤光层42远离基底一侧的表面与基底之间的距离。又如，距离L21可以小于第四滤光层44远离基底一侧的表面与基底之间的距离。再如，距离L21可以小于第六滤光层46远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第二滤光层42在基底上的正投影与第四滤光层44在基底上的正投影至少部分交叠，形成第四交叠区FD4。在第四交叠区FD4所在区域，第二滤光层42远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第四滤光层44远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第七滤光层47在基底上的正投影与第四滤光层44和第六滤光层46在基底上的正投影至少部分交叠，形成第五交叠区FD5。在第五交叠区FD5所在区域，第七滤光层47远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第四滤光层44远离基底一侧的表面与基底之间的距离，和/或，第七滤光层47远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第六滤光层46远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第二滤光层42在基底上的正投影与第六滤光层46在基底上的正投影至少部分交叠，形成第六交叠区FD6。在第六交叠区FD6所在区域，第二滤光层42远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第六滤光层46远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第二滤光层42的第二厚度H2满足如下关系：
Figure 69957DEST_PATH_IMAGE027
（2）
其中，Tb为第二滤光层的理论透过率，Rb为第二滤光层的理论反射率，T2为第二滤光层的实测透过率，
Figure 446712DEST_PATH_IMAGE028
为第二滤光层吸收系数，K2为第二滤光层的厚度调整系数，0.05≤K2≤0.8。
在示例性实施方式中，Rb=1-Tb，Tb=1-[(n2-1)/(n2+1)]2，n2为第二滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，第二滤光层吸收系数
Figure 395076DEST_PATH_IMAGE029
=Ln（Io2/I2）。
其中，Io2为第二滤光层所在位置入射光的光强，I2为第二滤光层所在位置出射光的光强。
在示例性实施方式中，第二滤光层的厚度调整系数K2=K21*EXP(A21)。
其中，A21为第二滤光层对应子像素的像素开口率，K21为第二滤光层的开口率调整系数，0.096≤K21≤0.77。
在示例性实施方式中，第二滤光层的厚度调整系数K2可以满足：0.30≤K2≤0.50。
在示例性实施方式中，第二滤光层的开口率调整系数K21可以满足：0.2≤K21≤0.57。
在示例性实施方式中，第四滤光层44的第四厚度H4满足如下关系：
Figure 831874DEST_PATH_IMAGE030
（4）
其中，Td为第四滤光层的理论透过率，Rd为第四滤光层的理论反射率，T4为第四滤光层的实测透过率，
Figure 131268DEST_PATH_IMAGE031
为第四滤光层吸收系数，K4为第四滤光层的厚度调整系数，0.08≤K4≤0.6。
在示例性实施方式中，Rd=1-Td，Td=1-[(n4-1)/(n4+1)]2，n4为第四滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，第四滤光层吸收系数
Figure 311713DEST_PATH_IMAGE031
=Ln（Io4/I4）。
其中，Io4为第四滤光层所在位置入射光的光强，I4为第四滤光层所在位置出射光的光强。
在示例性实施方式中，第四滤光层的厚度调整系数K4=K41*EXP(A41)。
其中，A41为第四滤光层对应子像素的像素开口率，K41为第四滤光层的开口率调整系数，0.07≤K11≤0.56。
在示例性实施方式中，第四滤光层的厚度调整系数K4可以满足：0.2≤K4≤0.40。
在示例性实施方式中，第四滤光层的开口率调整系数K41可以满足：0.15≤K41≤0.36。
在示例性实施方式中，第六滤光层46的第六厚度H6满足如下关系：
Figure 380164DEST_PATH_IMAGE032
（6）
其中，Tf为第六滤光层的理论透过率，Rf为第六滤光层的理论反射率，T6为第六滤光层的实测透过率，
Figure 722283DEST_PATH_IMAGE033
为第六滤光层吸收系数，K6为第六滤光层的厚度调整系数，0.1≤K6≤0.7。
在示例性实施方式中，Rf=1-Tf，Tf=1-[(n6-1)/(n6+1)]2，n6为第六滤光层的折射率。
在示例性实施方式中，第六滤光层吸收系数
Figure 508974DEST_PATH_IMAGE033
=Ln（Io6/I6）。
其中，Io6为第六滤光层所在位置入射光的光强，I6为第六滤光层所在位置出射光的光强。
在示例性实施方式中，第六滤光层的厚度调整系数K6=K61*EXP(A61)。
其中，A61为第六滤光层对应子像素的像素开口率，K61为第六滤光层的开口率调整系数，0.09≤K61≤0.66。
在示例性实施方式中，第六滤光层的厚度调整系数K6可以满足：0.25≤K6≤0.6。
在示例性实施方式中，第六滤光层的开口率调整系数K61可以满足：0.24≤K61≤0.46。
在示例性实施方式中，第一显示区中第一彩色滤光层的厚度可以小于第二显示区中第二彩色滤光层的厚度。
在示例性实施方式中，第一彩色滤光层的厚度小于第二彩色滤光层的厚度可以包括如下任意一种或多种：第一滤光层41的第一厚度H1小于第二滤光层42的第二厚度H2，第三滤光层43的第三厚度H3小于第四滤光层44的第四厚度H4，第五滤光层45的第五厚度H5小于第六滤光层46的第六厚度H6。在示例性实施方式中，厚度是垂直于基底平面方向的尺寸。
在示例性实施方式中，第一显示区中第一封装层的第二子层的厚度可以大于第二显示区中第二封装层的第五子层的厚度。
在示例性实施方式中，第一显示区100和第二显示区200中的每个子像素可以包括发光区域和不发光区域，每个子像素的发光区域是黑矩阵上透光开口所在区域，每个子像素的不发光区域是黑矩阵上透光开口以外的区域，每个子像素发光区域的面积是该子像素中黑矩阵透光开口的面积。
图9为本公开示例性实施例黑矩阵透光开口的示意图。如图9所示，在平行于显示基板的平面上，第二显示区200可以包括多个第二像素单元PB，至少一个第二像素单元PB可以包括一个第二子像素P2、一个第四子像素P4和一个第六子像素P6，第二子像素P2的第二黑矩阵上开设有第二透光开口K2，第四子像素P4的第二黑矩阵上开设有第四透光开口K4，第六子像素P6的第二黑矩阵上开设有第六透光开口K6。
在示例性实施方式中，一个第二像素单元PB的面积是第二子像素P2的面积、第四子像素P4的面积和第六子像素P6的面积之和，一个第二像素单元PB中发光区域的面积是第二透光开口K2、第四透光开口K4和第六透光开口K6的面积之和。
在示例性实施方式中，第二像素单元PB的像素开口率是指第二像素单元中发光区域的面积与第二像素单元的面积的比值，第二子像素P2的像素开口率（第二滤光层对应子像素的像素开口率A21）是指第二子像素P2中第二透光开口K2的面积与第二像素单元的面积的比值，第四子像素P4的像素开口率（第四滤光层对应子像素的像素开口率A41）是指第四子像素P4中第四透光开口K4的面积与第二像素单元的面积的比值，第六子像素P6的像素开口率（第六滤光层对应子像素的像素开口率A61）是指第六子像素P6中第六透光开口K6的面积与第二像素单元的面积的比值。
在示例性实施方式中，以第一显示区100中一个第一像素单元包括一个第一子像素P1、两个第三子像素P3和一个第五子像素P5为例，在平行于显示基板的平面上，一个第一像素单元的面积是四个子像素的面积之和，一个第一像素单元中发光区域的面积是四个子像素中发光区域的面积之和。在示例性实施方式中，第一像素单元的像素开口率是指第一像素单元中发光区域的面积与第一像素单元的面积的比值，第一子像素P1的像素开口率（第一滤光层对应子像素的像素开口率A11）是指第一子像素P1中发光区域的面积与第一像素单元的面积的比值，第三子像素P3的像素开口率（第三滤光层对应子像素的像素开口率A31）是指第三子像素P3中发光区域的面积与第一像素单元的面积的比值，第五子像素P5的像素开口率（第五滤光层对应子像素的像素开口率A51）是指第五子像素P5中发光区域的面积与第一像素单元的面积的比值。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，以第一显示区中三个子像素和第二显示区中三个子像素为例，显示基板的制备过程可以包括如下步骤。
（1）形成电路结构层图案。在示例性实施方式中，形成电路结构层图案可以包括：
在基底上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括：位于第一显示区100的多个第一有源层和位于第二显示区200的多个第二有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括：位于第一显示区100的多个第一栅电极和多个第一极板以及位于第二显示区200的多个第二栅电极和多个第二极板。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括：位于第一显示区100的多个第三极板，以及位于第二显示区200的多个第四极板，第三极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分交叠，第四极板在基底上的正投影与第二极板在基底上的正投影至少部分交叠。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案第四绝缘层图案，第四绝缘层上形成多个有源过孔，位于第一显示区100的第一有源过孔分别暴露出第一有源层的两端，位于第二显示区200的第二有源过孔分别暴露出第二有源层的两端。
随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第四绝缘层上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括：位于第一显示区100的多个第一源电极和第一漏电极，以及位于第二显示区200的多个第二源电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极分别通过第一有源过孔与第一有源层连接，第二源电极和第二漏电极分别通过第二有源过孔与第二有源层连接。
随后，在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案平坦层图案，平坦层上形成有多个连接过孔，位于第一显示区100的第一连接过孔暴露出第一漏电极的表面，位于第二显示区200的第二连接过孔暴露出第二漏电极的表面。
至此，制备完成电路结构层图案，电路结构层可以包括位于第一显示区100的第一电路层101图案和位于第二显示区200的第二电路层201图案，如图10所示。
在示例性实施方式中，第一显示区100的第一电路层可以包括构成第一像素驱动电路的多个第一晶体管和第一存储电容，图10中仅以一个子像素的第一像素驱动电路包括一个第一晶体管101A和一个第一存储电容101B作为示例。第二显示区200的第二电路层可以包括构成第二像素驱动电路的多个第二晶体管和第二存储电容，图10中仅以一个子像素中的第二像素驱动电路包括一个第二晶体管201A和一个第二存储电容201B作为示例。
在示例性实施方式中，第一晶体管101A可以包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，第一存储电容101B可以包括第一极板和第三极板。第二晶体管201A可以包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，第二存储电容201B可以包括第二极板和第四极板。在示例性实施方式中，第一晶体管101A可以是第一像素驱动电路中的驱动晶体管，第二晶体管201A可以是第二像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）。
在示例性实施方式中，基底可以是刚性基底，或者可以是柔性基底。刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，柔性基底可以采用聚酰亚胺（PI）等材料，柔性基底可以是单层结构，或者可以是无机材料层和柔性材料层构成的叠层结构，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）和氮氧化硅（SiON）中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲（Buffer）层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为（GI）层，第四绝缘层可以称为层间绝缘（ILD）层。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银（Ag）、铜（Cu）、铝（Al）、钛（Ti）和钼（Mo）中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金（AlNd）或钼铌合金（MoNb），可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。平坦层可以采用有机材料，如树脂等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料（a-IGZO）、氮氧化锌（ZnON）、氧化铟锌锡（IZTO）、非晶硅（a-Si）、多晶硅（p-Si）、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管，本公开在此不做限定。
（2）形成发光结构层图案。在示例性实施方式中，形成发光结构层图案可以包括：
在形成前述图案的基底上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成阳极电极层图案，阳极电极层图案至少可以包括：位于第一显示区100的多个第一阳极21和位于第二显示区200的多个第二阳极22，第一阳极21通过第一连接过孔与第一晶体管101A的第一漏电极连接，第二阳极22通过第二连接过孔与第二晶体管201A的第二漏电极连接。
随后，在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层图案，像素定义层图案至少可以包括：位于第一显示区100的第一像素定义层23和位于第二显示区200的第二像素定义层24，第一像素定义层23上设置有多个第一像素开口，第一像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露第一阳极21的表面，第二像素定义层24上设置有多个第二像素开口，第二像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露第二阳极22的表面。
随后，在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成有机发光层图案，有机发光层图案至少可以包括：位于第一显示区100的第一有机发光层25和位于第二显示区200的第二有机发光层26，第一有机发光层25通过第一像素开口第一阳极21连接，第二有机发光层26通过第二像素开口与第二阳极22连接。
随后，在形成前述图案的基底上，通过开放式掩膜版的蒸镀方式形成阴极27图案，整面结构的阴极27可以位于第一显示区100和第二显示区200，阴极27分别与第一有机发光层25和第二有机发光层26连接，实现了有机发光层同时与阳极和阴极连接。
至此，制备完成发光结构层图案，发光结构层图案可以包括位于第一显示区100的第一发光层102图案和位于第二显示区200的第二发光层202图案，如图11所示。
在示例性实施方式中，第四导电薄膜可以采用金属材料、透明导电材料或者金属材料和透明导电材料的多层复合结构，金属材料可以包括银（Ag）、铜（Cu）、铝（Al）、钛（Ti）和钼（Mo）中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO），多层复合结构可以是ITO/Al/ITO等。
在示例性实施方式中，像素定义薄膜的材料可以包括聚酰亚胺或亚克力等。在示例性实施方式中，可以采用半色调（Half Tone Mask）掩膜板的图案化工艺，在形成像素定义层图案时形成隔垫柱图案，隔垫柱可以设置在像素开口的外侧，隔垫柱被配置为在后续蒸镀工艺中支撑精细金属掩模版，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层（EML），以及如下任意一种或多种：空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子阻挡层（EBL）、空穴阻挡层（HBL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。
在示例性实施方式中，制备有机发光层可以采用如下方式：
首先采用开放式掩膜版（Open Mask，简称OPM）的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺在第一显示区100和第二显示区200依次形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，在显示基板上形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层。
随后采用精细金属掩模版（Fine Metal Mask，简称FMM）的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺，在不同的子像素形成不同的发光层。例如，在第一显示区100的第一子像素和第二显示区200第二子像素形成红色发光层，在第一显示区100的第三子像素和第二显示区200第四子像素形成绿色发光层，在第一显示区100的第五子像素和第二显示区200第六子像素形成蓝色发光层。相邻子像素的发光层可以有少量的交叠（例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10%），或者可以是隔离的。
随后采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺在第一显示区100和第二显示区200依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，第一有机发光层25和第二有机发光层26中可以包括微腔调节层，使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层作为微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体（Host）材料和掺杂在主体材料中的客体（Dopant）材料，发光层客体材料的掺杂比例为1%至20%。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂（LiF）、镱（Yb）、镁（Mg）或钙（Ca）等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
在示例性实施方式中，阴极可以采用镁（Mg）、银（Ag）、铝（Al）、铜（Cu）和锂（Li）中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
在一些可能的示例性实施方式中，可以在形成阴极图案后形成光学耦合层图案，光学耦合层设置在阴极上，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率，光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
（3）形成封装结构层图案。在示例性实施方式中，形成封装结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第一封装薄膜，形成第一层图案，第一层图案至少可以包括：位于第一显示区100的第一子层31和位于第二显示区200的第四子层34。随后利用开放式掩膜板采用喷墨打印工艺打印第二封装材料，形成第二层图案，第二层图案至少可以包括：位于第一显示区100的第二子层32和位于第二显示区200的第五子层35。随后利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第三封装薄膜，形成第三层图案，第三层图案至少可以包括：位于第一显示区100的第三子层33和位于第二显示区200的第六子层36。
在示例性实施方式中，第二子层32可以作为本公开有机材料的第一有机层，第五子层35可以作为本公开有机材料的第二有机层。通过控制打印第二封装材料的打印量，在第一显示区100打印第二封装材料的打印量多于在第二显示区200打印第二封装材料的打印量，使得第一显示区100中第二子层32的厚度h1大于第五子层35的厚度h2。
在示例性实施方式中，第二子层32的厚度h1可以是第二子层32的最小厚度，第五子层35的厚度h2可以是第五子层35的最小厚度；或者，第二子层32的厚度h1可以是第二子层32的最大厚度，第五子层35的厚度h2可以是第五子层35的最大厚度；或者，第二子层32的厚度h1可以是第二子层32的平均厚度，第五子层35的厚度h2可以是第五子层35的平均厚度。
在示例性实施方式中，第二子层32远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第五子层35远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
至此，制备完成封装结构层图案，封装结构层图案可以包括位于第一显示区100的第一封装层103图案和位于第二显示区200的第二封装层203图案，如图12所示。
在示例性实施例中，第一封装薄膜和第三封装薄膜可以采用硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）和氮氧化硅（SiON）中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以保证外界水氧无法进入发光结构层，沉积方式可以采用化学气相沉积（CVD）或者原子层沉积（ALD）等方式。第二封装薄膜可以采用有机材料，如树脂等，起到包覆显示基板各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。
（4）形成黑矩阵图案。在示例性实施方式中，形成黑矩阵图案可以包括：在形成前述图案的基底上，涂覆黑矩阵薄膜，通过图案化工艺对黑矩阵薄膜进行图案化，形成黑矩阵图案，黑矩阵图案至少可以包括：位于第一显示区100的第一黑矩阵51图案和位于第二显示区200的第二黑矩阵52图案，如图13所示。
在示例性实施方式中，第一黑矩阵51上设置有多个透光开口，多个透光开口内的黑矩阵薄膜被去掉，暴露封装结构层的表面，多个透光开口被配置为设置不同的滤光层。
在示例性实施方式中，多个透光开口可以至少包括位于第一子像素P1所在区域内的第一透光开口K1、位于第三子像素P3所在区域内的第三透光开口K3和位于第五子像素P5所在区域内的第五透光开口K5。
在示例性实施方式中，第一透光开口K1、第三透光开口K3和第五透光开口K5的形状可以不同。例如，第一透光开口K1的形状可以为第一矩形，第一矩形中沿着第一方向延伸的第一边的长度与沿着第二方向延伸的第二边的长度相近或者相等。第三透光开口K3的形状可以为第三矩形，第三矩形中沿着第一方向延伸的第一边的长度可以小于沿着第二方向延伸的第二边的长度。第五透光开口K5的形状可以为第五矩形，第五矩形中沿着第一方向延伸的第一边的长度可以大于沿着第二方向延伸的第二边的长度。其中，第一方向可以是像素行方向，第二方向可以是像素列方向。
在示例性实施方式中，第二黑矩阵52上设置有多个透光开口，多个透光开口内的黑矩阵薄膜被去掉，暴露封装结构层的表面，多个透光开口被配置为设置不同的滤光层。
在示例性实施方式中，多个透光开口可以至少包括位于第二子像素P2所在区域内的第二透光开口K2、位于第四子像素P4所在区域内的第四透光开口K4和位于第六子像素P6所在区域内的第六透光开口K6。
在示例性实施方式中，第二透光开口K2、第四透光开口K4和第六透光开口K6的形状可以不同。例如，第二透光开口K2的形状可以为第二圆形，第四透光开口K4的形状可以为第四圆形，第六透光开口K6的形状可以为第六圆形，第六圆形的直径可以大于第二圆形的直径，第二圆形的直径可以大于第四圆形的直径。
（5）形成第三滤光层和第四滤光层图案。在示例性实施方式中，形成第三滤光层和第四滤光层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，涂覆绿色滤光薄膜，通过图案化工艺对绿色滤光薄膜进行图案化，在第一显示区100和第二显示区200分别形成多个第三滤光层43和第四滤光层44图案，如图14所示。
在示例性实施方式中，第一显示区100的多个第三滤光层43设置在第三子像素P3所在区域，不仅填充第三子像素P3的第三透光开口，而且覆盖第三子像素P3的第一黑矩阵51，使得第三滤光层43远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第一黑矩阵51远离基底一侧的表面与基底之间的距离，即相对于第三滤光层43，第一黑矩阵51更靠近基底。
在示例性实施方式中，通过图案化工艺可以控制第三滤光层43的第三厚度H3，使得第三滤光层43的第三厚度H3满足前述公式（3）。
在示例性实施方式中，第二显示区200的多个第四滤光层44设置在第四子像素P4所在区域，不仅填充第四子像素P4的第四透光开口，而且覆盖第四子像素P4的第二黑矩阵52，使得第四滤光层44远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第二黑矩阵52远离基底一侧的表面与基底之间的距离，即相对于第四滤光层44，第二黑矩阵52更靠近基底。
在示例性实施方式中，通过图案化工艺可以控制第四滤光层44的第四厚度H4，使得第四滤光层44的第四厚度H4满足前述公式（4）。
（6）形成第五滤光层和第六滤光层图案。在示例性实施方式中，形成第五滤光层和第六滤光层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，涂覆蓝色滤光薄膜，通过图案化工艺对蓝色滤光薄膜进行图案化，在第一显示区100和第二显示区200分别形成多个第五滤光层45和第六滤光层46图案，如图15所示。
在示例性实施方式中，第一显示区100的多个第五滤光层45设置在第五子像素P5所在区域，不仅填充第五子像素P5的第五透光开口，而且覆盖第五子像素P5的第一黑矩阵51，使得第五滤光层45远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第一黑矩阵51远离基底一侧的表面与基底之间的距离，即相对于第五滤光层45，第一黑矩阵51更靠近基底。
在示例性实施方式中，第五滤光层45靠近第三滤光层43的一侧搭设在第三滤光层43上，第五滤光层45在基底上的正投影与第三滤光层43在基底上的正投影至少部分交叠，交叠区域形成第二交叠区FD2。在第二交叠区FD2所在区域，第五滤光层45远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第三滤光层43远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，通过图案化工艺可以控制第五滤光层45的第五厚度H5，使得第五滤光层45的第五厚度H5满足前述公式（5）。
在示例性实施方式中，第二显示区200的多个第六滤光层46设置在第六子像素P6所在区域，不仅填充第六子像素P6的第六透光开口，而且覆盖第六子像素P6的第二黑矩阵52，使得第六滤光层46远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第二黑矩阵52远离基底一侧的表面与基底之间的距离，即相对于第六滤光层46，第二黑矩阵52更靠近基底。
在示例性实施方式中，第四滤光层44和第六滤光层46之间设置有滤光开口K7，滤光开口K7内的第四滤光层44和第六滤光层46被去掉，暴露出第二黑矩阵52的表面，滤光开口K7被配置为设置后续形成的第七滤光层。
在示例性实施方式中，滤光开口K7在基底上的正投影可以位于第二黑矩阵52在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，通过图案化工艺可以控制第六滤光层46的第六厚度H6，使得第六滤光层46的第六厚度H6满足前述公式（6）。
（7）形成第一滤光层、第二滤光层和第七滤光层图案。在示例性实施方式中，形成第一滤光层、第二滤光层和第七滤光层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，涂覆红色滤光薄膜，通过图案化工艺对红色滤光薄膜进行图案化，在第一显示区100和第二显示区200分别形成多个第一滤光层41、多个第二滤光层42和多个第七滤光层47图案，如图16所示。
在示例性实施方式中，第一显示区100的多个第一滤光层41设置在第一子像素P1所在区域，不仅填充第一子像素P1的第一透光开口，而且覆盖第一子像素P1的第一黑矩阵51，使得第一滤光层41远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第一黑矩阵51远离基底一侧的表面与基底之间的距离，即相对于第一滤光层41，第一黑矩阵51更靠近基底。
在示例性实施方式中，第一滤光层41靠近第三滤光层43的一侧搭设在第三滤光层43上，第一滤光层41在基底上的正投影与第三滤光层43在基底上的正投影至少部分交叠，交叠区域形成第一交叠区FD1。在第一交叠区FD1所在区域，第一滤光层41远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第三滤光层43远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第一滤光层41靠近第五滤光层45的一侧搭设在第五滤光层45上，第一滤光层41在基底上的正投影与第五滤光层45在基底上的正投影至少部分交叠，交叠区域形成第三交叠区FD3。在第三交叠区FD3，第一滤光层41远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第五滤光层45远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，通过图案化工艺可以控制第一滤光层41的第一厚度H1，使得第一滤光层41的第一厚度H1满足前述公式（1）。
在示例性实施方式中，第二显示区200的多个第二滤光层42设置在第二子像素P2所在区域，不仅填充第二子像素P2的第二透光开口，而且覆盖第二子像素P2的第二黑矩阵52，使得第二滤光层42远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第二黑矩阵52远离基底一侧的表面与基底之间的距离，即相对于第二滤光层42，第二黑矩阵52更靠近基底。
在示例性实施方式中，第二滤光层42靠近第四滤光层44的一侧搭设在第四滤光层44上，第二滤光层42在基底上的正投影与第四滤光层44在基底上的正投影至少部分交叠，交叠区域形成第四交叠区FD4。在第四交叠区FD4所在区域，第二滤光层42远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第四滤光层44远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第二滤光层42靠近第六滤光层46的一侧搭设在第六滤光层46上，第二滤光层42在基底上的正投影与第六滤光层46在基底上的正投影至少部分交叠，交叠区域形成第六交叠区FD6。在第六交叠区FD6所在区域，第二滤光层42远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第六滤光层46远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第二显示区200的多个第七滤光层47设置在第四子像素P4和第六子像素P6之间，第七滤光层47不仅填充滤光开口K7，而且靠近第四滤光层44的一侧搭设在第四滤光层44上，靠近第六滤光层46的一侧搭设在第六滤光层46上，第七滤光层47在基底上的正投影与第四滤光层44在基底上的正投影至少部分交叠，第七滤光层47在基底上的正投影与第六滤光层46在基底上的正投影至少部分交叠，交叠区域形成第五交叠区FD5。在第五交叠区FD5所在区域，第七滤光层47远离基底一侧的表面与基底之间的距离可以大于第四滤光层44和第六滤光层46远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
在示例性实施方式中，第七滤光层47在基底上的正投影可以位于第二黑矩阵52在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，通过图案化工艺可以控制第二滤光层42的第二厚度H2，使得第二滤光层42的第二厚度H2满足前述公式（2）。
至此，制备完成彩膜结构层图案，彩膜结构层图案可以包括位于第一显示区100的第一彩膜层104和位于第二显示区200的第二彩膜层204图案，第一彩膜层104可以包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，第二彩膜层204可以包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵。
在示例性实施方式中，在形成彩膜层之前，可以在封装结构层上先形成一层功能层（Functional Layer，简称FL），然后在功能层形成彩膜层。在示例性实施方式中，功能层可以是触摸结构层（TSP），触摸结构层可以包括触控电极层，或者包括触控电极层和触控绝缘层等，本公开在此不作限定。
通过本公开示例性实施例显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开通过设置第一显示区中第一彩色滤光层的厚度小于第二显示区中第二彩色滤光层的厚度，可以提高第一显示区的出光效率，可以有效减小第一显示区的亮度衰减。本公开通过设置位于蓝色滤光层和绿色滤光层之间的辅助滤光层，且红色滤光层搭设在蓝色滤光层和绿色滤光层的外侧，可以减少大视角下的绿光和蓝光，可以增加红光，可以有效解决大视角发青的问题。本公开通过设置滤光层的厚度与滤光层对应子像素的像素开口率正相关，可以有效保证电子装置的低反射率。本公开对红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层的厚度进行差异化设计，不同颜色滤光层具有不同的开口率调整系数，通过调整不同颜色滤光层的亮度差异，有利于提高红光的亮度，可以有效解决大视角发青的问题。本公开制备方法不需要改变现有工艺流程，不需改变现有工艺设备，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，工艺可实现性高，实用性强。
本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的电子装置中，如OLED、量子点显示（QLED）、发光二极管显示（Micro LED 或Mini LED）或量子点发光二极管显示（QDLED）等，本公开在此不做限定。
本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，以制备出前述示例性实施例的显示基板。在示例性实施方式中，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；所述制备方法可以包括：
在所述第一显示区和第二显示区的基底上分别形成第一显示结构层和第二显示结构层；
在所述第一显示结构层上形成第一彩膜层，在所述第二显示结构层上形成第二彩膜层；所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度。
图17为本公开示例性实施例一种电子装置的结构示意图。如图17所示，电子装置可以包括显示基板、盖窗结构60和摄像装置70，盖窗结构60可以设置在显示基板的出光面的一侧，摄像装置70可以设置在显示基板远离盖窗结构60的一侧，显示基板为前述的显示基板。
在示例性实施方式中，盖窗结构60可以包括：设置在显示基板上的覆盖（OverCoat，简称OC）层61、设置在覆盖层61远离显示基板一侧的超薄玻璃（Ultra Thin Glass，简称UTG）层62、设置在超薄玻璃层62远离显示基板一侧的粘结层63以及设置在粘结层63远离显示基板一侧的盖板层64。
在示例性实施方式中，覆盖层61可以采用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等材料，粘结层可以采用光学胶（OCA），盖板层63可以采用盖板玻璃（Cover Glass，简称CG），或者，盖板层63可以采用具可挠特性的塑胶类聚对苯二甲酸乙二醇酯PET，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，摄像装置70的位置可以与显示基板的第一显示区100相对应，摄像装置70在显示基板上的正投影与第一显示区100在显示基板上的正投影至少部分交叠，摄像装置70在显示基板上的正投影与第二显示区200在显示基板上的正投影没有交叠。
本公开示例性实施例电子装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (41)

1.一种显示基板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，所述第一显示区包括设置在基底上的第一显示结构层和设置在所述第一显示结构层远离所述基底一侧的第一彩膜层，所述第二显示区包括设置在基底上的第二显示结构层和设置在所述第二显示结构层远离所述基底一侧的第二彩膜层，所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度；所述第一彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第一滤光层、透过第二颜色光线的第三滤光层和透过第三颜色光线的第五滤光层，所述第二彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第二滤光层、透过第二颜色光线的第四滤光层和透过第三颜色光线的第六滤光层；所述第一滤光层和第二滤光层为红色滤光层，所述第三滤光层和第四滤光层为绿色滤光层，所述第五滤光层和第六滤光层为蓝色滤光层；所述第一滤光层在所述基底上的正投影与所述第五滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第三交叠区，在所述第三交叠区，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度包括如下任意一种或多种：所述第一滤光层的第一厚度小于所述第二滤光层的第二厚度，所述第三滤光层的第三厚度小于所述第四滤光层的第四厚度，所述第五滤光层的第五厚度小于所述第六滤光层的第六厚度。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在平行于显示基板的平面上，所述第一显示区至少包括第一子像素、第三子像素和第五子像素，所述第二显示区至少包括第二子像素、第四子像素和第六子像素；所述第一滤光层设置在所述第一子像素，所述第二滤光层设置在所述第二子像素，所述第三滤光层设置在所述第三子像素，所述第四滤光层设置在所述第四子像素，所述第五滤光层设置在所述第五子像素，所述第六滤光层设置在所述第六子像素；对于透过相同颜色光线的滤光层，所述滤光层的厚度与所述滤光层所在子像素的像素开口率正相关。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，对于透过相同颜色光线的滤光层，所述滤光层的厚度与所述滤光层所在子像素的像素开口率正相关包括如下任意一种或多种：所述第一滤光层和第二滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，所述第三滤光层和第四滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关，所述第五滤光层和第六滤光层的厚度与滤光层所在子像素的像素开口率正相关。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一黑矩阵远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离小于所述第一彩色滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离，所述第二黑矩阵远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离小于所述第二彩色滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一滤光层在所述基底上的正投影与所述第三滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第一交叠区，在所述第一交叠区，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第三滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第三滤光层在所述基底上的正投影与所述第五滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第二交叠区，在所述第二交叠区，所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第三滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
8.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二滤光层在所述基底上的正投影与所述第四滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第四交叠区，在所述第四交叠区，所述第二滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第四滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
9.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二彩色滤光层还包括第七滤光层，所述第七滤光层位于所述第四滤光层和第六滤光层之间，所述第七滤光层在所述基底上的正投影与所述第四滤光层和第六滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第五交叠区，在所述第五交叠区，所述第七滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第四滤光层和/或所述第六滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
10.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二滤光层在所述基底上的正投影与所述第六滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第六交叠区，在所述第六交叠区，所述第二滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第六滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第七滤光层为红色滤光层。
12.根据权利要求2至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一滤光层的第一厚度H1满足如下关系：
Figure 20062DEST_PATH_IMAGE001
（1）
其中，Ta为所述第一滤光层的理论透过率，Ta=1-[(n1-1)/(n1+1)]2，Ra为所述第一滤光层的理论反射率，Ra=1-Ta，T1为所述第一滤光层的实测透过率，α1为所述第一滤光层吸收系数，K1为所述第一滤光层的厚度调整系数，0.01≤K1≤0.7。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第一滤光层的厚度调整系数K1满足：0.1≤K1≤0.4。
14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，α1=Ln（Io1/I1），K1=K11*EXP(A11)；
其中，Io1为所述第一滤光层所在位置入射光的光强，I1为所述第一滤光层所在位置出射光的光强，A11为所述第一滤光层对应子像素的像素开口率，K11为所述第一滤光层的开口率调整系数，0.01≤K11≤0.68，n1为所述第一滤光层的折射率。
15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述第一滤光层的开口率调整系数K11满足：0.1≤K11≤0.35。
16.根据权利要求2至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二滤光层的第二厚度H2满足如下关系：
Figure 937202DEST_PATH_IMAGE002
（2）
其中，Tb为所述第二滤光层的理论透过率，Tb=1-[(n2-1)/(n2+1)]2，Rb为所述第二滤光层的理论反射率，Rb=1-Tb，T2为所述第二滤光层的实测透过率，α2为所述第二滤光层吸收系数，K2为所述第二滤光层的厚度调整系数，0.05≤K2≤0.8。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，所述第二滤光层的厚度调整系数K2满足：0.2≤K2≤0.5。
18.根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，α2=Ln（Io2/I2），K2=K21*EXP(A21)；
其中，Io2为所述第二滤光层所在位置入射光的光强，I2为所述第二滤光层所在位置出射光的光强，A21为所述第二滤光层对应子像素的像素开口率，K21为所述第二滤光层的开口率调整系数，0.096≤K21≤0.77，n2为所述第二滤光层的折射率。
19.根据权利要求18所述的显示基板，其特征在于，所述第二滤光层的开口率调整系数K21满足：0.2≤K21≤0.57。
20.根据权利要求2至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第三滤光层的第三厚度H3满足如下关系：
Figure 716939DEST_PATH_IMAGE003
（3）
其中，Tc为所述第三滤光层的理论透过率，Tc=1-[(n3-1)/(n3+1)]2，Rc为所述第三滤光层的理论反射率，Rc=1-Tc，T3为所述第三滤光层的实测透过率，α3为所述第三滤光层吸收系数，K3为所述第三滤光层的厚度调整系数，0.02≤K3≤0.72。
21.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述第三滤光层的厚度调整系数K3满足：0.2≤K3≤0.52。
22.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，α3=Ln（Io3/I3），K3=K31*EXP(A31)；
其中，Io3为所述第三滤光层所在位置入射光的光强，I3为所述第三滤光层所在位置出射光的光强，A31为所述第三滤光层对应子像素的像素开口率，K31为所述第三滤光层的开口率调整系数，0.01≤K31≤0.69，n3为所述第三滤光层的折射率。
23.根据权利要求22所述的显示基板，其特征在于，所述第三滤光层的开口率调整系数K31满足：0.21≤K31≤0.49。
24.根据权利要求2至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第四滤光层的第四厚度H4满足如下关系：
Figure 423733DEST_PATH_IMAGE004
（4）
其中，Td为所述第四滤光层的理论透过率，Td=1-[(n4-1)/(n4+1)]2，Rd为所述第四滤光层的理论反射率，Rd=1-Td，T4为所述第四滤光层的实测透过率，α4为所述第四滤光层吸收系数，K4为所述第四滤光层的厚度调整系数，0.08≤K4≤0.6。
25.根据权利要求24所述的显示基板，其特征在于，所述第四滤光层的厚度调整系数K4满足：0.2≤K4≤0.4。
26.根据权利要求24所述的显示基板，其特征在于，α4=Ln（Io4/I4），K4=K41*EXP(A41)；
其中，Io4为所述第四滤光层所在位置入射光的光强，I4为所述第四滤光层所在位置出射光的光强，A41为所述第四滤光层对应子像素的像素开口率，K41为所述第四滤光层的开口率调整系数，0.07≤K41≤0.56，n4为所述第四滤光层的折射率。
27.根据权利要求26所述的显示基板，其特征在于，所述第四滤光层的开口率调整系数K41满足：0.25≤K41≤0.36。
28.根据权利要求2至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第五滤光层的第五厚度H5满足如下关系：
Figure 238105DEST_PATH_IMAGE005
（5）
其中，Te为所述第五滤光层的理论透过率，Te=1-[(n5-1)/(n5+1)]2，Re为所述第五滤光层的理论反射率，Re=1-Te，T5为所述第五滤光层的实测透过率，α5为所述第五滤光层吸收系数，K5为所述第五滤光层的厚度调整系数，0.01≤K5≤0.7。
29.根据权利要求28所述的显示基板，其特征在于，所述第五滤光层的厚度调整系数K5满足：0.2≤K5≤0.5。
30.根据权利要求28所述的显示基板，其特征在于，α5=Ln（Io5/I5），K5=K51*EXP(A51)；
其中，Io5为所述第五滤光层所在位置入射光的光强，I5为所述第五滤光层所在位置出射光的光强，A51为所述第五滤光层对应子像素的像素开口率，K51为所述第五滤光层的开口率调整系数，0.11≤K51≤0.86，n5为所述第五滤光层的折射率。
31.根据权利要求30所述的显示基板，其特征在于，所述第五滤光层的开口率调整系数K51满足：0.25≤K51≤0.66。
32.根据权利要求2至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第六滤光层的第六厚度H6满足如下关系：
Figure 122885DEST_PATH_IMAGE006
（6）
其中，Tf为所述第六滤光层的理论透过率，Tf=1-[(n6-1)/(n6+1)]2，Rf为所述第六滤光层的理论反射率，Rf=1-Tf，T6为所述第六滤光层的实测透过率，α6为所述第六滤光层吸收系数，K6为所述第六滤光层的厚度调整系数，0.1≤K6≤0.7。
33.根据权利要求32所述的显示基板，其特征在于，所述第六滤光层的厚度调整系数K6满足：0.25≤K6≤0.6。
34.根据权利要求32所述的显示基板，其特征在于，α6=Ln（Io6/I6），K6=K61*EXP(A61)；
其中，Io6为第六滤光层所在位置入射光的光强，I6为第六滤光层所在位置出射光的光强，A61为第六滤光层对应子像素的像素开口率，K61为所述第六滤光层的开口率调整系数，0.09≤K61≤0.66，n6为第六滤光层的折射率。
35.根据权利要求34所述的显示基板，其特征在于，所述第六滤光层的开口率调整系数K61满足：0.24≤K61≤0.46。
36.根据权利要求1至11任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一显示结构层包括设置在所述基底上的第一电路层、设置在所述第一电路层远离所述基底一侧的第一发光层和设置在所述第一发光层远离所述基底一侧的第一封装层，所述第一封装层至少包括有机材料的第一有机层；所述第二显示结构层包括设置在所述基底上的第二电路层、设置在所述第二电路层远离所述基底一侧的第二发光层和设置在所述第二发光层远离所述基底一侧的第二封装层，所述第二封装层至少包括有机材料的第二有机层；所述第一有机层的厚度大于所述第二有机层的厚度。
37.一种电子装置，其特征在于，包括摄像装置和如权利要求1至36任一项所述的显示基板，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第一显示区在所述显示基板上的正投影至少部分交叠，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第二显示区在所述显示基板上的正投影没有交叠。
38.根据权利要求37所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括盖窗结构，所述盖窗结构设置在所述显示基板的出光面的一侧。
39.根据权利要求38所述的电子装置，其特征在于，所述盖窗结构包括：设置在所述显示基板上的覆盖层，设置在所述覆盖层远离所述显示基板一侧的超薄玻璃层，设置在所述超薄玻璃层远离所述显示基板一侧的粘结层，以及设置在所述粘结层远离所述显示基板一侧的盖板层。
40.根据权利要求39所述的电子装置，其特征在于，所述盖板层包括盖板玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
41.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；所述制备方法包括：
在所述第一显示区和第二显示区的基底上分别形成第一显示结构层和第二显示结构层；
在所述第一显示结构层上形成第一彩膜层，在所述第二显示结构层上形成第二彩膜层；所述第一彩膜层包括第一彩色滤光层和第一黑矩阵，所述第二彩膜层包括第二彩色滤光层和第二黑矩阵，所述第一彩色滤光层的厚度小于所述第二彩色滤光层的厚度；所述第一彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第一滤光层、透过第二颜色光线的第三滤光层和透过第三颜色光线的第五滤光层，所述第二彩色滤光层包括透过第一颜色光线的第二滤光层、透过第二颜色光线的第四滤光层和透过第三颜色光线的第六滤光层；所述第一滤光层和第二滤光层为红色滤光层，所述第三滤光层和第四滤光层为绿色滤光层，所述第五滤光层和第六滤光层为蓝色滤光层；所述第一滤光层在所述基底上的正投影与所述第五滤光层在所述基底上的正投影至少部分交叠，形成第三交叠区，在所述第三交叠区，所述第一滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第五滤光层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。
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